JP5142252B2 - レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
開封には薬液、ドライエッチング等が用いられているが、薬液では廃液処理や装置腐食の問題があり、また、ドライエッチングでは加工速度が遅いという問題がある。
もし、レーザ加工によりプラスチックモールドを除去可能であれば、薬液を用いず、高速に開封処理可能である。しかし、レーザ加工は熱加工であるために、モールド除去と同時にICを傷つけてしまう恐れがある。また、ICサンプルが傾いて設置されている場合、あるいは、チップが傾いてモールド内に存在している場合には、ワーク位置、あるいは、チップ位置の計測は必須である。
したがって、ICチップを損傷させることなく、プラスチックモールドを高速に開封処理可能である。また、ICサンプルが傾いて設置されている場合、あるいは、チップが傾いてモールド内に存在している場合でも、ICチップを損傷させることがない。
さらに、前記モールドの最小厚さで薬液、ドライエッチングを用いる必要がある場合においても、従来工法に比べ飛躍的な薬液使用料の減少、加工時間の短縮が可能である。
このように構成すると、孔部を微小孔にするとともに、反射光が結像する位置(合焦位置)に孔部が位置するように遮蔽部材を配置することで、出力が安定しにくい焦点外の余分な反射光を除去することが可能になる。その結果、受光素子によって、反射光量をより精度良く測定できる。
このように構成すると、開封処理が必要であると判断された個所にのみ、加工用レーザを照射することができ、迅速・的確にプラスチックモールドの開封処理を行うことができる。
(1)ICチップを損傷させることなく、プラスチックモールドを高速に開封処理可能である。また、ICサンプルが傾いて設置されている場合、あるいは、チップが傾いてモールド内に存在している場合でも、ICチップを損傷させることがない。
さらに、前記モールドの最小厚さで薬液、ドライエッチングを用いる必要がある場合においても、従来工法に比べ飛躍的な薬液使用料の減少、加工時間の短縮が可能である。
(3)反射光量測定手段で測定される反射光量に基づいて、加工対象物の加工量(または加工状態)を検知する加工量検知手段(または加工状態検知手段)を備えることにより、加工用レーザ光の加工対象物への照射を的確に行うことができる。
(4)加工対象物で反射された計測用レーザ光の反射光の一部が通過する孔部が形成される遮蔽部材と、孔部を通過する反射光の光量を測定する受光素子とを備えることにより、出力が安定しにくい焦点外の余分な反射光を除去することが可能になる。その結果、受光素子によって、反射光量をより精度良く測定できる。
(5)反射光量測定手段を、加工用レーザ光が照射される加工対象物を撮影可能な撮像素子とすることにより、加工対象物に照射される加工用レーザ光の光軸に直交する方向での加工対象物の位置検出が可能になる。
図1は、本発明の実施の形態にかかるレーザ加工装置1の概略構成を模式的に示す図である。図2は、図1に示すワーク2がX方向で計測用レーザ光の焦点Fから外れた位置にあるときの状態を示す図である。
なお、加工用レーザ光および計測用レーザ光の光源を、それぞれ別個の専用光源とし、これらの光源を同軸に配置してもよい。その場合には、計測用レーザ光の出射光量を測定するための出射光量測定手段としての第1受光素子4を省略することができる。
また、レーザ加工装置1は、加工用レーザ光および計測用レーザ光の光軸方向で、レーザ光源3に対して、ワーク2よりも離れた位置に配置され、計測用レーザ光を反射する反射板9と、ワーク2を移動可能に保持する移動機構10と、レーザ加工装置1の各種の制御を行う制御部11とを備えている。
また、本形態では、ワーク2に照射されるレーザ光の光軸方向を加工表面に対して垂直にしているが、角度をつけ斜めに照射しても実施可能である。
なお、加工用レーザ光および計測用レーザ光の光源を、それぞれ別個の専用光源とした場合は、計測用レーザ光の出力は安定したものとなる。
図3は、図1に示すワーク2のZ方向の位置と、第2受光素子5で測定される反射光量との関係を示すグラフである。
(補正光量)=(第2受光素子5での反射光量)/(第1受光素子4での出射光量)
そして、ワーク2のZ方向位置との関係で、この補正光量が極大となる点を特定し、この極大点に対応するワーク2のZ方向位置を測定することで、計測用レーザ光の焦点FのZ方向位置が検出される。
なお、加工用レーザ光および計測用レーザ光の光源を、それぞれ別個の専用光源とした場合は、計測用レーザ光の出力は安定したものとなるので、計測用レーザ光の出射光量に基づいて、第2受光素子5で測定された反射光量を補正する必要はない。
図4は、図1に示す反射板9で計測用レーザ光が反射されたときに撮像素子7で撮影される映像の一例を示す図である。
図5は、図1に示すレーザ加工装置1でのワーク2の高さ計測の手順を示すフローチャートである。以上のように構成されたレーザ加工装置1では、以下のように、ワーク2の高さ計測を行う。
(1)図5におけるS2の後、ワークの形状・寸法から算出して加工が可能な位置にワークを設置する。
(2)加工の進行に伴う加工深さ変化に起因する照射レーザスポット変化が残留加工厚の測定に致命的な影響を及ぼさない光学系(焦点距離の長い集光レンズ等を配置)を用いる。
(3)ワークの形状・寸法から事前にワークの加工位置および加工量を決定し、加工の進行に伴い残留加工厚の測定に致命的な影響を与えない範囲で適宜Z方向にワークを移動させる。
図6は、加工対象物であるワークとして、例えば、ICを示したもので、(A)は、レーザ加工前のワークの断面の状態を、(B)は、レーザ加工途中のワークの断面状態を、(C)は、レーザ加工によりプラスチックモールドが開封されたワークの断面状態を示している。
図6(A)に示すように、IC30は、概略、トランジスタ、ダイオード、抵抗、キャパシタなどのICチップ31、ICチップを相互に電気的に接続する配線部材32、および、ICチップ31を覆うプラスチックモールド33から構成されている。
YAGレーザ(波長1064nm)、CO2レーザ(波長10.64μm)はICのモールド材料、基板用樹脂材料に吸収されるため型番マーキング等に多く利用されている。
一方、配線材料である銅、アルミの反射率を図7に示すと、YAGレーザでは銅、アルミ共に80%以上、CO2レーザでは95%以上と非常に高い反射率である。また、シリコン等からなるICチップ31もモールド材料にくらべてこれらのレーザ光をよく反射する。
なお、本発明の加工対象であるワークとしては、図6に示した多層複合材料に限らず、例えば、セラミックなどバルク材を混入した複合材料にも適用可能である。
今、図6(A)に示すIC30について、故障解析のため、ICチップ31の上方から開封するにあたり、IC30の上面34からレーザ加工を施すと、図6(B)および図6(C)に示すように、プラスチックモールド33が漸次除去されてICチップ31が露出、あるいは、それに近い状態までプラスチックモールド33の被覆が薄くなる。
図8に示すように、プラスチックモールド33の厚が大きい場合、照射された計測用レーザ光は、プラスチックモールド33に吸収され、比較的小さい光量の反射・散乱光が生ずる。加工が進行するとプラスチックモールド33からの反射・散乱光に加えプラスチックモールド33を透過したレーザがチップ31表面で反射・散乱される。これにより第2受光素子で受光する計測光量は増加する。プラスチックモールド33が無くなると反射率が比較的高いチップ31表面での反射・散乱光のみが計測されるため、計測光量は最大値を取る。この計測光量の変化を制御部11の加工状態検知手段でモニタすることで加工状態を把握することができる。
プラスチックモールド33の除去を、図6(C)のように完全に行う場合は図8のCで示す反射光量になるまで、また、図6(B)のように一部のプラスチックモールドを残す場合は図8(B)で示す反射光量になるまで、レーザ加工を行う。
今、XY方向の所定位置に置いてレーザ加工を行うと、プラスチックモールド33は順次除去されZ方向の高さが小さくなるが、新しい加工面にレーザの焦点が位置するように制御部11からの指令に基づき移動機構10がIC30を順次Z方向に移動する。 プラスチックモールド33のZ方向の除去割合が所定値に達すると、制御部11の指令に基づきレーザ照射は停止される。プラスチックモールド33の除去面積がレーザ光の照射面積に比べて広くXY方向の他の位置のレーザ加工が必要な場合は、制御部11からの指令に基づき移動機構10がIC30を所定のXY方向およびZ方向に移動し、続いて、レーザ照射が開始され、同様に加工を行う。
以上説明したように、本形態では、ICチップを損傷させることなく、プラスチックモールドを高速に開封処理可能である。また、ICサンプルが傾いて設置されている場合、あるいは、チップが傾いてモールド内に存在している場合でも、ICチップを損傷させることがない。
さらに、前記モールドの最小厚さで薬液、ドライエッチングを用いる必要がある場合においても、従来工法に比べ飛躍的な薬液使用料の減少、加工時間の短縮が可能である。
なお、加工用レーザ光および計測用レーザ光の光源を、それぞれ別個の専用光源とした場合は、計測用レーザ光の出力は安定したものとなるので、計測用レーザ光の出射光量に基づいて、第2受光素子5で測定された反射光量を補正する必要はない。
上述した形態では、ワーク2で反射された計測用レーザ光の反射光量は、第2受光素子5で測定されているが、計測用レーザ光の反射光量は、撮像素子7で測定されても良い。
また、計測用レーザ光の反射光量は、第2受光素子5と撮像素子7との両者で測定されても良い。ここで、撮像素子7に入射する反射光は、図9の実線で示すように、反射光の中心部が一番明るく、中心部から離れるにしたがって次第に暗くなる。そして、撮像素子7で撮影される反射光の映像において、所定の閾値t以上の明るさを有する領域が反射光のスポットとして特定され、特定されたスポットの明るさの総和が撮像素子7で測定される計測用レーザ光の反射光量となる。 また、第2受光素子5で反射光量が測定される場合と同様に、移動機構10でZ方向にワーク2を移動させながら、撮像素子7で計測用レーザ光の反射光量を測定して、ワーク2のZ方向位置との関係で、反射光量の極大点を特定することで、計測用レーザ光の焦点FのZ方向位置の検出が可能である。
2 ワーク(加工対象物)
3 レーザ光源(レーザ光出射手段)
4 第1受光素子(出射光特性測定手段、出射光量測定手段)
5 第2受光素子(反射光特性測定手段の一部、反射光量測定手段の一部、受光素子)
6 遮蔽部材(反射光特性測定手段の一部、反射光量測定手段の一部)
6a 微小孔(孔部)
7 撮像素子(反射光特性測定手段、反射光量測定手段)
8 光学系
9 反射板
10 移動機構
11 制御部(制御手段))
14 凹レンズ
15 凸レンズ
16 ビームエキスパンダー
17 第1ビームサンプラー
18 第2ビームサンプラー
19 対物レンズ
21 保持部
22 駆動部
30 IC
31 ICチップ
32 配線部材
33 プラスチックモールド
34 ICの上面
40 ガルバノスキャナ
50 移動機構
Claims (3)
- レーザ光の反射率の異なる複数の材料からなる複合材料を加工対象物としてレーザ加工する装置において、上記加工対象物の加工を行うための加工用レーザ光と上記加工対象物へ照射されるとともに上記加工用レーザ光よりも出力の小さな計測用レーザ光とを出射するレーザ光出射手段と、上記加工対象物で反射された上記計測用レーザ光の反射光量を測定するための反射光量測定手段と、該反射光量に基づいて制御する制御手段とを備え、
前記加工用レーザ光と前記計測用レーザ光とを出射するレーザ光出射手段を共通のものとし、両レーザ光は共通の光軸方向であるZ方向に照射されるとともに、加工用レーザ光の波長と計測用レーザ光の波長を等しくして、加工用レーザ光の焦点位置と計測用レーザ光の焦点位置を一致させ、上記レーザ光出射手段から出射された上記計測用レーザ光の出射光量を測定するための出射光量測定手段を備え、前記出射光量測定手段で測定される前記出射光量に基づいて、前記反射光量測定手段で測定される前記反射光量を補正する光量補正手段を備え、
計測時には、前記共通のレーザ光出射手段から出力の小さな計測用レーザ光のみを加工対象物の表面領域に照射し、前記反射光量測定手段で測定され前記光量補正手段で補正された反射光量に基づいて加工が必要とされる位置を検出し、加工時には該検出結果に基づいて前記共通のレーザ光出射手段から出力の大きな加工用レーザ光のみを照射するとともに、
さらに、加工状態検知手段を備え、該加工状態検知手段は、前記計測時に前記反射光量測定手段で測定され前記光量補正手段で補正された反射光量の変化に基づいて、前記複合材料の反射率の異なる材料が露出した加工状態であるか或いは反射率の異なる材料までの被覆が薄くなった加工状態であるかを検出することを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記反射光量測定手段は、前記加工対象物で反射された前記計測用レーザ光の反射光の一部が通過する孔部が形成される遮蔽部材と、上記孔部を通過する上記反射光の光量を測定する受光素子とを備えることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
- 前記反射光量測定手段は、前記加工用レーザ光が照射される前記加工対象物を撮影可能な撮像素子であることを特徴とする請求項1または2記載のレーザ加工装置。
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