TWI267938B - Stackable tray for integrated circuits with corner support elements and lateral support elements forming matrix tray capture system - Google Patents

Description

1267938 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於積體電路之托盤，特別有關於球狀閘陣 列封裝（Ball Grid Array，BGA)型之積體電路托盤。此托 盤係可堆疊且包含一上面和一下面，其中相鄰托盤之上、 下面在其間形成存儲空隙區域（storage p〇cket訂⑸心。 更特別是，其中的一面係包含角元件（c〇rner element幻 以界定該存儲空隙之周邊，並且限制該積體電路在平行於 該托盤之底板方向（X— γ)。該面另包含若干橫向件 (lateral elements)，這些橫向件延伸入至該存儲空隙 中，從而形成一突出部分以限制該積體電路在垂直於該托 盤之底板方向（Z)。另一面則包含橫向件以界定該存儲空 隙之周邊且限制該積體電路在平行於托盤之底板方向（χ: Υ)，且包含若干角元件，這些角元件延伸入至該存儲空隙 内，從而形成一反向突出冑分以限制該積體電路在垂直於 該托盤之底板方向（Ζ)。這些角元件和橫向件是從該托盤 底板伸出或突起。 i 【先前技術】 於先前技術，已知係利料堆疊㈣來存放和運輸積體 電路，特別是球狀閘陣列封裝（Ball Grid Array，積 體電路。這些可堆疊托盤通常形成個別之存儲空隙以嵌二 各晶片。此外’這些托盤有時也用於自動裝配設備作為嵌 入和定位晶片之運載卫具。在此類型之應用上，使用盘托 盤分開之蓋Uids)，會因為增加移除此獨立蓋的步驟^使 1267938 得自動裝配過程變得更困難。 此外’針對晶片這些可堆疊托盤提供實f機械和靜電/ 電磁防護是絕對必要的。 於1995年3月28日頒與Mast〇n等人的美國專 5,400’904號’標題為“用於球形末端積體電路的牦般，，. 月u曰頒與—的美國專利第51〇3，二: 以為用於具有支承凸起之積體電路的托盤” ；1 992年 、/、MaSt〇n專人的吳國專利第5,080,228號， W為用於電子元件的一整體運載和系統’，；i99i〇 月‘：二:與Mu*的美國專利第5，_，697號，標題為 用於PGA電子凡件的運載系統”；1 988年8月 與Murphy的美國專利第4,7 〜 卷工‘遞為電子元件運 载〃中可以找到先前技術可堆疊托盤之若干範例。 【發明内容】 因此’本發明之一目的你接 ^ 7係^供一種可破堆疊之托般，以 ^供作為電子晶皿 Γ . _ ，但不限於球狀閘陣列封11 ㈣―，BGA)晶片的存儲空隙。 ㈣衣(肫11 因此，本發明之另一目的李 輪電子曰H # ^ 的係棱供一種托盤用於存放和運 别弘子日日片，其中該托盤 的擁P 為存放於其中的晶片提供更好 的機械，靜電和電磁防護。 乃扠仏更好 因此，本發明之再一目 輪電子晶片，其中，在平疒於、士和、托盤用於存放和運 猶4 在千丁於托盤底板之方向f X— V)姑 又17支承晶片的結構與在垂 托I底板之方向（Z)捕獲 10 1267938 和支承晶片的結構是相互分離和獨立的。 因此，本發明之再一 輸電子曰M ^ , w 、糸提供~種托盤用於存 物私子曰曰片，其中界定存儲 仔敌和運 邊被移動。 ’、、、、°構通_是從托盤的周 :此’本發明之再一目的係提供一 輸…片，其中存儲空隙係由：存放和運 定，界定存儲空隙所需之額外成和界 以減少或省去。 再凡仵忒如獨立盍，則可 因此，本發明之再一目的係提 輸電子晶片，該托盤達到上、+、，托a用於存放和運 开）妝以、由一 迷之目的同時還保持一種簡單 形狀以被谷易和低價鑄造或製造。 早 這些和其他目的係可被達成般 盤可被相同托盤依序堆^ t Μ、難盤，该托 盤之第-面，諸如：面來以在其間形成存儲空隙。托 ^ ^ 包含角元件，其從托盤底板延伸 出亚界疋存儲空隙之拐角。 、呷 儲空隙的寬度和長度實質兀 父又所界定之存 的寬度和長度。第m2將被存放和運輸之晶片 l含橫向件，其沿存儲空隙之各 :: = =伸出。在這第-面上，角元件從托盤底板 '、σ牛i伸出的距離。然而，橫向件朝 存健空隙中’從而界定二個相對橫向狀間的寬 該寬度或長度小於由角元件之内交叉所界定的 存=的寬度或長度。托盤第一面上所形成的結構使角 體電路在平行於托盤底板之方向(χ—γ)。橫向 ^向内延伸係形成-反向突出部分，以限 11 1267938 制積體電路在垂直於托盤底板之方向（z)。 托盤的第二面，例如托般之 祀凰之下面，包含從托盤底板延伸 出之角元件。托盤第二面上各角元件的内交叉所界定之區 !’在寬度和長度上都略小於由托盤第-面上角元件之内 父叉所界定的存儲空隙。麸 …、而，托盤第二面的橫向件所界 定的區域與由托盤第一面上— 曲上的角兀件所界定的存儲區域有 相同的空間。此外，在托盤 的弟一面上，橫向件從托盤底 扳上延伸的距離大於魚亓株 用件延伸的距離。於托盤第二面上 所形成的結構使角元件形成一突 大出部分，以限制積體電在 垂直於托盤底板之方而, 万向（z)，而托盤第二面上之橫向件則 限制積體電路在平行於托盤底板之方向q—y)。 、 由於托盤第一和第二面上的角元件和橫向件是獨w 底板或托盤底板的元件，因卜 空隙。 卩此不使用或不需壁以界定存儲 經由以下具體實施例的謀 、 也妁的孑細呪明及芩照該圖示， 上述及更多優點將成為顯而易見。 【實施方式】 現請參照詳細圖示，其中於所有圖示中相同之 相同的元件。繁不〜衣不 祁㈣1干弟1圖疋堆豐托盤1〇上面12之一 圖，第3圖則是堆疊托盤1〇 視 叠托盤之上面12另呈現以2二^體透視圖。堆 力王現於弟2，5和13圖，而雄晶化 盤10之下面14則另示於第4, 12和15圖。 宜牦 在此所示之具體實施例，_種晶片存儲空 12 1267938 係由堆叠 悉該技藝 存儲空隙 而形成。 接連相同或大體相同之托盤1 〇而形 、 者將清楚知道，本發明亦包含、然而，熟 。托盤Η通常係由高抗靜電和=量或配置之 电不阿抗電磁模壓塑膠 托盤1 0包含由長邊20，24和短邊22，26 ^ 形底板16。如第η，14圖和第16 —19圖所示，界疋的:矩 逐漸尖細之支承邊（support rim) 28沿該邊別，2^1伸 26朝下延伸並終止於表面3〇。同樣地，朝上延伸之2支：、. 32係沿邊2G，22, 24, 26朝上延伸並包含周邊開槽座= 一接連托盤10之表面30堆疊在該座34内且在其上對齊且 安置（堆疊配置請見第18和19圖）。此外，為對齊接^之 堆$托盤1 0，如第1和6圖所示，上面i 2包含凸緣4 〇， 42，該凸緣於長邊20，24偏離中心位置處從該朝上延伸支 承邊（support rim)32朝内突出。如第3和12圖中所示， 凹槽44，46係形成於接合區（lands)48，5〇和52，54之 間’該接合區係沿長邊2 〇，2 4偏離中心位置處從該朝下延 伸逐漸尖細支承邊（support rim)28朝内形成於該下面14 上。第22圖呈現更詳細之凸緣4〇或42。第23圖是一橫 剖面圖，呈現形成於凹槽44或46之上的凸緣40或42， 凹槽44或46依序由接合區48，5〇或52，54之間的空隙 所形成。第24圖呈現凹槽44或46。於堆疊配置中，凸緣 40，42係各別嵌入或安裝在一接連更高堆疊托盤10之凹 槽44 ， 46内。 短邊2 2，2 6另各別包含朝外延伸的指狀柄5 6，5 8。指 狀柄5 6 ’ 5 8分別包含朝下突出緣6 〇，6 2和上槽6 4 ’ 6 6 ’ 13 1267938 以助於手操作該托盤丨〇。如第1，5和12圖所示，和第6 詳圖，邊20另包含在相對中央位置處之凹口 68。凹口 68 可在堆疊過程中作為用手定位該托盤丨0之一姆指凹槽 (thumbwe11) ° 和12圖所示，托盤1 〇内形成有 如第 積體晶片（integrated chip)存儲空隙70。底板16通常 包3間隔或通道以形成袼狀結構圍繞該存儲空隙，但是 底板16在存儲空隙内排之第二和第七個存儲空隙是實心 的，俾以形成真空單元（vacuum cells)72。同樣地，存儲 空隙内排之第四和第五個存儲空隙具有一實心底板i 6和 才貝壁（以下將詳細說明）以形成内部真空單元7 3。 如第卜2，5和1 3圖所示，存儲空隙7〇係由形成於堆 疊托盤10底板16之上面12上的斜面角元件74, ”，Μ 所界定。X形斜面角元件74係形成於底板16之内部在四 個存儲空隙70相交處。T形斜面角元件76形成於沿邊2〇, 22’ 24’ 26二個存儲空隙7〇相交處，但在邊2〇, 22, μ， 26的拐角處則沒有。在邊2〇，22，24，26拐角處之單一 存儲空隙7◦係形成L形斜面角元件78。現請參照帛Μ圖， 由斜面角元件78,76,74,76之内交又8〇,81，82,83 所界定的矩形或正方形是將置放在存儲空隙7〇内之積體 晶片1 000的尺寸。因此，各種斜面角元件74H五係 緊靠該積體電路1 000之邊緣（見圖19)，從而防止了晶’片 1 000在平行於托盤10底板16方向（即，义和γ方向）曰曰之 ::動h面如J1 2和16-18圖所不’橫向件84，85從底板 16上面12延伸之距離或高度（z方向）比角元件以，， 14 1267938 78延伸距離小。橫向株 内形成，並且强抽、 疋田比鄰從邊2〇, 22, 24, 26朝 形丄=入單個存館空隙70中，而横向… 风於相鄰存儲空隙7〇 隙中。如第13圖所干L亚且延伸入二個相鄰存错空 底板16的方向（χ—γ "向件84 ’ 85之寬度以平行於 82，所界定之該存儲空隙區延伸進入由内交，80 ’ 81， 之下降高度（induced high二二，中。橫向件84，85 度，使得延伸入該存儲：;):延入存儲空…之寬 一空山立 储上隙70之橫向件84, 85部分形成 之邊==見圖14和16)，俾以嗜合該積體電路!_ 二L :_在垂直底板16方向(即Z… 、種⑺構造成X—Y*之捕獲和支承（capture and uPP〇rt)與Z軸之捕獲和支承是相互分離和獨立的。 疊乾般\ 12 # 15 ®所7^ ’斜面橫向件9〇形成於堆 且托现10下面14上。斜面樺向件 與由-接_…“ 緣91(見圖15) 又 隹宜托1 10上面12(見圖13)角元件之内交 ’ 8卜82, 83所界定之存儲空隙7。的邊緣相對齊。 向件之等邊緣91係緊靠積體晶片⑽G之邊緣以限 1晶片在平行於底板16方向（即χ—γ方 澈古Μ & , )的字夕動。田比 料儲空隙70之斜面橫向件9Q之間具有間隙或間隔。 L:角元件92係形成於底板16下面“上在該存儲空隙 的知角處。該斜面橫向件90從底板16延伸的距離（z ^今大於L形角元件92延伸的距離。此外，L形角元件 2之見度係沿平行於底板16方向（χ—γ方向）延伸入由 斜面橫向件90之邊緣91所界定（也是如第13圖所示由上 面12之内交叉8〇, 8卜82, 83所界定的）稱為存錯空隙 15 1267938 區的區域中。L形角元件92之下降範圍（reduced extent) 與延伸入存儲空隙70之L形角元件92的寬度，使延伸入 該存儲空隙7G之L形角元件92部分形成—反向突出部分 94 (見圖16和17) ’以嚙合積體電路1〇〇〇之邊緣和限制 該晶片1 000在垂直底板16方向（即z方向）之移動。_ 鄰存儲空隙70的L形角元件92之間具有間隙或間隔。與 上面12—樣’這種結構造成χ—γ軸之捕獲和支承r and训卯01^)與2軸之捕獲和支承是相互分離和獨立的。 时如第1和5圖所示，和第2〇和21詳圖，二個中心真空 早兀73係由壁88所限制，該壁延伸於二個接連χ形斜面 角兀件74的臂之間’並且橫過橫向件85在中心真空單元 73周邊附近。於嚙合狀態時’壁88嚙合於相鄰存儲空隙 的斜面橫向件90之間，並且於相鄰存儲空隙的l形角元件 第19圖說明二個堆疊托冑1〇，在丨間形成一存儲空隙 70亚且有一積體晶片1〇〇〇嚙合於該存儲空隙内。 因此，上述之目的及優點則實際完成。本發明之較佳呈 體實施例在此被詳細描述及圖示揭示，但應瞭解本發日:並 :限於此揭示之特定樣式結構’本發明之範圍將由 專利申請範圍所決定。 【圖式簡單說明】 第1圖’是本發明堆疊托盤之上面的―立體透視圖。 立Λ2:圖是本發明堆4托盤上面一拐角部分之詳圖的- 16 1267938 第3圖，是本發明堆疊托盤之下面的一立體透視圖。 第4圖，是本發明堆疊托盤下面一拐角部分之詳圖的一 立體透視圖。 第5圖，是本發明堆疊托盤之上面的一平面視圖。 第6圖，是本發明堆疊托盤在侧面上之一凹口的一詳細 平面視圖。 第7圖，是本發明堆疊托盤之一端平面視圖。* 第8圖，是沿第5圖平面8-8之一剖面圖。 _ 第9圖，是本發明堆疊托盤之一側平面視圖。 第10圖，是沿第5圖平面10-10之一剖面圖。 第11圖，是第1 0圖剖面圖之端部分的一剖面詳圖。 第12圖，是本發明堆疊托盤之下面的一平面視圖。 第13圖，是本發明堆疊托盤上面一拐角之一詳細平面 視圖。 第14圖，是沿第1 3圖平面14-1 4之一剖面圖。 鲁 第1 5圖，是本發明堆疊托盤下面一拐角之一詳細平面 視圖。 第16圖，是沿第13圖平面16-16之一剖面圖。 第17圖，是沿第13圖平面17-17之一剖面圖。 第18圖，是二個堆疊托盤沿第13圖平面16-16之一剖 面圖，在二個堆疊托盤之間形成一個存儲空隙。 第1 9圖，是二個堆疊托盤沿第1 3圖平面1 6-1 6之一剖 17 1267938 面圖，在二個堆疊托盤之間形成一個存儲空隙，圖中還示 出由各種角元件和橫向件支承的一積體晶片。 出支第b 20圖，是第5圖一部分之一詳細平面視圖，圖中示 $隹宜托盤上面-部分所形成的存儲空隙：，該存儲空隙係 "、、封閉單元用於真空作業。 ^ 21圖’是沿第20圖平面21-21之-剖面圖 第22圖’是第5圖一部分之一锋 出堆A紅加 口丨刀之砰細平面視圖，圖中示 下心二：所形成的凸緣…合該堆疊托盤 :23圖，是沿第22圖平面23,之一剖面圖。 弟24圖，是堆疊托盤下面上用 〃 、吟相嚙合的梓 > ”弟22和23圖之凸 槽的一坪細平面視圖。 【圖號說明】 12上面 16 矩形底板 2 2 ’ 2 6短邊 30表面 34座 44 ’ 46凹槽 56 ’ Μ指狀柄 64 ’ 66上淺槽 70 存儲空隙 10堆疊托盤 14 下面 20，24長邊 28支承邊 32支承邊 4Q ’ 42凸緣 48’ 52’ 54 接合區 60 ’ 62突出緣

68凹D 18 1267938 72 真空單元 73 真空單元 74 X形斜面角元件 76 T形斜面角元件 78 L形斜面角元件 80， 81，82，83内交叉 84， 8 5橫向件 86 突出部分 88 壁 90 斜面橫向件 91 邊緣 92 L形角元件 94 反向突出部分 1000 積體晶片（電路）

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Claims (1)

1267938 丨,…7月/^丨修_正本 拾、申請專利範園·————… - 1、一種用於存放電+ 般价良地-—, 70件之托盤’該托盤與相同的托 盤依序堆豐在-起’該把盤包含： 一底板’包冬_唾 外匕3弟—面和一第二面； 該第一面包含複數 包含内交叉，該内交…—弟—角兀件’該弟一角7^件 卜 ]^ 電子元件之存儲空隙的周邊； 該第一面另包含第— 著該存儲空隙之該周邊的：k向件’該第-橫向件是沿 邊伸入該存儲空隙中；边，該第-橫向件延伸橫過該周 該第一橫白二：70件從該底板延伸出-第-距離，並且 鑌弟杈向件從該底板延伸出一 離大於該第二距離； 弟一距離，其中該第一距 該第二面包含沿該存 的複數個第二肖元件〜T隙之该周邊的拐角形成 該存儲空隙中； 角元件延〜伸杈過該周邊伸入 該第一面包含複數個第二橫 儲空隙的該周邊對齊，·及 /、 /、故緣舆該存 1元件横向件從該底板延伸出-第三距離，該第 一角件攸該底板延伸出-第四距離，其中談第一 於該第四距離。 〜弟二距離大 2、依申請專利範圍第i項之托盤， 托盤的一邊（rim、好丄. 卜 匕5延伸圍繞該 邊(叫其中從該第一面延伸之該邊的部分與從 20 1267938 之該邊的部分相配合。 接連相同托盤該第二面延伸 〜瓜 六丁砀仔爾空隙 正方形或矩形的，並且由該第一自 罘 角兀件之四内父又界定。 5、依申睛專利範圍第4項之私般 甘rb 4 1 A 步4貝之托盤，其中該托盤包含福 數個排，各該排包含複數個存儲空隙。 6、依申請專利範圍第5項之托盤，其中該第一和第 角元件與該第一和第二橫向件是相互隔開並且不與該邊 (rim)相接觸。 7、依申請專利範圍第6項之托盤，其中延伸入該存儲 空隙内之該第一橫向件的部分形成一突出部分以嚙合該電 子元件，該第一橫向件因此在垂直於該底板之方向支承該 電子元件。 、依申請專利範圍第7項之托盤，其中延伸入該存儲 空隙内之該第二角元件的部分形成一第二突出部分以嚙合 21 1267938 。亥迅子7G件’ 1¾第二角元件因此在垂直於該底板之方向支 承該電子元件。 依申請專利範圍第8項之托盤，其中該第一角元件 緊靠該電子元件的邊緣，該第-角元件因此在平行於該底 板的方向支承該電子元件。 一 」〇、依申請專利範圍f 9項之托盤，其中該第二横向件 緊罪該电子元件的邊緣，該第二橫向件因此在平行於該 板的方向支承該電子元件。 '一 11、依申請專利範圍第10項之托盤，其中該第一角一 件和該第二橫向件是斜面的。 凡 12、依申請專利範圍第u項之托盤，纟中該第— 件具有一矩形截面。 、σ 13、依申請專利範圍第12項之托盤，纟中該第二角元 件具有由一矩形構件成一直角相交所形成的一截面。 14、依申請專利範圍第13項之托盤，其中該第-面勺 含-凸緣且該第二面包含一凹槽，其中當該托盤舆—接： 相同托盤堆宜在-起時，該托盤之該凸緣嗜合該接連相同 22 1267938 乾盤之凹槽，因此對齊並緊固該托盤與該接連相同托盤。 15、依申請專利範圍第丨4項之托盤，其中面朝至少該 存儲空隙一部分之該底板部分具有通道穿過。 16、 依申請專利範圍第15項之托盤，其中該底板在面 朝至少一該存儲空隙的一區域是整個實心。 17、 依申請專利範圍第16項之托盤，其中具有面朝一 實心底板的該至少一存儲空隙另包含壁，該壁形成於界定 該至少一存儲空隙的該第一角元件之間，因此產生作為— 存儲空隙的真空單元。 18、依申請專利範圍第17項之把盤其中該第—角元 件在她鄰該底板拐角處是w，在晚鄰該邊（Hm)但離開該 拐角處是τ形，在内部離開該邊處是χ形〇 人 依申請專利範圍第18項之托盤，其中相鄰存儲 株之f:一角凡件之間具有一間隙’並且其中相鄰存儲 午之該第二橫向件之間具有一空隙 2 〇、依申請專利範圍 是分離和獨立於該第一 第1項之托盤，其中該第一橫向件 角元件，並且其中該第二橫向件是 23 1267938 元件 分離和獨立於該第二角 21、 依申請專利範園第 含-凹槽且該第二面包含—几……、"弟一面包 相同托盤堆疊在-^， 其中#該托盤與一接連 托盤之凸緣，因此對：、：托盤之該凹槽唾合該接連相同 月亚緊固該托盤與該接連相同托盤。 22、 依申請專利範圍第21項之托盤其 存儲空隙-部分之該底板部分具有通道穿過。 23、 依申請專利範圍第22項之托盤，其中該底板在面 朝至少一該存儲空隙的一區域是整個實心。 —24、依申請專利範圍第23項之托盤，其中具有面朝一 貫心底板的該至少一存儲空隙另包含壁，該壁形成於界定 該至少一存儲空隙的該第一角元件之間，因此產生作為一 存儲空隙的真空單元。 25、 依申請專利範圍第24項之托盤，其中該第一角元 件在此鄰該底板拐角處是L形，在她鄰該邊（r i m )但離開該 拐角處是T形，在内部離開該邊處是X形。 26、 依申請專利範圍第25項之托盤，其中相鄰存儲元 24 1267938 件之該第二角元件之間具有一間隙，並且其中相鄰存儲元 件之該第二橫向件之間具有一空隙。

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