TWI248943B - Photoresist polymer and photoresist composition containing the same - Google Patents

Photoresist polymer and photoresist composition containing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI248943B
TWI248943B TW093119323A TW93119323A TWI248943B TW I248943 B TWI248943 B TW I248943B TW 093119323 A TW093119323 A TW 093119323A TW 93119323 A TW93119323 A TW 93119323A TW I248943 B TWI248943 B TW I248943B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
formula
group
photoresist
doc
polymer
Prior art date
Application number
TW093119323A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200513792A (en
Inventor
Geun-Su Lee
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020030069898A external-priority patent/KR100638957B1/ko
Priority claimed from KR1020030094610A external-priority patent/KR100680406B1/ko
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of TW200513792A publication Critical patent/TW200513792A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI248943B publication Critical patent/TWI248943B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D327/00—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D327/02—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms one oxygen atom and one sulfur atom
    • C07D327/04—Five-membered rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Description

1248943 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關光阻聚合物及光阻組合物。更詳言之，係有 關本文所述之式1所示之化合物作為光阻單體、含彼等之光 阻聚合物、及具有優異之透射度、蝕刻抗性、熱抗性及黏 . 著性質、在13 0奈米（nm)以及丨93 nm及157nm波長之低光線 及收度及對顯影溶液具有高度親和性因而具有改良之線邊 緣粗糙度（後文稱為”LER”）之光阻組合物。 【先前技術】 ^ 為了使用作為ArF及VUV(真空紫外光）之光阻劑，光阻聚 合物及光阻組合物需具有在193 nm& 157 nm之低光線吸收 ， 度、優異之蝕刻抗性及對基材之黏著性質，且欲以2.38 wt% 及2.6Wt%TMAH溶液顯影。近來，更多研究已著眼於發展 在248 nm及193 nm波長下具有高透明度且具有類似酚醛樹 脂之敍刻抗性之樹脂。 然而，由於光阻材料厚度因為半導體裝置變得更微細而鲁 變更薄，因此難以改良圖案之LER。習知光阻材料在157nm 之波長亦具有強的光線吸收度，因此其不適合在157 11111波 - 長使用。 .
ArF光阻圖案中LER發生頻率比習知反^或^線光阻圖案 更頻繁。該習知KrF或I-線光阻材料包含酸性醇基而大部分 ArF光阻材料不包含酸性醇基。結果，由於ArF光阻材料對 · 鹼性顯影溶液具有低親和性，因此當使用ArF光阻材料時更 嚴重發生LER。 9404I.doc 1248943 為了解決上述問冑，已使用包括氟之聚乙烯及聚两婦酸 酉曰樹知。然而，此包括氟之聚乙烯及聚丙烯酸酯樹脂具有 低蝕刻抗性及對矽基材之黏著性質降低。 再者匕括氣之聚乙烯及聚丙烯酸酯樹脂不適合商業使 用因為其叩貝且其量產困難。再者，習知光阻聚合物之 保屢基在曝光後之供烤過程中被破壞，且當使用化學擴增 之光阻劑形成圖案時’會產生氣體，導致透鏡損壞。 當使用化學擴增之光阻劑形成圖案時，此現象之發生無 法避免’且卩通後製程之降低安定性導致半導體裝置產量降 低0 【發明内容】 本文揭不光阻聚合物，其具有優異之透射度、蝕刻抗性、 熱抗性及黏著性質、低光線吸收度及對顯影溶液具有高度 親和性因而獲得具有改良LER之圖案。 •適宜之光阻單體示於下式1 :
其中 R為 CH2、CHCH2或 C(CH2)2 ; 及R’Wia別為η或CH3 ; 94041 .doc 1248943 R,、R2、R3、1及115個別為 Η、F、C|_C2。烷基、C|_C2〇 全氟烧基、包括醚基（-O-^CVCm烷基、包括醚基（_〇_)之 Ci-Cu*氟院基、部分經F取代之烷基、或包括醚基 且部分經F取代之烷基；及 m為0至3範圍内之整數。 適宜之光阻聚合物包含式2所示之重複單元： [式2]
其中 R為 ch2、chch^c(ch2)2 ;
RiRn個別為 H4CH3 ; 、CpCso院基、C1-C20
Ri、R2、R3 ' r4及汉5個別為H、 全氟烧基、包括_基（_〇_)之cle>c 全齓烷基、包括醚基（_〇_)之C|_C2〇烷基、包括醚基之 C1 -C2()全氟烧基、 6<20全氟烷基、部分經？取代之Ci_C2Q烷基、或包括醚基 且部分經F取代之Ci-Cw烷基；及 m為0至3範圍内之整數且11為1〇至15〇範圍内之整數。 本文亦揭示包括上述光阻聚合物之光阻組合物及使用該 組合物形成光阻圖案之方法。 【實施方式】 阻組合物及使用該 酯化合物、包括該 本發明提供使用作為光阻單體之磺内 94041.doc 1248943 確内酯化合物之光阻聚合物及包括該聚合物之光阻組合 物。 使用作為光阻單體之該磺内酯以下式1表示：
其中 R為 CH2、CHCH24C(CH2)2 ; R’及R”個別為Η或CH3 ;
Ri R2、R3、R4及 R5個另,J 為 Η、F、C1-C20院基、C1-C20 全氟烧基、包括醚基烷基、包括醚基（-〇-)之 Ci-C2〇全氟烷基、部分經？取代之Ci_C2q烧基、或包括醚基 且部分經F取代之Ci-Cw烷基；及 m為0至3範圍内之整數。 本文中，式1所示之化合物可藉四面體，卷33，第ul3-1118頁（1977)及美國化學協會期刊，82，6181(196〇)所述之 方法合成。 較好，本發明中作為光阻單體之式丨化合物係選自式U If所組成之組群’其中m為〇。 工3至 94041.doc 1248943 [式 la]
〇
〇 ·〇 〇 [式 le]
>〇 94041.doc -9- 1248943 [式 if]
較好，式1化合物係選自式lg至1L所組成之組群，其中R 為CH2且m為1。 [式 lg]
94041.doc -10- 1248943 [式 ij]
又，本發明提供一種包括式2所示之重複單元之光阻聚合 物。 [式2]
R
其中 94041 .doc -11 - 1248943 R為 CH2、CHCH2*C(CH2)2 ; R’及Rn個別為H或CH3 ; R!、R2、R3、r4&r5個別為 H、F、Ci-C20烧基、Cl_c2〇 全氟烧基、包括醚基（-OOiCrCM烷基、包括醚基（-0-)之 全氟燒基、部分經17取代之Ci-C2G烧基、或包括醚基 且部分經F取代之Cl-C2()烷基；及 m為0至3範圍内之整數且η為1〇至15〇範圍内之整數。 由於本發明之光阻聚合物包括磺内酯基，因此該聚合物 對石夕基材具有高黏著性質且在丨93 nm及157 nm之波長具有 低吸收度。在烘烤製程中，藉曝光所產生之酸引起反應式 1(示於下文）所示之反應。據此，不會發生除氣反應（其為習 知化學擴增光阻劑之問題），因而避免透鏡損壞。再者，得 自包含上述反應所產生之磺酸之暴露區域之產物易溶於顯 影溶劑中，因而改良圖案之LER。 [反應式1]
式2之重複單元較好選自式2a至2L所組成之組群： 94041.doc 12 1248943 [式 2a]
[式 2d]
[式 2e]
94041.doc -13 - 1248943 [式 2f]
[式 2g]
[式 2i]
[式 2j]
94041.doc -14- 1248943 [式 2k]
[式 2L]
式2a至2L中，η為10至150之整數。 此外，本發明提供一種形成式2之聚合物之方法，包括下 列步驟： (a) 使式3化合物與式4化合物在鹽存在下反應，獲得式1 化合物；及 (b) 使式1化合物在聚合起始劑存在下聚合。 [式3]
R' [式4] \_ (Rbx 94041.doc 1248943 其中 R為 CH2、CHCH24C(CH2)2 ;
Rf及R"個別為H或CH3 ; 心、R2、R3、R4 及 115個別為H、F、CVC2()院基、Ci-C 全氟烷基、包括醚基（-〇-)2Cl-C2〇烷基、包括醚基卜〇_)之 Ci-Cw全氟烷基、部分經F取代之Ci-(：2G烷基、或包括醚基 且部分經F取代之CVCm烷基； 土 X為F、C1或Br ;及 m為0至3範圍内之整數。 該聚合反應為藉塊狀聚合反應或溶液聚合反應之方式所 進行之;杯離基聚合反應。如W0 96/37526(1996年11月28日） 所揭示，該聚合反應可利用金屬觸媒進行。 較好，步驟（a)中所用之鹽係選自由NaH、心如以、二異 丙基胺鋰（LDA)及LiH所組成之組群者。 較好，步驟（b)之聚合反應溶劑係選自由環己嗣、環戊酮、 四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基亞颯、二噚烷、甲美乙 基酮、苯、甲苯、二甲苯及其混合物所組成之組群。 此外，步驟（b)中所用之聚合起始劑較好選自由笨甲酿過 氧化物、2,2’-偶氮雙異丁腈（AIBN)、乙醯基過氧化物、月 桂基過氧化物、過氧乙酸第三丁酯、第三丁基過氧化氫及 二-第三丁基過氧化物所組成之組群。 藉上述方法所形成之聚合物較好使用選 〜θ 一 T峻、石油 醚、低碳醇如甲醇、乙醇及異丙醇、水及兑、、3 久具，力合物所組成 之組群之溶劑結晶及純化。 94041.doc 1248943 本^明之光阻聚合物包括式5所示之重複單元 [式5]
其中 R及R’個別為Cl_c5烷基；
Ri R2 R3、114及115個別為H、F、Ci_Cm烧基、Ci·% 全氟烷基、包括醚基（_〇_)之烷基、包括醚基（_〇_)之 匕弋⑼全氟烷基、部分經？取代之Ci_C2〇烷基、或包括醚基 且部分經F取代之Cl_C威基；但條件為若&、^及心均為 Η，則114及反5不為η ; η及m個別為0至3範圍内之整數；及 a ·· b之相對比例=15-99.9莫耳％ ·· 〇.1_85莫耳％，較好為 20-90莫耳％: 10-80 莫耳 ％。 較好，式5之重複單元係選自式5&至5χ所組成之組群： [式 5a]
94041 .doc 1248943 [式 5b]
[式 5c]
[式 5d]
[式 5e]
94041.doc -18- 1248943 [式 5f]
[式 5g]
[式 5h]
94041.doc -19- 1248943 [式 5i]
[式 5j]
[式 5k]
[式 5L]
94041 .doc -20- 1248943 [式 5m]
[式 5n]
[式 5〇]
[式 5p]
94041.doc -21 - 1248943 [式 5q]
[式 5r]
[式 5s]
[式 5t]
94041.doc -22- 1248943 [式 5u]
[式 5v]
[式 5w]
[式 5x]
式5a至5x中，a : b之相對比例=15-99.9莫耳％ : 0.1-85莫 94041.doc -23 - 1248943 耳％ 〇 八二之重複單元存在之莫耳比例相對於聚合物總莫耳百 1〇 95莫耳％:90-5莫耳❶7❶，較好為20，莫耳％:8。-2。 莫耳％。 示之第一重複單元及 較好，式5所示之聚合物包括式6a所 式6b所示之第二重複單元。 [式 6a]
〇 〇 [式 6b]
本毛明之水合物包括具有對鹼性顯影溶液具高度親和性 之酸性醇基。此外，由於本發明聚合物包括复原子，因此 可降低在習知混成類型光阻劑中所觀察到之在丨5? 之高 光線吸收度發生。 由於本發明之光阻聚合物包括磺内酯基，因此該聚合物 對石夕基材具有高黏著性質及在193 11111與157 nm之低吸收 94041.doc -24- 1248943 度。在烘烤步驟中，藉曝光產生之酸引起反應式2所示之反 應。據此，不會發生除氣反應（其為習知化學擴增光阻劑之 問題），因而避免透鏡損壞。 [反應式2]
此外，本發明包括-種形成式5之聚合物之方法，包括下 列步驟： ⑷使式7化合物與式8化合物在鹽存在下反應，獲得式9 化合物；及 [式7]
(b)使式9化合物與式難合物在聚合起始劑存在下聚合： [式8] (Rb"x 94041.doc -25- 1248943 [式9]
R5 [式 ίο]
f3c——一cf：3 OH 其中 R及R，個別為Cl_C5烷基； R1、R2、R3、心及心個別為Η、F、Ci_C2〇烧基、 全氟烷基、包括醚基（_〇_)之Ci_c2q烷基、包括醚基
CrCw全氟烷基、部分經？取代之Ci_Cm烷基、或包括麵我 且部分經F取代之Ci-C20烷基； 之 X為F、C1或Br ;及 η及m個別為〇至3範圍内之整數。 4 合反應為藉塊狀聚合反應或溶液聚合反應之方式所 進行之游離基聚合反應。如WO 96/37526(1996年11月28曰） 所揭不’該聚合反應可利用金屬觸媒進行。 較好，步驟（a)中所用之鹽係選自由NaH、n-BuLi、二異 丙基胺鋰（LDA)及LiH所組成之組群者。 較好，步驟（b)之聚合反應溶劑係選自由環己酮、環戊酮、 94041.doc -26- 1248943 四氫吱喃、二曱基曱醯胺、=曱基亞鐵、二^、甲基乙 基酮、苯、甲笨、二甲苯及其混合物所組成之組群。土 此外’步驟（b)中所用之聚合起始劑較好選自由苯甲酿過 氧化物、2,2，-偶氮雙異丁腈（AIBN)、⑽基過氧化物、月 桂基過氧化物、過氧乙酸第三丁酯、第三丁基過氧化氫及 一-第三丁基過氧化物所組成之組群。 藉上述方法所形成之聚合物較好使用選自二甲醚、石、、由 謎、低碳醇如甲醇、乙醇及異丙醇、水及其混合物所組成 之組群之溶劑結晶及純化。 再者，本發明提供一種光阻組合物，包括上述之光阻聚 合物、光酸產生劑及有機溶劑。該組合物可進一步包括伸 乙烯基或丙烯基為主之聚合物。 本發明之光阻組合物中可使用任何習知光酸產生劑，該 酸產生劑當曝光時可產生酸。有些習知光酸產生劑揭示於 美國專利號 5,212,043(5 月 18 日，1993年）、W0 97/33 198(9 月 12 曰，1997年）、W〇 96/37526(1 1 月 28 曰，1996年）、EP 0 794 458(9 月 10 日，1997年）、EP 0 789 278(8 月 13 日，1997 年）、美國專利號5,75 0,680(5月12曰，1998年）、美國專利號 6,051，678(4A18a，200(^)、GB 2,345,286 A(7A5a，2000 年）、美國專利號6，132,926(10月17曰，2000年）、美國專利 號 6，143,463(1 1 月 7 日，2000 年）、美國專利號 6，150,069(1 1 月21曰，2000年）、美國專利號6，180,316B1(1月30曰，2001 年）、美國專利號6,225,020 Bl(5月1曰，2001年）、美國專利 號6,235,448 Bl(5月22日，2001年）及美國專利號6,235,447 94041.doc -27- 1248943 B 1 (5月22日，200 1年）。該光酸產生劑大部分使用硫化物類 型或鑌鹽類型。 更好，該光酸產生劑係選自由酞二醯亞胺基三氟甲烷磺 内醋、二硝基苄基-甲苯績酸酯、正·癸基二颯及莕酿亞胺基 二氟甲燒續酸g旨所組成組群之在1 5 7 nm及1 9 3 nm具有低吸 收度者。又，該光酸產生劑又可選自由二苯基碘化物六氟 鱗酸鹽、二苯基碘化物六氟砷酸鹽、二苯基碘化物六氟銻 酸鹽、二苯基對-甲氧基苯基硫鑕三氟甲烷磺酸鹽、二苯基 對-甲苯基硫鑌三氟甲烷磺酸鹽、二苯基對·異丁基苯基硫鑌 二氟曱烧績酸鹽、三苯基硫鏆六氟砷酸鹽、三苯基硫鐳六 氟銻酸鹽、三苯基硫鏘三氟甲烷磺酸鹽及二丁基_莕基硫鑕 二氟甲烧磺酸鹽所組成之組群。該光酸產生劑較好之存在 量為佔光阻聚合物總重量之自0 05重量百分比（以％)至1〇 wt%。若該光酸產生劑存在量低於〇〇5 wt%，則會降低光阻 組合物之光敏感度。若該光酸產生劑存在量高於丨〇 wt〇/〇， 則因為其對遠紅外線之高吸收度及過量產生酸而導致形成 不良輪廓之圖案。 可使用任何有機溶劑，包含揭示於下列專利文獻之有些 習知有機溶劑：美國專利號5,212,〇43(5月18日，1993年）、 WO 97/33 198(9 月 12 日，1997年）、WO 96/3 75 26(1 1 月 28 曰， 1996年）、EP 0 794 458(9 月 10 日，1997年）、EP 0 7 89 278(8 月13日’ 1997年）、美國專利號5,750,680(5月12日，1998年）、 美國專利號6,051，678(4月 18 日，2000年）、GB 2,345,286 A(7 月5日’2000年）、美國專利號6，132,926(1〇月17日，2〇〇〇年）、 94041.doc -28- 1248943 美國專利號6，143,463(1 1月7日，2000年），美國專利號 6，150,069(1 1 月21日，200〇年），美國專利號6，18〇,316扪（1 月30日，2001年），美國專利號6,225,〇2〇 31(5月i日， 年），美國專利號6,235,448 Bl(5月22日，2001年）及美國專 利號6,235,447 B1(5月22日，2001年）。較好該有機溶劑係選 自由二乙二醇二乙醚、3_甲氧基丙酸甲酯、3_乙氧基丙酸乙 酯、丙二醇甲基醚乙酸g旨、環己酮、2_庚_及乳酸乙酿所 組成之組群。該有機溶劑存在量為光阻聚合物重量之自5〇〇
Wt%至2000 Wt%範圍，以獲得所需厚度之光阻薄膜。例如， 昌有機/谷劑存在量為光阻聚合物總重之約丨〇〇〇 w⑼之量 時，光阻薄膜厚度約〇·25微米（μηι)。 此外，本發明提供一種形成光阻圖案之方法，包括下列 步驟： (a) 將上述光阻組合物塗佈在欲蝕刻之底層之上面部位而 形成光阻薄膜； (b) 使光阻薄膜曝光； (0烘烤該曝光之光阻薄膜；及 (d)使該光阻薄膜顯影獲得光阻圖案。 上述方法在曝光步驟（b)之前可進一步包括額外之烘烤步 驟:本文中，料烤步驟在請。(：至2_範圍之溫度進行。 该曝光步驟係使用選自由KrF、⑽、euv(極遠紫外光 νυν(真空紫外水、^ ^ ” 先）、Ε-束' X-射線及離子束以及Ar所成組 群之光源，以备正ne a η ^ 、+ 方 A 刀 0.1 宅焦耳（mJ/cm2)至 1〇〇(mJ/cm2) 之曝光能量進行。 94041.doc -29- 1248943 该顯影步驟（d)較好使用驗顯影溶液如 水溶液以 0.01 wt%至5 wt%範圍之量進行。 此外，本發明提供一種藉上述之圖案化方法製造之半導 體裝置。 本發明之光阻聚合物及光阻組合物將參考下列非限制性 實例更詳細加以說明。 I·光阻聚合物之製備 f例1.式1 b化合物之合成i 〇·1 Μ之2,3,3-三甲基―丨’弘丙烷磺内酯在氮氣中溶於無水 四氫吱喃中，並於其中添加〇·1ΜΝαΗ。所製備之溶液擾摔 10分鐘’且接著於其中添加011 Μ乙烯基溴。所得混合物 在至溫進一步反應3小時。反應完成後，反應混合物經過濾 移除NaBr。接著使所得材料於二乙⑷戊烧混合溶液中沉 澱，獲得式lb化合物（產率：92%)。 貫例2 · 式1 c化合物之人成 進行實例1之相同程序，使用2,2’3,3-四甲基]，3-丙烧石黃 内S曰替代2,3’3-二甲基〈，弘丙烷磺内酯，並獲得式k之化合 物（產率：96%)。 實例3·式丄 $行實例1之相同程序，使用i’2’3,3-四甲基丙烷磺 内酉曰替代2,3,3_二甲基'i，3-丙烷磺内酯，並獲得式le之化合 物（產率：92%)。 實例 4. 進行實例1之相m J ^序，使用烯丙基溴替代乙烯基溴，並 94041 ‘doc -30- 1248943 獲得式lh之化合物（產率：％%)。 貫例5. 式1 i化合物之合a 進行實例2之相同程序，使用烯丙基溴替代乙烯基溴，並 獲得式li之化合物（產率：89%)。 實例6.式lk化合|之合成 進行實例3之相同程序，使用烯丙基溴替代乙烯基溴，並 獲得式Π之化合物（產率：87%)。 II·光阻聚合物之製備 貫例7·式2b化合物之合成 於30毫升四氫呋喃中添加〇〇5 M實例i所得之式lb化合 物及0.20克AIBN。所製備之混合物在65艺反應6小時。反應 完成後，於所得混合物中添加己烷使其成為固態。接著該 固體束乾，因而獲得式2b之聚合物（產率：53%)。 實例8 ·式2 c化合物之合成 於30毫升四氫呋喃中添加〇 〇5 μ實例2所得之式lc化合 物及0.20克AIBN。所製備之混合物在65它反應6小時。反應 完成後，於所得混合物中添加己烷使其成為固態。接著該 固體/東乾’因而獲得式2c之聚合物（產率：52%)。 支例9·式2e化合物之厶# 於30毫升四氫呋喃中添加〇〇5 μ實例3所得之式le化合 物及0.20克AIBN。所製備之混合物在65它反應6小時。反應 το成後，於所得混合物中添加己烧使其成為固態。接著該 固體凍乾，因而獲得式2e之聚合物（產率：53%)。 式2h化合物之厶# 94041 .doc 31 1248943 於3 0宅升四氫吱喃中添加〇. 〇 5 μ實例4所得之式1 h化合 物及0.20克AIBN。所製備之混合物在65t反應6小時。反應 完成後’於所得混合物中添加己烷使其成為固態。接著該 固體/東乾’因而獲得式2h之聚合物（產率：50%)。 實盤1丨·式2 i化金炎之合成 於30宅升四氫呋喃中添加〇〇5 M實例$所得之式丨丨化合物 及0.20克AIBN。所製備之混合物在65它反應6小時。反應完 成後’於所得混合物中添加己烷使其成為固態。接著該固 體;東乾’因而獲得式2i之聚合物（產率：5〇〇/〇)。 貫例—式2k化合物之合成 於30毫升四氫呋喃中添加〇·〇5 Μ實例6所得之式lk化合 物及0.20克AIBN。所製備之混合物在65弋反應6小時。反應 το成後，於所得混合物中添加己烷使其成為固態。接著該 固體凍乾，因而獲得式以之聚合物（產率：5〇0/〇)。 例13 : 化合物之公忐i (步驟1) 1 Μ之2,3,3_二甲基_1，3 -丙烧績内酯在氮氣中溶於無水 四虱呋喃中，並於其中添加〇1 MNaH。所製備之混合物攪 拌1〇分鐘，且接著於其中添加〇· 11 Μ烯丙基溴。所得混合 物在室溫進一步反應3小時。反應完成後，反應混合物經過 濾移除NaBr。接著使所得材料於二乙醚/戊烷中結晶，獲得 純態之2-(卜丙烯-3 —基）-3,4,4-三甲基磺内酯（產率·· 87%)。 (步驟2) 於30毫升四氫呋喃中添加〇·〇1 Μ步驟1所獲得之2-(i-丙 9404 丨.doc -32- 1248943 烯_3_基）-3,4,4-三甲基磺内酯、〇·〇5 Μ之4-羥基-4,4-二（三氟 甲基）丁烷及0·20克AIBN。所製備之混合物在65°C反應6小 時。反應完成後，於所得混合物中添加己烷使其成為固態。 接著該固體凍乾，因而獲得式5b之聚合物（產率：49%)。 實例I4· 式化合物之合成 於30毫升四氫呋喃中添加〇·〇ι μ實例13步驟1所獲得之 2-(1-丙烯-3-基）-3,4,4-三甲基磺内酯、〇·〇5 Μ之3-羥基-3,3-
二（三氟甲基）丙烯及0.20克ΑΙΒΝ。所製備之混合物在65 °C 反應6小時。反應完成後，於所得混合物中添加己烷使其成 為固態。接著該固體凍乾，因而獲得式5h之聚合物（產率： 50%) 〇 實例15 :式5c化合物之合# (步驟1) 〇·1 Μ之2,2,3,3_四甲基-1,3-丙烷磺内酯在氮氣中溶於無 水四氫呋喃中，並於其中添加〇. 1 M NaH。所製備之混合物 授拌10分鐘’且接著於其中添加〇·11 Μ烯丙基溴。所得混 合物在室溫進一步反應3小時。反應完成後，反應混合物經 過濾移除NaBr。接著使所得材料於二乙醚/戊烷中結晶，獲 得純悲之2-(1-丙烯-3-基）-3,3,4,4-四曱基磺内酯（產率： 87%) 〇 (步驟2) 於3〇毫升四氫呋喃中添加0 01 M步驟獲得之2_(1_丙 烯-3-基）-3,3,4,4-四甲基磺内酯、〇 〇5 M之扣羥基_4,4_二（三 氟甲基）丁烷及0.20克AIBN。所製備之混合物在6fC反應6 94041.doc -33· 1248943 小時。反應完成後，於所得混合物中添加己烷使其成為固 態。接著該固體凍乾，因而獲得式5c之聚合物（產率：49%)。 實例16.式5i化合物之合成 於30毫升四氫呋喃中添加0.01 Μ實例15步驟1所獲得之 2-(1-丙稀-3_基）-3,3，4,4-四甲基石黃内S旨、0·〇5 Μ之3 -經基 -3,3-二（三氟甲基）丙烯及0.20克ΑΙΒΝ。所製備之混合物在 6 5 °C反應6小時。反應完成後，於所得混合物中添加己烧使 其成為固態。接著該固體束乾，因而獲得式5i之聚合物（產 率：49%)。 III·光阻組合物之製備及形成光阻圖案 實例17. 於30克丙二醇曱基醚乙酸酯（PGMEA)中添加2克實例7製 備之聚合物、0.024克自太醯亞胺基三氟甲烧續酸酯及〇 〇6克 二笨基硫鏘二氟甲烧績酸鹽，兩者均為光酸產生劑。所得 混合物經0.20微米濾紙過濾，因而獲得本發明之光阻組合 物。 該光阻組合物旋轉塗佈在矽晶圓上形成光阻薄膜，並在 130C之烘箱中或熱板上軟烘烤9〇秒。烘烤後，該光阻薄膜 使用ArF雷射曝光儀曝光，且接著在13〇艺後烘烤9〇秒。經 烘烤之晶圓於2.38 wt% TMAH水溶液中顯影4〇秒獲得〇〇8 微米之L/S圖案（參見圖丨）。 實例18. 使用實例17之相同程序製備光阻組合&，但使用2克實例 8所得之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 94041.doc -34- 1248943 合物獲得0.08微米之l/S圖案（參見圖2)。 使用貫例1 7之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 9所彳于之χκ合物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 。物獲得〇.08微米之L/S圖案（參見圖3)。 使用實例1 7之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 10所侍之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 〇物獲仔〇·08微米之L/S圖案（參見圖4)。 使用實例17之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 于之永〇物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 合物獲得〇.〇8微米之L/s圖案（參見圖5)。 使2貫例17之相同程序製備光阻組合物，但使用]克實例 ^所付之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 &物獲得〇.〇δ微米之L/S圖案(參見圖6)。 實例 、丨7之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 13人驟（2)所得之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該 "°物獲知0.08微米之L/S圖案(參見圖7)。 實例ϋ 使用實例1 7 > i _ 之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 k 口物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 94041.doc -35- 1248943 合物獲得0.08微米之L/S圖案（參見圖8)。 豊例25. 使用實例17之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 15步驟（2)所得之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該 光阻組合物獲付〇 · 〇 8微米之L/S圖案（參見圖9)。 實例26. 使用貫例1 7之相同程序製備光阻組合物，但使用2克實例 16所得之聚合物替代實例7所得之聚合物，並使用該光阻組 合物獲得0·08微米之L/S圖案（參見圖1〇)。 如前所述，由於包括酸性醇基之本發明之光阻組合物對 驗性顯影溶液具有高親和性，因此可獲得具有改良Ler之 圖案。此外，包括氟及磺内酯之本發明之光阻組合物在193 nm及157 nm具有低光線吸收度，且在烘烤步驟中曝光後不 會引起脫氣反應，因此可避免透鏡之損壞。再者，由於本 發明之光阻組合物在193 nm及157 nm具有低光線吸收度， 因此可獲得優異之耐久性、蝕刻抗性、再製性及解析力、 4G、16G DRAM或更大以及小於ig DRAM之超微細圖案。 【圖式簡單說明】 圖1為說明實例1 7所得光阻圖案之照片。 圖2為說明實例1 8所得光阻圖案之照片。 圖3為說明實例1 9所得光阻圖案之照片。 圖4為說明實例2 0所得光阻圖案之照片。 圖5為說明實例2 1所得光阻圖案之照片。 圖6為說明實例2 2所得光阻圖案之照片。 94041.doc -36- 1248943 圖7為說明實例23所得光阻圖案之照片。 圖8為說明實例24所得光阻圖案之照片。 圖9為說明實例25所得光阻圖案之照片。 圖10為說明實例26所得光阻圖案之照片。 94041.doc 37-

Claims (1)

1248943 公告本 & 拾、申請專利範圍： 1 · 一種式1所 [式1] 示之化合物，其可用於光阻單體 (r)
R5 其中 R為 ch2、chch2或 c(ch2)2 ; R1及R”個別為Η或CH3 ; &、尺2、R3、114及1個別為H、F、Cl-C2()烷基、Cl-C2〇 全氟烷基、包括醚基（-〇-)之CVc^g烷基、包括醚基（_〇·） 之Ci-Cw*氟烷基、部分經F取代之Ci_C2G烷基、或包括 驗基且部分經F取代之烷基；及 m為0至3範圍内之整數。 2. 如申請專利範圍第1項之化合物，其中該化合物係 la至1L所組成之組群： 選自式 [式 la]
94041.doc 1248943 [式 lb]
[式 lc]
[式 Id]
[式 le]
[式 If]
94041.doc 1248943 [式 ig]
>〇 [式 lh]
ο [式 li]
ο ο
〇 94041 .doc 1248943 [式 1L]
3. 一種光阻聚合物，包括式2所示之重複單元： [式2] R
r5 其中 R為 CH2、CHCH2 或 C(CH2)2 ; R’及R"個別為Η或CH3 ; Ri、R2、R3、R4 及 R5 個另4為1^、F、C1-C20 烧基、C1-C20 全氣烧基、包括鍵基（-〇-)之C1-C20烧基、包括鍵基（-〇-) 全氟烷基、部分經F取代之CrC2Q烷基、或包括 醚基且部分經F取代之Ci-CM烷基；及 m為0至3範圍内之整數且η為10至150範圍内之整數。 4.如申請專利範圍第3項之光阻聚合物，其中該聚合物係選 自由式2a至2L所組成之組群： 94041.doc -4- 1248943 [式 2a]
[式 2c]
〇 〇 94041.doc 1248943 [式 2f]
[式 2g]
[式 2h]
[式 2j]
9404l.doc 1248943 [式 2k]
其中η為10至150之整數。 5.如申請專利範圍第3項之光阻聚合物，其中該聚合物包括 式5之重複單元： [式5]
其中 R及R’個別為CVC5烷基； Ri、R2、R3、R4及 R5個另]為 Η、F、C^-Cm烧基、Ci-Cw 全氟烷基、包括醚基（-OdiCrCM烷基、包括醚基（-0-) 之匕弋⑼全氟烷基、部分經F取代之Ci-C2Q烷基、或包括 1248943 醚基且部分經F取代之Ci-Cw烷基；但條件為若R!、R2及 R3均為Η，則R4及R5不為Η ; η及m個別為0至3範圍内之整數；及 a ·· b之相對比例=15-99.9莫耳。/〇 : 0.1-85莫耳％。 6.如申請專利範圍第5項之光阻聚合物，其中該聚合物係選 自式5a至5X所組成之組群： [式 5a]
[式 5b]
[式 5c]
94041.doc 1248943 [式 5d]
[式 5e]
[式 5f]
[式 5g]
94041.doc 1248943 [式 5h]
[式 5i]
[式 5j]
[式 5k]
94041.doc -10- 1248943 [式 5L]
[式 5m]
[式 5n]
[式 5〇]
[式 5p] 94041.doc -11 - 1248943
[式 5q]
[式 5r]
[式 5s]
[式 5t] 94041.doc -12- 1248943
[式 5u]
[式 5v]
[式 5w]
[式 5x] 94041.doc -13 - 1248943
b之相對比例=15-99.9莫耳％ : 〇·；μ85莫 如申凊專利範圍第5項之光阻聚合物，其中式5之重複單 一子在之莫耳比例相對於聚合物總莫耳百分比為1 0-95莫 耳％ : 90-5莫耳％。 、 8. -種形成申請專利範圍第3項之光阻聚合物之方法，包括 下列步驟： ⑷使式3化合物與式4化合物在鹽存在下反應，獲得心 化合物；及 ㈨使式1化合物在聚合起始劑存在下聚合形成式2之聚 合物： [式1]
[式2] 94041.doc 1248943 R
[式3]
R' [式4] \_ (Rtx 其中 R為 CH2、CHCH2 或 C(CH2)2 ; Rf及R1’個別為H4CH3 ; Ri、R2、R3、R4及 R5個另J 為 H、F、C^C^o烧基、Ci-C20 全氟烷基、包括醚基（-OdiCrCw烷基、包括醚基（-〇-) 全氟烷基、部分經F取代之Ci-Cw烷基、或包括 醚基且部分經F取代之Ci-Cw烷基； X為F、C1或Br ;及 m為0至3範圍内之整數且η為10至150範圍内之整數。 9. 一種形成如申請專利範圍第5項之光阻聚合物之方法，包 94041.doc -15- 1248943 括下列步驟： (a) 使式7化合物與式8化合物在鹽存在下反應，獲得式4 化合物；及 (b) 使式9化合物與式10化合物在聚合起始劑存在下聚 合形成式5之聚合物： [式7]
[式8]
[式9]
[式 10]
94041.doc -16- 1248943 [式5]
其中 R及R1個別為CVCs烷基； Ri、R2、R3、R4及 115個別為 η、F、基、CVCm 全氟烷基 '包括醚基（-〇-)之Cl_C2G烷基、包括醚基（-〇_) 之^/⑼全氟烷基、部分經]?取代之Ci-C2G烷基、或包括 醚基且部分經F取代之烷基，但是，假如Ri、以2及 R3全為H，則以4及1^5不同於H; X為F、C1或Br·;及n&m個別為〇至3範圍内之整數；及 a : b之相對比例=15-99·9莫耳。/。： 〇1_85莫耳％。 10.如申請專利範圍第8項之方法，其中步驟（幻中所用之鹽係 選自由NaH、n-BuLi、二異丙基胺鋰（lda)及LiH所組成 之組群者。 U •如申睛專利範圍第8項之方法，其中步驟（b)之聚合反應溶 Μ係選自由環己酮、環戊酮、四氫吱喃、二尹基▼醯胺、 一曱基亞硐、二噚烷、尹基乙基酮、苯、甲苯、二罗苯 及其混合物所組成之組群。 12·如申凊專利範圍第8項之方法，其令步驟（b) t所用之聚合 起始劑較好選自由苯曱醯過氧化物、2,2，_偶氮雙異丁腈 (AIBN)、乙醯基過氧化物、月桂基過氧化物、過氧乙酸 94041.doc 1248943 第三丁脂、第三丁基過氧化氫及二_第三丁基過氧化物所 組成之組群。 1 3 ·如申明專利範圍第8項之方法，其中該聚合物係使用選自 二甲醚、石油醚、低碳醇、水及其混合物所組成之組群 之溶劑結晶及純化。 14. 一種光阻組合物，包括如申請專利範圍第3項之光阻聚合 物、光酸產生劑及有機溶劑。 15·如申請專利範圍第14項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑係選自由自太二酸亞胺基三氟甲院績内酯、二硝基芊基- 甲苯磺酸酯、正-癸基二砜及莕醯亞胺基三氟曱烷磺酸酯 所組成組群。 1 6 ·如申#專利範圍第15項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑又包括選自由二苯基蛾化物六氟璃酸鹽、二苯基蛾化 物/、氣坤酸鹽、二苯基峨化物六氟銻酸鹽 '二苯基對-甲 氧基苯基硫鑕三氟甲烷磺酸鹽、二苯基對-甲苯基硫鑕三 氟甲院磺酸鹽、二苯基對-異丁基苯基硫鏘三氟曱烷磺酸 鹽、二本基硫鏆六氟砰酸鹽、三苯基硫鑌六氟銻酸鹽、 三苯基硫鏘三氟甲烷磺酸鹽及二丁基-莕基硫鏘三氟甲烷 磺酸鹽所組成之組群之任一種。 17.如申請專利範圍第14項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑之存在量為佔光阻聚合物總重量之自〇 · 〇 5 wt。/。至丄〇 Wt〇/o。 18·如申請專利範圍第14項之光阻組合物，其中該有機溶劑 係選自由二乙二醇二乙醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基 94041.doc -18- 1248943 丙酸乙酯、丙二醇曱基醚乙酸酯、環己酮、正-庚嗣及乳 酸乙酯所組成之組群。 申明專利範圍第1 4項之光阻組合物，其中該有機溶劑 存在置為光阻聚合物重量之自500糾％至2〇⑽wt%範圍。 2 0·種开^成光阻圖案之方法，包括下列步驟： (a) 將如申請專利範圍第14項之光阻組合物塗佈在欲蝕 刻之底層之上面部位而形成光阻薄膜； (b) 使光阻薄膜曝光； (0烘烤該曝光之光阻薄膜；及 (d)使該光阻薄膜顯影獲得光阻圖案。 21. 如申凊專利範圍第2G項之方法，可進—步包括在曝光步 驟（b)前之額外烘烤步驟。 22·如申請專利範圍第20或21項 自C至200 C範圍之溫度進行。 23.如申請專利範圍第2〇 、之方法，其中該曝光步驟係使用 ^自由KrF、ArF、EUV(極遠紫外光）、vuv(真空紫外光 -束、X-射線及離子束所成組群之光源。 24·如申請專利範圍第2〇 τ/ 2 <万法，其中該曝光步驟係以0·】 m⑽至100mW之曝光能量進行。 25.如申請專利範圍第2〇 ^ ^ 、心万法，其中該顯影步驟（d)係使 用鹼顯影溶液進行。 评、； 26·如申請專利範圍第13項 甲醢、 、万法，其中該低碳醇係選自由 酵乙醇、異丙醇及复、、曰 97 4由，、此合物所組成之組群。 ^ ·如申％專利範圍第9項之方 决’其中步驟（a)中所用之鹽係 94041.doc -19- 1248943 k自由NaH ' n-BuLi、二異丙基胺鋰（Lda)及LiH所組成 之組群者。 28·如申w專利範圍第9項之方法，其中步驟0)之聚合反應溶 刈係選自由裱己酮、環戊酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、 二甲基亞颯、二吟烷、曱基乙基酮、苯、甲苯、二甲苯 及其混合物所組成之组群。 29·如申請專利範圍第9項之方法，其中步驟中所用之聚合 起始劑較好選自由苯甲醯過氧化物、2,2，_偶氮雙異丁腈 (AIBN)、乙醯基過氧化物、月桂基過氧化物、過氧乙酸 第一丁 S曰、第二丁基過氧化氫及二_第三丁基過氧化物所 組成之組群。 3 0.如申請專利範圍第9項之方法，其中該聚合物係使用選自 二甲醚、石油醚、低碳醇、水及其混合物所組成之組群 之〉谷劑結晶及純化。 3 1· —種光阻組合物，包括如申請專利範圍第5項之光阻聚合 物、光酸產生劑及有機溶劑。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑係遥自由酜二酿亞胺基三氟^曱烧石黃内g旨、二確基宇基 曱苯石黃酸δ旨、正-癸基二颯及萘醯亞胺基三氟曱烷磺酸酉旨 所組成組群。 33.如申請專利範圍第32項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑又包括選自由二苯基峨化物六氟填酸鹽、二笨基峨化 物六氟砷酸鹽、二笨基碘化物六氟銻酸鹽、二笨基對-甲 氧基笨基硫鏘三氟曱烷磺酸鹽、二笨基對-甲笨基硫鐵二 94041.doc •20- 1248943 氣甲糾酸鹽、二笨基對_異丁基苯基硫鎮三氣甲燒石黃酸 鹽:三苯基硫鑌六氣坤酸鹽、三苯基硫鑌六氟録酸鹽、 二本基硫鑌三氟甲料酸鹽及二丁基·茶基硫鑌三氣甲院 石尹、酸鹽所組成之組群之任一種。 34.如中請專利範圍第31項之光阻組合物，其中該光酸產生 劑之存在量為佔光阻聚合物總重量之自0.05 wt%至1〇 Wt%。 5·如申明專利摩&圍第3 }項之光阻組合物，其中該有機溶劑 係=自由二乙二醇二乙驗、3-甲氧基丙酸甲醋、3_乙氧基 丙I乙S曰、丙二醇甲基醚乙酸酯、環己酮、正-庚酮及 酸乙酯所組成之組群。 36·如申料利範圍第31項之光阻組合物，其中該有機溶劑 存在量為光阻聚合物重量之自5〇〇〜以至2〇〇〇範圍。 37· -種形成光阻圖案之方法，包括下列步驟： ⑷將如中請專利範圍第31項之光阻組合物塗佈在欲姓 刻之底層之上面部位而形成光阻薄膜； (b)使光阻薄膜曝光； (C)烘烤該曝光之光阻薄膜；及 (d)使該光阻薄膜顯影獲得光阻圖案。 38. 如申請專利範圍第37項之方法，可進一步包括在曝光步 驟（b)前之額外烘烤步驟。 39. 如申請專利範圍第37或綱之方法，其中該烘烤步驟在 自70°C至20(TC範圍之溫度進行。 申月專利圍第37項之方法’纟中該曝光步驟係使用 9404I.doc 1248943 41. 選自由KrF、ArF、EUV(極遠紫外光）、VUv(直* V 〃 a紫外光）、 E-束、X-射線及離子束所成組群之光源。 如申請專利範圍第37項之方法，其中該曝光 至1()〇 mJ/cm2之曝光能量進行。 、Μ (M 42. 如申請專利範圍第37項之方法 用驗顯影溶液進行。 其中該顯影步 驟（d)係使 43. 如申請專利範 曱醇、乙醇、 =第30項之方法，其中該低碳醇 異丙醇及其混合物所組成之組群
94041.doc 22-
TW093119323A 2003-10-08 2004-06-30 Photoresist polymer and photoresist composition containing the same TWI248943B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030069898A KR100638957B1 (ko) 2003-10-08 2003-10-08 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR1020030094610A KR100680406B1 (ko) 2003-12-22 2003-12-22 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200513792A TW200513792A (en) 2005-04-16
TWI248943B true TWI248943B (en) 2006-02-11

Family

ID=34525583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093119323A TWI248943B (en) 2003-10-08 2004-06-30 Photoresist polymer and photoresist composition containing the same

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7338742B2 (zh)
JP (1) JP2005113118A (zh)
CN (1) CN100432838C (zh)
TW (1) TWI248943B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200736855A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 Quanta Display Inc Method of fabricating photoresist thinner
US8029969B2 (en) * 2007-05-14 2011-10-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Material and method for photolithography
JP5548406B2 (ja) 2008-08-22 2014-07-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
US7951525B2 (en) * 2008-09-08 2011-05-31 International Business Machines Corporation Low outgassing photoresist compositions
JP5232663B2 (ja) * 2009-01-14 2013-07-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
JP5232675B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP5227846B2 (ja) * 2009-02-27 2013-07-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5308871B2 (ja) * 2009-03-06 2013-10-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2012022261A (ja) * 2010-06-15 2012-02-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5974452B2 (ja) * 2010-11-09 2016-08-23 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
JP6002378B2 (ja) 2011-11-24 2016-10-05 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
JP5820719B2 (ja) 2011-12-21 2015-11-24 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
US8795947B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
US8795948B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP6159592B2 (ja) * 2012-07-03 2017-07-05 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6274761B2 (ja) * 2012-07-03 2018-02-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6274762B2 (ja) * 2012-07-03 2018-02-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6261890B2 (ja) * 2012-07-03 2018-01-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6274760B2 (ja) * 2012-07-03 2018-02-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6410926B2 (ja) * 2015-03-31 2018-10-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204007A (en) * 1977-12-22 1980-05-20 Dynapol 4-(Dihydroxyhexoxy)dihydrochalcone sweeteners
US4138409A (en) * 1977-12-22 1979-02-06 Dynapol Epoxysultone
US4568724A (en) * 1985-06-28 1986-02-04 Atlantic Richfield Company Molding composition which contains a γ-sultone derivative of an EPDM rubber
KR900700923A (ko) * 1988-02-17 1990-08-17 야마구찌 도시아끼 포토레지스트 조성물
JPH08269009A (ja) 1995-03-31 1996-10-15 Fuji Photo Film Co Ltd ４級塩化合物、メチン化合物及びメチン化合物の製造方法
US5705503A (en) 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
JPH09100331A (ja) * 1995-06-06 1997-04-15 Dow Chem Co:The ケトン又はアルデヒドとフェノールからのポリフェノールの製造法
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체
JP3804138B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-02 Ｊｓｒ株式会社 ＡｒＦエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
KR100536824B1 (ko) 1996-03-07 2006-03-09 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 산불안정성펜던트기를지닌다중고리중합체를포함하는포토레지스트조성물
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5733714A (en) * 1996-09-30 1998-03-31 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US5958665A (en) * 1996-10-04 1999-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Sultone compound, quaternary salt compound and methine compound, production process thereof, and silver halide photographic light-sensitive material containing the quaternary salt compound and/or methine compound
KR100211548B1 (ko) * 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100197673B1 (en) * 1996-12-20 1999-06-15 Hyundai Electronics Ind Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
JP2001512522A (ja) * 1997-02-25 2001-08-21 イーストマン ケミカル カンパニー 官能化オレフィンモノマーを含有するポリマー
JPH1195424A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Toshiba Corp 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR100557368B1 (ko) * 1998-01-16 2006-03-10 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
US6399279B1 (en) * 1998-01-16 2002-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Method for forming a positive image
KR100376984B1 (ko) * 1998-04-30 2003-07-16 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR100419028B1 (ko) * 1998-05-13 2004-07-19 주식회사 하이닉스반도체 옥사비시클로화합물,이화합물이도입된포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트미세패턴의형성방법
US6235447B1 (en) * 1998-10-17 2001-05-22 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
KR100400291B1 (ko) * 1998-11-27 2004-02-05 주식회사 하이닉스반도체 신규의포토레지스트용단량체,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR100362937B1 (ko) 1998-12-31 2003-10-04 주식회사 하이닉스반도체 신규의포토레지스트가교제,이를포함하는포토레지스트중합체및포토레지스트조성물
KR100362938B1 (ko) * 1998-12-31 2003-10-10 주식회사 하이닉스반도체 신규의포토레지스트가교제,이를포함하는포토레지스트중합체및포토레지스트조성물
US6187506B1 (en) * 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
KR100632572B1 (ko) * 2000-06-21 2006-10-09 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
JP4213876B2 (ja) * 2001-04-13 2009-01-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びネガ型平版印刷版
KR100416595B1 (ko) * 2001-05-02 2004-02-05 삼성전자주식회사 플루오르가 함유된 폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물
US7312292B2 (en) * 2003-06-06 2007-12-25 Promerus Llc Polycyclic polymers containing pendant ion conducting moieties
KR100680427B1 (ko) 2003-07-30 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
US6911300B2 (en) * 2003-11-10 2005-06-28 Think Laboratory Co., Ltd. Photogravure plate making method
US7101654B2 (en) * 2004-01-14 2006-09-05 Promerus Llc Norbornene-type monomers and polymers containing pendent lactone or sultone groups
JP3815487B2 (ja) * 2004-04-26 2006-08-30 オムロンヘルスケア株式会社 血圧測定用帯の巻付け制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20050089800A1 (en) 2005-04-28
CN1605938A (zh) 2005-04-13
CN100432838C (zh) 2008-11-12
US7338742B2 (en) 2008-03-04
TW200513792A (en) 2005-04-16
JP2005113118A (ja) 2005-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI248943B (en) Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US6844134B2 (en) Photosenseitive polymer having fluorinated ethylene glycol group and chemically amplified resist composition comprising the same
TW594402B (en) Novel onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
JP2002088124A (ja) 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
TW201003319A (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
JP4067251B2 (ja) フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、及び、フォトレジストパターン形成方法
JPH11322707A (ja) ポリ（ジスルホニルジアゾメタン）化合物
TW201030463A (en) Positive resist composition and method of forming resist pattern
TW201039065A (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern using the same, and polymeric compound
TW201221527A (en) Polymerizable fluorine-containing sulfonate, fluorine-containing sulfonate resin, resist composition and pattern-forming method using same
TW201229018A (en) Fluorinated sulfonic acid salts, photo-acid generator, and resist composition and pattern formation method utilizing same
TWI359330B (en) Acid-amplifier having acetal group and photoresist
TW201100964A (en) Positive resist composition and method of forming resist pattern
TW200946499A (en) Compound having alicyclic structure, (meth)acrylic acid ester, and process for production of the (meth)acrylic acid ester
TW200928579A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound and method of producing the same, and acid generator
TW200936560A (en) (Meth) acrylate compound and photosensitive polymer having aromatic acid labile group, and resist composition
JP3963736B2 (ja) 酸により分解可能な保護基を有するラクトン基を含む感光性モノマー、感光性ポリマー及び化学増幅型レジスト組成物
TW201033220A (en) Polymerizable compound and polymer compound obtained by using the same
TW201007361A (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
TW201020686A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, and novel compound and acid generator
JP3646020B2 (ja) フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び、半導体素子
TW594401B (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing the same
US20020018960A1 (en) Novel photoresist polymers, and photoresist compositions containing the same
JP2009120612A (ja) 感光性化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物
JP3990150B2 (ja) フェニル環及びラクトン基が共存する感光性ポリマー及びレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees