TWI231498B - Information recording medium, a method for recording information and a method for manufacturing a medium - Google Patents

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TWI231498B
TWI231498B TW091119547A TW91119547A TWI231498B TW I231498 B TWI231498 B TW I231498B TW 091119547 A TW091119547 A TW 091119547A TW 91119547 A TW91119547 A TW 91119547A TW I231498 B TWI231498 B TW I231498B
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TW
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recording
interface layer
recording layer
aforementioned
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TW091119547A
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Makoto Miyamoto
Junko Ushiyama
Yasushi Miyauchi
Kazuyo Umezawa
Akira Kashiwakura
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Hitachi Ltd
Hitachi Maxell
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

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1231498 A7 B7 五、發明説明（ 【發明之詳細說明】 【發明之所屬技術領域】 本發明係有關於藉由能量光束的照射而進行資訊之記錄 的貧訊記錄媒體、資訊記錄方法及媒體製造方法，特別係 有關於DVD-RAM、DVD-RW等的相位變化光碟、使用該光 碟之記錄方法、及該製造方法。 【習知技術】 近年來，DVD-ROM、DVD-Video等的重現專用型光碟市 場正逐漸擴大。且所謂4·7 GB DVD-RAM*4 7 gb d^d_ 請之可改寫的DVD己投入於市場，而電腦用備份媒體、取 = VTR的影像記錄媒體係正急速地擴大其市場。而且最近 幾年來，正擴大其對記錄型DVD的傳送率、對提昇存 要求之市場。 _-RAM、DVD_RW等的可記錄消除之記錄型_媒體 ’係採用相位變化之記錄方式。基本上，相： 式係實施使「0」#「；!」之資·施认,“ 己錄方 。之貝Λ對應於結晶和非結晶之記 錄。此外，由於結晶和非結晶之折射率相異 的折射率、膜厚，以使結晶變化的部份 °各層 :之反射率之差得以形成最大。藉由在該結I::::: 非結晶化的部份照射雷射光束’且重現其反射光 、 而能檢測已記錄的「〇」和Γ 1」。 曰也， 此外，為了將既定之位置作成非結晶 記錄」），係藉由照射較高功率的雷 以動作為「 層的溫度形成於記錄層材料的融點以上束而:加熱至記錄 乂上，而為了將既定之 -4- 本紙張尺度&用中酬家標¥(CNS) Μ規格(⑽χ挪公紅 1231498
位置作成結晶（通常稱該動作為「消除」），係藉由照射 ^功率的雷射光束，而加熱至記錄層的溫度形成於記錄^ 材料的融點以下之結晶化溫度。藉由如此之措施，則能； 逆地改變非結晶狀態和結晶狀態。 記錄型DVD為了回應對傳送率提昇的要求，其一般性 方法’係提昇媒體的旋轉數，以在短時間進行記錄消除。、 ，此之際，盎寫資訊於媒體之際的記錄消除特性即構成 題。以下，詳細說明以上之問題。 曰探討使某既^之位置由非結晶變化至結晶的情形。在提 升媒體的旋轉數時’雷射光束通過前述既定的位置之 :變短二同時，既定的位置其維持於結晶化溫度的時間二 &丑。-旦維持於結晶化溫度的時間亦變得過短，由於 能充分地生成結晶，故殘留非結晶。此情況即反應於重現 “唬’而造成重現信號品質的劣化。 作為解決該問題的方法，係、可考量如下之兩方法。 由改變記錄膜組成而使結晶速度高速化。2.使用促進心 於圮錄膜的界面層、記錄膜的結晶化之材料。 例如’特開2001-322357中’係使用添加Ag、ai、c Μη二的金屬於Ge_Sn_Sb_Te系材料之材料而作為記錄㈣ 二匕：声獲得可高密度記錄、且優異重覆改寫性能、且 “曰化感度的經時劣化為小的資訊記錄媒 2-14289亦敘述有Ge_Sn-Sn_Te系之記錄膜材料。 汗 此外，特開平5-342629則係連接於記錄層、並萨由導入 促進Sb40Tei〇Se5。等的記錄層結晶化的界面層，而能短時間 -5-
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作成記錄層之結晶。而且，特開平9_丨6丨3丨6係藉由設置例 如由Sbje3等所構成的層作為其界面層（結晶化促進層），以 進行極鬲度之初期結晶化處理。進而，特開2〇〇1 _273673係 藉由設置由SnTe、PbTe等所構成的層作為其界面層（結晶核 生成層），而能獲得即使長期保存後，亦無下降其結晶化速 度之資訊記錄媒體。 【本發明欲解決之課題】 記錄資訊於採用相位變化方式之光碟之際，通常係依據 CLV (Constant LenearVel〇city:固定線速度）方式而控制光 碟的旋轉數”亦即’其係一使雷射光束和光碟的相對速度 持續固定之控制方法。相對於此，cAV (c〇nstant八叫心
Ve—:固定角速度)方式則係光碟的旋轉之際，使角速 度固定而控制旋轉之方式。 CLV方式之特徵：i.由於其記錄重現時的資料傳送率一 直固定，故能使信號處理電路極為簡單化。2.因使雷射光 碟的相對速度持續固冑，記錄消除時的記錄層的溫 固定，故對媒體的負荷較小。3.作動雷射光束於 時’因應於半徑位置而必須重新控制馬達 的方疋轉數。因此，其存取速度大幅下降。 位===徵夕記錄重現時的資料傳送率依據半徑 位置而有所不@ ’故信號處理電 光碟的相對速度依據半徑位置 2.雷射先束和 的記錄層的溫度履歷係極為依存於二=故記錄消除時 構成的光碟。3.作動雷射光束於光置：須要特殊 %呆的+徑方向時，因應 -6- 1231498
:半彳二位置而卻無須重新控制馬達的旋轉數，故能高速存 取。 藉由使用七述習知例所揭示之記錄層材料、界面層材料 P使在光碟線速度為南速時，亦能實現極佳之記錄重現 特f生；”丨而，岫述習知例因並無充分考量進行CAV記錄時 立2題、、故在進行C AV圮錄時，於資訊記錄媒體的内周 邛田中’產生所謂自已記錄的資訊所重現的重現信號品質 大幅劣化之問題。 ★此外，習知例所示之Sb4〇Te10Se50、Sb2Te3、SnTe、PbTe =構成的界面，由於1Q萬次程度的多次改寫，而產生所 謂溶入於記錄臈中，而使重現信號劣化之問題。 因此，本發明之目的，係提供一可進行cav記錄，且即 使=進行1G萬次程度的多次改寫之際，重現信號亦無劣化 之資訊記錄媒體。 疋故本發明之另一目的，係提供一可進行CAV記錄， 士即使於進行1G萬次程度的多次改寫之際，重現信號亦無 劣化之資訊記錄媒體之製造方法。 【解決課題之手段】 夕2能獲得可進行CAV記錄，且即使於進行1〇萬次程度的 多j改寫之際，重現信號亦無劣化之資訊記錄媒體，故整 理前述習知例之問題點。 本發明欲解決之課題係以下2點。 1) 對多次改寫時之界面層材料之記錄層的溶入抑制。 2) CAV記錄時的内周部之重現信號劣化的抑制。 ® S^i^CNS) A4規格_χ297公董)---—- 1231498
、下依久况明1)2)之原因。又，此處以圖1的構造之資 =錄媒？為前提而作說明。亦即，在基板上依次積層第1 收=層、第1界面層、記錄層、第2界面層、第2保護層、吸 率控制層、熱擴散層、紫外線硬化性保護層之構造。此 本务明之功效係不自限於圖i的構造之資訊記錄媒體。 對界面層材料之記錄層的溶入原因 以圖2說明該現$。圖2係採用習知例所示之 、Sbje3' SnTe、pbTe等的界面層材料作為第丨界面層、第 2界面層時之資訊記錄媒體的記錄層周邊部之截面圖。以透 鏡對焦的雷射光束係如圖2聚焦於記錄膜。此時，雷射光束 主要係在記錄層的第丨界面層側的面被吸收。此結果，在連 接於記錄層的第1界面層的面中，其記錄層即發熱。如此， 圖2_所不之構成的情形時，記錄層的第丨界面層側的溫度係 有恒常較記錄層的第2界面層側為高之傾向。 L吊如以上所示，促進記錄層的結晶化之界面層材料， 其融點係較一般作為界面層所使用的^3仏、COOS等為低 ，故一旦重覆10萬次程度的多次改寫，則自第1界面層側選 擇性地溶入界面層材料於記錄層。此外，發明者等發現作 為促進。己錄層、、Ό阳化的層，Βία。亦顯示極佳的性能。但 是，BhTe3的融點亦低為6〇〇它，故產生和前述習知材料相 同的問題。而且，發明者等即使不使用如前述習知材料之 SbwTewSew、ShTh、SnTe、PbTe之化合物作為界面層， 而/、H、、加Sn、Pb、Βι等的元素於界面層材料，亦能獲得記 錄層的結晶化促進功效。此係含於記錄層中的以和前述以 -8 -
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、Pb、Bi等的元素相結合，且分別產生SnTe、ρι^、 等的結晶性的化合物之故。依此，而在界面層表面以前述 結晶性化合物作為結晶核，而促進了記錄層的結晶化。例 如:作為界面層材料，即使使用以〇2、外〇2、則2〇3等的前 述兀素的氧化物化合物，或、pbs、等的前述元 素的硫化物，或SnSe2、PbSe、等的前述元素的硒化 合物，由於游離的前述元素和記錄層中的Te相結合，且產 生結晶性的化合物，故亦能獲得促進記錄層的結晶化之功 效。但是，前述氧化物、硫化物、硒化合物亦對熱係不安 定’故在記錄層中溶人前述元素，產生所謂使重現信號劣 化之問題。 另一方面，僅在第丨界面層使用對熱為安定的高融點 CqO3、GhN4等、但卻無促進記錄層的結晶化之功效的界 面層材料，並在第2界面層使用前述習知例所示之 Sb40Tei0Se5()、Sb2Te3、SnTe、pbTe等的界面層材料時，則 不產生如此之問題。此情形係顯示出前述界面層材料自第工 界面層側溶入於記錄層之狀況。如上述，卩面層材料的溶 入至記錄層之原因，係因為記錄層的第丨界面層側部份已高 溫化，故界面層材料自第丨界面層往記錄層溶入。又，如= 述，使用無促進記錄層的結晶化之功效的界面層材料時，1 在高速記錄時，產生無法充分進行結晶化的問題。 2) CAV記錄時的内周部之重現信號劣化的原因 首先說明重現信號無劣化的外周部之非結晶標記周邊部 的結晶狀態圖3A、B。圖3A係表示在結晶的上面蓋寫新的 -9- 本紙張尺度適财目目家鮮(CNS) A4ft^(21〇X297公奢)— A7 B7 1231498 五、發明説明（ 非結晶標記和非結晶標記周邊部的結晶狀態之圖示。溶融 區域係維持原狀地形成非結晶標記為其特徵。此外，如圖 3B所示，即使在圖3A上蓋寫新的非結晶標記，圖3a的非結 晶標記係完全結晶化。 繼之，以圖4A、B說明内周部的重現信號劣化的原因。 ® 4 A係表示在g知之資§Rj記錄媒體的内周部記錄非結晶 標記之際的非結晶標記周邊部的結晶狀態之圖示。其特徵 之處係非結晶標記較溶融區域大幅變小。此係在非結晶標 D己忑錄才自、、二由田射光束所溶融的溶融區域的外緣開始 生成結晶，且記錄標記產生收縮現象（再結晶化）之故◊以 下月《亥王里由。CAV s己錄中其内周部的光碟線速度變慢。 因此’在因通過的雷射光束的熱的影響下，溶融區域的冷 卻速度變慢，此結果’非結晶區域即進行再結晶化之故。 口此f；後所生成的非結晶標記的尺寸係較溶融區域為 小’而降低重現信號振幅（問題引發收縮的再結 晶化區域的結晶粒徑’係較正常結晶化區域為大。此外， 如圖3B所示，在圖3A上蓋寫新的資訊時，於非結晶標記之 間殘留有結晶粒徑相異的結晶。當結晶粒徑相異則反射率 亦相異，故該結晶粒徑的分散即引發反射率的分散… 果造成重現信號的雜訊的上昇(問題2)。此外，結晶粒徑的 分散係引發熱傳導率、融點、結晶成長速度的分散。此結 果，非結晶標記形狀受到牡晶私贫< Μ、 /肌又巧、、口日日粒徑的分散的影響，而重 信號即劣化(問題3)。如上述’内周部之重現信號劣化的主 要原因係因再結晶化而引發的問題丨〜^。 -10-
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八人表示4述1 )2)之課題的具體性解決對策。 1)對多次改寫時的界面層材料的記錄層的溶入控制 為能：決前述課題，係在p界面層和第2界面層，使含 有促進則述S己錄層的結晶化之功效的出、^
丄甚^為能抑制前述低融點的元素溶人於記錄層 含於弟1界面層的Bi、Sn、Pb等 使I 層為少為佳。 ㈣3有里的和，較第2界面 或則，由於Te亦為低融點乍 ，即使在使用SnTe、PbTe、BlT f界面層或弟2界面層 使包含於第2 e3#的Te化合物之際，亦 於第4面層的Bi、Sn、pb、 第2界面層為少為佳。 ，里旧不季乂 使包含於界面層的則，、—的含有 材料於添加對熱之化學性安定的Ge_N系的 柯料於界面層之方法 r τe係和Sn、Pb同族之元素，且和Bi Te均易形成化合物之故。 和氮相結合，故藉由乎加G — Bl、Sn、Pb、Tem 進功效的下降。"“ Ge-N而能避免記錄層的結晶化促 :=面層的製造方法’其以下的方法係可降低藏 :賤二且能縮小對基板的熱顫動，並能使用可降 格之Dc賤鍍’而且，因能均勻地添加 極優異。亦即，藉由進行合
Pb者中之1一沾-主 有Te和Ge，甚至含有Bi、Sn、 体的沪铲:、：：、的濺鍍耙材，和使用含有氮的濺鍍氣 此：二而將前述之界面層予以製膜之方法。 N系材料的添加之外，添加過渡金屬氧化物、
1231498 五、發明説明（9 ) 或過渡金屬氮化物亦可。此係因過渡金屬易改變 ^使Bl、Sn、Pb等的元素游離，但改變過渡金屬= 子數，而在過渡金屬和Bi、Sn、Pb之間產生結合，而2 成對熱安定的化合物之故。特別是，Cr、M = ，易改變價電子數’在和前述金屬之間易生成對熱安定: 化合物，故為優異之材料。 疋的 此外ά於光子上的要求，或為能控制記錄膜的結 ，而必須將第i界面層作薄為3 _以下日夺，第i界面匕 法為層狀，且形成斑紋之情形。而即使在此情形時:雖^ 進:己錄層的結晶化功效並無消失’但使用於第“呆護層的 n -SA中的硫，係有通過第i界面層且溶人於記錄層之产 形。如此之情形，係可使用較ZnS_si〇2對熱更安定二 此外，對資訊記錄時的第2界面層之熱負荷，係 面層為小，但由於光學上的要求，或為能控制記錄膜的处 晶化，而必須將第2界面層作薄為〗nm以下時， 二 係無法為層狀，且形成斑紋之情形。而即使在此情形時，曰 雖促進記錄層的結晶化功效並無消失，但使用於第2保護層 的ZnS-Si〇2中的硫，係有通過第2界面層且溶入於記錄層： 情形。如此之情形，係可使用較ZnS-Si〇2對熱更安定、曰且 含有促進記錄層的結晶化之以的Sn〇2等之材料，而 ZnS-Si02 。 ^ 2) CAV記錄時之内周部的重現信號劣化的抑制 12- 本紙張尺度適财目g^^s) A4iW2i() x 297公釐） 五、發明説明（10 化::體:抑記錄時之内周部的重繼 現信號劣化之原因，：: 光束所溶融的溶融區域的=;=:時，自經由雷射 只要抑制結晶化Γ可'°。= 2 解決前述問題係 亦即，使用έ士曰u ρ制、会°曰曰化則結晶即難以生成’ 。作是，使用°r卜度為慢的材料料記錄層材料即可 仁疋使用如此之材料時，於外周 度變快時，雷射光束的加埶在先碟線速 於結晶化溫度的時間亦變；不ΤΠΓ錄層維持 非結晶標記無法充二::::之:題產生所 :是而=月者等銳意鑽研到底應如何才得以解 ::說::::1::題的解決方法之對策，… 圖^系m兒明產生習知媒體之再結晶化之機構之圖示 。:般而5，記錄層的結晶化係可根據2種類的現象的成立 而說明之。㈣，係核形成與結晶成長。核形成與結 長的速度係形成如第5圖所示之溫度的函數。亦即，結晶成 長速度係在記錄層材料的融點正下時為最大，而核速 度係較在結晶速度為最大時之溫度更低溫側時為最大。 然而―，如前所說明，相位變化記錄係藉由將記錄層材料 加熱至融點以下之結晶成長溫度附近而使非結晶標記結晶 化。此時，因通過升溫時其核形成速度成為最大之溫度曰，曰 故於ό己錄層中生成結晶核。此外，進而一旦溫度上升护 1231498 A7
則結晶成長速度即變快，故以彳 、 玟以低溫側所生成之結晶核為中 心’而能使結晶成長’且使非結晶標記全體結晶化。 另方面纟忑錄非結晶標記時’係將記錄層之溫度加 :、至記錄層材料之融點以上。此時，纟非結晶標記的中心 h係於冷卻的同日夺’亦使記錄層非結晶化。但，已溶融 :區域之外緣部’係於外緣部之溫度為冷卻至融點正下之 ί成長速度為最大之溫度範„，因係、由外緣部之結晶 而朝向溶融區域之中心部成長結晶，故最後已記錄之非結 晶標記之尺寸即變小(圖6)。此係產生再結晶化之架構。 五、發明説明 為能解決前述再結晶化的問題，係可如圖7所示，降低結 :成長速度的最大值’且提升結晶成長速度的最大值。依 據如此之措施’於非結晶標記記錄時，即能自溶融區域外 緣部抑制結晶成長(圖8)。此外’使非結晶標記結晶化之際 :其和圖5作比較’因結晶核係形成多數，故即使結晶成長 速度下降，而能使非結晶標記全體結晶化。 曰曰 發明者等發現如圖7所示，為能提升核形成速度，且使处 成長速度下降，係有二個方法，亦即如下之方法。 方法A:於記錄層材料方面，使用核形成速度、結 長速度均慢之材料’於界面方面係使用能加速核形成：度
之材料。 X 方法B:於記錄層材料方面，使用核形成速度較快，而斧 晶成長速度較慢之材料。 ' σ 茲詳細說明方法A、Β如下。 方法A之情形，係以含有前述Sn、pb、則等元素作為界 -14 - m m ^^^(CNS) A4祕(2ΐ〇^^^7~-----—--- 1231498 A7
面層材料為佳。又，該界面層係於第丨、第2之其中之一戋 兩方含有上述之元素為佳。此時，作為界面層材料係可^ 用Sn〇2、Pb〇2、Bi^3等前述元素之氧化物化合物，或化心 、PbS、Bi2S3等前述元素之硫化物、或SnSe2、扑〜、Bijej 等前述元素之硒化物、SnTe、PbTe、仙3等碲化物二之3 Sn、Pb、Bi之硫硒碲化合物。其主要係依據結合記錄層中 之Te和Sn、Pb、Bi之措施，而於界面層的表面，使〜丁曰^ PbTe、Bije3等之結晶化溫度降為極低（結晶化溫度係室π 以下），且於記錄膜進行結晶化之際，產生能促進記錄膜$ 結晶核生成之化合物。當然，於界面層含有化、扑、則之 碲化物之情形時，其生成記錄膜的結晶核之功效為最大， 但，Sn、Pb、Bi之氧化物、硫化物、硒化物等，因盆融點 較高，故抑制Sn、Pb、Bl溶入於記錄膜中之現象之功效亦 較高:此外，和Sn、Pb、則之碲化物作比較，因以、抑、 B!之氧化物、硫化物、硒化物等其吸收率較低，故能擴大 光學設計之自由度。理想上係如前所示，依據使用混合有 Sn、Pb、Bi之碲化物和以3比、ο"3等高融點化合物之材 料作為界面層之措施’而能抑制因多次改寫而前述元素溶 入於記錄層巾之現象，且因能減低界面層之吸收率，且擴 大光學設計之自由度故為佳。 〃 此外，作為記錄層材料係可在以適當比例而使習知之 GeTe和Sbje3予以混合之GeSbTe系記錄層材料中，使用添 加過剩的Sb之組成比之記錄層材料。具體而言，以下的组 成式中所示之範圍之記錄層材料係極優異。（以下為原子％) -15- 1231498 五、發明説明 A7
Gex.YSb4〇.〇.8X+2YTe60.〇2x_Y 20< X< 45，0·5< Y< 5 此外，於添加過剩_量之外，亦可添加能使㈣成速 度、結晶成長速度下降之元素，具體而言，以下的組成式 中所示之範圍之記錄層材料係極優異。 (Gex_YSb40_0.8X+2YTe60_0 2χ γ) ι〇〇 ζ μζ 20<Χ<45，0·5< Υ<5，〇·5<ζ<5 但，Μ係自 Ag、Cr、Si、Ga、A1、In、B、_ 素。 此外’記錄層材料之結晶成長速度係盡量以較慢為佳， 但’ -旦過慢則在資訊記錄媒體的外周部當中，產生所1 的非結晶標記無充分結晶化之問題。為避免該問題，係^ 在第1界面層和第2界面層之兩方，盡量添加多數能促進記 錄層材料的結晶化之材料。然而’一旦添加多數的〜、抑 、：Βι等70素於第！界面層時，多 ^ 、夕— 人改寫時因產生所謂溶入 :類…記錄層中的問題，故包含於第1界面層之前述元 素係較第2界面層為少為佳。 繼之，詳細說明方法B。
發明者等發現依據添加Bi2T ΓρΤ ^ 2 3於以適當比例而使習知之
GeTe和Sbje3混合之GeSbTe系記 提升核形成速度且進行CAV記錄^亦措施’即使在 錄媒體的内周至外周之優異的記二=獲資訊記 習知例中所示之GeSnSb 寺性。如别所示之 丁叶亦為核形成速度極佳之 16- 14 1231498 五、發明説明（ 材料，但，依據發明者等之實驗而添加之方法，大 其提升結晶成長速度之功效係較大，且非結晶和/ ^ 射率差亦較大，故能提升重現信號振幅。具體而今^八 有量可為卜9%。而且以下的組成式中所示 ： 材料係極為優異。 本層 (Gex.YSb4〇.〇.8X+2YTe6〇.〇.2x.Y) l〇〇 z (Bi2Te3)z 20< X< 45，-2< Y< 2，2·5< Z< 25
又’前述4元素的關係若在以前述組成式所表示之範圍ρ ，即使混入有雜質，而雜質之原子％為1%以内時， I
明之功效並無消失。 、 X 此外，本發明係以相位變化光碟或單以光碟而顯示前述 資訊記錄媒體，但本發明係依據能量光束之照射而產生熱 ，且因汶熱而使原子排列產生變化，據此而若為進行資訊 記錄之資訊記錄媒體’則可適用，故特別不依據資訊記錄 媒體的形狀，而亦能適用於光卡等圓盤狀資訊記錄媒體以 外之資訊記錄媒體。 ;Κ 1卜1本說明書中係以雷射光束或單以雷射光或光顯示 河述能量光束’但，如前述本發明係可產生熱於資訊記錄 媒體上之月b昼光束時，即能獲得功效，故於使用電子光束 等月b里光束之情形時，本發明之功效亦無消失。此外，本 毛明係針對紅色雷射（波長645_66〇 nm)用資訊記錄媒體而 發明，但，並不只特別依據雷射之波長者，而對依據藍色 雷射、I外線雷射等之波長較短之雷射而進行記錄之資訊 記錄媒體亦發揮其功效。 17- 本紙張尺錢财關格(21QX297公澄) 15 1231498 五、發明説明（ 此外，本發明係以能配置有基板於記錄層之光入射側之 構成為前提，但，在記錄層的光入射側之相反側配置基板 ，且在光入射侧配置較基板為薄的保護膜等之保護材之情 形當中，本發明之功效亦無消失。 【發明之實施形態】 以下以圖1及圖9〜13表示本發明之實施例。又，測定各實 施例所示之資訊記錄媒體的諸性能時，係以後述之資訊^己 錄裝置（圖13)和評價條件而測定内周部顫動（在内周部當中 記錄隨機信號10次之後之顫動）、及外周部顫動（在外^部 當中記錄隨機信號10次之後之顫動）。此外，為調查溶入至 界面層材料的記錄層之影響，而測定内周部之1〇次記錄後 振幅和α :欠記錄後之11T振幅之差（以下，稱為「振 」）又本資说δ己錄媒體係採用平地.凹槽記錄。 此’此處係表示記錄資訊於平地和凹槽時之平均值。又 ’各性能之目標值係如下述。 内周部顫動：9 %以下 外周部顫動：9%以下 振幅劣化：2 dB以下 又在圖9、1 0當中，係以◎、〇、X表兮己太脊 價結果，而判定基準係如下述。0表°己本貫施例之評 :下内周部顫動、外周部顫動係8%以下，或振幅劣化係1犯 2周部頦動、外周部顫動係9%以下，或振幅劣化係 本紙張尺度 -18 X 297公釐） 1231498 A7 ____________ B7 五、發明説明（ ） X ·内周部顫動、外周部顫動係高於9%、或振幅劣化係大 於 2 dB。 、 圖1係本發明的資訊記錄媒體之基本構成。亦即，在基板 ^依次積層第1保護層、第i界面層、記錄層、第2界面層、 第2保護層、吸收率控制層、熱擴散層、紫外線硬化性保y護 層之構造。此處，基板係使用聚碳酸酯製的厚度〇·6瓜❿之 基板，基板係預先形成有和4·7 GB DVD_RAM相同格式之 溝形狀和預置坑洞。 <實施例1 > 首先，進行習知構造的資訊記錄媒體之試作而作比較。 百先，依據濺鍍處理，在前述基板上製膜12〇 之 (ZnS)80(Si〇2)20作為第1保護層，製膜3 nm之Cr2〇3作為第i 界面層，製膜8 nm之Ge3 3 3讥⑴Te53 4作為記錄層，製膜 1·5 nm 之 Ci*2〇3作為第 2界面層，製膜 3〇 nn^(ZnS)8〇(Si〇2)2〇 作為第2保護層，製膜35 作為吸收控制 層，製膜60nm之Α1"ΤίΗφ為熱擴散層。 評價前述資訊記錄媒體的結果，如圖9之編號丨所示，内 周部顫動、振幅劣化係達成目標，而外周部顫動係未達目 標。 繼之，令第1界面層、第2界面層作成讥打以時，如圖9之 編號2所示’全部之項目均未達目標。 繼之，令第1界面層、第2界面層作成SnTe時，如圖9之編 號3所示，外周部顫動係達成目標，而内周部顫動、振幅劣 化則未達目標。 -19- 17 1231498 五、發明説明（ 繼之，令第1界面思 + _示，外㈣界面層作成咖時，如圖9之編 化則未達目標。 糸達成目標，而内周部顫動、振幅劣 繼之，令第1界面M Μ 繞所干.w 9、苐2界面層作成Bi2Te3時，如圖9之 編號5所不’外周部顫 劣化則未達目標。達成目軚，而内周部顫動、振幅 構成係、無法使cav記錄時之重現信號品質 和夕寫％之振幅劣化作成兩立之狀態。 <實施例2 > 依據濺鍍處理，在前述基板上製膜120 nm之 „〇(，〇2)2〇作為第i保護層，製膜）⑽之後述之第1界面 "1膜8聰之Ge33 3 Sbl33Te53 4作為記錄層，製膜％ =nS)8G(Si〇2)2G作為第2保護層，製膜35咖之〜（⑽3)1() :、、、吸收率控制層’製膜6G⑽之Al99Ti#為熱擴散層。 此處，令第1界面層作成（SnTe)50(Ge3N4)50,且令第2界面 層作成SnTe時，如圖9之編號6所示，内周部顫動係未達目 標，而外周部顫動、振幅劣化則達成目標。 繼之，令第1界面層作成且令第2界面 層作成PbTe時，如圖9之編號7所示，内周部顫動係未達目 ‘ γ而外周部顫動、振幅劣化則達成目標。 繼之’令第1界面層作成（Bi2Te3) 5〇(Ge3N4)5〇、且令第2 界面層作成Bijes時，如圖9之編號8所示，内周部顫動係 未達成目標，而外周部顫動、振幅劣化則達成目標。 如上述，使包含於第1界面層之Sn、Pb、Bi之含有量較第 A4規格(2Κ)Χ297公釐） 18 五、發明説明（ 2界面層為小，據此即能抑制因界面層材料係溶入至記錄層 之振巾田劣化之障形。但’前述構成係無法充分減低CAV記 錄時之内周部顫動 <實施例3 > 依據濺鍍處理，在前述基板上製膜12〇⑽之 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第！保護層，製膜3 nm之後述之第1界面 層’製膜“m之Ge33.3Sbl33Te53 4作為記錄層，製膜 j述之第2界面層’製㈣nmMZnS)8Q(siQ2)2G作為第2 保護層，製膜35nm之Cr9〇(Cr2〇3)i〇作為吸收率控制層，製 膜60llm之Al99TMt為熱擴散層。 此處，令第1界面層作成SnTe，且令第2界面層作成 ，如圖9之編號9所示，外周部 成目,，而内周部顫動、振幅劣化則未達目標。 ’、
繼之，令第1界面層作成PbTe，且令第2界面層 (PbTehMGe3^)5^，如圖9之編號1〇所示，外 達成目標，而内周部顫動、振幅劣化則未達目標。^動係 繼之，令第1界面層作成Bi2Te3、且令第2界面 (Bl2Te3)50(Ge3N4)5(^，如圖9之編號u所示，外 係達成目標，而内周部顏動、振幅劣化則未達目標:S 上Λ’使包含於第1界面層之311、抑、則之含^量較第 1 9 :、、、小，即明顯呈現因界面層材料係溶入至記餘 振巾“化之情形。此夕卜，前述構成係無法充分:;， 錄時之内周部顫動 < 他CAV圮 -21 - 本紙張尺度如中1國家標準x 1231498 A7 B7 五、發明説明（ <實施例4 > 依據錢錢處理’在前述基板上製膜120 run之 (ZnShJSiO2)2^作為第1保護層，製膜3 之後述之第1界面 層’製膜^11111之〇63()3訃1931^5()4作為記錄層，製膜1.511111 之後述之第2界面層，製膜30 nm之（ZnS)8〇(Si02)2()作為第2 保遵層’製膜作為吸收率控制層，製 膜60nmiAl99Tii作為熱擴散層。
此處，令第1界面層作成（SnTehJGesN4)，且令第2界面 層作成SnTe時，如圖9之編號12所示，全部之性能均達成目 標。 裝 繼之，令第1界面層作成且令第2界面 曰作成PbTe %，如圖9之編號丨3所示，全部之性能均達成目 訂
線 繼之’令第1界面層作成（Bi2Te3)6〇(Ge3N4)5〇，且令第2界 面層作成Bl2Te3時，如圖9之編號14所示，全部之性能均逵 成目標。 4 面層作成（Sn5Bi2Te8)5〇(Ge3N4)4〇、且▲ f界面層作成Sn5Bi2Te8時，如圖9之編號15所示，全部^ 能均達成目標。此外，特別是内周部顫動、外周部顫鲁 性能係極為優異。 $ 繼之’令第1界面層作成（pb4Bi2Te7)4〇(Ge3N4)6〇、且石 2界面層作成扑4則2^7時，如圖9之編號16所示，全部^ 此均達成目^。此外’特別是内周部顫動、外周部 性能係極為優異。 -22-
1231498 A7
繼之 2界面層二 8) 8〇(Ge3N4)2〇時，如圖 9之短％ , ^全部之性能均達成目標。此外，内周部顏：、=: 顫動、振幅劣化之性能均極為優異。 α # 、％之，令第1界面層作成 2界面層作成（Pb Bi T Y r 2 7)40( e3N4)6〇、且令第 ，全㈣二ΓΓ N4)2。時’如圖9之編號18所示 邛之|±此均達成目標。此外，内 動、振幅劣化之性能均極為優異。 ，、卜周部顫 如上述，依據使包含於第1界面層之Sn、Pb、Bi之含右旦 較第2界面層為小之措施 3有里 記錄層之振幅劣化之^ μ 層材料係溶入於 錄層中之I曰施’因能抑制記錄層材料進行再結晶化，故能 充分減低CAV記錄時之内周部顫動。進而依據使： Sn-B卜Te系材料、或Pb_Bi_Te系 單獨使用SnTe、PbTe、Bi2T作為第2界曰曰〜’而與 ^ 2 e 3彳乍為第2界面層之情形作比較 ，係能減低内周部寵私、& ^ 门丨』動外周部顫動。該情形係可視為記 么膜的結晶構造和界面層材料的結晶構造的類似性極高之 故。亦即’此處所使用之Ge_Sb-Te系材料係以適當之比例 予以混合GeTe和Sb2Te3之混合比，進而添加過剩之讥等。 处SnTe PnTe之結晶系係和GeTe為同糸，Bi2Te3之结 晶系係和⑽3為同糸。此係因Ge和Sn和Pb、以及 為同族元素之故。因此，Sn^Te系材料、或ΜΑ系材 料和iSb-T#材料之間，其結晶構造的類似性極高，而 且為高結晶性之材料。 -23- 本紙張尺度適用中國國豕標竿(CNS) A4規格(21〇X 297公---------"" 1231498 A7 B7
五、發明説明 此外，由上述之結果可判定添加G e 3 N 4等之高融點電介質 於第2界面層時，其抑制振幅劣化之功效極高。 此外，在圖9之編號1 7和第1界面層的厚度以外，作成相 同的資訊記錄媒體，該資訊記錄媒體之第丨界面層的厚度係 0.5 nm。此時，振幅劣化之情形已大幅惡化。因此用 (Sn〇2)8G(Cr2〇3)2G作為第1保護層時，即能大幅改善振幅劣 化之情形，且抑制於目標以下。 此外，在圖.9之編號17和第2界面層的厚度以外，作成相 同的資訊記錄媒體，該資訊記錄媒體之第2界面層的厚度係 0·5 nm。此時，振幅劣化之情形已大幅惡化。因此，使用 (Sn〇2)9G(ZnS)1G作為第1保護層時，即能大幅改善振幅劣化 之情形，且抑制於目標以下。 <實施例5 > 依據濺鍍處理，在前述基板上製膜12〇 nm之 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第}保護層，製膜3 之後述之第工界面 層，製膜8 nm之Ge32.2Sb15,5Te52.3作為記錄層，製膜15 之後述之第2界面層，製膜3〇 nn^(ZnS)8G(Si〇2)2。作為第2 保護層，製膜35nm之Cr9〇(Cr2〇3)i()作為吸收率控制層，製 膜60nm之A199TM，為熱擴散層。 繼之，令第1界面層作成Cr2〇3,且令第2界面層作成〜以 時’如圖9之編號19所#’内周部顫動、振幅劣化係達成目 標，而外周部顫動則末達目標。 此處’令第1界面層作成Cr2〇3,且令第2界面層作成pbTe 時’如圖9之編號20所示，内周部顏動、振幅劣化係達成目 -24- 本紙張尺度咖中國國家標準公^ 1231498
1231498 五 發明説明（ A7 B7 (SnTe)3〇(Cr2〇3)7〇時，如圖9之編號25所示，内周部 外:部顫動係達成目標，而振幅劣化則未達目標。！、 繼之，令第1界面層作成PbTe、且令第2界面眉 (SnTe)3〇(Cr2〇3)70時，如圖9之編號26所示，内周部 外周，顫動係達成目標，而振幅劣化則未達目標。 !之，令第1界面層作成、且令第2界面 (Bl2Te3)3〇(Cr2〇3)7〇時，如圖9之編號27所*，内周邻曰 外周部顫動係達成目標，而振幅劣化則未達目標顫動、 第使包含於第1界面層之^…出之含有量較 厚，,日夺’即產生因第以面層材料係溶入於士己錄 曰之振幅劣化之情形。但，依據添釺二 之措施，因能抑制記錄層材料進行再結晶化’故^層: 低CAV記錄時之内周部顫動。 “充分減 令第i界面層作成（SnTe)3G(⑽)7 層作成SnTe時，如圖9 7弟2界面 標。 S9之篇號28所-，全部之項目均達成目 =’令第！界面層作成（SnTe)3〇(crN)7 層作成PbTe時，如圖9之焰缺7弟2界面 標。 39之伽所示，全部之項目均達成目 繼之，令第1界面層作成（Bi2T 層作成時，如圖9之編號3{^，Nj；；、且令第2界面 目標。 王#之項目均達成 如上述，依據使包含於第1界面層之Sn、Pb、R•入女 較第2界面層為小之措施 b 之含有量 射因界面層材料係溶入於 * 26 - 1231498 A7 B7 五、發明説明（ 記錄層之振幅劣化之情形。此外，依據添加過剩的Sb於記 錄層中，因能抑制記錄層材料進行再結晶化，故能充分減 低CAV5己錄時之内周部顏動。此外，作為能減少包含於第工 界面層之Sn、Pb、Bi等元素之手段，可確定添加CrN等之 過渡金屬氧化物之措施係有效。 <實施例6 > 依據’賤鑛處理’在前述基板上製膜120 nm之 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第i保護層，製膜3㈣之 (5 2 8)20(Ge3N4)8〇作為第1界面層，製膜8 nm之後述之 σ己錄層製膜1.5 nmqSn5Bi2Te8^(Ge3N4h〇作為第2界面 層，製膜3〇咖之（如）8。卻〇2)2〇作為第2保護層，製膜35· 之Cr90(Cr2〇3)1〇作為吸收率控制層，製膜6〇咖之^⑼叫作 為熱擴散層。 地"?°己錄層作成（^33381)1331^53.4時，如圖10之編號 斤丁卜周σ卩頸動、振幅劣化係達成目標，而内周部顫 動係未達目標。 '7 °己錄層作成Ge32 7Sbl4.5Te52·8時，如圖10之編號 32所不’全部之項目均達成目標。 己錄層作成GesojSbbjTeso·4時，如圖1〇之編號 斤丁王邛之項目均達成目標。此外，周部顫動、内 雜動：表示其目標為1%以上，且其下為最佳值動 :一 錄層作成6以8.8讥22.4丁648.8時，如圖1〇之編號 34:不，：部之項目均達成目標。 " 錄層作成Ge27.8Sb24.4Te47.8時，如圖10之編號 -27- t張冗適用中國國家標公董) 1231498 A7 _— —_ B7 五、發明説明（ ） 35所示，内周部顫動、振幅劣化外係達成目標，而外周部 顫動則未達目標。 如上述，在記錄層對GeTe和Sbje3之混合組成未含有過 剩之Sb時，則無法充分減低内周部顫動。但，當添加過量 之Sb時，則引發外周部顫動之上升，因此，在以下之組成 式當中，Y係0.5〜5程度為佳。
Gex.YSb40.0 8X + 2YTe6〇.〇.2x,Y(2〇< χ< 45 » 0.5<Υ<5) <實施例7 > 依據賤錢處理，在前述基板上製膜12〇 之 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第！保護層，製膜3 之 (Sn5Bl2Te8)20(Ge3N4)8〇作為第1界面層，製膜8nm之後述之 σ己錄層’製膜15作為第2界面 層衣膜30 nm之（ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第2保護層，製膜35 nm 之Cr9G(Cr2〇3)1G作為吸收率控制層，製膜作 為熱擴散層。 此處，令記錄層作成^48%2^%”時，如圖1〇之編號36 所不外周部頸動、振幅劣化係達成目標，而内周部顏動 係未達目標。 ”薩之7 °己錄層作成GeuSbuTeso 2時，如圖1〇之編號37 所示，全部之項目均達成目標。 、塵之7 °己錄層作成Ge2〇Sb25.2Te54 8時，如圖10之編號 38所示，全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成時，如圖1〇之編號 39所示，全部之項目均達成目標。’ 本紙張尺度適财@ ® -28 - A7 B7 1231498 五、發明説明（ 如上述，在記錄層作為混合GeTe和Sh^Te3之組成比，係 在以下之組成式中，可判定X為20〜45之間係為佳狀態。 Gex_YSb4〇-〇.8x+2YTe6〇.〇.2x- γ(20< X< 45，〇.5< γ< 5) 此係當GeTe之量過多時，則結晶成長速度係變大且引發 再結晶化之情形，當GeTe之量過少時，則因結晶和非結晶 之間之折射率差變小，係無法充分使重現信號振幅變大之 原因。 <實施例8 > 依據錢鑛處理，在前述基板上製膜12〇 ηπι之 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇作為第1保護層，製膜3 nm之 (Sn5Bi2Te8)20(Ge3N4)8〇作為第1界面層，製膜8 nm之後述之 記錄層，製膜1.5 nm之（Sn5Bi2Te8)8〇(Ge3N4)20作為第2界面 層，製膜30 nm之（ZnS)80(SiO2)20作為第2保護層，製膜35 nm 之Cr9〇(Cr2〇3)i〇作為吸收率控制層，製膜60nm之Al99Tii作 為熱擴散層。 此處，令記錄層作成AglGe32.3Sb15.4Te52.3時，如圖10之 編號40所示，外周部顫動、振幅劣化係達成目標，而内周 部顫動係未達目標。 繼之，令記錄層作成Ag4Ge31Sb14.7Te5〇.2時，如圖10之編 號41所示’全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成Ag55Ge3〇.5Sb14.5Te49.5時，如圖1〇 之編號42所示，内周部顫動、振幅劣化係達成目標，而外 周部顫動係未達目標。 如上述，在記錄層作為混合GeTe和sb2Te3之混合組成系 -29- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(21〇X 297公董) 1231498 Δ7 Α7 _ Β7____ _ 五、發明説明（ ） 27 ，則即使添加Ag等金屬1〜5%程度，亦能獲得極佳之性能。 Ag之外，Cr、Si、Ga、A卜In、B、N係顯示和Ag相同之極 佳性能。如上述，以下之組成式中係可確定Z為〇·5〜5%程 度之間係為佳狀態。 (Gex_YSb4〇_0.8x+2YTe60_0.2X_Y)i〇〇_zMz (20< X< 45，〇·5< Y< 5，0.5< Z< 5) (但 ’ Μ係 Ag、Cr、Si、Ga、A1、In、B、N) <實施例9 > 在前述基板上製膜12〇 nm之 依據賤鍍處理 (ZnS)80(SiO2)20作為第！保護層，製膜3 nn^Ge3N4作為第i 界面層，製膜8 nm之後述之記錄層，製膜15 nn]^Ge3N4 作為第2界面層，製膜3〇 nm之作為第2保護 層，製膜35 tm之Cr9G(Cr2〇3)1G作為吸收率控制層，製膜6〇 nm之A199TM乍為熱擴散層。 、 此處’令記錄層作成Bi〇8Ge32 6Sbi3iTe53 5時，如圖1〇之 編號43所不’内周部顫動、振幅劣化係達成目標，而外周 部顫動則未達目標。 ° 繼之，令記錄層作成Bll.2Ge32.3Sbl3Te53 5時，如圖1〇之編 號44所不，全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成Bi^huSb".7。54 2時，如 號45所不，全部之項目均達成目標。 θ 、’ 繼之’令記錄層作成Bl8.8Ge為4Τ一 號46所示，全部之項目均達成目標。 、為 繼之’令記錄層作成Bi Ge ^ ime55日守，如圖1〇之編 本紙張尺；適财® a家料^ -30 - 1231498 A7 B7 28 五、發明説明（ 號47所示外周部顫動、振幅劣化係達成目標，而内周部 顫動則未達目標。 如上述在5己錄層添加Bije3於GeTe和Sb2Te3之混合組 成系，即使在第1界面層、第2界面層添加能促進Sn、Pb 、Βι等5己錄層之結晶化的材料，亦可獲得極佳之c記錄 性能。由上述之結果，可確定以下之組成式中Z為2.5〜25% 程度之間係為佳。 (Gex.YSb4〇.〇.8x+2YTe6〇 〇 2χ γ)ι〇〇 ζ (Bi2Te3)z(20< χ< 45 , -2< Υ<2 ^ 2.5<Ζ<25) <實施例10 > 依據濺鍍處理，在前述基板上製膜咖之 (ZnS)8°(Sl〇2)2G作為第1保護層，製膜3議之Cr2〇3作為第i 界面層，製膜8_之後述之記錄層，製膜i5m^c说作 為第^界面層，製膜30㈣之（ZnS)8G(Si〇2)2G作為第2保護層 ’製膜35 nm之Cr9()(Cr2〇3) ι〇作為吸收率控制層，製膜⑼㈣ 之Al99Tii作為熱擴散層。 繼之，令記錄層作成叫〜爲】7時，如圖1〇之編 號48所不’内周部顫動、外周部顫動均未達目標。 繼之，令記錄層作成Bi5Gei84Sb2Q3Te56 3時， 號49所示，全部之項目均達成目標。 炙扇 。繼之:令記錄層作成Bi5Ge38爲山52 3時，如圖工〇之編 號5 0所示，全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成Bi5Ge4〇 2Sb2 時， 所示，内周部顏動係達成目標，而内周部顏動則未= 31 t g a 297公愛） 1231498 A7 B7 五、發明説明（ 標。 如上述，在記錄層添加別八內於之混合組 成系時，即使在第1界面層、第2界面層添加能促進Sn、pb 、Βι等圮錄層之結晶化的材料，亦可獲得極佳之CAv記錄 性能。此外，該情形時之GeTduShTh之組成比的範圍， 係由上述之結果，可確定以下之組成式中又為2〇〜45产 間為佳。 & (Gex_YSb40-0.8X+2YTe6" 2χ γ)1〇〇 ζ (Bi2Te3)z(20<X<45，-2<Υ<2，2·5<Ζ<25) 進而令記錄層作成Bi5Ge27Sbi6Te52時，如圖ι〇之編號52 所示，内周顫動係達成目標，而外周顫動則未達目標。 繼之，令記錄層作成qu t . 丨F ^^CiemSbMTe52.8時，如圖 1〇之編 號53所示，全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成Bi5Ge3〇5Sb9iTe55_，如圖1〇之編 號54所示，全部之項目均達成目標。 繼之，令記錄層作成Bi5Ge3i3Sb73Te56^，如圖1〇之編 號55所示’周内顫動係達成目標，而外周顫動則未達目桿。 如上述，在記錄㉟添加Bi2TWGeTe和 成系時:即f在第1界面層、第2界面層無添加能促進Sn
Pb Bi等之。己錄層之結晶化的材料，亦可獲 記錄性能。此外，該情形時之GeTe* 住之 III，在Λ μ H士里 ^ 21 e3之組成比的範 圍係由上述、..口果，可確定以下之組成式中 間為佳。 马-2〜2私度之 (Gex_YSb40-0_8x + 2YTe60_0 2χ·γ)1〇〇 ζ -32-
1231498 A7 B7 五、發明説明（ (Bi2Te3)z(20<X<45，-2<Υ<2，2·5<Ζ<25) <實施例11 > (濺鍍裝置） 作為生產本發明之資訊記錄媒體用的濺錢裝置，係具有 複數的箱室，各箱室係設置一個濺鍍耙材，資訊記錄媒體 用之基板係適合於依次被搬送至各箱室間之所謂的枚葉式 之濺鍍裝置。 ' 此處，以圖1說明使用於本發明之資訊記錄媒體的製造之 濺鍍裝置之構造。本濺鍍裝置係具備合計9室之箱室。其中 ，使用於製膜用之處理的處理箱室係具備第i箱室至第8箱 室之8室。此外，搬送基板至濺鍍裝置的同時，亦具備用^ 自濺鍍裝置搬出已製.膜後的資訊記錄媒體之i室載放 。此外，本濺鍍裝置係設有和箱室數相同的數量之載體， 该載體係以載體中心為軸而旋轉於箭頭的方向，據此而 成搬送基板至各箱室之任務。 ，此外’各處理箱室係具備：適合於形成各層之濺鍍電源 ;及複數的濺鍍氣體配管；以及控制濺鍍氣體流量用之漭 通質量控制器等。各基板係分別被設定於各箱冑，且分： 導入適合之濺鍍氣體至各箱t，此後，在各箱室當中二: 濺鍍處理。搬送各基板用之載體係具備有基板旋轉用之： 型真空馬達。該馬達之電源因係無法使用電源電纜於 各載體設定於各箱室的同時’亦可考量自和各箱室觫 部份供應電源。依據進行該基板旋轉之措施， 板上之各層的組成均-性、膜厚均—性即大幅提升。、= -33 -
1231498 A7 _______ B7 五、發明説明（ ） 31 ’ ’本濺：鍍裝置為能防止濺鍍中的基板之過度加熱，而形成 導入基板冷卻用的He氣體於基板和載體之間的構造，故通 常係採取能防止因基板的過度加熱而導致基板變形之的措 施。 (資訊記錄媒體之製造例） 在執跡間距0.6 15 μιη、溝深65 nm，且用以記錄資訊於平 地和凹槽的兩方之位址資訊，係在設置於各磁區之前頭部 位之厚度〇·6 mm之平地凹槽記錄用聚碳酸酯製之基板上， 進行各薄膜（第1保護層··（ZnS)80(SiO2)20(124 nm)、第1界面 層（Ge3N4)8〇(SnTe)2()(3 nm)、記錄層：Ge32.2Sb15.5Te52 3 (9 nm)第 2 界面層·（SnTe)80(Ge3N4)20(l .5 nm)、第 2保護層 :(ZnS)80(SiO2)2{)(30 nm)、吸收率控制層：Cr9〇(Cr2〇3)i()(35 nm)、熱擴散層：八1991^(60 nm)之製膜。此時所使用之濺 鍍裝置係具有如前所說明之8室處理箱室之量產用濺鍍裝 置。此外，將此時所使用之濺鍍條件歸納於圖丨2。其特徵 之處於第1界面層、第2界面層的製膜之際，分別使用 Ge8G(SnTe)2()、Ge2G(Sn5Bi2Te8)8G之濺鍍靶，並依據和氮氣 之反應性濺鍍處理，進行前述第i界面層（Ge3N4)⑽（SnTe)u 、第2界面層（SnTe)80(Ge3N4)20之製膜之處。依據如此之措 施，即旎使Sn、Pb、Βι等之低融點元素和Ge3N4輕易地混合 ’且易於控制界面層中之氮氣量。 根據發明者等之實驗，則除了增加濺鍍氣體中的氮氣量 和抑制溶入至記錄膜中的Sn、Pb、Bi之記錄層中之情形之 外，亦可提升界面層之透明性。@，促進記錄層的結晶化 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公羞) 1231498 A7 B7 五、發明説明（ 之功效則變小。該情形時，例如可採取製膜第丨界面層之第 3箱室係提高濺鍍氣體中的氮氣濃度，製膜第2界面層之第5 箱室係降低濺鍍氣體中的氮氣濃度等之對策。如此，因係 能輕易地控制氮氣添加量，故於控制界面層元素溶入至記 錄層中之際，或於控制記錄層的結晶化促進功效之際，能 極為迅速地進行對應處理。 〈實施例12 > 以下，以圖13說明本發明之資訊記錄媒體、重現及裝置 的動作X 4乍為進行s己錄重現時之馬達控制方法，係採
用在進行記錄重現之名區域即改變光碟的旋轉數之CAV 方式。光碟線速度當中，最内周（半徑24mm^82m/秒， 最外周（半徑58.5mm)為2〇m/秒。又，基本上本發明當中 ，「内周部」係』大約半徑24 _、外周部係指大約；徑 5 8 · 5 mm 〇 繼之’記錄重現之過程係如下所示。首先，來自' 置外部的資訊係以8位元為…立，並傳送至8]6調變心 U-8。記錄資訊於資訊記錄媒體（以下稱為光碟）^ 二 採用將資訊8位元變換成16位元之調變方式，即所浐 ’、 調變方式而進行記錄。該調變成式係在媒體：庫二 位元的資訊…τ之標記長度之資訊的記錄丁二應中於8 ⑽調變器! 3-8係進行該調變動作。又，此處：：之 貢訊記錄時的時脈週期，且最内周係作成17 日不 係作成7 ns。 S攻外周 依據8-16調變器13_8而變換之3T_14T之數位信號係傳关 -35-
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至記錄波形產生電路丨3_6，且將古 成T/2，计你古丄本、 將回功率脈衝之寬幅大約作 並於向功率準位之雷射昭身+ Τ/7夕你λ、參、仕 ^田对々射之間進行寬幅大約為 、、 在刖述一連串之高功率脈 、皮 ：fa1功率準位之雷射照射而產生多重脈衝記錄 :二。1:在測定的媒體、及各半徑位置，調整形成記 二::己< N功率準位和可進行記錄標記的結晶化之中間 率準位於最佳值。此外，在前述記錄波形產生電路13-6 内’係將3T-14T之信號時系列地交互地對應於「〇」和Γι」 ，「0」之情形時係照射中間功率準位之雷射功率，「i」 之情形時則照射包含有高功率準位的脈衝之—連串的高功 率脈衝列。此時，照射光碟13」上的中間功率準位之雷射 光束的部位係形成結.晶狀態，而照射包含有高功率準位的 脈衝之一連串的高功率脈衝列之雷射光束的部位則變化成 非結晶（標記部）之狀態。此外，前述記錄波形產生電路13_6 内，係在形成包含有用以形成標記部的高功率準位之一連 串的高功率脈衝列之際，因應於標記部的前後之空白長度 ，而具有對應於使多重脈衝波形的前頭脈衝寬幅和最尾端 的脈衝寬幅產生變化之方式（適應型記錄波形控制）之多重 脈衝波型表格，據此而產生能極力排除標記之間所產生之 標記間熱干涉影響之多重脈衝記錄波形。 依據纪錄波形產生電路1 3 - 6所生成之記錄波形係傳送至 雷射驅動電路13-7，雷射驅動電路13-7係以該記錄波形為 基準而使光磁頭13-3内之半導體雷射進行發光。搭載於本 記錄裝置之光磁頭1 3-3，其作為資訊記錄用之雷射光束係 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1231498 A7 '^___B7 五、發明34) --- 使用光波長655 nm之半導體雷射。此外，藉由透鏡να〇·6 之對物透鏡而在前述光碟13-1的記錄層上進行該雷射光之 對焦，並照射對應於前述記錄波形之雷射的雷射光束，據 此而進行資訊之記錄。 般而s ’依據透鏡數值孔徑ΝΑ之透鏡而進行雷射波長 入的雷射光之集光時，其雷射光束之光徑係大約形成為 〇·9Χ Λ /ΝΑ。因此，在前述條件下，雷射光束之光點徑係大 約為"8微米。此時，雷射光束之偏光為作成圓偏光。 此外，本記錄裝置係對應於記錄資訊於凹槽和平地（凹槽 間之區域）之兩方之方式（所謂的平地凹槽記錄方式）。本^ 錄裝置係依據L/G伺服電路13_9，而能任意地選擇相對於平 地和凹槽之追跡。已記錄之資訊之重現亦使用前述光磁頭 3而進行。依據照射雷射光束於已記錄之標記上，並檢 測來自標記和標記以外的部份之反射光之措施，即可獲得 重見佗號藉由則置放大器電路1 3-4而使該重現信號之振 巾田牦大，並傳送至8-16解調器13-10。8-16解調器13-10係每 16^元變換成8位元之資訊。依據如上之動作而結束已記錄 之祐屺之重現動作。在如上之條件下於前述光碟丨1進行 記錄時，最短標記之3Τ標記的標記長度係大約形成為〇·42 ，最長標記之14Τ標記的標記長度係大約形成為196 。 又，進行内周部顫動、外周部顫動時，係進行包含有前 述3Τ〜14Τ之隨機圖案的信號之記錄重現，且於重現信號進 行波形等值、兩值化、及pLL (phase L〇cked 處理， 而測疋頦動之情形。此外，振幅劣化之測定係記錄i丨丁信號 -37- 本紙張尺度適用_家標^詞97公复)---_- 1231498
並測疋1 0次記錄後之振幅和1萬次記錄後之振幅之差異。 <實施例1 3 > 茲說明有關於本發明之資訊記錄媒體所使用之各層之最 佳組成和最佳膜厚。 (第1保護層） 存在於第1保護層的光入射側之物質係聚碳酸酯等之塑 膠基板、或紫外線硬化樹脂等之有機物。此外，此類之折 射率係1.4至1.6程度。為能有效地在前述有機物和第丨保護 層之間進行反射，其第1保護層之折射率係以2〇以上為佳 。第1保護層在光學性方面，其折射率係存在於光入射側的 物質（本實施例中，係相當於基板）以上，且在無產生光的 吸收之範圍内，其折射率係較大者為佳。具體而言，係以 折射率η為2 · 0〜3 · 0之間、且無吸收光之材料，特別是包含有 金屬的氧化物、碳化物、氮化物、硫化物、砸化物為佳。 此外，熱傳導率係至少2 w/mk以下為佳。特別是ZnS_si〇2 系之化合物係因熱傳導率較低而最適合作為第1保護層。進 而 Sn02、或添加ZnS、Cds、SnS、GeS、Pbs 等硫化物於 Sn〇2 之材料，或添加〜2〇3、M〇3〇4等過渡金屬氧化物於〜〇2之 材料，其熱傳導率較低，且較ZnS — Si〇2系材料對熱為更安 定’故即使第1界面層的膜厚係成為2 nm以下之情形時，因 無產生溶入至記錄膜之情形，故特別是能作為第丨保護層而 顯示其優異之特性。此外，為能有效地利用基板和記錄層 之間的光學干涉，則在雷射之波長為65〇 nm程度時，其第i 保護層之最佳膜厚係11 〇 nm〜13 5 nm。 -38- 巧張尺jit财_家標準(CNS) M規格(21QX297公董) 1231498 A7 B7 發明説明（ (第1界面層） 如則述實施例當中所詳述’在第1界面層係以包含有促進 Bl、sn、Pb等之記錄層的結晶化之材料為佳。特別是，以 、Sn、Pb之TeJ匕物、氧4匕物、或Bi、Sn、Pb之Te4匕物、 氧化物和氮化鍺之混合物、或Bi、Sn、Pb之Te化物、氧化 物和過渡金屬氧化物、和過渡金屬氮化物之混合物為佳。 過渡金屬因係易於改變價電子數，故即使Bi、Sn、Pb、Te 專元素為游離狀態’ 一旦改變前述過渡金屬之價電子數， 則在過渡金屬和Bi、Sn、Pb、Te之間產生結合，並產生對 熱為安定之化合物之故。特別是，Cr、Mo、W，因其融點 較高，且易於改變價電子數，又易於在和前述金屬之間生 成對熱為安定之化合物，故為極優異之材料。第丨界面層中 之前述Bi、Sn、Pb之Te化物、氧化物之含有量，為促進記 錄層的結晶化，係盡可能多數，但，第丨界面層和第2界面 層相較之下，因照射雷射光束而容易變為高溫，並產生界 面層材料、/谷入於記錄膜等問題，故必須將至少、Sn、pb 之Te化物、氧化物之含有量抑制於7〇%以下。 第1界面層之膜厚為0.5 nm以上時，即開始發揮其功效。 然而，其膜厚為2 nm以下時，則有第丨保護層材料係通過第 1界面層且溶入於記錄層，並使多次改寫後之重現信號品質 產生劣化之情形。因此，以2 nm以上為佳。此外，第i界面 層的膜厚為10 nm以上之厚度時，因在光學上產生不良影響 ’故具有反射率下降、信號振幅下降等之弊害。因此，第i 界面層的膜厚係2 nm以上1 〇 nm以下為佳。 -39- 1231498 A7 B7 五、發明説明（ (記錄層）
如前述實施例當中所詳述，在第1界面層、第2界面層之 雙方’添加促進Bi、Sn、Pb等之記錄層的結晶化之材料時 ’作為記錄層材料係使用在以適當比例而混合習知之GeTe 和Sbde3之GeSbTe系記錄層材料中，添加過剩的sb之組成 比的纪錄層材料為佳。具體而言，以下之組成式中所示之 範圍的記錄層材料係極優異。（以下原子0/〇) Gex_YSb40_08x+2YTe6〇m_Y 20 < X < 45，〇·5 < Y < 5 此外，除了添加過剩的sb量之外，亦可添加能使結晶成 長速度下降之元素。具體而·^ ’以下之組成式中所示之範 圍的記錄層材料係極優異。 (Gex.YSb4〇.〇.8x+2YTe60_0 2χ,γ)1〇〇 zMz 2〇<X<45，〇·5< Y<5 , 〇·5<ζ<5 B、N所選擇之元 但，Μ係由 Ag、Cr、Si、Ga、Α卜 Ιη 素。 此外，依據添加Bi2Te3於以適當曾例而使以以和讥… ::之〇撕系記錄層材料之措施，而即使在提升核形成 打CAV記錄時，亦可在自資訊記錄媒體的内周至 ^士^ ’獲得極佳之記錄重現特性。因添加則心而提 二曰曰、長速度，且非結晶和結晶之折射率差亦變大，故 月b提升重現信號振幅。具體而言， 之組成式中所示之範 3有1係1〜9%，以下 图之σ己錄層材料係極為優異。 -40-
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(Gex_YSb40_0 8x+2YTe6〇_〇 2χ γ)ι〇〇 ζ (Bi2Te3) z 20<X<45，-2<Y<2，2.5<Z<25 又，丽述4元素之關係如在前述組成式中所示之範圍，則 即使混入有雜質，而雜質之原子％為1%以内時，本發明之 功效亦無消失。 ^ 此外，本發明之媒體構造，其在光學上係以記錄層的膜 厚為5 nm以上15 nm以下為佳。特別是7 nm以上u 以下 時，因可抑制因多次改寫時之記錄膜流動之重現信號劣化 之情形，而且在光學上能作成最佳之調變度，故極為理想。 (第2界面層） ~ 如前述實施例當中所詳述，在第2界面層係以包含有促進 Bi、Sn、Pb等之記錄層的結晶化之材料為佳。特別是以出 、Sn、Pb之Te化合物、氧化物、或Bi、Sn、抑之丁㈠匕物、 氧化物和氮化鍺之混合物、或Bi、Sll、扑之丁6化物、氧化 物和過渡金屬氧化物、和過渡金屬氮化物之混合物為佳。 過渡金屬因係易於改變價電子數，故即使Bi、Sll、Pb、Te 荨元素為游離狀態，一旦改變前述過渡金屬之價電子數， 則在過渡金屬和Bi、Sb、Pb、Te之間產生結合，而產生對 熱為女疋之化合物之故。特別是，C r、Μ 〇、W因融點較高 ，且易於改變價電子數，又易於在和前述金屬之間生成對 熱為安定之化合物，故為極優異之材料。第2界面層中之前 述Bi、Sn、Pb之Te化物、氧化物之含有量，在熱性、化學 性上係盡可能多數，則愈具有提升記錄層的結晶化速度、 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1231498
特別係核形成速度之功效。 第2界面層之膜厚為〇·5 nm以上時，即開始發揮其功效。 然而，其膜厚為1 nm以下時，則有第2保護層材料係通過第 2界面層且溶入於記錄層，並使多次改寫後之重現信號品質 產生劣化之情形。因此，以i nm以上為佳。此外，第2界面 層的膜厚為3 nm以上之厚度時，因在光學上產生不良影響 ，故具有反射率下降、信號振幅下降等之弊害。因此，第曰2 界面層的膜厚係1 nm以上3 nm以下為佳。 (苐2保護層） 第2保護層係無吸收光之材料，特別係包含有金屬之氧化 物、碳化物、氮化物、硫化物、硒化物者為佳。此外，熱 傳導率係至少2 W/mk以下為佳。特別係ZnS_Si〇2系的化合 物其熱傳導率較低且作為第2保護層最為理想。進而以〇2 、或添加ZnS、CdS、SnS、GeS、PbS等硫化物於Sn〇2之材 料，或添加ChO3、Mho4等過渡金屬氧化物於Sn〇2之材料 ，其熱傳導率較低，且較ZnS_Si〇2系材料對熱為更安定， 故即使第2界面層的膜厚為} nm以下時，亦因無產生對記錄 膜之溶入之情形，故特別能作為第2保護層而顯示其優異之 特丨生。此外，為能有效地利用記錄層和吸收率控制層之間 的光學干涉，則在雷射之波長為650 nm程度時，其第2保護 層之最佳膜厚係25 nm-45 nm。 ' (吸收率控制層） 吸收率控制層其複素折射率η、k係以1.4< n< 4.5 , _；3 5 <k<-0.5之範圍為佳。特別係2<n<4、-3 〇<k<_〇 5之材 -42-
40 五、發明説明（ 編。吸收控制層係吸收光，故以對熱為安定之材料為 么’理想上其融點係被要求為1〇〇〇t：以上。此外，添加疏 化物於保護層時，特別係具有減低大型交又消除之功效， 仁吸收率控制層之情形時，ZnS等之硫化物的含有量係較 至少添加於保護層之前述硫化物之含有量為少為佳。此係 έ呈現融點下降、熱傳導率下降、吸收率下降等不良影響 的情形之故。作為前述吸收率控制層之組成，以金屬和金 屬氧化物、金屬硫化物、金屬氮化物、和金屬碳化物之混 合物為佳，特別係心和CqO3之混合物能呈現出提升其優異 之蓋寫特性之功效。特別係(：：1*為6〇〜95原子％時。具體而言 ，作為前述金屬係以A卜Cu、Ag、Au、Pt、pd、c〇、Ti 、Cr、Ni、Mg、Si、v、Ca、Fe、Zn、&、鳩、-、Rh 、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb混合物為佳，作為金屬氧 化物、金屬硫化物、金屬氮化物、金屬碳化物，係以si〇2 、Sio、Ti〇2、Al2〇3、γ2〇3、Ce〇、La2〇3、In2〇3、Ge〇 2
Ge02、Pb〇、Sn0、Sn〇2、Bi2〇3、Te〇2、M〇2、w〇2、w〇3 、Sc203、Ta205、Zr02為佳。其他，亦可使用Si_〇_N系材 料、Si-Al-O-N系材料、Cr203 等Cr-Ο系材料、c〇2〇3、c〇〇 等Co-0系材料等氧化物、TaN、AIN、Si3N4等Si-N系材料 、Al-Si-N系材料（例如AlSiN2)、Ge-N系材料等氮化物、 、Sb2S3、CdS、In2S3、Ga2S3、GeS、SnS2、PbS、Bi2S3 等 硫化物、SnSe3、Sb2S3、CdSe、ZnSe、In2Se3、Ga2Se3、
GeSe、GeSe2、SnSe、PbSe、Bi2Se3 等硒化物、或使用 CeF 、MgF2、CaF2等氟化物、或使用接近於前述材料的細成者 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 41 1231498 五 、發明説明（ 之吸收率控制層。 此外，作為吸收率控制層之 以下為佳，20ηη^ΗΛ 厚係以10_上100咖 之蓋寫特…以下時’則特別顯示出其優異 厚之和為、'聋功效。此外’保護層、吸收率控制層之膜 。如前所說:Γ二上時’則明顯呈現出交又消除之減低功效 吸收率控制層係具有吸收光之性質。因此 ::收=制層亦吸收光並發熱，以使記錄層能吸收光並 二：日:此二，吸收率控制層之吸收率係其記錄層為非晶質 τ Λ °己錄層為結晶狀態時更大，此極為重要。如此 Μ依據光學設計，即可發現使記錄層為非晶質狀態之記錄 a的吸收率Aa ’係較記錄層為結晶狀態之記錄層的吸收率 Ac更小之功效。依據該功效即能大幅提升其蓋寫特性。為 能獲得以上之特性，係必須將吸收率控制層之吸收率提高 至30〜4^%程度。此外，吸收率控制層之發熱量係依據記錄 層的狀悲為結晶狀態或非晶質狀態而相異。該結果，自記 錄層往熱擴散層之熱的流通，係依據記錄層的狀態而產生 變化，依據該現象即能抑制因蓋寫之顫動上升之情形。 以上之功效係依據提升吸收率控制層之溫度之措施，且 依據遮斷自記錄層流往熱擴散層之熱的功效而發現。為能 有效產生該功效，其保護層和吸收率控制層的膜厚之和係 平地凹槽間之段差（基板上之溝深、雷射波長之1/7〜1/5程度） 以上即可。保護層和吸收率控制層的膜厚之和為平地凹槽 間的段差以下時’記錄於記錄層之際所產生之熱係對熱擴 散層傳熱，且易於消除記錄於鄰接光執之記錄標記。 44 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 42 五、發明説明（ (熱擴散層） 為户’、、擴月文層係以兩反射率、高熱傳導率之金屬或合金 ::A且A1、CU、Ag、m、Μ之總含有量係90原子％ 大之材：想J此外’以因Cr、Mo、W等之高融點且硬度較 錄二Sr:此類材料之合金亦能防止因多次改寫時之記 原^〇/以卜的饥動之劣化情形為佳。特別係將Α1作成含有95 :::以上之熱擴散層時，即能獲得廉價、高⑽、高記 =之…改寫耐性，而且交叉消除減低之二 有八"5原子%:::體：擴散層之組成為含 if Μ ^ . T卩此貫現價廉且耐蝕性優異之資訊 二錄：體。作為相對於A1之添加元素，c。、 ；：；；；；：'Ca'Fe'---Nb.Mo.Rh.Sn.Sb^ 面呈右炻 e寺，特別係在提升耐蝕性方 ;00力1 文。此外，前述熱擴散層之膜厚係3〇nm以上 記錄二I*佳。熱擴散層之膜厚係較3〇·更薄時，因 改寫二…己二之熱難以擴散，故特別係於10萬次程度 的LL: 劣化，而具有易於產生交叉消除 使用，且重現信號振幅下降之議散層 ，在生產上係具有極大之優點之=二素為相同時 而製膜吸收率控制層和熱擴散層之2層：相：=材 吸收率擴制層製膜時係依據 43 五、發明説明（ ===處:：據在-…使 率之吸收率控制層仃反應處理而作成適當的折射 濺鐘處理，且作成專、導Ί層之製膜時係依據Ar氣體進行 進而記载以下金屬之熱擴散層。 ⑴-種資訊記錄方法，其特徵在於·· 具有：基板；及 可複次改寫之記錄層；及 層其係和前述記錄層相連接且設置於前述記釺 層的雷射光束人射側；以及 比己錄 声Γ::光層束系和前述記錄層相連接且設置於前述記錄 層的田射先束入射側之相反側； 在前述第1界面層和前述第2界面層的兩方，含有Bl、Sn 田中之至J其中之一的元素，且使用包含於前述第1 界：層的刖述兀素含有量之和，為較包含於前述第2界面層 的^述7L素含有1之和為少之資訊記錄媒體，依據照射前 述雷射光束於前述記錄層之措施，進行前述記錄層的相位 變化反應’且進行資訊之記錄。 (2)—種媒體製造方法，其特徵在於具有： 使用具有複數的箱室之濺鑛裝置， 在第1箱室中，於基板上依據使用氮氣之反應性濺鍍處理 而含有氣氣，且含有Bi、Sn、Pb當中之至少其中之一的元 素之第1界面層之步驟；及 在第2箱室中，於前述第1界面層上形成記錄層之步驟； -46- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 照射之相位變化反應而 且含有Ge和Sb和Te,且 1231498 A7
在第3箱室中，形成包含有 的含有量之和為多#>R. 引述第1界面層之前述元素 夕里之Bi、sn、Ρκ木山 元素之第2界面層之步驟。 中之至少其中之一的 ⑺如:己載於第⑺項之媒體製造方法，w 在刖述第3箱室中，流 冷 :、 為少量之氮氣，Λ/瓜k於前述第1箱室的氮氣量 ⑷-種資訊記錄„，幻之前㈣2界面層。 以系體’其特徵在於具有： 基板，及 記錄層，其係依據因雷射光束的 進行資訊之記錄之可複數次改寫， 其組成比係
Gex_YSb40_0 8x+2YTe6〇 〇 2χ γ 20 < X < 45 » 0.5 < γ < 5 :以及 界面層，其係含有和前述記錄層相連接而設置之Bi、SN 、Pb當中之至少其中之一的元素。 (5)—種資訊記錄媒體，其特徵在於具有： 基板；以及 記錄層，其係依據因雷射光束的照射之相位變化反應而 進行資訊之記錄之可複數次改寫，且含有至少〜和讥和Te 和Bi，且Bi之含有量係^%。 (6)如記載於第（5)項之資訊記錄媒體，其中 前述記錄層之組成比係 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
線 五、發明説明（45 (GeX-YSb4".8x+2YTe6〇 〇 2x々)〗〇〇 z (Bi2Te3)z 2〇<X<45，-2< Y<2，2·5<ζ<25 【發明之功效】 在第1界面層和第2界面層含右 之功效之Bi、Sn、扑等之元素：隹丨進記錄層的結晶化 的元素溶入於記錄層之情形，依融點 述則，，等之含有量之和較第2界面層二:=之前 提升記錄層的核形成速度的同時，v&，於 Γ: ?多次改寫時重現訊號劣化之情形。 匕外’作為吕己錄層材料係伸
GeTe和Sb2Te3混合之、 以適當比例使習知之 的Sb之組成比之士己纤声心己錄層材料中，係添加過剩 CAV方mi 卩可。㈣該措施，即使進行 二:方式之Ή能抑制因内周部之再結晶化所產生之 问題0 、卜依據外加Bl2Te3於以適當比例使GeTe和Sb2Te3予 二混合= GeSbTe系記錄層材料之措施，即使提升核形成速 2進订C AV。己錄時，亦可獲得自資訊記錄媒體的内周至 周為止之優異的記錄重現特性。添加⑴办之記錄膜係 因非結晶和結晶之折射率差為較大，故能提升重現信號振 幅。 【圖式之簡單說明】 圖1用以說明本發明之資訊記錄媒體的構造之圖示。 圖2用以說明本發明的原理之圖示。 A7 B7 1231498 五、發明説明（^ ) 46 圖3 A、B用以說明習知之問題點之圖示。 圖4 A、B用以說明習知之問題點之圖示。 圖5用以說明習知之問題點之圖示。 圖6用以說明習知之問題點之圖示。 圖7用以說明本發明的原理之圖示。 圖8用以說明本發明的原理之圖示。 圖9表示本發明的實施例之圖示。 圖10表示本發明的實施例之圖示。 圖11使用於本發明之一實施例的濺鍍裝置之說明圖。 圖12表示使用於本發明之一實施例的濺鍍處理條件之圖 示。 圖1 3表示用以評價本發明之資訊記錄媒體的資訊記錄重 現裝置之圖示。 【元件符號之說明】 13-1 :光碟 13-2 :馬達 13-3 :光磁頭 13-4 :前置放大電路 13-6 :記錄波形產生電路 13-7 :雷射驅動電路 13-8 : 8-16調變器 13-9 : L/G伺服電路 13-10 : 8-16解調器 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1231498 申請專利範圍 ι· 一種資訊記錄媒體，其特徵在於： 具有：基板；及 可稷數次改寫之記錄層，其係藉由因雷射光束的照射 之=位變化反應，而進行資訊之記錄；及 第1界面層，其係和前述記錄層相連接且設置於前述 記錄層的雷射光束入射側；以及 第界*I 4係和前述記錄層相連接且設置於前述 記錄層的雷射光束入射側之相反側； 在前述第1界面層和前述第2界面層的 、 Sn、Pb當中之至少1中 3有 田〇 ，、甲之一的疋素，且包含於前述第1 =:前述元素含有量之和，係較包含於前述第2界 面層的則述70素含有量之和為少。 2·如申凊專利範圍第J項之資訊記錄媒體，其中， 丁在前述第1界面層和前述第2界面層的兩方，進而含有 Te’且包含於前述第巧面制前述元素 有之:之IS:含於前述第2界面層的前述元一含 3· 種資矾記錄媒體，其特徵在於： 具有：基板；及 可稷數次改寫之記錄層，其係藉由因雷 之相位變化反應，而進行資訊之記錄；以及 、、、 二第!界面層，其係連接且設置於前述記錄層，且含 氣·或⑵箓7:中之至少其中之一的元素，且含有〜和 …次_界面層，其係連接且設置於前述記錄層， i紙張尺度適用中國Α4規格(謂冗^ 六、申請專利範圍 且含有Bi、Sn、Pb當中之至少其中之一的元素，且含有 過渡金屬元素和氮；或（3)第1界面層，其係連接且設置 於珂述記錄層，且含有Bi、Sn、Pb當中之至少其中之一 的兀素，且含有過渡金屬元素和氧。 4. 6. 如申請專利範圍第3項之資訊記錄媒體，其中， 前述（2)或（3)之過渡金屬係Cr、M〇、w之其中之一。 如申凊專利範圍第3項之資訊記錄媒體，其中， 、、前述（1)乃至（3)之其中之一之第！界㈣，係相對於負 述記錄層而設置於前述雷射光束的入射側。 如申請專利範圍第5項之資訊記錄媒體，其中， 相對於前述記錄層，在前述雷射光束的人射側之㈣ 側’設置有連接於前述記錄層之第2界面層，前述㈣ 面層係含有Bl、Sn、Pb當中之至少其中之一的元素，卫 包含於前述第！界面層的Bi、Sn、pb的含有量之和1 較包含於前述第2界面層的Bi、Sn、扑的含有量之和為 一種資訊記錄媒體，其特徵在於： 具有：基板；及 可複數次改寫之記錄層，其係藉由因雷射光束 之相位變化反應，而進行資訊之記錄；及 第1界面層，其係連接且設置於前述記錄層， Bi、Sn、Pb當中之至少其中之一的元素；以及 的照射 且含有 第1保護層，其係相對於前述第丨界面層 錄層的相反側含有Sn和氧。 ，而在前述記 -2- 玉紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x297公董） 8 8 8 8 ABCD 1231498 々、申請專利範圍 8·如:請^利範圍第7項之資訊記錄媒體，其中， 鈉述苐1界面層，係相對於前述記錄層而設置於前述 雷射光束的入射側。 9·如申請專利範圍第8項之資訊記錄媒體，其中， 相對於前述記錄層，在前述雷射光束的入射側之相反 側，設置有連接於前述記錄層之第2界面層，前述第2界 面層係含有Bi、Sn、Pb當中之至少其中之一的元素， 相對於前述第2界面層，在前述記錄層之相反側具有 第2保護層，且在前述第2保護層含有Sn和氧。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） ·' ------
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