TWI245145B - A thin film transistor array panel - Google Patents

A thin film transistor array panel Download PDF

Info

Publication number
TWI245145B
TWI245145B TW092120837A TW92120837A TWI245145B TW I245145 B TWI245145 B TW I245145B TW 092120837 A TW092120837 A TW 092120837A TW 92120837 A TW92120837 A TW 92120837A TW I245145 B TWI245145 B TW I245145B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wiring
gate
array panel
storage capacitor
thin film
Prior art date
Application number
TW092120837A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200500698A (en
Inventor
Dong-Gyu Kim
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of TW200500698A publication Critical patent/TW200500698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI245145B publication Critical patent/TWI245145B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13373—Disclination line; Reverse tilt
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask

Description

1245145 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ， 本發明關於一種薄膜電晶體陣列面板，且特別是，關於 一種使用做為液晶顯示器面板之薄膜電晶體陣列面板。 【先前技術】 典型液晶顯示器（“LCD”）為廣泛使用之平面型顯示器，其 包括具有複數電極以產生電場之二面板、一介置於其間之 液晶層、及接附於面板外表面以供偏光之二偏光片。Lcd 施加電壓於電極，以令液晶層内之液晶分子重新定位，藉 此調整通過之光線量。1(：：〇使用了電壓施加改變液晶分子 方位之其中一項特徵，而採用光透射或反射之LCD需要一 内或外光源，因為液晶無法自行放射。 一用於LCD之薄膜電晶體（“TFT”）陣列面板係使用做為 一電路板，供以獨立方式驅動像素。TFT陣列面板包括__ 掃描信號配線或一閘極配線以供傳送掃描信號、一影像信 號配線或一資料配線以供傳送影像信號、連接於閘極配線 人貝料配、、泉之袓數TFTs、及通過TFTs而連接於配線以供顯 示影像之像素電極。 像素屯極$又计用於疊覆閘極配線與資料配線，以取得像 素之孔比且具有低誘電常數之厚絕緣層提供於像素電 極及閘極配線與資料配線之間，以利於減少產生於其間之 寄生電容。 淮，其存在著液晶分子配列之不必要反相發生於一連接 像素電極與資料配線之絕緣層之接觸孔周側等問題，且此
O:\87\87127.DOC -5- 1245145 k成光漏而呈現旋轉位移，因而降低顯示品質。原因在於 由沿著絕緣層斜面而形成之像素電極產生之電場方向係相 對=於液晶分子之方位，致令液晶分子之配列遭到破壞。 儘官可猎由設計不透明膜如閘極配線及資料配線較寬而遮 阻光漏，但是此舉減低了孔比，特別是針對一高解析度 LCD。 【發明内容】 本發明 < 一動機在提供一種用於液晶顯示器之薄膜電晶 體陣列面板，其可取得孔比以及減小光漏。 在:用於本發明實施例LCD之薄膜電晶體陣列面板中， 在對位處理或摩^祭結束處之接觸部分之接觸孔邊界與一相 鄰配、、泉之邊界之間距離係較寬於其他處之邊界之間距離。 詳曰 <，一不透明膜形成於一絕緣基板上且覆上一具有 接觸孔n緣層，接觸孔i少在一接觸部分曝露一部分 不這月膜及具有複數邊界，至少一部分邊界係位於不透明 膜之邊界以内。一導電層形成於絕緣層上且通過接觸孔而 連接於不透明膜，在對位處理或摩擦結束處之接觸部分之 接觸孔之/、中邊界與接觸孔以外之不透明膜之其中一邊 界之間距離係較I於其他處接觸孔之邊界與不i明膜之邊 界之間距離。 不透明膜包含一第一配線及一隔絕於且疊覆於第一配線 之第一配、’泉，且第二配線通過接觸孔而曝露。第一及第二 配線4其中一邊界係位於對位處理或摩擦結束處之接觸孔 之邊界以外。
O:\87\87127.DOC -6- 1245145 第-配線可為一閘極配線或一儲存電容器配線，第二配 線可為-資料配線或-儲存電容器導電體，及導電層可為 一較佳由透明導電性材料構成之像素電極。 " 閘極配線較佳為包括-閘極線及—連接於間極線之閉 極’及資料配線較佳為包括一相交於閘極線之資料線、一 連接於資料線且接近於間極閘極之源極、及—相關於_ 而相對立於源極之汲極。 本發明之薄膜電晶體陣列面板可進—步包括—覆蓋於閑 極配線《閘極絕緣層’及_形成於閘極與源極及汲極之間 閘極絕緣層上之半導體層。半導體層可具有相同於資料配 線者之形狀，不同的是—在源極及沒極之間之通道部分。 $儲存電容器配、㈣包括—分離於閘極配線之儲存電容器 、泉及連接於儲存電容器線之儲存電極，且儲存電容器 導電體連接於資料配線。
絕緣膜較佳由氮化石夕、有機絕緣材料或-低誘電性CVD 膜構成。 【實施方式】 本發月之男訑例將參考附圖以詳細說明於後，供習於此 技者易於貫施’惟’本發明可實施於多種不同型式且不應 拘限於本文内載述之實施例。 在圖式中，諸層及區域之厚度為了求清楚而誇大表示， 相同之參考編唬係指相同元件。可以瞭解的是當一元件例 層膜區域、基板或面板稱為在另一元件，，上，，時， 其可直接在另一元件上或者亦可存在介置元件。對比之
O:\87\87127.DOC -7- 1245145 下，當一元件稱為，，直接，，在另一元件上時，則不存在介置 元件。 現在，用於本發明實施例LCD之TFT陣列面板將參考圖式 說明於後。 圖1A係一用於本發明實驗例子LCD之配線之接觸部分之 布局圖，及圖1B說明沿圖1A之線IB-IB，所取之接觸部分之 截面及一揭示黑暗狀態光漏情形之圖表，實驗例子設計一 LCD且在才目料實際製程所製成⑽之條件下量測黑暗狀 態中之光漏情形。在此例子中，介置於二面板之間之液晶 分子係配列成扭曲向列性（TN)模式，即液晶分子之長軸方 位主對位垂直於二面板，且在無電場時則自一面板螺旋地 扭曲至另一面板。 如圖ΙΑ、1B所示，用於本發明實施例lcd之TFT陣列面 板包括一形成於一下方絕緣基板11〇上之第一不透明配線 200、一透過一第一絕緣層4〇〇而疊覆於第一配線2〇〇之第二 不透明配線700、及一形成於第二配線7〇〇上之一第二絕緣 層800上且通過第二絕緣層8〇〇之一接觸孔而連接於第二配 線700之第一導電層9〇〇。 一平行地面對TFT陣列面板之濾色陣列面板包括一形成 於一上方絕緣層210上且面對第一導電層9 〇〇之第二導電層 270，以產生電場而重新配列或驅動液晶分子。 如圖1B所示’介置於基板11 〇、21 〇之間之一液晶層3〇〇 内之液晶分子係在提供電壓於導電層9〇〇 ' 270 ,而產生足 夠強度電場以施加於液晶層300時對位，以致於液晶層3〇〇 O:\87\87127.DOC -8- 1245145 4液印刀子 < 長軸平行於電場且因而垂直於基板no、 210。經過對位處理或摩擦以令液晶分子在初期對位於一預 疋万向 < 對位膜（圖中未示）之對位力將迫使鄰近於基板 110、210之液晶分子與基板11〇、21〇呈一角度。 惟，液晶分子之配列係在第一導電層900通過第二絕緣層 800之接觸孔而連接於第二導電層27〇之一接觸部分處中 斷，即對伍處理或摩擦結束時，而此將增加光漏。分子配 列4失序係因為相對立於液晶分子方位之第二絕緣層8〇〇 上4第一導電層9〇〇之旋轉位移表面感應出一電場所致，在 本發明中，第一配線200或第二配線7〇〇形成用於遮阻旋轉 偉移區—域，以防止接觸部分處之光漏。為了使第一及第二 配線200、700做最佳設計以確保像素之孔比，旋轉位移區 域較佳由具有最小面積之第一及第二配線2〇〇、7〇〇覆蓋。 為了此目的’在接觸孔邊緣與鄰近之第一配線2〇〇及第二配 線700邊緣之間以及接觸孔外緣處之距離a、b' d中，接 近於對位處理或摩擦結束處之距離b、d設計成較寬於接近 V.'. - 其他處之距離a、c。依此，第一及第二配線2〇()、7〇〇可設 計具有最小面積，以確保像素之孔比，且同時，遮阻光漏 可利用第一及第二配線200、700遮阻。如圖1 a所示，儘管 第一及第二配線200、700二者之邊界皆定位於接觸孔之邊 界外，但是二邊界中僅其中一者可定位於其外。惟，接近 於對位處理或摩擦結束處之一接觸部分之第一及第二配線 200、700至少一者之邊界較佳為定位於其外。 在LCD中，第一配線200可為一閘極線或一使用做為一儲 O:\87V87127.DOC -9- 1245145 存電容器一電極之儲左兩4τ 立汁 - 緒存电極，及弟二配線700可為一汲極或 —使用做為儲存電玄哭另—, , ^ w另一电極<儲存電容器導電體。第 及弟一導電層900、270可以分別為-像素電極及-共用 %極、k g圖ΙΑ、1B揭示一 TN模式之液晶配列方式，本發 明之接觸部分之結構亦可施加於— OCB(光學補償彎曲）模 式LCD ’其中具有正謗電性非等向性之液晶分子係相關於 二基板之間之—中間平面而對稱地對位，1自平面表面至. 中間平面舲其對位從均一(或水平)對位改變成變異(垂直) 對位。此外，本發明之接觸部分之結構亦可施加於-VA(垂 直對挺式LCD，其中具有負誘電性非等向性之液晶分子 係在初期配列垂直於二面板之表面，1自平面表面至二面 板之間之一中間平面將其對位從變異對位改變成均一對 位。 現在，用於本發明實施例具有接觸部分之LCD的TFT陣列 面板及其製造方法將詳述於後。 首先，一用於本發明第一實施例LCD之TFT睁列面板將參 考圖2、3而詳述於後。 圖2係-料本發明第—實施例LCD之啊陣列面板之布 局圖，及圖3係沿圖2之線m_m，所取之τρτ陣列面板之截面 圖。 一閘極配線較佳由低電阻係數之單層銀、銀合金、鋁或 銘合金構成，或由包鮮層在内之多層構成，其形成於一 絕緣基板⑽上。閑極配線包括延伸於橫向之複數閑極線 121、連才矣於閘極線121一端且自一外部裝置傳送閉極信號
O:\87\87127.DOC -10- 1245145 至閘極線121之複數閘極墊塊丨25、及連接於閘極線丨2丨之複 數TFTs閘極123。閘極配線疊覆於連接至像素電極19〇之儲 存電容器導電體177,以形成儲存電容器，供增強像素之電 荷儲存能力，容後詳述。 一較佳由SiNx構成之閘極絕緣層M〇形成於基板n〇上且 覆蓋閘極配線121、123、125。 一較佳由非晶矽構成之半導體層15〇形成於閘極絕緣層 140上且相對亙於閘極丨25，一較佳由矽化物或濃厚地摻以〇 型雜質之η+氫化非晶矽構成之歐姆接觸層163、165形成於 半導體層150上。 一貝料配線形成於歐姆接觸層丨63、i 65或閘極絕緣層工 上，資料配線包括一較佳由低電阻係數之導電性材料如銀 及鋁構成之導電層。資料配線包括延伸於縱向且相交於間 極線121以界足複數像素區之複數資料線171、連接於資料 線171且延伸至歐姆接觸層部分163上之複數源極173、連接 於資料線171 —端且自一外部裝置接收影像信號之複數資 料墊塊179、及形成於歐姆接觸層其他部分165上且相關於 閘極123而相對互於源極173且分離於源極173之複數汲極 175。資料配線包括複數儲存電容器導電體177，係疊覆於 閘極線121及連接於稍後形成之像素電極19()。 一鈍化層180形成於資料配線17;1、m、i75、m、IN 及未由資料配線m、173、175、177、179覆蓋之半導體層 150部分上。鈍化層18〇包括一絕緣層，較佳由優異平滑特 徵之光敏性有機材料或低謗電性絕緣材料構成，例如非晶
O:\87\87127.DOC •11· 1245145 矽··碳：氧：氫。純化層180可進一步包括—由叫構成之絕緣 層，其較佳為設於有機絕緣層下方，以直接覆蓋半導體層 150。此外，有機絕緣材料較佳為自具備閘極墊塊125及資 料1塊179《塾塊邵分去除，且此結構特別有利於⑶G(玻 璃上W片）型LCD，其將閘極驅動ICs及資料驅動直接安 裝於一 TFT陣列面板上。 鈍化層180備有複數接觸孔185、187、189,以分別曝露 汲極175、儲存電容器導電體177、及資料墊塊179,且鈍化 層180及閘極絕緣層140具有複數接觸孔182，以曝露閘極墊 塊125如上所述，為了使汲極175、儲存電容器導電體η?、 及璺覆於此I閘極線121部分可在接觸部分做最佳設計以 確保像素之孔比，在接觸部分之旋轉位移區域即以最小面 和覆盍。針對此目的，在接觸孔丨85、丨87邊緣與鄰近之汲 極175、閘極線121、及儲存電容器導電體丨77邊緣之間之距 離cl、c2、dl、d2中，接近於對位處理或摩擦結束處之距 離dl、d2设計成較寬於接近其他處之距離以、。依此， 汲極175、儲存電容器導電體177、及疊覆於此之閘極線121 邯分可設計具有最小面積，以確保像素之孔比，且遮阻在 接觸部分之光漏。 位於像素區内之複數像素電極19〇形成於鈍化層18〇上， 像素電極190係通過接觸孔185而電連接於汲極n5且較佳 由透明之導電性材料構成，例如錮鋅氧化物（IZ〇)或錮錫氧 化物（ITO)。此外’複數辅助閘極墊塊92及複數輔助資料墊 塊97形成於純化層18〇上，輔助閘極塾塊及輔助資料墊塊
O:\87\87127.DOC -12- 1245145 97分別通過接觸孔1 82、1 89而連接於閘極墊塊125及資料墊 塊179。輔助閘極墊塊92及辅助資料墊塊⑽於保護間極塾 塊125及資料墊塊179，但是並非必要。 土 一 TFT陣列面板之製造方法將參考圖4八至7；6及圖2、^詳 述於後。 首先，如圖4A、4B所示，較佳由低電阻係數導電性材料 如鋁或鋁合金構成之單層或由包括單層在内之多層係沉積 於一玻璃基板110上，且使用一光罩進行光學蝕刻，形成一 包括複數閘極線12卜複數閘極123、及複數閘極墊塊125在 内之閘極配線。 如圖5A、5B所示，包括一較佳由氮化矽構成之閘極絕緣 層140、一較佳由非晶矽構成之半導體層15〇、及一摻雜之 非晶矽層在内之三層係依序沉積於其上。摻雜之非晶矽層 及半導體層使用一光罩做光學蝕刻，以形成一半導體層丨5〇 及一歐姆接觸層160於閘極絕緣層14〇上，且相對立於閘極 123。 隨後，如圖6A、6B所示，一用於資料配線且由低電阻係 數之導電性材料構成之導電層係沉積且使用一光罩做光學 蝕刻，以形成一資料配線。資料配線包括相交於閘極線121 之複數貝料線171、連接於資料線171且延伸至閘極12 3上之 複數源極173、連接於資料線171—端之複數資料塾塊179、 分離於源極173且相關於閘極123而相對立於源極173之複 數汲極I75、及儲存電容器導電體177。 隨後，未由資料配線171、173、175、177、179覆蓋之摻 O:\87\87127.DOC -13- 1245145 奴非曰日矽層圖案16〇部 於間極123之複數斟、 & 乂利形成包括相關 日石々藤 知數^二分離部分163、165在内之掺雜之非 日曰石夕層，及曝露出摻雜 …隹又非叩矽層之分離部分163、165之 間^半導體層1 5 〇部八。& ^ 刀。為了穩足半導體層15〇之曝露表 面，較佳為接著進行氧電漿處理。 今:圖7Α' 7Β所示’—鈍化層18〇係由氮化矽形成，其藉 由塗覆-具有良好平坦特徵之光敏性有機絕緣材料，或使 用電漿增強性化學氣、、主 子巩私/儿和（pECVD)以沉積一低謗電性 CVD膜’例如非晶碎：碳：氧及非晶梦：氧：氟。鈍化層職 同閑㈣緣層UG-起使用—光罩而光”成複數接觸孔 1 85 1 87 189 ’以分別曝露閘極墊塊125、汲極175、 儲存電容器導電體177、及資料墊塊179。 最後’如圖2、3所示，一IT〇層或一IZ〇層係沉積及使用 -光罩進行光學蚀刻，以形成複數像素電極⑽、複數輔助 閘極墊塊92、及複數辅助資料墊塊97〇像素電極19〇分別通 過接觸孔185、187而連接於汲極175及儲存電容器導電體 Π7。辅助閘極墊塊92及辅助資料墊塊97分別通過接觸孔 182、189而連接於閘極墊塊125及資料墊塊179。 儘管本發明之實施例施加於使用分離式光罩進行光學蝕 刻，以形成一半導體層及一資料配線之製造方法，本發明 配線之製造方法亦可施加於使用單一光阻圖案進行光學银 刻，以形成半導體層及資料配線之LCD之TFT陣列面板製造 方法，其將參考圖式詳述於後。 首先，一用於本發明第二實施例LCD之TFT陣列面板之像 O:\87\87127.DOC -14- 1245145 素單元將參考圖8_10說明於後。 圖8係一用於本發明第二實施例L c D之T F τ陣列面板之布 局圖，及圖9、10係分別沿圖8之線Ιχ_ιχ，及線χ_χ，所取之 TFT陣列面板之截面圖。 一閘極配線形成於一絕緣基板110上，閘極配線包括由單· 層或多層之低電阻係數導電性材料構成，例如銀、銀合金、， 鋁、鋁合金、鉻或鈕。閘極配線包括複數閘極線ΐ2ι、複數 閘極塾塊125、及複數閘極123。—儲存電容器配線亦形成 於基板110上，儲存電容器配線包括複數儲存電容器線g 131，係平行於閘極線121且由一外電壓供給，例如一施加 於上方面板之共用電極之共用電壓，及包括連接於諸存電 容器線之複數儲存電極133。儲存電極133疊覆於連接至像 素電極190之儲存電容器導電體m，以形成儲存電容哭， 供增強像素之電荷儲存能力’容後詳述。在疊覆像素料 I90與間極線121以給予足夠儲存電容之例子中，儲存電容 器配線可省略。 -較佳由SlNx構成之閉極絕緣層14〇形成#閘極配緣％、 ⑵、⑵、125及儲存電容器配線131、⑴上，以覆蓋閘梅‘ 配線121、123、125及儲存電容器配線131、133。 一較佳由多晶5夕或非晶石夕構成之半導體圖案152、157开， 成於閑極絕緣層140上。—較佳由濃厚地摻以η型雜質例如 * ρ或Ρ型雜貝《非晶矽構成之歐姆接觸件圖案(或一中 層圖术)163、165、167形成於半導體圖案152、157上。 -較佳由低電阻係數之導電性材料如第_實施例者構成
O:\87\87127.DOC -15- 1245145 之貝料配線形成於歐姆接觸件圖案16 3、16 5、16 7上，資料 配線包括複數資料線單元171、1 73、1 79、TFTs之複數汲極 175、及複數儲存電容器導電體177。各資料線單元包括一 延伸於縱向之資料線171、一連接於資料線171一端且自一 外邵裝置接收影像信號之資料墊塊179、及自資料線171分 支之TFTs之複數源極173。各汲極175分離於資料線單元 171、173、179，且相關於TFT之通道部分C之對應閘極123 而相對jl於對應源極173。儲存電容器導電體177設置於儲 存電各咨配線13 1、13 3上，若無儲存電容器配線1 3 1、13 3， 則儲存電各為導電體17 7亦可省w各。儘管儲存電容器導電體 177連接於汲極175，其亦可不必如此。 資料配線171、173、175、177、179可包括一較佳由銀、 銀合金 '鋁、鋁合金、鉻、鉬、鉬合金、叙或鈇構成之導 電層。 歐姆接觸件圖案163、165、167減低下層半導體圖案152、 157及上層資料配線171、173、i75、m、179之間之接觸 電阻，且具有實質上相同於資料配線^卜l73、I”、177、 179者之形狀。亦即，歐姆接觸件圖案163、165、167包括 具有實質上相同形狀於資料線單元17卜173、179者之複數 資料線歐姆接觸件163、具有實質上相同形狀於汲極175者 之複數汲極歐姆接觸件163、及具有實質上相同形狀於儲存 電容器導電體177者之儲存電容器歐姆接觸件167。 同時，半導體圖案152、157具有實質上相同於資料配線 171、173、175、177、179 及歐姆接觸件圖案 163、165、167 O:\87\87127.DOC -16- 1245145 者之形狀，但是TFT之通道區C除外。更明確地說，半導體 圖案152、157包括具有實質上相同形狀於儲存電容器導電 體1 77及儲存電容器歐姆接觸件1 67者之儲存電容器半導體 1 57 ’及具有略為不同形狀於其餘資料配線及歐姆接觸件圖 案者之複數TFT半導體152。亦即，資料線單元17ι、173、 175 ’特別是在TFT通道區C之源極173及汲極175 ,其係彼 此分離，而資料線歐姆接觸件163及汲極歐姆接觸件165亦 彼此分離。惟，TFT半導體152持續延伸至此處而未中斷， 以形成TFT通道。 一純化層180形成於資料配線17i、i73、i75、m 及未由資料配線m、n3、17s、177、179覆蓋之半導體 上。鈍化層180較佳為包括一絕緣層，例如一 較佳由低謗電常數有機材料構成之有機絕緣層、或一低謗 電性CVD層。 純化層18〇具有複數接觸孔185、187、189，以分別曝露 汲極175、餘存電容器導電體177、及資料塾塊179,純化層 180連同閘極，絕緣層140進一步具有複數接觸議，以曝露 間極塾塊125。如同第一實施例者，為了使汲極175、儲存 電客器導電體Π7、及疊覆於此之閘極133部分可在接觸部 分做最佳設計以確保像素之孔比，在接_分之旋轉位移 區域即以最小面積覆蓋。針對此目的，在接觸孔US、a? 邊緣與沒極175、鍺存電極133、及儲存電容器導電體Μ邊 、彖4間《距離e3、e4、e5、d3、d4、d5中，接近於對位處 理或摩擦結束處之距_3、d4、㈣計成較寬於接近其他
O:\87\87127.DOC -17- 1245145 處之距離c3、c4、Μ。依此，汲極175、儲存電容器導電體 177、及疊覆於此之儲存電極133部分可設計具有最小面 積’以確保像素之孔比，且遮阻在接觸部分之光漏。 用於自TFTs接收影像信號且配合一上方面板電極而產生 電場之複數像素電極190形成於鈍化層180上，像素電極19〇 係由透明之導電性材料構成，例如ITO及IZO。像素電極！ 9〇 係通過接觸孔185而實體性及電力性連接於汲極175，以接 收影像信號。像素電極190疊覆於相鄰之閘極線ι21及鄰近 之資料線171，以擴大孔比，但是此疊覆可省略。像素電極 190亦通過接觸孔187而連接於儲存電容器導電體177，且傳 送影像信號至導電體177。 同時’複數輔助閘極墊塊9 2及複數輔助資料塾塊9 7分別 通過接觸孔182、189而連接於閘極墊塊125及資料墊塊 179，辅助閘極塾塊92及輔助資料塾塊97可補償塾塊125、 179對於外部電路裝置之黏著力及保護墊塊125、n9。輔助 閘極塾塊9 2及辅助資料塾塊9 7並非必要，但是可用選擇性 方式引用。 圖8-10所示用於一 LCD之TFT陣列面板之製造方法將來 考圖11A至17C以及圖8、10詳述於後。 首先，如圖11A至11C所示，一包括銀、銀合金、鋁或铭 合金在内之導電層沉積於一基板110上，且使用一光罩進行 光學蝕刻以形成一閘極配線及一儲存電容器配線。閘極配 線121、12 5、12 3包括複數閘極線121、複數閘極12 3、及;^ 數閘極墊塊125，而儲存電容器配線包括複數儲存電容器線 O:\87\87127.DOC -18- 1245145 1 3 1及複數儲存電極13 3。 如圖12A、12B所示，一具有1，500-5,000埃厚度之氮化矽 閘極絕緣層140、一具有500-2,000埃厚度之内非晶矽半導體 層1 50、及一具有300-600埃厚度之外非晶矽中間層i6〇係= 用CVD依序沉積於基板11〇上。一導電層17〇形成於中間層· 160上，且一具有^微米厚度之光阻膜21〇塗覆於其上。 隨後，光阻膜210透過一光罩而曝光及顯影，以形成一具 有複數第一部分214及複數第二部分212之光阻圖案，如圖 13B、13C所示。光阻圖案212、214之各第一部分214位於% TFT之通道區c上，其係在一源極173及一汲極ι75之間， 各第二部分212則位於一將形成資料配線171、173、175、 177 179處之貝料區A上。其餘區域B上之所有光阻膜21〇 部分皆去除，且令第一部分214較薄於第二部分212。在此， 通道區c上之第一部分214與資料區八上之第二部分之 厚度比係根據後續蝕刻步驟之製程條件而調整，較佳為第
:部分2H之厚度等料小於第：部分212者之—半，例如 等於或小於4,0〇〇埃。 臂I 利用數項技術取 光阻圖案2i2、214之位置依存性厚度係 付’缝隙圖案、-格子圖案或—半透明膜提供於光罩上 以利调整區域C内之透光率。 當使用-缝隙圖案時，較佳為縫隙寬度或缝隙之間距離 較小於-用於微影製程之曝光機之解析度。在使用一半透 明月旲之例子中’不同诱新卜卜七 、 透射比或不同厚度之薄膜可用於調整 光罩上之透射比。
O:\87\87127.DOC -19- 1245145 當一光阻膜210透過此一光罩而曝光時，直接曝光部分之 聚合物幾乎完全分解，而透過一缝隙圖案或一半透明膜曝 光之部分者未完全分解，因為光線量小。由光罩上之一遮 光膜遮阻之一部分光阻膜21〇之聚合物則難以分解。光阻膜 210曝光後，留下未分解之含有聚合物部分。此時，稀少曝 光邵分之厚度較薄於未曝光部分者。由於太長曝光時間分 解所有分子，故需調整曝光時間。 光阻圖案之第一部分214可使用逆流取得，亦即，光阻膜 係由一可逆流材料構成且透過一具有不透明與透明部分之 正常光罩而曝光。光阻膜隨後顯影及進行逆流，以致於一 部分光阻膜向下流至無光阻材料之區域上，藉此形成薄部 分。 其次，光阻膜212、214及包括導電層17〇、中間層16〇及 半導體層150在内之下層係進行蝕刻，以致於資料配線及下 層留在資料區A上，僅有半導體層留在通道區c上，且所有 一層170 1 、150去除而曝露其餘區域b上之閘極絕緣声 140。 胃 首先，如圖14A、14B所示，區域B上之導電層之曝露 邵分係去除而曝露中間層16〇之下層部分。乾性蝕刻及濕性 蝕刻二者可選擇性使用在此步騾中，且較佳在導電層17〇容 易蝕刻而光阻圖案212、214難以蝕刻之條件下執行。惟， 由於難以針對乾性蝕刻來辨識上述條件，因此乾性蝕刻可 在光阻圖案212、214及導電層170同時蝕刻之條件下執行。 在此例子中，用於乾性蝕刻之第一部分214較佳為令其較厚
O:\87\87127.DOC -20- 1245145 於用於濕性姓刻者，以防止第一部分214去除及導電層丨7〇 之下層部分曝露。 結果，如圖14A、14B所示，僅有通道區c及資料區a上之 導電層170部分留存，亦即源極/汲極（“8/1)，，）導電體178及儲 存電容器導電體177,而區域B上之導電層17〇其餘部分則去· 除，以曝露中間層160之下層部分。在此，s/D導電體178 具有貫質上相同於資料配線171、173、175、177、179者之 形狀，不同的是源極173及汲極175並未斷接，而是彼此相 連。當使用乾性姓刻時，光阻圖案212、214之厚度係減小% 至某一程度。 其/人，如圖15A、15B所示，區域b上之中間層16〇之曝露 部分及半導體層150之下層部分以及光阻圖案212'214之第 4刀214利用乾性|虫刻去除，餘刻係在光阻圖案22、 214、中間層160及半導體層15〇容易蝕刻而閘極絕緣層“ο 難以蝕刻之條件下執行（請注意中間層及半導體層之間之 蝕刻選擇性幾近於零）。特別是，光阻圖案212、214及半導 體層150之蝕刻率較佳為幾近相同。例如，光阻圖案212、 214及半導體層15〇之飯刻厚度可利用好6及1^1之氣體混合 物或SR及〇2之氣體混合物而幾近相同。當用於光阻圖案 212 214及用於半導體層15〇之蝕刻率相同時，第一部分214 之初』厚度即等於或小於半導體層15Q厚度及中間層⑽厚 度之總和。 因此 ’ 口 圖 - 、:2、> 15B所不，通這區c上之第一部分214去 除而曝露S/D導電體178之下層部分，且其餘區域b上之中間
O:\87\87127.DOC *21- 1245145 層16〇及半導體層15〇部分則去除而曝露問極絕緣⑽之 下層部分。同時’資料區A上之第二部分叫亦㈣變薄。 再者’半導體圖案152、157在此步驟中完成。參考編號⑹、 167分別指S/D導電體178下方之S/D歐姆接觸件及儲存電容 器導電體177下方之儲存電容器歐姆接觸件。 接著’留罐區C上之S/D導電體178之表面上之光阻殘 留物利用灰化而去除。 其次，如圖16A、16B所示，通道區c上之S/D導電體178 部分及S/D歐姆接觸件168下層部分係蝕刻去除，在此， 導電體178及S/D歐姆接觸件168之蝕刻可以僅用乾性蝕刻 完成。另者，S/D導電體178利用濕性蝕刻而S/D歐姆接觸件 168利用乾性蝕刻。在前一例子中，較佳為在S/D導電體ι78 及S/D歐姆接觸件168之間之蝕刻選擇性高之條件下執行蝕 刻，因為低蝕刻選擇性會使蝕刻完成點難以決定，因而造 成難以調整留在通道區C上之半導體圖案ι52部分之厚度。 在後一例子中改為施加濕性钱刻及乾性姓刻，其形成一階 級狀橫側壁，因為濕性蝕刻會蝕刻S/D導電體1 78之橫側而 乾性姓刻難以蝕刻S/D歐姆接觸件168之橫側。用於蚀刻S/D 歐姆接觸件168之蝕刻氣體例子為CF4及HC1之氣體混合物 及01^及〇2之氣體混合物，使用CF4及〇2之氣體混合物可取 得半導體圖案152、157之蝕刻部分之均一厚度。關於此點， 如圖16B所示，半導體圖案152、157之曝露部分經過蝕刻以 具有減小之厚度，且光阻圖案212、214之第二部分212亦蚀 刻以具有減小之厚度，此蝕刻係在閘極絕緣層14〇不蝕刻之 O:\87\87127.DOC -22- 1245145 條件下執行，且較佳為光阻圖案212、214厚得足以防止第 二部分212去除而曝露資料配線171、173、175、177、179 之下層部分。 據此，源極173及汲極175彼此分離，且同時，完成其下 方之資料配線171、173、175、177、179及歐姆接觸件圖案 * 163 、 165 、 167 ° 最後，留在資料區A上之光阻圖案212、214之第二部分212 係去除’另者’弟一部分212可在通道區C上之S/D導電體178 部分去除後且S/D歐姆接觸件168之下層部分去除前予以去% 除。 如上所述，濕性蝕刻及乾性蝕刻可以先後執行，但是僅 可使用乾性蝕刻。後者較為單純，但是比前者更不易找到 一適¥之姓刻條件。反之，前者容易找到一適當之姓刻條 件，但是前者比後者複雜。 隨後，一鈍化層1 80藉由沉積絕緣材料而形成，如同第一
實施例者。 如圖17A至17C所示，鈍化層180連同閘極絕緣層14〇一起 使用一光罩而光學蝕刻形成複數接觸孔1 85、1 82 '丨87、 189，以分別曝露汲極175、閘極墊塊125、儲存電容器導電 體177、及資料墊塊179。 最後，如圖8至10所示，具有1500-5000埃厚度之一 IT〇層 或一 ΙΖΟ層係沉積及使用一光罩進行光學蝕刻，以形成連接 於汲極175與儲存電容器導電體177之複數像素電極19〇、連 接於閘極墊塊125之複數輔助閘極墊塊92、及連接於資料塾 O:\87\87127.DOC -23- 1245145 塊1 79之複數辅助資料整塊97。 由於資料配線171、173、175、m、179、其下方之歐姆 接觸件圖案163、165、167及其下方之半導體圖案152、157 皆使用單一光罩形成，源極173及汲極175在此製程中為彼 此分離，本發明之第二實施例提供一單純之製造方法以及 第一實施例所提供之優點。 本發明接觸部分之結構亦可施加於將濾色片提供於一 TFT陣列面板上之c〇A(陣列上濾色片）結構，此將參考圖式
圖18係一用於本發明第三實施例[CD之TFT陣列面板之 布局圖，及圖19係沿圖18之線χΐχ_ΧΙΧ，所取之TFT陣列面 板之截面圖。 大部分結構實質上相同於第一實施例者。 f隹，延伸於縱向之複數紅、綠、藍色濾、色片R、GB形 成於一鈍化層180下方之各別像素區内，濾色片R、G、6具 有複數孔C1、C2，以利分別曝露複數汲極i 75及複數儲存 · 電容器導電體177。在此實施例中，濾色片R、G、B之邊界胃 係揭示為彼此重合且位於複數資料線丨7丨上。惟，濾色片R、 G、B可在資料線171上彼此重疊，以遮阻像素區之間之光 漏。漉色片R、G、B並未形成接近於備有複數閘極墊塊125 及複數資料墊塊179之墊塊區。 隨著閘極絕緣層140而形成於濾色片r、〇、b上之純化層 180具有複數接觸孔182、185、187、189,以分別曝露閘極 塾塊125、汲極175、儲存電容器導電體177、及資料塾塊 O:\87\87127.DOC -24- 1245145 179。用於曝露汲極175及儲存電容器導電體i77之接觸孔 185、187係位於濾色片R、〇、B之孔C1、C2内。 用於一具有COA結構之LCD的TFT陣列面板可提供相等 於第一及第二實施例者之效果。 儘管本發明較佳實施例已詳述於上，可以瞭解的是習於· 此技者所知的文内所述基本發明概念之多種變化及/或修 改將在文後申請專利範圍所界定之本發明精神及範疇下。 如上所述，本發明令位於對位處理或摩擦結束處部分之 接觸孔邊界較寬於其他部分者，依此，像素之孔比得以取% 得且光漏可由最佳狀況之配線遮阻。 【圖式簡單說明】 圖1A係一用於本發明實驗例子lCD之配線之接觸部分之 布局圖； 圖1B說明沿圖1A之線IB-IB，所取之接觸部分之截面及一 揭示黑暗狀態光漏情形之圖表；
圖2係一用於本發明第一實施例lCd之TFT陣列面板之布 局圖； 圖3係沿圖1之線ιΠ_ΙΙΓ所取之TFT陣列面板之截面圖； 圖4A、5A、6A、7A係一用於LCD之ΊΤΤ陣列面板之布局 圖，依序說明本發明實施例之製造方法之中間步騾； 圖4B係沿圖4A之線IVB-IVB，所取之TFT陣列面板之截面 圖； 圖5B係沿圖5A之線VB-VB，所取之圖4B所示步騾後之 TFT陣列面板之截面圖； O:\87\87127.DOC -25- 1245145 圖6B係沿圖6A之線VIB-VIB7斤取之圖5B所示步驟後之 TFT陣列面板之截面圖； 圖7B係沿圖7A之線VIIB_VIIBf所取之圖6B所示步騾後之 TFT陣列面板之截面圖； 圖8係一用於本發明第二實施例LCD之TFT陣列面板之布 局圖； 圖9、10係分別沿圖8之線IX-IX’及X-Xf所取之TFT陣列面 板之截面圖； 圖11A係圖8所示TFT陣列面板在本發明第二實施例之一 製造方法第一步騾中之布局圖； 圖11B、11C係分別沿圖11A之線XIB-XIB’及XIC-XIC’所 取之TFT陣列面板之截面圖； 圖12A、12B係分別沿圖11A之線XIB-XIB’及XIC-XIC’所 取之TFT陣列面板在圖11B、11C所示步驟後之截面圖； 圖13A係在圖12A、12B所示步驟後之TFT陣列面板之布局 圖； 圖13B、13C係分別沿圖13A之線XIIIB-XIIIB’及XIIIC -XIIICT所取之TFT陣列面板之截面圖； 圖14A、15A、16A及圖14B、15B、16B係分別沿圖13A 之線XIIIB-XIIIBf&XIIIC-XIIIC’所取之TFT陣列面板之截 面圖，依序說明圖13B、13C所示步騾後之步驟； 圖17A係在圖16A、16B所示步騾後之TFT陣列面板之布局 圖；
圖 17B、17C 係分別沿圖 17A 之線 XVIIB-XVIIBf&XVIIC O:\87\87127.DOC -26- 1245145 -XVIIC1所取之TFT陣列面板之截面圖； 圖18係一用於本發明第三實施例LCD之TFT陣列面板之 布局圖；及 圖19係沿圖18之線χΐχ-χιχ，所取之TFT陣列面板之截面 圖。 【圖式代表符號說明】 92、9Ί 辅助墊塊 110 絕緣基板 121 閘極線 123 閘極 125 閘極墊塊 131 儲存電容器配線 133 儲存電極 140 閘極絕緣層 150 、 152 、 157 半導體 160 、 163 、 165 、 167 歐姆接觸件 170 導電層 171 資料線 173 源極 175 沒極 177 儲存電容器導電體 179 資料塾塊 180 純化層 182 、 185 、 187 、 189 接觸孔
O:\87\87127.DOC -27- 1245145 190 像素電極 200、 .700 配線 110、 210 基板 212、 * 214 光阻材料 270、 900 導電層 300 液晶層 400、 800 絕緣層 O:\87\87127.DOC -28-

Claims (1)

1245145 拾、申請專利範圍： 1 · 一種薄膜電晶體陣列面板，包含： 一絕緣基板； 一不透明膜，其形成於絕緣基板上； 一絕緣層，其覆蓋不透明膜且具有一接觸孔以至少在 一接觸部分曝露不透明膜，及具有複數邊界，至少一部分 邊界係位於不透明膜之邊界以内；及 一導電層，其形成於絕緣層上且通過接觸孔而連接於 不透明膜， 其中在對位處理或摩擦結束處之接觸部分之接觸孔之 其中一邊界與接觸孔以外之不透明膜之其中一邊界之間 距離，係較寬於其他處接觸孔之邊界與不透明膜之邊界之 間距離。 2. 3. 4. 5. 如申請專利範圍第丨項之薄膜電晶體陣列面板，其中不透 膜G έ第配線及一隔絕於且疊覆於第一配線之第 二配線，且第二配線通過接觸孔而曝露。 如申明專利|a圍第2項之薄膜電晶體陣列面板，其中第一 第配、、泉之其中一邊界係位於對位處理或摩擦結束處 之接觸孔之邊界以外。 申’專利fe圍第3項之薄膜電晶體㈣面板，其中第 斗泉係間極配線或一儲存電容器配線，第二配線係- 料配線或一儲在泰令盟、憤& ^ w寸黾體，及導電層係一由透明導 十材料構成之像素電極。 如申凊專利範圍第4項 4胰電晶體陣列面板，其中閘 O:\87\87127.DOC 1245145 配線包含一間極線及一連接於閘極線之閘極，及資料配線 包含一相交於間極線之資料線、一連接於資料線且接近於 閉極電極之源極、及一相關於閘極而相對立於源極之沒 〇 6.如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體陣列面板，進一步包 含一覆蓋於閘極配線之閘極絕緣層，及一形成於閘極與源 極及汲極之間閘極絕緣層上之半導體層。 7·如申請專利範圍第6項之薄膜電晶體陣列面板，其中半導 體層具有相同於資料配線者之形狀，不同的是一在源極及 汲極之間之通道部分。 8. 如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電谷器配線包含一分離於閘極配線之儲存電容器線，及一 連接於像存電容器線之儲存電極。 9. 如申請專利範園第8項之薄膜電晶體陣列面板，其中儲存 電容器導電體連接於資料配線。 1〇·如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中絕緣 膜包含氮化硬、有機絕緣材料或一低謗電性CVD膜。 O:\87\87127.DOC
TW092120837A 2002-07-30 2003-07-30 A thin film transistor array panel TWI245145B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020044940A KR100859521B1 (ko) 2002-07-30 2002-07-30 박막 트랜지스터 어레이 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200500698A TW200500698A (en) 2005-01-01
TWI245145B true TWI245145B (en) 2005-12-11

Family

ID=36652874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092120837A TWI245145B (en) 2002-07-30 2003-07-30 A thin film transistor array panel

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7242451B2 (zh)
JP (1) JP4638227B2 (zh)
KR (1) KR100859521B1 (zh)
CN (1) CN100351689C (zh)
AU (1) AU2002330336A1 (zh)
TW (1) TWI245145B (zh)
WO (1) WO2004011999A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710166B1 (ko) * 2003-06-28 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100980010B1 (ko) * 2003-07-14 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US7190000B2 (en) * 2003-08-11 2007-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP4155227B2 (ja) * 2004-05-07 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
KR100942265B1 (ko) 2004-05-31 2010-02-16 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 제조방법
KR100679100B1 (ko) * 2004-10-29 2007-02-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조방법
KR100685427B1 (ko) * 2004-11-26 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7750403B2 (en) * 2006-06-30 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101535810B1 (ko) * 2009-01-14 2015-07-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3109979B2 (ja) * 1994-06-20 2000-11-20 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP3081468B2 (ja) * 1994-09-30 2000-08-28 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JPH08262219A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Toshiba Corp カラーフィルタ
JP3130761B2 (ja) * 1995-05-15 2001-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
CN100414411C (zh) * 1995-10-03 2008-08-27 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
JP3716580B2 (ja) * 1997-02-27 2005-11-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置
KR100238795B1 (ko) * 1997-03-03 2000-01-15 구본준 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100255592B1 (ko) * 1997-03-19 2000-05-01 구본준 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법
KR100262953B1 (ko) * 1997-06-11 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100262954B1 (ko) * 1997-09-03 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조
US6297519B1 (en) * 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
KR100321925B1 (ko) * 1998-11-26 2002-10-25 삼성전자 주식회사 4장의마스크를이용한액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법및액정표시장치용박막트랜지스터기판
JP3733769B2 (ja) * 1999-01-22 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 液晶装置
JP3139549B2 (ja) * 1999-01-29 2001-03-05 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TWI301915B (zh) * 2000-03-17 2008-10-11 Seiko Epson Corp
JP2002122887A (ja) * 2000-06-12 2002-04-26 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
KR100796481B1 (ko) * 2000-12-29 2008-01-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7242451B2 (en) 2007-07-10
KR20040011805A (ko) 2004-02-11
JP2005534959A (ja) 2005-11-17
CN100351689C (zh) 2007-11-28
CN1650224A (zh) 2005-08-03
TW200500698A (en) 2005-01-01
US20060152655A1 (en) 2006-07-13
JP4638227B2 (ja) 2011-02-23
AU2002330336A1 (en) 2004-02-16
WO2004011999A1 (en) 2004-02-05
KR100859521B1 (ko) 2008-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8045078B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4241391B2 (ja) 液晶表示装置及び薄膜トランジスタ表示板
US7358124B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7396695B2 (en) Wire structure, a thin film transistor substrate of using the wire structure and a method of manufacturing the same
TWI443432B (zh) 用於平面切換模式液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法
US8218117B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US7666697B2 (en) Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same
US20070048910A1 (en) Method For Manufacturing Thin Film Transistor Array Panel For Display Device
US20110109827A1 (en) Horizontal electric field switching liquid crystal display device and fabricating method thereof
TW200537694A (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
US9696602B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display
KR20050067934A (ko) 금속 배선의 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법
TWI245145B (en) A thin film transistor array panel
US7605889B2 (en) Pixel structure and fabrication method thereof
WO2003075356A1 (en) Contact portion of semiconductor device, and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same
JP5229775B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
US10128274B2 (en) Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same
US9287298B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US8654294B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101012786B1 (ko) 액정 표시 장치
KR102545697B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114709227A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板
KR20060131368A (ko) 화상 형성 장치를 이용한 색필터 표시판의 제조 방법
KR20050093881A (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR20050011874A (ko) 박막 트랜지스터 표시판

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent