TWI260498B - Method and apparatus to control memory usage - Google Patents

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TWI260498B
TWI260498B TW093108153A TW93108153A TWI260498B TW I260498 B TWI260498 B TW I260498B TW 093108153 A TW093108153 A TW 093108153A TW 93108153 A TW93108153 A TW 93108153A TW I260498 B TWI260498 B TW I260498B
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Yuchen Huang
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Description

1260498 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明所屬之技術領域大致有關於計算系統最佳化， δ羊而θ之，係有關於-種建立、g告及調整系統記憶體使 用之方法及裝置。 【先前技術】 計算系統包括一系統記憶體。該系統記憶體通常被視 爲一種記憶體資源：1 )計算系統之不同元件可能需要從 該記憶體資源獲得資料，而且2 )計算系統之不同元件可 能需要將資料儲存到從該記憶體資源中。圖1顯示一個包 括一系統記憶體1 06和一記憶體控制器I 〇〗的計算系統之 部分的簡單示意圖。因爲不同的計算系統元件時常需要「 幾乎同時地」喚起系統記憶體資源，（舉例來說，複數個 不同的計算系統元件「突然」在短時間內決定喚起系統記 憶體資源），記憶體控制器1 〇 1係負責管理不同元件被系 統記憶體1 06所服務之次序和時序。 圖1係繪示以提供一種典型應用的觀察。請注意記憶 體控制器1 〇 1係被配置以處理各種不同的系統記憶體應用 ，其係由以下所產生：1 ) 一或更多個處理器（例如，透 過一處理器之前端匯流排1 〇 8 ); 2 ) —圖形控制器（例 如，透過一圖形控制器介面1 09 );以及3 )整體計算系 統之各種周邊元件（例如，透過系統匯流排介面】1 〇 (例 如，週邊元件介面（PCI )匯流排介面）。系統記憶體 1260498 (2) 1 0 6可以從數個不同的記憶體半導體晶片中建構’ 以被簡單地視爲具有一位址匯流排1 04與一資料 1 0 5。特定的記憶體單元可以藉由顯示位址匯流排 之對應的位址値而被存取。讀出或寫入至特定的言己 元之資料値會出現在資料匯流排]〇 5上。 記憶體控制器可以設置有調整系統記憶體1 06 之工作負載的能力。舉例來說，如圖1所示’記億 器1 0 1包括一臨界値暫存器1 02，其可儲存一臨界 臨界値係用來控制系統記憶體10 6的速率（例如’ 出、寫入以及啓動等存取動作）；而且’藉此控制 憶體1 06所承受之工作負載。針對該臨界値’記憶 器1 〇】係設計與系統記憶體1 〇6保持相同的速率， 統記憶體1 06所承受之工作負載不會過度。 簡要的例子如圖2所示，其顯示不同的讀出與 率如何對應不同的臨界値而應用在系統記憶體上。 圖2 0 1顯示系統記憶體根據第一臨界値所能使用之 寫入（分別以R與W表之）的最大速率。第二子 顯不系統記憶體根據第二臨界値所能使用之讀出與 最大速率。如第一子圖2 01所淸楚顯示，其較第 2 0 2具有更多的讚出與寫入（對於相同的時間區間 一臨界値允許較局於第二臨界値的讀出與寫入之最 。請注意爲了簡化，第一子圖201與第二子圖2〇2 出與寫入之動作係交錯發生。在實際上，連續的讀 續的寫入較常發生。 而且可 匯流排 104上 憶體單 所承受 體控制 値。該 包括讀 系統δ己 體控制 使得系 寫入速 第一子 讀出與 圖 2 0 2 寫入的 二子圖 )，第 大速率 顯示讀 出與連 -6 - 1260498 (3) 計算系統所使用的臨界値（或是臨界 的資訊）可以被儲存在一非揮發性記憶體 可抹除程式化唯讀記憶體（EEPROM )區 ，臨界値可以被儲存在計算系統之基本 BIOS)記憶體區域107或是序列出現偵須 區域1 1 4中。B I 0 S記憶體區域1 〇 7儲存 系統之啓動相的指令。SPD記憶體區域1 記憶體106之特徵的資訊。 【發明內容】及【實施方式】 能夠改變其臨界値之計算系統 在計算系統中，包含足以獲得或導出 系統記憶體所面臨之任何操作環境的資訊 。這樣的計算系統可以使用超過一個臨界 對系統記憶體之操作環境所偵測到的改變 來取代現有的臨界値。 舉例來說，系統記憶體之半導體晶片 可能導致一個新的臨界値而使得系統記憶 動作速率下降（以保持半導體晶片內部接 一關鍵位準，否則失效之機率會大幅增高 統記憶體之半導體晶片周圍的溫度降低可 臨界値而使得系統記憶體的允許之最高動 允許系統記憶體在較新、較低的溫度下保 値所能藉以計算 區域，例如電性 域中。舉例而言 輸入輸出系統（ !1 ( SPD )記憶體 較早使用於計算 1 4儲存描述系統 臨界値並適用於 ，是十分有用的 値，而且可以針 而用其他臨界値 周圍的溫度升高 體的允許之最高 面溫度至或低於 )。同樣地，系 能導致一個新的 作速率上升（以 持理論之最佳性 1260498 (4) 圖3顯示可以由能夠使用多個臨界値之計算系統所執 行的方法。根據圖3之方法，首先描述系統記憶體之操作 環境的特徵3 0 I。各種操作環境之實施例之詳細討論將在 以下配合圖5而呈現。通常，「操作環境」係指系統記憶 體所處之一或多種條件（例如，溫度、讀出/寫入比例等 )並且可以決定系統記憶體之使用上的限制（例如，藉由 限制系統記憶體之各種動作所使用的最大速率）。一旦系 統記憶體之操作環境被描述其特徵3 0 1，可以根據系統記 憶體之操作環境以獲得或導出系統之臨界値3 0 2。一旦獲 得或導出該臨界値，可以用來限制系統記憶體之動作速率 3 03 〇 圖4顯示圖3方法之一部分的詳盡描述。詳而言之， 圖4顯示對應包括系統記憶體之周圍溫度以及系統記憶體 之工作負載的操作環境，所獲得或導出之臨界値402。系 統記憶體之工作負載係描述記憶體裝置由其對應之計算系 統所使用之情形。因此，工作負載可包括以下之描述：1 )系統δϊΒ彳思體之存取中的讚出/寫入比例（例如，7 5 %讀 出及2 5 %寫入；5 0 %讀出及5 0 %寫入；2 5 %讀出及7 5 %寫 入）；2 )頁命中/頁空白/頁漏失比例（例如，5 〇 %頁 命中/ 25%頁空白/ 25%頁漏失3 )叢聚長度（burst length )以及；4 )記憶體裝置所處之特定的「待機」模 式。以下將分別詳細討論這些課題。 讀出/寫入比例反映記憶體存取進行讀出操作之比例 以及記憶體存取進行寫入操作之比例。讀出/寫入比例可 -8- 1260498 (5) 以反映出計算系統係如何被使用。舉例而言，如果計算系 統正被使用來從網路下載資訊至系統記憶體內，寫入比例 將會局於讀出比例。同樣地，如果計算系統正被使用來從 系統記憶體上傳資訊至網路，讀出比例將會高於寫入比例 。通常’系統記憶體電路的不同區域之使用係根據系統記 憶體正在讀出資料或是寫入資料。因此，如果系統記憶體 之使用強調一特定之操作形式（讀出或寫入），系統記憶 體之功率散逸將會更貼切地反映出此一現象。 頁命中/頁空白/頁漏失比例係爲：1 )記憶體頁存 取成功地讀出資料或是寫入資料（即，頁「命中」）；2 )記憶體頁空白存取（例如，當記憶體控制器移動至新頁 以獲得較高效率時，存取圖案稱作頁空白存取）；3 )記 憶體頁漏失存取（如果記憶體控制器無法在既有的頁中找 到所欲之資料，該頁必須關閉，並且啓動新頁）。在高「 漏失」速率的情況中，會造成較多的浪費。亦即，對於一 給定量的資訊來說，裝置之功率消耗會增加。 叢聚長度係描述時脈週期的數目，其延伸以執行從系 統記憶體之叢聚讀出或至系統記憶體之叢聚寫入。叢聚讀 出及/或叢聚寫入係爲一種加強記憶體之操作效率的技術 ’其係藉由提高位址匯流排的位元數量級，以在計數較低 位元數量級之位址匯流排時維持固定，藉以從具有相鄰位 址之記憶體單元影響一連串之操作。通常，叢聚長度越長 ’記憶體的效率越高。因此，叢聚長度越長，相較於多數 個較短叢聚序列所構成之相同數量的操作，所造成的功率 >9- 1260498 (6) 散逸較低。 能夠追蹤通訊量統計的記憶體控制器可以連續地更新 系統記憶體之工作負載之目前狀態的不同面相。舉例來說 ，用來追蹤讀出/寫入比例以及頁命中/頁空白/頁漏失 比例的記憶體控制器能夠連續地追蹤系統記憶體之工作負 載的這些面相。在此，反映工作負載之目前狀態的資料（ 例如’由記憶體控制器所追蹤）以及反映系統記憶體之目 前周圍溫度的資料可以以結合成「檢查」（lookup )參數 的方式被使用，該「檢查」（lookup )參數係用來找出適 用於特定、既存之工作負載/溫度條件的臨界値。 藉此，系統記憶體之最大工作負載可以由記憶體控制 器限制於系統記憶體所能掌握的最佳狀態，而不需冒著失 效的風險。舉例來說，如果周圍溫度突然上升及/或工作 負載突然加重，臨界値可以設低一點；或者，如果周圍溫 度突然下降及/或工作負載突然減輕，臨界値可以設高一 點。 圖5顯示一個代表N個不同工作負載與Μ個不同周 圍溫度的任意組合之特定臨界値之查表。請注意，特定的 工作負載只可適用於特定類型的記憶體。因此，如果計算 系統內所實施之查表與業界所接受/標準化之規格一致， 特定計算系統之有些工作負載的欄位會「留白」，因爲特 定工作負載欄位並不能適用於特定之計算系統所使用的特 定記憶體裝置。 在--實施例中’計算系統的Β I 0 S記憶體區域係用來 -10- 1260498 (7) 儲存查表資訊（例如，圖5所示者），以針對操作環 於系統記憶體的角色’提供特定的臨界値。在另一實 中，計算系統的SPD記憶體區域係用來儲存查表資 例如’圖5所示者），以針對操作環境之於系統記憶 角色，提供特定的臨界値。圖6提供一計算系統之說 包括其B I 0 S記憶體區域6 0 7以及S P D記憶體區域6 連接方式。 根據圖6所示，B I Ο S記憶體區域6 0 7或S P D記 區域6 1 4可以被提供有一查表參數輸入6 1 2 (例如， 出位址之架構），其代表目前之操作環境。對於查表 輸入6 1 2之呈現，相關之記憶體區域將提供一臨界値 如透過讀出操作），其係用來控制系統記憶體606的 速率。在很多應用中，BIOS記憶體區域607或SPD 體區域6 1 4係用來儲存與臨界値有關之資訊。因此， 參數輸入612可以適用於這些區域之一。 如上所述，操作環境可以視爲工作負載以及系統 體606周圍溫度之整合。因此，舉例來說’周圍溫度 一溫度感測器60 8所監控，該溫度感測器60 8係設置 統記憶體606旁邊；而且，工作負載係由一或多個通 統計暫存器6 0 9所監控，該通訊量統計暫存器6 0 9之 代表系統記憶體6 06被使用之方式。因此’查表參數 6 ] 2堪稱匠心獨具；而且，相對地，B 1 0 S記憶體區域 或S P D記憶體區域6 ] 4 (或是其他記憶體或儲存區域 效地進行查表，以提供一個新的臨界値。該新的臨界 境之 施例 訊（ 體的 明， 14之 憶體 如讀 參數 (諸 動作 記憶 查表 記億 係由 於系 訊量 內容 輸入 607 )有 値被 -11 - 1260498 (8) 儲存至臨界値暫存器並且取代較不理想之既有的臨界値。 圖6更指出查表參數輸入6丨2可以使用各種不同之計 算統元件而以數種不同之方式實施。根據其中一種方式， 記憶體控制器6 0 ]包括產生查表參數6 1 2之嵌入式控制功 會巨6 1 0。嵌入式控制功能6 1 〇可以用嵌入式處理器或微控 制器加以實施，該處理器或微控制器執行與查表參數輸入 6 1 2之架構有關之軟體指令。可替代地，或在某些結合形 式中，記憶體控制器之嵌入式控制功能6 1 0可以用專用的 邏輯。 根據另一種方式，計算系統之處理器6 1 1係使用來建 構查表參數6 1 2。在此，處理器6 1 1接收記憶體控制器之 通訊量統計暫存器609之內容（例如，透過前端匯流排 6 1 3 )並且從溫度感測器6 0 8接收周圍溫度。在更進一步 的具體實施例中，查表參數輸入6 1 2之架構可以分享於處 理器6 1 1與記憶體控制器60 1之間；以及/或者，也可以 由處理器6 1 1與記憶體控制器6 01之外的操作者所控制。 儘管如此，負責建構查表參數6 1 2的功能可以：1 )在適 當的時間區間內重複地建構新的查表參數；以及/或者， 2 )針對系統記憶體之操作環境的突然及/或巨大改變產 生新的查表參數。 請注意，查表的使用是一種可以在計算系統操作時獲 得新臨界値之方式。在其他具體實施例中’如以下所將詳 細說明者，適當的臨界値可以從特定的矩陣主動地被計算 (亦即，推導出）而不是藉由參考既有之臨界値表而獲得 -12 - 1260498 (9) 。此外，具有一般技術者應當明白，用來儲存足夠細節以 獲得或推導新臨界値之資源可以爲B I Ο S記憶體區域6 0 7 、S P D記憶體區域6 1 4或其他計算系統資源（例如，其他 非揮發性記憶體或儲存資源）。 可以決定適當之臨界値的技術 不論新臨界値是查表或是計算系統所計算而得，必須 提供對於哪種臨界値適合特定操作環境之特定記憶體的足 夠了解。在不同範例中，計算系統可以提供給系統記憶體 之可能的操作環境必須與用來實現系統記憶體之記憶體類 型有關（諸如，製造廠商、製造過程、封裝方法等），使 得特定類型之記憶體的適當臨界値能夠建立。在此，如果 記憶體製造廠商無法提供所有所需的臨界値，記憶體製造 廠商就必須提供負責建立適當臨界値者足夠的資訊。 舉例來說，如上述之實施例’處理器製造廠商及/或 計算系統製造廠商被視爲有責任提供儲存在計算系統之 B I Ο S內的資訊。因此，如果臨界値資訊被顯示在計算系 統之B I 0 S內（或其他地方），可以建立記憶體供應商與 處理器/計算系統製造廠商之間的關係’使得處理器/計 算系統製造廠商可以得到足以獲得或是推導適當臨界値之 足夠資訊。以下即是討論這些方法。 圖7 a至7 c示範一種可行之關係，其顯示裝置功率、 頻寬與周圍溫度之關係。圖7 a爲最大可允許之功率與計 算系統之周圍溫度的關係。圖7 a之關係指出，當計算系 -13- 1260498 (10) 統之周圍溫度上升時，記憶體裝置I 以避免記憶體裝置失效。 在此，可以預期，計算系統設I 地明白圖7 a所呈現者。亦即，作；! 一部份，計算系統設計者決定流經； 以及計算系統所將使用的系統記憶| 系統設計者所使用的系統記憶體裝ί 類型與最大可允許之接面溫度來加J 係有關於裝置功率散逸，從這些特1 體封裝類型、最大接面溫度）可知 產生對於特定系統之特定的「最大1 溫度」關係。 圖7b顯示計算系統設計者所^ 之頻寬與記憶體裝置功率之關係。I 係係針對記憶體裝置之特定工作負ί 定工作負載（諸如，讀出/寫入比ί 頁漏失比例、叢聚長度、時間條件〗 高的動作速率（諸如，頻寬（BW ) 耗越多的功率。請注意，工作負載J 動作說明了記憶體的使用，而頻寬/ 作所使用之速率。針對所施加之供f 導體裝置消耗的功率量係爲半導體I 所使用之製程的共同結果。因此，1 供應商可以明白圖7b所示者。記1: fl Η 生 ? ?! 比 / ί 消耗的功率會減少， 者/製造廠商將淸楚 計算系統設計過程之 統記憶體之特定氣流 裝置的類型。在此， 的類型也將藉由封裝 說明。由於接面溫度 (諸如，氣流、記憶 計算系統設計者可以 允許裝置功率與周圍 定之特定記憶體裝置 外，圖7b所示之關 。圖7b顯示，在特 、頁命中/頁空白/ )的條件下，使用越 )，記憶體裝置會消 記憶體所執行的不同 臨界値係針對不同動 電壓與工作負載，半 置之特定電氣設計與 以預期，記憶體裝置 體裝置供應商可以從 -14 - 1260498 (11) 理論、貫驗或其組合等角度導出其中的關係。 圖7c係爲圖7a與圖7b之組合，其使得「裝置功率 」的變數可被省略。其結果係爲「最大維持頻寬」（ B w M A X )與計算系統周圍溫度之相關性。圖7 C之相關性 可以藉由以下方法獲得：1 )數學上描述圖7 a中所示之關 係，其爲一第一方程式（亦即描述允許之裝置功率與周圍 溫度之關係的第一方程式）；2)數學上描述圖7b中所示 之關係，其爲一第二方程式（亦即描述對於特定工作負載 之裝置頻寬與裝置功率之關係的第二方程式）；以及3) 結合上述兩者以獲得一弟二方程式，其並不具有裝置功率 之變數。請注意’上述之數學過程可以被應用在具體的模 型中，而不只是所模擬出的直線中（因此，即使在圖7 a 至7 c中所示者是直線，也可以使用具體的模型）。 請注意，圖7c之頻寬參數被解釋爲「最大維持頻寬 」（BWmax) ’因爲圖7a的關係代表「最大可允許裝置 功率」。換言之，圖7c之縱軸顯示最大可允許裝置功率 所到達的頻寬。圖7c所示者非常有用，因爲對於圖7b所 示之工作負載，其可被使用來產生計算系統之記憶體控制 器臨界値，其係針對計算系統內之特定的周圍溫度，而且 避免計算系統之系統記憶體超過其最大可允許裝置功率。 因此’圖7b之虛線所示之關係可以被顯示，以形成圖5 所示之查表的一行。爲了要形成圖5中之完整的查表，記 憶體供應商必須提供圖7b所示之N個關係，亦即，對於 圖5之查表內所紀錄的每個工作負載必須有一個頻寬與功 1260498 (12) 率之關係。 參考圖7 a與7 c，必須注意，除 他溫度參數也可以被使用來作爲相關 置外殼溫度也可以被使用來作爲圖7; 任何記憶體封裝，裝置外殼溫度可以 。因此，所測量而得之周圍溫度可以 度。是以，即使周圍溫度可以被監控 性可以透過裝置外殼溫度而非周圍溫 裝置外殻溫度而非周圍溫度可以被計 因此，請注意，裝置外殼溫度或接面 揮發性儲存或記憶體區，諸如S P D 憶體供應商可以辨識其元件可能出現 且儲存此參數至S P D區域。系統可 整上述之臨界値’以從該裝置利用額 之部分包括最大外殼溫度以及最大接 供應商所必須提出保證的。 實施技巧 對於N種工作負載之每一者的 係（圖7 b )係由記憶體供應商所提1 /製造廠商，其在每個具體實施例之 異。一般來說’關係之資訊可以透過 算系統設計者/製造廠商。此外，關 算系統設計者/製造廠商的形式在每 了「周圍溫度」之其 參數。舉例而言，裝 2與7 c之橫軸。對於 從周圍溫度計算而得 被轉換成裝置外殻溫 ，實際上的數學相關 度而獲得。同樣地， 算系統主動地監控。 溫度可以被儲存於非 區域。舉例而言，記 失效模式之溫度，並 以讀出此數値並且調 外的功能。溫度參數 面溫度，這是記憶體 「B W μ a X與功率」關 共至計算系統設計者 間可能出現很大的差 任何方式被傳送至計 係之資訊所呈現至計 個具體實施例之間可 -16- 1260498 (13) 能出現很大的差異。一般來說，關係之資訊可以透過任何 方式而呈現，其可使得計算系統設計者/製造廠商了解該 關係。 計算系統獲得對於N種工作負載之每一者的「BWmax 與周圍溫度」關係（圖7 c )得方式，在每個具體實施例 之間可能出現很大的差異。在一具體實施例中，該資訊係 簡單地被儲存於計算系統中（諸如B IΟ S記憶體區域607 中或S P D記憶體區域6 1 4中）。舉例而言，參考圖5，從 每個「BWMAX與周圍溫度」關係（亦即，每一工作負載 代表一種關係）所獲得之Μ個選擇資料點，也可以被建 構於計算系統之BIOS、SPD或其他記憶體或儲存區域中 〇 在另一具體實施例中，除了每一工作負載之Μ個選 擇資料點，足以描述「BWMAX與周圍溫度」關係之資訊 被儲存於計算系統之BIOS、SPD或其他記憶體或儲存區 域中。舉例而言，請注意圖7c已被繪成一條線而且只需 兩點即可定義一條線，BIOS、SPD或其他記憶體或儲存 區域對於每一工作負載只儲存兩個點。因此，對於既有之 操作環境，計算系統可以計算適當之臨界値。
圖6提供系統之元件。舉例而言，請注意，BIOS記 憶體區域6 0 7中或S P D記憶體區域6 1 4係提供臨界値或 以臨界値爲基礎的資訊。在此’以臨界値爲基礎的資訊係 爲非純粹之臨界値可以從中計算而得之任何資訊。接下來 的具體實施例中（其中描述一條線的兩個點可以從BIOS -17- 1260498 (14) 或SPD中讀出），BIOS或SPD之輸出係針對以臨 基礎的資訊而非一臨界値。圖6指出，以臨界値爲 資訊可以藉由前述之控制功能6 1 0而被處理，以提 之臨界値。 請注意，根據另一具體實施例，控制功能6 1 0 指定以從周圍溫度及/或統計資訊決定輸入查表參 從B I 0 S或S P D記憶體區域中萃取正確之以臨界値 的資訊，並且重新使用查表參數資訊而從以臨界値 的資訊計算適當的臨界値。同樣地，處理器6 1 1可 臨界値爲基礎的資訊計算臨界値，並且將之傳送至 控制器。 從目前所描述的具體實施例，「BWMAX與周 」關係之資訊（如圖7 c之資訊）係儲存於B10 S 記億體區域607與614中。然而，根據至少一具體 ，系統記憶體之「BW與功率」關係之資訊（如圖 資訊）係儲存於BIOS或SPD記憶體區域6〇7與6: 請注意，該資訊依然針對以臨界値爲基礎的資訊。 BW與功率」關係之資訊儲存於BIOS或SPD記憶 60 7與614中，計算系統便負責利用裝置功率變數 上述之圖7 c所述者）之消去而計算適當的臨界値。 在此，上述對於以臨界値爲基礎的資訊之相同 可以被使用，除了「最大裝置功率與周圍溫度」關 訊（如圖7a之資訊）必須被包括於以臨界値爲基 訊之內。再一次地，兩點可以用來描述一條線，其 界値爲 基礎的 供實際 可以被 數，以 爲基礎 爲基礎 以從以 記憶體 圍溫度 或SPD 實施例 7b之 1 4中。 如果「 體區域 (諸如 的計算 係之資 礎的資 可說明 -18> 1260498 (15) 任何給定之工作負載之關係的特徵。因此，對於每個工作 負載，四個點可以被儲存於BIOS或SPD記憶體區域607 與614中，其中第一對點描述「最大裝置功率與周圍溫度 」關係之資訊（如圖7 a之資訊），而第二對點描述「B W 與功率」關係之資訊（如圖7 b之資訊）。請注意，該資 訊可以包括系統記憶體裝置之最大允許之接面或外殼溫度 。上升之周圍溫度會造成接面溫度上升。不同的供應商可 以忍受不同程度之接面溫度。根據記憶體供應商對於接面 溫度之敏感度，其維持頻寬也會受到影響。因此，供應商 可以報告其透過其中的機構之可忍受的接面溫度或外殼溫 度。舉例而言，這些溫度參數也可以被儲存於SPE)中。 其中存在一個固定的接面溫度與外殼溫度之關係，亦即接 面對外殼之熱阻。該熱阻係由於封裝技術之差異而有所不 同。關於「B W與功率」關係之資訊的儲存，每個工作負 載所儲存之兩個數値包括：1 )在一第一預設裝置功率之 一第一頻寬値；以及2 )在一第二預設裝置功率之一第二 頻寬値。根據一第二具體實施例，每個工作負載所儲存之 兩個數値包括：1 )在一第一預設裝置功率之一第一頻寬 値；以及2 )可應用之線的斜率。在此，「預設」這個詞 之使用意味著，在記憶體裝置供應商與負責進行/設計數 學方法者之間存在著了解。這種預設的了解允許記憶體裝 置供應商僅報告頻寬値而不需要報告功率値，因爲負責進 行/設計數學方法者將會「了解」所提供之每一頻寬値的 功率値。 -19- 1260498 (16) 在另一具體實施例中，預設功率値被特別地選擇，以 作爲對於任何工作負載之從特定記憶體供應商的記憶體類 型的「頻寬與功率」關係之曲線之交點。藉此，可以建立 符合業界之記憶體標準，其使得計算系統對於任何特定之 記憶體裝置成功地調變其臨界値。如果任何預設功率値無 法保證得到〜或多個特定記憶體裝置之交點，可以預期’ 額外的預設功率値可被加至業界之記憶體標準所採用的預 設功率値。藉著適當地辨識預設功率値（例如利用參考値 )’可以預期，一系列的頻寬値可以適當地掌握每個記憶 體裝置。 在另一與「頻寬與功率」關係之儲存於BIOS、SPD 或其他記憶體或儲存資源有關的具體實施例中，如圖8所 示，特定記憶體裝置之複數個「頻寬與功率」關係（例如 所有的「頻寬與功率」關係），以分享共用點之方式模式 化，以允許對於具有少於兩個儲存値之工作負載之完整的 「頻寬與功率」關係被定義。根據圖8之模式化方式，四 個工作負載（A、B、C與基線）之每一者藉著分享點8 0 1 而被模式化。圖8之每一 X對應一儲存於計算系統之資 料値。 對於X’s 8 02、8 0 3、8 04、8 0 5，對應之資料値可以被 儲存成一頻寬値（如頻寬値 8 0 7、8 06、8 0 8、8 0 9分別對 於X’s 8 02、8 0 3、8 04、8 0 5 )，或是其對應線之斜率。請 注意，「基線工作負載」關係係由儲存於SPD之資訊所 定義，因爲其儲存兩個點（8 0 1與8 0 2 )。然而，工作負 -20- 1260498 (17) 載A、B、C可以藉由了解「基線工作負載」之點8 01係 被使用於這些工作負載而工作負載A、B、C係各增加一 個點被了解。亦即，工作負載A增加點8 0 3 ;工作負載B 增加點8 0 4 ;工作負載C增加點8 0 5。 因此，五個SPD値被儲存以代表四個工作負載；而 且，所儲存之SPD値的比値比較接近1.0而非2.0。請注 意，點8 02至8 05之每一者可以被視爲預設之功率位準 P R。藉著預設之功率位準點8 0 1，可以結合四個工作負載 之每一者以提供四個工作負載之每一者的「BWMAX與周 圍溫度」關係之資訊。在下一個具體實施例中，「終點」 8〇1可以用「最大頻寬」與「最大裝置功率」標出（圖8 之點8 1 0與8 1 1 )。請注意，點802至8 05之每一者可以 用一斜率値取代。並且注意到，對於每個工作負載，8 0 1 之斜率，即8 1 0除以8 1 1，也可以被儲存於SPD。在此， 8 1 〇係指對應8 0 1之頻寬，而且8 1 1係爲對應8 0 1之功率 〇 在此所建立的方法也可以被用測試與量測的方法建立 。關於環境、工作負載與功率預算所做的假設可以被視爲 記憶體所進行之測試輸入條件。使用預設之測試準則所獲 得的頻寬可以被報告至系統積分器，如以下所述。測量每 一記憶體單元可以消除關於元件數値之不確定性，然而， 解析之技巧對於裝置之所有參數可能假設一個更壞的情形 。由於所有代表功率與良率的參數變成一個機率分布函數 ’解析的情形必須解釋較差情形的參數。對於低於較差情 -21 - 1260498 (18) 形之參數的裝置，系統可以控制額外的工作。測試與量測 會允許記憶體元件製造廠商準確地將裝置置放於分布圖形 中 。 決定系統是否以自動恢復系統記憶體操作 圖9a與9b顯示避免計算系統之系統記憶體操作之功 能失效的技巧。在圖9 a所示之方法中，儲存於諸如B I 0 S 記憶體區域或SPD記憶體區域之非揮發性記憶體的「時 間持續」參數係用來決定902計算系統是否能夠以自動恢 復模式操作。特別地，儲存之時間持續參數辨別計算系統 是否以其操作於自動恢復模式之系統記憶體操作。請注意 ’系統記憶體之自動恢復模式以足夠之位準消耗功率，以 影響電池驅動之計算系統所能正常操作之時間長度。因此 ’儲存之時間持續參數係特別有用於電池操作之系統，因 爲其反映計算系統在其系統記憶體操作於自動恢復模式下 ，在電池電位到達計算系統開始出現功能失效之前，能在 電池供電下之操作情形。 根據圖9a所示之方法，在時間持續參數從諸如SPD 記憶體區域之記憶體或儲存資源中讀出之後90 1，計算系 統將之比較於一「目標」持續時間，其係爲該計算系統所 建立。在下一個具體實施例中，「目標」持續時間對應於 計算系統之作業系統（〇 S )所視爲「待機模式持續時間 」的持續時間。如果所儲存之持,續時間符合或超過「目標 」持續時間，一模式持續計時器會被設定等於時間持續參 -22- 1260498 (19) 數9 0 3。在此，模式持續計時器係用來追蹤功能性失效發 生之前所剩的時間。 藉由設定模式持續計時器等於讀出時間持續參數9 0 3 ，計算系統將追蹤系統記憶體可以操作於其自動恢復模式 而不會造成功能性失效的時間長度。如果所儲存之持續時 間不符合或超過「目標」持續時間，自動恢復模式會被視 爲不適用於系統記憶體而且會啓動另一系統模式9 0 4。舉 例而言，系統記憶體可能被設於待機模式，系統記憶體可 能被「取消」（例如，通常被認爲無法使用），或者系統 記憶體的內容可能被儲存於一非揮發性記憶體，諸如硬碟 機內。 根據一種技巧，在一固定之功率預算下，自動恢復模 式持續之持續時間係被量化。功率預算代表標準可攜式電 腦電池之電荷量。由於電池之電容量可能改變，可以將此 資訊以數學方式轉換。可用之電荷量可以模式化成功率消 耗之一線性函數。如果提供這條線的兩個點，吾人可以簡 單且決定性地計算所有的其他點。這兩個點可以任意選取 ，以確保有意義的線性或片段線性資料。如果恢復速率或 其他動作增加，可用之電荷量會越快消失。隨著恢復速率 增加’功率消耗也會等比例地增加。複數條線代表不同恢 傻速率。 複數個功率點可以用來獲得對應之沿著時間軸的點， 如Η 1 〇所示。在一具體實施例中，操作中的單元之可靠 度係由吋接受之電壓降所判斷。如果電壓降足夠明顯以造 -23> 1260498 (20) 成裝置的故障，這項事件發生的時間當作點t。可以產生 描述數個恢復速率之曲線族。 以下之方程式顯示所考慮之變數。 P = At*AV*I EQN· 1 Δί = Ρ/ΔΥ*Ι EQN.2 爲了簡化起見’假設一個固定電流源。上述方程式之 功率變數P可以任意選取。Δν代表從理想狀態到裝置可 能故障之狀態的電壓降。裝置故障之狀態，亦稱作 VThreshoidAt’係取自圖中之 T3b〜T3a。T3b代表斜率，其 係計算於理想電壓以及固定電流以作爲功率預算之函數， 如以下之方程式3所示： T3b = PBudget/Vjdea] * Ices EQN. 3 --旦這些變數被定義，吾人可以輕易地建構代表功率 消耗的線。針對可用之功率預算以及預設之VThresh()ld， 時間軸上之對應的數値可以被程式化至一非揮發性儲存或 記憶體資源（諸如BIOS記憶體區域或SPD記憶體區域） 內，或是被轉換至使用任何其他等同裝置之主機系統。可 替換地，斜率可以被程式化而代表比値。 圖9b示範一類似方法，除了功率而非時間係用來作 爲比較9 0 7之基礎。根據圖9 b所示之方法，如圖9 a所述 - 24 - 1260498 (21) 之類似的時間持續參數，係儲存於一非揮發性儲存或記憶 體資源（諸如B I Ο S記憶體區域或s P D記憶體區域）內。 在時間持續參數從記憶體或儲存資源中讀出之後9 0 5，計 算系統將之轉換成操作於自動恢復模式之系統記憶體之功 率消耗位準9 0 6 (諸如，將系統時間持續轉換成爲系統功 率消耗，並且移除非系統記憶體之系統元件的功率消耗） ’並且將之比較於一設計之功率消耗，其係針對自動恢復 模式中的系統記憶體而被分配。 如果功率參數降至（小於或等於）分配之功率，系統 記憶體會被允許操作在自動恢復模式9 0 8。如果功率參數 未降至分配之功率，自動恢復模式會被視爲不適用於系統 記憶體而且會啓動另一系統模式9 0 9。舉例而言，系統記 憶體可能被設於待機模式，系統記憶體可能被「取消」（ 例如’通常被認爲無法使用），或者系統記憶體的內容可 能被儲存於一非揮發性記憶體，諸如硬碟機內。 請注意，如同本申請書所述之其他方法，圖9 a與9 b 所述之方法可以與軟體藉由計算系統之處理器、特定之硬 體（或邏輯）或上述之組合而被執行。根據這些與軟體實 施之實施例，執行功能之指示可以被儲存於機器可讀之媒 體中。 機器可讀之媒介包括任何用來儲存或發送資訊之機構 ’其係以機械可讀之形式存在。舉例而言，一機器可讀之 媒介包括唯讀記憶體（ROM );隨機存取記憶體（RAM ) ;磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電氣 >25- 1260498 尤學或其他傳播z訊號形等= 4--- νΊχ ~ Τ ' ，γεΓ'——二 .：亡:：—- 士―一 -i- 二.：:：.：：匸· . 一- i-i-ί- '~!Γ' /屮'.鼓，力，<_丨画夕殳ia .处：々、I王jpI 砂l二片」一 ’1里，π] ,j'、 3〒熟悉K領域技藝者於領：吾本發羽z_精神後·迁:不脫離本 發明Z精神範圍內當Η ~些許更動潤飾及同等Z變化替 換 其專利保護範圍當視後附之ώ請專利範圍及其等同領 域而定，： 【圖式簡單說明】 本發明之特色與優點將自以下之說明而顯現，其係參 照附圖並且藉由用以說明卻不因而爲之所侷限之範例，本 發明之具體實施例係如以下圖式所示，其中： 圖1係爲先前技術之計算系統之一部分； 圖2係顯示可以應用在計算系統之系統記憶體上之不 同的動作速率之範例； 圖3顯示記憶體控制器之臨界値可以被調整於計算系 統之操作過程的方法； 圖4顯示圖3方法之一部分的詳細具體實施例； 圖5顯示一查表之具體實施例5其可被使用來調整臨 界値於記憶體控制器之操作過程； 圖6顯示可以被使用來調整記憶體控制器之臨界値於 其操作時的計算系統之具體實施例； 圖至7c顯示裝置功率 '頻寬與周圍溫度之關係： 圖8顯示功率消耗之模型化的技巧： -26 - 1260498 (23) 圖9a與9b顯示避免計算系統之系統記憶體操作之功 能失效的技巧；以及 圖1 0顯示計算系統之電池功率的消耗速率與系統記 憶體之 .恢復 速 率 的 函 數 關 係 〇 【主要 :元件 符 號 說 明 ] 10 1 記 憶 體 控 制 器 1 02 臨 界 値 暫 存 器 104 位 址 匯 流 排 105 資 料 匯 流 排 106 系 統 記 憶 體 1 07 基 本 輸 入 輸 出 系 統 記 憶 體 1^ 域 1 08 刖 端 匯 流 排 1 09 圖 形 控 制 器 介 面 110 系 統 匯 流 排 介 面 114 序 列 出 現 偵 測 記 憶 m Πϋ 1品 域 20 1 第 — 子 圖 202 第 二 子 圖 60 1 記 憶 體 控 制 □ Π 602 臨 界 値 暫 存 益 606 系 統 記 憶 體 607 基 本 輸 入 輸 出 系 統 記 憶 體 區 域 608 溫 度 感 測 器 609 通 訊 量 統 計 暫 存 PP it - 27- 1260498 (24) 6 1 0 控制功能 6 1 1 處理器 6 12 查表參數輸入 6 13 前端匯流排 6 14 序列出現偵測記憶體區域 80 1 點 802 資料値 803 資料値 804 資料値 805 資料値 806 頻寬値 807 頻寬値 808 頻寬値 809 頻寬値 8 10 點 8 11 點
-28-

Claims (1)

1260498 94 θ] / ; l (1) 拾、申請專利範圍 附件4A :第93 1 08 1 53號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 民國94年6月17日修正
1 . 一種控制記憶體使用之方法，包括： a )從一非揮發性碟儲存或記憶體資源中讀出資訊； 該資訊係爲一臨界値或一臨界値所藉以計算之資訊；該臨 界値控制系統記憶體進行讀出及/或寫入動作之速率； 該資訊特別適用於一系統記憶體所面臨之一操作環境；該 操作環境係至少由以下的其中之一所部份地定義： 該系統記憶體所經歷之溫度；
該系統記憶體所受到之工作負載；以及 b )使得一記憶體控制器使用該臨界値’以控制該記 憶體進行讀出及/或寫入動作之速率，該速率小於在該操 作環境下該系統記憶體經歷功能失效之較高速率° 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度係爲 該系統記憶體之一外殻溫度。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度係爲 該系統記憶體之一周圍溫度。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度係爲 該系統記憶體之一接面溫度。 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該工作負載 係至少由該記憶體控制器所維持之通訊量統計所部份地定 (2) 1260498 義。 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該工作負戰 係至少由該系統記憶體之讀出與寫入動作所部份地定義。 7 如申請專利範圍第6項之方法，其中該工作負戰 係至少由該系統記憶體之讀出/寫入比例所部份地定_。 8 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該工作負戰 係至少由該系統記憶體之頁命中、頁空白與頁漏失動作戶斤 部份地定義。 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該工作負載 係至少由該系統記憶體之頁命中/頁空白/頁漏失比例所 部份地定義。 10·如申請專利範圍第1項之方法，其中該非揮發性 儲存或記憶體資源係爲一 BIΟ S記憶體區域。 11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該非揮發性 儲存或記憶體資源係爲一 SPD記憶體區域。 12. 如申請專利範圍第1 1項之方法，其中該g p d記 憶體區域係被建構以具有一對於每一複數個不同之工作負 載與溫度特別適用之臨界値。 1 3 .如申g靑專利$β圍第1 1項之方法，其中該S P D記 1思體區域係被建構以具有一對描述一條對於每一複數個不 同之工作負載之線的點。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該線係爲 一條描述最大允許之頻寬對溫度之特徵的線。 is.如申請專利範圍第I3項之方法，其中該線係爲 -2 - (3) 1260498 一條描述頻寬對功率之特徵的線。 1 6.如申請專利範圍第n項之方法，其中該SPD記 憶體區域係被建構以代表每條線具有小於兩點之複數條線 ，因爲該線被模式化成分享一個共用點。 1 7 .如申請專利範圍第丨項之方法，更包括建立一系 統記憶體元件之對於元件功能的外殼或接面溫度感應力， 並且傳遞該感應力至一系統或處理器供應者。
18.如申請專利範圍第1 7項之方法，其中該建立更 包括透過測試與量測來建立。 19· 一種計算系統，包括： a ) —系統記憶體；
b ) —具有資訊之非揮發性碟儲存或記憶體資源’該 資訊係爲一臨界値或一臨界値所藉以計算之資訊；該臨界 値控制系統記憶體進行讀出及/或寫入動作之速率；該資 訊特別適用於一系統記憶體所面臨之一操作環境；該操作 環境係至少由以下的其中之一所部份地定義： 該系統記憶體所經歷之溫度； 該系統記憶體所受到之工作負載；以及 c ) 一記憶體控制器，其使用該臨界値’以控制該記 憶體進行讀出及/或寫入動作之速率，該速率小於在該操 作環境下該系統記憶體經歷功能失效之較高速率。 20.如申請專利範圍第1 9項之計算系統，其中該溫 度係爲該系統記憶體之一外殼溫度。 2 1.如申請專利範圍第1 9項之計算系統’其中該溫 -3- ΐ26〇498 广…y ： / .—] 1_____________v …- "** (4) ®係爲該系統記憶體之一周圍溫度。 22 .如申請專利範圍第1 9項之計算系統，其中該工 作負載係至少由該記憶體控制器所維持之通訊量統計所部 份地定義。 23.如申請專利範圍第1 9項之計算系統，其中該工 作負載係至少由該系統記憶體之讀出與寫入動作所部份地 定義。
24 ·如申請專利範圍第23項之計算系統，其中該工 作負載係至少由該系統記憶體之讀出/寫入比例所部份地 疋義。 25.如申請專利範圍第19項之計算系統，其中該工 作負載係至少由該系統記憶體之頁命中、頁空白與頁漏失 重力作所部份地定義。
2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之計算系統，其中該工 作負載係至少由該系統記憶體之頁命中/頁空白/頁漏失 比例所部份地定義。 2 7.如申請專利範圍第19項之計算系統，其中該非 撣發性儲存或記憶體資源係爲一 BIOS記憶體區域。 2 8.如申請專利範圍第19項之計算系統，其中該非 揮發性儲存或記憶體資源係爲一 SPD記憶體區域。 29.如申請專利範圍第28項之計算系統，其中該 SPD記億體區域係被建構以具有一對於每一複數個不同之 工作負載與溫度特別適用之臨界値。 30-如申請專利範圍第28項之計算系統，其中該 -4- 1260498 (5)
S P D記憶體區域係被建構以具有一對描述一條對於每一複 數個不同之工作負載之線的點。 3 1.如申請專利範圍第3 〇項之計算系統， 耳中該線 係爲一條描述最大允許之頻寬對溫度之特徵的線。 32.如申請專利範圍第3 〇項之計算系統，楚 為中該線 係爲一條描述頻寬對功率之特徵的線。 3 3 .如申請專利範圍第28項之計算系統，其中該 SPD記憶體區域係被建構以代表每條線具有小於兩^ @ 數條線，因爲該線被模式化成分享一個共用點。 3 4. —種機器可讀之媒體，其具有儲存於其上之—連 串指令，其在由一或多個處理器所執行時會造成該—或多 個處理器實行用於控制系統記憶體使用之方法，該方法包 括： a )使得資訊從一非揮發性碟儲存或記憶體資源中讀 出；該資訊係爲一臨界値或一臨界値所藉以計算之資訊； 該臨界値控制系統記憶體進行讀出及/或寫入動作之速率 ;該資訊特別適用於一系統記憶體所面臨之一操作環境； 該操作環境係至少由以下的其中之一所部份地定義： 該系統記憶體所經歷之溫度； 該系統記憶體所受到之工作負載；以及 b )使得一記憶體控制器使用該臨界値’以控制該記 憶體進行讀出及/或寫入動作之速率，該速率小於該操作 環境下該系統記憶體經歷功能失效之較高速率。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項之機器可讀之媒體’其 -5 - (6) 1260498 中該溫度係爲該系統記憶體之一外殼溫度。 36. 如申請專利範圍第3 4項之機器可讀之媒體’其 中該溫度係爲該系統記憶體之一周圍溫度。 37. 如申請專利範圍第3 4項之機器可讀之媒體’其 中該溫度係爲該系統記憶體之一'接面溫度。 38. 如申請專利範圍第3 4項之機器可讀之媒體’其 中該工作負載係至少由該記憶體控制器所維持之通訊量統 計所部份地定義。 39. 如申請專利範圍第34項之機器可讀之媒體’其 中該工作負載係至少由該系統記憶體之讀出與寫入動作所 部份地定義。 40. 如申請專利範圍第39項之機器可讀之媒體，其 中該工作負載係至少由該系統記憶體之讀出/寫入比例所 部份地定義。 4 1.如申請專利範圍第3 4項之機器可讀之媒體，其 中該工作負載係至少由該系統記憶體之頁命中、頁空白與 頁漏失動作所部份地定義。 42.如申請專利範圍第4 1項之機器可讀之媒體，其 中該工作負載係至少由該系統記憶體之頁命中/頁空白/ 頁漏失比例所部份地定義。 4 3 .如申請專利範圍第34項之機器可讀之媒體，其 中該非揮發性儲存或記憶體資源係爲一 B I 〇 S記憶體區域 〇 4 4.如申請專利範圍第34項之機器可讀之媒體，其 -6- (7) 1260498 中該非揮發性儲存或記憶體資源係爲一 SPD記憶體區域 4 5.如申請專利範圍第44項之機器可讀之媒體，其 中該SPD記憶體區域係被建構以具有一對於每一複數個 不同之工作負載與溫度特別適用之臨界値。
46. 如申請專利範圍第44項之機器可讀之媒體，其 中該SPD記憶體區域係被建構以具有一對描述一條對於 每一複數個不同之工作負載之線的點。 47. 如申請專利範圍第4 6項之機器可讀之媒體，其 中該線係爲一條描述最大允許之頻寬對溫度之特徵的線。 4 8 .如申請專利範圍第46項之機器可讀之媒體，其 中該線係爲一條描述頻寬對功率之特徵的線。 49.如申請專利範圍第44項之機器可讀之媒體，其 中該SPD記憶體區域係被建構以代表每條線具有小於兩 點之複數條線，因爲該線被模式化成分享一個共用點。
5 〇 . —種控制記憶體使用之方法，包括： a )從一序列出現偵測（SPD )記憶體區域中讀出資 訊；該資訊係爲一臨界値或一臨界値所藉以計算之資訊； 該臨界値控制系統記憶體進行讀出及/或寫入動作之速率 ;該資訊特別適用於一系統記憶體所面臨之一操作環境； 該操作環境係至少由以下的其中之一所部份地定義： 該系統記憶體所經歷之溫度； 該系統記憶體所受到之工作負載；以及 b )使得一記憶體控制器使用該臨界値’以控制該記 (8) 1260498 憶體進行讀出及/或寫入動作之速率，該速率小於該操作 環境下該系統記憶體經歷功能失效之較高速率° 51.如申請專利範圍第5 0項之方法，其中該溫度係 爲該系統記憶體之一外殼溫度。 5 2 ·如申請專利範圍第5 0項之方法，其中該溫度係 爲該系統記憶體之一周圍溫度。 5 3 .如申請專利範圍第5 0項之方法，其中該溫度係 爲該系統記憶體之一接面溫度。 54·如申請專利範圍第50項之方法，其中該工作負 載係至少由該記憶體控制器所維持之通訊量統計所部份地 疋義。 55·如申請專利範圍第50項之方法，其中該工作負 載係至少由該系統記憶體之讀出與寫入動作所部份地定義 〇 5 6 .如申請專利範圍第5 〇項之方法，其中該工作負 載係至少由該系統記憶體之讀出/寫入比例所部份地定義 〇 5 7 ·如申請專利範圍第5 〇項之方法，其中該工作售 載係至少由該系統記憶體之頁命中、頁空白與頁漏失動作 所部份地定義。 5 8.如申請專利範圍第5 7項之方法，其中該工作負 載係至少由該系統記憶體之頁命中/頁空白/頁漏失比例 所ρβ份地定義。 5 9 . —種控制記憶體使用之方法，包括： -8 - 1260498 Η
(9) a )從一非揮發性碟儲存或 其指示一時間持續，其係爲當一 作於一自動恢復模式時，該計算 能失效的操作時間；以及 b )如果該時間持續小於該 時間持續，允許該系統記憶體操 6 0 .如申請專利範圍第5 9 時間持續係爲一待機模式持續時 6 1 .如申請專利範圍第5 9 該時間持續大於該目標時間持續 一待機模式。 62. 如申請專利範圍第59 該時間持續大於該目標時間持續 63. 如申請專利範圍第59 該時間持續大於該目標時間持續 容至一硬碟機。 64. —種控制記憶體使用之 a )從一非揮發性碟儲存或 其指示一時間持續，其係爲當一 作於一自動恢復模式時，該計算 能失效的操作時間； b )當該系統記憶體操作於 時間持續轉換成該系統記憶體之 c )如果該功率不超過該系 記憶體資源中讀出資訊， 計算系統之系統記憶體操 系統所被預期在不發生功 計算系統所建立之一目標 作於一自動恢復模式。 項之方法，其中該一目標 項之方法，更包括：如果 ’致使該系統記憶體進入 項之方法，更包括：如果 ’取消該系統記憶體。 項之方法，更包括：如果 ，儲存該系統記憶體之內 方法，包括： 記憶體資源中讀出資訊， 計算系統之系統記憶體操 系統所被預期在不發生功 該自動恢復模式時，將該 一功率；以及 統記憶體之分配功率的範
-9- 1260498 頁 (10) ~~-· 一一 一’ 圍，允許該系統記憶體操作於一自動恢復模式。 6 5 ·如申請專利範圍第6 4項之方法，更包括：如果 該時間持續大於該目標時間持續，致使該系統記憶體進入 一待機模式。 66.如申請專利範圍第6 4項之方法，更包括：如果 該時間持續大於該目標時間持續，取消該系統記憶體。 ό 7 .如申I靑專利範圍第6 4項之方法，更包括：如果
該時間持續大於該目標時間持續，儲存該系統記憶體之內 容至一硬碟機。
-10-
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