TW201842165A - 樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為，提供一種樹脂組成物用之蝕刻液或蝕刻方法，其係在將包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑的樹脂組成物去除之加工中，無因含有該樹脂組成物所成之樹脂組成物層的過度發熱導致之缺點產生，而可僅將樹脂組成物層去除。本發明之樹脂組成物用之蝕刻液係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物用之蝕刻液，其中，該樹脂組成物用之蝕刻液含有15～45質量%之鹼金屬氫氧化物，更佳係進一步含有5～40質量%之乙醇胺化合物。又，本發明之蝕刻方法係使用該樹脂組成物用之蝕刻液，來將包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑的樹脂組成物去除。

Description

樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法

本發明係關於包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充材的樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法。

近年來，伴隨著電子機器之小型化、高性能化，於電路基板中，強烈要求有微細配線形成或熱膨脹係數之降低。其中，作為絕緣材料之熱膨脹係數化的手段，已知有將絕緣材料高填充化，亦即，提高絕緣材料中之無機填充材的含量之方法。進而，作為絕緣材料，提案有包含環氧樹脂、酚酚醛清漆系硬化劑、苯氧基樹脂、氰酸酯樹脂等，耐濕性優異的鹼不溶性樹脂之使用。包含此等之無機填充材及鹼不溶性樹脂的絕緣性之樹脂組成物係具有耐熱性、介電特性、機械強度、耐化學藥品性等優異的物性，而被廣泛使用作為使用於電路基板之外層表面的防焊阻劑或使用於多層增建配線板的層間絕緣材料。

第1圖係將於電路基板上焊接的連接墊3以外以樹脂組成物層4作覆蓋的防焊阻劑圖型之概略剖面構造圖。第1圖所示之構造係稱為SMD(Solder Masked Defined)構造，其特徵為，樹脂組成物層4之開口部小於連接墊3。第2圖所示之構造係稱為NSMD(Non Solder Masked Defined)構造，其特徵為，樹脂組成物層4之開口部大於連接墊3。

第1圖中之樹脂組成物層4之開口部係藉由將樹脂組成物層的一部分去除而形成。作為將含有包含無機填充材及鹼不溶性樹脂的樹脂組成物所成的樹脂組成物層去除之加工方法係可使用鑽孔、雷射、電漿、噴砂等之周知的方法。又，亦可因應需要而將該等方法組合。其中，以二氧化碳雷射、準分子雷射、UV雷射、YAG雷射等之雷射所致之加工最為普遍，藉由雷射光照射，將樹脂組成物層4的一部分去除，而可形成貫孔形成用之貫通孔、通孔形成用之開口部、連接墊3形成用之開口部等之貫通孔或非貫通孔(例如，參照專利文獻1及2)。

然而，於以雷射光之照射所致之加工中，例如，在使用二氧化碳雷射的情況，多射擊數係為必要，而有作為後處理而使用由鉻酸、過錳酸鹽等之水溶液所構成的氧化劑來進行去膠渣處理的必要。又，在使用準分子雷射的情況，加工所需要的時間非常長。進而，在UV-YAG雷射的情況，相較於其他雷射光，在可進行微細加工之點上具有優勢，但，存在有不僅樹脂組成物層，連同鄰近存在的金屬層也會同時去除的問題。

又，若對樹脂組成物層照射雷射光，則於照射部位，光能量會被物體吸收，因應於比熱而物體會過度發熱，因此發熱，而有樹脂之溶解、變形、變質、變色等的缺點產生的情況。又，對於此發熱，提案有於樹脂組成物層中使用熱硬化性樹脂，但，若使用熱硬化性樹脂，則有於樹脂組成物層容易產生裂縫的情況。

作為雷射光照射以外的方法，可列舉藉由濕式噴砂法，來將樹脂組成物層去除的方法。於在絕緣性基板上具有連接墊的電路基板上形成樹脂組成物層，之後，施行硬化處理，於樹脂組成物層上，設有用以形成濕式噴砂用遮罩的樹脂層，之後，進行曝光、顯像，藉此而形成圖型狀之濕式噴砂用遮罩。然後，藉由進行濕式噴砂而將樹脂組成物層去除，並形成開口部，接著，將濕式噴砂用遮罩去除(例如，參照專利文獻3)。

然而，於以濕式噴砂所致之加工中，以1次的噴砂處理可研磨的厚度為少，而有重複進行複數次噴砂處理的必要。因此，不僅研磨所花費的時間變得非常長，亦難以使面內之研磨量成為均勻。再者，於連接墊上或絕緣性基板上不殘留樹脂組成物層之殘渣，如完全露出般之高精度的加工極為困難。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2003-101244號公報 　　[專利文獻2]國際公開第2017/038713號手冊 　　[專利文獻3]日本特開2008-300691號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明之課題為，提供一種樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法，其係在將包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑的樹脂組成物去除之加工中，於含有該樹脂組成物所成之樹脂組成物層無因過度發熱導致之缺點產生，而可僅將樹脂組成物層去除。 [用以解決課題之手段]

本發明者們發現藉由以下手段，而可解決上述課題。 　　＜1＞一種樹脂組成物用之蝕刻液，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物用之蝕刻液，其特徵為該樹脂組成物用之蝕刻液含有15～45質量%之鹼金屬氫氧化物。 　　＜2＞如＜1＞之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，鹼金屬氫氧化物為由氫氧化鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鋰中選出的至少1種之化合物。 　　＜3＞如＜1＞或＜2＞之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，無機填充材為由二氧化矽、玻璃、黏土、及氫氧化鋁中選出的至少1種。 　　＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，前述樹脂組成物用之蝕刻液含有5～40質量%之乙醇胺化合物。 　　＜5＞如＜4＞之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，乙醇胺化合物為由乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺及N-乙基二乙醇胺所成之群中選出的至少1種之化合物。 　　＜6＞如＜4＞之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，乙醇胺化合物為由乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺及N-乙基二乙醇胺所成之群中選出的至少2種之化合物。 　　＜7＞如＜6＞之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，作為乙醇胺化合物，至少含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺。 　　＜8＞一種蝕刻方法，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物層之蝕刻方法，其特徵為包含藉由如＜1＞～＜7＞中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將該樹脂組成物層去除的步驟。 　　＜9＞一種蝕刻方法，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物層之蝕刻方法，其特徵為依序包含下列步驟： 　　(A)藉由如＜4＞～＜7＞中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將該樹脂組成物層之一部分去除的步驟； 　　(B)藉由包含鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物的水洗去除液，來將殘留的樹脂組成物層完全去除的步驟。 　　在此，前述水洗去除液中之鹼金屬氫氧化物的含量係低於前述樹脂組成物用之蝕刻液中之鹼金屬氫氧化物的含量。又，前述水洗去除液中之乙醇胺化合物的含量係低於前述樹脂組成物用之蝕刻液中之乙醇胺化合物的含量。 　　＜10＞如＜8＞或＜9＞之蝕刻方法，其中，將樹脂組成物層去除的步驟為浸漬處理。 [發明效果]

藉由本發明之樹脂組成物用之蝕刻液及蝕刻方法，在將包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑的樹脂組成物去除之加工中，無因過度發熱導致之缺點產生，而可僅將含有該樹脂組成物所成的樹脂組成物層去除。

以下，針對用以實施本發明之形態進行說明。本發明之樹脂組成物用之蝕刻液係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充材的樹脂組成物用之蝕刻液，其係含有15～45質量%之鹼金屬氫氧化物的鹼水溶液。由於鹼不溶性樹脂具有不溶解於鹼水溶液的性質，因此本來藉由鹼水溶液並無法去除。但，藉由使用本發明之樹脂組成物用之蝕刻液，而可將包含鹼不溶性樹脂的樹脂組成物去除。其原因在於，高填充化後的樹脂組成物中之無機填充材，亦即，於樹脂組成物中以50～80質量%之高含量填充的無機填充材，會藉由包含高濃度之鹼金屬氫氧化物之水溶液而被溶解去除之故。

在鹼金屬氫氧化物之含量為未達15質量%的情況，無機填充材之溶解性缺乏，若鹼金屬氫氧化物之含量為超過45質量%，則由於容易引起鹼金屬氫氧化物之析出，而有液之經時安定性差的情況。鹼金屬氫氧化物之含量，更佳為20～45質量%，再更佳為25～40質量%。

於本發明之樹脂組成物用之蝕刻液中，亦可因應需要而適當添加偶合劑、整平劑、著色劑、界面活性劑、消泡劑、有機溶媒等。作為有機溶媒，可列舉：丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、賽路蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類；賽路蘇、丁基卡必醇等之卡必醇類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶媒等。其中，二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等係鹼不溶性樹脂之膨潤性大，而為佳。

本發明之樹脂組成物用之蝕刻液係包含鹼不溶性樹脂及無機填充材的樹脂組成物用之蝕刻液。於該樹脂組成物中之無機填充材的含量，相對於樹脂組成物中之非揮發性成分100質量%而言，為50～80質量%。在無機填充材的含量為未達50質量%的情況，由於相對於樹脂組成物全體而言，作為可藉由含有鹼金屬氫氧化物之水溶液而被溶解的部位之無機填充材會過少，因此蝕刻不會進行。若無機填充材的含量為超過80質量%，則有因樹脂組成物之流動性的降低，而可撓性降低的傾向，而實用性差。

作為上述鹼金屬氫氧化物，可適宜使用由氫氧化鉀、氫氧化鈉及氫氧化鋰之群中選出的至少1種之化合物。作為鹼金屬氫氧化物，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

進而，本發明之樹脂組成物用之蝕刻液，較佳係除了鹼金屬氫氧化物以外，亦含有5～40質量%之乙醇胺化合物。在使用含有乙醇胺化合物之樹脂組成物用之蝕刻液的情況，藉由乙醇胺化合物浸透於樹脂組成物中，樹脂組成物之膨潤會被促進，無機填充材之溶解去除被加速，而提昇樹脂組成物之去除速度。

在乙醇胺化合物的含量為未達5質量%的情況，鹼不溶性樹脂之膨潤性缺乏，相較於乙醇胺化合物的含量為0質量%的情況，樹脂組成物之除去速度不變。在乙醇胺化合物的含量為超過40質量%的情況，由於對於水之相溶性變低，而容易引起相分離，因此有樹脂組成物用之蝕刻液之經時安定性差的情況。乙醇胺化合物的含量，更佳為20～40質量%，再更佳為25～35質量%。

作為上述乙醇胺化合物，可適宜使用由作為一級胺之乙醇胺；作為一級胺與二級胺之混合物(亦即，於一分子內具有一級胺基與二級胺基)之N-(β-胺基乙基)乙醇胺；作為二級胺之N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺；作為三級胺之N-乙基二乙醇胺及N-甲基二乙醇胺所成之群中選出的至少1種之化合物。作為乙醇胺化合物，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。在將2種以上組合使用的情況，其中的1種較佳為N-(β-胺基乙基)乙醇胺。其原因在於，N-(β-胺基乙基)乙醇胺促進樹脂組成物之膨潤的效果比其他乙醇胺化合物更高之故。

對於藉由本發明之樹脂組成物用之蝕刻液含有2種以上之乙醇胺化合物可達成的效果進行說明。促進樹脂組成物之膨潤的效果高的乙醇胺係於蝕刻去除後的樹脂組成物層之剖面形狀容易產生基蝕。因此，藉由與促進樹脂組成物之膨潤的效果低的乙醇胺化合物組合，而可達成基蝕之抑制效果。 　　作為促進樹脂組成物之膨潤的效果高的乙醇胺，可列舉：N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺等。又，作為促進樹脂組成物之膨潤的效果低的乙醇胺化合物，可列舉：乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-乙基二乙醇胺等。

本發明之樹脂組成物用之蝕刻液為鹼水溶液。作為使用於本發明之樹脂組成物用之蝕刻液中的水係可使用自來水、工業用水、純水等。其中，較佳係使用純水。於本發明中，可使用一般使用於工業用的純水。

本發明之樹脂組成物用之蝕刻液，較佳係於60～90℃之範圍使用。最適溫度雖會因樹脂組成物之種類、含有樹脂組成物所成之樹脂組成物層之厚度、藉由施行將樹脂組成物去除的加工所得到的圖型之形狀等而異，但樹脂組成物用之蝕刻液之溫度，更佳為60～85℃，再更佳為70～85℃。

於本發明中，作為無機填充材，可列舉例如：二氧化矽、玻璃、黏土、雲母等之矽酸鹽；氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、二氧化矽等之氧化物；碳酸鎂、碳酸鈣等之碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等之氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣等之硫酸鹽等。又，作為無機填充材，可進一步列舉：硼酸鋁、氮化鋁、氮化硼、鈦酸鍶、鈦酸鋇等。該等當中，由二氧化矽、玻璃、黏土及氫氧化鋁所成之群中選出的至少1種之化合物，由於會溶解於含有鹼金屬氫氧化物之水溶液中，因此可較佳使用。二氧化矽係在低熱膨脹性優異的點上更佳，特佳為球狀熔融二氧化矽。作為無機填充材，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

針對本發明之鹼不溶性樹脂進行說明。鹼不溶性樹脂係除了不溶解或分散於鹼水溶液的性質以外，並無特別限定。具體而言係為了溶解於鹼水溶液所必要的含羧基之樹脂等的含量為非常少的樹脂，且作為樹脂中之游離羧基的含量之指標的酸價(JIS K2501：2003)為未達40mgKOH/g。更具體而言，鹼不溶性樹脂係包含環氧樹脂與使環氧樹脂硬化之熱硬化劑的樹脂。作為鹼水溶液，可列舉：含有鹼金屬矽酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬碳酸鹽、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等之無機鹼性化合物之水溶液、含有單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、環己基胺、氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化三甲基-2-羥乙基銨(膽鹼)等之有機鹼性化合物之水溶液。

作為環氧樹脂，可列舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂；酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂等。又，作為環氧樹脂，可進一步列舉：聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。作為環氧樹脂，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

作為熱硬化劑，只要具有將環氧樹脂硬化的功能者則無特別限定，但，作為較佳者係可列舉：酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并嗪系硬化劑、氰酸酯樹脂等。作為熱硬化劑，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。

除了上述硬化劑之外，可進一步含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，可列舉例如：有機膦化合物、有機鏻鹽化合物、咪唑化合物、胺加成物化合物、3級胺化合物等。作為硬化促進劑，亦可將該等中之1種單獨使用，亦可將2種以上組合使用。另外，在使用氰酸酯樹脂作為熱硬化劑的情況時，亦可以縮短硬化時間為目的，而添加作為硬化觸媒使用的有機金屬化合物。作為有機金屬化合物，可列舉：有機銅化合物、有機鋅化合物、有機鈷化合物等。

如上述般地，若使用本發明之樹脂組成物用之蝕刻液，來將包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充材的樹脂組成物進行蝕刻，則高充填化後的樹脂組成物中之無機填充材會藉由包含高濃度之鹼金屬氫氧化物之水溶液而被溶解去除，藉此而進行樹脂組成物之去除。進而，在本發明之樹脂組成物用之蝕刻液包含乙醇胺化合物的情況時，乙醇胺化合物會浸透於樹脂組成物中，藉此，樹脂組成物之膨潤會被促進，而加速無機填充材之溶解去除。

另一方面，包含鹼不溶性樹脂及無機填充材的樹脂組成物，雖可藉由熱硬化而形成絕緣樹脂組成物層，但使用有本發明之樹脂組成物用之蝕刻液的蝕刻係在A階段(硬化反應之開始前)或是B階段(硬化反應之中間段階)的狀態下進行。於A階段或是B階段中，鹼不溶性樹脂不會溶解或分散於本發明之樹脂組成物用之蝕刻液中，但，無機填充材會藉由本發明之樹脂組成物用之蝕刻液而被溶解去除，藉此進行樹脂組成物之去除。在進入C階段，而樹脂完全硬化的狀態下，即使在本發明之樹脂組成物用之蝕刻液包含乙醇胺化合物的情況，以乙醇胺化合物所致之樹脂組成物層之膨潤極小，而以無機填充材之溶解除去所致之蝕刻亦困難。

作為從A階段至B階段的熱硬化條件係以100～160℃進行10～60分鐘，更佳係以100～130℃進行10～60分鐘，但並不限定於此。若以超過160℃之高溫進行加熱，則熱硬化進一步進行，而樹脂蝕刻成為困難。

以下，針對本發明之蝕刻方法進行說明。第3圖係顯示本發明之蝕刻方法的一例之剖面步驟圖。於此蝕刻方法中，可形成位於電路基板上的焊接墊3之一部分或全部以樹脂組成物層4作覆蓋的防焊阻劑圖型。

於步驟(I)中，將位於貼銅層合板之表面的銅箔藉由蝕刻來進行圖型化，藉此，形成導體圖型，而形成具有焊接墊3的電路基板1。 　　於步驟(II)中，於電路基板1之表面，以覆蓋全面的方式來形成附銅箔6之樹脂組成物層4。 　　於步驟(III)中，將樹脂組成物層4上之銅箔6藉由蝕刻來進行圖型化，而形成樹脂組成物層蝕刻用之金屬遮罩5。 　　於步驟(IV)中，隔著金屬遮罩5，藉由樹脂組成物層用之樹脂組成物用之蝕刻液，來將樹脂組成物層4進行蝕刻，直到焊接墊3之一部分或全部露出為止。 　　於步驟(V)中，將金屬遮罩5藉由蝕刻來去除，而形成焊接墊3之一部分或全部以樹脂組成物層4所覆蓋的防焊阻劑圖型。

本發明之蝕刻方法＜8＞係包含藉由本發明之樹脂組成物用之蝕刻液＜1＞～＜7＞中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將樹脂組成物層去除的步驟。

又，本發明之蝕刻方法＜9＞係依序包含下列步驟：(A)藉由本發明之樹脂組成物用之蝕刻液＜4＞～＜7＞中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將樹脂組成物層之一部分去除的步驟； 　　(B)藉由包含鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物，且該等之含量分別低於前述樹脂組成物用之蝕刻液中之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物之含量的水洗去除液，來將殘留的樹脂組成物層完全去除的步驟。

於本發明＜9＞中，樹脂組成物層係包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑，無機填充材的含量，相對於樹脂組成物層而言，為50～80質量%，無機填充材係以高含量填充於樹脂組成物層中。此無機填充材係藉由作為包含15～45質量%之高濃度的鹼金屬氫氧化物之水溶液的樹脂組成物用之蝕刻液而被溶解去除。進而，藉由樹脂組成物用之蝕刻液中所包含之乙醇胺化合物浸透於樹脂組成物層中，而樹脂組成物層之膨潤會被促進，藉此，無機填充材之溶解去除被加速，而提昇樹脂組成物層之去除速度。

在此，樹脂組成物層之去除係藉由以高含量被填充的無機填充劑從樹脂組成物層之表層緩緩地溶解，並且鹼不溶性樹脂分散，而進行。在本發明之蝕刻方法＜9＞中之步驟(A)所使用的樹脂組成物用之蝕刻液係包含15質量%以上之高濃度的鹼金屬氫氧化物，而發揮大的水合力作用，因此，於樹脂組成物層之較深部之鹼不溶性樹脂不被分散，而靠近表層的部分被去除。亦即，於步驟(A)中之「將樹脂組成物之層的一部分去除」係指將靠近樹脂組成物層之表層的部分去除。

接續步驟(A)，於步驟(B)中，藉由以鹼金屬氫氧化物之含量少的水洗去除液來進行處理，鹼不溶性樹脂之分散會被促進，而殘留的樹脂組成物層完全被去除。

於本發明＜9＞中之樹脂組成物層之蝕刻方法中，以包含鹼金屬氫氧化物之水溶液所致之無機填充劑的溶解去除與以乙醇胺化合物所致之對樹脂組成物層之浸透與膨潤係連續地進行，但其進行速度會因鹼金屬氫氧化物之種類與含量或是乙醇胺化合物之種類與含量而變化。

步驟(B)之水洗去除液係包含鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物，且該等之含量分別低於樹脂組成物用之蝕刻液中之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物之含量的水洗去除液。在步驟(B)中所使用之水洗去除液之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物的含量為在步驟(A)中所使用之樹脂組成物用之蝕刻液中之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物之含量以上的情況，會產生樹脂組成物層之蝕刻量的控制成為困難之問題。在步驟(A)中所使用之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物、與在步驟(B)中所使用之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物雖可相同亦可不同，但通常2個步驟會連續地進行，若考慮於步驟移動時，發生步驟(A)之樹脂組成物用之蝕刻液對步驟(B)之水洗去除液之混入的情事，則一般而言是包含相同的鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物。

於本發明＜9＞中，步驟(A)之處理溫度較佳為60～90℃，步驟(B)之處理溫度較佳為15～50℃。在此，「處理溫度」係指在步驟(A)使用之樹脂組成物用之蝕刻液的溫度及在步驟(B)使用之水洗去除液的溫度。最適處理溫度會因樹脂組成物之種類、樹脂組成物層之厚度、藉由施行將樹脂組成物層去除的加工所得到的圖型之形狀等而異。步驟(A)之處理溫度，更佳為60～85℃，再更佳為70～85℃。又，步驟(B)之處理溫度，更佳為15～40℃，再更佳為15～30℃。

於本發明＜8＞及＜9＞中，於將樹脂組成物層去除的步驟中，可使用浸漬處理、槳式處理、噴霧處理、塗刷、刮削等之方法。其中，較佳為浸漬處理。於浸漬處理以外的方法中，於樹脂組成物用之蝕刻液中容易產生氣泡，該氣泡會附著於樹脂組成物層的表面而有產生蝕刻不良的情況。又，於本發明＜9＞之步驟(A)中，於浸漬處理以外的方法中，樹脂組成物用之蝕刻液之溫度變化容易變大，而有於樹脂組成物層之去除速度產生偏差的情況。

在本發明＜8＞之將樹脂組成物去除的步驟及本發明＜9＞的步驟(B)之後，將殘留附著於樹脂組成物層之表面的樹脂組成物用之蝕刻液藉由水洗處理來洗淨。作為水洗處理的方法，就擴散速度與液供給之均勻性的點而言，較佳為噴霧方式。作為水洗水係可使用自來水、工業用水、純水等。其中，較佳係使用純水。純水係可使用一般使用於工業用者。又，水洗水之溫度係為樹脂組成物用之蝕刻液之溫度以下，且較佳係該溫度差為40～50℃，更佳係該溫度差為50～60℃。 [實施例]

以下，雖藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不僅限定於此實施例。

(實施例1～3) 　　添加作為無機填充材之熔融二氧化矽78質量%、作為環氧樹脂之聯苯芳烷基型環氧樹脂10質量%、作為熱硬化劑之酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂10質量%、作為硬化促進劑之三苯基膦1質量%、其他之偶合劑、整平劑，於全量設為100質量%者中，混合甲基乙基酮與環己酮作為介質，而得到液狀樹脂組成物。

接著，於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)上塗佈液狀樹脂組成物之後，以100℃進行5分鐘乾燥來將介質去除。藉此，形成膜厚20μm且由包含鹼不溶性樹脂及無機填充劑的樹脂組成物所構成之A階段的樹脂組成物層。

接著，準備由厚度3μm之銅箔與剝離層與載體箔依序層合而成之可剝離的金屬箔，以使銅箔與上述樹脂組成物層接觸的方式使兩者熱壓接之後，將剝離層及載體箔進行剝離，而得到附銅箔之樹脂組成物層。

將位於環氧樹脂玻璃布基材貼銅層合板(面積170mm×255mm、銅箔厚度12μm、基材厚度0.1mm)之一方的表面之銅箔藉由蝕刻來進行圖型化，而得到形成有導體圖型的環氧樹脂玻璃布基材。接著，將聚對苯二甲酸乙二酯薄膜從附銅箔之樹脂組成物層剝離，於形成有導體圖型的環氧樹脂玻璃布基材上，使用真空加熱壓接式層壓機，以溫度100℃、壓力1.0MPa進行真空熱壓接之後，以100℃進行30分鐘加熱，而形成B階段之樹脂組成物層。

接著，將樹脂組成物層上之銅箔藉由蝕刻來進行圖型化，於銅箔之特定的區域形成開口部，作為樹脂組成物層蝕刻用之金屬遮罩而準備附金屬遮罩之樹脂組成物層。

接著，隔著金屬遮罩，藉由表1記載的樹脂組成物用之蝕刻液，對於樹脂組成物層以浸漬處理來進行蝕刻處理。蝕刻處理後，將殘留附著於樹脂組成物層之表面的樹脂組成物用之蝕刻液藉由以純水所致之噴霧處理來洗淨。將樹脂組成物用之蝕刻液之溫度及蝕刻處理所需要的時間顯示於表1。

於金屬遮罩之開口部，依據下述記載的基準來評估「樹脂殘留之有無」及「基蝕之有無」。

(導體圖型表面上之樹脂殘留之有無) 　　○：於導體圖型表面上無殘留樹脂組成物。 　　△：於導體圖型表面上殘留有極微量之樹脂組成物，但，在電漿洗淨處理等之後處理中被容易去除的水準。 　　×：於導體圖型表面上殘留多量樹脂組成物，且在後處理中無法去除的水準。

(環氧樹脂玻璃布基材上之樹脂殘留之有無) 　　○：於基材上無殘留樹脂組成物。 　　△：於基材上殘留有極微量之樹脂組成物，但，在電漿洗淨處理等之後處理中容易被去除的水準。 　　×：於基材上殘留多量樹脂組成物，且在後處理中無法去除的水準。

(基蝕之有無) 　　◎：於樹脂組成物層無觀察到基蝕。 　　○：於樹脂組成物層的底面觀察到微小的基蝕。 　　△：於樹脂組成物層的底面觀察到小的基蝕。 　　×：於樹脂組成物層的底面觀察到實用上會成為問題之大的基蝕。

(實施例4) 　　將熔融二氧化矽之含量設為65質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為23質量%，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例5) 　　將熔融二氧化矽之含量設為50質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為38質量%，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例6～8) 　　作為無機填充材，取代熔融二氧化矽而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁，除此之外，藉由與實施例5相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例9～21) 　　作為樹脂組成物用之蝕刻液，使用表1記載的樹脂組成物用之蝕刻液，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。

(比較例1) 　　將熔融二氧化矽之含量設為48質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為40質量%，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。雖將蝕刻時間延長至30分鐘，但於導體圖型表面上及環氧樹脂玻璃布基材上有大量的樹脂殘留，而無法將樹脂組成物層進行蝕刻加工。將結果顯示於表2。

(比較例2～4) 　　於比較例2中係將樹脂組成物用之蝕刻液之氫氧化鉀的含量設為10質量%，於比較例3及4中係進一步作為乙醇胺化合物，而分別添加了40質量%之N-(β-胺基乙基)乙醇胺及N-甲基乙醇胺，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。雖將蝕刻時間延長至30分鐘，但於導體圖型表面上及環氧樹脂玻璃布基材上有大量的樹脂殘留，而無法將樹脂組成物層進行蝕刻加工。將結果顯示於表2。

(比較例5) 　　將藉由與實施例1相同的方法所得之附金屬遮罩之樹脂組成物層藉由雷射加工法來進行蝕刻處理，其後，將遮罩圖型去除。以光學顯微鏡對其進行觀察的結果，有導體圖型被去除的部分，又，於樹脂組成物層確認到變形或變質的缺點。

(比較例6) 　　將藉由與實施例1相同的方法所得之附金屬遮罩之樹脂組成物層藉由濕式噴砂來進行蝕刻處理，其後，將遮罩圖型去除。以光學顯微鏡對其進行觀察的結果，於樹脂組成物層之蝕刻量有偏差，於環氧樹脂玻璃布基材上有樹脂組成物殘留的部位。又，於表面之一部分或全部露出的導體圖型確認到多數個因噴砂處理所造成的損傷。

於實施例1～21中，相較於比較例5或比較例6，並無於樹脂組成物層產生變形或變質之缺點、或於連接墊上產生損傷，又，亦無在樹脂組成物層之蝕刻時導體圖型被一起去除，且無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留實用上會成為問題之水準的樹脂組成物，而可將樹脂組成物層進行蝕刻加工。

若將實施例10、12～16與實施例1進行比較，則藉由於樹脂組成物用之蝕刻液中添加乙醇胺化合物，而不產生實用上會成為問題之水準的樹脂殘留或基蝕，而可將蝕刻時間縮短。 　　於實施例4及5中，相較於實施例1，由於熔融二氧化矽之含量變少，因此蝕刻時間變長，但並無產生實用上會成為問題之水準的基蝕。

於取代實施例5之熔融二氧化矽，而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁的實施例6～8中，蝕刻雖可進行，但相較於熔融二氧化矽，蝕刻時間皆變長。然而，並無產生實用上會成為問題之水準的基蝕。 　　於取代實施例1之氫氧化鉀，而使用氫氧化鈉、氫氧化鋰的實施例17及18中，亦無產生實用上會成為問題之水準的基蝕。 　　於實施例19中，相較於實施例10，由於將樹脂組成物用之蝕刻液之溫度提高，因此蝕刻時間縮短，但，並無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留實用上會成為問題之水準的樹脂組成物，而可將樹脂組成物層進行蝕刻加工。於實施例20及21中，相較於實施例10，由於將樹脂組成物用之蝕刻液之溫度降低，因此蝕刻時間變長，但，並無產生實用上會成為問題之水準的基蝕。

(實施例22～28) 　　作為樹脂組成物用之蝕刻液，使用表3記載的樹脂組成物用之蝕刻液，除此之外，藉由與實施例1相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例29) 　　將熔融二氧化矽之含量設為50質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為38質量%，除此之外，藉由與實施例22相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例30～32) 　　作為無機填充材，取代熔融二氧化矽而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁，除此之外，藉由與實施例29相同的方法來進行蝕刻處理。

(實施例33及34) 　　作為樹脂組成物用之蝕刻液，使用表3記載的樹脂組成物用之蝕刻液，除此之外，藉由與實施例22相同的方法來進行蝕刻處理。

於實施例22～34中，相較於比較例5或比較例6，並無於樹脂組成物層產生變形或變質之缺點、或於連接墊上產生損傷，又，亦無在樹脂組成物層之蝕刻時導體圖型被一起去除，且無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留實用上會成為問題之水準的樹脂組成物，而可將樹脂組成物層進行蝕刻加工。

若將實施例22～34與實施例9～16進行比較，則於使用含有2種以上之乙醇胺化合物的樹脂組成物用之蝕刻液的實施例22～34中，不易產生基蝕。

依據實施例22、25～28之比較，於樹脂組成物用之蝕刻液含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例22、25及26中，蝕刻時間為短，且亦無產生基蝕。於樹脂組成物用之蝕刻液不含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例27中，產生小的基蝕，於樹脂組成物用之蝕刻液不含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例28中，雖無產生基蝕，但蝕刻時間變長。

於實施例29中，相較於實施例22，由於熔融二氧化矽之含量變少，因此蝕刻時間變長，但並無產生基蝕。

於取代實施例29之熔融二氧化矽，而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁的實施例30～32中，蝕刻雖可進行，但相較於熔融二氧化矽，蝕刻時間皆變長。然而，並無產生基蝕。 　　於取代實施例22之氫氧化鉀，而使用氫氧化鈉或氫氧化鋰的實施例33及34中，亦無產生基蝕。

(實施例35) 　　於實施例1中，隔著金屬遮罩，藉由包含氫氧化鉀30質量%及N-(β-胺基乙基)乙醇胺30質量%的樹脂組成物用之蝕刻液(處理溫度80℃)來將樹脂組成物層之一部分去除(步驟(A))。其後，藉由包含氫氧化鉀0.3質量%及N-(β-胺基乙基)乙醇胺0.3質量%的水洗去除液(處理溫度20℃)來將殘留的樹脂組成物層完全去除(步驟(B))。步驟(B)之後，將殘留附著於樹脂組成物層之表面的樹脂組成物用之蝕刻液藉由以純水所致之噴霧處理來洗淨。步驟(A)及步驟(B)皆以浸漬處理來進行。相較於不含(B)實施例10，確認到包含導體圖型表面，並無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留樹脂組成物層，而被蝕刻去除。又，亦無確認到實用上會成為問題之水準的基蝕。將樹脂組成物用之蝕刻液之溫度及蝕刻處理所需要的時間顯示於表4及表5。

(實施例36～46) 　　將步驟(A)中之樹脂組成物用之蝕刻液及/或步驟(B)中之水洗去除液的摻合變更成表4及表5記載的摻合，除此之外，藉由與實施例35相同的方法來進行蝕刻處理。若將實施例36～39與實施例35進行比較，則隨著樹脂組成物用之蝕刻液中之氫氧化鉀的含量變多，而直到樹脂組成物層被蝕刻去除為止所花費的時間縮短。又，若將實施例40～46與實施例35進行比較，則直到蝕刻去除為止的時間雖會因改變樹脂組成物用之蝕刻液中之乙醇胺化合物及鹼金屬氫氧化物的種類而變化，但並無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留實用上會成為問題之水準的樹脂組成物，無產生基蝕。另一方面，若將實施例37及39與實施例35進行比較，則觀察到若是氫氧化鉀或乙醇胺化合物之含量變多，則於底面產生微小的基蝕之傾向，但，其為實用上無問題之水準。

(實施例47及48) 　　將熔融二氧化矽之含量設為65質量%、50質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為23質量%、38質量%，除此之外，藉由與實施例35相同的方法來進行蝕刻處理。隨著熔融二氧化矽之含量變少，而直到樹脂組成物層完全被蝕刻去除為止所花費的時間雖變長，但兩例皆無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留樹脂組成物，無產生基蝕。

(實施例49～51) 　　作為無機填充材，取代熔融二氧化矽而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁，除此之外，藉由與實施例35相同的方法來進行蝕刻處理。直到樹脂組成物層完全被蝕刻去除為止所花費的時間變長，但，皆無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留樹脂組成物，無產生基蝕。

(實施例52～58) 　　將步驟(A)或步驟(B)中之處理溫度變更成表4及表5記載之溫度，除此之外，藉由與實施例35相同的方法來進行蝕刻處理。若將實施例52～54與實施例35進行比較，則確認到隨著步驟(A)之處理溫度變低，直到樹脂組成物層被蝕刻去除為止所花費的時間雖變長，但並無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留實用上會成為問題之水準的樹脂組成物，而被蝕刻去除。又，亦無確認到實用上會成為問題之水準的基蝕。又，被蝕刻去除的樹脂組成物層之剖面形狀，若步驟(A)之處理溫度變高，則於底面觀察到微小的基蝕，但，其為實用上無問題之水準。若將實施例55～58與實施例35進行比較，則有步驟(B)中之處理溫度越高，於環氧樹脂玻璃布基材上越容易殘留樹脂的傾向。又，於蝕刻去除後的樹脂組成物層之剖面形狀並無產生基蝕。

(實施例59) 　　作為樹脂組成物用之蝕刻液，使用表6或表7記載的樹脂組成物用之蝕刻液，除此之外，藉由與實施例35相同的方法來進行蝕刻處理。相較於不含步驟(B)的實施例22，確認到包含導體圖型表面，並無於環氧樹脂玻璃布基材上殘留樹脂組成物層，而被蝕刻去除。又，亦無確認到實用上會成為問題之水準的基蝕。將樹脂組成物用之蝕刻液之溫度及蝕刻處理所需要的時間顯示於表6及表7。

(實施例60～65) 　　將步驟(A)中之樹脂組成物用之蝕刻液及/或步驟(B)中之水洗去除液的摻合變更成表6及表7記載的摻合，除此之外，藉由與實施例59相同的方法來進行蝕刻處理。依據實施例59、62～65之比較，於樹脂組成物用之蝕刻液含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例59、62及63中，蝕刻時間為短，且亦無產生基蝕。於樹脂組成物用之蝕刻液不含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例64中，產生小的基蝕，於樹脂組成物用之蝕刻液不含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺作為乙醇胺化合物的實施例65中，雖無產生基蝕，但蝕刻時間變長。

(實施例66) 　　將熔融二氧化矽之含量設為50質量%、將聯苯芳烷基型環氧樹脂之含量設為38質量%，除此之外，藉由與實施例59相同的方法來進行蝕刻處理。相較於實施例59，由於熔融二氧化矽之含量變少，因此蝕刻時間變長，但並無產生基蝕。

(實施例67～69) 　　作為無機填充材，取代熔融二氧化矽而使用玻璃、黏土、氫氧化鋁，除此之外，藉由與實施例59相同的方法來進行蝕刻處理。蝕刻雖可進行，但相較於熔融二氧化矽，蝕刻時間皆變長。並無產生基蝕。

(實施例70～71) 　　作為樹脂組成物用之蝕刻液，使用表6或表7記載的樹脂組成物用之蝕刻液，除此之外，藉由與實施例59相同的方法來進行蝕刻處理。即使在取代氫氧化鉀，而使用氫氧化鈉、氫氧化鋰的情況，亦無產生基蝕。 [產業上之可利用性]

本發明之樹脂組成物用之蝕刻液係可將以高含量填充有無機填充材之耐熱性、介電特性、機械強度、耐化學藥品性等優異的絕緣樹脂組成物層進行蝕刻加工，例如，可適用於多層增建配線板、零件內裝模組基板、倒裝晶片封裝基板、封裝基板搭載用母板等中的絕緣樹脂之微細加工。

1‧‧‧電路基板

2‧‧‧絕緣層

3‧‧‧焊接墊、連接墊

4‧‧‧樹脂組成物層

5‧‧‧金屬遮罩

6‧‧‧銅箔

[第1圖]係防焊阻劑圖型之概略剖面構造圖。 　　[第2圖]係防焊阻劑圖型之概略剖面構造圖。 　　[第3圖]係顯示本發明之蝕刻方法的一例之剖面步驟圖。

Claims (10)

1. 一種樹脂組成物用之蝕刻液，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物用之蝕刻液，其特徵為該樹脂組成物用之蝕刻液含有15～45質量%之鹼金屬氫氧化物。
2. 如請求項1之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，鹼金屬氫氧化物為由氫氧化鉀、氫氧化鈉、及氫氧化鋰中選出的至少1種之化合物。
3. 如請求項1或2之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，無機填充材為由二氧化矽、玻璃、黏土、及氫氧化鋁中選出的至少1種。
4. 如請求項1～3中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，前述樹脂組成物用之蝕刻液含有5～40質量%之乙醇胺化合物。
5. 如請求項4之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，乙醇胺化合物為由乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺及N-乙基二乙醇胺所成之群中選出的至少1種之化合物。
6. 如請求項4之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，乙醇胺化合物為由乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺及N-乙基二乙醇胺所成之群中選出的至少2種之化合物。
7. 如請求項6之樹脂組成物用之蝕刻液，其中，作為乙醇胺化合物，至少含有N-(β-胺基乙基)乙醇胺。
8. 一種蝕刻方法，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物層之蝕刻方法，其特徵為包含藉由如請求項1～7中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將該樹脂組成物層去除的步驟。
9. 一種蝕刻方法，其係包含鹼不溶性樹脂及50～80質量%之無機填充劑的樹脂組成物層之蝕刻方法，其特徵為依序包含下列步驟： 　　(A)藉由如請求項4～7中任一項之樹脂組成物用之蝕刻液，來將該樹脂組成物層之一部分去除的步驟； 　　(B)藉由包含鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物，且該等之含量分別低於前述樹脂組成物用之蝕刻液中之鹼金屬氫氧化物及乙醇胺化合物之含量的水洗去除液，來將殘留的樹脂組成物層完全去除的步驟。
10. 如請求項8或9之蝕刻方法，其中，將樹脂組成物層去除的步驟為浸漬處理。