KR930004249B1 - 수지 봉지형 반도체장치 - Google Patents

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KR930004249B1
KR930004249B1 KR1019880002703A KR880002703A KR930004249B1 KR 930004249 B1 KR930004249 B1 KR 930004249B1 KR 1019880002703 A KR1019880002703 A KR 1019880002703A KR 880002703 A KR880002703 A KR 880002703A KR 930004249 B1 KR930004249 B1 KR 930004249B1
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시티즌 도께이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

수지 봉지형 반도체장치
제1도는 수지 봉지 반도체 장치의 일예를 나타내는것으로서, 제1(a)도는 정면도, 제1(b)도는 단면도, 제1(c)도는 휨이 발생한 반도체 장치의 단면도.
제2도는 수지 봉지 반도체 장치의 다른 예를 나타내는 것으로서, 제2(a)도는 사시도, 제2(b)도는 휨이 발생한 반도체 장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 구리제 히트 싱크 2 : 반도에 소자
3 : 봉지 수지 4 : 유리 에폭시 수지
δ : 휨 양
본 발명은 유리 전이 온도가 높고, 팽창 계수가 현저하게 작으며, 또한 탄성율이 현저하게 작은 경화물을 제공하는 에폭시 수지 조성물로 봉지된 수지 봉지형(樹脂封止型) 바노체 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 각종 반도체 장치, 특히 프린트 배선판 또는 히트 싱크에 반도체 소자가 직접 고착된 반도체 장치에 있어서, 수지 봉지 후의 휨이 적고, 내균열성 및 치수 안정성이 우수한 수지 봉지형 반도체 장치에 관한 것이다.
경화성 에폭시 수지, 경화제 및 여기에 각종 첨가제를 배합한 에폭시 수지 조성물은, 일반적으로 다른 열경화성 수지에 비해 성형성, 접착성, 전기 특성, 기계적 특성, 내습성 등이 우수하기 때문에, 에폭시 수지조성물로 반도체 장치를 봉지하는 것이 많이행해지고 있다.
그러나, 최근의 반도체 장치 분야에 있어서는, 전자 기기의 소형화 및 박형화에 따라 패케이지 형태도 여러가지로 되고 있다.
특히, 반도체 소자가 직접 고착된 프린트 배선판 또는 히트 싱크를 에폭시 수지 조성물로 봉지한 반도체 장치는 해마다 그 종류 및 생산량이 증가하고 있다. 이와 같은 형의 반도체 장치는 종래의 에폭시 수지 조성물로 봉지할 경우, 프린트 배선판과 에폭시 수지 조성물의 영팽창 계수의 차에 의하여 반도체 소자가 받는 응력이 크고, 소자의 균열 및 변형에 의하여 기능이 저하되기 쉬우며, 또한, 반도체 장치의 휨이나 비틀림 등의 외관상의 문제가 발생하기 쉽다는 결합을 갖는다.
이들 문제에 대하여 본 발명자들은, 먼저 경화성 에폭시수지에 오르가노폴리실록산을 배합한 에폭시 수지 조성물(일본국 특허 공개(소) 제56-129,246호), 또한 방향족 중합체와 오르가노폴리실록산으로 되는 블록공중합체를 첨가한 에폭시 수지 조성물(일본국 특허 공개(소) 제58-21,417호)을 완성하고, 저응력화된 에폭시수지 조성물을 제안하여 그 해결을 도모해 왔다.
그러나, 상기한 저응력화 에폭시 수지 조성물을 사용하여 봉지한 반도체 장치에 있어서도 최근의 점차 고도화된 요구를 완전히 만족시키기는 어려우며, 현재에 있어서도 더욱 저응력화되고, 또한 휨이나 비틀림이 적은 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치의 개발이 요청되고 있다.
본 발명은 상기 사정으 고려하여 이루어진 것으로서, 유동성 및 요곡 강도나 요곡 탄성율 등의 기계적 강도가 우수하고, 동시에 팽창 계수가 작고, 유리 전이 온도가 높으며, 도한 저응력화된 에폭시 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, (A) 하기식1)의 트리페놀알칸형 에폭시수지 또는 그의 중합체와, (B) 노볼락형 페놀수지 또는 하기 식(2)의 트리페놀알칸 수지와, (C)알케닐기 함유 노볼락 수지와 하기 식(3)의 오르가노폴리실록산과의 반응에 의해 얻어지는 블록 공중합체와, (D) 무기질 충전제를 조합해서 배합함으로써, 유리 전이 온도가 종래의 에폭시 수지 조성물보다도 약 20℃ 높고, 또한 저탄성율임과 동시에 저팽창 계수인 에폭시 수지 조성물이 얻어짐을 발견하였다. 그리고, 이와 같은 에폭시 수지 조성물로 반도체 장치를 봉지한 경우, 얻어진 반도체 장치는 소자 특성이 우수하고, 이 에폭시 수지 조성물은 종래의 DIP형, 플래트팩형, PLCC형, SO형 등의 어떠한 형의 봉지에도 유효하게 사용 가능함과 동시에, 특히 프린트 배선판이나 히트 싱크에 소자가 직접 고착된 것과 같은 반도체 장치를 봉지한 경우, 이와 같은 반도체 장치의 휨 양이 현저하게 작고, 또한 내균열성도 우수하기 때문에, 이런 종류의 반도체 장치의 봉지용으로써 매우 우수한 특성을 가짐을 알고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명의 수지 봉지형 반도체 장치는, (A) 하기 일반식(1)
Figure kpo00002
(식 중, R1은 서로 동일하거나 또는 상이한 것으로서, 탄소수 1-10의 1가 탄화 수소기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내며, ℓ은 1 또는 2의 정수이고, m 및 n은 각각 0-2의 정수를 나타내고, ℓ+m+n≤5임)로 표시되는 트리페놀 알칸형 에폭시 수지 또는 그의 중합체를 주성분으로 하는 에폭시 수지와, (B) 치환 및 비치환의 노볼락형 페놀 수지 및 하기 일반식(2)
Figure kpo00003
(식 중, R, X, ℓ, m 및 n은 상기 정의한 바와 같음)로 표시되는 트리페놀알칸으로부터 선택되는 수지를 주성분으로 하는 경화제와,
(C) 알케닐기 함유 노볼락 수지와 하기 일반식(3)
HaR2bSiO
Figure kpo00004
………………………(3)
(식 중, R2는 1가 유기기를 나타내고, a는 0.001≤a≤1, b는 1≤b〈3, 1.001≤a+b≤3임)으로 표시되는오르가노폴리 실록산과의 부가 반응에 의해 얻어지는 블록 공중합체와, (D) 무기질충전제를 함유하여 에폭시 수지 조성물로 봉지한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에 관한 수지 봉지형 반도체 장치는 상기한 바와 같이(A) 트리페놀형 에폭시 수지 또는 그의 중합체와, (B) 경화제로서 사용하는 노볼락형 페놀수지 또는 트리페놀 알칸형 수지와, (C) 알케닐기 함유 노볼락 수지와 오르가노 폴리실록산과의 반응에 의해 얻어지는 블록 공중합체와, (D) 무기질 충전제를 배합하여 되는 에폭시 수지 조성물로 반도체 장치를 봉지한 것이다.
여기서, (A) 성분의 트리페놀 알칸형 에폭시 수지는 하기 일반식(1)로 표시되는 것이다.
Figure kpo00005
식 증, R1은 서로 동일하거나 또는 상이한 것으로서, 탄소수 1-10의 1가 탄화수소기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내며, ℓ은 1 또는 2의 정수이고, m 및 n은 각각 0-2의 정수이며, ℓ+m+n≤5이다.
또한, R1의 탄소수 1-10의 탄화수소기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아릴기, i-프로필기, t-부틸기, 옥틸기, 노닐기 등을 들 수 있고, X의 할로겐 원자로서는 Cl, Br등을 들 수 있다.
상기한 바와 같은 일반식(1)로 표시되는 트리페놀 알칸형 에폭시 수지의 구체적인 예로서는 하기 화합물이 예시된다.
Figure kpo00006
Figure kpo00007
또한, 트리페놀알칸형 에폭시 수지 중합체로서는 다음 화합물을 예시할 수 있다.
Figure kpo00008
상기 트리페놀알칸형 에폭시수지 및 그의 중합체는 그 사용에 있어서 반드시 1종류의 사용에 한정되는 것은 아니며, 2종류 내지는 그 이상을 적당히 혼합하여 사용해도 무방하다.
또한, 상기 트리페놀알칸형 에폭시 수지나 그의 중합체의 사용에 있어서, 노볼락형 에폭시 주기나 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 이들에 염소나 브롬 원자 등의 할로겐 원자를 도입한 치환 에폭시 수지, 또한, 스티렌옥사이드, 시클로헥센옥사이드, 페닐글리시얼 에테르의 모노 에폭시 화합물을 병용해도 무방하다.
또한, 상기 (A) 성분의 경화에 사용되는 (B) 성분의 경화제는 치환 및 비치환 노볼락형 수지 및 하기 일반식(2)
Figure kpo00009
(식 중, R1X, ℓ, m 및 n은 상기 정의한 바와 같음)로 표시되는 트리페놀 알칸으로부터 선택되는 수지를 주성분으로 하는 것으로서, 구체적으로는 다음과 같은 수지를 예시할 수 있다.
Figure kpo00010
상기 식 중 p는 2-15의 정수를 나타내고, q, r은 q+r=2-15가 되는 정수이다.
상기 경화제는 그 사용에 있어서 반드시 1종류의 사용에 한정되는 것이 아니며, 2종류 내지는 그 이상을 적절히 혼합하여 사용해도 무방하다.
여기서, 상기(A) 성분 및 (B) 성분의 트리페놀 알칸형 화합물은, 예를들면 미합중국 특히 제4,394,496호 공보 기재의 방법등에 의하여 합성할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는 상기한 경화제와 에폭시 수지와의 반응을 촉진시킬 목적으로 각종 경화 촉진제, 예를 들면 이미다졸 또는 그의 유도체, 3급 아민계 유도체, 포스핀계 유도체, 시클로아미딘 유도체 등을 단독 또는 병용하여 사용해도 무방하다.
또한, 본 발명에 사용되는 (C) 성분은, 알케닐기 함유 노볼락 수지와 하기 일반식(3)
HaR2bSiO
Figure kpo00011
………………………(3)
(식 중, R2는 1가의 유기기를 나타내고, a는 0.001≤a≤1, b는 1≤b〈3, 1.001≤a≤b≤3임)으로 표시되는 오르가노 폴리시록산과의 부가 반응에 의해 얻어지는 블록 공중합체이다.
여기서, 알케닐기 함유 노볼락 수지로서는 분자 내에 알케닐기를 갖는 치환 또는 비치환 페놀 노볼락 수지나 그의 에폭시화된 수지를 들 수 있고, 예를들면 다음과 같은 것을 예시할 수 있다.
Figure kpo00012
상기 식 중, G는 OH 기 및
Figure kpo00013
기로부터 선택되는 기를 나타내고, p1, q1는 통상 1〈p1〈10, 1〈q1〈3의 정수를 나타낸다.
또한, 상기 일반식(3)으로 표시되는 오르가노폴리 실록산으로서는 1분자 중에 적어도 1개의 =SiH기를 갖는 것이고, R3으로서는 메틸기, 에틸기, 비닐기, 페닐기, 벤질기 등의 1가 탄화수소기, 클로로프로필기, 클로로메틸기, 글리시딜프로필기 등의 치환 1가 탄화수소기, 히드록시기 및 메톡시기, 에톡시기등의 알콕시기, 또한 이소프로페닐옥시기, 이소부테닐옥시기 등의 알케닐옥시기로부터 선택되는 동종 또는 이종의 기를 들 수 있다.
이 오르가노폴리실록산으로서는, 특히 양 말단 하이드로젠메틸폴리실록산, 양 말단 하이드로젠메틸(2-트리메톡시실릴에틸)폴리실록산이 적합하게 사용되고, 구체적으로는 다음과 같은 화합물을 들 수 있다.
Figure kpo00014
이 (C) 성분의 블록 공중합체는, 상기 알케닐 함유 노볼락 수지와 식(3)의 ≡SiH기를 갖는 오르가노폴리실옥산을 종래 공지의 부가 촉매, 예를 들면 염화 백금산과 같은 백금계 촉매 존재하에서 가열 반응시킴으로서 얻을 수 있다.
이 부가반응은, 벤젠, 톨루엔, 메틸이소부틸케톤과 같은 불활성 용제 중에서 60-120℃로 가열하는 것이 바람직하다. 이 경우, 부가 반응에 있어서는 알케닐기/≡SiH기를 몰비를 1.0 이상, 적합하기로는 1.5-10으로 하는 것이 적당하다.
또한, 상기한 (C)의 블록 공중합체는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋은데, 그 배합량은 (A)성분과 (B)성분과의 합계량 100중량부 당 2-100중량부의 범위로 하는 것이 적합하다. (C)의 블록 공주합체의 사용량이 2중량부 보다 적은 경우에는 내균일성 향상 효과를 충분히 달성할 수 없는 경우가 있고, 또한, 100중량부를 초과할 경우에는 기계적인 강도가 저하되는 경우가 있다.
또한, 상기 (A) 성분과, (B)성분과, (C)성분에 함유되는 에폭시기의 양(a몰)과 페놀성 히드록시기의 양(b몰)의 비는 a/b=0.1-2의 범위에 있는 것이 바람직하고, a/b가 상기 범위 밖에 있으며, 경화성, 저응력성 등의 물성에 있어서 불리해지는 경우가 있다.
또한, (D)성분으로서의 무기질 충전제로서는, 대표적인 것으로 결정성 또는 비결정성의 실리카를 들 수 있고, 이것에는 Aerosil(데구사 제품), Cab-O-sil(캐보드사 제품), Ultrasil(데구사 제품)등의 상품명 시판되고 있는, 초미분말 실리카(통상 1-30μm의 평균입경을 갖는 것), Celite(지욘만발사 제품), Imsil(일리노이즈 미네랄사 제품)등의 상품명으로 시판되고 있는 결정성 또는 비결정성 석영 분말(통상 1-30μm의 평균입경을 갖는 것)등이 예시된다. 또산, 상기 실리카계 이외의 무기질 충전제로서는 알루미나, 활석, 운모, 점토, 카올린, 유리섬유, 유리 비드, 석면, 산화바륨, 아연화, 삼사화안티몬, 탄산칼슘, 수산화알루미늄, 수산화칼슘, 산화티탄, 탄화규소, 산화철 등을 들 수 있다. 이들 무기질 충전제 중에서는, 특히 실리카 분말, 삼산화안티몬, 고순도 알루미나, 유리 섬유 등이 적합하고, 또한, 분상 충전제는 평균입자경이 0.01-30μm인 것이 적합하다. 상기한 무기질 충전제는 1종을 단독으로 사용할 수 있고, 또는 2종 이상을 병용해도 좋은데, 그 배합량은 상기 성분(A), 성분(B) 및 성분(C)의 합계량 100중량부에 대해서 1000중량부 이하,특히 100-500중량부의 범위로 사용하는 것이 적합하고, 150-400중량부가 보다 바람직하다. 사용량이 너무 많으면, 분산이 곤란해질 뿐만아니라, 가공성, 저응력, 내균열성의 물성에 있어서 불리해지는 경우가 발생한다.
본 발명의 조성물에는, 필요에 따라서 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 예를들면, 왁스류, 스테아린산 등의 지방산 및 그의 금속염 등의 이형제, 카본 블랙 등의 안료, 난연화제, 표면 처리제(γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등), 에폭시실란, 비닐실란, 붕소 화합물, 알킬티타네이트 등의 커플링제, 노화방지제, 기타 첨가제 1종 또는 2종 이상을 배합할 수 있다.
또한, 본 발명은 조성물은 그의 경화물의 25℃에서 180℃까지의 팽창계수가 2.0×10-5/℃이하, 특히 1.9×10-5/℃ 이하이고, 또한 25℃에서의 요곡 탄성율이 1500kg/mm2이하, 특히 1450kg/mm2이하가 되도록 조성하는 것이 적합하고, 이러한 조성물을 사용하여 반도체장치, 특히 프린트 기판에 반도체 소자가 직접 고착한 것과 같은 장치를 봉지함으로써, 반도체 장치에 휨 및 비틀림이 발생하거나, 반도체 소자에 가해지는 응력이 커져서 칩 파손 및 수지 균열 등에 의한 특성 열화가 발생하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 발명 에 사용되는 에폭시 수지 조성물은 그 제조에 있어서 상기한 성분의 소정량을 균일하게 교반, 혼합하고, 미리 70-95℃로 가열한 니더, 로울, 엑스톨더 등으로 혼련, 냉각하고, 분쇄하는 등의 방법으로 얻을 수가 있다. 여기서 성분의 배합 순서에 특별한 제한은 없다.
상기한 바와 같은 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 장치의 봉지를 행할 경우, 종래로부터 채용되고 있는 성형법, 예를 들면 이송 성형, 사출 성형, 주형법 등을 치용하여 행할 수 있다. 이 경우, 에폭시 수지 조성물의 성형 온도는 150-180℃, 포스트큐어(postcure)는 150-180℃로 2-16시간 동안 행하는 것이 적합하다.
여기서, 본 발명의 반도체 장치로서는 DIP형, 플래트 팩형, PLCC형, SO형등, 또한 프린트 배선판 또는 히트싱크에 반도체 소자가 직접 고착된 것, 하이브리드 IC의 플모울드 형의 반도체 장치 등을 들 수 있다. 또한 프린트 기판의 재질로서는, 특히 제한은 없으며, 예를 들면 금속 산화물, 유리계의 무기 절연물, 폐놀, 에폭시, 폴리이미드, 폴리에스테르 등의 종이 기재, 유리포 기재, 유리 매트 기재, 폴리술폰, 테프론, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름 등의 유기 절연물, 금속베이스 기판, 메탈코어 기판, 법랑도포 철판 등의 금속계 기판을 들 수 있다. 또 히트싱크 재료로서는 구리계, 철계의 금속 재료를 들 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 수지 봉지형 반도체 장치는 식(1)의 트리페놀 알칸형 수지 또는 그의 중합체와 치환 및 비치환 노볼락형 페놀형 수지와 식(2)의 트리페놀 알칸으로부터 선택되는 수지로되는 경화제와, 알케닐기 함유 노볼락 수지와 식(3)으로 표시되는 특정의 오르가노폴리실록산과의 부가 반응에 의해 얻어진 블록 공중합체와, 무기질 충전제를 배합하여 얻어진 에폭시 수지 조성물로 반도체 장치를 봉지함으로써 형성된 것으로서, 유리 전이온도가 높고, 팽창 계수가 작으며, 또한 내균열성, 기계 특성 등이 우수한 에폭시 수지 조성물에 의하여 봉지되어 있으므로, 종래의 DIP형, 플래트팩형, PLCC형, SO형 등의 반도체 장치로서 유용하고, 특히 프린트 배선판 또는 히트싱크계 반도체 소자가 직접 고착된 반도체 장치로서 사용한 경우, 수지 봉지 후에도 장치의 휨 양이 현저하게 작고, 동시에 치수 정밀도 등이 우수한 봉지형 반도체 장치가 된다. 또한, 본 발명의 수지 봉지형 반도체 장치는 하이브리드 IC의 풀모울드 형의 반도체 장치로서도 알맞게 사용할 수 있다.
이하, 실시예와 비교예를 예시함으로써 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1-4, 비교예 1-4]
표 1에 나타낸 종류 및 배합량(중량부, 이하 동일)의 성분을 가열 2개로 로울로 균일하게 용융·혼련하여 8종의 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 에폭시 수지 조성물에대해서 (가)-(마)의 제 시험을 행하였다.
결과를 표 1에 함께 나타냈다.
(가) 스파이럴플로우값
EMMI 규격에 준한 금형을 사용하고, 160℃, 70kg/cm2의 조건으로 측정하였다.
(나) 기계적 강도(요곡가도 및 요곡탄성율)
JIS-K6911에 준하여 160℃, 70kg/cm2, 성형온도 3분의 조건으로 10×4×100mm의 항절봉 성형하고, 180℃로 4시간 동안 포스트큐어한 것에 대하여 측정하였다.
(다) 팽창계수, 유리 전이온도
4mm
Figure kpo00015
×15mm의 시험편을 사용하여, 딜러트 미터에 의하여 매분 5℃의 속도로 승온시켰을 때의 값을 측정하였다.
(라) 내균열성
90×4.5×0.5mm의 크기인 실리콘 칩을 14PIN-IC 프레임(42 합금)에 접착하고, 여기에 에폭시 수지 조성물을 성형조건 160℃×3분으로 성형하고, 180℃에서 4시간 포스트큐어한후, -196℃×1분, -260℃×30초의 열 사이클을 반복하여 가하고, 50사이클 후의 수지균열 발생율을 측정하였다(측정수=50).
(마) 휨양
제1(a)도, 제1(b)도에 나타낸 바와 같이, 구리제 히트 싱크를 사용한 반도체 장치에 대하여 각 에폭시 수지 조성물을 사용하여 160℃, 70kg/mm2, 3분의 조건으로 이송 성형법에 의하여 봉지하고, 180℃로 4시간 포스트큐어한 후의 휨 양(δ)(제1(c)도)을 측정하였다.
또한, 제1도에 있어서 제1(a)도는 반도체 장치의 정면도, 제1(b)도는 단면도, 제1(c)도는 휨이 발생한 반도체 장치의 단면도이고, 1은 구리로 만든 히트싱크, 2는 반도체 소자, 3은 봉지 수지를 나타낸다.
[표 1]
Figure kpo00016
* 1: 에폭시 수지 Ⅰ
Figure kpo00017
* 2 : 블록 공중합체 Ⅰ
Figure kpo00018
(단, 식중의 숫자는 평균값을 나타냄)
사용된 공중합체 중의 오르가노폴리실록산부 : 34중량%
[실시예 5-10, 비교예 5,6]
표 2에 나타낸 종류 및 배합량의 성분을 실시예 1과 같은 방법으로 혼련하여 8종의 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 조성물에 대하여 실시예 1과 같은 방법으로 (가)-(마)의 제 시험을 행하였다.
또한, (마)의 휨 양은 제2(a)도에 나타낸 바와 같이, 유리 에폭시 수지를 기판으로 사용한 반도체 장치에 대해서 각 에폭시 수지 조성물을 사용하여 160℃, 70kg/cm2, 2분의 조건으로 이송 성형법에 의하여 봉지하고, 175℃로 5시간 포스트큐어한 후의 휨 양(δ)[제(b도)도]을 측정하였다.
여기서, 제2(a)도는 반도체 장치의 사시도, 제2(b)도는 휨이 발생한 반도체 장치의 단면도를 나타내고, 2는 반도체 소자, 3은 봉지수지, 4는 유리 에폭시 수지를 나타낸다.
[표 2]
Figure kpo00019
* 3 : 에폭시 수지Ⅱ
Figure kpo00020
* 4 : 에폭시 수지Ⅲ
Figure kpo00021
* 5 : 블록 공중합체 Ⅱ
Figure kpo00022
(단, 식중의 첨자 숫자는 평균치를 나타냄)
표 1,2의 결과로부터 본 발명에 사용되는 에폭시 수지 조성물은 유리 전이 온도가 높고, 내균열성이 우수하며, 이 조성물로 봉지된 반도체 장치의 휨은 현저하게 적은 것이 인정되었다.

Claims (1)

  1. (A) 하기 일반식(1)
    Figure kpo00023
    (식중, R1은 서로 동일하거나 또는 상이한 것으로서, 탄소수 1-10의 1가 탄화수소기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내며, ℓ은 1 또는 2의 정수이고, m 및 n은 각각 0-2의 정수를 나타내고 ℓ+m+n≤5 임)로 표시되는트리페놀 알칸형 에폭시 수지 또는 그의 중합체를 주성분으로 하는 에폭시 수지와, (B) 치환 및 비치환된 노볼락형 페놀 수지와 하기 일반식(2)
    Figure kpo00024
    (식중, R1, X, ℓ, m 및 n은 상기 정의한 바와 같음)로 표시되는 트리페놀알칸으로부터 선택되는 수지를 주성분으로 하는 경화제와 (C) 알케닐기 함유 노볼락 수지와 하기 일반식(3)
    HaR2bSiO
    Figure kpo00025
    ………………………(3)
    (식 중, R2는 1가 유기기를 나타내고, a는 0.001≤a≤1, b는 1≤b〈3, 1.001≤a+b≤3임)으로 표시되는 오르가노폴리실록산과의 부가 반응에 의해 얻어지는 블록 공중합체와, (D) 무기질 충전제를 함유하여 되는 에폭시 수지 조성물로 봉지한 것을 특징으로 하는 수지 봉지형 반도체 장치.
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