TWI252927B - Method of inspecting array substrate - Google Patents

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TWI252927B
TWI252927B TW093116215A TW93116215A TWI252927B TW I252927 B TWI252927 B TW I252927B TW 093116215 A TW093116215 A TW 093116215A TW 93116215 A TW93116215 A TW 93116215A TW I252927 B TWI252927 B TW I252927B
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Toshiba Matsushita Display Tec
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Description

1252927 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 顯示面板構成零件之陣列基板之 本發明係關於檢查液晶 陣列基板檢查方法。 【先前技術】 液晶顯示面板係使用於筆印刑 掌屺型個人電腦（筆記型PC)之顯 不器部、行動電話機之顯示骂 丁為邛、及電視受像機之顯示器 4 4各種地方。液晶顯示面板呈右· 敗旲有·多個像素電極配置為 矩陣狀之陣列基板；具有與多個像素電極對向之對向電極 之對向基板；及保持於陣列基板與對向基板間之液晶層。 陣列基板具有：排列為輯狀之多個像素電極：沿多個 像素電極之列配置之多條掃描線；沿多個像素電極之行配 置之多條信號線；及配置於該等掃描線與信號線之交差位 置附近之多個開關元件。 作為陣列基板之種類具有2種。亦即開關元件為使用非晶 石夕半導體薄膜之薄膜電晶體之陣列基板，及開關元件為使 用多晶矽半導體薄膜之薄膜電晶體之陣列基板。多晶矽具 有較非晶矽為高之載體移動度。在此，多晶矽型陣列基板 中，不僅像素電極用之開關元件，可將掃描線及信號線驅 動電路裝入陣列基板。 上述陣列基板為測出該製造過程中之不良品而通過檢查 工序。作為檢查方法及檢查裝置，有揭示於特開平 11-271177號公報、特開2000_3142號公報、及 U.S.P.5,268,638 之技術。 93776-941007.doc -5- 1252927 特開平11-27 Π 77號公報揭示在非晶矽基板之檢查 中於點缺陷檢查過程具有特徵之技術。在此，於LCD基 板全面照射直流成分之直射光，利用非晶矽膜光感應而成 為導通狀恶。藉由測出儲存於辅助電容之電荷漏電量，可 句斷缺陷狀況。特開2000-3142號公報揭示之技術中，利用 於像素電極照射電子束時，放出之2次電子與施加於薄膜電 晶體之電壓成比例。U.S.P.5,268,638之技術中亦利用於像素 電極照射電子束時放出之2次電子者。 【發明内容】 惟液晶顯示面板之產品價格，於該製造設備之成本受到 極大影響。於製造設備中，上述檢查方法及檢查裝置雖為 必須，惟檢查裝置之設計變更、修正等將需要莫大之費用。 本發明為鑑於以上之點而成者，其目的係提供一種可降 低檢查裝置之設計變更及修正之機會，進而可抑制液晶顯 示面板之產品價格上升之陣列基板檢查方法。 為解決上述課題，本發明樣態之陣列基板檢查方法，其 係具備：基板；形成於前述基板上之掃描線；與前述掃描 線父差形成之信號線；形成於前述掃描線與信號線之交差 部附近之開關元件；與前述開關元件連接之像素電極；製 入前述基板上並包含對前述掃描線供給驅動信號之掃描線 驅動電路，與對前述信號線供給驅動信號之信號線驅動電 路之至少一者驅動電路之驅動電路部；及形成於前述基板 上之電性信號供給墊之陣列基板檢查方法，其係：對前述 驅動電路部供給電性信號，使前述驅動電路部動作而對前 93 776·941007.doc -6 - 1252927 述像素電極充電電荷；對已充電電荷之前述像素電極照射 電子束；依據由被照射電子束之前述像素電極放出之2次電 子之資訊，以對於前述像素電極進行相關檢查；對前述驅 動電路部之電性信號之供給係經由前述電性信號供給墊進 行；前述電性信號係由前述電性信號供給墊開始分歧，而 供給至前述驅動電路部内之相異區域。 【實施方式】 以下，參照圖式洋細說明本發明實施形態之陣列基板檢 查方法。首先，說明具備多晶矽型陣列基板之液晶顯示面 板。本實施形態中，將多晶矽型陣列基板作為陣列基板1〇1 而說明。 如圖2及圖3所示，液晶顯示面板具備：陣列基板1〇1 ;與 该陣列基板保持特定空隙而對向配置之對向基板1 〇 2 ;及夾 持於該等兩基板之液晶層103。陣列基板1 〇 1及對向基板1 〇2 藉由作為間隔材之柱狀間隔材127保持特定空隙。陣列基板 101及對向基板102之周緣部彼此以接合材16〇接合，形成於 接合材一部分之液晶注入口 161以密封材162密封。 其次，參照圖4詳述陣列基板101。圖4中表示作為較陣列 基板為大尺寸之基板之母基板100，利用該母基板構成4個 陣列基板1 〇 1之例。如此，形成陣列基板101之際，一般係 使用母基板100而形成。 其次以圖4所示1個陣列基板101為代表說明其構成。陣列 基板101具有陣列基板主區域l〇la及陣列基板副區域 101b，在此詳細說明陣列基板主區域101a。關於陣列基板 93776-941007.doc 1252927 副區域10 lb將於後述。 如圖5所示，於陣列基板101上之像素區域3〇，矩陣狀配 置多個像素電極P。陣列基板101除像素電極p之外，具備沿 該等像素電極P之列配置之多條掃描線Y，及沿該等像素電 極P之行配置之多條信號線义。陣列基板1〇1具有作為配置在 掃描線Y及信號線X交差部附近之開關元件之薄膜電晶體 (以下稱為TFT)SW。陣列基板1〇1具有作為驅動電路部之驅 動多條掃描線Y之掃描線驅動電路40。 掃描線驅動電路40裝入於基板上之多處。本實施形態 中，掃描線驅動電路40配置於像素區域3〇之左右兩側，例 如第奇數列之掃描線Y與第偶數列之掃描線γ，分別連接左 侧掃描線驅動電路40與右側掃描線驅動電路4〇。 各TFTSW於透過掃描線γ驅動時，在像素電極？施加信號 線X之信號電壓。掃描線驅動電路40裝入陣列基板1〇1上， 配置於像素區域3 0之外侧區域。此外，掃描線驅動電路4〇 使用具有與TFTS W相同之多晶矽半導體膜之TFT而構成。 進一步，陣列基板101具備沿陣列基板主區域1〇1&之邊緣 線一側並排，同時與掃描線驅動電路4〇及信號線χ連接之多 個端子所構成之墊群PDp。墊群]?〇1)除用於輸入分別相異信 號以外，用於輸出入檢查用信號。陣列基板丨〇丨係藉由將母 基板100，例如沿陣列基板之邊緣6(圖4)切斷而相互分離切 開。 其次蒼照圖6及圖7，取出液晶顯示面板之像素區域3〇 一 部分而進一步說明。圖6係擴大表示陣列基板之像素區域3〇 93776-941007.doc -8 - 1252927 之平面圖。圖7係擴大表示液晶顯示面板之像素區域之剖面 圖陣歹J基板1 0 1具有玻璃基板等透明之作為絕緣基板之基 板1Π。於基板lu上，矩陣狀配置多條信號線X及多條掃描 線Y，於信號線與掃描線之各交差部附近設置TFTSW(參照 圖6之圓171包圍部分）。 TFTSW具有·具有以多晶⑦形成之源極/汲極區域“η、 112b之半‘體膜112;及將掃描線γ一部分延伸之閘極Ha。 此外於基板111上，形成多條形成辅助電容元件丨3丨之 條狀辅助電容線116，與掃描線γ平行延伸。於該部分形成 像素電極P (參照圖6之圓172包圍部分與圖7)。 詳細描述時，於基板1U上形成半導體膜112與輔助電容 下部電極113,於包含該等半導體膜及辅助電容下部電極之 基板上，成膜閘極絕緣膜114。在此，辅助電容下部電極丨13 與半導體膜112同樣以多晶石夕形成。於閘極絕緣膜丨14上， 設置掃描線γ、閘極115b、及輔助電容線116。輔助電容線 116及辅助電容下部電極113透過閘極絕緣膜ιΐ4對向配 置。於包含掃描線Y、閘極115b、及辅助電容線116之閘極 絕緣膜114上成膜層間絕緣膜丨丨7。 於層間絕緣膜117上，形成接觸電極121及信號線又。接觸 電極121透過分別之接觸孔，分別與半導體膜112之源極/汲 極區域112a及像素電極p連接。接觸電極121與辅助電容下 口 ί5電極113連接。k號線X透過接觸孔與半導體膜之源極/ 汲極區域112b連接。 重疊接觸電極12卜信號線X、及層間絕緣膜117而形成保 93776-941007.doc -9 - 1252927 護絕緣膜122。於保護絕緣膜122上，使分別為條狀之綠色 著色層124G、紅色著色層124R、及藍色著色層124B鄰接並 交互並列設置。著色層124G、124R、124B構成彩色濾光片。 於著色層124G、124R、124B上，藉由ITO (銦·錫氧化 物）等之透明導電膜，分別形成像素電極p。各像素電極p透 過著色層及形成於保護絕緣膜122之接觸孔125，與接觸電 極121連接。像素電極P之周緣部重疊輔助電容線i 16及信號 線X。在此，與像素電極P連接之辅助電容元件13丨作為儲存 電荷之辅助電容之功能。 於著色層124R、124G上，形成柱狀間隔材127 (參照圖 6)。雖未全部圖示，惟柱狀間隔材127於各著色層上以希望 密度形成多個。於著色層124G、124R、124B及像素電極p 上，形成配向膜128。對向基板1〇2具有作為透明絕緣基板 之基板15卜於該基板丨5丨上，依序形成以IT〇等透明材料形 成之對向電極152及配向膜153。 參照圖8，說明使用電子束測試器（以下稱為Εβ測試器） 之陣列基板101檢查方法。該檢查係於基板上形成像素電極 Ρ後，且由母基板100將陣列基板1〇1沿其邊緣6切斷前進行。 首先，說明用於陣列基板101之檢查之檢查裝置之構成。 於該檢查裝置設置ΕΒ測試器。信號產生器及與信號產生器 3〇2連接之多個探針，與對應之多個墊2〇1連接。作為由信 唬產生器及信號解析器32〇輸出之電性信號之驅動信號，透 過铋針及墊201供給至像素部2〇3，於像素電極ρ充電電荷。 驅動化唬供給至像素部2〇3後，於該像素部之像素電極ρ， 93776-941007.doc -10- 1252927 照射由電子線源301放出之電子束EB。藉由該照射而放出表 不像素電極P之電壓之2次電子SE，該2次電子沾以電子測 出器DE測出。2次電子SE與放出處之電壓成比例。以電子 測出器DE測出之2次電子資訊，傳送至為進行像素部2〇3之 解析之信號產生器及信號解析器3〇2。在此，2次電子資訊 表示像素部203之狀態。藉此，可關於各像素部2〇3之像素 電極P檢查。亦即像素部203具有缺陷時，以EB測試器可測 出該缺陷。在此所謂之像素部203之缺陷，不僅為像素電極 P本身之不良，與像素電極p連接之TFTSW之不良、包含像 素電極P之辅助電容元件131之不良等等，為關於像素電極 之元件之檢查之意。 於圖9表示成為檢查對象之陣列基板101端部之例。陣列 基板101具有陣列基板主區域101a，與該陣列基板主區域外 側之陣列基板副區域。此外，陣列基板副區域101b於檢查 後，沿切割線e2例如藉由劃線而切開。 陣列基板主區域1 〇 1 a之墊群PDp透過配線分別連接圖5所 不之掃描線驅動電路40及信號線X。將配置於該區域之構成 塾群PDp之端子種類分類時，可分類為邏輯端子、電源端 子、檢查端子、及信號輸入端子。 邏輯端子具有端子CLK及端子ST。輸入至該等端子CLK 及端子ST之信號為時脈信號及開始脈衝信號。時脈信號及 開始脈衝信號係輸入至掃描線驅動電路4〇之信號。本實施 形態中，掃描線驅動電路4〇因配置於像素區域30之左右兩 側，故墊群PDp、端子ST、及端子CLK等均為2個。 93776-941007.doc -11 - 1252927 檢查端子為串列輸出端子s/o。串列輸出端子s/〇與時脈端 子CLK及開始脈衝端子灯同樣為2個。由串列輸出端子s/〇 輸出之信號為由反應開始脈衝信號之掃描線驅動電路4 〇之 位移暫存器（s/r)輸出之串列輸出。 電源端子可分類為端子vDD及端子¥88等2種。輸入至端 子VDD及端子VSS之信號為高位準用電源及低位準用電 源。此外，端子VDD及端子VSS，與端子CLK相同分別存在 2個。作為仏號輸入端子為端子video。輸入至端子VIDEO 之^唬，例如為視頻信號。在此，端子VIDE〇為數百至數 千端子，佔墊群PDp極大比例。 另一方面，於陣列基板副區域丨〇丨b之邊緣設置連接墊群 CPDp。該連接墊群CPDp為以多個電性信號供給墊構成，透 過配線與陣列基板主區域丨〇丨“則之墊群pDp連接。因此，供 給至電性信號供給墊之驅動信號，由電性信號供給墊分歧 並供給至掃描線驅動電路4〇内之相異區域。在此所謂之驅 動信號，除時脈信號及開始脈衝信號以外，亦包含高位準 用電源及低位準用電源。 墊群PDp於每個輸入相同或同種信號之端子分類，成為 多個端子群。於每個該端子群，準備共通之連接墊群 CPDp。輸入相同信號之端子大略分類時，可分類為邏輯端 子、電源端子、檢查端子 '及信號輸入端子。共通端子為 時脈用共通端子eCLK、高位準用共通端子cVdD、低位準 用共通端子cVSS、及視頻信號用共通端子cVIDEO。該等共 通端子cCLK、共通端子cVdd、共通端子cVSS、及視頻信 93776-941007.doc -12- 1252927 號用之共通端子cVIDEO排列於陣列基板副區域1〇lb之邊 緣e，透過配線與對應之陣列基板主區域1〇la之墊群pDp連 其次進一步詳細說明上述連接墊群CPDp與墊群pDp之連 接關係。陣列基板主區域1 〇 1 a侧之端子ST及端子s/0透過配 線，分別與陣列基板副區域10lb側之附屬端子dST及附屬端 子ds/o連接。陣列基板主區域1 〇 1 a侧之多個端子clk因屬於 相同分類，於共通端子cCLK共通連接。陣列基板主區域 1 0 1 a侧之多個端子VDD因屬於相同分類，於共通端子cVdd 共通連接。陣列基板主區域1 〇 1 a側之多個端子vs s因屬於相 同匀類，於共通端子cVSS共通連接。陣列基板主區域i〇ia 側之多個端子VIDEO因屬於相同分類，於共通端子cVIDE〇 共通連接。 多個端子VIDEO雖為連接1個共通端子cVIDE〇之構成， 惟以連接少數共通端子之構成亦可。藉此，設置在陣列基 板副區域10 lb之連接墊群CPDp之墊數，相較於設置在陣列 基板主區域l〇la之墊群PDp之墊數可大幅降低。 藉由EB測試器檢查如以上所構成之陣列基板1 〇丨之像素 部203之際，於陣列基板1〇1具有之連接墊群cpDp之各墊連 接楝針’透過該探針於掃描線驅動電路4〇供給驅動信號。 藉此，使掃描線驅動電路40動作，於像素部2〇3之輔助電容 儲存電荷。亦即，於像素電極p充電電荷。然後於電荷儲存 後，於各像素部203之像素電極p照射電子束。測出由照射 93776-941007.doc -13- 1252927 電子束之像素電極P放出之2次電子。藉此，檢查各像素部 203有無缺陷。 於圖1概略表示檢查上述陣列基板1〇1時之過程。檢查開 始時（步驟si)，在無圖示之真空室内搬入陣列基板ι〇ι，通 過墊群CPDp於像素部203之辅助電容充電電荷（步驟S2)。其 次，藉由EB測試器掃描各像素部203，測定放出之2次電^ (步驟S3)，判定像素部之電壓是否正常（步驟S4)。進一步進 行掃描線驅動電路40之檢查（步驟S3)亦可。可電性進行掃
描線驅動電路40之檢查。亦即，由墊輸入電性信號並由Z 子s/ο輸出流通掃描線驅動電路4〇之電性信號，藉由解析該 輸出可進行掃描線驅動電路之檢查。在此像素部2〇3之檢查 與掃描線驅動電路40之檢查為同時進行亦可，依序進行亦 可。依序進行時，首先進行掃描線驅動電路4〇之檢查，於 發生不良時藉由省略而後之檢查可縮短檢查時間。測出不 良之陣列基板101時將修復或放棄。為良好之陣列基板ι〇ι 時，傳送至其次之工序，進行陣列基板副區域1〇卟之切割 (步驟S5)，結束檢查（S6)。 依據如以上所構成之陣列基板檢查方法及裝置，因連接 墊群CPDp之魏目較少，故檢查裝置之探針數目亦較少。 藉此，可降低檢查裝置之成本，進行良好之檢查。 藉由將構成連接墊群CPDp之端子排列配合探針之排列 而配置時，即使陣列基板主區域1〇1&之墊群pDp及該墊之配 置變更，亦可使連接墊群CPDp之排列以強制成為檢查裝置 之探針排列之方式形成。藉此，藉由對檢查裝置與陣列基 93776-941007.doc -14 - 1252927 板相互之組合形態下工夫，可擴大檢查裝置之融通性。由 以上所述，可提供一種陣列基板檢查方法，其係可降低檢 查裝置之設計變更與修正機會，進行抑制面板產品價格上 升者。 即使陣列基板主區域101 a之電路構成設計變更，因陣列 基板副區域101b之墊群CPDp之排列構成維持於相同形 態，故不需進行檢查裝置之設計變更與修正。 藉由使用EB測試器進行陣列基板10丨之檢查，可發現有 無像素部203之缺陷。藉此，可抑制不良液晶顯示面板之產 品流出。 此外，本發明並非限定於上述實施形態，於本發明之範 圍内可有各種變形。例如如圖1 〇所示，於陣列基板1 〇 1上之 像素區域30之外侧區域，作為驅動電路部而將掃描線驅動 電路40及驅動多條信號線之信號線驅動電路5〇裝入亦可。 信號線驅動電路50使用與TFTSw具有相同之多晶石夕半導體 膜之TFT而構成。 仏號線驅動電路50透過塾群PDp與連接塾群CPDp連接。 因此，作為供給至構成連接墊群CPDp之電性信號供給墊之 電性信號的視頻信號，由電性信號供給墊分歧並供給至信 號線驅動電路50内之相異區域。連接墊群CPDp包含與信號 線驅動電路50連接之邏輯端子或檢查端子等。視頻信號' 時脈信號、及開始脈衝信號分別輸入至信號線驅動電路 時’驅動構成信號線驅動電路5〇之位移暫存器，由位移暫 存器輸出。藉由解析該輸出判別信號線驅動電路5〇是否正 93776-941007.doc -15- 1252927 常。 由以上所記載，可電性檢查掃描線驅動電路4〇及信號線 驅動電路50。藉由將驅動信號供給至掃描線驅動電路4〇及 乜唬線驅動電路50，可於像素電極p充電電荷，可如同上述 進行電子束之檢查。 成為檢查對象之陣列基板1〇1，具有驅動電路亦可，該驅 動電路係裝入基板上，並包含於掃描線γ供給驅動信號之掃 描線驅動電路40及於信號線χ供給驅動信號之信號線驅動 電路50之至少一者之驅動電路。構成掃描線驅動電路及 信號線驅動電路50之TFT為不使用多晶矽者亦可。 產業上之利用可能性 依據本發明，可提供一種陣列基板檢查方法，其係可降 低檢查裝置之設計變更與修正機會，進而抑制液晶顯示面 板之產品價袼上升者。 【圖式簡單說明】 圖1係為說明陣列基板之檢查方法之流程圖。 圖2係具備陣列基板之液晶顯示面板之概略剖面圖。 圖3係表示圖2所示液晶顯示面板一部分之全體圖。 圖4係表示利用母基板構成之陣列基板之排列例之 圖。 圖5係圖4所示陣列基板之陣列基板主區塊之概略平面 圖。 圖6係擴大表示圖5所示陣列基板之像素區域一部分之概 略平面圖。 93776-941007.doc -16- 1252927 圖7係圖6所示具備陣列基板之液晶顯示面板之概略刮面 圖。 圖8係包含電性測試器之陣列基板檢查裝置之概略構成 圖0 圖9係表示成為檢查對象之陣列基板端部之例之平面圖。 圖1 〇係表示陣列基板之陣列基板主區域之變形例之概略 平面圖。
【主要元件符號說明】
100 母基板 101 , 陣列基板 101a 陣列基板主區域 101b 陣列基板副區域 102, 152 對向基板 103 液晶層 111， 151 基板 112 半導體膜 112a，112b 源極/汲極區域 113 輔助電容下部電極 114 閘極絕緣膜 115b 閘極 116 輔助電容線 117 層間絕緣膜 121 接觸電極 122 保護絕緣膜 93776-941007.doc -17- 1252927 124R，124G，124B 著色層 125 接觸孔 127 間隔材 131 辅助電容元件 160 接合材 161 液晶注入口 162 密封材 30 像素區域 40 掃描線驅動電路 50 信號線驅動電路 201 墊 203 像素部 301 電子線源 302 信號解析器 93776-941007.doc - 18 -

Claims (1)

1252927 十、申請專利範圍： 一種陣列基板檢查方 基板上之掃描線；與 成於前述掃描線與信 前述開關元件連接之 對前述掃描線供給驅 信號線供給驅動信號 電路之驅動電路部； 給墊者，其特徵在於 "人刖迅 前述掃描線交叉形成之信號線；形 號線之交又部附近之開關元件；與 像素電極；製入前述基板上並包^ 動仏號之掃描線驅動電路與對前述 之信號線驅動電路之至少一方驅動 及形成於前述基板上之電性信號供 對刖述驅動電路部供給電性信號，使前述驅動電路部 動作而對則述像素電極充填電荷；對已充填電荷之前述 像素電極照射電子束； 根據被知、射電子束之前述像素電極所放出之2次電子 之資汛，以對於前述像素電極進行相關之檢查； 對前述驅動電路部之電性信號供給係經由前述電性信 號供給塾進行； 前述電性信號係從前述電性信號供給墊分歧而被供給 至前述驅動電路部内之相異區域。 2·如申明專利範圍第丨項之陣列基板檢查方法，其中前述開 關το件及前述驅動電路部係包含使用多晶矽之電晶體而 構成。 3·如申睛專利摩已圍第！項之陣列基板檢查方法，纟中前述電 性信號係時脈信號。 4·如申请專利範圍第丨項之陣列基板檢查方法，其中前述電 93776 spec amend.doc 1252927 性信號係開始脈衝信號。 5.如申請專利範圍第1項之陣列基板檢查方法，其中前述驅 動電路部係掃描線驅動電路，前述掃描線驅動電路係製 入於前述基板上之多處。 93776 spec amend.doc 2-
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922500A (zh) * 2004-02-27 2007-02-28 东芝松下显示技术有限公司 检查阵列基板的方法及制造阵列基板的方法
KR20060116238A (ko) * 2004-03-03 2006-11-14 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 어레이 기판을 검사하는 방법
CN1930514A (zh) * 2004-03-05 2007-03-14 东芝松下显示技术有限公司 检查基板的方法、以及用于检查阵列基板的方法和装置
KR100708837B1 (ko) * 2004-05-24 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 패널 어레이의 화소 검사 방법 및 그 구동장치
JP2008164289A (ja) * 2005-05-18 2008-07-17 Koninkl Philips Electronics Nv 液晶表示装置試験回路およびこれを組み込んだ液晶表示装置、並びに液晶表示装置の試験方法
KR102665178B1 (ko) * 2016-09-21 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN109119356B (zh) 2018-08-22 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的检测设备及检测方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268638A (en) * 1991-07-15 1993-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD"
US5982190A (en) * 1998-02-04 1999-11-09 Toro-Lira; Guillermo L. Method to determine pixel condition on flat panel displays using an electron beam
JPH11242239A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の検査方法および液晶表示装置
JP3107039B2 (ja) * 1998-03-20 2000-11-06 日本電気株式会社 面光源プローバ装置及び検査方法
JP4276373B2 (ja) * 2000-12-07 2009-06-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の検査用回路、電気光学装置および電子機器
JPWO2004109375A1 (ja) * 2003-06-06 2006-07-20 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 基板の検査方法
KR100964620B1 (ko) * 2003-07-14 2010-06-22 삼성전자주식회사 하부기판용 모기판, 표시패널용 기판 및 표시패널의제조방법
JP4158199B2 (ja) * 2004-01-30 2008-10-01 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイ検査装置

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