TWI238680B - Plasma processing system and method - Google Patents

Description

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92126333 五、發明說明（1) 一、【發明所屬之技術領域】 本發=係相關於美國臨時專利申請案第6〇/ 備斑方、、共 具有f椠處理系統之光學系統之言1 /、太a」，在此同時提出，其全部内容在此併入參者°Γ 無明關於電漿之處理，尤有關於 二。 中之診斷系統（dlag觀tlc system)=染用於U處理 【發明内容】 將本 ％。該電漿 漿處理區域· ^ , ，〜夾頭， t吕亥處理區域 ^ ^ q内的基板 為多種 漿在某 舉例來 、顯示 均可用 廣泛的 製程（ 包含光 物所污 二、 【先前技術 通常，電槳 為帶電狀態。I 常廣泛的應用。 導體、積體電路 中相當有用，g 沉積。 、 言爹斷方法序皮 且用來決定電褒 說，診斷方法可 應器被電漿副產 三、 物質之集合體， 些處理系統中非 說，電漿處理系 器、與其他電子 於如半導體晶圓 用來監控電漿製 如電漿蝕刻製程 學診斷法或壓力 染時便需要進行 些為氣體且一此 常有用，其具有& 統在物質處理與半 裝置之製造與處理 等基板上之蝕刻與 程與相關的基板， )之終點。舉例來 測量法。當診斷感 保養。 —__漿處理 一診斷系統連接之 處理室，包含/電 一位於該處理室中 口，形成於/處理 區域中的電漿排出處理室。一電水 樣為提供一種與 處理系統包含一 被製造用來支撐 ;與一處理室開

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農號 92126333 五、發明說明（2) 產生為’連接至该處理室，且誠制、生 且破製造用來在一雷漿制和 中，在該電漿處理區域内產生一雷將 隹 电乂衣％ 一形成於該電漿處理區域盘—♦斷=虛—診斷系統，包含 沴斷感應器之p卩的诵洁 通道具有一預定長度與一預定亩彡 θ 。該 石i命/古广L 疋直徑。該通道被設計為且右 一至少4的長度/直徑比，其可莊 m ~丹有 j籍著將该通道之預定# # rr/v 以該通道之預定直徑來提供。 、遇之谓&長度除 本發明之另一實施態樣為接祉 X馬提供一種診斷系统之旌 法，該診斷系統與一電漿處理系人斲糸、，死f刼作方 具有一處理室，其包含一電|卢 電水里糸統 在一電漿製程中產生。該診斷系# ρ % 1二 電濃可 漿處理區域及/或基板。該方法白入接 電 理室與該診斷感應器之間的通道，該通道具有一至 度/直徑比。該方法更包含透過—反應室中的開口 ^ 該電聚處理區域及/或基板而來之放射，並降低該診斷系^ 之巧染。因此，可提供一方法來降低診斷系統之污 、、、、 光學診斷組件或診斷組件。 ’、^ 在本發明之實施例中，該診斷系統包含一污染降低釺 構’其用來降低連接該診斷感應器之通道的污染。在一二 施例中，該污染降低結構可包含一淨氣通道，其用來將t 淨氣體引入該通道中。在其他實施例中，該污染降低妗^ 可包^ 一電場產生器、一磁場產生器、一溫度控制系&再 或電場產生器、磁場產生器、溫度控制系統與淨氣通道至 少二者之結合，以降低連接該診斷感應器之通道的污染。 實施方式 四

第7頁 1238680 修正 »1^92126333 五、發明說明（3) 圖1為依據本發明之馬 ^ » y » L十將考，田/ 原理，電漿處理系統之一貫施例（ 统（以10表示）與-診斷系統（以12表示） 、 0斷糸統12可為任何診斷系统，舉例來說，如光 學診;影像裝置視埠、壓力感應器、質譜儀、離子 通里與：：測量系統、或電_諧波測量系統。 電漿處理系統1〇包含—電襞處理室（以14表示），其 界定一電漿處理區域16，電漿18則產生於其中。一夾頭或 電極30位於處理室14中，且用來支持一位於處理區域丨6中 處理至1 4内之基板2 〇，舉例來說，其可為一半導體晶圓。 舉例來說，基板20可為一半導體晶圓、積體電路、待塗佈 之聚合物材料薄片、待以離子植入來硬化表面之金屬、或 一些其他需要被蝕刻或沉積之半導體材料。 ^雖然沒有顯示，可以供應冷卻劑至夾頭30，舉例來 次’透過連接處理室1 4之冷卻劑供應通道。每一冷卻劑供 ;^道可連接至一冷卻劑供應源。舉例來說，冷卻劑供應 ^ :分別連接至冷卻劑供應源。或者，冷卻劑供應通道 $著内連接通道之網路而互相連接，其以某種型態連接 7有的冷卻劑供應通道。 $通吊，電漿產生氣體，可為任何可離子化而產生電漿 體’被引入處理室14而轉變為電漿，舉例來說，透過 依入口26 °如熟習此項技藝者所知1漿產生氣體可 二所需之應用來選擇，舉例來說，可為氮、氙、氬、石户 合物中之四氟化碳（CF4 )或八氟環丁燒（。ρ ) 氯、溴化氫、或氧。 48 口 26連接至處理室丄4且 1來^t漿處理氣體引

1238680 修正 _案號 921263泊_^ 五、發明說明（4) 入電漿處理區域16中。一以上電極28邀'^ + ^ ^ ^ t 、下電極30之形式存 在之電漿產生器連接至處理室1 4，以Μ发ϋ ^ ^ ^ 错者離子化該電漿處 理氣體而在電漿處理區域16中產生電漿18。舉例來說，咳 電漿處理氣體可藉著對其供應RF及/或叱功率而離子化舉 例來說，I某些應用巾，電毁產生器可為可供應RF功率之 天線或R F線圈。 許多氣體入口或注射器及各種氣體注入操作可用來將 電漿處理氣體引入電漿處理室14，其被隔絕密封且由鋁或 另一種合適的材料所形成。電漿處理氣體通常由位於基板 附近或對面之氣體注射器或入口引入。舉例來說，如圖㈠斤 不，經由氣體入口 26所供應之氣體可透過一注入電極（上 電極28)而庄入基板對面，在一電容性轉合電聚 (CapaCltlvely c〇uPled plasma，CCP)來源中。供應至 電漿之功率使得引入處理室14中的電漿產生氣體放電，因 此產生電漿，如電漿1 8。 另外’在實施例中未顯示，該氣體可透過一介電窗注 入基板對面，在一變壓器耦合電漿（transformer coupled P:a: τ⑴來源中。其他氣體注射器的配置為熟悉此項 衬“所熟知’且可與電漿處理室丨4結合使用。 電漿處理室14裝設有一出口，其具有一第—直空 ，:閥34，如節流控制閥，以提供電漿處理室1 4中的氣體 壓力控制。 Υ日]乱篮 感 各種導線（圖未 應器可與電漿處理系 示），舉例來說’壓力探針或其他 統1 0結合。

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_ 案號 92126333 五、發明說明（5) 1:系、、先12。通常’在具有壓力感應器或質譜儀之診斷組 ^沴齡開口22可被做得較大，以使感應器反應較快。在光 =二从組件中，開口2 2可被做得較大，以使得被傳送且被 光子f斷組件或偵測器所收集之訊號較強。 、診斷系統12通常真空密合，且與處理室14連接而带 f :以使其與電漿處理區域16連接，如接下來更詳細的說 明 。 —閘閥（圖未示）可連接至電漿處理室14，靠 2夺2 ii’;：電漿處理室1 4與診斷系統1 2之間。閘閥可將診斷 ”12隔絕於電漿處理室"，當進行保養時，舉例來說， 組件中校正或再校正感應器、在光學診斷組件中 二=二$戶’在光學診斷組件或淨氣週期中更換窗戶。此 二；驻〗明中並非必要，而由圖1所示之實施例省略。閘 可裝配或省略於系統1Q中，視藉著閑 製程而定。 < "、电水 如圖2所示，料系統12之一實施例包含一固定部分μ 么-#斷感應器40。診斷系統12之固定部分38可藉著一固 1凸緣42 (或複數個）結合至電漿處理室14之處理室壁 36二如螺帽與螺栓、或螺釘等扣件（圖未示）可延伸穿過 固疋凸緣42，以將gj定凸緣42結合 可由固定凸緣42延伸，其可為管狀或圓柱γ :可由固定壁44向外延伸，以與感 器4〇結 :構：:：，。或者’固定凸緣42與固定賴也可以其他

11 H 可在其縱向上界定一具有 第10頁 1238680 月 t 號 92126^ 修正 曰 五、發明說明（6) 所欲直徑之通道46。 統1 2之診斷感應器4() ^用來使電漿處理室U與診斷系 )。通道46之直徑心互相通連（如圖1中箭頭A所示 徑，料傳送至診斷感應^於、小於或大於開口 22之直 適的二 二 =著黏著劑、接合材料或其他合 斷感應器4〇的光或中’以決定到達診 室壁36中之開口 22的产動『（如精者限制穿過形成於處理 與電襞處理區域16:=。限制元件50在診斷感應器4。 元件5〇之大小來決ΓΓ 道46的直徑實際上由限制 成。即，不外：：：件Γ與固定部分38整合形 身即界定了 -限制^的限制凡件’固定部分38之内壁本 流量限制元件50、固定邱八μ十、ώ θ 定部分38兩者皆可由金】’ /二38或流置限制元件5〇與固 電材料（如石英、氧化益Γ γ呂、電鑛銘、不鏽鋼）、介 半導體材/料（如石夕、养雜石反：、與氮化鋁等陶瓷）、 來說，在包含反#性^1 一其他材料）所製成。舉例 化學品，二:”化學品的電浆製程中，如含氟 降低反應性較高之物“‘：。所製成的流量限制元件可 54，5 : t : f擇性的包含-與其結合之淨氣通道 b 4 乂興幵/成於限制元件5 〇盥吟齡泞由 域52通連。淨氣通道54。固；：4感4;=之間的前室區 示，或者，可藉著扣件（圖未示 I 口形成，如圖2所 等）與其結合。 β '、，如螺帽與螺栓、或螺釘 體被提供^區域52，舉例來 第11頁 1238680 案號 92126333 _η 曰 修正 五、發明說明（7) 說（如圖2中箭頭Β所示）。當潔淨氣體提供至前室區域 52，前室區域52中的壓力相對於電漿處理區域16中的壓力 增加，因此在前室區域52與電漿處理區域16之間產生一壓 力差。此壓力差產生了 一由前室區域5 2至電漿處理室Η之 流動（如圖2中箭頭C所示），其減少了污染物由電漿1 8至 診斷感應器40之上游擴散，如附於電漿之化學物質。通道 46之直徑大小與產生前室區域52與電漿處理區域16之間流 動的壓力差相結合，亦可減少電漿於前室區域52中點燃 (1 ight-up )。舉例來說，限制元件5〇可被決定大小而提 供通道4 6 ’其可具有一範圍在〇 · 1公分到2 · 5公分之間的直 徑。通道46之直徑可小於開口 22的直徑，以幫助減少污染 物回流與電漿點燃。 在不包含反應性較高之各 —曰 „ 同之化學品的電漿製程中，淨氣通 道5 4與流3：限制元件5 〇可由吟—^ 邮么从1 9夕、-、九，丄 J田0斷系統1 2中省略。此乃因診 斷糸統1 2之巧'染（如通道4 β武 祕#古夕仆μ 〇从制1 Α衫斷感應器40 )比包含反應 性較局之化學品的製程嚴會， -^ pp ^ ^ 因此對於反應性低的化學品 /又有必要限制其流動或利用潔 一分光計（圖未示）可盥％ ^ ' 漿18並基於光學放射性（如;;=断感應器40結合，以由電 者可與感應器4 0分開。該八央偵測電漿製程之狀況，或 倍增管、（:CD或其他固離^貞刀、丨：或偵測系統可連結一光電 或晶圓特性（如晶圓之薄膜^、，其他可分析光學放射性 一枇生丨丨突、r β π也- 、」之光學裝置也可被利用0 控制斋56可與電漿處理 且 饥〜π 電壓來溝通與活化電漿處理李=^ 4結合，其可產生控制 -----— 10之輸入，並可監控電漿 m 1238680 曰 修正 _案號 92126333 五、發明說明（8) 處理系統1 0之輸出。舉例來說 下電極30與氣體入口26結合並交;^56可與上電極28、 存於記憶體中，可依據所儲存之势二，。一程式，其可儲 前述電漿處理系統1 〇的構件。^玉处理程式而用來控制 系統12的構件。舉例來說 ’控制器56可控制診斷 器40。戋者，矸狀阶夕加^卫制时56可用來控制診斷感應 命au 驭I，可叙配多個控制哭c；R 〆 電喈虛王？ έ綠1 η十从！ΰ b ’其母一個可用來控制 电水處理糸統1 〇或诊斷糸統丨2 例子為MiCr〇/SYS Glendale ^構/。-控制器56 之 型Pc/104。 iendale ’以所製造之可嵌入PC電腦 圖3顯示一診斷系統112，其為診斷系統】 施例。在診斷系統11 2中，盥診斷糸 M m ^ ^ ^ , ，、V斷糸統1 2相似的元件具有相 ϊ = 通道46、限制元件5〇、前室區域52與淨 :通，基本上可與前述關於診斷系統12之相同方式來應 用。然而，淨氣通道54可視電漿製程之應用而省略。 診斷系統112包含一固定部分138，其可由如上述固定 4分38之相同材料所製成。固定部分138具有一固定凸緣 1 4 2 (或複數個），以扣件（圖未示）將固定凸緣η 2結合 至處理至壁36。複數個固定壁144a與144b可由固定凸緣142 延伸’其可為官狀或圓柱狀。固定壁14“與1441)在其間形 成一流體室143。流體室丨43可為管狀或圓柱狀，而且可與 一結合至外部固定壁144b之流體入口 158相通連。流體入口 1 5 8用來將流體（如氣體或液體）運送至流體室丨4 3。一流 體出口 160結合至固定壁14 4b且與相對於流體入口 158之另 一側之流體室1 4 3相通連。流體入口丨5 8或流體出口;i 6 〇可與 固疋壁部分1 44b成為一體或可利用適當的扣件在通道46之 第13頁 1238680 Λ_η 曰 修一 _案號 9212fm3 五、發明說明（9) 相對兩側扣接至固定壁部分丨44b。流體入口 158或流體出口 1 60可配置於沿著固定壁1 44b之任何地方。舉例來說，流體 入口 158可配置於鄰接淨氣通道54且流體出口 16〇可配置於 通道4 6之相對側，反之亦可。 引入流體室143之流體溫度可視電漿製程之應用來選 擇 如 升局之溫度（如250C)或一降低之溫度（如-196 C) ’相對於前室區域52與通道46中的氣體溫度而言。， 升尚之溫度通常可在一些電漿化學品中降低薄膜污染，而 一降低之溫度（如低溫的）可使得電漿中之污染物在通道 46中快速被吸附，如此使得污染物無法到達診斷感應器 4 0。因此，流體溫度可被選擇與控制，以幫助減少診斷感 應器4 0之污染。 為了要提供升咼之溫度’壁部分H4b與流體室143可以 一加熱器來取代（如電子加熱器），其包圍壁部分144a之 夕=周、、彖或者’加熱器可與壁部分144b與流體室143結合來 運用。 顯不一診斷系統212 ’其為診斷系統ΐ2、ιΐ2之替代 。：診斷系統212中，與診斷系統ΐ2、ιΐ2相似的 區域52 ί Ϊ 的參考符號。通道46、限制元件50、前室 ^ ^ @ ^ ί ί 4基本上可與前述關於診斷系統丨2、112 用而省略應用。然而，淨氣通道54可視電漿製程之應 邻八^ Γ 統2 1 2包含—固定部分2 38，其可由如上述固定

242 (或複數個），以。固定部分238具有一固定凸緣 M扣件（圖未示）將固定凸緣242結合 1238680

案號 92126333 五、發明說明（10) 至處理室壁36。一固定壁244可由固定凸緣242延伸，其 為管狀或圓柱狀。固定壁244用來容納一絕緣體262 ( ^二 氧化矽（石英）、氧化鋁或其他介電材料）與一固定於: 上之電場產生器264，藉著如扣件、黏著劑、接合材料或1 他合適的扣件。絕緣體2 6 2隔離了電場產生器2 6 4之外圍部 分。 口 固定壁244可具有一形成於其中之開口 266，用來容納 一饋入元件268。饋入元件2 68將電場產生器264結合至一 源供應器270，電場產生器264可包含一環狀電極或複數個 電極。電源供應器270可供應DC或射頻（RF，radi〇 frequency )偏壓功率至電場產生器264。 DC或RF偏壓功率可視電聚製程應用而用來將電衆排出 通道4^6。舉例來說，在中等至較高的壓力了，如等與或大 於4 0,二耳（m Torr)之壓力’ _較高之負。。偏壓基本上 2 y處理室i 4中的電漿進入前室區域52與通道46或其鄰 近地^藉著將電衆中的電子排出通道46。其他的電極也 可用“提t、DC或RF功率，如此電極可被偏壓至與電漿帶電 電荷以排除那些粒子（如-正電極可用來排除 苴t I 2子）。1奐句話說，此提供了 —「避開」效果， ^中電漿被限制於通道46或其鄰近地區以外之區域。在中 較局的壓力下，電漿中的離子可頻繁的與電漿中的其 =子石亚撞’如此更可減少電黎在通道Μ或其鄰近地區中 點燃。 圖5顯示一診斷系統312，其為診斷系統^、ιι2、212 之#代性貫施例。在診斷系統312 +，與診斷系統Μ、 1238680 案號 92126333 五、發明說明（11) 11 2、2 1 2相似的元件具有相對應的參考符號。通道46、限 制兀件50、前室區域52與淨氣通道54基本上可與前述 診斷系統12、112之相同方式來應用。然而，淨氣通道“可 視電漿製程之應用而省略。 診斷系統312包含一固定部分3 38，其可由如上述固定 部分38之相同材料所製成。固定部分338具有一固定凸緣 342 (或複數個），以扣件（圖未示）將固定凸緣342结合 至，理室壁36。-固定壁344可由固定凸緣342延伸，其^ 為管狀或圓柱狀。固定壁344具有—形成於其間之空間、 =2，其=來容納一磁場產生器376與其間的磁漏降低構件 線圈。磁曰场田產办生^376可包含一或多個永久磁鐵或電流搭載 ^ ’、用來在整個通道46產生磁場（如圖6中378所示 芸：丨磁ΐί生器376與磁漏降低構件374可藉著如扣件、黏 372中&材料或其他合適的扣件固定於固定壁344之空間 可降：2 可為一鐵環，舉例來說’或任何其他 電f ,理=夕磁％之洩漏之構造。因此可降低會影響 =處理至14中的電漿製程與診斷系腿之磁場378發生的 磁場二場產電衆製程應用而用_ 或其鄰近地區換本句〜7免=進人，室區域52與通道“ 之外（在電聚處；場78可將電衆阻播於通道46 --—__^具中一個磁场3 78之例子顯示於通道46 1238680 __案號92126333_年月日 絛正_ 五、發明說明（12) 中。為簡化圖面，在圖6中省略限制元件5 〇。如示，磁場產 生器376包含複數個永久磁鐵380，其位於通道46之周圍以 形成一偶極環。在此例中，磁鐵3 8 0被相對彼此的配置，以 使相W之磁鐵380具有依次指向逆時鐘方向之極化方向382 (粗體箭頭所示）。雖然未顯示，磁鐵3 8 0可配置成對稱於 一水平軸（如圖6中的虛線所示）。圖6顯示16個磁鐵380， 各個具有一極化方向382，其與相鄰磁鐵380之極化方向382 分離約45。。然而，其他磁鐵之結構亦為可能，如當利用 較多或較少之磁鐵380時，且分離角度也因此改變，如相鄰 磁鐵極化方向之間的角度為磁鐵之間分離角度的兩倍。 圖6中所示之磁鐵380之配置產生了磁場378，其具有延 伸穿過通道46之磁力線384。在磁場378中，粒子立即沿著 磁力線384而盤旋，且僅緩慢的擴散通過磁力線384並進入 通道46，此幫助了阻擋電漿進入通道46或其鄰近地區。 圖7顯不一診斷系統4 1 2，其為診斷系統3丨2之替代性實 施例。診斷系統412在結構與操作上基本與診斷系統312相 同’除了包含-磁場產生器476，其為磁場產生器376之替 代性實施例。耗在此實施例中未顯示，但磁漏降低構件 374可配置於磁場產生器476之周圍，如以上關於磁場產生 診斷系統412包含一固定部分4 38，其可由如上述 部分38之相同材料所製成。固定部分438具有一固定凸 Μ (或複數^個）與上述之固定壁3 44。磁場產生器m可藉 著合適的固疋元件固定於空間M2中。

1238680 _案號 92126333 五、發明說明（13) 车月曰 修正

於通道46之周圍。各個磁鐵480具有一極化方向482，其朝 内徑向地指向通道46 (圖8中所示）或由通道46朝外指出。 然而，可配置較多或較少之磁鐵4 8 0且其他磁鐵之配置亦為 可能，如各個磁鐵480之極化方向482可在相鄰之磁鐵480之 間交替，如一磁鐵可具有徑向朝内之極化方向，且相鄰的 磁鐵可具有徑性朝外之極化方向，反之亦然。 圖8中所示之磁鐵480之配置產生了磁場478，其具有延 伸進入通道46之磁力線484。磁場4 78可視電漿製程應用而 形成，如此基本上可減少電漿進入前室區域52與通道46或 其鄰近地區。換句話說，磁場4 7 8至少可阻擋部分電漿進入 鈾室區域52與通道46或其鄰近地區。 磁場478較上述之磁場378不強，因為通道46中央的磁 場強度為零。然而，藉著其較小的強度，磁場478可用於強 磁場會引發不想要的效果之電漿製程中，其可能影響測 量，如在電漿上產生抽氣效果而影響壓力的測量。 關於圖6與圖8，磁場378、478之其他配置亦為可能， 且可分別藉著提供多列磁鐵3 8 0、4 8 0來形成，其具有相同 或乂替的極化方向3 8 2、4 8 2以達到其他不同之磁場配置， 舉例來說。

在上述實施例中，如圖2-5與7所示，配置淨氣通道54 以供應潔淨氣體進入通道4 6與前室區域5 2。如上所示，供 應潔淨氣體可減少處理室製程氣體回流進入通道，其減少 、了診斷感應器40之污染。淨氣通道54供應潔淨氣體進入通 道46與前室區域52應該不能嚴重擾亂現存之處理室氣體流

1238680 曰 ^^J2126333_年月 五、發明說明（14) 亂氣流。 顯干Γ女一U顯示診斷系統12之替代性實施例。圖9-16中所 4Λ之、以，少處理室製程氣體回流進入通道且減少“ 有;、；：；：=:所描述之診斷系統中，處 ^ 小於通道預定長度之厚度。 512，圖』2示診斷系統12之替代性實施例之診斷系統 二土上與診斷系統1 2以相同方式運作。診斷 512包含-固定部分538，其 断糸統 材料所製成。固定部分538具有一固：壁54v:以相： 以上之扣件5 3 7 έ士人老m 稭著一個 密封墊、一〇琿：：4 1室壁36。此扣件可為-個以上之 室壁36之密封扣件任何其他形式可將固定壁…結合至處理 摔作。此^ t (為簡化而未示）可與診斷系統51 2结人 Π運與圖1所示之感應器40以二 定壁544上。因為為-窗戶或診斷孔，可結合至固 上，診斷系統512不包H疋件5 39直接固定於固定壁544 固定壁544具室區域。a 之通道546。通道546之古\ n 45，其界疋~具有預定直徑D 理室壁36之開口 22之直栌，可等於、小於或大於形成於處 通道546具有一預定具 由處理室開口 2 2到診㈣應^ = 中其被界定為 一"氣體平均自由徑， 1238680

在所選擇的製程條件下，如處理室壓力、處理室氣流與處 理室氣體溫度。因為通道546之長度L被選擇為在所選擇的 製程條件下，大於污染物分子的氣體平均自由徑1倍，污染 物分子在通過通道546時通常會經歷X次的碰撞。因此，可 減少到達診斷感應器或診斷感應器元件539之污染物分子的 數目，至少部分因為X次之碰撞。在此概念之例子中，X可 代表大於零之數目，如25、55、85或更大。然而，χ可選擇 $任何數目’視污染物分子的氣體平均自由徑與所選擇的 製程條件而定，其可視電漿製程而改變。 通道546之長度l與直徑D可被選擇為提供一至少4的長 二/直彳二比（L/D) ’其可藉著將通道546之長度L除以其直 仁D來得到。通道可設計為提供大於4的長度/直徑比， 視所利用的電漿製程與製程特徵而定，如處理室壓力、化 學品、氣流、與其溫度。 圖 上相同 包含一 中的通 被界定 述，此 均自由 淨 方式操 9所示〕 通 1〇^示一診斷系統612，其具有與診斷系統512實質 之結構’除了其包含一淨氣通道556。診斷系統612 通道646 ’在操作上其實質上與圖2中的通道46與圖9 道546相似。通道646具有一長度L，在此實施例中其 為由处理至開口 2 2到淨氣通道5 5 6之距離。如上所 通道646之長度L可被選擇大於污染物分子的氣體平 在所選擇的製程條件下。 。為了簡化，上述診斷系統5 1 2之其他元件（如圖 、的說明在圖10中不再重複。 之直徑D可等於、小於或大於形成於處理室壁

=通^5 5 6^基本上與上述圖2中之淨氣通道54以相同 1238680 JEη 曰 修· -----蓋1 虎 92126333 五、發明說明（16) 3 6之開口 2 2之直徑。 度/直通ΛΙ之長度^直徑D可被選擇為提供一至少^ 度/直徑比（L/D )，复珂兹芏彼、s 夕4的長 徑D來得到。㉟道：；了错者將通道646之長度L除以其 仴张道646可設計為提供大於4的長度/吉—、直 視所利用的電漿製程與 又直徑比， 梂它名a ，、辰柱符欲而疋’如處理室靨士 里至乳 、與處理室氣 w ^ ^ ^ r r ^力、處 少診斷感應器元件539二度。:’耽通道556可更加幫助減 圖η為顯；t:V下來的診斷感應器）的污： 712 ^ 川具有-與圖^示斷=^ 2 ^以//運作。診斷系統 了包含-流量限制元：二斷糸統512貫質上相似之結構，除 上。 ^件55G配置於固定鶴4之内表面545除 流直限制元件550可由如上述流量限制亓杜Μ少士 質所製成，其沿著固定辟““：：里限制凡件50之相同材 22延伸到診斷感應器；：：：54 V由處理室開口 550具有-内表面555，： R :戈以斷感應益。流量限制元件 746。通道746之直徑D可等於疋一具有預定直徑D之通道 36之開口22之直徑。於“!;於或大於形成於處理室壁 、g、f7」R目士 如不，通道W6之直徑D小於開口22。 ^ ^ ^ 預定長度L ’在此實施例中豆被界定為 由處理室開口22到吟齡忒雍哭-二 ^ ? … ^斷感應為凡件5 3 9或診斷感應器之距 離:述，此通道746之長度^可被選擇大於污染物分 子的氣體平均自由徑，在所選擇的製程條件下。 通道746之長度L與直徑D可被選擇為 度:i=(L/D)，其可藉著將通道…之長度L除以其直 役D來付到。通道^46可設計為提供大於4的長度/直徑比，

第21頁 1238680 案號 92126333__年 3 五、月⑽ ^~" 5 視所利用的電漿製程或製程特徵而定， ^ 理室氣流、與處理室氣體溫度。 处理至壓力、處 圖1 2顯示一診斷系統8 i 2，其為診 實施例。診斷系統8 12基本上盥圖丨丨 尔、、死之替代性 似方式運作，除了包含一流量限制元二：斷，12以相 鄰接處理室壁636之嵌壁部分637之末端八八/、有一用來 診斷系統8 1 2提供另一方式來將流量限^ ^ 斷系統中。具體來說，在診斷系統8丨2中，产旦1在衫 6 50之末端部分63 9用來鄰接形成於卢w —机里限制疋件 分637。 ”丨料成於處理室壁63 6中之嵌壁部 流量限制元件650可由如上述流量限制元件5〇之 質所製成’其由鄰接處理室開口22之摒辟加、β〇Γ7 "材 主闹口 ζ ζ之肷壁部分6 3 7延伸f丨丨吟 斷感應器元件539或診斷感應器。流量限制元件65〇界^^ 具有預疋直徑D之通道846。通道8 46之直徑D可等於、小於 或大，形成於處理室壁36之開σ22之直徑。如示，'通道846 之直徑D小於開口 2 2。 j道846一具有一預定長度L，在此實施例中其被界定為 由▲量限制元件65 0之末端部分63 9到診斷感應器元件539 沴斷感應器之距離。如上所述，此通道846之長度L可被選 擇大於污染物分子的氣體平均自由徑，在所選擇的製程條 件下。 通道846之長度L與直徑d可被選擇為提供一至少4的長 ，/直，比（L/D)，其可藉著將通道846之長度L除以其直 ID來得到。通道8 4 6可設計為提供大於4的長度/直徑比， 視所利用的電漿製程或製# 徵而定，如處理室壓力、處 第22頁 _案號9212防沿 1238680 修正

五 、發明說明（18) 理室氣流、與處理室氣體溫度。 圖13為顯示診斷系統512之替代性實施例之診 912，= 土 ^上與診斷系統512以相似方式運作。斷、、、 912具有-與圖9所示之診斷系統51 2實質上相似之：：，統 了包s錐形/瓜里限制元件7 5 〇配置於固定壁7 4 牙、 745上。 〜門表面 1斷:系統912包含-固定部分7 38，其可由如上述 部分3二相同材料所製成。固定部分738具有 疋 端逐漸Ϊ細）^賴4，其㈣―似上之扣件53ϋ 至處理至壁36。此扣件可為一個以上之密封墊、产。口 何其，式可將固定壁744結合至處理室壁3 =任 心ΪΓ:元件750可由如上述流量限制元件5°之1:材 貝所製成、、沿者固定壁744之内表面745，由處理 22延伸到診斷感應器元件539或診 ^口 750 * t - I. ^ Φ755 ^ 4 ^ t ^36 協助支撐處理室壁36中的流量限制元汗以 7二VA有預定直徑D之通道94 6。通道_之直= 於、小於或大於形成於處理室壁36之開口22之直徑。專 如示，通道946之直徑D小於開口22且沪 : i ^ 減小。舉例來說，通道946之直徑D可往診斷感 應益兀件539或診斷感應器的方向遞增，％圖。所示。或％ Ϊ方=6之直徑D可往診斷感應器元件539或診斷感應器 的万向遞減。 通道946具有一預定長度L，在此實施使

第23頁 1238680 _ 案號92126333__年月日 倐正_ 五、發明說明（19) 由處理室開口 2 2到診斷感應器元件5 3 9或診斷感應器之距 離。如上所述，此通道946之長度L可被選擇大於污染物分 子的氣體平均自由徑，在所選擇的製程條件下。 通道946之長度L與直徑D可被選擇為提供一至少4的長 度/直徑比（L/D)，其可藉著將通道946之長度L除以其直 徑D來得到。通道946可設計為提供大於4的長度/直徑比， 視所利用的電漿製程或製程特徵而定，如處理室壓力、處 理室氣流、與處理室氣體溫度。在具有可變直徑D之通道 中，沿著其長度L之平均直徑可被用來提供至少4的長度/直 徑比（L/D )。 圖14顯示一診斷系統1012，其具有與診斷系統712實質 上相同之結構，除了其包含一淨氣通道5 56。診斷系統1〇12 也包含一通道746，其具有一長度L，被界定為由處理室開 口 22到淨氣通道556之距離。如上所述，此通道746之長度l 可被選擇大於污染物分子的氣體平均自由徑， $ 製程條件下。 社汀k释的 上 也 元 此 由 上 也 圖15顯示—診斷系統1112，其具有與診斷系統Μ 吉構’除了其包含一淨氣通道556。診斷系統⑴2 二之通Λ846，其具有一長度L ’被界定為由流量限制 m ί部分639到*氣通道556之距離。*上所述 徑’在所選擇的製程條件下。 ”十句自 圖16顯示一診斷系統1212 ’其具有與 相同之結構，除了其包含-淨氣通道556斷先912 1質 包含一通道946，其具有一長度L ,被界定/由考、审212 ；-；----二____^ ^ 由處理室開 _3 曰 修正 口 2 2到淨氣通道5 5 6之距離 ,f 可被選擇大於污染物分子的二上二述，此通道946之長度L 製程條件下。 于的乳體平均自由徑，在所選擇的 雖然具有一可變直彳a η 明，但在此說明之其他通道之通^道僅在相關於通道946中說 _也可設計成具有-546、646、746與 減小。 欠直徑，如沿著通道的長度變大或 圖1 7顯示一依據本發 作與電漿處理系統連接之：之方：將:匕方法用於操 -包含電聚處理區域之處：：糸統。此電衆處理系統具有 程中產生，且体斷车绩^至，在其中電漿可在一電漿製 學診斷室中。^ 先位於一與該電漿處理系統結合之光 之污：：ί :::130°開始。在步驟1 302中’診斷感應器 室巴找ri由電裝處理室回流通過通道（與前 至區域，如有西P罾g本、E 、⑺ 器的污染物可實質上被读與電聚處理系統結合之診斷感應 有配置時糸統中之通”與前室區域，如 進入通道入前室區域中可實質上阻擔電聚

第25頁 二;:-加熱元件、冷卻元件、電場： 區域及電漿用，以降低前室區域與連接前室 作、操作或矛。成% ^道中的污染。各種這些額外的動 利用二磁場；使用。舉例來說，診斷系統可 __應丨_u_二ΖΤ·—:〜體f或/刀開^用，來阻 1238680 案號 92126333 _± 修正 五、發明說明（21) 擔電漿進入前室區域及通道。 在步驟1 3 0 4中，電漿製程之狀況被一診斷系統所補 測’其可由電漿處理區域及/或基板接收該狀況，如光、氣 體或壓力。舉例來說，一電漿處理狀況，如該電漿製程之 終點，可利用診斷系統來偵測。在步驟13〇6，該方^結 束。 一如 M i trov i c 其全部内 雖然 明，但須 與範疇下 舉例 系統來利 引入處理 合，其用 RF探針可 器4 0結纟 容。 因此 能性與結 行修改。 之精神與 偵測電 申請案 〇 示且已 藝者當 各種形 藉著所 診斷目 與一個 波内容 室14之 室14偵 國專利 入參考 具體顯 此項技 明進行 統1 2可 將用於 統1 2可 襞之令昏 装處理 襞處王里 參考其較 可在不脫 式與細節 有僅具有 的或材料 以上之RF 。舉例來 外，來取 測RF能量 此透過光 等人之美 容在此併 本發明已 了解熟悉 ’對本發 來說，系 用，其可 室中。系 來偵測電 固定於電 ，以由電 •前述實施例已具體顯 構性原理之目的，並且 ί :本？月包含所有在 軏嚀下所進行的修改。 漿製程狀況之方法已由 所提出，在此同時提出 佳實施例來說 離本發明之精神 上的改變。 小幅修改之診斷 處理之雷射光束 ，針或天線結 # ’ 一個以上之 代或與診斷感應 並分析其諧波内 示且已說明了本發明之, 可在不脫離這些原理 不脫離下述專利申請範目

第26頁 1238680 案號92126333 年 月 曰 修正 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 本發明之實施例之附圖，併入及組成本說明書中的一 部分，連同之前本發明之一般說明與實施例之詳細說明， 用來解釋本發明之原理，其中： 圖1為依據本發明之原理，電漿處理系統之一實施例之 橫剖面圖，其顯示電漿處理室與診斷系統相連接； 圖2為一診斷系統之橫剖面圖，其顯示一形成於該診斷 系統中之前室區域；

圖3為一診斷系統之橫剖面圖，其顯示一與前室區域連 結之溫度控制系統； 圖4為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一與 前室區域連結之電場產生器； 圖5為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示該診 斷系統之磁場產生器； 圖6為圖5中沿著線6-6切開之橫剖面圖，其顯示圖5中 所示之磁場產生器之極化方向與磁力線； 圖7為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示診斷 系統之另一磁場產生器；

圖8為圖7中沿著線8-8切開之橫剖面圖，其顯示圖7中 所示之磁場產生器之極化方向與磁力線； 圖9為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其包含一具 有預定長度與預定直徑之通道，如此可省略圖2中所示之前 室區域； 圖1 0為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一

第27頁 1238680 _案號 92126333_年月日__ 圖式簡單說明 與圖9所示之診斷系統操作連結之淨氣通道； 圖1 1為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一 限制元件，限制該通道具有一預定長度與預定直徑； 圖1 2為限制元件之另一實施例之橫剖面圖； 圖1 3為限制元件之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一 錐形結構之限制元件，可使所限制之外徑沿著通道增加或 減少； 圖1 4為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一 與圖11所示之診斷系統操作連結之淨氣通道；

圖1 5為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一 與圖1 2所示之診斷系統操作連結之淨氣通道； 圖1 6為診斷系統之另一實施例之橫剖面圖，其顯示一 與圖1 3所示之診斷系統操作連結之淨氣通道；且 圖1 7為依據本發明之原理，操作與電漿處理系統連接 之診斷系統之方法流程圖。 元件符號說明：

10 電漿處理系統 12 診斷系統 14 電漿處理室 16 電漿處理區域 18 電漿 20 基板 22 開口

第28頁 1238680 _案號92126333_年月日 修正 圖式簡單說明 26 氣體入口 2 8 上電極 30 夾頭 32 第一真空泵 34 閥

36 處理室壁 38 固定部分 40 診斷感應器 42 固定凸緣 44 固定壁 46 通道 48 末端部分 50 限制元件 52 前室區域 5 4 淨氣通道 56 控制器 112 診斷系統 138 固定部分 142 固定凸緣

143 流體室 144a、144b 固定壁 1 58 流體入口 160 流體出口 212 診斷系統

第29頁 1238680 案號 92126333_年月日_修正 圖式簡單說明 238 固定部分 242 固定凸緣 244 固定壁 262 絕緣體 264 電場產生器 266 開口 268 饋入元件 270 電源供應器 312 診斷系統 338 固定部分 342 固定凸緣 344 固定壁 372 空間 374 磁漏降低構件 376 磁場產生器 378 磁場 380 磁鐵 382 極化方向 384 磁力線 412 診斷系統 438 固定部分 476 磁場產生器 478 磁場 480 磁鐵

第30頁

1238680 案號 92126333_年月日_修正 圖式簡單說明 482 極化方向 484 磁力線 512 診斷系統 537 扣件 538 固定部分 539 診斷感應器元件 544 固定壁 545 内表面 546 通道 550 流量限制元件 555 内表面 556 淨氣通道 612 診斷系統 636 處理室壁 637 嵌壁部分 639 末端部分 646 通道 650 流量限制元件 712 診斷系統 738 固定部分 744 固定壁 745 内表面 746 通道 750 流量限制元件 1111

第31頁 1238680 案號 92126333 年 月 曰 修正 圖式簡單說明 755 錐形外表面 812 診斷系統 846 通道 912 診斷系統 946 通道 1012 診斷系統 1112 診斷系統 1212 診斷系統 1 3 0 0 - 1 3 0 6 步驟

II

第32頁

Claims (1)

1238680 _案號 92126333_年月日__ 六、申請專利範圍 1. 一種電漿處理系統，包含： 一處理室，具有一形成於一處理室壁中之開口，且包 含一電漿處理區域； 一夾頭，被製造用來支撐一位於該處理室中之該處理 區域内的基板； 一電漿產生器，連接至該處理室，該電漿產生器被製 造用來在一電漿製程中，在該電漿處理區域内產生一電 漿；及

一診斷系統，具有一與該處理室連接之診斷感應器， 且該診斷系統被製造用來降低該診斷感應器之污染， 該診斷系統包含一通道，形成於該電漿處理區域與該 診斷感應器之間且具有一預定長度與一預定直徑， 其中該通道具有一至少4的長度/直徑比，其可藉著將 該預定長度除以該預定直徑來提供。 2. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 診斷系統被製造用來偵測一與該處理室相關之電漿製程及/ 或基板之狀況。 3. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 診斷系統包含一位於該通道中之限制元件。

4. 根據申請專利範圍第3項之電漿處理系統，其中該 限制元件與該處理室中之該開口鄰接。 5. 根據申請專利範圍第3項之電漿處理系統，其中該 限制元件用來鄰接該處理室之一嵌壁部分。 6. 根據申請專利範圍第3項之電漿處理系統，其中該

第33頁 1238680 _案號 92126333_年月日__ 六、申請專利範圍 限制元件具有一錐形外表面。 7. 根據申請專利範圍第3項之電漿處理系統，其中至 少一該限制元件與一實質上環繞該通道之固定部分係由一 金屬、一介電材料與一半導體材料所製成。 8. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 診斷系統包含一與該通道連接之淨氣口，該淨氣口可供應 一潔淨氣體來淨化該通道。 9. 根據申請專利範圍第8項之電漿處理系統，其中該 限制元件用來產生一較高壓力之潔淨氣體通過該通道，因 為降低流動傳導。 10. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 診斷感應器被製造用來偵測一與該電漿處理區域相關之電 漿製程及/或基板之狀況。 11. 根據申請專利範圍第1 0項之電漿處理系統，其中 該診斷感應器包含一光學組件。 12. 根據申請專利範圍第1 0項之電漿處理系統，其中 該電漿製程狀況為該電漿製程之一終點。 13. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，更包含 一電場產生器，用來至少在鄰接該電漿處理室之該通道或 其鄰近地區中產生一電場。 14. 根據申請專利範圍第1 3項之電漿處理系統，其中 該電場產生器包含一具有至少一電極之電極組件。 15. 根據申請專利範圍第1 3項之電漿處理系統，更包 含一環繞該電場產生器之絕緣體。

第34頁 1238680 案號 92126333 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 1 6. 根據申請專 含一電源供應器，與 電場產生器。 17. 根據申請專 該電源為DC或RF偏壓 18. 根據申請專 一磁場產生器，用來 其鄰近地區中產生一 19. 根據申請專 含一環繞該磁場產生 2 0·根據申請專 該磁場產生器包含複 21.根據申請專 該複數個磁鐵配置於 有一極化方向，其與 鐵之間分離角度的兩 22·根據申請專 該複數個磁鐵配置於 有一指向相同徑向之 23·根據申請專 該複數個磁鐵配置於 鐵具有一指向相反徑 24·根據申請專 該磁場產生|§包含至 利範圍第1 5項之電漿處理系統，更包 該電場產生器結合而將電源供應至該 利範圍 電源。 利範圍 至少在 磁場。 利範圍 器之磁 利範圍 數個磁 利範圍 該通道 相鄰磁 倍。 利範圍 該通道 極化方 利範圍 該通道 向之極 利範圍 少一電 第1 6項之電漿處理系統，其中 第1項之電漿處理系統，更包含 鄰接該電漿處理室之該通道或 第1 8項之電漿處理系統，更包 漏降低構件。 第1 8項之電漿處理系統，其中 鐵。 第2 0項之電漿處理系統，其中 周圍’如此各該複數個磁鐵具 鐵之極化方向之分離角度為磁 第2 0項之電漿處理系統，其中 周圍，如此各該複數個磁鐵具 向。 第2 0項之電漿處理系統，其中 周圍’如此交替之該複數個磁 化方向。 第1 8項之電漿處理系統，其中 流搭載線圈。

第35頁 1238680 _案號 92126333_年月日__ 六、申請專利範圍 2 5.根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 處理室壁具有一厚度，其小於該通道之該預定長度。 2 6.根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，更包含 一環繞該通道之流體室。 2 7.根據申請專利範圍第26項之電漿處理系統，更包 含一與該流體室連接之流體入口，及一與該流體室連接之 · 流體出口，其中一具有特定溫度之流體可透過該流體入口 供應至該流體室，且可透過該流體出口由該流體室排出。 28. 根據申請專利範圍第26項之電漿處理系統，更包 含一與該流體室結合之溫度控制系統，其可控制該流體室 φ 中之流體溫度。 29. 根據申請專利範圍第28項之電漿處理系統，其中 · 該溫度控制系統用來加熱該流體室中的流體。 30. 根據申請專利範圍第28項之電漿處理系統，其中 ’ 該溫度控制系統用來冷卻該流體室中的流體。 31. 根據申請專利範圍第1項之電漿處理系統，其中該 通道具有一可變直徑，如此該預定直徑可沿著該通道之長 度增加或減少。 3 2. —種診斷系統之操作方法，該診斷系統與一電漿 處理系統結合，該電漿處理系統具有一處理室，其包含一 修 電漿處理區域，在其中一電漿可在一電漿製程中產生，該 . 診斷系統包含一診斷感應器且與該電漿處理區域結合，該 方法包含： 提供一形成於該電漿處理室與該診斷感應器之間的通

第36頁 j號 92126333 1238680 曰 、、申請專利範圍 __ j :礒通道具有一至少4的長度/直徑比，复 — ~預定長度除以該通道之一預定直彳<τ< 2 "糟著將該通 實質上降低該診斷感應器之污染；：來提供； 或 精著該診斷感應器偵測在該處理室 基板之狀況。 之该電漿製程及/ 法 33.根據申請專利範圍第32項之診 —更包含藉著一限制元件將該通道限制$、、、、之刼作方 一預定直徑。 f至一預定長度與 =·根據申請專利範圍第32項之診 ::音更包含使該通道成為錐形，如此 If之操作方 通道增加或減少。 預疋直徑可沿著該 35·根據申請專利範圍第32項之診斷备 二ί中該實質上降低該診斷感應器之污;! t操作方 一特疋溫度且環繞該通道之流體。 ^木包含提供具有 36.根據申請專利範圍第35項之診 :甬？、中該實質上降低該診斷感應器之、、亏;! S操作方 通道之流體加熱至一特定溫度。 /T木包含將環繞該 3 7 ·根據申請專利範 法，其中該實質上降低員之沴斷系統之操作方 只貝工|貪低该診斷咸應哭一 丁丨F刀 通道之流體冷卻至一特定溫度=〜叩尜包含將環繞該 38·根據申請專利 =ς 39.根據申請專；2鄰近地區中產生一電場。 月專^圍第32項之診斷系統之操^方

第37頁 法，其中該實質上降低j弟32項之#斷系統之操作方 接忒電漿處理室之該通 π木包合至少在鄰 1238680

法，其中該實質上降低該診斷感應器之污染包含至少在鄰 接該電漿處理室之該通道或其鄰近地區中產生一磁場。n 4〇·根據申請專利範圍第32項之診斷系統之操^方 法’其中該實質上降低該診斷感應器之污染包含： 至少在鄰接該電漿處理室之該通道或其鄰近地 生一電場；且 座 生一磁場 41· 法，其中 提供 至少在鄰接該電漿處理室之該通道或其鄰近地區中產 根據申請 專利範圍第3 2項之診斷系統之操作方 降低該診斷感應器之污染包含： 具有一特定溫度且環繞該通道之流體；且 電漿處理室之該通道或其鄰近地區中產 該實質上 至少在鄰接該 生一磁場42. 法，其中 之流體加43. 法，其中 之流體冷44. 法，其中 提供 至少 生一電場 根據申請 該提供具 熱至該特 根據申請 該提供具 卻至該特 根據申請 該實質上 具有一特 在鄰接該 專利範圍第41項之診斷系統之操作方 有一特定溫度之流體包含將環繞該通道 定溫度。 專利範圍第41項之診斷系統之操作方 有一特定溫度之流體包含將環繞該通道 定溫度。 專利範圍第32項之診斷系統之操作方 降低該診斷感應器之污染包含： 定溫度且環繞該通道之流體；且 電漿處理室之該通道或其鄰近地區中產

第38頁 1238680 _修正

45·根據申請專利範圍 案號 921263^ 六、申請專利範圍 法，其中該提供具有一特定=度之流^糸統之操作方 之流體加熱至該特定溫度。又 a匕含將環繞該通道 46.根據申請專利範圍第44項之診 法，其中該提供具有一特定、、θ声产 ’、、、'先之刼作方 之流體冷卻至該特定溫度。'皿度，'L體包含將環繞該通道 法，4J.中= Ϊ圍第32項之診斷系統之操作方 /、中忒貫貝上降低該診斷感應器之污 . 提供具有一特定溫度且環繞該通道之流體3 . 生4:在：接該電聚處理室之該通道或其鄰近地區中產 生一=在鄰接該電漿處理室之該通道或其鄰近地區中產 48.根據申請專利範圍第47項之診斷系統之操作方 之：提供具有一特定溫度之流體包含將環繞該通道 之流體加熱至該特定溫度。 、49.根據申請專利範圍第47項之診斷系統之操作方 法，其中該提供具有一特定溫度之流體包含將環繞該通道 之流體冷卻至該特定溫度。 5 0. —種電聚處理糸統，包含： 一處理室，包含一具有一選定直徑之開口，且包含一 電漿處理區域； 一夾頭’被製造用來支樓一位於該處理室中之該處理 區域内的基板；

第39頁 1238680 六、 造 漿 間 道 之 該 含 含 電 該 該 至 申請專利翻 一電漿產生器’連接至該處理室，該電漿產生器被製 用來在一電漿製程中，在該電漿處理區域内產生二電" 一診斷系統，具有一與該處理室連接之診斷感應器； 一通道，形成於該電漿處理區域與該診斷感應器之 :及 …一 一電場產生器，用來至少在鄰接該電漿處理室之—亥通 或其鄰近地區中產生一電場，如此可降低該診斷感^ = 污染。 〜 ^ 口 51.根據申請專利範圍第50項之電漿處理系統，豆 電場產生器包含一具有至少一電極之電極組件”。/、 52·根據申請專利範圍第51項之電漿處理系 一環繞該電場產生器之絕緣體。 μ ^ 53·根據申請專利範圍第52項之電漿處理 -電源供應器’與該電場產生器結合源二庫^ 場產生器。 ’电原供應至该 54.根據申請專利範圍第53項之電漿處理 電源為DC或RF偏壓電源。 糸、、先’其中 55·根據申請專利範圍第50項之雷將 診斷系統包含-位於該通道中之限制；：理系統’其中 56·根據申請專利範圍第55項之電將 ^ 父-該限制元件與一實質上環繞該通；处理系統，其中 ;丨電材枓與一半導體材料所制士心丨刀係由 57* 一種電漿處理系統，包含·· 成。

一通道，形成於該電漿 电水慝理區域與該診 間，及 1238680 案號 92126333 六、申請專利範圍 一處理室，包含一具有 電漿處理區域； 〜〜1 1土 <间口，且包含一 區域板被製造用來支樓-位於該處理室中之該處理 一電漿產生器，連接至該處理 ί用來在-電聚製程中，在該電聚處理區 =製 V斷系統’具有一與該處理室連接之診斷感應器； 斷感應器之 道或 之污 根據申請專利範圍第57項之電漿處理系統，更包 3 —環繞該磁場產生器之磁漏降低構件。 、’ ^ 59·根據申請專利範圍第57項之電漿處理系統，其中 該磁場產生器包含複數個磁鐵。 60·根據申請專利範圍第59項之電漿處理系統，其_ 該複數個磁鐵配置於該通道周圍，如此各該複數個磁鐵具 有一極化方向，其與相鄰磁鐵之極化方向之分離角度為磁 鐵之間分離角度的兩倍。 61·根據申請專利範圍第59項之電漿處理系統，其中 该複數個磁鐵配置於該通道周圍，如此各該複數個磁鐵具 有一指向相同徑向之極化方向。 、

第41頁 1238680 號9212防沿 六、申請專利範圍 6 2 ·根據申請專利範 该複數個磁鐵配置於該通 鐵具有一指向相反徑向之 63.根據申請專利範 該磁場產生器包含至少一 64·根據申請專利範 該診斷系統包含一位於該 6 5 ·根據申請專利範 至少一該限制元件與一實 一金屬、一介電材料與 修正

圍第59 道周圍 極化方 圍第58 電流搭 圍第57 通道中 圍第64 質上環半導體 66· 一種電漿處理系統，包 一處理室，包含一具 電漿處理區域； 一夾頭，被製造用來 區域内的基板； 有一選 項之電 ，如此 向0 項之電 載線圈 項之電 之限制 項之電 繞該通 材料所含： 定直徑 漿處理系統，其中 交替之該複數個磁 聚處理糸統，其中 〇 漿處理系統，其中 元件。 漿處理系統，其中 道之固定部分係由 製成。 之開 且包含一 支撐一位於該處理室中之該處理 一電漿產生器，連接至該處理室，該電漿產生器被製 造用來在一電漿製程中，在該電漿處理區域内產生一電 漿； 一診斷系統，具有一與該處理室連接之診斷感應器； 一通道，形成於該電漿處理區域與該診斷感應器之 間；及 一溫度控制系統，包含一環繞該通道之流體室’該溫 度控制系統可控制該流體室中之流體溫度。 ^ 甘由 & ίΐ參統’丹丫 6 7.根據申請專利範圍第66項之電漿處选

第42頁 1238680 -------~92126333__年… 月 曰 修正 六、申請糊範® ' " ---- ^ /J0L f控制系統包含一與該流體室連接之流體入口，及一 與義肌體室連接之流體出口，其中一具有特定溫度之流體 4透過该流體入口供應至該流體室，且町透過該流體出口 由該流體室排出。 西68·根據申請專利範圍第66項之電漿處理系統，其中 該、溫度控制系統用來加熱該流體室流體至該特定溫 度。 士 、w 69·根據申請專利範圍第66項之電漿處理系統，其中 j μ度控制系統用來冷卻該流體室中的流體至該特定溫 70·根據申請專利範圍第66項之電漿處理系統，其中 讀珍斷系統包含_你仏4、g、蓄士 电/杜 。s 位於該通道中之限制仵。 至小1二根據申請專利範圍第7 0項之電漿處理系統，其中 〜i ΐ該2!!元件與一實質上環繞該通道之固定部分係由 17 、一介電材料與一半導體材料所製成。 處理*絲姓種％斷系統之操作方法’該滲斷系統與一電漿 電嘴ΐ ί = ί，該電漿處理系統具有一處理室，其包含一 診斷丰祐勺人在其中一電漿可在一電漿製程中產生’該 方法：：=ι3—診斷感應器且與該電漿處理區域結合，該 生-i二=該電漿處理室之-通道或其鄰近地區中肩 於該電t $ i二t降低該診斷感應器之汚染，該通道形诗 i荖iL至與該診斷感應器之間；真 曰/ ^ _感應器偵測在該處理室中之該電漿製程及

1238680 案號92126333 年 月 曰 修正 六、申請專利範圍 或一基板之狀況。 73. 一種診斷系統之操作方法，該診斷系統與一電漿 處理系統結合，該電漿處理系統具有一處理室，其包含一 電漿處理區域，在其中一電漿可在一電漿製程中產生，該 診斷系統包含一診斷感應器且與該電漿處理區域結合，該 方法包含： 至少在鄰接該電漿處理室之一通道或其鄰近地區中產 生一磁場以實質上降低該診斷感應器之污染，該通道形成 於該電漿處理室與該診斷感應器之間；且

藉著該診斷感應器偵測在該處理室中之該電漿製程及/ 或一基板之狀況。 74. 一種診斷系統之操作方法，該診斷系統與一電漿 處理系統結合，該電漿處理系統具有一處理室，其包含一 電漿處理區域，在其中一電漿可在一電漿製程中產生，該 診斷系統包含一診斷感應器且與該電漿處理區域結合，該 方法包含： 控制在一流體室中之流體溫度以實質上降低該診斷感 應器之污染，該流體室環繞一形成於該電漿處理室與該診 斷感應器之間的通道；且

藉著該診斷感應器偵測在該處理室中之該電漿製程及/ 或一基板之狀況。

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