TWI249168B - Multiple-time programmable electrical fuse utilizing MOS oxide breakdown - Google Patents

Description

1249168 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一利用金屬氧半導體（MOS)氧化層崩潰（oxide breakdown)原理的改良式可程式化電子融絲（programmable electrical flise )。 【先前技術】 融絲（fuse )與反融絲（antiflise)在現今半導體領域中是很重要的元件。 融絲與反融絲在一些應用中可以用來停止晶片中有缺陷的記憶體列並啟動 冗餘（redundant)的記憶體列以取代之，因此增加了這些半導體裝置的產 出率（manufacturing yield)。在另外一種應用中融絲與反融絲可厶用來啟 動與停止半導體裝置中的某些元件，使客戶得以從一般裝置建構出應用特 疋半‘脰衣置。更有另一種應用是將融絲與反融絲當成用來辨認半導體裝 置的獨特賴。雜技術可能的應狀—是賴辨識賊（radiQ_frequency identification tags )用的獨特序號電腦晶片。 為了適應這麼廣泛的應用’融絲與反融絲所f要的特性是，不必額外 製程就能製造且能可靠地啟動與停止。隨著需求的增加，必須可重覆程式 化與刪除程式化狀態。同時在待機模式（standbymQde)下具有極低肖 耗’並能在訊號感測時產生獨特且穩定的邏輯狀態。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供-利用金屬氧半導體氧化層崩潰原理的 可程式化電子闕。在-纽辦，該電子㈣只可程式化—次： 中邏輯狀態，藉以提供可改變的邏輯訊號。其中包含— = 可程式化金屬氧半導體，-具有料-閘寬度略小㈣ 的 屬氧半導體，以及-感測放大器連接___ “u金

0503-A30587TWF 6 1249168 化金職轉縣在程紅之前祕加—顧於其源極 二、:，至少會呈現開路狀態。因此當-偏壓施加於該可程式化和來 位半時，電流將透過參考金屬氧半導體以相關於第二閘寬度的 哭备何電流會透過可程式化金屬氧半導體消散。而感測放大 ° =断*過參考金屬氧半導體的電流較多，而魅-對應邏輯訊號。 式化柯程式化—次的電子融絲，—過電壓訊號被施加在該可 t 辨物使得射的氧鋪歸。當—驗施加_可程式化 j乳半導體的源極與汲極，該可程式化金屬氧半導體變成—具有第一問 iir二，該融絲被程式化之後’若—偏壓施加在該可程式化金 =:·綠。因第一閉寬度比第二問寬度略大’所=可 大:。二广+導體的電流會較通過參考金屬氧半導體的電流多。感測放 金屬氧半導體的電流較多，而產生-與初始邏輯 成就相反的邏輯訊號。

2另-實施例中，藉由使用平行排列的複數可程式化金屬氧半導體模 電子融絲可以被程式化與删除程式化麟許多次。更具體地說，複數 ^有弟-職度的第-可程式化金屬氧半導體模組平㈣列，並全部連接 錢測放大器的-終端。同樣地’複數亦具有第—閘寬度的第二可程式化 平η辦金屬氧半導體制（具有略小於第—職度的第二閘寬 =。該等第二可程式化金屬氧半導體·以及參寺金屬氧半導體模組則 連接至感測放大⑽另—終端。獅施加—過雜峨至該等第—可程式 2屬乳半賴模組其中之―，產生—通往地線端的通道，電子融絲可被 卷式化，其愤的職度（W1)較參考金魏半導體的職度㈤） 制除（erase)該電子融財程式化的狀態時，—過電_號施加 方^寻弟二可程式化金屬氧半導體模組其中之一，以產生一具有較第一金 屬氧半導體模_寬度（W1)大關寬度（W1+W2)的通往地線端的通道。 0503-A30587TWF 1249168 方;疋电路產生的邏輯訊號將還原到原始的狀態 複進行直到所有^ 私式化與刪除功能可重 斤有了金屬乳半導體皆被展開（expanded)。 [實施方式】 ====金魏轉職化㈣潰顧的可財化電子融 4。=屬乳肢在氧化層朋潰前後的特徵曲線係如第认圖和第汨 H1A圖係為正偏塵(f〇mard_biased)金 二 〇,, 105 ,,^2；；;：：^ D在氧_力事件之後，曲線ιι〇 和一、轉固定在飽和位準，無關於财i第ib _示逆偏麼 ^=lased)—峨彻在_彳1瞻細電流的關係。 ^ ^ 、不在氧化層應力事件之前，閘電壓和源極電流的關係，隨 者問祕增加’源極電流亦上升，直到到達飽和位準。在氧化層應力事件 之後，曲線㈣表示源極電流維持接近飽和位準，無關乎所施加的閘電壓。 由此可知，藉由施加夠數值的氧化層應力事件至―金屬氧半導體，可 以將該金屬氧半導體魏等效義路電路。金屬氧半導體氧化層崩潰 nung-Der Su? et al.5 rcharactenstics of 〇xlde Breakdown and Related Impact on Device of Ultra.Thin(2.2nm) sm〇on Dioxide」Japj.AppLPllys.，VaL42 (可程式化一次的電子融絲2〇〇3)。如附 件所示。 因氧化層崩潰的金屬氧半導體可輕易地將一開路電路轉變為等效的短 路，因此可有效應用在融絲或反電子融絲中。關於可程式化一次的電子融 絲200的一實施例在第2圖揭示。在一可程式化金屬氧半導體2〇5中，其 閘極和源極連接到地線端207。該可程式化金屬氧半導體2〇5可以是個短通 道（shortchannel)裝置，然而其他長度的通道也是可接受的。該通道長 度可以是從10nm到lOOOnm。該可程式化金屬氧半導體205的汲極連接至 0503-A30587TWF 8 1249168 一開關SWl，使可程式化金屬氧半導體205可透過PR端和EV端連接至對 應的一程式化裝置（programming apparatus) 210或感測放大器215。該程 式化裂置210可以包含-電位轉換器（levelshifter)或可提供過電壓至可= 式化金屬氧半導體205的一腳位，藉以使可程式化金屬氧半導體2〇5的氧 化層崩潰。過電壓訊號以G表示，其電壓範圍大約從〇 〇lv到ι〇ν。因2 田開關SW1連接至PR端，程式化裝置210可提供一過電塵訊號G至可程 式=金屬氧半導體2〇5的沒極，其位準足以使緊鄰該源極與沒極層的氧化 層崩潰，而可程式化金屬氧半導體205也因此成為一短路電路。該可程式 化至屬氧半$體2〇5具有閘見度w卜足以使一定量的電流流過該裝置。 "第2圖中的參考金屬氧半導體⑽亦可以是特徵曲線類似可程式化金 屬氧半導體205的-短通道裝置。該參考金屬氧半導體22〇具有閑寬度 W2 ’約略小於可程式化金屬氧半導體2〇5的閘寬度调。同樣地，該閘2 度wi和閘寬度W2的差異範圍約略在1〇nm^ 1〇〇〇nm之間。參考金屬氧 半導體22〇白勺源極連接到地線端222，而參考金屬氧半導體no的問極連接 到-提供計量電遷vEVAL的終端。參考金屬氧半導體MO的沒極連接到開關 SW2，該開關SW2可連接至一程式化/關閉端（pR端/〇則或一計量端⑽ 當茶考金屬氧半導體22㈣接到EV^，即接通至感測放大器犯。 感測放大器215量測流經可程式化金屬氧半導體2〇5和參考金屬氧半 導月d2〇的電流差異’以辨認航的邏輯狀態。感測放大器犯會操作在 兩種极式·預充電模式與計量模式。在預充電模式，邏輯位元線X和XBar 被拉到|考電壓Vref。在計量模式，比較兩條位元線放電速度的快慢，並 將其中的差異放大為一邏輯輸出訊號。雖然感測放大器215可能的實施例 在第2圖中揭露，熟悉此技藝人士應知電路可在量測位元線X和的電 流差異的精神下做各種變化應用。 在第2圖的實施例中，預充電模式下，預充電閘235將邏輯位元線Χ 和XBar的電位拉至參考電壓ν卿。該預充電閘235在預充電塵被施

0503-A30587TWF Ϊ249168 力日守啟動，而藉由將預充電壓VPRE降至低電位及啟動計量電壓Veval，計 1模式在預充電模式後立即啟動。該計量電壓Veval啟動計量閘225，使得 位元線X和XBar中儲存的偏壓被施加至EV端。同時開關SW1和開關SW2 亦連接至EV端。位元線X和xBar中儲存的偏壓將同時施加到可程式化金 屬氡半導體205和麥考金屬氧半導體220。因計量電壓Veval在計量模式時 被施加到參考金屬氧半導體220的閘極，參考金屬氧半導體22〇可視為一 具有閘見度to的短路電路。這使得電荷以一定速率儲存至位元線χΒ. 另-方面，可程式化金屬氧半導體2〇5在計量模式時會呈現出開路或短路， 係視氧化層是否崩潰而定。 如果可程式化金屬氧半導體2〇5的氧化層沒有崩潰，位元線XBar憎 存的偏壓將位元線X巾儲存的偏壓更快釋放。而差動放大器⑽將债測 兩位7L線之間的差異，使位元線X拉至高電位而施:拉至低電位。另一方 面，該可程式化金屬氧半導體2〇5的氧化層已崩潰時，因可程式化金屬氧 半導體205的閘寬度W1遠較參考金屬氧半導體22〇的閘寬度W2大，位元 線X中儲存的偏壓將較位元線XBar巾儲存的偏壓更快地被釋放。結果差動 放大器230使位元線X拉至低電位，而位元線XBar拉至高電位。 第3A圖和第3B _示了可程式化_次的電子融絲在程式化模式和計 量模式的時序圖。當第2圖所示之裝置處於程式化模式時，關讀和開 關SW2連接至PR端。在此情況下電壓號將以第3A圖所示之方式被施加 至裝置中。更具體地說，-過糕訊號G在時間#t2之間被施加。同時， 預充電壓vPRE被施加至感測放大器215以預充電該位元線。計量電壓 在程式化顧_在低電位，該過電壓訊號G使得可程式化金屬氧半導體 205的氧化層在源極與汲極層崩潰，在可程式化金屬氧半導體2〇5中形成短 路。在計量模式，開關SW1和開關SW2連接至―端。藉此可程式^金: 氧半導體205和參考金屬氧半導體220連接至感測放大器215的計量端。 0503-A30587TWF 10 1249168 方;疋叶量電墨vEVAL被施加至該裝置，使感測放大器215能夠侧適當的邏 輯狀態。 、昂4圖係-實施例顯示_可多次程式化的電子融絲。和第2圖之可程 式化次的電子融絲類似，該可多次程式化裝置包含—感測放大器 “5 ’程式化裝置410和參考金屬氧半導體42〇。然而為了達到多次程式化， 還包含了許多額外的元件。取代單—可程式化金屬氧半導體2G5的是，複 2可程式化金屬氧半導體模組奶。每一可程式化金屬氧半導體模組奶 可程式化金屬氧半導體4〇5，並可選擇性的包含額外金屬氧半導體 8第4圖中所示的例子，可程式化金屬氧半導體4〇5的閘寬度wi與額 =屬氧半導體樣的閘寬度W1相同。每一可程式化金屬氧半導體德 包各-閘極連接到地線端407，-源極連接到額外金屬氧半導體4〇8，以及 極連接到—關（例如sw卜助等）。每—額外金屬氧半導體· 包含-没極連接剩極，以及一源極連接到地線端·。然而如上所述，每 一額外金屬氧半導體408可以忽略不用。每一可程式化金屬氧半導體4〇5 ^先則可程式化金屬氧半導體2〇5的程式化方式是一樣的，亦即施加過電 壓到其雜上。更具體的說一開關⑷如SW1、SW2等）連接可程式化 金屬氧半導體405的沒極到-程式化裝置，以提供該可程式化金屬氧半 導體4〇5 -過電壓訊號G。經過特意的設計，一次只有一個可程式化金屬 氧半導體模組奶會接受到一過電壓。該過電壓訊號G使相鄰於源極和沒 極的氧化層崩潰，藉以使可程式化金屬氧半導體彻轉變成為一具有問寬 度wi的短路電路。雖然該額外金屬氧半導體4〇8亦承受了該過電壓訊號 G，卻不會造成氧化層崩潰，因為額外金屬氧半導體概的閘極和汲極相 連’使過電壓得以直接導向地線端4〇9。據此，此可多次程式化金屬氧半導 體的第-二欠程式化過程與可程式化一次的金屬氧半導體的程式化過程非常

相似。 0503-A30587TWF 11 1249168 藉由啟鮮行於參考麵氧半導體的可程式化 ^ ’該可多次程式化電路具有刪除已程式化的邏輯狀態的能力。更具體的 開關SW1 (第4圖中右例連接於可程式化金屬氧半導體模組仍）透 ^，應的PR端連接至程式刪除裝置。與程式化裝置2_似，該程式 刪除裝置430包含-電位轉換器或—可絲提供過健訊號r的腳位。者 絲該過R時，緊鄰可程式化金屬氧半導體他的源極和汲^ 氧化層將朋/Λ。接下來在計量綱㈣输咖π)，如第州右側所示， 因通在地線端的總閘寬度為Wl+W2，遠比第4圖左側可程式化金屬氧半導 月且拉j 425的閘見度大’儲存於位元線迎肛的偏壓將比儲存於位元線X 的偏敎快地被釋放。電流差異將被感測放大器415所測得，而產生位元 “為门電位而位元線XBar為低電位之邏輯訊號。此程式化與冊條程序可 以藉啟動第4 __可程式化金屬氧半導體而返覆進行。 弟5A、5B、5C、5D圖顯示各種程式化、刪除和計量模式的時序圖。 第5A圖顯示第-次程式化的時序圖。其中開關謂連接至pR端而並餘 開關（SW2，SW3 #，以及SW1，侧，等）皆連接請F。電壓訊號如 弟5A圖所示地施加到裝置上。更具體的說，一過電壓訊號g在時間^和 狀間施加到該裝置，同時，預充糕％被施加到感測放大器仍以預 充電位7L線X和XBar。計量電壓Veval和另一過電壓訊號R在程式化模式 期間維持低電位。該過電壓訊號G造成可程式化金屬氡半導體4〇5中的氧 化層在祕和_雜歸，使形成—短_路穿過可程式化金屬 體 405。

第5B圖顯示第-次刪除模式的時序圖。當第4财的裝置第—次被刪 除程式，開關SW1被連接至视端，而其餘開關（簡，，测等和 SW2,，SW3，#)連接擊F。電壓訊餘以第5B圖所顯示的方式送入該 裝置中’更具體地說，-過電壓峨u和t2之間送人裝置，同時 預充電壓vPRE被施加到感測放大器、415以預充電該位元線。該計量電壓 0503-A30587TWF 12 1249168 vEVAL和其他過電壓訊號 使可程式化金屬氧半導體 穿過可程式化金屬氧半導 訊號R 造成一 G在冊彳除柄式期間維持低電位。該過電尿 中的氧化層在源極和汲極區域崩潰， 體4〇5的短路電路。 吗綱不盯$模式的時序固。 模式發生彳4立職。#+(*料倾式或删除 SW2^) Evt： 1 "^(SW1 ^SW2'SW3 swr， 參考金屬氧半導_ 式化金屬氧半物驗奶和 ve饥施加到各金屬氧半導體裝置上以使减測Γ大==計量電麼 輯狀態。 U放大-415此夠偵測適當的邏 弟5D圖顯示第4圖中的裳置進行第二次程式化的 SW2連接至叹端而其侧（_，测等和讀，== 〇 !：： 唬G在牯間tl到t2之間輪入。同時預充兩 哭苔古A 才預充v™e被轭加到感測放大

7 、$ 線x和咖。計量電壓vEVAL和其他過電壓訊號R 在程式化期間維持低電位。過電壓訊號G使得可程式化金屬氧半特4〇5 的氧化層在源極和汲極區域崩潰，造成—穿越可程式化金屬氧半導體旦奶 的短路電路。 & 第5E圖顯示第二次删除模式的時序圖。當第4时的裝置做第二次刪 除程式動作時，開關SW2,連接至PR端而其餘開關⑽卜則，剛等 才SW1 SW3等）連接至〇FF。如此設定之下，電壓訊號以第犯圖所示 之方式輸人。更具體地說，-過電舰號R在時間u和（2之間輸入。同時 ，充電壓vPR£被施加到感測放大器415以預充電位元線χ和xBar。該計 量電屢Veval其餘過電壓訊號G在刪除模式期間維持低電位。該過電磨訊 號R造成可程式化金屬氧半導體4〇5中的氧化層在源極和汲極區域崩潰， 形成一穿越可程式化金屬氧半導體405的短路電路。 本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，

0503-A30587TWF 13 1249168 任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可做各種的更 動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 0503-A30587TWF 14 1249168 【圖式簡單說明】 氧半導體在氧化層崩潰前後的㈣游雜電 第1A圖係為正偏壓金屬 流關係圖； 第圖係為逆偏壓金屬氧半導體在氧 流關係圖； 貝則後的閘電壓/汲極電 ^ 2圖係為可程式化_次的電子融絲； f3A圖係材程式化_次的電子融絲的時序圖； 可程式化―:㈣電子麟、的計量模柄時序圖； ^圖係柯料化多次㈣子祕； l

第5B 式化多次的電子融絲的第—次程式化的時序圖. 弟诏圖係為可程式化多次的電子融 =， DC圖料可程式化多細電子祕的計量模序圖； 第5D圖係為可程式化多 /序圖， 第5E圖係;^ — 人程式化的時序圖；以及 為^式化多次的電子融絲的第二次刪除模式的時序圖。 【主要元件符號說明】

200〜可程式化-次的電子融絲； 207〜地線端； 215〜感測放大器； 222〜地線端； 225〜計量閘； 400〜可多次程式化裝置； 407〜地線端； 409〜地線端； 415〜感測放大器； 425〜可程式化金屬氧半導體模組； 205〜可程式化金屬氧半導體· 210〜程式化裝置； 220〜參考金屬氧半導體； 235〜預充電閘； 230〜差動放大器； 405〜可程式化金屬氧半導體； 408〜額外金屬氧半導體； 410〜程式化裝置； 420〜參考金屬氧半導體； 430〜程式刪除裝置。

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Claims (1)

1249168 十、申請專利範圍： 1.一電子融絲，包含： -可程式化金屬氧半導體，具有—第—閘寬度，包含_氧化層，當— 過電壓（overvoltage)施加於該可程式化的金屬氧半導體時，該氧化層;潰 (break down ); 、 -參考金屬氧轉體，具有H寬度，比該第一閘寬度略窄； 一感測放大器，用以量測施加於該可程式化金屬氧半導體與該參考金 屬氧半導體的電流之間的差異，並根據該氧化層是否崩潰而產生一邏輯訊 5虎， 产一第-開關，連接於該可程式化金屬氧半導體，用以將該可程式化金 屬氧半導體連接至-過電壓線或該感測放大器的一第一終端；以及 -第二Μ ’連接於該參考金屬氧半導體，用以將該參考金屬氧 體連接至該感測放大器的一第二終端。 、 2·如申請專利範圍第1項所述之電子融絲，其中： 该可程式化金屬氧半導體的源極與間極連接至一地線端； 5亥可程式化金屬氧半導體的汲極連接至該第一開關； 該苓考金屬氧半導體的源極連接至該地線端； 忒參考金屬氧半導體的閘極連接至一計量電壓線,·以及 忒參考金屬氧半導體的汲極連接至該第二開關。 3·如申請專利範圍第1項所述之電子融絲，其中該過電壓線連接至 位轉換器（level shifter )。 ' 《如申請糊鹏丨項職之電子_，其巾該過糕線連接至 電壓腳位。 巧 5. 如申請專利細第丨項所述之電子融絲，其中該可程式化金屬氧 體具有閘寬度在10nm到l〇〇〇nm之間。 、 6. 如申請專利範圍第5項所述之電子融絲，其中該參考金屬氧半導體具 0503-A30587TWF 16 1249168 有閘見度在l〇nm到l〇〇〇nm之間。 7.如申请專利範圍第1項所述之電子融絲，其中該感測放大器包含： 雙计$閘，各自連接於該第一、第二終端及一位元線，並共同連接 至一計量電壓線，以使得在施加一計量電壓時，該等位元線連接至對應的 该弟一終端及該第二終端； 一雙預充電閘，各自連接至對應的一參考電壓線、一位元線以及一預 充電壓線，以使得在施加一預充電壓時，該參考電壓被施加到該等位元線； 以及 、， -雙對立的絲反相器，連接至鱗位元線，峨得在細出該等位 元、泉之間的包壓差日守，其中一位元線被拉至高位準而另一位元線被拉至低 位準。 一 8·—電子融絲，包含·· 複數第-金屬氧半導體模組，個別包含具有—第_閘寬度的—第一可 程式化金屬氧半導體，其中該第一可程式化金屬氧半導體所包含的氧化 層，可在該第一可程式化金屬氧半導體被施加過電壓時崩潰； 複數第二金屬氧半導體模組，個別包含具有該第_閘寬度的—第二可 程式化金屬氧半導體，其中該第二可程式化金屬氧半導體所包含的氧化 層，可在该第二可程式化金屬氧半導體被施加過電壓時崩潰； 複數第-關，個職接於轉第—可程式化金屬氧半導體，用以使 該等第-可程式化金屬氧半導體侧連接至_第—過電壓線或—感測放大 器的一第一終端； -蒼考金屬氧半導體，具有略小於該第一鬧寬度的一第二間寬度，用 以連接至該感測放大器的一第二終端,· 複數第二開關，個別連接於該等第二可程式化金屬氧半導體，用以使 該等第二可程式化金屬氧半導體個別連接至—第二過電顯或該第二終 0503-A30587TWF 17 1249168 -感測放大器’用以量測施加於該第—終端與該第二終 並產生對應的邏輯訊號。 电肌差兴 9·如申請專利範圍第8項所述之電子融絲，其中·· 〜該等第-金屬氧半導體模組更進—步各自包含具有該第1寬产的一 弟-分流金屬鱗導體，連接於該第―可程式化金屬氧半導體，·以及又 …該等第二金屬氧半導體模組更進_步各自包含具有該第1寬度的一 第二分流金屬氧半導體，連接於該第二可程式化金屬氧半導體。又 1〇_如申5青專利範圍第9項所述之電子融絲，其中： «玄第-可％式化金屬氧半導體的閘極連接至一地線端； 及第可式化金屬氧半導體的祕連接至該第—分流金屬氧半導體 的 >及極和閘極； ’ 4第-可程式化金屬氧半導體的汲極連接至該等第_開關其中之一； 4第-可程式化金屬氧半導體和該第_分流金屬氧半導體具有該第一 閘寬度； 該第二可程式化金屬氧半導體的問極連接至該地線端； 名第一可耘式化金屬氧半導體的源極連接至該第二分流金屬氧半導體 的汲極和閘極； 该第二可程式化金屬氧半導體的沒極連接至該等第二開關其中之一； 該第二可程式化金屬氧半導體和該第二分流金屬氧半導體具有該第一 閘寬度； δ亥參考金屬氧半導體的源極連接至地線端；以及 该芩考金屬氧半導體的汲極連接至該第二終端。 11·如申請專利範圍第8項所述之電子融絲，其中： 該第一過電壓線連接至一第一電位轉換器；以及 该弟二過電壓線連接至一第二電位轉換器。 12.如申請專利範圍第8項所述之電子融絲，其中： 0503-A30587TWF 18 1249168 該第一過電壓線連接至一第一過電壓腳位；以及 該第二過電壓線連接至一第二過電壓腳位。 丨3·如申請翻顧第8項所述之電子融絲，其帽第—閘寬度的 在10nm到lOOOnm之間。 I4·如申#專利範圍第13項所述之電子融絲，其中該第二間寬度的範圍 在10nm到10〇〇nm之間。 I5·如申明專利範圍第8項所述之電子融絲，其中該感測放大器包含： 計量閘，各自連接於該第―、第二終端及—位元線，並共同連接 至-計量電壓線，]使得在施加—計量電壓時，鱗位元線連接至對應的 該第一終端及該第二終端； -雙預充電閘’各自連接至對應的—參考電壓線、—位元線以及一預 充電壓線，以使得在施加—預充電麟，該參考電壓被施加到該等位元線； 以及 雙對立的絲反相|g，連接至該等位元線，以使得在侧出該等位 凡線之間的電壓差時，其中—位元線被拉至高位準而另—位元線被拉至低 位準。 _ 16·-程式化電子融絲的方法，用於程式化一電子融絲，該電子融絲包 含具有m寬度的-可程式化金屬氧半導體，具有略少於該第一閘寬 又的第一閘見度的一參考金屬氧半導體，以及一感測放大器；該程式化 電子融絲的方法，包含下列步驟： 、施加-過電壓域至該可程式化金屬氧半導體，使該可程式化金屬氧 半導體中的氧化層崩潰； 施加一預充電壓至一雙位元線； 、首將該雙*元線個別連接至該可程式化金屬氧半導體和該參考金属氧半 導體’使4已齡之就電壓經由該等金屬氧半導體消散·， 利用该感測放大器量測該雙位元線之間的電流差異；以及 0503-A30587TWF 19 1249168 根據 忒雙位兀線之間電流差異的量測結果產生一邏輯气號 獅第16項所述之程式化電铜的^，其㈣ 過電壓訊號之步驟包含： 將。亥可私式化金屬氧半導體的源極連接至一過電壓線；以及 施加一過電壓訊號至該過電壓線。 队如申請專利範圍第16項所述之程式化電子融絲的方法，其中施加— 預充電Μ至-雙位元線的师更進—步包含啟動—雙預充電閘，使一參 琶壓訊號可施加於該雙位元線。 19.如申請專繼圍第16項所述之程式化電子融絲的方法，其中伊亥錐 ^線個別連接至該可程式化金屬氧半導體和該參考金屬氧轉體之步^ 將该可程式化金屬氧半導體的汲極連接至該感測放大器上的一第—软 端； ％ 將杯考金屬氧半導體的汲極連接至該感測放大器上的一第二終端； 施加-相電壓至-雙計量閘，使該雙位元線各別連接至該第一終端 和該第二終端；以及 施加-計量電壓至該參考金屬氧半導體的賴，使該第二終端和地線 端之間短路。 20.—程式化電子融絲的方法，該電子融絲包含複數第一金屬氧半導體 棋組’複數第二金屬氧半導麵組，_參考金屬氧半導體，以及—感測放 大為、’其中每-第-金屬氧半導體模組和第二金屬氧半導體模組具有一第 -閘見度’够考金屬氧半導體具有約略少於該第一閘寬度的一第二間寬 度，而該方法包含下列步驟： 施加第-過電壓動虎至該等第_金屬氧半導體模組其中之一，以使 得一可程式化金屬氧半導體中的氧化層崩潰； 施加一預充電壓至一雙位元線； 0503-A30587TWF 20 1249168 將該雙位元線其中之一連接至該等第一金屬氧半導體模組； 將該雙位元線另外之一連接至該參考金屬氧半導體和該等第二金屬氧 半導體模組； 透過對應的金屬氧半導體消散已儲存的預充電電壓； 利用該感測放大器量測該雙位元線之間的電流差異；以及 根據該雙位元線之間的電流差異量測結果產生一邏輯訊號。 21.—刪除電子融絲程式的方法，該電子融絲包含複數第一金屬氧半導 體模組，複數第二金屬氧半導體模組，一參考金屬氧半導體裝置，以及一 感測放大器，其中每一第一金屬氧半導體模組和第二金屬氧半導體模組具 有一第一閘寬度，該參考金屬氧半導體具有約略少於該第一閘寬度的一第 二閘寬度，而該方法包含下列步驟： 施加一第二過電壓訊號至該等第二金屬氧半導體模組其中之一，使一 可程式化金屬氧半導體中之氧化層崩潰； 施加一預充電壓至一雙位元線； 將該雙位元線其中之一連接至該等第一金屬氧半導體模組； 將該雙位元線另外之一連接至該參考金屬氧半導體和該等第二金屬氧 半導體模組； 透過對應的金屬氧半導體消散已儲存的預充電電壓； 利用該感測放大器量測該雙位元線之間的電流差異；以及 根據該雙位元線之間的電流差異量測結果產生一邏輯訊號。 0503-A30587TWF 21