TW591098B - Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing - Google Patents
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 85
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 84
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims abstract description 26
- QUKGLNCXGVWCJX-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazol-2-amine Chemical compound NC1=NN=CS1 QUKGLNCXGVWCJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 53
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 52
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 37
- -1 salicylic acid oxime phenylenediamine Chemical compound 0.000 claims description 26
- FDGQSTZJBFJUBT-UHFFFAOYSA-N hypoxanthine Chemical compound O=C1NC=NC2=C1NC=N2 FDGQSTZJBFJUBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 22
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N salicylhydroxamic acid Chemical compound ONC(=O)C1=CC=CC=C1O HBROZNQEVUILML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- UGQMRVRMYYASKQ-UHFFFAOYSA-N Hypoxanthine nucleoside Natural products OC1C(O)C(CO)OC1N1C(NC=NC2=O)=C2N=C1 UGQMRVRMYYASKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 claims description 11
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 claims description 11
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 11
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N copper iron Chemical compound [Fe].[Cu] IYRDVAUFQZOLSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 8
- FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound NN1C=NN=C1 FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 7
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 5
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PDQRQJVPEFGVRK-UHFFFAOYSA-N 2,1,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=CC2=NSN=C21 PDQRQJVPEFGVRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane-2,4,6-trithione Chemical compound S=C1NC(=S)NC(=S)N1 WZRRRFSJFQTGGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GRWAIJBHBCCLGS-UHFFFAOYSA-N 2-(tetrazol-1-yl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CN1C=NN=N1 GRWAIJBHBCCLGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 3
- QLFZSBFGHHNARU-UHFFFAOYSA-N N1N=NN=C1.C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound N1N=NN=C1.C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 QLFZSBFGHHNARU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthine Chemical compound O=C1NC(=O)NC2=C1NC=N2 LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- ZHWVSFVDZODCJR-WCCKRBBISA-N (2S)-2,5-diaminopentanoic acid pyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1.N[C@@H](CCCN)C(=O)O ZHWVSFVDZODCJR-WCCKRBBISA-N 0.000 claims 1
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JYSUYJCLUODSLN-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazol-2-ylhydrazine Chemical compound C1=CC=C2SC(NN)=NC2=C1 JYSUYJCLUODSLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BCOJIUICHNJYHO-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2-benzodiazepine;1h-pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1.N1N=CC=CC2=CC=CC=C12 BCOJIUICHNJYHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SNICMBLBGTVRFJ-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole-4,5-diamine Chemical compound NC=1N=CNC=1N SNICMBLBGTVRFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IIUUNAJWKSTFPF-UHFFFAOYSA-N benzo[g][1,3]benzothiazole Chemical compound C1=CC=CC2=C(SC=N3)C3=CC=C21 IIUUNAJWKSTFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-O cysteaminium Chemical compound [NH3+]CCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 claims 1
- MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N drometrizole Chemical compound CC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims 1
- 239000012771 household material Substances 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 229960003151 mercaptamine Drugs 0.000 claims 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 125000000612 phthaloyl group Chemical group C(C=1C(C(=O)*)=CC=CC1)(=O)* 0.000 claims 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 claims 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 abstract description 38
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 abstract description 26
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidin-7-one Chemical compound CC1=CC(=O)N2NC=NC2=N1 INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N salicylaldoxime Chemical compound O\N=C/C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 36
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 19
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 18
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 17
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Substances C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000011242 organic-inorganic particle Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- SLLFVLKNXABYGI-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzoxadiazole Chemical compound C1=CC=C2ON=NC2=C1 SLLFVLKNXABYGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FRRMMWJCHSFNSG-UHFFFAOYSA-N diazanium;propanedioate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC([O-])=O FRRMMWJCHSFNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical class C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLOXIXGLIZLPDP-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1h-imidazole-4,5-dicarbonitrile Chemical compound NC1=NC(C#N)=C(C#N)N1 MLOXIXGLIZLPDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(N)=NC2=C1 UHGULLIUJBCTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N caffeine Chemical compound CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- KNRUQUSSDKZTSQ-UHFFFAOYSA-N tetrazol-1-amine Chemical compound NN1C=NN=N1 KNRUQUSSDKZTSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFTAWBLQPZVEMU-DZGCQCFKSA-N (+)-catechin Chemical compound C1([C@H]2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C[C@@H]2O)=CC=C(O)C(O)=C1 PFTAWBLQPZVEMU-DZGCQCFKSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKUNSTOMHUXJOZ-UHFFFAOYSA-N 1-hydroperoxybutane Chemical compound CCCCOO AKUNSTOMHUXJOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole Chemical compound C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGDRLCRGKUCBQL-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole-4,5-dicarbonitrile Chemical compound N#CC=1N=CNC=1C#N XGDRLCRGKUCBQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCUDTXNMEJMTJA-UHFFFAOYSA-N 1h-indazole;1h-pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1.C1=CC=C2C=NNC2=C1 MCUDTXNMEJMTJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,6-dichloropyrimidine-5-carbaldehyde Chemical group NC1=NC(Cl)=C(C=O)C(Cl)=N1 GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBNQOWVYEXFQJC-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanyl-3h-thiadiazole Chemical compound SN1NC=CS1 NBNQOWVYEXFQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXYYVODGZXUHLT-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-ylhydrazine Chemical compound NNC=1N=NNN=1 FXYYVODGZXUHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 4-Methylbiphenyl Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNPURSDMOWDNOQ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-7h-pyrrolo[2,3-d]pyrimidin-2-amine Chemical compound COC1=NC(N)=NC2=C1C=CN2 CNPURSDMOWDNOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFKHOOELGOICS-UHFFFAOYSA-N N1N=NC2=C1C=CC=C2.C2=CC=CC=1C3=CC=CC=C3CC21 Chemical compound N1N=NC2=C1C=CC=C2.C2=CC=CC=1C3=CC=CC=C3CC21 IMFKHOOELGOICS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Chemical group 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012223 aqueous fraction Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004203 carnitine Drugs 0.000 description 1
- ADRVNXBAWSRFAJ-UHFFFAOYSA-N catechin Natural products OC1Cc2cc(O)cc(O)c2OC1c3ccc(O)c(O)c3 ADRVNXBAWSRFAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005487 catechin Nutrition 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950001002 cianidanol Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N copper silicon Chemical compound [Si].[Cu] WCCJDBZJUYKDBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical class O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCDITHVDEPPNIL-UHFFFAOYSA-L dipotassium;propanedioate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)CC([O-])=O HCDITHVDEPPNIL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- DFIPXJGORSQQQD-UHFFFAOYSA-N hafnium;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Hf] DFIPXJGORSQQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Substances NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical group 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Chemical group 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000006308 propyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010340 shenyuan Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
591098 A7 _ B7 五、發明説明(1 ) 〔發明所屬之技術領域] 本發明爲關於特別可用於銅等金屬膜硏磨之化學機械 硏磨用水系分散體(以下,亦稱爲「水系分散體」)。更 詳細言之,本發明爲關於具有(1 )可抑制重覆進行硏磨 時之硏磨墊的惡化、(2 )抑制被硏磨面蝕孔之發生、( 3 )令被硏磨面之段差平坦化中之至少一種作用,且可有 效率硏磨金屬膜等之水系分散體。 〔先前之技術〕 隨著半導體裝置集成度之提高、多層配線化等,乃於 被加工膜等之硏磨中導入化學機械硏磨之技術。其爲對加 工晶圓上之絕緣膜中所形成之孔、溝等、埋入鎢、鋁、銅 等配線材料後,經由硏磨,除去多餘的配線材料,形成配 線。於此硏磨技術中,必須有效地組合化學性作用和機械 性硏磨。於抑制化學性作用,且使用由氧化鋁或二氧化鉻 等之無機粒子所構成之硬硏磨粒時,可作成初期硏磨速度 大之硏磨劑。又,經由增強此硏磨劑的化學性作用,則可 作成硏磨速度更大之硏磨劑。 於特開平8 - 8 3 7 8 0號公報中,記載可抑制發生 下凹,並以大的硏磨速度形成信賴性高之導體膜之硏磨劑 。於此硏磨劑中,含有苯並三唑等之化學試藥。更且,於 特開平1 0 - 1 1 6 8 0 4號公報中,揭示經由防止銅對 於被硏磨面之再附著,而可以良好效率進行平坦化之硏磨 劑。於此硏磨劑中,配合苯並三唑、苯並噻唑、苯並咪唑 -4- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 _B7 五、發明説明(2 ) 等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是,抑制化學性作用,且使用硬硏磨粒之情況,於 重覆進行硏磨時,經由硏磨殘渣等在硏磨墊表面開放孔中 的堆積,而產生令硏磨墊惡化,且硏磨速度爲經時性降低 之問題。又,於化學性作用過強時,於被硏磨面易發生鈾 孔。更且,所埋入之配線材料於形成配線前未被充分平坦 化時,局部的下凹及腐蝕變大,無法取得精細度良好之加 工整飾面。又,於上述之專利公報中,對於本發明之抑制 被硏磨面蝕孔發生之作用、或對於配線形成前令銅膜等表 面平坦化之必要性等並未明確意識,特別,對於包含硏磨 墊惡化之防止作用,,且兼倂具備此些作用中之二種以上 之硏磨劑,並未揭示且亦未提示。 發明之槪要 本發明爲解決上述先前之問題,以提供即使初期之硏 磨速度充分大,且重覆進行硏磨後,亦可取得(1 )抑制 硏磨墊之惡化,維持充分的硏磨速度、(2)抑制被硏磨 面蝕孔之發生、(3)令被硏磨面之段差平坦化,可形成 精細度高之良好加工整飾面中之至少一種,特別爲二種以 上作用效果之化學機械硏磨用水系分散體爲其目的。 本發明爲如下述。 · 1 · 一種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲於含 有硏磨粒、和具有抑制硏磨墊惡化作用之有機化合物、和 水之化學機械硏磨用水系分散體中,上述有機化合物爲( I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公ίΓ) ~: 591098 A7 B7 五、發明説明(3 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 )聯苯酚、(2 )雙吡啶基、(3 )乙烯基吡啶、(4 )腺嘌呤、(5)具有五員雜環’且不具有形成骨架之苯 環、具有官能基之雜環化合物、(6 )具有雜五員環和形 成骨架之苯環、具有不含有硫原子官能基之雜環化合物、 及.(7 )具有2個以上雜原子之六員雜環,且具有形成官 能基及骨架之苯環之至少一者之雜環化合物、及(1)至 (7 )之各種衍生物中之至少一種。 2 ·如上述1之化學機械硏磨用水系分散體,其中具 有上述五員雜環,不具有形成骨架之苯環、且具有官能基 之雜環化合物爲7 -羥基—5 —烷基—1 ,3,4 一三吖 二氫伸吲哚基、2 —胺基一 1 ,3,4 一噻二唑、1 Η - 四唑一 1 一醋酸、5 -烷基一 1 ,3,4一噻二唑—2 — 硫醇、4 一胺基—1,2,4 一三唑、5 —胺基—1Η — 四唑、2-氫硫基噻唑啉、及4一胺基一3-肼基一5-氫硫基一 1 ,2,4 一三唑中之至少一種,具有上述五員 ^齊工消費合泎f£印製 雜環和形成骨架之苯環,且具有不含硫原子之官能基之雜 環化合物爲2-胺基苯並噻唑、及2-胺基一6-烷基苯 並噻唑之至少一種,具備具有上述2個以上雜原子之六員 雜環,具有官能基及形成骨架之苯環之至少一種之雜環化 合物爲3 -胺基—5,6 —二烷基—1,2,4 一三哄、 2,3 -二氰基一 5 -烷基.畊、2,4 —二胺基一 6 — 二烯丙胺基一 1,3,5 -三畊、及酞畊中之至少一種。 3 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和具有抑制被硏磨面蝕孔發生作用之有機化合物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ": 591098 A7 B7 五、發明説明(4 ) 、和水。 4 ·如上述3之化學機械硏磨用水系分散體,其中上 述有機化合物爲(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基、(3) 乙烯基吡啶、(4 )次黃嘌呤、(5 )鳥嘌呤、(6 )水 楊酸I弓、(7 )於伸院基結合之胺基及經基之至少一種合 計爲2種以上之化合物、(8)於苯環結合之胺基及羥基 之至少一種合計爲2個以上之化合物、(9)具有五員雜 環,且不具有形成骨架之苯環之雜環化合物、(10)具 有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環化合物、及(1 1 ) 具備具有二個以上雜原子之六員雜環,且具有官能基及形 成骨架之苯環之至少一種之苯環化合物、及(1 )至 (1 1 )之各種衍生物中之至少一種。 5 ·如上述4之化學機械硏磨用水系分散體,其中上 述於伸烷基結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2個以上 之化合物爲苯二胺,上述於苯環結合之胺基及羥基之至少 一種合計爲2個以上之化合物爲兒茶酚及胺基苯酚之至少 一種,上述具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之雜 環化合物爲7 -羥基一 5 -烷基一 1 ,2,4 —三吖二氫 伸吲哚基、2 —胺基一 1 ,3,4 一噻二唑、1 ( 2 —二 烷胺乙基)一 5 -氫硫基四唑、2,5 -二氫硫基一 1 , 3,4 —噻二唑、5 -烷基一1 ,3,4 —噻二唑一2 — 硫醇、3 -氫硫基—1 ,3,4 —三唑、4 一胺基一 1 , 2,4一三唑、5 -胺基一 1H —四唑、及三唑中之至少 一種,上述具有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環化合物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Z : (請先閲讀背面之注意事' J· >項再填* 裝-- :寫本頁) 591098 A7 __B7 _ 五、發明説明(5 ) 爲5 —烷基一 1 Η -苯並三唑、2 -(2—苯並三唑基) 一對一甲酚、2 ,1 ,3 —苯並噻二唑、苯並咪唑、苯並 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 三唑、氫硫基苯並噻唑、及苯並氧化啤二唑中之至少一種 、上述具備具有2個以上雜原子之六員雜環,且具有官能 基及形成骨架之苯環之至少一種之雜環化合物爲苯並胍胺 、酞哄、及硫氰尿酸中之至少一種。 6 . —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和具有令被硏磨面段差平坦化作用之有機化合物 、和水。 7.如上述6之化學機械硏磨用水系分散體,其中上 述有機化合物爲(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基、(3) 乙烯基吡啶、(4 )次黃嘌呤、(5 )於伸烷基結合之胺 基及羥基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(6)於 苯環結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2個以上之化合 物、(7)具有五員雜環、不具有形成骨架之苯環、具有 官能基之雜環化合物、(8)具有五員雜環和形成骨架之 苯環、且具有官能基之雜環化合物、及(9)具備具有2 個以上雜原子之六員雜環、且具有官能基及骨架之苯環之 至少一種之雜環化合物、及(1 )至(9 )之各種衍生物 中之至少一種。 8 .如上述7之化學機械硏磨用水系分散體,其中上 述於伸烷基結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2個以上 之化合物爲苯二胺,上述於苯環結合之胺基及羥基之至少 一種合計爲2個以上之化合物爲兒茶酚及胺基苯酚之至少 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -8- 591098 A7 B7 五、發明説明(6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜種,上述具有五員雜環、不具有形成骨架之苯環、且具 有官能基之雜環化合物爲7 -羥基一 5 一烷基一1,3, 4 二π 丫 一·氣伸d引d朵基、2 -胺基一 ]_,3,4 —嚷二哩 、4 ’ 5 — — fe基味11 坐、5 —焼基一 1,3,4 一嚷二口坐 一 2 —硫醇、1 一苯基一 5 -氫硫基一 1H —四唑、2 - 胺基一 4,5 -二氰基一 1H -咪唑、4 一胺基—1 ,2 ’ 4 一三唑、5 -胺基一 1H —四唑、3 一氫硫基—4 一 甲基一 4H — 1 ,2 ,4 一三、及1H 一四ti坐中之至少 一種,具有五員雜環和形成骨架之苯環、且具有官能基之 雜環化合物爲氫硫基苯並噻唑、苯並氧化哼二唑、及2, 1 ,3 -苯並噻二唑中之至少一種,上述具備具有2個以 上雜原子之六員雜環,且具有官能基及形成骨架之苯環之 至少一種之雜環化合物爲酞哄。 9 ·如上述8之化學機械硏磨用水系分散體,其中上 述金屬膜爲銅膜。 經濟部智慧財工消費合作钍印製 1 0 ·如上述9之化學機械硏磨用水系分散體,其中 於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學機 械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 〇回 硏磨速度(S1Q)之比(S1Q/Si)爲0 · 9以上。 硏磨條件:硏磨壓力;250g/cm2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;50W/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 :多孔質聚胺基甲酸酯製。 1 1 · 一種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 _ B7_ 五、發明説明(7 ) 有硏磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及抑制被硏磨 面蝕孔發生作用之有機化合物、和水。 1 2 ·如上述1 1之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲(1 )聯苯酚、(2 )雙吡啶基、( 3)乙烯基吡啶、(4)次黃嘌呤、(5)腺嘌呤、(6 )鳥嘌呤、(7)水楊酸肟、(8)銅鐵靈、(9)半胱 胺酸、(1 0 )硫脲、(1 1 )於伸烷基結合之胺基及羥 基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(12)於苯環 結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2種以上之化合物、 (1 3 )具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之雜環 化合物、(14)具有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環 化合物、及(1 5 )具有2個以上雜原子之六員雜環化合 物、及(1 )至(1 5 )之各種衍生物中之至少一種。 1 3 .如上述1 2之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲雙吡啶基、聯苯酚、乙烯基吡啶、水 楊酸肟、7 —羥基一 5 -烷基一 1 ,3,4 一三吖二氫伸 吲哚基、2 -胺基一 1,3,4 一噻二唑、5 —烷基一 1 ,3,4 —噻二哇—2 —硫醇、4 一胺基—1,2,4 一 三哗、駄哄、及5 —胺基一 1H —四嗤中之至少一種。 1 4 .如上述1 3之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述金屬膜爲銅膜。· 1 5 ·如上述1 3之化學機械硏磨用水系分散體,其 中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中’該化學 機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、11 本紙伕尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 591098 Α7 Β7 五、發明説明(8 ) 回硏磨速度(S1G)之比(Sio/Si)爲〇 · 9以上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g/cm2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5〇ην6 /分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 多孔質聚胺基甲酸酯製。 1 6 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含 有硏磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及令被硏磨面 段差平坦化作用之有機化合物、和水。 1 7 ·如上述1 6之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲(1)聯苯酚、(2)雙%啶基、( 3)乙烯基吡啶、(4)次黃嘌呤、(5)腺嘌呤、(6 )鳥嘌呤、(7)水楊酸肟、(8)銅鐵靈、(9)半胱 胺酸、(1 0 )硫脲、(1 1 )於伸烷基結合之胺基及羥 基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(12)於苯環 結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2種以上之化合物、 (1 3 )具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之雜環 化合物、(14)具有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環 化合物、及(1 5 )具有2個以上雜原子之六員雜環化合 物、及(1)至(15)之各種衍生物中之至少一種。 1 8 ·如上述1 7之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲雙吡啶基、聯苯酚、乙烯基吡啶、水 楊酸Μ、7 -經基一 5 —院基一 1 ,3,4 一三卩丫二氫伸 吲哚基、2 -胺基—1 ,3,4 一噻二唑、5 —烷基一 1 ,3,4 —噻二唑一 2 - 硫醇、4 一胺基—1 ,2,4 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ~~: 591098 A7 B7 五、發明説明(9 ) 三唑、酞畊、及5 —胺基一 1H —四唑中之至少一種。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9 .如上述1 8之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述金屬膜爲銅膜。 2 0 ·如上述1 9之化學機械硏磨用水系分散體,其 中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學 機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 〇 回硏磨速度(S1Q)之比(S^/Si)爲〇 · 9以上。 硏磨條件:硏磨壓力;250 g/cm2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5 Ome /分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 :多孔質聚胺基甲酸酯製。 2 1 . —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含 有硏磨粒、和兼倂具有抑制被硏磨蝕孔發生作用及令被硏 磨面段差平坦化作用之有機化合物、和水。 噔齊^皆逄对—^肖工消費^作社印製 2 2 .如上述2 1之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基、( 3)乙烯基吡啶、(4)次黃嘌呤、(5)腺嘌呤、(6 )鳥嘌呤、(7)水楊酸肟、(8)銅鐵靈、(9)半胱 胺酸、(10)硫脲、(11)於伸烷基結合之胺基及羥 基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(12)於苯環 結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2種以上之化合物、 (1 3 )具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之雜環 化合物、(14)具有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環 化合物、及(1 5 )具有2個以上雜原子之六員雜環化合 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 B7 五、發明説明(10 ) 物、及(1 )至(1 5 )之各種衍生物中之至少一種。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 3 .如上述2 2之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲雙吡啶基、聯苯酚、乙烯基吡啶、水 楊酸0弓、7 -經基一 5 -院基一 1 ’ 3,4 一三卩丫二氫伸 口弓[哚基、2 —胺基一 1 ,3,4 一噻二唑、5 —烷基一 1 ,3,4 一嚷二哗一 2 —硫醇、4 —胺基一 1 ’ 2,4 — 三唑、酞哄、5 -胺基一 Η -四唑、氫硫基苯並噻唑、苯 並氧化鸣二唑、2,1 ’ 3 -苯並噻二唑、兒苯酚、及胺 基苯酚中之至少一種。 24.如上述23之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述金屬膜爲銅膜。 2 5 .如上述2 4之化學機械硏磨用水系分散體,其 中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學 機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 0 回硏磨速度(S1Q)之比(Sio/Si)爲〇 · 9以上。 唑濟郎皙慧村4¾員工消費合作社印製 硏磨條件:硏磨壓力;250g/cm2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;504/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 :多孔質聚胺基甲酸酯製。 26 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含 有硏磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用、抑制被硏磨 面蝕孔發生作用及令被硏磨面段差平坦化作用之有機化合 物、和水。 2 7 ·如上述2 6之化學機械硏磨用水系分散體,其 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 ___________ 五、發明説明(H ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 中上述有機化合物爲(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基、( 3)乙烯基吡啶、(4)次黃嘌呤、(5)腺嘌呤、(6 )鳥嘌呤、(7)水楊酸肟、(8)銅鐵靈、(9)半胱 胺酸、(1 0 )硫脲、(1 1 )於伸烷基結合之胺基及羥 基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(12)於苯環 結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2個以上之化合物、 (1 3 )具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之雜環 化合物、(14)具有五員雜環和形成骨架之苯環之雜環 化合物、及(1 5 )具有2個以上雜原子之六員雜環化合 物、及(1 )至(1 5 )之各種衍生物中之至少一種。 2 8 ·如上述2 7之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述有機化合物爲7 -羥基一 5 -烷基一 1 ,3,4 一 .三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一1 ,3,4 —噻二唑、5 一院基一 1,3 ’ 4 一噻二哗一2 —硫醇、4 一胺基一 1 ,2,4 一三唑、酞哄及5 -胺基—1H -四唑中之至少 一種。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印髮 2 9 .如上述2 8之化學機械硏磨用水系分散體,其 中上述金屬膜爲銅膜。 3 0 .如上述2 9之化學機械硏磨用水系分散體,其 中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學 機械硏磨重覆1 0回時之第1·回硏磨速度(Si)與第1 〇 回硏磨速度(Sh)之比(Sio/Sx)爲〇 · 9以上。 硏磨條件:硏磨壓力;250g/cm2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14 - 591098 A7 _B7 ___ 五、發明説明(12 ) 之供給速度;5 0m£ /分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 :多孔質聚胺基甲酸酯製。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 若根據本發明,經由作成含有特定有機化合物之化學 機械硏磨用水系分散體,則於重覆硏磨之情形中,可取得 抑制硏磨墊惡化、抑制被硏磨面蝕孔發生、令被硏磨面之 平坦化充分中之至少一種,特別爲二種之作用、效果,更 且可兼倂取得此三種作用、效果。又,本發明之水系分散 體爲於銅膜之硏磨中特別有用,可形成精細度高且良好之 精加工面。 發明之詳細說明 本發明之化學機械硏磨用水系分散體爲含有硏磨粒、 和具有抑制硏磨墊惡化作用之前述有機化合物、和水爲其 特徵。 經濟部智慧財4^員工消費合作社印製 又,本發明之化學機械硏磨用水系分散體爲含有硏磨 粒、和具有抑制被硏磨面蝕孔發生作用之有機化合物、和 水爲其特徵、或含有硏磨粒、和具有令被硏磨面段差平坦 化作用之有機化合物、和水爲其特徵。 更且,本發明之化學機械硏磨用水系分散體爲含有兼 倂具有抑制硏磨墊惡化作用、抑制被硏磨面蝕孔發生作用 、及令被硏磨面段差平坦化作用中之至少二種作用之有機 化合物、和水爲其特徵。 尙,所謂令被硏磨面平坦化,爲意指於模型示出化學 機械硏磨時之截面的圖1中,於矽晶圓等晶圓上之絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7Z~: 591098 A7 _B7_ 五、發明説明(13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所形成之孔、溝等所埋入之銅等配線材料(厚度;t )表 面所形成之硏磨前段差(T 0),於將配線材料8 Q%硏磨 (即,絕緣膜上之配線材料厚度爲0 · 2 t )時,爲Tl/ Τ〇=〇〜〇 · 2 (1^爲硏磨後之段差)。此71/丁〇爲. 0〜0 · 1,特別以0〜0 · 0 5爲佳。 經由此些水系分散體,在超L S I等半導體裝置之製 造過程中,可將半導體基板上所設置之各種被加工膜予以 硏磨。被加工膜除了純鎢膜、純鋁膜、或純銅膜等以外, 可列舉鎢、鋁、銅等與其他金屬之合成所構成之膜等。又 ,亦可列舉鉅、鈦等金屬所構成之阻擋金屬層。本發明之 水系分散體中所含有之具有特定作用之有機化合物,因爲 與銅之親和性高,故此水系分散體爲特別可用於銅之硏磨 。尙,此銅不僅可爲純銅,亦包含銅-矽、銅-鋁等之含 有9 5質量%以上之銅的金合。 本發明中,具有抑制硏磨墊惡化作用之「有機化合物 」可使用下述特別之化合物。 經濟部智慧財凌笱員工消費合作fi印製 此有機化合物可使用(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基 、(3)乙烯基吡啶、(4)腺嘌呤、(5) 7-羥基一 5 -烷基一 1 ,3,4 一三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基— 1,3,4 —噻二唑、1Η —四唑一醋酸、5 -烷基—1 ,3,4 —噻二唑 一2 - 硫醇、4 一 胺基一 1’2,4 — 三唑、5-胺基一1Η—四唑、2—氫硫基噻唑啉、及4 一胺基一 3 -肼基一 5 —氫硫基一 1,2,4 一三唑 (6)2-胺基苯並噻唑、及2-胺基一6-烷基苯並噻 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格{ 210X297公釐) 經齊部眢慧时l^B工消費合怍Ti印製 591098 A7 ___ B7 _ 五、發明説明(14) 哩、及(7) 3 —胺基一 5,6 —二焼基 一1,2,4 一 二哄、2 ’ 3 — —氰基—5 -院基哦哄、2,4 —二胺基 一 6 —二儲丙胺基一 1 ,3,5 —三啡、及歌啡中之至少 一種。 此抑制硏磨墊惡化之作用,可根據於下述條件將銅膜 予以化學機械硏磨之情形中,硏磨重覆1 0回時之第1回 硏磨速度(Si)與第1 0回硏磨速度(Si。)之比( Sio/Si)爲〇 · 9以上予以評價。此Sio/Si特別 爲0·95以上,更且可爲0.98以上。 硏磨條件;硏磨壓力;2 5 0 g/cm2、工作台迴轉 速;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5 0W/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 本發明中,具有抑制被硏磨面蝕孔發生作用之「有機 化合物」可使用下述特定之化合物。 此有機化合物可使用(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基 、(3)乙烯基吡啶、(4)次黃嘌呤、(5)鳥嘌呤、 (6)水楊酸肟、(7)苯二胺、(8)兒茶酚、胺基苯 酚、(9)7 —羥基—5-烷基一 1,3,4 —三吖二氫 伸吲哚基、2 —胺基—1,3,4 一噻二唑、1 ( 2 -二 烷胺乙基)—5 -氫硫基四唑、2,5 -二氫硫基—1 , 3,4 —噻二唑、5 - 烷基一 1,3,4 一噻二唑一 2 -硫醇、3 —氫硫基一 1,2,4 一三唑、4 一胺基一 1 , 2,4 —三唑、5 -胺基一 1H -四唑、及三唑、(1〇 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~\jT '一 ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ;裝.
、1T 591098 A7 __ B7 __ 五、發明説明(彳5 ) )5 —烷基一 1H —苯並三唑、2 -(2 -苯並三唑基) 一對一甲酚、2 ,1 ,3 -苯並噻二唑、苯並咪唑、苯並 三唑、氫硫基苯並噻唑、及苯並氫化鸣二唑、及(11) 苯並胍胺、酞畊、及硫氰尿酸中之至少一種。 .本發明中,具有令被硏磨面段差平坦化作用之「有機 化合物」,可使用下述特定之化合物。 此有機化合物可使用(1)聯苯酚、(2)雙吡啶基 、(3 )乙烯基吡啶、(4 )水楊酸肟、(5 )苯二胺、 (6)兒茶酚、胺基苯酚、(7) 7-羥基一5-烷基— 1 ,3,4 一三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一1 ,3,4 一噻二唑、4,5 —二氰基咪唑、5 -烷基一 1,3,4 一噻二唑一 2 —硫醇、1 一苯基一 5 -氫硫基一 1H -四 唑、2 -胺基—4,5 -二氰基一 1H —咪唑、4 一胺基 一 1 ,2,4 一三唑、5 —胺基—1H -四唑、3 —氫硫 基一 4 一甲基一 4H—1 ,2,4 一三唑、及1H —四唑 、(8)氫硫基苯並噻唑、苯並氧化嘮二唑、及2, 1, 3 -苯並噻二唑、及(9 )酞哄中之至少一種。 本發明中,〔1〕兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及抑 制被硏磨面蝕孔發生作用之「有機化合物」、〔2〕兼倂 具有抑制硏磨墊惡化作用及令被硏磨面段差平坦化作用之 「有機化合物」、〔3〕兼倂具有抑制被硏磨面蝕孔發生 作用及令被硏磨面段差平坦化作用之「有機化合物」、及 〔4〕兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用、抑制被硏磨面蝕孔 發生作用及令被硏磨面段差平坦化作用之「有機化合物」 -18- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 591098 A7 __ B7_ 五、發明説明(16) 可使用下述特定之化合物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此有機化合物可使用(1 )聯苯酚、(2 )雙吡啶基 、(3 )乙烯基吡啶、(4 )次黃嘌呤、(5 )腺嘌呤、 (6 )鳥嘌呤、(7 )水楊酸肟、(8 )銅鐵靈、(9 ) 半腕胺酸、(1 0 )硫脲、(1 1 )於伸烷基結合之胺基 及羥基之至少一種合計爲2個以上之化合物、(12)於 苯環結合之胺基及羥基之至少一種合計爲2種以上之化合 物、(13)具有五員雜環,且不具有形成骨架之苯環之 雜環化合物、(14)具有五員雜環和形成骨架之苯環之 雜環化合物、及(1 5 )具有2個以上雜原子之六員雜環 化合物、及(1)至(15)之各種衍生物中之至少一種 〇 本發明中,兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及抑制被硏 磨面蝕孔發生作用之「有機化合物」、及兼倂具有硏磨墊 惡化作用及令被硏磨面段差平坦化作用之「有機化合物」 以下述特定之化合物爲特佳。 唑齊郎讨工消費合泎ti印製 此較佳之有機化合物可使用雙吡啶基、聯苯酚、乙烯 基吡啶、水楊酸肟、7 —羥基—5 —烷基—1 ,3,4 一 三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基—1 ,3,4 一噻二唑、5 —院基一 1,3,4 一喧二哗一 2 -硫醇、4 一胺基一 1 ,2,4 -三嗤、酞畊、及5·—胺基—1H -四唑中之至 少一種。 本發明中,兼倂具有抑制被硏磨面蝕孔發生作用及令 被硏磨面段差平坦化作用之「有機化合物」以下述特定之 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 _B7_ 五、發明説明(17 ) 化合物爲特佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 此較佳之有機化合物可使用雙吡啶基、聯苯酚、乙烯 基吡啶、水楊酸肟、7 -羥基一 5 -烷基一 1,3,4 — 三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一 1 ,3,4 一噻二唑、5 一烷基一 1 ,3,4 —噻二唑一 2 -硫醇、4 —胺基一1 ,2,4 —三唑、酞畊、5 -胺基—Η -四唑、氫硫基苯 並噻唑、苯並氧化哼二唑、2,1 ,3 -苯並噻二唑、兒 茶酚、及胺基苯酚中之至少一種。 本發明中,兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用、抑制被硏 磨面蝕孔發生作用及令被硏磨面段差平坦化作用之「有機 化合物」以下述特定之化合物爲特佳。 此較佳之有機化合物可使用7 -羥基- 5 -烷基- 1 ,3,4 一三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一1 ,3,4 一 噻二唑、5 -烷基—1 ,3,4 一噻二唑—2 —硫醇、4 一胺基一 1 ,2,4 一三唑、酞哄及5 -胺基一 Η —四唑 中之至少一種。 此些有機化合物於水系分散體爲1 0 0份時,可含有 0 · 0 0 1〜5份,且特別以0 · 0 0 5〜3份,更佳爲 含有0 · 0 1〜2份。有機化合物之含量未滿0 . 00 1 份,則無法充分取得抑制硏磨墊惡化、被硏磨面蝕孔發生 及令被硏磨面平坦化之效果。·另一方面,即使含有超過5 份,則並未取得更優良之作用,且不需含有超過5份。 本發明爲使用無機粒子、有機粒子及有機無機複合粒 子做爲「硏磨粒」。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -20- 591098 A7 _ B7 __ 五、發明説明(18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 無機粒子可使用矽石、氧化鋁、二氧化鈽、二氧化鈦 、二氧化鉻、氧化鐵及氧化錳等之矽或金屬元素之氧化物 所構成之粒子。 有機粒子可使用(1 )聚苯乙烯及苯乙烯系共聚物、 (.2 )聚甲基丙烯酸甲酯等之(甲基)丙烯酸樹脂及丙烯 酸系共聚物、(3)聚氯乙烯、聚乙縮醛、飽和聚酯、聚 醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、苯氧樹脂、及(4)聚乙烯 、聚丙烯、聚一 1— 丁烯、聚一 4 —甲基一 1—戊烯等之 聚烯烴及烯烴系共聚物等之熱塑性樹脂所構成之粒子。 又,此有機粒子亦可使用苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯等 與二乙烯基苯、二甲基丙烯酸乙二醇酯等共聚所得之具有 交聯構造之聚合物所構成者。可根據此交聯程度而調整有 機粒子之硬度。 更且,亦可使用苯酚樹脂、胺基甲酸酯樹脂、脲樹脂 、蜜胺樹脂、環氧樹脂、烷醇樹脂及不飽和聚酯樹脂等之 熱硬化性樹脂所構成之有機粒子。 經濟部智慧財產笱員工消費合作T1印製 此些無機粒子及有機粒子可僅使用一種,且亦可倂用 二種以上。 亦可使用有機無機複合粒子做爲硏磨粒。有機無機複 合粒子爲將有機粒子與無機粒子,一體成型至硏磨時不會 輕易分離之程度即可,且其種·類、構成等並無特別限定。 此複合粒子可使用聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等之 聚合物粒子存在下,令烷氧基矽烷、烷醇鋁、烷醇鈦等進 行縮聚、並至少於聚合體粒子之表面,結合聚矽氧烷等所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Z~: " ' 591098 A7 B7 五、發明説明(19 ) 構成之粒子。尙,所生成之縮聚體可直接結合至聚合物粒 子所具有之官能基上,且亦可透過矽烷偶合劑等進行結合 又’此縮聚物並不必要化學性結合至聚合物粒子,特 別、三次元成長之縮聚物於聚合物粒子之表面以物理性保 持之狀態亦可。又,亦可使用矽石粒子、氧化鋁粒子等代 替烷氧基矽烷等。其可與聚矽氧烷等交纏保持,且亦可經 由所具有之羥基等官能基化學性結合至聚合物粒子。 複合粒子爲於含有符號不同之f電位之有機粒子與無 機粒子之水分散體中,此些粒子爲經由靜電結合之粒子亦 可使用。 聚合物粒子之f電位爲於全pH區域、或者除去低 p Η區域之廣泛區域中多爲負値,但經由作成具有竣基、 磺酸基等之聚合物粒子,則可成爲確實具有負$電位之聚 合物粒子。又,經由作成具有胺基等之聚合物粒子,亦可 成爲於特定ρ Η區域中具有正f電位之聚合物粒子。 另一方面,無機粒子的f電位爲pH依賴性高,且具 有此電位爲0之等電點,並於其前後令f電位之符號逆轉 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項屬 填胃. J裝 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,經由組合特定之有機粒子和無機粒子,並在此 些f電位爲呈相反符號之pH區域中混合,並且經由靜電 將有機粒子與無機粒子整體複合化。又,混合時,即使f 電位爲相同符號,亦可於其後,令P Η變化,使得f電位 爲呈相反符號,令有機粒子與無機粒子可作成整體化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ:Ζ97公釐)
22T 591098 A7 _ _ B7 _ 五、發明説明(2〇) 更且,此複合粒子亦可在如此經由靜電而被整合複合 化之粒子存在下,如前述令烷氧基矽烷、烷醇鋁、烷醇鈦 等進行縮聚,並至少於此粒子表面,再結合聚矽氧烷等予 以複合化亦可。 此些複合粒子可僅使用一種,且亦可倂用二種以上。 又,亦可將複合粒子、與無機粒子及有機粒子之至少一者 倂用。 硏磨粒之平均粒徑爲0 .0 0 1〜3 //m爲佳。此平 均粒徑未滿0 · 0 0 1 ,則無法取得硏磨速度充分大 之水系分散體。另一方面,硏磨粒之平均粒徑超過3 //m 時,硏磨粒爲沈降、分離,無法輕易作成安定的水系分散 體。此平均粒徑爲0 · 005〜2 · 0//m,更佳爲 0 · 01〜1 · 0//m。若爲具有此範圍平均粒徑之硏磨 粒,則具有充分的硏磨速度,且可作成不會產生粒子沈降 ,及分離之安定的化學機械硏磨用水系分散體。尙,此平 均粒徑爲經由穿透型電子顯微鏡觀察則可測定。 又,硏磨粒之含量於水系分散體爲1 0 0質量份(以 下,簡稱爲「份」)時,爲以0 · 3〜1 5份,特別爲 0 · 5〜8份,更佳爲3〜6份。硏磨粒之含量未滿 0 . 3份則硏磨速度不夠充分,另一方面,超過含有1 5 份時,則費用變高,令水系分散體之安定性降低故爲不佳 〇 做爲此些硏磨粒之無機粒子、有機粒子及複合粒子之 形狀以球狀爲佳。此球狀亦意指不具有銳角部分之略球狀 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝- 訂 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) • 23 - 591098 A7 B7 五、發明説明(21 ) 之粒子,且並不必要接近正球形。經由使用球狀之硏磨粒 ’則可在充分之速度下硏磨,並可抑制被硏磨面發生刮痕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 水系分散體之p Η可調整至2〜1 2,且特別可爲3 〜.1 1 ,更佳爲5〜1 0之範圍。此Ρ Η之調整可使用硝 酸、硫酸等酸、或氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨水等鹼進行。 水系分散體之Ρ Η若未滿2,則對於銅等被加工膜之鈾刻 作用強,故發生下凹及侵蝕等。另一方面,此ρ Η若爲 1 2,則層間絕緣膜被過度硏磨,產生無法取得良好之配 線圖型之問題。 經濟部智慧財4笱員工消費合作钍印紫 經由令本發明之化學機械硏磨用水系分散體中含有酸 ,則可使得分散性、安定性及硏磨速度更加提高。此酸並 無特別限定,可使用有機酸、無機酸之任何一種。有機酸 可列舉對甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、異戊二烯磺酸、葡 萄糖酸、乳酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、乙二醇酸、丙 二酸、甲酸、草酸、琥珀酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸及 鈦酸等。此些有機酸可僅使用一種,且亦可倂用二種以上 。又,無機酸可列舉硝酸、鹽酸及硫酸等,且些些無機酸 僅使用一種,亦可倂用二種以上。更且,亦可倂用有機酸 和無機酸。 此些酸於水系分散體爲1·0 0份之情形中,可含有 0 · 01〜5份,特別以含有0 · 1〜3份,較佳爲含有 0·3〜2份。酸之含量若爲0·01〜5份之範圍,則 可作成分散性優良,且充分安定之水系分散體,並且更可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 591098 A 7 __B7 _ __ 五、發明説明(22 ) 提高硏磨速度,故爲佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被加工膜爲由金屬所構成時,於水系分散體中配合令 蝕刻不會過度範圍之氧化劑,則可大幅提高硏磨速度。此 氧化劑可根據被加工面之電化學性質,例如根據Pourbaix 線圖則可選擇使用適當之氧化劑。 氧化劑可列舉過氧化氫、過醋酸、過苯甲酸、第三丁 基過氧化氫等之有機過氧化物、過錳酸鉀等之過錳氧化物 、重鉻酸鉀等之重鉻酸化合物、碘酸鉀等之鹵酸化合物、 硝酸及硝酸鐵等之硝酸化合物、過氯酸等之過鹵酸化合物 、鐵氰化鉀等之過渡金屬鹽、過硫酸銨等之過硫酸鹽及雜 多酸等。此些氧化劑中,以不含有金屬元素,且分解產物 爲無害之過氧化氫及有機過氧化物爲特佳。含有此些氧化 劑,則可更加提高硏磨速度。 氧化劑之含量於水系分散體爲1 0 0份之情形中,可 爲1 0份以下,特別爲0 · 0 1〜5份,更佳爲0 · 0 5 〜2份。氧化劑若爲被含有1 0份,則可充分提高硏磨速 度,且不需要大量含有超過1 0份。 ¾齊部皆逄付4苟®工消費合汴fi印製 又,於此水系分散體中,除了上述氧化劑以外,視需 要可配合各種添加劑。藉此可更加提高分散狀態之安定性 ,並且提高硏磨速度,且可調整使用於二種以上之被加工 膜等硬度不同之被加工膜硏磨時之硏磨速度的差異。具體 而言,經由配合有機酸或無機酸,則可作成更高安定性之 水系分散體。有機酸可使用甲酸、醋酸、草酸、丙二酸、 琥珀酸及苯甲酸等。無機酸可使用硝酸、硫酸及磷酸等。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 ____ B7 _ 五、發明説明(23 ) 爲了提高此安定性所使用之酸特別以有機酸爲佳。尙,此 些酸亦兼倂具有提高硏磨速度之作用。 配合此些酸或鹼金屬之氫氧化物及氨水等,並調整 p Η則亦可提高水系分散體之分散性及安定性。鹼金屬之 氫氧化物除了前述之氫氧化鈉及氫氧化鉀以外,亦可使用 氫氧化鉚及氫氧化鈽等。經由調整水系分散體之ρ Η,則 亦可提高硏磨速度,且較佳爲考慮被加工面之電化學性質 、硏磨粒之分散性、安定性、及硏磨速度、並在可安定存 在硏磨粒之範圍內設定適當之ρ Η爲佳。 於水系分散體中,亦可含有具有促進過氧化氫等氧化 劑機能作用,並且可更加提高硏磨速度之多價金屬離子。 此多價金屬離子可列舉鋁、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷 、鎳、銅、鋅、鍺、銷、鉬、錫、銻、鉅、鎢、鉛及铈等 之金屬離子。其可僅爲一種,且亦可倂存二種以上之多價 金屬離子。 多價金屬離子之含量相對於水系分散體可爲3 0 0 0 ppm以下,且特別可爲10〜2000ppm。 此多價金屬離子可將含有多價金屬元素之硝酸鹽、硫 酸鹽、醋酸鹽等之鹽或錯合物於水系媒體中配合生成,並 且亦可配合多價金屬元素之氧化物而生成。又,亦可爲於 水系媒體中配合,且生成一價金屬離子之化合物,或者亦 可使用此離子爲經由氧化劑而變成多價金屬離子之物質。 各種鹽及錯合物中,以提高硏磨速度作用特優之硝酸鐵爲 佳。 -26- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 B7 五、發明説明(24 ) 〔實施例〕 以下,根據實施例更詳細說明本發明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔1〕含有無機硏磨粒或複合粒子所構成之硏磨粒之水分 散體的調製 (a )含有煙霧法矽石粒子或煙霧法氧化鋁粒子之水分散 體的調製 將煙霧法矽石粒子(日本Aerosil股份有限公司製、商 品名「Aerosil #50」、或煙霧法氧化鋁粒子(Degusa公司 製、商品名「AluminiumOxideC」)各2公斤,於離子交 換水6 . 7公斤中以超音波分散機予以分散,並以孔徑5 // m之濾紙過濾,調製含有煙霧法矽石粒子或煙霧法氧化 鋁粒子之水分散體。 (b )含有膠體矽石之水分散體的調製 於容量2公升之燒瓶中,投入2 5質量%氨水7 0克 、離子交換水4 0克、乙醇1 7 5克及四乙氧基矽烷2 1 克,並以1 8 0 r pm —邊攪拌一邊於6 0°C升溫,且就 此溫度繼續攪拌2小時後,冷却,取得平均粒徑爲 0 · 23//m之膠體矽石/乙醇分散體,其次,以蒸發器 ,對此分散體於8 0°C之溫度下添加離子交換水並且除去 乙醇部分之操作重覆數回,除去分散體中之乙醇,調整固 型成分濃度爲8質量%之水分散體。 本紙張尺度適用巾關家鮮(CNS ) ( 21GX297公釐)ZZ~: - 591098 A7 _B7__ 五、發明説明(25 ) (2 )含有複合粒子所構成之水分散體的調製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ①含有聚合物粒子之水分散體 將甲基丙烯酸甲酯90份、甲基丙烯酸甲氧基聚乙二 醇酯(新中村化學工業股份有限公司製、商品名^ N K Ester M-90G」、#400) 5份、4 —乙烯基吡啶5份、 偶氮系聚合引發劑(和光純藥股份有限公司製、商品名「 V50」)2份、及離子交換水400份,投入容量2公 升之燒瓶中,於氮氣氛圍氣下,一邊攪拌一邊於7 0°C升 溫,令其聚合6小時。藉此取得具有胺基之陽離子及聚乙 二醇鏈之官能基,且含有平均粒徑0 · 1 5 之聚甲基 丙烯酸甲酯系粒子之水系分散體。尙,聚合產率爲9 5 % ②含有複合粒子之水分散體 經濟部智慧財4笱員工消費合作社印製 將含有10質量%①中所得之聚甲基丙烯酸甲酯系粒 子之水分散體1 0 0份,投入容量2公升之燒瓶中,並添 加甲基三甲氧基矽烷1份,並於4 攪拌2小時。其後 ,以硝酸調製成PH2,取得水分散體(a)。又,將含 有1 0質量%膠體矽石(日產化學股份有限公司製、商品 名「Snowtex 0」)之水分散體之pH,以氫氧化鉀調整至 8,取得水分散體(b)。水分散體(a)中所含之聚甲 基丙烯酸甲酯系粒子之f電位爲+ 1 7mV,水分散體( -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 A7 ___B7_ 五、發明説明(26 ) b )中所含之矽石粒子之f電位爲一 4 OmV。 其後,於水分散體(a ) 1 〇 〇份中將水分散體(b (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )5 0份歷2小時慢慢添加、混合,且攪拌2小時,取得 含有聚甲基丙烯酸甲酯系粒子中附著矽石粒子之水分散體 。.其次,於此水分散體中,添加乙烯基三乙氧基矽烷2份 ,並攪拌1小時後,添加四乙氧基矽烷1份,並升溫至 6 0 °C,繼續攪拌3小時後,冷却,則可取得含有複合粒 子之水分散體。此複合粒子之平均粒徑爲0 · 1 8//m, 於聚甲基丙烯酸甲酯系粒子之8 0%表面附著矽石粒子。 〔2〕化學機械硏磨用水系分散體之調製 將〔1〕、 (1)及(2)中所調製之指定量的水分 ¾濟邹智慧財4¾員工消費合作社印製 .散體投入容量1公升之聚乙烯製瓶中,並於其中,將表1 〜4記載之酸或鹽之水溶液,以表1〜4記載之含量添加 酸或鹽,並且充分攪拌。其後,一邊攪拌一邊將表1〜4 記載之有機化合物及氧化劑水溶液,以表1〜4記載之濃 度再添加有機化合物及氧化劑。其次,以氫氧化鉀水溶液 或硝酸將p Η如表1〜4般調整後,加入離子交換水,並 以孔徑5 // m之濾紙過濾,取得實施例1〜1 6及比較例 1〜2之化學機械硏磨用水系分散體。 〔3〕水系分散體之性能評價 使用〔2〕中所調製之化學機械硏磨用水系分散體, 並且評價硏磨墊之惡化,被硏磨面鈾孔之有無及平坦化之 ^紙張Hi用中國國家標率(CNS ) A4胁(210X297公釐)9。 591098 A7 _B7 __ 五、發明説明(27 ) 有無。硏磨墊之惡化爲根據重覆硏磨時之硏磨速度的變化 予以評價。結果併記於表1〜4。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 )硏磨速度 硏磨裝置爲使用LAPRASTER公司製之型式「LM — 15」(工作台直徑;380mm),並依下述條件硏磨 附有銅膜之晶圓。 工作台迴轉數及壓頭迴轉數;4 5 r pm、硏磨壓力 ;2 5 0 g / c m 2、水系分散體供給速度;5 0 c c /分 鐘、硏磨墊;Rodel Nita公司製、品號IC1000/ S U B A 4 0 0之二層構造。 硏磨爲進行10回3分鐘、共計30分鐘之硏磨。於 各硏磨後,將晶圓由工作台中取出,水洗、乾燥,並測定 銅膜之厚度,且根據下述式算出硏磨速度。於1 0回硏磨 試驗之間,並未進行硏磨墊的修整。 硏磨速度(A/分鐘)=(硏磨前之銅膜厚度-硏磨 後之銅膜厚度)/硏磨時間 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 (2)被硏磨面蝕孔之有無 以掃描型電子顯微鏡觀察硏磨後之銅膜表面,並且確 認被硏磨面蝕孔之有無。 - (3 )平坦化之評價 根據前述平坦化之定義算出平坦化度(Ti/To)。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) / 591098 A7 B7 五、發明説明(28 ) 於T i、T 0之測定上爲使用微細形狀測定裝置(K L A -Tencor公司製、型式「P — 10」)。銅膜之硏磨量爲由 測定硏磨前後之銅膜厚度而求出。 尙,於(1)、 (2)及(3)中,評價所用之附有 銅膜之晶圓爲以SEMATECH公司製、品號 「9 3 1 CMP006」進行,且平坦化之評價爲於 2 0 0 // m齒距(配線寬;1 〇 0 // m、間隔寬;1 0 0 //m、前述之 t = 1500 0A、T〇=700〇A)處進 行。於硏磨及評價中,使用將上述晶圓切斷成3 . 3公分 正方所得之試驗片。又,於(1 )及(3)中,銅膜之厚 度爲以電阻率測定機(N P S公司製、型式「Σ - 1 0」 )測定薄片電阻,並由此薄片電阻値和銅膜之電阻率(文 獻値),根據下述式算出。 銅膜之厚度(A)=〔薄片電阻値(Ω/cm2) X銅
膜之電阻率(Ω/cm)〕X (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財4苟8工消費合作钍印製 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 591098 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 説 明 發 五 匡滔M #50矽石 νη 2-乙烯基吡啶 1—Ή 〇 丙二酸銨 過氧化氫 cn 〇 寸 聯苯酚 0.02 順丁烯二酸 τ—Η Γ·_·< Ο CO 雙吡啶基 0.02 Ο 0.05 1 Η r-H Ο 種類 (份) 種類 (份) 種類 •(份) 種類 (份) 硏磨粒 有機化合物 酸或鹽 氧化劑 ΓΟΙ 驗与祕® H d 蘅錙鼷H d 0 0 roo
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0 寸CNI 0S)回I濉 (Ξ00)回 01 濉 (φ/ Υ)Miiiss ΊΗΓ 986·0 966d 寸00二 000·Ι γνι66·0 壊蚺忉鐮Ίέ鑑 (一 S/0-S) 0.001 ο o 〇 〇 o 平坦化度(TJT。) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 32 591098 A7 B7 五、發明説明(30 ) 連奇邹皆逄財—苟員工消費合作社印製 比較例 f 1 i #50矽石 丙二酸銨 ί Η 過氧化氫 〇 氫化氧鉀 〇〇 1230 245 0.199 0.330 實施例 oo #50矽石 m 7-羥基-5-甲基-1,3,4·三吖二氫伸吲哚基 (Ν 〇 丙二酸鉀 0.5 過硫酸銨 0.5 ^ 氫氧化鉀 un 〇〇 1220 1210 0.992 壊 〇 氧化鋁 cn 0.4 丙二酸銨 0.5 過氧化氫 cn ο 990 975 0.984 0.001 1 #50矽石 0.3 〇〇 3240 3450 1.009 0.002 種類 ί (份) 種類 (份) 種類 •(份) 種類 (份) ρ Η調整劑 X CX 第1回(so 第 10 回(s1〇) (Sio/Sl) 蝕孔之有無 平坦化度(TVT。) 硏磨粒 有機化合物 酸或鹽 氧化劑 硏磨速度 (A /分) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 33 591098
7 B 五 31 ,\ 明説 明發 ¾齊邹皆¾)时夜笱員工消費合作fi印製 ε谳 c<\ #50矽石 聯苯酚 0.2 I I 過酸化氫 v〇 〇 0.9 氫氧化鉀 r—Η 〇〇 2950 2980 I.OIO 0.005 Γ_ < 4-乙烯基吡啶 0.3 0.8 cn 00 3050 3070 1.007 〇 U ο 氧化鋁 CO 2-乙烯基吡啶 〇 過硫酸敍 0.3 I v〇 OO 3450 3450 1.000 〇 〇\ 4-乙烯基吡啶 0.3 产Η OO 3200 3190 0.997 0.03 i 種類 (份) 種類 (份) 種類 (份) • 種類 (份) 氨水(份) p Η調整劑 IT! 第l回(so 第 10 回(sl〇) (Sio/Si) 蝕孔之有無 平坦化度(Ti/T。) 硏磨粒 有機化合物 酸或鹽 氧化劑 ex 硏磨速度 (A /分) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 34 - 591098 A7 B7 五、發明説明(32 ) 經濟部智慧財4苟員工消費合作钍印製 | 複合粒子 VO 水楊酸汚 产| Η 〇 丙二酸銨 〇 過氧化氫 0.3 1 氫氧化鉀 〇〇 3780 3770 0.997 凝 0.008 v〇 3基-1,3,4-三吖二氫伸吲哚基 C<I ο 35 30 3550 1.006 0.009 n 寸 膠體矽石 0.3 0.005 3400 3410 1.003 〇 cn 7-羥基-5-畔 (Ν Ο 1 3370 3360 0.997 0.07 種類 (份) 種類 (份) 種類 (份) * 種類 (份) Emulgen 120(份) p Η調整劑 cn 回 r—Η 搬 第 10 回(s1〇) (Sio/Si) 蝕孔之有無 平坦化度(τ»/τ。) 硏磨粒 有機化合物 酸或鹽 氧化劑 硏磨速度 (Α/分) ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 35- 591098 A7 B7 五、發明説明(33 ) 若根據表1〜4之結果,則可知實施例1〜1 6不論 有機化合物之種類及含量、酸或鹽之種類及含量或含有之 有無,氧化劑之種類及含量,及pH,於第1回之硏磨及 第1 0回之硏磨之硏磨速度幾乎無變化,且硏磨速度不會 降低,即,不會令硏磨墊惡化。另一方面,不含有有機化 合物之比較例1 ,則第1 0回之硏磨爲比第1回之硏磨速 度下降至1/5左右爲止,可知硏磨墊大爲惡化。 又,實施例1〜1 6幾乎未觀察到被硏磨面之蝕孔, 而比較例1則確認發生許多的鈾孔。更且,實施例1〜 16中,除了實施例9之平坦化度爲0·03以外,其他 爲0〜0.01 ,可知銅膜之表面被充分平坦化。另一方 面,比較例1爲平坦化度爲0 · 3 3,比實施例9更大, 可知無法平坦化。 尙,圖2爲以掃描型電子顯微鏡觀察實施例6之被硏 磨面,並且照相倍率8 0 0 0倍之照片,圖3爲比較例1 之被硏磨面同樣之照片。此圖2中,於被硏磨面未察見蝕 孔,另一方面,不含有特定有機化合物之比較例1之水系 分散體之情況爲如圖3般,發生許多蝕孔,明顯證明特定 有機化合物之作用、效果。 圖面之簡單說明 - 〔圖1〕用以說明被硏磨面平坦化意義之模型圖。 〔圖2〕示出使用實施例6之化學機械硏磨用水系分 散體硏磨時之被硏磨面的掃描型電子顯微鏡照片圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝- 、^1 哩濟部智慧时4笱員工消費合作社印楚 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) · 36 _ 591098 at B7 五、發明説明(34 ) 〔圖3〕示出使用比較例1之化學機械硏磨用水系分 散體硏磨時之被硏磨面的掃描型電子顯微鏡照片圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ¾齊部皙逢时4苟員工消費合作社印製 -37 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 第90 1 07766號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年1月5日修正 1 · 一種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲於含 有硏磨粒、和具有抑制硏磨墊惡化作用之有機化合物、和 水之化學機械硏磨用水系分散體中,上述有機化合物爲聯 苯酚、雙吡啶基、乙烯基吡啶、腺嘌呤、7 -羥基一 5 -烷基—1 ,3,4 —三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基—1 , 3,4 —噻二唑、1H -四唑—1-醋酸、5—烷基一1 ,3,4 一 噻二唑—2 —硫醇、4 —胺基—1,2,4一 三唑、5 -胺基—1 Η —四唑、2 -氫硫基噻唑啉、及4 —胺基一 3 —肼基—5 —氫硫基—1,2,4 一三卩坐,2 一胺基苯並噻唑、及2 -胺基一 6 -烷基苯並噻唑,3 -胺基—5,6 —二烷基—1,2,4 —三畊、2,3 —二 氰基—5 —烷基呲畊、2,4 一二胺基—6 -二烯丙胺基 一 1 ,3 ,5 —三畊、酞哄及該等衍生物,中之至少一種 ,且有機化合物於水系分散體爲1 〇 〇份時,其含有 0 . 0 0 1〜5份者。 2.如申請專利範圍第1項之水系分散體,其中於下述 條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學機械硏磨 重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 〇回硏磨速 度(Si。)之比(31〇/31)爲〇 . 9以上, 硏磨條件··硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;4 5 r p m、壓頭迴轉數;4 5 r p m、水系分散體 本紙張尺度遥用宁國國家標率ί C乂S ) A4規格(210X297公釐 ; J -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 丨· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591098 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 之供給速度;5 0 2/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 3 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和具有抑制被硏磨面蝕孔發生作用之有機化合物 、和水其中上述有機化合物爲聯苯酚、雙吡啶基、乙烯基 吡啶、次黃嘌呤、鳥嘌呤、水楊酸肟、苯二胺,兒茶酚, 胺基苯酚,7 -羥基一 5 -烷基—1,3,4 —三吖二氫 伸吲哚基、2 -胺基一 1 ,3,4 一噻二唑、1— (2 — 一院胺乙基)一 5 -氨硫基四嗤、2 ’ 5 -二氨硫基·一 1 ,3 ,4 一噻二唑、5 -烷基—1,3,4一 噻二唑—2 一硫醇、3 —氫硫基—1,2,4 —三唑、4 一胺基—1 ’, 2,4 —三唑、5 —胺基—1H —四唑、三唑,5 -烷基 一 1H -苯並三唑、2 - (2 -苯並三唑基)一對—甲酚 、2,1 ,3 -苯並噻二唑、苯並咪唑、苯並三唑、氫硫. 基苯並噻唑、苯並氧化噚二唑苯並胍胺、酞哄、及硫氰尿 酸及上述有機化合物之各種衍生物,中之至少一種,且有 機化合物於水系分散體爲100份時,其含有〇 . 〇〇1 〜5份者。 4.如申請專利範圍第3項之水系分散體,其中於下述 條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學機械硏磨 重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第1 〇回硏磨速 度(Siq)之比(Siq/Si)爲0 . 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;4 5 r p m、壓頭迴轉數;4 5 r p m、水系分散體 本紙張尺度適用( :i〇X297公釐) _ 2 - I-Ί ^ II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 591098 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之供給速度;5 0 W/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有硏 磨粒、和具有令被硏磨面段差平坦化作用之有機化合物、 和水,其中上述有機化合物爲聯苯酚、雙吡啶基、乙烯基 吡啶、水楊酸肟苯二胺,兒茶酚,胺基苯酚,7 -羥基-5 —院基一 1 ,3 ,4 一三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一 1 ,3,4 —噻二唑、4,5 —二胺基咪唑、5 —烷基— 1,3,4 一噻二唑-2-硫醇、1-苯基-5 —氫硫基 一 1H —四卩坐、2 -胺基—4,5 -二氰基—1H —咪口坐 、4 一胺基一 1 ,2,4 —三唑、5 -胺基—1H —四哩 、3 —氫硫基—4 —甲基—4H—1 ,2,4 —三11坐、1 Η -四唑氫硫基苯並噻唑、苯並氧化噚二唑、及2,1 , 3 -苯並噻二唑,酞哄及上述有機化合物之各種衍生物, 中之至少一種,且有機化合物於水系分散體爲1 〇 〇份時 ,其含有0.00 1〜5份者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 ·如申請專利範圍第5項之化學機械硏磨用水系分散 體,其中上述被硏磨面爲銅膜所成者。 7 ·如申請專利範圍第5或6項之水系分散體,其中於 下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情形中,該化學機械 硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度(Si)與第.1 〇回研: 磨速度(S1Q)之比(Sio/Si)爲〇 . 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴車專 數;4 5 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 本紙浪尺度逍用中國國家樣準(CKS ) A4規格(二〇Χ29?ϋ ) -3- 591098 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 之供給速度;5 0 W/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基曱酸酯製。 8. —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有硏 磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及抑制被硏磨面鈾 孔發生作用之有機化合物、和水,其中上述有機化合物爲 聯苯酚、雙吡啶基、乙烯基吡啶、次黃嘌呤、腺嘌呤、鳥 嘌呤、水楊酸肟、銅鐵靈、半胱胺酸、硫脲、7 -羥基-5 -烷基一 1 ,3,4 —三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一 1,3,4一 噻二唑、5-烷基—1,3,4 一噻二哗一 2 —硫醇、4 一胺基一 1 ,2,4 _三唑、酞啡、5 —胺 基- 1 Η -四唑及前述有機化合物之各種衍生物,中之至 少一種,且有機化合物於水系分散體爲1 0 0份時,其含 有0 . 001〜5份者。。 9 .如申請專利範圍第8項之化學機械硏磨用水系分散 體,其中上述被硏磨面爲銅膜。 1 〇 .如申請專利範圍第8或9項之化學機械硏磨用水 系分散體,其中於上述條件將銅膜予以化學機械硏磨之情 形中,該化學機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度( Si)與第1 0回硏磨速度(Sh)之比(Sio/Si) 爲0 · 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5 0 W/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 I J ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、aT- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度返用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公瘦) · 4 - 591098 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 11 . 一種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用及令被硏磨面段 差平坦化作用之有機化合物、和水,其中上述有機化合物 爲聯苯酚、雙吡啶基、乙烯基吡啶、次黃嘌呤、腺嘌呤、 鳥嘌呤、水楊酸肟、銅鐵靈、半胱胺酸、硫脲、7 -羥基 —5 -烷基—1 ,3,4 一三吖二氫伸吲哚基、2 -胺基 一 1,3,4 一噻二唑、5 —烷基—1,3,4 —噻二唑 —2 —硫醇、4 —胺基—1,2,4 一三唑、酞畊、及5 -胺基- Η -四唑及上述有機化合物之各種衍生物,_中之 至少一種,且上述有機化合物於該水系分散體爲1 0 0份 時,其含有0 . 0 0 1〜5份者。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之化學機械硏磨用水系分 散體,其中上述被硏磨面爲銅膜所成者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1或1 2項之化學機械硏磨用 水系分散體,其中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之 情形中,該化學機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度 (Si)與第1 〇回硏磨速度(S1Q)之比(Sio/Si )爲0 · 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5 0 4/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 1 4 · 一種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和兼倂具有抑制被硏磨蝕孔發生作用及令被硏磨 --------— _________________;___:____ 本紙張尺度顧巾關家料CNS ) A规ft· ( 210X297^^*1 ^ * 丨.-^丨.__ 噍II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 591098 A8 Βδ C8 ___ D8六、申請專利範圍 面段差平坦化作用之有機化合物、和水,其中上述有機化 合物爲聯苯酚、雙吡啶基、乙烯基吡啶、次黃嘌呤、腺嘌 呤、鳥嘌呤、水楊酸肟、銅鐵靈、半胱胺酸、.硫脲、7 -經基—5 -院基一 1 ,3,4 —二0丫二氫伸卩引噪基、2 — 胺基一 1,3,4 —噻二唑、5 -烷基—1,3,4 一噻 二唑—2 —硫醇、4 一胺基—1 ,2,4 —三唑、酞啡、 5 —胺基一 Η -四唑、氫硫基苯並噻唑、苯並氧化uf二唑 2 3-苯並噻二唑、兒苯酚、及胺基苯酚及上述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機化合物之各種衍生物,中之至少一種,且上述有·機化 合物於該水系分散體爲100份時,其含有〇 · 001〜 5份者。 1 5 ·如申請專利範圍第】4項之化學機械硏磨用水系分 散體,其中上述被硏磨面爲銅膜所成者。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之化學機械硏磨用 水系分散體,其中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之 情形中,該化學機械硏磨重覆1 〇回時之第1回硏磨速度 (Si)與第1 〇回硏磨速度(Si。)之比(s1() / Si )爲0 . 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;45rpm、壓頭迴轉數;45rpm、水系分散體 之供給速度;5 0 mC /分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 1 7 · —種化學機械硏磨用水系分散體,其特徵爲含有 硏磨粒、和兼倂具有抑制硏磨墊惡化作用、抑制被硏磨面 本紙張尺度逍用中賴家禚隼(CNS ]:ϋ7ϋ297公釐) 丨..^ _ 衊 II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·· -6- 591098 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 蝕孔發生作用及令被硏磨面段差平坦化作用之有機化合物 、和水,其中上述有機化合物爲聯苯酚、雙吡啶基、乙烯 基吼陡、次黃嘌哈、腺嘌π令、鳥嘌玲、水楊酸|亏、銅鐵靈 、半胱胺酸、硫脲、7 —羥基一 5 —烷基一 1 ,3,4一 三吖二氫伸吲哚基、2 —胺基一 1 ,3 ,4 —噻二唑、5 一烷基一 1,3,4 —噻二唑—2 —硫醇、4 一胺基一 1 ,2,4 一三唑、酞畊及5 —胺基一 Η -四唑,及上述有 機化合物之各種衍生物,中之至少一種,且上述有機化合 物於該水系分散體爲1 〇 〇份時,其含有0.001〜5 份者。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之化學機械硏磨用水系分 散體,其中上述被硏磨面爲銅膜所成者。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7或1 8項之化學機械硏磨用 水系分散體,其中於下述條件將銅膜予以化學機械硏磨之 情形中,該化學機械硏磨重覆1 0回時之第1回硏磨速度 (Si)與第1 〇回硏磨速度(Si。)之比(S!。/ Si )爲0 · 9以上, 硏磨條件:硏磨壓力;2 5 0 g / c m 2、工作台迴轉 數;45 r pm、壓頭迴轉數;45 r pm、水系分散體 之供給速度;5 0 2/分鐘、硏磨時間;3分鐘、硏磨墊 ;多孔質聚胺基甲酸酯製。 尽紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規名(210X297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000098094A JP4078787B2 (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | 化学機械研磨用水系分散体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW591098B true TW591098B (en) | 2004-06-11 |
Family
ID=18612623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090107766A TW591098B (en) | 2000-03-31 | 2001-03-30 | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020005017A1 (zh) |
EP (1) | EP1138734A3 (zh) |
JP (1) | JP4078787B2 (zh) |
KR (1) | KR100776478B1 (zh) |
TW (1) | TW591098B (zh) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI254070B (en) * | 1999-08-18 | 2006-05-01 | Jsr Corp | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
JP4123685B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
JP4707864B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2011-06-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2003313542A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
TWI282360B (en) * | 2002-06-03 | 2007-06-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing composition and polishing method thereof |
US20040162011A1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-08-19 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and production process of semiconductor device |
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KR100960687B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2010-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구리(또는 구리합금층)를 포함하는 이중금속층을 일괄식각하기위한 식각액 |
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JP2006100538A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
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JP2006179845A (ja) | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
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TW200734436A (en) | 2006-01-30 | 2007-09-16 | Fujifilm Corp | Metal-polishing liquid and chemical mechanical polishing method using the same |
JP2007207983A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | 研磨方法 |
KR20070088245A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 금속용 연마액 |
US7902072B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Fujifilm Corporation | Metal-polishing composition and chemical-mechanical polishing method |
JP4990543B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-08-01 | 富士フイルム株式会社 | 金属用研磨液 |
KR100818996B1 (ko) * | 2006-06-19 | 2008-04-04 | 삼성전자주식회사 | 금속배선 연마용 슬러리 |
WO2008082177A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Lg Chem, Ltd. | Cmp slurry composition for forming metal wiring line |
TW200916564A (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
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US11286402B2 (en) * | 2014-12-22 | 2022-03-29 | Basf Se | Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition for polishing of cobalt and / or cobalt alloy comprising substrates |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0933166A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Teisan Kk | 超高純度窒素製造方法及び装置 |
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-
2000
- 2000-03-31 JP JP2000098094A patent/JP4078787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-30 KR KR1020010016883A patent/KR100776478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-30 US US09/820,749 patent/US20020005017A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-30 EP EP01108139A patent/EP1138734A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-30 TW TW090107766A patent/TW591098B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020005017A1 (en) | 2002-01-17 |
EP1138734A3 (en) | 2001-10-24 |
JP2001279231A (ja) | 2001-10-10 |
JP4078787B2 (ja) | 2008-04-23 |
EP1138734A2 (en) | 2001-10-04 |
KR100776478B1 (ko) | 2007-11-16 |
KR20010095160A (ko) | 2001-11-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |