JPS63226951A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 及ｌ上立■ユ分互 本発明は、ガラス転移温度が高く、しかも膨張係数が著
しく小さく、かつ弾性率が著しく小さい硬化物を与える
エポキシ樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置
に関し、更に詳述すれば各種半導体装置、特にプリント
配線板或いはヒートシンクに半導体素子が直接固着され
た半導体装置において、樹脂封止後の反りが少なく、耐
クラツク性及び寸法安定性に優れた樹脂封止型半導体装
置に関する。

来の　　　び　１１が　゛しようとする１、　古硬化性
エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配合した
エポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べ
て成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐湿性等に
優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封
止することが多く行われている。

しかしながら、近年の半導体装置の分野においては、電
子機器の小型化、薄型化に伴いパッケージ形態も種々さ
まざまになってきている。

特に、半導体素子が直接固着されたプリント配線板或い
はヒートシンクをエポキシ樹脂組成物で封止した半導体
装置は年々その種類及び生産量が増加している。このよ
うな形の半導体装置は、従来のエポキシ樹脂組成物で封
止すると、プリント配線板とエポキシ樹脂組成物の熱膨
張係数の差により半導体素子が受ける応力が大きく、素
子のクラック、変形により機能が低下し易く、また半導
体装置の反りやねじれ等の外観上の問題が生じ易いとい
った欠陥を有する。

これらの問題に対し、本出願人は先に硬化性エポキシ樹
脂にオルガノポリシロキサンを配合したエポキシ樹脂組
成物（特開昭５６−１２９２４６号）、更には芳香族重
合体とオルガノポリシロキサンとからなるブロック共重
合体を添加したエポキシ樹脂組成物（特側昭５８−２１
４１７号）を完成し、低応力化されたエポキシ樹脂組成
物を提案してその解決を計ってきた。

しかしながら、上述した低応力化エポキシ樹脂組成物を
用いて封止した半導体装置においても。

近年の益々高度化した要求を完全に満たすことは難しく
、現在においては更に低応力化され、かつ反りやねじれ
の少ないという特性を有する樹脂封止型半導体装置の開
発が望まれている。

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、流動性及び曲
げ強度や曲げ弾性率等の機械的強度が優−れていると共
に、膨張係数が小さく、しかもガラス転移温度が高く、
かつ低応力化されたエポキシ樹脂組成物で封止された半
導体装置を提供することを目的とする。

山　々を　　するための−゛　　び。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ね
た結果、（Ａ）下記（１）式のトリフエノールアルカン
型エポキシ樹脂又はその重合体と、（Ｂ）ノボラック型
フェノール樹脂又は下記（２）式のトリフエノールアル
カン樹脂と、（Ｃ）アルケニル基含有ノボラック樹脂と
下記（３）式のオルガノポリシロキサンとの反応により
得られるブロック共重合体と、（Ｄ）無機質充填剤とを
組み合せて配合することにより、ガラス転移温度が従来
のエポキシ樹脂組成物よりも約２０℃高く、かつ低弾性
率であると共に、低膨張係数であるエポキシ樹脂組成物
が得られることを見出した。そしてこのようなエポキシ
樹脂組成物で半導体装置を封止した場合、得られた半導
体装置は素子特性に優れ、このエポキシ樹脂組成物は従
来のＤＩＰ型、フラットパック型、ＰＬＣＣ型、ＳＯ型
等のいずれの型のものの封止にも有効に使用できると共
に、特にプリント配線板やヒートシンクに素子が直接固
着されたような半導体装置を封止した場合、このような
半導体装置の反り量が著しく小さく、また耐クラツク性
にも優れ、このためこの種の半導体装置の封止用として
非常に優れた特性を有していることを知見し、本発明を
なすに至った。

従って、本発明の樹脂封止型半導体装置は、（Ａ）下記
一般式（１） （式中Ｒ１は炭素数１〜１０の同種又は異種の１価の炭
化水素基を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わす。また、
αは１又は２の整数、ｍ、ｎは各々０〜２の整数を表わ
し、ｎ　＋　ｍ　＋　ｎ≦５である。）で示されるトリ
フエノールアルカン型エポキシ樹脂又はその重合体を主
成分とするエポキシ樹脂と、（１３）置換及び非置換の
ノボラック型フェノール樹脂並びに下記一般式（２） （但し、式中Ｒ”、　Ｘ、　Ｑ　、　ｍ及びｎは前記と
同じ意味を有する。）で示されるトリフエノールアルカ
ンより選択される樹脂を主成分とする硬化剤と、（Ｃ）
アルケニル基含有ノボラック樹脂と下記一般式（３） ％式％（３） （但し、式中Ｒ″は１価の有機基を表わす、また、ａは
０．００１≦ａ≦１．ｂは１≦ｂ〈３゜１．００１≦ａ
十ｂ≦３である。）で示されるオルガノポリシロキサン
との付加反応により得られるブロック共重合体と。

（Ｄ）無機質充填剤と を含有してなるエポキシ樹脂組成物で封止したものであ
る。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、上述したように
（Ａ）トリフエノール型エポキシ樹脂又はその重合体と
、（Ｂ）硬化剤として使用するノボラック型フェノール
樹脂又はトリフエノールアルカン型樹脂と、（Ｃ）アル
ケニル基含有ノボラック樹脂とオルガノポリシロキサン
との反応により得られるブロック共重合体と、（Ｄ）無
機質充填剤を配合してなるエポキシ樹脂組成物により半
導体装置を封止したものである。

ここで、（Ａ）成分のトリフエノールアルカン型エポキ
シ樹脂は下記一般式（１）で示されるものである。

（式中Ｒ１は炭素数１〜１ｏの同種又は異種の１価の炭
化水素基を表わし、又はハロゲン原子を表わす、また、
Ｑは１又は２の整数１ｍ、ｎは各々０〜２の整数を表わ
し、Ｑ＋ｍ＋ｎ≦５である。）なお、Ｒ１炭素数１〜１
ｏの炭化水素基としてはメチル基、エチル基、プロピル
基、アリル基。

ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基、ノニル基
等が挙げられ、Ｘのハロゲン原子としてはＣＱ、Ｂｒ等
が挙げられる。

上述したような一般式（１）で表わされるトリフエノー
ルアルカン型エポキシ樹脂の具体例としては、下記の化
合物が例示される。

υ また、トリフエノールアルカン型エポキシ樹脂重合体と
しては、次の化合物を例示することかできる。

上記トリフエノールアルカン型エポキシ樹脂及びその重
合体は、その使用に当って必ずしも１種類の使用に限定
されるものではなく、２ａｌｌもしくはそれ以上を適宜
混合して使用しても差支えない。

また、上記トリフエノールアルカン型エポキシ樹脂やそ
の重合体の使用に際してノボラック型エポキシ樹脂やビ
スフェノールＡ型エポキシ倫脂、及びこれらに塩素や臭
素原子等のハロゲン原子を導入した置換エポキシ樹脂、
更に、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド
、フェニルグリシジルエーテルのモノエポキシ化合物を
併用しても差支えない。

また、上記（Ａ）成分の硬化に用いられるＣＢ）成分の
硬化剤は、置換及び非置換のノボラック型（但し、式中
Ｒ１，Ｘ、Ｑ、ｍ及びｎは前記と同じ意味を有する。）
で示されるトリフエノールアルカンより選択される樹脂
を主成分とするものであって、具体的には下記の如き樹
脂が例示し得る。

（但し、式中Ｐは２〜１５の正数を示し、また。

ｑ＋ｒはｑ　＋　ｒ　＝＝　２〜１５になるような正数
である） 上記硬化剤は、その使用に当って必ずしも１種類の使用
に限定されるものではなく、２種類もしくはそれ以上を
適宜混合して使用しても差支えない。

ここで、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のトリフエノー
ルアルカン型化合物は、例えばＵＳＰ４３９４４９６号
公報記載の方法等により合成することができる。

更に、本発明においては上記した硬化剤とエポキシ樹脂
との反応を促進させる目的で各種硬化促進剤、例えばイ
ミダゾールあるいはその誘導体、第三級アミン系誘導体
、ホスフィン系誘導体、シクロアミジン誘導体等を単独
或いは併用して使用することは何ら差支えない。

また、本発明で使用される（Ｃ）成分は、アルケニル基
含有ノボラック樹脂と下；ｔｄ一般式（３）％式％（３
） （但し、式中Ｒ２は１価の有機基を表わす６また。ａは
０．００１≦８≦１．ｂは１≦ｂく３゜１．００１≦ａ
　十ｂ≦３である。）で示されるオルガノポリシロキサ
ンとの付加反応により得られるブロック共重合体である
。

ここで、アルケニル基含有ノボラック樹脂としては、分
子内にアルケニル基を有する置換或いは非置換のフェノ
ールノボラック樹脂やそのエポキシ化された樹脂が挙げ
られ１例えば下記の如きものを例示できる。

ＰＩ、ｑｐは通常１　＜　ｐ　’　＜　１０　ｐ　Ｌ　
＜　ｑ’　＜　３で示される正数を表わす。） また、上記一般式（３）で示されるオルガノポリシロキ
サンとしては、１分子中に少なくとも１個の＝Ｓ　ｉ　
Ｉ−Ｉ基を持つものであり　Ｒ３として番±メチル基、
エチル基、ビニル基、フェニル基、ベンジル基などの一
価炭化水素基、クロロプロピル基、クロロメチル基、グ
リシジルプロピル基などの置換−価炭化水素基、水酸基
、及びメトキシ基。

エトキシ基などのアルコキン基、更にインプロペニルオ
キシ基、イソブテニルオキシ基などのアルケニルオキシ
基より選ばれる同種又は異種の基が挙げられる。

このオルガノポリシロキサンとしては、特に両末端ハイ
ドロジエンメチルポリシロキサン、両末端ハイドロジエ
ンメチル・（２−トリメトキシシリルエチル）ポリシロ
キサンが好適に用いられ、具体的には下記の如き化合物
が挙げられる。

（（ＣＨ，）ｚ　Ｓ　ｉｏｎ、　（Ｃ）Ｌ　ＨＳ　１ｏ
）ｚ　〔Ｃｓ　ｔＩｓ　５ｉＯａ７ｚ）ｉこの（Ｃ）成
分のブロック共重合体は、上記アルケニル含有ノボラッ
ク樹脂と式（３）の＝ｓｉｕ基をもつオルガノポリシロ
キサンとを従来公知の付加触媒、例えば塩化白金酸のよ
うな白金系触媒の存在下で加熱反応させることによって
得ることができる。

この付加反応は、ベンゼン、トルエン、メチルイソブチ
ルケトンの如き不活性溶剤中で６０〜１２０℃に加熱す
ることが望ましい。この場合、付加反応に際しては、ア
ルケニル基／＝ＳｉＨ基のモル比を１．０以上、好まし
くは１．５〜１０とすることが好ましい。

なお、上述した（Ｃ）のブロック共重合体はその１種を
単独で使用してもよく、２種以上を併用するようにして
もよいが、その配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との
合計量１００重量部当り２〜１００ｆｆｌ量部の範囲と
することが好ましい。（Ｃ）のブロック共重合体の使用
量が２重量部より少ない場合には耐クラツク性向上効果
が十分達成され得ない場合があり、また、１００重量部
を越える場合には、機械的な強度が低下する場合がある
。

なおまた、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分と
に含まれるエポキシ基の量（ａモル）とフェノール！水
酸基の量（ｂモル）の比はａ　／　ｂ　＝０．１〜２の
範囲にあることが望ましく、ａ　／　ｂが上記範囲外に
あると、硬化性、低応力性等の物性において不利になる
場合がある。

更に、（Ｄ）成分としての無機質充填剤としては、その
代表的なものとして結晶性又は非結晶性のシリカが挙げ
られ、これにはＡｅｒｏｓｉｌ（デグサ社製）、Ｃａｂ
　−０−ｓｉｌ　（キャボット社製）、Ｕｌｔｒａｓｉ
ｌ（デグサ社製）等の商品名で市販されている超微粉末
シリカ（通常１〜３０Ｆの平均粒径を有するもの）。

Ｃｅ１ｉｔｅ（ジョンマンビル社製）、Ｉｍａｉｌ（イ
リノイスミネラル社ｍ＞等の商品名で市販されている結
晶性あるいは非結晶性石英粉末（通常１〜３０．ｍの平
均粒径を有するもの）などが例示される。また、上記シ
リカ系以外の無機質充填剤としては、アルミナ、タルク
、マイカ、クレー、カオリン。

ガラス繊維、ガラスピーズ、アスベスト、バライタ、亜
鉛華、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、水酸化アル
ミニウム、水酸化カルシウム、酸化チタン、炭化ケイ素
、酸化鉄等が挙げられる。これ等の無機質充填剤の中で
は、特にシリカ粉末。

二酸化アンチモン、高純度アルミナ、ガラス繊維等が望
ましく、また粉状充填所は平均粒子径０．０１〜３０１
Ｍのものが好ましい、上述した無機質充填剤はその１種
を単独で使用でき、また２種以上を併用するようにして
もよいが、その配合量は上記成分（Ａ）、成分（Ｂ）及
び成分（Ｃ）の合計量１００重量部に対し１０００重量
部以下、特に１００〜５００重量部の範囲で使用するこ
とが好ましく、１５０〜４００重量部がより望ましい。

使用量が多すぎると２分散が困難となるばかりか、加工
性、低応力、耐クラツク性の物性において不利になる場
合が生じる。

本発明の組成物には、更に必要により各種の添加剤を添
加することができる９例えばワックス類、ステアリン酸
などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラ
ック等の顔料、蒐燃化剤１表面処理剤（γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン等）％エポキシシラン、
ビニルシラン。

はう素化合物、アルキルチタネート等のカップリング剤
、老化防止剤、その他の添加剤の１種又は２種以上を配
合することができる。

また、本発明組成物は、その硬化物の２５℃から１８０
℃までの膨張係数が２．０ＸＩＯ−’／℃以下以下上１
．９Ｘ１０−’／’Ｃ以下であり、更に２５℃における
曲げ弾性率が１５００　ｋｇ／　ｒｍ”以下、特に１４
５０ｋｇ／ｍｍ”以下になるように組成することが好ま
しく、かかる組成物を用いて半導体装置、特にプリント
基板に半導体素子が直接固着したような装置を封止する
ことにより、半導体装置に反り、ねじれが発生したり、
半導体素子に加わる応力が大きくなってチップ割れ、樹
脂クラック等による特性劣化が発生することがより確実
に防止される。

なお、本発明に使用されるエポキシ樹脂組成物は、その
製造に際し上述した成分の所定量を均一に攪拌、混合し
、予め７０〜９５℃に加熱しであるニーダ−、ロール、
エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するなどの
方法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特
に制限はない。

上記の如きエポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置の封
止を行う場合は、従来より採用されている成形法、例え
ばトランスファ成形、インジェクション成形、注型法な
どを採用して行うことができる。この場合、エポキシ樹
脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃、ポストキュア
ーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが好まし
い。

ここで、本発明の半導体装置としては、ＤＩＰ型、フラ
ットパック型、ＰＬＣＣ型、ｓＯ型等。

更にプリント配線板或いはヒートシンクに半導体素子が
直接固着されたもの、ハイブリッドのＩＣのフルモード
タイプの半導体装置などが挙げられる。なお、プリント
基板の材質としては、特に制限はなく、例示すると金属
酸化物、ガラス系の無機絶縁物、フェノール、エポキシ
、ポリイミド、ポリエステル等の紙基材、ガラス布基材
、ガラスマット基材、ポリサルフォン、テフロン、ポリ
イミドフィルム、ポリエステルフィル２１等の有機絶縁
物、金属ベース基板、メタルコア基板、ホーロー引き鉄
板等の金属系基板が挙げられる。また、ヒートシンク材
料としては、銅系、鉄系の金属材料が拳げられる。

ｘ１４υ碩艮 以上説明したように、本発明に係る樹脂封止型半導体装
置は、（１）式のトリフエノールアルカン型樹脂又はそ
の重合体と、置換及び非置換のノボラック型フェノール
型樹脂並びに（２）式のトリフェノールアルカンより選
択される樹脂からなる硬化剤と、アルケニル基含有ノボ
ラック樹脂と（３）式で示される特定のオルガノポリシ
ロキサンとの付加反応により得られたブロック共重合体
と、無機質充填剤とを配合して得られたエポキシ樹脂組
成物で半導体装置を封止することにより形成されたもの
で、ガラス転移温度が高く、膨張係数が小さく、しかも
耐クラツク性、機械特性等に優れたエポキシ樹脂組成物
により封止されているので、従来のＤＩＰ型、フラット
バック型、ＰＬＣＣ型、Ｓｏ型等の半導体装置として有
用であり、特にプリント配線板或いはヒートシンクに半
導体素子が直接固着された半導体装置として使用した場
合、樹脂封止後でも装置の反り量は著しく小さく、かつ
寸法精度等の優れた樹脂封止型半導体装置となる。更に
９本発明の樹脂封止型半導体装置はハイブリッドＩＣの
フルモールドタイプの半導体装置としても好適に使用し
得る。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明す
るが１本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。

〔実施例１〜４．比較例１〜４〕 第１表に示す種類及び配合量（重量部、以下同じ）の成
分を熱二本ロールにて均一に溶融混練し。

８種のエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹
脂組成物につき、（イ）〜（ホ）の諸試験を行なった。

結果を第１表に併記する。

（イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１６０’Ｃ，７
０ｋｇ／ｄの条件で測定した。

（ロ）　・　　げ　びげ性） ＪＩＳ−に６９１１に準じて１６０’Ｃ，７０ｋｇ／ａ
Ｊ、成形温度３分の条件で１０Ｘ４Ｘ１００Ｉ鵬の抗折
棒を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーしたもの
について測定した。

（ハ）　　　　、ガラス ４■φ×１５Ｈの試験片を用いて、ディラドメーターに
より毎分５℃の速さで昇温した時の値を測定した。

（ニ）（ｊｊし乙先ｉ ９、ＯＸ４．５Ｘ０．５ｍｍの大きさのシリコンチップ
を１４ＰＩＮ−ＩＣフレーム（４２７０イ）に接着し、
これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１６０℃×３分で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした後、−１
９６℃×１分〜２６０’ＣＸ　３０秒の熱サイクルを繰
返して加え、５０サイクル後の樹脂クラック発生率を測
定した（測定数＝５０）。

（ホ）反り量 第１図（Ａ）（Ｂ）に示したように、銅製のヒートシン
クを用いた半導体装置に対し、各エポキシ樹脂組成物を
用いて１６０℃、７０ｋｇ／Ｊ、３分の条件でトランス
ファー成形法により封止し、１８０℃で４時間ポストキ
ュアーした後の反り量（δ）（第１図（Ｃ））を測定し
た。

なお、第１図において（Ａ）は半導体装置の正面図、（
Ｂ）は断面図、（Ｃ）は反りの発生した半導体装置の断
面図であって、１は銅製のヒートシンク、２は半導体素
子、３は封止樹脂を示す６傘１：エポキシ樹脂エ エポキシ当量１７０ 傘２ニブロック共重合体工 （但し１式中の数字は平均値を示す、）得られた共重合
体中のオルガノポリシロキサン分：３４重量％ 〔実施例５〜１０．比較例５，６〕 第２表に示す種類及び配合量の成分を実施例１と同様な
方法で混練りし、８種の樹脂組成物を得た。得られた組
成物につき実施例１と同様に（イ）〜（ホ）の諸試験を
行なった。

なお、（ホ）の反り量は第２図（Ａ）に示したように、
ガラスエポキシ樹脂を基板に用いた半導体装置に対し、
各エポキシ樹脂組成物を用いて１６０”Ｃ，７０ｋｇ／
ａＪ、２分の条件でトランスファー成形法により封止し
、１７５℃で５時間ポストキュアーした後の反り量（δ
）〔第２図（Ｂ）〕を測定した。

ここで、第２図（Ａ）は半導体装置の斜視図、（Ｂ）は
反りの発生した半導体装置の断面図を示し、２は半導体
素子、３は封止樹脂、４はガラスエポキシ樹脂を示す。

エポキシ当量２００ エポキシ当量２３０ 第１，２表の結果より、本発明に使用されるエポキシ樹
脂組成物はガラス転移温度が高く、耐クラツク性に優れ
ており、該組成物で封止された半導体装置の反りは著し
く少ないことが認められた。

【図面の簡単な説明】

第１図は樹脂封止半導体装置の一例を示し。 （Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図、（Ｃ）は反りの発生
した半導体装置の断面図、第２図は樹脂封止半導体装置
の他の例を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は反りの発生
した半導体装置の断面図である。 １・・・銅製のヒートシンク、　　２・・・半導体素子
、３・・・封止樹脂、　４・・・ガラスエポキシ樹脂、
δ・・・反り量。 出願人　　信越化学工業株式会社 代理人　　弁理士　小　島　隆　司 手続補正書（自発） 昭和６２年４月２０日 特許庁長官　　　黒　１）明　雄　　殿１、事件の表示 昭和６２年特許願第６１６３０号 ２、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　　所　　東京都千代田区大手町二丁目６番１号氏　
　名　　（２０６）信運化学工業　株式会社代表者　小
坂雄太部 ４、代理人　〒１０４ 住　　所　　東京都中央区銀座３丁目１１番１４号ダバ
クリエートビル５階　＠話（５４５）６４５４明細書の
「特許請求の範囲」の欄及び「発明の詳細な説明」の欄
。 ６、補正の内容 （１）別紙の通り特許請求の範囲を訂正する。 （２）明ｉｕｉ第７頁第９行目及び第１４頁第６行目に
それぞれ”　ａ　”　”　ｂ　Ｓ　ｉ七」ヒｕＪとある
のをいずれもｒＨ６Ｒ”ｂｓｉｏ虹」困壮」と訂正する
。 、 特許請求の範囲 ｒｌ、（Ａ）下記一般式（１） （式中Ｒ１は炭素数１〜１０の同種又は異種の１価の炭
化水：ＪＪ基を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わす、ま
た、Ωは１又は２の整数１ｍ、ｎは各々Ｏ〜２の整数を
表わし、Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎ≦５である。）で示される
トリフエノールアルカン型エポキシ樹脂又はその重合体
を主成分とするエポキシ樹脂と、（Ｂ）２１換及び非置
換のノボラック型フェノール樹脂並びに下記一般式（２
） （但し、式中Ｒ１，Ｘ、Ｑ、ｍ及びｎは前記と同じ意味
を有する。）で示されるトリフエノールアルカンより選
択される樹脂を主成分とする硬化剤と。 （Ｃ）アルケニル基含有ノボラック樹脂と下記一般式（
３） ％式％（３） （但し、式中Ｒ２は１価の有機基を表わす、また、ａは
０．００１≦ａ≦１．ｂは１≦ｂく３゜１．００１≦ａ
＋ｂ≦３である。）で示されるオルガノポリシロキサン
との付加反応により得られるブロック共重合体と、 （Ｄ）無機質充填剤と を含有してなるエポキシ樹脂組成物で封止したことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置、」手続補正書輸釦 昭和６３年２月９　日 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第６１６３０号 ２、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　特許出願人 化　　所　　東京都千代田区大手町二丁目６番１号氏　
　名　　（２０６）信越化学工業　株式会社代表者　小
坂雄太部 ダパクリエートビル５階　電話（５４５）６４５４明細
書の「特許請求の範囲」の欄及び「発明の詳細な説明」
の欄。 ６、補正の内容 （１）　　別紙の通り特許請求の範囲を訂正する。 （２）明細書第６頁第１３行目及び第８頁第１３行目に
それぞれ 」 とあるのを ・・・（１） 」 と訂正する。 以上 特許請求の範囲 ｒｌ、（Ａ）下記一般式（１） （式中Ｒ１は炭素数１〜１０の同種又は異種の１価の炭
化水素基を表わし、Ｘは）１０ゲン原子を表わす。また
、２は１又は２の整数、ｍ、ｎＬ±各々０〜２の整数を
表わし、Ω十ｍ　＋　ｎ≦５である。）で示されるトリ
フエノールアルカン型エポキシ樹脂又はその重合体を主
成分とするエポキシ樹脂と、（Ｂ）　Ｉ！換及び非置換
のノボラック型フェノール樹脂並びに下記一般式（２） （但し、式中’ｒｚ”＋ＸｖＱ＋ｍ及びｎは前記と同じ
意味を有する。）で示されるトリフエノールアルカンよ
り選択される樹脂を主成分とする硬化剤と。 （Ｃ）アルケニル基含有ノボラック樹脂と下記一般式（
３） ％式％（３） （但し、式中Ｒ２は１価の有機基を表わす。また、ａは
０．００１≦ａ≦１．ｂは１≦ｂく３゜１．００１≦ａ
＋ｂ≦３である。）で示されるオルガノポリシロキサン
との付加反応により得られるブロック共重合体と。 （Ｄ）無機質充填剤と

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） （式中Ｒ＾１は炭素数１〜１０の同種又は異種の１価の
   炭化水素基を表わし、Ｘはハロゲン原子を表わす。また
   、Ｑは１又は２の整数、ｍ、ｎは各々０〜２の整数を表
   わし、ｌ＋ｍ＋ｎ≦５である。）で示されるトリフエノ
   ールアルカン型エポキシ樹脂又はその重合体を主成分と
   するエポキシ樹脂と（Ｂ）置換及び非置換のノボラック
   型フェノール樹脂並びに下記一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） （但し、式中Ｒ＾１、Ｘ、ｌ、ｍ及びｎは前記と同じ意
   味を有する。）で示されるトリフエノールアルカンより
   選択される樹脂を主成分とする硬化剤と、（Ｃ）アルケ
   ニル基含有ノボラック樹脂と下記一般式（３） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（３） （但し、式中Ｒ＾２は１価の有機基を表わす。また、ａ
   は０．００１≦ａ≦１、ｂは１≦ｂ＜３、１．００１≦
   ａ＋ｂ≦３である。）で示されるオルガノポリシロキサ
   ンとの付加反応により得られるブロック共重合体と、 （Ｄ）無機質充填剤と を含有してなるエポキシ樹脂組成物で封止したことを特
   徴とする樹脂封止型半導体装置。