TWI247880B - System and method for integrated multi-use optical alignment - Google Patents

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TWI247880B
TWI247880B TW093123607A TW93123607A TWI247880B TW I247880 B TWI247880 B TW I247880B TW 093123607 A TW093123607 A TW 093123607A TW 93123607 A TW93123607 A TW 93123607A TW I247880 B TWI247880 B TW I247880B
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Andrew Perry
Robert Steger
Neil Benjamin
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Description

1247880 九、發明說明: 一、 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於光學對準’更明確地說,關於統合之多用途光學對準 (optical align隱t),其用於基於干涉反射計(interfer〇me计^㈣ reflectometer)之終點,與光學測量系統。 二、 【先前技術】 在半導體裝置的製造巾’如積體電路或平面顯示器,會在—電聚處理 室中處理基板(如晶圓或玻璃板)。此處理可包含在基板上沉積材料層與選 擇性的侧沉。為了製個以侧之層,基板表面通常以—適當光阻 或硬遮罩來遮蓋。在侧過程中,電漿由適#的_劑來源氣體形:,以 侧穿過未被鮮所健之區域。-旦確定目標層已祕穿或達到—預定 夢·度,即停止蝕刻。此蝕刻之終止通常稱為蝕刻終點。 在此領域中已應用許多技術來決定何時該停止侧。舉例來說,在干 涉法(interfe麵try)巾,監測由基板職射之光束,ii齡計算反射 光束振幅中之最大值與最小值或由訊號的中斷來判定侧深度。因為光束 4刀由基板表面所反射’部分由下層介面所反射,所以會產生建設性與破 壞性干涉。如果層之原來厚度為已知,_餘的厚度可藉著在侧過程中 計算最大/最小峰來估計。 在半導體處理設備上,基於干涉反射狀終點與光學測量綠通常依 賴光學輻射之光束的精確鮮,其在測試_直於表面。當達到最 適田的對準時,入射光束被反射進入光學系統之發射/收集光學儀器,且可 達到最大可能之訊號強度。 為了要達到此對準,進行某些型式之對準程序,其包含將參考晶圓置 於處理糸統之電極上,並調整光學儀器之對準直到背反射 1247880 (back-reflected)訊號為最大值為止。舉例來說,圖}顯示習知利用光 學終點偵測系統之蝕刻系統1〇〇。蝕刻系統1〇〇包含處理室1〇2,其具有曰 圓夾頭104與視琿(View port) 1〇6。視埠1〇6可使光束11〇傳送至參考 晶圓112之表面上,其利用光束形成系統丨⑽。 為了要適當的對準由光束形成系统1〇8所發射之光束11〇,參考晶圓 112安置於晶圓夾頭104上。然後光束11〇發射至參考晶圓112之表面上, 並且檢測被反射回光束形録統之域。廣泛來說,調整光束形成系統⑽ 直到反射訊號在所有_之波長均為最大值。不幸地,此步驟巾斷了正常 之製造流程,因為參考晶圓112必須載入操作室中。 吊 人生產中或使㈣,亦需要另—種形式之對準步驟。將 晶圓傳杜操作室之機械手#需要被精確地對準至操作室中相對於電極的 位·置。此對準需要複雜的測試設備與仔細的測量。舉例來說,在—斤中、 一參考板被置於晶圓夾頭廟上,且對應之參考板置於機械手臂上 手動调整m辭臂直_械手臂與參考板解為止。其後,在機械 制系統中程式化該最後座標,如此機械手臂便可知道晶圓夹頭咖之中^ 3為了進行此項操作,機械儀作於其中之輸送模組與操作室轉 被排氣,以適當的置放參考板。因為此為_耗時的操作,所以通常尸在曰、 圓破損或明顯地誤置於電極上時,才重複機械手臂的重新對準。日日 麵:上述’因此需要一光學對準系統,其可進行光學對準而不須中 造流程。此外,此系統應可進行適t的機械手辦,而不須 才木作至與輸送模組之排氣過程。 、 三、【發明内容】 概^絲’本侧繼—·乡輸學解祕來滿足上述 而’八可進仃光學對準而不須中斷正常之製造流程。在一實施例中,揭 I247880 露一種用於半導體處理系統中之光學對準系統。該光學對準系統包含一晶 圓夾頭,其具有一對準部分整合至該晶圓夾頭之上表面。此外,一光束形 成系統配該晶8]爽頭上方,該光束形成緖可發射光學訊號至該對準 部分上。並且包含一偵測器,其可偵測發射至該對準部分上之光學訊號的 振幅。在一實施態樣中,該對準部分可為一反射對準部分,其可將一部份 之該光學訊號反射至該偵測器。在另一實施態樣中,該對準部分可為一透 射對準部分,其可使一部份之該光學訊號穿透該晶圓夾頭而到達該偵測 為。在此貫施態樣中,該偵測器可配置於該晶圓夹頭下方。 本舍明之另一貫知例揭露一種在半導體處理系統中之光學對準方法。 °亥方法包含發射一光學訊號至一對準部分上,該對準部分整合至一晶圓夾 頭中心。偵測發射至該對準部分上之光學訊號的振幅,並調整一光束形成 糸、、先以使所彳貞測之光學訊號的振幅達到最大。如上所述,該對準邻分可 為一反射對準部分,其可將一部份之該光學訊號反射至一位於該光束形成 系統之偵測器,或者,該對準部分可為一透射對準部分,其可使一部份之 該光學訊號穿透該晶圓夾頭而到達該偵測器。 在另一實施例中,揭露一種半導體處理系統中之機械手臂對準系統。 該系統包含一晶圓夾頭,其具有一對準部分整合至該晶圓夾頭之上表面的 中心位置。-光束形成系統配置於該晶圓夾頭上方,該光束形成系統可發 射光學訊號至該對準部分上。為了對準該機械手臂,一機械手臂對準晶圓 破置於機械手臂上且被插入處理室中,機械手臂對準晶圓具有一參考圖案 配置於其中心位置。且利用一偵測器來測定機械手臂之對準,其可偵測發 射至該參相紅之光學訊制振幅…般來說,該參相案改變該光^ 訊號,如此可測定該機械手臂對準晶圓中心相對於該晶圓夾頭中心位置: 牛例來說,该參考圖案可為一圓幵》光譜參考圖案,在該圓形光譜參考圖案 1247880
2個片段具有複數個帶猶波器。在此例中,各個帶通濾波器集中於— =-波長H祕參相射為一線形孔_案,其具有複數個在一 ’友上的圓孔’其係沿著當機械手臂將機械手臂對準晶圓插入處理室時, 機械手臂之移動方向。為了提高精確度,可_-多線形孔義案,其具 有讀個線形孔隙圖案’各個線形孔隙圖案包含_集中於—單—波長之帶 通遽波器。本發明其他的實《樣及優點藉著接下來詳細的_,翻己I 既明本發明原則性範例_圖將會更清楚。 四、【實施方式】 //本發_露-種統合之多崎光學對準系統,其可進行鱗對準而不 頁中斷正巾之製韻程。此外’本發明之實關可進行適當的機械手臂對 準而不桃作室與輸送模組之排氣過程。在接下來的說明中,為了對本 梦明提供全盤性的了解’因此記載了許多具_細節。然而,熟悉本技蔽 者應當了解’在沒有部份或全部這些具體細節τ,本發明亦可能被實施。 在其他_子巾,為了贼混淆树明,為人熟知之製絲作便 明。 ' 圖1祝明了習知技術。圖2為依據本發明一實施例之侧系統⑽,其 二有基於反射率之統合多用途光學對準系統。侧系統2〇〇包含一處理 室2〇2,其具有視埠206與晶圓夾頭2〇4。晶圓夾頭包含-對準部分’其在 圖2中為反射對準部分212,以輔助光束21()之對準。視蜂咖可使光束 21〇傳送至晶圓夾頭204之表面上,其利用光束形成系統2〇8。 在圖2之實施例中,微小的反射對準部分212形成於晶圓夾頭胸的 :心區域。反射對準部分212平行於晶圓夾頭綱之表面,因此可模仿在 晶圓夾頭204上具有晶圓之效果。反射對準部分212可利用多個不同技術 來產生。在-實施例中’反射對準部分212藉著將晶圓夾頭2G4表面上之 1247880 小區域研磨光滑來形成。在此實施例中,反射對準部分212可被研磨為一 連縯區域或棋盤圖案之次區域。如此,沒有外來的物質加入晶圓夾頭2〇4 之表面’因此降低了污染的風險。此外,在製造中,研磨晶圓夾頭表面需 要最小數目之額外步驟。再者,因為夾頭材質已被廣泛的測試,因此反射 對準部分212可被製造為具有一較長之有效使用壽命。 在另一實施例中,反射對準部分212可為一透明光學材料之小圓柱, 如藍寶石。此圓柱利用如半導體等級之黏著劑嵌入一在晶圓夹頭2〇4中心 所挖出之凹部,並且此圓柱之下表面可社|§。黏著織藍寳石用來避免 铭塗層到電漿的轟擊,並可確保沒有姆人處理室。為了避免使用金屬 塗層’藍寶石可在沒有朗情況下使用,因為Mf石具有足夠高之折射率 可產生顯著的表面反射。此外,圓柱之下表面可形成斜面以產生倒反射器 -(retroreflector)〇 為了要適當的對準由光束形成系統208所發射之絲210,光束21〇被 發射至晶圓失頭204表面上之反射對準部分212,並且檢測被反射回光束形 U之域。光束形成系統208通常包含__光源與__光偵測機構。舉例 來=兄光纖可被絲提供光線至光束形成系統,且n纖可用來接收 由反射對準部分212所反射之光線,並提供所接收之光線至—絲測器。 义後。周整光束形成系統208直到反射光線之訊號在所有利用之波長均為最 大值。 依此方式,光束形成系統2〇8之對準可在侧系統2〇〇閒置的任何時 候進行’如在晶圓間或當無晶圓清潔操作時。隨著時間經過,光束形成系 統之對準會因為處理室之震動與㈣/冷卻操作而偏移。因為反射對準 部分212嵌入晶圓夹頭中,所以可在每次卸載晶圓時檢查光束形成系 統施之對準,舉例來說。即,每此晶圓由處理室2〇2卸載時,晶圓炎頭 1247880 204便裸露出來,因此反射對準部分212可用來對準光束形成系謂。此 外’可在Μ斷正常製造餘的軌下鱗光束軸魏,因為對準可在 晶圓蝕刻操作之間進行。 在本發明之另-實施例中,利用—基於透射率之對準部分。圖3為依 據本發明-實施例之侧綠.其具有—基於透射率之統合多用途光學 對準系統。與圖2之系統相似,_系統_包含處理室⑽,其具有視蜂 206與晶圓夾頭302。然而’在圖3之實施例中,晶圓夾頭3〇2包含一透射 對準部分綱以輔助光束21〇之對準。如上所述,視埠挪可使光束21〇 傳送至晶圓夾頭302之表面上,其利用光束形成系統2〇8。 在圖3之實施例中’微小的透射對準部分謝形成於晶圓夾頭3〇2的 中心區域。在-實施例中,透射對準部分_平行於晶圓夾頭3Q2之表面, &此可模仿在晶圓夾頭302上具有晶圓之效果。如圖3所示,透射對準部 分304的軸垂直於晶圓夾頭之上表面。此外,光偵測器識透過光纖 308結合至透射對準部分繼。透射對準部分3()4為—透明、真空緊密、高 縱橫比的部分,當絲形成純適當的對料,其可使絲傳送^ 晶圓夾頭302。 高縱橫比可使光束210實質上垂直於晶圓夾頭搬之表面,以使光通 過透射對準部分3G4,並藉由光纖寫傳送至光偵測器3(^因此,為了要 適虽的對準由光束形成系統2Q8所發射之光束21Q,光束⑽被發射至晶圓 夾頭302表面上之透射對準部分綱上。光學訊號被傳送通過透射對準部 分304 ’然後通過晶圓夾頭識到達光_器咖。然後調整光束形成系统 2〇8直到傳送通過透射對準部分綱之光在所有利用之波長均為最大值。 如上,依此方式,光束形成系统2〇8之對準可在触刻系统3〇〇閒置的 任何時候進行。因為透射對準部分3〇4嵌入晶圓夹頭3〇2中,所以可在每 10 1247880 :人卸載曰3_檢查光束形成系統2G8之對準,舉例來說。因此,如同 反射對準縣,梅麵3G4物巾 對 光束形成系統簡,因為對準可在晶_刻操作之間進行。下對準 除了輔助光束形成系統之對準外,透射對準 生產晶圓之透射量測。舉例來用來進仃透過 $兄紅外線光譜可用來測量晶圓的溫度。如 果先細之波長關包含紅外、_,_ =,在晶圓夾頭中之統合的對準部分可使光束形成系統作為一量測 細,,、可決定機械手臂位於相對晶圓夾頭中心之處。圖4為依據 -實施例之刪請,其具有―統合之顯 ㈣ 40-0包含晶圓夹頭204 m n 爾J糸、、死 術。如上所述’統合對準部⑽可為如圖2所示之反射對準部分,或如 =所不之透射對準部分。在任—個例子中,統合對準部分搬用來對準 光束形成线,如此所發射之光束會垂直於晶圓夾頭胸表面人射。一呈 2考圖案棚之機械手臂對準侧被置於機械手臂彻上,以輔助 機械手臂·之對準。參考圖案傷通常形成於機械手臂對準晶圓綱中 心區域。在-實街,顧彻侧4G4可載剔伟中。在由 晶圓诚中取出機械手臂對準晶圓綱之後,機械手臂便進入處理室202 中。 在一關系統中,晶圓夾頭2〇4界定了處理環境的中心。因為本發明 之貫施例的統合對準部分舰形成於晶圓夾頭2G4中心,所以晶圓處理系 統可得知晶圓夾頭之中心的座標。—旦光束藉由晶圓夾謂表面上 之統合對準部分4G2來對準,此綠可_測相對於晶圓夾_中心 1247880 之機械手臂對準晶圓綱上參考圖案棚的位置。尤其,機械手臂對準曰 圓綱上之參考圖案棚造成光束中的變化,其使线得以計算出矢相曰 案概中心與機械手臂對準晶圓綱巾心相對於晶圓失頭_中心之所在。 —圖5A-5B顯示各種可用於機械手臂對準晶圓綱上之參考圖案。圖μ 顯示依據本翻-實補之_光譜參相案逢,翻於-機械手臂對 準晶圓。圓形光譜參考圖案娜a包含四個四分之—圓测&_,其各具 有一集中於單—波長之光學帶通濾《 (〇_cal bandpass fil㈣。雖 然所示之圓形光譜參考圖案··四個四分之—圓,但需了解圓形光言並 參考圖案條可分割為任何數目之片段,各個諸具有_集中: 之光學帶通濾波器。 、 长 在使用時,各個四分之一圓5〇〇a_5〇〇d傳送光譜之不同部分,秋後 穿透或被上之對準部分反射。#光束中所侧之光譜平衡顯示: 自各帶通紐ϋ為-等量時,圓形光譜參考圖案杨之中心便位於晶圓 頭中心的正上方。否則,光束中所偵測之光譜平衡會顯示圓形光譜:考[ 案406a中心相對於晶圓夾頭中心之偏移量。
圖5B顯示依據本發明一實施例之線形孔隙圖案傷,其用於一機械」 «準晶圓。線形孔隙圖案働包含一系列在一直線上的圓孔啲 著當機械手料準晶圓進人處理室時,機械手臂之軸方向。當機械^ 對準晶圓進入處理室時,光束會通過各個圓孔5〇2,並反射回侧器⑷ 用反射對料分時)’或通過赫陳體與光纖而傳送至侧器(當利 射對準部分時)。 在任-個情況中,當各個圓孔5〇2通過對準部分時,侦測器會在光束 訊號中偵測到-峰值。錢孔中心通過解部分時,所彳貞^值之振 幅較大’當· 502邊緣通過對準部分時,其會較小。因此,機械手臂對 12 1247880 準系統可由光束訊號之振幅調整來計算出機械手臂對準晶圓在兩個方向上 的位置。為了增加機械手臂對準的精確度,可糊多條線之線形孔隙圖案, 如接下來圖5C所說明。 圖5C顯示依據本發明-實施例之多線形孔隙圖案偏c,其用於一機械 手臂對準晶圓。多線形孔隙圖案账包含複數個線形孔義議a—·, 其純含-系顺-直線上_孔502,其沿著當機械手料準晶圓進入處 理室時。’。機械手臂之移動方向。此外,各個線形孔隙圖_㈣&被一 集中私單一波長之光學帶通濾波器所覆蓋。 如上,當各個圓孔5G2通過對準部分時,偵測器會在光束訊號中_ 到-峰值。當圓中心通過對準部分時,所偵測峰值之振幅較大,當 圓孔5〇2邊緣通過對準部分時,其會較小。因此,機械手臂對準系統可由 先束《之振_整來計算出機械手f對準晶圓在兩個方向上的位置。 ”此外,覆蓋在各個線形孔隙圖案5〇4a_5〇4c上之帶通遽波器可用來計 异相對於中心之線職_案_之左、右偏移量,其錄參考圖案概c 中心,且沿著當機械手臂對準晶圓進人處理室時,機械手臂之移動方向。 上各個帶通纽_送光譜之不同部分,然後其穿透或被細夾頭上之對準 P刀反射-口此光束中所偵測之光譜平衡會顯示參考圖案概C中心相對 於晶圓夾頭中心之偏移量。 在另實關中’參考圖案可包含複數個狹縫,其垂直於當機械手臂 =準晶圓進人處理㈣,機械手臂之移動方向。—連續光學濾波器覆蓋該 桃縫,且其獨L繼獅H細繼圓夫頭 上之料部分時,光學訊號僅對於通過狹縫赠、波騷到達對準部分之光 =訊號的波長來調整。依此枝,波長之上下限制可_算左右的偏移 里。有利地’此參相案可被個而不管光束之均勾性。 1247880 =械手臂對準晶圓上之參考圖案所計算之資訊接 二座標錢械手臂控偏統。舉例來說,參考_可指錢械手臂相對 毫米。謝產恤繼提健瓣細系統。依 此方式’輪送或操作室賴進行職即可進行機械手臂之對準。 圖6為依據本㈣一實施例,驗半導體處理純中之光學對準 說流簡。缺剛㈣,進行物膝舉_,預處理摔 =:Γ部分續夾頭中’以及其他熟悉峨術者在閱讀本 叙明後可輕易知悉之預處理操作。
在知作604巾,發射光束至位於晶圓夹頭中心之對準部分上。如上 述’對準科可献射鮮部份或透射解部份。反騎準部份被形成平 行於晶圓夾頭的表面,因此可模仿在晶圓夹頭上具有晶圓之效果。如圖2 2 ’反射對準部分可藉著將晶圓夾頭表面上之小區域研磨光滑來形成, 或者可為一透明光學材料之小圓柱,如藍寶石。 在一貫施财,透射鮮部份亦被形成平行於晶圓魏的表面,❿丨 :仿在夾頭上具有晶圓之效果。透射對準部分的軸垂直於晶圓夹驾
之上表面。此外,光_器透過光纖結合至透射對準部分。透射對準,丨 2-透明、真空緊密、高縱橫比的部分,當光束形成系統_當㈣ 準時,其可使光線傳送通過晶圓夾頭。 在操作_中,偵測發射至對準部分上之光的波長。當利用反射對準 稀時,光束由反射鮮部份反射喊束形成魏^在此财,光束护成 ^先通常包含—光源與—光偵測機構。舉例來說,―光纖可觀來提供光 線至先束形成系統,且另-光纖可用來接收由反射對準部分所反射之光 t並提供所接收之光線至―光_。當彻透射解部分時,高縱橫 t可使先束貫質上垂直於之表面,以使辆過透射鮮部分,並 14 1247880 藉由光纖傳达至絲卿。目此,光學訊·傳送通過透射解部分,然 後透過晶圓夾頭到達光偵測器。 、,祕608巾,接著調整光束形絲統,以使所有侧之波長的振幅 句為取大。§碰光束形I纟統時,所彻植長之振幅會隨著光束逐漸垂 直入射於09圓夾頭㈣大。因此,當所侧之波長振幅達到最大時,光束 係垂直入射晶圓夾頭,並且光束形成系統已適當對準。 曰口在操作610巾進行後處理操作。舉例來說,後處理操作可包含其他的 圓处里顧手臂對準、與其他熟悉此項技術者所知悉的後處理操作。 依=方式’本發明之實闕使光束形成系統之鮮可在侧系統閒置的任 可禮進<亍如在晶關或當無晶圓清潔操作時。因為對準部分叙入晶圓 夾頭中’所以可在每次卸載晶圓時檢查光束形成系統之對準,舉例來說。 □此可在不中斷正常製造流程的情況下對準光束形成系統,因為對準可 在晶圓蝕刻操作之間進行。 隹…、本U為了提供清楚之瞭解,已參照實_做了詳細之說明,惟 _不被認為其係限繼者。熟悉本技藝者參考本發明之敘述,當可輕易 、、才斤揭路的4例作各種修改。舉例來說,此處所說明之電齡統可用 於任何形狀與大小的晶圓,如2〇〇咖的晶圓、· _的晶圓、平板等。因 何未脫離本㈣之範•,而對其進行之修改更,均應包含於後附 之申凊專利範圍中。 五、【圖式簡單說明】 本發明藉著上述的詳細說明並配合附圖當可較容易瞭解。為了幫助說 月’相同的參考符號代表相闕結構元件。 圖1說明-習知利用光學終點偵測系統之银刻系統; 圖2為依據本發明一實施例之敍刻系統,其具有一基於反射率之統合 15 1247880 多用途光學對準系統; 圖3為依據本發明一實施例之蝕刻系 多用途光學對《統; 4有-基於透射率之統合 圖4為依據本發明一實施例之蝕刻系統,复 準功能; 有一統合之機械手臂對 圖5A顯示依據本發明一實施例之圓形 臂對準晶圓; U ‘日參考圖案,其用於-機械手 、圖5B顯不依據本發明一實施例之線形孔隙圖案,其用於一機械手臂 準晶圓; f 、圖5C顯示依據本發明一實施例之多線形孔隙圖案,其用於一機械手臂 斜準晶圓;及 圖6為依據本發明一實施例,用於半導體處理系統中之光學對準方 之流程圖。 【主要元件符號說明】 100 蝕刻系統 102 處理室 104 晶圓夾頭 106 視埠 108 光束形成系統 110 光束 112 參考晶圓 200 蝕刻系統 202 處理室 204 晶圓夾頭 16 1247880 206 視埠 208 光束形成系統 210 光束 212 反射對準部分 300 蝕刻系統 302 晶圓夾頭 304 透射對準部分 306 光偵測器 308 光纖 400 1虫刻系統 402 統合對準部分 404 機械手臂對準晶圓 406 參考圖案 406a 圓形光譜蒼考圖案 406b 線形孔隙圖案 406c 多線形孔隙圖案 408 機械手臂 500a-500d 四分之一圓 502 圓孔 504a-504c 線形孔隙圖案 602-61( ) 步驟

Claims (1)

1247880 十、申請專利範圍: 1. 一種光學對準系統,用於一半導體處理系統中,包含: 一晶圓夾頭,具有一對準部分,其整合至該晶圓夾頭之上表面; 一光束形成系統,配置於該晶圓夾頭上方,該光束形成系統可發射光 學訊號至該對準部分上;以及 一债測器,可偵測發射至該對準部分上之該光學訊號的振幅。 2·根據申請專利範圍第丨項之光學對準系統,其中該對準部分為一反 射對準部分,其可將一部份之該光學訊號反射至該偵測器。 3.根據申請專利範圍第2項之光學對準系統,其中該反射對準部分為 該晶圓夾頭上表面之一研磨區域。 4·根據申請專利範圍第3項之光學對準系統,其中該研磨區域係為連 :續。 5.根射請專利範圍第3項之光學對準系統,其中該研磨區域為一研 磨次區域之圖案。 6_根據申請專利範圍第丨項之光學對準系統,其中該對準部分為一透 射對準部分,其可使-部份之該光學減穿親晶触躺輯該偵測界。 7.根據申請專利範圍第6項之光學對準系統,其中該偵測器配置於該 晶圓夾頭下方。 8·根據申請專利範圍第6項之光學對準系統,其中該透射對準部分係 為透明。 “ 9· 一種在半導體處理系統中之光學對準方法,包含以下操作: 發射一光學訊號至一對準部分上,該對準部分整合至一晶圓夾頭,且 位於該晶圓夾頭中心; 情測發射至該對準部分上之光學訊號的振幅;以及 18 1247880 為正光束形成系統,以使所铺測之光學訊號的振幅達到最大 束形成糸統產生該光學訊號。 、10·根據申明專利範圍第9項之在半導體處理系統中之光學對準方 t其帽解部分為—反射群部分,其可將—部份之該光學訊號反射 一位於該光束形成系統之_器。 根據申明專利範圍第10項之在半導體處理系統中之光學對準方 法,其中觀射解部分為該晶頭上表面之_研躯域。 12·根據申請專利範圍第n項之在半導體處理系統中之光 法,其中該研磨區域係為連續。 +万 13·根據申請專利截图 法,其中該研斗物谢之綱準方 法,其中該對二::=:9項之在半導體處理系統中之光學對準方 該晶圓夾頭_達__器。、料部分,其可使—部份之該光學訊號穿透 15. 根獅請專利範圍第 法,其中該偵測器配置於該晶圓夹頭下方丰。^處理心統中之光學對準方 16. 根據申請專利範圍第:方導 法,其中該透射對準部分係為透明、。在#體處理系統中之光學對準方 17· —種機械手臂對 -晶圓夾頭,具有—2:於一半導體處理系統中,包含·· 於該晶圓夹頭上表面的中^分,其整合至_夾頭之上表面,且位 一光束形成系統,配。一 學訊號至該對準部分上;;3口夹頭上方’ 5絲束形成系統可發射光 一機械手臂對準晶圓, ”-多考圖案,其配置於該機械手臂對準晶 19 1247880 圓的中心位置,且該機械手臂對準晶圓配置於—機械手臂上;以及 -伯測器’可侧發射至該參考圖案上之光學訊號的振幅。 18. 根據申請專利範圍第17項之機械手臂對準系統,其中該參考圖案 改變該光學訊號,俾可滅於該晶®夹頭巾心位制錢機械手臂之中^ 位置。 19. 根據申請專利範圍第18項之機械手臂對準系統,其中該參考圖案 為-圓形光譜參考圖案,在該_光譜參考_之各個諸具有複數個帶 通濾波器,且各個帶通濾波器集中於一單一波長。 20. 根據申請專利範圍第18項之機械手臂對準系統,其中該參 考圖案為-_孔關案,其具有複數個在—直線上㈣孔',沿著當 該機械手臂將該機械手臂對準晶圓插人_處理室時,該機械手臂之移動方 向·〇 21. 根據申請專利範圍第20項之機械手臂對準系統,其中#考圖案 為一多線形孔_案,其具有複數個線形孔_案,各個_^_更 包含一集中於一單一波長之帶通濾波器。
20
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