TWI223494B - Quartz-based nanoresonators and method of fabricating same - Google Patents

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1223494 玖、發明說明： <相關申請案> 本案請求2002年4月30日申請之No.60/376995號美國 專利暫時申請案的權益，該案内容併此附送。 5 【發明戶斤屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於製造諧振器的方法和裝置。更具言 之，本發明係有關使用與一底基材整合之石英基材來製造 奈米諧振器的方法和裝置，以及薄化該石英基材的方法。 ίο 【先前技 發明背景 在一微機電系統(MEMS)製程中使用石英基材乃可供 製成高Q值的熱補償諧振器。對厚度削剪式的諧振器而言， 該基材的厚度會決定其諧振頻率。該石英基材愈薄，則其 15 諧振頻率愈高。因此，藉著使該基材的尺寸在一較大範圍 内來改變，則其諧振頻率將能被調整歷經一廣泛範圍。一 諧振器的Q值係為一諧振器的頻率選擇性計量值，且有關其 振盪能量被吸收的程度。而會影響該振盪能量被良好吸收 之一因素係為其表面的平滑度。當在薄化一石英基材時， 20 最好能保持一未受損的平滑表面以確保高Q值。但是，目前 用於振盪器或濾波器之石英的製造技術，並不容許諧振器 與其它的電子元件被整合於一晶片上。此係為對一裝置的 尺寸和成本有重大影響的因素。在晶片上使用分開的構件 亦會對一裝置的尺寸和成本有重大影響。 5 1223494 又，目前的石英薄化方法並不能將該基材薄化至10微 米規格或更小的厚度，因為不能以次微米的解析度來瞬時 地監測該石英基材的厚度。另一種困難係在該石英基材被 薄化之後的處理。一討論薄化石英基材的參考資料係為 5 Takahsi Abe，Masayoshi,之“以深反應離子蝕刻製成的單晶 片多頻道石英晶體微秤(QCM)”(sensors and Actuators，2000, ρ·ρ·139〜143)。令一石英基材具有1〇(1111左右或更小的厚 度，將能產生大於100MHz以上的諧振頻率，此對高頻用途 乃是較佳的。藉著組合數個具有不同諧振頻率的石英類諧 10 振器，並以一 RF MEMS開關設在同一晶片上，則頻率之切 換及遽波器重整將能以微秒的時間規格來發生。於頻率切 換及濾波器重整時，在一頻帶中的所須頻率係使用該RF MEMS開關來選擇，以激使該石英諧振器具有一等於該所 需頻率的譜振頻率。大部份射頻切換及濾波器重整用途的 15頻帶係為20MHz至3GHz。該頻帶的低頻部份極難以習知的 電容式濾波器來涵蓋，因為電容式濾波器尺寸較大。頻率 切換及濾波器重整用途亦可由溫度補償之穩定的高Q(約 10000)而涵蓋該頻帶的小諧振器陣列來獲得利益。 由矽類奈米諧振器組成的MEMS裝置曾被製成，而企 20圖來整合奈米諧振器或微米諧陣器與其它電子元件。奈米 諧振器與微米諧振器分別係指其線性尺寸在奈米及微米規 格的諧振器。該等矽類奈米諧振器已顯示出高達600“1^ 的諧振頻率，而Q值在1〇〇〇〜2〇〇〇的範圍内。但是，矽類奈 米譜振器的問題係它們會具有高電阻抗及糾值。有二討論 6 1223494 石夕類奈米諧振器的文獻係為：S· Evoy，A· Olkhovets，L. Sekaric，J.M. Parpia，H.G· Craighead，D.W· Carr·等人之 “Temperature-dependent Internal Friction in Silicon Nanoelectromechanical Systems” (Applied Physics Letters， 5 Vol. 77，No.15)及 A.N. Cleland, M丄.Roukes，等之 “Fabrication of High Frequency Nanometer Scale Mechanical Resonators From Bulk Si Crystals/5 (Applied Physics Letters, Oct. 28, 1996)。 另一種解決的方法，已知係使用非MEMS石英諧振 10 器。該等諧振器係由切成條狀之個別的諧振器所組成，其 各會在約10MHz至1GHz的範圍内來操作。該等諧振器會被 封裝成個別元件並被混合安裝於其它的^^電路中。該非 MEMS石英諧振器的問題係，它們不能被整合，且成本較 高，又實體尺寸較大。 15 因此，為了解決所有上述的問題，乃需要一種用來製 造石英類奈米諧振器的新方法。 C 明内】 發明概要 本發明係揭述一種製造石英類諧振器，並將之整合於 2〇 一高速基材上以整合信號處理的方法和裝置，乃可藉使用 新穎的黏接與蝕刻步驟之組合來製成超薄的石英類諧振器 者。薄化在該石英諧振器中的石英基材，將可被用來提供 所需的諧振頻率其可能超過1〇〇MHz。 依據本發明之一態樣，用來製造一石英類諧振器的新 7 。該方法係❹在石英基材財基材之間 的钻。以及一種新穎的方法來將該石英基材薄化至一所 θ又者 石英基材會被提供而有一第一電極沈積其 上。該石英基材會黏接於一第一基材，其中蝕刻設有一凹 ^以供容納該第-電極。嗣該石英基材會被薄化至一所需 厚度且—第二電極會被沈積在該石英基材上。該第一電 極；以填滿一金屬的孔道來連接於第二電極。除了第一和 弟二電極之外，—調諧墊最好亦被沈積在該石英基材上。 本發明亦提供—底基材其含有探觸藝。在將該第一和 第二電極及調諧塾沈積於該石英基材上之後，該底基材的 探觸塾會被黏接於石英基材的第二電極。該調譜藝可被用 來。周士石英基材的共振鮮1，其亦可用該第—和第二 電極來作為觸塾。更詳言之，該第一和第二電極乃可被 磨削來調整該奈米错振器的共振頻率。此外，該底基材可 包含高速RF電子元件’而來抑止對長接線的需要。該第一 基材制會被由該;5英基材除去轉放該諸振器。 本發明的另一目的亦在提供-種可製造-石英類言皆振 益而不使用一石夕晶圓的方法。在此實施例中第一電極和調 譜塾係被沈積在該石英觸&。-絲材亦會被提供。 該底基材含有探觸塾可對石英基材提供電連接。該石英基 材係連接於該絲材，至嗣會接受薄化處理。在該石英基 材薄化之後’第二電極及-調請塾會被沈積於該石英基材 上0 本發明的又一目的亦在提供-種薄化石英基材的新穎 方法。在本方法中，一研磨及拋光系統會被用來除掉該石 英基材的一大部份。嗣反應離子蝕刻會被用來薄化該石英 基材至小於ΙΟμηι的厚度，其係100 MHz以上的共振頻率者 所需者。該反應離子钱刻會與一光學監視技術同時使用， 俾在當該石英基材被薄化時能獲得其瞬時厚度。在使用反 應離子钱刻來獲得所需的石英基材厚度之後，該石英基材 可被使用化學機械拋光(CMP)或濕蝕刻來進一步拋光。 圖式簡單說明 本發明將可由以下詳細說明配合圖式而更完整地瞭 解，其中‘· 第1圖示出要被使用於本發明第一實施例的石英基 材、碎基材和底基材； 第2圖示出該具有一凹穴的石夕基材； 第3圖示出該石英基材上的光阻； 第4圖示出該石英基材具有第一電極及一調諧墊； 第5a圖示出該石英基材黏接於矽基材上； 第5b〜5e圖示出該石英基材當黏接於矽基材上時被薄 化； 第6a與6b圖示出該石英基材在被薄化時用來監視其厚 度的兩種方法； 第7圖示出該石英基材中的孔道； 第8圖係類似第7圖，惟已有第二電極與一調諧墊設於 該石英基材上； 第9圖係類似第8圖，惟該石英基材已有一部份被除去； 1223494 第10圖示出一部份的底基材已被除去； 第11圖係類似第10圖，惟探觸墊已被加設於該底基材 上； 第12圖示出該底基材之探觸墊與石英基材上的第二電 5 極之間的黏接； 第13圖係類似第12圖，惟該矽基材已被除去； 第14圖示出要被使用於本發明第二實施例的石英基材 和底基材； 第15圖示出該石英基材具有第一電極及一調諧墊； 10 第16圖示出該底基材的一部份已被除去； 第17圖係類似第16圖，惟探觸墊已被加設於該底基材 上； 第18圖示出該石英基材黏接於該底基材； 第19圖示出該石英基材在黏接於底基材上時被薄化； 15 第20圖示出形成於該石英基材中的通孔； 第21圖示出該石英基材上的第二電極和調諧墊；及 第22圖係類似第21圖，惟一部份的石英基材已被除去。 L實施方式3 較佳實施例之詳細說明 20 本發明係提供一種用來製造諧振器的方法和裝置，如 第1〜22圖所示。 (第一實施例） 依據本發明第一實施例之製造石英諧振器的方法，現 將參照第1〜13圖來說明。請參閱第1圖，一石英基材2具有 10 -第-表面3與-第二表面5，一第_基材4，及一底基材i4 乃被提供。該第-基材4可為一材料，例如石夕或以心。在本 =施例，該第-基材4和石英基材2乃可被製成对或更大的 曰曰圓。忒第一基材4的一部份會被蝕掉而造成一凹穴6，如 5第2圖所示。該凹穴6可被以氫氧化鉀的濕蝕刻，或使用含 氟化學物之氣體的乾反應離子蝕刻來製成。 垓石英基材2的第一表面3闕會被使用一上升排除 (lift-off)的技術來圖案化及金屬化。在該上除技術中，一薄 層的光阻7會被圖案化在該石英基材2的第一表面3上，如第 ° 3圖所示。利用微景>法，在需要金屬化區域中的光阻會被除 去。硐金屬會被沈積在該光阻7上，及該光阻7已被除去的 區域中。嗣該光阻會被全部除掉，而僅留下金屬於該石英 基材2之第一表面3上的所需區域中，如第4圖所示。當圖案 化及金屬化時，至少有一第一電極8會沈積在該石英基材2 15的第一表面3上。該第一電極8可由依序沈積在該石英基材2 之第一表面3上的Ti/Pt/Au，或Cr/Pt/Au等組合物所構成。在 第4圖中係示出有二第一電極8形成於該石英基材2的第一 表面3上。此外，一第一調諧墊1〇亦可被沈積在該石英基材 2的第一表面3上。該第一調諧墊10係由與第一電極8相同的 2〇材料所I成。ό亥一弟一電極8與第一調譜塾10的目的將於後 說明。 在第一電極8和第一調諧墊1〇被沈積之後，該石英基材 2會例如使用一市售的eV 50丨晶圓黏劑來黏接於該被餘刻 的第一基材4上，如第5a圖所示。為將該石英基材2黏接於 11 1223494 第-基材4,該石英基材2和第一基材4會在—超音波清潔系 統中來徹底地清潔，而利用超音波來除掉微粒污染物。在 該等晶圓被清潔之後，它們會被送來互相觸接。該石英基 材2和第-基材4之間的接觸，將會由於公知的凡得瓦爾力 5 (Van der Wads f〇rce)而造成黏接。該等第一電極8和第一調 言皆墊10會被置於第一基材4的凹穴6内。 該石英基材2的第二表面5會保持曝露，並接受一薄化 處理，如第Sb〜5e圖所示。為了薄化該石英基材2，以下的 方法會被使用。僅為舉例，該石英基材2具有一遍哗的原 10始厚度。該石英基材2之一第一部份會因薄化該石英基材而 被除去，其係使用-機械研磨及拋光系統來由⑽_減 至約卿m，如第5b圖所示。該研磨及拋光系統係為習知 者’並可由例如Logitech#製造商來購得。在一機械研磨及 拋光系統中’-拋光頭會以高速率來旋轉。該研磨與抛光 15 =統亦包含—噴嘴可噴灑料漿於該石英基材2上。當在旋轉 T。亥拋光頭會在沾滿料聚的情況下來接觸石英基材，而 句勻地磨掉部份的石英基材2。該料漿係可例如由氧化紹等 之化學劑來構成’其能由該石英基材2上來磨掉石英。 >〇 、㈣’該石英一大約1 _的第二部份會由該石英基材2 上破除去，如第5c圖所示，來確保一平滑表面。此係可藉 ^的機械研磨及拋光系統來為之，惟—較軟的化學物例 士，狀的二礼化石夕或氧化錦會被使用於該料黎令，而由該 石表基材2上除掉石英。 弓孩石英基材2之一第三部份會被除掉，以使該石英 12 1223494 基材2的厚度減少至1G 下，如第％圖所示，此時係使 用CFdSF6氣體9的反應離子餘刻_)來為之，如第仏〜处 圖所示。於該RIE射被薄化的同時，該石英基材2的厚度 會被以光譜橢面測定法或反射測定技術來監^，如第 5讣圖所示。在光譜橢面測定法中，如第6a圖所示，來自一 光源19的白光束18會以對水平呈約15。的角度射在該石英 基材2上。該白光具有—已知的偏振量。離開該石英基材2 的反射白光20將會具有一不同的偏振量，其係直接有關於 該石英基材2的厚度。一接收器21會接收該反射的白光2〇， 10並計算出其偏振量的變化。該偏振量的改變係直接正比於 該石英基板2的厚度。而在第补圖所示的反射測定法中，一 雷射源22會將一已知波長的光23以一對水平呈9〇。的角度 來照射在該石英基材2的第二表面5上，如第讣圖所示。一 第一反射光束24會被反射離開該石英基材2的第二表面5。 15有一部份的入射光亦會貫穿該石英基材2。此將會造成一第 二反射光束25,其會反射離開該第一表面3而反向穿過該英 基材2並射出該第二表面5。該第一反射束24與第二反射束 25會互相平行，並被一接收器26所接收，其會判斷該第一 反射束24與第二反射束25是建設性或破壞性地相加。若該 20第一和第二反射束24與25建設性地相加，則該石英基材的 厚度係等於入射光波長除以石英折射率之比的25%，或其 奇數整數倍，例如75%、125%等。石英的折射率典型約為 1_46。而若該第一和第二反射東24與25破壞性地相加，則 該石英基材2的厚度係等於入射光波長除以石英折射率之 13 比的50%，或其整數倍，例如1〇〇%、15〇%等。 在使用RIE法來由該石英基材2蝕薄石英之後，該石英 基材2的表面可能會有瑕疵需要被修正。此乃可使用上述之 機械研磨及抛光系統以一化學劑如二氧化矽或氧化鈽來磨 除約〇·〇1〜0.02nm的石英，然後再以濕蝕刻在氟化氫銨中 來由該石英基材2蝕去約〇·〇〇5μηι的石英，如第5e圖所示。 此頟外附加的步驟將有助於確保一拋光而沒有瑕疵的石英 基材2。 當该石英基材薄化之後，孔道11等會被製設在該石英 基材2中，如第7圖所示。該等孔道u會被使用該領域中公 知的光微影技術來製成。該等孔道11係為蝕刻貫穿該石英 基材2而延伸至第一電極8等之接觸通道。第7圖中示出有二 孔運11。當該等孔道u製成後將會被金屬化，且該石英基 材2的第二表面5亦會被圖案化及金屬化，如第8圖所示，其 亦使用岫述用來製成至少一第一電極8的上除技術來完 成。於該金屬化步驟中，至少有一第二電極12會沈積在第 一表面5上而覆蓋該孔道11。該第二電極12係可由依序沈積 在石英基材2之第二表面5上的丁i/pt/Au或Cr/pt/Au組合物所 構成。第8圖中係示出有二第二電極12。 该等第一和第二電極8與12現已透過孔道11來互相連 接。此外，一第二調諳墊13亦可在沈積第二電極12的步驟 中被沈積製成，如第8圖所示。該第二調諧墊13係由與第二 電極12相同的材料來製成。在第-和第二電極8，12及第-和第一_墊1() ’ 13等被製成後，一部份的石英基材2會被 1223494 除去，而形成一修正後的石英基材2a ’如第9圖所示。該部 份係使用該領域中公知的光微影及REI技術來除去，而將該 石英基材分開成多數的個別元件’並決定該石英基材的所 需尺寸。 5 在該修正之石英基材2a上的第一與第二調諧墊10，13 等，乃可供該基材2a的共振頻率來被調整。藉著磨削一部 份的第一和第二調諧墊10，13，則該石英基材2a的共振頻 率即可被調整。但，其亦可以藉磨削一部份的第一與第二 電極8，12而來調整該共振頻率。該第一和第二調諧墊1〇， 10 13係可使用習知的技術如會聚離子束銑削或雷射磨削等來 磨削。 如前於第1圖中的說明所述，一底基材14亦會被提供。 該底基材14係由一第Π-V族材料或SiGe所構成。第10圖係 示出一修正的底基材14a，其中如第1圖所示之底基材14有 15 一部份已被除掉。除掉該底基材14的一部份係使用該領域 中習知的光微影技術來為之。至少有一探觸墊16會被沈積 在該修正的底基材14a上。例如第11圖乃示出有二探觸墊 16。邊等探觸塾亦使用前述用以製成至少一第一電極8的相 同上除技術來製成。該等探觸墊16可由依序沈積的Au/Ge 20 合金、鎳、金來構成。 在該等探觸墊16沈積於修正的底基材i4a之後，該修正 的石英電極2a之底電極12等會沿著一接合線17來黏接於該 等探觸墊16，如第12圖所示，其係使用一Au-Au壓縮黏接法 來為之。在該Au-Au壓縮黏接法中，該石英基材2，第二電 15 極12、探觸墊16、修正的底基材14a等會在一壓力不大於if Torr的真空中，被加熱至一大於3〇〇〇c的溫度。嗣該等第二 電極12和探觸墊16會在減壓時被以大約…以的壓力來壓 著在一起。此將會使該等探觸墊16與第二電極12熔接在一 起，如第12圖所示。 上述之接合結構將可形成由探觸墊16至第一電極8的 電通路。在該等第二電極12黏接於探觸墊16之後，該石英 基材2 a會被使用一濕與乾蝕刻的組合來由其餘的結構除 去’因此可得到一如第13圖所示的結構。 該等第一和第二電極8, 12的目的係為由探觸墊16接收 電k號’其能以一電場來偏壓或驅動該修正的石英基材 2a。該電信號最好係為AC信號。當該電信號被第一與第二 電極8，12接收時，一應變會產生於該修正的石英基材仏 上此應變會以公知的壓電效應來激發該修正之石英基材 2a的機械共振頻率，而使該石英基材2a以其共振頻率來振 盪。又，其亦可使用第一和第二電極來感測該修正之石英 基材2a相對於一特定平面（未示出）的運動。當該修正之石英 基材2a以其共振頻率來振盪時，其將能被用來以一等於該 共振頻率的頻率驅動其它的構件。 (苐二實施例） 一種用來製造一石英諧振器之第二實施例的方法，現 將蒼照第14〜22圖來說明。此第二實施例係類似於第一實 施例’惟該第一基材在本例中會被略除。於本實施例中， 一石英基材30及一底基材4〇會被提供，如第14圖所示。該 1223494 石夬基材3 0的第一表面31會被使用如第一實施例中所述供 沈積第一電極8的上除(lift-0ff)技術來圖案化及金屬化。於 此圖案化及金屬化中，至少有一第一電極36會被沈積在該 石英基材30的第一表面31上。第15圖係示出有二第一電極 5 36 °此外’有一第一調諧墊38亦會被沈積在該石英基材30 的第一表面31上。

如前所述，一底基材40會被提供。此底基材4〇係由一 第m-v族材料*SiGe所構成。為獲得一如第16圖所示之修 正的底基材40a，故該底基材4〇的一部份會被使用第一實施 10例中所述的技術來除去。至少有一探觸墊42會被使用第一 貫施例中供製成探觸塾16的上除技術來沈積在該修正的底 基材40a上。在第π圖中係示出有二探觸墊42。 在該等探觸墊42已被沈積於修正的底基材4〇a之後，該 石夬基材3G的第-電極36等會沿_接合線43絲接於該等

15楝觸势42，如第18圖所示，其亦使用如第一實施例中所述 的Au-Au黏接法來完成。 ㈣《亥石英基材3〇會被薄化至1〇陶或更小的厚度，如 第19圖所示，其亦使用如同第一實施例的技術。而孔道外 等亦曰被使用第-貫施例所述的技術來製成於該石英基材 20 30中。示於第20圖中的孔道39等係為敍刻貫穿該石英基材 L伸至第電極36等之朗通孔。在該等孔道的形成 後將會被金屬化，而該石英基材3〇的第二表面33亦會被使 用第-實施例中用以製成第二電極_上除技術來圖案化 及金屬化。在該金屬化步驟中，至少有-第二電極46會被 17 沈積在該第二表面33上而覆蓋孔道39。 39來互相連接。且，在圖案化及金屬化該等第二電極偏字， 有—第二觸塾48亦會被製成，如第21圖所示。最後有一 部份的石英基材对被以該領域中公知的光微影及技 術來除去’而形成-修正的石英基材3如，如第22圖所示。 當該修正㈣英練施以其餘鮮來振盪時，將能被用 來以等於該共振頻率之頻率驅動其它的構件。 應可瞭解以上描述僅為本發明的爭例說明。各種變化 修正將可為專f人士所易知而不超出本發明的精神。因 此，本發明乃應含括所有落諸於以下申請專利範圍内之該 等修正變化。

【圖式簡單明J 第1圖示出要被使用於本發明第一實施例的石英基 材、碎基材和底基材； 第2圖示出該具有一凹穴的石夕基材； 第3圖示出該石英基材上的光阻； 第4圖示出該石英基材具有第一電極及一調諧墊； 第5a圖示出該石英基材黏接於矽基材上； 弟5 b〜5 e圖不出该石央基材當黏接於碎基材上時被薄 化； 第6a與6b圖示出該石英基材在被薄化時用來監視其厚 度的兩種方法； 第7圖示出該石英基材中的孔道； 1223494 第8圖係類似第7圖，惟已有第二電極與一調諧墊設於 該石英基材上； 第9圖係類似第8圖，惟該石英基材已有一部份被除去； 第10圖示出一部份的底基材已被除去； 5 第11圖係類似第10圖，惟探觸墊已被加設於該底基材 上； 第12圖示出該底基材之探觸墊與石英基材上的第二電 極之間的黏接； 第13圖係類似第12圖，惟該矽基材已被除去； 10 第14圖示出要被使用於本發明第二實施例的石英基材 和底基材； 第15圖示出該石英基材具有第一電極及一調諧墊； 第16圖示出該底基材的一部份已被除去； 第17圖係類似第16圖，惟探觸墊已被加設於該底基材 15 上； 第18圖示出該石英基材黏接於該底基材； 第19圖示出該石英基材在黏接於底基材上時被薄化； 第20圖示出形成於該石英基材中的通孔； 第21圖示出該石英基材上的第二電極和調諧墊；及 20 第22圖係類似第21圖，惟一部份的石英基材已被除去。 19 1223494 【圖式之主要元件代表符號表】 2,30…石英基材 13,48…第二調諧墊 3,3卜··第一表面 14,40…底基材 4···第一基材 16,42…探觸墊 5,33…第二表面 17,43…接合線 6···凹穴 18…白光束 7…光阻 19…光源 8,36···第一電極 20…反射光 9···#刻氣體 21，26…接收器 10,38···第一調諧墊 22…雷射源 11，39···孔道 23···光 12,46…第二電極 24,25…反射光束 20

Claims (1)

1223494 拾、申請專利範圍： 1. 一種用來製造諧振器的方法，包含以下步驟： 提供一第一基材其中設有一凹穴； 提供一石英基材； 5 將該石英基材黏接於該凹穴上； 薄化該石英基材； 除去一部份石英基材； 將該石英基材黏接於一底基材；及 除掉該第一基材，而釋放該石英基材。 10 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中薄化該石英基材的 步驟係將該石英基材薄化至小於ΙΟμπι的厚度。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一基材係為選 自Si或GaAs的材料。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該底基材係為選自 15 第瓜-V族元素或SiGe的材料。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含以下步驟： 除掉該底基材的一部份而製成一修正的底基材；及 在該修正的底基材上沈積至少一探觸墊。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該石英基材包含一 20 第一表面及一第二表面，而該諧振器更包含至少一第一 電極設在該第一表面上，及至少一第二電極設在第二表 面上。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該石英基材更包含 至少一孔道連接於該等第一電極和第二電極，且該至少 21 1223494 一孔道係填滿金屬。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中該石英基材更包含 至少一調諧墊可將該石英基材調諧成一所需的共振頻 率。 5 9.如申請專利範圍第8項之方法，其中將該石英基材黏接 於底基材的步驟，乃包括將該至少一探觸墊黏接於該至 少一第二電極，而使信號能流通於該等探觸墊與第二電 極之間。 10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該至少一調諧墊會 10 被磨削來調整該共振頻率。 11. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該調諧墊係為該至 少一第一電極與至少一第二電極中之一者。 12. —種用來製造諧振器的方法，包含以下步驟： 提供一第一基材其中設有一凹穴； 15 提供一石英基材； 將該石英基材黏接於該凹穴上；及 薄化該石英基材。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中薄化該石英基材的 步驟包括將該石英基材薄化至小於ΙΟμιη的厚度。 20 14.如申請專利範圍第14項之方法，更包含以下步驟： 除掉一部份的石英基材； 提供一底基材； 將該石英基材黏接於底基材；及 除去該第一基材，而釋放該石英基材。 22 1223494 15. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一基材係為選 自Si或GaAs的材料。 16. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該底基材係為選自 第瓜-V族元素或SiGe的材料。 5 17.如申請專利範圍第14項之方法，其中提供一底基材的步 驟更包含以下步驟·· 除掉該底基材的一部份而製成一修正的底基材；及 在該修正的底基材上沈積至少一探觸墊。 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該石英基材包含一 10 第一表面及一第二表面，且該石英基材更包含至少一第 一電極設在該第一表面上，及至少一第二電極設在第二 表面上。 19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該石英基材更包含 至少一孔道連接於該等第一電極和第二電極，且該至少 15 一孔道係填滿金屬。 20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該石英基材更包含 至少一調諧墊可將該石英基材調諧成一所需的共振頻 率。 21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中將該石英基材黏接 20 於底基材的步驟，乃包括將該至少一探觸墊黏接於該至 少一第二電極，而使信號能流通於該等探觸墊與第二電 極之間。 22. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該至少一調諧墊會 被磨削來調整該共振頻率。 23 1223494 23. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該調諧墊係為該至 少一第一電極與至少一第二電極中之一者。 24. —種譜振器包含： 一石英基材，具有小於ΙΟμηι的厚度；及 5 一底基材，該石英基材係黏接於此底基材。 25. 如申請專利範圍第24項之諧振器，其中該底基材係為選 自第IE-V族元素或SiGe的材料。 26. 如申請專利範圍第24項之諧振器，其中該底基材至少有 一部份會被除去，而形成一修正的底基材。 10 27.如申請專利範圍第24項之諧振器，其中該修正的底基材 更包含至少一探觸墊。 28. 如申請專利範圍第27項之諧振器，其中該石英基材包含 一第一表面及一第二表面，而該諧振器更包含至少一第 一電極設在該第一表面上，及至少一第二電極設在第二 15 表面上。 29. 如申請專利範圍第28項之諧振器，其中該石英基材更包 含至少一孔道連接於該等第一電極和第二電極，且該至 少一孔道係填滿金屬。 30. 如申請專利範圍第29項之諧振器，其中該石英基材更包 20 含至少一調諧墊設在該第一表面或第二表面上，而可用 來將該石英基材調諧至一共振頻率；且該石英基材的一 部份會被除去，而形成一修正的石英基材。 31. 如申請專利範圍第30項之諧振器，其中該底基材與石英 基材之間的黏接更包含該探觸墊與第一電極或第二電 24 1223494 極之間的黏接。 32. 如申請專利範圍第31項之諧振器，其中其中該至少一調 諧塾會被磨削來調整該共振頻率。 33. 如申請專利範圍第32項之諧振器，其中該調諧墊係為該 至少一第一電極與至少一第二電極中之一者。 34. —種用來薄化可供使用於一諧振器中之石英基材的方 法，包含以下步驟·· 提供一石英基材； 利用一研磨及拋光處理來除掉該石英基材之一第 一部份； 15 20 琢研磨及拋光處理來除掉該

一部份 在除掉該第二部份的步驟之後，使用反應離子名 來除掉該石英基材之一第三部份，並在除掉該第三名 的步驟中同時監測該石英基材的厚度。 35.如申請專利範圍第34項之方法，其中在除掉該第 的步驟之研磨及拋光處理係使用氧化鋁。 36·如申請專利範圍第34項之方法，其中在除掉該第二名 的步狀及拋域理係使用二氧切或氧化飾 •如申請專利第34項之方法，其中該反應離子糾 使用一種含有氟化學物的氣體。 38·^青專利範圍第34項之方法，其中該監測步輸 光瑨橢面測定法來進行。 39.如申請專利範圍第34項之方法，其中該監測步驟剌

25 1223494 反射測定法來進行。 40. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該石英基材係被薄 化至小於ΙΟμπι的厚度。 41. 如申請專利範圍第34項之方法，更包含在除掉該第三部 5 份的步驟之後使用氧化鈽來進行一額外的研磨及拋光 處理之步驟。 42. 如申請專利範圍第41項之方法，更包含在進行該額外的 研磨及拋光處理步驟之後，使用氟化氫銨來濕蝕刻該石 英基材的步驟。

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