JP4501362B2 - 半導体装置、反射型液晶表示装置および反射型液晶プロジェクタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、アクティブマトリクス表示の反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス駆動部を構成する半導体装置、アクティブマトリクス表示の反射型液晶表示装置、およびアクティブマトリクス表示の反射型液晶表示装置を用いた反射型液晶プロジェクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
特許文献1(特許第2995725号公報)に示されるように、アクティブマトリクス表示の反射型液晶表示装置や、そのアクティブマトリクス駆動部を構成する半導体装置が知られている。
【0003】
従来、このアクティブマトリクス表示の反射型液晶表示装置は、図7に示すように構成されている。
【0004】
この反射型液晶表示装置9は、全体として、アクティブマトリクス駆動部を構成する半導体装置部50と、各画素に共通の対向透明電極31が形成された対向透明基板32との間に、液晶が注入され、液晶層33が形成されたものである。
【0005】
半導体装置部50は、第1導電型の、例えばP型の、シリコン基板などの半導体基板(下地半導体領域)11上に、画素Pxとなる単位領域ごとに、スイッチング用トランジスタ13および信号蓄積用キャパシタ55が形成される。
【0006】
スイッチング用トランジスタ13は、半導体基板11上に、第2導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはN型の、ソース領域13Sおよびドレイン領域13Dが形成され、このソース領域13Sとドレイン領域13Dの間の領域上に、二酸化シリコンなどからなる絶縁層12の一部を構成する薄い絶縁層12aを介して、ポリシリコンなどからなるゲート電極13Gが形成されて、MIS(Metal Insulator Semiconductor)型ないしMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のトランジスタとして構成される。
【0007】
信号蓄積用キャパシタ55は、半導体基板11上に、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13Dと同じ第2導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはN型の、半導体領域55Dおよび55Sが形成され、半導体領域55D,55S間の領域上に、絶縁層12の一部を構成する薄い絶縁層12bを介して電極55Gが形成されて、MIS型ないしMOS型のトランジスタとして構成され、半導体領域55Dおよび55Sに適当な電位が印加されることによって、半導体領域55D,55S間の電極55Gの直下部分に、チャンネル55cが形成され、電気的容量が形成される。
【0008】
さらに、半導体基板11上には、画素Pxとなる単位領域ごとに、半導体基板11に接地電位などのバイアス電位を印加するための、半導体基板11と同じ第1導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはP型の、高濃度のバイアス用半導体領域57が形成される。
【0009】
そして、絶縁層12上の絶縁層14上に、スイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに接続されて走査線(走査電極)21が形成され、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに接続されて信号線(信号電極)23が形成され、スイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dと信号蓄積用キャパシタ55の電極55Gを互いに接続する配線25が形成され、信号蓄積用キャパシタ55の半導体領域55D,55Sおよびバイアス用半導体領域57に接続されてバイアス用電極59が形成される。
【0010】
さらに、絶縁層14上の絶縁層16上に、配線25に接続されて、すなわちスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dおよび信号蓄積用キャパシタ55の電極55Gに接続されて、画素電極となる反射電極19が形成される。
【0011】
反射型液晶表示装置9は、走査線21が表示画面の垂直方向に配列されて多数形成され、信号線23が表示画面の水平方向に配列されて多数形成され、それぞれの交差位置の部分が画素Pxとして上記のように構成される。
【0012】
そして、バイアス用電極59が接地されて、信号蓄積用キャパシタ55の半導体領域55D,55Sおよびバイアス用半導体領域57に接地電位が印加され、かつ、各画素に共通の対向透明電極31に所定電位が印加された状態で、走査線駆動回路によって走査線21が順次選択され、その選択された走査線21に接続された当該画素のスイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに所定電位が印加される。
【0013】
これによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13がオンとなり、信号線駆動回路によって信号線23を通じて当該画素のスイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに信号電圧が印加されることによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dを通じて当該画素の信号蓄積用キャパシタ55の電気的容量に信号電荷が蓄積される。
【0014】
その蓄積された信号電荷が当該画素の反射電極19に印加されて、各画素に共通の対向透明電極31と当該画素の反射電極19との間に信号電圧に応じた電界が印加され、これに応じて液晶層33の当該画素の部分の光の旋光状態が制御される。
【0015】
これによって、対向透明基板32の外側から反射型液晶表示装置9に入射し、液晶層33の当該画素の部分を透過して反射電極19で反射し、再び液晶層33の当該画素の部分を透過して対向透明基板32の外側に出射する光が変調され、所定の偏光方向の光が出力されて、反射型液晶表示装置9に画像が表示される。
【0016】
【特許文献1】
特許第2995725号公報。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図7に示して上述した従来の反射型液晶表示装置9の半導体装置部50は、信号蓄積用キャパシタ55を構成する半導体領域55Dおよび55Sを、半導体基板(下地半導体領域)11と異なる導電型、すなわちスイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13Dと同じ導電型にするので、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との分離のために、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との距離、すなわちスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dと信号蓄積用キャパシタ55の半導体領域55Dとの距離dを、ある程度以上に大きくしなければならず、画素Pxの面積が大きくなり、所定サイズ内に形成できる画素数が少なくなる。
【0018】
また、信号蓄積用キャパシタ55を構成する半導体領域55Dおよび55Sを半導体基板(下地半導体領域)11と異なる導電型にするので、半導体基板11上に、半導体基板11に接地電位などのバイアス電位を印加するための、半導体基板11と同じ導電型のバイアス用半導体領域57を形成しなければならず、その分、画素Pxの面積が大きくなり、所定サイズ内に形成できる画素数が少なくなる。
【0019】
画素Pxの大面積化を最小限に抑えるようにバイアス用半導体領域57の面積を小さくすると、半導体基板11にバイアス電位が安定的に印加されなくなり、ノイズ耐性が劣化する。
【0020】
そこで、この発明は、ノイズ耐性を劣化させることなく画素の小面積化を実現できるようにしたものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置は、
第1導電型の下地半導体領域上に、画素となる単位領域ごとに、スイッチング用トランジスタおよび信号蓄積用キャパシタを備える半導体装置において、
前記スイッチング用トランジスタは、前記下地半導体領域上に形成された、それぞれ第2導電型の、ドレイン領域および信号線に接続されたソース領域と、このドレイン領域とソース領域の間の領域上に絶縁層を介して形成された、走査線に接続されたゲート電極とを有し、
前記信号蓄積用キャパシタは、それぞれ前記下地半導体領域上に第1導電型の高濃度領域として形成された2つの半導体領域と、この2つの半導体領域の間の領域上に絶縁層を介して形成された電極とを有し、
前記信号蓄積用キャパシタの前記2つの半導体領域上に、当該2つの半導体領域に接続されてバイアス用電極が形成され、
前記スイッチング用トランジスタの前記ドレイン領域および前記信号蓄積用キャパシタの前記電極に接続されて、画素電極となる反射電極が形成された半導体装置、
である。
【0023】
上記の構成の、この発明の半導体装置では、信号蓄積用キャパシタを構成する2つの半導体領域を、下地半導体領域と同じ導電型、すなわちスイッチング用トランジスタのソース領域およびドレイン領域と異なる導電型にするので、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との分離のために、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との距離、すなわちスイッチング用トランジスタのドレイン領域と信号蓄積用キャパシタのスイッチング用トランジスタ側の半導体領域との距離を、十分に小さくすることができ、画素を小面積化し、所定サイズ内に形成できる画素数を多くすることができる。
【0024】
この場合、信号蓄積用キャパシタを構成する2つの半導体領域とは別に、下地半導体領域上に第1導電型の高濃度のバイアス用半導体領域を形成しても、上記のように画素の小面積化を実現できるが、信号蓄積用キャパシタを構成する2つの半導体領域は下地半導体領域と同じ導電型にするので、信号蓄積用キャパシタを構成する2つの半導体領域を下地半導体領域のバイアス用の半導体領域に兼ねさせることができ、そのように構成する場合には、画素をより小面積化することができ、所定サイズ内に形成できる画素数をより多くすることができる。
【0026】
また、この発明の反射型液晶表示装置は、上記の半導体装置の反射電極を有する面と、その半導体装置に対向して配置された対向透明基板の、各画素に共通の対向透明電極が形成された面との間に、液晶層が形成されたものである。
【0027】
さらに、この発明の反射型液晶プロジェクタは、上記の反射型液晶表示装置を備え、その反射型液晶表示装置で光源から発せられた光が映像信号により変調されて出力された映像光を投射レンズにより投射するものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
〔半導体装置および反射型液晶表示装置の実施形態:図1〜図5〕
(第1の例:図1)
図1は、この発明の半導体装置の第1の例を半導体装置部として備える、この発明の反射型液晶表示装置の第1の例を示す。
【0029】
この例の反射型液晶表示装置1は、全体として、アクティブマトリクス駆動部を構成する半導体装置部10と、各画素に共通の対向透明電極31が形成された対向透明基板32との間に、液晶が注入され、液晶層33が形成されたものである。
【0030】
半導体装置部10は、第1導電型の、例えばP型の、シリコン基板などの半導体基板(下地半導体領域)11上に、画素Pxとなる単位領域ごとに、スイッチング用トランジスタ13および信号蓄積用キャパシタ15が形成される。
【0031】
スイッチング用トランジスタ13は、半導体基板11上に、第2導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはN型の、ソース領域13Sおよびドレイン領域13Dが形成され、このソース領域13Sとドレイン領域13Dの間の領域上に、二酸化シリコンなどからなる絶縁層12の一部を構成する薄い絶縁層12aを介して、ポリシリコンなどからなるゲート電極13Gが形成されて、MIS型ないしMOS型のトランジスタとして構成される。
【0032】
信号蓄積用キャパシタ15は、半導体基板11上に、半導体基板11と同じ第1導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはP型の、高濃度の半導体領域15Dおよび15Sが形成され、半導体領域15D,15S間の領域上に、絶縁層12の一部を構成する薄い絶縁層12bを介して電極15Gが形成されて、MIS型ないしMOS型のトランジスタとして構成され、半導体領域15Dおよび15Sに適当な電位が印加されることによって、半導体領域15D,15S間の電極15Gの直下部分に、チャンネル15cが形成され、電気的容量が形成される。
【0033】
さらに、この例では、半導体基板11上に、画素Pxとなる単位領域ごとに、半導体基板11に接地電位などのバイアス電位を印加するための、半導体基板11と同じ第1導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはP型の、高濃度のバイアス用半導体領域17が形成される。
【0034】
そして、絶縁層12上の絶縁層14上に、スイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに接続されて走査線(走査電極)21が形成され、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに接続されて信号線(信号電極)23が形成され、スイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dと信号蓄積用キャパシタ15の電極15Gを互いに接続する配線25が形成され、信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15D,15Sおよびバイアス用半導体領域17に接続されてバイアス用電極27が形成される。
【0035】
さらに、絶縁層14上の絶縁層16上に、配線25に接続されて、すなわちスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dおよび信号蓄積用キャパシタ15の電極15Gに接続されて、画素電極となる反射電極19が形成される。
【0036】
反射型液晶表示装置1は、図4に示すように、走査線21が表示画面の垂直方向に配列されて多数形成され、信号線23が表示画面の水平方向に配列されて多数形成され、それぞれの交差位置の部分が画素Pxとして上記のように構成される。
【0037】
駆動回路としては、図5に示すように、バイアス用電極27が接地されて、信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15D,15Sおよびバイアス用半導体領域17に接地電位が印加され、かつ、各画素に共通の対向透明電極31に所定電位が印加された状態で、走査線駆動回路によって走査線21が順次選択され、その選択された走査線21に接続された当該画素のスイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに所定電位が印加される。
【0038】
これによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13がオンとなり、信号線駆動回路によって信号線23を通じて当該画素のスイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに信号電圧が印加されることによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dを通じて当該画素の信号蓄積用キャパシタ15の電気的容量に信号電荷が蓄積される。
【0039】
その蓄積された信号電荷が当該画素の反射電極19に印加されて、各画素に共通の対向透明電極31と当該画素の反射電極19との間に信号電圧に応じた電界が印加され、これに応じて液晶層33の液晶容量Cxを有する当該画素の部分の光の旋光状態が制御される。
【0040】
これによって、対向透明基板32の外側から反射型液晶表示装置1に入射し、液晶層33の当該画素の部分を透過して反射電極19で反射し、再び液晶層33の当該画素の部分を透過して対向透明基板32の外側に出射する光が変調され、所定の偏光方向の光が出力されて、反射型液晶表示装置1に画像が表示される。
【0041】
上述した図1の例の反射型液晶表示装置1ないし半導体装置部10では、信号蓄積用キャパシタ15を構成する半導体領域15Dおよび15Sを、半導体基板(下地半導体領域)11と同じ導電型、すなわちスイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13Dと異なる導電型にするので、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との分離のために、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との距離、すなわちスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dと信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15Dとの距離dを、十分に小さくすることができ、画素Pxを小面積化し、所定サイズ内に形成できる画素数を多くすることができる。
【0042】
しかも、バイアス用半導体領域17だけでなく、信号蓄積用キャパシタ15を構成する半導体領域15Dおよび15Sも、半導体基板11にバイアス電位を印加する領域として用いられるので、半導体基板11にバイアス電位が安定的に印加され、ノイズ耐性が向上する。
【0043】
なお、信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15D,15Sおよびバイアス用半導体領域17に、接地電位と異なるバイアス電位を印加してもよい。
【0044】
また、図1の例とは逆に、半導体基板(下地半導体領域)11、信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15D,15S、およびバイアス用半導体領域17をN型とし、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13DをP型としてもよい。
【0045】
さらに、半導体基板を直接、下地半導体領域として、これにスイッチング用トランジスタのソース領域およびドレイン領域、信号蓄積用キャパシタを構成する半導体領域、およびバイアス用半導体領域を形成する代わりに、例えば、N型の半導体基板上に、P型の下地半導体領域を形成し、このP型の下地半導体領域上に、スイッチング用トランジスタのN型のソース領域およびドレイン領域、信号蓄積用キャパシタを構成するP型の半導体領域、およびP型のバイアス用半導体領域を形成してもよい。
【0046】
(第2の例:図2)
図2は、この発明の半導体装置の第2の例を半導体装置部として備える、この発明の反射型液晶表示装置の第2の例を示す。
【0047】
この例では、図1の例のように半導体基板(下地半導体領域)11上にスイッチング用トランジスタ13および信号蓄積用キャパシタ15を形成する場合に、信号蓄積用キャパシタ15を構成する、半導体基板11と同じ導電型の高濃度の半導体領域15Dおよび15Sとは別に、半導体基板11上にバイアス用半導体領域を形成しないで、その信号蓄積用キャパシタ15を構成する半導体領域15Dおよび15Sを、半導体基板11にバイアス電位を印加するためのバイアス用半導体領域に兼ねさせる。
【0048】
そして、この半導体領域15Dおよび15Sに接続されて絶縁層14上にバイアス用電極27が形成され、このバイアス用電極27が接地電位点などのバイアス電位点に接続されて、半導体領域15Dおよび15Sに接地電位などのバイアス電位が印加される。その他は、図1の例と同じである。
【0049】
したがって、図2の例では、図1の例と同様に、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との分離のために、スイッチング用トランジスタ領域と信号蓄積用キャパシタ領域との距離、すなわちスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dと信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15Dとの距離dを、十分に小さくすることができるだけでなく、図1の例におけるバイアス用半導体領域17を形成する分を画素領域からカットすることができるので、図1の例に比べて、画素Pxをより小面積化することができ、所定サイズ内に形成できる画素数をより多くすることができる。
【0050】
しかも、バイアス用半導体領域を兼ねる信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15Dおよび15Sの面積を小さくしなくても、画素Pxを十分に小面積化できるので、半導体基板11にバイアス電位が安定的に印加され、ノイズ耐性が向上する。
【0051】
なお、図2の例とは逆に、半導体基板(下地半導体領域)11および信号蓄積用キャパシタ15の半導体領域15D,15SをN型とし、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13DをP型としてもよい。
【0052】
さらに、半導体基板を直接、下地半導体領域として、これにスイッチング用トランジスタのソース領域およびドレイン領域、および信号蓄積用キャパシタを構成する半導体領域を形成する代わりに、例えば、N型の半導体基板上に、P型の下地半導体領域を形成し、このP型の下地半導体領域上に、スイッチング用トランジスタのN型のソース領域およびドレイン領域、および信号蓄積用キャパシタを構成するP型の半導体領域を形成してもよい。
【0053】
(参考例:図3)
図3に、この発明の半導体装置の例ではなく、参考例の半導体装置を半導体装置部として備える反射型液晶表示装置を示す。
【0054】
この図3の参考例では、スイッチング用トランジスタ13は、図1および図2の例と同じ構成とされるが、信号蓄積用キャパシタ15は、図1および図2の例と異なり、半導体基板(下地半導体領域)11の、スイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dに隣接する領域上に、絶縁層12の一部を構成する薄い絶縁層12bを介して電極15Gが形成されて構成され、電極15Gに適当な電位が印加されることによって、ドレイン領域13Dに隣接する電極15Gの直下部分に、チャンネル15cが形成され、電気的容量が形成される。
【0055】
さらに、この図3の参考例では、半導体基板11上に、画素Pxとなる単位領域ごとに、半導体基板11に接地電位などのバイアス電位を印加するための、半導体基板11と同じ第1導電型の、すなわち半導体基板11がP型である場合にはP型の、高濃度のバイアス用半導体領域17が形成される。
【0056】
そして、絶縁層12上の絶縁層14上に、スイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに接続されて走査線21が形成され、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに接続されて信号線23が形成され、信号蓄積用キャパシタ15の電極15Gおよびバイアス用半導体領域17に接続されてバイアス用電極27が形成され、絶縁層14上の絶縁層16上に、スイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dに接続されて、画素電極となる反射電極19が形成される。
【0057】
駆動回路としては、図5に示すように、バイアス用電極27が接地されて、信号蓄積用キャパシタ15の電極15Gおよびバイアス用半導体領域17に接地電位が印加され、かつ、各画素に共通の対向透明電極31に所定電位が印加された状態で、走査線駆動回路によって走査線21が順次選択され、その選択された走査線21に接続された当該画素のスイッチング用トランジスタ13のゲート電極13Gに所定電位が印加される。
【0058】
これによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13がオンとなり、信号線駆動回路によって信号線23を通じて当該画素のスイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sに信号電圧が印加されることによって、当該画素のスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dを通じて当該画素の信号蓄積用キャパシタ15の電気的容量に信号電荷が蓄積される。
【0059】
その蓄積された信号電荷が当該画素の反射電極19に印加されて、図1および図2の例と同様に反射型液晶表示装置1に画像が表示される。
【0060】
上述した図3の参考例の反射型液晶表示装置1ないし半導体装置部10では、半導体基板11上にスイッチング用トランジスタ13のドレイン領域13Dとは別に信号蓄積用キャパシタ15を構成する半導体領域を形成しないので、半導体基板11上にバイアス用半導体領域17を形成しても、画素Pxを小面積化することができ、所定サイズ内に形成できる画素数を多くすることができる。
【0061】
なお、信号蓄積用キャパシタ15の電極15Gおよびバイアス用半導体領域17に、接地電位と異なるバイアス電位を印加してもよい。また、電極15Gとバイアス用半導体領域17とに、互いに異なるバイアス電位を印加するように構成してもよい。
【0062】
また、図3の参考例とは逆に、半導体基板(下地半導体領域)11およびバイアス用半導体領域17をN型とし、スイッチング用トランジスタ13のソース領域13Sおよびドレイン領域13DをP型としてもよい。
【0063】
さらに、半導体基板を直接、下地半導体領域として、これにスイッチング用トランジスタのソース領域およびドレイン領域、およびバイアス用半導体領域を形成する代わりに、例えば、N型の半導体基板上に、P型の下地半導体領域を形成し、このP型の下地半導体領域上に、スイッチング用トランジスタのN型のソース領域およびドレイン領域、およびP型のバイアス用半導体領域を形成してもよい。
【0064】
〔反射型液晶プロジェクタの実施形態:図6〕
上述した図1または図2の例のような、この発明の反射型液晶表示装置は、一例として、反射型液晶プロジェクタ(投射型表示装置)に用いることができる。
【0065】
図6は、このように、この発明の反射型液晶表示装置を用いた、この発明の反射型液晶プロジェクタの一例を示す。
【0066】
この例の反射型液晶プロジェクタ2では、内部に白色光源を備える照明ユニット3から、光束中心に垂直な平面上の一定領域内で均一な強度分布を有する、平行光とされた無偏光の白色光が出射する。
【0067】
その出射した光束は、偏光ビームスプリッタ4に入射して、偏光ビームスプリッタ4で反射するS偏光の光束と、偏光ビームスプリッタ4を透過するP偏光の光束とに分離され、偏光ビームスプリッタ4で反射したS偏光の光束が、赤反射ミラー5に入射して、S偏光の光束中の赤色光が赤反射ミラー5で反射し、緑色光および青色光が赤反射ミラー5を透過し、さらに、赤反射ミラー5を透過した緑色光および青色光が、青反射ミラー6に入射して、青色光が青反射ミラー6で反射し、緑色光が青反射ミラー6を透過する。
【0068】
そして、赤反射ミラー5で反射した赤色光が、赤用の反射型液晶表示装置1Rに入射し、青反射ミラー6を透過した緑色光が、緑用の反射型液晶表示装置1Gに入射し、青反射ミラー6で反射した青色光が、青用の反射型液晶表示装置1Bに入射する。
【0069】
反射型液晶表示装置1R,1G,1Bは、それぞれ図1または図2の例のように構成された、この発明の反射型液晶表示装置で、それぞれ赤、緑、青の映像信号(色信号)によって画像データが書き込まれる。
【0070】
反射型液晶表示装置1Rに入射した赤色光、反射型液晶表示装置1Gに入射した緑色光、反射型液晶表示装置1Bに入射した青色光は、それぞれ、映像信号に基づいて反射型液晶表示装置1R,1G,1Bで変調され、反射して、赤反射ミラー5および青反射ミラー6により再度合成された赤、緑、青の変調光のうち、P偏光成分の光が、画像光として偏光ビームスプリッタ4を透過し、その透過した画像光が、投射レンズ7によってスクリーン8上に拡大投影される。
【0071】
この例の反射型液晶プロジェクタ2では、上記のように反射型液晶表示装置1R,1G,1Bの画素を小面積化することができ、所定サイズ内に形成できる画素数を多くすることができるので、反射型液晶表示装置1R,1G,1Bを所定サイズにする場合には、反射型液晶表示装置1R,1G,1Bの画素数を多くして、スクリーン8上に高解像度の画像を投影することができ、反射型液晶表示装置1R,1G,1Bを所定画素数にする場合には、反射型液晶表示装置1R,1G,1Bのサイズを小さくして、反射型液晶プロジェクタ2を小型化することができる。
【0072】
なお、この発明の反射型液晶プロジェクタとしては、図示した例のものに限らず、白色光源からの光を、光束中心に垂直な平面上の一定領域内で均一な強度分布を有する光束として出射する照明光学系と、その出射した光束を赤、緑、青などの複数色の色光に分離する分解光学系と、その分離された各色の色光が入射する各色用の、この発明の反射型液晶表示装置と、その各色用の反射型液晶表示装置を出射した各色の画像光を合成する合成光学系と、その合成後の画像光をスクリーン上に投影する投射光学系とを備えるものであればよい。
【0073】
また、上記の分解光学系および合成光学系を用いず、単板の反射型液晶表示装置によって反射型液晶プロジェクタを構成してもよい。さらに、図6の例のような前面投射型ではなく、背面投射型に構成することもできる。
【0074】
【発明の効果】
上述したように、この発明によれば、ノイズ耐性を劣化させることなく画素の小面積化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の反射型液晶表示装置の第1の例を示す断面図である。
【図2】この発明の反射型液晶表示装置の第2の例を示す断面図である。
【図3】 参考例の反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【図4】この発明の反射型液晶表示装置の概略構成を示す斜視図である。
【図5】この発明の反射型液晶表示装置の回路構成を示す接続図である。
【図6】この発明の反射型液晶プロジェクタの一例を示す図である。
【図7】従来の反射型液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
主要部については図中に全て記述したので、ここでは省略する。
Claims (5)
- 第1導電型の下地半導体領域上に、画素となる単位領域ごとに、スイッチング用トランジスタおよび信号蓄積用キャパシタを備える半導体装置において、
前記スイッチング用トランジスタは、前記下地半導体領域上に形成された、それぞれ第2導電型の、ドレイン領域および信号線に接続されたソース領域と、このドレイン領域とソース領域の間の領域上に絶縁層を介して形成された、走査線に接続されたゲート電極とを有し、
前記信号蓄積用キャパシタは、それぞれ前記下地半導体領域上に第1導電型の高濃度領域として形成された2つの半導体領域と、この2つの半導体領域の間の領域上に絶縁層を介して形成された電極とを有し、
前記信号蓄積用キャパシタの前記2つの半導体領域上に、当該2つの半導体領域に接続されてバイアス用電極が形成され、
前記スイッチング用トランジスタの前記ドレイン領域および前記信号蓄積用キャパシタの前記電極に接続されて、画素電極となる反射電極が形成された半導体装置。 - 請求項1の半導体装置において、
前記信号蓄積用キャパシタの前記2つの半導体領域とは別に、前記下地半導体領域上に第1導電型の高濃度のバイアス用半導体領域が形成された半導体装置。 - 請求項1の半導体装置において、
前記信号蓄積用キャパシタの前記2つの半導体領域が、前記下地半導体領域のバイアス用の半導体領域を兼ねる半導体装置。 - 請求項1の半導体装置の前記反射電極を有する面と、その半導体装置に対向して配置された対向透明基板の、各画素に共通の対向透明電極が形成された面との間に、液晶層が形成された反射型液晶表示装置。
- 請求項4の反射型液晶表示装置を備え、その反射型液晶表示装置で光源から発せられた光が映像信号により変調されて出力された映像光を投射レンズにより投射する反射型液晶プロジェクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003164678A JP4501362B2 (ja) | 2002-06-11 | 2003-06-10 | 半導体装置、反射型液晶表示装置および反射型液晶プロジェクタ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002169861 | 2002-06-11 | ||
JP2003164678A JP4501362B2 (ja) | 2002-06-11 | 2003-06-10 | 半導体装置、反射型液晶表示装置および反射型液晶プロジェクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004102230A JP2004102230A (ja) | 2004-04-02 |
JP4501362B2 true JP4501362B2 (ja) | 2010-07-14 |
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ID=32300164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4501362B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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