TWI229774B - Semiconductor device, reflective liquid crystal display apparatus and reflective liquid crystal projection apparatus - Google Patents

Semiconductor device, reflective liquid crystal display apparatus and reflective liquid crystal projection apparatus Download PDF

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TWI229774B
TWI229774B TW092115848A TW92115848A TWI229774B TW I229774 B TWI229774 B TW I229774B TW 092115848 A TW092115848 A TW 092115848A TW 92115848 A TW92115848 A TW 92115848A TW I229774 B TWI229774 B TW I229774B
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Description

1229774 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為：-種半導體裝置’其用以構成採用主動矩睁 顯示方式的反射型液晶顯示裝置的主動矩陣驅動部；—種 反射型液晶顯示裝置，其採用主動矩陣液晶顯示方式；及 一種反射型液晶投影裝置，其採用主動矩陣顯示方式的反 射型液晶顯示裝置。 【先前技術】 有關主動矩陣顯示方式的反射型液晶顯示裝置，例如有 如圖7所示者。 整體而T，該反射型液晶顯示裝置9中，半導體裝置部π (其構成了主動矩陣驅動部）與對向透明基板32(其上形成 有各像素均有的對向透明電極31)之間植人有液晶，而形成 液晶層3 3。 半導體裝置部50方面，在第一導電型之例如為？型的石夕 基板等之半導體基板（底層半導體區域）丨丨上，每個構成像 素Ρχ的單位區域’均形成有開關用電晶體13及信號儲存用 電容器55。 開關用電晶體13方面則為MIS(Metal InsuUt〇r Sennconductor ·’金屬_絕緣體_半導體）型或河⑽㈨伽} Oxide Semiconductor ’金屬_氧化物_半導體）型的電晶體， 其係在半導體基板11上形成有第二導電型的源極區域阳 及及極區域13D(即’半導體基板i i為p型時，形成N型的源 極區域13S及汲極區域13D)後，在該源極區域us與沒極區
85024.DOC 1229774 域13D間的區域上，介以薄的絕緣層丨2a(二氧化矽等形成之 絕緣層12的一部份），以聚矽等形成有閘極電極UG而構成。 仫號儲存用電容器55方面，則在半導體基板丨丨上，形成 與開關用電晶體13的源極區域13 s及汲極區域13 D相同之 第二導電型（即，半導體基板丨丨為？型時，採用1^型）的半導 體區域55D及55S，並在半導體區域55D及55S間的區域上' 介以構成絕緣層12之一部份的薄的絕緣層12b而形成電極 55G，而構成MIS型或M〇s型的電晶體後，藉由在半導體區 域55D及55S間施加適當的電壓，在半導體區域55d及55s 間的電極55G的正下方部份上形成通路55c而形成電性電 容。 包 尚且，在半導體基板11中，每個成為像素？\的單位區域 上，形成有與半導體基板相同之第一導電型（即，如半導體 基板11為p型時為p型）且為高濃度的偏壓用半導體區:二 ，用以將接地電位等之偏壓電壓施加於半導體基板丨i。 並且’絕緣層上的絕緣層14上’形成有··掃描線（掃描 電極）21，其係與開關用電晶體13的閘極電極13G連接；信 號線（信號電極）23,其係與開關％電晶體13的源極區域13§ 連接’配、、桌25 ’其使開關用電晶體i 3的沒極區域邮盘斤 其係與信號餘存用電容器55的半導體區域55D、55S及偏壓 用半導體區域5 7連接。
85024.DOC 1229774 再者，絕緣層14上的絕緣層16上，形成有做為像素電極 的反射電極19,其係連接於配線25，即連接於開關用電晶 體13的汲極區域13D及信號儲存用電容器55的電極“ο阳 反射型液晶顯示裝置9方面，在顯示畫面的垂直方向上配 置有多條掃描線21，㈣示晝面的水平方向上配置有多條 掃描線23 ’且上述兩線的各交又部份會如上述般地形成: 像素Px。 ~ 此外，在偏壓用電極59接地，信號儲存用電容哭乃的半 導體區域55D、55S、及偏壓用半導體區域57上施加有接地 電位，且各像素共通的對向透明電極31上施加有指定電位 的狀態下，藉由掃描線驅動電路依序對掃描線以進行選擇 ’而在與該選取之掃描線21連接的該像素具有之開關用電 晶體13的閘極電極13G上施加指定電位，使該像素的開關 用電晶體13成為開狀態後，藉由俨鲈岣 叫Ίο观琛驅動電路將信號電 壓' 介以#號線2 3施加於該像素的開關用中 J闹關用電晶體13的源極區 域13 S，使信號電荷通過該像素的開關 I们開關用電晶體13的汲極 區域13D而儲存於該像素的信號儲存用 肩廿川％谷态55的電性電 容。 藉以在該儲存之信號電荷施加於哮德本^ 、邊像素的反射電極19， 使各像素共通的對向透明電極3 1盥兮彳f | /、邊像素的反射電極19間 施加有以信號用壓為據的電場，據迚获 、 馭此精由硬晶層33來對該 像素部份所發光的旋光進行控制。缺接 …、便’由_向透明基板 32的外側射入反射型液晶顯示裝罾9，允〜 置^"亚牙透液晶層33的該 像素部份而受反射電極19的反射後，真 丹度牙透液晶層33的 85024.DOC -10- 1229774 該像素部份而射出的光線會受到調變，允許指定偏光方向 的光線穿透，藉此使反射型液晶顯示裝置9顯示影像。° 然而，如圖7所示之上述以往的反射型液晶顯示裝置9的 半導體裝置部50中，構成信號儲存用電容器55的半導體基 板區域55D及55S乃具有與半導體基板（底層半導體區 相異的導電型，即採用與開關用電晶體13的源極區域"S 及汲極區域13D相同的導電&，因此為了與開關用電晶體 區域與信號儲存用電容器區域分離，必須將開關用電晶體 區域與信號儲存用電容器區域間的距離(即，開關用電晶體 13的汲極區域⑽與信號儲存用電容器55的半導體區域 55關的距離d)加大至某一程度，致使像素ρχ的面積增加 ，在指定大小内所能夠形成的像素數會隨之減少。 此外’由於構成了信號儲存用電容器55的半導體區域 55D及55S具有與半導體基板（底面半導體區域）相異的導電 型丄因此在半導體11上，必須形成對半導體11施加接地電 ，等《偏壓電位用且與半導體基板u具有相同導電型的偏 壓用半寸to區域57，相對地像素Ρχ的面積會變大，在指定 大小内所能夠形成的像素數會隨之減少。 ，為求知像素Ρχ的大面積化抑制至最小而縮小半導體區 域57的面積時’將無法對半導體基板u穩定地施加偏壓電 位，使得耐干涉性惡化。 為此’本發明能夠在不使耐干擾性惡化的情沉下實現像 素的小面積化。 【發明内容】
85024.DOC -11- 1229774 餐明之半導體裝置中 币一 y 口达 π 1 丁 7 位ii:導電型的底層半導體區域上，每個形成像素的單 ~ '。形成有開關用電晶體及信號儲存用電容器. 彳述開關用電晶體係在上述底層半導體區域上；成 域及沒極區域，並在該源極區域與沒極區 ™或上；丨以絕緣層形成有閘極電極來構成； 個虎儲存用電容器係在上述底層半導體區域形成2 上介以；Γ導體區域’並在該2個半導體區域間的區域 ^以、，、巴緣層形成有電極來構成； 狀能成：：：線並連接於上述開關用電晶體的上述間極的 極二=號線並連接於上述開關用電晶體的上述源 關用電晶#的像素電極的反射電極並連接於上述開 述電極 區域及上述信號儲存用電容器的上 第一發明之半導體裝置中， 第導電型底層半導體區域上 位^二導電型的底層半導體區域上，每個形成像素的單 £或均形成有開關用電晶體及信號儲存用電容哭. 開關用電晶體係在上述底層半導體區域上料 —寸笔型的源極區域及泼拓 弟 區域間的區域卜人 在該源極區域與沒極 戍上…邑緣層形成有閘極電極來構成； =_存用電容㈣在上述底層半導體 層形成有電極； …妾扣域上’介以絕緣
85024.DOC -12- 1229774 ，μ卿化川私性，在形成與上 ::5::存用電容器的上述電極相連接的第-導電型偏壓 “豊區域、與上述開關用電晶體的上述閘極電極相連 ㈣掃描線、與上述開關用電晶體的上述沒 線:及與上述開關用電晶體的上述a極區域 下^成有做為像素電極的反射電極。 用亡第一發明半導體裝置中，由於構成信號儲存 導體區域係採與底層半導體區域 ;電::採：與開關用電晶體的源極區域及咖域相異；: 容哭^域門^使為了使開關用電晶體區域與信號儲存用電 容哭區域^離而設的開關用電晶體區域與信號错存用電 —或間的距離，即開關用電晶體的波極區域 存用電容器的位於開關用兩曰 、。化緒 充份地丨广的半導體區域的距離， 、、·®、，使像素小面積化，進而使 成的像素數增加。 疋大小内可形 二此:::本：了信號儲存用電容器包含的半導體區域 &層半導體區域上形成第一導電 爾素的小面積化⑻，由於二 相同的二:含的半導體區域絲用與底層半導體區域 體區底::道::::儲存用電容器包含的半導 小内可形成的像素數目更^進而使指定大
85024.DOC -13- 1229774 上述構造的第二發明半導體裝置中 係在底層半導f# F „ 就储存用電客器 ，人 域的開闕用電晶體的沒極區域相鄭巴竹 上，介以絕緣層而形成μ、 》相#域 nmm ^ g 成了电極，而在底層半導體區域上的 開闕用電晶體之汲極厘域u的 存用電容哭,… 卜&未形成用以構成信號儲 m厂 體區域’因此即使在底層半導體區域上 形成偏壓用半導體區域，仍可使像素小面積化，進而= 增加在指定大小内所形成的像素數。j進而此夠 料，本發明之反射型液晶顯示裝置中，上述 有置=層向透明基板(形成有各像素共通的對向電極二 再者’本發明之反射型液晶投影裝置方且 射型液晶顧千壯栗 ，、I上述反 ，能夠藉由該反射型液晶顯示裝置而依 來對由光源產生的練進行調變，藉由投 將輸出的影像光進行投射。 【實施方式】
[半導體裝置及反射型液晶顯示裝置的實施 至圖5] M (第一例：圖1) 圖1所不的為本發明之反射型液晶顯示裝置之第一例，其 係以本發明之半導體之第—例為半導體裝置部。 道之反射型液晶顯示裝置1中，整體而言，係藉由在半 導骨立裝置10(其係用以構成主動矩陣驅動部）與對向透明基 (/、上开7成有各像素共通的對向透明電極3 1)間注入液 晶而形成有液晶層33。
85024.DOC -14- 1229774 —半導體裝置部10方面，在第一導電型（例如？型）的矽基板 寺=半導體基板（底層半導體區域）ιι上，每個做為像作 的早么區域均形成有開關用電晶體13及信號儲存用 15。 口口 ]關用包日曰體1 3方面，半導體基板丨丨上，形成有第二導 ，j (即，半導體基板11為P型時為N型）的源極區域丨3S及汲 ^區域13D ’孩源極區域13s與沒極區域UD間的區域上， 介以二氧化矽等形成之絕緣層12中一部份的薄絕緣層12& 形成有聚石夕等形成的閘極電極13G，構成MIS型或MOS 型的電晶體。 、，信號儲存用電晶體15方面，半導體基板丨丨上，形成有與 半導體基板11相同之第一導電型（即，半導體基板11為p型 時為P型)的高濃度半導體區域加及⑴；半導體區域⑽ 及15S間的區域上，介以構成絕緣層以―部份的薄絕緣 層12b而形成有電極15G，構成組§型*m〇s型的電晶體； 藉由在半導體區域15D及15S上施加適當的電位，位於半導 把區域15D及15S間的電極i5G的正下方部份，將會形成通 路15 c而形成電性電容。 。。再者，在本例中，半導體基板丨丨上，每個做為像素&的 單4區或上為了對半導體基板11施加接地電位等之偏壓 電位，形成有具有與半導體基板丨丨相同之第_導電型（即， 半導體基板114Ρ型時為ρ型）且為高濃度的偏壓用半導體 區域1 7。
85024.DOC -15- 1229774 再且，絕緣層12上的絕緣層14上， ^ ^ 部描線（知描電柘）21 形“連接於開關用電晶體13的間極電極邮，有信;)1 (仏號電極）23形成而連接於開關 〜以 ,. 兒曰曰13的源極區域 ’有配線25形成而使開關用電晶體"的 信號儲存用電容器15的電極15G相 ^ 3D與 27形成而連接於信號儲存用電容器15的半導體區域加: 15S、及偏壓用半導體區域17。 且，絕緣層14上的絕緣層16上，藉由有做為像素電極 的反射電極19形成而與配線25連接，即與開關用電晶㈣ 的沒極區⑴3D及信號餘存用電容器15的電極加相連接。 反射型液晶顯示裝置，係如圖4所^有多條掃描 線21配置於顯示畫面的垂直方向，多條信號線23配置於= 不畫面的水平方向’而上述兩線的各交又位置的部份係做 為像素Ρχ而如上述般地構成。 、驅動電路方® ’如圖5所示’在使偏壓用電㈣接地、使 接地電位施加於信號儲存用電容器15的半導體區域15D、 15S、及偏壓用半導體區域17上，且使指定電位施加於各 像素共通的對向透明電極31的狀態下，藉由掃描線驅動電 路來依序對掃描線21進行選擇，藉由對與該選擇之掃描線 21連接的*亥像素之開關用電晶體13的閘極電極13 g施加指 定電位，使得該像素的開關用電晶體13成為開後，藉由信 號線驅動電路，經由信號線23，而將信號電壓施加於該像 素的開關用電晶體13的源極區域13S，使得信號電荷經由
85024.DOC -16- 1229774 該像素的開關用電晶體丨3的汲極區域UD而儲存於該像素 的信號儲存用電容器丨5的電性電容。 精由使該儲存的信號電荷施加於該像素的反射電極19、 使對應於^號電壓的電場施加於各像素共通的對向透明電 極3曰1與該像素的反射電極19間、及依此對具有液晶層33之 液晶電容Cx的該像素部份的液晶的旋光狀態進行控制，然 後、，:對向it明基板32的外侧射入反射型液晶顯示裝置^ ，並穿透液晶層33的該像素部份而受反射電極_反射後 ’再度穿透液晶層33的該像素部份而射出至透明基板”外 側的光線會受到調變，允許指定偏光方向的光線穿透，藉 此使反射型液晶顯示裝置1顯示影像。 曰 立上述圖1所示例子的反射型液晶顯示裝置1或半導體裝置 邵10中，由於構成信號儲存用電容器15的半導體區域別 及⑼採用肖半導體基板（底層半導體區域川相㈣導電 型(田即’與開關用電晶體13的源極區域13s及沒極區域仙 =兴的導電型），因此使為了使開關用電晶體區域與信號儲 子，器區域間分離而設的開關用電晶體區域與信號儲 子用電谷器區域間的距離，即開關用電晶體13的汲極區域 1310與信號儲存用電容器15的半導h j干等把E域15D間的距離(!充 伤也、、届小’使像素Ρχ小面積化， 成的像素數增加。 、而“指足大小内可形 再且，不僅偏壓用半導體區域17 ,^ ΛΛ , . & /構成^號儲存用電容
叩15的半導體區域15D及15S 低颅中c 1又為對+導體基板11施加 偏u位的區域，因此能夠穩定地將偏壓電位施加於半導
85024.DOC 17- 1229774 體基板11 ’提南耐干擾性。 此外，也可在信號儲存用電容器15的半導體區域15D、 15S、及偏壓用半導體區域17上施加與接地電位相異的偏 壓電位。 此外，也可與圖丨所示的例子相反，使半導體基板（底層 半導體區域）11、信號儲存用電容器15的半導體區域15D、 15S、及偏塵用半導體區域17採用_，並將開關用電晶體 13的源極區域13s及汲極區域UD設定為p型。 再者，也可將帛導體基板直接做為底層料體區域，不 在其上形成開關用電晶體的源極區域及汲極區域、構成俨 號儲存用電晶體的半導體區域、及偏壓用半導體區域，: 文在例如在N型半導體基板上形成開關用電晶體的n型源 區域及汲極區域、構成信號儲存用電晶體的p型半導體 區域、及P型偏壓用半導體區域。 (第二例：圖2) 圖2為本發明之反射型液晶顯示裝置的第二例，其以本發 明 < 半導體裝置之第二例做為半導體裝置部。 在本例中，如圖i例所示一般在半導體基板（底層半導體 區域）11上形成開關用電晶體13及信號儲存用電容器15時 2構成信號儲存用電容器15之具有與半㈣基板u相同 導電型的高濃度半導體區域15D及15S之外，不在半導體基 板11上形成偏壓用半導體區域，而以該用以構成信 用電晶體15的半導體區域15D及15S兼為用以對半導體基 板11施加偏壓電位的偏壓用半導體區域。
85024.DOC -18- 1229774 再且，在連接於該半導體區域15D及15s的情況下，於絕 緣層14上形成偏壓用電極27，該偏壓用電㈣係連接於接 地％位點寺〈偏壓電位點，而使接地電位等的偏壓電位施 加於半導體區域15D及15S。其他部份則與圖i所示的例子 相同。 因此’圖2所示的例子中，如同圖j所示的例子，為了使 開關用電晶體區域與信號儲存用電容器區域間分離，不僅 能夠能使開關用電晶體區域與信號儲存用電容器區域間的 距離（即’開關用電晶體13的源極區域⑽與信號儲存用電 客器15的半導體區域15D間的距離幻充份縮小，且能夠由 像素區域切割出圖1所示例子中用以形成偏壓用半導體區 域Π的邵份，因此相較於,所示的例子，能夠使像素& 更進一步小面積化，進而能夠增加在指定大小内形成 素數。 尚且，即使未縮小兼為偏壓用半導體區域之信號儲存用 屯奋时15的半導體區域15D及15S的面積，也能夠充份地對 像素PX施以小面積化，因此偏壓電位能夠穩定地施加於半 導體基板11，進而提升耐干擾性。
，此外，切與圖2所示的例子相反，使半導體基板(底層 丰導體區域川、及信號儲存用電容器15的半導體區域15D 、15S採用N型’並將開關用電晶體i3的源極區域⑴及沒 極區域13 D設定為P型。 再者，也可將半導體基板直接做為底層半導體區域，不 在其上形成開關用電晶體的源極區域及沒極區域、及構成
85024.DOC -19- 1229774 信號儲存用電晶體的半導體區域，而改以例如在n型半導 to基板上形成P型的底層半導體區域，並在該p型底層半導 體區域亡形成開關用電晶體的N型源極區域及汲極區域了 及構成信號儲存用電晶體的P型半導體區域。 (第三例：圖3) 圖3為本發明之反射型液晶顯示裝置的第三例，其以本發 月之半導眼裝置之第三例做為半導體裝置部。 在本例中’帛關用電晶體13係具有與圖工及圖2所示例子 相同的構造，惟信號儲存用電容器15中，相異於圖i及圖2 所7^的例子’半導體基板（底層半導體區域）11上，與開關 用電晶體13的汲極區域13D相鄰的區域上，介以構成了絕 、彖層12之邵份的薄絕緣層12B而形成有電極丨5G，並藉由 將週當的電位施加於電極15G，使得與汲極區域i3D相鄰之 電極15G的正下方部份，形成通路15c而形成電性電容。 。再者，在本例中，半導體基板11上，每個形成像素Px的 單位區域上，為了對半導體基板丨丨施加接地電位等之偏壓 電位，形成有具有與半導體基板u相同之第一導電型（即， 半導體基板11為P型時為p型）且為高濃度的偏壓用半導體 區域1 7。 再且，絕緣層12上的絕緣層14上，有掃描線21形成而連 接於開關用電晶體13的閘極電極13G，有信號線23形成而 連接於開關用電晶體13的源極區域13S，有偏壓用電極27 形成而連接於信號儲存用電容器15的電極i5G及偏壓用半 導體區域17，且在絕緣層14上之絕緣層16上，有做為像素
85024.DOC -20- 1229774 電極的反射電極1 9形成而彳查拉、λ日目_ m + 义风而連接於開關用電晶體13的汲極區 域 1 3 D。 驅動電路万面，如圖5所示，在使偏壓用電極η接地，使 接地電位施加於信號儲存用電容器15的電極15〇及偏壓用 丰導體區域17上，且使指定電位施加於各像素共通的對向 攻明私極31的狀態下，藉由掃描線驅動電路來依序對掃描 泉、〔仃、擇下，藉由對與該選擇之掃描線21連接的該像 素之開關用電晶體13的閘極電極13G施加指定電位，使得 該像素的開關用電晶體13成為㈣，藉由信號線驅動電路 ’經由信號線23’而將信號電壓施加於該像素的開關用電 晶體η的源極區域13S，使得信號電荷經由該像素的開關 :電晶ffm及極區域13D而儲存㈣像素的信號儲存用 電各森15的電性電容。 及文到鍺存的信號電荷施加於該像素的反射電極^後， 如同圖1及圖2所示的例子—般，使得反射型液晶顯示 顯示影像。 二在上述之圖3例子的反射型液晶顯示裝置丨或半導體裝置 部1〇中，由於在半導體基板11上除了開關用電晶體13的沒 L區域13D以外並不形成用以構成信號儲存用電容器Μ的 ^導體區域’因此即使將偏壓用半導體區域17形成於半導 體基板11上，仍能夠使像扣小面積化，而使指定大小= 可形成的像素數增加。 再者，在信號儲存用電容器15的電極15G及偏壓用半導 體區域17上，也可施加異於接地電位的偏壓電位。此外了
85024.DOC -21 - 1229774 在構造上，電極15G與偏壓用半導體區域17上也可施加互 異的偏壓電位。 一此外也可與圖3所717的例子相反，使半導體基板（底層 半導體區域）11及偏壓用半導體區域17採用;^型，並將開關 用電晶體13的源極區域13S及汲極區域UD設定為p型。 再者，也可將半導體基板直接做為底層半導體區域，不 在其上形成_用t晶體的源極區域及沒極區域、及偏壓 用半導體區域，而改以例如在N型半導體基板上形成p型的 辰層半導體區域，並在該p型底層半導體區域上形成開關 用电日日體的N型源極區域及汲極區域、及p型偏壓用半導體 區域。 [反射型液晶投影裝置的實施方式··圖6] 如上述各例，本發明之反射型液晶顯示裝置，舉例來說 ，可做為反射型液晶投影裝置（投射型顯示裝置）之用。 圖6為本發明之反射型液晶投影裝置之一例，其採用了本 考X明之反射型液晶顯不裝置。 本例的反射型液晶投影裝置2中，由内部設有白色光源的 照明構件3會射出無偏光的白色光；該白色光為平行光，在 與光束中心呈垂直的平面上的一定區域内，具有均一的強 度分布。 該射出的光束在射入偏光分光鏡（beam splitter)4後，分 成受偏光分光鏡4反射的S偏光光束及穿透偏光分光鏡4的 P偏光光束；受偏光分光鏡4反射的S偏光光束在射入紅色 光反射鏡5後，S偏光光束中的紅色光會受紅色光反射鏡5 85024.DOC -22- 1229774 反射，而s偏光光束中的綠色光及藍色光會穿透紅色光反 射鏡5 ;再且，穿透紅色光反射鏡5的綠色光及藍色光在射 入藍色光反射鏡6後，藍色光會受到藍色光反射鏡6的反射 ，綠色光則會穿透藍色光反射鏡6。 然後，經紅色光反射鏡5反射的紅色光會將射入紅色用的 反射型液晶顯示裝置1R ;穿透藍色光反射鏡6的綠色光會 將射入綠色用的反射型液晶顯示裝置1G;經藍色光反射鏡 6反射的藍色光會將射入藍色用的反射型液晶顯示裝置丨B。 反射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B分別為具有如圖1、 圖2、或圖3所示例子構造的本發明之反射型液晶顯示裝置 ，分別依紅、綠、藍的影像信號（色信號）而有影像資料寫 入0 射入反射型液晶顯示裝置1R的紅色光、射入反射型液晶 顯示裝置1G的綠色光、及射入反射型液晶顯示裝置1β的藍 色光分別依影像信號而在反射型液晶顯示裝置1 r、1G、及 1B内進行調變及反射後，藉由紅色光反射鏡5及藍色光反 射鏡6而再度合成紅、綠、藍的調變光；而該合成的紅、綠 、藍的調變光中，偏光分光鏡4形成之p偏光成份光將做為 影像光而穿透後，該穿透的影像光將藉由投射透鏡7而放大 投影於銀幕8上。 在本例的反射鏡液晶投影裝置2中，由於能夠如上述般地 對反射型液晶顯示裝置1R、1G、及…的像素施以小面積化 ，以使指足大小内可形成的像素數增加，因此，如欲形成 指定大小的反射型液晶顯示裝置1R、1G、及⑺時，能夠增 85024.DOC -23- 1229774 加反射型液晶顯示裝置1R、1G、及⑺的像素數，以在銀幕 8上投影出高解析度的影像；如欲形成具有指定像素數的反 射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B時，能夠縮小反射型液晶 顯不裝置1R、1G、及1B的大小，以使反射型液晶投影裝置 2小型化。 此外，本發明之反射型液晶投影裝置並不侷限於圖示的 例子，可適用於具有以下者：照明光學系統，其能由白色 光源射出在光束，且該光束在其光束中心的垂直平面上的 一定區域内具有均一的強度分布；分解光學系統，其用以 將孩射出的光束，分離成紅、綠、及藍等之複數色的色光 ’各色用的本發明之反射型液晶顯示裝置，其有該分離出 來之各色色光射入；合成光學系統，其用以將該各色用的 反射型液晶顯示裝置射出的各色影像光加以合成；及投射 光學系統’其用以將該合成後的影像光投影至銀幕上。此 外’也可不包含上述的分解光學系統及合成光學系統，而 藉由單板的反射型液晶顯示裝置來構成反射型液晶投影裝 置。再且，也可非如圖6例子所示之前面投射型，而構成背 面投射型。 如上述’依本發明可藉由在不使耐干擾性惡化的情況下 ’貫現像素的小面積化。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之反射型液晶顯示裝置之第一例為内容之 剖面圖。 圖2為本發明之反射型液晶顯示裝置之第二例為内容之
85024.DOC -24- 1229774 剖面圖。 圖3為本發明之反射型液晶顯示裝置之弟二例為内容之 剖面圖。 圖4為本發明之反射型液晶顯示裝置之概略構造為内容 之立體圖。 圖5為本發明之反射型液晶顯示裝置之電路構造為内容 之連線圖。 圖6為本發明之反射型液晶投影裝置之一例為内容之圖。 圖7為以往之反射型液晶顯示裝置之剖面圖。 【圖式代表符號說明】 I.反射型液晶顯示裝置 1B.·藍色用反射型液晶顯示裝置 1(^·.綠色用反射型液晶顯示裝置 H·紅色用反射型液晶顯示裝置 2··反射型液晶投影裝置 3··照明構件 4·.偏光分光鏡 5 ··紅色光反射鏡 6·.藍色光反射鏡 7 · ·投射透鏡 8 ·.銀幕 10··半導體裝置部 11 ··半導體基板（底層半導體區域） 12, 12a，12b.·絕緣層
85024.DOC -25- 1229774 13.. 開關用電晶體 13D..汲極區域 13G..閘極區域 135.. 源極區域 14.. 絕緣層 15.. 信號儲存用電容器 1 5 c..通路 15D..半導體區域 15G..電極 15S.·半導體區域 16.·絕緣層 17.. 偏壓用半導體區域 19.. 反射電極 21·.掃描線（掃描電極） 23·.信號線（信號電極） 25.. 配線 2 7..偏壓' 用電極 31，32..對向透明電極 3 3..液晶層 50.. 半導體裝置部 55.. 信號儲存用電容器 5 5 c..通路 55D.·半導體區域 55G..電極 -26-
85024.DOC 1229774 555.. 半導體區域 57.. 偏壓用半導體區域 59.. 偏壓用電極 27
85024.DOC

Claims (1)

1229774 拾、申請專利範園： 1·種半導裝置，在第一導電型底層半導體區域上， 每個做為像素的單位區域均形&有開關用t晶體及信 號儲存用電容器，其特徵在於： 上述開關用電晶體係包含··源極區域，其係與在上 述底層半導體區域上形成，且雙方均為第二導電型的 源極區域及沒極區域兩者連接；及閉極電極，並俾盘 掃描線連接，並介以絕緣層而形成於上述源極區域與 上述汲極區域間之區域上； 上述信號儲存用電容器係包含：第—導電型之2個半 導體區域，其係形成於上述底層半導體區域上；及電 極，其係介以絕緣層而形成於該2個半導體區域間之區 ’其係與上述開關 號儲存用電容器的 有做為像素電極的反射電極形成 用電晶體的上述汲極區域及上述信 上述電極相連接。 2.如申請專利範圍第1項之半導體裝置，並中 除構成上述信號儲存用電容器的半導體區域以外， 在上述底層半導體區域上形成 _ 半導體區域。 成有"電型的偏壓用 3·如申請專利範圍第1項之半導體裝置’其中 偏⑽存用電㈣的半導體11域係連接於 偏壓用笔極，而兼做為上述底 的半導體區域。 纟層切體區域的偏壓用 85024.DOC 1229774 4. 一種半導體裝置，且 ,〜 "係在弟一導電型底層半導體厘域 上，母個做為像素的單位區 4 另产w ^找々开，成有開關用電晶體 及虎儲存用電容器，其特在於·· 、上述開闕用電晶體係包含··源極區域，其係 於上述底層半導體區域上 / 又々」為罘—導電型的湄 極區域及沒極區域兩者連接；及閉極電極掃 描f連接並介以絕緣層而形成於上述源極區域與2 汲極區域間之區域上； =述信號儲存用電容器係包含：電極，其係介以絕 、曰^形成於與上述底層半導體區域之上述開關用電 日曰岐的上述汲極區域相鄰的區域上； 有介以偏壓用電極而與上述信號儲存用電容哭的上 述電極相連接並形成於上述底層並半導體區域上之第 一導電型偏壓用半導體區域，及與上述開關用電晶體 的上述及極區域兩者相連接作為像t電極之反射電極 形成。 5. -種反射型液晶顯示裝置，其特徵為在申請專利範圍 第1至4項中任一項之半導體裝置之具有上述反射電極 的一面、及與該半導體裝置相對配置之對向透明基板 的形成有就各像素共通的對向電極之一面間形成 晶層。 / 6_ —種反射型液晶投影裝置，其特徵為具有如申請專利 範園第5項之反射型液晶顯示裝置，藉由該反射=液晶 顯示裝置對由光源射出之光線，依影像信號進行調變Z 輸出影像光，並藉由投影透鏡進行該影像光的投射。 85024.DOC
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