TW593713B - Method of manufacturing a substrate for displays and a substrate for displays manufactured by same - Google Patents

Description

593713 玖、發明說明： 登·_明所屬之拮術领I — 本發明係關於一種顯示用基板之製造方法及以該方法製 · 传之顯不用基板。更特定言之，係關於一種製造顯示用基 ， 板之方法，其具有一形成其上之薄膜來防止該基板表面之 電氣化，及以該方法製得之顯示用基板。 先前拮输 過去場發射顯示器（FED)(包括表面傳導電子發射極裝置 (SED)及電漿顯示板（PDp))所用之顯示基板具有如下缺 _ 點：即，其基板表面容易因FED或PDp之驅動方法而電氣 化’例如’在基板間施加高電場以產生光，或使基板表面 曝露於電漿下。該電氣化可導致一火花產生，致縮短一顯 不兀件之使用年限。該基板表面之電氣化取決於該基板之 表面電阻。 為了避免基板表面之電氣化縮短該顯示元件之使用年 限，有人提議在該基板表面上形成一金屬氮氧化合物薄 膜，其表面電阻係控制於一可抗電氣化之期肖值。在該基 φ 板表面上形成該金屬氮氧化合物薄膜係利用賤錄使用一金 屬乾材於氧氣及氮氣之混合氣體之氣氛中進行。該薄膜之 表面電阻係藉由改變於混合氣體中之氧氣及氮氣之混合比 例來控制於一期待值。 - 然而，該習知之抗電氣化方法，難以將表面電阻控制於、 -期待值’其乃因當於混合氣體中之氧氣及氮氣之比例在 使用該金屬乾材進㈣射時改變的話，該基板表面上所形 O:\64\64652.DOC -6- 即使在該氧氣及氮氣之混 成之薄膜表面電阻會劇烈變化， 合比例之變化报少時亦然。 發明内容 、□此么本發明之目的在於提供—顯示用基板之製造方 去/、月b幸工易地控制在該基板表面上所形成之抗電氣化薄 膜之表面電阻，及以該方法製得之顯示用基板。 為了達成上述目的，本發明提供_製造顯示用之基板之 方法包括用金屬氧化物製備_乾材，及利㈣鍍使用該 ㈣於-鈍氣及氮氣之混合氣體之氣氛中在該基板表面上 形成-金屬氮氧化合物薄膜之步驟，調整該謝該純氣 及虱氣之混合比例，致使該薄膜具有一期待表面電阻。 j發=之方法能輕易地控制在該基板表面上所形成之抗 電氣化薄膜之表面電阻值至一期待值。 該純氣在該氣氛中之含量較佳為5至95體積百分比。 結果’本發明可在基板表面上以可靠且再現性高之方式 形士-金屬氮氧化合物之抗電氣化薄膜，而可確實地控制 該薄膜之表面電阻值至一期待值。 該期待表面電阻較佳為1〇χ1〇8至1〇χΐ〇12 q/口。 、-果，可/肖除该基板表面之電荷，因此可防止該基板表 面之電氣化縮短該顯示元件之使用年限之，使該元件堪用。 在本發明之一較佳態樣中，該靶材是由至少二種金屬氧 化物組成。 結果，可以更穩定地將該薄膜之表面電阻值控制於一期 待值。

O:\64\64652.DOC 該二種金屬氧化物中之一種較佳為選自由鈦及锆所組成 之群組中之元素之氧化物。 該二種金屬氧化物中之另一種較佳為選自由鈮、釩、鈕、 紀及鎢所組成之群組中之元素之氧化物。 该一種金屬氧化物中之一種在靶材之含量較佳為70至 99.5重量百分比。 避有，該二種金屬氧化物中之另一種在靶材之含量較七 為0.5至30重量百分比。

結果，本發明可以更穩定地控制該薄膜之表面電阻。 在本月之3較佳態樣中，本發明之製造顯示用基相 之方法進-步包括形成至少_抗移動離子熱擴散薄膜之步 驟’該抗移動離子熱擴散薄膜係堆疊於該基板表面上所开 成之該薄膜上。 > + ,由於可移動離子之熱擴散’故可防止該基板表运 之電氣化’並防止該顯示元件之不正常動作。

之Γ抗移動離子熱擴散薄膜較佳是由選自石夕之氧化物、^ 成。 之鼠化物所構成之群組之化合物所细 :常::可移動離子之熱擴散，可確實防止顯示元件 該抗移動離子熱擴散薄膜之總薄膜厚度較佳為避刪 結果，由於可移動離子 件之不正常動作。 之熱擴散 可有效防止該顯示元

O:\64\64652.DOC -8- 593713 另外’本發明提供一顯示用基板，其製造步驟係用金屬 氧化物製備一靶材，及利用濺鍍使用該靶材於一鈍氣及氮 氣之混合氣體之氣氛中在該基板表面上形成一金屬氮氧化 合物薄膜，調整該氣氛中該鈍氣及氮氣之混合比例致使該 薄膜具有一期待表面電阻。 本鲞明之顯不用基板表面不會產生電氣化，可以低成本 製得顯示用基才反，且不會縮短該顯示元件的使用年限。 本毛月的上述及其他目的、特徵及優點在參照附圖詳述 如下後，將更為清楚。 圖式簡 表面傳導電子發射裝置之剖面圖 圖2所示係圖1中之薄膜Π之剖面圖； 圖3所示係實例1中之薄膜U之表面電随； 圖4所示係比較例1中之薄膜11之表面電阻. 圖5所示係比較例2中之薄㈣之表面二且：

圖6所示係與實例1中之薄膜U完全相同/曰且右 膜厚度之薄膜11之表面電阻。 1一疋具有不 元件符號說明 10 玻璃基板 11 薄膜 12 元件電極 13 元件電極 14 傳導薄膜

O:\64\64652.DOC -9- 593713 15 電子放射部 16薄膜 實施友之 以下錄參照較佳具體實施例之圖式詳述本發明。 一為了得到該目的’本發明者實施廣泛的研二於一製造顯. :用之基板之方法上’其包括利用濺鑛使用一乾材於包含 I乳之氣體中在該基板表面上形成一具有一期待表面電阻 之金屬氮氧化合物薄膜。結果，本發明者得到一結果，立 ，果該乾材是-金屬氧化物之形成，該氣體是-純氣聽· 氣混合物之形成’及調整該氣氛中該純氣及氮氣之混合比 例致使該薄膜具有一期待表面電阻，該抗電氣化薄膜之表 面電阻之改變適度相應該鈍氣及氮氣之混合比例之改變， 口此，可輕易地控制該薄膜之表面電阻至一期待值。 本發明又發現如果在氣體中鈍氣之含量較佳是5至95體 積百刀比，則可更穩定地在該基板表面上形成一金屬氮氧 化合物之薄膜。 另外，本發明者也發現如果該靶材是由至少二種金屬氧 · 化物形成，其一是鈦或锆其中之一之金屬氧化物，及另一 是銳、飢、鈕、釔及鎢其中之一之金屬氧化物，且前者之 金屬氧化物之含量是70至99.5重量百分比，後者之金屬氧 化物之含量是〇 · 5至3 0重量百分比，則可更穩定地將該表面 電阻值控制至一期待值。 ’ 尤其’如果該薄膜係利用錢锻使用一包含銳〇 · 5至3 0重量 百分比之鈦氧化物基靶材於一氬氣及氮氣混合氣體中在該 O:\64\64652.DOC -10- 593713 基板表面上形成，則可更穩定地控制該表面電阻值。在在 情況下’如果該鈮氧化物含量少於〇.5重 舢细叫— 里百刀比，則在濺 射J間無法傳導穩定的電荷。另一方面， 入旦_ 「便違銳氧化物 二ϊ南於30重量百分比，該靶材之導電度也不會明顯地改 ’受I。 本發明係以上述研究之結果為基礎。 本發明之一具體實施例一具有一顯示用基板之平面型表 面傳導電子發射極裝置（場致發射元件）之結構現在將參考 圖1作洋述。圖1係該場致發射元件之剖面圖。 在圖1中，數字1〇表明一玻璃基板，其具有一元件形成之 表面在-利用濺鍍形成之薄膜11±，以防止該玻璃基板10 表面之電氣化。該基板10係鹼石灰玻璃之形成，及具有一 厚度，例如，3_。該薄膜U具有一厚度，例如，1〇_。 一對元件電極12及13，其係形成一傳導原料，係形成在 該薄膜11上。該元件電極12及13以—薄膜形成技術之結合 形成’例如^ CVD及一照相平版印刷及姓刻之圖案技術， 或以一印刷技術形成。 根據該場致發射元件之應用設計該元件電極^及^之形 狀。 用照相平版印刷絲刻之方〉去，一傳導薄膜⑷系形成在 該兀件電極12及13之間。該傳導薄膜14及該元件電極丨之及 13互相部分重疊，使他們較佳用電恰當的互相連接。用一 電鑄方法，一具有一高於該傳導薄膜14之電阻之電子放射 部分15係形成在一部分傳導薄膜丨4中。

O:\64\6465ZDOC -11 - 593713 該電子放射部分15及它的鄰近區域係覆蓋著一薄膜16。 用龟/舌〖生化方法，該薄膜16，其是碳或一碳化合物之形 成’係形成在該電子放射部分15之形成之後。 該薄膜11是至少二種金屬氮氧化合物之形成，其一是鈇 或锆（TiON，Zr〇N)其中之一之金屬氮氧化合物，及另一是 銳飢、艇、委乙、及鶴（NbON，VaON，TaON，YON，咬 W〇N)其中之一之金屬氮氧化合物。，ΌΝ，，在術語Ti〇N中及 此類不表示一計量表示，但簡單地意味著包含氧氣及氮氣 兩者。相同申請至其後描述之術語”〇N”。 φ 當调整該氣氛中該鈍氣及氮氣之混合比例致使該薄膜具 有期待表面電阻時，該薄膜11之形成係利用濺鍍使用一 金屬氧化物靶材在該基板表面上10於一鈍氣及氮氣之混合 物之氣體中來執行。 該薄膜之表面電阻u較佳是在一i 0xl08至10χ1012 Ω/ □之範圍内。此範圍允許該基板表面之電荷被消失，由於 该基板表面之電氣化，使縮短該顯示元件使用年限可被抑 制的。那就是，該顯示元件可完全實際使用。 鲁 該金屬氧化物靶材之表面電阻較佳是丨0 Ω /□或更少， 則可更穩定地控制該薄膜丨丨之形成。 而且，如圖2所示，該薄膜丨丨係利用堆疊至少一包含一選 由矽（SiON)之Si02，一氮氧化合物，及矽之一氮化物所組 成組群中之化合物之鹼離子鈍態薄膜Ub(抗移動離子熱擴 散薄膜）形成，在上述至少二種金屬氮氧化合物形成之薄膜 11a上。由於鹼離子熱擴散，這不只防止該基板表面之電氣 O:\64\64652.DOC -12- 化還防止該顯示元件之不正常動作。 至少一驗離子鈍態薄膜Ub之總薄膜厚度較佳為20至 1000 nm。由於鹼離子熱擴散，如果該總薄膜厚度少於2〇 nm，廷不可能防止該顯示元件之不正常動作，當如果該總 薄膜厚度多於1〇〇〇 ，結果，防止鹼離子熱擴散係不明 顯地改善。 在該薄膜11中，該至少二層lla及lib之堆疊順序可如期 待被選擇。 實例 驗。上述構成之

為了證實本發明之上述研究實施下面實驗 第一基板10從一具有一 3 nm之厚度（實質由si 分比、Na2〇之13重量百分比、Ca〇之8重量百

O:\64\64652.DOC 13- 表1 根據本發明之例子 比較之例子 1 1 2 目標物 Nb2〇5 -Ti〇? Nb205 -Ti02 Ti 氣體流 氣體流 氣體流速 表面電阻 表面電阻 表面電阻 速A 速B 比 (Ω/口） (Ω/口） (Ω/口） (SCCM) (SCCM) A/(A+B) A : Ar，B : N, A : Ar，Β : 02 A : Ν2，Β : 〇2 0 50 0.00 3.80 χΙΟ7 6.00 χΙΟ16 6.30 χΙΟ16 2.5 47.5 0.05 1.49 xlO9 5.50 χΙΟ16 5.85 χ1〇16 — 10 40 0.20 2.94 xlO9 5.00 xlO16 5.40 χΙΟ16 20 30 0.40 1.66 xlO10 2.00 χΙΟ16 3·0〇χ1016 — 25 25 0.50 7.65 xlO9 1.00 χίο16 2.30 χ1〇16 30 20 0.60 1.00 χΙΟ9 9.00 χΙΟ15 2.00 χΙΟ16 _ 40 10 0.80 5.00 χ1〇8 6.88 χΙΟ15 6.00 χΙΟ15 _ 47.5 2.5 0.95 2.54 χ1〇δ 3.44 χΙΟ15 3.00 χΙΟ15 50 0 1.00 8.00 χΙΟ6 8.00 χΙΟ6 2.00 χΙΟ5 表1包含實例1，其係利用濺鍍使用一 Nb2〇5-Ti〇2靶材（該 Nb2〇5含量是2.5重量百分比）於一氬氣·氮氣混合氣體中傳 導，比較例1，其係利用濺鍍使用一 Nb205-Ti02靶材於一氬 氣-氧氣混合氣體中傳導，及比較例2，其係利用濺鍍使用 一 Ti靶材於一氮氣—氧氣混合氣體中傳導。在各實例中，一 第一氣體成分流速A之流速比（A/(A+B))係從〇至1〇〇百分比 變化（那就是，另一氣體成分流速B之（b/(A+B))係從1〇〇至〇 百分比變化）~〇 製備上述靶材之一之方法將參考該Nb2〇5_Ti〇2#材如一 實例作說明。另一靶材係製備在相似方式中。 首先，鈦氧化物（Ti〇2)97.5重量百分比之純粉末及銳氧化 物（Nb2〇5)重量％2·5之純粉末係完全摻雜的。接著，一有機 混合物2重量百分比係加至該Ti〇2及Nb2〇5混合物，隨著授 動於一振動機達2小時。然後，水係加至該結果混合物同樣 地成為粒狀，隨著傳導冷流體靜力學鑄造在一 35 t〇n/em2 O:\64\64652.DOC -14- 593713 壓力之下。該結果鑄模部分被加熱至40(TC同樣地除污，隨 著預燒結在氧氣中於140(TC達5小時。另外，該預燒結部分 係加入至一熔化爐中，其那時被密封的。在該熔化爐中， 該預燒結部分在一包含一少量氧氣之氬氣中受加溫等向模 子壓製操作的支配在1350°C及一 50 MPa壓力之下，因此製 備一主要靶材燒結之Nb205-Ti02。 該所得之NhCVTiO2靶材之相對密度為96%或更多（根據 阿基米德方法測量之結果），且以四端子方法測得之之表面 電阻趨近2 Ω /□。 下一個，利用濺鍍形成該實例1之薄膜U之方法將作描 述。 如上述所製備之Nb2〇5_Ti〇2靶材係設於一包括一預備疏 散室及一濺射室之同軸類型濺射裝置中。用一旋轉式卿筒 及一低溫唧筒，該濺射室係疏散至5.〇xl〇-4pa或更少。接 著’ 一預先清除及具有一 3 mm之厚度之基板1〇係插至該預 備疏散室中，隨著疏散該室至〇·3 Pa或更少。然後，該基板 10係移至該濺射室中，及一氬氣氣體係以一 5〇cm3/min之速 率傳至該室中。（(標準立方公分每分）（於下略稱"SCcm")， 以調整該壓力至0.3 Pa。然後，當該基板1〇係超過該無材 時，電源係從一直流電源提供至一保持該靶材之陰極來導 致遠乾材之放電以形成一在該基板表面上10具有一 1〇 ηιη 之厚度之鈦氧化物及鈮氧化物之混合物之薄膜丨丨。該薄膜 11之表面電阻是8·00χ106 Ω/口。 另外，一具有一 10 nm之厚度之鈦氮氧化合物及鈮氮氧化 O:\64\64652.DOC -15- 593713 合物之混合物之薄膜11係形成如上述之相同方式中，以傳 入氬氣氣體於47.5 SCCM及氮氣氣體於25财難該濺射 室中來調整該壓力至0.3 Pa。此薄膜u之表面電阻是 2·54χ1〇8 〇/□。 在相同方式中，具有-10 nm之厚度之薄膜u係形成在該 基板10表面上如實例i及比較m，根據各種氣體流速比指 不在表1中，及各實例之表面電阻係測量（然而，根據氣體 流速比指示在表1中，對於比較例i，氬氣氣體及氧氣係傳 入當作該氣氛氣體之成分籲 下一個，利用濺鍍形成比較例2之薄膜丨丨之方法將作描 述。 一薄膜11係以使用一 Ti靶材及一包括一預備疏散室及一 濺射室之同軸類型濺射裝置形成。更特別地，一金屬鈦靶 材係設於該濺射室中，及接著，用一旋轉式唧筒及一低溫 卿筒，該濺射室係疏散至5.0xl0-4Pa或更少。然後，一預先 清除及具有一 3 mm之厚度之基板1〇係插至該預備疏散室中 及該室係疏散至0.3 Pa或更少。接下去，該基板10係移至該 _ 賤射室中，其中，一氮氣氣體係以一 50 SCCM之速率傳入 以調整該壓力至0.3 Pa。然後，當該基板1〇係超過該靶材 時，電源係從一直流電源提供至一保持該Ti靶材之陰極來 導致該Ti靶材之放電以形成一在該基板表面上10具有一 1〇 nm之厚度之鈦氮氧化合物之薄膜丨丨。此薄膜丨丨之表面電阻 - 是 2.0χ105 Ω /□。

另外’一具有一 10 nm之厚度之鈦氮氧化合物之薄膜U O:\64\64652-DOC -16- 593713 係形成如上述之相同方式中，以傳入氮氣氣體於47 5 sccm 及氧氣氣體於2·5 SCCM至該濺射室中來調整該壓力至〇3 · pa。此薄膜11之表面電阻是3〇χ1〇15 Ω /口。 · 在相同方式中，具有— 10nm之厚度之薄膜u係形成在基 板10表面上，根據氣體流速比指示在表丨中。各實例之表面 電阻係測量。 貫例1及比較例1及2之測量結果如表丨所示。而且，在表工 中，實例1及比較例1及2之測量結果各如圖3、圖4及圖5所 不° 根據圖3，當在一氬氣_氮氣混合氣體中使用實例丨之一 NhCVTiO2靶材濺射係實施時，在該氣體流速比（a/(a+b)) 從體積％5至95範圍内變化（至於氮氣氣體，在該氣體流速比 (B/M+B))從體積％95至5範圍内變化），該薄膜之表面電阻 11穩定地落在1.〇又1〇8至1.(^1〇120/口範圍内。然而，當該 氣體流速比是少於5體積％或在95體積％以上時，該薄膜之 表面電阻11落至1.0x10s Q/□之下。 因此，這可從圖3發現，當該氣體流速比（A/(A+B))是在5 · 體積％至95體積％之範圍内時，這可能得到一具有一 ι〇χΐ〇8 至1.0x1012 Ω /□之表面電阻之薄膜11。 另外，這可從圖4及圖5發現，當在一氬氣_氧氣混合氣體 中使用一Nb2〇5_Ti〇2靶材濺射係實施時，如在比較例i中， 、 及當在一氮氣-氧氣混合氣體中使用一 丁丨靶材濺射係實施 - 時，如在比較例2中，這不可能保持該表面電阻在ι〇χΐ〇8 至1·0χ1012 Ω/□範圍内，且與該氣體流速比無關的。 O:\64\64652.DOC -17- 593713 根據上述實驗，實例1，當一金屬、氧氣、及氮氣係需要 產生-金屬氮氧化合物時，其中該金屬及氧氣係從該混合 氣體提供之材及氮氣提供，係能得到該薄膜i工之表面電 阻值之好的結果’反之’比較例卜其中該金屬及氧氣係、從 錄材提供，但氮氣係從該混合氣體不提供，及比較例2， 其中該金屬係從該革巴材提供，但氮氣及氧氣係從該混合氣 體不提供，係不能得到良好的表面電阻值。 另外，根據本發明之實例丨中可理解，在混合氣體中，該 薄膜之變化速率纟面電阻叫溫和與該錢氣及氧氣間之 · 氣體流速比之變化速率比較。因&，該薄膜11之期待表面 電阻值藉由調整該氣體流速& (氬氣及氧氣之混合比例）如 一參數可簡單地得到。 另一方面，在比較例丨及比較例2中，該氣體流速比 (A/(A+B))係從95之體積百分比至100之體積百分比改變， 該薄膜之表面電阻11大大地改變，可穩定地該薄膜之表面 電阻保持在Ω/□範圍内（圖4及圖5)。 表2所示為實例1及比較例2製備之薄膜u之表面電阻之籲 測量結果。在實例1中，十薄膜丨丨，各具有一 1〇nm2厚度， 在一具有該氣體流速比於95之體積百分比之氬氣_氧氣混 合氣體中使用一NbiOi-TiOl乾材利用濺鍍係形成。在比較 例2中，十薄膜11，各具有一10nm之厚度，在一具有該氣體 流速比於95之體積百分比之氧氣-氮氣混合氣體中使用一Ti — 靶材利用濺鍍係形成。 O:\64\64652.DOC -18- 根據本發明之例子 比較之例子

氣體 ΑΤΜηςιτ>υτ7τ>ϋ A : Ar，B : Ν, A : 02，B :

1.00 X109 3.00 xlO9 1.16 xlO15 1.25 xlO( 表面電阻 (Ω/口） 5.00 xlO9 2.90 xlO9 2.30 xl〇y 6.52 xlO1 6.52 xlOf 5.82x10' 2.10 xl〇y 5.82 xlO14 5.00 xl〇9 1.16 xlO15 1.70 x l〇9 1.75 xlO1 1.90 xl〇9 2.33 xlO15 平均（Ω/口） _標準誤差(Ω/口） 3.25 x l〇9 2.03 xlO9 7.56 xlO1

8.25 xlO 14 從表2可知，實例丨之薄膜丨丨具有實質上恆定之表面電 阻，而比較例2之薄膜11中雖然該氮氣氣體只含有5體積百 分比之氧氣，表面電阻卻大幅變化。 然後，如實例2至5，一 V205_Ti〇^e^(包含v205之0.5重 量百分比）、一 W〇3_Ti〇2靶材（包含w〇3之5重量百分比）、一 Y2〇3-Ti〇2靶材（包含y2〇3之1〇重量百分比）、及一 TaArTiO2靶材（包含TaW5之8重量百分比）係各別使用。當 该氣體流速比改變在0至100百分比之間時，這些乾材係各 受錢射在一氬氣-氮氣混合氣體中的支配，從而形成在基板 10之薄膜11。該薄膜11之各表面電阻之測量結果如表3所 O:\64\64652.DOC -19- 593713 示。 表3

根據本發明之例子 ------------ 2 3 4 5 & mA V2 〇5 -Tic >2 W03 -Ti〇2 Υ2〇3 -TiO) Ta, O, -TiO. 就遐流迷 A (SCCM) 氣锻流連 Β (SCCM) 氣艘流迷 比 A/(A+B) 表面電阻 (Ω/口） A: Αγ，Β:Ν2 評 估 表面電阻 (Ω/π) Α： Αγ·Β：Ν2 評 估 表面電阻 (Ω/π) A : At，Β : Ν9 評 估 表面電阻 (Ω/口） A: Ar，B:N9 評 估 u c 50 Λ C 0.00 4.56 xlO7 X 1.65 xlO7 X 9.89 xlO 6 X L 9.89 xlO 6 X J 1 Λ 45 0.10 1.79 xlO9 〇 1.42 xlO9 〇 8.52 x10 s 〇 O CO Ν/1Λ ^ 〇 iU ΛΑ 40 0.20 3.53 χΙΟ^ 〇 2.82χ109 〇 1.69 xl〇y 〇 9 L69 χ10 〇 Zv 30 〇 c 0.40 1.99 χΙΟ10 〇 1.59χ1010 〇 9.56 xl〇y 〇 9 5.73 x 丨〇 〇 ZD Ί(\ 25 ΛΛ 0.50 9.18 xlO9 —-"Π-- 〇 5.03 χΙΟ10 〇 1.02xl〇1U 〇 6.12 xlO 〇 Λ(\ 20 1 Λ 0.60 5.40x10 〇 1.03 χΙΟ10 〇 6.l9xl〇y 〇 9 6.22 xiO 〇 ΛΖ ΙΟ 0.80 6.0〇xl〇8 〇 1.08 χΙΟ9 〇 6.48 xlO8 〇 8 A v 1 A 〇 5 0.90 3.05 xlO8 〇 5.43 χ108 〇 3.26xl〇8 〇 U.1Z x IV o Ί f\H v* 1 Λ ° 〇 DU 0 1.00 9.00 xlO6 X 5.70 χΙΟ6 X 3.42 xlO6 X dAji xiU 2.05 xlO6 X 這可從表3發現全部在實例2至5中，像該氣體流速比從5 至95體積百分比變化（至於該氮氣氣體，像該氣體流速比從 95至5體積百分比變化），可將該薄膜之表面電阻丨丨穩定地 保持在l.OxlO8至l_〇xl〇12 □/□範圍内。另一方面，當該氣 體流速比是在5體積百分比以下或在95體積百分比以上 時’該表面電阻落至1·〇χ1〇8 Ω/□以下。 在實例1至5及表1及3中，當該金屬氧化物構成成分時， 除了在0.5重量百分比至1〇範圍内之靶材（Nb205、V205、 WO3、γζ〇3、及Ta2〇5)之主要成分，換句話說，當該金屬氧 O:\64\64652.DOC -20 - 593713 化物（Ti〇2)構成90至99.5重量百分比範圍内 、 材之主要 成分時，該薄膜11之表面電阻值係控制至—期待範圍。 表4所示為利用濺鍍使用_Nb2〇s-Ti〇2靶材（如在實例1中） 結果，使用設至10、30、50、及i〇0nm之薄膜厚度。表4 =

於一氬氣-氮氣混合氣體中製備之薄膜U之表面電阻之測量 測ϊ結果如圖6所示。 攸圖6可發現，當該薄膜丨丨之厚度增加時該表面電阻沒 有明顯地改變’且表面電阻低之實例中，當減少該薄仙 之薄膜厚度時，該表面電阻增加。料，雖然沒有特別限 制該薄膜11之薄膜厚度’基本上，薄膜在製造成本上較為 有利，且該薄膜厚度可適當地調整至一期待厚度。 O:\64\64652.DOC -21 -

Claims (1)

1. 申明專利範圍第5項之方法，其中該抗移動離子熱擴 散薄膜之總薄膜厚度為2〇至1〇〇〇11111。 一種顯示用基板，其製造步驟係用金屬氧化物製備一靶 材及利用錢鑛使用該靶材於一鈍氣及氮氣之混合氣體 之乳氛中在該基板表面上形成一金屬氮氧化合物薄 膜°周整该氣氛中該鈍氣及氮氣之混合比例致使該薄膜 具有一期待表面電阻，其中 該期待表面電阻是my至1〇χ1〇12 Ω/□，且 。亥靶材由至少二種金屬氧化物組成，其中一種是選自 由鈦或鉻所組成之群組中之元素之氧化物，另一種是選 自由鈮、釩、鈕、釔及鎢所組成之群組中之元素之氧化 物。 =請專利範圍第8項之顯示用基板，其中該鈍氣在該 氣氛中之含量為5至95體積百分比。 如:請專利範圍第8或9項之顯㈣基板，其中該二種金 屬乳化物中之-種在材中之含量為7g至心重量百分 比0 如申清專利範圍第8或9項之顯示用基板，其中該二種金 屬氧化物中之另-種在靶材中之含量為0.5至30重量百 分比。 一種如中請專利範圍第8或9項之顯示職板，其進一步 匕括形成至少-抗移動離子熱擴散薄膜之步驟，該抗移 _子熱擴散薄膜係堆疊於該基板表面上所形成之該 薄膜上。 DOC 13. 14. =請專利範圍第12項之顯示用基板，其 …：： 夕之氧化物、石夕之氮氧化合物及 物所構成之群組之化合物所組成。 如申明專利|&圍第! 2項之顯示用基板，其中該抗移動離 子熱擴散薄膜之總薄膜厚度為2〇至1〇〇〇麵。 離 O:\64\64652.DOC 3-

   說明書 593713 中文說明書替換本(93年3月) (本說明書格式、順序及粗體字，請勿任多更動’※記號部分請勿填寫） ※申請案號：丨（今id ※申請日期··判'(了（Γ|糸11>(：分類：乙）3匕rqy{4 壹、發明名稱：（中文/英文） 製造顯示用之基板之方法及以該方法製造顯示用基板 METHOD OF MANUFACTURING A SUBSTRATE FOR DISPLAYS AND A SUBSTRATE FOR DISPLAYS MANUFACTURED BY SAME 貳、申請人：（共1人) 姓名或名稱：（中文/英文） 曰商日本板硝子股份有限公司 NIPPON SHEET GLASS C0.5 LTD. 代表人：（中文/英文） 出原洋三 YOZOIZUHARA 住居所或營業所地址：（中文/英文） 日本國大阪府k阪市中央區道修町3丁目5番11號 國籍··（中文/英文） 日本 JAPAN O:\64\64652.DOC [γ· .:.〜…] 广:； 拾、t讀7專利範士： 1 · 一種製造顯示用之基板之方法，包括下列步驟： 用金屬氧化物製備一革巴材；及 利用濺鍍使用該靶材於一鈍氣及氮氣之混合氣體之 氣氛中在該基板表面上形成一金屬氮氧化合物薄膜，調 整該氣氛中該鈍氣及氮氣之混合比例致使該薄膜具有 一期待表面電阻，其中 該期待表面電阻是1·〇χ1〇8至1〇χ1〇12 Ω/□，且 該革巴材由至少二種金屬氧化物組成，其中一種是選自 由鈦或鉻所組成之群組中之元素之氧化物，另一種是選 自由銳、飢、组 '釔及鎢所組成之群組中之元素之氧化 物。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中該鈍氣在該氣氛中 之含量為5至95體積百分比。 3·如申睛專利範圍第丨或2項之方法，其中該二種金屬氧化 物中之一種在靶材中之含量為7〇至99 5重量百分比。 (如申請專利範圍第項之方法，其中該二種金屬氧化 物中之另一種在靶材中之含量為〇 5至3〇重量百分比。 5· 7申請專利範圍第1或2項之方法，其進一步包括形成至 v抗移動離子熱擴散薄膜之步驟，該抗移動離子熱擴 政薄膜係堆$於該基板表面上所形成之該薄膜上。 6·如:請專利範圍第5項之方法，其中該抗移動離子熱擴 散薄膜是由選自矽之氧化物、矽之氮氧化合物及矽之氮 化物所構成之群組之化合物所組成。 O:\64\64652.DOC