TWI241030B - Fabrication of conductive metal layer on semiconductor devices - Google Patents

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TWI241030B TW092125951A TW92125951A TWI241030B TW I241030 B TWI241030 B TW I241030B TW 092125951 A TW092125951 A TW 092125951A TW 92125951 A TW92125951 A TW 92125951A TW I241030 B TWI241030 B TW I241030B
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Description

1241030 玖、發明說明： c發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於半導體元件上之導電金屬層的製造方 5 法，特別但非單獨指向發光元件上之相對厚的導電金屬層 之電鍍方法。該相對厚之導電金屬層可做為熱氣傳導以及/ 或者電氣傳導以及/或者機械支撐使用。
L H 發明背景 10 隨著半導體元件之發展，操作速度有顯著的增加，而 整體尺寸也有縮小的趨勢。這卻帶來半導體元件溫度集結 的重大問題。有鑑於此，散熱器被用以幫助半導體元件散 熱。此等散熱器通常與半導體元件分開製造，且一般要等 到封裝前才會被黏貼至半導體元件上。 15 針對在半導體元件製造過程中將銅電鍍於半導體元件 表面上以特別做為銅内連線，目前已有許多各式各樣的做 法。 今曰大部分的半導體元件是以矽（Si)、砷化鎵(GaAs) 、以及磷化銦(InP)等半導體材料做成的。與這些電子與光 20 電元件比較起來，氮化鎵(GaN)元件具備許多優點。GaN所 固有的主要優點如下： 1241030 表1 半導體 流動性μ (cm2/Vs) 能隙(eV)/波長(nm) bfom (功率電晶體優點） 最高溫度 (°〇 Si 1300 1.1/1127 1.0 300 GaAs 5000 1.4/886 9.6 300 GaN 1500 3.4/360 24.6 700 继的波長率電晶體之性能相 丨數） 從表1，我們可以看出GaN在所提供之半導體中具有最 兩的能隙，3.4 eV。因此，它被稱為寬能隙半導體。是以， 5 GaN做成之電子元件的操作功率比Si、GaAs及InP元件高出 甚多。 就半導體雷射而言，GaN雷射具有相對短之波長。如 果此等雷射被用以儲存光學資料，其相對短之波長可以促 成較高的容量。GaAs雷射使用於CD-ROM之製造，其容量 10大約為每片磁碟670 MB。磷化鋁銦鎵(AlGalnP)雷射（亦根 據GaAs做成)使用於最新的DVD播放機，其容量大約為每磁 碟4_7 GB。GaN雷射在下一代DVD撥放機中可能具有每磁 碟26 GB之容量。
GaN元件係以GaN晶圓做成的，GaN晶圓基本上為沉積 15 於一藍寶石基板上之多重GaN相關磊晶層。該藍寶石基板 通常直徑為2英时，並做為該蠢晶層之成長模板。由於GaN 相關材料(磊晶薄膜)與藍寶石之間的晶格協變，該磊晶層中 會產生缺陷。此等缺陷會對GaN雷射和電晶體，也會在一 較小程度下對GaN發光二極體產生嚴重的問題。 猫曰日日日圓成長方法主要有二：分子束蟲晶法(MBE)， 1241030 以及金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)。兩種方法皆被廣 泛採用。 傳統的製造方法通常包括這些主要步驟：黃光、蝕刻 、介電質薄膜沉積、金屬電極處理、銲墊成形、晶圓檢驗/ 5測試、晶圓研磨、晶圓切割、晶粒黏著、銲線、以及可靠 度測試。 一旦發光二極體製程進展至全晶圓級，就需要將晶圓 分割成單獨的發光二極體晶粒或小塊。對於在藍寶石基板 上生長之GaN晶圓而言，此一“切割，，動作是個重大問題，因 10為藍寶石十分堅硬。首先，藍寶石必需從大約400微米的厚 度均勻打薄至大約100微米。然後，打薄之晶圓需以鑽石刀 切割、以鑽石鋸或雷射截溝鋸開，再以鑽石刀劃線。這些 製程會限制生產量、產生良率問題、並消耗昂貴之鑽石刀/ 鋸。 15 在藍寶石基板上生長之習知的發光二極體晶片需要在 晶片頂部做兩層銲線。這是有必要的，因為藍寶石是一種 電氣絕緣體，而穿透100微米厚度之電流傳導是不可能的。 由於每-銲線之銲墊大約佔據晶圓面積的10_15%，與在傳 導性基板上生長之單一銲線發光二極體比較起來，第二條 2〇銲線會使每一晶圓之晶粒數目減少大約1〇_㈣。幾乎所有 ^aN發光二極體都是在傳導性基板上生長，並使用單一 鋅線對於封震薇商來說，兩層銲線會降低封裝良率、還 !要對單—鋅線製程做修改、減少晶粒之可用面積、並使 ~線製程複雜化且進—步降低封裝良率。 1241030 &寶石並非良好的熱導體。舉例來說，其熱傳導在 300K(室溫）下為40 W/Km。這遠小於銅所具有之38〇 w/Km 的熱傳導。如果發光二極體晶片被焊接至其封裝的藍寶石 介面，則it件之主動區所產生的高溫必須穿越_^之 5 GaN以及100微米之藍寶石以抵達封裝/散熱器。如此一來， 晶片會在高溫下運轉，進而影響其效能與可靠度。 就藍寶石上之GaN發光二極體而言，產生錢之主動 區距離藍寶石基板大約3至4微米。 【發明内容3 10 發明概要 本發明之-較佳型態提供-種在—基板上製造發光元 件之方法，該發光元件包括含有多重蟲晶層以及一位在該 磊晶層上遠離該基板之第一歐姆接觸層的晶圓；該方法包 括下列步驟： 15 (a)將以熱傳導金屬做成之種晶層塗佈至該第一 歐姆接觸層； (b)將一以該熱傳導金屬做成之相對厚層電鍍至該 種晶層；以及 (0移除該基板。 20 在塗佈該種晶層之前，該第一歐姆接觸層可以先塗佈 一黏合層。電鍍該相對厚層之前，可以利用光阻圖案使該 種曰a層圖案化，該相對厚層被電鐘於該光阻之間。 該種晶層可以不經過圖案化即執行電鍍，也可以在電 鍍後才執订圖案化。圖案化可以藉由光阻圖案製作然後再 1241030 透過濕式關完成。選擇性地，可以藉由對該相對厚層做 雷射束微細加工來完成圖案化。 在步驟(b)和⑷之間，可以增加—晶圓退火步驟，以增 進黏合度。 5 較佳地，該光阻之高度至少為50微米，且其厚度落在3 至500微米之間。更佳地，該光阻之間距為3〇〇微米。 該相對厚層之高度不大於該光阻之高度。該相對厚層 可以電鍍至一高於該電阻之高度，然後打薄。打薄動作可 以透過拋光為之。 10 步驟(c)之後，可以在該蟲晶層之面對該第一歐姆接觸 層的表面上，形成一第二歐姆接觸層，以做為電氣接觸點 ，該第二歐姆接觸層呈不透明、透明、或半透明，也可以 空白或圖案化。接下來，歐姆接觸形成及隨後的步驟可以 執行。該隨後的步驟可以包括銲線之銲墊沉積。外露之該 15磊晶層可以在該第二歐姆接觸層開始沉積以前予以清洗及 钱刻。該第二歐姆接觸層可以不涵蓋該磊晶層之全部面積。 該發光元件可以在該晶圓上做測試，隨後該晶圓可以 分割成單獨的元件。 該發光元件之製造可以不需要下列一或多項步驟··研 2〇 磨、拋光、以及切割。 該第一歐姆接觸層可以位在該磊晶層之p型層上；而該 第二歐姆接觸層可以形成於該磊晶層之11型層上。 步驟(c)之後，介電薄膜可以沉積於該磊晶層上。然後 可以在該介電及第二歐姆接觸層中形成開口，並使銲墊沉 1241030 積於該磊晶層上。選擇性地，步驟(C)完成後，可以將一熱 傳導金屬（或其他材料）電鍍於該磊晶層上。 本發明亦包含以上述方法製成之發光元件。該發光元 件可以是發光二極體或雷射二極體。 5 在另一態樣中，本發明提供一發光元件，該發光元件 包括蠢晶層、一位在該蟲晶層之一第一表面上的第一歐姆 接觸層、一位在該第一歐姆接觸層上之以熱傳導金屬做成 的相對厚層、以及一位在該磊晶層之一第二表面上的第二 歐姆接觸層；該相對厚層以電鍍方式塗佈。 10 該第一歐姆接觸層上可以在介於該第一歐姆接觸層和 該相對厚層之間提供一黏合層。 該相對厚層之厚度可以至少為50微米；而該第二歐姆 接觸層可以是一介於3至500奈米之間的薄層。該第二歐姆 接觸層可以是透明、半透明或者不透明；而且可以包括轉 15 接島。 對本發明之所有態樣而言，該熱傳導金屬都可以是銅 。可以塗佈一以熱傳導金屬做成之種晶層至該黏合層。 為增進光線輸出，該第一歐姆接觸層之與該磊晶層之 間的介面可以做為一個鏡像。任何穿過該該第一歐姆接觸 20 層之光線皆可由該黏合層反射。 該發光元件可以是下列任一型態：發光二極體、以及 雷射二極體。 在另一態樣中，本發明提供一發光元件，該發光元件 包括蠢晶層、一位在該蠢晶層之一第一表面上的第一歐姆 10 1241030 接觸層、一位在該第一歐姆接觸層上之黏合層、以及一位 在該黏合層上之以熱傳導金屬做成的種晶層，該第一歐姆 接觸層之與該蠢晶層之間的介面做為一個鏡像。 可以在該種晶層上增設一以熱傳導金屬做成的相對厚 5 層。 可以在該磊晶層之一第二表面上提供一第二歐姆接觸 層；該第二歐姆接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 該第二歐姆接觸層可以包括轉接島；而且可以是下列型態 之一：不透明、透明、或者半透明。
10 該熱傳導金屬可以包括銅；而該蠢晶層可以包括GaN 相關層。 在一倒數第二的態樣中，本發明提供一發光元件製造 方法，該方法包括下列步驟： (a) 在一具有包括多重GaN相關磊晶層之晶圓的基 15 板上，於該晶圓之一第一表面形成一第一歐姆接觸層； (b) 將該基板從該晶圓移除；以及 (c) 在該晶圓之一第二表面上形成一第二歐姆接觸 層，該第二歐姆接觸層之上設有轉接島。 該第二歐姆接觸層可以用來發光；也可以是不透明、 20 透明、或半透明。該第二歐姆接觸層可以空白或圖案化。 在一最終的態樣中，本發明提供一以上述方法製成之 發光元件。 圖式簡單說明 為使本發明更易於理解且更易於實施，下文將以純粹 1241030 非限制性之範例例示本發明之較佳實施例，此一說明將參 照隨附之示範（而且非按比例顯示）的圖示，圖示中： 第1圖為一發光元件在製造過程之第一階段的概略圖； 第2圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第二階段 5 的概略圖； 第3圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第三階段 的概略圖； 第4圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第四階段 的概略圖； 10 第5圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第五階段 的概略圖； 第6圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第六階段 的概略圖； 第7圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第七階段 15 的概略圖； 第8圖為一製造流程圖。 【實施方式3 較佳實施例之詳細說明 在下列說明中，括弧裡的參閱數字代表第8圖所示之製 20 程步驟。 第1圖顯示製程中的第1步驟一晶圓10之P型表面上 的金屬處理。 該晶圓10為一磊晶片，具有一基板12以及一位在該基 板上之多重磊晶層14的堆疊。該基板12可以是，比方說， 12 1241030 藍寶石、GaAs、InP、Si等。以下將以在藍寶石基板上具有 GaN層之GaN樣本做為範例。該磊晶層丨4 (一般稱為epilayer) 為一多重層狀物之堆疊，其下半段16(首先在該基板上生長 者)通常為η型層而其上半段18則通常為？型層。 5 该GaN層14上方有一具有多重金屬層之歐姆接觸層20 。該歐姆接觸層2〇上設有一黏合層Μ，以及一以熱傳導金 屬，如銅，做成之薄銅種晶層24 (第2圖）(步驟88)。該熱傳 導金屬最好也具有導電能力。該黏合層之堆疊可以在形成 後進行退火。 10 該歐姆層20可以是在該磊晶層表面上沉積並退火之多 重層狀物的堆疊。它可能並非原始晶圓的
一部份。對GaN
GaA和InP元件而吕’该蟲晶片通常包括一夾在n型和p型 半導體之間的主動區。大部分時候，位在上面的是口型層。 就矽元件而言，可以不使用該磊晶層，而僅使用該晶圓。 15 如第3圖所示，該薄銅種晶層24利用標準黃光(89)以相 對厚之光阻26進行圖案化。該光阻圖案26之高度至少為5〇 微米，最好在50至300微米之間，且最好是2〇〇微米；其厚 度大約落在3至500微米之間。該光阻圖案之間最好視最終 晶片之設計，以大約300微米之間距彼此隔開。切確的圖案 20 取決於元件之設計。 接下來，一銅製圖案層28在該光阻26之間被電鍍於該 層24(步驟90)上，以形成一構成該基板之一部份的散熱器。 該銅層28之高度最好不大於該光阻26之高度，因此其高度 與該光阻26相同或低於該光阻26。然而，該鋼層28之高度 13 1241030 可能高於該光阻26。在此一情況下，該銅層28可以在後來 的步驟中打薄至一不大於該光阻26之高度。打薄動作可以 透過拋光或濕式蝕刻為之。該光阻26在銅電鏟後可以移除 或不移除。光阻之移除可以透過標準且習知的方法，如光 5 阻剝離劑中之樹脂，或透過電將蝕刻為之。 視元件之設計而定，該磊晶層14之加工接下來透過標 準加工技術，如清洗(80)、黃光(81)、蝕刻（82)、元件隔離 (83)、純化(84)、金屬處理(85)、熱加工(86)等進行（第4圖） 。然後該晶圓10被退火(87)以增進其黏合度。 〇 該磊晶層14通常包括位在該原始基板12上之η型層16 ，以及位在已被該歐姆層20、黏合層22、銅製種晶層24和 該電鍍厚銅層28覆蓋之該原始頂部表面上的ρ型層18。 在第5圖中，該原始基板層12透過，比方說，KeUy [Μ Κ.
Kelly，O· Ambacher、R. Dimitrov、R· Handschuh 及 Μ· 15 Stutzmann，phys· Stat. Sol. (a) 159，R3(1997)]等人所首創 之方法被移除(91)。該基板亦可透過拋光或濕式則為之。 第6圖為倒數第二個步驟，該步驟特別與發光二極體有 一第二歐姆接觸
關，該發光二極體在該磊晶層14下方增設一 層30以供發光之用。轉接島32亦被使用。誃 奈米之間。 製程。這些可以是， 、95)、以及黃光(96)。 增加該第二歐姆接觸層3G之前，可以執行習知的初步 比方說，黃光(92、93)、乾式蝕刻（94 14 1241030 退火(98)可以在該第二歐姆接觸層30沉積後執行。 接下來晶片/晶粒以習知且標準之方法接受測試(9 9)。 之後該晶片/晶粒可以分離（100)(第7圖）成單獨的元件/晶片 1、2，且無須研磨/拋光該基板也不需要切割動作。接下來 5 封裝步驟以標準且習知的方法完成。 較佳地，該磊晶層14之該頂部表面以一大約〇1至2〇 微米，最好為0.3微米之距離與該主動區隔開。由於該發光 一極體晶片之該主動區在此一組態中與一相對厚之銅銲墊 28貼近，熱氣移除率與藍寶石組態比起來，被提高了。 〇 此外，或選擇性地，該相對厚層28可以用來提供晶片 所須之機械支撐。它也可以用來做為熱氣從該發光元件晶 片之該主動區移除的路徑，以及電性連結。 電鍍步驟係在晶圓層級(亦即，切割動作之前)執行的， 亦可對數個晶圓同時進行。 5 GaN雷射二極體之製造與GaN發光二極體之製造相似 ，但可能牽涉更多的步驟。差異之一在於，GaN雷射二極 體在製造過程中需要做鏡像形成。相較於不以藍寶石做基 板之方法，使用藍寶石做其基板時，鏡像形成要困難許多 ，且鏡像品質通常也比較差。 藍寶石移除後，雷射會具有較佳的效能。典型的GaN 雷射蠢晶片結構如表2所示。 15 1241030 表2 摻入鎂之p型GaN接觸層 〇·15微米 摻入鎂之p型Al〇.16Ga〇.45N披覆層 〇·45微米 摻入鎂之p型GaN波導層 〇·12微米 摻入鎂之p型Al〇.2GA〇.8N電子阻斷層 200
In0_()6Ga().97Nn〇.7〇Ga().8〇N 三週期 MQWs主動層
In〇.56GaN〇.85N 井層 35
In〇_G2Ga〇〇7N障礙層 50 摻入矽之η型GaN波導層 〇·12微米 摻入矽之η型Al〇.76Ga〇.85N披覆層 0.45微米 摻入矽之n型lGa〇 9N 500 摻入矽之η型GaN接觸層 3微米 未摻入雜質之n型GaN 1微米 未摻入雜質之η型ELO GaN層 6微米 未摻入雜質之GaN模板層/SiaN4光罩 2微米
GaN緩衝區 300 藍寶石基板 450微米 標準的商用G aN發光二極體可以發射大約5 %之產生於 半導體中的光線。已有各式各樣方法被開發以從非GaN發 5光二極體(特別是基於AlGalnP、而非GaN做成之紅色發光二 極體）中之晶片萃取更多的光線。 該第一歐姆接觸層20因為是金屬做成而且相當平滑， 所以非常光澤，也因此對光線具有高度反射性。因此，該 第一歐姆接觸層2〇之與該磊晶層14之間的介面也可以做為 10 一個反射表面，或是鏡像，以增進光線輸出。 雖然本發明之較佳實施例所使用的是銅金屬，任何其 他可電鍍之材料皆可使用，只要它具有電氣以及/或者熱傳 導性，或是可以提供該發光元件所須之機械支撐即可。 雖然以上說明闡述本發明之一較佳態樣 ，熟悉此項技 15藝之人士應該明白，各種沒有背離本發明範嘴之設計、構 造或操作上的改變或修飾都是可行的。 16 1241030 【圈式簡單說明】 為使本發明更易於理解且更易於實施，下文將以純粹 非限制性之範例例示本發明之較佳實施例，此一說明將參 照隨附之示範（而且非按比例顯示）的圖示，圖示中： 5 第1圖為一發光元件在製造過程之第一階段的概略圖； 第2圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第二階段 的概略圖； 第3圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第三階段 的概略圖； 10 第4圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第四階段 的概略圖； 第5圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第五階段 的概略圖； 第6圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第六階段 15 的概略圖； 第7圖為第1圖中之該發光元件在製造過程之第七階段 的概略圖； 第8圖為一製造流程圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1，2···元件/晶片 10…晶圓 12…基板 14…多重蠢晶層 16…下半段 18…上半段 20,30…歐姆接觸層 22…黏合層 24…薄銅種晶層 26…光阻 17 1241030 28…銅製圖案層 86···熱加工 32…轉接島 87,98…退火 80…清洗 91…移除 81…黃光 92,93,96…黃光 82…钱刻 94,95…乾式蝕刻 83…元件隔離 99…測試 84···純化 100…分離 85…金屬處理
18

Claims (1)

  1. I24lt3〇 ，.、*，· ，、 * \ r' -*1 ^ ^94r'么.」1乂審 92125951號專利申請案申請專利範圍修正本 94年2月17曰 拾、申請專利範圍： 5 1·:種在-基板上製造發光元件之方法，該發光^件包括 含有多重磊晶層以及一位在該磊晶層上遠離該基板之 第一歐姆接觸層的晶圓；該方法包括下列步驟·· ⑷將-熱料金狀種晶層塗佈域第—歐姆接觸層； ⑻將-該熱傳導金屬之相對厚層電鑛至該種晶層， ·以及 (C)移除該基板。 10 /、I '你里-f 之前，該第一歐姆接觸層預先塗佈-黏合層。 3·如申請專利範圍第丨項之方法， H _ 再宁，在該電鍍步驟（b) 之刖，該種晶層以光阻圖案圖案化。 4·如申請專利範圍第3項之方法，1 ^ /、中，该相對厚層之電 鍍介於該光阻圖案之間。 15 5·如申請專利範圍第丨項之方法 間，有一晶圓退火之增設步驟 6·如申請專利範圍第3項之方法 度至少為50微米。 其中，在步驟(b)和(c)之 ，以增進黏合度。 其中，該光阻圖案之高 20 7·如申請專利範圍第3項之方法， 度在3至500微米之間。 〃 ’〜光阻圖案之厚 8·如申請專利範圍第3項之方法，复 距為300微米。 ”中，該光阻圖案之間 9·如申請專利範圍第〗項之方法， 過圖案化即執行步驟(b)中之•其中’該種晶層沒有經 才執行的。 $錄’圖案製作是在電鑛後 19 ^41030 10 15 20 I〇·如申請專利範圍第9項之方法，且φ 阻圖案製作然後再透過濕式钱刻完成。圖案化係藉由光 U•如申請專利範圍第9項之方法， 該相對厚層做雷射束微細加工完成中，圓案化係藉由對 如申請專利範圍第 度不大於該光阻之高度其中’該相對厚層之高 13. 如申請專利範圍第3項之方法，、 成之該相對厚層被· 7 1熱傳導金屬做 薄。 讀至—姑該電阻之高度，然後打 14. 如申請專利範圍第13項之 拋光為之。 /、中’打薄動作係透過 如申請專利範圍第丨項之 — 法八中，在步驟⑷之後， 二=&姆接觸層形成於該蟲晶層之第二表面上，該第 —接觸層係選自下列群組，包括：不透明、透明、 以及半透明。 16=請專利範圍第15項之方法，其中，該第二歐姆接觸 層為空白或圖案化兩者其中之一。 17·”請專利細15項之方法，其中，轉接島形成於該 弟二歐姆接觸層上。 ^申請專利範圍第！項之方法，其中，在步驟⑷之後， &人姆接觸域及隨後的步驟被執行，賴後的步驟包括 銲線之銲墊沉積。 19·如申請專利範圍第18項之方法，其中，外露之該蟲晶層 在該第二歐姆接觸層開始沉積以前被清洗及㈣。
    20 1241030 20.如申請專利範圍第15 ^ 万法其中，該第二歐姆接觸 目不涵蓋該蟲晶層之二表面的全部面積。 21·1 申請專利_15項之方法，其中，形成該第二歐姆 接觸層後，該發光元件在該晶圓上做測試。 22·如申請專利範圍第15 貝<方法其中，該晶圓被分割成 早獨的元件。 23.如申請專利範圍第丨 只<万法，其中，該發光元件之製 w不需要選自下列群組之_或 A夕項步驟：研磨、拋光、 以及切割。 10 15 20 24·如申請專利範圍第丨項之方 只又万法，其中，該第一歐姆接觸 層位在該磊晶層之P型層上。 25·如申請專利範圍第15項之方 只又万法，其中，該第二歐姆接觸 層形成於該磊晶層之層上。 26·如申請專利範圍第丨 人兩“ <万法其中，在步驟⑷之後， I电溥膜沉積於該蟲晶層上，該介電_和該第二歐姆 觸層巾形賴π，料墊沉積於邮晶層上。 27·如申請專利範圍第丨 、， 貝炙万法，其中，在步驟⑷之後， 热傳導金屬被電錢於該磊晶層上。 申請專利範圍第項中任_:奴方法，其中，該熱 導金屬包括銅，而該蟲晶層則包括多重⑽相關層。 種叙光兀件’該發光元件包括磊晶層、一位在該磊晶 層之一第一表面上的第一歐姆接 , 人玛接觸層、一位在該第一歐 姆接觸層上之以熱傳導全屬 …丨寻V孟屬做成的相對厚層、以及一位 21 1241030 在該磊晶層之一第二表面上的第二歐姆接觸層；該相對 厚層以電鍍方式塗佈。 30. 如申請專利範圍第29項之發光元件，其中，該第一歐姆 接觸層上，介於該第一歐姆接觸層和該相對厚層之間， 5 設有一黏合層。 31. 如申請專利範圍第30項之發光元件，其中，該黏合層和 該相對厚層之間，設有一以熱傳導金屬做成之種晶層。 32. 如申請專利範圍第29項之發光元件，其中，該相對厚層 之厚度至少為50微米。 10 33.如申請專利範圍第29項之發光元件，其中，該第二歐姆 接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 34.如申請專利範圍第29項之發光元件，其中，該第二歐姆 接觸層係選自下列群組，包括：不透明、透明、以及半 透明。 15 35.如申請專利範圍第29項之發光元件，其中，該第二歐姆 接觸層包括轉接島。 36.如申請專利範圍第29至35項中任一項之發光元件，其中 ，該熱傳導金屬為銅，而該磊晶層則包括多重GaN相關 蠢晶層。 20 37.如申請專利範圍第36項之發光元件，其中，該發光元件係 選自下列群組，包括：發光二極體、以及雷射二極體。 38. 如申請專利範圍第36項之發光元件，其中，該第一歐姆 接觸層之與該蠢晶層之間的介面為一鏡像。 39. —種發光元件，該發光元件包括磊晶層、一位在該磊晶 22 1241030 層之一第一表面上的第一歐姆接觸層、一位在該第一歐 姆接觸層上之黏合層、一位在該黏合層上之以熱傳導金 屬做成的種晶層、以及一位在該種晶層上之以熱傳導金 屬做成的相對厚層，該第一歐姆接觸層之與該磊晶層之 5 間的介面為一鏡像。 40. 如申請專利範圍第39項之發光元件，其中，該相對厚層 為選自下列群組之一或多項：散熱器、電氣連接器、以 及機械支撐件。 41. 如申請專利範圍第39項之發光元件，進一步包括一位在 10 該蠢晶層之一弟 >一表面上的弟二歐姆接觸層，该弟·一歐 姆接觸層為一介於3至500奈米之間的薄層。 42. 如申請專利範圍第39項之發光元件，其中，該第二歐姆 接觸層包括轉接島，且係選自下列群組，包括：不透明 、透明、以及半透明。 15 43.如申請專利範圍第39至42項中任一項之發光元件，其中 ，該熱傳導金屬包括銅，而該蠢晶層則包括多重GaN相 關層。 44.如申請專利範圍第42項之發光元件，其中，該發光元件係 選自下列群組，包括：發光二極體、以及雷射二極體。 20 45. —種發光元件製造方法，該方法包括下列步驟： (a) 在一具有包括多重GaN相關磊晶層之晶圓的基板 上，於該晶圓之一第一表面形成一第一歐姆接觸 層； (b) 將該基板從該晶圓移除，以及 23 1241030 (C)在該晶圓之一第二表面上形成一第二歐姆接觸 層，該第二歐姆接觸層之上設有轉接島。 46. 如申請專利範圍第45項之方法，其中，該第二歐姆接觸 層被用以發光，且係選自下列群組，包括：不透明、透 5 明、以及半透明。 47. 如申請專利範圍第45項之方法，其中，該第二歐姆接觸 層為下列兩者之一：空白、以及圖案化。 24
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