TWI250059B - Laser processing method and equipment for printed circuit board - Google Patents

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1250059 九、發明說明： c發明所屬之技術領域3 本發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種印刷電路基板之雷射加工，特別 5 是’有關於一種欲在多層層積絕緣層與導電層之多層印刷 電路基板上，執行孔加工之最適宜之雷射加工方法及雷射 加工裝置。 習知技藝 10 一般而言，多層電路基板，係將絕緣層與導電層交互 層積而成。多數之電子電路為增加電路零組件之安裝密度 上，有其效果，因此，乃廣範使用如是之多層印刷電路基 板。 具體上，乃在多層印刷電路基板之絕緣層穿孔，且在 15 該孔埋入焊錫或導電性糊劑等，而連接鄰接之導電層間的 電路。 如是，習知之雷射加工裝置，係廣範使用利用雷射光 之加工技術，開啟絕緣層之孔。 又，雷射加工裝置多半使用長波長之雷射光。其因長 20 波長之雷射光對於絕緣層乃容易被吸收，而對於導電層則 容易被反射之故。例如，被加工物之絕緣層為摻入玻璃纖 維的玻璃環氧樹脂，而導電層為銅箔之場合，加工裝置就 使用二氧化碳氣體雷射，而僅將絕緣層以選擇性去除之方 式作加工。 1250059 欲在露出於印刷電路基板之銅箱的孔部之樹脂部開孔 之場合，雷射光多半會使表層之銅箔的孔部份從所設計之 標準的孔位置偏離。又，亦會使銅箔之孔部份成為異常之 形狀。 5 習知之雷射加工装置，縱使該銅箔之孔位置偏差，或 孔徑、孔形狀有異常，仍將印刷電路基板加工至最終階段。 其結果，在如疋之印刷電路基板安裝小型之電子零組件之 時，則，其尺寸不符合，且安裝之印刷基板不會作正常之 動作，而會成為不良品。因此，習知之雷射加工裝置，在 10 最後執行最終檢查而區別不良品。在其他之場合，習知之 雷射加工裝置事先在雷射作樹脂部之孔加工之前，追加利 用影像辨識處理等檢查表層之銅羯的孔位置、孔徑或孔形 狀之工程。 於如是之習知技術中，乃有如下述之問題。即：習知 15之雷射加工裝置，係於最終階段檢查印刷電路板，因此， 銅箱之孔位置有偏差，以及孔徑或孔形狀有異常之印刷電 路基板’即使不能使用，亦務必進行到最終階段為止之所 有的加工。其結果，變成浪費無效之工程，時間，材料以 及能源，而使總製造成本提高。 20 又’在雷射加工作樹脂部之開孔加工之前，加入利用 影像辨識裝置作孔位置與孔大小及形狀之確認工程之場 a ’就要追加前工程，因此，因該前工程乃有使製造時間 增加之問題存在。 本發明之目的 1250059 本發明之目的，係欲提供可解決該等習知問題之方法 或者裝置。本發明提供一種加工方法及裝置，不僅在印刷 電路基板之樹脂層作孔加工，且以加工用之雷射光，對各 個孔檢查表層之銅箔的孔位置、孔徑及孔形狀，而同時加 5 工樹脂層。 【發明内容1 解決課題之本發明的方法與裝置 欲解決上述問題，本發明提供一種雷射加工方法，係 利用雷射光加工對應於在被加工用之絕緣層之表層配置有 10 多數個孔之導電層之至少由2層所構成之電路基板的前述 孔部之絕緣層部。本發明之雷射加工方法或裝置，係在電 路基板上照射光，且檢測雷射光之反射光，若前述反射光 之檢測值偏離所望之值之異常值之場合，即終止對該絕緣 層部之異常孔部的雷射加工。又，雷射加工方法或裝置， 15 於前述反射光之檢測值為所望之值之時，即加工該孔部之 絕緣層。 圖式簡單說明 第1圖係表示本發明之一實施例的雷射加工方法之概 略圖。 20 第2圖係表示本發明之再一實施例之雷射加工方法的 概略圖。 第3圖係表示本發明之其他實施例之雷射加工方法的 概略圖。 第4圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 1250059 法之概略圖。 第5圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第6圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 5 法之概略圖。 第7圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第8圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 10 第9圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第10圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第11圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 15 法之概略圖。 第12圖係有關本發明之第1圖至第11圖之實施例的雷 射加工裝置，其係進行檢測被加工物之孔的位置偏差，孔 徑或孔形狀之異常的雷射加工裝置之一實施例的概略圖。 第13圖係表示對應於第1圖之雷射加工方法的本發明 20 之再一實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第14圖係表示對應於第2圖之雷射加工方法的本發明 之其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第15圖係表示對應於第3圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 1250059 第16圖係表示對應於第4圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第17圖係表示對應於第5圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 5 第18圖係表示對應於第6圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第19圖係表示對應於第7圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第20圖係表示對應於第8圖之雷射加工方法的本發明 10 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第21圖係表示對應於第9圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第22圖係表示對應於第10圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 15 第23圖係表示對應於第11圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 【實施方式I 本發明之實施態樣 參照圖面詳細說明。 20 第1圖係表示本發明之一實施例的雷射加工方法之概 略圖。 本發明之雷射加工裝置，一開始啟動，就經過：雷射 光輸出條件設定之步驟1 ;所望之雷射光照射次數，即，加 工次數NsD設定之步驟2 ;所望反射光檢測值設定之步驟 1250059 3 ;以及將照射次數，即，加卫次數㈣為零之初期化的步 驟4 ’等之動作步驟，而成為照射雷射光之步驟5。 雷射加工裝置在雷射加工開始前，其雷射輸出條件設 疋之步驟卜奴符合破加工物之雷射輸出條件。接著，雷 5 10 15 射光照射次數設定之步驟2，_ 乂，即設定所望之雷射光照射次 數，即，加工次數㈣。該照射次數，即，加工次數之設 定，係事先配合被加工物之絕緣層的材質，加工精密度， 精密加工後之品質目標而決 又。而且，檢測值設定之步驟 3，設定印刷電路基板之導雷 _的孔位置，孔大小及孔形狀 為正吊之場合的反射光之戶斤 、 厅望檢測值，且作為檢測值之判 斷基準。然後，初期化之步驟、， 驟4,百先，設定最初雷射光照 射-人數，即，加工次數Ns為雯。 雷射加工裝置乃於雷射 ,^ 射加工之步驟5,執行印刷電路基 板之加工。其次，雷射加工 展置、A由加工次數更新之步驟 6,而至加工次數判斷之步驟 夕鄉了。雷射加工裝置對於丨個孔照 射1次雷射光，則於加工次數 更新之步驟6，執行加工次數

Ns之更新(Ns=Ns+l)。而德 加工次數判斷之步驟7，即判 斷雷射加工裝置之雷射加工 一人數Ns是否為第1次。若為第1 次之照射之場合，即，加卫次數Ns為1(Ns=1)之場合，雷射 加工裝置从反射光_之步·，檢難被加工物之反射 光，且其狀銳移至所望檢測值判斷之步驟9。 另方面，雷射光之照射絲，即，加^數 次以外（Ns>l)時，雷射τ^ 裝置就移至照射次數判斷之步 驟10，並判斷雷射之照射次教， 卩，加工次數Ns是否達到 20 1250059 所設定值之所望之雷射光照射次數，即，加工次數NsD。 其次’於所望檢測值判斷之步驟9中，若縱被加工物反 射之反射光為所望之檢測值内之時，雷射加工裝置，就進 入雷射之照射次數判斷的步驟10，並判斷雷射之照射次 5 數’即’加工次數Ns是否達到設定值。另方面，於所望檢 測值判斷之步驟9中，若從被加工物反射之反射光非為所望 之檢測值之時，即，檢測值為異常值之時，雷射加工裝置 就移至雷射加工終了之步驟n，且立即終了雷射加工。藉 此’如是之異常的場合，雷射加工裝置由於立刻終了雷射 1〇 加工，因此，可省略其後的浪費加工。 於雷射之照射次數判斷之步驟1〇，若雷射之照射次 數，即，加工次數Ns未達設定值(Ns<NsD)之時，雷射加工 裝置就回到雷射加工之步驟5，且反覆其以後之步驟。於雷 射之射次數判斷之步驟1〇，若雷射之照射次數，即，加 15工次數Ns達到所望之設定值(Ns^NsD)之時，雷射加工裝置 就移到雷射加工終了之步驟u，並立即終了雷射加工。 如此，完成1個孔之加工。 利用第1圖之實施例的方法之雷射加工裝置或加工方 法係要進行至少由稱為導電層（例如，銅箔）與絕緣層（例 20如，树脂）之相鄰接之化學組成相異之兩層的印刷電路基板 之加工。其係欲提供對於在作為表層之導電層。所開設之 多數之孔部份的被加工物(絕緣層之樹脂），照射雷射光之雷 射加工方法。該雷射加工裝置，首先檢測從照射之雷射光 之被加工物反射之反射光，若其偏離所望之檢測值之場 1250059 合，即立刻終止雷封 — 作檢查—邊作加Γ Γ。猎此，該雷射加卫裝置能一邊 因此，其不僅作加 瞬前發現孔位置之切m 哺加工 «第墙之料。換言之， 喟之導電~_ 田射加玉裝置或加卫方法，係進行所 ° ⑽如’銅箔）與絕緣層⑽如，樹脂)之相鄰接而 化子=成為相異之至少兩層的印刷電路基板之加工。雷射 衣置對在作為表層之導電層所開設之多數孔部份的被 加工物(絕緣層之樹脂），照射雷射光而作雷射加工。由於檢 測於雷射加功因最初之雷射照射之反射光 ，因此，對銅 10 15

箱之孔的位置、孔徑或者孔形狀上有異常之場合，即，其

成為偏離所望之檢測值之異纽。若制出該異常值，則 雷射加工裝置就不進入絕緣層之加工，而立刻終止加工。 若反射光為正常之所望值之時，則雷射加工裝置就進入絕 緣層之加工。因此，該加工由於可一邊作檢查一邊作加工， 因此，可不必設置其他之檢查工程，就能在加工瞬前檢測 出該等被加工材料之異常狀態。 第2圖係表示本發明之再一實施例的雷射加工方法之 概略圖。於此，為避免重覆，僅說明與第1圖相異之第2圖 的部份。第2圖之雷射加工裝置與第1圖之實施例相異之處 2〇 % 為，若檢測出反射光之異常值之時，則將有關於該異常之 孔的位置之資訊留在記錄上。 在第2圖中，本發明之雷射加工裝置，於開始時，首先’ 以加工孔數設定步驟12，設定在印刷電路基板欲加工之孔 數NhD。接著，後續之步驟1〜步驟11因與第1圖者相同乃省 12 1250059 略其說明。 5 10 20 於雷射之照射次數判斷之步驟10，若雷射之照射次 數，即，加工次數Ns已達所望之設定值(Ns^NsD)之時，雷 射加工裝置就前進至其次之加工孔數更新之步驟14。加工 孑L數更新之步驟14，係將孔數他加1而作更新(Nh=Nh+l)， 、〕進至孔加工數判斷之步驟15。孔加工數判斷之步驟 15，即判斷孔數1^11是否成為所望數，若已達所望數 麵(職咖)之時，就移至其次之雷射加工終了步驟H， 而終了雷射加工。X，孔加工數判斷之步驟15，即判斷孔 fNh是否已達㈣數，若树所錄咖(你咖)之 N· ’就返回至最初之加卫孔數設定之步驟12，或者，雷射 光照射之㈣5’且反覆各處理步驟至使减灿絲所望數 NhD(Nh^NhD)為止。如此，完成所望數NhD之孔的加工。 於第2圖之所望檢測值判斷步驟9中，若從被加工物反 射之反射光非為所望之檢測值内之時，換言之，反射光為 異节值之0^ ’雷射加工裝置就前進至異常孔之位置記錄步 驟13。當異常孔之位置記錄步驟13記錄被加工物之異常位 置之後W射加工裝置即月進至加工孔更新步驟，而移 至其次之孔加4理。於該場合，於各雷射加X中，縱使 檢測出反射光為異常值之值’亦更新加工孔數。由於反覆 其所指定之孔數份，即，雷射加工裝置乃記錄檢測值均成 為異常值之射的異常之孔的位置制之資訊，且將檢測 值為正常值之孔全數作加工。於所有之正常的孔之加工完 成之時，就執行雷射加工之終了處理。

13 1250059 由於檢測於雷射加工中之最初之因雷射照射而成之反 射光，因此，於銅箔之孔的位置、孔徑或孔之形狀上有異 常之％合’不必設置其他之檢查工程，亦能判斷異常。而 且，檢測值成為異常值之所有之孔位置的記錄均作為資料 5留存，因此，該等記錄於加工後之重檢查或重加工等之後 工程，或者，於雷射光輸出條件步驟丨中，能利用為條件之 微調整與重設定。 並且，該加工乃一邊作檢查而一邊作雷射加工，因此， 不必設置其他之檢查工程，亦能於加工瞬前檢測該等被加 10 工材料的異常狀態。 第2圖，或者，於以後所要說明之所有的雷射加工之實 施例，對於1個孔，以脈衝狀且連續性反覆照射雷射，或者， 對於存在於某加工領域内之多數孔依序照射雷射均可以。 而於任一場合，雷射加工裝置均可獲得同樣之效果。 15 第3圖係表示本發明之其他實施例的雷射加工方法之 概略圖。於此為避免重覆，僅說明與第2圖相異之第3圖的 邛份。第3圖之實施例，係於第2圖之實施例之外，雷射加 工裝置，於反射光之檢測值為縱所望之值偏離的異常值之 %合，即終止對前述絕緣層之該異常孔部的雷射加工，且 2〇有關異常孔部之異常值的資訊亦留存於記錄。 在第3圖中，本發明之雷射加工裝置，於所望檢測值判 斷步驟9中，若從被加工物反射之反射光非為所望之檢測值 内，或為異常之值，則雷射加工裝置就前進至異常孔之位 置與檢测值記錄步驟16，該異常孔之位置與檢測值記錄步 1250059 驟16.己錄被加工物之異常的孔之位置、孔徑、孔形狀，以 吞專之異$之後，雷射加工裝置就前進至加工孔數更新 步驟14 且移至其次之孔加工處理 “場合’除於第2圖之實施例的場合之外，不僅記錄 成$所望之檢測值以外的所有異常之孔位置，且於加工時 •、占貝現異《之檢查。並且，由於有記錄異常之孔徑或孔之 形狀的數值，因此，在加工後之重檢查或重加工等之後工 ^或者’於雷射光輸出條件設定步驟1中，能利用於更詳 細正確之條件的微調整與重設定。 10 第4圖係表示本發明之另一其他實施例的雷射加工方 法之概略圖。於此為避免«，僅說明與第3圖相異之第4 圖的部份。第4圖之雷射加工方法，係在第3圖之方法之外 再加上將有關於異常孔部之位置或異常值之資訊，刻印在 電路基板之非加工部。 15 在第4圖中，本發明之雷射加工裝置，於孔加工數判斷 步驟15，若孔數Nh成為所望數NhD(Nh^NhD)之時，就前 進至其次之雷射刻印步驟17。雷射刻印步驟17，係將異常 孔之位置及A錄異常值步驟16所記錄之被加工物之異常的 孔之位置、孔徑及孔形狀之中的必要資訊，利用雷射將其 20以為文字或符號之資料刻印在被加工物之非加工區域。 於雷射刻印步驟17刻印完了之後，雷射加工裝置就麵 由雷射加工終了步驟11，而終了加工。 ； 圖之 置可 如上述，依據第4圖之實施例，即，除於第丨〜第3 實施例所說明之優點之外，在多層印刷基板之可見位 15 1250059 由目視確認以雷射所刻印之文字或符號之資料。固此，作 業者就能容易執行本實施例所加工之多層基板之重檢查或 重加工處理。即，在雷射加工裝置之雷射光輸出條件設定 步驟1中，作業者可參照該文字或符號之資料，同時，不僅 5可容易作孔位置之偏離或孔徑或孔形狀之異常檢查，並 且，能作正確之條件的微調整與重設定。 第5圖係表示本發明之再一其他實施例的雷射加工方 法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明與第4圖相異之第5 圖的部份。 _ 10 在第5圖中，本發明之雷射加工裝置，於所望檢測值判 断步驟9，若從被加工物反射之反射光非於所望之檢測值 内，或者，為異常之值時，則雷射加工裝置就前進至異常 孔之位置及異常值記憶步驟18。於異常孔之位置及異常值 記憶步驟18，就將有關異常孔之位置及異常值之資訊記憶 15在如硬碟之2次記憶裝置。異常孔之位置及異常值記憶步驟 18記憶被加工物之異常的孔之位置、孔徑、孔形狀、以及 該等之異常值之後，雷射加工裝置就移至記錄在其次之記 φ 錄機構之步驟19。在記錄於記錄機構之步驟19，乃將異常 之孔的位置、孔徑、孔形狀、以及該等之異常值等之資訊， 20變換為較易刻印之文字、數字或符號之資料，且作記錄。 當記錄在記錄機構之步驟終了之時，雷射加工裝置就前進 至加工孔數更新步驟14，且移至其次之孔加工處理。 於該場合，乃與第4圖之場合同樣，除於第1圖〜第3圖 之實施例所說明之優點之外，由於利用目視可以在多層印 16 1250059 刷基板可見之位置確認以雷射所刻印之文字、數字與符號 之資料，因此，可進行多層印刷基板之重檢查或重加工處 理。並且’記憶在硬碟等之記憶機構之資料，能活用在對 於多層印刷基板之異常處所的標記、事後之工程分析及品 5 質管理上。 又，在雷射加工裝置之雷射光輸出條件設定步驟丨中， 裝置之操作者可參照其文字資#，而能作正確條件之微調 及重設定。 第6圖係表示本發明之再一其他實施例的雷射加工方 10法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明與第$圖相異之第6 Θ之。卩伤。第6圖之實施例除第5圖之外，乃將有關異常孔 部之資訊之中有必要之資訊，刻印在該異常孔之近旁的非 加工部。 於第6圖，在雷射刻印步驟17，將文字、數字或符號之 15資料，在電路基板之非加工部刻印完了之後，雷射加工裝 置，乃在異常位置作標誌步驟20，就將從如硬碟之2次記情 裝置的，異常孔之位置及異常值記憶步驟18取得之資訊， 依據在記錄於記錄機構步驟19所變換記錄之資料，而在被 加，物之多層印刷基板之異常處所，以雷射附加記號。該 2〇 ^己说係，例如，包圍加工孔之圓狀的記號，或者，附加在 加工孔之近旁之點狀或圓狀的記號，或者，文字等。其後， ί力工裳置就經由雷射加工終了步驟11，而終了加工。 如上述，依據第6圖所示之實施例，由於除刻印第4圖 或第5圖之實施例之文字的資料之外，亦在異常之加工孔的 17 1250059 位置附加記號，是故，作業者可一邊觀看異常部，而能更 順暢進行重檢處理或重加工。本實施例以雷射刻印異常之 資料或異常處所，但，以打印台或墨水等作記號亦可獲得 同樣之效果。 5 第7圖係表示本發明之再一其他實施例的雷射加工方 法的概略圖。於此為避免重覆，僅說明與第6圖相異之第7 圖的部份。 於第7圖之雷射加工裝置，係將第6圖之反射光檢測步 驟8，置換為反射光峰值檢測步驟21。 10 雷射加工裝置，於反射光峰值檢測步驟21，檢測從被 加工物之多層印刷電路基板反射的反射光之峰值，且以該 值作為檢測值使用。其後，雷射加工裝置就將狀態移至所 望檢測值判斷步驟9 ’該實施例由於使用反射光之峰值，因 此’可提高雷射加工裝置之加工精度，增加加工速度，而 15 可作高品質之加工。 第8圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明在第8圖中與第7圖 之實施例相異之部份。在第8圖中，實施例，係對於第7圖 以反射光峰值作為其檢測值使用之事，係從反射光與入射 20光之雙方得到檢測值。 於第8圖之雷射加工裝置，將第7圖之反射光峰值檢測 乂驟21置換為入射光一反射光峰值檢測步驟22，及反射 光/入射光比檢测步驟23。入射光一反射光峰值檢測步驟 22，係用以檢測照射至被加工物之入射光及由其反射之反 18 Ϊ250059 射光的峰值。反射光/入射光比檢測步驟23，係以反射光之 峰值對入射光峰值之比，即，以反射光峰值/入射光峰值作 為檢測值(檢測值=反射光峰值/入射光峰值)並傳達至其次 之所望檢測值判斷步驟9。於雷射加工裝置，其以後以及其 5 他之處理與第7圖同樣。 該實施例係使用反射光之峰值對入射光峰值之比，因 此，更可提升雷射加工裝置之加工精密度，增加加工速度， 而作高品質之加工。 第9圖係表示本發明之另一其他實施例的雷射加工方 1〇法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明與第7圖相異之第9 圖之部份。第9圖之實施例的雷射加工方法，與第7圖相異， 係檢測反射光之積分值，且以該積分值作為檢測值使用。 於第9圖之雷射加工裝置，係將第7圖之反射光峰值檢 測步驟21 ’置換為反射光之積分檢測步驟24。反射光之積 15分檢測步驟24，係用以檢測縱被加工物反射之反射光的積 分值。雷射加工裝置，係以反射光之積分檢測步驟24所獲 得之反射光的積分值作為檢測值，並將其傳達至其次之所 望檢測值判斷步驟9。於雷射加工裝置，其以後以及其他之 處理，與第7圖或第8圖為同樣。該實施例由於使用反射光 之積分值，因此，雷射加工裝置就可穩定動作。 第⑺圖係表示本發明之另一其他實施例的雷射加工方 法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明於第10圖中與第9圖 之實施例相異之部份。第10圖之實施例與第9圖相異，其雷 射加工方法，係檢測反射光之積分值與入射光之積分值的 Ϊ250059 雙方，且將反射光之積分值以入射光的積分值作除算之值 作為檢測值使用。 在第10圖之雷射加工裝置，係將第9圖之反射光之積分 檢測步驟24 ’置7換為入射光與反射光之積分值檢測步驟 5 25 ;及反射光/入射光比檢測步驟26。入射光與反射光之積 分值檢測步驟25 ’係用以檢測照射被加工物之入射光以及 由其反射光的積分值。反射光/入射光比檢測步驟26，係為 排除雷射之輸出不均，乃作正規化處理，且計算相對於入 射光之積分值的反射光之積分值之比，並作為檢測值(檢測 着 10值=反射光之積分值/入射光之積分值）。雷射加工裝置就將 該檢測值傳達至其次之所望檢測值判斷步驟9。於第1〇圖之 雷射加工裝置，在其以後以及其他之處理乃與第9圖為同 該實施例，由於使用反射光之積分值對於入射光之積 15分值之比，因此，不僅更能提升雷射加工裝置之加工精度i 增加加工速度，並作高品質之加工，且可成為穩定之運作。

第11圖係表不本發明之另一其他實施例的雷射加工方 塌I 法之概略圖。於此為避免重覆，僅說明在第u圖中與第⑺ 圖之實施例相異之部份。其他之步驟因與第10圖之實施例 ’ 20同樣，由此，於此省略其說明。第11圖之實施例與第1〇圖 - 相異，其雷射加工方法，係訂定檢測值之所望值的下限值 與上限值，若檢測值位於該等下限值與上限值之範圍外之 時，就判斷為異常值。 本發明之雷射加工裝置，係經過所望之雷射光照射次 20 1250059 數NsD設定步驟2，及其次之上限值設定步驟27，而後進人 下限值設定步驟28。該上限值設定與下限值設定之順序相 逆亦可以。上限值設定步驟27，係設定於加工時所欲檢測 之所望的檢測值之上限值。又，下限值設定步驟28，係用 5 以設定於加工時所欲檢測之所望之檢測值的下限值。 另方面，於反射光/入射光比檢測步驟26之後，雷射加 工裝置乃前進至所望檢測值判斷步驟29。所望檢測值判斷 步驟29，係對於縱被加工物反射之反射光與照射被加工物 之入射光，判斷該等檢測值是否在於所望之下限值與所望 10 之上限值之間。於此，被加工物之檢測值從所望下限值進 入上限值之檢測範圍内之場合（下限值^檢測值^上限 值），雷射加工裝置就進入照射次數判斷步驟10。若被加工 物之檢測值非從所望下限值進入上限值之檢測範圍内之場 合(下限值>檢測值，或，檢測值>上限值），雷射加工裝置， 15於異常記憶步驟18，記憶被加工物之異常之孔的位置、孔 徑、孔形狀、以及、該等之數值之後，就移至其次之記錄 在記錄機構步驟19。 如上述，依據本實施例，判斷被加工物之檢測值是否 在所望之下限值與所望之上限值之間而作雷射加工，因 20此’不僅可提升雷射加工裝置之加工精密度、增加加工速 度且作高品質之加工，而且，亦可成為順暢而穩定運作。 第12圖係有關於本發明之第1圖至第11圖之實施例的 替射加工方法與裝置之補充說明圖，其係檢測被加工物之 孔的位置偏差、孔徑或孔形狀之異常的雷射加工裝置之一 21 1250059 實施例的概略圖。第12圖因關於第1圖至第11圖大約為其同 之内容之故，乃於此共同作說明。 雷射振盪器30係產生雷射光31。光束分裂器32係將雷 射光31分為2個光束。光束分裂器32反射該雷射光31之大部 5 份，而獲得反射雷射光321，另外，透過殘餘之雷射光31而 獲得透過雷射光322。該反射雷射光321傳輸至雷射加工 部。透過雷射光322乃使用於修正雷射之輸出變動之用。 聚光透鏡33，用以聚光於光束分裂器32所獲得之透過 雷射光322 ’並傳送至入射光檢測器34。入射光檢測器34， 10 於檢測透過雷射光322之後，利用放大器45放大，且獲得入 射光信號451，並將其傳送至演算處理裝置47。 薄膜偏光器（TFP)35，用以將反射雷射光321作偏光分 離。薄膜偏光器（TFP)35，將反射雷射光321之垂直方向的 偏光’向90度之方向反射，以獲得垂直偏光351。1/4板36， 15將垂直偏光351變換為圓偏光361。聚光透鏡38用以聚光圓 偏光361，而獲得聚光381。該聚光381用以照射印刷電路基 板37 ’且獲得反射光之同時亦作加工。 雷射加工中，聚光381利用露出於去除印刷電路基板37 之銅箱40之部份的絕緣層39之表面吸收。另方面，印刷電 2〇路基板37之銅箔4〇的部份，反射聚光381，而獲得反射光 41。對於正常之孔照射雷射光31之場合，雖能檢測從銅箔 表面反射之一定的反射光41，惟，在絕緣層39之部份就完 全不能檢測反射光41。但是，以蝕刻等將表層之銅箔4〇去 、&伤的孔(無銅杂之部份)之位置，由設計值或所望值偏 22 1250059 離之場合、孔之形狀有歪變之場合，或者，孔徑較小之場 合，則反射光41比特定值為大之機會較多。藉此，可檢測 孔之異常。雷射之聚光381，首先檢測該異常之後，再加工 絕緣層部而開孔。 5 反射光41利用印刷電路基板37之銅箔40的表面反射， 且返回至薄膜偏光器（TFP)35為止之雷射光路徑。聚光381 之雷射光利用銅箔表面反射之時，聚光381之圓偏光向量的 方向將逆轉。四分之一波長板（又/4板)36，將雷射之反射光 41變換為偏光面為水平方向之直線偏光352。此次，薄膜偏 10 光器（TFP)35透過直線偏光352。光束分裂器42乃減弱直線 偏光452之雷射強度。聚光透鏡43聚光被減弱之直線偏光 421，而獲得反射聚光431。反射光檢測器44用以檢測反射 聚光431。於此，光束分裂器42能因應通過薄膜偏光器 (TFP)35之雷射光的強度、以及能輸入於反射光檢測器44之 15 反射聚光431之強度，而可省略。 反射光檢測器44於檢測反射聚光431之雷射光之後，就 將由放大器46所放大之反射光信號461傳送至演算處理裝 置47。 演算處理裝置47，係將透過該入射光雷射31所獲得之 2〇 入射光信號451，及從反射光41所獲得之反射光信號461作 演算處理，而產生正規化信號471，並將該正規化信號471 送訊至孔判定部48。孔判定部48將正規化信號471與在檢測 基準值設定部49所獲得之判定基準491作比較，而獲得判定 信號48卜控制裝置50乃依據判定信號481，而產生控制信 23 1250059 號501 ’並利用該控制信號501控制雷射振盪器30，而修正 雷射之輸出的變動。 於檢測基準值設定部49,事先設定孔為正常之場合的 判定基準491。孔判定部48，於正規化信號471為在於該判 5 疋基準491值之内的場合，就判斷為正常之孔。若正規化侍 號471為在該判定基準491值之基準值外之場合，即判斷為 孔之位置有偏差或者於孔徑或形狀上有異常。 於此，以正規化信號471之製作方法為例，說明如下 例。演算處理裝置47係反射光信號461除以入射光信號 10 451，而產生正規化信號471(正規化信號=反射光信號，入射 光信號）。於此，反射光信號461之強度，因應必要而修正 信號。例如，實際之修正如下述。由印刷電路基板37之銅 箔40所反射之反射光，有時不會全部（100%)返回至反射光 檢測器44之場合。事先於如是之場合，對於印刷電路基板 15 37之加工位置，將反射光41返回之比率準備置於係數表， 而在母一加工位置之座標’就以該係數表為依據，修正反 射光信號461。例如，欲加工某座標之孔的場合，由該座標 所返回之反射光的比率為80%，且由反射光檢測器44所檢 測之反射光信號為8V之場合，該位置之係數成為〇·8。因 2〇 此，將8V除以該係數0.8之結果，反射光信號461就成為 8/0.8=10V。乃以如是方式修正。 於此，在本實施態樣乃使用放大器45或46進行信號之 放大，惟，若從入射光檢測器34或反射光檢測器44所輸送 之信號的大小充分之時，即未必需要放大器45或46。又， 1250059 雷射輸出機構，與脈衝雷射振盪器，加工對象物之關係上， 亦可使用以連續性放射雷射光之雷射振遭器。 亚且’在本實施例所使用之用以裝設印刷電路基板之 加工台，固定於裝置之加工台，或者，相對於裝置，例如， 5可在XY方向移動之加工台，均可獲得同樣之動作與效果。 又，光學系統之掃描鏡，可使用：檢流鏡、多面鏡、 使用音響光學元件之反射鏡、使用電氣光學it件之反射 鏡及王像圖掃描器等。無論使用該等之任一均可實現同 樣之動作及效果者。 10 15 20

並且，對於加工用聚光透鏡，可使用F0透鏡（多焦點 透鏡），單透鏡或將菲_透鏡(鏡頭）組合多數片之光學系 統。無論使賴等任—均可實關狀動作及效果。 又，加工孔方面，對於1個孔以連續性輸出雷射而作加 =，或對於存在於某加卫領域内之多數之孔照射雷射而進 仃加工之所謂的循環加工，均可獲得畴之動作及效果。

而且，於本實施例，係以在有異常之加工位置，利] 田射附加圓形魏等之場合為例作表示，惟，利用圖章: P子圓印等亦可獲得同樣之效果。又，對於有異常之加 位置的孔’彻人手附加記號亦可獲得同樣之效果。 又，在有異常之孔位置，若將攝影機(未圖 作移動，並使用符合之檢查用程式，則，作業者對於異 之孔的位置或狀频，可容胃作良好精度之確認。 即，雷射加工方法，具備：視頻攝影機^ 攝影機所攝影之影像的監控顯示器；以及用⑽設被加| 25 1250059 物之電路基板的加工台。該視頻攝影機與前述加工台之相 對I*生位置 >[列如，可在χ_γ方向移動。於檢查用之程式，具 備對應於雷射光之照射，而控制前述相對位置與視頻攝影 機之焦點的程式，且使視頻攝影機攝影雷射光照射中之加 5工位置的影像’且在前述監控顯示器之畫面上顯示前述加 工位置之狀態。 換言之，本發明之雷射加工裝置，更具備：視頻攝影 機；用以顯示由視頻攝影機所攝影之影像的監控顯示器； 用以裝設被加工物之電路基板的加卫台；使前述視頻攝影 10機與前述加工台之相肖位置可動之機構；以及，對應於雷 射光之照射而控制前述相對位置之機構。藉此，使視頻攝 影機攝影雷射光照射中之加工位置的影像，作業者，於監 控顯示器之畫面上，可確認前述加工位置之狀態。 又’在本發明之實施例，雷射振盪器30方面，可使用 15脈衝雷射振盪器或以連續性放射雷射光之雷射振盪器。 又，雷射之振盪模態之種類，及所使用之雷射的種類， 乃由加工對象物之印刷電路基板的材料決定。例如，印刷 電路基板為以玻璃纖維強化之樹脂基板的場合，就使用長 波長之雷射，例如，l〇.6/zm之二氧化碳(C02)氣體雷射， 20而於通常之樹脂基板之場合，就使用YAG雷射或激發雷射 等’或者，使用該等之第2次或第3次之高諧波。 上述之各項，對於前述之第1圖至第11圖之實施例，以 及將於下述之第13圖至第23圖之實施例均可適用。因此， 關於該等之說明於任一實施例均為同樣，故省略該等之反 26 1250059 覆說明。 第13圖係表示對應於第1圖之雷射加工方法的本發明 之再一實施例的雷射加工裝置之概略圖。 第13圖之雷射加工裝置，係利用雷射光加工，相當於 5在被加工用之絶緣層之表層配置有多數個孔之導電声之， 至少由2層所構成之電路基板的前述孔部之絕緣層部。該雷 射加工裝置，具備：用以照射雷射光之機構；用以檢測雷 射光之反射光的反射光檢測機構；若前述反射光之檢測值 為偏離所望之值之異常值之場合，就終止前述絕緣層部之 10雷射加工之機構；以及，前述反射光之檢測值為所望之值 之時，即加工相當於前述孔部之絕緣層部之機構。 雷射輸出設定機構101，用以設定雷射加工條件之雷射 輸出次數與雷射輸出條件。於此所設定之雷射輸出次數， 係表示於實際上加工被加工物之處所數。又，雷射輸出條 15件係表示對於各個加工位置之雷射的輸出能量或加工尺 寸。雷射輸出設定機構1(n，乃將包含該等之雷射輸出次數 與雷射輸出條件之加工條件，傳送至控制機構102。控制機 構102依據由雷射設定機構101所設定之加工條件，由雷射 輪出機構103將雷射光107輸出至光學系統1〇8。光學系統 1〇8將雷射光1〇7導引至被加工物之印刷電路基板1〇4。被導 被力物之雷射光107，首先要測試在加工之前於絕緣 層之加工部位在近旁的銅箔106之狀態。此時，印刷電路基 板104表面之鋼箔106,反射該最初之雷射光107,並將反射 光109返回至光學系統1〇8。在事先以蝕刻將銅箔去除之部 27 1250059 位，露出絕緣層105。該露出絕緣層105之部位，會吸收雷 射光107。由銅箔106所反射之反射光109,乃以與雷射照射 為相逆之光路前進，而至光學系統108。光學系統108乃以 位於内部之分離光學系統，分離反射光109。將以如是分離 5 之反射光成份1091，引導至反射光檢測器11〇。反射光檢測 器110檢測反射光109，而將反射光檢測信號1101送訊至放 大器111。放大器111放大反射光檢測信號1101，且送訊至 檢測判斷機構112。檢測判斷機構112將放大後之反射光檢 測信號1101與事先設定在檢查基準值設定機構113之所望 10 之判定值基準值1131作比較，而判斷放大後之反射光檢測 信號1101是否在所望之判定值基準值1131内。檢測判斷機 構112乃將其判斷結果1121傳送至控制機構102。控制機構 102於放大後之反射光檢測信號1101為所望之判定值基準 值1131之外的場合，就中斷雷射加工，而於放大後之反射 15 光檢測信號1101為在於所望之判定值基準值1131内之場 合，即繼續進行印刷電路基板104之絕緣層105孔加工。 由印刷電路基板37之銅箔106所反射之反射光109，有 以100%返回至反射光檢測器110之場合。與第12圖之實施 例同樣，事先予以應對有如是之場合，對於印刷電路基板 20 104之加工位置，將反射光1〇9返回之比率，準備成係數表， 而對欲加工之位置的各個座標，依據該係數表，而修正反 射光檢測信號11〇1。例如，欲加工某座標之孔之場合，設 從該座標返回之反射光之比率為80%，而由反射光檢測器 110所檢測之反射光信號1101為8V之場合，即該位置之係數 28 1250059 為0·8因此’ 8V除以該係數〇·8之結果，即，放大後之反射 光仏虎1101乃成為8V/0.8=10V。如是修正。 如上述’於銅箔之孔的位置、孔徑、或者，孔形狀上 有八#之場合，就中斷雷射加工。因此，不必設置其他之 5 則工程’而能判斷有無異常且能同時作加工。 第14圖係表示對應於第2圖之雷射加工方法之本發明 的其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。第14圖之實施 例’大部份與第13圖之實施例為同樣，因此，避開說明之 重覆。第I4圖之實施例，係追加記錄異常孔部之位置的位 着 10置記錄機構114,此與第13圖相異。因此，以位置記錄機構 114之部份為中心作說明。 檢測判斷機構112，將其判斷結果1121傳送至控制機構 102。控制機構1〇2，於放大後之反射光檢測信號11〇1為所 望之判定值基準值1131外之場合，就將其加工位置記錄在 15 位置記錄機構114，且中斷對該孔之雷射加工。控制機構 102，於放大後之反射光檢測信號11〇1為所望之判定值基準 值1131内之場合，即續行對該孔之加工。 鲁 如上述，依據本實施例，由於異常之孔的位置留存於 位置記錄機構，因此，可利用於加工終了後之再檢查、再 · 20 加工等之後續工程。其結果乃能提升綜合性之良率。 · 第15圖係表示對應於弟3圖之雷射加工方法之本發明 的另一實施例之雷射加工裝置的概略圖。第15圖之實施例 的雷射加工裝置，於用以記錄異常孔部之位置與異常值之 機構，即，位置-檢測值記錄機構115，置換第14圖之位置 29 1250059 吕己錄機構U4，此點與第14圖相異。第15圖之實施例，於其 他部份由於與第14圖之實施例為同樣，因此，為避開說明 之重覆，於此，以位置-檢測值記錄機構115為中心作說明。 檢測判斷機構112，將其判斷結果1121傳送至控制機構 5 102。控制機構1〇2，於放大後之反射光檢測信號11〇1為所 望之判定值基準值1131外之場合’即將其檢測結果之加工 位置與檢測值記錄在位置_檢測值記錄機構115，且中斷對 該孔之雷射加工。控制機構1〇2，於放大後之反射光檢測信 號1101為所望之判定值基準值1131内之場合，就繼續進行 10 對該孔之加工。 如上述，依據本實施例，於銅箔之孔的位置，以及孔 徑或形狀上有異常之場合，不必設置其他之檢查工程，亦 月b判斷異节。又’有留存異常之所有的孔位置及該等之檢 測值的記錄，因此，可利用於加工後之再檢查或再加工之 15 後工程。 第 之雷射加工方法之本發明 16圖係表示對應於第4 _ 20 的另一實施例之雷射加1置的概略圖。第關之實施例 的雷射加工裝置，具備：雷射之記錄機構117;以及將關於 異常孔部之位置及/或異常值之資關印在電路基板之非 加工部之機構，此點與第15圖相異。由於第關之實施例， 於其他部份與第關之實_為_，因此，明 之重覆，乃以與位置-檢測值記錄機構115有關連之雷射之 記錄記錄機構117及刻印之機構為中心作說明。 檢測判斷機構112， 等"、判斷結果1121傳送至控制機構 30 1250059 102。控制機構102，於放大後之反射光檢測信號1101為所 望之判定值基準值1131外之場合，就將其檢測結果的加工 位置與檢測值記錄在位置-檢測值記錄機構115，且中斷對 該孔之雷射加工。控制機構102，於放大後之反射光檢測信 5 號1101為所望之判定值基準值1131内之場合，即繼續進行 對該孔之加工。 雷射加工裝置，將至印刷電路基板1〇4上的所有之孔加 工完了為止一直反覆該動作。其結果，位置_檢測值記錄機 構115，就將有異常之所有之孔位置，孔形狀及孔徑等全部 10資料1151作記憶。當所有之孔加工終了之時，於最後，位 置-檢測值記錄機構115乃將該等資料1151傳送至雷射之記 錄機構117。雷射之記錄機構117，依據該等資料丨^而作 成刻印貧料1171，並傳送至控制機構1〇2。控制機構1〇2依 據刻印資料1171而控制雷射輸出機構1〇3與光學系統1〇8， 15且以刻印資料1171作為文字資料而刻印在被加工物之非加 工部。 如上述，依據本發明之實施例，作業者能將記憶在位 置·檢測值記錄機構115之資料1151，利用於加工後之再檢 一或再力ΠΟ!等之後卫程。不僅如此，由於作業者在印刷電 2〇路基板之表面能以目視確認以文字所刻印之刻印資料 口此，可依據刻印資料1171而更能順暢進行再檢查 或再加工處理。 第17圖係表示對應於第5圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。雷射加工裝置在 1250059 具備至少將異常孔部之位置與異常值之中的任一，記憶在 硬碟等2次記憶機構之記憶機構，即，位置_檢測值記憶機 構118方面，與第16圖相異。第17圖之實施例，於其他之部 份與弟16圖之實施例同樣，為避免說明之重覆，於此僅說 5 明與第16圖相異之部份，即，有關硬碟等之位置_檢測值記 憶機構118之部份。 檢測判斷機構112，將其判斷結果1121傳送至控制機構 102 °控制機構102，於放大後之反射光檢測信號11〇1為所 望之判定值基準值1131外之場合，即將其檢測結果之加工 10位置與檢測值等之資料1181記憶在位置-檢測值記憶機構 118 ’且中斷對該孔之雷射加工。控制機構102，於放大後 之反射光檢測信號1101為所望之判定值基準值1131内之場 合’就繼續進行對該孔之加工。位置-檢測值記憶機構118， 例如’使用如硬碟之記憶裝置，惟，其他之2次記憶裝置亦 15可使用。雷射之記錄裝置117，依據記憶在位置-檢測值記 憶機構118之資料1181，作成刻印資料1171，並傳送至控制 機構102。而其他之動作與第16圖同樣。 如上述，依據本發明之實施例，即，作業者能將記憶 在硬碟等之位置-檢測值記憶機構118之資料1181利用於加 2〇工後之再檢查或再加工等之後工程。例如，作業者由於可 利用目視讀認在印刷電路基板之表面以文字所刻印之刻印 貝料1171 ’因此’可依據刻印資料1171而更順暢進行再檢 查或再加工處理。不僅如此，記憶在硬碟等之位置_檢測值 η己錄機構118之貧料1181，由於能存入於其他之電腦等而作 32 1250059 資訊處理’因此’資料對於工程管理或品質管理上有 功效。 第18圖係表示對應於第6圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。第18圖之雷射加 5工裝置在具備’將有關於異常孔部之資關印在該異常孔 的近旁之非加工部的機構’即’對異常處所作加印處理機 構仍方面，與第17圖相異。第18圖之實施例，於其他之邱 ㈣與第Π圖之實施例同樣，因此，為避免重覆說明，於 此以與第17圖相異之部份，即，追加之對異常處所之的 ^ 10 處理機構119為中心作說明。 對異常處所之加印處理機構119,係將記憶在硬碟等之 位置檢測值記憶機構118之資料1181改變為騎資料。該等 之中，例如，將異常處所之位置資料1182，改變為刻印\ 加工孔之周圍之圓記號，文字、數字、其他之記號等之刻 15印貝料1191。當然，不限定位置資料，而刻印有關於異常 值之資訊亦可以。控制機構1()2，依據該刻印資料⑽，控 制雷射輸出機構1〇3及光學系統1〇8並在印刷電路基板⑽ 鲁 之異常部近旁的非使用部之表關印圓記號、文字、數字、 其他之記號等。 20 作業者，觀看該刻印確認加王之異常，另方面，參㉟ 位置-檢測值記錄機構118之資料，不僅能更快速再檢 查印刷電路基板1〇4,並且，能確實檢查或者修正加工印刷 電路基板1〇4。其結果，藉此，可使印刷電路基板之良率提 升0 33 1250059 第19圖係表示對應於第7圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。該雷射加工裝置 係將檢測反射光之峰值的機構12〇與第18圖之反射光檢測 機構110相置換，且以該峰值作為檢測值使用，與第18圖相 5異。第19圖之實施例，於其他之部份與第is圖之實施例同 樣，因此，為避免說明之重覆，於此以與第18圖相異之部 份’即’以有關反射光峰值檢測機構12〇之部份為中心作說 明。 雷射加工裝置於將要開始加工之前的模態檢查之時， 10由印刷電路基板104之銅箔106產生的反射光109，係以與雷 射照射光相逆之光路前進，而至光學系統1〇8。光學系統108 以在於内部之分離光學系統將反射光1〇9分離。將以如是分 離之反射光成份1091引導至反射光峰值檢測機構12〇。反射 光峰值檢測機構120就檢測反射光成份1〇91之峰值1201，並 15 將該反射光之峰值12〇1送訊至放大器1 η。雷射加工裝置之 以後的動作乃與前述之實施例同樣，因此，於此省略其說 如上述’依據本實施例’雷射加工裝置在檢查模態之 時，使用反射光之峰值1201，因此，可使檢查之速度與精 2〇 度提升。 第20圖係表示對應於第8圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。第20圖之雷射加 工裝置具備用以檢測反射光之峰值與入射光之峰值之機構 120與121，以及將反射光之峰值除以入射光的峰值之值作 34 1250059 為檢測值’此與弟19圖相異。弟20圖之實施例，其他之部 份與第19圖之實施例同樣，因此，為避免說明之重覆，於 此以與第19圖相異之部份’即’以追加之部份的入射光峰 值檢測機構121有關之部份為中心作說明。 5 雷射加工裝置於開始加工之前的模態檢查之時，由印 刷電路基板104之銅箔106產生之反射光109，以與雷射照射 光相逆之光路前進至光學系統108。光學系統108以位於内 部之分離光學系統，將反射光109分離。將以如是分離之反 射光成份1091，引導至反射光峰值檢測機構12〇。反射光峰 10 值檢測機構120乃檢測反射光成份1091之峰值1201，且將該 反射光之峰值1201送訊至放大器111。 另一方面，雷射加工裝置，將從利用光學系統1〇8所分 歧之雷射來的入射光之一部份1081，引導至入射光峰值檢 測機構121。在入射光峰值檢測機構121，檢測入射光之峰 15 值1211，且將其傳送至放大器111。放大器111將信號放大 後，傳送至檢測判斷機構112。 檢測判斷機構112為消除雷射之輸出變動，乃將反射光 峰值1201除以入射光峰值1211，以求其結果作為檢測值(檢 測值=反射光峰值，入射光峰值），並以事先設定在檢查基準 20值設定機構113之所望的判定值基準值1131作為根基，而判 斷檢測值是否在於所望之基準值内。檢查基準值設定機構 113乃將判斷結果1121傳送至控制機構102。以後之加工裝 置之構成與動作，與前述之實施例同樣，因此，省略詳細 之說明。 35 1250059 時，佶田 據本實施例，雷射加工裝置於模態檢查之 此，對、ΐ射光之峰值12G1與人射光之峰值1211之比，因 於雷射光之輸出之變動可穩 度與精度奸。 使檢查之逮 5 10

弟21圖係表示對應於第9圖之雷射加工方法的本發明 之另—實施_雷射加工裝置之概略圖。第21圖之雷射加 工裝置係以具備檢敎射光之積合值之機構122，以及，以 該積刀值作為檢測值之时面，與第㈣或第糊相異。 第21圖之實_，於其他之部份與第19®或第20圖之實施 例同樣，因此，為避免制之重覆，於此哺第19圖或第 20圖相異之部份’即’以反射光積分值檢測機構122有關之 部份為中心作說明。

雷射加工裝置於開始加工之前的模態檢查之時，由印 刷電路基板104之銅箔1〇6產生的反射光1〇9，係以與雷射照 15射光相逆之光路前進至光學系統108。光學系統108以位於 内部之分離光學系統，將反射光1〇9分離。並將以如是分離 之反射光成份1091，引導至反射光積分值檢測機構122。反 射光積分值檢測機構122為使因雜訊成份而產生之雷射之 輸出變動消除，乃積分反射光成份1091，且將該反射光之 20 積分檢測值1221傳送至放大|§ 111。以下之動作與前述之實 施例同樣，因此，於此省略其說明。 如上述，依據本實施例，雷射加工裝置於模態檢查之 時，因使用反射光之積分值1221，因此，相對於因雜訊而 產生之雷射光輸出之變動，可穩定地動作。 36 1250059 第22圖係表示對應於第10圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。第22圖之雷射加 工裝置，以具備檢測反射光之積分值與入射光之積分值之 機構122與123方面，以及將反射光之積分值除以入射光之 5 積分值之值作為檢測值之用之方面，與第20圖或第21圖相 異。第22圖之實施例，於其他之部份，與第21圖之實施例 同樣，因此，為避免說明之重覆，因此，於此以與第21圖 相異之部份，即，追加之部份的入射光積分值檢測機構123 有關之部份為中心作說明。 10 雷射加工裝置於開始加工之前的模態檢查之時，由印 刷電路基板104之銅箔106產生的反射光109,以與雷射照射 光相逆之光路前進至光學系統108。光學系統108乃以内部 之分離光學系統將反射光109分離。將如是分離之反射光成 份1091，引導至反射光積分值檢測器122。反射光積分值檢 15 測器122檢測反射光成份1091之積分值1221且將該反射光 之積分值1221送訊至放大器111。 另方面，雷射加工裝置將由光學系統108所分歧之雷射 來的入射光之一部份1081，引導至入射光積分檢測器123。 在入射光積分值檢測器123檢測入射光之積分值1231，並將 2〇 其傳送至放大器111。放大器111將訊號放大後，傳送至檢 測判斷機構112。 檢測判斷機構112為使雷射之輸出無變動，乃將反射光 積分值1221除以入射光積分值1231，以求出其結果作為檢 測值(檢測值=反射光積分值,入射光積分值），並將事先設定 37 1250059 在檢查基準值設定機構113之所望之判定值基準值1131作 為根基，而判斷檢測值是否在所望之基準值内。檢查基準 值設定機構113將判斷之結果1121傳送至控制機構102。以 後之雷射加工裝置之動作與前述之實施例同樣，因此，省 5 略詳細之說明。 如上述，依據本發明之實施例，雷射加工裝置於模態 檢查之時，由於使用反射光之積分值1221與入射光之積分 值1231之比，因此，對於雜訊較穩定，而對於雷射光之輸 出的變動，可穩定地動作，並且，使檢查之速度與精度提 10 〇 第23圖係表示對應於第11圖之雷射加工方法的本發明 之另一實施例的雷射加工裝置之概略圖。第23圖之雷射加 工方法係以具備訂定所望值之下限值與上限值之機構124 方面，以及檢測值為在於該等下限值與上限值之範圍外時 15 就判斷為異常值方面，與第22圖相異。第23圖之實施例， 於其他之部份與第22圖之實施例相同，因此，為避免說明 之重覆，於此乃以追加在第22圖之部份的檢查基準值設定 機構124有關之部份為中心作說明。 該雷射加工裝置，在檢查基準值設定機構124，與第22 20 圖之場合相異，首先，設定所望之判定基準值的上限值與 下限值。檢測判斷機構112將該等所望之判定基準值的上限 值與下限值，與反射光積分值1221除以入射光積分值1231 之結果的檢測值（檢測值=反射光積分值3入射光積分值）作 比較。檢測判斷機構112判斷該檢測值是否由所望之基準值 38 !25〇〇59 的下限進至上限内，且將判斷之結果傳送至控制機構102。 雷射加工裝置於其以後之動作與前述之實施例同樣，因 此，於此省略其詳細說明。 如上述，依據本發明之實施例，雷射加工裝置於模態 ， 5檢查之時，由於使用反射光之積分值1221與入射光之積分 值1231之比，因此，對於雜訊較穩定，且對於雷射光之輸 出之變動，可穩定地動作，且使檢查之速度與精度提升。 並且’雷射加工裝置，於檢測判斷機構112因設定所望之判 定基準值之上限值與下限值，因此，限定檢查基準值設定 翁 1〇機構124之判斷對象範圍。因此，檢測判斷機構112能快速 作出其判斷結果。 依據本發明，雷射加工方法或裝置係檢測對被加工物 之最初的雷射知、射之反射光，因此，於孔加工之瞬前可判 別孔位置之偏差、孔徑或者孔形狀之異常。因此，本發明 15之雷射加工方法或裝置，不需要追加事前之檢查工程，就 能實施印刷電路基板之加工。又，本發明，於雷射加工後， 由於有存留有關異常孔的資料之記錄，因此，作業者在再 鲁 檢查或再加工時，就能容易且順利地確認有異常之位置與 異常之樣子。而且，在加工後之修正中，作業者不需進行 2〇利用焊錫或導電糊狀物之層間連接處理或最後產品檢查等 之浪費的處理。其結果，乃能改善印刷電路基板製造:間 、 歇時間，又，能抑制成本浪費之發生以及材料損失之浪費。 【圖式簡單明】 苐囷係表示本發明之一實施例的雷射力口工方法之概 39 1250059 略圖。 第2圖係表示本發明之再一實施例之雷射加工方法的 概略圖。 第3圖係表示本發明之其他實施例之雷射加工方法的 5 概略圖。 第4圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第5圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 10 第6圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第7圖係表示本發明之再一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第8圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 15 法之概略圖。 第9圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第10圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 20 第11圖係表示本發明之另一其他實施例之雷射加工方 法之概略圖。 第12圖係有關本發明之第1圖至第11圖之實施例的雷 射加工裝置，其係進行檢測被加工物之孔的位置偏差，孔 徑或孔形狀之異常的雷射加工裝置之一實施例的概略圖。 1250059 第13圖係表示對應於第1圖之雷射加工方法的本發明 之再一實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第14圖係表示對應於第2圖之雷射加工方法的本發明 之其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 5 第15圖係表示對應於第3圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第16圖係表示對應於第4圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第17圖係表示對應於第5圖之雷射加工方法的本發明 10 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第18圖係表示對應於第6圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 第19圖係表示對應於第7圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置之概略圖。 15 第2 0圖係表示對應於第8圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第21圖係表示對應於第9圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第22圖係表示對應於第10圖之雷射加工方法的本發明 20 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 第23圖係表示對應於第11圖之雷射加工方法的本發明 之另一其他實施例之雷射加工裝置的概略圖。 【主要元件符號說明】 30…雷射振盪器 31、107…雷射光 1250059 32、 42…光束分裂器 117…雷射記錄機構 33、 38、43…聚光透鏡(鏡頭） 118…位置-檢測值記憶機構 34…入射光檢測器 35…薄膜偏光器(TFP) 36…λ/4板 37、104…印刷電路基板 39、 105…絕緣層 40、 106…銅箱 41、 109···(雷射)反射光 44…反射光檢測器 45、46、111…放大器 47…演算處理裝置 48…孔判定部 49…檢測基準值設定部 50…控制裝置 101…雷射輸出設定機構 102…控制機構 103···雷射輸出機構 108…光學系統 110···反射光檢測器 112···檢測判斷機構 113···檢查基準值設定機構 114···位置記錄機構 115…位置-檢測值記錄機構 119···異常處所加印處理機構 120…反射光峰值檢測機構 121…入射光峰值檢測機構 122···反射光之積分值檢測機 構 123…入射光積分值檢測機構 124…所望值之上下限值訂定 機構(檢查基準值設定機 構) 321···反射雷射光 322…透過雷射光 351···垂直偏光 352、421···直線偏光 361···圓偏光 381…聚光 431···反射聚光 451···入射光信號 461···反射光信號 471···正規化信號 481···判定信號 491···判定基準 501…控制信號

42 1250059 1081···入射光之一部份 1091…反射光成份 1101…反射光檢測信號 1121…判斷結果 1131···所望之判定值基準值 1151…所有資料(孔位置、孔形 狀、孔徑） 1171、1191…刻印資料 1181···資料(加工位置、檢測值) 1182…異常處所之位置資料 1201…反射光成份之峰值 1211…入射光峰值 1221…反射光之積分檢測值 1231…入射光積分值

43

Claims (1)

1250059 十、申請專利範圍： 1·一種雷射加工方法，係利用雷射光加工對應於在被加工 用之絕緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2層 所構成之電路基板之前述孔部之絕緣層部，之方法，其加 5 工方法之步驟包含： 照射步驟，係用以照射雷射光； 檢測步驟，係用以檢測前述雷射光之反射光； 終止加工步驟，係若前述反射光之檢測值為從所望之值偏 離的異常值之場合，即終止對前述絕緣層部之該異常孔部 φ 10 之雷射加工；及 加工步驟，係若前述反射光之檢測值為所望值時，就加工 前述孔部之該絕緣層部。 2· —種雷射加工方法，係利用雷射光加工對應於在被加工 用之絕緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2層 15所構成之電路基板之前述孔部之絕緣層部之方法，其加工 方法之步驟包含： 照射步驟，係用以照射雷射光； 寒 檢測步驟，係用以檢測前述雷射光之反射光； 、、、ς止加工步驟，係若前述反射光之檢測值為從所望之值偏 ， 20離之異常值的場合，即終止對前述絕緣層之該異常孔部之 雷射加工； 兄錄步驟’係用以記錄前述異常孔部之位置；及 加工步驟，係將雷射光照射於其次欲加工之孔部，並依據 雷射光之反射光的檢測值而前進至其次之雷射加工。 44 1250059 3·種雷射加工方法，其係利用雷射光加工對應於在被加 用之絶緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2 層所構成之電路基板之前述孔部之絕緣層部之方法，其加 工方法之步驟包含： 5照射步驟，係用以照射雷射光； 仏/貝J步驟’係用以檢測前述雷射光之反射光； 止加工步驟，係若前述反射光之檢測值為從所望之值偏 離之異系值的場合，就終止對前述絕緣層之該異常孔部的 雷射加:H ; 己錄步驟’係用以記錄前述異常孔部之異常值；及 带二驟係將雷射光照射於其次欲力口工之孔部，且依據 田射光之反射光的檢測值而前進至其次之雷射加工。 4·如申請專利範圍第2項之雷射加工方法，其中，更包含： 刻印步驟，係將有關於前述異常孔部之位置的資訊刻印在 15 電路基板之非加JL部。 5. 如申請專利範圍第3項之雷射加工方法其中更包含： 刻印步驟，係將有關於前述異常孔部之異常值的資訊刻印 在電路基板之非加工部。 6. 如申請專利範圍第2項之雷射加工方法，包含： 2〇記憶步驟，係將前述異常孔部之位置記憶在2次記憶機構。 7. 如申請專利範圍第3項之雷射加工方法，包含. 記憶步驟’係將前述騎孔部之異常值記憶在2次記憶機 構。 8. 如申請專利範圍第6項之雷射加工方法，包含： 45 1250059 刻印步驟，係將記憶在前述2次記憶機構之異常孔部的位置 有關之資訊，刻印在電路基板之非加工部。 9. 如申請專利範圍第7項之雷射加工方法，包含： 刻印步驟，係將記憶在前述2次記憶機構之異常孔部之異常 5 值有關之資訊，刻印在電路基板之非加工部。 10. 如申請專利範圍第4項、第5項、第8項及第9項中之任一 項的雷射加工方法，包含： 刻印步驟，係將有關異常孔部之資訊刻印在該異常孔的近 旁之非加工部。 10 11.如申請專利範圍第1項至第9項中之任一項的雷射加工 方法，包含： 檢測步驟，係用以檢測反射光之峰值；及 檢測值使用步驟，係使用前述峰值作為檢測值。 12. 如申請專利範圍第1項至第9項中之任一項的雷射加工 15 方法，包含： 檢測步驟，係用以檢測反射光之峰值與入射光之峰值；及 檢測值使用步驟，係將前述反射光之峰值除以前述入射光 之峰值所得之值作為檢測值使用。 13. 如申請專利範圍第1項至第9項中之任一項的雷射加工 20 方法，包含： 檢測步驟，係用以檢測反射光之積分值；及 檢測值使用步驟，係使用前述積分值作為檢測值。 14. 如申請專利範圍第1項至第9項中之任一項的雷射加工 方法，包含： 46 1250059 檢測步驟，係用以檢測反射光之積分值與入射光之積分 值；及 檢測值使用步驟，係將反射光之積分值除以入射光之積分 值所得之值作為檢測值使用。 5 15·如申請專利範圍第1項至第9項中之任一項的雷射加工 方法，包含： 訂定上下限值步驟，係用以訂定所望值之下限值與上限 值；及 判斷步驟’係於檢測值為在於該等下限值與上限值之範圍 10 外時，判斷為異常值。 ^ 一種雷射加工裝置，係利用雷射光加工對應於在被加工 用之絕緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2層 所構成之電路基板的前述孔部之絕緣層部，之裝置，其構 成包含： 15 照射機構，係用以照射雷射光； 反射光檢測機構，係用以檢測雷射光之反射光； 、、冬止加工機構，當前述反射光之檢測值為從所望之值偏離 之異常值的場合，即終止對前述絕緣層部之該異常孔部之 雷射加工；及 20加工機構，當前述反射光之檢測值為所望之值時，加工前 述孔部之該絕緣層部。 17·種雷射加工裝置，係利用雷射光加工對應於在被加工 用之絕緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2層 所構成之電路基板的前述孔部之絕緣層部，之裝置，其構 47 1250059 成包含： 照射機構，係用以照射雷射光； 反射光檢測機構，係用以檢測雷射光之反射光· 終止加工機構，當前述反射光之檢測值為從所望之值偏離 5 之異常值的場合，終止對前述絕緣層之該異常孔部之雷射 加工； 記錄機構，係用以記錄前述異常孔部之位置；及 加工機構，係將雷射光照射在其次欲加工之孔部，並依據 雷射光之反射光的檢測值，前進至其次之雷射加工。 10 18· 一種雷射加工裝置，係利用雷射光加工對應於在被加工 用之絕緣層之表層配設有多數個孔之導電層之至少由2層 所構成之電路基板的前述孔部之絕緣層部，之裝置，其構 成包含： 照射機構，係用以照射雷射光； 15 反射光檢測機構’係用以檢測雷射光之反射光； 終止加工機構，當前述反射光之檢測值為從所望之值偏離 之異常值的場合，終止對前述絕緣層之該異常孔部之雷射 加工； 記錄機構，係用以記錄前述異常孔部之異常值；及 20 加工機構，係將雷射光照射於其次欲加工之孔部，並依據 运射光之反射光的檢測值，前進至其次之雷射加工。 19·如申請專利範圍第17項之雷射加工裝置，包含： 記憶機構，係將前述異常孔部之位置記憶在2次記憶機構。 2〇·如申請專利範圍第18項之雷射加工裝置，包含： 48 1250059 記憶機構’係將前述異常孔部之異常值，記憶在2次記憶機 構。 21.如申請專利範圍第17項之雷射加工裝置，包含： 刻印機構，係將有關於前述異常孔部之位置的資訊，刻印 5 在電路基板之非加工部份。 22·如申請專利範圍第18項之雷射加工裝置，包含： 刻印機構，係將有關於前述異常孔部之異常值的資訊，刻 印在電路基板之非加工部份。 23·如申請專利範圍第19項之雷射加工裝置，包含： W刻印機構，係將記憶在前述2次記憶機構之異常孔部之位置 有關的資訊’刻印在電路基板之非加工部。 24·如申請專利範圍第2〇項之雷射加工裝置，包含： 刻印機構，係將記憶在前述2次記憶機構之異常孔的異常值 有關之資訊，刻印在電路基板之非加工部。 15 25·如申請專利範圍第21項、第22項、第23項及第24項中之 任一項的雷射加工裝置，包含： 刻印機構，係將有關於異常孔部之資訊刻印在該異常孔近 旁之非加工部。 26.如申請專利範圍第16項至第24項之中任一項的雷射加 20 工裝置，包含： 檢測機構’係用以檢測反射光之峰值；及 檢測值使用機構，係以該峰值作為檢測值使用。 27·如申明專利範圍第16項至第24項中之任一項的雷射加 工裝置，包含： 49 1250059 檢測機構，係用以檢測反射光之峰值與入射光之峰值；及 檢測值使用機構，係將反射光之峰值除以入射光之峰值所 付之值作為檢測值使用。 28.如申請專利範圍第16項至第24項中之任一項的雷射加 5 工裝置，包含： 檢測機構，係用以檢測反射光之積分值；及 檢測值使用機構，係以該積分值作為檢測值使用。 29·如申請專利範圍第16項至第以項中之任一項的雷射加 工裝置，包含·· 10檢測機構，係用讀測反射光之積分值及人射光之積分 值；及 ' 檢測值使用機構，係將反身十光之積分值除以入射光之積分 值所得之值作為檢測值使用。 、刀 30·如申請專利範圍第16項至第24項中之任—項的雷射加 15 工裝置，包含： 丁疋上下限值機構，係用以訂定所望值之下限值及上限 值；及 判斷異$值機構，當檢測值為在於該等下限值與上限值之 乾圍外時，即判斷為異常值。 2〇 31.如申請專利範圍第16項至第以項中之任一項的雷射加 工裝置，包含： 視頻攝影機； 監控顯示器，係用以顯示以視頻攝影機所攝影之影像；及 加工台，係用以装設被加工物之電路基板； 50 1250059 其更包含： 可動機構，係使前述視頻攝影機與前述加工台之相對性位 置形成可動； 控制機構，係對應雷射光之照射，而控制前述相對位置； 5 攝影機構，視頻攝影機攝影雷射光照射中之加工位置的影 像；及 顯示機構，係在前述監控顯示器之晝面上顯示前述加工位 置之狀態。 32.如申請專利範圍第16項至第24項中之任一項的雷射加 10 工裝置，包含： 視頻攝影機與顯示以視頻攝影機所攝影之影像之監控顯示 3Ξ. · 為， 加工台，係用以裝設被加工物之電路基板； 可動機構，係使前述視頻攝影機與前述加工台之相對性位 15 置形成可動； 控制機構，係對應雷射光之照射，而控制前述相對位置； 及 顯示機構，係使視頻攝影機攝影雷射光照射中之加工位置 的影像，並在前述監控顯示器之畫面上，顯示前述加工位 20 置之狀態。