TWI243394B - Hybrid scanning system and methods for ion implantation - Google Patents

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1243394 A7 ___ B7____ 五、發明說明（/ ) [相關申請案] 本申請案係主張於西元2000年•一月22日所提出申 請之美國臨時申請案序號60/252,549的優先權裨益，其係 藉著參照如同整體複製之相同內容而倂入本文。 [發明領域] 本發明係關於離子植入設備之領域，且尤指串列式 (serial)離子植入設備。 [發明背景] 於離子植入，一高能的離子束係撞擊於一材料表面上 ，以嵌入或植入該等離子於該材料。離子植入製程係分類 爲批次(batch)與串列式製程。串列式製程係最爲普遍型式 之離子植入製程，且係關連於介質劑量植入。串列式製程 係最爲經常運用一電漿離子束，其係在垂直於束傳播方向 之二軸而受到靜電偏轉過程。靜電偏轉過程係意欲提供離 子於密度與行進方向之均勻分佈，但實際上之離子束係於 角度變化爲如同關於束傳播方向的3度之多。此變異係產 生不良的影響於離子植入製程，如同於授與Pollock之美 國專利第4,726,689號所論述。 授與Brune等人之美國專利第5,406,088與5,229,615 號係敘述一種平行束離子植入裝置，其係因應於大晶圓直 徑之增多的商業用途所開發。直徑由4”至6”且接著至8” 之晶圓直徑的成長係已經產生對於一種串列式植入裝置之 需要，該種串列式植入裝置係能夠產生其以均勻平行束撞 擊晶圓表面之一束而且同時亦允許晶圓之傾斜及旋轉控制 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) '" ------- —訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1243394 ____B7 _ 五、發明說明（1 ) 0 授與White等人之美國專利第5,350,926號係敘述一 種高電流廣束離子植入器’其強調在用於束控制之系統’ 以建立跨於行進於單一橫向方向之一大帶狀束的均勻度。 該種離子植入器運用一 Freeman、Bernas、或微波源，經由 該源，離子束係由源電漿透過一平行側的凸槽所引出。離 子束通過一對解析磁鐵以使得該束爲平行於其垂直於束傳 播方向之二軸。授與Barrian等人之美國專利第4,922，106 號係類似揭示一種離子束植入裝置，具有一平行束產生器 以及其有利於均勻植入之機械與電氣掃描控制。 混合式(hybrid)掃描系統係於現代串列處理離子植入設 備中之所最爲經常運用的型式。處理係一次對於一個晶圓 所發生。如第1圖所示，其係一中間截面側面圖，常見的 是欲於一軸所機械式掃描一晶圓100,藉著將晶圓100通 過一掃描離子束1〇4(即由離子源102所投射出之一離子束 104)。水平離子束104具有一橫軸106，其相對於晶圓運 動之垂直軸108。如第1圖所示，軸106係離子束軸之平 均代表。離子束104之部分者係歸因於束成形場元件而可 能爲稍微離軸，諸如於授與White等人之美國專利第 5,350,926號所揭示者。槪括而言，晶圓100係沿著軸108 所垂直平移通過水平掃描的離子束104,作爲將離子束均 勻分佈於晶圓表面上之一種方式。所進來的離子束104係 必須在植入晶圓1〇〇之前而裝設，藉以由此種掃描方法而 達成均勻之植入。此等處理係發生於一束植入真空室110 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線泰 1243394 B7 五、發明說明（》） 。一晶圓固定座112可包含一臂、一線性輸送帶、或者任 何其他型式之晶圓固定座。晶圓固定座112係呈現一晶圓 表面114,其係可透過離子束1〇4之作用而利用於離子植 入。 如第2圖所示，其係一中間截面俯視圖，對於均勻植 入之掃描離子束104的裝設係藉著以一法拉第杯(Faraday cup)200所取樣而達成，法拉第杯200係水平移動跨於全 束寬度W，其係垂直於裝設平面（setup plane)202之束軸 106。裝設平面202係理想爲位在晶圓植入發生於表面114 之處(參見第1圖）。法拉第杯200係展開於複數個取樣站( 例如取樣站204與206) ’以提供在裝設平面202之所有位 置的束均勻性之一相當表示。由法拉第杯200所收集之離 子束電流係測量爲法拉第杯位置之一函數。對於源102之 離子束光學元件的後繼調整係藉由習用方式所作成’以平 均輸出離子束電流，例如於授與White等人之美國專利第 5,350,926號所揭示者。束電流之測量以及離子光學元件之 調整係根據習用策略所重複，直到該束電流係均勻於可接 收限制範圍內爲止。 如第3圖所示，混合式掃描系統具有製程需求，其要 求於植入期間之相對於晶圓表面114的離子束入射角度 300之控制，舉例而言，如同授與Smick等人之美國專利 第5,898，179號所述。此種控制係通常藉著將晶圓固定座 112之內的晶圓100傾斜而達成。傾斜係發生相對於離子 束104之軌跡與機械軸108。此傾斜係產生介於進入的離 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .I I I I I I I 訂· — — — — ——--j A7 1243394 __B7___ 五、發明說明（4 ) 子束104與晶圓表面114之間的一入射角度300，其係於 晶圓上的任何處均爲定値。如同先前，晶圓之機械平 移係以沿著軸1〇8之垂直方向而持續。入射角度300係一 般爲範圍從〇度至45度，且係以介於沿著軸106的離子束 軌跡與垂直於植入晶圓表面1H的軸304之間的y軸平面 所測量。舉例而言，當晶圓植入表面114係方位爲相對於 沿著軸106的離子束軌跡之90度，係發生一 0度的植入角 度。 相對於機械掃描軸108而傾斜晶圓100，將具有一不 利影響於離子植入之均勻度，因爲晶圓表面114之某些區 域係未植入於如同裝設平面202之相同焦面。此等問題係 由於運用較大晶圓之目前潮流而更形惡化，使得介於裝設 平面202與表面114的平面之間的距離係將爲重大。當晶 圓100係藉著關於機械掃描軸108之旋轉所傾斜，晶圓之 一端306係旋轉朝向進來的離子束104而另一端308係旋 轉遠離。晶圓1〇〇之中間區域310係保持於裝設平面。舉 例而言，若水平傾斜軸係整個位在晶圓1〇〇之下方，則整 個晶圓係移出該裝設平面202。除了在裝設平面202之其 已實際測量處，離子束電流均勻性係並未明確得知。因此 ，該植入與裝設平面係應爲共平面。 離子束104含有帶有正電荷之電漿粒子，其撞擊於表 面114以將一淨電荷分給於晶圓100。根據習用策略，此 分給的電荷之影響係藉著運用一浸沒電子槍(flood giin)3 12 以發射一電子流(electron stream)314而消除。其包括用以 6 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —-----^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243394 A7 ____B7______ 五、發明說明（r ) 中性化累積電漿電荷之一浸沒電子槍的一種範例離子植入 系統係VllSta 80離子植入器’其係由美國麻州

Glouchester 之 Varian Semiconductor Equipment 公司所生產 ，舉例而言，如同敘述於Radonov等人所著之“用於高電 流帶狀束之在原位置的電荷電位監視（7〃叹 Potential Monitoring for a High Current Ribbon Beam)" (Varian商業公報2001)。電子流314撞擊於晶圓100以消 除淨電荷。隨著晶圓100係傾斜於漸增大小之角度300， 表面114係增多暴露於電子流314，且存有於由電子流314 之接觸的對應增加以及於晶圓1〇〇之有關的淨電荷效應。 同理，靠著此種傾斜以及於晶圓1〇〇之有關的淨電荷效應 ，表面Π4係可較少暴露至離子束104。此等淨電荷效係 協同產生成問題的區域場失真，其改變離子束104之均勻 性，如同該角度300的大小以及對於離子束104的行進距 離相關變異之一函數。 對於傾斜掃描式系統之企圖改良係包括對於晶圓移動 系統之調整，俾使晶圓平移軸係如同角度300之一函數而 移動至一新軸108’。於室110之整個晶圓掃描裝置係傾斜 於一水平軸以達成此效應。平移軸108至軸108,之此傾斜 移位係確保的是，不論角度300的大小爲何，離子束1〇4 之中心係以定焦距而撞擊於表面114之所有點。是以，該 種方法係產生平行掃描植入於一選定角度300，而未植入 在該束焦面之外側。根據此等改良方法，離子束1〇4之裝 設係水平前進，如第2圖所示。 7 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)" -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝·-------訂---------線赢 1243394 a7 ___B7___ 五、發明說明（t ) 此等改良係與諸多問題有所關連，諸如一增加長度之 沿著軸108’的掃描衝程，其造成於將該種運動系統建構於 真空室110之大爲增加的質量、複雜度與成本。諸如晶圓 饋送及配置系統之晶圓操縱結構係必須能夠協同於種種角 度之傾斜軸108’而運作。浸沒電子槍3,12係通常定位:接 近晶圓100而使得該浸沒電子槍將干擾於植入室110中的 晶圓操縱及轉移系統之運動。系統可靠度與可重複性係由 於此等複雜度而降低，且晶圓操縱容量係降低。 [發明槪論] 本發明之混合式掃描系統與方法係解決前文指出的問 題，藉著提出一種離子植入系統，其當將晶圓傾斜離開裝 設平面而未傾斜整個機械掃描軸時以達成均勻性。簡而言 之，該種系統係慎重傾斜該晶圓爲離開典型的裝設祛拉第 取樣平面以提供一植入角度。一種二軸式法拉第者係在正 確的植入角度而執行束裝設於植入平面，以除去離開焦面 (out-of-focal plane)之問題。有利的是，該種整體系統係相 較於先前技藝系統爲較簡單、較小、較可靠及較低成本以 運用之。 該種離子植入系統包括一離子源，離子係沿著一第一 軸而線性掃描以產生一離子束，諸如一平行路徑扇形束， 其具有垂直於第一軸之一個二維橫截面，其係於一維爲相 較於另一維之至少二倍大。諸如一晶圓固定座之一工件固 定座係構成，以供機械掃描於沿著垂直於第一軸之一運動 路徑的線性運動。舉例而言，此種結構係透過運用一第一 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚1 ^' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I I I I 訂----I---- 1243394 B7 五、發明說明（7 ) 可垂直伸展之驅動臂而達成，該驅動臂係可旋轉於其伸展 軸。可選擇調整之旋轉控制結構係利用以供旋轉工件，藉 著運用該可垂直伸展運動路徑之方向作爲一旋轉軸，以當 工件係安裝於工件固定座時爲於一選擇旋轉角度而定位該 工件上之一植入表面。諸如一法拉第杯之一束測量元件係 構成以供掃描沿著植入表面之一意欲位置，以提供符合該 意欲位置之一裝設測量。因此，當工件固定座係旋轉時， 束測量之裝設平面係並非垂直於離子束傳播之方向。 其他的層面與方式係包括運用至少一個電荷中性化裝 置，諸如一電子浸沒電子槍或一電漿電橋(plasma bridge)， 其係導引朝向工件固定座以供束電荷建立之中性化。一可 旋轉機構係構成以維持該電荷中性化裝置爲與工件固定座 成對應旋轉對齊。舉例而言，電荷中性化裝置係可安裝於 一第二可垂直伸展驅動臂，其係可旋轉繞於其延伸軸。可 旋轉機構係關連於電荷中性化裝置並且對齊於第一可垂直 伸展驅動臂，俾使可旋轉機構係可線性對齊於可選擇調整 之旋轉控制結構。此對齊係維持該電荷中性化裝置與工件 固定座(holder)之角度旋轉與間隔的一方位。 前述系統係運用於一種用於工件之離子植入方法，包 含步驟:產生一離子束，其垂直於具有一 X軸與一 Y軸之 一第一 XY平面;掃描該束跨於工件，沿著第一 XY平面之 X軸;識別一第二平面，藉著旋轉第一 XY平面繞於Y軸; 測量沿著於第二平面之一線的有效離子束強度，以提供一 束強度訊號;調整該離子束，基於束強度訊號，以得到一已 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f -----— II ^--------I '^身 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） "" 1243394 a7 ___ B7 ___ 五、發明說明（8 ) 調整的離子束，其具有沿著於第二平面之該線的一更爲均 勻的離子束強度;旋轉該工件，以呈現對齊於第二平面之一 植入表面;以及，平移該工件爲沿著共存於XY平面之Y軸 ，以將該工件通過已調整的離子束而達成離子植入於工件 。該種方法可更包含步驟:在旋轉工件之該步驟前，定位一 電荷中性化元件爲於旋轉對齊該工件之一位置;以及，在旋 轉工件之該步驟後，重新對齊該電荷中性化元件爲於旋轉 對齊之位置。 前述系統與方法係提供數個優點。植入平面與裝設平 面係共平面，且未受到束高度及/或植入角度之影響。掃描 軸係毫不傾斜，故掃描衝程係最小化，且晶圓交換高度係 典型爲同樣易於最佳化。因爲傾斜係藉著旋轉一較小許多 的慣性質量所達成，其係可快速作成以使得晶圓生產量爲 最大。因爲傾斜運動係並非運用以移動晶圓介於植入與晶 圓載入位置之間，所需範圍之傾斜軸運動係僅由植入角度 需求所驅動;45度而非90度。此舉減少欲交換晶圓所需的 時間，且因此提高晶圓生產量。欲傾斜之較小慣性質量係 亦意謂著該運動係能夠以其爲較小及較低成本之較低動力 的驅動器所產生。可選用之浸沒電子槍係易於定位靠近晶 圓，浸沒電子槍對晶圓之幾何性係於整個範圍的植入角度 爲保持不變。此舉係藉著自該植入室之頂板所簡單安裝該 浸沒電子槍並且將其旋轉於掃描軸以符合植入角度而達成 〇 [圖式簡單說明] 10 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) --------------------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243394 A/ ______B7 ___ 五、發明說明（？） 儘管已經顯示及說明目前被視爲本發明之較佳實施例 者，對於熟悉此技藝人士將係顯明的是，種種變化與修改 係可在未偏離如同隨附申請專利範圍所界定之本發明的範 疇下而作成。 第1圖係如同先前技藝所運用之一種離子植入系統的 側面中間截面圖； 第2圖係一種先前技藝之取樣系統的俯視中間截面圖 ，該種取樣系統運用一法拉第杯於一裝配平面，其係垂直 於一掃描離子束； 第3圖係側面中間截面圖，繪出一種先前技藝之離子 植入裝置’其包括一種用於調整植入角度之傾斜晶圓系統； 第4圖係一種離子植入系統之俯視中間截面圖，該種 系統包括一旋轉驅動臂，其係可運用以調整植入角度； 第5圖係俯視中間截面圖，顯示一種離子束裝設取樣 系統，其係可與第4圖所示系統爲關連而運用； 第6圖係於第4圖所示系統之側面中間截面圖;及 第7A與7B圖係於第6圖所示系統之俯視圖，針對工 件之不同旋轉角度。 [主要符號說明] 100晶圓 102離子源 104離子束 106橫向軸 108垂直軸 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) - ------------------1 ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243394 A/ _B7_ 五、發明說明（P ) 108’傾斜軸 110束植入真空室 112晶圓固定座 114晶圓表面 200法拉第杯 202裝設平面 204、206取樣站 300離子束之入射角度 304垂直於植入晶圓表面114之軸 306晶圓100之一端 308晶圓100之另一端 310晶圓100之中間區域 312浸沒電子槍 314電子流 400離子植入系統 402離子束源 404離子束 406束軸 408系統400之z軸 410 X 軸 412離子植入室 414工件固定座 416工件(諸如晶圓） 418植入表面 420垂直於植入表面418之線 422平行於X軸410之線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----11 —tr·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1243394 ____B7___ 五、發明說明（"） 424 ζ-χ軸之平面 426工件固定座414之旋轉角度 428代表植入表面418於離子植入操作時之位置的線 430法拉第杯 432驅動臂 434槽 436壁 438馬達驅動線性軸 440線性軸438之伸縮方向 442真空密封 444表面 500法拉第杯430之行進線 502、504沿著行進線500之選定位置 600馬達驅動軸 602 Y軸方向 604伺服控制式肘節 605軸線 612馬達 614軸線 618浸沒電子槍 620臂 622套筒 634控制器 [較佳實施例詳細說明] 第4圖係一中間截面俯視圖，繪出根據本發明之種種 實施例與方式之一種離子植入系統400。一離子束源402 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------tr---------線t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1243394 A/ __B7 _________ 五、發明說明（θ ) 係運用以產生一離子束404,其係可爲適合用於離子植入 目的之任何型式的離子束。舉例而言’離子束4〇4係可爲 一扇形束或一平行束。選用而言，離子束源402係投射離 子束404如同一帶狀(ribbon)束而到達跨於一束寬度W，或 者該離子束404係可磁性或靜電掃描跨於束寬度W。平均 而言，離子束404行進沿著束軸406，其係平行於系統400 之一 z軸408。一 X軸410係平行於束寬度W。於較佳實 施例中，束源402具有習用可選擇調整之束品質控制系統 ，其係運用以調整離子束404之特徵，諸如離子密度與離 子粒子方向。離子束源402將離子束404投射於一離子植 入室412 〇 一工件固定座414係藉著內部真空或鉗固結構(未繪出 )所持有諸如晶圓416之一工件。晶圓416係呈現一植入表 面418，其接收來自離子束404之撞擊離子以供離子植入 之目的。線420係垂直於植入表面418。線422係平行於X 軸410，並代表植入表面418將佔據有零度之旋轉的位置( 當線420係平行於束軸406)。工件固定座414係可選擇性 旋轉於任何z-x軸平面424，俾使工件固定座414之順時 針或逆時針方向旋轉係產生一旋轉角度426。當工件固定 座414係於一未旋轉狀態時，旋轉角度426係90度，俾使 線420係平行於束軸406並且植入表面418係對齊於線 422。工件固定座414係可具有於z-x軸平面424之任何範 圍的旋轉自由度，但較佳爲具有範圍爲-45度至+45度的旋 轉自由度，俾使旋轉角度426之範圍爲由45度至135度。 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 i 1243394 a7 五、發明說明（/)) 舉例而言，當工件固定座414具有範圍爲0度至45度之旋 轉自由度，該旋轉角度可由45度所變化至90度。當晶圓 416係置放於工件固定座414，工件固定座414之旋轉係引 起植入表面418之對應旋轉。是以，平坦的植入表面418( 或者若必要時之甚至爲一彎曲的表面)係可沿著線428所投 射，線428係根據植入表面418之真實限度而代表植入表 面418於離子植入操作期間之一意欲或實際位置。 一法拉第杯430係位在離子植入室412，以供沿著其 爲相符於線428之一平面而測量離子束404之離子密度。 諸如一馬達驅動線性臂之驅動臂432係控制法拉第杯430 平行於X軸410之平移運動。離子植入室412含有一槽 434，其允許驅動臂432之通過以及驅動臂432之z軸平移 運動，其係由壁436平行於z軸408之滑行運動所促成。 舉例而言，壁436之此z軸平移運動係可藉由一馬達驅動 線性軸438於箭號440的方向之延伸或收縮所促成。壁 436係可藉著上部或下部軌道組件(未繪出)所保持於真空室 412，且一真空密封442係外接該槽434，俾使在離子植入 室412之內側的真空狀態係藉著於密封442之上的力量而 由表面444之上的真空壓力作用所增強。 藉著此等方式，法拉第杯430、具有至少二度之平移自 由度，即於X軸與Z軸方向之自由度，俾使法拉第杯430 可循著線428以建立一裝設平面，其相符於線428與植入 表面418於植入操作期間之意欲位置。工件固定座414係 可於裝設操作期間所降低，以讓出通路給法拉第杯430。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線羞 A7 1243394 ____B7 - --- 五、發明說明（W ) 第5圖係繪出關於一行進線500之法拉第杯430 ’行進線 500係存在平行於線428，俾使法拉第杯430之中心係藉著 臂432與軸438之作用而行進跨於槪括中心爲於線428之 一平面。該法拉第杯係取得來自於複數個選定位置(諸如沿 著行進線500之位置502與504)之離子束的測量。 第6圖係由一側面中間截面圖而顯示離子植入系統 400。工件固定座414係安裝至一馬達驅動軸600，其係掃 描於Y軸方向602而足以將工件416之表面418完全通過 離子束404。軸600係一種垂直掃描機構之一部份。一伺 服控制式肘節(kmiCkle)604係允許工件固定座414與工件 416爲旋轉繞於一軸線605，介於一垂直位置(如第6圖所 示)與供互動於習用晶圓轉移裝置(未繪出)的一水平位置之 間。一馬達612係適用以供轉軸600於軸線614之旋轉， 軸線614係平行於系統Y軸602。工件固定座414與工件 416係可旋轉至種種可選擇性調整固定的旋轉位置而造成 不同的旋轉角度426，如第4 1[所示。旋轉角度426之大 小係由馬達612之致動所調整。 一浸沒電子槍618係可由一臂620所附接至垂直掃描 機構上的一套筒(sleeve)622。浸沒電子槍618係定位於工 件416之前方以供電荷中性化，且係定位以避免阻斷離子 束404。臂620與套筒622係構成使得浸沒電子槍618爲 於軸614所旋轉至如同工件固定座414之相同角度。浸沒 電子槍618係藉著軸600而於工件固定座414爲垂直掃描 時所維持在一固定角度。因此，以旋轉角度而言，由浸沒 16 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------. A7 1243394 _____B7__ 五、發明說明（吖） 電子槍618所射出的電子係係保持相對於工件固定座414 與工件416之一致的方位。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此種匹配的旋轉角度係保證的是，由離子束404之離 子植入係未受到於離子發射之變化與於工件416之有關場 效應所影響。再者，如第7A與7B圖所示，工件416係一 直呈現對於浸沒電子槍618之電子發射的固定橫截面積。 此固定橫截面積係避免欲對於不同工件旋轉角度而調整浸 沒電子槍618之電子輸出的需要。 一控制器634提供所有系統元件之控制，諸如響應於 來自法拉第杯430的測量之離子束404.的品質控制。應係 注意的是，該種束控制係不同於先前技藝策略，離子束 404之特徵係調整爲響應於其包括線428(參見第4圖)之一 裝設平面的測量，而非垂直於離子束406之一裝設平面。 控制器634亦提供對於晶圓操縱、以及軸600、馬達612、 肘節604與套筒622之操作的控制指令，一切係均根據前 文所述之運動法則。 本發明之其廣義層面係不受限於所已經顯示及敘述之 特定詳述、代表性質之裝置與方法、以及說明性質之實例 。是以，在不偏離如同由隨附申請專利範圍與其等效者所 界定之槪括創新槪念的精神與範疇下，變更係可由該等詳 述所作成。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1243394 - C8 D8 一---- 六、申請專利範圍 包a 同，其適以維持介於工件固定座與電荷中性化構件 之間的一固定間隔。 種用於工件之離子植入方法，包含步驟： 產生一離子束，其垂直於具有一 X軸與一 γ軸之一第 一 XY平面； 識別一第二平面，藉著旋轉該第一 XY平面繞於Y軸； 測量沿著於第二平面之一線的有效離子束強度，以提 供一束強度訊號； 調整該離子束，基於束強度訊號，以得到一已調整的 離子束，其具有沿著於第二平面之該線的一期望離子束強 度； 旋轉該工件，以呈現對齊於第二平面之一植入表面;及 平移已旋轉的工件爲沿著γ軸，以將該工件通過已調 整的離子束而達成離子植入於工件。 7.如申請專利範圍第6項之方法，更包含步驟： 定位一電荷中性化元件爲於旋轉對齊該工件之一位置 2 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂； 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公在）