TWI248832B - Method and apparatus for treating exhaust gases containing fluorine-containing compounds - Google Patents
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Description
1248832 五、發明說明α) [先前技術] 本發明係有關含有含氟化合物之廢氣處理。尤其,本 發明係有關一種來自半導體工業中之半導體製造設備之内 表面專之乾β洗步驟及包含氧化物膜材之各種膜材之|虫刻 步驟中所排放之含有含氟化合物之廢氣的處理方法及裝 置。 在半導體工業中,在半導體製程期間使用各式各樣的 有害氣體’而那些氣體,若簡單地排放至環境中,則潛在 地可能污染環境。特別是在半導體製造設備之内表面的清 洗步驟及钱刻步驟或CVD步驟中,使用含氟化合物,包含 氫氟碳如CHF及全氟碳(Perf luorocarbons PFCs)如 CF4,C 2F 6’ c 3H 8’ C 4F 6’ c 5F 8,SF及NF 3;含於來自那些步驟之廢氣 中之含氟化合物為全球温熱的氣體,故迫切需要發展一種 有效系統以將之移除。 為了自含PFC之氣體中移除PFCs,本案發明人先前研 究一種使用具有特定結晶結構之r -氧化鋁觸媒在〇及η 2〇兩 者存在中熱裂解PFC之方法並且申請方法專利案(曰本專利 申請案第2 0 0 0 - 1 1 0 6 6 8號)。亦已提出一種在作為裂解輔助 氣體之烴如正丁烷及0妁存在中利用在氧化鋁-锆複合氧化 物上載有氧化鎢之裂解觸媒裂解氟利昂(f ion)之非pfc氟 利昂氣體的處理方法。 當具有特定結晶結構之r-氧化铭觸媒使用於依據本案 發明人所提出之PFC處理方法中時’ r—氧化紹顯示足夠高 的裂解活性以達到完全(100%)之PFC移除’且沒有產生副
1248832 五、發明說明(2) 產物C0。儘管在處理上如此高效率,但本案發明人在後續 研究中發現當氣體通過延長時r -氧化鋁逐漸劣化而且在短 時間内氣體移除的百分比較最初所希望者下降。 至於在氧化鋁-锆複合氧化物上載有氧化鎢之金屬觸 媒,雖然已提出其應用於處理氟利昂氣體(例如,氟利昂 -115),但並無文獻提出關於其應用於耐火PFC CCF4,例 如,必須藉由加熱至至少1 2 0 0°C而予以裂解)。在所提出 的方法中,烴及0 #使用作為裂解輔助氣體,但並無文獻 提出關於使用Η 20取代烴。因此,由其在Η 20及0存在中裂解 PFC之活性的觀點來看,在氧化铭-錯複合氧化物上載有氧 化鎢之金屬觸媒全然尚未被研究。 [發明内容] 在這種情形下,本案發明人檢視該金屬觸媒在裂解 P F C上的活性而成功提供一種含有含氟化合物之廢氣的處 理方法,藉由此方法可完全移除PFC不會伴隨產生副產物 C0而且在延長時間期間亦可達成高處理效率。 依據本發明之一方面,係提供一種含有含氟化合物之 廢氣的處理方法,包括下述步驟:使含有含氟化合物之廢 氣與在氧化鋁-锆複合氧化物上載有氧化鎢之金屬觸媒接 觸,然後使放出物與r -氧化鋁觸媒接觸。 本發明之方法中,係使含有P F C及其他含氟化合物(後 文總稱為PFCs)之廢氣通過在氧化鋁-锆複合氧化物上載有 氧化鎢之金屬觸媒床,然後再通過r -氧化鋁觸媒床。 可使用於本發明且在氧化鋁-鍅化合氧化物上載有氧
314089.ptd 第5頁 1248832 五、發明說明(3) 化鎢之金屬觸媒為A 1 20 3-Zr02-W0轟統而且可有利使用揭露 於曰本專利第2 5 6 9 4 2 1號之觸媒。於較佳情形係氧化鋁-锆 複合氧化物的锆含量為0 . 2至0. 8。僅述及一實例,可有利 使用A 1 20 3,21'0及10式莫耳比率分別為〇.75至0.2及0.05 之A 1 20 3- Z r 0 2- W 0觸媒。為了確保最大可能的接觸面積,在 不增加對氣體通過之阻力的條件下觸媒的大小較佳為儘可 能小。例如,較佳使用通常為約0 . 8至5 mm直徑及約5至 1 5 m m長度之擠壓模製之圓筒形狀者。 已知能夠裂解PFCs之任何r-氧化鋁均可使用作為本發 明中之氧化鋁觸媒。較佳使用本案發明人於日本專利申請 案第2 0 0 0 - 1 1 0 6 6 8號所提出且具有以X-光繞射儀測量而於 下述五個繞射角度20 , 33° ± Γ , 37° ± Γ , 40° ± 1 ° 46° ± Γ及67° ± Γ 出現100或更大強度之繞射線之 結晶結構的r-氧化鋁。為了確保最大可能的接觸面積,在 不增加對氣體通過之阻力的條件下,r-氧化紹的大小較佳 為儘可能小。例如,較佳使用直徑為約0 . 8至2 . 6 mm,更特 別為1. 0至2 . 0 m m之微粒形狀者。 本發明方法中,與金屬觸媒床及氧化鋁觸媒床接觸之 廢氣較佳於6 0 0至9 0 0°C之溫度。在與金屬觸媒床及氧化鋁 觸媒接觸前,較佳亦可將作為裂解輔助氣體之0及Η 20添加 至廢氣中。於此情形下,Η 20較佳以氣態導入;為達此點, Η 20可自Η 20槽泵送至蒸發器中,於此其加熱至1 0 (TC及更高 溫,使得其全部轉換成水蒸氣,然後藉由惰性氣體如Ν 2予 以迫出再導入反應系統中。
314089.ptd 第6頁 1248832 五、發明說明(4) 若含有P F C s及其他含氟化合物之廢氣通過A1 20 3- Zr〇2 -WO ★系統之裂解觸媒床(金屬觸媒床)(較佳在〇及η 20兩者存 在下)’然後通過r-氧化鋁床(氧化鋁觸媒床),則CF 4(其係 一種PFC氣體)、氧化氣體如f及其他氣體如C0係藉由下述 反應分解成C0及HF :
CF4+2H20 C02+4HF CF 4+2H 20 + 0 2 -> C02+4HF + 0 2 F 2+ 2 H 2〇 4 H F + 0 2 2C0 + 02 2C02 C F與H 20及〇我應分解成c〇及 因此 11 Γ 如F與Ηβ反應分解成hf,而CO氧化成C0r 在構思的反應中,〇較佳以超過上述特定最小莫耳數 個莫耳的置添加而每莫耳p F c較佳添加6至丨〇莫耳Η Θ。 反應2C0 + 0疒2C0妁效率隨著〇溟耳濃度的增加而增 :口且此乃因為C0與〇之莫耳濃度間的 =地圍,著⑶分子,,而增加其反應性。再者'於個 此,it以co莫耳數之至少5倍之莫耳添^ 1第!供:種實施上述方法之裝置。㈤此,依據 丹弟一具體貫例,本發明楹枇 你人丄 的處…,,包括:包;:真:;;有含氣化合物之廢氣 物上載有氧化鎢之裂解觸媒之^ t在虱化鋁-錯複合氧化 媒床之下游且填充著r_氧化=屬觸媒床及放置在金屬觸 器、以及含有含氣化合:::::=媒床的反應容 A的¥入機構及自反應容器
1248832 五、發明說明(5) 排出氣體之機構 本發明之裝蜜^ 組成,其一是帛 ’反應容器基本上係由兩個觸婢床所 床)。利用此雙床配:处二乳化鋁床(氧化鋁觸媒 之觸媒達成部份移除CF ;弟段,_AiA-zr〇2-wo系統 處理未經處理之CF及於第二階段之卜氧化鋁則 媒的使用壽命而且此獨1用此丨7,可輕易控制個別觸 觸媒。 且了彼此獨立地置換’因此導致有效使用 本發明裝置之反應容器巾,於第 ::〇觸媒床及於第二階段之卜氧化銘床較真充;3圓= 鋼所製成之金屬篩網。欲使 y “糸由不錢 以動及裝置的安裝空間所加的限制予 ^ Λ ,通吊,如上所述,直徑為約〇_ 8至5隨且長 5至15mm之圓筒擠壓模製形狀之形式的α 8^亦統觸^可填充至内直徑為10至2〇c^高度為25至 卜=圓同中,然後,亦如上所述,直徑為〇· 8至4· 5mm之 較二炎鋁顆广填充在金屬觸媒的下游,而且兩個觸媒床以 〇· .16^厚之不銹鋼筛網予以分隔。因此,在 屛二奋裔中於各第一及第二階段之處理,相同之裂解觸媒 如此緊岔地堆集而可縮短在流動方向之廢氣與H 2〇及〇 2 …的區帶’此不但有助於降低在各裂解觸媒床所發生之
$ 8頁 1248832 五、發明說明(6) —^--
反應不均白# I 裝置中,=度而且亦有助於減少裝置的整體尺寸。本發明 管桎內、至屬觸媒床與Γ —氧化鋁床可如上述般放置在相同 置在八2建構整體型的反應容器;或者,兩個觸媒床可放 太 刀別苔柱中以建構分離型的反應容器。 之預春^ Γ之裝置較佳備有進行廢氣(較佳與H 2〇及〇2一起) 容哭中K至6 0 0至9 〇〇°C之溫度的預熱容器。在預先加熱 可i括"熱後使廢氣以及及〇趟過反應容器(觸媒床), 將廢二反應容器中之裂解觸媒的均勻。若沒有預先加熱即 最頂=ί裂解輔助氣體導入反應容器中,則金屬觸媒床的 菸明♦j伤會被剝奪熱能量而在與廢氣接觸時冷卻。在本 觸婼广乂 ί具體實例中,廢氣(較佳與Η 2〇及〇2一起)在導入 姐τ' t之$在預熱容器中加熱至6 0 0至9 0 0°c,因此裂解觸 在田έ =剝奪任何熱;此外;反應容器所需的加熱可維持 攻】&度即足以補償自該容器所放射的鵠而對成本降低 有不少助益。 ’ 第1圖顯示依據本發明較佳具體實施之含有含氟化合 勿之廢氣之處理裝置的概念圖。處理含氟化合物(後文稱 $ 廢氣)之本發明裝置具有反應單元2〇。此反應單元20 分成第一階段之預熱容器2 1及第二階段之催化反應容器 2 2 °預熱容器2 1及催化反應容器2 2分別備有加熱夾套2 3及 2 4 ’以在個別容器中加熱氣體至預定溫度並維持那些溫 度。在第1圖所示之設計裝置中,預熱容器2 1位在催化反 應容器2 2上以提供如此流體連通使得待處理之廢氣自預熱 容器21流下以流動至催化反應容器22中。在思慮下的具體
314089.Ptd 第9頁 1248832 五、發明說明(7) 實例中,使用完全相同尺寸的圓筒狀容器作為預熱容器2 1 及催化反應容器2 2。 配置在預熱容器2 1頂端的為廢氣供應管線1,經由此 將含有PFCs及其他含氟化合物之廢氣導入反應單元2 0中; 0供應管線7,經由此將輔助0氦體導入反應單元2 0中;及 Η 20供應管線6,經由此將輔助Η 20氣體導入反應單元2 0中。 廢氣供應管線1係經由配管連接至PFC廢氣供應源(未圖示) 如半導體製造裝置中之廢氣管線。0供應管線7係經由配管 連接至0供應源(未圖示)。Η 20供應管線6係經由配管連接 至蒸發器5,其周圍捲繞著帶式加熱器8。蒸發器5係經由 備有貯存泵3之配管連接至Η 20 (液體)槽2 ;蒸發器5亦經由 配管連接至惰性氣體(Ν 2)供應源4。 預熱容器2 1具有其中可經由個別供應管線1、6及7導 入PFC廢氣、0及Η 20之中空内部空間而所導入的氣體則在 預熱容器中於6 0 0至9 0 0°C預先加熱。預熱容器2 1可選擇性 地具有複數個促進PFC放出氣體加熱之轉向器25。轉向器 2 5為比預熱容器2 1之内半徑稍長之板片或翅片且其可以螺 旋狀或交替輻射狀以互相面對之方式設置在預熱容器2 1的 内表面上。為了測量預熱容器2 1中的溫度,可在預熱容器 2 1内設置熱電偶(未圖示)。可使用其他形狀的轉向器作為 促進廢氣加熱的機構;或者,取代轉向器或與轉向器組 合,可在預熱容器内安裝造成小壓力損失之填充劑材料 層。 在預熱容器2 1的下游(第1圖所示之設計裝置之下部
314089.ptd 第10頁 1248832 五、發明說明(8) 份)設置催化反應容器2 2使其與預熱容器2丨的流體連通。 催化f應容器22又進一步分成兩個床而於第一階段之床26 f充f A1 2〇3-Zr〇2-W0熹統觸媒且於第二階段之床27則填充 著匕氧化I呂此兩個觸媒床2 6及2 7係以不銹鋼篩網2 8予以 分隔。 “ ΐ 至90(rc加熱卜氧化銘之夾套24較佳設置在催化 声了 ί:甘2的外周邊上。為了測量催化反應容器2 2中的溫 辦2 發明方法欲處理之PFC廢氣及作為裂解辅助氣 體之〇#經由管線丨及7導入至預熱容器中。 輔助氣體H A,水^-山;μ u桃芏π ”他衣解 (液體)係精由泵3自水槽2供應至蒸發器5 管喷5中所產生的水蒸氣則經由管線6(藉由經由 U=V、f以攜”導入至預熱容器21中。廢氣及裂 妒二旦在V入預熱谷益21中時予以加熱至60 0至900 於利^ ΐ將經加熱之氣體混合物導入催化反應容器22中, j 弟一階段之Al2〇3-Z:r〇2-WO轟統觸媒及第二階段之r — 反库f ^ 7CS及其他含氟化合物進行漸進裂解反應時催化 二二=22維持於60 0至90(rc之溫度。經處理之含有裂解 排出他含I化合物的氣體則經由放出管線9自系統 制。提供下述實施例以進一步說明本發明’但絕不作為限 [實施方式] f農倒1
第11頁 1248832
依據本發明之方法進行處理PFC廢氣的實驗。以A 1 2〇 3 -ZrO「WO系統觸媒及r—氧化鋁填充内徑為27mm且長度為 5 0 0111111之不銹鋼微小管柱。至於人12〇3-21'〇2-〜〇義統觸媒, 則使用 Sud-Chemie Catalysis A G出品之具有 〇·75Α12〇 3, 0· 2ZrO及〇· 〇5W〇^組成比率(莫耳比率)者作為試驗物(直 徑為2mm且長度為5mm之顆粒狀)並且填充至^襲之床高度 (於2 9mL之負載)。至於r—氧化鋁,則填充具有以χ—光繞射 儀測量之於下述五個繞射角度20 ,33。± Γ ,37。± 1 。’ 40° ± Γ 46。 ± 1。及67。 ± 1。出現100或更大強度 之繞射線之結晶結構之—08£人003-〇8(1^21^8^^工業化學 公司之商品名;具有Na20含量S 0· 〇lwt%且大小為0· 8mm之 顆粒狀)至5 0mm之床高度(於29mL之負載)。此兩個觸媒床 係以厚度為0 · 8mm之2 0 -網目不銹鋼篩網予以分隔。熱電偶 安裝在管柱中以測量其内部溫度且其設置在陶瓷管式電爐 内,而且A1 2〇3-Zr02-WO義統觸媒床係設置在較上部份。 在經N 2_稀釋之CF及超過等當量之輔助氣體〇和η 20自 頂端導入至管柱中時,於75(TC加熱A 1 20 3-Zr02-W0義統觸 媒床及r -氣化|g觸媒床。總氣體流動為4 1 〇 s c c m,而c F及 0分別以1· 0°/◦及5· 0%之濃度流動且h2〇係以〇· 〇59mL/mir^ 以供應。 以備有質量分析儀之氣體層析儀(AGS —7〇〇〇u,ANELVA 公司的產品)測量來自管柱之出口氣體中之CF及c〇的濃 度,結果示於表1。自實驗開始經過2 8 〇小時,無法偵測到 C F及C 0。依據本發明,可能完全移除c F而且沒有產生副
1248832 五、發明說明(ίο) 產物CO。 tb較例1 僅使用r-氧化鋁進行處理PFC廢氣的實驗。程序與實 施例1相同,但不銹鋼微小管柱係以r -氧化IS填充至1 0 0 m m 之床高度(於5 8mL之負載)。結果示於表1 ; CO量必然比偵 測極限低但CF鉤移除百分比隨著時間逐漸降低(其歷時6 0 小時維持1 0 0 %,但經過9 0小時後降至9 8 % )。 tb Jc Μ 2 僅使用A 1 20 3-Zr02-W0轟統觸媒進行處理PFC廢氣的實 驗。程序與實施例1相同,但不銹鋼微小管柱則以相關的 觸媒填充至1 〇〇mm之床高度(於58mL之負載)。結果示於表 1 ;在較短時間内CF開始少量泄漏,使得其不可能完全移 除;然而,在經過9 0小時後CF釣移除百分比甚至超過 9 8%。但是,C0以超過可容忍之25PPm{由政府產業衛生學 者之美國協議會所設定之TLV-TWA值(極限值-時間加權平 均濃度)}的量排出。
314089.ptd 第13頁 1248832 五、發明說明(11) 表1 ·實施例1對比較例1及2 氣體通過時間 實施例1 比較例1 比較例2 cf4 CO CF4 CO cf4 CO hr ppm ppm ppm ppm ppm ppm 10 <1 <2 <1 <2 4.4 20 20 <1 <2 <1 <2 11 20 30 <1 <2 <1 <2 17 25 40 <1 <2 <1 <2 26 25 50 <1 <2 <1 <2 31 25 60 <1 <2 <1 <2 40 25 63 <1 <2 1.3 <2 37 25 66 <1 <2 2.7 <2 56 25 69 <1 <2 10 <2 37 25 72 <1 <2 25 <2 45 25 75 <1 <2 36 <2 49 25 78 <1 <2 54 <2 57 25 81 <1 <2 70 <2 54 25 84 <1 <2 100 <2 50 35 87 <1 <2 160 <2 43 35 90 <1 <2 200 <2 48 35 100 <1 <2 - - 49 35 120 <1 <2 - - 54 35 140 <1 <2 - - 70 35 160 <1 <2 - - 81 35 180 <1 <2 - - 83 35 200 <1 <2 - - 94 35 220 <1 <2 - - 98 35 240 <1 <2 - - 90 35 260 <1 <2 一 - 95 35 280 <1. <2 - 91 35 依據本發明,含有PFCs及其他含氟化合物之廢氣可完 全無PFCs及其他含氣化合物而且沒有造成C0副產物之不當 產生;本發明有效性持續非常長的時間。
314089.ptd 第14頁 1248832 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖顯示依據本發明之一方面之含有CF象廢氣之處 理裝 置 的 概 念 圖 〇 1 廢 氣 供 應 管 線 2 水 槽 3 泵 4、9 管 線 5 t 發 器 6 Η 2 0供應管線 7 0 2供 應 管 線 8 帶 式 加 熱器 20 反 應 單 元 21 預 熱 容 器 22 反 應 容 器 23 加 敎 夾 套 24 加 熱 夾 套 25 轉 向 器 26 第 一 階 段 之 床 27 第 二 階 段之床 28 篩 網
314089.ptd 第15頁
Claims (1)
- C\^ 案號91]23263 #年(f月$曰 修正_ 一_«·',外一8******’ “六、申請專利範圍 1 . 一種含有含氟化合物之廢氣之處理方法,包括下述步 驟:使含有含氟化合物之廢氣與在氧化鋁-锆複合氧化 物上載有氧化鎢之金屬觸媒接觸,然後使放出物與r-氧化鋁觸媒接觸,其中,該廢氣與該金屬觸媒及該氧 化鋁觸媒的接觸係在6 0 0至9 0 0°C之溫度下進行。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中,在與該金屬觸媒 及該氧化鋁觸媒接觸之前將作為裂解輔助氣體之0及 Η 2〇添加至廢氣中。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之方法,其中,該r-氧 化鋁具有以X -光繞射儀測得之於下述五個繞射角度2 0 , 33° 土 Γ , 37° ± Γ , 4(Γ ± 1° 46° ± 1° 及 6 7° ± Γ 出現1 0 0或更大強度之繞射線的結晶結構。 4. 一種含有含氣化合物之廢氣之處理裝置,包括:包括 填充著在氧化鋁-锆複合氧化物上載有氧化鎢之裂解觸 媒之金屬觸媒床及放置在該金屬觸媒床之下游且填充 著r -氧化鋁之氧化鋁觸媒床的反應容器、用以導入含 有含氟化合物之廢氣的導入機構、用以自反應容器排 出該氣體的機構、及用以加熱該廢氣的機構。 5. 如申請專利範圍第4項之裝置,其中,該裝置係備有添 加作為裂解輔助氣體之0及Η 20至該廢氣中的機構。 6 .如申請專利範圍第4項或第5項之裝置,其中,該r-氧 化鋁具有以X -光繞射儀測得之於下述五個繞射角度2 Θ , 33° ± Γ , 37° ± Γ , 40° ± Γ 46° ± Γ 及 6 Γ ± 1°出現1 0 0或更大強度之繞射線的結晶結構。3)40S9(修正版).pic 第]6頁 1248832 _91123263 #年(f月友日 修正 _ 四、中文發明摘要(發明名稱:含有含氟化合物之廢氣之處理方法及裝置) 一種含有含氟化合物之廢氣的處理方法,包括下述步 驟··使含有含氟化合物之廢氣與在氧化鋁—鍅複合氧化物 上載有氧化嫣之金屬觸媒接觸,然後使放出物與r —氧化|呂 觸媒接觸。 本案代表圖:第1圖 1 廢氣供應管線 2 水槽 3 泵 4' 9 管線 5 蒸發器 6 Η 20供應管線 7 〇供應管線 8 帶式加熱器 20 反應單元 21 預熱容器 22 反應容器 23 加熱夾套 24 加熱夾套 25 轉向器 26 第一階段之床 27 第二階段之. 28 篩網 六、英文發明摘要(發明名稱:METHOD AND APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GASES CONTAINING FLUORINE-CONTAINING COMPOUNDS) A method for treating exhaust gases containing fluorine -containing compounds which comprises the steps of bringing an exhaust gas containing fluorine-containing compounds into contact with a metal catalyst carrying a tungsten oxide on an alumina-zirconium composite oxide and then bringing the emission into contact with a r-alumina catalyst.3]40S9(修正)S).pk 苐2頁
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