TWI237222B - Optoelectronic device and manufacturing method thereof - Google Patents

Optoelectronic device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI237222B
TWI237222B TW093103941A TW93103941A TWI237222B TW I237222 B TWI237222 B TW I237222B TW 093103941 A TW093103941 A TW 093103941A TW 93103941 A TW93103941 A TW 93103941A TW I237222 B TWI237222 B TW I237222B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
pixel
electrically connected
wiring
area
Prior art date
Application number
TW093103941A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200426738A (en
Inventor
Hiroshi Hirayama
Hayato Nakanishi
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of TW200426738A publication Critical patent/TW200426738A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI237222B publication Critical patent/TWI237222B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456Cell terminals located on one side of the display only
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

1237222 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關光電裝置及其之製造方法。 【先前技術】 在具有像是電激發光面板的多數配線的裝置, 的配線形成在一枚基板之情況下,配線領域(例如 板之周緣部的框邊的領域)變寬,基板大型化。因 求縮小配線領域(例如框邊)。 【發明內容】 本發明之目的在於縮小配線領域(例如框邊)。 (1)有關本發明的光電裝置,乃屬於包括:基 設置在前述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針 複數畫素電極的各個電極而設置的複數光電元件、 前述複數光電元件而共通設置的共通電極,前述複 元件的各個元件是利用對應於前述複數畫素電極的 元件的畫素電極以及各別施加於前述共通電極的電 動的光電裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在前述共通電極的導電部、 和電氣連接在前述複數配線,比前述配線條數 條數的共通配線、 和利用通過前述畫素領域之外側的直線,而設 將全部 稱爲基 而,要 板、和 對前述 和針對 數光電 該光電 壓而驅 更少的 置在自 -5· (2) (2)1237222 前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內’成爲被電氣 連接在前述導電部的邊際配線。若根據本發明’因爲將邊 際配線設置在端部領域,所以能在除此以外的領域’縮小 配線領域(例如框邊)。再者,在本發明,基板並不限於平 板形狀的基板,包括即使是除此以外的形狀,能支撐其它 構件的基板。另外,在本發明,所謂「電氣連接」不光是 直接連接的情況,還包括透過其它元件(電晶體和二極體 等)而連接。 (2) 於該光電裝置中, 前述共通配線可以設置在前述端部領域內。若根據這 個,因爲將共通配線及邊際配線設置在端部領域,所以能 在除此以外的領域,縮小配線領域(例如框邊)。 (3) 有關本發明的光電裝置,乃屬於包括:基板 '和 設置在前述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述 複數畫素電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對 前述複數光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電 元件的各個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電 元件的畫素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅 動的光電裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在前述共通電極的導電部、 和經由第一接觸部而電氣連接在前述複數配線之比前 述配線條數更少的條數的共通配線、 和經由第二接觸部而電氣連接在前述導電部的邊際配 -6- (3) (3)1237222 線, 且前述第二接觸部是位於利用通過前述畫素領域之外 側的直線而自前述畫素領域側的領域被區別的端部領域所 形成。若根據本發明,因爲將導電部和邊際配線的第二接 觸部設置在端部領域,所以能在除此以外的領域,縮小配 線領域(例如框邊)。再者,在本發明,基板並不限於平板 形狀的基板,包括即使是除此以外的形狀,能支撐其它構 件的基板。另外,在本發明,所謂「電氣連接」不光是直 接連接的情況,還包括透過其它元件(電晶體和二極體等) 而連接。 (4) 於該光電裝置中, 前述第一接觸部可以設置在前述端部領域內。若根據 這個,因爲將配線和共通配線的第一接觸部及導電部和邊 際配線的第二接觸部設置在端部領域,所以能在除此以外 的領域,縮小配線領域(例如框邊)。 (5) 該光電裝置更具有複數外部端子亦可。 (6) 有關本發明的光電裝置,乃屬於包括:基板、和 設置在前述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述 複數畫素電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對 前述複數光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電 元件的各個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電 元件的畫素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅 動的光電裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線' (4) (4)1237222 和電氣連接在前述共通電極的導電部' 和利用通過前述畫素領域之外側的直線而設置在自前 述晝素領域側的領域被區別的端部領域內的複數外部端 子、 和具有設置在設有前述外部端子的前述端部領域內’ 從任何一個前述外部端子延伸至前述畫素領域之方向的第 一部分、和自前述第一部分加以屈曲並延伸至前述畫素領 域之寬度方向而與前述導電部電氣連接的第二部分的邊際 配線。若根據本發明,因爲將邊際配線設置在端部領域, 所以能在除此以外的領域,縮小配線領域(例如框邊)。再 者,在本發明,基板並不限於平板形狀的基板,包括即使 是除此以外的形狀,能支撐其它構件的基板。另外,在本 發明,所謂「電氣連接」不光是直接連接的情況,還包括 透過其它元件(電晶體和二極體等)而連接。 (7)有關本發明的光電裝置,乃屬於包括:基板、和 設置在前述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述 複數畫素電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對 前述複數光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電 元件的各個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電 元件的畫素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅 動的光電裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在前述共通電極的導電部、 和複數外部端子、 -8- (5) (5)1237222 和具有自任一個前述外部端延伸到前述畫素領域方向 的第一部分、以及自前述第一部分而加以屈曲並延伸至前 述畫素領域之寬度方向’而與前述導電部電氣連接的第二 部分的邊際配線; 前述導電部和前述邊際配線的接觸部,是位於利用通 過前述畫素領域之外側的直線,而自前述畫素領域側之領 域被劃分的端部領域內。若根據本發明,因爲將導電部和 邊際配線的接觸部設置在端部領域,所以能在除此以外的 領域,縮小配線領域(例如框邊)。再者,在本發明,基板 並不限於卒板形狀的基板,包括即使是除此以外的形狀, 能支撐其它構件的基板。另外,在本發明,所謂「電氣連 接」不光是直接連接的情況,還包括透過其它元件(電晶 體和二極體等)而連接。 (8)有關本發明的光電裝置的製造方法,包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設有欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設有欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 在前述基板以電氣連接在前述複數配線地,設置比前 -9- (6) 1237222 述配線的條數更少的條數的共通配線' 以及利用通過前述基板的前述畫素領域之外側’而在 自前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內’以電氣連 接在前述導電部地,設置邊際配線。若根據本發明’因爲 將邊際配線設置在端部領域,所以能在除此以外的領域’ 縮小配線領域(例如框邊)。再者,在本發明’基板並不限 於平板形狀的基板,包括即使是除此以外的形狀’能支撐 其它構件的基板。另外,在本發明,所謂「電氣連接」不 光是直接連接的情況,還包括透過其它元件(電晶體和二 極體等)而連接。 (9) 於該光電裝置的製造方法中, 前述共通配線可以設置在前述端部領域內。若根據這 個,因爲將共通配線及邊際配線設置在端部領域,所以能 在除此以外的領域,縮小配線領域(例如框邊)。 (10) 有關本發明的光電裝置的製造方法,包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 -10- (7) 1237222 在前述基板以經由第一接觸部而電氣連接在前述 配線地,設置比前述配線的條數更少的條數的共通配 以及在前述基板以經由第二接觸部而電氣連接在 導電部地,設置邊際配線、 將前述第二接觸部配置在利用通過前述畫素領域 側的直線,而自前述畫素領域側的領域被劃分的端 域。若根據本發明,因爲將導電部和邊際配線的第二 部設置在端部領域,所以能在除此以外的領域,縮小 領域(例如框邊)。再者,在本發明,基板並不限於平 狀的基板,包括即使是除此以外的形狀,能支撐其它 的基板。另外,在本發明,所謂「電氣連接」不光是 連接的情況,還包括透過其它元件(電晶體和二極體_ 連接。 (Π)於該光電裝置的製造方法中, 前述共通配線可以設置在前述端部領域內。若根 個,因爲將配線和共通配線的第一接觸部及導電部和 配線的第二接觸部設置在端部領域,所以能在除此以 領域,縮小配線領域(例如框邊)。 (12)有關本發明的光電裝置的製造方法’包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件' 在前述基板設置欲對前述複數光電兀件供給電# 數畫素電極、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能 通電極、 複數 線、 前述 之外 部領 接觸 配線 板形 構件 直接 I)而 據追 邊際 外的 的複 的共 -11 - (8) 1237222 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 利用通過前述基板的前述畫素領域之外側的直線,並 在自前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內,設置複 數外部端子、 以及在設有前述基板的前述外部端子的前述端部領域 內,設置具有自任一個前述外部端子延伸至前述畫素領域 之方向的第一部分、和自前述第一部分加以屈曲並延伸至 前述畫素領域之寬度方向而與前述導電部電氣連接的第二 部分的邊際配線。若根據本發明,因爲將邊際配線設置在 端部領域,所以能在除此以外的領域,縮小配線領域(例 如框邊)。再者,在本發明’基板並不限於平板形狀的基 板,包括即使是除此以外的形狀,能支撐其它構件的基 板。另外,在本發明,所謂「電氣連接」不光是直接連接 的情況’還包括透過其它元件(電晶體和二極體等)而連 接。 (13)有關本發明的光電裝置的製造方法,包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 -12- (9) (9)1237222 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地’設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 在前述基板設置複數外部端子、 以及在前述基板設置具有自任一個前述外部端子延伸 至前述畫素領域之方向的第一部分、和自前述第一部分加 以屈曲並延伸至前述畫素領域之寬度方向而與前述導電部 電氣連接的第二部分的邊際配線; 將前述導電部和前述邊際配線的接觸部,設置在利用 通過前述畫素領域之外側的直線,而自前述畫素領域側的 領域被劃分的端部領域內。若根據本發明,因爲將導電部 和邊際配線的接觸部設置在端部領域,所以能在除此以外 的領域,縮小配線領域(例如框邊)。再者,在本發明,基 板並不限於平板形狀的基板,包括即使是除此以外的形 狀’能支撐其它構件的基板。另外,在本發明,所謂「電 氣連接」不光是直接連接的情況,還包括透過其它元件 (電晶體和二極體等)而連接。 【實施方式】 以下針對本發明的實施形態參照圖面做說明。 (第一實施形態) 第1圖是說明有關本發明的第一實施形態的光電裝置 -13- (10) 1237222 的圖,第2圖是表示光電裝置的詳細圖。第1圖所示的光 電裝置1是屬於有機EL(Electro Luminescence)裝置(例如 有機EL面板)。於光電裝置1安裝有基板(例如可撓性基 板)2,被電氣連接。對於其安裝及電氣連接可使用各向異 性導電薄膜和各向異性導電膏等之各向異性導電材料。所 電氣連接亦包括接觸。此情形在以下的說明亦相同。基板 2是屬於配線基板,形成圖未表示的配線圖案及端子。在 基板2實裝著積體電路晶片(或是半導體晶片)3。積體電 路晶片3亦可具有電源電路和控制電路等。對於其實裝亦 適用 TAB(Tape Automated Bonding),或亦適用 COF(Chip On Film),其封裝形態也屬於 TCP(Tape Carrier Package)。可將具有實裝著積體電路晶片3的基板2的光 電裝置1稱爲電子模組(例如液晶模組和EL模組等之表示 模組)。 光電裝置1係具有基板1 0。基板1 〇可爲硬性基板 (例如玻璃基板、矽基板),也可爲可撓性基板(例如薄膜 基板)。基板1 〇可具有光透過性,也可具有遮光性。例如, 底部發光(或是背面發光)型的顯示裝置(例如有機EL面 板),是使用光透過性的基板1 0,也可從基板1 〇這側取 出光。頂部發光型的有機EL面板可使用遮光性的基板 1 〇。再者,基板1 〇並不限於平板形狀的基板,包括即使 是除此以外的形狀,能支撐其它構件的基板。 基板1 〇包括畫素領域(例如表示領域)1 2。於基板1 0 可設置一個或是複數驅動電路(例如掃描線驅動電路)1 4。 -14- (11) (11)1237222 驅動電路1 4是用來驅動在畫素領域1 2的動作(例如表示 動作)。一對驅動電路1 4可以配置在畫素領域1 2的兩 鄰。於基板10可以設置輔助電路16。輔助電路16可爲 供檢查在畫素領域1 2的動作(例如表示動作)是否正常的 検査電路,也可爲欲加快在畫素領域1 2的動作速度(表示 速度)的預充電路。驅動電路14及輔助電路16之至少〜 方可爲使用多結晶砂膜等而形成在基板10,也可爲實裝 在基板10上的積體電路晶片。再者,位於基板10之外部 的積體電路晶片3可以成爲欲控制在畫素領域1 2的動作 驅動。 在基板10可以形成複數外部端子20。複數外部端子 20可以沿著基板10之一邊而配列。外部端子20是設置 在端部領域1 8。端部領域1 8是屬於利用通過畫素領域i 2 之外側的直線L(參照第2圖),自畫素領域1 2側的領域被 區別的領域。端部領域1 8是屬於基板1 〇的周緣領域的一 部分。端部領域的定義在以下的說明亦相同。畫素領域 1 2可爲基板1 〇的中央領域(除了周緣領域的領域)。 在基板〗〇可以形成複數條或一條邊際配線(例如陰極 線)22。邊際配線22可以設置在端部領域(例如設有外部 端子2〇的端部領域)18。邊際配線22可以電氣連接在兩 個以上的外部端子20 °邊際配線22可以具有從外部端子 20延伸至畫素領域12之方向的第一部分24。邊際配線 22可以具有自第一部分24加以屈曲並延伸至畫素領域1 2 之寬度方向的第二部分26°弟一部分26可以與導電部 -15- (12) (12)1237222 74(參照第4圖)電氣連接。 於基板1 〇可以形成一條或複數條共通配線(例如共通 陽極線)30、32、34。共通配線30、32、34可以設置在端 部領域(例如設有邊際配線22的端部領域或是設有外部端 子20的端部領域)18。共通配線30、32、34的各個配線 或是任一個配線,可以電氣連接在兩個以上的外部端子 20。共通配線30、32、34的各個配置或是任一個配線, 可以具有自外部端子20延伸至畫素領域12之方向的第一 部分36。共通配線30、32、34的各個配線或是任一個配 線,可以具有自第一部分3 6加以屈曲並延伸至畫素領域 12之寬度方向的第二部分38。共通配線30、32、34中的 任一個配線(例如共通配線30)的第一部分36可以配置在 其它一個配線(例如共通配線32或34)的第一部分36的外 側(靠近基板1〇之端部的位置)。共通配線30、32、34中 的任一個配線(例如共通配線30(詳細爲其第二部分38))可 以配置在比其它一個配線(例如共通配線3 2或3 4 (詳如爲 其第二部分38))更接近畫素領域12的附近。共通配線 30、32、34可以與複數配線44、46、48(參照第2圖)電 氣連接。共通配線30、32、34的條數(例如三條)可以少 於複數配線 4 4、4 6、4 8的條數(例如 3 X η (η = 2、3、 4、…))。在共通配線3 0、3 2 ' 3 4的各個配線,可以電氣 連接配線44、46、48的一群組。 邊際配線22(例如爲其第二部分26)可以配置在比共 通配線30、32、34(例如各個配線的第二部分3 8)更接近 -16- (13) 1237222 晝素領域1 2的位置。另外,邊際配線2 2可以形成在共通 配線3 0、3 2、3 4的外側,或是圍住共通配線3 0、3 2、 34。詳如是邊際配線22的第一部分24可以形成在共通配 線3 0、3 2、3 4的各個配線的第一部分3 6的外側(接近基 板1 0之端部的位置)。 光電裝置1(例如基板10)是具有包括複數層的導電圖 案的多層構造。第3 A圖〜第3C圖是按照由下而上的順 序,表示各層的導電圖案的圖。第4圖是第2圖的IV — IV線剖面圖。 邊際配線22是包括兩層以上的導電圖案的積層部 分。例如,如第4圖所示,利用導電圖案4 1 (參照第3 A 圖)的一部分、和其上之導電圖案42(參照第3 B圖)的一 部分、和更其上之導電圖案43(參照第3C圖)的一部分、 和該積層部分而構成邊際配線22的至少一部分。像這 樣,邊際配線22就能至少一部分形成的比較厚,減少電 氣電阻。此內容也適用於外部端子20及共通配線30、 32、34的至少一方。再者,導電圖案41除了其一部分 外,均覆蓋在絕緣體(絕緣層)40(參照第5圖)。另外,導 電圖案43除了其一部分外,均覆蓋在絕緣體(絕緣 層)49(參照第4圖)。 第5圖是第2圖的V - V線剖面圖。於基板1 〇形成 有電氣連接在共通配線30、32、34的複數配線(例如陽極 線)44、46、48。配線44、46、48的各個配線是電氣連接 在共通配線3 0、3 2、3 4中的任一個配線的第二部分3 8。 -17- (14) 1237222 在具有矩陣狀配列的畫素的矩陣顯示裝置,配線44、 46、48的數目可與畫素列數相同。配線44、46、48的各 個配線可以利用兩層以上的導電圖案的各個圖案的一部分 所形成。例如,導電圖案4 1 (參照第3 A圖)的一部分及其 上的導電圖案42(參照第3 B圖)的一部分會電氣連接,導 電圖案 42(參照第3 B圖)的一部分及其上的導電圖案 43(參照第 3C圖)的一部分會電氣連接,可以構成配線 44、 46、 48〇 共通配線30、32、34的各個配線可與配線44、46、 4 8中的任一個群組的配線電氣連接,不過不能與剩下的 群組的配線電氣連接。例如第一群組的配線44會電氣連 接在共通配線30,第二群組的配線46會電氣連接在共通 配線3 2,第三群組的配線4 8會電氣連接在共通配線3 4。 該情況下,共通配線30並不會電氣連接在第二及第三群 組的配線46、48,共通配線32並不會電氣連接在第一及 第三群組的配線44、4 8,共通配線3 4並不會電氣連接在 第一及第二群組的配線44、46。 配線44、46、48和共通配線30、32、34可以立體交 叉地配置。該情況下,重疊的部分中,在應該電氣連接的 部分間設置接觸部,在不電氣連接的部分間設置絕緣體 (絕緣層)40。例如,用來電氣連接配線44、46、48和共 通配線3 0、3 2、3 4的第一接觸部5 0,可以利用第3 B圖 所示的導電圖案42的一部分而形成。該情況下,可以利 用位在與導電圖案42不同之層(例如相鄰的上下層)的導 -18- (15) (15)1237222 電圖案41、43(參照第3 A圖及第3C圖)之兩方的部分’ 形成配線44、46、48及共通配線30、32、34之進行重疊 的部分。在本實施形態,是通過共通配線3 0 ' 3 2、3 4之 下方地形成配線44、46、48。共通配線30、32、34的各 個配線和配線4 4、4 6、4 8的任一個配線的第一接觸部5 0 是位於端部領域(例如設有外部端子20的端部領域)1 8 ° 配線44、46、48可以與邊際配線22立體交叉地配 置。該情況下,在進行重疊的部分間設置絕緣體(絕緣 層)40。例如,可以利用位於跳過所積層的複數層或1層 之層的複數導電圖案41、43(參照第3 A圖及第3C圖)之 兩方的部分,形成配線44、46、48及邊際配線22之進行 重疊的部分。在本實施形態,是通過邊際配線22之下方 地形成配線4 4、4 6、4 8。藉此’可利用配線4 4、4 6、 48、絕緣體(絕緣層)40及邊際配線22而形成電容器’防 止配線44、46、48的急遽電壓降下。 第6圖是第2圖的VI— VI線剖面圖。在基板1〇形成 有複數條配線(例如信號線)5 2。配線5 2可以利用兩層以 上的導電圖案的各個圖案的一部分而形成。例如’導電圖 案41(參照第3 A圖)的一部分及其上的導電圖案42(第3 B圖參照)的一部分會電氣連接,導電圖案42(參照第3 B 圖)的一部分及其上的導電圖案43 (參照第3C圖)的一部分 合電氣連接,可以構成配線5 2。 配線52可以與邊際配線22及共通配線30、32、34 立體交叉地配置。該情況下,在進行重疊的部分間設置絕 -19- (16) (16)1237222 緣體(絕緣層)40。例如,可以利用位於跳過所積層的複數 層或1層之層的複數導電圖案41、43(參照第3 A圖及第 3C圖)之兩方的部分,而形成配線52及邊際配線22之進 行重疊的部分、和配線5 2及共通配線3 0、3 2、3 4之進行 重疊的部分。在本實施形態,是通過邊際配線22及共通 配線30、32、34之下方地形成配線52。配線52離開邊 際配線22(或是共通配線30、32、34),並且在兩者間不 會,形成電容器,或者可縮小電容器的影響。像這樣,就 能縮小針對流經配線52之信號的容量阻抗。 在基板10形成有複數條配線(例如掃描線)54。配線 54是電氣連接在驅動電路(例如掃描線驅動電路)14。驅動 電路1 4可以電氣連接在配線5 4的各個端部。可以在配線 54和配線44、46、48、52,劃分矩陣領域。配線54可以 與配線44、46、48、52立體交叉地配置。該情況下,在 進行重疊的部分間設置絕緣體(絕緣層)40。例如,可以利 用位於跳過所積層的複數層或1層之層的複數導電圖案 41、43(參照第3 A圖及第3C圖)之兩方的部分,而形成 配線54及配線44、46、48、52之進行重疊的部分。在本 實施形態’是通過配線44、46、48、52之下方地形成配 線54。 第7圖是第2圖的VII— VII線剖面圖。在基板10設 有複數光電元件60。設有光電元件60的領域是屬於畫素 領域1 2。複數光電元件 60具有複數發光色(例如紅、 藍、綠)的複數發光層62。各個光電元件60是具有任一 -20- (17) 1237222 個發光色的發光層62。構成發光層62的材料可爲聚合 系材料或低分子系材料或複合式地使用兩者的材料的任 種材料。發光層62是流入電流進行發光。發光層62可 對應發光色,而使發光效率相異。電氣連接在一個相同 共通配線30、32或34的一群組的配線44、46或48是 應於同一發光色的發光層62(具體上會電氣連接)。 光電元件60可以具有第一及第二緩衝層64、66之 少一方。第一緩衝層64可爲使得對發光層62的電洞注 安定化的電洞注入層,且可以具有電洞注入層。第一緩 層64可以具有電洞輸送層。電洞輸送層可以設置在發 層62和電洞注入層之間。第二緩衝層66可爲使得對發 層62的電子注入安定化的電子注入層,也可具有電子 入層。第二緩衝層66也可具有電子輸送層。電子輸送 可以設置在發光層62和電子注入層之間。彼此相鄰的 電兀件6 0是利用間隔壁6 8被劃分(電氣絕緣)。 在基板10設有複數畫素電極70。各個畫素電極 是欲對任一個光電元件60供給電能。畫素電極70可以 觸到光電元件60(例如第一緩衝層64(例如電洞注入層)) 各個畫素電極70是電氣連接在配線44、46、48的任一 配線。配線44、46、48的各個配線可以電氣連接在一 組的畫素電極7 0。 在基板10設有複數或一個共通電極72。共通電極 是欲對光電元件60供給電能。共通電極72可以接觸到 電元件6 0 (例如第二緩衝層6 6 (例如電子注入層))。共通 物 以 的 對 至 入 衝 光 光 注 層 光 70 接 〇 個 群 72 光 電 -21 - (18) (18)1237222 極72具有面對畫素電極70的部分。共通電極72可以配 置在畫素電極70的上方。 共通電極72是電氣連接在導電部74。導電部74可 爲不與畫素電極70面對面地設置。共通電極72及導電部 74可爲一體式地形成。導電部74是電氣連接在邊際配線 22 (例如其第二部分26)。導電部74和邊際配線22的第二 接觸部76可以位於端部領域(例如設有第一接觸部50的 端部領域或是設有外部端子20的端部領域)1 8。再者,導 電部74和邊際配線22接觸的情況下,兩者的接觸部是第 二接觸部76。第二接觸部76可以延伸至畫素領域12的 寬度方向。例如,可於畫素領域12的寬度方向,具有與 位於兩端的畫素電極7 0之間隔長度相同或相同以上的長 度地,形成第二接觸部76。像這樣,加長第二接觸部 76,就可縮小導電部74和邊際配線22的電氣電阻。其結 果’自邊際配線22流向共通電極72的電子變得很流暢。 在基板10以覆蓋共通配線30、32、34地設置有覆蓋 層80°覆蓋層8〇可以用一層或複數層所形成。覆蓋層80 可以用電氣絕緣材料所形成。覆蓋層8 〇的至少表面可以 用酸化物或是窒化物所形成。邊際配線22(至少其第二部 分26)會露出覆蓋層80。 在共通配線30、32、34的鄰近(例如離開畫素領域 1 2的位置或是靠近基板1 〇之端部的位置),乃如第5圖 及第6圖所示’設有間隔物82。間隔物82可爲利用與共 通配線30、32、34、邊際配線22、配線44、46、48、52 -22- (19) (19)1237222 的至少一個相同的材料所形成的虛擬配線。間隔物82是 形成在覆蓋層8 0之下方。設有間隔物8 2,並在共通配線 30、32、34之鄰近的領域提高覆蓋層80的表面。像這 樣,在覆蓋層80的表面,減去共通配線30、32、34之上 方的領域和間隔物82之上方的領域的高度之差(段差), 或是不要亦可。或者’自共通配線30、32、34之上方的 領域至間隔物8 2之上方的領域,可以減去覆蓋層8 〇之表 面的傾斜或凹凸,也可成爲平面。 在基板1 〇設有光電元件6 0的密封構件8 4。在光電 元件60的至少一部分因水分和酸素等而易於劣化的情況 下,可以利用密封構件84來保護光電元件60。針對密封 構件8 4的基板1 0 (例如覆蓋部8 〇)的安裝部,可以避開邊 際配線22或導電部74 (不接觸)而配置。因此,可以將密 封構件84的安裝部,配置在比邊際配線22及導電部74 更外側(離開畫素領域1 2的位置或是靠近基板1 〇之端部 的位置)。像這樣,連邊際配線2 2或是導電部7 4的至少 表面使用與接著劑85之密著性低的材料(例如金屬)所形 成的情況下,還是可使用接著劑85,而將密封構件84確 實地固定在基板1〇(例如覆蓋部80)。再者,覆蓋部80可 爲與接著劑8 5的密著性比金屬還高的。 在本實施形態,共通配線3 0、3 2、3 4是形成在比邊 際配線22更外側(離開畫素領域1 2的位置或是靠近基板 1 0之端部的位置)。因而,能使得密封構件84的安裝部 和共通配線30、32、34的至少一部分重疊。藉此就能將 -23- (20) (20)1237222 密封構件84小型化,還能將光電裝置1小型化。而且, 密封構件84的安裝部可以位於間隔物82的至少一部分和 共通配線30、32、34的至少一部分之兩方的上方。若藉 此,在覆蓋層8 0的表面,於傾斜或是凹凸很小的領域(例 如平坦領域)配置密封構件84的安裝部的關係,其可良好 的安裝。 第8圖是說明有關本實施形態的光電裝置之動作的電 路圖。光電裝置1具有對應於第8圖所示的電路的元件。 電路構成(元件的連接狀態)乃如第8圖所示,省略說明。 在本實施形態是將邊際配線22連接在低電位(例如接地電 位),在比低電位還高的電位連接共通配線3 0、3 2、3 4。 對著共通配線 30、32、34分別供給不同的電壓 Vddl、 Vdd2、 Vdd3。電壓Vd(M、Vdd2、 Vdd3是屬於分別對應於 發光層62之發光效率的電壓。對著配線 52流入電流 Idatd。電流Idatd是屬於對應於供給到光電元件60的電流 的信號。對著配線(掃描線)54輸入選択信號。選択信號是 屬於高電位的Η信號或是低電位的L信號。 在程式設計期間,例如對著配線46供給電壓Vdd2, 對著配線52流入電流Idatd地所形成。另外,在程式設計 期間,對著配線54輸入Η信號,並讓開關元件86、92 成爲ON,讓開關元件88成爲OFF。而且,一旦從配線 46通過開關元件90、92,對著配線52流入電流Idaid,開 關元件90的控制電壓(開關元件90屬於MOS電晶體之情 況下,爲閘極電壓)就會成爲對應於電流Idatd的値,而對 -24- (21) (21)1237222 應於該控制電壓的電荷會蓄積在電容器92。 在動作期間(例如發光期間),L信號會輸入到配線 54,開關元件86、92會成爲OFF,開關元件88會成爲 ON。而且,在程式設計期間,利用對應於蓄積在電容器 9 2的電荷的控制電壓(開關元件9 0屬於Μ 0 S電晶體之情 況下,爲閘極電壓),而控制(例如ON)開關元件90,對應 於控制電壓的電流會從配線4 6通過開關元件9 0、8 8,而 流經光電元件60地所形成。 再者,上述的元件是設置每個光電元件60。開關元 件8 6、88、90、92等可以利用多結晶矽薄膜等而形成。 在本實施形態,是利用邊際配線(例如陰極配線)22、和電 氣連接在共通配線(例如陽極配線)3 0、3 2、3 4的配線 44、46、48、和在其間絕緣體(絕緣層)40而形成電容器 94。因而,能防止共通配線(例如陽極配線)30、32、34的 急遽電壓降下。 在有關本實施形態的光電裝置的製造方法,是在基板 10的畫素領域12設置複數光電元件60。在基板10設置 欲對複數光電元件60供給電能的複數畫素電極70。在基 板1 〇設置欲對複數光電元件60供給電能的共通電極 72。在基板10以電氣連接在複數畫素電極70地,設置複 數配線44、46、48。在基板10以電氣連接在共通電極72 地,設置導電部74。 在基板10可以設置外部端子20。外部端子20可以 利用通過畫素領域1 2之外側的直線L,而設置在自畫素 -25- (22) (22)1237222 領域1 2側的領域被劃分的端部領域1 8內。 在基板10可以電氣連接在複數配線44、46、48地’ 設置共通配線3 0、3 2、3 4。在基板1 0可以設置比配線 4 4、4 6、4 8的條數更少的條數的共通配線3 0、3 2、3 4。 共通配線30、32、34可以設置在基板1〇之端部領域(例 如設置外部端子20的端部領域或是設置邊際配線22的端 部領域)18內。共通配線30、32、34可以具有從任一個 外部端子20延伸至畫素領域12之方向的第一部分36、 和自第一部分3 6加以屈曲並延伸至畫素領域1 2之寬度方 向而與配線44、46、48電氣連接的第二部分38地被設 置。配線44、46、48和共通配線30、32、34的第一接觸 部5 0可以形成在端部領域1 8。 在基板10可以電氣連接在導電部74地,設置邊際配 線22。邊際配線22可以設置在基板10的端部領域(設置 外部端子20的端部領域或是設置共通配線30、32、34的 端部領域)1 8內。邊際配線2 2是具有從任一個外部端子 20延伸至畫素領域1 2之方向的第一部分24、和自第一部 分24加以屈曲並延伸至畫素領域12之寬度方向而與導電 部74電氣連接的第二部分26地被設置。導電部74和邊 際配線22的第二接觸部76可以配置位於端部領域(例如 位於第一接觸部5 0的端部領域)1 8。 若根據本實施形態,將共通配線3 0、3 2、3 4及邊際 配線22的至少一方設置在端部領域丨8的情況下,在除此 以外的領域,可縮小配線領域(例如框邊)。另外,將配線 -26- (23) (23)1237222 44、46、48與共通配線30、32、34的第一接觸部50、和 導電部74與邊際配線22的第二接觸部76的至少一方設 置在端部領域1 8的情況下’在除此以外的領域,可縮小 配線領域(例如框邊)。 (第二實施形態) 第9圖是表示有關本發明的第二實施形態的光電裝置 的詳細圖。第1 〇圖是第9圖的X — X線剖面圖,第1 1圖 是第9圖的XI - XI線剖面圖。在本實施形態,是於基板 1 〇形成一個共通配線1 1 〇。共通配線1 1 〇是配置在比邊際 配線1 1 2更靠近畫素領域1 2的位置。另外,間隔物1 8 2 是配置在比邊際配線1 1 2更遠離畫素領域1 2的位置。 在基板1 〇形成有複數配線 Π 4、1 1 6、1 1 8。全部的 配線11 4、116、118是電氣連接在一個共通配線110。配 線114、116、118是隔著絕緣體,而通過電氣連接在共通 電極72的導電部1 20之下方地被形成。可以利用配線 114、116,118、絕緣體及導電部 120而形成電容器 122(參照第12圖)。藉此,就能防止配線1 14、1 16、1 1 8 的急遽電壓降下。 第1 2圖是有關本實施形態的光電裝置的電路圖。配 線1 1 4、1 1 6、1 1 8是對應於光電元件60的構造或功能(例 如其發光效率),而分爲複數群組。在一個或複數群組的 配線116、118,可以電氣連接電阻124、126。例如,在 一個配線1 1 6電氣連接電阻1 24,在一個配線1 1 8可以電 -27- (24) 1237222 氣連接與電阻124相異的電阻値的電阻126。再者,在一 群組的配線1 1 4可以不電氣連接電阻,不過配線1 1 4本身 - 有電阻的情況下,與其電阻値相異地,設置電阻! 24、 I 26的電阻。若藉此,即可對著光電元件60,對應其發光 效率,而施加相異的電壓。其結果,即使發光色相異還是 能讓利用光電元件60的發光亮度變均勻。有關本實施形 態的光電裝置,適用第一實施形態所說明的內容。另外,
有關本實施形態的光電裝置的製造方法也適用第一實施形 態所說明的內容。 I 作爲具有有關本發明的實施形態的光電裝置的電子機 器,於第13圖表示有筆記型電腦1 000,於第14 _表示 有攜帶式電話2000。 - 本發明並不限於上述的實施形態,可做各種變形。例 如,本發明包括與實施形態所說明之構成實際上相同的構 成(例如功能、方法及結果爲相同的構成,或是目的及結 果爲相同的構成)。另外,本發明包括置換實施形態所說 明的構成之非本質部分的構成。另外,本發明包括可達到 ® 具有與實施形態所說明的構成相同的作用效果的構成或是 相同的目的的構成。另外’本發明包括在實施形態所說明 的構成附加上公知技術的構成。 【圖式簡單說明】 第1圖是說明有關本發明的第一實施形態的光電裝置 圖。 •28- (25) (25)1237222 第2圖是說明有關本發明的第一實施形態的光電裝置 的詳細圖。 第3A圖〜第3C圖是依照由下而上的順序表示各層 的導電圖案的圖。 第4圖是第2圖的IV — IV線剖面圖。 第5圖是第2圖的V—V線剖面圖。 第6圖是第2圖的VI — VI線剖面圖。 第7圖是第2圖的VII — VII線剖面圖。 第8圖是說明有關本發明的第一實施形態的光電裝置 的動作的電路圖。 第9圖是表示有關本發明的第二實施形態的光電裝置 的詳細圖。 第1 〇圖是第9圖的X — X線剖面圖。 第11圖是第9圖的XI — XI線剖面圖。 第12圖是有關本發明的第二實施形態的光電裝置的 電路圖。 第1 3圖是表示有關本發明的實施形態的電子機器 圖。 第1 4圖是表示有關本發明的實施形態的電子機器 圖。 [圖號說明] 1…光電裝置、 1 0…基板、 -29 - (26) 1237222 1 2…畫素領域、 18…端部領域、 20…外部端子、 22…邊際配線、 2 4…第一部分、 2 6…第二部分、 3 0、32、3 4…共通配線、 36…第一部分、
38…第二部分、 44、46、48···配線、 50…第一接觸部、 60…光電元件、 7 0…畫素電極、 7 2…共通電極、 74…導電部、 76…第二接觸部、
80…覆蓋層、 82…間隔物、 84…密封構件 -30-

Claims (1)

  1. (1) 1237222 拾、申請專利範圍 1. 一種光電裝置,乃屬於包括:基板、和設置在前 述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述複數畫素 電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對前述複數 光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電元件的各 個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電元件的畫 素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅動的光電 裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在前述共通電極的導電部、 和電氣連接在前述複數配線,比前述配線條數更少的 條數的共通配線、 和利用通過前述畫素領域之外側的直線,而設置在自 前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內,成爲被電氣 連接在前述導電部的邊際配線。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的光電裝置,其 中,前述共通配線是設置在前述端部領域內所形成。 3. —種光電裝置,乃屬於包括:基板、和設置在前 述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述複數畫素 電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對前述複數 光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電元件的各 個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電元件的畫 素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅動的光電 裝置,其特徵爲具有: -31 - (2) (2)1237222 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在前述共通電極的導電部、 和]經由第一接觸部而電氣連接在前述複數配線之比前 述配線條數更少的條數的共通配線、 和經由第二接觸部而電氣連接在前述導電部的邊際配 線; 且前述第二接觸部是位於利用通過前述畫素領域之外 側的直線而自前述畫素領域側的領域被區別的端部領域所 形成。 4. 如申請專利範圍第3項所記載的光電裝置,其 中,前述第一接觸部是設置在前述端部領域內所形成。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所記載 的光電裝置,其中,更具有複數外部端子。 6. 一種光電裝置,乃屬於包括:基板、和設置在前 述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述複數畫素 電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對前述複數 光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電元件的各 個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電元件的畫 素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅動的光電 裝置’其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 禾口電氣連接在前述共通電極的導電部、 矛口利用通過前述畫素領域之外側的直線而設置在自前 Μ β #領域側的領域被區別的端部領域內的複數外部端 •32- (3) 1237222 子、 和具有設置在設有前述外部端子的前述端部領 從任何一個前述外部端子延伸至前述畫素領域之方 一部分、和自前述第一部分加以屈曲並延伸至前述 域之寬度方向而與前述導電部電氣連接的第二部分 配線。 7. 一種光電裝置,乃屬於包括:基板、和設 述基板之畫素領域的複數畫素電極、和針對前述複 電極的各個電極而設置的複數光電元件、和針對前 光電元件而共通設置的共通電極,前述複數光電元 個元件是利用對應於前述複數畫素電極的該光電元 素電極以及各別施加於前述共通電極的電壓而驅動 裝置,其特徵爲具有: 電氣連接在前述複數畫素電極的複數配線、 和電氣連接在則述共通電極的導電部、 和複數外部端子、 和具有自任一個前述外部端延伸到前述畫素領 的第一部分、以及自前述第一部分而加以屈曲並延 述畫素領域之寬度方向,而與前述導電部電氣連接 部分的邊際配線; 前述導電部和前述邊際配線的接觸部,是位於 過前述畫素領域之外側的直線,而自前述畫素領域 域被劃分的端部領域內。 8· —種光電裝置之製造方法,其特徵爲包括: 域內, 向的第 畫素領 的邊際 置在前 數畫素 述複數 件的各 件的畫 的光電 域方向 伸至前 的第二 利用通 側之領 - 33- (4) (4)1237222 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設有欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設有欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 在前述基板以電氣連接在前述複數配線地,設置比前 述配線的條數更少的條數的共通配線、 以及利用通過前述基板的前述畫素領域之外側,而在 自前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內,以電氣連 接在前述導電部地,設置邊際配線。 9 ·如申請專利範圍第8項所記載的光電裝置之製造 方法,其中,將前述共通配線設置在前述端部領域內。 10· —種光電裝置之製造方法,其特徵爲包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極' 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 -34- (5) (5)1237222 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 在前述基板以經由第一接觸部而電氣連接在前述複數 配線地,設置比前述配線的條數更少的條數的共通配線、 以及在前述基板以經由第二接觸部而電氣連接在前述 導電部地,設置邊際配線、 將前述第二接觸部配置在利用通過前述畫素領域之外 側的直線,而自前述畫素領域側的領域被劃分的端部領 域。 11.如申請專利範圍第1 0項所記載的光電裝置之製 造方法,其中,將前述共通配線設置在前述端部領域內。 12· —種光電裝置之製造方法,其特徵爲包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 利用通過前述基板的前述畫素領域之外側的直線,並 在自前述畫素領域側的領域被劃分的端部領域內,設置複 數外部端子、 -35- (6) 1237222 以及在設有前述基板的前述外部端子的前述端部領域 內,設置具有自任一個前述外部端子延伸至前述畫素領域 之方向的第一部分、和自前述第一部分加以屈曲並延伸至 前述畫素領域之寬度方向而與前述導電部電氣連接的第二 部分的邊際配線。 13· —種光電裝置的製造方法,其特徵爲包括: 在基板的畫素領域設置複數光電元件、 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的複 數畫素電極、 Φ 在前述基板設置欲對前述複數光電元件供給電能的共 通電極、 ‘ 在前述基板以電氣連接在前述複數畫素電極地,設置 · 複數配線、 在前述基板以電氣連接在前述共通電極地,設置導電 部、 在前述基板設置複數外部端子、 以及在前述基板設置具有自任一個前述外部端子延伸 ® 至前述畫素領域之方向的第一部分、和自前述第一部分加 以屈曲並延伸至前述畫素領域之寬度方向而與前述導電部 電氣連接的第二部分的邊際配線; 將前述導電部和前述邊際配線的接觸部,設置在利用 - 通過前述畫素領域之外側的直線,而自前述畫素領域側的 領域被劃分的端部領域內。 -36-
TW093103941A 2003-02-20 2004-02-18 Optoelectronic device and manufacturing method thereof TWI237222B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003042318 2003-02-20
JP2003427364A JP3791618B2 (ja) 2003-02-20 2003-12-24 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200426738A TW200426738A (en) 2004-12-01
TWI237222B true TWI237222B (en) 2005-08-01

Family

ID=32992916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093103941A TWI237222B (en) 2003-02-20 2004-02-18 Optoelectronic device and manufacturing method thereof

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7034442B2 (zh)
JP (1) JP3791618B2 (zh)
KR (1) KR100576638B1 (zh)
CN (2) CN100403376C (zh)
TW (1) TWI237222B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP3778176B2 (ja) 2002-05-28 2006-05-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP2004200034A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
KR100736576B1 (ko) * 2006-04-10 2007-07-06 엘지전자 주식회사 전계발광소자와 그 제조방법
JP5513262B2 (ja) * 2010-06-02 2014-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWM423257U (en) * 2011-06-01 2012-02-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel array substrate and display panel
KR101989824B1 (ko) * 2012-12-07 2019-06-17 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈
CN114355690B (zh) * 2022-03-16 2022-05-24 惠科股份有限公司 阵列基板及显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5430616A (en) * 1992-09-08 1995-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Interconnector and electronic device element with the interconnector
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3209219B2 (ja) * 1999-01-18 2001-09-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP3054135B1 (ja) * 1999-02-05 2000-06-19 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2001109395A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd El表示装置
JP4906022B2 (ja) * 2000-08-10 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型el表示装置及び電子機器
TW466888B (en) * 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
JP2002268079A (ja) * 2001-03-09 2002-09-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置と電子機器
JP4887585B2 (ja) * 2001-08-24 2012-02-29 パナソニック株式会社 表示パネルおよびそれを用いた情報表示装置
JP4515022B2 (ja) * 2001-11-16 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100805389B1 (ko) * 2001-12-22 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 라인 온 글래스형 액정패널
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP3706107B2 (ja) * 2002-01-18 2005-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
ITRM20020124A1 (it) 2002-03-06 2003-09-08 Sisti Lighting S P A De Dispositivo elettronico di regolazione della alimentazione applicata ad un carico, o dimmer.
KR100460281B1 (ko) 2002-03-08 2004-12-04 박병주 액티브 매트릭스형 유기 발광 표시 장치
JP2003295218A (ja) * 2002-04-04 2003-10-15 Advanced Display Inc 表示装置
JP4071535B2 (ja) * 2002-04-26 2008-04-02 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 El表示装置
JP3700714B2 (ja) * 2002-06-21 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2004200034A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
KR100615212B1 (ko) * 2004-03-08 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100576638B1 (ko) 2006-05-08
CN1523560A (zh) 2004-08-25
CN101286525A (zh) 2008-10-15
TW200426738A (en) 2004-12-01
KR20040075734A (ko) 2004-08-30
CN101286525B (zh) 2010-06-09
US7034442B2 (en) 2006-04-25
US20040183431A1 (en) 2004-09-23
JP3791618B2 (ja) 2006-06-28
CN100403376C (zh) 2008-07-16
JP2004272215A (ja) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11991913B2 (en) Semiconductor device including detection electrodes applicable for a touch sensor
CN106611775B (zh) 有机发光二极管显示器
US7119370B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic instrument
KR20110111746A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20200017009A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
TWI237222B (en) Optoelectronic device and manufacturing method thereof
CN100508206C (zh) 有机电致发光显示器件及其制造方法
JP2001267086A (ja) ディスプレイパネルおよびそのパネルを搭載した情報処理装置
KR100698678B1 (ko) 발광 표시장치 및 그의 제조방법
US7177136B2 (en) Wiring board, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic instrument
JP5194892B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP3906930B2 (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3945525B2 (ja) 電気光学装置
JP4475379B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP4586997B2 (ja) 電気光学装置
JP2004260133A (ja) 配線基板及び電気光学装置並びにこれらの製造方法並びに電子機器
JP5240454B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2006073520A (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4924293B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent