TWI266401B - Thermoelectric nano-wire devices - Google Patents

Description

1266401 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關微電子裝置的製造。本發明係有關將熱 電奈米線裝置置入微電子組合件中以便冷卻微電子晶粒中 之熱點。 【先前技術】 •積體電路組件的更高之效能、更低之成本、尺寸之進 一步微縮、以及積體電路的更大之封裝密度都是電腦工業 的不斷追求之目標。當達到這些目標時，微電子晶粒變得 更小。因此，微電子晶粒中之積體電路組件的電力消耗密 ' 度增加了，因而又增加了微電子晶粒的平均接面溫度。如 ' 果微電子晶粒的溫度變得太高，則微電子晶粒的積體電路 可能會受損或被破壞。 各種裝置及技術已被且目前正被用來自微電子晶粒散 #熱。一種此類的散熱技術涉及將大表面積的散熱片貼附到 微電子晶粒。圖 21示出一組合件（400 )，該組合件（ 400 )包含一微電子晶粒（402 )(圖中示爲一覆晶），而 係由在微電子晶粒（402 )的一主動區表面上的銲墊（_ 中未示出）與一基板（ 404 )上的銲接區（圖中未示出） 之間延伸的複數個銲球（406 )將該微電子晶粒（402 )在 實體上及電性上連接到該基板（4〇4 )(例如，一內插板 或一主機板等的基板）。 一導熱黏著劑（414)將一大表面積的散熱片（408) (2) 1266401 連接到微電子晶粒（402)的一背面（412)。通常利用諸 如銅、鋁、以及以上金屬的合金等的導熱材料構成該大表 面積的散熱片（408 )。熱傳導效應將微電子晶粒（4〇2 ) 產生的熱汲取到散熱片（4 0 8 )(依循最小熱阻的路徑） 〇 通常使用大表面積的散熱片（ 408 )，這是因爲自一 散熱片散發的熱與該散熱片的表面積大致成正比。大表面 # 積的散熱片（408 )通常包含沿著與微電子晶粒（402 )大 致垂直的方向延伸之複數個突起（416)。當然，我們當 了解，突起（4 1 6 )可包括（但不限於）伸長的平面鰭狀 結構及圓柱狀/柱狀結構。突起（4 1 6 )的大表面積可將 熱自突起（4 1 6 )以對流方式散發到大表面積的散熱片（ * 408)周圍的空氣中。然而，雖然大表面積的散熱片被用 於各種微電子應用，但是該等散熱片在自產生大量熱的的 微電子晶粒散熱上並未完成成功。 • 造成此種不成功的一個問題是一些高功率的電路通常 係位於微電子晶粒（402 )內的相互接近處。該等高功率 電路的集中造成一些高熱的區域或“熱點”。現有的散熱 片解決方案只是大致均勻地自微電子晶粒（402 )汲取熱 量，但並未補償該等熱點。因此，在這些熱點上或接近這 些熱點的電路可能會因熱而受損，因而可能嚴重影響到可 靠性及長期效能。 因此，開發出可有效地自微電子晶粒散熱且可同時補 償微電子晶粒內的諸如熱點等的熱變化之裝置及技術將是 -5- (3) 1266401 有效益的。 【發明內容】 本發明揭示了製造一散熱元件之裝置及方法，該散熱 元件包含以奈米線製造的至少一個熱電元件，用以自一微 電子晶粒上的至少一個高熱區汲取熱量。可利用含鉍材料 形成該等奈米線，且可叢集該等奈米線以得到最佳效能。 【實施方式】 在下文的詳細說明中，將參照以舉例方式示出可實施 本發明的特定實施例之附圖。係以充分的細節說明這些實 1 施例，使熟習此項技術者能夠實施本發明。我們當了解， - 雖然本發明的各實施例是不同的，但不必然是互斥的。例 如，本說明書中參照一實施例中述及的一特定的特性、結 構、或特徵可在不脫離本發明的精神及範圍下被實施於其 @他的實施例內。此外，我們當了解，可在不脫離本發明的 精神及範圍下，修改所揭示的每一實施例內的個別元件之 位置或配置。因此，不應以限制之方式採取下文之詳細說 明，且只由經適當詮釋的最後之申請專利範圍以及這些申 請專利範圍應享有的完整等效範圍界定本發明的範圍。在 該等圖式中，相同的代號在所有圖式中參照到相同的或類 似的功能。 本發明包含一散熱元件，該散熱元件包含以奈米線製 造的至少一個熱電元件，用以自一微電子晶粒上的至少一 -6- (4) 1266401 個高熱區（亦即，“熱點”）汲取熱量。此種熱電元件是此 項技術中習知的，且此種熱電元件本質上是被用來作爲熱 泵之固態元件。一種例示元件是由兩個電極以及介於該等 兩個電極之間的一陣列的小碲化鉍立方體形成之一夾層。 當在該等兩個電極之間施加一低電壓直流電源時，熱沿著 自正電極至負電極的電流方向移動。 圖1至 20示出根據本發明而製造熱電元件及其實 # 施例之方法。圖1示出具有一熱移除表面（104)的微 電子晶粒（102 )之一部分。在微電子晶粒熱移除表面（ 104 )上形成一隔離層（106 )，用以提供與微電子晶粒（ 1 02 )間之電隔離。可以此項技術中習知的任技法沈積或 生長隔離層（106)至大約 0.1微米與 ι·〇微米間之一 ’ 厚度。隔離層（1 06 )可以是任何適當的絕緣材料，其中 包括（但不限於）二氧化矽及氮化矽等的絕緣材料。 圖 2示出在隔離層（106)上製造一第一電極（112 •)。可以此項技術中習知的其中包括（但不限於）微影之 任何方法製造第一電極（1 1 2 )。第一電極（1 1 2 )可以是 諸如銅、鋁、金、銀、以及上述金屬的合金等的任何適當 之導電材料。 如圖 3所示，在第一電極（112)及隔離層（1〇6) 的一部分之上配置一介電層（114)。介電層（114)可包 括（但不限於）諸如多孔性二氧化矽及多孔性氧化鋁等的 多孔性材料。如熟習此項.技術者所習知的，可使用諸如陽 極氧化（anodization )等的方法來生長多孔性氧化銘薄膜 -7- (5) 1266401 圖 4示出自介電層（n4)的一第一表面（U6)延 伸經過介電層（Π 4 )而接觸第一電極（1 1 2 )之至少一條 奈米線（1 22 ) °係將術語“奈米線”定義爲具有大約 1 000奈米或小的奈米尺度的量測直徑之導線。在一實施 例中，奈米線（122 )可具有介於大約1奈米與100奈 米之間的一直徑。該等奈米線（122)最好是大致垂直於 籲第一電極（112)。 如圖 5所示，如熟習此項技術者所習知的，可以諸 如電子束銑削（圖中示爲箭頭（128))等的方法形成自 介電層第一表面（116)通過介電層（114)至第一電極（ * 1 1 2 )的若千奈米尺度的開孔（1 24 )。如圖 6所示，在 、 介電層（114)之上沈積一導電材料（126)，使導電材料 (126 )塡滿奈米尺度的開孔（124 )，以便接觸第一電極 (112)。可以此項技術中習知的其中包括（但不限於） •電沈積、濺鍍、及化學汽相沈積等的任何技術沈積導電材 料（12 6 )。可利用其中包括（但不限於）含鉍材料（包 括大致純的鉍及碲化祕等的材料）的任何適當料製造奈米 線（1 2 2 )。以諸如触刻或硏磨法去除過量的導電材料（ 126)，而留下奈米尺度的開孔（124)(請參閱圖5)內 之導電材料（1 26 )，以便形成諸如圖4所示之分離的 奈米線（1 2 2 )。 如果將一多孔性材料用於介電層（1 1 4 )，則可在介 電層（1 1 4 )上直接沈積奈米線（i 22 )所用的材料，其中 -8- (6) 1266401 該材料延伸通過多孔性介電層（1 1 4 )中之空洞。例如， 如圖 7所示，可在介電層（114)上產生諸如一光阻層 等的一罩幕層（132)，且具有介電層（114)上的與第一 電極（112)相對之一罩幕層開孔（134)。如圖8所示 ’在罩幕層（132)之上沈積導電材料（126)到罩幕層開 孔（1 3 4 )，以便接觸介電層（1 1 4 )的一部分，並延伸通 過多孔性介電層（1 1 4 )中之空洞（圖中未示出），而接 ®觸第一電極（1 1 2 )。以諸如蝕刻或硏磨法除過量的導電 材料（126)及罩幕層（132)，而留下該等空洞內的導電 材料（1 2 6 )，以便形成諸如圖4所示之分離的奈米線 (122 ) ° 圖 9示出在介電材料第一表面（116)上形成的且 與奈米線（122)接觸的一第二電極（136)。可由其中包 括（但不限於）微影法的此項技術中習知之任何方法製造 第二電極（136)。第二電極（136)可以是諸如銅、鋁、 胃金、銀、以及上述金屬的合金等的任何導電材料。 圖10示出一完成的熱電奈米線元件（140)，其中 自一直流電源（1 44 )延伸的帶負電線路（示爲線（1 42 ) )可被連接到第二電極（1 3 6 ),且自該直流電源（1 44 ) 延伸的一帶正電線路（示爲線（1 4 6 ))可被連接到第一 電極（Π2)。因此，熱沿著自第一電極（112)至第二電 極（1 3 6 )的電流方向移動。當然，我們當了解，可分別 於第一電極（1 1 2 )及第二電極（1 3 6 )的形成期間製造帶 正電線路（146 )及帶負電線路（142 )。 -9- (7) 1266401 如圖11所示，可將一介面（152)置於第二電極（ 1 3 6 )以及介電材料（1丨4 )的一些部分之上，且可將諸如 散熱塊或鰭狀散熱片等的一散熱元件（154)置於熱介面 材料（152 )上，以便移除被傳導到第二電極（136 )的熱 ，並使熱(¾微電子晶粒（102 )散開。介面（152 )可以是 一熱介面材料或以與該第二電極接觸的方式形成之一散熱 片（例如沈積銅等的沈積金屬）等的介面。散熱元件（ • 154 )可以是其中包括（但不限於）銅、銅合金、鋁、及 鋁合金等的任何導熱材料。在此種組態中，如果介面（ 152)及（或）散熱元件（154)是導電的，則可將帶負電 線路（1 4 2 )連接到介面（i 5 2 )及（或）散熱元件（1 5 4 • )，而介面（152)及（或）散熱元件（154)將被用來完 、 成熱電奈米線元件（1 4 〇 )的電路。 當然，我們當了解，可視需要而將複數個熱電奈米線 元件（1 40 )分佈在微電子晶粒（i 〇2 )之上。此外，如圖 φ 12所示，可在一單一的第一電極（II2)與一單一的第二 電極（136 )之間配置諸如叢集（162 )及（164 )等的多 個奈米線叢集。此外，可針對微電子晶粒上的一特定熱分 佈圖（thermal profile )而調整該熱電奈米線元件。如圖 1 3 (微電子晶粒（1 02 )的一俯視圖）所示，微電子晶粒 (1 02 )可具有如圖所示的一熱分佈圖，該熱分佈圖具有 一高熱度區（172)、圍繞高熱度區（172)的一中間熱度 區（174)、圍繞中間熱度區（174)的一低熱度區（176 )、以及在微電子晶粒（1 0 2 )的其餘部分之一較冷區（ -10- (8) 1266401 178 )。如圖14所示，可將奈米線（122 )較高密度地 配置在高熱度區（1 72 )，較低密度地配置在中間熱度區 (1 7 4 )，更低密度地配置在低熱度區（1 7 6 )，且不分佈 在較冷區（1 7 8 )。被較高密度配置的奈米線移除比被較 低密度配置的奈米線所能移除的更多的熱量。因此，可針 對特定的應用而調整熱電奈米線元件（1 40 ) ° 已發現奈米線較低的維度（亦即，接近一維）可增強 % 元件的熱電特性，且因而可達到比習知的熱電冷卻器更有 效率的冷卻效果。 本發明有數項優於習知冷卻系統之處，這些優點潛在 上包括（但不限於）：（1 )將冷卻解決方案直接整合在 ' 晶粒上，因而減少了微電子晶粒與散熱元件間之介面數， ' 而任何介面都將因有限的導熱度而產生一溫度梯度；以及 (2 )奈米線因較低的維度而增強的熱電特性可增加該冷 卻解決方案的效率，因而又可減少於擷取習知熱電冷卻器 #所能擷取的類似熱量時所需的電力。 係按照無維度的質優値 “ZT”（T是絕對溫度，且 Z =α2/(ρλ)，其中 α 是 Seeback係數，ρ 是電阻 係數，以及 λ 是導熱度）來評估熱電材料在冷卻（ Peltier效應）上及產生（Seebeck效應）上的效能。肉 眼可見的元素之 ZT典型値是大約 1。一般而言，當結 構的尺寸變得較小時，將增強 ZT。當本發明的線之直徑 接近奈米尺度時，可得到1 · 5或更大的値。熟悉此項技 術者當可了解，對奈米線長度的選擇可基於介電層的有效 -11 - (9) 1266401 導熱度及奈米線的熱電效能。此種方式可能是一種最佳作 業，且係取決於功率、功率分佈圖、及整體構裝的電阻値 〇 可建立奈米尺度熱電線的效能之模型，以便決定對增 強式 ZT的影響。圖15及16示出分別呈現1·〇及 1.5的 ZT的奈米線在一範圍的係爲線長的函數的功率 輸入中所能實現的溫度降低。如圖 1 5及 16所示，使 • 用奈米線時，將使微電子晶粒上的最高溫度有較大的降低 ，且實現這些較低溫度時只需有較低功率輸入。造成最大 的溫度降低之線長也係取決於奈米線的 ZT値。 圖 17示出在大約攝氏 102.5度的一接面溫度（Tj )下配合一銅均熱片（heat spreader)而將奈米線用於熱 • 電元件的效益與單獨使用一銅均熱片間之一比較模型。於 使用該熱電奈米線元件時，實現了接面溫度大約有攝氏 1 1 · 7 3度的降低，也就是大約有 1 1 %的溫度降低。係利 #用一個1平方厘米的微電子晶粒之各項參數產生圖17 所示之模型，其中係對該微電子晶粒均勻地供電到 ！ 〇〇 瓦/平方厘米之功率密度，其中包括被供電到 800 1 00 瓦/平方厘米的功率密度之位於中心上的一 0.5毫米 X 〇·5毫米之“熱點”。將一熱介面材料及一散熱片模型化 爲接觸該微電子晶粒的背面，也將一熱電奈米線元件模型 化爲觸該微電子晶粒的背面。將該熱電奈米線元件模型爲 有 3晕米 X 3毫米的量測面積，且該熱電奈米線元件 具有厚度維 10微米的若干成分。該等成分的橫斷面積 -12- (10) 1266401 佔用了該熱電冷卻器總面積的 8 0 % (亦即，3毫米 X 3 毫米總面積的 80% )。將該熱電冷卻器的質優値 “ζτ” 模型化爲 3，且將匱I ,繞該微m子*晶粒6勺環境溫度f莫SH匕胃 攝氏25度。 圖 1 8示出本發明的一微電子組合件（1 8 0 )，該微 電子組合件（180 )包含在微電子晶粒（102 )(圖中示爲 一覆晶）上的一熱電奈米線元件層（1 8 2 )(包含前文所 參述之熱電奈米線元件（140)(圖中未示出）°可以與熱 電奈米線元件層（182)接觸之方式放置一散熱元件（154 )。可以複數個銲球（186)將微電子晶粒（102)在實體 上及電性上連接到一基板（1 84 )。散熱元件（1 54 )可包 ‘ 含自該元件延伸的複數個突起（188)。通常於形成散熱 - 元件（154 )期間模製該等突起（188 ),或於形成散熱元 件（1 5 4 )之後切削出該等突起（1 8 8 )。當然，我們當了 解，突起（1 8 8 )可包括（但不限於）伸長的平面鰭狀結 ©構（垂直於該圖而延伸）及圓柱狀/柱狀結構。 如圖19所示，可將本發明形成的構裝用於諸如一 細胞式電話或一個人數位助理（Personal Digital Assistant ;簡稱 PDA)等的一手持裝置（210)。手持裝置（210 )可包含在一外殼（ 240 )內的具有至少一個微電子元件 組合件（23 0 )之一裝置基板（220 )，該等微電子元件組 合件（2 3 0 )包括（但不限於）中央處理單元（Centrai Processing Unit ·，簡稱CPU)、晶片組、記憶體元件、以 及特定應用積體電路（ASIC)等的微電子元件組合件，且 -13- (11) 1266401 該等微電卞兀件組合件（ 230)具有至少一個前文所述的 熱電奈米線元件（140)(圖中未示出）及（或）熱電奈 米線元件（1 7 0 )。可將裝置基板（2 2 〇 )連接到其中包括 諸如一按鍵組（25 0 )等的一輸入裝置以及諸如一 [CD 顯示器（260)等的一顯示裝置之各種周邊裝置。 如圖20所示，亦可將本發明形成的微電子元件組 合件用於一電腦系統（3 1 0 )。電腦系統（3丨〇 )可包含在 馨一外殼或機殼（340)內的具有至少一個微電子元件組合 件（330)之一裝置基板或主機板（3 2〇)，該等微電子元 件組合件（3 3 0 )包括（但不限於）中央處理單元（c P U )、晶片組、記憶體元件、以及特定應用積體電路（ASIC )等的微電子元件組合件，且該等微電子元件組合件（ ' 33〇)具有至少一個前文所述的熱電奈米線元件（140)(

圖中未示出）及（或）熱電奈米線元件（170)。可將裝 置基板或主機板（3 20 )連接到其中包括諸如一鍵盤（350 ❿）AO 一滑鼠（3 60 )等的輸入裝置以及諸如一陰極射線管 (CRT )監視器（ 3 70 )等的一顯示裝置之各種周邊裝置 〇 至此已詳細說明了本發明的實施例，我們當了解，由 最後的申請專利範圍界定的本發明並不受限於前文說明中 述及的特定細節，這是因爲可在不脫離本發明的精神或範 圍下作出該等細節的許多顯而易見的變化。 -14- (12) 1266401 【圖式簡單說明】 雖然將以明確指出且明顯聲明應被視爲本發明主題的 申請專利範圍結束本說明書，但是可參照前文中對本發明 的說明並配合各附圖，而更易於確定本發明的優點，這些 附圖包括： 圖1是根據本發明的具有被配置在一隔離層的一微 電子晶粒之一橫斷面側視圖； 馨圖2是根據本發明的在圖1所示的隔離層上形成 的一第一電極之一橫斷面側視圖； 圖 3 疋根據本發明的在圖 2所不的該第一電極及 該隔離層的一部分之上配置的一介電層之一橫斷面側視圖 9 • 圖 4是根據本發明而形成通過圖 3所示的該介電 層的若干奈米線之一橫斷面側視圖； 圖 5及 6是根據本發明而藉由形成該介電層中之 IP開孔而形成通過該介電層的若干奈米線之橫斷面側視圖； 圖 7及 8是根據本發明而形成通過該介電層中之 空洞的若千奈米線之橫斷面側視圖； 圖9是根據本發明而在該介電層上形成一第二電極 之一橫斷面圖； 圖 1 0是根據本發明的一熱電奈米線元件之一橫斷 面圖； 圖11是根據本發明的接觸具有一介面的該熱電奈米 線元件的一散熱元件之一橫斷面圖； -15- (13) 1266401 圖 12是根據本發明的在一熱電奈米線元件中之若 干奈米線叢集之一橫斷面圖； 圖 1 3是根據本發明的一微電子晶粒及其上的一熱 分佈圖之一上平視圖； 圖 1 4是根據本發明而爲了匹配該微電子晶粒的該 熱分佈圖而改變的奈米線密度的沿著圖 13中之 1 1 4 線截取之一橫斷面圖； 圖 15及 16示出根據本發明而使用奈米尺度熱電 線之效能增強； 圖1 7示出根據本發明而使用一熱電奈米線元^牛2 接面溫度改善； 圖 1 8是根據本發明而被連接到一基板的一微β + 晶粒之一側視圖； 圖19是根據本發明而具有被整合在其中之一機 子組合件的一手持裝置之一斜視圖； 圖 20是根據本發明而具有被整合在其中之一微€ 子組合件的一電腦系統之一斜視圖；以及 圖 2 1是此項技術中習知的被連接到一基板的—^ 電子晶粒之一側視圖。 【主要元件符號說明】 400 組合件 402.1 02 微電子晶粒 406.1 86 銲球 -16- (14) 1266401

404,184 丨基 板 4 14 導 熱 黏 著 劑 4 12 背 面 408 散 熱 片 416918ί ί 突 起 1 04 熱 移 除 表 面 1 06 隔 離 層 112 第 —* 電 極 114 介 電 層 116 第 一 表 面 122 奈 米 線 128 電 子 束 銳 削 124 奈 米 尺 度 的 開 孔 126 導 電 材 料 132 罩 幕 層 134 罩 幕 層 開 孔 136 第 二 電 極 140,170 熱 電 奈 米 線 元 件 144 直 流 電 源 142 帶 負 電 線 路 146 帶 正 電 線 路 152 介 面 154 散 熱 元 件 162,164 奈 米 線 叢 集 -17- (15)1266401 1 72 局 熱 度 區 1 74 中 間 熱 度 T& 1 76 低 熱 度 1 78 較 冷 區 180 微 電 子 組 合 件 2 10 手 持 裝 置 220,320 裝 置 基 板 230,330 微 電 子 元 件 組 合件 240,340 外 殼 250 按 鍵 組 260 液 晶 顯 示 器 3 10 電 腦 系 統 350 鍵 盤 360 滑 鼠 370 陰 極 射 線 管 監 視器 -18-

Claims (1)

1. (1) 1266401 十、申請專利範圍 1· 一種熱電裝置，包含： 一第一電極； 接近該第一電極的一介電材料； 在該第一電極對面的一第二電極，且在該第一電極與 該第二電極之間配置有該介電材料；以及 延伸於該第一電極與該第二電極之間的至少一條奈米 鲁線。 2 ·如申請專利範圍第 1項之裝置，其中該等至少 一條奈米線包含一含鉍材料。 3 ·如申請專利範圍第 1項之裝置，其中該介電材 - 料包含一多孔性介電材料。 - 4 ·如申請專利範圍第 3項之裝置，其中該多孔性 介電材料包含多孔性氧化鋁。 5 ·如申請專利範圍第 1項之裝置，進一步包含在 Φ電性上被連接到該第一電極的一帶負電線路、以及在電性 上被連接到該第二電極的一帶正電線路。 6· —種熱電構裝，包含： 一微電子晶粒，該微電子晶粒具有於操作時的散熱率 局於該微電子晶粒的其餘部分之至少一·個區域； 接近包含該較高熱區域的該微電子晶粒之一第一電極 9 接近該第一電極之一介電材料； 在該第一電極對面的一第二電極，且在該第一電極與 -19- (2) 1266401 該第二電極之間配置有該介電材料；以及 延伸於該第一電極與該第二電極之間的複數條奈米線 〇 7 ·如申請專利範圍第 6項之構裝，其中該等奈米 線係以一較高的密度散佈在接近該等至少一個較高散熱率 區域。 8 ·如申請專利範圍第 6項之構裝，其中該等至少 # 一條奈米線包含一含鉍材料。 9.如申請專利範圍第 6項之構裝，其中該介電材 料包含一多孔性介電材料。 10·如申請專利範圍第 9項之構裝，其中該多孔性 介電材料包含多孔性氧化鋁。 " 1 1 ·如申請專利範圍第 6項之構裝，進一步包含在 電性上被連接到該第一電極的一帶負電線路、以及在電性 上被連接到該第二電極的一帶正電線路。 • 12· —種製造微電子裝置之方法，包含下列步驟： 提供一第一電極； 在接近該第一電極處配置一介電材料； 形成通過該介電材料的至少一條奈米尺度的開孔； 在該等至少一條奈米尺度的開孔內配置一導電材料， 以便形成與該第一電極接觸的至少一條奈米線；以及 在該弟一電極封面處形成一第一^電極，且在該第s電 極與該第二電極之間配置有該介電材料，其中該第二電極 接觸該等至少一條奈米線。 -20- (3) 1266401 3 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中配朦# 導電材Μ ^ 的該步驟包含下列步驟：配置一含鉍材料。 14·如申請專利範圍第I2項之方法，其中配霞該 力電材料的該步驟包含下列步驟：配置一多孔性介電材料 〇 15·如申請專利範圍第丨4項之方法，其中配廈該 夕孔丨生介電材料的該步驟包含下列步驟：配置多孔性氧 _銘。 16·如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含 下列步驟：形成在電性上被連接到該第一電極的一帶負電 .’線路；以及形成在電性上被連接到該第二電極的一帶正電 線路。 17· —種製造微電子裝置之方法，包含下列步驟： 提供一第一電極； 在接近該第一電極處配置一多孔性介電材料； 在該多孔性介電材料上配置一導電材料，其中該導電 材料延伸通過該多孔性材料中之至少一個開孔，而形成與 該第一電極接觸的至少一條奈米線；以及 在該第一電極對面處形成一第二電極，且在該第一電 極與該第二電極之間配置有該介電材料，其中該第二電極 接觸該等至少一條奈米線。 1 8.如申請專利範圍第 1 7項之方法，其中在該多 孔性介電材料上配置該導電材料之該步驟包含下列步驟： 在該多孔性介電材料上配置一含鉍材料。 -21 - (4) 1266401 19.如申請專利範圍第17項之方法，其中配置該 多孔性介電材料的該步驟包含下列步驟··配置多孔性氧化 鋁。 20·如申請專利範圍第17項之方法，進一步包含 下列步驟：形成在電性上被連接到該第一電極的一帶負電 線路；以及形成在電性上被連接到該第二電極的一帶正電 線路。 • 21· —種電子系統，包含： 在一外殼內的一外部基板； 被連接到該電子系統的至少一個微電子元件構裝，該 等至少一個微電子元件構裝具有至少一個熱電元件，該等 至少一個熱電元件包含： • 一第一電極； 接近該第一電極之一介電材料； 在該第一電極對面的一第二電極，且在該第一電極與 Φ該第二電極之間配置有該介電材料；以及 延伸於該第一電極與該第二電極之間的至少一條奈米 線， 與該電子系統介接的一輸入裝置；以及 與該電子系統介接的一顯示裝置。 22·如申請專利範圍第 21項之系統，其中該等至 少一條奈米線包含一含鉍材料。 23 ·如申請專利範圍第 21項之系統，其中該介電 材料包含一多孔性介電材料。 -22- (5) 1266401 24. 如申請專利範圍第 23項之系統，其中該多孔 性介電材料包含多孔性氧化鋁。 25. 如申請專利範圍第 21項之系統，其中該熱電 元件進一步包含在電性上被連接到該第一電極的一帶負電 線路、以及在電性上被連接到該第二電極的一帶正電線路

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