TWI267154B - Wafer structure having bumps made of different material and fabricating method thereof - Google Patents

Description

1267154 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種形成不同材質之導電凸塊的方法，且 特別是有關於一種將不同材質之導電凸塊形成於單一晶圓上的 方法。 【先前技術】

覆晶封裝（Flip chip in Package)製程具有良好電器特性、 高輸出/入接點密度，且能縮小丨〇尺寸增加每片晶圓產出，已 被看好為未來極具潛力之構裝方式。在覆晶技術中，凸塊的製 作（Bumping )為覆晶技術的成敗關鍵。目前有多種覆晶技術 正在發展中’其主要差異在於凸塊（Bump〉的材料及形成方式不 同。常見的凸塊材料有錫錯凸塊（s〇丨der Bump)、金凸塊(⑽ 、導電膠凸塊（Conductive Polymer Bump)以及高分子凸 塊（Polymer Bump)等四種型態，纟中又以錫錯凸塊應用最為廣 ’乏。凸塊製程主要可有三種方式製作’包含蒸鍍法、電鍍法 (Electro-plating)以及印刷法（printing)等方式。 枚…弟1A〜1J w，其繪示依照形成傳統具有導電凸塊 之晶圓結構之方法的示意圖。首先，提供基板1 ,基板i之主 係具有料2，如第1A圖所示。料，以雜 導電層3於基板1之主叙本品μ , ^ Χ 導雪厚^在^弟1Β圖所示。接著，在 ¥電層3上係覆盖圖案化光阻層4’並對應於鲜塾2 化 圖所不，接著’以圖案化光阻層4為—遮罩對導電層3進 敍刻以形成凸塊下全眉展丨丨d 丁 ι_ 卜孟屬層5 ( Under Bump Meta丨丨urgy丨 UBM layer)’之後移除圖案化光阻 ， 後，於整個表面先覆宴另^ “弟1D圖所不。之 復義另一先阻層6,經圖案移轉定義出形成 ⑧ 6 1267154 V電凸塊之用的開口 6a，如第1E圖所示。然後，利用印刷方 式’將錫膏（solder paste) 7填入開口 6a中，如第1F圖所示。 接著，對錫膏7進行回銲（ref丨〇w)製程並去除光阻層6,以形 成導電凸塊8，如第1 g圖所示。藉此，係完成具有導電凸塊8 之晶圓結構9。 • 一般來說，具有導電凸塊之晶圓結構（wafer)或是經切割而 成的晶粒（die) ’係應用於覆晶式構裝（F|jp Chip in Package)。 在封裝的過紅中，晶圓或是晶粒會被翻轉，而使得晶圓或是晶 粒上的導電凸塊與基板的接點相互連接。 • 然而，單一種類的導電凸塊材質無法滿足電路與結構上的 所有需求。例如是某些接點係用以接地，其相連的導電凸塊需 要可以瞬間導通大量電流。又例如是位於基板中央之接點，其 相連的導電凸塊需要足夠硬度以支撐晶粒。 【發明内容】

有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種形成不同材質之 導電凸塊的方法’可以根據不同的設計需求量身打造性能相對 應的導電凸塊，提高關鍵元件品質。 晶圓結構上形成不同材質之導 根據本發明的目的，於同 電凸塊的方法’包括以下步驟：提供—基板，基板具有一主動 表面’主動表面具有數個銲墊；形成數個第一凸塊下金屬層以 及一金屬層於主動表面，數個第—凸塊下金制係覆蓋於一第 一部份之數個料，金屬層係覆蓋於-第二部份之數個銲塾， 數個第-凸塊下金屬層係與金屬層電性絕緣；印刷(prj_g卜 第:導電材料於數個第-凸塊下金屬層上，並據以形成數個第 一―電體’數個第-導電體係分別相對第—部份之數個鲜塾； 電鍍第二導電材料於金屬層上，並據以形成數個第 ⑧ 7 1267154 二導電體，且數個第二導電體俏八 墊；回銲數個第-導電體以及第對第—部份之數個銲 -導電凸塊以及數個第二導電凸 包體並據以形成數個第 成數個第二凸塊下金屬層。鬼，選擇性移除金屬層，以形 根據本發明的目的，再提出一曰 第一導電凸塊以及數個第二導電凸塊1結構包括基板、數個 動表面具有數個凸塊下金屬層。數個冑表面’主 份之數個凸塊下金屬層上。第-導電凸塊係形成於另-部 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易僅 文特舉-較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 本發明之主要構想是於同一基板上形成不同材質之導電凸 塊，並且分別以電錄與印刷兩種不同的方式，在特定區域中來 成特定材質的導電凸塊，以符合電路佈局中之不同的電氣需求 以及結構要求。熟悉此技藝者當可明瞭，由於製程之操作順序 •極易變更，因此，在本發明之發明精神之下，對以下所述之步 驟，行順序變更仍屬本發明之保護範圍。以下係舉幾組實_ 做洋細5兒明，然此些較佳實施例僅為本發明之發明精神下的幾 種霄施方式，並不會對本發明之欲保護範圍進行限縮。 請參照第2圖，其繪示依照本發明之實施例一之形成不同 材質之導電凸塊之方法的流程圖。本實施例之形成導電凸塊之 方法主要包括以下步驟S1 01〜S1 06。步驟S1 01,提供一基板， 基板具有一主動表面，主動表面具有數個銲墊。步驟S102，形 ⑧ 1267154 成數個第一凸塊下金屬層（Under Bump Metallurgy，UBM)以及 一金屬層於主動表面，數個第一凸塊下金屬層係覆蓋於一第一 部份之數個銲塾，金屬層係覆蓋於一第二部份之數個銲塾，數 個第一凸塊下金屬層係與金屬層電性絕緣。步驟S103，印刷 (printing)—第一導電材料於數個第一凸塊下金屬層上，並據以 、 形成數個第一導電體，數個第一導電體係分別相對第一部份之 數個銲墊。步驟S104，電鍍（plating)—第二導電材料於金屬層 上，並據以形成數個第二導電體，且數個第二導電體係分別相 對第二部份之數個銲墊。步驟S105,回銲數個第一導電體以及 φ 第一導電體，並據以形成數個第一導電凸塊以及數個第二導電 凸塊。步驟S106，選擇性移除金屬層，以形成數個第二凸塊下 金屬層。 第3A〜3J圖繪示本發明之實施例一之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。為求圖面清楚易懂，在第3A〜3j圖示中部 分複數元件係僅以單一數量表示。以下係配合圖示針對步驟 S101〜S106進行詳細的說明。 在步驟S101中，提供基板1〇，基板1〇具有主動表面， φ 主動表面具有數個銲墊，如第3A圖所示。銲墊之材質通常為 銅或鋁，藉以與外部電路形成電性連接。依其預定形成之導電 凸塊材質的不同，銲墊係區分為數個第一部份之銲墊21以及數 個第二部分之銲墊22。基板1〇可以是晶圓（wafe〇或是晶片 (die) ° ，—步驟S1〇2更包括以下步驟。首先，形成金屬複合層3〇覆 ，蓋主動表面以及數個銲墊21及22,如第3B圖所示。例如是利 用無電電Μ、濺鐘或其他物理化學沉積方式形成金屬| 3〇。較 佳的是，金屬複合層30係包含鋁（ΑΙ)、鎳釩合金（NjV)以及銅Λ ⑧ 1267154

(Cu)°或是’金屬複合層30係包含鈦（Τ|·)、鍊叙合金（隱)以及 鋼_。再者，形成光阻層於金屬複合層3〇上，並且利用適告 的方式，例如圖層移轉方式，於光阻層上定義出開口，選擇性田 移除光阻層，並據以形成圖案化之光阻層％。接著，利用圖案 化之光阻層32為遮罩’選擇性移除部分之金屬複合層3〇，並 據以形成數個第-凸塊下金屬35以及金屬層期，數個第一凸 塊下金屬層3 5係與金屬層3 〇!相隔—間距，如第3 c圖所示。 =此’數個第一凸塊下金屬層35係與金屬層期電性絕緣。 =，移除圖案化之光阻層32。此時，如第3D圖所示，數個 =凸塊下金屬層35以及金屬層3Q1係形成於主動表面數 :第一凸塊下金屬層35係覆蓋於第—部份之數個銲墊21，金 屬層3〇W覆蓋於第二部份之數個輝塾22，並且數個第一凸塊 下金屬層35係與金屬層3〇 1電性絕緣。 A 包括iUT"金屬層35係由金屬複合層3〇所構成，通常 括I者層（adhesion layer)、阻障層⑽心 =著層可以提供鲜塾21及主動表面良好的黏著性： 墊:全屬鶴化鈇等。阻障層係用以防止導電凸塊與鲜 “屬互相擴散’其材質可為鎳釩、鎳等 =屬層24與導電凸塊之間良好之沾附性，其材

102之後，繼續進行以下步驟。首先，形成光阻 二t面以及金屬層301上。光阻層例如是乾膜(D 阻劑。之後’利用適當的方式，例如圖層移轉方式， 於光阻層上定義出開口，選擇性移 / 化之光阻層.如第3E圖所示，圖案形成圖案 第-開口糾、數個第二開口 42 : 〇具有數個 数调曝孔44，數個第_開 1267154 _ 口 41係暴露出數個第—凸塊下金屬層％，並相對第—部分之 數個銲塾21。數個第二開σ 42係暴露出部分金屬層，並 相對第二部份之數個銲墊22，數個曝孔44係暴露出部分金屬 層301，且數個曝孔係位於基板彳〇之邊緣。 在步驟S103巾，將第一導電材料係以印刷（ρη·η_的方 .式填入數個第一開口 41中，並位於數個第一凸塊下金屬層％ 上，並據以形成數個第一導電體50,數個第一導電體5〇係分 別相對第一部份之數個銲墊21，如第3F圖所示。 步驟104更包括以下步驟。首先，浸泡基板1〇於電鍍液 中，電鑛液係包含第二導電材料。接著，將電極透過數個曝孔 ，44與金屬層301電性連接。最後，通以電流，第二導電材料係 附著於數個第二開口 42中之金屬層3〇1上，並據以形成數個 第二導電體60。藉助外加直流電的作用，在溶液中進行電解反 應，使得導電體，例如是金屬層301，的表面沈積一金屬層或 合金層，例如是第二導電體60。藉此，第二導電材料係電鍍 (Plating)於金屬層301上，並據以形成數個第二導電體6〇，且 數個第二導電體60係分別相對第二部份之數個銲墊22，如第 ^ 3G圖所示。 在步驟S105中，回銲數個第一導電體5〇以及第二導電體 60 ’並據以形成數個第一導電凸塊55以及數個第二導電凸塊 62，如第3H圖所示。之後，去除圖案化之光阻層，如第3丨圖 ^ 所示。 、 在步驟S106中，利用第二導電凸塊65為遮罩，選擇性移 除金屬層301，以形成數個第二凸塊下金屬層45，如第3J圖 所示。於此完成具有不同材質之導電凸塊的基板。以下係以具 有不同材質之導電凸塊之晶圓結構作進一步地說明。然而，熟 11 ⑧ 1267154 悉此技藝者當可明瞭本發明所述之形成具有不同材質之導電凸 塊之方法亦可應用於電路基板（printed circuit board，PCB)、晶 片（chip)、晶粒（die)以及晶圓（wafer)上。 請參照第2 J圖，按照上述方法所形成之晶圓結構彳〇〇包 括基板10、數個第一導電凸塊55以及數個第二導電凸塊65。 基板10具有主動表面，主動表面具有數個凸塊下金屬層35。 數個第一導電凸塊55係形成於部分之數個凸塊下金屬層35 上，例如是第一部份之第一凸塊下金屬層35上。數個第二導電 凸塊65係形成於另一部份之數個凸塊下金屬層上，例如是第二 • 部份之第二凸塊下金屬層45上。 不同材質的導電凸塊具有不同的電氣特性與物理性質。數 個第一導電凸塊55例如是包含銅。較佳的是，數個第一導電凸 塊係銅柱（Cupper Pmar)。由於銅金屬可以瞬間導通大量電流， 數個第一導電凸塊較佳的是用以接地（❾⑺叫…或散熱⑴㊀以 Sink)。另一方面，數個第一導電凸塊55例如是係包含鉛與錫， 且釓與錫之比例貫質上為95 : 5。此種材質於回銲之後不易塌 陷，係可支撐覆晶維持基板與覆晶之間的高度。再者，數個第 鲁-導電凸塊55可以是係包含錯與錫，且錯與錫之比例實質上為 37: 63。此種材質於回銲之後容易塌陷，其回銲後高度約為回 鲜前南度的一半。 因此，應用本實施例所提出導電凸塊的形成方法，使用者 ‘可以根據電路佈局的設計，於特定區域中形成特定材質的導電 凸塊，量身打造性能匹配之導電凸塊。如此一來，滿足電路設 '計上的每一個需求，便可提供更加完美的封裝品質。 實施例二 ⑧ 1267154 本^例與上述實施例之主要的不同之處在於形成第 、、形成第二導體之順序相反（即步驟S1Q3與S1G4對们 進而造成後續製程上的些微變更。 了碉

«月參照第4圖，其！會示依照實施例二之形成不同材質之 電凸塊之方法的流程圖。本實施例之形成導電凸塊之方法主要 包括以下步驟。本實施例之步驟S2Q1及32〇2與上述之 S101及S102相同’於此不再贅述。步驟S2〇3 ,首先電鍍' (pla_H第二導電材料於金屬層上，並據以形成數個第二又 電體’且數個第二導電體係分別相對第二部份之數個銲塾。之 ，’如步驟S204所示，印刷(_ting) 一第一導電材料於數個 苐-凸塊下金屬層上，並據以形成數個第—導電體，數— 導電體係分別相對第—部份之數個銲墊。步驟s2Q5，回鲜數個 第-導電體以及第二導電體’並據以形成數個第一導電凸塊以 及數個第二導電凸塊。步驟S2Q6，選擇性移除金屬層，以 數個第二凸塊下金屬層。 第5A〜5F圖繪示本發明之實施例二之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。為求圖面清楚易懂，在第5A〜5J圖示中部 y刀複數70件係僅以單_數量表示。以下係配合圖示針對步驟 S102之後的步驟進行詳細的說明。 、本實施例之方法與上述實施例於步驟S202之前皆相同， 於此不再贅述。以下係針對步驟S2Q2之後的步驟進行說明。 本實施例於完成步驟S2Q2之後，基板21Q表面具有圖案化之 光阻層240。如第5A圖所示，目案化之光阻層㈣具有數個 第開口 241、數個第二開口 242以及數個曝孔244，數個第 一開口 241係暴露出數個第—凸塊下金屬㉟235，並相對第一 P刀之數個知墊221。數個第二開口 242係暴露出部分金屬層 ⑧ 13 1267154 2301，並相對第二立 出部分金屬層_σ，It數個銲墊222，數個曝孔244係暴露 拉# 數個曝孔係位於基板21 0之邊緣。 導電::電： 邋 ；金屬層2301上，並據以形成數個第二 電體260，且數個楚一谐 〇〇〇 第一¥電體260係分別相對第二部份之數 個i干墊222，如第5Β圖所示。 後在v驟S204中，再將第一導電材料係以印刷 ⑽啊）的方式填人數個第一開口 241中，並位於於數個第一

凸鬼下金屬層235 i，據以形成數個第—導電體％。，數個第 ;私體250係分別相對第一部份之數個銲墊⑵，如第π 圖所示。 在v驟S205中，回銲數個第一導電體25Q以及第二導 體260,並據以形成數個第一導電凸塊咖以及數個第二導電 凸塊262，如第5D圖所示。較佳的是步驟2〇5更包括此一步 驟·去除圖案化之光阻層240，如第5E圖所示。 最後，在步驟S206中，利用第二導電凸塊265為遮罩， 選擇性移除金屬層2301，以形成數個第二凸塊下金屬層245， φ 如第5F圖所示。於此完成具有不同材質之導電凸塊的晶圓結構 200。 、。 實施例三 本實施例與實施例一之不同之處在於印刷與電鍍導電材料 時的操作步驟（也就是步驟S103及S104)，其餘步驟皆相同。 第6A〜6F圖繪示本發明之實施例三之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。為求圖面清楚易懂，在第6A〜6J圖示中1 分複數元件係僅以單一數量表示。以下係配合圖示針對步驟 ⑧ 14 1267154 S1〇2之^的步驟進行詳細的說明。 本貝&例之方法與上述實施例於步驟S102之前皆相同， ; % it以下係針對步驟S102之後的步驟進行說明。 本實施例於完成步驟S102之後，如第6A圖所示，數個第一凸 塊下金屬層335以及金屬層33〇1係形成於主動表面，數個第 -凸塊下金屬層335係覆蓋於第-部份之數個銲塾321，金屬 層3301係後蓋於第二部份之數個録塾，並且數個第一凸塊 下金屬層335係與金屬層3301電性絕緣。 之後，進打步驟S103，本實施例之步驟s1〇3包括下列步 ❿驟H形成光阻層於主動表面上，並且選擇性移除光阻層， 藉此形成圖案化之光阻層34〇’圖案化之光阻層具有數個第一 開口 341，數個第_開口 341係暴露出數 如第-圖所示，，印刷第一導電材料上= -開口 341中，使得第—導電材料351係形成於數個第一&塊 下金屬層335上，如第6C圖所示。然後，回鲜第—導電材料 351，並去除圖案化之光阻層34〇,以形成數個第一導電體 350，如第6D圖所示。 • ㈣S1〇4更包括以下步驟。首先，形成光阻層於主動表 面上’並選擇性移除光阻層，據以形成圖案化之緣層州， 如第6E圖所示。圖案化之光阻層係覆蓋於數個第一導電體 350,且圖案化之光阻層345具有數個第二開口如以及數個 •曝孔344,數個第二開口 342係暴露出部分金屬層咖，並相 對第二部分之數個銲墊322,數個曝孔係暴露出部分金屬層 ' 330彳’且數個曝孔344係位於基板31〇之邊緣。然後，電^第 二導電材料360於數個第二開π 342中，並據以形成數又二 導電體361,如第6F圖所示。接著，去除圖案化之光阻層⑽·； ⑧ l267l54 如弟6G圖所示。 之後’進行回銲步驟S105 將第一導電體350以及第二 ¥電體360回銲以形成第 〇βς上够’电凸塊355以及第二導電凸塊 ’如第6Η圖所示。需注音 9 .π ^ 而心的疋，上述去除圖案化光阻層以 及回知之二步驟’其操作順序 體360係可先行回銲 也沈疋况弟-¥電 垒几上„ a 鲆场成弟—導電凸塊365,之後再去除圖 案化光阻層，此時第一導雷舻 、咏 導電350即作為第一導電凸塊355， 如第6H圖所示。 -最後，進行步驟S106,回蝕多餘的金屬層測以形成第 g 245 ’如第6I圖所示。需注意的是，在本實施 例中Y驟S1Q5及S1G6之順序係可對調。也就是說，可以先钱 d金屬層3301形成第二凸塊下金屬層345之後，再進行回輝 以开/成第導電&塊355以及第二導電凸塊撕。同樣地，也 可以如第6I圖所不’形成不同材質之第_導電凸塊挪以及第 二導電凸塊365於晶圓結構3〇〇上。 實施例四 本貫施例興貫；5也例一之主要不同之處在於在於印刷與電錄 導電材料時的操作步驟（也就是步驟S2〇3及S2〇4)，其餘步 驟白相同。第7A〜7F圖繪示本發明之實施例四之形成不同材 質之導電凸塊的示意圖。為求圖面清楚易懂，在第7A〜7J圖 示中部分複數元件係僅以單一數量表示。以下係配合圖示針對 步驟S202之後的步驟進行詳細的說明。 本實施例之方法與上述實施例於步驟S202之前皆相同， 於此不再贅述。以下係針對步驟S202之後的步驟進行說明。 本實施例於完成步驟S202之後，如第7A圖所示，數個第一凸 ⑧ 16 1267154 塊下金屬層435以及金屬層4301係形成於主動表面，數個第 - 一凸塊下金屬層435係覆蓋於第一部份之數個銲墊421，金屬 層4301係覆蓋於第二部份之數個銲墊422,並且數個第一凸塊 下金屬層435係與金屬層4301電性絕緣。 接著，先進行電鍍以形成第二導電體之步驟S203,其流程 詳述如下。首先，形成一光阻層於主動表面上，並選擇性移除 光阻層，據以形成一圖案化之光阻層446，且圖案化之光阻層 • 460具有數個第二開口 442以及數個曝孔444，數個第二開口 442係暴露出部分金屬層4301，並相對第二部分之數個銲墊 φ 422,數個曝孔444係暴露出部分金屬層4301,且數個曝孔444 係位於基板410之邊緣，如第7B圖所示。接著，電鍍第二導 ' 電材料於數個第二開口 442中，據以形成數個第二導電體 460，如第7C圖所示。最後，去除圖案化之光阻層446，如第 7D圖所示。藉此完成S203步驟，即以電鍍的方式將第二導電 體460形成於金屬層4301上，並相對於第二部分之銲墊422。 之後，再進行印刷以形成第一導電體之步驟S204,其流程 詳述如下。首先，形成一光阻層於主動表面以及金屬層4301 0 上，並選擇性移除光阻層，並據以形成一圖案化之光阻層440， 圖案化之光阻層440係覆蓋於數個第二導電體460，圖案化之 光阻層440具有數個第一開口 441，數個第一開口 441係暴露 出數個第一凸塊下金屬層435，並相對第一部分之數個銲墊 421，如第7E圖所示。然後，印刷第一導電材料451於數個第 一開口 441中，如第7F圖所示。較佳的是，步驟S204更包括 ' 下列流程。接著，在回銲第一導電材料451之後，去除圖案化 之光阻層440,據以形成數個第一導電體450,如第7H圖所示。 之後，進行回銲步驟S205，將第一導電體450以及第二 ⑧ 17 1267154 導電體460回銲以形成第一導電凸塊455以及第二導電凸塊 465，如第7H圖所示。需注意的是，上述去除圖案化光阻層以 及回銲之二步驟，其操作順序係可對調。也就是說，第二導電 體460係可先行回銲以形成第二導電凸塊465，之後再去除圖 案化光阻層，此時第一導電體450即作為第一導電凸塊455， > 如第7H圖所示。 . 最後，進行步驟S2〇6，回蝕多餘的金屬層4301以形成第 一凸塊下金屬層245，如第7I圖所示。需注意的是，在本實施 例中步驟S205及S206之順序係可對調。也就是說，可以先蝕 •刻金屬層4301形成第二凸塊下金屬層445之後，再進行回銲 以形成第一導電凸塊455以及第二導電凸塊465。同樣地，也 可以如第7丨圖所示，形成不同材質之第一導電凸塊455以及第 二導電凸塊465於晶圓結構400上。 本發明上述實施例所揭露之形成不同材質之導電凸塊的方 法，可以根據不同的設計需求量身打造性能匹配的導電凸塊， 藉此提升晶片封裝的品質，將晶片的最佳狀態發揮到淋漓盡 致。此外，提高關鍵零組件品質，可大幅度提昇產品競爭力， _ 進而創造企業核心競爭力。 絲上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其 f非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 知神和範圍Θ叾可作各種之更動與潤飾，例如是製程順序上 -些微變更所造成的各種變％，因此本發明之保護範圍當視後附 之申請專利範圍所界定者為準。 1267154 【圖式簡單說明】 電凸塊之晶圓結構 第1A〜1G圖繪示依照形成傳統具有導 之方法的示意圖 第2圖繪示依照本發明之實施例一形成不同材質之導電凸 塊之方法的流程圖。 第3A〜3J圖繪示本發明之實施例_之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。 第4圖繪示依照本發明之實施例二形成不同材質之導電凸 塊之方法的流程圖。

第5A〜5F圖繪示本發明之實施例二之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。 第6A〜6丨圖繪示本發明之實施例三之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。 第7A〜7丨圖繪示本發明之實施例四之形成不同材質之導 電凸塊的示意圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板 2 :銲墊 3 :導電層 4 :圖案化光阻層 5 ··凸塊下金屬層 6 :光阻層 7 :錫膏 8 :導電凸塊 9 ·晶圓結構 10 :基板 ⑧ 19 1267154 100、200、300、400 :晶圓結構 21、 121、221、321、421 :第一部份之銲墊 22、 122、222、322、422 :第二部分之鲜塾 30、130、230、330、430 :金屬層 301、1301、2301、3301、4301 ··第一金屬層 32、132、232、332、432 ··圖案化之光阻層 35、135、235、335、435 :第一凸塊下金屬層 40、 140、240、340、440 :光阻層 41、 141、241、341、441 :第一開口 • 42、142、242、342、442 :第二開口 44、 144、244、344、444 :曝孔 45、 145、245、345、445 ··第二凸塊下金屬層 346、446 ·•圖案化之光阻層 50、150、250、350、450 :第一導電體 351、451 :第一導電材料 55、155、255、355、455 :第一導電凸塊 60、160、260、360、460 :第二導電體 65、165、265、365、465 :第二導電凸塊

Claims (1)

1267154 十、申請專利範圍： 1 · 一種形成導電凸塊的方法，包括： 提供一基板’該基板具有一主動表面，該主動表面具有複 數個銲墊； 形成複數個第一凸塊下金屬層（Under Bump Metallurgy，UBM)以及一金屬層於該主動表面，該些第一凸塊 下金屬層係覆蓋於一第一部份之該些銲墊，該金屬層係覆蓋於 一第二部份之該些銲墊，該些第一凸塊下金屬層係與該金屬層 電性絕緣； θ • 印刷（P「intin9)一第一導電材料於該些第一凸塊下金屬層 上，並據以形成複數個第一導電體，該些第一導電體係分別相 - 對該第一部份之該些銲墊； 電鍍（plating) —第二導電材料於該金屬層上，並據以形成 複數個第二導電體，且該些第二導電體係分別相對該第二部份 之該些銲墊； 回銲該些第一導電體以及第二導電體，並據以形成複數個 第一導電凸塊以及複數個第二導電凸塊；以及 參 選擇性移除該金屬層，以形成複數個第二凸塊下金屬層。 2_如申明專利範圍第1項所述之方法，其中該形成複數 個第一凸塊下金屬層及一金屬層於該主動表面之步驟更包括： 形成一金屬複合層覆蓋該主動表面以及該些銲墊； 形成一光阻層於該金屬複合層上； ' 選擇性移除該光阻層，並據以形成一圖案化之光阻層； 利用《亥圖案化之光阻層為„遮罩，選擇性移除部分之該金 屬複合層，並據以形成複數個第一凸塊下金屬層以及一金屬 ⑧ 21 1267154 隔一間距，藉此該 ;以及 層丄該些第—凸塊下金屬層係與該金屬層相 二第凸塊下金屬層係與該金屬層電性絕緣 移除该圖案化之光阻層。 層係3包含項料之方法，其巾該金屬複合 4·如巾請專㈣圍第2項料之方法，其中該金屬複合 層係包含鈦、鎳釩合金以及銅。 5如巾請專利範圍第彳項所叙方法，其中該形成複數 第一凸塊下金屬層錢―金屬層於該杨表面 包括： 形成一光阻層於該主動表面以及該金屬層上；以及 選擇性移除該光阻層’並據以形成—圖案化之光阻層，該 圖案化之光阻層具有複數個第—開口、複數個第二開口以_ 數個曝孔，該些第一開口係暴露出該些第一凸塊下金屬 相對該第-部分之該些銲墊，該些第二開口係暴露出部 屬層’並相對該第二部份之該些料，該些曝㈣暴露出部八 4金屬層，且該些曝孔係位於該基板之邊緣。 6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第— 材料係填入該些第一開口中，並據以形成該些第一導電體。電 7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該電錢 二導電材料於該金屬層之步驟更包括： 又 ⑧ 22 1267154 /又泡忒基板於一電鍍液中，該電鍍液該二導電材 料； 字電極透過該些曝孔與該金屬層電性連接；以及 通以兒流，該第二導電材料係附著於該些第二開口中之該 金屬層上，並據以形成複數個第二導電體。 8_如申請專利範圍第δ項所述之方法，其中該回銲該些 苐-導電體以及第二導電體之步驟之後更包括： 去除該圖案化之光阻層。 9. ^請專利範圍第1項所述之方法，其中該印刷-第 導電材料於該些第—凸塊下金屬層上之步驟包括： 形成一光阻層於該主動表面上； ，擇性移除該光阻層，並據以形成—圖案化之光阻層該 具有複數個第—開σ，該些第—開口係暴露出 泫些弟一凸塊下金屬層；以及 Ρ刷第一導電材料於該些第一開口中。 導m申請專利範圍第9項所述之方法，其中該印刷一第 一v電材枓於該些第-開口中之㈣之後更包括. 及回輝該第-導電材料，並據以形成複數個第一導電體；以 去除该圖案化之光阻層。 11 _如申請專利範圍第9 二導電材料於該金屬層上之步 形成一光阻層於該主動表面上； 項所述之方法，其中該電鍍一第 驟更包括： ⑧ 23 1267154 圖案ΐΓϊ移除該光阻層，並據以形成—圖案化之光阻層，該 光阻層係覆蓋於該些第一導 ， :具有複數個第二開一及複數個曝孔，該:第：： 广對該第二部分之該些銲墊，該些曝孔係 /刀屬層’且該些曝孔係位於該基板之邊緣；以及 個第電材料於該些第二開口中，並據以形成複數 fc笛1曾2·如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該電鍍-弟-”材料於該些第二開口中之步驟之後更包括： ， 目釦该第二導電材料，並據以形成複數個第二導電體；以 及 去除該圖案化之光阻層。 Ί3_如申凊專利範圍第11項所述之方法，其中該回銲該 些第-導電體以及第二導電體，並據以形成複數個第一導電凸 塊以及複數個第二導電凸塊之步驟之後更包括： 鲁 去除該圖案化之光阻層。 4·如申明專利範圍第1項所述之方法，其中該電鍵一第 二導電材料於該金屬層上之步驟更包括： 、 形成一光阻層於該主動表面上； ’ 遥擇性移除該光阻層，並據以形成一圖案化之光阻層，該 圖案化之光阻層具有複數個第二開口以及複數個曝孔，該些第 二開口係暴露出部分該金屬層，並相對該第二部分之該些銲 墊，泫些曝孔係暴露出部分該金屬層，且該些曝孔係位於該基 ⑧ 24 1267154 板之邊緣，·以及 電鍵該第二導電材料於該些第二開，… 個第二導電體。 亚據以形成複數 lb. 如T睛專利範圍第14項所述之 第一導電材料於$此楚 / ，/、中该印刷一 第―電材枓方4些弟一凸塊下金屬層上之㈣包括： 形成-光阻層於該主動表面以及該金屬層上； 選擇性移除該光阻層，並據以 — Hi ^^ ^ φ .. 取圖案化之光阻層，該 圖案化之先阻層係覆盍於該些第二導 具有複數個第-開口，料第―心案化之光阻層 J °哀些弟開口係暴露出該些第一 下 金屬層，並相對該第一部分之該些銲墊；以及 Α 印刷一第一導電材料於該些第 個第一導電體。 亚據以形成稷數 笛一 16/中4專利範圍第15項所述之方法，其中該印刷一 第一導電材料於該些第一開口之步驟更包括： 回銲該第一導電材料，並據以形成複數個第一導電體；以 及 去除該圖案化之光阻層。 17·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中去除該圖 案化之光阻層之步驟之後更包括： 回銲該些第二導電體，並據以形成複數個第二導電凸塊。 18_ 一種晶圓結構，包括·· 基板’具有一主動表面，該主動表面具有複數個凸塊下 ⑧ 25 1267154 金屬層； 複數個第一導電凸塊，係形成於一第一部分之該些凸塊下 金屬層上； 複數個第二導電凸塊，係形成於一第二部份之該些凸塊下 金屬層上。 19·如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該些 苐一導電凸塊係包含銅。 , 20•如申請專利範圍第18項所述之晶圓結構，其中該些 第一導電凸塊係一銅柱（Cupper Pillar)。 21_如申請專利範圍第19項所述之晶圓結構，其中該些 弟 V電凸塊係用以接地（ground)。 22_如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該些 第一導電凸塊係包含鉛與錫，且鉛與錫之比例實質上為95 : 5。 23·如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該些 第一導電凸塊係包含鉛與錫，且鉛與錫之比例實質上為37: 63。 - 24·如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該此 第一導電凸塊係透過印刷的方式形成於該些凸塊下金屬層，且 該些第二導電凸塊係透過電鍍的方式形成於該些凸塊下金屬 層0 ⑧ 26 1267154 25.如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該基 板係一晶圓（wafer)。 26·如申請專利範圍第17項所述之晶圓結構，其中該基 板係一晶片（d i θ )。