TWI221272B - Optical recording medium - Google Patents

Description

1221272 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係有關對應供記錄之資料，於記錄層形成多種 記錄標示，將資料多階記錄之光記錄媒體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 先行技術 以往之光記錄媒體，係將再生信號長度（反射信號之 調變部長度）作多段變化以記錄資料之方法，而對改作再 生信號之深度（反射信號之調變度）之多階分割，以同一 長度之各信號記錄多數資料之方法，亦多受硏究。 以該光記錄方法，較之僅以凹陷的有無之二値資料記 錄’因能於深度方向記錄多數資料，可於一定長度內增加 信號量’而可提升線記錄密度。目前，該記錄體已有利用 全像照相，或多層記錄層之記錄媒體之提議。 在此’多階記錄指反射信號調變度不同之多種記錄資 料之記錄。 另一方面，有關此等多階記錄之光記錄方法，隨記錄 時雷射光束功率之加大，即形成之反射信號深度之加深， 有再生時信號品質劣化之問題。其理由目前尙在未知。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如，以往手法中爲提高記錄媒體之記錄資訊量將記 錄標示縮短，尤以藉雷射光束功率之多段交換作多階記錄 時，信號品質之劣化更爲明顯。亦即，若欲作多階記錄， 則記錄標示難以高密度化，有陷入不相容的情況之問題。 以往，雷射光束之階段式交換以作多階記錄之光記錄 方法，其想法係以記錄標示之長度大於記錄時之聚光光束 (光束腰部）直徑爲前提。即藉記錄標示本身之光反射率 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐Ί —_4_ 1221272 Α7 Β7 五、發明説明（2) 之多階調變，直接讀取其反射率，實現多階記錄。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一般聚光光束之直徑係以Κλ/ΝΑ (K :常數，λ :雷射波長，N A :透鏡之開口數）表之。c D所用之檢 取一般係λ = 7 80奈米，NA二〇 . 45，聚光光束直 徑約1 · 6微米。此時記錄標不長度若近於1 . 6微米， 則上述信號劣化問題出現，難爲5階以上之多階記錄。 以上問題應係雷射光束之功率設定，記錄媒體之特性 等所有因素複雜糾葛之結果，就本發明人所知其原因尙在 未明，高密度多階記錄，包含其方法尙未達成乃係實情。 發明槪要 本發明即有鑑於上述問題而完成者，其目的在提議新 穎多階記錄方法，以達成高密度之多階記錄。 本發明人對光記錄媒體一再精心硏究，發現多階記錄 之記錄方法，並確認以該記錄方法，可於光記錄媒體作5 階以上之高密度多階記錄。 即，藉以下之本發明終能達成上述目的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 )於具特定溝之透光性基板至少形成覆蓋t Μ溝 之記錄層，以雷射光束照射至少於上述記錄層形成記錄標 示，以記錄資訊之光記錄媒體，其特徵爲：上述記錄層中 ，爲沿上述溝再生記錄，連續規定雷射照射行進方向之任 意單位長度及其垂直方向之任意單位寬度之虛擬記錄細胞 於該行進方向，同時，以上述雷射光束波長爲λ (奈米） ，上述雷射光束之照射光學系統之物鏡開口數爲Ν Α _ ’ -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） 1221272 Α7 Β7 五、發明説明（3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上逃溝之寬W (奈米）係3又疋爲0 · 2 Οχ ( x/na) < ^ < 0 . 5 0 X ( λ Ν Α )，照射時間或照射功率之 至少其一係設定爲5階以上’以該雷射光束照射，可於上 述虛擬記錄細胞形成5種以上大小不同之記錄標示，基於 該記錄標示對該虛擬記錄細胞之面積比調變光反射率，可 作資訊之多階記錄。 (2 )上述（1 )之光記錄媒體，其中上述溝寬W係 設定爲 0 _ 25x (入 /NA) <W<〇 · 45χ (λ/Ν Α)，較佳者爲0·32x (λ/ΝΑ)<W<〇.45χ (λ / Ν A )。 (3) 上述（1)或（2)之光記錄媒體，其中上述 溝係大致互相平行有多數形成，相鄰溝之間距P係設定成 〇 . 6 5 X (λ/ΝΑ)<Ρ，以 0.7χ ( λ / N A ) < P<1·2χ (λ/ΝΑ)爲較佳。 (4) 上述（1) ， （2)或（3)之光記錄媒體， 其中上述記錄層含有機色素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (5) 上述（1)至（4)任一之光記錄媒體，其中 上述記錄層含菁系色素。 本發明人發現，以記錄標示占虛擬記錄細胞之比率之 新穎調變手法，即可作多階記錄，結果係記錄密度得以飛 躍提升。 但若僅以照射時間或照射功率之調變形成記錄標示， 卻有時其記錄標示無法切實讀取。 其理由之一應係，必須於虛擬細胞設定高精度多階光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 x297公釐） 1221272 A 7 ____B7_ 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反射率之多階記錄，特別容易受到光記錄媒體構造之影響 。具體而言，如本發明形成多階記錄標示時，因可形成小 於雷射光點之記錄標示，溝寬可設成小於以往，另一方面 ，若溝寬W在〇 · 2 Ο X ( λ / N A )以下，則虛擬記錄 細胞中各階之光反射率誤差突然加大，此已由本發明人之 種種探討得知。其理由之一，推測係受制於溝寬，記錄標 示無法大到預定程度，調變度降低之故。 又再’理由雖尙不明，已知隨溝寬之變小，預定具同 一反射率階層之多數虛擬記錄細胞間，實際反射率階層發 生變異（即重複再現性降低）之現象，信號品質明顯下降 (錯誤値惡化）。 反之，軌距不變，提升溝寬至〇 _ 50χ (λ/ΝΑ )以上，則相鄰溝中之記錄標示受影響，易生串訊（相鄰 溝之記錄標示與原欲讀寫之記錄標示同時讀寫之現象）。 其防止須擴大溝間距離（下稱軌距），而不必要之軌距擴 大則記錄密度下降。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，理由亦仍未明，已知爲得低反射率階層之虛擬細 胞，形成相對較大記錄標示時，其反射率變異加大。因此 ，隨錯誤値之惡化等，信號品質依然惡化。 亦即’不僅如目前之二値記錄方法，依記錄層種類等 設定溝寬，爲作多階記錄必須設定其適當溝寬，疏於如此 設定則終將導致多階特有之信號品質劣化之結果。 該傾向固亦隨目前探討中之記錄時之線速度而變，必 須依據記錄線速度選擇溝寬，但因適用於愈高速（例如對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~7~^ "" 1221272 A 7 _B7___ 五、發明説明（5) c D — R等之標準線速度1 · 2米/秒之8倍以上’至 2 0倍左右）者溝之範圍（邊距）有變窄之傾向’若以某 程度之高速記錄爲前提，則應亦可涵括低速記錄之範圍。 以上已經確認係於5階以上光反射率調變以記錄資訊 時，（相較於以下階數者）尤其明顯有用。 本發明亦可作如下附加。 其特徵爲，沿上述記錄層’設雷射光導用之溝’上述 虛擬記錄細胞係設定於該溝內，並且上述單位寬度約等於 該溝寬之光記錄媒體。 其特徵爲，於上述虛擬記錄細胞，記錄有呈示係多階 記錄媒體之特定資訊之光記錄媒體。 其特徵爲，沿上述記錄層設雷射光導用之溝，其係部 份中斷。 而在此所謂溝寬，指溝與溝間所夾基面之最筒點，及 最大溝深大致等分處之溝寬，即一般所謂半値寬之値。如 此定義，乃係爲將溝（或溝間基面）截面爲梯形者列入考 慮。 圖面之簡單說明 第1圖係本發明實施形態例之光記錄媒體主要部份之 部份剖視側視圖。 第2圖係用以藉雷射光束於同記錄媒體記錄資訊之光 記錄裝置之方塊圖。 第3圖係同光記錄裝置所含雷射驅動器構造之方塊圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _〇 / — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221272 A7 B7____ 五、發明説明（6) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4圖係以同光記錄裝置於記錄層形成記錄標示之際 ’該記錄標示與虛擬記錄細胞及其光反射率之關係之示意 圖。 第5圖係以同光記錄裝置於記錄層形成記錄標示之際 ’雷射光束照射之計時圖其產生過程之線圖。 第6圖係溝寬不同之光記錄媒體其多階記錄後S D R 値變化之線圖。 第7圖係溝寬過大時光記錄媒體之多階記錄狀態之側 視圖。 第8圖係以其它形狀之雷射光束照射虛擬記錄細胞時 之槪略側視圖。 第9圖係本發明光記錄媒體之預先記錄各種資訊之晃 動之放大示意圖。 第1 0圖係同晃動之晃動週期與二値信號的關係之示 意圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 1圖係本發明光記錄媒體之記錄各種資訊之基面 預坑與二値信號的關係之示意圖。 第1 2圖係本發明光記錄媒體之記錄各種資訊之中斷 溝長與二値信號的關係之示意圖。 第1 3圖係本發明光記錄媒體之記錄各種資訊之虛擬 日己錄細胞與日己錄標不之不意圖。 發明之較佳實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ〇Ί 1221272 A7 B7 五、發明説明（7) 本發明實施形態例有關之光記錄媒體（光碟）1 0， 係於記錄層1 2有色素材料的使用之CD — R。CD - R 者係例如含透明基材所成之基板1 4，塗布而覆蓋形成於 該基板1 4之一面（第1圖中之上面）之雷射光導用溝 1 6之色素所成之上述記錄層1 2，以濺鍍等形成於該記 錄層1 2上側之金或銀等之反射膜1 8，及覆蓋該反射膜 1 8之外側之保護層2 0而形成。 用於上述記錄層1 2 .之色素，係菁系色素及其衍生物 ，苯硫醇金屬錯合物，偶氮色素等有機色素’相變化材料 則一般係Ge SbTe系，Ag I nSbT e系等。有機 色素主要以用下述一般式〔化1〕之菁系色素爲佳。其具 體例有下述〔化2〕，〔化3〕，〔化4〕等。 〔化1〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

(式中21及22各表縮合苯環或縮合蔡環’尺^及11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各表院基。η係〇， 1或2。） 〔化2〕

I221272 A7

五、發明説明（8) 【化3】

【化4】

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣· -訂 上述光記錄媒體1 〇之多階記錄，係用第2圖之光記錄裝 置3 0爲之。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該光記錄裝置3 〇係c D 一 R/R w燒錄機，係藉轉 軸馬達3 2透過轉軸伺服裝置3 1於一定線速旋轉驅動光 記錄媒體（光碟）1 0，以出自雷射3 6之雷射光束將資 訊記錄於光記錄媒體（光碟）1 0。 雷射驅動器3 8隨欲予記錄之資訊，控制第1圖中每 一虛擬記錄細胞（詳如後敘）4 0之雷射光束照射時間， 例如輸入於上述雷射3 6之雷射脈衝數。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 1221272 A7 __________ B7 五、發明説明（9) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖之符號4 2係包含物鏡4 2 A及半鏡4 2 B之 照射光學系統。物鏡4 2 A以焦點追踪伺服裝置4 4控制 ’將雷射光束聚焦於光碟1 〇之記錄層。又，物鏡4 2 A 及半鏡4 2 B係藉輸送伺服裝置4 6，與光碟1 〇之旋轉 同步，從內周往外周以特定速度控制其移動。 上述轉軸伺服裝置3 1 ，焦點追踪伺服裝置4 4，及 輸送伺服裝置4 6係由控制裝置5 0控制。欲記錄於記錄 層1 2之資料（資訊）即輸入於該控制裝置5 〇。 如第3圖具體所示，雷射驅動器3 8包括細胞時間設 定部6 0 ’記錄照射時間設定部6 2，及分配處理部6 4 〇 細胞時間設定部6 0連續規定特定細胞時間T ( T 1 ’ T 2 ’ T 3 ’ T 4 ’ T 5，T 6 .........)。結果，例如 以對雷射3 6光記錄媒體1 〇之移動速度（線速度）爲v 時，該光記錄媒體1 〇上長Η爲、v X T 〃之虛擬細胞 4 0即連續定出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

記錄照射時間設定部6 2，於上述細胞時間Τ以內規 定出5階以上（此爲t Α至t G之7階）之照射時間t A 。此時可將照射時間t A ........... t G預先記錄於記憶 體，以其讀出規定，或亦可讀取已寫入光記錄媒體1 〇之 記錄照射時間資訊而規定。

分配處理部6 4調變儲存於控制裝置5 0之原資訊， 設定多階記錄用之位元系列，分配於各細胞時間T。該多 階用之位元系列，由於在此有7階（A，B，C，D，E -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1221272 A7 __ _B7 ___ 五、發明説明（1()

’ F，G )之記錄標示存在，即爲例如丨B，E，D，C ，G，G .........丨等。該各數値即形成於各記錄細胞4 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之記錄標示之階層。因此，對應於上述位元系列之各階層 ’上述照射時間t A至t G即分配爲各細胞時間T 1，

Tf' * * · ♦♦參 * ♦ ♦ 0 如第1圖，光記錄媒體1 0之上述溝1 6內，於光碟 3 4之圓周方向S連續規定有虛擬記錄細胞4 0。各虛擬 記錄細胞4 0於圓周方向S之單位長爲11( = 7\丁）， 係設定成短於光束徑（光束腰部）直徑）D (參照第4圖 )。而相鄰溝1 6之間形成有基面1 7。 虛擬記錄細胞4 0中，與上述單位長H ( = v X T ) 垂直方向之單位寬大略與上述溝16之寬度W—致。 上述雷射3 6之雷射光束波長爲λ，照射光學系統 4 2之物鏡4 2Α之開口數爲ΝΑ時，上述溝1 6之寬度 W係設定爲〇·2〇χ (λ/ΝΑ)<W<〇.50χ (λ /ΝΑ)。例如，本實施形態中λ = 7 8 5 (奈米）， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΝΑ 二 〇 · 5，溝寬W即設定於 〇 , 3 1<W<0 . 79 (微米）之範圍內。 又，較佳之溝深爲7 0至3 0 0奈米，更佳者爲 1 0 0至2 5 0奈米左右。所謂溝深係指溝之最深處與基 面最高處垂直方向之高度差（深度）。 本實施形態中相鄰溝1 6之間距（基面間距）P係設 定爲Ο · 65χ (λ/ΝΑ) <P，以設定爲〇.7χ (λ /ΝΑ) <ρ<1 · 2χ (λ/ΝΑ)爲佳。以雷射光束 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ΤνΓ- 1221272 A7 _____B7 ___ 五、發明説明（1丨 逐〜照射於各虛擬記錄細胞4 0，示意例示之記錄標示 4 8 A至4 8 G即隨欲予記錄之資訊形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具體而言，即包含以下步驟，形成記錄標示4 8 A至 4 8 G。 將資訊記錄於光記錄媒體1 0之際，設定細胞時間τ ’如上連續規定虛擬記錄細胞4 0，對該虛擬記錄細胞 4 0設定雷射光束照射時間t A至t G。 結果，如第5圖之對時間作圖，調變原資訊得位元列 (B，E，D，C，G，G..........丨，於其各對應細胞

時間Τ 1 ，T 2，T 3分配照射時間{ t B，t E，t D

’ t C ’ t G ’ t G .........丨。在此係自各細胞時間T 之開頭起設定照射時間t (即前端標準），但亦可於各細 胞時間T之中央設定照射時間（中間標準），或以各細胞 時間之後端爲標準設定照射時間（後端標準）。 依該時間圖，照射時間t內以雷射光束照射實際形成 記錄標示4 8 A至4 8 G時，可設定各記錄細胞4 0於所 欲之光反射率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而該記錄標示4 8 A至4 8 G並非形成於雷射光束之 光束點全體，係形成於中心部（雷射光束係圓形，且光碟 1 0係一面旋轉一面以雷射光束照射，記錄標示即隨照射 時間之長度成爲長圓形）。 此乃由於，經聚焦之雷射光束一般係呈高斯分布，記 錄層1 2中，僅以超越某閥値部份之雷射光束照射能量進 行記錄，從中心依序往外側擴散形成記錄標示4 8 A至 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221272 A7 -^^ 五、發明説明（ 4 8 G之故。藉此，可形成例如第4圖所示之對虛擬記錄 細胞4 ◦之占有率不同之7階記錄標示4 8 A至4 8 G。 此時，各記錄標示4 8 A至4 8 G之大小，係設定成 以雷射光束照射讀取虛擬記錄細胞4 0時，反射光之反射 率分成7階。該光反射率係記錄標示愈小則愈大，無記錄 標示形成之虛擬記錄細胞反射率最大，形成有最大記錄標 示4 8 G之虛擬記錄細胞反射率最小。更詳言之，上述光 反射率可視爲亦含各記錄標示4 8 A至4 8 G之透光率， 以對虛擬記錄細胞4 0之占有率決定。 而記錄標示4 8A至4 8 G本身之透光率，隨構成記 錄層1 2之材料因雷射光束照射而分解變質，其折射率起 變化，或隨記錄層1 2之厚方向變化量而異。所形成之記 錄標示部份之透光率爲零時，此可不予考慮，僅依上述占 有率。 以上述實施形態之光記錄媒體1 0，控制照射時間即 可達成5階以上之多階記錄。 尤以溝寬W及軌距P係設定於特定範圍內，可高精度 高密度形成記錄標示4 8 A至4 8 G。此意味著對各階之 目標光反射率，實際光反射率之誤差降低。 第6圖示本發明人之分析結果。具體而言，係將溝寬 W定義爲Qx (λ/ΝΑ)，準備Q値不同之光記錄媒體 ，即溝寬W不同之多數光記錄媒體，對各記錄媒體作多階 記錄.，此時之虛擬記錄細胞之光反射率變異所產生之 5 D R値之分析。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15 - 1221272 A7 B7 五、發明説明（1含 所 S D R ( Sigma to Dynamic Range)値，係由多階之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 各階反射率與動態範圍（最大反射率與最小反射率之差） 所求出，各階之信號變異。具體而言’反射率之標準偏差 σ以動態範圍正規化之値。若該變異小，當然即可良好地 進行信號之再生。根據本發明人之實驗，該S D R値以5 %以下爲佳，3 %以下爲更佳。在此係以2 %以下爲目標 〇 由此結果可知，若溝寬W使Q = 0 . 2 0以下則 S D R加大。其理由應係，溝寬W過窄則記錄標示4 8 A 至4 8 G無法良好形成，或者，同一反射率階層之虛擬記 錄細胞間，實際反射率階層變異等信號品質顯著下降，以 對虛擬記錄細胞4 0之記錄細胞4 8 A至4 8 G之占有率 爲主所決定之光反射率受到影響。 反之，若溝寬W大，則形成低反射率階層之記錄標示 (大記錄標示）之虛擬記錄細胞4 0其反射率變異加大， 信號品質惡化。

又’軌距P設定爲例如1 · 0微米之狀態下，上述Q 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 値設爲0 · 5 0之光記錄媒體之多階記錄狀況示意圖如第 7圖。如此因可確保充分溝寬W，可形成所欲大小或以上 之記錄標示4 8 A至4 8 G。但反之若基面寬L變窄，則 相鄰溝1 6讀取時雷射光點D跨越，相鄰溝1 6內之記錄 標示4 8 A至4 8 G同時被讀取之可能性升高，難得所欲 之光反射率。 亦即不僅有如目前之二値記錄方法，依記錄層種類等

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ H 1221272 Α7 Β7 五、發明説明（ 設定溝寬，而爲作多階記錄，必須設定合適之溝寬W，若 疏於設定如此之溝寬W，則結果導致多階特有之信號品質 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 劣化，而如本實施形態之精確設定即可得所欲之光反射率 〇 又，若如上抑制光反射率之誤差（滑移），則可縮小 階寬而總階數（在此爲A至G之7階）可予增加，得以更 進一步提高光記錄媒體之記錄密度。 又，本實施形態例係主要就光記錄媒體1 0之記錄層 1 2以有機色素材料構成而具C D - R功能之情況作說明 ，但亦可利用以相變化記錄層作爲記錄層之C D - R W型 光記錄媒體，並可CD - R/RW以外之光記錄媒體。 又，本實施形態例係即使如第4圖，形成讀取雷射之 聚焦光束直徑D以下之長或寬之記錄標示（在此統稱爲記 錄標示4 8 A至4 8 G )亦可充分讀取資料，故較之以往 ，單位面積之記錄密度飛躍提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而本實施形態例之所有記錄標示係在聚焦光束直徑D 以下，但本發明不限於此，而係包含記錄標示僅有部份在 直徑D以下，及所有記錄標示在聚焦光束直徑D以上者。 又’上述光記錄裝置3 0係呈示利用雷射驅動器3 8 設定雷射光束之照射時間之情況，但亦可依照照射功率形 成大小不同之記錄標示。本發明可充分控制最終雷射光束 之照射，而亦可例如用能調變光束之穿透狀況之光門控制 雷射光束之照射時間或照射功率。 上述實施形態例中，記錄層1 2係用菁等有機色素， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221272 A7 ___ B7____ 五、發明説明（Μ 但本發明不限於此，可係上述以外之有機色素或無機材料 ’或適當使用其它材料亦可。但使用如上有機色素時，對 應於5階以上雷射光束照射時間，可切實變化記錄標示之 大小以作記錄’可以極高精度讀取各記錄標示。 又再’以上述光記錄裝置3 〇形成記錄標示之際，設 定於記錄層1 2上之虛擬記錄細胞4 〇之大小，不限於實 施形態例所限定者。在此係例示虛擬記錄細胞4 0之寬度 與溝寬W大約一致之情況，例如，若能壓縮至小於雷射光 束腰部，則在溝1 6之寬度W以下亦無妨。至於長度Η亦 同。另一方面，以8階等更多階記錄標示記錄時，亦可設 定虛擬記錄細胞4 0大於雷射光束腰徑。此時某部份記錄 標示可大於光束腰徑。 又，上述雷射光束在記錄層1 2之位置係圓形，但如 第8圖，亦可係例如於物鏡4 2 Α加上光束整形棱鏡 4 2 C或開口，使光束形狀成爲記錄媒體1 〇之輸送方向 短，其垂直方向長之長圓形或線形。此時因記錄標示4 9 縮短，可更縮短虛擬記錄細胞。亦即得以提升記錄密度。 又，該光記錄媒體1 0亦可預先設定如第1圖符號 5 2之合乎信號調變階數而反射率不同之多數坑，或於該 光記錄媒體之一部份預先以本發明之光記錄方法作多階記 錄。於這些多數坑5 2及/或已多階記錄之記錄標示5 4 ，亦可記錄有該記錄媒體之個別識別資訊，識別其係多階 記錄用光記錄媒體之資訊，用以決定該記錄媒體之記錄再 生用雷射光束照射時間之資訊’有關溝寬W之資訊等特定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） __ 18 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1221272 Α7 Β7 五、發明説明（谒 資訊。這些特定資訊可藉該光記錄媒體之再生及/或記錄 時之讀寫，切實識別係多階記錄用光記錄媒體，進而個別 識別，可更切實進行多階記錄，再生。 通常CD — R/RW，DVD — R/RW用之媒體， 係以記錄溝之蛇行（晃動）輸入信號。該信號稱作位址信 號’記錄裝置即以讀取該信號將記錄頭移往特定位置。 例如C D - R / R W中，該位址信號係將位置以時間 取代，記錄有分，秒之時間碼。記錄裝置讀取該時間碼， 將頭移往導入部，即可讀寫各種資料。 本發明之多階光記錄媒體，若用適於C D - R / R W 之記錄裝置（作記錄，再生）時，可採用晃動式位址信號 。但，不同於通常之C D - R / R W之時間碼，係採用位 址碼等信號方式。通常之記錄裝置無法讀取不同於C D -R / R W之位址信號，無法將頭移往特定位置。（此時， 多階記錄光媒體自記錄裝置退出）。 另一方面，對應多階記錄之記錄裝置，若設定成可辨 認該特殊位址，即可將頭移往導入部，讀取信號。 易言之，多階光記錄媒體藉採用與通常不同之位址， 即可與其它光記錄媒體作區別。 利用上述晃動之記錄，如第9圖所例示，可藉調變光 記錄媒體1 0之導入區1 02中溝1 04A至1 04C之 晃動而進行。 具體而言，如第1 〇圖，可不變晃動之振幅Wb，而 變動各溝l〇4A， l〇4B，104C之晃動週期Τα， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221272 A7 B7 五、發明説明（ τ B，T C。例如，以第9圖中使用者區1 0 6之溝1 6之 晃動週期T。爲基本週期，較長之晃動週期T B爲、、1 〃 ， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 較短週期T A，T C爲、、〇 〃配以二値信號，記錄上述各種 資訊。因此，例如晃動週期如上，從光記錄媒體之內周側 起係、、0 " ，★ 1 〃 ，〃 0 〃時，即指示該光記錄媒體 1 0係多階記錄用。 又，以如上預先決定之資訊爲記錄開始位置資訊，準 此，從使用者區1 0 6之特定位置開始記錄。此亦係虛擬 曰己錄細胞4 0開始位置之資訊。 又，上述各種資訊以外之記錄方法例，如第1 1圖， 有將上述各種資訊搭載於形成在各溝1 6間基面1 7之基 面預坑1 7 A，例如基面預坑間之週期短時以& 1 〃 ，長 時以、0 〃作二値記錄。 又另一例，係如第1 2圖或第1圖之符號5 6所示， 使溝1 6中斷，例如中斷溝長其短者示'' 1 〃 ，長者示'' 0° 以上述第9，1 1 ，1 2圖之資訊記錄手段，使資訊 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦可藉習知二値記錄型再生裝置讀取’即使將該多階光記 錄媒體誤裝入二値記錄型再生及/或記錄裝置，亦可輕易 判別其係多階型。 又再，上述各種資訊，如第1 3圖所示，可於導入區 1 0 2預作多階記錄。此時，藉第1 3圖中最初5個虛擬 記錄細胞4 0 1至4 0 5之記錄標示，即可記錄係多階記 錄媒體，及多階記錄之階數，藉其次5個虛擬記錄細胞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -20 -

Claims (1)

1221272 A8 B8 C8 D8 六、申請專对範圍 第 91105191號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國93年3月25日修正 1 . 一種光記錄媒體，係於具特定溝之透光性基板， 至少覆蓋上述溝以形成記錄層，以雷射光束照射而至少於 該記錄層形成記錄標示，而可記錄資訊之光記錄媒體，其 特徵爲： 於上述記錄層中，沿上述溝之記錄再生用之雷射照射 行進方向之任意單位長度，及與此呈垂直方向之任意單位 寬度所成之虛擬記錄細胞，沿該行進方向被連續定出，同 時 以上述雷射光束波長爲λ，上述雷射光束照射光學系 統中物鏡開口數爲Ν Α時，設定上述溝寬W可爲〇 · 2 0 X (λ/ΝΑ) <W<〇 . 5〇χ (λ/ΝΑ)， 照射時間或照射功率之至少其一係設爲5階以上，用 上述雷射光束照射，以於上述虛擬記錄細胞可形成5種以 上大小不同之記錄標示，基於上述記錄標示對該虛擬記錄 細胞之面積比，調變光反射率而可作資訊之多階記錄。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 .如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中上述 溝寬W係設定爲 〇 . 25χ (λ/ΝΑ) <W<〇 _ 45x (λ/ΝΑ)。 3 .如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中上述 之溝係相互爲大致平行狀態下以多數形成，相鄰之上述溝 之間距P係設定爲〇 . 6 5 X ( λ / N A ) < P ，較佳者 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS )八4規格（210X297公釐） 1221272 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 係設定爲 〇.7χ (λ/ΝΑ)<Ρ<1·2χ (λ/ΝΑ)。 4 .如申請專利範圍第2項之光記錄媒體，其中上述 之溝係相互爲大致平行多數形成，相鄰之上述溝之間距P 係設定爲0 . 65χ (λ/ΝΑ) <P，較佳者係設定爲 0.7χ (λ/ΝΑ)<Ρ<1·2χ (入/NA) 0 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之光記媒體 項，其中上述記錄層含有機色素。 6 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之光記錄媒 體，其中上述記錄層含菁系色素。 7 .如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中上述 記錄層含菁系色素。 I ^--U------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 -