JP4291223B2 - リソグラフィ装置および基板ホルダ - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ投影装置で、放射線の投影ビームに提供する放射線システムと、前記投影ビームのビーム路に配置する基板を支持し、複数の第一突起を備える基盤ホルダとを備え、突起の遠位端が、基板と接触する第一接触表面を画定し、前記基板ホルダに、基板ホルダに当てて基板を締め付ける締め付け手段を設けるリソグラフィ投影装置に関する。

良好な像の画定および層のオーバレイを達成するため、基板の被照射表面は可能な限り平坦で、基板の露光中は可能な限り静止していなければならない。既知のリソグラフィ装置は、上記で指定した基板ホルダを使用してこの要求に対応し、この上に基板を、その背面が突起と接触するよう配置することができ、これは全て明確に画定された面にある。例えば、基板ホルダの（１つまたは複数の）口を真空生成手段に接続することにより、基板の背面を突起に当ててしっかり締め付けることができる。この方法で突起を使用すると、背面の区域の一部のみが実際に中実表面に押し付けられることが保証され、この方法で、ウェハの背面に粒子状汚染がある場合はそれによる歪み効果が最小になる。というのは、このような汚染が、突起の頂部表面に押し付けられるのではなく、空のスペースにある可能性が最も高いからである。

また、この方法でほぼ全ての突起が基板と接触し、したがって完全に水平で必要な方向に配向可能である１つの支持面を画定する。このことも問題を引き起こす。というのは、基板との接触で、突起の比較的大きい接触面が物理的に残るからである。これは、基板ホルダの突起の上面と基板の背面との間に当技術分野では「粘着」として知られる結合力を引き起こすことがある。実際に、これは基板がいったん基板ホルダに締め付けられ、リソグラフィ照射プロセスのための位置に入ると、基板ホルダから基板を解放するのに非常に長い時間がかかり、次のフォトリソグラフィルーチンに機械を使用できるようにする際に費用のかかる遅延を招くことがある。これは、基板を基板ホルダから解放するために存在する排出機構に閉塞を引き起こすこともある。本発明は、この粘着力が問題とならない基板ホルダを提供することにより、これらの問題を最小限に抑えることを目指す。

この目的を達成するために、本発明は、請求項１の序文によるリソグラフィ投影装置を提供し、ここで前記基板ホルダは複数の第二突起を備え、その遠位端は、前記基板を支持する第二接触表面を画定し、前記第二突起は、基板を基板ホルダに当てて締め付けると、基板が前記第一および前記第二接触表面と接触するよう配置構成され、したがって締め付け手段の解放中に前記第一表面が粘着するのを防止するため、基板を締め付けていない場合は、前記ウェハが前記第一接触表面から距離をおく。

このような複数の第二突起により、基板と基板ホルダ間の粘着力を所望の程度まで補償するか、中和することさえできる。したがって、基板をもう基板ホルダに締め付けないよう、締め付け手段をオフに切り換えると、第二突起および突起と接触するウェハの弾性変形によって与えられる力のせいで、基板と基板ホルダ間の結合力が減少する。

好ましい実施形態では、前記複数の第二突起を、前記複数の第一突起の頂部に配置する。ここでは、前記第二接触表面は前記第一接触表面より小さいことが好ましい。これに関して、第一複数の突起の上表面が基板の表面粗さに関してほぼ平坦でよい場合、第二複数の突起の上表面は、これより平坦さが低い性質でよい。第二複数の突起の接触表面を最小限に抑えることにより、基板と第二複数の突起との間にある接触力を通して残る粘着力を最小限に抑えることができる。

好ましい実施形態として、前記第一突起にはそれぞれ第二突起を設け、前記第一および第二突起は円筒形である。前記第二突起と第一突起の表面の比率は、０．０１と０．０５の間の範囲でよい。

直径の比率に応じて、前記第一、第二接触表面間の距離を変更してよい。好ましい範囲は、基板を前記第一接触表面に締め付けていない場合、６から４００ｎｍである。この態様では、距離で、第一、第二複数突起間の高さの差が表され、平坦な基準面から見ると、第一および第二複数突起の高さは２つの別個の値である。直径の比率が大きいと距離を小さくすることができ、その逆でもよい。

実際的実施形態は、０．５ｍｍの円筒形の第一突起と、０．０５ｍｍの直径を有し、５０〜８０ｎｍの範囲にある１つの特定の値を有する距離を画定するその頂部の第二突起とを備える。

次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を概略的に示したものである。この装置は、
− この特別なケースでは放射線ソースＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えば遠紫外線領域の光）を供給する放射線ソースＥｘ、ＩＬと、
− マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段ＰＭに連結を行った第一オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
− 模様付けしたビームによってウェハ（レジストを塗布したシリコンウェハなど）の目標部分に照射すべき基板Ｗを保持する基板ホルダ２を備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段ＰＷに連結を行った第二オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
− マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像する投影システム（「レンズ」）ＰＬとにより構成されている。

ここで示しているように、本装置は反射タイプである（すなわち反射マスクを有する）。しかし、一般的には、例えば（透過マスクを有する）透過タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類の模様付け手段も使用可能である。

ソースＬＡ（例えばエキシマレーザソース）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダＥｘといったような調整手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、ｓ−ｏｕｔｅｒおよびｓ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭから成る。さらに、これは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。

図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ投影装置のハウジング内にある（これは例えばソースＬＡが水銀ランプである場合に多い）が、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（例えば適切な案内ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザである場合が多い。本発明および請求の範囲はこれら両方のシナリオを網羅するものである。

続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡを横断して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段ＰＷ（および干渉計測手段ＩＦ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段ＰＭは、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（走査ステップ式装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置を合わせることができる。

ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．走査モードにおいては、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。

図２は、本発明による基板ホルダの部分略断面図を示す。この部分図では、図１で基板テーブル（ＷＴ）として指定された基板ホルダに数字１を付ける。基板ホルダはほぼ平坦なベースプレート２を備え、これは通常は、ＺｅｒｏｄｕｒまたはＣｏｒｄｕｒｉｔｅとして知られる材料であるＳｉＣ、ＳｉＳｉＣで作成される。このベース上に、バールとも呼ばれる第一突起３が形成される。バール３は円筒形で、ほぼ平坦な表面を有し、複数のバールの上面４によって画定される面はほぼ一致する。バール３の上面４には、第二突起またはいわゆるマイクロバール５が形成される。この例では、上面４には突起ごとに１つのマイクロバールが形成される。しかし、複数のマイクロバールがあってもよい。このマイクロバール５は、概ね円筒形に形成し、それぞれが、マイクロバール５によって支持される基盤８にとって概ね平坦な支持表面７を画定する第二上面６を有する。図２には、マイクロバール５の高さによって形成されたギャップ９が図示されている。このギャップ９は、上面４によって形成された第一接触表面１０と、マイクロバール５の第二上面６によって形成された支持表面７との間の距離を画定する。図２では、基板８を基板ホルダ１に締め付けていない場合の基板８を示す。この位置で、これらの接触表面間のギャップは、５０〜８０ｎｍの１つの特定の値を有する。さらに、図２で示した例では、バール３は０．５ｍｍの直径の円筒形であり、その頂部にあるマイクロバールは、０．０５ｍｍの直径を有する円筒形である。

図３から図５は、本発明により基板ホルダ１に締め付けた基板の閉経プロセスを概略的に示す。図３では、０バール（無負荷）から通常は０．５バールまでの真空負荷などの締め付け圧力を基板８に加える。最初に、加える圧力を増加させる間、基板８は弾性変形し、したがってマイクロバール５は基板８内へと突出する。この方法で、基板８が下降して、基板ホルダ１と接触し、マイクロバール５が基板８に押し込まれる。単純さのために、図３には基板８の変形のみ図示されている。しかし、相対的変形係数に応じて、このプロセスではバール３の面４と、（マイクロ）バール３（５）に接触する基板８の側との両方で弾性変形が生じることがある。さらに、図３は、図２で示したギャップ９を閉じるのに十分な圧力のみを加えた位置を示す。

また、図４は全締め付け圧力を加えた場合の基板ホルダの部分略側面図を示す。ここでは、マイクロバール５の縁１１に近い基板８の弾性変形は概ね変化せず、バール３の縁１２に近い基板８の弾性変形は、最大応力値まで増加する。ここでは、最適な形状で、バール３およびマイクロバール５の縁に近い応力値は概ね同じ大きさであり、これは基板ホルダ１および基板の最大変形公差よりはるかに低く設計することが好ましい。

図５は、基板８がもう基板ホルダ１に押し付けられないよう、締め付け圧力が完全に解除された一時的状況を示す。この瞬間に、矢印Ｓで概略的に示す粘着力が、基板ホルダ１から基板８が解放されるのを防止する。しかし、マイクロバール５内およびその周囲の圧縮区域１１（基板８の圧縮ゾーン１３、マイクロバール５自体、およびバール３の上面４に近いマイクロバール５の支持ゾーン１４を含む）に保存された弾性エネルギのために、粘着力Ｓに対抗する解放力が存在する。マイクロバール５は、バール３の上面４から基板を分離し、第一接触表面１０から基板８を分離するのに十分な弾性エネルギが存在するよう設計される。

図６は、加える締め付け圧力が増加する間に基板に蓄積するモデル化された応力を示す略グラフを示す。図３から図５で概略的に図示したように圧力が増加した後、図６では、マイクロバール５に近い圧縮ゾーン１１（上線）および図４で参照したバール３の縁に近いゾーン１２（下線）とについて応力の蓄積が図示されている。最初に、マイクロバール５の上面６のみが基板８に接触し、ゾーン１２の応力蓄積はまだない。これに対して、接触すると、ゾーン１３に応力が蓄積する。その時点で、ゾーン１１へと応力蓄積が停止する。ゾーン１２の応力蓄積は継続し、ゾーン１１の応力と等しくなるか、それより小さく、または大きくなってよい。

ここで、このゾーン付近の応力蓄積は、バールの直径に逆比例すると仮定する。さらに、応力および基板の偏差は、加えた負荷（弾性変形）に比例すると仮定する。実際の実験では、バール当たり０．０２５Ｎの粘着負荷が測定された。厚さが０．７２５ｍｍでヤング率が１１０ＧＰａのウェハの場合、０．５バールの真空圧力という通常の応力レベル、および０．５ｍｍのバール直径では、８０ｎｍの偏差、およびバール当たり０．４Ｎの負荷が計算される。

この値から、０．０５ｎｍの直径を有するバールは、同じ負荷条件で、基板内に８００ｎｍ押し込まれ、通常の応力レベルより１０倍高い応力レベルを生成すると演繹することができる。応力レベルの通常レベルへの規模変更は、許容可能な負荷が、８０ｎｍの高さのマイクロバールで０．０４Ｎであることを示唆する。このマイクロバールの０．０４Ｎという最大負荷は、バール当たり０．０２５Ｎという粘着力レベルよりはるかに高い。０．０２５Ｎという粘着力の場合、これは、基板の偏差が５０ｎｍで、３０ｎｍのギャップが残ることを意味する。通常の負荷状態で、負荷の重量の１０％は、マイクロバール（０．０４Ｎ）によって担持され、バールの上面には０．３６Ｎが残る。

以下の例示的な例では、図３から図６に関して示したマイクロバールの最小、最大および最適高さが与えられる。ここで表１から表３は、０．５バールの締め付け圧力の設計値を示し、表４から表６は、０．２バールの締め付け圧力の設計値を示す。

以下の表１は、０．５バールの締め付け圧力について、粘着力および相対的マイクロバール直径の関数として最小ギャップを一覧表示する。最小ギャップは、バールの直径が大きくなると小さくなり、粘着力が大きくなると大きくなる。

以下の表２は、マイクロバールによって引き起こされるウェハの応力が、通常のバールによって引き起こされる応力と等しい場合に、０．５バールの締め付け圧力の最適ギャップを一覧表示する。粘着力が大きくなると、相対的マイクロバール直径を大きくする必要がある。

表３は、マイクロバールからのウェハ応力が通常のバールからのウェハ応力より１０倍大きい場合に、０．５バールの締め付け圧力の最大ギャップを一覧表示する。この場合も、粘着力が大きくなると、相対的マイクロバール直径を大きくする必要がある。

こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」または「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、ビーム路に配置する任意の品目として、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当業者にとって明らかである。このような品目は模様付け手段を含み、模様付け手段は、放射線ビームの断面に模様を与えるか、基板の目標部分に模様付けしたビームを与えることにより、基板に模様を与える働きをする。また、以下の定義は、本明細書で使用する特定の概念の一般的状況および特定の状況を例示するために与えられる。本明細書で使用する「模様付け手段」なる用語は、基板の目標部分に作り出されるべき模様と一致する模様付け断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきであり、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記の模様は、集積回路や他のデバイス（以下を参照）であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのような模様付け手段には以下が含まれる。すなわち、
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスク模様に従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、基板ホルダは一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス指定可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス指定可能面のアドレス指定模様に従って模様付けされる。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス指定可能であり、それによりアドレス指定されたミラーはアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス指定可能ミラーのアドレス指定模様に従い模様付けされる。必要とされるマトリクスアドレス指定は適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、模様付け手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６に開示されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。プログラマブルミラーアレイの場合、上記基板ホルダは、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。上記同様、この場合における基板ホルダも、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。

リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、模様付け手段はＩＣの個々の層に対応する回路模様を含むことができ、この模様を、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）に描像することができる。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。この装置では、マスクテーブル上のマスクによる模様形成を使用すると、２つの異なるタイプの機械を識別することができる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置では、全体マスク模様を目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパまたはステップアンドリピート装置と称されている。一般に走査ステップ式装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「走査」方向）にマスク模様を投影ビームで徐々に走査し、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号から得ることができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。

さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。デュアルステージリソグラフィ装置については、例えば米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号において記載がなされており、これは両方とも参照により本明細書に組み込まれる。

本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出模様、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

本発明の特定の実施形態を以上で説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、例は基板ホルダを、模様付けしたビームによって基板の目標部分に模様を付ける基板を保持するためのウェハテーブルとして説明しているが、幾つかの実施形態（特に反射マスクを使用する実施形態）では、基板ホルダは、模様付け手段を支持する支持体でもよく、模様付け手段は、投影ビームの断面に模様を与える働きをする。本説明は本発明を制限する意図ではない。

本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置を示したものである。 本発明による基板ホルダの部分略側面図を示したものである。 締め付け圧力を基板に加え、第二突起によって形成された距離を閉じた基板ホルダの部品の部分略側面図を示したものである。 全締め付け圧力を加えた場合の基板ホルダの部分略側面図を示したものである。 締め付け圧力を除去した場合の基板ホルダの部分略側面図を示したものである。 加えた締め付け圧力を増加させる間にウェハに蓄積する圧力を示す略グラフ図を示したものである。

Claims (7)

1. 放射線の投影ビームを提供する放射線システムと、
   前記投影ビームのビーム路に配置する基板を支持し、遠位端が基板と接触する第一接触表面を画定する複数の第一突起を備える基板ホルダであって、基板を基板ホルダに当てて締め付ける締め付け手段が設けられた基板ホルダと
   を備えたリソグラフィ投影装置であって、
   前記基板ホルダは、前記複数の第一突起上に、遠位端が前記基板を支持する第二接触表面を画定する１つまたは複数の第二突起を備え、
   前記第二突起は、前記基板を基板ホルダに当てて締め付けると前記基板が前記第一および前記第二接触表面と接触するように、配置構成され、また、
   前記第二突起は、前記基板の締め付け中に前記基板が前記第一および前記第二接触表面と接触し弾性変形して、前記締め付け手段の解放中に前記第一接触表面への粘着を防止し前記第一接触表面から前記基板を分離するのに十分な弾性エネルギが生成され、かつ前記基板を締め付けていない場合に前記基板が前記第一接触表面から隔置されるように、配置構成される、
   ことを特徴とするリソグラフィ投影装置。
2. 前記第二接触表面が前記第一接触表面より小さい、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 前記第一および第二突起が円筒形である、請求項１または２に記載のリソグラフィ投影装置。
4. 前記第二突起と第一突起との直径の比率が０．０１と０．５の間の範囲である、請求項１から３いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
5. 基板を前記第一接触表面に当てて締め付けていない場合、前記第一接触表面と第二接触表面間の距離が６〜４００ｎｍの範囲である、請求項１から４いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
6. 前記基板ホルダが、模様付けしたビームによって基板の目標部分に模様を付けるため、基板を保持する支持テーブルである、請求項１から５いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
7. 複数の第一突起を備え、その遠位端が基板と接触する第一接触表面を画定する、請求項１から６いずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置のための基板ホルダであって、
   前記複数の第一突起上に、遠位端が前記基板を支持する第二接触表面を画定する１つまたは複数の第二突起を備え、
   前記第二突起は、前記基板を基板ホルダに当てて締め付けると前記基板が第一および前記第二接触表面と接触するように、配置構成され、また、
   前記第二突起は、前記基板の締め付け中に前記基板が前記第一および前記第二接触表面と接触し弾性変形して、前記締め付け手段の解放中に前記第一接触表面への粘着を防止し前記第一接触表面から前記基板を分離するのに十分な弾性エネルギが生成され、かつ前記基板を締め付けていない場合に前記基板が前記第一接触表面から隔置されるように、配置構成される、
   ことを特徴とする基板ホルダ。

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