TWI230559B - Organic electroluminescent device, method for manufacturing the organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display apparatus - Google Patents

Organic electroluminescent device, method for manufacturing the organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display apparatus Download PDF

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Description

1230559 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電致發光（下文中，簡稱為“有機EL”） 。更明確的說，本發明係關於一種有機EL顯示裝置，其改 良暗點之出現與成長的問題，因此使得可能顯著提高顯示 品質與其使用壽命；且關於一種製造該有機EL裝置之方法' ;且關於使用該有機EL裝置之一有機EL顯示器。 ' 【先前技術】 有機EL裝置具有非常快的響應速度，且係一種自發光裝籲 置，且因此，當該EL裝置被施加至一顯示裝置時，吾人預 期可提供具有一較寬視角之良好的平板顯示裝置。就此而. 論，在液晶顯示裝置之後，已研究，將該有機EL裝置施加至. 一平板顯示裝置。 當上述有機EL裝置被施加至該平板顯示裝置時，.可按照 與將主動式矩.陣驅動方法運用至液晶顯示裝置相似的方式 ’將該主動式矩陣驅動方法運用至該平板顯示裝置。已知 ’ 一頂部發射結構或底部發射結構可被用作在該運用了主馨 φ 動式矩陣驅動方法的有機E L顯示裝置中之一發光結構。 圖11(a)與11(b)係示意地展示習知有機el裝置的圖式。圖 1 1(a)說明一頂部發射類型之有機el裝置，且圖11(b)說明一 底部發射類型之有機EL裝置。在圖11(a)中說明之該頂部發 射類型之習知有機EL裝置100中，由諸如Ni/Al之材料形成 的反射陽極104在許多狀況下被沈積在基板1〇2上，且由有 機EL材料組成的功能層1 〇6形成於該陽極1 〇4上。根據該有 88822 1230559 機el裝置之特定材料及目的，該功能層ι〇6由多種材料組成 。在圖U (a)中說明之習知實例中，在陽極1 〇4上，功能層丨 包括：含銅酞菁及其類似物之載子注入層108;載子傳送層 ’例如TPD ;及發光層112，例如Alq3。此外，被建構成 一透明導電薄膜之陰極114沈積於該發光層112上。在圖 "(a)中說明之習知實例中，該陰極i 14由諸如鋁（α〇材料組' 成另外’由具有較小電離能量之材料（例如Li、Κ、Ca及* Mg)組成之薄層116,形成於該陰極與該功能層}⑽之間 。該薄層116提高了電子注入（electr〇n injecti〇n)功效。此籲 外，為保護上述各組件免受外部濕氣影響，由諸如Si〇w， 、SiOxNy& SiNz之材料製成之透明絕緣薄膜n8被沈積，以. 塗覆陰極114。因此，一組態形成，其中該有機EL裝置之 可靠性被提高。在圖11 (a)中說明之該頂部發射類型之有機 EL裝置1〇〇中，在功能層ι〇6中產生的光以箭頭a指示的方 向發射。 此外，在圖11 (b)中說明的該底部發射類型之組態，此前 亦已為人熟知。在透明基板122上，在圖n(b)中說明的該底一參 部發射類型之習知有機EL裝置1 20包括：由一透明導電薄膜 組成之陽極1 2 4 ;沈積於該陽極1 2 4上之功能層1 2 6 ;及沈積 於該功能層126上，且由諸如A1之材料形成之反射陰極128 。對該功能層1 2 6而言，可使用與該底部發射類型之上述有 機EL裝置之材料相似的材料，且.一組態形成，其中在功能 層1 2 6中產生的光以箭頭B指示的方向發射。 順便提及，此前已知，出現一種嚴重影響上述EL裝置之 88822 1230559 顯示品質及使用壽命的現象。特定言之’已知有暗點出現 於該EL裝置中。該等暗點係指在該有機EL裝置上的斑點狀 瑕疵，在該等瑕疵中沒有光產生。該等暗點在其出現後， 隨時間消逝而逐漸成長。因此，暗點存在已成為一嚴重的 缺點，因為該有機EL裝置之發光區域減少，從而導致該有 機EL裝置之亮度特徵的退化，且因為顯示效能隨時間消逝' 而退化。已知，該等暗點係在該裝置之製造過程中由某些 ： 原因而導致的，且暗點數目不增加，但其面積僅隨時間消 逝而擴大。特定言之，已設想，在該裝置製造過程中未出 _ 現暗點，將可、能顯著提高該有機EL裝置的使用壽命，並提 供一種具有良好顯示品質的有機EL裝置。 . 此前，已進行多種研究，來解決該等暗點之問題。舉例· 而言，日本特許公開案平1 0(1998)_275682號揭示，一密封 部分被建構在該裝置外，來防止由氧氣或濕氣引起的該等 暗點之成長，以便解決暗點之問題。但是，根據日本特許 公開案平10(1998)-275682號，暗點之出現不是直接被制止 。儘管該等暗點不被擴大，且因此該裝置的使用壽命可防▲馨 止被縮短’但是，限制暗點出現不是該已揭示技術的本質 目標。 一 此外’防止氧、氣與水自外界滲透之嘗試亦在日本特許公開 案第2000-40594號中得到揭示。在日本特許公開案第 2000-40594號中’已知來自外界之影響係藉由在該有機eL裝 置上形成一損害預防薄膜（damage preventive film)而被避免 。設想’在日本特許公開案第2〇〇〇-4〇594號中揭示之損害預 88822 1230559 防薄膜’防止由氧氣、水或電漿導致的損害，且具有限制暗 點成長之某些效應。但是，在曰本特許公開案第2〇〇〇_4〇594 號中揭示之方法，從未解決防止暗點出現之問題。 此外，在上述防止暗點出現之技術中，已假定該等暗點 由製造過程中的灰塵及被沈積以充當陽極與陰極之薄膜的 不均勻性而導致。已藉由使用減少灰塵與研磨該等被沈積二 之薄膜，來處理該等瑕疵。但是，不可認為，根據習知的： 處理方法，該等暗點之出現可被完全抑制。此外，已認為 必須藉由在該等暗點出現時解決一本質機制，以更基本地_ 和7制該等暗點出現。 【發明内容】 . 本發明係考慮到.先前技術之上述缺點而完成者。本發明· 係關於一種有機EL裝置，該裝置藉由防止歸因於暗點之出 現的退化來獲得較長的使用壽命，接著，藉由最小化該等 暗：:、占之出現來防止其成長，以獲得使用壽命之延長。此外 ’本發明係關於一種製造該有機EL裝置的方法，及一種包 含该有機EL裝置之有機EL顯示裝置。 ·馨 本發明之發明者藉由詳細研究該等暗點之出現機制，來— 貝現本發明。特定言之，歸因於刻苦的研究，本發明之發 明者發現，除在該沈積層表面上之沈積過程中的灰塵或不 均勻性外，該等暗點之出現主要是由一有機層與一無機層 間之’丨面上之微觀分層（micro delamination)所導致。通常， 典機材料（例如陰極）沈積於配置該有機EL裝置之功能層上 、保。又寸见性。本發明者已發現如下情況。在許多狀況 88822 1230559 τ 有機薄膜（例如一發光層）與一無機薄膜（例如由金屬 或至屬氧化物形成之陽極與陽極）間之黏附性，不是非常良 ^ 每典機薄膜中積聚之壓力導致在該有機薄膜與該 典機薄搞間之介面上的分層，該分層導致該等暗點之出現 。一旦出現暗點，氧氣或水則沿該等層面出現分層現象之· 表面4 ’且由此隨著時間的推移，該等暗點由於腐蝕及· 其颁似原因而擴大，因此降低了該有機EL·裝置的長期可靠 性。 本發明提供上述有機EL裝置之結構，該結構之該等暗點 出現最小化，因此解決了習知有機£[裝置固有的與該等暗· 點相關的缺點。 特疋τ之，本發明提供一種有機EL裝置，其包含··一基 板夕個絶極’其包括形成於該基板上之第一電極，及與 咸第黾極隔開放置之第二電極；一功能層，其形成於該 等電極之間且包括一發光層；及一緩衝層，其包括在該第 二電極中且與該功能層隔開放置。 在本發明中，該緩衝層較佳在與該功能層之上端表面相_ 隔20 nm(或更小）處形成。在本發明中，該緩衝層包含氧化 物。本發明之緩衝層可包含氧化鋁。在本發明中，該有機 EL裝置可進一步包含：一層§，其設置為鄰近該功能層， 且包含鹼金屬元素及鹼土金屬元素中之任何一種。 本發明提供一種製造有機EL裝置的方法，該方法包含以 下步驟： 88822 -10- 1230559 在一基板上形成一第—電極； 在該第一電極上’形成-包括-發光層之功能層； 在該發光層上形成一第二電極；且 曰 在與該功能層之上端表面相隔一預定值或更小值處，形 成一緩衝層。 在本發明中，該緩衝層包含氧化物， ι 成一緩衝層之 步驟可包括，氧化該第二電極之步驟及在診μ —兩 昂—電極上沈 積該氧化物之步驟中的任—步驟。在本發明中，該緩衝層 可包含氧化銘。在本發明中，該製造方法可進—步包含鄰 近該功能層沈積一層面之步驟，該層 曰叫乙3鹼金屬元素及· 鹼土金屬元素中之任何一種。 本發明提供一包括形成於一其扣ρ 士、-㈤ 风万、基板上（设數個有機豇裝.置 的有機EL顯示裝置， 其中該有租裝置包括：多個電極，其包括鄰近於該基 板之第一電極，及與該第一電極隔開放置之第二電極·一 功能層，其包括形成於該等電極 ( 兀；，及一緩衝一 層，其包括在該第二電極中且被與該功能層隔開放置。 在本發明中，該緩衝層可在與該功能層之 1 ♦表面相隔 nm(或更小）處形成。在本發明中，該緩衝 ,, J巴含氧化 物。在本發明中’該緩衝層可包含氧化銘。在本發明中 該有機EL顯示裝置可進—步包含：一層自，, 、、 又置於鄰近 该功能層’且包含鹼金屬元素及鹼土金屬元 〈任何一 種〇 88822 -11 - 1230559 【實施方式】 儘管將藉由在該等圖式中顯示之實施例而在下文中描 述本發明，但是本發明並不限於在該等圖式中展示之實施 例0 為更完全地理解本發明及其優點，現在結合該等隨附 式，參考以下描述。
圖1係說明本發明之有機EL裝置結構的示意圖。在圖】中 发明之有機EL裝置1 〇架構為一頂部發射類型結構，其中反 ，陽極丨4沈積於基板12(例如破璃）上，且於該陽極14上沉積 藉由电致·光產生發光之功能層16。該陽極可由導電金屬 材料所形成，且可使用例如，Ni、^^、^、见/八丨及其 任何合金。此外，如圖^所說明，更具體的說，該功能層 16包括載子注入層16a、載子傳送層⑽及發光層…。應注 意，在本發明之另一實施例中，該功能層16可包括具有另 -功能之另-層面，例如…電子傳送層及其類似物。此
外’在圖1中說明之實施例中，由諸如LiF之材料組成之薄層 1 8被鄰近於該發光層1 6c放置。 該載子產生層16a可包含（例如）銅酞菁或其類似物。但是 ，在本發明中，除銅酞菁外，可使用任何載子產生材料， 例如’卟啉（p0rphyrin)及其衍生物。 此外’作為在本發明中可使用的載子傳送層i6b，丁印可 使：在本發明之特定實施例中。Μ，除該丁叩外，可使用 先前已知的任何載子傳送材料及其衍生物。在本發明中可 使用之該等載子傳送材料將在下文中例示。 88822 1230559
(化學式1)
(化學式2)
MPB
(化學式3) (化學式4) (化學式5)
88822 -13 - 1230559 此外，舉例而言，作為本發明 ^ m jL· ^ nsf t / 了使用的發光層1 6 C，可 使用先刖3知之任何低分子， 、 飞问刀子，（例如）錯合物（諸如
Alq3)：IF可使用。在本發明中可使用之該等發光材料將在下 文以一例示方式而被描述。作為該等低分子發光材料，。 列出以下化合物。
(化學式6) (化學式7) (化學式8)
(化學式9) 88822 -14- 1230559 此外，作為該等高分子發光材料，可列出以下化合物。 (化學式10) fl wv (化學式11)
(化學式12)
MEH^FV
(化學式13) 關於上述材料，在許多狀況下，該等低分子材料係在其 功能被分離至多個層面中且該等層面被堆疊的組態中使用 88822 -15 - 1230559 ’且採用其中該高分子材料被充當一單層使用之組態。但 是’在本發明中，根據其發光功效，多種摻雜劑可被添加 土遠等材料’且另外，上述發光材料可相互混合使用。 夕種摻雜劑可添加至上述功能層，以控制其發光特徵。 作為本發明中可使用的該等摻雜劑，只要可獲得必要的發 光特徵’任何摻雜劑都可使用。舉例而言，該摻雜劑可選 自以下各物：日光色螢光材料（daylight Huorescent material) 、螢光增白劑、激光染料、有機閃爍劑，用於螢光分析試 劑之染料及其類似物。 更明確的說，上述染料可被列舉為：尼羅藍（Nile Blue)、 尼羅紅（Nile Red)、TPB、香豆素6(Coumarin 6)、酮基香豆素 (Ketocoumarin)、紅螢烯（Rubrene)、DCM_1(橙紅）、二萘嵌苯 (Perylene)、對聯三苯（p-Terphenyl)、聚苯u、 芪KStilbene丨）、芪3、香豆素2、香豆素47、香豆素ι〇2、香 昱素30、若丹明6G(Rh〇damine 6G)、若丹明B、若丹明7⑻、 苯乙烯9(Styryl9)、HITCL、IR14〇及其類似物。但是，在本 發明中，亦可使用任何非上述之染料，只要其可產生合適的 發光光譜即可。 匕卜在本冬明中，根據需要，一電子傳送層亦可用於 該陰極。對在本發明中可使用之電子層而言，可列出下文 中例示之材料。 (化學式14)
88822 -16- 1230559
(化學式16) (化學式17)
rm 可列出由以上化學式代表之該等噁二唑化合物，或先前 已知的噁二唑衍生物。 用万；本I明中之特定實施例中的薄層1 8可由一具有較小 電離能量之光透明材料形成。舉例而言，可使用包括Li、K 及其類似物（鹼金屬元素’或包括Ca、^§及其類似物之鹼 王屬元素在本發明之特定實施例中，該薄層1 8可由諸 如LiF之氟化物形成。因為上述薄_提高電子注入功效， 所以薄層18特別在由A1形成陰極20之狀況下，是適合使用 的。 在本务明中’陰極20形成於薄層18上，且架構嶋 子至功能層16。在本發明之特定實施例中，陰極2〇可6 形成:作4孩展部類型結構中之充當陰極2G使用之材寺 任何導甩材料本f上都可使用’儘管該材料較佳係反^ "使用例如 ’ A卜 Ca、Sr、LiAl、Ni、Ni/Al、Cr、A MgAg及其類似物。此外’在本發明之另一實施例中，^ 88822 1230559 鹼金屬元素或驗土金屬元素之有機導電薄膜可充當該陰極 使用。在該狀況下，由諸如八卜1 丁〇、Ag、Ni及Cr之金屬製 成〈導電薄膜可充當一辅助導電層使用。1外，在本發明 中，緩衝層22形成於鄰近陰極2〇處。緩衝層^減少了自待 在下又中描述之保護薄膜施加至有機—無機介面的壓力。 因此’在該有機-無機介面上之分層，且特別係在，說明 之本發明之實施例中之A1/功能層介面上的分層可被制止。
王思’本發明中之有機一無機介面主要被稱作A"功能層 介面，因為包含Li之薄層18薄至約〇.5 nm。 曰
、在本發明之較佳實施例巾，±述緩衝層22可被建構成密 度比發光層16c或陰極20之密度低的薄膜。在本發明中，層 面密度可藉由（例如）由掃描電子顯微鏡獲得的在一剖面結 構上的影像密度來確定。特別係在將A1用作陰極的狀況 下，A1較佳以氧化鋁使用。在本發明中，緩衝層“較佳為 充分軟的，且具有比陰極材料密度小的密度，以使得可充 分緩衝自保護薄膜施加之壓力。必須考慮到電子注入屬性 ，而將在本發明中使用之緩衝層22之薄膜厚度設為5〇11111或 更小。為保證充分的載子傳送屬性，較佳將該薄膜厚度設 為20 nm或更小，且更佳為〇·5 nm至10 nm間。另外，在本發 明中’藉由將陰極2 0與緩衝層2 2之薄膜厚度總和所獲得的 薄膜厚度，可被設為20 nm或更小。 特定f之，在本發明中，由該緩衝層22至該功能層至上 端表面的距離’例如，至在圖1中說明之發光層1 6(：之上端表 面的距離，較佳被設為約20 nm或更小。在本發明中，例如 88822 -18 - 1230559 ，當一未被說明之電子傳送層形成於該發光層1 6C上以組成 功能層丨6時，該功能層1 6之上端表面將與該電子傳送層之 上端部分重合。 用於保護該等組件（例如功能層16與陰極）免受外界水與 氧氣影響之保護薄膜24係形成於緩衝層22上。該保護薄膜 24可由諸如SiOw、SixOy及SiNz之材料形成，以達成具有足 夠的光學透明度，及充分的保護屬性。 圖2說明本發明之有機EL裝置的另一實施例。在圖2中說 明之有機E L裝置3 0被架構為一底邵發射類型。在圖2中說明 之該底部發射類型之有機EL裝置，被架構成與在圖丨中說明 之有機EL裝置10基本上相似，除了陽極32及陰極34之組態 不同外。當參考圖2描述本發明另一實施例之有機el裝置3 〇 時，遺1%極3 2被沈積於基板3 6上，且由一種透明導電材料 諸如ITO、IZO及Sn〇2形成以能夠進行底部發射。 此外，在圖2中說明之有機EL裝置的陰極34由反射AL形成 。該陰極34藉由一分為兩個步驟之沈積方法，形成了陰極 層34a及34b。在該陰極層3乜上，以與參考圖i所描述之組態 相似的組態形成緩衝層22。此外，與已被參照圖}描述之: 發明第一貫施例中描述的相似的功能層丨6與薄層丨8，形成 於陰極34與陽極32間，由此架構該有機EL裝置。應注意， 仏s在圖2中說明之實施例中沒有形成保護層，但是，可以 人圖1中說明之貝訑例相似的方式形成該保護層，由此有可 能提高可靠性。 圖3⑷至4(b)係說明各步驟之結構的視圖，該等結構係藉 88822 -19 - 1230559 由本發明之製造有機EL裝置的方法所形成。在圖3(3)至4(七) 中說明之製造方法的實施例係製造具有在圖丨中說明之頂 邵發射結構的有機EL裝置1〇的實施例。但是，在圖3(幻至 4(b)中說明之製造方法，亦可僅藉由改變基板、陽極、陰極 之材料’而被應用至在圖2中說明之有機EL裝置3〇。 本發明之製造方法將參考圖3(a)之圖式而描述。首先，如 圖3(a)中所示，諸如州或犯/八丨之反射材料沈積至該基板（例 如玻璃、石英、熔凝石英及矽（單晶體、多晶體））上，且接
耆圖案化以形成陽極14。接著，如圖3(b)中所示，沉積諸如 聚合物及SiOx之絕緣材料，以界定彼此鄰近之一導電组件與 一像素。㈣，該絕緣材料被㈣化，且接著形成該絕緣 結構28。此後，如圖3(c)中所示，包括載子產生層、載子傳 送層與發光層之功能層16 ’藉由某_方法(例如藉由使用一 合通的遮罩進行濺鍍與蒸發）而沈積。 、 ▼…， 一吗、叼中尸/Γ示，藉由該 万法(例如賴蒸發)沈積含(例如)UF之薄層18與陰極20 。：後，如圖4(b)中所示’於陰極20之表面上形成緩衝層22 。在本發明之特定實施财，可以下料式㈣緩衝扣 機=:空氣及其類似物引進至-製造裝置中，將該有 之表：溫度下保留一預定時間週期，且使陰極2〇 (例此外，在本發明製造方法之另一實施例中， 而沈積’以製備具有合適密度的緩衝層22。在該狀 …_率可被調節，以獲得該合適密度。在本發明 88822 -20- 1230559 中，在藉由陰極之表面氧化來製備緩衝層22的情況下，可 不特力J使用省如遮罩S材料，而以與該陰極自動對準的 方式來形成緩衝層22。因此，製造成本可減少，且製造過 程可簡化。 此後，諸如SiOw、SiOxNASiNz之材料藉由CVD方法而被 沈積於緩衝層22上’以形成保護層24。由此，形成圖1中說' 明㈣頂部發射類型之有機EL裝置。此外，在形成保確層：. 24前、，可形成一用於執行必要連接之未被說明的導電^件 。應，王思，在圖2中說明之本發明之底部發射類型的有機el籲 裝置’可藉由改變陽極及陰極之材料’並在圖3⑷至4⑻中 說明之製造方法中，沈積陰極材料來代替保護層以而形成. 。此外’亦可使用一組態’其中’由該功能層觀看，陽杨， 被設疋為下部電極，而陰極被設定為上部電極。或者，亦 可使用另-組悲’其中’由功能層觀看，陽極被設定為上 4笔極’而陰極被設定為下部電極。 圖5係說明有機EL顯示裝置4〇之組態的上視圖’在該裝置 中:本發明之有機EL裝置被排列成一主動式矩陣。如圖5中鲁 所π ’本發明之有機EL顯示裝置4〇架構為一主動式矩陣配、 置丄其中各像素42在基板上排列成-矩陣。在本發明之較 佳實施例中，該等薄膜電晶體（下文中稱為TFT)44被連接至 各像素42，由此能夠對每-像素進行開關驅動（swiuhing 如叫。剖面形狀說明於圖之功能層被沈積於每—像素 42上’由此架構該有機EL裝置。執行該主動式矩陣驅動所 必需之未被說明之導電組件形成於該等像素42之間，且由 88822 1230559 此完成一組態，其中本發明之有機el顯示裝置，可其於自 外部輸入之控制訊號而被驅動。 圖6說明在本發明中可使用之有機£[裝置之驅動電路之 一實例。在圖6中，該有機EL裝置說明為由參考數字5〇指示 之二極體。在圖6中說明之驅動電路的實施例中，用於驅動 該有機EL裝置之驅動電路可包括：用於執行該開關驅動的 開關TFT 54，由開關TFT 54驅動且用於將電流供應至該有 機EL裝置50的驅動器7]?1[ 52，及用於安定化被供應至該有 機EL裝置50之電流的電容器58。 訊號線56被連接至該開關TFT 54。一驅動訊號藉由該訊 號線56而被接收，以驅動開關TFT 54，其接著控制驅動器 TFT 52之閘極電位。由此，該驅動器TFT 52被驅動成開及 關。流入有機EL裝置50之電流，根據該驅動器打丁52之開/ 關操作而被控制，且由此如箭頭c所示，達成了在本發明中 被使用之功能層中的發光。在本發明中，用於驅動該有機 EL裝置之上述電路不限於圖6中說明之電路，且可使用先前 已知的任何電路。 圖7(a)與7(b)係比較本發明之有機EL顯示裝置之一像素 之I光特欲的視圖，該有機EL顯示裝置使用底部發射結構 4有機EL裝置，該等有機EL裝置說明於圖2中，在製造後， 白知有機EL顯示裝置的發光特徵立即說明於圖丨1中。在圖 7(a)至9(b)所說明之有機EL顯示裝置中，A1被用作陰極。以 下列方式形成緩衝層：沈積該陰極，將乾燥空氣引進至一 u毛、衣置中，以進行該八丨表面之空氣氧化反應，且因此氧 88822 -22- !23〇559 化 鋁（Al2〇3)形成於該陰極表面上 此後，再次沈積A1以p + a 一 、 形成具有約200 nm之薄膜厚度且其 中包括該緩衝層之险^ ^ "彳一’由此架構該有機EL裝置。在該壯 況下，該緩衝層之密户耳益 又了猎由（例如）由掃描電子顯微鏡獲揭 的在剖面結構上的影傻宓泠 、、、 〜像技度來確足，且接著，該密度被石雇 認比該A1層之密房柄 L 、、
- 匕外’該緩衝層在與該發光層相PI 約1 0 nm處形成’且具有一約2 _之薄膜厚度。此外，於陸 極與發光層間形成約〇.5nm厚度之該uf層。
圖7(a)展不本务明之有機EL顯示裝置之一像素的發光特 欲且圖7(b)展不習知有機紅裝置的發光特徵。如圖了⑷中 所不，在根據本發明製造的有機紅顯*裝置中，未觀察到 由暗點所引起的黑色部 >，且展示了良好的顯示品質。另 一万面，在圖7(b)中展示之習知有機EL裝置，展示由其中出 現之暗點所引起的顯示缺陷，儘管除在本發明中使用之緩 衝層未被使用外，該習知有機EL裝置係在與本發明之有機 EL裝置相同的沈積條件下被製造的。在圖7(y與7(匕）中展示 之居等有機EL裝置的製造條件是相同的。因此，顯示暗點 之出現可藉由對在該有機一無機介面上存在之壓力進行緩 衝可有效地減少，而非減少灰塵與電極缺陷沈積。 圖8(a)與8(b)係展示顯示特徵的視圖，該等顯示特徵係在 約3週後，對相同有機El裝置的像素進行相同的顯示測試而 C仔的。圖8 (a)展示本發明之有機E L顯示裝置的顯示特徵， 圖8(b)展示習知有機EL裝置的顯示特徵。如圖8(a)所示，當 暗點不在其製造過程中出現時，顯示品質甚至隨著時間的 88822 -23 - 1230559 推移仍被保持。但是，貧暗點 ^ 一 /、灰造過程中出現時，如 圖8(b)所不，該等暗點部分 七、、 — 、争間的推移而擴大。結果將 寸致該顯示品質降低，例如亮 ,,^ ^低，對比度降低及顯示 缺陷。如圖7(a)至8(b)中展、 展丁她例所示，應瞭解，根據 本發明，已可能顯著地提高有機Ε 可靠性。 圖9(a)與9(b)係展示在一更寬 示裝置的發光特徵隨時間變化的視：r本術有機_ 笨· τ、、 又化的視圖。圖9(a)係展示在該裝 置剛剛被製造出來後之該等發光 特欲的視圖；圖9(b)係展示 被1造出來3週後所獲得的發光特徵。如圖9⑷所 顯示裝置產生發光，該發光之對比度. 狀增回。另外’如圖9(b)所示，亦關於該等發， 先特破隨時間之變化，顯示該隨時間而發生之變化幾乎不 出現在本發明之有機EL顯示裝置中。 另-方面，對習知有機EL顯示裝置之相 在圖1。⑷與剛中。圖i。⑷係展示該裝置剛被製：二 寺發光特徵的視圖，圖10(b)係展示在該裝置被製造出《 1後《發光特徵的視圖。如圖i 0⑷所示，在習知有姐 :'、衣置的發光中’即使是剛被製造出來時’除由㈣引 =的黑色部分外，也觀察到像素週圍上之亮度降低。儘管 妨力儋主 餘壓力傾向於被釋 ::像素之週圍部分上’且因此該有機—無機介面上之分 曰更倾向於在像素之週圍部分上出 千夕八， 乃外在圖10(b)所展 ,$先特徵中’其中該等發光特徵隨時間消逝(約3週後） 88822 -24- 1230559 而仍被保持，觀察到每一像+古 呼像素冗度降低，同時伴有暗點 長:且二、，Γ素之形狀再現性降低。如此，顯示該有機 EL頒7Γ裝置之_不特徵顯著退化。 如^所述，根據本發明，可提供本f地暗點出現最小化 且提高顯讀徵之可靠性的有魏裝置。另外，根據本發 明，可提供用於以低成本不費力地製造該能夠減少暗點出 現的有機此裝置的方法。此外，根據本發明，可提供L種 有機EL顯不裝置，其可長期提供處於良好對比度的顯示， 而不導致該等顯示特徵隨時間退化。 如上’本發明已藉由在該等圖式中說明之實施例而詳細 描述。但是，本發明並不限於該等圖式所說明的實施例。 關於架構細節、結構、該有機此裝置之組態製造過程次序 及其類似物，只要可獲得一相似組態，任何一種都可被合 適地應用。 儘官已詳細描述本發明之較佳實施例，但是應瞭解，在 不偏離該等隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神與範 圍時’可作成各種變化、替換及改變。 【圖式簡單說明】 圖1係說明本發明之有機EL裝置之剖面結構的視圖，該裝 置具有一頂部發射組態。 圖2係說明本發明之有機eL裝置之剖面結構的視圖，該裝 置具有一底部發射組態。 圖3 (a)至3(c)係說明本發明之有機el裝置之製造方法的 視圖。 88822 -25 - 1230559 圖4(a)與4(b)係說明本發明之有機EL裝置之製造方法@ 視圖。 圖5係本發明之有機El顯示裝置的上視圖。 圖6係說明本發明之有機El顯示裝置之驅動電路的圖解。 圖7(a)與7(b)係該等視圖，每一視圖顯示有機EL顯示裝置 之一像素之發光特徵（在其製造後立即進行）。 圖8(a)與8(b)係該等視圖，每一視圖顯示該有機EL0員示裝 置之一像素之發光特徵（過了 3週後）。 圖9(a)與9(b)係顯示本發明之有機el顯系装置之無光特 徵的視圖。 圖10(a)與10(b)係顯示該習知有機eL顯系装置之發光特 徵的視圖。 圖11(a)與11(b)係顯示該等習知有機£[装置之剖面結構 的視圖。 【圖式代表符號說明】 10 有機EL裝置 12 基板 14 陽極 16 功能層 16a 載子注入（產生）層 16b 載子傳送層 、 16c 發光層 18 薄層 20 陰極 88822 -26- 緩衝層 保護薄膜/保護層 絕緣結構 有機EL裝置 陽極 陰極 陰極層 陰極層 基板 有機EL顯示裝置 像素 薄膜電晶體 有機EL裝置 驅動器TFT 開關TFT 訊號線 電容器 有機EL裝置 陽極 功能層 載子注入層 載子傳送層 發光層 陰極 -27- 1230559 116 薄層 118 透明絕緣薄膜 120 習知有機EL裝置 122 透明基板 124 陽極 126 功能層 128 發射陰極 88822 -28 -

Claims (1)

1230559 拾、申請專利範圍： 1. 一種有機電致發光裝置，其包含： 一基板； 多個電極，其包括一形成於該基板上之第一電極，及 一與該第一電極隔開放置之第二電極； 一功能層，其形成於該等電極之間，且包括一發光層 :及 一緩衝層，其包括在該第二電極中且與該功能層隔開 放置。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置， 其中該緩衝層在與該功能層之一上端表面相隔20 nm 或更小處形成。 3 ·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置， 其中該緩衝層包含氧化物。 4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置， 其中該緩衝層包含氧化鋁。 5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其進一步 包含_· 一層面，其被鄰近於該功能層放置，且包含驗金屬元 素及驗土金屬元素中之任何一種。 6. —種製造有機電致發光裝置之方法，該方法包含以下步 驟： 在一基板上形成一第一電極； 在該第一電極上形成一包括一發光層之功能層； 88822 1230559 在該發光層上形成一第二電極；且 在與S功此層之一上端表面相隔一預定值或更小值 處，形成一緩衝層。 7·如申請專利範圍第6項之製造有機電致發光裝置之方法， 其中該緩衝層包含氧化物，且形成一緩衝層之步驟可 包括使該第二電極氧化之步驟及在該第二電極上沈積 該氧化物之步驟中的任一步驟。 8.如申請專利範圍第6項之製造有機電致發光裝置之方法， 其中該緩衝層包含氧化铭。 9 ·如申請專利範圍第6項之製造有機電致發光裝置之方法 ，其進一步包含以下步騾：鄰近於該功能層沈積一層面 ’該層面可包含鹼金屬元素及鹼土金屬元素中之任何一 種。 10· —種包括於一基板上形成複數個有機電致發光裝置之 ,有機電致發光顯示裝置， 其中該有機電致發光裝置包括：多個電極，其包括一 鄰近於該基板之第一電極，及一與該第一電極隔開放置 之第一電極；一功能層，其形成於該等電極之間，且包 括务光層；及一緩衝層，其包括在該第二電極中，且 與該功能層隔開放置。 11 ·如申睛專利範圍第1 〇項之有機電致發光顯示裝置， 其中該緩衝層在與該功能層之一上端表面相隔20 nm 或更小處形成。 1 2·如申請專利範圍第10項之有機電致發光顯示裝置， 88822 1230559 其中該緩衝層包含氧化物。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項之有機電致發光顯示裝置， 其中該緩衝層包含氧化鋁。 1 4.如申請專利範圍第1 0項之有機電致發光顯示裝置，其 一步包含： 一層面，其被放置於該發光層與該第二電極間，且 含驗金屬元素及驗土金屬元素中之任何一種。 88822
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