TWI262208B - Polishing composition - Google Patents
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Description
1262208 玫、發明說明: 【發明之所屬技術領域】 本發明係關於研磨步驟之端面下垂減少劑及使用其之研 磨液組合物,進一步,係關於使用該研磨液組合物之基板的 製造方法、在研磨步驟中之下降減少方法。 【先前技術】 硬碟對於推展高容量化之技術的期望昇高。於高容量化 之有效手段之一,係期望一種減少在研磨步驟中所產生的 下降(roll off)(被研磨基板之端面下降),並可記錄至更外周 部。為製造已減少如此下降的基板,曾研究一種增硬研磨 墊且減少研磨荷重之機械研磨條件。但,如此之機械研磨 條件雖其有效果,但尚難謂充分。又,從使用於研磨步驟 之研磨液組合物減少下降之觀點,曾研究一擁有羥基之有 機酸所代表之特定有機酸的使用(特開2〇〇2_12857號公 報)、IS鹽之偶氮化生成物的使用(特開2002-20732號公報) 等,但目前無法斷言可充分減少下降。 發明欲解決之課題 如剷述般,基板之端面部比内部還常被研磨之下降會發 生係因研磨基板時之壓力比内部、端面部還高。是故,本 發明人等認為此壓力之差係因研磨材之砥礪粒的凝集力很 大,研磨材進入於基板與研磨墊等之研磨裝置之間時,充 分地研磨端面部乃原因所在,就以往所無之觀點,著眼於 控制研磨材之砥礪粒的凝集之化合物,終完成本發明。 【發明内容】 O:\86\86505-95042 ] .D0C -6 - Ϊ262208 用以解決課題之手段 亦即’本發明係關於: ()、種研磨液組合物,其係含有〇 〇3〜〇·5重量%之有機酸 或其鹽、研磨材與水,且該研磨材之表面電位為-140〜 200 mV。 )種端面下垂減少劑5其係包括具有可控制研磨液組合 物中之研磨材表面電位的特性之無機化合物;而調製一
各有研磨材(α型之剛玉(c卜ran〇m)結晶所構成的A 3純度98.0重量%以上的高純度氧化鋁)2〇重量份、檸檬 酸1重量份、水78重量份及無機化合物1重量份所構成的 基準研磨液組合物時,藉由該無機化合物存在,該基準 研磨液組合物中之研磨材的表面電位被控制於_ιι〇〜 250 m V 〇 (3)—種研磨液組合物,其係含有前述(2)記載之端面下垂減 少劑而構成的。 Ο4) 一種基板的製造方法,其係具有一使用前述(1)或(3)記 載之研磨液組合物,而研磨被研磨基板的步驟。 (5) —種方法,其係於研磨步驟中使用一含有前述(2)記载之 端面下垂減少劑之研磨液而減少基板端面的下垂。 (6) —種方法,其係於研磨步驟中使用一含有前述(1)或(?) 記载之研磨液組合物而減少基板端面的下垂。 【實施方式】 發明之實施形態 因此,本發明係關於一種可充分得到研磨速度且可減少在
O:\86\86505-950421 DOC 1262208 研磨所產生的被研磨基板之下降的端面下垂減少劑、含有該 端面下垂減少劑之研磨液組合物、使用該研磨液組合物之基 板的製造方法、含有該端面下垂減少劑之研磨液或以前述研 磨液組合物減少基板之下降的方法。 1 ·態樣a之研磨液組合物 本發明之研磨液組合物(以下,亦稱為態樣a之研磨液組 合物),如前述般,其一大特徵係含有〇〇3〜〇·5重量%之有 機酸或其鹽、研磨材與水,且該研磨材之表面電位為_14〇 〜200 mV ;藉使用如此特徵之研磨液組合物,可明顯減少 被研磨基板的下降,能顯現所謂可生產記錄至外周部之基 板的顯著效果。 又,藉態樣a之研磨液組合物中的研磨材表面電位在上述 範圍,有關使被研磨基板之下降減少的作用機構,詳細情 形不明確,但,認為如以下般。亦即,藉前述特定量之有 機酸或其鹽調配於研磨液組合物,可控制研磨材間之凝聚 力’結果,在研磨時起因於墊片變形之高壓力施加的端面 部中,係成為[端面壓力 >砥礪粒凝聚力],砥礪粒凝聚會崩 壞,研磨速度會減少。反之,相較於端面而壓力低之内側, 係成為[内部壓力 <凝聚力],砥礪粒之再凝聚會發生,可維 持研磨速纟。因&,内部與外部(端面部)之研磨速度差會變 小,下降會減少。 、、^本發明中’所謂研磨材之表面電位係以〇45心過遽材 減壓過濾含有該研磨材之態樣3的研磨液組合物,使所回收 之過遽殘渣即研磨材(M g再分散於水7Q g,使用流動電位 O:\86\86505-95042] .DOC -8- 1262208 才双測裳置而稱為5分後的電位(以下,, 幻。具體上’稱為依後述實施例記載定表面電位 俞、g 秋艾方法所測定的值。 。要::Γ之研磨液組合物中的該研磨材之表面電位係 二要為:〜_mv即可,並無特 =、更宜為―V,最宜為-110〜11〇mV, 尤且為-105〜1〇5 mV 〇 磨:發:;=之研磨材係可使用—般被用於研磨用之研 物氮::可舉例:金屬;金屬或半金屬之碳化 、乳化物、硼化物、鑽石等。金屬或半金屬元 =自週期表(長週期表)之2A、2b、3a、3b、4a、4b、
7錢8族者。研磨材之具體例可舉例氧化紹粒 間氧化!呂粒子、氧㈣轉、碳切粒子、錢石粒 鎮粒子、氧化辞粒子、氧化飾粒子、氧化錯粒子、 2體乳切粒子、霧化氧切粒子等,其中,從研磨速卢 ^經濟性之均衡觀點’宜為氧化銘粒子、中間氧化銘粒 =1容膠等之氧化銘。使用此等研磨材i種以上係就 =研磨速度而言,為佳。依照研磨特性之必要性亦可混 口使用此等2種以上。以研磨材用途區分,⑽奴銘合全 基板的粗研磨宜為α •氧化铭粒子、中間氧化㈣子、I化 銘溶膠等之氧化紹,更宜為與α •氧化銘粒子、中間氧化铭 本子U中亦為Θ氧化铭)之組合’就研磨速度提昇、表面缺 :防止及表面粗度減少的觀點,尤佳。又,鍍Ni-ρ之結人 金基板^精加工研磨宜為膠體氧化㈣子、霧化氧化石夕^ 子專之氧化矽粒子。在玻璃材質之研磨宜為氧化鈽粒子、
O:\86\86505-950421 .DOC -9 - 1262208 氧化銘粒子。在半導體晶圓或半導體元件等之研磨中,宜 為氧化鈽粒子、氧化鋁粒子、氧化矽粒子。 研磨材之一次粒子的平均粒徑就提昇研磨速度之觀點宜 為0·01〜3/zm,更宜為〇·〇1〜〇·8//πι,最宜為〇〇2〜〇·5“ m進一步,一次粒子會凝集而形成二次粒子時,同樣地, 就提昇研磨速度之觀點及降低被研磨基板的表面粗度觀 點,其二次粒子之平均粒徑宜為H3/zm,更宜為〇〇5 叫.5//111,最宜為(^〜。”。研磨材之一次粒子的平均 粒^係以掃描型電解顯微鏡觀察(適宜為3GGG〜3GG00倍)或 =牙透型電子解顯微鏡觀察(以⑽⑻〜⑽倍為佳)而進 ㈣像解析’以測定粒徑來求取。又,二次粒子之平均粒 k係使用雷射光繞射法而測定作為體積平均粒徑。 研磨材之比重係就分散性及對研磨裝置之供給性 再利用性之觀點,其比重宜為2〜6,更宜為2〜5。^ 研磨材之總含量就經濟性及可減少研磨物之 且可有效率研磨之觀點,在態 又 #〜、银a之研磨液組合物 〜4〇重量%,更宜為2〜3〇重量 勿中且為1 里里/〇,最宜為3〜25重。 本發明之態樣a的研磨液組合物係含有。。3〜: 的有機酸或其鹽。在本發明巾,使用如此有以 其鹽,有優點係可控制前述研磨材之表:二或 值。本發明所使用之有 於特疋的 個以上、且具有可成為㈣、續酸等之布忍斯特“原子1 分子,有機酸及其鹽係只要 寺酸的基之 .…么,I尽刊 位乂於-140〜200 mv即可,並無特別限定,但, 丁〆、贵J才工制該研磨材之 位A於-140〜200 m v Bn e w 付又表面電 且為羧酸
O:\86\86505-950421 .DOC -10- 1262208 ^其鹽。_及其鹽可舉例如:單或多價㈣、單叛酸、 月女基駄及其等之鹽等。此等之化合物從其特性可區分為化 合物群(A )與化合物群(B )。 屬:化口物群(A )之化合物,亦可單獨提高研磨速度, 仁月顯之特徵係添加於含有化合物群⑻所代表的其他有 機酸或其鹽之研磨液組合物中,較不添加時,亦具有減少 下降之作用的化合物。化合物群⑷之化合物係含有⑽基 或SH基之單或多價羧酸、不含〇H基或§11基之碳數2〜3的 一羧酸、不含OH基或SH基之單羧酸及其等之鹽中選出一種 以上的化合物。含有0H基或SH基之單或多價羧酸之碳數就 對水之溶解性的觀點,為2〜2〇,宜為2〜1〇,更宜為2〜8, 最宜為2〜6。又,就下降減少之觀點,宜為羥基羧基化 合物。不含有ΟΗ基或SH基之單羧酸之碳數就對水之溶解性 的觀點,為1〜20,宜為1〜1〇,更宜為丨〜8,最宜為丨〜5。 石反數2〜3之一竣酸亦即指卓酸與丙二酸。 含有OH基或SH基之碳數2〜20的單或多價羧酸、不含〇h 基或SH基之碳數2〜3的二羧酸、不含〇H基或SH基之碳數1 〜20之單羧酸的例子可舉例記載於特開2〇〇2-12857號公報 第2頁右攔第44行〜第3頁左攔第45行等者。 在化合物群(A )中具有OH基或SH基之碳數2〜20的單或 多價羧酸之具體例可舉例··乙醇酸、氫硫基琥珀酸、硫乙 醇酸、乳酸、/3 -羥基丙酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、異 檸檬酸、別檸檬酸、葡糖酸、乙酸酸、甘油酸、扁桃酸、 托酸、本曱酸、水杨酸寻。不含OH基或SH基之單魏酸的 O:\86\86505-950421 DOC -11 - 1262208 具體例可舉例:蟻酸、醋酸、丙酸、赂酸、異路酸、 酸、異吉草酸、己酸 '庚酸、2_甲基己酸、辛酸、孓乙旯已 酸、壬酸、癸酸、月桂酸等。在此等化合物群⑷之中= 為醋酸、草酸、丙二酸、乙醇酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸且 乙醛酸、擰檬酸及葡糖酸’更宜為草酸、丙二酸、乙醇:、 乳酸、蘋果酸、酒石酸、乙㈣、擰檬酸及葡糖酸,尤夂宜 為蘋果酸、酒石酸、擰檬酸,最宜為檸檬酸。 且 此等化合物群(A)之鹽並無特別限定,具體上可舉例··金 屬、氨、烧基銨、有機氨等之鹽。金屬之具體例可舉出、: 屬於週期表(長週期表)1A、IB、2A、2B、3A、3B、4A 6Α、7Α0族之金屬。此等之金屬中,從減少堵塞筛目八之 觀點’宜屬於ΙΑ、3Α、3Β、7Α或8族之金屬,更宜為u、 3Α、或3Β族之金屬,最宜為屬於1Α族之鈉、鉀。 烷基銨之具體例可舉出:四甲基銨、四乙基銨、四 銨等。 暴 有機氨等之具體例可舉出:二甲胺、三甲胺、烷醇胺等。 此荨之鹽中尤宜為錄鹽、納鹽及钾鹽等。 化合物(A )可單獨使用,亦可混合2種以上使用之。 本發明所使用之化合物群(B )係研磨速度提昇之作用特 優的化合物。化合物群(B )係可舉出:不具有碳數4以上之 〇H基或SH基的多價羧酸、胺基羧酸、胺基酸、及此等之鹽 從研磨速度提昇之觀點,在 基之多價羧酸中,宜為碳數4〜 不具碳數4以上之〇H基或SH 20,進一步若加上水溶性提 O:\86\86505-950421.DOC -12- 1262208 昇之觀點,宜為碳數4〜1〇。其羧酸價數為2〜1〇,宜為2〜 6更宜為2〜4。又,就胺基羧酸從水溶性提昇的觀點1分 子中之氨基數宜為1〜6,更宜為1〜4。又,就其羧酸基之 數目宜為1〜12,更宜為2〜8。又,碳數目宜為1〜3〇,更 好的是1〜20。從相同之觀點,氨基酸之碳數宜為2〜2〇, 更宜為2〜1〇。 化合物群(B )之例可舉出··記載於特開2〇〇2-3〇276號公報 第4頁左攔第13行〜第30行等者。 化合物群(B)之具體例可舉出··琥珀酸、馬來酸、富馬酸、 戊二酸、擰康酸、衣康酸、丙三羧酸、己二酸、丙烷-u,2,3_ 四羧S夂、丁烷_i,2,3,4-四羧酸、二乙醇酸、硝基三醋酸、乙 烯二胺四醋酸(EDTA)、二乙烯三胺五醋酸(DTpA)、羥基乙 基乙一胺四醋酸(HEDTA)、三乙烯四胺六醋酸(TTHA)、二 羧基曱基谷氨酸(GLDA)、甘氨酸、丙氨酸等。 其中’宜為琥珀酸、馬來酸、富馬酸、戊二酸、檸康酸、 衣康酸、丙三魏酸、己二酸、丙烧、二乙醇酸、石肖基三醋 酉义乙烯一胺四醋酸、二乙烯三胺五醋酸,更宜為琥珀酸、 馬來酸、富馬酸、戊二酸、擰康酸、衣康㉟、丙三羧酸、 二乙醇酸、乙烯二胺四醋酸、二乙烯三胺五醋酸。 此等化口物群(B )之鹽可舉例與前述化合物群(A )相同 者。 化合物群(B)係可單獨使用,亦可混合2種以上而使用。 進j ’組合化合物群(A)與化合物群(B)就研磨性能之均 衡而言,尤佳。
O:\86\86505-950421.DOC -13- 1262208 從下降減少之觀點,使用於本發明之有機酸或其鹽係宜 為化合物群(A)或其鹽,從研磨速度之面,最宜為含有〇H 基或SH基之碳數2〜1〇的多價羧酸或基鹽,其中,最宜為檸 杈酸、蘋果酸、酒石酸等之羥基羧酸類及其鹽。 本發明之態樣a的研磨液組合物中之有機酸或其鹽的含 量,從縮小研磨材之特定表面電位A的絕對值且提高下降 之硯點,態樣a之研磨液組合物中為〇〇3〜〇·5重量%,宜為 〇·〇4 0.5重里% ’更宜為〇〇5〜。·5重量%,最宜為。二 〇·4重置%。又,有機酸或其鹽可單獨或混合2種以上使用 之0 本發明之態樣a的研磨液組合物之水係可使用來作為媒 體,其Φ量從有效率研磨被研磨基板之觀點,宜為5卜 9請重量%,更宜為6〇〜97 5重量%,最宜為7〇〜96· 量% 0 其他之成分可舉例:無機酸及其鹽、氧化劑、防銹劑、 鹼性物質等。無機酸及其鹽、以及氧化劑之具體例可舉出 記載於特開昭63-25U63號公報第2頁左下攔第7行〜第14 行、特開平1-205973號公報第3頁左上攔第u行〜右上第2 行、特開平3-1 1 5383號公報第2頁右下攔第16行〜第3頁左 上攔第1 i行、特開平4_2753δ7號公報第2 f右攔第27行〜: 3頁左攔第12行等者。此等之成分可單獨或混合靖以上使 用之又,其含I從顯現各別之功能的觀點及經濟性之觀 點,較佳係態樣a之研磨液組合物中〇 〇5〜2〇重量%,更佳 係0.05〜1〇重量%,最佳係〇〇5〜5重量%。 O:\86\86505-950421 .DOC -14 - 1262208 j:二f依需要可調配殺菌劑或抗菌劑等作為其他成分。 之权菌劑、抗菌劑的含量係就顯現功能之觀點 士性能之影響,從經濟面之觀點,態樣a之研磨液組合物中 且為0.0001〜〇 1番 .1重里%,更宜為0.001〜0.05重量%,最宜 馮〇·002〜〇.〇2重量%。 土曲心、才篆&之研磨液組合物中的各成分濃度係研磨時之較 4展度’但’亦為該組合物之製造時的濃度。—般,態樣& 研磨液、、:a σ物係製造來作m液,使用時再 用的情形很多。 又,態樣a之研磨液組合物係以任意之方法添加目的之添 加物’再混合、製造之。 、、態樣a之研磨液組合物的pH宜依照被研磨物之種類或要 求口p貝等適當決定。例如;態樣a之研磨液組合物的從被 研磨物之洗淨性及加工機械的腐餘抑制性、作業者之安全 眭而ό且為2〜12。被研磨物以鍍N卜p之鋁合金基板等的金 乍為主對象之精岔零件用基板時,就研磨速度之提昇與 表面品質之提昇、研磨墊篩目堵塞抑制之觀點,pH宜為2 〇更且為2〜9,最宜為2〜7,尤宜為2〜5。進一步, 用於半導體晶圓或半導體元件等之研磨、尤其是矽基板、 夕曰日石夕膜、Si〇2膜等之研磨時,從研磨速度之提昇與表面 口口貝之提昇觀點,宜為7〜12,更宜為8〜11,尤宜為9〜11。 ^ PH依需要,可適當以特定量調配硝酸、硫酸等之無機酸、 氧魏酸、多價羧酸或胺基羧酸、胺基等之有機酸、及其金 屬I或錢鹽、氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀、胺等之驗性物
O:\86\86505-950421.DOC -15- 1262208 質而調整。 2 ·端面下垂減少劑 本發明之端面下垂減少劑’如前述般,其係包括具有可 控制研磨液組合物中之研磨 所磨材表面電位的特性之無機化合 而調製—含有研磨材㈣之剛玉(―)結晶所構 成的Al2〇3純度98.0重署% μ Λ人义 上的向純度氧化鋁)2〇重量 伤#松酸1重量份 '水78重量份及無機化合物上重量份所 構成的基準研磨液組合物時,藉由該無機化合物存在,該 2研磨液組合物中之研磨材的表面電位(以下亦稱為特 疋表面電位Β)顯示控制於]1〇〜25〇mV之特性。藉由將如 此之端面下垂減少劑調配於研磨液組 減少基板之下降,能顯現所謂可生產記錄至外板也 的顯著效果。 之端面下垂減少劑係除了如前述之研磨液組合物 的研磨材表面電位控制作用,尚且具有被研磨基板之下降 減夕作用。有關此等2種作用機構,詳細情形雖不明確,但, :為如以下般。亦即,藉本發明之端面下垂減少劑,以研 表面電位被控制於前述範圍而研磨材間之凝聚力會 降低之方式來控制。其結果,在研磨時於高壓力施加的端 中’係成為[端面壓力〉低碼粒凝聚力]H粒凝聚會 崩壞,研磨速度會減少。反之,相較於端面部而塵力低之 内側,係成為[内部壓力〈凝聚力],砥礪粒之再凝聚會發 生,可維持研磨速度。因此,内部與外部(端面部)之研磨速 度差會變小,下降可能減少。
O:\86\86505-950421.DOC -16- 1262208 本發明之端面下垂減少劑係控制基準研磨液組合物中之 研磨材的表面電位至]10〜 250 mV之無機化合物,如此之 …、機化σ物係可舉出··不含碳原子之化合物、碳酸鹽及氛 酸鹽等之含碳布忍斯特酸鹽等。 本發明之端面下垂減少劑從下降減少之觀點,係宜控制 特定表面電位Β至_110〜200⑽者,更宜為_1〇〇〜2〇〇⑴ V ’最宜為-90〜。 在本卷月中έ有無機化合物1重量%而構成之基準研磨 液組合物’係包括研磨材(α型之剛玉結晶所構成的αι2〇3 純,98.0重量%以上的高純度氧化銘重量份、摔樣酸1 重里如水78重1份及端面下垂減少劑j重量份所構成的研 磨液組合物。因此,在本發明中,表面電位係含有摔樣酸 之研磨液組合物中的研磨材之表面電位。 在基準研磨液組合物中使用來作為研磨材之“型的剛玉 結晶所構成的Al2〇3純度98.0重量%以上之高純度氧化銘, 其他之成分宜⑽為。重量%以下、Fe203為02重量%以 下、Na2〇為〇·7重量%以下’又,累積高度50%點之粒徑宜 為〇—m之氧化銘’其具體例可舉出·· FujimUnc卿⑽— 公司製之「WA#10000」(商品名)。 又,特定表面電位B係研磨液組合物中之研磨材的表面 電位’以0.45 # m過濾材減壓過濾前述基準研磨液組合物, 所回收之過濾殘渣即研磨材Oj g再分散於水7〇 §中,使用 流動電位檢測裝置而使5〜6分後之電位作為特定表面電位 B 。 O:\86\86505-950421.DOC -17- 1262208 本發明之端面下垂減少劑係只要為可控制基準研磨液組 口物中之研磨材的特定表面電位B至〜” 〇 mV之無機 化口物即可,並無特別限定,但,從表面電位控制之面、 使用時之處理性而言’相對於水⑽g,宜溶解$以上, 更宜為0.5§以上’最宜為lg以上,最宜為5§以上。 k表電位控制之面而言,前述無機化合物宜為可離 子解離之化合物’ t宜為布忍斯特酸或其鹽。更佳係亦可 為任-之解離段’但宜擁有PKa (说、水溶液)為_10〜10 之解離段的布忍斯特酸或其鹽。最佳係擁有PKa(25t、水 溶液)成為0〜7之解離段的布忍斯特酸或基鹽。 本卷明所使用之端面下垂減少劑從基板之腐蝕性、對人 體之影響面而言’於100 g之水中添加0.1 g時之pH宜為1〜 13者,更宜為2〜1〇。 用於本發明之端面下垂減少劑所使用的無機化合物之具 體例,可舉例:以硝酸、硝酸鉀、硝酸鎳、硝酸鋁、亞硝 酉文、亞硝酸鋁為代表之含氮無機酸或其鹽、以硫酸、硫酸 銨、4酸鉀、硫酸鎳、硫酸鋁、亞硫酸鋁、氨基磺酸銨為 代表之έ &無機酸或其鹽、以鱗、構酸納、構酸鎳、亞鱗 酉欠卸、焦填酸鋁為代表之含填無機酸或其鹽、鹽酸、氯化 鈉、過氯酸鈉、次亞氯酸鈉、溴化鉀為代表之含鹵素無機 酸或其鹽、碳酸鈉、碳酸氫鉀所代表之碳酸鹽、氰酸鈉、 氰酸鉀為代表之氰酸鹽、鎢酸、鉬酸銨、鈦酸鈉為代表之 含金屬原子無機酸或其鹽等。 此等無機化合物之中,考慮其下降減少性時,宜為多價 O:\86\86505-950421.DOC -18- 1262208 無賴致具鹽,從經濟性面至言,宜為非金屬性無機酸咬 其鹽,進-步,若考慮對所製造之基板的研磨碎屑等殘留 性,更宜為含硫無機酸或发 人-盟,最佳係考慮腐蝕等,可舉 例:含硫無機酸鹽等。前述含硫無機酸或其鹽之中 為硫酸或硫酸鹽。 端面下垂減少劑為離子性 無機合物之鹽時,於陽離子 種類並無特別限定,具體上可舉例:金屬、氨、燒 有機氨等之鹽。金屬之且_ 土 车、" 屬之具體例可舉出:屬於週期表(長週期 表)1 A、IB、2A、2B、3A、m /1 λ 、4八、6八、7八或8族之金屬。 此等之金屬中,從下降減少 之金屬,更宜為屬於8族之金屬且屬於1八、戰8族 ^基敍之具體例可舉出:四甲基録、四乙基銨、四丁基 有機氨等之具體例可舉出·· 此等之陽離子種類 -甲胺、_等。 山 頸Τ尤且為銨、屬於8族之金屬。 3.端面下垂減少劑組合物 機酸或其劑係可調配於-含有研磨材、有 稱如此所得到之研磨=而人使用之。在本說明書令,特別 丨1γ〜 < 研磨液組合物兔「 物」。亦即,本發明之、'、 ^厂少劑組合 、十、山& 之、面下垂減少劑組合物係至少含有前 述端面下垂減少齊13 I刖 J研磨材、有機酸或其鹽與水。 工1立而面下垂減少齊I組合物中之研磨材的# 述端面下垂減少… 研磨材的表面電位之前 觀點減少之_、研磨性能之 研磨液组合物中宜為〇·_重量%以上,又,從經濟
0. \86\86505-9S0421. D〇C -19» 1262208 性觀點,被研磨物之面質、研磨碎屑之沈殿、附著觀點, 且為1〇重量%以下。更佳係端面下垂減少劑組合物中之 0旦〇Q05〜8重量%、最佳係〜5重量%,尤佳係0.05〜3重 !%。又,端面下垂減少劑可單獨或混合2種以上而使用。 “本發明所使用之研磨材係可使用—般被用於研磨用之研 磨材。該研磨材之例係只要與使用於前述態樣a的研磨液址 合物相同即可’使用此等!種以上,就提高研磨速度之觀 為佳X &照研磨特性之必要性而亦可混合此等2種 以上而使用之。又’研磨劑用途區分係形氧化銘粒子 f中間氧化銘而尤宜與厂氧化紹、Θ-氧仙。又,其中間 乳化銘與〇:_氧化紹之混合比(中間氧化紹氧化紹、重量 比)宜為〇·1〜2,更宜為05〜1。 研磨材之總含量就可減少經濟性及研磨物之表面粗度, 且可有效率研磨之觀點,在端面下垂減少劑組合物中宜為丄 〜40重;更宜為2〜3〇重量% ’最宜為3〜重量%。 本發明所使用之有機酸或其鹽只要可提高研磨速度即 可,並無特別限定,但可舉例如:單或多價幾酸、胺基缓 酸、胺基酸及其等之鹽等。此等之化合物從其特性可區分 為化合物群(A )與化合物群(b )。 屬於化合物群⑷之化合物’亦可單獨提高研磨速度, 但,明顯之特徵係與以化合物群⑻所代表的其他速度提昇 劑組合時具有減少下降之作用的化合物。藉組合此等化合 物群⑷之化合物與可控制本發明之表面電位之端面下垂 減少劑,可更減少下降。化合物群⑷之化合物係只要盘在
O:\86\86505-950421. DOC -20- !2622〇8 前述態樣a的研磨液組合物中所使用者相同即可。化人物群 (A )之中,從研磨速度之面,宜為α _羥基羧酸或其蹄。 本發明所使用之化合物群(Β )係研磨速度提昇之作用特 優的化合物。化合物群(Β)係可舉出與在前述態樣&的研磨 液組合物中所使用者相同即可。 又,有機酸或其鹽的總含量,從顯現功能之觀點及經濟性 之嬈點,較佳係端面下垂減少劑組合物中〇 〇ι〜 宜為0.02〜7重量%,更宜為〇.〇3〜5重量%。 里义, m:面下垂減少劑組合物中之水係可使用來作為 某體,其含1從有效率研磨被研磨物之觀 9咖重㈣,更宜為60〜97·5重量 為55〜 量%。 里敢且為70〜96.8重 本發明之端面下垂減少劑組合物依 :Γ之成分可舉例:氧化劑、防錄劑二 二具體例可舉出與在前述態樣a的研磨液組合: 使用者相同即可。此等 物中所 之。又,1含旦^ u 了早獨或混合2種以上使用 較佳係態樣a之端面下垂減少劑=濟:之觀點, 更佳係0.G5 〜H)重 W ^ t0.05^20tt% , 10重里义’攻佳係0.05〜5重量%。 y依需要可調配殺菌劑或抗 此等之殺菌劑、抗菌劑的含量 1作為其他成分。 點、對研磨性能之影響,從經濟面之觀之功能的觀
心合物中宜為〇〇〇〇1〜〇1重 H 量%,最宜為。.。。2〜。02重量^ ° ’更宜為〇·_〜〇·〇5重
°^6\865〇5*95〇421.D〇C *21 - 1262208 二較二:面下垂減少劑组合物中的各成分濃度係研磨 〉辰度’但’亦為該組合物之製造日夺的濃度。一般, 少㈣合物係製造來作為濃縮液,使料再稀 釋而使用的情形很多。 下垂減/劑組合物係以任意之方法添加目的之 添加物,再混合、製造之。 、端面下垂減少劑組合物的pH宜依照被研磨物之種類或要 求品質等適當決定。例如;端面下垂減少劑組合物的 被研磨物之洗淨性及加1機械的腐Μ抑制性、作業者之安 王性而έ宜為2〜.12。被研磨物以鍍Ni_p之鋁合金基板等的 玉屬作為主對象之精密零件用基板時,就研磨速度之提昇 與表面品質之提昇、研磨塾筛目堵塞抑制之觀點,pH宜為2 更且為2〜9,最宜為2〜7,尤宜為2〜5。進一步, 用於半導體晶圓或半導體元件等之研磨、尤其是梦基板、 夕曰曰石夕膜、SW2膜等之研磨時’從研磨速度之提昇與表面 品質之提昇觀點,宜為7〜12,更宜為8〜n,尤宜為9〜u。 該pH依需要,可適當以特定量調配硝酸、硫酸等之無機酸、 氧羧酸、多價羧酸或胺基羧酸、胺基等之有機酸、及其金 屬孤或銨鹽、氨水、氫氧化納、氫氧化卸、胺等之驗性物 質而調整。 4·基板之製造方法 本發明之基板的製造方法係具有一使用前述態樣a的研 磨液組合物或端面下垂減少劑組合物而研磨被研磨基板的 步驟。 O:\86\86505-950421.DOC •22- 1262208 本發明之對象即被研磨基板為代表之被研磨物材質可舉 例:矽、鋁、鎳、鎢、銅、鈕、鈦等之金屬或半金屬、及 以此等之金屬作為主成分的合金、玻璃、玻璃狀碳、非晶 質碳等之玻璃狀物質、氧化鋁、二氧化矽、氮化石夕、氮化 钽、氮化鈦等之陶瓷材料、聚醯亞胺樹脂等之樹脂等。此 等之中,以鋁、鎳、鎢、銅等之金屬及以此等金屬作為主 成分之合金宜為被研磨物,或含有其等之金屬的半導體元 件等之半導體基板宜為被研磨物。尤其,研磨一鍍犯邛之 鋁合金所構成的基板時,使用本發明態樣&之研磨液組合物 或端面下垂減少劑組合物時,尤其可減少下降,故佳。因 此,本發明係關於前述基板之下降的減少方法。 此等被研磨物之形狀無特別限制,例如具有碟狀、板狀、 塊狀、稜鏡狀等之平面部的形狀、或具有凸透鏡等之曲面 部的形狀乃成為使用本發明態樣_研磨液組合物或端面 下垂減少劑組合物的研磨對象。#中’碟狀之被
/1+ ns J +知明怨樣a之研磨液组合物或端面下垂減少劑組人 係宜適用於精密零件用基板的研磨。例如,適於磁碟:4 碟、光磁碟等之磁氣記錄媒體的基板、光罩基板、液曰用 玻璃、光學透鏡、光學鏡、光學棱鏡、半導體基板等= 磨:半導體基板之研磨有在以圓(裸晶圓之研 入兀件为離膜之形成步驟、層間絕緣膜之平坦賢里 入金屬配線之形成步驟、埋入電容形成步驟等中所::埋 研磨。本發明> #扭 進订的 4樣a的研磨液組合物或下降減少組合物尤 O:\86\86505-950421 〇〇〇 -23- 1262208 其適於磁碟基板的研磨。 5 ·被研磨基板之下降減少方法 又,在使用本發明態樣a之研磨液組合物或端面下垂減少 劑的被研磨基板之下降減少方法中,以含有本發明態樣&之 研磨液組合物或本發明端面下垂減少劑之研磨液或本發明 之端面下f減少劑組合物作為研磨⑨而使用上4舉出之被 研磨基板進行研磨,可明顯減少被研磨基板之下降。例如, 以貝占有不織布狀有機高分子系之研磨布等的研磨盤挟住基 板,供給一含有本發明態樣3之研磨液組合物或本發明端面 下垂減少劑之研磨液或本發明之端面下垂減少劑組合物至 研磨面,一面施加壓力一面移動研磨盤或基板,可製造減 少下降之基板。 "' 在本發明中被研磨基板所產生的下降,係使用例如觸針 式、光學式等之形狀測定裝置而測定端面部分的形狀,可 從其輪廓圖而藉由端面部分較碟片中央部被削掉多少程度 數值化來進行評估。 又 數值化之方法如圖丨所示般,取得從碟片中心離某距離之 A點、B點與C點之測定曲線(意純研磨基板之端面部分 的形狀)上之3點,連結A點與c點之直線做為基線,謂b點 與基線之距離(D)。下降佳意指D值更接近〇之值。下降值喟 以研磨前後之確片厚度的變化量之1/2除〇之值。 口月 本發明之態樣a的研磨液組合物或端面下垂減少劑组入 物係於拋❹驟中具有特別效果,但,同樣亦可適用於二 以外之研磨步驟例如擦磨步驟等。
O:\86\86505-950421.DOC -24- 12622〇8 【貫施方式】 實施例I-l、1-2、比較例 (研磨用研磨液組合物調配方法) 將研磨材20重量份[一次粒徑之平均粒徑〇·23 // m、二次 粒子之平均粒徑0·65从m之α -氧化鋁(純度約99.9% )16重 里份、中間氧化鋁(0氧化鋁、平均粒徑〇·22 # m、比表面 積150 m2/g'純度約99 9%)4重量份]、作為其他之添加物且 °己載於表1之各實施例所使用的有機酸(檸檬酸)特定量、離 子乂換水(其餘部份)進行混合、攪拌,得到研磨液組合物工 重量份。 〔表面電位測定法〕 知使所得到之研磨液組合物約2〇 g以〇45#m親水性聚四 氟乙烯(PTFE)過遽材減壓過濾5小時,目收過遽殘潰即研磨 材將研磨才才移至20 m L燒杯中,卩直徑5 mm之玻璃棒磨 碎至1 mm左右的粒子至消失為止。於⑽社燒杯中精科此 磨材0.1 g與水70 g,置入25随之磁授掉子。使用流動電 ^測裝置(京都電子工業株式會社製電位差自動滴定裝
、商品名:AT·410、流動電位檢測單元、商品名:隐500) 而控制液體之剪斷速度的rpiST c0_ ^ ^ 」、、丑,以550之刻度、攪拌 之刻度開始測定表面電位之測金 拉―主 电位之心’以5分後之電位作為 特疋表面電位A。.此等之結果表示於表1中。 (研磨方法) 所得到之研磨液組合物以離 Μ ^ ^ ^ 又換水稀釋3倍(vol/vol), 猎蘭克德拉霍普生公司製之Tarist 八’針前端大小:25// m
O:\86\86505-95042 ] D〇C -25- 1262208 X 25 // m、high pass filter : 80 // m、測定長度:〇·64 mm) 所測出之中心線平均粗度R a為〇·2// m、由厚i27 mm、直 徑3。5英吋(直徑95.0 mm)之鍍Ni-P之鋁合金所構成的基板 表面藉雙面加工機,以如下之雙面加工機的設定條件進行 拋光’得到使用來作為磁氣記錄媒體用基板的鍍Ni_p之無 合金基板之研磨物。 雙面加工機之設定條件表示於下。 〈雙面加工機之設定條件〉 雙面加工機:Speedfam(股)製、9 B型雙面加工機 加工壓力:9·8 kPa 研磨墊:Fujibo(股)製、H 9900(商品名) 定盤旋轉數:30r/min 研磨液組合物稀釋品供給流量:125 ml/min 研磨時間:3.5 min 所投入之基板的片數:i 〇片 (研磨速度) 計量研磨前後之各基板重量使用(Sart〇rius公司製、商品 名·· BP-210S)進行測定,求出各基板之重量變化,以1〇片 之平均值作為減少量,再除以研磨時間之值作為重量減少 速度。重夏之減少速度導入於下述之式,變換成研磨速度 (// m/mm)。以比較例u之研磨速度作為基準值1而求出各 貫施例及比較例之研磨速度的相對值(相對速度)。其結果表 不於表1中。 重置減少速度(g/min)={研磨前之重量(g)_研磨後之重量 O:\86\86505-950421.DOC -26- !262208 (g)}/研磨時間(min) 研磨速度(// m/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面 積(mm2)/鍍 Ni-P之密度(g/cm3)xl〇6 (下降) 使用Zygo公司製、Maxim 3D5700(商品名)而以如下之條 件測定。 透鏡:Fizeau X 1 解析軟體:Zygo Metro Pro(商品名) 使用上述裝置,測定從碟片中心從41.5 mm至47.0 mm之 碟片部的形狀’如圖1所示般’從碟片中心分別於41 $ mm、47 mm、及43 mm為A、B及C點的位置,使用解析 軟體而藉前述測定方法求出D (基線與B點之位置的差)。以 研磨如後之碟片研磨量的1 /2除以此所求得到之d的值作 為下降值。 表1中表示比較例1-3之測定值作為基準值丨時的相對研磨 速度、相對下降值。從表1可知檸檬酸量為〇〇3〜〇·5重量% 且從表面電位_140〜2〇〇 mV範圍之實施例^、^2,比較 比較例1-3,下降會減少且研磨速度亦相同。又,在研磨材 之表面電位超過200 比較例Μ中,下降雖良好,但 磨速度很小。 貫施例 比較例
有機酸 研磨速度 (相對值) 化合物 重量% _擰檬酸 0.2 0.98 ~ 擰檬酸 0.5 1.00 - - 0.78 下降 特疋表面電位 (mV )
O:\86\86505-950421 .D〇C -27- 1262208 比較例1-3 j寧檬酸 0.01 0.79 251 _轉樣酸 1.0 1.00 1.00 -150 實施例π -1〜Π -6、比較例π -1 (表面電位測定) 1 ·表面電位測定用研磨液組合物調配方法 在使檸檬酸1重量份溶解於離子交換水59重量份之液 中’一面攪拌研磨材(FujimiInc〇rp〇rated製、商品名:wa 10000)20重罝伤,一面添加,攪拌3〇分鐘左右,得到研磨 液組合物(a)80重量份。 含有端面下垂減少劑丄重^%之基準研磨液組合物係充 分授拌研磨液組合物⑷8G重量份,同時並加人端面下垂減 少劑之5重量%水溶液2〇重量份,授拌3()分左右。不含有成 為比較對象之端面下垂減少劑的基準研磨液組合物係充分 ㈣研m合物(_重量份’同時並加人離子交換水2〇 重量份,攪拌30分左右。 2 ·表面電位測定法 不含有基準研磨液組合物(實施例n _丨〜n _6)或端面下 垂減少劑的基準研磨液組合物(比較例n 4)約2〇 g以MW m親水性PTFE過遽材減㈣濾、5小日♦,回收過濾、殘渣即研磨 材。將所回收之研磨材移至2〇mL燒杯中,以直徑5 之 玻璃棒磨碎至lmm左右的粒子至消失為止。於i〇〇mL燒杯 中精秤此研磨材〇·1 g與水7〇g,置入25mmi磁攪拌子:使 用流動電位檢測裝置(京都電子工業株式會社製電位差自 動滴定裝置、商品名:,410、流動電位檢測單元、商品 名· PCD-500)而控制液體之剪斷速度的厂pjST」紐,以
O:\86\86505-950421. DOC -28 - 1262208 之刻度、攪拌500之刻度開始測定表面電位之測定,以5分 後之電位作為特定表面電位B。此等之結果表示於表2中。
從表2之結果可知,含有本發明之端面下垂減少劑的實施 例立-1〜11_6之基準研磨液組合物中,任一者相對於比較例 11」之-123 mV,特定表面電位可被控制於-11〇〜25〇 。 實施例ΙΙ·7、IM5、及比較例h_2〜π〜4 (研磨用研磨液組合物調配方法) 將一次粒徑之平均粒徑〇.23//m、二次粒子之平均粒徑 〇·65//π^α-氧化鋁(純度約99 9%)16重量份、θ氧化叙 (平均粒徑0.22// m、比表面積15〇 m2/g、純度約99·9%)4重 里份、作為其他之添加物且記載於表3〜4之端面下垂減少 劑、化合物群(Α)或化合物群(Β)特定量、離子交換水(其餘 邛伤)進订混合、攪拌,得到研磨液組合物i 〇〇重量份。 (研磨方法) 一 ^得到之研磨液組合物以離子交換水稀釋3倍~〇1~〇〗), 糟闌克德拉霍普生公司製之Taristep (觸針前端大小:25 ”
O:\86\86505-950421.DOC -29- 1262208 x 25 // m、high pass filter : 80 " m '測定長度:〇·64 瓜⑺) 所測出之中心線平均粗度Ra為〇.2//m、由厚L27 mm '直 仫3·5英吋(直徑95·〇 mm)之鍍Ni_p之鋁合金所構成的基板 表面藉雙面加工機,以如下之雙面加工機的設定條件進行 拋光,得到使用來作為磁氣記錄媒體用基板的鍍Ni_p之鋁 合金基板之研磨物。 雙面加工機之設定條件表示於下。 〈雙面加工機之設定條件〉 雙面加工機·· Speedfam (股)製、9B型雙面加工機 加工壓力:9.8 kPa 研磨墊:Fujibo (股)製、η 9900(商品名) 疋盤旋轉數·· 30 r/min 研磨液組合物稀釋品供給流量:125 研磨時間:3.5 m i η 所投入之基板的片數:1 〇片 (研磨速度) 計量研磨前後之各基板重量使用(Sartorius公司製、商品 名:BP-210S)進行測定,求出各基板之重量變化,以1〇片 之平均值作為減少量,再除以研磨時間之值作為重量減少 速度。重量之減少速度導入於下述之式,變換成研磨速度 (// m/min)。比較例Π_7〜ΙΜ 3係以比較例π_2之研磨速度作 為基準值卜實施例II-;[ 4〜ΙΜ 5及比較例π_4係以比較例π_3 之研磨速度作為基準值1,而求出各實施例之研磨速度的相 對值(相對研磨速度)。 O:\86\865O5-950421.DOC -30- 1262208 重量減少速度(g/min)={研磨前之重量(g)_研磨後之重量 (g)}/研磨時間(min) 研磨速度(// m/min)=重量減少速度(g/min)/基板片面面 積(mm2)/鍍 Ni-P之密度(g/cm3)xl06 (下降) 使用Zygo公司製、Maxim 3D5700 (商品名)而以如下之條 件測定。 透鏡:Fizeau X 1 解析軟體·· Zygo Metro Pro(商品名) 使用上述裝置,測定從碟片中心從41·5 mm至47〇 mm之 碟片端部的形狀,如圖1所示般,從碟片中心分別於41 5 mm、47 mm、及43 mm為A、B及C點的位置,使用解析 車人體而藉鈿述測定方法求出D (基線與B點之位置的差)。以 研磨前後之碟片研磨量的1/2除以此所求得到之〇的值作 為下降值。 表3中表示以比較例II-2之測定值作為基準值1時、且表4 中表示以比較例Π-3之測定值作為基準值丨時的相對研磨速 度、相對下降值。 表3 端面下垂減少 劑 化合物群(A) 研磨速度 (相對值) 1.09 ^Γ〇9— —---- 1.08 1.04 ----------- 1.07 下降 (相對值) 0.73 0.80 0.92 0.95 0.73 化合物 重量份 化合物 實施例II-7 硫酸錄 檸檬酸 ~~Γο^ 施例II-8 硫酸卸 擰檬酸 f施例II-9 硫酸納 "^〇75 擰檬酸 ~~Γο^ 實施例II-1 0 硫酸鎳 擰檬酸 ~Γο^1 實施例II-11 硫酸紹 *^〇T5 檸檬酸 ~Γο^ 實施例II-1 2 硫酸銨 2.0 檸檬酸 1.0 1.10 ~~~~----- 0.75 '--------- —^. O:\86\86505-950421 .DOC -31 - 1262208 實施例11-13 氣化錢 0.5 檸檬酸 1.0 0.94 0.78 比較例II-2 - - 檸檬酸 1.0 1.00 1.00 表4 端面下 % 垂減少 ίΊ 化合物群(Α) 化合物群(Β) 研磨速度 (相對值) 下降 (相對值) 化合物 重量份 化合物 檸檬酸 重量份 化合物 重量份 化合物 重量份 貫施例 II-14 硫酸銨 0.5 Ϊ.0 - 衣康酸 0.5 1.05 0.81 貫施例 _IM5 i酸銨 0.5 檸檬酸 0.5 草酸 0.5 衣康酸 0.5 1.04 0.79 比較例 II-3 UU 土夫人r 1 檸檬酸 1.0 - - 衣康酸 0.5 1.00 1.00 比較例 II-4 檸檬酸 0.5 草酸 0.5 衣康酸 0.5 0.98 0.99 k表3,4之結果可知,藉由於研磨液組合物中添加本發 明之端面下垂減少劑(實施例n 〜η ·15),較不添加端面 下垂減少劑時(比較例Π-2〜 π〜4),更不會降低研磨速度且 可減少下降。 又,從比較例Π-3與實施例Π_14之比較可知,即使混合 數種之有機酸,藉添加控制本發明之表面電位之端面下垂 減少劑’亦可降低研磨速度且可減少下降。 (發明之效果) 山糈由將本發明之端面下垂減少劑'含有端面下垂減少劑戈 端面下垂減少劑組合物或研磨液組合物利用於精" 基板等之研磨’可發揮賴降低該基板之 γ 【圖式之簡單說明】 ^文呆。 圖1係表示測定曲線與下降之關係圖。
O:\86\86505-950421 DOC -32-
Claims (1)
1262208 拾、申請專利範圍: 1·磨液組合物,其係含有。〇3〜。%之有機酸 或其鹽、研磨材與水,且 ^ μ研磨材之表面電位為-140〜 m °亥研磨材為選自由α -氧化鋁粒子、中間氧化 :呂粒子、氧化叫碳切粒子、鐵石粒子、= 3 =料粒子、氧㈣粒子、氧化絲子、膠體氧 務化氧化秒粒子所組成之群者,其中有機酸 以§有崎或阳基,碳數2〜1()之多價缓酸。 :端面下垂減少劑’其係包括具有可控制研磨液組合 :中:研磨材表面電位的特性之無機化合物;其係在調 含有研磨材(α型之剛玉(corundum)結晶所構成的 A 12〇3純度9 8 · 〇重量% v 一 %以上的尚純度氧化鋁)20重量 伤才丁才豕Ϊ夂1重篁份、水78重量份及無機化合物i重量份 而構成的基準研磨液組合物時,藉由該無機化合物存 在,使該基準研磨液組合物中之研磨材的表面電位被控 制於-110 〜250 mV。 3. 根據申請專利範圍第2項之端面下垂減少劑,其中無機 _ 口物係4自含氮無機酸或其鹽、含硫無機酸或其鹽、 3 % ,、,、械馱或其鹽、含鹵素無機酸或其鹽、碳酸鹽、氰 酸鹽、及含金屬原子無機酸或其鹽所構成之群中:一種 以上。 4. 根據申請專利範圍第2或3項之端面下线少劑,其中無 機化合物為硫酸或硫酸鹽。 5. 種研磨液組合物,其係含有0.001〜10重量。/()的申請專 C:\windows\temporary INTERNET F1LES\0L] KE090\86505-950421.DOC " 1 - 1262208 利範圍第3項之端面下垂減少劑所構成。 6. :據申請專利範圍第5項之研磨液組合物,其中進一步 含有研磨材、有機酸或其鹽、與水。 7. 根據申請專利範圍第】項之研磨液組合物,#中研磨材 為氧化叙。 根據申明專利範圍第6項之研磨液組合物,其中研磨材 為氧化銘。 9· 一種基板之製造方法,其係含有一使用申請專利範圍第 1項之研磨液組合物而研磨被研磨基板之步驟。 10. —種基板之製造方法,其係含有一使用申請專利範圍第 5項之研磨液組合物而研磨被研磨基板之步驟。 11·根據申請專利範圍第9項之製造方法,其中被研磨基板 為磁碟基板。 12·根據申請專利範圍第1〇項之製造方法,其中被研磨基板 為磁碟基板。 1 3 · 種方法’其係於研磨步驟中使用一含有申請專利範圍 苐2或3項之^面下垂減少劑的研磨液而減少基板端面 的下垂。 14· 一種方法,其係於研磨步驟中使用申請專利範圍第丄項 之研磨液組合物而減少基板端面的下垂。 C.\WlND〇WS\TEMP〇R ARY1NTERNETF1LES\OLKE090\86505.950421.DOC - 2 -
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