TWI258639B - Lithographic projection apparatus and substrate holder for the same - Google Patents

Description

1258639 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明與-微影投影裝置有關，其包括：—輻射系統， 用於提供一輻射投影光束；以及一基板固定器，用以支撐 欲，置放於該投影光束之光束路經中的基板，其包括複數 们第大出部，該等突出部的遠端會界定一第一接觸表 面’用以接觸一基板’該基板固定器配備钳止構件，用以 將該基板鉗止於該基板固定器之上。 【先前技術】 為達成良好的影像解析度及層覆蓋效果，於—基板的曝 光期間，該基板的被照射表面應該盡量保持水平且儘可能 T止不動。已知的微影裝置可以利用上面指定的基板固定 為來解決該些需求，於該基板固定器會置放一基板，使其 背面接觸到該等突出部，該等突出部全部都係位於一界: 良好的平面中。舉例來說，藉由將基板固定器中的（複數 個）隙孔連接至一真空產生構#，便可將該基才反的背面牢 牢地鉗止於該等突出部之上。依此方式來使用複數個突出 部便可確保僅有一部份的背面區域會被擠壓在一固態表面 上，如此來，便可將該晶圓背面上之任何微粒污染所造 成的扭曲效應降至最低程度，因為此類污染最可能出現在 突出部間的空乏空間中’而不會被播壓在突出部的頂面 上0 【發明内容】 另外，如此一來，實質上，每個突出部便都會接觸該基 94173.doc 1258639 了，丨疋一元全水平的單一支 於所又镓千面，亚且可定位 厅而要的方向中。此作法仍然 出部依铁右# ^ + ΑΑ & 頁問4，因為該等突 可At & + θ ^ ^接觸該基板。如此便 T犯會在該基板固定器之該等 文 之門志& 豕寺大出部的頂面和基板的背面 此I 黏結力量，本技財稱為「黏著」。實際上， 旦有一基板被钳止至該基板固定器且接觸到 ^ 衫射處理之位置， 其 Ρ β k 4基板固定器中釋放該 &板日守便可能會花費大 //λ 剎田k 、 々寸間，攸而延遲該機器的昂貴 利用性，無法供下一次弁 人九被衫例仃程序使用。甚至可能合 以成彈射機制被卡住，而盔牛//Λ " 下1而恶法攸该基板固定器中釋放該基 才反。本發明的目的係蕤 卞人上 f、猎由如供一不會有黏著力量問題的基 反固定為來將該些問題減低至最小程度。 為達成此目的，本發明提供一種如申請專利範圍第1項 之：文的微影投影裝置，其中該基板固定器包括複數個第 :突出部’該等突出部的遠端會界定一第二接觸表面，用 以支擇該基板’其中該等第二突出部的排列方式係於該基 2钳止於該基板固定器之上時讓該基板會接觸該等第一 $第二接觸表面，而且於該基板未被鉗止時讓該晶圓與該 第—接觸表面分離’以防止於該钳止構件的釋放期間黏著 至該第一表面。 藉此等複數個第二突出部’便可對該基板及該基板固定 -間的黏著力置作預期程度的補償，甚至可予以抵銷。因 此’當關閉該甜止構件使得該基板不再被鉗止至該基板固 定為之後’那麼因為該等第二突出部及接觸到該等突出部 94173.doc 1258639 之晶圓的彈性變形所提供的力量的關係，便可減低對該基 板及該基板固定器間的黏結力量。 土 於一較佳的具體實施例中，該等複數個第二突出部係被 排列在該等複數個第一突出部的頂端。此處，較佳的係， 該第二接觸表面會小於該第一接觸表面。請注意，就—美 板的表面粗糙度而言，該等第一複數個突出部的頂面實2 上可能係平坦的，而該等第二複數個突出部的頂面的平坦 特性則可能較差。II由最小化該等第：複數個突出部的接 觸表面，便可將經由該基板及該等第二複數個突出部間之 接觸力量而殘留的黏著力量減低至最小程度。 就一較佳具體實施例來說，每個該等第一突出部皆配備 一第二突出部，其中該等第一及第二突出部皆為柱狀。該 等第二突出部及第一突出部的直徑比範圍介於〇 〇1及〇 5之 間。 · 該等第一及第二接觸表面間的距離會隨著直徑比而改 變。當該基板未被鉗止於第一接觸表面上時，較佳的範圍 係介於6_400 nm之間。就此而言，請注意，從一平坦的參 考平面看去，第—及第二複數個突出部之間會有距離存 在’高度上有落差，第一及第二複數個突出部之高度為兩 個不同的數值。如果直徑比非常大的話，距離便可能會非 常小；反之亦然。 貫際的具體貫施例包括〇·5 mm之柱狀的複數個第一突出 部，以其位於其頂端上直徑〇.〇5 mm之複數個第二突出 部，並且會定義-具有50-80 nm範圍中之某個特殊值的距 94173.doc 1258639

【實施方式】 圖1為根據本發明一特殊具體實施例的微影投影裝置的 概略圖。該裝置包括： -一輻射系統Ex、IL，用以提供輻射投影光束pB(例如 ♦ i外光區中的光）。在此特殊情況下，該輻射系統亦包 括一輻射源L A ; 第一物件工作檯（光罩工作檯）MT，其具有一光罩固 疋裔，用以固定光罩MA(例如，主光罩），並且會被連接到 第定位構件PM，用以精確地將該光罩放置在相對於符 號PL的位置處； -一第二物件工作檯（晶圓工作檯）WT，其具有一固定 器，用以固定欲被一已圖案化光束照射在該晶圓（例如已 塗佈光阻的矽晶圓）之目標部份上的基板W，並且會被連接 到第二定位構件PW，用以精確地將該基板放置在相對於 符號PL的位置處；以及 --投影系統（「透鏡」）PL，用以將該光罩MA中被照 射的部份成像於該基板W的目標部份c(例如包括一個以: 的晶粒）之上。 罩）。然❼’ -般而S，其,亦可能係—透射類型（具有 射光罩）。或者，該裝置可運用另—種圖案化構件，例如 上述類型的可程式面鏡陣列。 該輻射源LA(例如準分子雷射源）會產生一輻射光束。此 94173.doc > 10- 1258639 光束會直接或在穿過調節構件（諸如光束放 饋送至-照明系統(照明器)IL之中。該照明器 調整構件AM，用以設定該光束中之強度分佈的外徑及/或 内徑範圍（一般分別稱為外及s_内）。此外，其通常包括 各種其它組件，例如積分器IN及聚光器c〇。依此方式， 射在該光罩MA上的光束PB便會於其剖面上具有預期的均 勻度與強度分佈。 於圖1中應注意的是，該輻射源LA可能位於該微影投影 裝置的外殼内（舉例來說，該輻射源LA係水銀燈泡時，便 經常係這種情況），但是亦可以與該微影投影裝置相隔一 段距離，其所產生的輻射光束則會被導入至該裝置中（例 如借助於適當的導向面鏡），當輻射源[八係準分子雷射時 則通常會是後面的情況。本發明及申請專利範圍涵蓋此兩 種情況。 貫質上，該光束PB會攔截被固定於一光罩工作檯乂丁之 上的光罩MA。穿過該光罩MA之後，該光束四便會穿過該 透鏡PL，該透鏡會將該光束pB聚焦於該基板w的目標部份 c之上。藉由該第二定位構件pw(以及干涉測量構件π)， 便可以精確地移動該基板工作檯WT，以便在該光束？6的 路徑上定位不同的目標部份C。同樣地，該第一定位構件 PM可用u將該光罩^^精確地放置在相對於該光束叩之路 徑的位置上，舉例來說，在以機器方式從光罩庫取出該光 罩MA之後，或是在掃描期間。通常，該等物件工作檯 MT、WT的移動可以藉由長程模組（粗略定位）以及短程模 94173.doc 1258639 組（細微定位）來達成，圖1中並未清楚圖解。不過，在晶圓 步進機的情況中（與步進-掃描裝置相反），該光罩工作檯 MT可能僅會被連接到短程致動器，或是可能係固定的。 可利用光罩對齊標記Μ1、M2以及基板對齊標記P1、P2來 對齊光罩ΜΑ和基板W。 上述裝置可用於兩種不同模式中： L於步進模式中，基本上該光罩工作檯ΜΤ係保持不動， 而整個光罩影像則會一次（也就是，單「閃光」）全部被投 影至一目標部份C之上。接著該基板工作檯WT便會在χ及/ 或y方向中移動，致使該光束PB可以照射不同的目標部份 c ;以及 2·於掃描模式中，基本上具有相同的情境，但是卻不會 於單「閃光」下曝光一既定的目標部份C。取而代之的 係，孩光罩工作檯MT可以在既定的方向中（所謂的「掃描 方向」，例如y方向）以速度v移動，因此該投影光束pB會在 光罩影像上掃描，同時，該基板工作檯WT會以速度v = Mv 在相同或是相反的方向上移動，其中M係該透鏡？：的放大 七率（通常，M=l/4或1/5)。依此方式，便可曝光非常大的 目標部份C，而不會損及解析度。 圖2為根據本發明之一基板固定器的部份概略側面圖。 於此部份圖式中，基板固定器的元件符號為i(圖】中則標 示為晶圓工作檯（WT))。該基板固定器包括一實質平坦的 底板2’通常係由SlC、SlSlC所製成，其為一種熟知的 Zerodur或Cordurite材料。於此底板上會形成複數個第一突 94173.doc -12- 1258639 出部3，其亦稱為瘤部。該等瘤部3可能為柱狀，其表面通 常係平坦的，因而該等瘤部之頂面4所界定的平面實質上 係致的。於該等瘤部3之頂面4上會形成複數個第二突出 部或所謂的微瘤部5。於此範例中，會於每個突出部的頂 面4上形成一個微瘤部。不過，亦可能出現一個以上的微 瘤部。該些微瘤部5通常可能為柱狀，而且各具有一第二 頂面6，該等頂面會為欲由該等微瘤部5來支撐的基板8界 定出一通常為平坦的支撐表面7。圖2中表示一間隙9，其 係由微瘤部5的高度所構成。此間隙9界定出第一接觸表面 1 〇(其係由該等頂面4所構成）及支撐表面7(其係由該等微瘤 部5之第二頂面6所構成）間的距離。圖2中的基板8並未被 鉗止於基板固定器丨之上。於此位置中，介於該些接觸表 面間之間隙的特殊數值範圍介於5〇_8〇 nm之間。再者，於 圖2所示的範例中，瘤部3為直徑〇5 mm的柱狀體，而其上 方的被瘤部5則為直徑〇 · 〇 5 mm的柱狀體。 圖3-5為根據本發明被钳止於基板固定器丨之上的基板的 變形過程概略圖。圖3中，會在基板8之上施加一鉗止壓 力，例如真空負載，其範圍通常介於0巴（未施加任何負載） 至〇·5巴之間。一開始，當施加遞增壓力時，基板8會彈性 變形，致使微瘤部5伸入基板8之中。如此一來，基板8便 會下降且接觸到基板固定器丨，而微瘤部5則會被推入基板 8之中。為簡化起見，圖3中僅顯示出基板8的變形。不 過，應該瞭解的係，視相對的變形模數而定，於此過程 中，忒等瘤部3之頂面4以及基板8中接觸到該等瘤部3(微 94173.doc -13- 1258639 瘤部5)的部份可能都會發生彈性變形。再者，圖3所示的 係僅鈀加足以關閉圖丨中所繪之間隙9的壓力的位置。 卜圖4為一基板固定器的部份概略側面圖，其中已 粑加i ί甘止壓力，在匕處，基板8中靠近該等微瘤部5之邊 緣U的彈性變形通常會維持不變，而基板8中靠近該等瘤 部I之邊緣12的彈性變形則會遞增至最大應力值。此處， 於最理想的組態中’靠近瘤部3及微瘤部5之邊緣的應力值 ^具有相同的大小’該等數值較佳的係被設計在基板固 定器1及基板8的最大變形容限值以下。 圖5為已經完全釋放該鉗止壓力時的瞬間情況，致使基 板8已經不再被钳止於基板固定器丨之上。此時，黏著力量 (以箭頭s來概略表示）可能會阻止基板8脫離基板固定器 1。不過，由於彈性能量（其係儲存於微瘤部5中及附近的 叉壓區域11之中，其包含基板8中的受壓地帶13、微瘤部^ 本身、以及微瘤部5中靠近該等瘤部3之頂面4的支撐地帶 14)的關係，|出現一釋放力量，用以抵銷該等黏著力量 S。該微瘤部5係被設計成會出現足夠的彈性能^，用以從 該等瘤部3之頂面4中釋放該基板δ，並且讓基板績接觸表 面10分離。 圖6為施加遞增鉗止壓力期間建立於該基板中之模型化 應力的概略關係圖。於提高壓力之後（概略地顯示於圖3_5 之中）’圖6中便描繪出針對微瘤部5附近的受壓地帶11所 建立的應力關係圖（上方直線）以及針對圖4中的瘤部3附近 的地帶12所建立的應力關係圖（下方直線）。一開始，僅有 94173.doc -14- 1258639 被瘤部5的頂面6會接觸到基板8 ’而且建立於地帶12中的 應力尚未出現。相反地，當接觸出後，地帶13中便會建立 應力。此時，應力便會停止建立於地帶11中。應力會繼續 建立於地帶12中，而且可能會等於、小於、或大於地帶u 中的應力。 此處，吾人假設建立於此地帶附近的應力和瘤部直徑成 反比。再者，吾人假設該應力及基板撓曲度係和外加負載 (彈性變形）成正比。於實際的實驗中，所測量的係每個瘤 部0.025 N的黏性負載。對一厚〇·725 mm且揚氏模數為11〇 GPa的晶圓而言，對0·5巴真空壓力的正常應力位準以及 0.5 mm的瘤部直徑來說，會計算出8〇 nm的撓曲度，以及 每個瘤部0.4N的負載。 於相同的負載條件下，從此數值中可以推導出，直徑 0.05 nm的瘤部會推入該基板中8〇〇 nm，產生正常應力位 準10倍的應力位準。將該應力位準調整成正常應力位準暗 寓著對一 80 11„1高的微瘤部來說，可接受的負載為〇〇4 N 〇·04 N的U瘤部最大負載當然高於每個瘤部〇 的 黏力位準。對〇.()25 N的黏力來說，&意謂著該基板的挽 曲度為50 nm，其會留下3〇 nm的間隙。於正常的負載條件 下，該微瘤部會承載該負載10%的重量（0.04 N)，為該瘤 部頂面留下0.36 N。 於:面闡述的範例中，會提供參考圖3_圖6所示之微瘤 部的最小高度、最大古痄、义另曰丄 、乂又取大问度、以及取佳鬲度。此處，表 代表的係0 · 5巴钳止壓力的設計值 土力的心卞值而表扣6代表的則係0.2 94173.doc 1258639 巴鉗止壓力的設計值。 下面表1所列的係針對0 · 5巴的甜止壓力，最小間隙與黏 力及相對微瘤部直徑的函數關係。微瘤部直徑越大，最小 間隙便越小；黏力越大，最小間隙則越大。 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑1 黏力[N]------： 0.008 0.025 0.05 0.1 0.25 0.5 0.0025 63 20 10 5 2 1 0.010 250 80 40 20 8 4 0.025 625 200 100 50 20 10 0.10 2500 800 400 200 80 40 0.25 6250 2000 1000 500 200 100 ___-- 表1 下面表2所列的係當該微瘤部所造成之 晶圓應 力等於 常瘤部所造成之應力時 ’在0.5巴的甜止壓力下 隙。黏力越大， 則需要越大的相對微瘤部直徑。 黏力[N]- —----------—^ 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑] 0.012 0.025 0.05 0.1 0.25 0.0025 20 40 80 _____— 200 4〇〇 0.010 40 80 200 4〇〇 0.025 80 200 4〇〇 0.10 200 4〇〇 0.25 4〇〇 94173.doc -16- 1258639 表3所列的係當源自該微瘤部的晶圓應力為源自正常瘤 部之晶圓應力的十倍時，在G5巴的鉗止壓力下的最大間 隙同樣地，黏力越大，則需要越大的相對微瘤部直徑。 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑] 0.012 0.025 0.05 0.1 0.25 0.5 0.0025 64 200 400 800 2000 4000 0.010 200 400 800 2000 4000 0.025 200 400 800 2000 4〇〇〇 0.10 400 800 2000 4000 0.25 800 2000 4000 表3 表4-針對0.2巴的钳止壓力，最小間隙與黏力及相對微瘤 部直徑的函數關係。 黏力[N]- 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑j 0.008 0.025 0.05 0.1 0.25 0.5 0.0025 5 2 1 0 0 0 0.010 20 6 3 2 1 0 0.025 50 16 8 4 2 1 0.10 200 64 32 16 6 3 0.25 500 160 80 40 16 8 表4 表5_針對0.2巴的鉗止壓力，最佳間隙與黏力及相對微瘤 部直徑的函數關係。 94173.doc -17- 1258639 黏力[N]- 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑] 0.012 0.025 0.05 0.1 0.25 0.5 0.0025 6.4 20 40 80 200 400 0.010 20 40 80 200 400 0.025 20 40 80 200 400 0.10 40 80 200 400 0.25 80 200 400 表5 表6-當源自該微瘤部的 晶圓應力為源自正常瘤部之晶 應力的十倍時 ，針對0.2巴的鉗止壓力 ，最大間隙與黏 及相對微瘤部直徑的函數關係。 黏力[N] 0.012 相對微瘤部直徑[微瘤部直徑/瘤部直徑] 0.025 0.05 0.1 0.25 0.5 0.0025 64 200 400 800 2000 4000 0.010 64 200 400 800 2000 4000 0.025 64 200 400 800 2000 4000 0.10 200 400 800 2000 4000 0.25 200 400 800 2000 4000 表6 熟練的技術人員將會發現，在此等替代應用内文中所使 用的任何術語「主光罩」、「晶圓」或「基板」都應該視為 可分別由被置放於該光束路徑中之任何物品的更通用術 語。此類物品可能涵蓋圖案化構件，該圖案化構件可在一 基板之目標部份上提供一於其剖面中或者在該欲被該已圖 94173.doc -18- 1258639 案化光束來圖案化的基板中具有某種圖案的投影光束。此 外，逛提供下面的定義來闡述本文所使用之特定概念的一 般及特定背景。此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋 為可用以賦予進入輻射光束一已圖案化剖面的構件，該已 圖案化剖面係對應於欲在該基板目標部份中所產生的圖 案；本文中亦使用到術言吾「光閥」。—般而言，該圖案將 會對應到欲在該目標部份處被產生之一元件（諸如積體電 路或其它元件）中的-特殊功能層（參見下文）。此等圖案: 構件的範例包括： •光罩。光罩的概念在微影術中廣為人知，而且光罩的 種類包括二元式、交#式相移、衰減式相移、以及各種混 合的光罩類型。將此種光罩置放在該輻射光束，會導致照 射在邊光罩上的輻射依據該光罩上的圖案作選擇性透射 (於透射光罩的情況中)或反射(於反射光罩的情況”。在 光罩的情況中，該支撐結構一般是一光罩工作檯，其可確 保該光罩被固定於進人的韓射光束中的預期位置處:、並且 可於必要時相對於該光束作移動。 -可程式面鏡陣列。此種元件的其中一種範例為一可矩 陣=址表面，該表面具有一伸縮控制層及一反射表面。此 種裝置的基本原理為（例如）該反射表面的已定址區域會將 入射光反射為繞射光，而未定址區域則會將入射光反：為 非％射光。使用一適當的濾光片，可濾掉該反射的光束中 未被繞射的光，而僅留下該被繞射的光；依此方式，該光 束便可根據該可矩陣定址表面的定址圖案來進行圖案化。 94173.doc -19- 1258639 可矛式、見陣列的替代具體實施例係使用-由複數個小面 :斤成的矩陣配置’藉由施加—適當的局部電場或運用 c迅致動構件，便可讓各個面鏡相對於—軸產生傾斜。再 者，該等鏡面為可矩陸中斗 巨陣疋址式的，因此該等已定址鏡面會 以不同方向將進人的㈣光束反射至未定址的鏡面；依此 方式、’該反射光束便可根據該等可矩陣定址鏡面的定址圖 案=進行圖案化。可使用適當的電子構件來執行必要的矩 陣定址。在上述的兩種情形下，㈣案化構件可能包括一 個以上的可程式面鏡陣列。舉例來說，關於本文所述的面 鏡陣列的更多資料可參閱美國專利案第5,296,891號及第 5,523，193號及PCT專利申請案第W〇 98/38597號及第w〇 98/33096號，本文以引用的方式將其併人。在可程式鏡陣 歹國況：，舉例來說，該支撐結構可能會具現為一框架 或是工作檯，視需要可以係固定式或是移動式；以及 可私式LCD陣列。此類構造的範例在美國專利案第us 5,229,872號中有提及’本文以引用的方式將其併人。如上 所述，此情況中的支撐結構可具現為一框架或是工作檯， 舉例來說，視需要可以係固定式或是移動式。 舉例來說，微影投影裝置可運用於積體電路（ic)的製造 上。於此情況中，該圖案化構件會產生一與該…個別層相 對應的電路圖案，而且此圖案會成像在已經塗佈一層輻射 敏感材料（光阻）的基板（矽晶圓）上的目標部份（例如含有一 個以上的晶粒）。一般而言，單一晶圓將會含有一由複數 個相鄰目標部份所構成的整體網絡，該等相鄰目標部份可 94173.doc -20- 1258639 經由忒投影系統逐個地進行連續照射。在目前的裝置中， 藉由光罩工作檯上的光罩進行圖案化，可能會在兩種不同 的機态之間產生差異。在其中一種微影投影裝置中，係藉 由同％曝光該目標部份±所有的光罩圖案以照射每個目標 邻伤，此類裝置通常稱為晶圓步進機或步進-反覆裝置。 於一替代裝置中-通常稱為步進-掃描（step_and_scan)裝置· 係藉由在既疋茶考方向中（「掃描」方向)以該投影光束漸 進地掃描該光罩圖案以照射每個目標部份，㈣以與此方 向平订或疋反向平行的方向同步掃描該基板卫作檯；因 為 般來况，该投影系統具有一放大因數Μ(通常小於 1)’因此該基板工作檯的掃描速度V會是該光罩工作楼掃 “速度的Μ倍。舉例來說，在美國專利案第仍 唬中可以獲仔更多關於本文所述之微影元件的資訊，本文 以引用的方式將其併入。 另外，該微影裝置可能係一種具有兩個以上晶圓工作檯 (及/或兩個以上光罩工作檯)的類型。在此等「多級」元件 中’會同時使用該等額外 、卜的工作檯，或疋在一個以上工作 檯之上進行製備步驟， Π吩利用一個以上其它工作檯來進 行曝光。舉例來％、，+ Ττ。 ^ 在仍 5,969,441及评〇 98/4〇791 中便 提及雙級的微影裝置，本 +文以引用的方式將其併入。 雖然於製造1C時可特別泉 /号奉文甲根據本發明之裝置的 便用方式，但必須明厶_ 庫用汽丈上、、T、，此衣置具有許多其它可能的 應用。舉例來說Pm -之^… 製造整合光學系統、磁域記憶

體之導引及偵測圖案 W 日日頌不态面板、薄膜磁頭等。在 94173.doc 1258639 本文件中，術語「輻射」以及「光束」係用以涵蓋所有種 類的的電磁輻射，其包括紫外線（uv)輻射（例如波長， 248 \193，157或是126 nm)以及遠紫外線（EUV)輻射（例如 波長範圍5-20 nm);以及粒子束，例如離子束或電子束。 雖然本發明的特定具體實施例已如上述加以說明，不 過’應明瞭本發明亦可以上述以外的其它方法來完成。舉 例來說，雖然本文範例中將基板固定器描述成一晶圓工作 棱’用以固H欠被一已圖案化光束來圖案化其目標部份 =基板’不過’於部份具體實施例中（尤其是在使用反射 ’先罩的具體實施例中），該基板固定器亦可能係一用於 支撐圖案化構件的支撐體，該圖案化構件可在該投影光束 之剖面中料某種圖案。本發明並不受本說明的限制。 【圖式簡單說明】 上面已經利用範例’參考附圖，對本發明的具體實施例 ^明，其中對應的元件符録㈣應的部件，而且其 圖1為根據本發明_ g ^ ^ /、體貝、靶例的一微影投影裝置； :::據本發明之—基板固定器的部份概略側面圖； 施力2板固定器的部份概略側面圖，於該基板上已 g ^ 突出部所構成的距離； 全钳止壓力； …伤概略側面圖，其中已施加一 圖5為一基板固定器 該钳止壓力；以及 ^份概略側面圖，其中已經移除 94173.doc -22- 1258639 圖6為施加遞增鉗止壓力期間建立於該晶圓中之壓力的 概略關係圖。 【主要元件符號說明】 1 基板固定器 2 底板 3 瘤部 4 頂面 5 微瘤部 6 頂面 7 支樓表面 8 基板 9 間隙 10 接觸表面 11 邊緣 12 邊緣 13 受壓地帶 14 支撐地帶 AM 調整構件 C 目標部份 CO 聚光器 Ex 光束放大器 IF 位置感測器 IL 照明器 IN 積分器 94173.doc -23- 1258639 LA 輻射源 Ml 光罩對齊標記 M2 光罩對齊標記 MA 光罩 MT 光罩工作檯 P1 基板對齊標記 P2 基板對齊標記 PB 輻射投影光束 PL 透鏡 W 基板 WT 基板工作檯 94173.doc -24-

Claims (1)

1. •^^117964號專利申請案 請專利範圍替換本(94年％| κ, 不、申請專利範圍：’ 1 · 一種微影投影裝置，其包括： 一輻射系統’用於提供一輻射投影光束；以及 一基板固定态，用以支撐欲被置放於該投影光束之光 束路徑中的基板，其包括複數個第一突出部，該等突出 部的退端會界定一第一接觸表面，用以接觸一基板，該 基板固定器配備鉗止構件，用以將該基板钳止於該基板 固定器之上， 其特徵為： 忒基板固定器包括複數個第二突出部，該等突出部的 遠端會界定一第二接觸表面，用以支撐該基板，其中該 等第二突出部的排列方式係於該基板被鉗止於該基板固 疋裔之上時讓該基板會接觸該等第一與第二接觸表面， 而且於該基板未被鉗止時讓該晶圓與該第一接觸表面分 離，以防止於該鉗止構件的釋放期間黏著至該第一表 面。 2.如明求項1之微影投影裝置，其中該等複數個第二突出 部中至少其中一者係被排列在該等複數個第一突出部中 至少其中一者的頂端。 3·如:求項1或2之微影投影裝置，其中該第二接觸表面小 於該第一接觸表面。 4·如請求項1或2之微影将旦彡 扣 杈〜表置，其中至少複數個該等第 一=出部會提供一個以上的第二突出部。 5. 士月长項1或2之微影投影裝置，其中該等第一與第二突 1258639 出部皆為柱狀體。 6. 如請求項1或2之微影投影裝置，其中該等第二突出部與 第一突出部的直徑比範圍介於0 · 〇 1與〇 · 5之間。 7. 如請求項丨或2之微影投影裝置，其中當該基板未被鉗止 =第—接觸表面上時，該等第一及第二接觸表面間的距 離範圍係介於6·4〇〇 ηιη之間。 8如請求項1或2之微影投影裝置，其中該基板固定器係一 支撐工作檯，用以固定一欲被一已圖案化光束來圖案化 其目標部份的基板。 9· 種用於如前述請求項中任一項之微影投影裝置之基板 固定器，其包括複數個第一突出部，該等突出部的遠端 會界疋一第一接觸表面，用以接觸一基板； 其特徵為： 該基板固定器包括複數個第二突出部，該等突出部的 遂端會界定一第二接觸表面，用以支撐該基板，其中該 等第二突出部的排列方式係於該基板被鉗止於該基板固 疋益之上時讓該晶圓會接觸該等第一與第二接觸表面， 而且於該基板未被鉗止時讓該晶圓與該第一接觸表面分 離’以防止於該鉗止構件的釋放期間黏著至該第一表 面 ° 94173-940902.doc