TWI260691B - Pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents

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1260691 九、發明說明： 相關申請案的交又參考資料 本申明案係根據下列之先前日本專利申請，並享有此專 利申請之優先權： 2003年3月6日所提出之N〇. 2003-059399 2003年4月17日所提出之No. 2003-1 12928 以上申請案之所有内容均併入作為參考資料。

【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於在半導體裝置用的半導體基板、光學光 罩用的玻璃基板、液晶顯示裝置用的玻璃基板等之各種基 板的製造步驟中，使用於基板的熱處理之烘烤裝置和使用 該烘烤裝置的基板之熱處理方法、以及半導體裝置之製造 方法之相關技術。

此外，本發明係有關於形成具有期望的圖案尺寸之抗敍 劑圖案於被處理基板上之方法 奴置的細微圖案上的極佳之圖案形成方法 案之半導體I置之製造方法之相關技術。 【先前技術】 特別是有關於形成半導體 以及使用該圖 導體基板進行熱處理 驟中。 在半導體裝置之製造步驟中，對半 之烘烤裝置，係特別多使用於微影步 烘烤裝置之具體的用途，俜可| 係1歹j舉如错由旋轉塗敷法而 形成光抗钱劑膜於半導濟其4 μ 千令版基板上之後的乾燥處理、在將圖 案轉印於光抗蝕劑膜之後，使豆枋 便/、抗飯劑膜中之光分解的感 无劑擴散，並將其濃度分佈作 成均一化之PEB(P〇st 102735.doc 1260691

Exposure Bake:曝光後燒烤）處理等，此外，近年來，進行 .’、頁像處理而進订圖案形成之後，將半導體基板予以加熱， 並使圖案產生献變开）, 1 王…又^，據此而任意地改變圖案尺寸之流動 烘烤處理，亦使用烘烤裝置。 卜在铽〜步驟以外，在用以將鋁·銅（A1-Cu)膜中之 、·5的膜中刀佈作成均_化，而將半導體基板溫度自銅的融 ”、、占以上的溫度快速地冷卻至常溫程度之急冷處理 用烘烤裝置。 在任何之製程當中，傳達於半導體基板之溫度精度、以 及半導體基板全部之溫度的均一性均極為重要。 有關於烘烤裝置的溫度精度，其具備於處理例如直徑8 吋的半導體基板之供烤裝置的熱板當中，係已實現±0.rc 程度的溫度精度。 然而，有關於烘烤裝置之處理溫度的均—性亦含有確認 手段，其係確認是否遍及半導體基板之全體而以均一之處 里/皿度進订處理，但並不一定充分實現精度高的裝置。有 闕於該問題，亦包含用 用以將+ V體基板正確地载置於熱板 上的甲央部之對策而作說明。 曰#圖⑺係表不半導體基板為載置於烘烤裝置之熱 板上的中央部之狀態之平面圖和側面圖，圖2a和圖⑽、表、 示半導體基板為自饵烤奘w ^ 烤衣置之熱板上的中央部偏離而載置 之狀m之平面圖和側面圖。 於中和圖1，在半導體基板不露出於熱板而费置 於中央部且進行熱處理時’則能確保處理溫度的均一性， 犯 ~35.doc 1260691 且在半導體基板的品質上亦不會產生問題。 如H2A和®2B所不’半導體基板的—部份係載置成 路出於熱板之狀態。 如此之位置偏移，係由於將半導體基板移載至熱板上時 之機器手臂的座標偏移，且因機器手臂的調整不足或因時 1:、’、工過而產生惡化、或者因突發性的雜訊產生而引起。 、虽位置偏移程度較大時，在機器手臂自供烤裝置而取出 • 帛導體基板時，亦有手臂和半導體基板係在未預定之處所 互相衝撞，且手臂和半導體基板的一方或雙方產生破損之 情形。 • 目& ’供烤裝置共通常係設置有防止半導體基板的位置 偏移之機構。 圖3A和圖3B係具備半導體基板的位置偏移防止機構之 火、烤袭置的熱板之平面圖和側面圖。 11 3® 3B所不之烘烤裝置’係設置有防止半導體基板 φ 的位置偏移之$引構件2於熱板1的週緣部之4個處所。如 此之導引構件2其一般係使用於作為半導體基板的位置偏 移防止機構，例如圖3A和圖3B所示之導引構件2，藉由將 角柱狀或圓柱狀構件的上面加工成熱板丨的中心部側形成 較低的傾斜面之導引構件予以設置於熱板i的週緣部的一 邛伤或王邛之拓施，則即使半導體基板ό的端部因位置偏移 而冒出於導引構件2 ’亦能滑 >落至熱板1的中心部側而修正 半V體基板6的位置偏移，而防止起因於半導體基板的位置 偏移而導致之搬運故障。 102735.doc 1260691 ^即使設置有如上述之導引構件2於熱板丄的週緣部， =生_置偏㈣s出於導引構件2之半導體基板6的端 口P並不元全地滑落至敎^ ] 。至熱板1的中心部側，而在中途停止之單 邊上揚之現象。 圖4係表示半導體基板為f出於導引構件而停止之單邊 上揚之狀怨的半導體基板和熱板之側面圖。 示，當在半導體基板6形成單邊上揚之狀態下而 W體基板6進行熱處理時，特別是以圖4所示之虛線所 圍繞的處所，係在半導體基板6和熱板ι之間產生不均一之 空隙’形成因半導體基板6的部位而自熱…直接或間接所 供應之熱量產生差異的結果，而形成無法進行遍及半導體 基板全部之均一的熱處理。 當對半導縣“進行之減料，則抗钱劑塗 敷後之乾城理係產生抗㈣膜厚的不均_，而MB處理 或流動烘烤處理則產生尺寸不佳之現象。 通常，在微影步驟當中’係使用掃描型電子顯微鏡 (SEM : Scanning Elect_ _⑽sc〇pe)等而測定圖案形成後 之半導體基板的圖案尺寸’而在容許值以外時則進行再加 工〇 然而，由於起因於半導體基板的位移之尺寸變動或尺寸 不佳，其是否產生於半導體基板之某個部份、或者產生於 某個半導體基板因完全不規則之現象，故即使根據各半導 體基板而進行數個處所之某程度之尺寸測定取樣， 失而確實地發現半導體基板的尺寸不佳則極為困難。’ [02i35.doc 1260691 ^此，習知上係設置有利用熱板的溫度特性之檢測機構 、、共烤裝置’而作為檢測熱板上的半導體基板之單邊上揚 白勺手段 〇 ⑽測機構係-將半導體基板之正常地載置於熱板上而 ，用接觸時之熱板的溫度特性作為比較對照模式，藉由測 疋載置有㉟測對象的半導體基板於熱板上時之敎板的溫产 特性，並和比較對照模式進行比較之措施，而辨識其溫2

特性的差異是否在容許值的範圍Μ，並檢測半導體基板: 單邊上揚者。 圖5係表示藉由半導體基板之單邊上揚檢測機構所測定 :熱板的溫度特性之曲線圖。又’圖5的曲線圖所示之曲線 當中，曲線1係正常地載置半導體基板於設定溫度為i6〇t： 的熱板上而接觸時之熱板的溫度特性，曲線2係在半導體基 板為單邊上揚之狀態下，而載置於同樣設定溫度為16〇它的 熱板上時之熱板的溫度特性。 在以高溫而加熱之熱板上，相對性地載置低溫之半導體 基板％，則因兩者的溫度差而使熱板的溫度暫時性地下 P牛。因此，當令正常地載置有半導體基板而全面接觸於熱 板時的溫度下降量為ΛΤ時，則在單邊上揚之狀態下載置有 半導體基板而僅一部份係接觸於熱板時之溫度下降量即形 成△!"(<△ T)，如圖5所示而得知，在單邊上揚之狀態下而 載置有半導體基板時之熱板的溫度下降量△ 丁，係較正常時 的溫度下降量ΔΤ小。 因此，在該檢測機構當中，有關於溫度下降量△ τ而預先 102735.doc 1260691 j尺容許臨界值，而實際測定將半導體基板載置於熱板上 =之熱板的溫度特性，若其溫度下降量係較容許臨界值大 日$，則判斷為半導體基板係正f地載置於熱板上而進行正 常處理，若其溫度下降量係較容許臨界值小時，則判斷為 半導體基板係因單邊上揚而無法正常地載置於熱板上，並 以不均一之處理溫度進行處理。

如上述，利用將基板載置於熱板上時之熱板的溫度特 性，而判斷基板是否正常地載置於熱板上之方法和裝置， 目刚係已提案有幾個。例如參考2〇〇2_〇5〇557號公報 (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2002-050557) ^ 以及特開 2000-306825 號公報（Japanese patent Laid〇pen

Publication No. 2000-306825)。 此外，目珂亦提案有在將基板移載至熱板上或自熱板上 而移載時，設置熱電對於支持基板之支持插栓内部，並直 接檢測基板的溫度之方法和裝置。例如參考特開平

11-272342 號公報（Japanese

Patent Laid-Open Publication

No· Hll(〇411)-272342(1999))。 但，上述溫度下降量ΛΤ之容許臨界值的設定，係被要求 為極嚴密之微調整，當容許臨界值過於小時’則無論是否 產生半導體基板之單邊上揚，均難發現不良處理，另一方 面，當容許臨界值過於大時，則即使為正f處理而亦會檢 測出不良處理，目前之實際的不良檢測係並非一定可取得 充分之精度。 此外，正常地載置有半導體基板於熱板上而接觸時之熱 102735.doc -11 - 1260691 板的溫1度特性’亦即溫度下降量ΔΤ係因熱板的溫度設定而 異。 圖6係在熱板的各個設定溫度表示正常地載置有半導體 基板於熱板上而接觸時之熱板的溫度下降量△ Τ之曲線圖。 如圖6之曲線圖所示，得知正常地載置有半導體基板於熱 板上而接觸時之熱板的一時之溫度下降量△Τ，係熱板的設 疋溫度愈高則變得愈大。 • 但’將一個熱板予以變更成複數個溫度設定，並且亦變 更 度下降量△ Τ的容許臨界值的設定而使用時，由於必須 極為煩雜且困難的作業，故其結果係必須在各個設定溫度 • 使用複數個烘烤裝置，而亦形成設備成本增大之主要原因。 另一方面，伴隨著半導體裝置之高積體化，而益發要求 細微之圖案。 為了對應於如此之細微化，曝光裝置或光罩作成技術已 月”、、員地進步，可列舉如光源之短波長化、透鏡之高NA化等 ❿ < 曝光裝置之高性能化、或相位移位法或傾斜射入曝光之 超高解像技術等。 此外’即使具有此等之技術而亦無法形成之細微的圖案 種形成方法，係已知有對抗蝕劑圖案而進行加熱處 理，據此而使抗钱杳丨丨圖安吝斗辨jjy w 挪d 1SI木產生形，亚取得更細微的圖案 之方法。 亦即對具有形成於如圖7績示之被處理基板⑻上的開 口寬幅物之抗姓劑圖案1〇2而進行加熱處理，並使抗姓劑圖 案流動（reflow)而往橫方向擴展，據此而獲得如圖π所示之 W2735.doc 1260691 細微的抗蝕劑開口寬幅Wb。 然而’在該抗钱劑圖案形成方法當中 而使製程條件等產生變、作動中 寸’例如在加熱處理為不夠充分時 所不之較大的開口寬幅^之抗敍劑圖案ι〇2，：外，= 熱處理為過度時，卿成有如圖7骑以 口 蝕劑圖案102。 ，、知知的抗

為了解决该問題’已知有在量測抗蝕劑 :望之值之際，即結束加熱處理而進行回授處理：圖:： 成方法。例如翏考特開2_6衝號公報（㈣吻 L^d-Open Publication No. 2002-064047)(^ f 3 ! ,σ « D。以及特開2__〇91203 公報 Ο 繼 se Patent Laid_〇pen Publication No•細㈣912〇3)(特別是第3頁和圖^。 使用圖8而3兒明有關於揭示於該專利文獻工的圖案形成方 法。如圖8所示，抗蝕劑圖案1〇2和監控圖案ι〇3係均形成被 處理基板1 (H ’並藉由分光橢圓儀i 〇4而檢測該監控圖案1 〇3 的膜厚或光學常數。 ~ 繼而，當藉因加熱處理而使抗蝕劑1〇2開始流動時，則根 據膜厚或光學常數的變化量而間接地測定抗蝕劑變形量， 而在該變形量達於期望的抗蝕劑變形量之時點而結束加熱 處理之一種方法。 … 同樣地’在揭示於專利文獻2之圖案形成方法當中，係根 據對應於照射雷射光於監控圖案所取得之繞射光之檢測信 就的振幅變化’而間接地測定抗蝕劑之變形量，而在該變 m35.d〇i 13 1260691 形量達於期望的抗蝕劑變形量之時點而結束加熱處理。 然而，揭示於上述專利文獻丨或專利文獻2的方法，雖係 在監控圖案的近傍而可取得期望之抗蝕劑圖案尺寸，但， 在其以外之處所則具有無法取得期望之抗蝕劑圖案尺寸， 且無法對應於被處理基板的面内分佈之不均的問題。 此係在通常之微影步驟之抗蝕劑塗敷、曝光、烘烤、以 及顯像處理的各步驟巾，因為具有製程的變動要因，且在

加熱處理之前’抗蝕劑圖案之尺寸不均係已存在於被處理 基板面内和被處理基板間之故。 、該尺寸不均係在揭示於專利文獻1或專利文獻2之回授方 法中所無法改善者。 進而由於加熱處理裝置的溫度分佈不均句，而使抗钮劑 的變形量並不-定在被處理基板面内呈安定之狀態，故最 2法取得期望之圖案尺寸，且多少會產生不佳之狀況。 其結果，具有為了補救圖案尺寸不佳之被處理基板，而微 影步驟之再作業率變高的問題。 此Ζ’/ί加熱處理中，為了即時而間接地測定抗钱劑圖 案的夂形里’而具有必須具備使用雷射之精密的測定器或 用以回授之控制裝置等之大規模且複雜的裝置之問題。 、^'、方、上述之專利文獻1和專利文獻2之抗蝕劑圖案的形 成方法、’其對加熱處理前之抗則’I圖案尺寸之被處理基板 :内或被處理基板間之不均、以及因加熱處理裝置的溫度 碑佈不句而導致抗蝕劑變形量之不均，係無法抑制此等之 、曼動要因而取得期亡夕 、 /王寸之抗I虫劑圖案，且具有無法對應 102735.doc 1260691 於被處理基板之面内分佈的不均之問題。 【發明内容】 根據本發明之實施之一形態之烘烤裝置，其特徵在於具 備： 熱板’其係對所載置的基板而進行熱處理；

口座，其係具有貫穿開口於上述熱板的貫穿孔，並自背 面而支持上述熱板上的基板之至少3支的支持插栓，且設置 成可上下移動之狀態；以及 複數個感測器，其係分別配設於上述各支持插栓的前端 部’並檢測和基板之接觸情形。 根據本發明之實施之一形態之圖案形成方法，其特徵在 於： 形成抗蝕劑膜於被處理基板上，並藉由在上述接蝕劑膜 將圖案進行曝光，且進行烘烤和顯像處理之措施，而形成 S有監控圖案之抗钱劑圖案； 測疋配置於上述抗蝕劑圖案内之上述監控圖案的尺寸， 而求得上述被處理基板面内之圖案尺寸的平均值，·以及 將上述平均值和特定之基準值進行比較，且控制加熱處 理條件，以使上述抗蝕劑圖案形成期望的尺寸，並使上述 抗钱劑圖案產生變形。 此外，根據本發明之另外的實施形態之圖案形成方法， 其特徵在於： 形成抗#劑膜於被處理基板上，並藉由在上述抗姓劑膜 將圖案進行曝光，且進行料和顯像處理之措施，而形成 102735.doc 1260691 έ有監控圖案之抗餘劑圖案； 測定配置於上述抗蝕劑圖案内之上述監控圖案的 而求侍上述被處理基板面内之圖案尺寸分佈；以及、 將上述基板面内之分佈和特定的基準值進行比較， 制加熱處理條件’以使上述抗餘劑圖案形成期望的尺寸^ 亚使上述抗蝕劑圖案產生變形。

此外，根據本發明之實施之一形態之半導體裝置 方法，其特徵在於： 之製造 其係將形成於被處理基板上的抗敍劑圖案進行加熱處 且在取知期望之圖案尺寸的抗蝕劑圖案之後，使用該 抗蝕劑圖案將上述被處理基板進行加工而形成半導體裝置 之半導體裝置之製造方法；該期望的圖案尺寸之抗姓劑圖 案的形成係

形成抗蝕劑膜於上述被處理基板上，並藉由在上述抗蝕 劑膜將圖案進行曝光，且進行烘烤和顯像處理之措施，而 形成含有監控圖案之抗蝕劑圖案； 測定配置於上述抗蝕劑圖案内之監控圖案的尺寸，而求 付上述被處理基板面内之圖案尺寸的平均值； 將上述平均值和特定的基準值進行比較，且控制加熱處 理條件並使抗蝕劑產生變形，以使上述抗蝕劑圖案形成期 望的尺寸。 此外，根據本發明之另外的實施形態之半導體裝置之製 造方法，其特徵在於： 其係將形成於被處理基板上的抗蝕劑圖案進行加熱處 1027 o.doc -16- 1260691 理，且在取得期望之圖案尺寸的抗餘劑圖案之後，使用該 抗飯劑圖案將上述被處理基板進行加卫而形成半導體裝置 之半導體裝置之製造方法；使用該抗#劑圖案而進行上述 被處理基板之加工之半導體裝置之形成係 形成抗㈣丨膜於上述被處理基板上，並藉由在上述抗敍 劑膜將圖案進行曝光’且進行烘烤和顯像處理之措施，而 $成含有監控圖案之抗餘劑圖案；

測定配置於上述抗蝕劑圖案内之監控圖案的尺寸，而求 知上述被處理基板面内之圖案尺寸分佈； 將上述面内分佈和特定之基準值進行比較，且控制加熱 處理條件，以使上述抗蝕劑圖案形成期望的尺寸，並使抗 蝕劑圖案產生變形。 【實施方式】 以下，參閱圖式而說明有關於本發明之第丨實施形態之烘 烤裝置。 圖9A和圖9B係表示本發明之第i實施形態之烘烤裝置的 熱板及其週邊部之平面圖和侧面圖。 本發明之第1實施形態之烘烤裝置係具備：熱板丨，其係 對所載置之半導體基板而進行熱處理；台座4，其係具有貫 牙開口於熱板1的貝牙孔，並自背面而支持熱板1上之半導 體基板之至少3支之支持插栓3，且設置成可上下移動之狀 悲引構件2，其上面為加工成使熱板1的中心部側變低 的傾斜面，且配設於熱板1週緣部的一部份或全部；以及複 數個之感測器5A、5B、5C，其係分別配設於各支持插栓3 102735.doc !26〇69l 的w端部，並檢測和半導體基板之接觸情形。 熱板1之直徑係例如21 〇 mm，導引構件2之具體形狀，此 處係加工上面成熱板1的中心部側變低的傾斜面之角柱狀 構件’且將該導引構件2配設於熱板1週緣部的4個處所。此 外，例如將直徑2 mm、高度3 mm之圓柱狀構件的上面加工 成使熱板1的中心部側變低的傾斜面者作為導引構件2而使 用，且自熱板1的中心而配設於例如102 mm的週緣部的4個 處所亦可。導引構件2之具體形狀、以及熱板1週緣部之配 設位置係任意均可。 至> 3支的支持插栓3係靠近此等之前端而形成有水平之 單平面，且以能自背面而支持半導體基板之方式而配設 於台座4亦可。此處，3支的支持插栓3係配置成一邊15()mm 的正二角形。支持插栓3係4支以上亦可。 台座4係備有使台座4上下移動之機構，並藉由使台座4 上下移動之措施，而能使自背面而被支持插栓3支持的半導 體基板在熱板1上作上下移動。使該半導體基板上下移動之 機構’係在機器手臂和烘烤裝置之間移載半導體基板時而 作動。 此外，在本發明之第丨實施形態之烘烤裝置當中，檢測半 導體基板6的接觸情形之感測器5A、5B、5C，係分別配設 於各支持插拴3的前端部。各感測器5A、5B、似系分別獨 立而檢測和半導體基板6的接觸情形。感測器5係具有檢測 和半導體基板的接觸之功能即可，此處係例如使用壓電元 102735.doc -18 - l26〇69l ^其係使用ZPT(鈦酸錯石酸錯）。此處，亦可使用靜電容 量元件而作為感測器5。 根據以上所敘述之本發明之第1施形態之烘烤裝置的 構成，而說明有關於其動作和功能。 圖10乃至圖14係表示本發明之第】實施形態之烘烤裝置 連串動作之側面圖。此外，圖15係表示在本發明之第i 貫施形態之烘烤裝置當令’產

生h體基板的早邊上揚狀 首先取初如圖10所$，形成熱處理的對象之半 板6係藉由機器手臂7而搬入至烘烤裝置内之熱板i上的二 間。此時’台…係其支持插栓3的前端為突出於熱板i的上 面’且支㈣栓3係調整為無法接觸機器手臂7上之半導體 基板6的程度之高度。 繼而如圖11所示，機器手臂7係以藉由支持插栓3而支持 半導體基板6之方式而移動至下方。使半導體基板6移載至 ^插栓3之後’機器手臂7即如圖12所示，移動至洪烤裝 杜矛夕動機：器手臂7至力妓妹择罢々L ^ ^ ，、烤衣置外之後，將半導體基板6載 置於熱板1上而進行熱處理， 戰 如Slj所不，將台座4移動至 下方’且作成使支持插栓3的前端位於較熱板^的上面更低 的局度之狀態，並將半導體基板6載置於熱板以，且對半 導體基板6進行熱處理。

在熱處理結束之後，如圖 M 口 4所不，猎由將台座4移動至上 方，而使支持插栓3的前端穸+^ ⑴鳊大出於熱板丨的上面，藉由支持 102735 i ^c -19- 1260691 插栓3而支持半導體基板6，而自熱板丨的上面上升。此時， 右配设於3支支持插栓的前端部之感測器5A、5B、％係在 同一瞬間而檢測出和半導體基板6的接觸，則可判斷半導體 基板6係正常地，亦即水平地配置於熱板丨上，且遍及半導 體基板6全體而以均一的溫度而正常地進行熱處理。 另一方面，如圖15所示，當半導體基板6的端部係冒出於 導引構件2而產生單邊上揚時，則各感測器5A、5b、％係

分別以相異之瞬間而檢測和半導體基板6之接觸。例如，如 圖15所不，在半導體基板6產生單邊上揚，且因單邊上揚而 半導體基板6和熱板m形成的角度形幻。，且在台座㈣上 升速度為5 mm/秒時，則感測器5C係在最初係接觸於半導體 基板6,而在0.26秒後，感測器化係接觸於半導體基板6, 進而在該0.26秒後’感測器5A係接觸於半導體基板6。 因此，藉由監視和各感測器5A、5B、5C之半導體基板6 的接觸瞬間之措施，即能檢測半導體基板6是否正常地土載置 於熱板1上’或者’是否產生半導體基板6的單邊上揚之情 形0 具體而言，有關於和各感測器5A、5B、5C之半導體基板 ㈣接觸瞬間的時間差，而㈣設定任意的容許值，當實際 所量測的時間差係、該容許值以下時，_斷為正常處^ I量測的時間差係超過該容許值時，_斷為不良處理。 檢測出不良處理時，可藉由警報裝置 卜4从敬扣θ 叩&出視覺性或聽覺 1*生的s報即可。此外，將烘烤裝置的 予以中斷亦可。 或者，在k;則出不良處理時，則自動地 目W造步驟中將形 102735.doc 1260691 成處理對象的半導體基板予以去除亦可。 又’若台座4係作成可調整上升速度和了降速&，至少可 調整上升速度時，則藉由加減台座4的上升速度，而能調整 檢測感度。

此外’如圖ii所示，自機器手臂7而將半導體基板6移載 於支持插栓3上時，亦同樣地藉由監視和各感測器5A、5B、 5C之半導體基板6的接觸之瞬間，而預先敎半導體基板6 本身的變形、台座4的傾斜、以及因支持插检3的高度之不 均所產生之接觸瞬間的時間差’且在熱處理後之接觸瞬間 的檢測時’若將其接觸瞬間的時間差作為修正值而使用 時，則更能高精度地檢測半導體基板6之單邊上揚的產生。 又，上述之本發明之第i實施形態之烘烤裝置，雖係 導體基板用之半導體基板的製造步驟當中，作為使心基 板的熱處理者而說明，但，本發明之第i實施形態料 置’係可在料之光學光罩料玻縣板、液晶顯示裝置 用的玻璃基板等之各種基板的製造 田中使用於基板 貝〜，·，心〜砑芍裒置當中，^ 係作為配設有導引構件2於熱板丨週緣 說明。但，未配設有導引構# ^ t 1 $知或全部雨 虿V引構件2%，亦可適用本發明之 此外’本發明係由如上之說明而得知，亦為右 使用上述本發明之第1實施形態之烘烤裝置而對二於含有 熱處理的基板的熱處理、以及半導體基板之製厶板進行 如以上所說明’根據本發明之第如形態二烤法裝置， 102735.doc 1260691 即能以低成本且咼精度地檢測熱板上之基板的單邊上揚、 以及起因於此之熱處理不良，且能將不良品的產生抑制於 最小限度。 繼之，麥閱圖式而說明有關於本發明之圖案形成方法之 實施形態。 圖16係表示本發明之第2實施形態之圖案形成方法之流 程圖。 , 如圖示，首先，使用20片被處理基板，其係形成有構成 被加工膜的膜厚1 μιη的矽氧化膜於上面，例如矽基板（以 下，簡稱為基板）（第1步驟S01) 繼之，將有機高分子所組成的反射防止膜，例如以形成 60 nm的膜厚之方式而旋轉塗敷於該矽氧化膜之上之後，以 190°C而進行60秒之烘烤處理（第2步驟s〇2)。 繼而將KrF正型化學放大抗蝕劑膜，例如以形成48〇 11111的 膜厚之方式而旋轉塗敷於該反射防止膜之上之後，以11 〇它 | 而進行60秒之烘烤處理（第3步驟s〇3)。 繼之’使用KrF準分子雷射曝光裝置，且在例如 ‘ ΝΑ=0·68、σ=0·75、2/3輪帶照明、透過率6%的中間色調光 罩之條件下，將曝光量作成丨7 mJ/cm2而進行該抗蝕劑膜之 曝光（第4步.S04)，以130 C而進行60秒之曝光後烘烤（第5 步驟S 0 5)。 、、廬之，例如藉由2.38 wt%的氫氧化四甲基銨（TMAH)水溶 液而進行30秒之顯像處理，而形成由直徑160 nm的裝置 用之連接孔圖案和測定用的各種監控圖案所組成之抗蝕劑 102735.doc 1260691 圖案（第6步驟S06)。 、‘之，藉由SEM(Scanning Electron Microscopy)方式，對 20片全部的基板以每丨片1〇點而測定監控圖案，例如連接孔 的開口尺寸’而求得其平均值（第7步驟s〇7)。 繼之，判定該平均值是否為由微影步驟之製程界限所規 制之基準值内，例如16〇±5 nm(第8步驟s〇8)，並根據其判 定結果，而使依加熱處理而導致圖案變形後之連接孔的開 口尺寸接近期望的尺寸，例如盡可能接近於12〇 之方 式’而在各個基板設定烘烤溫度。 圖17A和圖17B係表示加熱處理條件和所取得之連接孔 的開口尺寸的關係之圖示，特別是，圖17A係表示加熱溫度 和連接孔的開π尺寸的關係之圖示，圖17B係表示烘烤時間 和連接孔的開口尺寸的關係之圖示。 此外，在圖17A當中，圖中之實線a係表示顯像後之連接 孔的開π尺寸為基準值，例如16() nm時之烘烤溫度和連接 孔的開口尺寸的關係之圖示…點虛線b係表示顯像後之連 接孔的開口尺寸係較基準值更大，例如17〇聰時之烘烤溫 度和連接孔的開口尺寸的關係之圖示，H線e係表示顧 像後之連接孔㈣π尺寸係較基準值更小，例如15〇 _時 之烘烤溫度和連接孔的開口尺寸的關係之圖示。 由圖17A和圖17B而得知’根據實驗’則連接孔的開口尺 寸係供烤溫度愈高則愈小’且呈現因應於顯像後之連接孔 的開口尺寸而大致平行地位移的關係。此外，呈現烘烤時 間愈長，料接孔的開口尺寸係线成為^之傾向。 102735.doc 1260691 據此，例如將烘烤時間作成固定，並根據烘烤溫度和連 接孔的開口尺寸的關係而求得熱感應流率（檢量線：每單位 溫度的尺寸變化率），而能設定適當的烘烤溫度。根據實 驗，求得-2.7nm/t：之熱感應流率。 因此，當連接孔的尺寸係顯像後之基準值内，例如16〇土 5 11111呀，在實線a以初期設定之標準的溫度，例如以162艺 而進行加熱處理（第9步驟s〇9)。

另-方面，在偏離基準值内時，則判定其大小（第1〇步驟 _)，在較基準值内更大，例如17Gnm時，根據_點虛線b 所不之相關情形’ @以較標準的高度更高的溫度，例如以 165t而進行加熱處理（第u步驟su)，與此相反而較基準值 内更小，例如1 50 nm時，根據二點虛線c所示之相關情形， 而以較標準的高度更低的溫度，例如以159χ： 理則步驟叫據此，即可在各個基板而調節抗姓劑： 舌亥烘烤溫度的變更，得传用生 夂又你便用預先设定於相異的溫度之複 數個熱板，並適時地選擇埶板 、 心评…攸具係自其中而設定成適合 的溫度；據此而能輕易地進行。 此後，使用SEM而檢杳p 6"门七 一 70成的圖案尺寸（第13步驟 ⑴）’並將良品撥出至續接的步驟（第μ步驟叫）。 圖⑽㈣將對全部的基㈣定加熱處理後的連接孔圖 案尺寸之結果和習知方法作比 _ 每 之圖不。圖中之實線a係本 貝鈀形怨之情形，而虛線b係習知的方 μ 的方法之h形。由圖1 8而 付知，根據實驗，則平均尺卄 尺寸的基板間之不均係較習知的 i02735.doc 1260691 方法而滅低至1 /3。 如以上所說明，第2實施形態之圖案形成方法係在抗蝕劑 圖案變形步驟當中，以前饋方式而調節烘烤溫度並控制抗 蝕；=1]的艾形里而在每丨片基板相抵消顯像後之抗蝕劑圖案 尺寸之不均。 ^ 因此，能提升抗蝕劑圖案的尺寸精度，且能在基板間獲 得抗#劑圖案尺寸的不均較少之期望的圖案。 • 此外’在加熱處理中，可即時測定抗則，丨的變形量，而 無須回授之大規模且複雜之裝置。 又本貝％形恶雖係說明有關於在每丨片基板改變圖案變 形步驟之烘烤溫度之情形，但，在以複數片的基板為單位 之各群組進行亦可。 此外，作為供烤處理絛件係彳改變1度以夕卜的參數，例 如烘烤時間或烘烤環境氣息（大氣中，氮氣清除等），此外， 重覆進仃稷數次監控圖案的測定和圖案變形的加熱處理亦 Φ 可。 圖19係表示本發日月 & +心月之弟3貫施形態之圖案形成方法之流 程圖。 〜田中’和上述之第2實施形態相同的步驟係賦 予相同的符號，並省略其說明。 、如圖19所7F ’第3實施形態和第2實施形態相異之處，係 求得顯像後之監如r JS] # „ t 工圖案尺寸的基板面内分佈，並使用具有 將其面内分佈予以士 4 相抵的溫度分佈之熱板，而進行加熱處 102735.doc 1260691 亦即’藉由使用内藏複數個加熱器之熱板而控制熱板的 面内溫度分佈，以使監控圖案尺寸的基板面内分佈得以相 抵之措施，而能改善基板面内之抗蝕劑圖案尺寸的均一性。 首先，和上述之第2實施形態相同地，例如使用2〇片形成 有膜厚1 μιη的矽氧化膜之基板，且依次形成反射防止膜和 KrF正型化學放大抗蝕劑膜於其上之後，進行圖案曝光、曝 光後烘烤、以及顯像處理，例如使間距固定為丨3〇 nm，挾 住最大線幅的中央線而使線幅減至線對象，而形成排列有 線·空間（以下稱為L/S)圖案之監控圖案。 該監控圖案係稱為劑量表者，當照射光於監控圖案時， 則監控圖案係產生繞射格子之功能，並產生〇次的繞射光和 多次的繞射光（主要係丨次光）。 繼而當藉由狹缝而僅取出0次的繞射光而曝光於抗蝕劑 上時，監控圖案當中，挾住中央的空間而漸減至線對稱之 大小的線為止所解像之矩形狀圖案即進行曝光。 該矩形狀圖案之寬幅，由於係僅比例於〇次的繞射光之實 效！·生的曝光里，故為能求得不依存於對焦之實效性的曝光 量之一種方法。由於該圖案寬幅係形成數μιη乃至十μηι，故 易於進行光學性之測定。 因此，若預先求得該實效性的曝光量和實際的抗蝕劑圖 木，寸的關係，則藉由測定所解像之矩形狀圖案的寬幅之 才日把卩月匕換开成I際解像於抗钱劑上《抗#劑圖案尺寸。 因此，即使不使用SEM之直接測定奈米（腿）尺寸的抗姓 劑圖案尺寸’亦能迅速地求得抗㈣圖案尺寸之基板的面 102735.doc -26- 1260691 内分佈。 在本實施形態當中，係對20片之全部的基板而測定面内 處之實效曝光量’而求得圖案尺寸的面内分佈（第15步驟 S15) 〇 繼而判斷基板的面内分佈是否為基準值内（第16步驟 S 1 6) ’若為基準值内時，則使用設定於標準的溫度分佈之 熱板而進行加熱處理（第17步驟s 17)。 • 另一方面，若晶圓内分佈為基準值以外時，則使用熱板， 八係。又疋成抵消該基板的面内分佈的溫度分佈·，而進行加 熱處理（第18步驟S 18)。 圖20Α和圖20Β係表示具有抵消該基板的面内分佈的溫 度分佈之熱板之圖示，特別是，圖20Α係表示加熱器排列之 平面圖，圖20Β係表示沿著圖20Α之Α-Α線而切斷，且自箭 頭方向所視之截面圖。 图示熱板11係内藏有複數個之加熱器12，例如3 6個 修 之加熱為。各加熱器12係以斷熱材13而覆蓋周圍，並連接 於電源14，且能分別個別設定加熱器溫度。載置基板“於 復風加熱為12的頂板1 5，而進行加熱處理。 圖21Α和圖21Β係表示使用該熱板u，而使抗蝕劑產生變 形的加熱處理步驟之圖示，特別是，圖21Α係表示顯像後的 |控圖案尺寸的晶圓面内分佈之圖示，圖21β係表示熱板u 的溫度分佈之圖示。 如圖示，顯像後的監控圖案尺寸存在有基準值内的區域 17較基準值大的區域1 8、以及較基準值小的區域丨9之基 102735.doc 1260691 板的面内分佈時，則將熱板11的面内溫度分佈設定成抵消 監控圖案尺寸的基板面内分佈之狀態。 亦即’分別將監控圖案尺寸為對應於基準值内的區域17 之加熱器20的溫度設定成標準溫度，且將監控圖案尺寸為 對應於較基準值内更大的區域18之加熱器21的溫度設定成 較標準高的溫度，並將監控圖案尺寸為對應於較基準值内 更小的區域19之加熱器22的溫度設定成較標準低的温度。 • 藉由將基板16載置於具有該溫度分佈的熱板11而進行加 熱處理之措施，即能抵消監控圖案尺寸的基板面内分佈而 達成均一化。 此外，忒加熱溫度分佈的變更，亦可藉由選擇熱板，其 係預先自設定於相異的溫度分佈之複數個熱板之中而設2 成適合的溫度分佈；據此而進行。 圖22係表不將對全部的基板而測定加熱處理後的監控圖 案尺寸之結果和習知方法作比較之圖示。圖中之實線a係本 #貫施形態之情形’而虛線㈣習知的方法之情形。由圖22而 得知，根據實驗，則基板面内之不均係較習知的方法 相對於加熱處理後的監控圖案尺寸目標值係線寬 幅為—空間寬幅為100nm(L/s)，而實測之圖 的平均值係線寬幅為158nm、 寸 大致如目標值。 門見‘為H)2nm(L/s)，則 如以上所說明，本發明之第3實施形態之圖案形成方 在抗罐案變形步驟當中’由於係以前饋方式在每!片被 I02735.doc -28- 1260691 處理基板使顯像後之抗蝕劑圖案尺寸之面内分佈相抵消， 而凋節熱板11之加熱溫度的面内分佈而控制抗蝕劑變形量 之基板面内刀佈，故能改善抗钱劑圖案尺寸之基板面内分 佈的不均現象。 因此，旎獲付期望的圖案，其係能提升抗蝕劑圖案的尺 寸精度且在基板面内其抗钱劑圖案尺寸之不均較少。

>此外，在加熱處理中，可即時測定抗韻劑的變形量，而 無須回授之大規模且複雜之裝置。 圖23A乃至圖23c係表示本發明之第3實施形_㈣㈣ 1之熱板之平面圖。本變形例和上述第3實施形態相異之 處’係將加熱器作成環狀或圓弧狀，或將此等予以組合之 ’、即’本變形例之熱板u係如圖23A所示，在圓形之 11配置有共記Μ個之圓孤狀加熱器31，其係以同軸狀而作 份分割於直徑方向，並且8等份分割於圓周方向。專 連===13_斷熱材（未圖心覆蓋其周圍，並 ^ '目不），亚能分別個別設定加熱mu 處基Γ。未圖示）於覆蓋加熱㈣的職（未圖示），而進行= ^圖2^係以同軸狀而配置3個之環狀加敎哭 及在最外周4等份八令丨士人β …、时2、以 、刀口丨〗於圓周方向之圓弧狀加埶 23C係以同軸壯而❿班 队刀口熱杰〇 1，圖 U釉狀而配置4個環狀加埶器32。 31和環狀加熱器32係 ‘、， 纟祕狀加熱器 、 辦熱材（未圖示）而覆笔 接於電源（未圖示），祐处八 1现彳、周圍，並連 一犯/刀別個別設定加熱器溫度。 102735.doc -29 - 1260691 如此，藉由將加熱器作成環狀或圓弧狀、以及將此等予 以組合之形狀，而能輕易地進行溫度分佈的調整’特別是 抗蚀劑圖案尺寸之基板面内分佈為同心狀時，則極具功效。 如以上所况明，上述之變形例2係在抗姓劑圖案變形步驟 當中’由於係以前饋方式而在每1片被處理基板，使顯像後 之抗姓劑圖案尺寸在基板内分佈相抵消，而調節熱板之加

熱溫度的面内分佈而控制抗姓劑變形量，故能改善抗餘劑 圖案尺寸的基板面内的不均現象。 ,本變形例雖係說明有關於加熱器為環狀或圓弧狀之情 形’但，並不自限於此，即使由棒狀之加熱器所構成之多 角形狀或多角形狀的一部份亦可。 本發明之第3實施形態的變形例2，係利用相反的溫度依 存性’其係在曝光後烘烤步驟當中，其烘烤溫度愈高，則 顯像後之抗姓劑圖案的開口尺寸係愈大，相反地，在抗钮 劑變形步驟當中’其加熱處理溫度愈高，則抗蝕劑圖案的 開尺寸係愈小，且作成具有能抵消晶圓面内分佈的溫度 佈’、、、板並將曝光後供烤步驟所使用之圖和圖加b 或圖23A乃至圖23C所+少舶> ^ ^ 厅不之熱板，使用於抗蝕劑變形步驟之 加熱處理。 亦即’藉由將同一熱板僅變更其溫度之設定值，而作為 曝光後烘烤步驟和抗_圖案變形步驟之熱板而使用之措 粑17此抵’肖熱板的面内溫度分佈的影響。 ^以上所說明，上述之變形例w，曝光後烘烤和抗飯劑 艾/之加熱處理係利用對抗餘劑圖案尺寸具有相反的溫度 102735.doc -30- 1260691 特性，並使用相同的熱板而自動地抵消其相互間的變動。 因此，能提升抗蝕劑圖案尺寸的基板面内均一性，並且 能減少所使用之熱板的數量。 此外，由於能減輕溫度分佈之細微的調整作業，故具有 能使製造步驟形成簡便之優點。 上述之第3實施形態’雖係藉由調節具有複數個加熱器的 熱板之面内溫度分佈之措施，而提升抗餘劑圖案變形後之 基板面内均一性，但，本發明並不自限於此，將熱板之面 内溫度分佈的相異的複數個熱板予以組合而進行加熱處理 亦可。 此外，上述之第2和第3實施形態，雖係說明在形成於基 板上的矽氧化膜之層間絕緣膜上形成抗蝕劑圖案之情形， 但，本發明並不自限於此，而可作各種變更而使用。 繼而參閱圖式而說明有關於半導體裝置之製造方法，其 係使用本發明之第4實施形態之圖案形成方法。 圖24係表示使用本發明之第4實施形態之圖案形成方法 的半導體装置的製造方法之流程圖。 首先，根據圖16所示之第丨步驟至第6步驟，在形成抗蝕 劑膜於基板上之後’藉由在該抗㈣m將圖案進行曝光， 並進行烘烤和顯像處理，據此而形成抗蝕劑圖案（第^步 驟）（第31步驟S31)。 夕 、％而根據圖1 6所示之第7牛驟，品、日丨—^ 弟7步驟而測定配置於該抗蝕劑圖 案之特定的監控圖案之尺寸，並炎 j ι水得基板面内的平均 2步驟）（第32步驟S32)。 102735.doc 31 1260691 繼而根據圖16所示之第8步驟至第14步驟，將基板面 平均值和特定的基準值作比較，並控制加熱處理條件以借 抗敍劑圖案形成期望的尺寸，而使抗㈣I圖案產生變形（第 3步驟）（第33步驟S33)。 繼而如下之各種裝置的製造步驟，其係包含使用所取得 之抗蝕劑圖案而將被加工臈進行蝕刻，並形成期望 之圖案之步驟（第34步驟S34)。

在該步驟當中’係進而進行各種裝置製造的前步驟，例 如在絕緣閘極型場效電晶體的製造當中，進行閘極、源極、 沒極區域和電極形成所必需之成膜、曝光、蝕刻、以及離 子注入等。 此外Φ可3有重覆上述之第3丨步驟至第33步驟之抗钱 劑圖案形成步驟之步驟。

最後’進行裝置製造之後步驟，而將形成有半導體晶片 的基板予以切割’並分割成半導體晶片’並安裝.接合於 導線框，且以樹脂予以模塑，據此而完成半導體裝置。 '如以上所說明，根據使用本發明之第2實施形態的圖案形 成方法之半導體裝置之製造方法，即能獲得起因於在基板 間抗钱劑圖案尺寸的不均之電氣特性之不均較少，且電氣 特性之安定的半導體裝置。 此外’使用上述本發明之第3實施形態之圖案形成方法而 製造半導體裝置亦可。該情形時，係可獲得起因於在基板 面内抗蝕η]圖案尺寸的不均之電氣特性之不均較少，且電 氣特性之安定的半導體裝置。 102735 doc 32- 1260691 卜根據本毛明之圖案形成方法，則能在被處理基板 面内或被處理基板間，取得最後所期望之圖案尺寸。亦即， 根據本♦$ ’ a在被處理基板面内或被處理基板間，取得 抗蝕劑圖案尺寸的不均較少之期望的圖案。 因此，根據使用該圖案形成方法之本發明的半導體裝置 之製造方法，即能獲得安定之電氣特性。 【圖式簡單說明】

圖1A和圖1B係表示半導體基板為載置於烘烤裝 板上的中央部之狀態之平面圖和側面圖。 置之熱 圖2A和圖2B係表示半導體基板為自焕烤裝置之熱板上 的中央部偏離而載置之狀態之平面圖和側面圖。 圖3A和圖卿表示具備半導體基板的位置偏移防止機 構之烘烤裝置的熱板之平面圖和側面圖。

、圖4係表示具料導體基板冒出於導引構件而停止之單 邊上揚之狀態的半導體基板和熱板之側面圖。 圖5係表示藉由半導體基板之單邊上揚檢測機構所測定 之熱板的溫度特性之曲線圖。 圖6係在熱的各設定溫度表示半導體基板係正常地載 置於熱板上而接觸時之熱板的溫度下降量Δτ之曲線圖。 圖7Α乃至圖7D係表示習知之抗钮劑圖案形成方法之概 略截面圖。 圖8係表示測定習知之抗餘劑的變形量，而在加熱處理時 間進行回授之圖案形成方法之概略截面圖。 圖9A和圖9B係表示本發明之第1施形態之烘烤裝置的 102735.doc 1260691 熱板及其週邊部之平面圖和側面圖。 圖1〇係表示本發明之第丨實施形態之烘烤裝置的一連串 動作之一過程之側面圖。 圖11係表示本發明之第丨實施形態之烘烤裝置的一連串 動作之一過程之側面圖。 圖12係表示本發明之第丨實施形態之烘烤裝置的一連串 動作之一過程之側面圖。 # 圖13係表示本發明之第1實施形態之烘烤裝置的一連串 動作之一過程之側面圖。 圖14係表示本發明之第丨實施形態之烘烤裝置的一連串 動作之一過程之側面圖。 圖1 5係表示在本發明之第1實施形態之烘烤裝置當中，產 生半導體基板的上揚狀態之側面圖。 圖16係表示本發明之第2實施形態之圖案形成方法之流 程圖。 • 圖17A和圖17B係表示本發明之第2實施形態之加熱處理 條件和抗姓劑圖案尺寸的關係之圖示，特別是，圖17八係表 示加熱溫度和抗蝕劑圖案尺寸的關係之圖示，圖丨7B係表示 加熱時間和抗蝕劑圖案尺寸的關係之圖示。 圖18係表示本發明之第2實施形態之抗蝕劑圖案尺寸的 基板間的分佈之圖示。 圖19係表示本發明之第3實施形態之圖案形成方法之流 程圖。 圖20A和圖20B係表示本發明之第3實施形態之熱板之圖 102735.doc -34- 1260691 不’特別是’圖20A係表示該加熱器排列之平面圖，圖施 係表示沿著圖2GA之Α·Α線而切斷，且自箭頭方向所視之截 面圖。 圖21Α和圖21Β係表示藉由本發明之第3實施形態之熱板 而使抗姓劑產生變形的加熱處理步驟之圖示，特別是，圖 21Α録示顯像後的監控圖案尺寸的基板面㈣分佈之圖 示，圖21Β係表示熱板的溫度分佈之圖示。 _ 圖22係表示本發明之第3實施形態之抗蝕劑圖案尺寸的 基板面内的分佈之圖示。 圖23Α乃至圖23C係表示本發明之第3實施形態的變形例 1之熱板之圖示，特別是，圖23 Α係表示圓弧狀的加熱器排 列之平面圖，圖23B係表示圓弧狀和環狀的加熱器排列之平 面圖，圖23C係表示環狀的加熱器排列之平面圖。 圖24係表示使用本發明之第4實施形態之圖案形成方法 的半導體裝置的製造方法之流程圖。 • 【主要元件符號說明】 1 熱板 2 導引構件 3 支持插检 4 台座 5A、5B、5C 感測器 6 半導體基板 7 機器手臂 11 熱板 102735.doc -35- 1260691 12 、 20 、 21 、 31 、 32 加熱器 13 斷熱材 14 電源 15 頂板 16 基板 17 基準值内的區域 18 較基準值大的區域 19 較基準值小的區域 101 被處理基板 102 抗蝕劑圖案 102a、102b、102c 抗蝕劑圖案 103 監控圖案 104 分光橢圓儀 Wa、Wb、Wc 抗蝕劑開口寬幅 102735.doc -36-

Claims (1)

1260691 十、申請專利範圍： • 種圖案形成方法，其係开彡忐p at 葬、、 ，、乂成抗蝕膜於被處理基板上， :::接㈣將圖案進行曝光而進行烘烤和顯像處 里，形成含有監控圖案之抗蝕圖案· 而：：配置於前述抗餘圖案内之前述監控圖案的尺寸， 求h㈣處理基板面内之圖案尺寸的平均值； 將前述平均值和特定之基準值進行比較， 處理條件’使前述抗钱圖案變… 成期望的尺寸。 文化則更則述抗餘圖案形 2· 範圍第1項之圖案形成方法，其中使前述抗姓 、θ二I%之加熱處理’係將供烤溫度、烘烤時間、烘 烤乱氛之至少任意一項作為參數而進行。 3· 申請專利範圍第1項之圖案形成方法，其中各被處理基 :或將複數片作為一個單位之每批控制使前述抗蝕圖案 變形時之加熱處理條件。 4_ t申請專利範圍第1項之圖案形成方法，其中前述監控圖 ”、尺寸測疋，係由使用SEM的圖案測長所進行。 5·如申請專利範圍第i項之圖案形成方法，其中前述監控圖 〃、寸則疋，係由光學性的圖案測長或膜厚測量所進 行。 6,如申請專利範圍第1項之_㈣ 案的尺寸測定姓f ,, Q果’係僅對預先設定的範圍内者使前述 抗ϋ圖案變开s，+ 有關於範圍外者，係由剝離抗蝕劑再度 形成前述抗蝕圖案起重製。 i〇2^35.doc 1260691 7’二申範圍第1項之圖案形成方法’其中重覆複數次 订測疋别述監控圖案和使前述抗蝕圖案變形。 8·:種圖案形成方法’其係形成抗蝕膜於被處理基板上， 藉由在前述抗㈣1膜將圖案進行曝光而進行供烤和顯像 處理，形成含有監控圖案之抗蝕圖案； 測定配置於前述抗餘圖案内之前述監控圖案的尺寸， 而求得前述被處理基板面内之圖案尺寸分佈； 將前述基板面内之分佈和特定的基準值進行比較，且 控制加熱處理條件，使前述抗姓圖案變形，以便前述抗 飿圖案形成期望的尺寸。 I 專利範圍第8項之圖案形成方法，其中使前述抗蝕 :形時之加熱處理’係將烘烤溫度、烘烤時間、烘 烤氣氛之至少任意一項作為參數而進行。 10.如申請專利範圍第8項之圖案形成方法，其中各被處理基 =或將硬數片作為—個單位之每批控制使前述抗敍圖案 變形時之加熱處理條件。 〃 u.如申：專利範圍第8項之圖案形成方法，其中使前述抗姓 :案又形盼，在_述被處理基板的面内改變使抗蝕圖案 變形之程度。 =:„圍第8項之圖案形成方法，其中使前述抗蝕 ^ ^ ^ 4之加熱處理，係使用具有複數個加熱器之單 一熱板而進行。 13·=請專利範圍第8項之圖案形成方法，其中使前述抗餘 形時之加熱處理’係使用熱板的面内溫度分佈相 102735.doc 1260691 異之複數個熱板而進行。 14.如申請專利範圍第8項之圖案形成方法，其中使前述抗蝕 圖案變形時之加熱處理，係使用在形成前述抗餘圖案時 的曝光後烘烤所使用之熱板而進行。 15·如中請專利範圍第8項之圖案形成方法，其中前述監控圖 案的尺寸測定，係由使用SEM的圖案測長所進行。 16·如申請專利範圍第8項之圖案形成方法，其中前述監控圖 _ 、、彳利疋，係由光學性的圖案測長或膜厚測量所進 行。 17. 如申請專利範圍第8項之圖案形成方法，#中前述監控圖 案的尺寸測定結果，係僅對預先設定的範圍内者使前述 抗蝕圖案變形，有關於範圍外者，係由剝離抗蝕劑再度 形成前述抗蝕圖案起重製。 18. 如：請專利範圍第8項之圖案形成方法，丨中重覆複數次 、行測疋觔述監控圖案和使前述抗姓圖案變形。 體裝置之製造方法’其係將形成於被處理基板 上的抗蝕圖案進行加熱處理而取得期望之圖案尺寸的抗 钱圖案之後，使用該抗！虫圖案將上述被處理基板進行加 工而形成半導體裝置者；且該期望的圖案尺寸之抗蚀圖 案的形成係 形成抗蝕膜於前述被處理基板上，藉由在前述抗蝕膜 將圖案進行曝光而進行烘烤和顯像處理，形成含有監控 圖案之抗蝕圖案； 測定配置於前述抗钱圖案内之監控圖案的尺寸，而求 102735.doc 1260691 得前述被處理基板面内之圖案尺寸的平均值； 將上述平均值和特定的基準值進行比較，且控制加熱 處理條件，使抗蝕圖案變形，以便前述抗蝕圖案形成期 望的尺寸。

20· —種半導體裝置之製造方法，其係將形成於被處理基板 上的抗蝕圖案進行加熱處理而取得期望之圖案尺寸的抗 蝕圖案之後，使用这抗餘圖案將前述被處理基板進行加 工而形成半導體裝置者；且使用該抗蝕圖案加工前述被 處理基板而形成半導體裝置係 形成抗㈣於前述被處理基板上，藉由在前述抗钱膜 :圖案進行曝光而進行烘烤和顯像處理，形成含有監控 圖案之抗蝕圖案； 卫 二疋配置於前述抗蝕圖案内之監控圖案 得前述被處理基板面内之圖案尺寸分佈； 將前述面内分佈和特定 埶處理铬枝 之基準值進行比較，且控制加 期望的尺寸。 ^案支元’以便前述抗钱圖案形成 102735.doc