TWI239981B - Epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith - Google Patents
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Description
1239981 A7 —_B7 五、發明説明(j ) 發J月之範疇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於快速硬化並可有效鑄模無需後硬化而可 硬化變成可靠產物之環氧樹脂。本發明也關係到以該組成 物在硬化後的狀態下包覆之半導體裝置。 先前枝藝 當前半導體裝置主要用在樹脂包覆二極體、變壓器、 積體電路(I C )晶片、大型積體電路(L S I )晶片, 以及超大型積體電路(V L S I )晶片。樹脂包覆通常以 環氧樹脂組成物進行,因爲與其他熱固性樹脂比起來,環 氧樹脂可供給優越的性質(例如,可鑄模性、黏合性、電 氣特性、機械特性及耐濕性)。 爲達降低成本及節省能源的目的,越來越多要求具有 適當纟尋検性質包括快速硬化並且無需後硬化而能硬化變成 可靠產物之環氧樹脂組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而,如果增加觸媒的量而成就了快速硬化的性質, 最後的環氧樹脂將具有許多缺點包括縮短凝膠時間及增加 熔融黏度,其將造成低塡料量、孔洞及金線偏移。另外, 這些組成物具有不良的儲存安定性並且製成較不可靠的半 導體裝置包覆。 發明之總結 因此,本發明的目的在於提供一種可有效鑄模並能免 除後硬化需求之環氧樹脂組成物。另一個目的在於提供一 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239981 A7 __ B7_ 五、發明説明(2 ) 種以該組成物在硬化後的狀態下包覆之可靠的半導體裝置 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於含有環氧樹脂、硬化劑及無機塡料之環氧樹脂組 成物(其中無機塡料的含量相當高),發明者發現當環氧 樹脂及硬化劑其中之一或二者具有特定的分子量分佈,且 介於模塑後及後硬化後產物之間之玻璃轉移溫度變化降至 最低時,最後環氧樹脂組成物將具有良好的可鑄模性及儲 存安定性並且無需後硬化而能使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明提供一種含有環氧樹脂、硬化劑及無機塡料爲 其基本成份之環氧樹脂組成物。(A )環氧樹脂及硬化劑 中至少一者之分子量分佈使平均分散度Mw/Mn (定義 成重量平均分子量Mw除以數量平均分子量Μη)小於 1 · 6,且雙核化合物之含量小於8重量%而七核或更多 核化合物之總含量小於3 2重量%。( Β )無機塡料係以 少於整個組成物7 0重量%之含量存在。(C )當該組成 物在1 8 0 °C下硬化9 0秒變成具有第一玻璃轉移溫度 T g 1之第一級產物,而且第一級產物在1 8 〇 °c下後硬 化5小時變成具有第二玻璃轉移溫度T g 2之第二級產物 時,第一及第二玻璃轉移溫度T g 1及T g 2符合下列關 係式: (Tg2-Tgl)/Tg2<〇 . 1
爲簡化起見,玻璃轉移溫度經常縮寫成T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -5- 1239981 A7 B7 五、發明説明(3 ) 發明之詳細敘沭 在此使用的環氧樹脂可能是任何每個分子具有兩個環 氧基之酚醛淸漆型環氧樹脂。適當環氧樹脂之說明實施例 包括’以成本和鑄模性來看,酚醛淸漆型環氧樹脂例如苯 酣型酚醛淸漆型環氧樹脂及甲酚型酚醛淸漆型環氧樹脂。 該環氧樹脂應該以具有軟化點5 〇至1 2 0 °C及環氧 當量1 0 0至4 0 0爲宜。鑄模時具有軟化點低於5 0 °C 之環氧樹脂傾向生成粗糙孔緣及孔洞並且將造成具有低 T g之硬化產物,然而具有軟化點高於1 2 0 °C之環氧樹 脂將太黏而無法鑄模。 當環氧樹脂係用於半導體裝置之包覆時,可水解氯之 含量以高達1,〇〇〇1)13111爲宜,高達5〇〇 P pm更佳,而鈉及鉀之含量每一種則高達1 〇 p pm 。如果半導體裝置係以含有多於1 ,QOQ ppm之可 水解氯或多於1 0 p P m之鈉或鉀的環氧樹脂組成物包 覆’經驗上在熱濕情況下經長時期儲存,該包覆裝置之耐 濕性將會衰退。 環氧樹脂用的硬化劑宜爲每個分子內具有至少二個苯 酚型羥基之苯酚型樹脂。硬化劑是,以成本和鑄模性來看 ,酚醛淸漆型苯酚型樹脂,例如苯酚型酚醛淸漆型樹脂和 甲酚型酚醛淸漆型樹脂。胺硬化劑和酸酐硬化劑亦可與苯 酣型樹脂一起混用。 .苯酚型樹脂硬化劑之軟化點宜爲6 0至1 5 CTC,特 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) I--------衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 1239981 A7 B7 五、發明説明(4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 別宜爲7 0至1 3 0°C,且其苯酚型羥基當量宜爲9 0至 2 5 0。當苯酚型樹脂用於包覆半導體裝置時,其鈉和鉀 的含量分別至多爲1 0 P pm。如果以含有鈉或鉀的含量 大於1 0 P P m的苯酚型樹脂之組成物包覆半導體時’在 濕熱狀態下長期儲存時,被包覆的裝置之耐濕性將會加速 衰退。 在可有效造成環氧樹脂硬化的範圍內,硬化劑可摻混 以任何想要的量。當如上述之苯酚樹脂係用作硬化劑時’ 宜摻混以這樣的量使得在苯酚樹脂中酚羥基對環氧樹脂中 的環氧基之莫耳比介於0.5至1.5之範圍內,尤其是 0 · 8 至 1 . 2。 根據本發明,爲了改良可鑄模性以及免除後硬化’環 氧樹脂及硬化劑中任一者(以兩者都是爲宜)應具有這樣 的分子量分佈使得:(1)平均分散度Mw/Mn (定義 爲重量平均分子量M w除以數量平均分子量Μ η )係小於 1 _ 6,以及(2 )雙核化合物之含量係少於8重量%而 且七核及更多核化合物之總含量係少於3 2重量%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 平均分散度Μ n /M w小於1 . 6時,如果雙核化合 物之含量等於或多於8重量%,似模鑄時的T g將變低, 而如果七核及更多核化合物之含量係等於或多於3 2重量 %時,熔融黏度將會變高,包括失敗例如細線偏移。如果 平均分散度M w/Μ η係等於或大於1 . 6時,即使符合 條件(2 ),硬化反應將變得不一致並且反應性將降低, 造成T g及耐濕性之降低。更佳之分子量分布係平均分散 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239981 A7 ___ B7 五、發明説明(5 ) 度 Mw/Mn 爲 1 _ 〇sMw/Mnsl · 5,雙核化合 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物之含量係高達7重量%,而七核及更多核化合物之總含 量係高達3 0重量%。 在環氧樹脂及硬化劑(例如,苯酚樹脂)中“核心,,一 詞指出包含於環氧樹脂或作爲硬化劑之苯酚樹脂的苯環骨 架。例如,一雙苯骨架及萘骨架每一種都視爲”雙核”。 無機粉末係選自通常用於環氧樹脂組成物中的塡料並 摻混以整個組成之7 0重量%以上。摻混無機塡料係爲了 降低用於降低施於半導體裝置應力之包覆物的膨脹係數。 儘管礬石、氮化矽、氮化鋁,及其他塡料也可以使用,典 型的無機塡料係硏磨的或球形的熔融矽石及結晶矽石。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該無機塡料宜具有平均顆粒大小3至3 Ο μ m,尤 其是5至2 Ο μπι。無機塡料之塡充係高於整個組成物 之7 0重量%以上,通常7 0至9 2重量%,尤其是整個 組成物之7 5至9 0重量%。塡充以少於7 0重量%無機 塡料之環氧樹脂組成物具有高的膨脹係數,造成較大的施 於半導體裝置的應力而且因此裝置之特性衰退。另外,塡 充少於7 0重量%無機塡料之環氧樹脂組成物在鑄模之後 立即具有較小於完全塡充組成物之T g。 平均顆粒大小可藉著顆粒大小分布測量裝置以例如雷 射光繞射方法之類的方法測定爲重量平均外徑或中間外徑 〇 爲達到降低硬化產物之膨脹與組成物之可鑄模性之間 的良好折衷,有人建議使用球形及硏磨狀塡料之摻混物或 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239981 Α7 Β7 五、發明説明(6 ) 只使用球形塡料。該無機塡料宜經過偶合劑例如矽烷偶合 劑及鈦化合物偶合劑之表面處理後使用。 在該組成物中,可使用一般眾所皆知的硬化促進劑例 如有機磷的衍生物及有機氮的衍生物。尤其以使用潛在觸 媒當作硬化促進劑爲宜。如果非潛在硬化促進劑係使用足 量以賦與快速硬化能力,組成物會使可鑄模性及儲存安定 性衰退。 該潛在觸媒可選自一般眾所皆知者,例如,三級胺化 合物及有機磷化合物。 三級胺化合物之實施例包括含有以烷基或芳烷基當作 取代物鍵結至氮原子上的胺化合物例如三乙胺、苯甲基二 甲基胺及α -甲基苯基二甲基胺、環脒化合物及彼之有機 酸鹽例如1 ,8 -二雜氮環〔5,4,0〕十一烯一 7及 其酚鹽、辛酸鹽及油酸鹽,以及環脒化合物及四級硼化合 物例如以下化合物之鹽類或複鹽: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
• H2c-^) B [◎ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機磷化合物之實施例包括有機膦化合物及彼之鹽類 例如三苯膦、三丁膦、三(對甲苯酸基)膦、三(對甲氧 苯基)膦、三(對乙氧苯基)膦、三苯膦、三苯硼酸,以 及四級磷化合物及彼之鹽類例如四苯基磷、四苯基硼酸。 以三苯膦及其衍生物,以及酚鹽類、四級磷鹽類及三級胺 衍生物爲宜。硬化促進劑之使用量通常每1 0 0份重量環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ29?公釐) -9- 1239981 A7 B7 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氧樹脂中多達10份,以0·001至10份爲宜,尤其 〇 . 1至4份重量。少於〇 · 〇 〇 1份之硬化促進劑有時 候會太少而無法提供快速硬化能力,而多於1 〇份將賦與 太高的硬化速率而無法鑄成可接受的零件。 爲添加硬化階段時環氧樹脂組成物之可撓性、韌性或 可鍵結性,經矽酮改良的芳族樹脂共聚合物例如有機聚矽 氧烷與環氧樹脂之嵌段共聚合物及有機聚矽氧烷與苯酚樹 脂之嵌段共聚合物、不同的有機合成橡膠、熱塑性樹脂例 如甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯- 丁二烯共聚合物及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚合物、矽酮凝膠,以及矽酮橡膠 可以極細分散形態加入。而且,無機塡料可以兩部份型矽 酮橡膠化合物或矽酮凝膠表面處理之。要注意的是對於降 低環氧樹脂之應力,上述經矽酮改良的芳族樹脂共聚合物 及甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯- 丁二烯共聚合物也是有效的 〇 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 經矽酮改良之樹脂共聚合物及/或可塑性樹脂用作的 應力降低劑的量通常達到整個環氧樹脂組成物1 0重量% ,以0.2至10重量%爲宜,尤其是0.5至5重量% 。有時候少於0 . 2 %的這種成份會失敗而無法提供對熱 衝撃之足夠耐性,然而多於1 0 %則會造成機械強度之損 失。 在本發明之組成物中,如果想要改良耐濕性及熱儲存 安定性,可進一步摻混脫模劑例如改良的棕櫚鱲、較高的 脂肪酸及合成鱲,以及矽烷偶合劑、鈦偶合劑、氧化銻及 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 1239981 B7_ 五、發明説明(8 ) 磷化合物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之環氧樹脂組成物可以適當的裝置例如熱滾壓 機、捏合機或連續押出機熔融混合上述的成份製備。摻混 各成份的順序沒有限制。 爲了使該環氧樹脂組成物可以使用而無需後硬化,該 組成物應該符合其鑄模及後硬化成品間之玻璃轉移溫度的 改變最小。尤其,當組成物鑄型(並且硬化)變成具有第 一玻璃轉移溫度T g 1之第一級產物再後硬化成具有第二 玻璃轉移溫度T g 2之第二級產物,T g的改變,定義爲 (T g 2 — T g 1 ) / T g 2,係小於 0 · 1。 (Tg2-Tgl)/Tg2<0 . 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一級或硬化後產物之T g 1係利用轉注成型機鑄造 並且在1 8 0 °C下硬化9 0秒的試片(5 X 5 X 1 5 m m )以Τ Μ A (亦即,熱機械分析)測得的玻璃轉移溫 度。第二級或後硬化後產物之T g 2係相同的試片在 1 8 0 t下硬化5小時的玻璃轉移溫度。 T g之變化等於或大於〇 · 1表示鑄模及後硬化階段 之間的玻璃轉移溫度存在較大的差距,如此便無法提供一 種可以使用而無需後硬化的環氧樹脂組成物。由於以環氧 樹脂包覆的半導體裝置經常曝露於因爲操作時產生熱之高 溫環境下,具有T g變化等於或大於0 . 1之組成物使其 T g在操作環境下逐漸改變,造成該裝置不同性質的變化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇x297公釐) 二” _~~ 1239981 A7 s____ B7_ 五、發明説明(9 ) 甚至變壞、翹曲。 較佳地,T g的變化係從0至0 . 0 8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了確保環氧樹脂組成物無需後硬化而能預成型,該 環氧樹脂組成物應以具有如以下表示式定義之(殘餘)轉 化率爲宜。 △ Η1/ΔΗ〇<0 ·〇5 。 △ Η係焓變化,其係反應能量,當環氧樹脂組成物或 其第一級硬化產物以微差式掃描卡計(D S C )分析得到 。△ Η 〇係當未硬化組成物以D S C分析得到的焓變化, 而△ Η 1則爲在1 8 0 °C下硬化9 0秒之第一級產物硬化 組成物以D S C分析得到的焓變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 等到未硬化組成物完全硬化後,以D S C測量,相對 於1 0 0 %轉化,上述表示式表示得自1 8 0 t下硬化該 組成物9 0秒具有殘餘轉化率小於5 %之第一級產物,可 得到焓變化△ Η 〇。△ Η 1 /△ Η 〇値等於或大於 0 . 0 5表不第一級產物之硬化反應並未達到完全的程度 ,因此如果似成型之第一級產物係使用而未加後硬化時, 爲了不使進行熱劣化,因此,改變其性質。△ Η 1 / △ Η 〇之較佳値,也就是殘餘轉化率,上至4 . 5 %,尤 其是0至4 . 2 %。 藉著選擇上面指定的範圍內環氧樹脂及/或硬化劑之 分子量分布並且選擇無機纟具料在或高於整個組成物7 0重 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -12- 1239981 A7 B7 五、發明説明(10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 量%之摻混量,T g變化便可以控制使其落於上面指定的 範圍內。除了上面的選擇之外,藉著減少雙核組成物之含 量至8重量%以下,殘餘轉化率可控制使落於上面指定之 範圍內。 本發明之環氧樹脂組成物可有效地用於包覆不同型式 的半導體包封物其包括D I P、平面包覆型、PLCC及 S 〇型。包覆可以藉著傳統鑄模的方法完成,例如,轉注 成型、射出成型及模鑄法。本發明之環氧樹脂組成物以大 約1 5 0至1 9 0 °C之溫度成型爲宜。後硬化基本上不需 要,雖然當後硬化在大約1 5 0至1 8 5 °C下作用大約1 / 2至1 6小時並沒有不良的問題。 有人提出環氧樹脂組成物其係快速硬化並且可有效成 型並且硬化成可靠的產物而無需後硬化。因此利用這些硬 化狀態的組成物包覆之半導體裝置係高度可靠的。 實施例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下的實施例係提供以說明本發明,並未企圖限制彼 之範圍。所有的份數皆以重量表示。 實施例1 一 3及比較實施例1 一 3 藉著使用表1中所示的環氧樹脂及表2中所示的苯酚 樹脂合倂表示於表3中並又加入4 0 〇份矽石混合物其含 有2 0重量%具有平均粒徑1 Ο μπι之斷岩熔融矽石, 7 5重量%具有平均粒徑3 Ο μ m之球形熔融矽石,以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇>< 297公釐) -13- 1239981 A7 B7 五、發明説明(Μ) 及5重量%具有平均粒徑0 . 5 μ m之球形熔融砂石, 1 0份的氧化銻,1 . 5份的E級鱲,1 . 〇份的碳黑, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 0份具有重量3 5 . 5%溴含量及環氧當量2 8 3之溴 化環氧苯酚型酚醛淸漆型樹脂,以及1 . 0份的環氧丙烷 丙基三甲氧矽烷,製成6種環氧樹脂組成物。該摻混物係 於熱的雙輪滾壓機中不均勻地熔融輾壓,並以三苯膦作爲 硬化促進劑進一步熔融輾壓,彼之量係表示於表3中。要 注意的是環氧樹脂、苯酚樹脂以及溴化環氧苯酚型酚醛淸 漆型樹脂的量合起來係1 0 0份,而且在苯酚樹脂中之酉分 羥基對所有環氧樹脂中之環氧基的莫耳比爲1 . 〇。 檢測由此獲得的環氧樹脂組成物之以下各性質。結果 表示於表3中。 (1 )螺旋流 根據EMMI標準在180°C及70 kg f/ c m 2下的模子中鑄造該組成物以測量螺旋流。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )熱硬度 100x10x4 m m之測量用細棒在1 8 〇。〇及 7 0 k g f / c m 2下鑄造9 0秒。加熱時的硬度以巴 氏熱壓器測量。 (3 )玻璃轉移溫度(T g ) 5x5x15 mm之試片在1 80 °C及70 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 1239981 A7 B7 五、發明説明(12) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) k g f / c m 2下鑄造9 0秒。以5 t: /分之速率在膨脹 計中加熱該試片進行測量以獲得T g 1。該試片以膨脹計 進行類似的測量之前在1 8 0 °C下後硬化5小時,獲得 T g 2。 (4 )殘餘轉化率 該組成物以D S C分析測定△ Η 〇及△ Η 1 ,由彼算 得殘餘轉化率△ Η 1 / △ Η 〇。 要注意的是△ Η係當環氧樹脂組成物或其第一種硬化 產物以D S C分析時獲得的焓變化。△ Η 〇係當未硬化組 成物以D S C分析時獲得的焓變化,而△ Η 1則係該組成 物在1 8 0 °C下鑄造9 0秒得到之硬化組成以D S C分析 時獲得的焓變化。 (5 )包封孔洞 6片1 4x 20x 2 mm之四方平面包覆體( Q F P )係以下列條件鑄造:1 8 0 t:,7 0 k g f / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 c m 2及9 0秒時間。使用超音波缺陷檢知器,檢測內部 孔洞。具有大於0 · 5 m m大小之孔洞係計算得到。 (6 )耐濕性 4 0片含有I C電路之1 〇 0支腳的四方平面包覆體 (Q F P )係以下列條件鑄造:1 8 0 t,7 0 k g f / c m 2及9 0秒時間。壓力鍋試驗(P C T )在1 2 1 15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239981 A7
7 B i、發明説明(13) °C下進行1 ,5 Ο 0小時。那些耐性因子增加3或更多的 樣品係計算出來。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (7 )細線流 1 0片具有1 0 0支腳的QFP在相同於(6)之條 件下鑄造。測定金線偏移百分比。測定每一個包覆之細線 偏移極大百分比之平均。 表1 環氧 當量 軟化點 (°C ) M w/Mn 雙核含 量(%) 七核或多 核含量 (%) 環氧樹脂A 192 72 1.41 6 29 環氧樹脂B 166 56 1.33 1> 2 環氧樹脂C 198 69 2.07 12 39 環氧樹脂Α係環氧化鄰一甲酚型酚醛淸漆型樹脂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 環氧樹脂B係環氧化三酚甲烷樹脂。 環氧樹脂C係環氧化鄰一甲酚型酚醛淸漆型樹脂(比 較用)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇 X 297公董) -16 - 1239981 A7 B7 五、發明説明(14) 表2 氫氧當 量 軟化點 (°C ) M w/Mn 雙核含 量(%) 七核或多 核含量 (%) 苯酚樹脂D 109 98 1.24 5 28 苯酚樹脂E 109 100 1.75 15 44 苯酚樹脂F 109 80 1.68 28 38 苯酚樹脂D係苯酚型酚醛淸漆型樹脂。 苯酚樹脂E係苯酚型酚醛淸漆型樹脂(比較用)。 苯酚樹脂F係苯酚型酚醛淸漆型樹脂(比較用)。 ——一-:----费----.-I.訂---_——· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1239981 A7 B7 五、發明説明(15) 表3 E1 E2 E3 CE1 CE2 CE3 環氧樹脂 A 54.75 54.75 0 0 0 0 環氧樹脂 B 0 0 0 0 0 0 環氧樹脂 C 0 0 55.56 55.56 55.56 55.56 苯酚樹脂 D 35.25 0 34.44 0 0 0 苯酚樹脂 E 0 35.25 0 34.44 34.44 0 苯酚樹脂F 0 0 0 0 0 34.44 硬化促劑 0.8 0.8 0.8 0.8 1.0 0.8 螺旋流(公 分) 93 87 85 70 61 85 加熱時硬 度 83 82 78 71 80 68 T g 1 (°C ) 158 154 150 135 147 126 Tg2 (°C ) 166 164 162 160 164 158 (Tg2- Tgl)/Tg2 0.05 0.06 0.07 0.16 0.09 0.20 殘餘轉化 率 (%) 3.8 4.2 4.3 6.2 4.1 7.8 包封孔洞 〇 0 0 4 6 2 耐濕性 0/40 0/40 0/40 2/40 13/40 0/40 細線偏移 (%) 3 4 4 10< 10<*1 6 整體評估 OK OK OK NG NG NG * 1鑄模時因細線斷裂而失敗 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- Α7 Β7 1239981 五、發明説明(16) 表3的數據顯示,與先前技藝環氧樹脂組成物(比較 實施例)時,在本發明之範圍內之環氧樹脂組成物係改良 於硬化及鑄模時並且即使在使用時未經後硬化,仍得到可 靠的鑄模零件。 因爲鑄模寺之高殘餘轉化率,鑄模時比較實施例1之 組成物顯不低T g ’而且因爲流動不良,增加細線偏移。 由於增加硬化促進劑的量,比較實施例2之組成物係改良 於硬化時,但是必須付出細線偏移及細線斷裂的代價。比 較實施例3之組成物使用低黏度樹脂以改善流動性,其會 阻礙組成物之硬化。 實施例4 一 β及比較實施例4 環氧樹脂組成物係照依實施例1製成,但是被摻混之 石夕石混合物的量係改成表4中所示。這些組成物經過相同 地試驗,結果表示於表4中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇X297公釐) -19- 1239981 A7 B7 五、發明説明(17) 表4 E4 E5 El E6 CE4 矽石混合物 (pbw) 600 500 400 300 200 無機塡料 (wt%) 85.7 83.2 79.9 75.1 67.1 螺旋流(公分) 54 75 93 141 232 加熱時硬度 88 86 83 78 71 Tgl (°c ) 163 160 158 155 149 Tg2 (°C ) 171 168 166 164 162 (Tg2-Tgl)/Tg2 0.05 0.05 0.05 0.05 0.08 殘餘轉化率(%) 3.4 3.8 3.8 3.9 4.7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如表4所證實的,具有高塡充量無機塡料之組成物鑄 模時具有高T g,因此特別適合使用而無需後硬化。 在此引用日本專利公告編號1 4 0 5 3 8 / 1 9 9 8 作爲參考之用。 雖然某些較佳體系曾有人說明過,但此外根據以上的 教旨,仍有許多改良及變化可以進行。因此可以了解本發 明可以實現特定敘述之外的而不會偏離附加申請專利範圍 之範圍。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20-
Claims (1)
1239981
第88 1 07248號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國93年8月23日修正 1 . 一種環氧樹脂組成物,其含有酚醛淸漆型環氧樹 脂、選自苯酚型酚醛淸漆型樹脂和甲酚型酚醛淸漆型樹脂 之酚醛淸漆型苯酚型樹脂硬化劑及無機塡料爲其基本成份 ,其中. (A )環氧樹脂及硬化劑中至少一者之分子量分佈使 平均分散度Mw/M η (定義成重量平均分子量Mw除以 數量平均分子量Μ η )小於1 . 6,且雙核化合物之含量 小於8重量%,而七核或更多核化合物之總含量小於3 2 重量%, (Β )無機塡料係以少於整個組成物7 0重量%之含 量存在, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (c )當該組成物在1 8 0 °C下硬化9 0秒變成具有 第一玻璃轉移溫度T g 1之第一種產物,而且第一級產物 在1 8 0 °C下後硬化5小時變成具有第二玻璃轉移溫度 T g 2之第二級產物時,第一及第二玻璃轉移溫度T g 1 及T g 2符合下列關係式: (Tg2-Tgl)/Tg2<0 · 1, 其中當該組成物以微差式掃描卡計分析時可得到焓變化 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1239981 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 △ Η 0,而當第一級產物硬化組成物在1 8 0 °C下硬化 9 0秒後以微差式掃描卡計分析時可得到焓變化△ Η 1 , 符合以下的關係: △ Η1/ΔΗ〇<0 . 05。 2 .如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物,其中 該環氧樹脂係一種環氧甲酚型酚醛淸漆型樹脂,而硬化劑 則係一種苯酚型酚醛淸漆型樹脂。 3 .如申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物,其係 於硬化的狀態下用於包覆半導體裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)
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KR100563509B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2006-03-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치 |
CN100489037C (zh) * | 2001-09-25 | 2009-05-20 | 日立化成工业株式会社 | 低热膨胀性的热固性树脂组合物以及树脂膜 |
KR100850618B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2008-08-05 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 저열팽창성의 열경화성 수지 조성물 및 수지 필름 |
US6962200B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-11-08 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods and compositions for consolidating proppant in subterranean fractures |
US6691780B2 (en) | 2002-04-18 | 2004-02-17 | Halliburton Energy Services, Inc. | Tracking of particulate flowback in subterranean wells |
US7032667B2 (en) * | 2003-09-10 | 2006-04-25 | Halliburtonn Energy Services, Inc. | Methods for enhancing the consolidation strength of resin coated particulates |
US20050173116A1 (en) | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Nguyen Philip D. | Resin compositions and methods of using resin compositions to control proppant flow-back |
US7211547B2 (en) | 2004-03-03 | 2007-05-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Resin compositions and methods of using such resin compositions in subterranean applications |
CN1957012B (zh) | 2004-03-31 | 2011-07-20 | 旭化成电子材料株式会社 | 环氧树脂用硬化剂及环氧树脂组合物 |
US7299875B2 (en) | 2004-06-08 | 2007-11-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods for controlling particulate migration |
US7757768B2 (en) | 2004-10-08 | 2010-07-20 | Halliburton Energy Services, Inc. | Method and composition for enhancing coverage and displacement of treatment fluids into subterranean formations |
US7883740B2 (en) | 2004-12-12 | 2011-02-08 | Halliburton Energy Services, Inc. | Low-quality particulates and methods of making and using improved low-quality particulates |
US7673686B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-09 | Halliburton Energy Services, Inc. | Method of stabilizing unconsolidated formation for sand control |
US7318474B2 (en) | 2005-07-11 | 2008-01-15 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods and compositions for controlling formation fines and reducing proppant flow-back |
US8613320B2 (en) | 2006-02-10 | 2013-12-24 | Halliburton Energy Services, Inc. | Compositions and applications of resins in treating subterranean formations |
US7926591B2 (en) | 2006-02-10 | 2011-04-19 | Halliburton Energy Services, Inc. | Aqueous-based emulsified consolidating agents suitable for use in drill-in applications |
US7819192B2 (en) | 2006-02-10 | 2010-10-26 | Halliburton Energy Services, Inc. | Consolidating agent emulsions and associated methods |
US7665517B2 (en) | 2006-02-15 | 2010-02-23 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods of cleaning sand control screens and gravel packs |
US7934557B2 (en) | 2007-02-15 | 2011-05-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods of completing wells for controlling water and particulate production |
JP5133598B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-01-30 | 日東電工株式会社 | 封止用熱硬化型接着シート |
US7762329B1 (en) | 2009-01-27 | 2010-07-27 | Halliburton Energy Services, Inc. | Methods for servicing well bores with hardenable resin compositions |
RU2447093C1 (ru) * | 2011-01-19 | 2012-04-10 | Открытое акционерное общество "Институт пластмасс имени Г.С. Петрова" | Способ получения орто-крезолноволачной эпоксидной смолы и полимерная композиция на ее основе |
JP5880649B1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-09 | 日清紡ケミカル株式会社 | 燃料電池セパレータ |
EP3765567B1 (en) * | 2018-03-16 | 2024-09-18 | Huntsman Advanced Materials Licensing (Switzerland) GmbH | Storage stable and curable resin compositions |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61285214A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | エポキシ樹脂組成物 |
DE3689022T2 (de) * | 1985-10-07 | 1994-04-21 | Shinetsu Chemical Co | Epoxyharzzusammensetzung. |
JPH0617458B2 (ja) * | 1987-03-16 | 1994-03-09 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
JPS63301218A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-08 | Asahi Chiba Kk | エポキシ樹脂組成物 |
US5126188A (en) * | 1989-06-16 | 1992-06-30 | Toyo Tire & Rubber Company Limited | Shaped material for use in sealing electronic parts |
JP2862718B2 (ja) * | 1991-05-20 | 1999-03-03 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
JPH05214214A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-24 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
US5416138A (en) * | 1992-09-24 | 1995-05-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Epoxy resin composition |
JPH07196773A (ja) * | 1993-12-30 | 1995-08-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
US5827908A (en) * | 1994-01-26 | 1998-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene and or biphenyl skeleton containing epoxy resin composition |
EP0742261B1 (en) * | 1995-04-10 | 2000-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions suitable for semiconductor encapsulation, their manufacture and use, semiconductor devices encapsulated therewith |
JP3575776B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2004-10-13 | 日本化薬株式会社 | エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
TW452584B (en) * | 1997-10-03 | 2001-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor devices using it as encapsulant |
-
1999
- 1999-04-29 EP EP99108438A patent/EP0955675B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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EP0955675A2 (en) | 1999-11-10 |
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