TWI230829B - Connection electrode and image display device - Google Patents

Description

1230829 玖、發明說明： 技術領域 本發明係關於—姑、击u + h 於種連接電路構造間所用 別關於可防止基板上錢電極’特 有面知增加及接觸電阻減低，有效 示裝置 一— 連接⑨極，及利用連接電極之圖像顯 先前技術 先前’例如為了連接設置於基板上之電路構造，盘咬置 於其他基板上之電路構造，使用—種連接電極，其係以露 出基板表面上之導電層而形成。 圖7係先前使用之賴f極構造模式圖。如圖7所示， 先刖構連接電極係於基板上具有依序疊置之低電阻導 迅層102保濩導電層1〇3之構造。保護導電層⑻上面之 短邊方向兩端部以絕緣層1()4覆蓋，未以絕、㈣⑽覆蓋 之區域形成開口部1G5。而開口部1G5及絕緣層ig4之表面 以銦錫虱化層IT0(Indium Tin 〇xide)等形成之表面導電層 106覆盍。又先前構造之連接電極亦如圖7所示，具有左右 對稱之構造，具有保護導電層103上面中以絕緣層104覆 蓋之區域具有相等之寬度（例如參考專利文獻1)。 低笔阻導電層1 〇2與形成於基板1 〇 1之其他區域上電路 導通’用TAB之緊密裝置將開口部1 〇5與外部電路之連接 ‘子連接’並以電氣連接基板101上之電路與外部電路。

O:\85\85610.DOC 1230829 +刊又獻1 美國專利第5483082號說明書（第 卜 發明内容 七36-37頁’第2〇圖） 發明欲解決之課題 ;、乂而圖7所示連接電極，因且 、 &、^ U "有開口邵105露出基板表 又冓造，故有耐久性之問。 „ 、 心具肢而1，導電層中由於 開口邵105下層之低電阻導電； 八 子包層102與外氣等反應致一部 /刀腐餘，因該腐蝕擴 瓜包I且導包層102整體而有斷線 問題。 心 如上述，已知連接電極具有以反應非活性㈣護導電層 103保護低電阻導電層102之構造，惟實際上在内部的低電 阻導電層H)2上會形成許Μ料熱遷移等的空隙，低電 阻導電層1〇2之一部分露出表面上。露出表面上之低電阻 導電層102通常形成氧化物，惟有時因酸、驗或操作時汗 等體液附著㈣口_ 1G5所形成之氧化物會有被去除的狀 況。氧化物被去除的狀況，於氧化物存在之區域附近構成 低電阻導電層1〇2之金屬材料與酸等之間產生腐蝕反應， 因該腐蝕反應擴及低電阻導電層1〇2整體以至斷線。特別 在低電阻導電層102由鋁形成，及表面導電層1〇6由IT〇 形成之狀況下，透過電池效應產生爆發性反應。 低電阻導電層102中被絕緣層丨〇4覆蓋之區域因不致露

O:\85\85610.DOC 1230829 出表面上，不會形成上述腐*反應之起點。惟隨著於開口 部1〇5所產生之反應逐漸進行，反應亦擴及被絕緣層ι〇4 覆蓋之區域，最後發生斷線。又即使反應擴及整體前，有 時由隨著反應產生之氣體壓力破壞内部構造，而有發生斷 線之情形。 故從防止發生斷線之觀點而言，加寬低電阻導電層1〇2 中被絕'㈣HM覆蓋之區域寬度之構造為有^該構造係 例如加大低電阻導電層102短邊方向寬度即可實現。然而， 有鑑於近年來電子電路之積體化及小型化，實際上不宜加 大確保於基板表面用於連接電極之區域，實現加大低電阻 導電層H)2寬度之構造有困難。尤其使用液晶等之圖像顯 示裝置等，隨著顯示圖像之高精細化，掃描線及信號線之 支數增多，分別與外部電路連接所需連接電極數亦增加。 故從達成高精細化之觀點，為各連接電極確保廣大區域極 為困難，加大低電阻導電層102寬度並不切實際。 又為防止發生斷線計’亦考慮減小開口部U)5之面積以 加寬被絕緣層1〇4覆蓋之區域寬度之構造。由於採用該構 造，可減低腐触反應之發生機率，並可延遲腐姓反應擴及 低電阻導電層102端部。惟將產生因減小開口冑⑽寬度 致接觸電阻加大之另—ρπ] % 4-' -th nn /-k ππ ' 4過。尤其因使用液晶之圖像顯示 裝置等’必、需正確控制藉掃描線及信號線供給像I電極之

O:\85\85610.DOC 1230829 電位，故抑制因接觸電阻加大以致電位變動，此一必要性 p遺之提高。-方面將接觸電阻之減小抑制在容許範圍，另 -方面減小開口部1〇5寬度時，雖能減低發生斷線之比例 至某程度，惟根本解決有困難。 本發明有鑑於上述先前技術之問題，其目的在於提供一 種可防止基板上佔有面積之增加，及有效㈣因腐蚀而斷 線之連接電極，及此連接電極之圖像顯示裝置。 解決課題之方法 為達成上述目的，申請專利範園第i項之連接電極，其 係具有開口部，該開口部由覆蓋在部分導電層上面之絕緣 層所區隔’該連接電極係使用於連接外部電路之連接構 件，其特徵在於：上述導雷屏μ ; 4 、，、 上、事4 _L面 < 一万端邵肖對應該端 部之上述開口部端部間之距離，比上述導電層上面之另_ 万端邵與對應該另一方端部之上述開口部端部間之距離有 更大之數值。 、依本中請專利第丨项之發明，由於構成絕緣層覆蓋 <導电層上面寬度兩端部互異之構造’故開口部至攀電層 端邵之距離互異，即使萬一開口部之一部分開始腐勉反應

時，惟兩端部附近區域腐敍反應之進行速度互異 Z 制導電層斷線。 抑 又申請專利範園第2項有關之連接電極係如上述發明，

O:\85\85610.DOC 1230829 其中有關上述導雷爲4 t、自、 、兒日心短邊万向中心軸與上述開口部中心 軸’於水平方向隔開一定距離。 、依本中請專利範圍第2項之發明，由於構成有關導電層 邊方向中心軸與開口部中心軸僅隔開一定距離之構 造’致以絕緣層覆蓋之導電層部分之寬度互異，故可抑制 因腐蝕反應之斷線。 申明專利圍第3項有關之連接電極係如上述發明， 其中上述導電層表面之—方端部與對應該端部之上述開口 部端部間之距離為10//m以上。 又申請專利範圍第4項有關之連接電極係如上述發明， 其中上述導電層係含依序疊置低電阻層，與保護該低電阻 層之保護導電層之多層構造形成。 又申請專利範圍第5項有關之連接電極係如上述發明， 其中於上述導電層及上述絕緣層上面，更配置表面導電層。 又申清專利範圍第6項有關之連接電極係如上述發明， 其中上述開口邵係以複數個形成於上述導電層上面。 又申請專利範圍帛7項有關之一種圖像顯示裝置，其特 欲為具有陣列基板，其係包括：像素電極，對應顯示像素 配置者；開關元件，對應該像素電極配置者；信號線，藉 該開關元件將顯示信號供給上述像素電極者；掃描線，供 給控制上述開關元件之驅動狀態之掃描信號者；及連接電 O:\85\85610.DOC -9- 1230829 極，其係如申請專利範圍帛1〜6項，連接上述信號線及/或 上述掃描線與外部驅動電路者。 又申叩專利範圍第8項有關之圖像顯示裝置係如上述發 月其中更具有：外邵驅動電路，其係藉上述連接電極連 接者，相對基板，其係相對於上述陣列基板配置者；及液 曰曰層，其係封入上述陣列基板與上述相對基板之間者。 又申清專利範圍第9項有關之圖像顯示裝置係如上述發 明，其中更具有背光光源，其係供給透過上述液晶層内之 光者。 實施方式 實施形態 以下，參考圖說明本發明實施形態之連接電極及利用連 接電極之圖像顯示裝置。說明時適當參考之圖式係為模式 圖’而需注意與實際結構有出入之處。此外，即使於圖示 相互間當亦含有彼此之尺寸關係及比例互異之部分。 第一實施例 首先，說明第一實施例有關之連接電極。關於第一實施 例之連接電極具有以絕緣層覆蓋導電層短邊方向兩端部之 構造，透過導電層中絕緣層下區域寬度為互異值，以抑制 連接電極斷線。圖1 (a)係關於第一實施例之連接電極構皮 剖面圖，圖1 (b)係關於第一實施例之連接電極平面圖。以 O:\85\85610.DOC -10 - 1230829 下μ參考圖Ua)、圖1(b)等說明第一實施例。 關於第一實施例之連接電極係如圖1(a)所示，具有··導 包層7 ’其係配置於基板i上，平面形狀呈矩形狀者；及絕 彖層4其係璺置於基板丨上及保護導電層3之一部分區域 上者。保護導電層3上未以絕緣層4覆蓋之區域，形成開 P 5，其係為與連接對象之連接部。此外，於開口部$ 及、邑、’彖層4上形成由IT〇等形成之表面導電層6。 導電層7具有依序將低電阻導電層2與保護導電層3疊 置之構造。低電阻導電層2具有與設於基板i上其他區域 之内部電路(省格圖示)電氣連接之構造。又，為了將内部電 路與連接對象之外部電路間產生之電位差抑制在容許範園 内，低電阻導電層2最好以餘（A1)、銅（Cu)等低電阻之導電 性材料形成。 ％ 保漠導％層3係抑制因低電阻導電層2接觸外氣致開口 邛5表面整體氧化，使接觸電阻值增加或絕緣化者。具體 而言，保護導電層3係由具有對外氣反應非活性特性之细 (M〇)等形成，例如具有約50nm之膜厚。 ’’、邑、’豪層4係覆蓋低電阻導電層2及保護導電層3之端部 附近’以保護低電阻導電層2及保護導電層3之端部者。 又万；同—基板上設置複數連接電極時，絕緣層4並具有將 彼此連接電極間絕緣之功能。形成絕緣層4之材料只要具

O:\85\85610.DOC -11 - 1230829 有絕緣性者，則可用任意材料，惟一般多用Si〇2、SiNx等。 固1 (a)中、纟巴緣層4係早層構造，惟並非必需限於該構造， 亦可為用複數絕緣材料之多層構造。 又關於第一實施例之連接電極係構成導電層7 一方端部 與對應該端部之開口部5之端部間之距離Wl，具有大於導 電層7另一方端部與對應該另一方端部之開口部$之端部 間艾距離W2之值。具體而言，導電層7及開口部5係分別 平面开> 狀為矩形狀，關於短邊方向係以中心轴朝水平方向 以一疋距離隔離配置，端部間之距離Wi、w2為彼此互異 之值。又導電層7之短邊方向寬度及開口部5之寬度並非 特別限定之要素，可為與先前同程度之值。第一實施例之 連接電極由於具有端部間之距離Wi、W2為分別互異之值 <構造，故可減低因腐蝕反應產生斷線之可能性，其情形 說明如下。 如前已說明，連接電極之斷線係以開口部5之一部分為 起點開始腐蚀反應’逐漸擴及周邊區域，最後腐敍達到低 導包層2之短邊方向兩端部而產生。故從開口部5之 一部分產生腐触反應至斷線所需時間係相應於從腐触反應 起點至低電阻導電層2之短邊方向端部之距離，由加長該 距離即可抑制斷線之發生。 然而’基板1上配置血外部雷 罝/、外口丨包路連接之内部電路，因該

O:\85\85610.DOC -12- 1230829 内口 ρ甩路而確保廣大區域，故要擴大連接電極之佔有面積 貝乃困難。一方面，為防止連接電極之斷線，無需完全抑 制低電阻導電層2之腐蝕反應擴大，而只要抑制腐蝕反應 向一方端部之擴大能確保低電阻導電層2之導通即可。 因此，第一實施例係將開口部5之中心軸與導電層7之 中心軸隔離一定距離，俾不改變導電層7之短邊方向寬度， 將腐蝕反應之起點與導電層7之短邊方向端部間之距離予 以最大化。由於採用該構造，使第一實施例之連接電極之 開口 4 5之一邵分產生之腐蝕反應達到低電阻導電層2兩 端邵所需時間加長，而可抑制斷線之發生。 圖2係第一實施例之連接電極，腐蝕反應發生時反應擴 大杈式圖。如圖2(a)所示，於開口部5下保護導電層3之 一部分形成空穴，由於在對應該空穴之低電阻導電層2之 局部區域上附著酸、鹼等而形成腐蝕反應區域以。再者， 在圖2(a)之模式圖下，為了容易了解，以開口部$之短邊 方向中心軸上腐蝕反應開始之例說明。 而如圖2(b)所示，腐蝕反應係以上述低電阻導電層2之 局邵區域為起點向周圍擴大，形成腐蝕反應區域8b。但本 第一實施例之連接電極，因構成僅將低電阻導電層2之短 邊方向中心軸，與開口部5之中心軸隔離一定距離，故腐 蝕反應區域8b要達到對應於開口部5之中心軸之遠方位置

O:\85\85610.DOC -13- 1230829 之低電阻導電層2之短邊方向端部需較長時間，在其間低 電阻導電層2可維持導通。又於圖2(b)所示狀態，腐蚀反 應發生、與不進行之情形比較，低電阻導電層2之電流通 過剖面積減少。因隨著電流通過剖面積之減少，將產 阻值之增加，為了將電阻值之増加抑制在容許範園内，低 電阻導電層2亦最好以銘、銅（Cu)等低電阻之金屬材料形 成。含此等金屬材料所形成之低電阻導電層2，即使因腐蝕 反應致電流通過剖面積減少，惟亦可將電阻值維持在實用 上無問題之程度。 本發明之發明人等實際製作圖1⑷、圖Kb)所示構造之 連接電極，就其耐久性進行測定。因此，關於對開口_ 5 之中心軸之遠方位置之導電層7之短邊方向端部對應之開 口邵5之端部間之距離，與斷線之產生比例，可產生圖3 之曲線所示相關之關係。又圖3係就易產生斷線之條件下 之斷線發生之比例所預測者，需注意有關斷線發生之具體 比例值，與通常條件下之情形未必一致。 具體而言，導電層7之端部與開口部5之端部之距離“ …㈣應先前之構造)，斷線之連接電極之比例約為 1.7%’而距離為1〇" m時斷線之比例預計減低至約〇9%。 此外’導電層7之端部與開口部5之端部之距離為— 時’在經過-定時間時發生斷線之連接電極之比例預計減

O:\85\85610.DOC -14- 1230829 低至0·5%。故導電層7之端部與開口部5之距離為16// m 時，與先前之$造比較，斷線之連接電極之比例可推測減 低至1/3以下。 如先前導電層7之中心軸與開口部5之中心軸一致之構 造時，為了確保10//m、16//m之距離，需要放大導電層7 之短邊方向寬度，或犧牲接觸電阻而縮小開口部5之寬度。 但弟一貫施例之連接電極’錯開彼此之中心轴即可無需改 變導電層7之短邊方向寬度，減低起因於腐蝕反應之斷線 的發生比例。即第一實施例之連接電極，在不犧牲開口部5 之接觸電阻之情形下，也不致增加基板丨上之專有面積。 故第-實施例之連接電極’不會對連接電極之功能及設於 基板！上之内部電路有不良之影響，而且可抑制起因腐触 反應之斷線。 又比敉_ 1(a)與圖7亦 僅以一定距離隔離導電層7之短邊古 遭万向中心軸與開口部 <中心軸此一點與先前之構造 、、 砹I坆罘一實施例3 連接電極時，例如形成開口部 、 I 3 <步驟時使用與先前不辰 之光罩圖案即可，Jt他举罢笔 -他裝置♦可沿用先前者。尤其 施例之連接電極，因、 1 I故更可抑制設計上負擔之增加。又因〜 7 變導電声7之开H #而以I虫刻等这 又導.層7<形狀，故即使導電 邊万向寬度更窄

O:\85\85610.DOC -15- 1230829 之構造時亦容易製造，可—方面確保開口部5 、主 一万面有效進行斷線之抑制。 < 面知，另 又於第一實施例，絕緣層4係覆蓋導電声7 兩端部之構造，惟亦可為僅覆蓋-方端部：構/邊万向 W於第-實施例，覆蓋兩端部乃=，即構成 光罩之定位偏移致低電阻導：製造時因 計上有寬裕空間之故。故若Μ M &、、 而而使设 故右此解決孩問題，亦可構成不以 絕緣層4覆蓋另一方端部之構造。 又於第一實施例’形成於導電層7之開口部5為矩形且 僅為一個，惟當可不受該構造之限制。例如亦可如圖4⑷ 所不，對單一低電阻導電層2設複數開口部9a〜9d，使開口 部之形狀為正方形’配置成串聯之構造。即使該構 造，由於使各個開口部9a〜9d中心軸與低電阻導電層二之 短邊方向中心軸互異，形成開口部9a〜9d，即可抑制因腐蚀 反應之斷線之發生。又亦可如圖4(b)所示，隨機配置開口 部1〇a〜1〇d之構造。該情形時，因各開口部10a〜1〇d分別 具有與低電阻導電層2之短邊方向中心、軸互異之中心軸， 故可得與圖1(a)、® !⑻所示構造同樣之效果。此外，有 關導電層7之平面形狀，亦可為矩形以外之形狀。此外， 如圖4(c)所示，即使在以整體開口部1〇e之中心軸與低電 阻導電層2之短邊方向中心軸—致的情況時，如區域工〇f、 O:\85\85610.DOC -16- 1230829

端邵之低電阻導電層2之端部間之距離互異 一方端邵與對應該 互異。故可得與圖 1(a)及圖1(b)之情形同樣之效果。 第二實施例 其^人，說明第二實施例之圖像顯示裝置。第二實施例之 圖像顯示t置，*有將第-f施例之連接電極用於電路間 之連接之構造。圖5係第二實施例之圖像顯示裝置整體構 造模式圖，圖6係設於構成圖像顯示裝置之陣列基板上之 配、、泉構造，及連接於該配線構造之驅動電路說明用等效電 路圖。以下，請參考圖5及圖6說明第二實施例之圖像顯 不裝置。又以下言及之薄膜電晶體，因缺乏區別源極與汲 極之必要性，故除閘極之2個電極均稱源/汲極。 第二實施例之圖像顯示裝置，具有如圖5所示，包括： 陣列基板11，其係對應顯示像素配置電路元件；及相對基 板12 ’其係與陣列基板11相對配置；於陣列基板11與相 對基板12間，封入含具有一定配向性之液晶分子之液晶層 13之構造。又於陣列基板u下方配置背光單元14，背光 單兀14具有對陣列基板丨丨背面輸入面狀行進之白色光之 功能。於陣列基板n及相對基板12，與液晶層13接觸之

O:\85\85610.DOC -17- 1230829 面上分別配置省略圖不之配向膜，規定液晶層13所含液晶 分子之配向性。 又為了對應顯示之圖像圖案控制液晶層13之透光率，於 陣列基板11上配置像素電極，於相對基板丨2上配置共通 電極。而由控制該像素電極與共通電極間產生之電場強 度，以控制液晶層13所含液晶分子之配向狀態，調整液晶 層13之透光率。而由於從背光單元14輸入之光通過液晶 層13,將對應透光率之濃淡顯示於相對基板以之外表面 上。又第一實施例又圖像顯示裝置，由於將彩色濾光片U 配置於相對基板12内表面上，故不僅只有顯示濃淡，且可 用R、G、B三色之彩色顯示。 其次，說明配置於陣列基板Π上之電路構造。如圖6所 示t陣列基板11上對應顯示像素配置像素電極 17a〜17d’又因於像素電極na〜17d周圍分別形成同樣之電 路構造，故以下說明將像素電極17a〜17d總稱為，，像素電極 17配置於陣列基板11上之其他電路元件亦同樣總稱說 明。 於像素電極17附近，配置具有開關元件功能之薄膜電晶 缸18 ’像素電極17係與薄膜電晶體18 —方之源/汲極連 接又薄膜包日曰體18之另一方之源/汲極連接於像素電極 17附近位置，以縱方向延伸之信號線19，閘極係連接於像

O:\85\85610.DOC 1230829 素電極17附近位置，以橫方向延伸之掃描線2〇。 而於#號線19、掃描線2〇末端配置連接電極21及連接 電極22。連接電極21及連接電極22具有第一實施例記載 <連接電極構造’具有抑制因腐蝕反應於信號線19、掃描 、泉20間發生斷線之構造。有關連接電極之具體構造因已於 第一實施例說明，故於此省略。 又連接電極2 1與信號線驅動電路23，連接電極22與掃 描線驅動電路24連接。具體之連接狀態一般使用TAB(Tape Automated Bonding) > ACF(Anisotropic Conductive Film) ^ COF(Chip 〇n Film)等。 其次，簡單說明配置於陣列基板11上之電路元件之功 能。像素電極17係於配置在相對基板12上之像素電極之 間產生所需電場之用者。具體而言，像素電極17係藉薄膜 電晶體18供給對應顯示圖像之電位，使其在與共通電極之 間產生電位差，依該電位差於像素電極17與共通電極之間 產生笔％。於配置像素電極1 7之陣列基板11與配置共通 電極之相對基板12之間，封入液晶層13,因應電場強度控 制液晶層13所含液晶分子之配向性，使其可顯示圖像。 信號線19係傳送顯示信號將一定電位供給像素電極17 者如上述’信號線19係將一 ^精連接電極21連接於作 號線驅動電路23，將另一端藉薄膜電晶體1 8連接於像素電 O:\85\85610.DOC -19- 1230829 將來自信號線驅 ’對像素電極1 7 故薄膜電晶體18成為驅動狀態時， 動電路23之顯示信號傳送給像素電極17 供給〜定電位。 、泉20係傳运掃描信號以控制薄膜電晶體μ之驅 狀態者。如上述，掃描線20 #將_ ^夢漳彡、+ 4 n ^场精連接電極U連接 於掃描線驅動電路24，將另—端連接於薄膜電晶體a之閑 f故可對薄膜電晶體18傳送從掃描線驅動電路24供级 ’信號，依該掃描信號改變閑極電位，以控制薄膜電 晶體1 8之驅動狀態。 上之電路構 具有露出陣 ’且容易附 有容易發生 一般於圖像顯示裝置，連接設於陣列基板 造，與陣列基板外之驅動電路用之連接電極， 列基板上之構造。故連接電極容易受外氣影響 著穢物，與陣列基板上之其他電路構造比較， 斷線之問題存在。第二實施例之圖像顯示裝置，由於將連 接電極構成如第-實施例之構造，以防止因腐蚀反應之斷 線，將驅動電路與陣列基板上之電路構造之間維持良好之 導通狀態。由此，與先前比較製品壽命長，而可實現抑制 故障發生之圖像顯示裝置。 又第一實施例之連接電極之利用狀態，不僅可利用於第 一實施例所示構造之圖像顯示裝置，例如亦可利用於平面 切換型（IPS，In-Plane Switching)型之圖像顯示裝置，不僅可 O:\85\85610.DOC -20- 1230829 利用於主動矩陣，亦可利用於被動矩陣構造之圖像顯示裝 =°此等圖像顯示裝置均使用信號線及掃描線進行圖像顯 丁以此為共通點，為了與驅動電路連接需具備連接電極。 ，任何圖像顯示裝置由於高精細化等需要多數信號線及掃 田泉連接電極大型化有困難，最好利用第—實施例之連 ”之故又即使圖像顯示裝置之外，只要以TAB等連 接複數電路者’當可用第—實施例之連接電極。 發明之效果 如以上說明，依本發明，因採用絕緣層覆蓋之導電層上 面寬度為兩％邵互異之構造，故開口部至導電層端部之距 離互異’即使萬一開口部之一部分開始腐蝕反應時，腐蝕 反應 < 進仃速度在兩端部附近區域互異，而發揮可抑制導 電層斷線之效果。 又依本發明，由於導電層之短邊方向有關之中心軸，與 開口部之中心軸隔離一定距離之構造，因由絕緣層覆蓋： 導迅層#刀 < 寬度互異’故發揮可抑制因腐姓反應之斷線 之效果。 '7 又依本發明’由於採以上述構造之連接電極連接陣列基 板上之電路構造與外部電路之圖像顯示裝置，故可抑制連 接邛刀之斷、’、泉之發生，具有可實現製品壽命長之圖像顯示 裝置之效果。

O:\85\85610.DOC -21 · 1230829 圖式簡單說明 圖1(a)係第一實施例之連接電極剖面構造圖，圖 第一實施例有關之連接電極平面構造圖。

圖2(a)、2(b)係第一實施例之連接電極，腐蝕反應 態模式圖。 圖3係第一實施例之連接電極斷線比例曲線圖。 圖4(a)至圖4(c)係第一實施例之連接電極不同實施例平 面圖。 圖5係弟二實施例之圖像顯示裝置構造模式圖。 圖6係第二實施例之圖像顯示裝置構成之陣列基板上之 電路構造等效電路圖。 圖7係先前之連接電極構造模式圖。 元件符號之說明 1 基板 2 低電阻導電層 3 保護導電層 4 絕緣層 5 開口部 6 表面導電層 7a〜7d、9a〜9d、l〇a〜i〇e 開口部 8a、8b 腐蝕反應區

O:\85\85610.DOC 1230829 lOf、 lOg 區域 11 陣列基板 12 相對基板 13 液晶層 14 背光單元 15 彩色滤光片 17a 像素電極 17 像素電極 18 薄膜電晶體 19 信號線 20 掃描線 21、 22 連接電極 23 信號線驅動電路 24 掃描線驅動電路 101 基板 102 低電阻導電層 103 保護導電層 104 絕緣層 105 開口部 106 表面導電層 O:\85\85610.DOC -23 -

Claims (1)

1. !23〇829 拾、申請專利範園：

   3. 4. 5. 6.

   ’該開口部由覆蓋在部 該連接電極係使用於連 一種連接電極，其係具有開口部 分導電層上面之絕緣層所區隔， 接外部電路之連接構件， 方端部與對應該端 導電層上面之另一 口 w卩端邵間之距離 其特徵在於：上述導電層上面之一 邵之上述開口部端部間之距離，比上述 方^淬與對應該另一方端部之上述開 有更大之數值。 如申請專利範圍第丨項之連接電極，其中關於上述導電 層《短邊方向中心軸與上述開p部中心轴，於水平 隔開一定距離。 α 如申請專利範圍第i或2項之連接電極，其中上述導電 層表面之一方端部與對應該端部之上述開口部端部間： 距離為10 // m以上。 如申巧專利範圍第1或2項之連接電極，纟中上述導 層係含依序疊置低電阻層，與保護該低電阻層之=護 藏層之多層構造形成 如申請專利範®第i或2項之連接電極，其中於上述導 兒層及上述絕緣層上面，更配置表面導電層。 以 如申請專利範圍第1或2項之連接電極，其中上述開口 部係以複數個形成於上述導電層上面。 开 一種圖像顯示裝置，其特徵為具有陣列基板，其係包括： 像素電極，對應顯示像素配置者； 開關元件，對應該像素電極配置者； O:\85\85610.DOC 1230829 信號線，藉該開關元件將顯示信號供给上述像素 者； 、兒蚀 掃描綠，供給控制上述開關元件之驅動狀 號者；及 ^ β連接電極，其係如_請專利範園第，連接上述信 號、、泉及/或上述掃描線與外部驅動電路者。 8·如申請專利範圍帛7項之圖像顯示裝置，纟中更具有·· 外邵驅動電路，其係藉上述連接電極連接者； 相對基板，其係相對於上述陣列基板配置者；及 液晶層，其係封入上述陣列基板與上述相對基板之間 者。 9.如申請專利範圍第748項之圖像顯示裝置，其中更具 有背光光源，其係供給透過上述液晶層内之光者。 O:\85\85610.DOC