KR20220008429A - 솔리드 스테이트 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브를 포함하는 전자 장치, 그리고 솔리드 스테이트 드라이브를 관리하는 방법 - Google Patents

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KR20220008429A
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김소금
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임재환
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Abstract

본 발명은 전자 장치에 관한 것이다. 본 발명의 전자 장치는 제1 전력 및 제2 전력을 공급하는 전원 공급기, 전원 공급기로부터 제1 전력을 수신하고, 그리고 각각 둘 이상의 솔리드 스테이트 드라이브들(SSD들)을 포함하는 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인, 그리고 전원 공급기로부터 제2 전력을 수신하고, 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인을 독립적으로 파워-온 및 파워-오프 하고, 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인 중 파워-온 상태인 SSD 백플레인의 SSD들을 액세스하는 베이스보드를 포함한다. 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인 중 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승하는 것에 응답하여, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 SSD들 중 적어도 하나의 SSD가 파워-온 된다.

Description

솔리드 스테이트 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브를 포함하는 전자 장치, 그리고 솔리드 스테이트 드라이브를 관리하는 방법{SOLID STATE DRIVE, ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SOLID STATE DRIVE, AND METHOD OF MANAGING SOLID STATE DRIVE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 외부 온도에 의한 리텐션 손실을 극복하는 솔리드 스테이트 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브를 포함하는 전자 장치, 그리고 솔리드 스테이트 드라이브를 관리하는 방법에 관한 것이다.
솔리드 스테이트 드라이브는 불휘발성 메모리를 포함하며, 불휘발성 메모리에 데이터를 저장하고, 그리고 불휘발성 메모리로부터 읽은 데이터를 제공한다. 불휘발성 메모리는 플래시 메모리, 상 변화 메모리, 강유전체 메모리, 자기 메모리, 저항성 메모리 등을 포함할 수 있다.
불휘발성 메모리에 저장된 데이터가 유지되는 특성은 리텐션(retention)이라 불린다. 플래시 메모리는 문턱 전압의 형태로, 그리고 상변화 메모리, 강유전체 메모리, 자기 메모리 및 저항성 메모리는 저항값의 형태로 데이터를 저장할 수 있다. 문턱 전압 또는 저항값이 쓰기 시에 의도된 범위 내에서 유지될 때, 리텐션이 유지될 수 있다. 시간의 흐름에 따라 문턱 전압 또는 저항값이 의도된 범위를 이탈할 때, 리텐션이 저하될 수 있다.
솔리드 스테이트 드라이브는 리텐션의 저하를 검출하고, 그리고 저하된 리텐션을 복원하는 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 리텐션 복원 동작을 통해, 솔리드 스테이트 드라이브는 불휘발성 메모리에 저장된 데이터가 리텐션의 저하에 의해 소실되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 솔리드 스테이트 드라이브가 파워-오프 상태로 방치되면, 리텐션 복원 동작이 수행될 수 없고, 그리고 불휘발성 메모리에 저장된 데이터가 리텐션의 저하에 의해 소실될 수 있다.
본 발명의 목적은 파워-오프 상태로 방치되는 솔리드 스테이트 드라이브에서 리텐션의 저하에 의해 데이터가 소실되는 것을 방지하는 솔리드 스테이트 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브를 포함하는 전자 장치, 그리고 솔리드 스테이트 드라이브를 관리하는 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치는 제1 전력 및 제2 전력을 공급하는 전원 공급기, 전원 공급기로부터 제1 전력을 수신하고, 그리고 각각 둘 이상의 솔리드 스테이트 드라이브들(SSD들)을 포함하는 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인, 그리고 전원 공급기로부터 제2 전력을 수신하고, 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인을 독립적으로 파워-온 및 파워-오프 하고, 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인 중 파워-온 상태인 SSD 백플레인의 SSD들을 액세스하는 베이스보드를 포함한다. 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인 중 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승하는 것에 응답하여, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 SSD들 중 적어도 하나의 SSD가 파워-온 된다.
본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 관리하는 방법은, SSD를 파워-오프 하는 단계, SSD의 주변 온도가 상승하는 것에 응답하여, SSD를 파워-온 하는 단계, 그리고 SSD에서 리텐션 복원 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브는 복수의 메모리 블록들을 포함하고, 복수의 메모리 블록들은 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치, 그리고 온도 센서를 포함하고, 파워-온 후에 온도 센서에 의해 감지되는 온도가 임계값보다 높으면 복수의 메모리 블록들에 대해 리텐션 복원 동작을 수행하는 제어기를 포함한다. 파워-온 시에, 외부의 호스트 장치와 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, 제어기는 리텐션 복원 동작을 수행하거나, 또는 파워-온 후에, 외부의 호스트 장치의 요청에 응답하여, 제어기는 리텐션 복원 동작을 수행한다.
본 발명에 따르면, 리텐션의 저하가 가속되는 고온 상태의 솔리드 스테이트 드라이브는 파워-온 되고, 그리고 파워-온 된 솔리드 스테이트 드라이브는 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 따라서, 리텐션의 저하에 의해 데이터가 소실되는 것을 방지하는 솔리드 스테이트 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브를 포함하는 전자 장치, 그리고 솔리드 스테이트 드라이브를 관리하는 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치를 보여준다.
도 2는 제1 SSD 백플레인, 제2 SSD 백플레인 및 제3 SSD 백플레인에 SSD들이 실장된 예를 보여준다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 SSD 백플레인을 보여준다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제1 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제2 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제3 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 SSD 백플레인을 보여준다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 SSD 백플레인을 보여준다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제4 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제5 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제6 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제7 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 13은 마모 정보의 예로서 프로그램 및 소거 사이클과 그에 대응하는 조절된 임계값들의 예를 보여준다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치의 제8 예에 따른 동작 방법을 보여준다.
도 15는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 SSD 백플레인을 보여준다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 SSD를 보여준다.
이하에서, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로, 본 발명의 실시 예들이 명확하고 상세하게 기재될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)를 보여준다. 예시적으로, 전자 장치(100)는 서버일 수 있다. 도 1을 참조하면, 전자 장치(100)는 전원 공급기(110) 및 전원 수신기(120)를 포함할 수 있다. 전원 공급기(110)는 외부 전원으로부터 전력(PWR)을 생성하고, 그리고 생성된 전력(PWR)을 전원 수신기(120)에 공급할 수 있다. 전력(PWR)은 둘 이상의 서로 다른 전압들의 형태로 제공될 수 있다.
전원 수신기(120)는 전원 공급기(110)로부터 전력(PWR)을 수신하고, 그리고 전력(PWR)에 기반하여 동작할 수 있다. 전원 수신기(120)는 베이스보드(130), 제1 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 제3 SSD 백플레인(160), 쿨링 제어 보드(170), 쿨러들(180), 그리고 센서들(190)을 포함할 수 있다.
베이스보드(130)는 제1 중앙 처리 장치(131)(CPU), 제2 CPU(132), 제1 CPU(131)와 연결된 제1 메모리들(133) 및 제2 메모리들(134), 제2 CPU(132)와 연결된 제3 메모리들(135) 및 제4 메모리들(136), 그리고 베이스보드 관리 제어기(137)(BMC)를 포함할 수 있다. 베이스보드(130)는 전원 공급기(110)로부터 수신되는 전력(PWR)을 제1 CPU(131), 제2 CPU(132), 제1 메모리들(133), 제2 메모리들(134), 제3 메모리들(135) 및 제4 메모리들(136)에 공급할 수 있다.
제1 CPU(131)는 제1 메모리들(133) 및 제2 메모리들(134)을 동작 메모리들로 사용할 수 있다. 제2 CPU(132)는 제3 메모리들(135) 및 제4 메모리들(136)을 동작 메모리들로 사용할 수 있다. 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 운영 체제 및 다양한 응용들을 실행할 수 있다. 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 전원 수신기(120)의 구성 요소들을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 PCIe에 기반하여 전원 수신기(120)의 구성 요소들을 제어할 수 있다.
제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)을 액세스할 수 있다. 예를 들어, 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 NVMe에 기반하여 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)을 액세스할 수 있다. 제1 메모리들(133), 제2 메모리들(134), 제3 메모리들(135) 및 제4 메모리들(136)은 DIMM 슬롯에 삽입되는 DIMM 메모리들을 포함할 수 있다.
BMC(137)는 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)의 운영 체제와 분리된 별도의 시스템일 수 있다. BMC(137)는 전자 장치(100)의 구성 요소들로부터 정보를 수집하고, 그리고 구성 요소들을 액세스할 수 있다. BMC(137)는 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)의 통신 인터페이스(예를 들어, PCIe)와 분리된 별도의 통신 인터페이스에 기반할 수 있다. 예를 들어, BMC(137)는 IPMI(Intelligent Platform Management Interface)에 기반할 수 있다. BMC(137)의 통신 인터페이스는 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)의 통신 인터페이스와 서로 통신할 수 있다.
제1 SSD 백플레인(140)은 전원 공급기(110)로부터 전력(PWR)을 수신하고, 그리고 베이스보드(130)와 신호들(SIG)을 교환하고, 그리고 전원 신호들(PS)을 수신할 수 있다. 제1 SSD 백플레인(140)은 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)와 신호들(SIG)을 교환하고, 그리고 전원 신호들(PS)을 수신할 수 있다. 제1 SSD 백플레인(140)은 복수의 SSD들을 실장하며, 따라서 복수의 SSD들을 포함할 수 있다.
베이스보드(130)의 제1 CPU(131) 및 제2 CPU(132)는 신호들(SIG)을 통해 제1 SSD 백플레인(140)의 SSD들을 액세스(예를 들어, 쓰기, 읽기 및 소거)할 수 있다. 베이스보드(130)의 BMC(137)는 신호들(SIG)을 통해 제1 SSD 백플레인(140)을 모니터하고, 그리고 제1 SSD 백플레인(140)을 액세스 및 제어할 수 있다. 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)는 전원 신호들(PS)을 이용하여 제1 SSD 백플레인(140)을 파워-온 또는 파워-오프 할 수 있다.
제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)은 제1 SSD 백플레인(140)과 동일한 구조를 갖고, 그리고 동일하게 동작할 수 있다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
베이스보드(130)는 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 그리고 제3 SSD 백플레인(160)을 서로 독립적으로 파워-온 및 파워-오프 할 수 있다. 예를 들어, 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 그리고 제3 SSD 백플레인(160)을 이용하여 지원되는 서비스들이 서로 다를 수 있다. 전자 장치(100)가 특정한 서비스를 제공하지 않는 동안, 특정한 서비스에 대응하는 SSD 백플레인은 파워-오프 되고, 그리고 다른 SSD 백플레인은 파워-온 될 수 있다.
예를 들어, 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 그리고 제3 SSD 백플레인(160)에 의해 지원되는 서비스의 사용 빈도는 시간대에 따라 다를 수 있다. 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 그리고 제3 SSD 백플레인(160)에 의해 지원되는 서비스의 사용 빈도가 낮은 시간 대에, 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150), 그리고 제3 SSD 백플레인(160) 중 적어도 하나가 파워-오프 될 수 있다.
쿨링 제어 보드(170)는 전원 공급기(110)로부터 전력(PWR)을 수신할 수 있다. 쿨링 제어 보드(170)는 베이스보드(130)의 제어에 따라 쿨러들(180)을 제어할 수 있다. 예를 들어, 쿨링 제어 보드(170)는 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)의 제어에 따라 쿨러들(180)을 제어할 수 있다. 쿨링 제어 보드(170)는 쿨러들(180)의 동작 활성화 및 비활성화, 그리고 쿨링의 강도(예를 들어, RPM)를 제어할 수 있다.
쿨러들(180)은 전원 공급기(110)로부터 전력(PWR)을 수신할 수 있다. 쿨러들(180)은 쿨링 제어 보드(170)의 제어에 따라 쿨링을 수행하여 전자 장치(100)의 온도를 낮출 수 있다. 쿨러들(180)은 팬들(fans)을 포함할 수 있지만 한정되지 않는다. 쿨러들(180)은 하나의 위치에 집중되어 배치되는 것으로 한정되지 않으며, 둘 이상의 위치들에 분산되어 배치될 수 있다. 쿨러들(180)의 일부는 전자 장치(100)의 섀시에 부착되어, 외부 공기를 전자 장치(100)의 내부로 주입할 수 있다. 쿨러들(180)의 다른 일부는 특정한 구성 요소에 배치되어, 특정한 구성 요소의 쿨링을 전담할 수 있다.
센서들(190)은 전원 공급기(110)로부터 전력(PWR)을 수신할 수 있다. 센서들(190)은 전자 장치(100)의 구성 요소들에 인접하여 배치될 수 있다. 센서들(190)은 베이스보드(130)의 제어에 따라 다양한 정보를 수집하고, 그리고 수집한 정보를 베이스보드(130)에 제공할 수 있다.
예를 들어, 센서들(190)은 베이스보드(130)의 BMC(137)의 제어에 따라 정보를 수집하고, 그리고 수집된 정보를 BMC(137)에 제공할 수 있다. 센서들(190)(SENS)은 IPMI의 SDR(Sensor Data Repository)를 통해 수집된 정보를 BMC(137)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 센서들(190)에 서로 다른 기록 ID들(Record IDs)이 부여될 수 있다. 센서들(190)은 서로 다른 기록 ID들에 기반하여, 정보를 BMC(137)에 제공할 수 있다. 센서들(190)은 온도 센서, 습도 센서, 진동 센서 등과 같은 다양한 센서들을 포함할 수 있다.
도 1에서, 베이스보드(130)에 특정 개수의 CPU들 및 메모리들이 탑재된 것으로 도시되지만, CPU들의 수 및 메모리들의 수는 한정되지 않는다. 도 1에서 특정 개수의 SSD 백플레인들이 도시되지만, SSD 백플레인들의 수는 한정되지 않는다. 도 1에서 특정 종류의 쿨러들이 특정 개수만큼 도시되지만, 쿨러들의 종류 및 개수는 한정되지 않는다. 도 1에서 특정 개수의 센서들이 도시되지만, 센서들의 수 및 종류는 한정되지 않는다.
도 2는 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)에 SSD들이 실장된 예를 보여준다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 전자 장치(100)의 사이즈를 줄이기 위하여, 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)의 각각에 SSD들이 밀착하여 실장될 수 있다. 또한, 전자 장치(100)의 사이즈를 줄이기 위하여, 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)은 서로 밀착하여 배치될 수 있다.
제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160) 중 하나의 SSD 백플레인이 파워-오프 상태일 때, 다른 SSD 백플레인들은 파워-온 상태일 수 있다. 파워-온 상태인 SSD 백플레인들에서 발생하는 열로 인해, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승할 수 있다. 또는, 쿨러들(180)에 의해 대류되는 열로 인해, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승할 수 있다.
파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승하면, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인에 실장된 SSD들의 리텐션(retention)의 저하가 가속될 수 있다. 리텐션의 저하는 리텐션 복원 동작에 의해 복원될 수 있다. 그러나 SSD 백플레인이 파워-오프 상태이므로, 리텐션 복원 동작은 수행될 수 없다. 따라서, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인에 실장된 SSD들에서 리텐션 저하에 의해 데이터 소실이 발생할 수 있다.
이와 같은 문제를 방지하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승하는 것에 응답하여, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 적어도 하나의 SSD를 파워-온 할 수 있다. 파워-온 된 SSD는 리텐션 복원 동작을 수행하여, 리텐션의 저하를 복원할 수 있다. 따라서, 파워-오프 상태인 SSD 백플레인에서 고온에 의해 가속된 리텐션의 저하에 의해 데이터가 소실되는 것이 방지된다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 SSD 백플레인(200)을 보여준다. SSD 백플레인(200)은 도 1의 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)에 대응할 수 있다. 도 1 및 도 3을 참조하면, SSD 백플레인(200)은 네 개의 SSD 슬롯들(211, 212, 213, 214)을 포함할 수 있다. 그러나 SSD 슬롯들의 수는 한정되지 않는다. 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)에 각각 SSD들이 실장될 수 있다. SSD들은 신호선들을 통해 베이스보드(130)와 신호들(SIG)을 교환할 수 있다.
SSD 백플레인(200)은 네 개의 SSD 슬롯들(211, 212, 213, 214)에 각각 대응하는 네 개의 바이메탈들(221, 222, 223, 224) 및 네 개의 레귤레이터들(231, 232, 233, 234)을 포함할 수 있다. 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)의 각각은 두 개의 서로 다른 열 팽창 계수들을 갖는 물질들이 부착된 형태일 수 있다.
온도가 상승하는 것에 응답하여, 더 큰 열 팽창 계수를 갖는 물질은 더 작은 열 팽창 계수를 갖는 물질보다 더 팽창할 수 있다. 따라서, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)의 각각은 더 작은 열 팽창 계수를 갖는 물질의 방향으로 휘어질 수 있다.
온도가 하강하는 것에 응답하여, 더 큰 열 팽창 계수를 갖는 물질은 더 작은 열 팽창 계수를 갖는 물질보다 더 수축할 수 있다. 따라서, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)의 각각은 더 큰 열 팽창 계수를 갖는 물질의 방향으로 휘어질 수 있다.
제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)에 각각 인접하게 배치될 수 있다. 즉, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)의 온도에 응답하여 휘어질 수 있다.
제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)로부터 전압들을 각각 수신할 수 있다. 온도가 상승하는 것에 응답하여, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)의 터미널에 부착되는 방향(또는 터미널로부터 이격되는 방향)으로 휘어질 수 있다. 따라서, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)로부터 수신된 전압들을 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)에 다시 전달할(또는 전달하지 않을) 수 있다.
온도가 하강하는 것에 응답하여, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)의 터미널로부터 이격되는 방향(또는 터미널에 부착되는 방향)으로 휘어질 수 있다. 따라서, 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)은 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)로부터 수신된 전압들을 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)에 전달하지 않을(또는 전달할) 수 있다.
SSD 백플레인(200)은 베이스보드(130)로부터의 전원 신호들(PS)에 응답하여 파워-온 또는 파워-오프 될 수 있다. 파워-온 시에, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)의 SSD들에 전원을 공급할 수 있다. 파워-오프 시에, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)의 SSD들에 공급되는 전원을 차단할 수 있다.
파워-오프 된 때에, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)로부터 전압들이 전달되는지 또는 전달되지 않는지 모니터할 수 있다. 전압들이 전달되지 않을 때(또는 전달될 때), 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 전원 차단을 유지할 수 있다. 전압들이 전달될 때(또는 전달되지 않을 때), 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 제1 SSD 슬롯(211), 제2 SSD 슬롯(212), 제3 SSD 슬롯(213) 및 제4 SSD 슬롯(214)의 SSD들에 전원을 공급할 수 있다.
제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)의 각각은 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 커패시터들(C)은 전원을 저장할 수 있다. 주변 온도가 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224) 중 하나의 바이메탈에서 전압이 전달될 정도로(또는 전달되지 않을 정도로) 높아지면, 대응하는 레귤레이터는 대응하는 SSD에 전원을 공급할 수 있다. 대응하는 SSD에서 리텐션 복원 동작이 완료되기 전에 주변 온도가 낮아져 하나의 바이메탈에서 전압이 전달되지 않으면(또는 전달되면), 대응하는 레귤레이터는 대응하는 SSD의 전원 공급을 차단할 수 있다. 이때, 대응하는 SSD는 커패시터(C)에 저장된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 완료할 수 있다. 즉, 커패시터(C)는 대응하는 레귤레이터의 전력(PWR)의 출력단에 연결될 수 있다.
예시적으로, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 공통의 전원 신호들(PS)에 응답하여 전원을 차단 또는 공급할 수 있다. 또는, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 서로 다른 전원 신호들(PS)에 응답하여 독립적으로 전원을 차단 또는 공급할 수 있다.
제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)로부터의 전원 신호들(PS)에 응답하여 파워-온 또는 파워-오프 될 수 있다. 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 하나의 레귤레이터로 통합될 수 있다.
예시적으로, 제1 레귤레이터(231), 제2 레귤레이터(232), 제3 레귤레이터(233) 및 제4 레귤레이터(234)는 제1 바이메탈(221), 제2 바이메탈(222), 제3 바이메탈(223) 및 제4 바이메탈(224)로부터의 전압들 및 전원 신호들(PS)에 응답하여 동작하는 전원 스위치들로 대체될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제1 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 예시적으로, 하나의 SSD 슬롯(예를 들어, 211)에 실장된 SSD에 대한 동작 방법이 도 4에 도시된다. 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, S110 단계에서, 베이스보드(130)는 전원 신호(PS)를 통해 SSD 백플레인(예를 들어, 140)에 파워-오프를 요청할 수 있다. 전원 신호(PS)는 PCIe, NVMe, IPMI 등과 같은 다양한 통신 인터페이스들 중 하나에 기반하여 전달될 수 있다.
S120 단계에서, SSD 백플레인(140)은 SSD들에 공급되는 전원을 차단하여 파워-오프 할 수 있다. 파워-오프 인 동안, S130 단계에서, 레귤레이터(예를 들어, 231)는 SSD 슬롯(211)과 인접하게 배치된 바이메탈(221)에 전압을 공급하고, 그리고 바이메탈(221)로부터 전압이 다시 전달되는지 또는 전달되지 않는지 판단할 수 있다.
바이메탈(221)로부터 전압이 전달되지 않아(또는 전달되어) 바이메탈 신호가 비활성화 되면, 레귤레이터(231)는 전원의 차단을 유지할 수 있다. 바이메탈(221)로부터 전압이 전달되어(또는 전달되지 않아) 바이메탈 신호가 활성화되면, S140 단계가 수행된다. S140 단계에서, 레귤레이터(231)는 SSD 슬롯(211)의 SSD에 전원을 공급하여 파워-온 할 수 있다.
S150 단계에서, SSD가 파워-온 되는 것에 응답하여, SSD는 베이스보드(130)와 통신 초기화를 수행할 수 있다. 통신 초기화는 타이밍 조절, 터미네이션 저항 조절, 신호 세기 조절 등과 같은 베이스보드(130)와 SSD 사이에서 신호들(SIG)의 통신을 수행하기 위한 초기화일 수 있다. 통신 초기화의 이전에, 또는 병행하여, SSD는 내부 초기화를 수행할 수 있다. 내부 초기화는 펌웨어를 로드하고, 내부 전압 레벨들을 설정하는 것과 같은 SSD 내부의 동작을 위한 초기화일 수 있다.
S160 단계에서, 파워-온 된 SSD는 배경 동작으로서 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 리텐션 복원 동작은 읽기 동작을 통해 리텐션이 저하된 데이터를 검출하는 검출 동작, 그리고 리텐션이 저하된 데이터를 다른 위치에 다시 기입하는 리클레임 동작을 포함할 수 있다. SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 기반하여 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄에 따라 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 4의 동작들은 파워-오프 된 SSD 백플레인에 속한 SSD들의 각각에 대해 병렬적으로 수행될 수 있다. 배경 동작을 수행하는 동안 온도의 감소로 인해 전원이 차단되면, SSD는 커패시터(C)에 충전된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 온도가 고온을 유지하여 전원 공급이 지속되면, SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 기반하여 리텐션 복원 동작을 두 번 이상 수행할 수 있다.
예시적으로, SSD는 온도 센서를 포함할 수 있다. SSD는 온도 센서에 의해 감지되는 온도에 기반하여, 내부적으로 정해진 알고리즘에 따라 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄된 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제2 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 3 및 도 5를 참조하면, S210 단계, S220 단계, S230 단계 및 S240 단계는 도 4의 S110 단계, S120 단계, S130 단계 및 S140 단계와 동일한 방식으로 수행된다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
레귤레이터(예를 들어, 231)가 SSD 슬롯(211)에 결합된 SSD를 파워-온 한 후에, 베이스보드(130)는 SSD와 통신 초기화를 수행하지 않을 수 있다. 예시적으로, 베이스보드(130)는 베이스보드(130)에 의해 파워-오프 된 SSD(또는 SSD 백플레인)에 의해 통신 초기화의 요청이 수신되거나 통신 초기화의 절차가 수행되어도, 통신 초기화의 요청 또는 절차를 무시할 수 있다.
S250 단계에서, 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, SSD는 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. SSD는 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, 온도 상승으로 인해 일시적으로 파워-온 되었음을 식별할 수 있다. SSD는 파워-온 된 후 바로 리텐션 복원 동작을 수행함으로써, 리텐션의 저하를 빠르게 검출하고, 그리고 리텐션의 저하에 따른 데이터 소실을 빠르게 방지할 수 있다.
다른 예로서, 통신 초기화가 수행되지 않아도, SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 따라 배경 동작으로서 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄된 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제3 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 3 및 도 6을 참조하면, S310 단계, S320 단계, S330 단계, S340 단계 및 S350 단계는 도 4의 S110 단계, S120 단계, S130 단계, S140 단계 및 S150 단계와 동일한 방식으로 수행된다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
S350 단계의 통신 초기화에 응답하여, 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)는 SSD 슬롯(예를 들어, 211)에 결합된 SSD가 파워-온 되었음을 식별할 수 있다. 파워-오프 된 SSD 백플레인(예를 들어, 140)의 SSD가 파워-온 되는 것에 응답하여, 베이스보드(130)는 온도 상승으로 인해 SSD가 파워-온 되었음을 식별할 수 있다.
S360 단계에서, 베이스보드(130)는 파워-온 된 SSD에 리텐션 복원을 요청할 수 있다. 베이스보드(130)는 신호들(SIG)을 통해 파워-온 된 SSD에 리텐션 복원을 요청할 수 있다. S370 단계에서, 파워-온 된 SSD는 베이스보드(130)로부터의 요청에 응답하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
베이스보드(130)는 통신 초기화(S350 단계)를 통해 온도 상승을 식별하는 것으로 설명되었다. 그러나 베이스보드(130)가 온도 상승을 식별하는 수단은 한정되지 않는다. 예를 들어, 바이메탈 신호가 활성화(S330 단계)되는 것에 응답하여, 레귤레이터(예를 들어, 231)는 별도의 신호선을 통해 베이스보드(130)에 온도 상승을 알릴 수 있다. 별도의 신호선은 PCIe, NVMe, IPMI 등과 같은 다양한 통신 인터페이스들 중 하나에 기반할 수 있다.
베이스보드(130)가 S360 단계에서 리텐션 복원 요청을 전달할 때, 베이스보드(130)는 추가적인 정보를 파워-온 된 SSD에 전달할 수 있다. 예를 들어, 베이스보드(130)는 온도 정보와 같은 환경 정보, 그리고 파워-온 된 SSD의 리텐션에 영향을 주는 추가적인 정보를 파워-온 된 SSD에 제공할 수 있다. 파워-온 된 SSD는 베이스보드(130)로부터의 정보에 기반하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
옵션으로서, 온도 상승이 식별됨에 따라, S395 단계에서, 베이스보드(130)는 쿨러들(180)의 쿨링을 강화하도록 쿨링 제어 보드(170)를 제어할 수 있다. 예시적으로, 쿨링을 강화하는 기준 온도와 SSD를 파워-온 하는 기준 온도는 서로 다를 수 있다. 쿨링의 기준 온도에 대응하는 바이메탈 및 파워-온의 기준 온도에 대응하는 바이메탈을 별도로 구비함으로써, 쿨링의 기준 온도와 파워-온의 기준 온도가 다르게 구현될 수 있다. 쿨링의 기준 온도는 파워-온의 기준 온도보다 낮거나 높을 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 SSD 백플레인(300)을 보여준다. SSD 백플레인(300)은 도 1의 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)에 대응할 수 있다. 도 1 및 도 7을 참조하면, SSD 백플레인(300)은 네 개의 SSD 슬롯들(311, 312, 313, 314)을 포함할 수 있다. SSD 슬롯들(311, 312, 313, 314)에 실장된 SSD들은 신호선들을 통해 베이스보드(130)와 신호들(SIG)을 교환할 수 있다.
도 3과 비교하면, 두 개의 SSD 슬롯들(311 및 312, 또는 313 및 314)에 인접하게 하나의 바이메탈(321 또는 322)이 제공될 수 있다. 또한, 하나의 레귤레이터(331 또는 332)가 두 개의 SSD 슬롯들(311 및 312, 또는 313 및 314)에 전력(PWR)을 공급하고, 하나의 바이메탈(321 또는 322)에 전압을 공급하고, 그리고 하나의 바이메탈(321 또는 322)로부터 전압이 수신되는지 판단할 수 있다.
즉, SSD 백플레인(300)이 파워-오프 상태일 때, 온도가 상승함에 따라 둘 이상의 SSD들의 함께 파워-온 될 수 있다. 파워-온 된 SSD들은 리텐션 복원 동작들을 수행할 수 있다. 이후 온도가 다시 감소하면, 둘 이상의 SSD들은 함께 파워-오프 될 수 있다. 둘 이상의 SSD들 중 적어도 하나의 리텐션 복원 동작이 완료되지 않은 때에, 미완료 SSD는 커패시터(C)에 저장된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 지속할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 SSD 백플레인(400)을 보여준다. SSD 백플레인(400)은 도 1의 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)에 대응할 수 있다. 도 1 및 도 8을 참조하면, SSD 백플레인(400)은 네 개의 SSD 슬롯들(411, 412, 413, 414)을 포함할 수 있다. 그러나 SSD 슬롯들의 수는 한정되지 않는다. 제1 SSD 슬롯(411), 제2 SSD 슬롯(412), 제3 SSD 슬롯(413) 및 제4 SSD 슬롯(414)에 각각 SSD들이 실장될 수 있다. SSD들은 신호선들을 통해 베이스보드(130)와 신호들(SIG)을 교환할 수 있다.
SSD 백플레인(400)은 네 개의 SSD 슬롯들(411, 412, 413, 414)에 각각 대응하는 네 개의 센서들 센서(421, 422, 423, 424) 및 네 개의 레귤레이터들(431, 432, 433, 434)을 포함할 수 있다. 제1 센서(421), 제2 센서(422), 제3 센서(423) 및 제4 센서(424)는 온도 센서들일 수 있다. 제1 센서(421), 제2 센서(422), 제3 센서(423) 및 제4 센서(424)는 주기적으로 주변 온도를 감지하고, 그리고 감지된 온도 정보를 베이스보드(130)에 전달할 수 있다.
예를 들어, 제1 센서(421), 제2 센서(422), 제3 센서(423) 및 제4 센서(424)는 온도 정보를 IPMI의 통신 인터페이스에 기반하여 베이스보드(130)의 BMC(137)에 전달할 수 있다. 온도 정보는 IPMI의 메시지 중에서 SDR(Sensor Data Repository)의 필드를 통해 BMC(137)로 전달될 수 있다. 예시적으로, 제1 센서(421), 제2 센서(422), 제3 센서(423) 및 제4 센서(424)는 도 1의 센서들(190) 중에서 SSD 백플레인(400)에 배치된 센서들일 수 있다.
SSD 백플레인(400)은 베이스보드(130)로부터의 전원 신호들(PS)에 응답하여 파워-온 또는 파워-오프 될 수 있다. 파워-온 시에, 제1 레귤레이터(431), 제2 레귤레이터(432), 제3 레귤레이터(433) 및 제4 레귤레이터(434)는 제1 SSD 슬롯(411), 제2 SSD 슬롯(412), 제3 SSD 슬롯(413) 및 제4 SSD 슬롯(414)의 SSD들에 전원을 공급할 수 있다. 파워-오프 시에, 제1 레귤레이터(431), 제2 레귤레이터(432), 제3 레귤레이터(433) 및 제4 레귤레이터(434)는 제1 SSD 슬롯(411), 제2 SSD 슬롯(412), 제3 SSD 슬롯(413) 및 제4 SSD 슬롯(414)의 SSD들에 공급되는 전원을 차단할 수 있다.
BMC(137)는 제1 센서(421), 제2 센서(422), 제3 센서(423) 및 제4 센서(424)로부터 전달되는 온도 정보에 기반하여, SSD들의 각각의 온도가 임계값보다 커지는지 모니터할 수 있다. SSD들의 온도가 임계값 이하일 때, 파워-오프 된 SSD 백플레인(400)의 SSD들은 파워-오프 상태를 유지할 수 있다. 특정한 SSD의 온도가 임계값보다 커질 때, 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)는 특정한 SSD에 전원을 공급하도록 전원 신호들(PS) 중 대응하는 전원 신호를 통해 대응하는 레귤레이터를 제어할 수 있다.
제1 레귤레이터(431), 제2 레귤레이터(432), 제3 레귤레이터(433) 및 제4 레귤레이터(434)의 각각은 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 커패시터들(C)은 전원을 저장할 수 있다. 주변 온도가 임계값보다 높아지면, 대응하는 레귤레이터는 대응하는 SSD에 전원을 공급할 수 있다. 대응하는 SSD에서 리텐션 복원 동작이 완료되기 전에 주변 온도가 낮아지면, 대응하는 레귤레이터는 대응하는 SSD의 전원 공급을 차단할 수 있다. 이때, 대응하는 SSD는 커패시터(C)에 저장된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 완료할 수 있다. 즉, 커패시터(C)는 대응하는 레귤레이터의 전력(PWR)의 출력단에 연결될 수 있다.
예시적으로, 제1 레귤레이터(431), 제2 레귤레이터(432), 제3 레귤레이터(433) 및 제4 레귤레이터(434)는 전원 신호들(PS)에 응답하여 동작하는 전원 스위치들로 대체될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제4 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 예시적으로, 하나의 SSD 슬롯(예를 들어, 411)에 실장된 SSD에 대한 동작 방법이 도 4에 도시된다. 도 1, 도 8 및 도 9를 참조하면, S410 단계에서, 베이스보드(130)는 전원 신호(PS)를 통해 SSD 백플레인(예를 들어, 140)에 파워-오프를 요청할 수 있다. 전원 신호(PS)는 PCIe, NVMe, IPMI 등과 같은 다양한 통신 인터페이스들 중 하나에 기반하여 전달될 수 있다.
S420 단계에서, SSD 백플레인(140)은 SSD들에 공급되는 전원을 차단하여 파워-오프 할 수 있다. 파워-오프 인 동안, S430 단계에서, SSD 백플레인(400)에 배치된 센서(예를 들어, 421)는 주기적으로 온도 정보를 베이스보드(130)의 BMC(137)에 전달할 수 있다. BMC(137)는 온도 정보를 수신하고, 그리고 수신된 온도 정보를 로깅(logging)할 수 있다.
S440 단계에서, 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)는 SSD의 온도가 임계값보다 큰지 판단할 수 있다. SSD의 온도가 임계값보다 크지 않으면, 베이스보드(130)는 SSD 백플레인(400)에 대해 별도의 제어를 수행하지 않을 수 있다.
SSD의 온도가 임계값보다 크면, S450 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD 백플레인(140)에 SSD의 파워-온을 요청할 수 있다. 파워-온 요청은 전원 신호(PS)로 전달될 수 있다. S460 단계에서, 레귤레이터(431)는 SSD 슬롯(411)에 전원을 공급하여, SSD를 파워-온 할 수 있다.
S470 단계에서, SSD가 파워-온 되는 것에 응답하여, SSD는 베이스보드(130)와 통신 초기화를 수행할 수 있다. 통신 초기화의 이전에, 이후에, 또는 병행하여, SSD는 내부 초기화를 수행할 수 있다.
S480 단계에서, 파워-온 된 SSD는 배경 동작으로서 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 리텐션 복원 동작은 읽기 동작을 통해 리텐션이 저하된 데이터를 검출하는 검출 동작, 그리고 리텐션이 저하된 데이터를 다른 위치에 다시 기입하는 리클레임 동작을 포함할 수 있다. SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 기반하여 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄에 따라 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 9의 동작들은 파워-오프 된 SSD 백플레인에 속한 SSD들의 각각에 대해 병렬적으로 수행될 수 있다. 배경 동작을 수행하는 동안 온도의 감소로 인해 전원이 차단되면, SSD는 커패시터(C)에 충전된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. 온도가 고온을 유지하여 전원 공급이 지속되면, SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 기반하여 리텐션 복원 동작을 두 번 이상 수행할 수 있다.
예시적으로, SSD는 온도 센서를 포함할 수 있다. SSD는 온도 센서에 의해 감지되는 온도에 기반하여, 내부적으로 정해진 알고리즘에 따라 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄된 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
옵션으로서, 온도 상승이 식별됨에 따라, S495 단계에서, 베이스보드(130)는 쿨러들(180)의 쿨링을 강화하도록 쿨링 제어 보드(170)를 제어할 수 있다. 예시적으로, 쿨링을 강화하는 기준 온도와 SSD를 파워-온 하는 기준 온도는 서로 다를 수 있다. 베이스보드(130)는 SSD의 온도를 두 개의 서로 다른 임계값들과 비교함으로써, 쿨링의 기준 온도와 파워-온의 기준 온도가 다르게 구현될 수 있다. 쿨링의 기준 온도는 파워-온의 기준 온도보다 낮거나 높을 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제5 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 8 및 도 10을 참조하면, S510 단계, S520 단계, S530 단계, S540 단계, S550 단계, S560 단계 및 S595 단계는 도 9의 S410 단계, S420 단계, S430 단계, S440 단계, S450 단계, S460 단계 및 S495 단계와 동일한 방식으로 수행된다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
레귤레이터(예를 들어, 431)가 SSD 슬롯(411)에 결합된 SSD를 파워-오프 한 후에, 베이스보드(130)는 SSD와 통신 초기화를 수행하지 않을 수 있다. 예시적으로, 베이스보드(130)는 온도 상승으로 인해 파워-온 된 SSD에 의해 통신 초기화의 요청이 수신되거나 통신 초기화의 절차가 수행되어도, 통신 초기화의 요청 또는 절차를 무시할 수 있다.
S570 단계에서, 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, SSD는 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다. SSD는 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, 온도 상승으로 인해 일시적으로 파워-온 되었음을 식별할 수 있다. SSD는 파워-온 된 후 바로 리텐션 복원 동작을 수행함으로써, 리텐션의 저하를 빠르게 검출하고, 그리고 리텐션의 저하에 따른 데이터 소실을 빠르게 방지할 수 있다.
다른 예로서, 통신 초기화가 수행되지 않아도, SSD는 내부적으로 정해진 알고리즘에 따라 배경 동작으로서 리텐션 복원 동작을 스케줄하고, 그리고 스케줄된 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제6 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 8 및 도 11을 참조하면, S610 단계, S620 단계, S630 단계, S640 단계, S650 단계, S660 단계, S670 단계 및 S695 단계는 도 9의 S410 단계, S420 단계, S430 단계, S440 단계, S450 단계, S460 단계, S470 단계 및 S495 단계와 동일한 방식으로 수행된다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
S680 단계에서, 베이스보드(130)는 파워-온 된 SSD에 리텐션 복원을 요청할 수 있다. 베이스보드(130)는 신호들(SIG)을 통해 파워-온 된 SSD에 리텐션 복원을 요청할 수 있다. S690 단계에서, 파워-온 된 SSD는 베이스보드(130)로부터의 요청에 응답하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
베이스보드(130)가 S680 단계에서 리텐션 복원 요청을 전달할 때, 베이스보드(130)는 추가적인 정보를 파워-온 된 SSD에 전달할 수 있다. 예를 들어, 베이스보드(130)는 온도 정보와 같은 환경 정보, 그리고 파워-온 된 SSD의 리텐션에 영향을 주는 추가적인 정보를 파워-온 된 SSD에 제공할 수 있다. 파워-온 된 SSD는 베이스보드(130)로부터의 정보에 기반하여 리텐션 복원 동작을 수행할 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제7 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 8 및 도 12를 참조하면, S710 단계, S720 단계, S730 단계, S750 단계, S760 단계, S770 단계, S2780 단계 및 S695 단계는 도 9의 S410 단계, S420 단계, S430 단계, S450 단계, S460 단계, S470 단계, S480 단계 및 S495 단계와 동일한 방식으로 수행된다. 따라서, 중복되는 설명은 생략된다.
SSD 백플레인(400)을 파워-오프 하기 전에, S701 단계에서, 베이스보드(130)의 제1 CPU(131), 제2 CPU(132) 또는 BMC(137)는 신호들(SIG)을 통해 SSD에 마모 정보를 요청할 수 있다. S702 단계에서, SSD는 마모 정보를 베이스보드(130)에 전달할 수 있다. 이후에, 베이스보드(130)는 S710 단계의 파워-오프를 수행할 수 있다.
마모 정보는 SSD가 프로그램 및 소거와 같은 동작들로 인해 마모된 정보를 나타낼 수 있다. 마모가 진행될수록, SSD의 리텐션 특성은 저하될 수 있다. 베이스보드(130)는 SSD를 파워-오프 하기 전에 SSD의 마모 정보를 수집하고, 그리고 마모 정보에 따라 임계값을 조절할 수 있다. 이후에, S740 단계에서, 베이스보드(130)는 온도가 조절된 임계값보다 클 때에 SSD의 파워-온을 요청(S750 단계)할 수 있다.
예시적으로, 마모 정보는 SSD의 SMART(Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology) 정보를 포함할 수 있다. 마모 정보는 IPMI에 기반하여 수집되며, IPMI의 메시지의 SDR 필드를 이용하여 수집될 수 있다.
예시적으로, S701 단계 및 S702 단계의 마모 정보를 수집하는 구성, 그리고 S740 단계의 조절된 임계값을 사용하는 구성은 도 10 및 도 11의 실시 예들에도 적용될 수 있다.
도 13은 마모 정보의 예로서 프로그램 및 소거 사이클과 그에 대응하는 조절된 임계값들의 예를 보여준다. 도 1 및 도 13을 참조하면, 프로그램 및 소거 횟수(PE cycle)가 0.1K 이하, 0.1K 초과 1K 이하, 1K 초과 3K 이하, 3K 초과 5K 이하, 5K 초과 7K 이하, 그리고 7K 초과 10K 이하일 때, 임계값은 각각 80, 70, 60, 50, 40 및 30일 수 있다. 프로그램 및 소거 횟수가 증가하여 SSD의 마모도가 증가할수록, 임계값은 감소할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 베이스보드(130)는 임계값보다 작은 경계값(cautious value)을 온도와 더 비교할 수 있다. 프로그램 및 소거 횟수(PE cycle)가 0.1K 이하, 0.1K 초과 1K 이하, 1K 초과 3K 이하, 3K 초과 5K 이하, 5K 초과 7K 이하, 그리고 7K 초과 10K 이하일 때, 경계값은 각각 70, 60, 50, 40, 30 및 20일 수 있다.
SSD의 온도가 임계값 이하이더라도, SSD의 온도가 경계값보다 큰 시간이 일정 시간보다 많이 지속되면, 베이스보드(130)는 해당 SSD를 파워-온 하여, SSD의 리텐션 복원 동작을 유도(또는 요청)할 수 있다. 따라서, 임계값 이하이지만 임계값에 근사한 온도에서 SSD가 장기간 방치되어 SSD의 리텐션이 저하되는 것이 검출될 수 있고, 그리고 리텐션의 저하에 따른 데이터의 소실이 방지될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 제8 예에 따른 동작 방법을 보여준다. 도 1, 도 8 및 도 14를 참조하면, S810 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD 백플레인(400)의 하나의 SSD 슬롯(예를 들어, 411)에 인접한 센서(421)로부터 온도 정보를 수신할 수 있다.
S820 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 온도가 경계값의 범위에 속하는지 판단할 수 있다. 예를 들어, 베이스보드(130)는 SSD의 온도가 임계값 이하이고, 그리고 경계값보다 큰지 판단할 수 있다. SSD의 온도가 경계값의 범위에 속하면, S830 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 카운트를 증가시킬 수 있다.
S840 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 카운트가 문턱값보다 큰지 판단할 수 있다. SSD의 카운트가 문턱값보다 크지 않으면, 베이스보드(130)는 SSD에 대한 별도의 제어를 수행하지 않을 수 있다. SSD의 카운트가 문턱값보다 크면, S850 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 파워-온을 요청할 수 있다. 이후에 S860 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 카운트를 리셋할 수 있다.
S850 단계는 도 9의 S450 단계, 도 10의 S550 단계, 도 11의 S650 단계 및 도 12의 S750 단계에 대응할 수 있다. S850 단계에 이어, 도 9의 S450 단계의 후속 단계들, 도 10의 S550 단계의 후속 단계들, 도 11의 S650 단계의 후속 단계들, 또는 도 12의 S750 단계의 후속 단계들이 수행될 수 있다.
S820 단계에서 SSD의 온도가 경계값의 범위에 속하지 않는 것으로 판단되면, S870 단계에서, 베이스보드(130)는 온도가 임계값의 범위에 속하는지 판단할 수 있다. 예를 들어, 베이스보드(130)는 온도가 임계값보다 큰지 판단할 수 있다. 온도가 임계값보다 크면, S850 단계가 수행될 수 있다.
S860 단계에서 온도가 임계값보다 크지 않으면, 베이스보드(130)는 SSD에 대한 별도의 제어를 수행하지 않을 수 있다. 온도가 임계값보다 크면, S850 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 파워-온을 요청할 수 있다. 이후에 S860 단계에서, 베이스보드(130)는 SSD의 카운트를 리셋할 수 있다.
도 14의 동작은 SSD 백플레인(400)의 하나의 SSD 슬롯(예를 들어, 411)에 대응하는 센서(421)로부터 온도 정보가 수신될 때마다 수행될 수 있다. 또는, 센서(421)는 제1 주기에 기반하여 온도 정보를 베이스보드(130)에 전달할 수 있다. 베이스보드(130)는 제2 주기에 기반하여, 최신으로 전달된 온도를 이용하여 수행될 수 있다. 제2 주기는 제1 주기보다 길 수 있다.
도 15는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 SSD 백플레인(500)을 보여준다. SSD 백플레인(500)은 도 1의 제1 SSD 백플레인(140), 제2 SSD 백플레인(150) 및 제3 SSD 백플레인(160)에 대응할 수 있다. 도 1 및 도 15를 참조하면, SSD 백플레인(500)은 네 개의 SSD 슬롯들(511, 512, 513, 514)을 포함할 수 있다. SSD 슬롯들(511, 512, 513, 514)에 실장된 SSD들은 신호선들을 통해 베이스보드(130)와 신호들(SIG)을 교환할 수 있다.
도 8과 비교하면, 두 개의 SSD 슬롯들(511 및 512, 또는 513 및 514)에 인접하게 하나의 센서(521 또는 522)가 제공될 수 있다. 또한, 하나의 레귤레이터(531 또는 532)가 두 개의 SSD 슬롯들(511 및 512, 또는 513 및 514)에 전력(PWR)을 공급할 수 있다.
즉, SSD 백플레인(500)이 파워-오프 상태일 때, 온도가 상승함에 따라 둘 이상의 SSD들의 함께 파워-온 될 수 있다. 파워-온 된 SSD들은 리텐션 복원 동작들을 수행할 수 있다. 이후 온도가 다시 감소하면, 둘 이상의 SSD들은 함께 파워-오프 될 수 있다. 둘 이상의 SSD들 중 적어도 하나의 리텐션 복원 동작이 완료되지 않은 때에, 미완료 SSD는 커패시터(C)에 저장된 전원을 이용하여 리텐션 복원 동작을 지속할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 SSD(600)를 보여준다. 도 16을 참조하면, SSD(600)는 불휘발성 메모리 장치(610) 및 메모리 제어기(620), 그리고 버퍼 메모리(630)를 포함할 수 있다. 불휘발성 메모리 장치(610)는 복수의 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 복수의 메모리 셀들의 각각은 둘 이상의 비트들을 저장할 수 있다.
예를 들어, 불휘발성 메모리 장치(610)는 플래시 메모리 장치, 상 변화 메모리 장치, 강유전체 메모리 장치, 자기 메모리 장치, 저항성 메모리 장치 등과 같은 다양한 불휘발성 메모리 장치들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
메모리 제어기(620)는 전자 장치(100)로부터 불휘발성 메모리 장치(610)에 데이터를 기입하거나 또는 불휘발성 메모리 장치(610)로부터 데이터를 읽기 위한 다양한 요청들을 수신할 수 있다. 메모리 제어기(620)는 전자 장치(100)와 통신되는 사용자 데이터를 버퍼 메모리(630)에 저장(또는 버퍼링)하고, 그리고 SSD(600)를 관리하기 위한 메타 데이터를 버퍼 메모리(630)에 저장할 수 있다.
메모리 제어기(620)는 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)를 액세스할 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기(620)는 제1 채널(CH1)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)에 명령 및 주소를 전송할 수 있다. 메모리 제어기(620)는 제1 채널(CH1)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)와 데이터를 교환할 수 있다.
메모리 제어기(620)는 제2 채널(CH2)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)에 제1 제어 신호를 전송할 수 있다. 메모리 제어기(620)는 제2 채널(CH2)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)로부터 제2 제어 신호를 수신할 수 있다.
예시적으로, 메모리 제어기(620)는 둘 이상의 불휘발성 메모리 장치들을 제어하도록 구성될 수 있다. 메모리 제어기(620)는 둘 이상의 불휘발성 메모리 장치들의 각각에 대해 서로 다른 제1 채널들 및 서로 다른 제2 채널들을 구비할 수 있다.
다른 예로서, 메모리 제어기(620)는 둘 이상의 불휘발성 메모리 장치들에 대해 하나의 제1 채널을 공유할 수 있다. 메모리 제어기(620)는 둘 이상의 불휘발성 메모리 장치들에 대해 제2 채널의 일부를 공유하고, 그리고 나머지 일부를 별도로 구비할 수 있다.
버퍼 메모리(630)는 랜덤 액세스 메모리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼 메모리(630)는 동적 랜덤 액세스 메모리, 상 변화 랜덤 액세스 메모리, 강유전체 랜덤 액세스 메모리, 자기 랜덤 액세스 메모리, 저항성 랜덤 액세스 메모리 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
메모리 제어기(620)는 버스(621), 호스트 인터페이스(622), 내부 버퍼(623), 프로세서(624), 버퍼 제어기(626), 메모리 관리자(627), 에러 정정 코드 블록(628)(ECC 블록)(Error Correction Code 블록), 그리고 센서(629)를 포함할 수 있다.
버스(621)는 메모리 제어기(620) 내부의 구성 요소들 사이에 통신 채널들을 제공할 수 있다. 호스트 인터페이스(622)는 전자 장치(100)로부터 다양한 요청들을 수신하고, 그리고 수신된 요청들을 해석할 수 있다. 호스트 인터페이스(622)는 해석된 요청들을 내부 버퍼(623)에 저장할 수 있다.
호스트 인터페이스(622)는 전자 장치(100)에 다양한 응답들을 전송할 수 있다. 호스트 인터페이스(622)는 정해진 통신 프로토콜에 기반하여 전자 장치(100)와 신호들을 교환할 수 있다. 내부 버퍼(623)는 랜덤 액세스 메모리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 내부 버퍼(623)는 정적 랜덤 액세스 메모리 또는 동적 랜덤 액세스 메모리를 포함할 수 있다.
프로세서(624)는 메모리 제어기(620)를 구동하기 위한 운영 체제 또는 펌웨어를 구동할 수 있다. 프로세서(624)는 내부 버퍼(623)에 저장된 해석된 요청들을 읽고, 불휘발성 메모리 장치(610)를 제어하기 위한 명령들 및 주소들을 생성할 수 있다. 프로세서(624)는 생성된 명령들 및 주소들을 메모리 관리자(627)로 전달할 수 있다.
프로세서(624)는 SSD(600)를 관리하기 위한 다양한 메타 데이터를 내부 버퍼(623)에 저장할 수 있다. 프로세서(624)는 버퍼 제어기(626)를 통해 버퍼 메모리(630)를 액세스할 수 있다. 프로세서(624)는 버퍼 메모리(630)에 저장된 사용자 데이터를 불휘발성 메모리 장치(610)로 전송하도록 버퍼 제어기(626) 및 메모리 관리자(627)를 제어할 수 있다.
프로세서(624)는 버퍼 메모리(630)에 저장된 데이터를 전자 장치(100)로 전송하도록 호스트 인터페이스(622) 및 버퍼 제어기(626)를 제어할 수 있다. 프로세서(624)는 불휘발성 메모리 장치(610)로부터 수신되는 데이터를 버퍼 메모리(630)에 저장하도록 버퍼 제어기(626) 및 메모리 관리자(627)를 제어할 수 있다. 프로세서(624)는 전자 장치(100)로부터 수신되는 데이터를 버퍼 메모리(630)에 저장하도록 호스트 인터페이스(622) 및 버퍼 제어기(626)를 제어할 수 있다.
프로세서(624)는 리텐션 제어기(625)(RC)를 포함할 수 있다. 리텐션 제어기(625)는 리텐션복원 동작을 제어할 수 있다. 리텐션 복원 동작은 검출 읽기 및 리클레임을 포함할 수 있다. 리텐션 제어기(625)는 불휘발성 메모리 장치(610)에 기입된 데이터의 리텐션이 저하되는지 검출하는 검출 읽기를 수행할 수 있다. 예를 들어, 리텐션 제어기(625)는 내부적으로 정해진 알고리즘에 따라 검출 읽기를 스케줄하고, 그리고 스케줄된 검출 읽기를 실행할 수 있다.
예시적으로, 리텐션 제어기(625)는 센서(629)에 의해 획득되는 온도 정보, 메타 데이터에 포함된 마모도 정보를 포함하는 불휘발성 메모리 장치(610)의 관리 정보, 그리고 전자 장치(100)로부터 전달될 수 있는 환경 정보에 기반하여 검출 읽기를 스케줄할 수 있다. 검출 읽기에서 리텐션의 저하가 검출되면, 리텐션 제어기(625)는 해당 데이터에 대한 리클레임을 스케줄할 수 있다. 리클레임은 해당 데이터를 읽는 통상의 읽기, 그리고 읽혀진 데이터를 다른 저장 공간에 기입하는 통상의 쓰기를 포함할 수 있다. 검출 읽기는 통상의 읽기와 다른 방식으로 수행될 수 있다.
파워-온 시에, 리텐션 제어기(625)는 온도의 상승으로 인해 전자 장치(100)에 의해 파워-온 된 것인지 검출할 수 있다. 예를 들어, 리텐션 제어기(625)는 통신 초기화가 수행되지 않을 때, 온도의 상승으로 인한 파워-온 임을 식별할 수 있다. 이때, 리텐션 제어기(625)는 즉시 리텐션 복원 동작의 검출 읽기를 실행할 수 있다. 또는, 전자 장치(100)로부터 리텐션 복원 요청이 수신되는 것에 응답하여, 리텐션 제어기(625)는 리텐션 복원 동작의 검출 읽기를 실행할 수 있다.
버퍼 제어기(626)는 프로세서(624)의 제어에 따라 버퍼 메모리(630)에 데이터를 기입하거나 버퍼 메모리(630)로부터 데이터를 읽을 수 있다. 메모리 관리자(627)는 프로세서(624)의 제어에 따라 제1 채널(CH1) 및 제2 채널(CH2)을 통해 불휘발성 메모리 장치(610)와 통신할 수 있다.
에러 정정 코드 블록(628)은 불휘발성 메모리 장치(610)로 전송되는 데이터에 대해 에러 정정 코드(ECC)를 이용하여 에러 정정 인코딩을 수행할 수 있다. 에러 정정 코드 블록(628)은 불휘발성 메모리 장치(610)로부터 수신되는 데이터에 대해 에러 정정 코드(ECC)를 이용하여 에러 정정 디코딩을 수행할 수 있다.
예시적으로, SSD(600)에서 버퍼 메모리(630) 및 버퍼 제어기(626)는 생략될 수 있다. 버퍼 메모리(630) 및 버퍼 제어기(626)가 생략될 때, 버퍼 메모리(630) 및 버퍼 제어기(626)에 의해 수행되는 것으로 설명된 기능들은 내부 버퍼(623)에 의해 수행될 수 있다.
상술된 실시 예들에서, 제1, 제2, 제3 등의 용어들을 사용하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 구성 요소들이 설명되었다. 그러나 제1, 제2, 제3 등과 같은 용어들은 구성 요소들을 서로 구별하기 위해 사용되며, 본 발명을 한정하지 않는다. 예를 들어, 제1, 제2, 제3 등과 같은 용어들은 순서 또는 임의의 형태의 수치적 의미를 내포하지 않는다.
상술된 실시 예들에서, 블록들을 사용하여 본 발명의 실시 예들에 따른 구성 요소들이 참조되었다. 블록들은 IC (Integrated Circuit), ASIC (Application Specific IC), FPGA (Field Programmable Gate Array), CPLD (Complex Programmable Logic Device) 등과 같은 다양한 하드웨어 장치들, 하드웨어 장치들에서 구동되는 펌웨어, 응용과 같은 소프트웨어, 또는 하드웨어 장치와 소프트웨어가 조합된 형태로 구현될 수 있다. 또한, 블록들은 IC 내의 반도체 소자들로 구성되는 회로들 또는 IP(Intellectual Property)로 등록된 회로들을 포함할 수 있다.
상술된 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 실시 예들이다. 본 발명은 상술된 실시 예들뿐만 아니라, 단순하게 설계 변경되거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들 또한 포함할 것이다. 또한, 본 발명은 실시 예들을 이용하여 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술된 실시 예들에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 전자 장치
110: 전원 공급기
120: 전원 수신기
130: 베이스보드
140, 150, 160: 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 백플레인
170: 쿨링 제어 보드
180: 쿨러들
190: 센서들

Claims (20)

  1. 제1 전력 및 제2 전력을 공급하는 전원 공급기;
    상기 전원 공급기로부터 상기 제1 전력을 수신하고, 그리고 각각 둘 이상의 솔리드 스테이트 드라이브들(SSD들)을 포함하는 제1 SSD 백플레인 및 제2 SSD 백플레인; 그리고
    상기 전원 공급기로부터 상기 제2 전력을 수신하고, 상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인을 독립적으로 파워-온 및 파워-오프 하고, 상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인 중 파워-온 상태인 SSD 백플레인의 상기 SSD들을 액세스하는 베이스보드를 포함하고,
    상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인 중 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 온도가 상승하는 것에 응답하여, 상기 파워-오프 상태인 SSD 백플레인의 상기 SSD들 중 적어도 하나의 SSD가 파워-온 되는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인의 각각은 바이메탈을 포함하고, 그리고 상기 바이메탈에 기반하여 상기 온도가 상승하는 것이 검출되는 전자 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인의 각각은:
    상기 SSD들과 인접하게 배치되고, 주변 온도가 상승하는 것에 응답하여 신호들을 각각 활성화하는 바이메탈들; 그리고
    상기 전원 공급기로부터 상기 제1 전력을 수신하고, 상기 베이스보드의 제어에 응답하여 상기 SSD들을 파워-온 또는 파워-오프 하고, 상기 SSD들이 상기 파워-오프 상태일 때에 상기 바이메탈들 중 적어도 하나의 바이메탈이 상기 신호를 활성화하는 것에 응답하여 상기 적어도 하나의 바이메탈에 대응하는 SSD를 파워-온 하는 레귤레이터를 포함하는 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파워-온 된 적어도 하나의 SSD는 배경 동작으로서 리텐션 복원 동작을 수행하는 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파워-온 된 적어도 하나의 SSD는 상기 베이스보드와의 통신 초기화가 없음에 응답하여 리텐션 복원 동작을 수행하는 전자 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 베이스보드는 상기 파워-온 된 적어도 하나의 SSD에 리텐션 복원 요청을 전달하고, 그리고
    상기 파워-온 된 적어도 하나의 SSD는 상기 리텐션 복원 요청에 응답하여 리텐션 복원 동작을 수행하는 전자 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    쿨러들을 더 포함하고,
    상기 온도가 상승하는 것에 응답하여, 상기 베이스보드는 상기 쿨러들의 쿨링을 강화하는 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 SSD를 파워-온 하는 온도와 상기 쿨링을 강화하는 온도는 서로 다른 전자 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인의 각각은 온도 정보를 상기 베이스보드에 전달하는 온도 센서를 포함하고, 그리고 상기 온도 정보에 기반하여 상기 온도가 상승하는 것이 검출되는 전자 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 SSD 백플레인 및 상기 제2 SSD 백플레인의 각각은:
    상기 SSD들과 인접하게 배치되고, 주변 온도의 온도 정보를 상기 베이스보드에 전달하는 온도 센서들; 그리고
    상기 전원 공급기로부터 상기 제1 전력을 수신하고, 상기 베이스보드의 제어에 응답하여 상기 SSD들을 파워-온 또는 파워-오프 하는 레귤레이터를 포함하고,
    상기 온도 정보에 기반하여, 상기 온도 센서들 중 적어도 하나의 온도 센서의 온도가 임계값보다 클 때, 상기 베이스보드는 상기 적어도 하나의 온도 센서와 인접한 상기 적어도 하나의 SSD를 파워-온 하도록 상기 레귤레이터를 제어하는 전자 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 베이스보드는 상기 파워-오프 상태인 상기 SSD 백플레인의 상기 SSD들의 프로그램 및 소거 횟수들에 따라 상기 임계값을 조절하는 전자 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 파워-오프 상태인 상기 SSD 백플레인의 상기 SSD들 중 특정한 SSD의 프로그램 및 소거 횟수가 증가할수록, 상기 특정한 SSD의 임계값이 감소하는 전자 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 베이스보드는 상기 파워-오프 상태인 상기 SSD 백플레인을 파워-오프 할 때에 상기 프로그램 및 소거 횟수들을 수집하는 전자 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 베이스보드는 관리 인터페이스를 통해 상기 온도 정보 및 상기 프로그램 및 소거 횟수들을 수집하는 베이스보드 관리 제어기를 포함하는 전자 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 베이스보드는 상기 적어도 하나의 온도 센서의 상기 온도가 경계값(cautious value)보다 큰 시간이 문턱값보다 클 때, 상기 적어도 하나의 온도 센서와 인접한 상기 적어도 하나의 SSD를 파워-온 하도록 상기 레귤레이터를 제어하고, 그리고
    상기 경계값은 상기 임계값보다 낮은 전자 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 베이스보드는 상기 적어도 하나의 온도 센서의 상기 온도가 상기 경계값보다 클 때 카운트를 증가시키고, 상기 온도가 상기 경계값보다 낮을 때 상기 카운트를 감소시키고, 그리고 상기 카운트가 상기 문턱값보다 클 때 상기 적어도 하나의 SSD를 파워-온 하는 전자 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 SSD가 파워-온 되는 것에 응답하여, 상기 베이스보드는 상기 카운트를 리셋하는 전자 장치.
  18. 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 관리하는 방법에 있어서:
    상기 SSD를 파워-오프 하는 단계;
    상기 SSD의 주변 온도가 상승하는 것에 응답하여, 상기 SSD를 파워-온 하는 단계; 그리고
    상기 SSD에서 리텐션 복원 동작을 수행하는 단계를 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 SSD의 상기 주변 온도가 상승하는 것에 응답하여, 쿨링을 강화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  20. 복수의 메모리 블록들을 포함하고, 상기 복수의 메모리 블록들은 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치; 그리고
    온도 센서를 포함하고, 파워-온 후에 상기 온도 센서에 의해 감지되는 온도가 임계값보다 높으면 상기 복수의 메모리 블록들에 대해 리텐션 복원 동작을 수행하는 제어기를 포함하고,
    상기 파워-온 시에, 외부의 호스트 장치와 통신 초기화가 수행되지 않는 것에 응답하여, 상기 제어기는 상기 리텐션 복원 동작을 수행하거나, 또는
    상기 파워-온 후에, 상기 외부의 호스트 장치의 요청에 응답하여, 상기 제어기는 상기 리텐션 복원 동작을 수행하는 솔리드 스테이트 드라이브.
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