TW593633B - Liquid crystal polymers for flexible circuits - Google Patents

Description

593633 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明有關一種適用於可撓電路應用之低介電常數薄膜 ，特別有關一種包括液晶聚合物（LCP)薄膜的可撓性複合 材料之化學蝕刻。 發明背景 位於一聚合物薄膜基底上之組蝕刻銅或經印刷聚合物厚 膜電路圖型可視為是一種可撓性電路或可撓性印刷線路。 如其名稱所示，可撓性電路可在不破壞導體的情況下移動 、彎曲及扭轉，以針對不同形狀及獨特包裝尺寸提供服貼 性。可撓性電路最初是設計用來取代龐大的配線裝置，經 常是解決電流與切斷邊緣（cutting-edge)電子組合件所需要之 小型化及移動性的唯一方法。針對複雜元件的型薄、質輕 及理想化，可撓電路設計的解決範圍從單向導電路線到複 雜多層三維封裝物。 一般供可撓電子封裝使用的介電薄膜基底材料包括聚醯 亞胺、聚酯聚對苯二酸酯、任意纖維芳香聚醯胺及聚氯乙 晞。電子元件設計的改變產生了對於具有超過先前列示基 材的電子性能及處理能力之性質的新材料之需要。例如， 較低的介電常數容許較快的電信號傳輸，良好熱性能有助 於封裝物的冷卻，較高的玻璃化溫度或熔點溫度改善高溫 至封裝物性能/及較低吸濕性使得訊號及資料之處理頻率 愈來愈高。 聚醯亞胺薄膜係一般使用於可撓性電路的基材，符合複 雜、切斷邊緣（cutting-edge)電子組合件之要求。該薄膜有優 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

593633 A7 B7 五、發明説明 秀的性質，如熱安定性及低介電常數，但在可操作電子組 合件足速度及頻率附加增益（gain)有其限制因素。使用聚 醯亞胺薄膜之進長上的主要缺點為聚醯胺吸收水氣到會= 擾高頻裝置的性能的程度。高頻率操作確定或發展對^濕 性低敏感度的基材。 液晶聚合物（LCP)薄膜表現出適合於作為具有改良高頻 性能之可撓電路的基材。與聚醯胺比較之下其通常具有較 低的介電損失（dielectric loss)且吸收較少的濕氣。液晶聚合 物之此等有利的性質先前就已經為人所熟知，但是加工上 的困難阻礙了液晶聚合物在複雜電子組合件上的應用。 〜多軸（例雙軸）薄膜處理技術的發展擴大了液晶聚合物薄 膜在可撓性電路應用上的用途。美國專利案號4,975,312描 述一種印刷電路板基材，χ-γ方向上具有經調節之熱膨脹 係數且厚度不超過1 0 〇微米之經多軸定向正溫性液晶聚合物 薄膜製備而得。該類材料比聚醯亞胺薄膜提供更具潛力的 作為可撓性電路基材之優點。此等潛力在優點導致可利用 容易得到的處理技術。製造藉由一或更多層液晶聚合物薄 膜土材支撑單層或多層電路結構。多層可撓電路是由三或 更多層的單面或雙面可撓電路層積，且進行鑽孔和電鍍以 形成I鍍通孔所形成之組合物。其可在多式料層之間創造 出導電路徑，卻，不需要利用多重焊接操作。 用以形成通孔之鑽孔，其反映強調藉由物理方法諸如鑽 ^打孔、雷射切除Uaser ablation)和電漿鑽孔使用於液晶 永3物薄膜中形成通道及相關電路特徵之重要性。習用可 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） 593633 A7 . B7 五、發明説明（3 ) 撓性電路形成孔洞之鑽孔及相關技術的備擇方法是由亞買 吉公司（Yamaichi Corporation)引進的 Y-FLEX™。描述 Y-FLEX™之資料指出它是使用LCP樹脂絕緣材料且採用内部 導電隆突層連結之微通道（microvia)可撓性電路。Y-FLEX™ 多層電路的相互連結係藉由穿透絕緣LCP層之導電性隆突 達成，而不需要通孔。 雖然前述數種物理方法在L C P中產生孔洞及類似形狀的 空隙，但是沒有任何有關使用液晶聚合物基材以產製可撓 電路之化學方法的記錄。聚醯亞胺基材所使用之化學蝕刻 溶液是為人所熟知用來製造以聚醯亞胺為基材之可撓電路 。然而，如歐洲專利申請案號0832918 A1中所示，沒有任何 一種單獨的触刻組合物能在所有型態的聚酿亞胺中有效的 顯影出電路特徵。顯然，蝕刻溶液的選擇係視用以製備特 定聚醯亞胺的物質而定。而且，在公開申請案（歐洲專利 0832918)蝕刻組合物之積極攻擊可使用水溶液顯影的光阻崩 解。 因為液晶聚合物薄膜之溶解度低於聚醯亞胺薄膜，故無 法使用線上的化學系統及已知的蝕刻組合物有效地處理。 沒有任何有關化學蝕刻液晶聚合物薄膜以形成通孔的報告 。使用化學蝕刻以形成通孔較佳，因為它可以形成傳統的 物理方法無法產生的非支撐或懸衔（cantilevered)導線結構。 因為物理鑽孔及相關方法之部分步驟需昂貴的器材，與 主要的可撓電路的生產線相較甚遠，因此需要一種使用液 晶聚合物基材製造可撓性電路而更具成本效益的方法。另 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 593633 五、發明説明（ -項功效係提供包括非支撐導綠的可撓電路。 發明概述 本發明提出一種以水溶液為主的化學 液晶聚合物(LCP)以作為可撓電路 膜中：用於】括 形狀空隙的可控侧，薄膜可在 == 亞胺薄膜所㈣到的速度下進行_。此二 :化予蚀刻溶液的组成所得結'果。該新賴蚀刻液使 ^路以使用LCP薄膜以取代聚醯亞胺，而作為用以製造^ “生電路（可蝕刻的基材，特別是高性能的可撓性電路。 =化學_的LCP可撓電路將符合較複雜之電子组合件的 需要’滿足了超過利用錯孔、雷射去除及相關之傳統物理 万法處理之聚醯亞胺及LCP薄膜的能力的新機會。 ”高鹼性顯影溶液（本發明指蝕刻劑）包含鹼金屬鹽及促溶 解劑（solubilizer)。鹼金屬鹽溶液可單獨使用為聚醯亞胺: 蝕刻劑，但在缺乏促溶解劑下，無法使Lcp顯影。典型的 促溶解劑是胺化合物，以烷醇胺較佳。胺在本發明蝕刻溶 液中的效果視其使用相當窄輻範圍濃度之鹼金屬鹽包括鹼 金屬氫氣化合物，特別是氫氧化鉀而定。建議一種使基於 液晶聚合物之可撓電路顯影的雙重機制，即胺作為供L c p 使用之促溶解劑，但較佳係於水溶液中於有限範圍内驗金 屬之下。有限範圍之蝕刻溶液的發現，可以製造具有精細 結構特徵而無法於先前利用鑽孔、打孔、雷射去除獲得之 可撓印製電路。本發明使用含水蝕刻溶液及方法產生包含 非支撐導線（又稱為懸栴導線）及具有傾斜邊壁之通道的可 593633 A7 --------Β7_____ 五、發明説明（5 ) 撓電路，此係先前提及之物理方法所不可能產生。 本發明提出一種供液晶使用之蝕刻組合物。該組合物含 有約3 5到5 5重量百分比的鹼金屬鹽於水中之溶液，及約i 〇 到3 5重量百分比溶解在該溶液中的促溶解劑，以提供適合 在約5 0 °C到1 2 0。(：溫度下蝕刻液晶聚合物的蝕刻組合物。 液晶聚合物可藉由本發明蝕刻組合物進行蝕刻，以提供 一種包括液晶聚合物薄膜之可>撓性電路，該液晶聚合物薄 膜中使用蚀刻組合物形成通孔及相關形狀空隙，該蝕刻組 合物係包含約3 5重量百分比到5 5重量百分比的鹼金屬鹽於 水中之溶液；及約1〇到35重量百分比溶解在該溶液中的促 溶解劑’以提供適合在約5 〇它到1 2〇它溫度下蝕刻液晶聚 合物的姓刻組合物。 本發明又包括一種在液晶聚合物蚀刻一圖型的方法。適 當的方法步驟包括提供一液晶聚合物；施加一光阻層於該 液晶聚合物上；使該光阻曝照一輻射圖型，使該光阻曝照 輜射之部分進行交聯及使用顯影液除去未經曝光之光阻。 此步驟顯露出液晶聚合物可撓電路在約5 〇到丨2 〇溫度 下使用蝕刻組合物接觸蝕刻之部分，該蝕刻組合物係包含 有、3 5到5 5重量百分比的鹼金屬鹽於水中之溶液及約1 〇到 3 5重量百分比落解在該溶液中的促溶解劑。蝕刻組合物藉 由浸入法或使用噴霧蝕刻技術蝕刻液晶聚合物先前未曝光 部份。 本發明所使用的所有百分比數量皆所示组份的重量百分 比。 -8 - 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X297公愛) '' - 593633 A7 B7 五、發明説明（6 ) 發明詳述 本發明提出一種供可撓性電路使用之薄膜基材，其可於 較目前可獲得之可撓電路基材，特別是聚醯亞胺薄膜，諸 多ΚΑΡΤΟΝ™及APICAL™高的頻率下操作。針對較快速的 電子元件的需求，高頻性能的達到導因於一度被認為相當 難處理之處理液晶聚合物方法的逐步發展。描述在美國專 利4,975,312中發展方法提供了多軸（例如雙軸）定向正溫性聚 合物薄膜，其係商標名VECTRA®(以萘為基底，赫斯特克 林斯公司（Hoechst Celanese Corp·)販售及XYDAR®(以聯苯齡 作基底，可由艾默哥性能產品（Amoco Performance Products) 獲得）之市售液晶聚合物（L CP)的薄膜。此類型多軸定向 L C P薄膜顯然係為可撓印刷電路及電路互連所適用之基材 。：L C P薄膜的特性包括電絕緣性、飽和吸濕性低於0.5 %熱 膨脹係數接近用之電鍍通孔之銅及在1千赫到4 5吉赫範圍之 功能頻率下不超過3 · 5之介電常數。 在提供可撓性電路使用之薄膜基材的情況下，多軸向位 LCP薄膜的發展受限於用以形成該可撓性電路之方法。一 個重要的限制缺乏供LCP使用之化學方法。在沒有此種技 術的情況下，印刷電路設計中無法包括複雜的電路結構， 如非支撐、懸衔導線或通孔或具有傾斜邊壁的通道。 如本發明現在進一步提供一種以水溶液為主的化學溶液 ♦ ，用來可撓電路控制地於薄膜中蝕刻非支撐導線、具有傾 斜邊壁的通孔、及其它形狀空隙，該薄膜係包括多軸定向 、正溫性之液晶聚合物，以作為可撓電路之基材。藉由化 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

線 593633 A7 ____ B7 五、發明説明（ ) ^ 7 學蝕刻處理後，使用L C P薄膜基材的可撓電路具有經相同 處理之聚醯亞胺薄膜的所有優點，另外，因為低吸濕性， 具有可撓電路在高頻率下操作的優點。 本發明可撓電路結構係在溫度约5〇°C (122T)到120°C (248 °F)下，薄膜與鹼水溶液蝕刻液接觸，蝕刻LCP聚合物薄膜 所製得。非支撐導線、通孔及L C P薄膜中其他電路特特徵 之形成，需使用光致交聯負片型水可處理光阻的罩幕保護 聚合物薄膜的某些部分。在蚀刻的過程中，光阻實質上不 潤脹，或自該LCP聚合物膜剝離。或無法製。 適用於本發明液晶聚合物之負片型光阻係包括負片型在 水中可顯影的感光聚合物組合物，諸如在美國專利案號 3,469,982、3,448,098、3,867，153 及 3,526,504 中所揭示。該光 阻包括至少一聚合物基材，包含有可交聯的單體及光致起 始劑。使用在光阻的聚合物一般包括甲基丙烯酸甲酯、丙 烯酸乙酯及丙烯酸的共聚物，苯乙烯及馬來酐異丁酯的共 聚物及其類等。可交聯單體可為多丙晞酸酯，如三羥甲基 丙燒三丙晞酸醋。 本發明所使用鹼水溶液例如碳酸鈉可顯影、負片型光阻 包括聚甲基丙烯酸甲酯·，諸如RISTON光阻材料，例如（督 魔帝南模斯公司（duPont de Nemours and Co·)販售之）RISTON 4720。其它可使用的實例包括從里瑞勞司（LeaRonal Inc.)獲 得之AP 8 5 0及日立化學公司（Hitachi Chemical Co·，Ltd·)所獲 得之PHOTEC HU350。商業名為AQUAMER的光阻組合物可 由赫庫公司（Hercules Inc.)獲得。有數個系列之AQUAMER光 -----------10 -_____ 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS) A4規格(21〇x297公釐） 593633 A7 B7 五、發明説明（ 阻’包括“SF”及“CF，，系列，其以SF12〇、SF125及CF2.0為 此類材料之代表。 水醯亞胺薄膜可以單獨使用氫氧化舒水溶液進行蚀刻， 如同在共有之美國專利案號5,227,〇〇8所述。然而，液晶 聚合物不會被氫氧化鉀影響，且需要本發明供L c p薄膜使 用之咼鹼性含水蝕刻溶液，其包含水溶性鹼金屬鹽及氨， 結合以促溶解劑。適當之水溶性鹽類包括氫氧化鉀（K〇H) 、氫氧化鈉（NaOH)、經取代的氫氧化銨，如氫氧化四甲基 銨及氫氧化銨。具有低水溶性的鹼如氫氧化鋰、氫氧化鋁 及氫氧化鈣無法使用於本發明方法，因為溶液飽和度低於 可使用的濃度。蝕刻溶液的有效濃度隨著欲被蝕刻的ί(：ρ 薄膜厚度及所選擇光阻之類型及厚度而決定。有效濃度一 般介於適當的鹽約從3 5到55重量百分比範圍内，4〇到5〇重 里百分比之範圍，且促溶解劑約從丨〇到3 5重量百分比，最 好疋從1 5到3 0重量百分比。氫氧化鉀的使用有助於產生高 鹼性洛液，因為包含氫氧化鉀K〇H的蝕刻溶液在最短時間 中具有最佳的蝕刻特徵。一較佳的實例使用約4 3到4 8重量 百分比丨辰度之氮氧化4甲。 本發明蝕刻溶液所使用之促溶解劑可選自包括下列者之 群·胺類，包括乙二胺、丙二胺等，及燒醇胺如乙醇胺、 =醇胺等。在辞刻條件下，LCp薄膜基材未被罩蓋的部份 藉由例如鹼金屬鹽之充分濃度水溶液的存在而變得可溶。 蝕刻所需的時間視被蝕刻之薄膜的類型及厚度而定，一般 約30秒到約1G分鐘。使用較佳㈣溶液氫氧化卸及乙醇: 用中國國家標準(CNS_) A4規格(210 X 2一97公愛)-----~ 593633 A7 B7 五、發明説明（9 ，對於5 0微米（2 · 0密耳）l C P薄膜的蝕刻時間約從3 〇秒到 24〇秒。鈦刻溶液溫度通常約從5〇。(：（122卞）到12〇。〇(248卞) ，較佳從約 70°C (160卞）到 95°C (200T)。 本發明可改變通孔、通道及遮蔽通道之外型，視蚀刻溶 液中促溶解劑的濃度及银刻溫度而定。包含1 〇到1 5重量百 分比乙醇胺之蝕刻溶液提供約25到3 5度的通孔角度，當乙 醇胺濃度為1 5到3 0重量百分比時，提供約3 5到4 5度通孔邊 壁角。邊壁角亦隨著蝕刻溶液中鹼金屬氫氧化物濃度而改 ，，約從35重量百分比K〇H到55重量百分比K〇H之濃度 範圍内，邊壁角的角度由25.變化到55度。邊壁角的修正是 無法用鑽孔、打孔或雷射除去達成。以下實例巾，通孔邊 壁實質平行。 本發明可撓性電路的製造包括蝕刻步驟，豆可盥許多孰 知的㈣前及㈣後方法結合。此程序“可隨著特別的 應用而變化。典型的步驟序列如下描述： 一可以水處理（光阻使用標準層積技術層積於具有聚合物 :膜側面及銅側面之基材的兩側(可由WL.高爾及日本協 θ及日本的庫拉瑞公司（W.L. Gore and Ass。"⑽抓- y Corp. of japan)獲彳于）。孩基材—般具有約從2 5微米 到125微米的聚合物薄膜層，及約⑻微米厚之銅層。 此林L的厚度約，從2 5到5 G微米。光阻的：側經由罩幕曝照 :”、或類似者’光阻之曝光部份因為交聯而變得不可溶 二後，光阻顯影，藉由稀水溶液例如〇 5%1 5%碳酸鋼 ㈣’移除未曝光的聚合物’直到在層積片二側得到想要 -12- 規格(21〇Χ297 公爱) 593633 A7 ________B7 五、發明説明（~~~) 的圖型。之後，層積板的鋼側面再進一步的電鍵至所需严 度。然後將該層積板放在姓刻溶液浴中，如先前所描述: ’在約50到120°C溫度下進行Lcp薄膜的化學蚀刻，蚀除 LCP聚合物未覆蓋經交聯光阻之部份。此步驟曝露出原始 薄銅層的特定部份》之後，以2_5%的氫氧化❹屬溶Μ 約25t到8Gt(較佳從25ΐ觸。c)剥除層積板兩側之光阻 。接下來’使用不傷害LCP薄膜之蝕刻液例如pERMA_ ETCH’可由電化學藥品公司獲得㈣原始銅薄層的曝露部 份。 在一備擇方法中，水可處理之光阻使用標準層積技術層 積於具有LCP薄膜側面及銅側面之材基兩側上。該基材係 由約從25微米到125微米厚度的聚合薄膜層及約從9微米到 4 0微米厚度的銅層組成。之後，光阻兩側經由適當之罩幕 曝照紫外光及其類似者使光阻之曝光部份交聯，然後用一 稀釋水溶液將影像顯影，直至層積板二側面得到所需圖型 。銅層之後被蝕刻以得到電路，且聚合物層的部份因此被 曝露出來。然後，將另一水性光阻層層積於銅側面的第一 光阻上，且泛光曝光於輻射源以保護經曝光之聚合物薄膜 表面（在銅側面上），避免進一步蝕刻。聚合物薄膜（在薄膜 側面）未被經交聯光阻所覆蓋的區域在約7 〇艽到丨2 〇 〇c下使 用含有鹼金屬$及LCP促溶解劑之蝕刻溶液蝕刻，之後使 用一稀驗落液從兩側面剝除光阻，如先前所述。 為了獲得最後產物諸如可撓電路、供“TAB”（帶式自動接 合）過程使用之互聯帶及微可撓電路等，可以使用傳統方法 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 593633 A7 B7 五、發明説明（

以於銅的多層及板區域添加金、錫、或鎳以供後續的鮮接 過程及可信賴的裝置互連所需者。 下面例子是用以說明但不限制本發明僅由申請專利範圍 表達的發明範圍。 實驗 實驗使用下列所述之三種L C P物質進行之： 薄膜A——種LCP/銅層積板（W.L·高爾及日本協會）。 薄膜B--種LCP/銅層積板K-CT(日本的庫拉瑞公司）。 薄膜：C 一 一種LCP /銅層積板R-〇c(日本的庫拉瑞公司）。 液晶聚合物薄膜的蝕刻速率視溶解一特定聚合物薄膜於 蚀刻溶液中所需的時間而定。使用塗覆光阻薄膜測試電路 特徵的蝕刻性能，以更進一步測試薄膜A。蝕刻溶液性能基 本上使用一排列表進行目測評估，其中 1 ==令人滿意的蝕刻及外觀 3 =低限性能或光阻受損 5 =不滿意的性能 隹_刻溶液 表1顯示本發明適於有效蝕刻液晶聚合物薄膜的蝕刻溶液 1-6，及不符合液晶薄膜蝕刻要求的組合物(：1-〇6之組成。

裝 訂

表1 —蝕刻溶浚組厶物1 - 8及C 1 - C 6 1虫刻溶液 組成一重量百分比 %ΕΑ*/%ΚΟΗ/% 水 1 20/40/40 2 33/40/27 3 10/45/45 __ -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 12 593633 五、發明説明（ a w η —虱乳化鉀 晶聚合物薄膜容解彦的㈣鉻株 50微米（2.0mil)厚的液晶聚合物薄膜試樣（1公分χι公分 正方）浸在容裝於蚀刻浴中的姓刻溶液中。触刻劑的溫度是 保持85 C，1己錄薄膜試樣溶解在表丨所顯示的蝕刻溶液中的 時間。時間超過約10分鐘以上表示姓刻性能較差。雖然— 些蝕刻混合物迅速地溶解液晶聚合物試樣，但當以水溶液 可顯影薄膜光阻材料（參考表2溶液c i _C4)塗覆液晶聚合物 時，其表現並不好。 丝-光阻塗覆之液晶聚合物薄膜的測試條件 二層50微米厚的水性光阻（Dup〇m所售商標 4720)以加熱的斤皮滾筒層壓於一可撓基材，該基材一側面 為50微米（2.0密耳）厚的LCP薄膜，而另一側面是銅。然後 ，孩層積板藉由位於各側面上之光學工具或罩幕曝照紫外 光（UV)，於二側面上使用〇·75%的碳酸鈉水溶液顯影，以 _-15- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 訂 線 593633 A7

1虫刻溶液 ------------_ LCP薄膜 時間（分 僅有薄膜_ 3.5 ^——-_ 1虫刻劑性能 —---- 1 3 C 5.7 1 4 C 1 ~— 5.2 一 1 1 — 6 C 2.3 1 C 1 C >35.0 5 C2 C >10.0 5 C3 C >60.0 5 C4 C >30.〇 5 C5 C >72.0 5 該 液曰曰聚合物薄膜在高溫下利用一種含水蝕刻溶液形成通孔 及相關形狀空隙。熟悉此藝者根據本發明的揭示得知可在 不脫離本發明的精神與範疇下，針對具體實例進行改善。 -17- 本紙》^^5^標準(⑽）A4規格(210 X297公釐Γ

Claims (1)

1. 93^ L 3(?

   A8 B8 C8 |16145號_請案 清專利範圍替換本(93年1月)g· 申請專利範圍 1 · 一種供液晶聚合物使用的钱刻組合物，包含·· 從3 5重量百分比到5 5重量百分比的水溶性鹼金屬鹽 於水中之溶液；及 從1 0重量百分比到3 5重量百分比溶解在該溶液中的 促溶解劑，以提供適合在50。(：到12〇它溫度下蝕刻該液 晶聚合物之姓刻組合物。 2 .如申請專利範圍第i項之蝕刻組合物，其包含由大㈣到 1 5 0重量百分比的該鹼金屬鹽。 3·如申請專利範圍第丨項之蝕刻組合物，其包括從大丨5到 3 0重量百分比的該促溶解劑。 4.如申請專利範圍第i項之蝕刻組合物，其中該溫度從讪 °C 到 9 5 °C。 5·如申請專利範圍第丨項之蝕刻組合物，其中該鹼金屬鹽 係選自包括氫氧化鈉及氫氧化鉀之群。 淺申叫專利範圍第1項之I虫刻組合物，其中該促溶解劑 是乙醇胺。 __ 7·如申凊專利範圍第1項之蝕刻組合物，其係用於形成含 於包含液晶聚合物薄膜之可撓性電路内之通孔及相關形 狀空隙。 8·如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物，該溶液包含從40 重量百分比到5 0重量百分比的該鹼金屬鹽。 9·如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物，該蝕刻組合物包 含從15重量百分比到3〇重量百分比的該促溶解劑。 1〇·如申請專利範圍第7項之姓刻組合物，其中該溫度從7〇

   其中該鹼金屬鹽 其中該促溶解劑 °c 到 9 5 °c。 U.如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物， 係選自包括氫氧化鈉及氫氧化鉀之群。 12.如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物， 是乙醇胺。 1 3 ·如申請專利範圍第7項之蝕刻 ^ 蚀％組合物，其中該液晶聚合 物薄膜的厚度從25微米到125微米。 14. 如申請專利範圍第7項之蚀刻組合物，其中該液晶聚合 物薄膜是多軸定向的聚合物薄膜。 15. 如申請專利範圍第14項之㈣组合物，其中該液晶聚合 物薄膜是雙軸定向的聚合物薄膜。 16·如申請專利範圍第7項之㈣組合物，其包括至少—個 非支撑懸衔（cantilevered)導線。 1 7 ·如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物，其包括至少一個 具有非平行角度邊壁的通孔。 18.如申請專利範圍第7項之蝕刻組合物’其中該通孔係於 與該蝕刻組合物接觸歷經從3 〇秒到丨〇分鐘在該可撓電 路中形成。 1 9 .如申請專利範圍第i 8項之蝕刻組合物，其中該時間從2 分鐘到7 · 5分鐘。 2 〇 · —種在液晶聚合物蝕刻一圖型的方法，其包括以下步驟 才疋供一液晶聚合物； 施加一光阻層於該液晶聚合物上；

   0 -2- 593633 8 8 8 8 A B c D 申請專利範圍 使該光阻曝照輻射圖型，以使該光阻曝照輻射的部分 交聯； 使用顯影溶液移除未曝光之光阻，以曝出該液晶聚合 物某些部份；及 使該液晶聚合物與一蝕刻組合物接觸，該蝕刻組合物 包含： 從3 5重量百分比到5 5重量百分比的水溶性鹼金屬鹽 於水中之溶液；及 由1 0重量百分比到3 5重量百分比溶解在該溶液中的 促溶劑，以提供之在5 0 °C到1 2 0 °C溫度下蝕刻該液晶聚 合物的某些部分之餘刻組合物。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)