1231510 Ο) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關層積電子零件用之層積體單元之製造方 法，更詳言之，係有關於層積電子零件用之層積體單元之 製造方法，其爲可卻實地防止陶瓷生胚片（gree;n sheet) 之變形及破壞，同時，可防止電極糊中的溶劑渲染至陶瓷 生胚片中，且可如所望般地製造陶瓷生胚片和電極層層積 而成的層積體單元。 【先前技術】 近年來，隨著各種電子機器的小型化，安裝在電子機 器內的電子零件也要求小型化及高性能化，而在層積陶瓷 電容等之層積陶瓷電子零件上，也要求層積數的增加、層 積單位的薄層化。 以層積陶瓷電容爲代表的層積陶瓷電子零件的製造中 ，首先，將陶瓷粉末，和丙烯酸酯樹脂、丁醛樹脂等黏結 劑；鄰苯二甲酸乙酯類、乙二醇類、已二酸、磷酸乙酯類 等可塑劑；甲苯、甲基乙基酮、丙酮等有機溶媒，予以混 合分散，調製介電體糊。 接下來，將介電體糊，以射出成形塗佈機或凹板塗佈 機，塗佈在由聚乙烯板（PET )或聚丙烯（PP )等所形成 的支持片上，經過加熱使塗膜乾燥，製作陶瓷生胚薄片。 然後，在陶瓷生胚薄片上，以網版印刷機等，將鎳等 電極糊，以所定圖案印刷，令其乾燥，形成電極層。 -5- 1231510 (2) 電極層形成後，將形成有電極層的陶瓷生胚薄片從支 持片剝離下來，形成含有陶瓷生胚薄片和電極層的層積體 單元’將所望數量的層積體單元層積、加壓所獲得的層積 體’切斷成小片（chip )狀，製作成生胚小片（green chip )。 最後’將黏結劑從生胚小片去除，將生胚小片燒成， 形成外部電極，藉此以製造層積陶瓷電容等之層積陶瓷電 子零件。 隨著電子零件要求小型化及高性能化，現在，決定層 積陶瓷電容之層間厚度的陶瓷生胚片的厚度已經要求在3 //m或2// m以下，且要求層積300層以上的含有陶瓷生 胚片和電極層的層積體單元。 可是在此其中，當在極薄的陶瓷生胚片上，印刷了內 部電極用之電極糊而形成電極層時，電極糊中的溶劑，會 將陶瓷生胚片之黏結劑成份溶解或使其膨潤，而其結果爲 ，發生陶瓷生胚片中被電極糊渲染的缺陷，而導致短路不 良等問題。 於是，日本特開昭63-51616號公報極日本特開平3一 2 5 0 6 1 2號公報，係提案有將內部電極圖案糊，印刷在其 他支持片上而形成電極層後，令電極層乾燥，將已乾燥的 電極層，熱轉印至陶瓷生胚片之表面的方法。 可是在此其中，該方法中，要將支持片從已被轉印至 陶瓷生胚片的表面的電極層上剝離下來是很困難的，這是 其問題點。 -6- 1231510 (3) 又，爲了要將已乾燥的電極層，熱轉印至陶瓷生胚片 之表面、接著之，是需要在高溫下施加高壓力，因此，陶 瓷生胚片和電極層會變形，某些情況下，甚至會有陶瓷生 胚片被部份破壞之問題。 【發明內容】
因此，本發明的目的，係提供層積電子零件用之層積 體單元之製造方法，其爲可卻實地防止陶瓷生胚片（ green sheet)之變形及破壞，同時，可防止電極糊中的溶 劑渲染至陶瓷生胚片中，且可如所望般地製造陶瓷生胚片 和電極層層積而成的層積體單元。 本發明所論之目的，係藉由一種層積電子零件用之層 積體單元之製造方法，其特徵爲，具備：在具有實施過用 以改善剝離性之表面處理的表面處理領域，及位於其兩側 方並未實施表面處理的非表面處理領域之第一支持片的表
面上，形成陶瓷生胚片之工程；及在具有和前記第一支持 一—一-.............___________ 片在實質上爲相同之寬度的第二支持片表面上，形成 層之工程；及在前記剝離層表面，以所定圖案形成電極層 ，同時，以互補於前記電極層的圖案，形成間隔層（ spacer )，而形成內里垦屬 一支持片在實質上爲相同之寬度的第三支持片表面上，形 成_^轰、~歷/之工程；及令被形成在前記第三支持片上之前記 接著層之表面，和前記陶瓷生胚片之表面相互密著，加壓 之，將前記接著層接著至前記陶瓷生胚片表面之工擇；及 -7- 1231510 (4) 將已形 已形成 前記接 持片， 內部電 窄於前 已形成 形成於 極層至 理領域 持片的 程；及 層，和 ，隔著 第二支 和前記 :寬度 度寬於 以及已 內部電 表面處 第三支 內部電極層表 極層的表面而 轉印至含有電 可以製造含有 將前記第三支持片，從前記接著層剝離之工 成於前記第二支持片表面上的前記內部電極 於前記第一支持片表面上的前記陶瓷生胚片 著層，加壓之，使其 <接-· m Z <工程；及將前記 從前記剝離層剝離，以製作前記陶瓷生胚片 極層層積所成之層積體單元之工程；且是以 記第三支持片至少2α (α爲正數），且寬 於前記第一支持片表面上之前記陶瓷生胚片 前記第二支持片表面上之前記剝離層及前記 少2α ，且寬度寬於前記第一支持片之前記 至少2 α的方式，將接著劑溶液塗佈至前記 表面上，以形成前記接著層來達成。 若根據本發明，則由於是隔著被形成於 面的接著層，而將陶瓷生胚片轉印至內部電 構成，因此可以低的壓力，將陶瓷生胚片， 極層及間隔層之內部電極層的表面，因此， 陶真·,·生胚片、電、麗量及間隔麗的層..積體單元 又，若根據本發明，則由於是將含有電極層及間隔層 的內部電極層，形成在第二支持片之表面，並令其乾燥後 ，再令其隔著接著層，接著至陶瓷生胚片表面而構成，因 此可以確實防止電極糊中的溶劑造成陶瓷生胚片之黏結劑 成份被溶解或膨潤，同時，可確實防止電極糊渲染至陶瓷 生胚片中，而可製造含有陶瓷生胚片、電極層及間隔層的 層積體單元。 -8- 1231510 (5) 甚至’若根據本發明，則由於是將接著層形成在第三 支持片之表面，並令其乾燥後，而轉印至含有電極層及間 隔層之內部電極層的表面，因此可以確實防止接著劑溶液 渲染至電極層及間隔層，而可製造含有陶瓷生胚片、電極 層及間隔層的層積體單元。 又’若根據本發明，則由於是將接著層形成在第三支 持片之表面，並令其乾燥後，而轉印至含有電極層及間隔 層之內部電極層的表面，並隔著接著層，而將內部電極層 和陶瓷生胚片予以接著而構成，因此可以確實防止接著劑 溶液渲染至陶瓷生胚片，而可製造含有陶瓷生胚片、電極 層及間隔層的層積體單元。 甚至，當將陶瓷生胚片上以所定圖案形成了電極層的 多數層積體單元予以層積的時候，會在電極層表面，和未 形成電極層之陶瓷生胚片的表面之間，形成了落差，因此 造成多數層積體單元層積而成的層積體變形，或是發生層 間剝離等現象，但是若根據本發明，則由於剝離層表面， 是以互補於電極層的圖案，形成有間隔層，因此如此所得 之多數層積體單元進行層積，所製作成的層積體，除了可 有效防止其發生變形，還可有效防止層間剝離之發生。 又，層積體單元，係在受到連續搬送之第一支持片的 表面上，塗佈介電體糊以形成陶瓷生胚片；並在受到連續 搬送之第2支持片的表面上’塗佈介電體糊以形成剝離層 ;並在已經形成於受到連續搬送之第2支持片的表面上的 剝離層表面上，印刷電極糊及介電體糊以形成內部電極層 -9 - 1231510 (6) ;並在受到連續搬送之第3支持片的表面上，塗佈接著劑 溶液以形成接著層；將第一支持片及第三支持片一邊進行 連續搬送，一邊令形成於第一支持片上的陶瓷生胚片表面 ，和形成於第三支持片上之接著層表面彼此接觸，加壓之 ，而令接著層被接著至陶瓷生胚片表面，同時，將第三支 持片從接者層剝離下來；將％ 一支持片及第一支持片一邊 進行連續搬送，一邊令形成於第二支持片上的內部電極層 表面，和形成於第一支持片上之陶瓷生胚片表面，隔著接 著層而接觸、加壓之，使陶瓷生胚片和內部電極層，是隔 著接著層而接著，所形成者。 可是在其中，當使用薄片搬送機構，搬送長尺狀的第 一支持片、第二支持片或第三支持片的時候，由於無法完 全防止第一支持片、第二支持片或第三支持片的蛇行，亦 即± α ( α爲正數，係薄片搬送機構的固有値。）之蛇行 是無法避免的，因此即使是令剝離層的寬，相等於含有電 極層及間隔層之內部電極層的寬，而在第二支持片表面上 印刷電極糊及介電體糊，也會發生內部電極層是被形成爲 ，剝離層在橫向方向上如同存在於內部電極層的外側般。 此種情況下，當令內部電極層的寬相等於接著層的寬 ’而在第三支持片表面上塗佈接著劑溶液以形成接著層時 ’在隔著接著層而將陶瓷生胚片和內部電極層予以接著之 際，在橫方向上，剝離層有時會存在於接著層的外側，而 在該情況下，在將陶瓷生胚片和內部電極層接著之後，當 第二支持片剝離時，剝離層會連同第二支持片一倂剝離， -10- 1231510 (7) 而連同第二支持片一倂剝離的剝離層，會有使工程受到污 染的可能。 相對於此，令剝離層的寬’相同於含有電極層及間隔 層之內部電極層的寬，而在第二支持片表面上印刷電極糊 及介電體糊的結果，當內部電極層’在橫方向上是存在於 剝離層之外側時，在隔著接著層而將陶瓷生胚片和內部電 極層予以接著之際，在橫方向上，內部電極層有時會存在 於剝離層的外側，而在該情況下，在將陶瓷生胚片和內部 電極層接著之後，當第二支持片剝離時，剝離層會連同第 二支持片一倂剝離，而連同第二支持片一倂剝離的剝離層 ，會有使工程受到污染的可能。 另一方面，隔著接著層，將陶瓷生胚片和內部電極層 接著時，當在橫方向上，接著層是存在於剝離層及內部電 極層的外側時，接著層會在接著至第二支持片並將陶瓷生 胚片和內部電極層予以接著之後，將第二支持片剝離之際 ，接著層會連同第二支持片一倂剝離，而有可能使剝離層 及內部電極層亦被剝離。 甚至，將接著劑溶液，以相同於第三支持片之寬度的 方式，塗佈在第三支持片表面上，以形成接著層時，將接 者層轉印至陶瓷生胚片表面時’接著層在橫方向上是位於 第一支持片的外側，其結果爲，不只接著層會接著至轉印 滾輪，而無法如所望地將接著層轉印至內部電極層表面， 而且也可能會污染轉印滾輪。 可是在此其中，若根據本發明，則是以：寬度寬於已 -11 - 1231510 (8) 形成於前記第一支持片表面上之前記陶瓷生胚片以及已形 成於前記第二支持片表面上之前記剝離層及前記內部電極 層至少2 α ，且寬度寬於前記第一支持片之前記表面處理 領域至少2 α的方式，將接著劑溶液塗佈至前記第三支持 片的表面上，以形成前記接著層而構成，因此，一邊連續 搬送第一支持片及第三支持片，一邊將形成於第三支持片 上之接著層，轉印至形成於第一支持片上的陶瓷生胚片表 面之際，即使第一支持片及/或第三支持片是在±α的範 圍內蛇行，接著層係確實而強固地接著至並未實施用來改 善第一支持片之剝離性之表面處理的非表面處理領域，因 此，當一邊將第一支持片及第二支持片連續搬送，一邊隔 著接著層而將陶瓷生胚片和內部電極層接著時，而將陶瓷 生胚片和內部電極層予以接著時，即使第一支持片及/或 第二支持片是在± α的範圍內蛇行，而使接著層接著至第 二支持片時’在第二支持片剝離之際，也能確實地防止接 者層和弟一支持片一併剝離。 又’若根據本發明，則是以寬度窄於前記第三支持片 至少2 α ( α爲正數），的方式，將接著劑溶液塗佈至前 記第三支持片的表面上，以形成前記接著層而構成，因此 ，即使一邊將第三支持片連續搬送，一邊在第三支持片表 面形成接著層之際，第三支持片是在± α的範圍內蛇行， 或即使一邊將第二支持片及第三支持片連續搬送，一邊將 接著層轉印至陶瓷生胚片表面之際，第二支持片及/或第 三支持片是在± α的範圍內蛇行，都可確實防止欲轉印至 -12- 1231510 (9) 陶瓷生胚片表面的接著層被接著至轉印滾輪上，因此，可 確實防止轉印滾輪被接著層所污染。 甚至，隔著接著層而將陶瓷生胚片和內部電極層予以 接著時，在橫方向上，內部電極層及剝離層外側，一直有 接著層存在，因此，內部電極層的全面是被接著層所接著 ，且存在於內部電極層外側的剝離層部份，亦被接著層所 接著，因此當將第二支持片從剝離層剝離時，可確實防止 內部電極層或剝離層會連同第二支持片一倂剝離。 本發明的理想實施形態中，是將介電體糊，以寬度寬 於前記表面處理領域至少2 α的方式，塗佈至前記第一支 持片的表面上，以形成前記陶瓷生胚片而構成。 若根據本發明的理想實施形態，則由於是將介電體糊 ，以寬度寬於表面處理領域至少2 α的方式，塗佈至第一 支持片的表面上，以形成陶瓷生胚片而構成，因此，陶瓷 生胚片，係強固地接著至並未實施用來改善第一支持片之 剝離性之表面處理的非表面處理領域，因此，當將第二支 持片從剝離層剝離時，可確實防止陶瓷生胚片保持在接著 至第一支持片表面之狀態。 本發明之又一理想實施形態中，是將電極糊及介電體 糊，以寬度寬於前記剝離層至少2 α的方式，塗佈至前記 第二支持片的表面上，以形成前記內部電極層，同時，將 介電體糊，以寬度寬於前記剝離層至少2 α的方式，塗佈 至前記第一支持片的表面上，以形成前記陶瓷生胚片而構 成。 -13- 1231510 (10) 本發明之理想實施形態中，是在前記第二支持片表面 上，塗佈前記介電體糊，在屬於前記表面處理領域內，且 預計形成前記剝離層之領域的更內側處，對前記第一支持 片、前記陶瓷生胚片、前記接著層、前記內部電極層、前 記剝離層及前記第二支持片，施以切割（slit )加工而構 成。 若根據本發明之又一理想實施形態，則由於是在第二 支持片表面上，塗佈介電體糊，在屬於表面處理領域內， 且預計形成剝離層之領域的更內側處，對第一支持片、陶 瓷生胚片、接著層、內部電極層、剝離層及第二支持片， 施以切割（slit )加工而構成，因此，將第二支持片從剝 離層剝離之際，可防止內部電極層、剝離層及接著層被剝 離，因此，剝離層的塗佈寬、內部電極層的印刷寬、接著 層的塗佈寬及陶瓷生胚片的塗佈寬即使互異，在實施過切 割加工的部份處，位於實施切割加工之部份的外側的陶瓷 生胚片、接著層、內部電極層及剝離層都被切離，藉此就 可製造陶瓷生胚片、接著層、內部電極層及剝離層均爲等 寬的層積體單元。 本發明之又一理想實施形態中，是在前記第二支持片 之表面上，實施用以改善剝離性之表面處理；前記剝離層 ’係被形成在實施過表面處理之部份上而構成。 本發明之又一理想實施形態中，由於是在第二支持片 之表面上，實施用以改善剝離性之表面處理；剝離層，係 被形成在實施過表面處理之部份上而構成，因此能如所望 -14- 1231510 (11) 般，將第二支持片從剝離層上剝離。 本發明中，爲了形成陶瓷生胚片所使用的介電體糊’ 通常是將介電體原料，和令黏結劑溶解於有機溶劑中而成 之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。 介電體原料有，形成複合氧化物或氧化物的各種化合 物，例如：可從碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化 合物等中適宜選擇之，將其混合而使用。介電體原料，一 般是以平均粒子直徑約〇. 1 V m〜3.0 // m程度的粉末形式 來使用。介電體原料的粒徑，一般是以小於陶瓷生胚片之 厚度爲理想。 有機賦形劑中所用的黏結劑，雖然並非特別限定，而 可使用例如乙基纖維素、聚乙烯丁醛（polyvinyl butyral )、丙烯酸酯樹脂等一般的黏結劑，但爲了使陶瓷生胚片 薄層化，理想爲使用聚乙烯丁醛等丁醛系樹脂。 有機賦形劑所用的有機溶劑，雖然亦無特別限定，而 可使用例如 品醇（terpineol ) 、丁基卡必醇（butyl carbitol)、丙酮、甲苯等有機溶劑。 本發明中，介電體糊，係將介電體原料，和溶解於水 中的水溶性黏結劑而成的賦形劑進行混揉即可生成。 水溶性黏結劑’並非特別限定，可使用的有聚乙烯醇 、甲基纖維素、趙基乙基纖維素（Hydroxyethyl Cellulose )、水溶性丙烯酸醋樹脂、乳膠（emulsion)等。 介電體糊的各成份的含有量，雖然沒有特別限定，但 例如可爲含有約1重量％〜5重量％的黏結劑、約1 〇重量 -15- 1231510 (12) %〜5 0重量°/〇的溶劑，來調製介電體糊。 介電體糊中’因應需要，亦可含有從各種分散劑、可 塑劑、介電體、副成份化合物、玻璃料、絕緣體等之中選 擇出來的添加物。在介電體糊中添加這些添加物時，理想 添加量爲1 〇重量％以下。黏結劑樹脂’在使用丁醛系樹 脂時，可塑劑的含有量，理想爲相對於1 0 0重量部的結合 樹脂，約爲25重量部至1 00重量部爲理想。可塑料太少 ，則生成的陶瓷生胚片會有過脆的傾向；若過多，則可塑 料會滲出，取用困難，都非理想。 本發明中，陶瓷生胚片是將介電體糊塗佈在第一支持 片上、乾燥之，製作而成。 介電體糊，係使用射出成形塗佈機或凹板塗佈機，塗 佈在由第一支持片上，形成塗膜。 第一支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等，而形成表面處理領域，但在本發明中，在實施過用 以改善剝離性之表面處理的表面處理領域的兩側方的第二 支持片表面，形成有未實施用以改善剝離性之表面處理的 非表面處理領域。 第一支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 # m 乃至 1 0 0 // m。 如此形成的塗膜，例如，以約5 0 °C至1 〇 0 °C的溫度， 乾燥約1分至20分，在第一支持片上就形成了陶瓷生胚 片。 •16- 1231510 (13) 本發明中，理想爲，以寬度窄於第一支持片至少2 α ，且寬度至少寬於表面處理領域至少2 α的方式，而將介 電體糊塗佈在第一支持片表面，以形成陶瓷生胚片，更理 想爲，以寬度寬於後述之剝離層至少2 α的方式，來塗佈 介電體糊，而形成陶瓷生胚片。 此處，α係薄片搬送機構，在搬送薄片之際，在單側 上所產生之蛇行量的最大値，是爲薄片搬送機構的固有値 〇 因此，α値，係隨著薄片搬送時所用的薄片搬送機構 而不同，通常是在1〜2mm左右。 又，第一支持片的寬，係100〜400 mm左右。 本發明中，乾燥後陶瓷生胚片的厚度，理想爲3 // m 以下，更理想爲1 . 5 // m以下。 本發明中，電極層及間隔層，是在第二支持片上，使 用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機，印刷而成。 第二支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。 本發明中，第二支持片，係具有實質上相同於第一支 持片之寬度。 第二支持片的厚度，雖無特別限定，但無論是相同於 形成有陶瓷生胚片之支持片或不同於該支持片，理想約爲 5// m 乃至 100// m。 本發明中，第二支持片上，在電極層形成之前，首先 -17- (14) 1231510 ’調製介電體糊，塗佈在第二支持片上，在第二支持片上 形成剝離層。 用來形成剝離層之介電體糊，理想爲，含有和陶瓷生 胚片所含之介電體相同成份的介電體粒子。 用來形成剝離層的介電體糊，除了介電體粒子以外， 可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電 體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒 徑相同亦可，但理想爲更小。 黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醛 、聚乙稀縮醒（ρ ο 1 y v i n y 1 a c e t a 1 )、聚乙稀醇、聚烯烴（ polyolefin )、聚胺甲酸酯（polyurethane )、聚苯乙烯（ polystyrene)，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。 用來形成剝離層的介電體糊所含的黏結劑，雖然和陶 瓷生胚片所含的黏結劑爲同系或不同系皆可，但以同系者 爲理想。 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒 子1 0 0重量部，含有約2 · 5重量部〜約2 0 0重量部的黏結 劑，更理想爲約5重量部〜約3 0重量部，尤其理想爲約 8重量部〜約3 0重量部。 可塑劑無特別限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯（ phthalate ester)、已二酸（adipic acid)、 磷酸酯、乙二 醇（glycol )類等。用來形成剝離層的介電體糊所含的可 塑劑，雖然和陶瓷生胚片所含的可塑劑爲同系，但亦可爲 不同系。 -18- 1231510 (15) 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 0 0重量部，含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑， 理想爲約2 0重量部〜約2 0 0重量部，更理想爲約5 0重量 部〜約1 0 0重量部。 用來形成剝離層的介電體糊所含的剝離劑，並無特別 限定，可舉例有例如石繼（p a r a f f i η )、蠘（w a X )、砂油 等。 用來形成剝離層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 〇 〇重量部，含有約0重量部〜約1 0 0重量部的剝離劑， 更理想爲約5重量部〜約2 0重量部。 本發明中，剝離層中所含之相對於介電體之黏結劑的 含有比率，理想爲相等或更低於陶瓷生胚片中所含之相對 於介電體之黏結劑的含有比率。又，剝離層中所含之相對 於介電體之可塑劑的含有比率，理想爲相等或更高於陶瓷 生胚片中所含之相對於介電體之可塑劑的含有比率。再者 ，剝離層中所含之相對於介電體之離型劑的含有比率，理 想爲高於陶瓷生胚片中所含之相對於介電體之離型劑的含 有比率。 藉由形成具有此種組成之剝離層，使得即使陶瓷生胚 片極度薄層化，也能使剝離層的強度，低於陶瓷生胚片的 破壞強度，且在第二支持片剝離之際，可確實地防止陶瓷 生胚片遭到破壞。 剝離層，係藉由使用製線條料塗佈機（wire bar co ater )，在第二支持片上塗佈介電體糊而形成。 -19- (16) 1231510 本發明中’理想爲’剝離層係將介電體糊，以寬度窄 於後述之內部電極層至少2 α的方式，塗佈在第二支持片 表面所形成。 剝離層的厚度，以其上所形成之電極層的厚度以下者 爲理想，理想爲電極層厚度之約6 0 %以下，更理想爲電極 層厚度之約30%以下。 剝離層形成後，剝離層係例如以約5(rc 〜1〇(rc、乾 燥約1分鐘〜1 0分鐘。 剝離層乾燥後，在剝離層的表面上，以所定圖案，形 成電極層。 本發明中，用來形成電極層的電極糊，是將各種導電 性金屬或合金所成的導電體材料燒成後，將各種導電性金 屬或合金所成的導電體材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽 等，和溶解在有機溶劑中的黏結劑所成之有機賦形劑，進 行混揉、調製而成。 製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的 有N i、N i合金或它們的混合物。導電體材料的形狀，並 無特別限定，可爲球狀、鱗片狀，或是這些形狀的混合。 又’導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定，但通常使 用約〇 · 1 μ m〜約2 // m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 # m的導 電性材料。 有機賦形劑所用的黏結劑，雖無特別限定，而可使用 例如乙基纖維素、丙烯酸酯樹脂、聚乙烯丁醛（polyvinyl b u t y r a 1 )、聚乙；)：希縮醒（ρ 〇 1 y v i n y 1 a c e t a 1 )、聚乙；(:希醇、 -20- (17) 1231510 聚烯烴（polyolefin )、聚胺甲酸酯（p〇lyUrethane )、聚 苯乙烯（polystyrene )，或是它們的共聚物，但尤其以使 用聚乙烯丁醛等丁醛系黏結劑爲理想。 電極糊，理想爲相對於導電材料1 0 0重量部，含有約 2.5重量部〜約2 0重量部的黏結劑。 溶劑例如可使用 品醇（terpineol ) 、丁基卡必醇（ b u t y 1 c a 1· b i t ο 1 )、煤油（k e r 〇 s i n e )等公知溶劑。溶劑的 含有量，相對於電極糊全體，理想爲約2 0重量％〜5 5重 量％。 爲了改善接著性，電極糊以含有可塑劑者爲理想。 電極糊所含的可塑劑，並無特別限定，例如可列舉有 鄰苯二甲酸节丁酯（benzyl butyl phthalate，BBP)、鄰 苯二甲酸酯（phthalate ester)、已二酸（adipic acid)、 磷酸酯、乙二醇（glycol )類等。電極糊，理想爲相對於 黏結劑1 00重量部，含有約1 0重量部〜約3 00重量部， 更理想爲約1 〇重量部〜約200重量部的可塑劑。 可塑劑的添加量若過多，則電極層的強度會有顯著下 降，並非理想。 電極層是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷機 ，將電極糊印刷在形成於第二支持片上之剝離層表面上而 形成。 電極層的厚度，約〇 . 1 V m〜5 # m的厚度爲理想，更 理想則爲0」m〜1 · 5 // m。 本發明中，理想爲，在形成於第二支持片上之剝離層 -21 - 1231510 (18) 表面之未形成有電極層的部份中，再度使用網版印刷機或 凹版印刷機等印刷機，以互補於電極層的圖案，印刷介電 體糊，形成間隔層（s p a c e r )。 亦可早於電極層形成之前，就在形成於第二支持片上 之剝離層的表面上，以互補於電極層的圖案，形成間隔層 (spacer) 〇 本發明中，用來形成間隔層（spacer )的介電體糊， 是被調製成相同於用來形成陶瓷生胚片之介電體糊。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲，含有相同於陶 瓷生胚片所含之介電體之組成的介電體粒子。 用來形成間隔層的介電體糊，除了介電體粒子以外， 可含有黏結劑，和做爲任意成份的可塑劑及剝離劑。介電 體粒子的粒徑，雖然和陶瓷生胚片所含之介電體粒子的粒 徑相同亦可，但理想爲更小。 黏結劑，例如可使用的有：丙烯酸樹脂、聚乙烯丁醛 、聚乙稀縮酉签（polyvinyl acetal)、聚乙燦醇、聚條烴（ polyolefin)、聚胺甲酸酯（p〇iyurethane)、聚苯乙烯（ polystyrene)，或是它們的共聚物，或是它們的乳膠。 用來形成間隔層的介電體糊所含的黏結劑，可和陶瓷 生胚片所含之黏結劑爲同系或非同系，但理想爲同系。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於介電體粒 子10 0重量部，含有約2.5重量部〜約200重量部的黏結 劑’更理想爲約4重量部〜約1 5重量部，尤其理想爲約 6重量部〜約1 〇重量部。 -22- (19) 1231510 用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，並無特別 限定，例如可列舉有鄰苯二甲酸酯（phthalate ester )、 已二酸（adipic acid)、碟酸酯、乙二醇（glycol)類等 。用來形成間隔層的介電體糊所含之可塑劑，可和陶瓷生 胚片所含之可塑劑，爲同系或非同系。 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1〇〇重量部，含有約20重量部〜約200重量部的可塑劑 ，更理想爲約5 0重量部〜約1 0 0重量部。 用來形成間隔層的介電體糊所含的剝離劑，並無特別 限定，可舉例有例如石蠟（paraffin )、蠟（wax )、矽油 用來形成間隔層的介電體糊，理想爲相對於黏結劑 1 〇 〇重量部，含有約〇重量部〜約1 0 0重量部的剝離劑， 更理想爲約5重量部〜約2 0重量部。 本發明中，內部電極層是藉由電極層及間隔層而形成 者。 本發明中，理想爲，以寬度窄於第二支持片至少2 α ，且寬度寬於剝離層至少2 α的方式，將電極糊及介電體 糊印刷在第二支持片表面上，以形成含有電極層及間隔層 的內部電極層。 本發明中，更理想爲，內部電極層，係將電極糊及介 電體糊，以實質上和陶瓷生胚片同寬的方式，塗佈在第二 支持片表面上而形成者。 甚至，本發明中，電極層及間隔層，理想爲滿足〇.7 -23· (20) 1231510 S ts/te S 1 .3 ( ts係間隔層的厚度，te係電極層的厚度） 而形成者，較理想爲滿足ts/teg 1.2，更理想爲0.9 Sts/teS 1.1而形成者。 電極層及間隔層，係例如，以約70 °C〜120 °C的溫度 ，乾燥約5〜1 5分鐘。電極層及間隔層的乾燥條件，並無 特別限定。 陶瓷生胚片，和電極層及間隔層，係隔著已被轉印至 陶瓷生胚片或電極層及間隔層之表面的接著層而接著，爲 了形成接著層，而準備了第三支持片。 第三支持片，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第三支持片的厚度，雖無特別限定，但理想約爲5 // m 乃至 1 0 0 // m。 本發明中，第三支持片，係具有實質上相同於第二支 持片的寬度，因此，也具有實質上相同於第一支持片的寬 度。 接著層，係在第三支持片上，塗佈接著劑溶液而形成 〇 本發明中，接著劑溶液，係含有黏結劑，和做爲任意 成份的可塑劑、剝離劑及帶電防止劑。 接著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子 的情形中’黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於 陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲 -24- 1231510 (21) 理想。 接著劑所含的黏結劑’雖然理想爲和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系’但亦可和用來形成 陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。 接著劑溶液所含的可塑劑’雖然理想爲和用來形成陶 瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來 形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。 可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 Q 0重量部， 含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約2 0 重量部〜約2 0 0重量部，更理想爲約5 0重量部〜約1 〇 〇 重量部。 本發明中，理想爲，接著劑溶液含有黏結劑之0.0 1 重量％〜1 5重量％的帶電防止劑，更理想爲含有黏結劑之 0.0 1重量％〜1 0重量％的帶電防止劑。 本發明中，接著劑所含的帶電防止劑，只要是具有吸 溼性的有機溶劑即可，例如可使用乙二醇（ethylene glycol)、聚乙二醇（poly ethylene glycol) 、2,3-丁二醇 (2，3 - b u t a n e d i ο 1 )、甘油（g 1 y c e ι· i n e )、咪 Π坐啉（ imidazoline ) 系界面活性劑、聚烴基乙二醇 （ polyalkylene glycol )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ ami dine carbonate )系界面活性劑等之兩性界面活性劑等 ，做爲接著劑溶液所含之帶電防止劑來使用。 在這些帶電防止劑之中，除了少量且可防止靜電外， 由於剝離力小且可從接著層將第三支持片剝離，因此理想 -25- 1231510 (22) 爲咪唑啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑、聚烴基乙二醇（ ρ ο 1 y a 1 k y 1 e n e g 1 y c ο 1 )衍生物系界面活性劑、碳酸 鹽（ amidine carbonate )系界面活性劑，其中又以咪唑啉（ i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑，剝離力特小、可從接著層將 第三支持片剝離，而尤其理想。 接著劑溶液，係例如藉由膠條塗佈機（bar coat er ) 、射出成形塗佈機（extrusion co a ter )、逆轉塗佈機（ reverse coater)、浸沾式塗佈機（dip coater)、吻合式 塗佈機（kiss coater)等，塗佈在第三支持片上，形成厚 度理想爲約〇 · 〇 2 // m〜約0 · 3 // m，較理想爲約0 · 0 2 μ m〜 約0·1 μ m的接著層。若接著層的厚度未滿約0.02 // m， 則接著力降低；反之，若接著層厚度超過約0.3 // m，則 會導致缺陷（間隙）產生，並非理想。 本發明中，是以：寬度窄於前記第三支持片至少2α (α爲正數），且寬度寬於已形成於前記第一支持片表面 上之前記陶瓷生胚片以及已形成於前記第二支持片表面上 之前記剝離層及前記內部電極層至少2 α ，且寬度寬於前 記第一支持片之前記表面處理領域至少2 α的方式，將接 著劑溶液塗佈在第三支持片表面，而形成接著層。 接著層，係例如，以室溫（2 5 t )至約8 0 °C的溫度 ，乾燥約1分至5分。接著層的乾燥條件，並無特別限定 〇 被形成在第三支持片上的接著層，會被轉印到被形成 在第二支持片上之電極層及間隔層的表面。 -26- (23) 1231510 將接著層轉印至形成於第二支持片上之電極層及間隔 層之表面的情況下，接著層是以接觸至形成於第二支持片 上之電極層及間隔層之表面的狀態，在約4 〇t〜約1 0 0 °C 的溫度下，將接著層和電極層及間隔層，以約〇.2MPa〜 約1 5 Μ P a的壓力，理想爲，約〇 · 2 Μ P a〜約6 Μ P a的壓力 ，加壓之，接著層便接著在電極層及間隔層的表面上，之 後，便將第三支持片從接著層剝離下來。 將接著層轉印至電極層及間隔層表面之際，將形成有 陶瓷生胚片的第一支持片，和形成有接著層的第三支持片 加壓，雖然可使用加壓機或使用一對加壓滾輪來加壓，但 理想爲藉由一對之加壓滾輪，將第一支持片和第三支持片 加壓。 接下來，陶瓷生胚片、電極層及間隔層，便隔著接著 層而接著。 陶瓷生胚片、電極層及間隔層，是隔著接著層，在約 40 °C〜1 00 °C的溫度下，以約0.2 M Pa〜約1 5MPa的壓力， 理想爲，約0.2 Μ P a〜約6 Μ P a的壓力，加壓之，令陶瓷生 胚片、電極層及間隔層，隔著接著層而接著。 理想爲，使用一對加壓滾輪，將陶瓷生胚片、接著層 、電極層及間隔層加壓，使陶瓷生胚片、電極層及間隔層 ，隔著接著層而接著。 一旦陶瓷生胚片、電極層及間隔層，隔著接著層而接 著，便將第二支持片從陶瓷生胚片剝離下來。 接下來，和將已形成於第三支持片表面之接著層轉印 - 27- (24) 1231510 至陶瓷生胚片表面時相同地，將接著層轉印至剝離層。 如此所得之層積體，被裁斷成所定尺寸，製作成在第 一支持片上，層積有陶瓷生胚片、接著層、電極層、間隔 層、剝離層及接著層的層積體單元。 如上所製作成的多數之層積體單元，令其隔著接著層 層積，製作成層積體塊。 在層積多數之層積體單元之際，首先，在形成有複數 孔之基板上’設置形成有黏著層的支持體，並使已形成於 剝離層上之接著層，密著於支持體表面，而決定層積體單 元的位置，而在層積體單元上施加壓力。 支持體的材料，例如可使用聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜 。支持體的厚度，只要是可能支持層積體單元的厚度即可 ，並無特別限定。 一旦已形成於剝離層之接著層，被接著至支持體表面 ’則弟 支ί寸片便從陶瓷生胚片被剝離下來。 再來’新的層積體單兀，是使已形成於剝離層表面之 接著層，密著至已接著至支持體之層積體單元的陶瓷生胚 片，而決定其在已接著至支持體之層積體單元上的位置， 而新的層積體單兀，是被朝向基板而加壓之，便在已接著 至支持體之層積體單元上，層積一新的層積體單元。 同樣地’將所定數量之層積體單元予以層積，製作層 積體塊’再將所定數量的層積體塊予以層積，便製造成層 積陶瓷電子零件。 本發明之上記及其他目的或特徵，可由以下記述及對 -28· (25) 1231510 應圖面而明瞭。 【實施方式】 以下將根據添附圖面’詳述說明本發明之理想實施形 態的層積陶瓷電容之製造方法。 製造層積陶瓷電容之際，首先，爲了製造陶瓷生胚片 ，調製介電體糊。 介電體糊’通常’是將介電體原料，和令黏結劑溶解 在有機溶劑中所成之有機賦形劑，進行混揉、調製而成。 調製成的介電體糊’係例如’使用射出成形塗佈機或 凹板塗佈機，塗佈在由第一支持片上，形成塗膜。 第一支持片，例如’使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等， 且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等。第一支持片的厚度’雖無特別限定，但理想約爲5 乃至 100//m。 接下來，塗膜，例如，以約5 0 °C至1 0 0 °C的溫度，乾 燥約1分至2 0分，在第一支持片上就形成了陶瓷生胚片 〇 乾燥後陶瓷生胚片2的厚度，理想爲3 // m以下，更 理想爲1 · 5 # m以下。 第1圖係第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之狀 態的槪略部份剖面圖。 實際上，第一支持片1係形成爲長尺狀’陶瓷生胚片 2，係在長尺狀的第一支持片1表面上被連續地形成。 •29- 1231510 (26) 本實施形態中，如第1圖所示，在第一支持片1的表 面上，是形成有：實施過用來改善剝離性，而包覆了 5夕樹 脂、醇酸樹脂等之表面處理領域1 a，及位於表面處理領 域1 a之兩側方，未施予用來改善剝離性之表面處理的非 表面處理領域1 b。 陶瓷生胚片2，係將介電體糊，以寬度窄於第一支持 片1有4α，且寬於第一支持片1表面之表面處理領域ia 有2α的方式，塗佈在第一支持片1表面上所形成，陶瓷 生胚片2的兩側緣部之附近部份，係被形成在第一支持片 1之非表面處理領域1 b上。 此處，α係薄片搬送機構，在搬送薄片之際，在單側 上所產生之蛇行量的最大値，是爲薄片搬送機構的固有値 。亦即，在本實施形態中，將第一支持片！連續搬送之際 ’是控制第一支持片1的蛇行量在:t α之範圍內，而控制 著搬送第一支持片1之搬送機構。 α値，雖然隨著薄片搬送時所用的薄片搬送機構而不 同，但通常是在1〜2mm左右。 又，第一支持片1的寬度，通常爲100〜400 mm左右 〇 第1圖中，是將搬送時的第一支持片1之蛇行量α控 制爲0，而能形成陶瓷生胚片2之理想情況。 另一方面，獨立於陶瓷生胚片2，另外準備第二支持 片，在第二支持片上，形成剝離層、電極層及間隔層。 第2圖係該表面上，形成有剝離層之第二支持片4的 -30- (27) 1231510 槪略部份剖面圖。 實際上’第二支持片4係形成爲長尺狀’剝離層5， 係在長尺狀的第二支持片4表面上被連續地形成，且剝離 層5的表面上，電極層6是以所定圖案而被形·成。 本實施形態中，第二支持片4，係具有實質上相同於 第一支持片1的寬度。 第二支持片4 ’例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等 ’且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸 樹脂等。 第二支持片4的厚度，雖無特別限定，但無論是相同 於第一支持片1或不同於第一支持片1，理想約爲5 // m 乃至 1 0 0 // m。 在第二支持片4表面，形成剝離層5時，首先，和 形成陶瓷生胚片2時同樣地，調製用來形成剝離層5的介 電體糊。 用來形成剝離層5的介電體糊，理想爲，含有相同於 陶瓷生胚片2所含之同一成份介電體的介電體粒子。 用來形成剝離層5之介電體糊所含之黏結劑，雖然和 陶瓷生胚片2所含的黏結劑可爲同系或不同系，但以同系 者爲理想。 如此，一旦介電體糊被調製，則例如使用製線條料塗 佈機（wire bar coater ;未圖示），將介電體糊塗佈在第 二支持片4上，形成剝離層5。 本實施形態中，剝離層5，係將介電體糊，以寬度窄 -31 - 1231510 (28) 於第一支持片4有6α，且寬度窄於陶瓷生胚片2之寬有 2α的方式’塗佈在第二支持片4表面上所形成的。 此處’ α係薄片搬送機構，在搬送薄片之際，在單側 上所產生之蛇行量的最大値，是爲薄片搬送機構的固有値 。亦即，在本實施形態中，將第二支持片4連續搬送之際 ，是控制第二支持片4的蛇行量在：t α之範圍內，而控制 著搬送第二支持片4之搬送機構。 第2圖中，是將搬送時的第二支持片4之蛇行量α控 制爲〇，而能形成剝離層5之理想情況。 剝離層5的厚度，電極層6的厚度以下者爲理想，理 想爲電極層6厚度之約60 %以下，更理想爲電極層6厚度 之約3 0 %以下。 剝離層5形成後，剝離層5係例如以約5 0 °C〜1 〇 〇 °C 、乾燥約1分鐘〜1 0分鐘。 剝離層5乾燥後，於燒成後，在剝離層5的表面上， 以所定之圖案，形成構成內部電極的電極層，然後，以和 電極層圖案互補之圖案，在未形成電極層之剝離層5表面 ’形成間隔層。 第3圖係剝離層5表面上，形成有電極層及間隔層之 第二支持片4的槪略部份剖面圖。 在已形成於第二支持片4上之剝離層5的表面上，形 成電極層6時，首先，將各種導電性金屬或合金所成的導 電體材料燒成後，將各種導電性金屬或合金所成的導電體 材料、有機金屬化合物或樹脂酸鹽等，和溶解在有機溶劑 -32- (29) 1231510 中的黏結劑所成之有機賦形劑’進行混揉 '調製成電極糊 〇 製造電極糊之際所使用的導電體材料，理想可使用的 有N i、N i合金或它們的混合物。 導電體材料的平均粒子徑，雖無特別限定’但通常使 用約0.1 // m〜約2 // m，理想爲約0 · 2 // m〜約1 μ m的導 電性材料。 電極層6是藉由使用網版印刷機或凹版印刷機等印刷 機，將電極糊印刷在剝離層5上而形成。 電極層的厚度，約〇 · 1 # m〜5 μ m的厚度爲理想，更 理想則爲〇 · 1 # m〜1 . 5 // m。 剝離層5的表面上，藉由使用網版印刷法或凹版印刷 法等印刷法，將具有所定圖案的電極層6予以形成之後， 在未形成電極層之剝離層5表面，以互補於電極層6之圖 案，形成間隔層。 間隔層7，亦可早於電極層6形成之前，就形成在將 來預定形成電極層6以外之剝離層5的表面上。 間隔層7形成時，是調製相同於用來形成陶瓷生胚片 2之介電體糊成份之介電體糊，並藉由網版印刷法或凹版 印刷法，將介電體糊，以互補於電極層6的圖案，印刷在 未形成電極層6之剝離層5的表面。 藉由電極層6及間隔層7，形成內部電極層8，在本 實施形態中，如第3圖所示，內部電極層8係將電極糊及 介電體糊，以寬度窄於第二支持片4有4α，且寬度寬於 -33- 1231510 (30) 剝離層5有2 α的方式，印刷在第二支持片4的表面上所 形成的。 因此，如第3圖所示，第二支持片4的內部電極層8 之兩外側之表面上，既未形成內部電極層8也未形成剝離 層5，內部電極層8，則形成爲和陶瓷生胚片2同寬。 第3圖中，是將搬送時的第二支持片4之蛇行量α控 制爲〇，而能形成內部電極層8之理想情況。 又，本實施形態中，間隔層7是被形成在剝離層5上 ’滿足t s /1 e = 1 · 1。此處，t s係間隔層7的厚度，t e係電 極層6的厚度。 本實施形態中，是構成爲陶瓷生胚片2和電極層6及 間隔層7，係隔著接著層而接著，有別於形成有陶瓷生胚 片2的第一支持片1以及形成有電極層6和間隔層7的第 一支持片4，更另外準備了第三支持片，並在第三支持片 上，形成接著層，製作接著層片。 第4圖係第三支持片9表面上，形成有接著層10之 接著層片1 1的槪略部份剖面圖。 實際上，第三支持片9係形成爲長尺狀，接著層10 ’係在長尺狀的第三支持片9表面上被連續地形成。 本實施形態中，第三支持片9，係具有和第一支持片 1實質上相同的寬度，因此，具有和第二支持片4實質上 相同的寬度。 第三支持片9，例如，使用聚乙烯對苯二甲酸薄膜等 ’且爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸 -34 - (31) 1231510 樹脂等。第三支持片9的厚度，雖無特別限定，但理想約 爲 5 // m 乃至 1 0 0 // m。 接著層1 〇形成時，首先，調製接著劑溶液。 本實施形態中，接著劑溶液，係含有黏結劑、可塑劑 及帶電防止劑，和做爲任意成份的剝離劑。 接著劑溶液，亦可含有相同於陶瓷生胚片所含之介電 體粒子之組成的介電體粒子。接著劑溶液含有介電體粒子 的情形中，黏結劑相對於介電體粒子的比例，理想爲小於 陶瓷生胚片所含之介電體粒子的相對於黏結劑之比例者爲 理想。 接著劑所含的黏結劑，雖然理想爲和用來形成陶瓷生 胚片之介電體糊所含的黏結劑爲同系，但亦可和用來形成 陶瓷生胚片之介電體糊所含的黏結劑爲非同系。 接著劑溶液所含的可塑劑，雖然理想爲和用來形成陶 瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲同系，但亦可和用來 形成陶瓷生胚片之介電體糊所含的可塑劑爲非同系。 可塑劑的含有量，理想爲相對於黏結劑1 0 0重量部， 含有約〇重量部〜約2 0 0重量部的可塑劑，理想爲約2 0 重量部〜約2 0 0重量部，更理想爲約5 0重量部〜約1 〇 〇 重量部。 本實施形態中，接著劑溶液含有黏結劑之〇. 〇 1重量％ 〜1 5重量％的帶電防止劑。 本實施形態中，帶電防止劑是使用咪唑啉（ i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑。 -35- (32) 1231510 如此調製成的接著劑溶液，例如，藉由膠條塗佈機（ bar coater)、射出成形塗佈機（extrusion coater)、逆 轉塗佈機（r e v e ι· s e c 〇 a t e r )、浸沾式塗佈機（d i p c o a t e r )、吻合式塗佈機（kiss coater )等，塗佈在第三支持片 9上，形成厚度爲約0.02 // m〜約〇. 1 # m的接著層1 〇。 若接著層1 〇的厚度未滿約〇 · 〇 2 // m，則接著力降低；反 之，若接著層厚度1 〇超過約〇 · 3 // m，則會導致缺陷（間 隙）產生，並非理想。 本實施形態中，接著層1 〇係以寬度窄於第三支持片 9有2α，且寬度寬於已形成於第一支持片1表面之陶瓷 生胚片2及已形成於第二支持片4表面之內部電極層8有 2 α的方式，在第三支持片9表面塗佈接著劑溶液而形成 〇 此處，α係薄片搬送機構，在搬送薄片之際，在單側 上所產生之蛇行量的最大値，是爲薄片搬送機構啲固有値 。亦即，在本實施形態中，將第三支持片9連續搬送之際 ，是控制第三支持片9的蛇行量在± α之範圍內，而控制 著搬送第三支持片9之搬送機構。 接著層1 〇，係例如，以室溫（2 5 °C )至約8 0 °C的溫 度，乾燥約1分至5分，而形成接著片1 1。接著層的乾 燥條件，並無特別限定。 第5圖係將形成在第三支持片9上的接著層1 〇，接 著至形成在第一支持片4上之陶瓷生胚片2表面，從接著 層1 〇將第三支持片9剝離之接著·剝離裝置的理想實施 -36- (33) 1231510 形態之槪略剖面。 如第5圖所示，本實施形態所論之接著•剝離裝置’ 具備溫度保持在約4 0 °C〜1 0 〇 °C的一對加壓滾輪1 5、1 6。 如第5圖所示，形成有接著層1 0的第三支持片9， 係藉由施加在第三支持片9的拉張力，第三支持片9彷彿 是被上方之加壓滾輪1 5捲繞般，從斜斜的上方起，供給 至一對之加壓滾輪1 5、1 6之間；形成有陶瓷生胚片2的 第一支持片1，則和下方之加壓滾輪1 6接觸；陶瓷生胚 片2，接觸至形成在第三支持片9上的接著層1〇表面， 以略水平方向，供給至一對之加壓滾輪1 5、1 6之間。 •第一支持片1及第三支持片9的供給速度，係例如 ，設定成2m/秒，一對之加壓滾輪15、16之輾壓力，理 想爲，以約 〇.2MPa〜約 15MPa的壓力，較理想爲，約 0.2MPa 〜約 6MPa。 其結果爲，形成在第三支持片9上的接著層1 0，接 著至形成在第一支持片1上的陶瓷生胚片2表面。 本實施形態中，由於接著層1 0，係將接著劑溶液， 以寬度窄於第三支持片9有2 α的方式，形成於第三支持 片9表面上，因此接著層1 0形成時，即使第三支持片9 是在:t α的範圍內蛇行，且在接著層1 〇轉印至陶瓷生胚片 2表面時’第一支持片1及第三支持片9是在±α的範圍 內蛇行，都可確實防止接著層1 0在橫方向上會位於第一 支持片1的外側，因此，可確實防止接著層1 0接著至加 壓滾輪1 6的表面。 -37- 1231510 (34) 如第5圖所示，形成有接著層1 〇的第三支持片9， 從一對之加壓滾輪1 5、1 6往斜上方般送，因此’第三支 持片9，會從接著在陶瓷生胚片2表面的接著層1 0剝離 下來。 將第三支持片9從接著層1 0剝離下來之際，會產生 靜電，導致塵埃附著，或是接著層被第三支持片吸附，而 較難如所望般地將第三支持片從接著層剝離下來，但因爲 在本實施形態中，接著層1 〇是含有相對於黏結劑，有 0.0 1重量％〜1 5重量％的咪坐啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活 性劑，所以可有效地防止靜電的產生。 第6圖係在如此形成於第一支持片1上的陶瓷生胚片 2的表面，接著了接著層1 0，並將第三支持片9從接著層 1 〇上剝離下來之狀態的槪略部份剖面圖，是能夠控制接 著層1 0轉印時之第一支持片1及第三支持片9的蛇行量 α爲〇的理想情形之圖示。 如第6圖所示，接著層1 〇係在兩側緣部中，分別以 寬度窄於第一支持片1有α的方式而形成，且寬度寬於陶 瓷生胚片2有α的方式被形成，接著層1 0，係藉由一對 之加壓滾輪1 5、1 6而加壓之，而接著至陶瓷生胚片2的 外側中，並未實施用以改善第一支持片i之剝離性之表面 處理的非表面處理領域1 b上。 如此一來，一旦在已形成於第一支持片1上之陶瓷生 胚片2的表面，接著了接著層1 〇，將第三支持片9從接 著層1 0上剝離下來，則陶瓷生胚片2會隔著接著層1 〇， -38- 1231510 (35) 接著至已形成於第二支持片4上之電極層6及間隔層7的 表面。 第7圖，係在陶瓷生胚片2表面，隔著接著層10, 接著電極層6及間隔層7之接著裝置的理想實施形態之槪 略剖面圖。 如第7圖所示，本實施形態所論之接著裝置，具備溫 .度保持在約40t〜l〇〇t的一對加壓滾輪17、18，及在加 壓滾輪的下游側，具備切割加工機1 9。 形成有含有電極層6、間隔層7的內部電極層8的第 二支持片4，係讓第二支持片4的上方接觸加壓滾輪1 7， 而被供給至一對之加壓滾輪1 7、1 8之間；形成有陶瓷生 胚片2及接著層1 〇的第一支持片1，則讓下方接觸加壓 滾輪1 8，而被供給至一對之加壓滾輪1 7、1 8之間。 本實施形態中，加壓滾輪1 7是以金屬滾輪所構成， 加壓滾輪1 8是以橡膠滾輪來構成。 •第一支持片1及第二支持片4的供給速度，係例如 ，設定成2m/秒，一對之加壓滾輪17、18之輾壓力，理 想爲，以約 0.2MPa〜約 15MPa的壓力，較理想爲，約 0.2MPa 〜約 6MPa。 本實施形態中，由於陶瓷生胚片2，和含有電極層6 及間隔層7的內部電極層8，是隔著接著層1 〇而接著， 而並非如先前般，是利用陶瓷生胚片2、電極層6及間隔 層7所含之黏結劑的黏著力，或是利用陶瓷生胚片2、電 極層6及間隔層7之變形，而使陶瓷生胚片2，和含有電 -39- (36) 1231510 極層6及間隔層7之內部電極層8彼此接著，因此例如以 約0.2MPa〜約l5MPa的低壓力，便可將陶瓷生胚片2, 和含有電極層6及間隔層7的內部電極層8，予以接著。 因此，由於可防止陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層 7的變形，因此將如此獲得之陶瓷生胚片2、內部電極層 8的層積體予以層積，製作層積陶瓷電容之際的層積精確 度可以提升。 甚至，本實施形態中，由於是第二支持片4上所形成 之電極層6乾燥後，隔著接著層1 0而接著至陶瓷生胚片 2的表面之構成，因此當在陶瓷生胚片2表面印刷電極糊 形成電極層6時，電極糊不會使陶瓷生胚片2所含之黏結 劑溶解或是膨潤，且電極糊不會滲入陶瓷生胚片2中，因 此可如所望地，在陶瓷生胚片2的表面形成電極層6。 此外，本實施形態中，由於接著層1 0，係以寬度窄 於第三支持片9有2α，且寬度寬於已形成於第一支持片 1表面之陶瓷生胚片2及已形成於第二支持片4表面之內 部電極層8有2α的方式，在第三支持片9表面塗佈接著 劑溶液而形成，因此’接著層1 〇係於陶瓷生胚片2外側 上，強固地接著至未實施用以改善第一支持片1之剝離性 之表面處理的非表面處理領域1 b上，而另一方面，已形 成於第二支持片4上之內部電極層8，則全面地和接著層 1 〇接著。 以一對之加壓滾輪1 7、1 8，隔著接著層1 〇而令陶瓷 生胚片2和內部電極層8接著後，藉由切割加工機，在第 -40- (37) 1231510 二支持片4的表面上，屬於表面處理領域1 a ’且較預I十 形成剝離層5之領域更爲內側處，對第一支持片1、陶瓷 生胚片2、接著層1〇、內部電極層8、剝離層5及第二支 持片4施以切割加工。 第8圖係如此而隔著接著層1 0，而將陶瓷生胚片2 和內部電極層8予以接著，所形成之含有第一支持片1、 陶瓷生胚片2、接著層1 0、內部電極層8、剝離層5及第 二支持片4的層積體，被施以切割（slit)加工之狀態的槪 略部份剖面圖，是在陶瓷生胚片2和內部電極層8在接著 時，能夠將第一支持片1及第二支持片4的蛇行量控制爲 〇的理想狀態下的圖示。 如第8圖所示，如此所製作成的層積體中，接著層 1 〇，係於陶瓷生胚片2外側上，強固地接著至未實施用以 改善第一支持片1之剝離性之表面處理的非表面處理慑域 1 b上，而另一方面，內部電極層8，係在兩側緣部中，分 別以寬度窄於接著層1 〇有α的方式而形成，同時，其全 面係被接著至接著層1 〇，屬於表面處理領域1 a內，且在 橫方向上，於剝離層5的內側，形成了貫通第一支持片1 、陶瓷生胚片2、接著層1 0、內部電極層8、剝離層5及 第二支持片4的切割縫1 2。 如此，在本實施形態中，由於在屬於表面處理領域 1 a內，且在橫方向上，於剝離層5的內側，形成了貫通 第一支持片1、陶瓷生胚片2、接著層1 〇、內部電極層8 、剝離層5及第二支持片4的切割縫1 2，而特定出無法 -41 - (38) 1231510 當作成品的部份，因此，於後續工程中，就可防 法當作成品的部份也包含在層積體中而予以裁斷 如以上，一旦已被形成在第一支持片1之陶 2的表面，隔著接著層1 0，接著了已被形成在第 4上之電極層6及間隔層7，則第二支持片4便 5剝離下來。 本實施形態中，由於含有電極層6及間隔層 電極層8，係在兩側緣部中，分別以寬度窄於g 有α的方式而形成，其全面係被接著至接著層 著層1 〇，係於陶瓷生胚片2外側上，強固地接 施用以改善第一支持片1之剝離性之表面處理的 理領域1 b，因此，將第二支持片4從剝離層5 ，可確實防止剝離層5及內部電極層8連同第二 一倂剝離。 如此，在第一支持片1的表面上，便形成了 片2、接著層1 0、電極層6、間隔層7及剝離層 而成的層積體。 接下來，和將接著層片1 1之接著層1 0，轉 成於第一支持片1上之陶瓷生胚片2表面時完全 將接著層片1 1的接著層1 0，轉印至剝離層5的ί 如上所獲得之層積體，在切割縫1 2的內側 製作成在第一支持片1的表面上，層積有陶瓷生 接著層1 0、電極層6、間隔層7、剝離層5及夷 之具有所定尺寸的層積體單元。 止誤將無 〇 瓷生胚片 二支持片 從剝離層 7的內部 $著層1〇 1 〇，而接 著至未實 非表面處 剝離之際 支持片4 陶瓷生胚 5所層積 印至已形 相同地， t面。 被裁斷， 胚片2、 I著層10 -42- (39) 1231510 第9圖係如此而裁斷成所定尺寸的層積體單元之槪略 剖面圖。 如第9圖所示，層積體單元20，係含有被形成第一 支持片1之表面上的陶瓷生胚片2、接著層1 〇、電極層6 、間隔層7、剝離層5及接著層1 0。 同樣地，在第一支持片1表面上層積陶瓷生胚片2、 接著層1 〇、電極層6、間隔層7及剝離層5，而分別製作 多數之含有陶瓷生胚片2、接著層10、電極層6、間隔層 7、剝離層5及接著層1 〇的層積體單元2 0。 藉由將如此製作之多數層積體單元2 0，隔著被轉印 至剝離層5表面的接著層丨〇而層積，便製作成層積陶瓷 電容。 第1 〇圖係層積體單元2 0之層積製程之第一步驟的槪 略部份剖面圖。 如第10圖所示，在層積體單元20層積時，首先，在 形成有多數孔2 6的基板2 5上，放置一支持體2 8。 支持體2 8的材料，例如可使用聚對苯二甲酸乙烯酯 (polyethylene terephthalate)薄膜（film)。 支持體2 8 ’係隔著被形成在基板2 5的多數之孔2 6， 藉由空氣吸引’而固定在基板2 5上的所定位置。 第1 1圖係層積體單元2 〇之層積製程之第二步驟的槪 略部份剖面圖。 接下來，如第1 1圖所示，令被轉印至剝離層5表面 的接著層1 0的表面，是接觸至支持體2 8的表面般地，而 -43- (40) 1231510 決定層積體單元20的位置，層積體單元20的第一支持片 1，則藉由加壓機，加壓之。 其結果爲，層積體單元20隔著被轉印至剝離層5表 面的接著層1 〇而接著至被固定在基板2 5上的支持體2 8 上，且被層積。 第1 2圖係層積體單元2 0之層積製程之第三步驟的槪 略部份剖面圖。 一旦層積體單元20隔著被轉印至剝離層5表面的接 著層10而接著至被固定在基板25上的支持體28上而層 積，則如第12圖所示，便將第一支持片1從層積體單元 2 0之陶瓷生胚片2剝離下來。 此時間點上，由於強固地接著至未實施用以改善第一 支持片1之剝離性之表面處理之非表面處理領域1 b的接 著層1 0的部份及陶瓷生胚片2的部份，被從層積體單元 20切離，只有陶瓷生胚片2，是接著在已實施過用以改善 第一支持片1之剝離性之表面處理之表面處理領域1 a上 ，因此，可如所望般，將第一支持片1從陶瓷生胚片2剝 離。 如此一來，隔著已被轉印至剝離層5表面的接著層 1〇，於已被固定於基板25上之支持體28上所層積之層積 體單元20的剝離層5上，再度地層積一層積體單元20。 第13圖係層積體單元20之層積製程之第四步驟的槪 略部份剖面圖。 接下來，如第1 3圖所示，令被轉印至剝離層5表面 -44- 1231510 (41) 的接著層1 0的表面，接觸至已被固定於基板25上之支持 體28所接著之層積體單元20的陶瓷生胚片2表面，而決 定新的層積體單元20之位置，藉由加壓機，加壓之。 其結果爲，新的層積體單元2 0，是隔著被轉印在剝 離層5表面的接著層1〇，層積至已被固定於基板25上之 支持體28所接著之層積體單元20上。 第14圖係層積體單元20之層積製程之第五步驟的槪 略部份剖面圖。 一旦新的層積體單元20，是隔著被轉印在剝離層5 表面的接著層1 〇，層積至已被固定於基板25上之支持體 2 8所接著之層積體單元2 0上，則如第1 4圖所示，新層 積在層積體單元20之第一支持片1，便從層積體單元2〇 之陶瓷生胚片2剝離下來。 同樣地，層積體單元20被一次次地層積，直到所定 數量的層積體單元20，被層積在固定於基板25上的支持 體28上，便製作成層積體塊。 一旦所定數量的層積體單元20，被層積在固定於基 板25上的支持體28上，製作成層積體塊，則被基板25 固定之支持體28上層積有所定數量之層積體單元20所製 作成的層積體塊，會被層積在層積陶瓷電容的外層上。 第1 5圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積 之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製 程之第一步驟的槪略部份剖面圖。 如第1 5圖所示，首先，在形成有多數孔3 1的基台 -45- (42) 1231510 3 〇上，放置形一成有接著層3 2的外層3 3。 外層3 3，係透過被形成在基台3 0的多數孔3 1，藉由 空氣吸引，而固定在基台30上之所定位置。 接下來，如第1 5圖所示，透過多數之孔26的空氣吸 引，被固定在基板25上之所定位置之支持體28上所層積 的層積體塊40，是以最後被層積之層積體單元20之陶瓷 生胚片2的表面，接觸至被形成在外層3 3上之接著層3 2 的表面的方式，來決定位置。 接下來，令空氣停止吸引支持體28，基板25便從支 持著層積體塊40的支持體28上被取除。 一旦基板2 5被從支持體2 8取除，則藉由加壓機，加 壓支持體28。 其結果爲，層積體塊40是隔著接著層32’被接著在 固定於基台30上的外層33上，而被層積。 第1 6圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積 之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製 程之第二步驟的槪略部份剖面圖。 一旦層積體塊40隔著接著層32’被接著在固定於基 台30上的外層33上而層積，則如弟16圖所不’支持體 2 8便從層積體塊4 0的接著層1 〇上被剝離下來。 如此一來，所定數量之層積體單元20被層積而成的 層積體塊40便隔著接著層32，被層積在被固定在基台30 上之外層3 3上。 一旦層積體塊40便隔著接著層32 ’被層積在被固定 -46 - (43) 1231510 在基台3 0上之外層3 3上，則於被層積在被固定在基台 30上之外層33上之層積體塊40的最上之層積體單元20 的接著層1 〇上，再度地，按照第1 0圖〜第1 4圖所示的 步驟，於被基板2 5固定之支持體2 8上，層積所定數量之 層積體單元20，製作層積體塊40。 第1 7圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積 之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之 第三步驟的槪略部份剖面圖。 如第17圖所示，首先，透過多數孔26’藉由空氣吸 引，被固定在基板2 5上之所定位置的支持體2 8上所新層 積之層積體塊40，是以最後被層積之層積體單元20之剝 離層5的表面，接觸至被層積在外層33上之層積體塊40 之最上面的層積體單元20之接著層1〇的表面之方式，而 決定位置 接下來，令空氣停止吸引支持體28，基板25便從支 持著層積體塊40的支持體28上被取除。 一旦基板2 5被從支持體2 8取除，則藉由加壓機，加 壓支持體2 8。 其結果爲，新層積之層積體塊40 ’是隔著接著層10 ，而接著至被固定在基台30上之外層33上所層積之層積 體塊40上，而被層積。 第1 8圖係將固定於基板2 5上之支持體2 8上所層積 之層積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層33上的層積製 程之第四步驟的槪略部份剖面圖。 -47- (44) 1231510 一旦新層積之層積體塊4 0隔著接著層1 〇，而接著至 被固定在基台30上之外層33上所層積之層積體塊40上 而被層積，則如第1 8圖所示’支持體2 8便從新層積之層 積體塊4 0的接著層1 〇上被剝離下來。 如此一來，新層積之層積體塊40便隔著接著層10, 而被層積至被固定在基台30上之外層33上所層積之層積 體塊40上。 同樣地，被基板25固定之支持體2 8上所層積的層積 體塊40被一 一層積’直到所定數量的層積體塊因此 ，所定數量的層積體單元20，便被層積在層積陶瓷電容 的外層3 3上。 如此一來，一旦層積陶瓷電容的外層3 3上’被層積 了所定數量的層積體單元20 ’則另一方之外層（未圖示 )，便隔著接著層而接著之，作成含有所定數量之層積體 單元2 0的層積體。 接下來，將含有所定數量之層積體單元20的層積體 ，裁斷成所定尺寸，製作多數之陶瓷生胚小片（chip )。 將如此製作成的陶瓷生胚小片，置於還原氣體氣氛下 ，去除黏結劑，再進行燒成。 接下來，在已燒成的陶瓷生胚小片上，裝設必要的外 部電極等，製作成層積陶瓷電容。 若根據本實施形態，則由於陶瓷生胚片2，和含有電 極層6及間隔層7的內部電極層8是隔著接著層10而接 著，而並非如先前般，是利用陶瓷生胚片2、電極層6及 -48- (45) 1231510 間隔層7所含之黏結劑的黏著力，或是利用陶瓷生胚片2 '電極層6及間隔層7之變形，而使陶瓷生胚片2，和含 有電極層6及間隔層7之內部電極層8彼此接著，因此例 如以約0.2MPa〜約15MPa的低壓力，便可將陶瓷生胚片 2，和含有電極層6及間隔層7的內部電極層8，予以接 著。 · 因此，由於可防止陶瓷生胚片2、電極層6及間隔層 7的變形，因此將如此獲得之陶瓷生胚片2、內部電極層 8的層積體予以層積，製作層積陶瓷電容之際的層積精確 度可以提升。 甚至，本實施形態中，由於是第二支持片4上所形成 之電極層6乾燥後，隔著接著層1 0而接著至陶瓷生胚片 2的表面之構成，因此當在陶瓷生胚片2表面印刷電極糊 形成電極層6時，電極糊不會使陶瓷生胚片2所含之黏結 劑溶解或是膨潤，且電極糊不會滲入陶瓷生胚片2中，因 此可如所望地，在陶瓷生胚片2的表面形成電極層6。 又，本實施形態中，第一支持片1的表面上，形成有 :爲了改善剝離性，在其表面上，包覆有矽樹脂、醇酸樹 脂等，而形成表面處理領域1 a，及在表面處理領域1 a兩 側方，未施予用以改善剝離性之表面處理的非表面處理領 域1 b ;而陶瓷生胚片2，係將介電體糊，以寬度窄於第一 支持片1有4α，且寬度寬於第一支持片1表面之表面處 理領域la有2α的方式’塗佈在第一支持片1表面上而 形成；且陶瓷生胚片2的兩側緣部的附近部份，係被形成 -49 - (46) 1231510 在第一支持片1之非表面處理領域1 b上。 甚至，在本實施形態中，含有電極層6及間隔層7的 內部電極層8，係在第二支持片4的表面上，以和陶瓷生 胚片2相同寬度的方式，印刷電極糊及介電體糊所形成； 且剝離層5，係在第二支持片4表面上，以寬度窄於含有 電極層6及間隔層7之內部電極層8有2 α的方式，塗佈 介電體糊而形成。 又，本實施形態中，接著層1 0，係以寬度窄於第三 支持片9有2α，且寬度寬於已形成於第一支持片1表面 之陶瓷生胚片2及已形成於第二支持片4表面之內部電極 層8有2α ，且寬度寬於第一支持片1之表面處理領域la 有2 α的方式，在第三支持片9表面塗佈接著劑溶液而形 成；且接著層1 0係於陶瓷生胚片2外側上，強固地接著 至未實施用以改善第一支持片1之剝離性之表面處理的非 表面處理領域1 b上。 因此，若根據本實施形態，則由於接著層1 0，係於 第三支持片9表面，將接著劑溶液，以寬度窄於第三支持 片9有2 α的方式塗佈所形成，因此在將接著層1 0轉印 至已形成於第一支持片1上之陶瓷生胚片2的表面時，可 確實防止接著層1 0在橫方向上位於第一支持片1的外側 ，因此，可確實防止接著層1 0接著至加壓滾輪1 6的表面 ，防止加壓滾輪1 6的表面受到污染。 又，若根據本實施形態，則由於內部電極層8的全面 ，是被接著層1 〇所接著，因此在將第二支持片4從剝離 •50- (47) 1231510 層5剝離之際，可確實防止剝離層5及內部電極層8會連 同第二支持片4 一倂剝離，防止工程污染。 甚至，若根據本實施形態，則由於是以一對之加壓滾 輪1 7、1 8，隔著接著層1 〇而令陶瓷生胚片2和內部電極 層8接著後，藉由切割加工機，在第二支持片4的表面上 ，屬於表面處理領域1 a，且較預計形成剝離層5之領域 更爲內側處，對第一支持片1、陶瓷生胚片2、接著層1 0 、內部電極層8、剝離層5及第二支持片4施以切割加工 所構成，且藉由切割縫1 2，特定出無法當作成品的部份 ，因此，於後續工程中，就可防止誤將無法當作成品的部 份也包含在層積體中而予以裁斷。 又，若根據本實施形態，則由於電極層6，及密度比 電極層6小、壓縮率高的間隔層7，是被形成爲ts/te=l · 1 ，因此將陶瓷生胚片2，隔著接著層1 〇，轉印至電極層6 及間隔層7上之際，藉由一對之加壓滾輪1 7、1 8而使間 隔層7被壓縮，不只間隔層7，還有電極層6，也是隔著 接著層1 〇，而確實地接著至陶瓷生胚片2的表面，因此 ，將第二支持片4從剝離層5剝離時，可有效防止電極層 6會連同第二支持片4從陶瓷生胚片2被一倂剝離。 又，將第三支持片9從接著層1 0剝離之際，會產生 靜電，導致塵埃附著，或是接著層被第三支持片吸附’而 較難如所望般地將第三支持片從接著層剝離下來’但若根 據本實施形態中，接著層1 〇是含有相對於黏結劑，有 0.01重量％〜15重量％的咪唑啉（imidazoline)系界面活 -51 - 1231510 (48) 性劑，所以可有效地防止靜電的產生。 本發明並非侷限於以上實施形態，在申請專利範圍所 記載之發明的範圍內可以有各種變更，當然這些變更仍都 包含在本發明的範圍內。 例如，前記實施形態中，含有第一支持片1、陶瓷生 胚片2、接著層1 〇、內部電極層8、剝離層5及第二支持 片4的層積體，雖然是藉由：在第一支持片丨的表面上以 寬度寬於第一支持片1表面的表面處理領域1 a有4 α的 方式，塗佈介電體糊，而形成了陶瓷生胚片2，並在第二 支持片4表面上，以寬度窄於陶瓷生胚片2有6α的方式 ’塗佈介電體糊，而形成剝離層5，並在第二支持片4的 表面上，以相同於陶瓷生胚片2的寬度，亦即寬度窄於第 二支持片4有4 α的方式，印刷電極糊及介電體糊，而形 成含有電極層6及間隔層7的內部電極層8，並在第三支 持片9的表面上，以窄於第三支持片9有2α，且寬度寬 於已形成於第一支持片1表面之陶瓷生胚片2及已形成於 弟一支持片4表面之剝離層5及內部電極層8有2α，且 寬度寬於第一支持片1之表面處理領域1 a有2 α的方式 的方式，塗佈接著劑溶液，而形成接著層1 〇 ;之方式而 形成’但是’含有弟一支持片 1、陶瓷生胚片 2、接著層 1 〇、內部電極層8、剝離層5及第二支持片4的層積體， 係只要藉由「在第三支持片9的表面上，以寬度窄於第三 支持片9有2α ，且寬度寬於已形成於第一支持片丨表面 之陶瓷生胚片2及已形成於第二支持片4表面之剝離層5 -52- (49) 1231510 及內部電極層8至少2α，且寬度寬於第一支持片之表面 處理領域1 a至少2 α的方式，塗佈接著劑溶液而形成接 著層」，來形成即可，並非一定要藉由「在第一支持片1 的表面上以寬度寬於第一支持片1表面的表面處理領域 la有4α的方式，塗佈介電體糊，而形成了陶瓷生胚片2 ’並在第二支持片4表面上，以寬度窄於陶瓷生胚片2有 6α的方式，塗佈介電體糊，而形成剝離層5，並在第二 支持片4的表面上，以相同於陶瓷生胚片2的寬度，亦即 寬度窄於第二支持片4有4 α的方式，印刷電極糊及介電 體糊，而形成含有電極層6及間隔層7的內部電極層8， 並在第三支持片9的表面上，以窄於第三支持片9有2α ，且寬度寬於已形成於第一支持片1表面之陶瓷生胚片2 及已形成於第二支持片4表面之剝離層5及內部電極層8 有2 α，且寬度寬於第一支持片1之表面處理領域1 a有2 α的方式的方式，塗佈接著劑溶液，而形成接著層1 0」 的方式來形成層積體。 又，前記實施形態中，雖然是構成爲：以一對之加壓 滾輪1 7、1 8，隔著接著層1 0而令陶瓷生胚片2和內部電 極層8接著後，藉由切割加工機，在第二支持片4的表面 上，屬於表面處理領域1 a，且較預計形成剝離層5之領 域更爲內側處，對第一支持片1、陶瓷生胚片2、接著層 1 〇、內部電極層8、剝離層5及第二支持片4施以切割加 工；但並不一定要施以切割加工。 甚至，在前記實施形態中，在剝離層5的表面上，形 -53- (50) 1231510 成電極層6及間隔層7滿足ts/te=l . 1 ( ts係間隔層7的厚 度，te係電極層6的厚度），但只要是理想爲滿足0.7 $ t s /1 e S 1 . 3者，較理想爲滿足〇 · 8 $ t s /1 e $ 1 . 2，更理想爲 〇.9Sts/te^l.2而形成者即可，並非一定要形成爲 t s /t e = 1 · 1。 又，前記實施形態中，雖然接著劑溶液中，添加有咪 唑啉（imidazoline )系界面活性劑，但接著劑溶液中並非 一定要添加咪哗啉（i m i d a ζ ο 1 i n e )系界面活性劑。 甚至，前記實施形態中，雖然使用如第7圖所示的接 著裝置，將電極層6及間隔層7，隔著接著層1 〇，接著在 陶瓷生胚片2的表面上，而且在其後，將第二支持片4從 剝離層5剝離下來，但是，亦可使用如第6圖所示的接著 •剝離裝置，將電極層6及間隔層7，隔著接著層1 〇接 著在陶瓷生胚片2的表面上的同時，還一倂將第二支持片 4從剝離層5剝離下來。 若根據本發明，則可提供層積電子零件用之層積體單 元之製造方法，其爲可卻實地防止陶瓷生胚片（green sheet )之變形及破壞，同時，可防止電極糊中的溶劑渲 染至陶瓷生胚片中，且可如所望般地製造陶瓷生胚片和電 極層層積而成的層積體單元。 【圖式簡單說明】 〔第1圖〕第一支持片表面上，形成有陶瓷生胚片之 狀態的槪略部份剖面圖。 -54 - (51) 1231510 〔第2圖〕該表面上，形成有剝離層及電極層之第二 支持片的槪略部份剖面圖。 〔第3圖〕剝離層表面上，形成有電極層及間隔層之 第二支持片的槪略部份剖面圖。 〔第4圖〕在第三支持片表面上，形成有接著層之接 著層片的槪略部份剖面圖。 〔第5圖〕將形成在第三支持片上的接著層，接著至 形成在第一支持片上之陶瓷生胚片表面，從接著層將第三 支持片剝離之接著·剝離裝置的理想實施形態之槪略剖面 圖。 〔第6圖〕已形成於第一支持片上之陶瓷生胚片的表 面上，接著了接著層，將第三支持片從接著層剝離下來之 狀態的槪略部份剖面圖。 〔第7圖〕在電極層及間隔層表面，隔著接著層，接 著陶瓷生胚片之接著裝置的理想實施形態之槪略剖面圖。 〔第8圖〕隔著接著層，而將陶瓷生胚片和內部電極 層予以接著，所形成之含有第一支持片、陶瓷生胚片、接 著層、內部電極層、剝離層及第二支持片的層積體，被施 以切割（si it)加工之狀態的槪略部份剖面圖。 〔第9圖〕第一支持片上，層積有陶瓷生胚片、接著 層、電極層、間隔層、剝離層及接著層的層積體單元之槪 略剖面圖。 〔第1 〇圖〕層積體單元之層積製程之第一步驟的槪 略部份剖面圖。 -55- (52) 1231510 〔第1 1圖〕層積體單元之層積製程之第二步驟的槪 略部份剖面圖。 〔第12圖〕層積體單元之層積製程之第三步驟的槪 略部份剖面圖。 〔第1 3圖〕層積體單元之層積製程之第四步驟的槪 略部份剖面圖。 〔第1 4圖〕層積體單元之層積製程之第五步驟的槪 略部份剖面圖。 〔第1 5圖〕將固定於基板上之支持體上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第一 步驟的槪略部份剖面圖。 〔第1 6圖〕將固定於基板上之支持體上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第二 步驟的槪略部份剖面圖。 〔第17圖〕將固定於基板上之支持體上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第三 步驟的槪略部份剖面圖。 〔第18圖〕將固定於基板上之支持體上所層積之層 積體塊，層積至層積陶瓷電容之外層上的層積製程之第四 步驟的槪略部份剖面圖。 元件對照表 1 :第一支持片 1 a :表面處理領域 -56- (53) (53)1231510 1 b :非表面處理領域 2 :陶瓷生胚片 4 :第二支持片 5 :剝離層 6 :電極層 7 :間隔層 8 :內部電極層 9 :第三支持片 1 〇 :接著層 1 1 :接著層片 1 2 :切割縫 1 5 :加壓滾輪 1 6 :加壓滾輪 1 7 :力□壓滾輪 1 8 :加壓滾輪 1 9 :切割加工機 20 :層積體單元 2 5 :基板 26 :孔 2 8 :支持體 30 :基台 31 :孔 3 2 :接著層 3 3 :外層 -57 (54)1231510 40 :層積體塊 α :蛇行量
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