TW589676B - Substrate drying method and apparatus - Google Patents

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TW589676B
TW589676B TW092101270A TW92101270A TW589676B TW 589676 B TW589676 B TW 589676B TW 092101270 A TW092101270 A TW 092101270A TW 92101270 A TW92101270 A TW 92101270A TW 589676 B TW589676 B TW 589676B
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Yoshio Takemura
Susumu Matsuda
Hiroaki Mizunoe
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Toho Kasei Co Ltd
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Description

589676 玖、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) C發明戶斤屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於從純水中取出浸泡在純水中的基板, 5而使基板表面乾燥的基板乾燥方法及裝置。 【先前技術;1 發明背景 習知如特公平6- 103686號公報所揭示之乾燥裝置係 將氮氣作爲載體而將IPA(異丙醇)作爲蒸氣,以蝕刻處理液 10 處理之後,供給至以純水洗淨之基板之一例的晶圓處理槽 內的上部空間內者。藉從處理槽底部將處理槽之純水予以 排水而使晶圓在處理槽內露出,供給至處理槽上部空間之 IPA蒸氣與附著於露出的晶圓表面的水滴置換而乾燥晶圓 表面。 15 又,亦有取代藉從處理槽底部將處理槽之純水予以排 水而使晶圓在處理槽內露出,改以藉著將晶圓從處理槽內 抽起而使晶圓在處理槽內露出,並使供給至處理槽之上部 空間的IPA蒸氣,置換附著於露出的晶圓表面的水滴而使 其乾燥的乾燥裝置。 20 然而,上述構造中,以晶圓之純水進行洗淨之際所發 生之異物會呈浮游在處理槽之純水液面附近的狀態,爲了 藉著將處理槽內之純水從處理槽底部排放而進行處理槽內 之晶圓的露出,乃要從處理槽內之底部近傍的純水順次地 排水,且爲了使上述異物所浮游之液面近傍之純水的排水 6 589676 玖、發明說明 最後進行,乃會有晶圓從上述液面露出之際,上述浮游之 異物會附著於晶圓表面的問題。 又,上述構造中,用以藉從處理槽底部進行純水之排 水而使晶圓露出,不使處理槽之上述液面的純水排水至最 5 後,乃會有於上述液面使IPA之溶入量隨著時間的經過而 增大,上述液面之純水中的IPA濃度及IPA溶入之層的厚 度亦會變厚,藉上述置換效率之降低而降低上述乾燥效率 ,發生晶圓表面之乾燥不均等問題。 又,從處理槽內的上述純水液面抽起而使晶圓露出的 1〇 情形,亦同樣地會有異物附著於晶圓表面的問題產生,同 時因於抽起晶圓時會產生搖動純水液面而有晶圓表面之乾 燥不均的問題。 因此,本發明之目的在於解決上述問題,即在於提供 一種從純水中露出基板之際,能減少對上述基板表面的異 15 物附著量,又,能防止溶入上述液面之純水中之IPA濃度 的上昇及溶入著IPA之純水層厚度變厚,而且使基板之乾 燥效率提昇並能達到無乾燥不均的基板乾燥方法及裝置。 【發明内容】 發明槪要 2〇 爲了達成上述目的,本發明乃具有以下的構成。 依據本發明之第1樣態,乃提供一種基板乾燥方法, 係使浸泡在乾燥室內之純水內的基板從上述純水露出而使 該基板乾燥的基板乾燥方法,在於: 對上述乾燥室內之上述純水之液面上的空間內,供給 7 589676 玖、發明說明 空氣或惰性氣體、以及氣體狀或液滴狀的異丙醇; 使上述基板與浸泡著上述基板之上述純水一同上昇, 同時使液面側純水從上述純水之液面或液面近傍排液,而 ► 使上述基板在上述乾燥室內從上述純水露出於上述液面上 5 方,同時使附著於上述露出之基板表面的上述純水藉上述 氣體狀或上述液滴狀之上述異丙醇而置換; 之後,使上述異丙醇從上述基板表面蒸發而使上述基 板乾燥。 籲 依據本發明之第2樣態,係提供如第1樣態所記載之 10 基板乾燥方法,其中,前述液面側純水之排液係以使相對 於上述空間之上述液面位置固定的狀態而進行。 依據本發明之第3樣態,係提供如第1樣態所記載之 基板乾燥方法,其中,使上述乾燥室下降而將上述浸泡著 基板之上述純水與上述基板一同對於上述乾燥室相對地上 15 昇,同時從上述純水之液面或上述液面近旁將上述液面側 純水予以排液。 Φ 依據本發明之第4樣態,係提供如第1樣態所記載之 基板乾燥方法,其中,浸泡於上述純水內的基板係將各個 表面配列成相互略平行且略正交於上述純水之液面之多數 20的基板,上述液面側純水之排液係沿著上述液面且沿著上 ~ 述各個基板的表面的流動而進行。 依據本發明之第5樣態,係提供如第1樣態所記載之 基板乾燥方法,其中,從上述純水之上述液面或上述液面 近旁進行上述液面側純水之排液時,係使上述純水從上述 8 589676 玖、發明說明 乾燥室之底面近旁排液。 依據本發明之第6樣態,係提供如第1樣態所記載之 基板乾燥方法,其中,從上述純水之上述液面或上述液面 近旁進行上述液面側純水之排液時,係使上述純水從上述 5 乾燥室之底面近旁供給。 ~ 依據本發明之第7樣態,係提供如第1樣態所記載之 基板乾燥方法,其中,上述惰性氣體爲氮氣。 依據本發明之第8樣態,係提供如第1至第7樣態之 · 其中任何一樣態所記載之基板乾燥方法,其中,上述基板 10 爲晶圓或液晶玻璃基板。 依據本發明之第9樣態,乃提供一種基板乾燥裝置, 在於具有: 可將基板浸泡於純水內的乾燥室;對上述乾燥室內之 上述純水之液面上的空間內,供給空氣或惰性氣體、以及 15 氣體狀或液滴狀的異丙醇的異丙醇供給裝置;使設置於上 述乾燥室內之可昇降的可動地板上昇,使上述基板與浸泡 ®
著上述基板之上述純水一同上昇,同時從上述純水之液面 或液面近旁將液面側純水予以排液的排液裝置;且藉上述 排液裝置使上述可動地板上昇而使上述基板與上述液面側 20 純水上昇,同時使上述液面側純水排液,在上述乾燥室內 V 從上述純水將上述基板露出比上述液面更上方,同時藉上 述氣體狀或上述液滴狀之上述異丙醇置換附著於上述露出 之基板表面的上述純水,之後,藉從上述基板表面蒸發上 述異丙醇而能使上述基板乾燥。 9 589676 玖、發明說明 依據本發明之第10樣態,係提供如第9樣態所記載之 基板乾燥裝置,其中,上述排液裝置所造成之上述液面側 純水的排液係以固定相對於上述空間之上述液面位置的狀 態而進行。 5 依據本發明之第11樣態,係提供如第9樣態所記載之 基板乾燥裝置,其中,上述可動地板爲上述乾燥室之底面 ’且上述排液裝置係使上述底面昇降的底面昇降裝置,且 具有支持上述基板之基板支持機構,並藉上述底面昇降機 構而上昇上述乾燥室之上述底面,使上述純水與藉上述基 10 板支持機構而支持之上述基板一同上昇,同時於上述乾燥 室之上部藉使上述液面側純水溢流而排液。 依據本發明之第12樣態,係提供如第9樣態所記載之 基板乾燥裝置,其中,於上述乾燥室,上述可動地板將上 述純水區隔成上述液面側之上部純水槽與上述乾燥室之底 15面側的下部純水槽,上述排液裝置係使上述可動地板昇降 的可動地板昇降裝置,具有設於上述可動地板且於上述上 部純水槽內支持已浸泡於上述純水之上述基板的基板支持 機構,且藉上述可動地板昇降裝置而使上述乾燥室之上述 可動地板上昇,並使上述上部純水槽與上述下部純水槽之 20 區分位置上昇,而使上述基板支持機構所支持之上述基板 與上述上部純水槽之上述純水一同上昇,同時於上述乾燥 室之上部使上述液面側純水溢流而排液。 依據本發明之第13樣態,係提供如第12樣態所記載 之基板乾燥裝置,其中,具有將純水供給至上述乾燥室之 10 589676 玖、發明說明 前述下部純水槽之純水供給機構(210) ’藉上述可動地板昇 降裝置而使上述乾燥室之上述可動地板上昇,並使上述上 部純水槽與上述下部純水槽之區分位置上昇,同時藉上述 純水供給機構並因應上述區分位置而將純水供給至上述下 5 部純水槽。 依據本發明之第14樣態,乃提供一種基板乾燥裝置, 在於具有: 可將基板浸泡於純水內的乾燥室;對上述乾燥室內之 上述純水之液面上的空間內,供給空氣或惰性氣體、以及 10 氣體狀或液滴狀的異丙醇的異丙醇供給裝置;藉下降上述 乾燥室而使設置於上述乾燥室內之相對於上述乾燥室可相 對地昇降的液移動板相對地上昇,使上述基板與浸泡著上 述基板之上述純水相對於上述乾燥室相對地一同上昇,同 時從上述純水之液面或液面近旁將液面側純水予以排液的 15 排液裝置;且藉上述排液裝置使上述乾燥室下降,而使上 述液移動板與上述基板及上述純水相對於上述乾燥室相對 地上昇’同時使上述液面側純水排液,在上述乾燥室內從 上述純水將上述基板露出比上述液面更上方,同時藉上述 氣體狀或上述液滴狀之上述異丙醇置換附著於上述露出之 20基板表面的上述純水,之後,藉從上述基板表面蒸發上述 異丙醇而能使上述基板乾燥。 依據本發明之第15樣態,係提供如第14樣態所記載 之基板乾燥裝置,其中,上述惰性氣體爲氮氣。 依據本發明之第16樣態,係提供如第9至第14樣態 11 589676 玖、發明說明 其中任何之一所記載之基板乾燥裝置,其中,浸泡於上述 純水內的基板係將各個表面配列成相互略平行且略正交於 上述純水之液面之多數的基板,上述液面側純水之排液係 沿著上述液面且沿著上述各個基板的表面的流動而進行。 5 圖式簡單說明 本發明之此等及其他目的及特徵可藉著所附圖式而由 以下說明有關最佳實施樣態能明白。此等圖式爲: 第1圖是有關本發明之第1實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 10 第2圖是第1圖之晶圓乾燥裝置的F — F線縱斷面圖; 第3圖是第1圖之晶圓乾燥裝置的G— G線縱斷面圖; 第4圖是表示上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之槪 略構成的流向圖; 第5A圖是表示上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之乾 15 燥室上部的擴大平面圖,第5B圖是第5A圖之乾燥室上部 之Η—Η線斷面圖; 第6Α圖是上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之霧化噴 霧裝置的平面圖,第6Β圖是上述霧化噴霧裝置的斷面圖; 第7Α圖是上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之晶圓保 20持具之部分擴大正面圖,第7Β圖是第7Α圖之晶圓保持具 的側面圖; 第8圖是有關本發明之第2實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第9圖是第8圖之晶圓乾燥裝置的I一 I線縱斷面圖; 12 589676 玖、發明說明 第10圖是第8圖之晶圓乾燥裝置的:[一 J線縱斷面圖 第11圖是有關本發明之第3實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 5 第12圖是有關本發明之第4實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第13圖是第12圖之晶圓乾燥裝置的A — A線縱斷面圖 , 第14圖是第12圖之晶圓乾燥裝置的B — B線縱斷面圖 10 ; 第15圖是表示上述第4實施樣態之晶圓乾燥裝置之槪 略構成的流向圖; 第16A圖是上述第4實施樣態之晶圓乾燥裝置之導管 部的擴大平面圖;第16B圖是第16A圖之導管部的E— E線 15 斷面圖; 第17圖是有關上述本發明之第4實施樣態之變形例之 晶圓乾燥裝置的縱斷面圖; 第18圖是第17圖之晶圓乾燥裝置的C一C線縱斷面圖 9 20 第19圖是有關上述本發明之第4實施樣態之其他變形 例之晶圓乾燥裝置的縱斷面圖; 第20圖是第19圖之晶圓乾燥裝置的D— D線縱斷面圖 第21圖是有關本發明之第5實施樣態之晶圓乾燥裝置 13 9 589676 玖、發明說明 的縱斷面圖; 第22圖是有關本發明之第6實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第23圖是有關本發明之第7實施樣態之晶圓乾燥裝置 5 的縱斷面圖; 第24圖是有關本發明之第1實施樣態之變形例之晶圓 乾燥裝置之乾燥室的模式說明圖; 第25A圖及第25B圖各別表示於有關上述第1實施樣 態之變形例之晶圓乾燥裝置化乾燥室進行晶圓上昇狀態的 10 模式說明圖,第25A圖是晶圓尙完全浸泡在純水中狀態的 模式說明圖,第25B圖是晶圓之一部份露出於純水液面上 方狀態的模式說明圖; 第26圖表示有關本發明之第1實施樣態之晶圓乾燥裝 置之液滴供給裝置之變形例之液滴供給裝置之模式化構造 15 的模式斷面圖; 第27圖表示於上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置,使 用空氣取代氮氣情形之槪略構成的流向圖。 【實施方式3 實施樣態之詳細說明 20 在繼續本發明之記述前,要說明於所附圖式中對於相 同構件賦予相同參照標號。又,於說明本發明之實施樣態 時說明本發明說明書及申請專利範圍所使用之用語的定義 〇 本發明說明書及申請專利範圍之用語「液滴」 14 玖、發明說明 (droplet)乃指在液相之粒子中,其粒徑爲l〇//m以上之粒 子者,又,用語「霧化」(mist)乃指上述液相之粒子中, 其粒徑不滿10//m以上之粒子者。即,所謂「液滴狀之異 丙醇」乃指液相之異丙醇以其液相狀態而作成具有粒徑爲 5 以上之粒子者。又,所謂「霧化」乃非上述液相而 係指作成不存在上述液相之粒子的粒徑者。因此,所謂「 氣體狀之異丙醇」乃指氣相之異丙醇的情形。 以下依據圖式來詳細說明有關本發明之實施樣態。 (第1實施樣態) 10 有關本發明之第1實施樣態的基板乾燥裝置,在作爲 基板之一例子係進行晶圓之乾燥的晶圓乾燥裝置501,以 第1圖表示晶圓乾燥裝置501之縱斷面圖,以第2圖表示 第1圖之F — F線斷面圖,以第3圖表示第1圖之G — G線 斷面圖。又,以第4圖表示晶圓乾燥裝置501之槪略構成 15 的流向圖。又,本發明所使用之基板除了前述之晶圓以外 ,乃有液晶顯示基板。 如第1圖、第2圖、第3圖及第4圖所示,晶圓乾燥 裝置501具備有上面整體開放且具有四個側面及底面的略 長方體狀的箱體形狀,且可將純水40收容於其內部,且具 20 有將上述圓盤狀之多數晶圓2浸泡於上述經收容之純水40 內而於洗淨後可乾燥的乾燥室201、及設置具有略長方體 狀之箱體形狀而其內部具有可密閉的空間,且其內部固定 著乾燥室201的處理室212。 又,乾燥室201具備有將收容在其內部之純水40區分 15 589676 玖、發明說明 爲上下方向二個純水槽且與純水40之液面略平行之作爲可 動地板之一例的間隔板250。收容在乾燥室201內的純水 40藉此間隔板250而將其上側作爲上部純水槽40a、將其 下側作爲下部純水槽40b而區分爲二個純水槽。又,此間 5 隔板250設置有其周壁整體不會接觸乾燥室201的狀態且 透過上述間隙可將純水從下部純水槽40b供給至上部純水 槽40a的間隔。又,藉著作爲可動地板昇降裝置之一例的 間隔板昇降機構214而使間隔板250可沿著乾燥室201的 內側而昇降。又,有關此間隔板昇降機構214之構造的詳 10 細說明將於後段記述。又,乾燥室201之上端,即上述四 個側面的上端各形成相同高度位置。 又,乾燥室201以多數的晶圓2之各表面朝垂直方向 略平行’且上述各表面呈相互略平行的狀態,而能將以一 定的間隔配列各晶圓2而支持之眾所周知的晶圓載體13予 15 以搬入,且具有於乾燥室201內可將搬入之晶圓載體13予 以固定而能解除固定之作爲基板支持機構之一例的載體固 定部9 °於晶圓載體π例如載體固定部9具有多數的固定 銷、可與上述各固定銷嵌合的固定銷受部,藉著各個上述 固定銷與上述固定銷受部的嵌合而能將晶圓載體13固定於 20載體固定部9 °又,有關上述固定的機構亦可爲眾所周知 的固定機構’只要是將晶圓載體13固定於載體固定部9的 狀態下’晶圓載體13與載體固定部9之間不會發生動搖的 情形即可。 又’載體固定部9安裝於乾燥室201之間隔板250的 16 玖、發明說明 上面,將純水注入乾燥室201而在滿水的狀態下,被晶圓 載體13支持之全部的晶圓2可一起浸泡於純水40中(即可 浸泡於上部純水槽40a中)。又,亦可取代使用晶圓載體 13而將多數的晶圓2搬入乾燥室201內的情形,而改以不 5 使用晶圓載體13而直接將各晶圓2搬入乾燥室201內,並 於乾燥室201內藉著固定於間隔板250之基板支持機構而 支持且固定支持位置的情形。 又,處理室212於其上面具有可開閉的蓋211,以打 開蓋211的狀態而使處理室212之內部空間呈開放狀態, 10 而能達到收納多數晶圓2之晶圓載體13的供給或取出以及 處理室212內部的保養維護等,以關閉蓋211的狀態而能 使處理室212之內部空間呈密閉狀態。而且,於蓋211具 有對於收容在處理室212內之乾燥室201的純水40液面上 的空間4內,噴射作爲惰性氣體之一例的氮氣(N〇 ’同時 15 噴射異丙醇(以下僅記爲IPA)而將液滴狀的IPA供給至上述 空間4內的異丙醇供給裝置之一例的二台液滴供給裝置3 、以及對上述空間4內噴射氮氣的乾燥噴嘴5。又’有關 於液滴供給裝置3之構造的詳細說明於後段記述。又’惰 性氣體之一例乃因其處理容易性而以使用氮氣爲佳’然而 20 亦可取代此氮氣而使用其他種類的惰性氣體。 又,將純水供給至乾燥室201內部之間隔板250之下 側的下部純水槽40b之管狀的眷水供給機構之一例的純水 供給部210係設置於乾燥室201之下部純水槽40b內。又 ,純水供給部210於下部純水槽40b內部在其管狀之外周 17 589676 玖、發明說明 具有多數的純水供給孔,以使純水能供給至乾燥室201內 部之下部純水槽40b。又,間隔板250在停止狀態時,供 給至下部純水槽40b內之純水通過間隔板250之端部與乾 燥室201內面之間的上述間隙而形成亦可對上部純水槽 5 40a內供給純水。 又,間隔板250於乾燥室201內部保持與純水40之液 面略平行的狀態同時藉著間隔板昇降機構214而能沿著上 述四個側面平行移動。間隔板昇降機構214設於第1圖中 的處理室212之左側,處理室212及間隔板昇降機構214 10 固定於晶圓乾燥裝置501之機台215上。間隔板昇降機構 214具有於旋轉軸周圍可旋轉地固定於機台215上下方向 之滾珠螺桿軸部214a;可選擇性地將滾珠螺桿軸部214a 正反任何一方向旋轉的驅動部214b;螺合於滾珠螺桿軸部 214a並藉著滾珠螺桿軸部214a向正反任何方向旋轉而可 15 沿著滾珠螺桿軸部214a上昇或下降(即,可昇降)的螺帽部 214c;固定於機台215且於上述正反旋轉方向固定螺帽部 214c,同時於上下方向導引上下昇降動作的導引部214e ; 以多數之剛體形成門型,且一側之下端以固定螺帽部214c 固定,且另一側之下端貫通處理室212之上面而固定於間 20 隔板250之第1圖左側之上面端部的昇降框214d。又,驅 動部214b之一例係具有固定於滾珠螺桿軸部214a之下端 且使滾珠螺桿軸部214a直接正反旋轉的馬達、或是藉由驅 動帶等而使固定於滾珠螺桿軸部214a下端之滑車正反旋轉 ,以使滾珠螺桿軸部214a間接正反旋轉的馬達。於間隔板 18 玖、發明說明 昇降機構214藉著驅動部214b而使滾珠螺桿軸部214a正 反旋轉,以使昇降框214d昇降,而能使間隔板250沿著乾 燥室201之上述各側昇降。如此一來,於供給純水而上部 純水槽40a及下部純水槽40b呈滿水狀態的乾燥室201內 5 ,將位於被晶圓載體13支持之全部的晶圓2浸泡於上部純 水槽40a內之高度位置狀態的間隔板250,藉著間隔板昇 降機構214而上昇,而將收容在間隔板250上側之上部純 水槽40a的純水40與間隔板250同時上昇,並能將純水之 液面側純水從乾燥室201之上端溢流。又,藉著間隔板昇 10 降機構214所構成之間隔板250之昇降範圍,係例如晶圓 載體13所支持之全部的晶圓2上端比乾燥室201上端具有 多一些空間,而從位於下側的高度位置(即,昇降動作之下 端位置),至上述全部的晶圓2下端比乾燥室201上端具有 多一些空間,而從位於上側的高度位置(即,昇降動作之上 15 端位置)的範圍。 又,在此說明所謂「液面側純水」乃表示包含純水40 之液面之液面近旁之液體者,例如從液面至下方20mm範圍 之液層中的液體者。又,此液體有僅由純水所構成的情形 ,亦有將IPA或矽化合物等異物混合(或溶解)於純水的情 20 形。 又,於乾燥室201,朝上具備有具有開放部之大約U 字型斷面形狀之溝的溢流受部217沿著乾燥室201之四個 側面上部的外側而設置,溢流受部217之上述U字型斷面 形狀的溝於乾燥室201之上部外周整體一體地形成大約0 19 589676 玖、發明說明 字型。又,溢流受部217之上述溝之乾燥室201側的側面 藉著乾燥室201之上部外側側面而形成,另一側之側面之 上端高度位置形成比乾燥室201之上端高。藉此,於乾燥 室201純水溢流之際可藉著溢流受部217而承受溢流的純 5 水。又,溢流受部217之底面設置有排液口 217a,可藉由 配管等構件或直接將上述溢流之純水從設置於處理室212 底部之排液口 218排液至處理室212外。又,本第1實施 樣態中的間隔板昇降機構214爲排液裝置之一例。 在此說明以具有第5A圖表示溢流受部217之乾燥室 10 201上部的擴大平面圖,以第5B圖表示第5A圖之乾燥室 201之H-H線斷面的斷面圖。如第5A及第5B圖所示,在 上述0字型之溢流受部217之內側之緣,即在乾燥室201 之上端具有V字型之切陷(切入)形狀的三角堰201a例如以 一定的間隔而形成多數,在進行上述純水40之液面側純水 15 流入溢流受部217內(β卩,溢流)的情形下,藉從各三角堰 201a流入溢流受部217內的狀態而容易進行流入量的調整 ,且可滑順地進行上述流入。又,三角堰201a之上述一定 間隔亦可與藉著晶圓載體13而支持之各晶圓2的配置間隔 相同的情形。 20 於乾燥室201,藉設置於處理室212之蓋211之各液 滴供給裝置3而將氮氣噴射至處理室212之乾燥室201之 純水40之液面上的空間4內,同時比浸流於上部純水槽 40a內並藉晶圓載體而支持之晶圓2的溫度(例如常溫)高 ,而且至少比上述晶圓2之溫度高2t以上爲佳,最好是 20 589676 玖、發明說明 比上述晶圓2之溫度高5°C至6°C之範圍的高溫噴射液相的 IPA而將液滴狀之IPA供給至上述空間4內,並藉著將上 述乾燥室201之上述純水40予以排液(即,將上述純水槽 40a之純水予以排液),而使上述晶圓2在上述乾燥室201 5內從上述純水40露出於液面上方時,從各液滴供給裝置3 使IPA以液滴狀態供給至上述晶圓2表面,即,非將焦作 爲載體而係以IPA本身爲單體並浮游於氮氣的狀態下供給 ,接著藉上述液滴狀之上述IPA而置換附該著於上述晶圓 2表面的純水40。 10 使用第6A及第6B圖來詳細說明液滴供給裝置3的構 造,各液滴供給裝置3如第6A及第6B圖所示,具有沿著 長邊方向而分別貫通氟樹脂所構成之長方體形狀之本體而 形成的氮氣用通路3a與液相之IPA用通路3c,具有多數 從氮氣用通路3a延伸而大約朝向(詳細而言係朝向鄰接之 15 晶圓2之間的空間且相當於晶圓2之中心的位置)晶圓2並 開口之噴射孔3e之細的氮氣用噴出通路3b,同時具有多 數從IPA用通路3c延伸而朝向氮氣用噴出通路3b之開口 端的噴射孔3e並開口之噴射孔3f之細的IPA用噴出通路 3d。爰此,爰此,從氮氣用噴出通路3b之噴射孔3e噴射 2〇 氮氣之同時從IPA用噴出通路3d之噴射孔3f噴射液相的 IPA而能將液滴狀的IPA供給至上述空間4內。以氮氣用 噴出通路3b之噴射孔3e與IPA用噴射出通路3d之噴射孔 3f構成一組的液滴供給用噴嘴,將各一組之液滴供給用噴 嘴對向於隔著預定空間而配置之例如5〇片左右的晶圓2之 21 589676 玖、發明說明 中之鄰接晶圓2之間的空間而配置之同時,在空間4內兩 端的晶圓2之外側亦分別配置液滴供給用噴嘴,藉此,對 於全部的晶圓2的表面整體,能從液滴供給用噴嘴吹出 IPA液滴。 5 又,亦可取代如上述說明藉著液滴供給裝置3而對空 間4內吹出液滴狀的IPA而供給的情形,改以眾所周知之 噴射裝置對上述空間4內噴射氣體狀的IPA。此情形下, 在上述乾燥室201內上述晶圓2從上述純水40露出於液面 上方時,從上述眾所周知之噴射裝置將IPA以氣體狀態對 10 上述晶圓2表面連續噴射,接著藉著上述氣體狀的IPA(或 藉著上述氣體狀之IPA所凝縮的液相IPA)置換附著於上述 晶圓2表面的純水。又,亦可取代藉著液滴供給裝置3而 對空間4內供給液滴狀的IPA的情形,改以將霧狀之IPA 對上述空間4內噴霧的情形。上述霧狀之IPA亦可獲得達 15 到上述液滴狀之IPA同樣的效果。 另一方面,以常溫或晶圓2的溫度供給氮氣,或以比 常溫高的溫度(例如超過常溫或晶圓2之溫度而到達60°C 範圍的高溫)來供給,較好的是至少比常溫或晶圓2之溫度 高5°C以上,最好是比常溫或晶圓2之溫度高5°C至60°C 20 之範圍的高溫來供給,如第4圖所示,藉由過濾器39、減 壓閥29、第1氣動閥30、流量計31而分別供給至配置在 第2圖中處理室212之蓋211左右的各液滴供給裝置3。 最好是第1氣動閥30依據流量計31所檢測之氮氣流量而 自動地調整氮氣的流量。其結果液滴溫度以比常溫或晶圓 22 589676 玖、發明說明 2之溫度高,較好的是至少比常溫或晶圓2之溫度高5°C以 上,最好是比常溫或晶圓2之溫度高5°C至60°C之範圍的 高溫來噴霧。又,將氮氣供給至左右的各液滴供給裝置3 時,從各液滴供給裝置3之一端側朝向另一端閉塞部單方 · 5向地供給氮氣至氮氣用通路3a即可。如此裝置具有構造簡 單的優點。然而,在氮氣用通路3a內會產生壓力損失而不 能從全部的氮氣噴出用通路3b之噴射孔3e均一地將噴射 氮氣的情形下,若是從各液滴供給裝置3之一端側與另一 · 端側之雙方同時地朝向兩者中間而對氮氣用通路3a內供給 10 氮氣的話,能防止在氮氣用通路3a內的壓力損失而能從噴 射孔3e均一地噴射氮氣。 又,如第4圖所示,氮氣藉由過濾器39、減壓閥20、 第8氣動閥28而供給至配置於第2圖之處理室212之蓋 211中央的乾燥噴嘴5。附著於上述晶圓2表面之純水40 15以IPA置換之後,於乾燥噴嘴5藉著噴射氮氣而能促進 IPA的蒸發、賴。 _ 又,於第4圖以藉由過濾器39、減壓閥20、第2氣動 閥21、過濾器22而壓送至IPA壓送槽41內之氮氣的壓力 ,而使IPA壓送槽41內之IPA液體42藉由第3氣動閥24 20 ,且藉由各個過濾器25、流量計26及第4氣動閥27而各 個供給至配置於第2圖之處理室212之蓋211左右的液滴 供給裝置3。又,23係IPA壓送槽用保險閥。各個第4氣 動閥27配置於大右的各個液滴供給裝置3,依據各個流量 計26檢測之IPA液體的流量而自動地調整IPA液體的流量 23 玖、發明說明 ’藉此,從左右各個液滴供給裝置3將液滴供給至乾燥 201內之上述純水40之液面上的空間4內時,自動地調整 上述左右液滴供給狀態的平衡。又,將IPA液體供給至上 述左右各個之液滴供給裝置3時,從各液滴供給裝置3之 5 一端側朝向另一端閉塞部單方向地供給IPA液體至IPA用 通路3c即可。如此裝置具有構造簡單的優點。然而,在 IPA用通路3c內會產生壓力損失而不能從全部的IPA用噴 出通路3d之噴射孔3f均一地將噴射IPA液體而供給均一 的IPA液滴的情形下,若是從各液滴供給裝置3之一端側 10 與另一端側之雙方同時地朝向兩者中間而對IPA用通路3c 內供給IPA的話,能防止IPA用通路3c內的壓力損失而能 從噴射孔3f均一地噴射IPA液體而供給均一的IPA液滴。 又,如第4圖所示,爲使處理室212內之空間4壓力 不會異常地高,而於處理室212設置排氣通路43,並設置 15 用以調整排氣流量的手動閥7、及進行開始或停止排氣的 第5氣動閥8。又,於空間4內配置壓力感測器而能因應 以壓力感測器檢測之空間4內的壓力而也能自動地開閉第 5氣動閥8。 又,如第4圖所示,於乾燥室201之底部的排液口 20 219設置第6氣動閥35以調整排液流量。又,於處理室 212之底部的排液口 218設置排液通路44,而於處理室 212內使由溢流受部217之排液口 217a來的排液通路連接 於此排液通路44,並藉由排液通路44而從處理室212內 朝晶圓乾燥裝置501外部進行排液。又,雖未於圖式上顯 24 589676 玖、發明說明 示,惟於排液通路44上設置封水機構以保持處理室212內 的空間4的壓力。 又,如第4圖所示,設置於乾燥室201內之下部純水 槽40b內的純水供給部210連接純水供給通路45而設置, 5 純水藉由設置在純水供給通路45上的手動閥32、流量計 33、第7氣動閥34而供給至純水供給部210。又,最好是 依據流量計33檢測之之純水流量而自動地控制第7氣動閥 34的開度(開口大小)而自動地調整純水流量。 φ 上述第1氣動閥30、第2氣動閥21、第3氣動閥24 10 、第4氣動閥27、第5氣動閥8、第6氣動閥35、第7氣 動閥34、第8氣動閥28連接於控制裝置47,並依據預定 的程式而能自動地控制要供給至處理室212內之空間4之 氮氣及IPA液體之各別的流量,亦即,能動作控制IPA液 滴之供給狀態、從空間4內的排氣量、純水40之排液量等 15 。又,控制裝置47亦可進行間隔板昇降機構214之各動作 控制。 ® 以下說明於上述構成所形成之乾燥室501中進行晶圓 2之乾燥處理的順序。 首先,於第1圖至第4圖中,打開純水供給通路45之
V 2〇第7氣動閥34而藉純水供給部210將純水供給至乾燥室 201內而使下部純水槽40b呈滿水。之後,通過間隔板250 之周部與乾燥室201之內側間的間隙而從下部純水槽40b 供給純水亦使上部純水槽40a呈滿水。之後並且開啓蓋 211而將支持著多數晶圓2之晶圓載體13搬入處理室212 25 589676 玖、發明說明 內,使晶圓載體13浸泡於乾燥室201內的純水40中而以 載體固定部9來固定。此時,藉著使純水從乾燥室201向 溢流受部217溢流而使浸泡著晶圓2之乾燥室201之上部 _ 純水槽40a內的異物浮游於純水40之液面近旁,並將此等 5 異物與溢流之純水一同排出至乾燥室201外而進行洗淨。 其次,於關閉排氣通路43的狀態,即於密閉處理室 212之空間的狀態下,從各液滴供給裝置3噴射氮氣且同 時在上述氮氣之噴射開口近旁噴射IPA液體而將IPA液滴 Φ 以例如約2cc/min供給至上述空間4內。供給液滴的方向 1〇 槪爲向下而大略朝向純水40內的晶圓2的方向(詳細爲鄰 接之各個晶圓2之間的空間且朝向相當於晶圓2中心之位 置的方向),最好是設成可均一地將液滴保持在純水40之 液面上。此時,乾燥室201之空間4內的壓力變得異常高 時,最好是開啓排氣通路43而降低壓力。 15 其次,如此地使上述空間4之純水40之液面附近保持 以多數之IPA液滴覆蓋的狀態繼續供給液滴的狀態下,藉 ® 控制裝置47的控制而控制間隔板昇降機構214,並使位於 該昇降動作之下端位置狀態的間隔板250以一定的速度緩 _ 緩地上昇起來。間隔板250之上昇速度之一例係設成1秒 2〇 鐘10mm以下的上昇速度,最好是於例如約2cc/min供給 液滴時設成1秒鐘2mm之上昇速度。 隨著此間隔板250之開始上昇而產生從乾燥室201之 純水40中的液面中央附近朝向乾燥室201之上端全周部方 向之槪爲放射狀的流動,純水40之液面側純水藉由各三角 26 589676 玖、發明說明 堰201a而流入溢流受部217內之同時,從溢流受部217之 排液口 217a流入溢流受部217內之上述液面側純水藉由排 液通路而排液。 藉著上述純水供給部210而供給至下部純水槽40b之 5 上述純水的供給量因應隨著間隔板250之上昇的上述液面 側純水的排液量,並藉著控制裝置所造成之第7氣動閥34 的控制而能控制。即,藉著間隔板250上昇而相稱於下部 純水槽40b容積之增加量的純水可供給至下部純水槽40b 。因此,因上述間隔板250上昇而使上部純水槽40a上昇 10 的情形下,於間隔板250之周部與乾燥室201內側之間的 上述間隙幾乎不發生純水流動。如此一來,能達到藉由上 述間隔板250之上昇而僅上昇上部純水槽40a內之純水並 排出的情形。 又,只要是能藉著間隔板昇降機構214而圓滑地進行 15 間隔板250之上昇動作的話,亦可因應間隔板250之周部 與乾燥室201內側之上述間隙的大小,而使從上述純水供 給部210朝向乾燥室201之下部純水槽40b內的純水供給 量,比隨著間隔板250之上昇之下部純水槽40b的內容積 增加量多或少的情形。 20 將上述液面側純水予以排液之際,以可於液面上產生 上述槪爲放射狀之表面流動的上昇速度而使間隔板250上 昇。藉此,以上述表面流動而將純水40之液面或液面近旁 之溶入IPA的純水及浮游的異物等,能與上述液面側純水 一同流入溢流受部217內而排出。 27 589676 玖、發明說明 其結果隨著間隔板250之上昇而上昇的晶圓2的上部 從純水40之液面露出於上,惟晶圓表面不會接觸氧而自然 氧化,均一地持續噴霧於上述純水40之液面之IPA的液滴 會立即置換該附著於晶圓2表面的純水。 5 之後,一旦間隔板250上昇至該昇降動作之上端位置 時,即,被與間隔板250 —同上昇之晶圓載體13所支持之 各晶圓2的下端,比乾燥室201上端更具有一些餘裕而上 昇至上方位置時,間隔板250之上昇被停止而呈現各晶圓 2從純水40完全地露出狀態,而結束對附著於各晶圓2表 10 面之純水的IPA置換。之後停止從液滴供給裝置3的供給 液滴而開始從乾燥噴嘴的氮氣噴射。藉此,可促進從各晶 圓2表面的上述IPA的蒸發而使各晶圓2表面乾燥。上述 乾燥結束後,停止從乾燥噴嘴的氮氣噴射。並結束晶圓2 之乾燥處理。又,亦可爲取代從上述乾燥噴嘴的氮氣噴射 15而原原本本地放置各晶圓2而從各晶圓2表面自然地蒸發 上述IPA的情形。 之後,開放處理室212之蓋211而解除載體固定部9 所造成晶圓載體13的固定而將各晶圓2從處理室212各別 地將晶圓載體13從上方搬出。 2〇 又,將IPA或氮氣、或IPA及氮氣的溫度設成比晶圓 2之溫度即常溫局’更好是設得局至少5 °C以上,最好是設 得高5°C至60°C的範圍而供給該溫度之IPA液滴的情形下 ,能促進從各晶圓2表面的IPA蒸發,而能更快速地進行 各個晶圓2的乾燥。例如,晶圓2爲常溫時,以上述範圍 28 589676 玖、發明說明 內之任何溫度來供給IPA液滴而使50片晶圓乾燥的情形下 ,能以10分鐘以下的乾燥時間使各個晶圓乾燥。 又,使間隔板250上昇而進行純水40之液面側純水之 _ 排水的情形下,從純水供給部210將純水以比下部純水槽 5 40b之容量增加份量多例如30立方/分鐘以下的程度,最 好是多4立方/分程度來供給的情形。在此情形下,藉著 供給充分純水40中的異物等的純水而積極地朝液面側推上 ,而能與液面側純水一同迅速且滑順地排出。 # 又,與下部純水槽40b所具有之純水供給部210不同 10 ,於上部純水槽40a亦可更具有其他純水供給部(圖式未顯 示)的情形。如此情形下,於乾燥室201裝滿純水的情形下 ,可從純水供給部210將純水供給至下部純水槽40b內, 且能從上述其他純水供給部進行對上部純水槽40a進行純 水的供給,因此,能繪短對於乾燥室201之初期的純水供 15 給所須要的時間。又,於裝滿純水狀態之上部純水槽40a ,進一步從上述其他純水供給部供給純水,並從上部純水 * 槽40a強制性地使純水溢流而能更容易地去除上部純水槽 40a內的異物等。 又,亦可取代設於乾燥室201之上端的多數三角堰 2〇 201a全部以一定的配列間隔形成的情形,而改以在沿著晶 圓載體13所支持之各晶圓2表面的方向相互對向之各個乾 燥室201之側面的上端以更短的配列間隔,並於正交於各 晶圓2表面之方向相互對向之各個乾燥室201之側面的上 端以更長的配列間隔形成多數的三角堰201a的情形。此情 29 589676 玖、發明說明 形下,從使純水40之液面側純水流入溢流受部217的情形 下所產生之液面中央附近,朝向乾燥室201之上述四個側 面之上端全周方向之上述槪爲放射狀的流動,以朝向各晶 圓2之表面周緣方向而作成強的流動。藉此,各晶圓2之 5 一部分比純水40之液面更向上露出的情形下’使鄰接之各 個晶買圓2之間的液面側純水以上述強的流動來排液,且 能良好地達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之 溶入IPA的純水及浮游之異物的排出性。 又,從乾燥室201進行上述液面側排水之排液之際, 10 不要求微小的排液量調整的情形下,亦可取代於乾燥室 201上端形成多數三角堰201a的情形而改以不形成三角堰 201a的情形。 又,各個三角堰201a並不限定各個形成在乾燥室201 之四個側面的情形。例如在上述四個側面之中,亦可僅在 15 晶圓載體13所支持之各晶圓2表面周緣方向中相互對向的 各個側面周緣,具有多數三角堰201a。 在如此狀態,使純水40之液面側純水流入溢流受部 217的情形下,於液面上可產生從液面中央附近朝向形成 各個三角堰201a之乾燥室201之各個上端側的各晶圓2表 20 面周緣方向的流動,亦即可產生上述表面周緣方向之相反 二方向的表面流動。藉此,於各晶圓2之一部分露出於純 水40之液面上的情形下,能使鄰接之各個晶圓2之間的液 面側純水具有上述相反二方向的表面流動而排液,且能良 好地達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之溶入 30 589676 玖、發明說明 IPA的純水及浮游之異物的排出性。 又,於上述液面側純水排液之際,以能於液面上產生 上述二方向之表面流動的上昇速度而使間隔板250上昇。 藉此,純水40之液面或是浮游於液面近旁之異物等以具有 5 上述二方向的表面流動而與上述液面側純水一同流入溢流 受部217內並予以排出。 又,亦可取代各個上述三角堰201a僅配置於上述相互 對向之一組各個上端,而改以僅在上述一組之各個上端之 中的一個上端具有多數的三角堰201a。此情形下,使純水 10 40之液面側純水流入溢流受部217內的情形下,於上述液 面,可使能於液面上從不具有上述一組之各個上端之中的 三角堰201a的上端側,朝向各個具有三角堰201a之上端 側之各晶圓2表面周緣方向之一個方向的表面流動。藉此 ,在於各晶圓2之一部分露出比純水40之液面更上方的情 15 形下,能使鄰接之各個晶圓2之間的液面側純水具有上述 一個方向的表面流動而排液。且能良好地達到上述各個晶 圓2之間的液面或是液面近旁之溶入IPA的純水及浮游之 異物的排出性。 又,於上述液面側純水排液之際,以能於液面上產生 20 上述一個方向之表面流動的上昇速度而使間隔板250上昇 。藉此,純水40之液面或是浮游於液面近旁之異物等以具 有上述一個方向的表面流動而與上述液面側純水一同流入 溢流受部217內並予以排出。 在此詳細說明於乾燥室201將各個晶圓2露出比純水 31 589676 玖、發明說明 40之液面更上方的情形下所產生之表面流動。此情形之一 例乃於純水40之液面形成上述晶圓2之表面周緣方向之相 反的二個方向的表面流動的情形下,以第25A及第25B圖 表示使晶圓2露出比上述液面上方時之模式說明圖。又, 5 第25A圖表示浸泡於上述純水槽40a內之純水40中之狀態 的各個晶圓2開始上昇而各個晶圓2尙未完全浸流泡於純 水40內的狀態,第25B圖表示之後進一步進行各個晶圓2 的上昇,各個晶圓2之上部露出於純水40之液面40s上方 的狀態。 10 首先,如第25A圖所示,於乾燥室201內開始間隔板 250的上昇,且固定於間隔板250而呈被支持狀態之各個 晶圓2以具有速度向量T上昇,同時上部純水槽40a內之 純水40以具有速度向量S上昇。又,各個晶圓2之速度向 量T與純水40之速度向量S,其方向名大小(長度)相同。 15 即,浸流於純水40內之各個晶圓2與其周圍之純水40設 成相互相對性地靜止狀態。 其次,如第25B圖所示,於乾燥室201內進一步上昇 間隔板250的話,以具有速度向量T上昇之各個晶圓2的 上部露出比純水40之液面40s上方。又,如第25A圖及第 20 25B圖所示,隨著間隔板250的上昇而使上部純水槽40a 內的純水40上昇,藉此,於純水40之液面40s或其近旁 形成各個晶圓2之表面周緣方向之相反的二個方向的表面 流動F1(圖式上向左的表面流動)及汝表面流動F2(圖式上 向右的表面流動)。藉著此等表面流動F1及F2,於純水40 32 589676 玖、發明說明 之液面40s或其近旁可進行從乾燥室201之液面側純水的 排水。又,如第25B圖所示,純水40以速度向量S上昇而 於純水40之液面40s或其近旁,上述上昇之純水40呈成 爲上述液面側純水,由於連續性地進行上述液面側純水之 5 排液,因此純水40之液面40s的高度可保持略一定的高度 。藉此,於第25B圖所示之狀態下,各個晶圓2與純水40 之間會產生相對性的速度差,即會產生相當於速度向量T 的速度差,各個晶圓2以此速度差而從各個形成表面流動 F1及F2狀態的純水40液面40s露出。 10 又,亦可取代晶圓載體13爲上述周知者,而改之使用 第7A圖及第7B圖所示之晶圓保持具213。又,第7A圖及 第7B圖係晶圓保持具213的部分擴大側面圖。 如第7A圖及第7B圖所示,晶圓保持具213具有在圓 盤狀之晶圓2下部之該表面周緣相互對稱的二處位置可支 15 持晶圓2之晶圓支持部213a以一定的間隔形成多數之框 213b。又,如第7B圖所示,各個2晶圓支持部213a在框 213b上形成沉降片齒狀,且於沿著各個晶圓2之配列方向 相互鄰接之各個晶圓支持部213a之間形成具有一定的間隔 而可確保空間。藉此,於鄰接之各個晶圓2之間,從晶圓 20 2之上端至下端可在晶圓2之表面周緣且在純水40之上述 液面周緣確保上述空間。 以使用如此的晶保持具213而使浸流於純水40內的晶 圓2露出於比液面更上方的情形下,藉著在上述液面且晶 圓2之表面周緣方向所發生的上述表面流動,而能良好地 33 玖、發明說明 達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之溶入IPA 的純水及浮游之異物的排出性。 又,於乾燥室201,取代在間隔板250之周部全體與 乾乾燥室201的內側之間設置上述間隙的情形,而改以不 設置上述間隙而在間隔板251之周部全體與乾燥室201之 內側之間設置密封構件251a。此情形下,並非使藉著間隔 板昇降機構214而使間隔板251上昇,而係藉著純水供給 部210供給至上部純水槽40a內之純水的壓力而能使間隔 板251沿著乾燥室201內側上昇。因此,能不要使間隔板 251昇降的機械性機構,即不須要間隔板昇降機構214等 機構’可將晶圓乾燥裝置設成精簡的裝置,且能削減晶圓 乾燥裝置之製作成本。 又’從晶圓乾燥裝置501之各個液滴供給裝置3對空 間4內供給之多數的液滴狀IPA之中,可得知亦包含有有 即使是少有的時間內亦不浮游於氮氣中而落下之大粒徑的 液滴。或可知亦有IPA不形成液滴狀而形成液流並流入空 間4內來供給的情形。有關可使發生如此問題防患於未然 的液滴供給裝置,說明有關本第1實施樣態之晶圓乾燥裝 置501之液滴供給裝置3之變形例的液滴供給裝置6〇3。 又’第26圖係模式地表示此液滴供給裝置603之構造之模 式斷面圖。又,第26圖所示之液滴供給裝置603之斷面圖 係對應於第6B圖所示之液滴供給裝置3之斷面圖的斷面圖 〇 如第26圖所示,液滴供給裝置603具有例如由氟樹脂 589676 玖、發明說明 所構成之長方體形之本體的長邊方向周緣形成之二個空路 部,且具有將供給至上述二個空路部或通過之氮氣及IPA 可供給至空間4內並予以導入之多數供給孔604。又,液 滴供給裝置603與第2圖所示之晶圓乾燥裝置501所具有 5 之各個液滴供給裝置3同樣地,二個液滴供給裝置603呈 相互對向,且呈各個長邊方向呈沿著各個晶圓2之配列方 向那般地安裝於蓋21。 又,如第26圖所示,液滴供給裝置603之本體乃明顯 分爲上部側本體部603a與下部側本體部603b之上下二個 10 構造,於下部側本體部603b之上部,上述沿著長邊方向形 成之二個溝部之第1溝部605(圖式右側之溝部)與第2溝 部606(圖式左側之溝部)以藉著上部側本體部603a之下部 來圍住而鄰接於上述二個空路部形成。而且,第1溝部 605之圖式上側,即,上部側本體部603a下面連接氮氣供 15 給用通路607,可從設置於此氮氣供給用通路607之端部 的多數氮氣用噴射孔607a對於第1溝部605內朝向大約垂 直下方噴出氮氣來供給。又,IPA供給用通路609連接第1 溝部605而能將液相之的IPA供給至第1溝部605內。又 ,如第26圖所示,第1溝部605具有大略U字形狀的斷面 20 ’可使從IPA供給用通路609供給之液相IPA貯留於上述 大略U字形狀斷面的第1溝部605,即,第1溝部605亦 成爲IPA的貯留部。又,相互鄰接而形成之第1溝部605 與第2溝部606之間形成其上部近旁相互連接之供給用通 路608。又,第2溝部606之圖式左側上部近旁形成各個 35 589676 玖、發明說明 供給孔604。 又,各個供給孔604之形成高度與供給用通路608之 形成高度形成相互不同的高度’例如,各個供給孔604之 形成高度形成得低。又,使第1溝部605與第2溝部606 5 於相互之上部近旁連接的供給用通路608並非直線,其經 過路徑中途形成略L字形狀如圖式下方所示形成彎曲。又 ,此供給用通路608之上述彎曲部分的壁面形成頂接部 610,從第1溝部605朝向第2溝部606通過供給用通路 608而流出的氣體等流體會衝突到頂接部610而能將其流 10 出方向改變至下方。 又,設定各個氮氣用噴射孔607a之噴射口徑、配置間 距、噴射方向且設定從各個氮氣用噴射孔607a噴射之氮氣 的噴射初速而能以高速將氮氣噴射至供給到第1溝部605 而貯留之液相IPA的液面。又,從各個氮氣用噴射孔607a 15 噴射之氮氣的噴射方向並非限定於上述略垂直朝下方向, 亦可設定朝向斜下方的方向。又,設置於液滴供給裝置 603之多數供給孔604並非限定於上述樣態,乃可取代上 述樣態而例如以形成在上述本體之長邊方向周緣之長孔狀 供給部的狀態。可得知如此長孔狀的供給部之上述多數供 20 給孔604相互連接而形成一體的長孔狀者,且能獲得同樣 的功能。 說明於如此構成之液滴供給裝置603從各個供給孔 604吹出液滴狀IPA而供給的情形。首先,將液相IPA從 IPA供給用通路609供給至第1溝部605而貯留之同時, 36 589676 玖、發明說明 相對於該貯留之上述液相IPA的液面,通過氮氣供給用通 路607而從各個氮氣用噴射孔607a噴射氮氣並以高速吹出 。藉此,於第1溝部605上述貯留之液相IPA形成多數細 微的液滴狀IPA。如此發生之多數液滴狀IPA與氮氣一同 5 通過供給通路608並流出至第2溝部606而供給,而且從 各個供給孔604吹出以供給。在此說明第1溝部605與各 個供給孔605並非以供給通路608直接連接,乃藉由第2 溝部606連接的狀態,以及於供給通路608之中途形成頂 接部610的狀態,而從第1溝部605向第2溝部606內供 10 給上述IPA之際,不會浮游於氮氣中之具有大粒徑的液滴 狀IPA或從第1溝部605流出之上述液相IPA之液流等會 衝突頂接部610且其流出方向改變朝向下方而以第2溝部 606捕獲此等IPA。如此一來,可防止上述大液滴狀的IPA 或液流等從各個供給孔604供給至保持著各個晶圓2之空 15 間4內,而能防患上述大液滴狀IPA或液流等附著於晶圓 2表面造成金屬或析出有機物的情形於未然。 又,上述說明已對於從各個液滴供給裝置3或603將 多數的液滴狀IPA與氮氣供給至空間4內,而且從乾燥噴 嘴5供給氮氣至空間4內的情形加以說明,然而亦可取代 2〇 此等惰性氣體之一例的氮氣而改以供給空氣的情形。如此 使用空氣的情形乃在於具有降低成本且處理性良好的優點 。另一方面,使用以氮氣爲代表之惰性氣體的情形乃在於 具有能抑制露出於空間4內之各個晶圓2表面氧化的優點 37 589676 玖、發明說明 又,第27圖表示取代氮氣而使用空氣(Air)情形之晶圓 乾燥裝置501中的流向圖。如第27圖所示,使用空氣的情 形下,其構成亦與使用氮氣之情形的構成相同。又,通過 減壓閥20或29而供給之空氣與氮氣之情形相同,以過濾 5 器39供給經淸淨化狀態即供給淸淨空氣。 依據上述第1實施樣態,使浸泡於乾燥室201中的純 水40之上部純水槽40a內的各個晶圓2露出於純水40液 面上方之際,非僅藉著從乾燥室201底面的純水排液、以 及從晶圓2本身的純水40抽起而形成者,而係藉著使各個 10 晶圓2與上部純水槽40a中的純水一同上昇,而使液面側 純水從乾燥室201上部流入溢流受部217而排液,因此浮 游於液面或液面近旁之異物等能與液面側純水一同排出。 如此一來,可防止各個晶圓2從液面露出之際,上述異物 等附著於晶圓2表面的情形。 15 又,浸泡於乾燥室201之純水40的上部純水槽40a內 的各個晶圓2從上部液面露出,係藉著使各個晶圓2與上 部純水槽40a中的純水一同上昇,而使上述液面側純水從 乾燥室201上部流入溢流受部217而排液,故即使供給至 上述液面上方之空間4內的IPA液滴40之上述液面或溶入 20 上述液面近旁的情形下亦能連續地進行上述液面側純水的 排液即溶入上述IPA之純水的排液。藉此能防止上述液面 或上述液面近旁之純水中增大IPA的溶入量,而能提昇上 述水滴中的純水與液滴狀之IPA的置換效率,藉此能提昇 晶圓之乾燥效率而防止發生晶圓表面之乾燥不均。 38 玖、發明說明 又,乾燥室201內之純水40的排液時,使各個晶圓2 與浸泡著各晶圓2之上部純水槽40a內的純水40上昇,並 使上述液面側純水從乾燥室201之上端溢流而進行純水40 的排液,因此於上述排液中,純水40之液面位置與上述液 5 面上方空間4之位置相互固定,即以純水40之液面位置與 液滴供給裝置3位置相互固定的狀態而能使液滴供給裝置 3與上述液面的距離經常保持一定。藉此,能使晶圓2從 上述液面開始露出至露出結束(即,從晶圓2之開始乾燥處 理至結束)穩定地將液滴狀之IPA供給至上述空間4內及上 10 述液面上(使用氣體狀之IPA的情形而能穩定地供給氣體狀 的IPA),於各個晶圓2之露出時,能使附著於各個晶圓2 表面上的水滴中的純水與液滴狀的IPA(或氣體狀的IPA)之 置換效率穩定化,而能防止發生各個晶圓表面之乾燥不均 〇 15 又,間隔板250藉著間隔板昇降機構214而沿著乾燥 室201內側上昇的情形下,因應此上昇量而將配合下部純 水槽40M之容積增加份量之純水供給部210供給至下部純 水槽40b,因此,即使間隔板250之周部與乾燥室201內 側之間存在有不會相互接觸程度之間隙的狀態下,亦能藉 20 著間隔板250之上昇而僅上昇上部純水槽40a中的純水以 進行上述液面側純水的排液。藉此,能不必要將間隔板 250之周部與乾燥室201內側之間的上述間隙予以塡埋(或 密封),而可防止於塡埋上述間隙時可能發生的摩擦而造成 異物的產生,且能防止在乾燥室201內之純水內產生異物 39 玖、發明說明 的情形。 又,隨著上述間隔板250的上昇而相稱於間隔板250 上昇所造成之下部純水槽40b中的容積增加份量的純水, 會供給至下部純水槽40b,因此能使間隔板250之周部與 5 乾燥室201內側之間的上述間隙幾乎不會流入純水。爰此 ,於浸泡著晶圓2之上部純水槽40a能不會發生因流入純 水所造成的渦流等情形,能以上述液面上的上述略放射狀 或上述二個方向或上述一個方向之滑順的表面流動,而排 出已露出之各晶圓2之間的液面或液面近旁之溶入IPA的 10 純水及浮游中的異物。 又,上述晶圓2從上述液面露出,係藉著使各個晶圓 2與浸泡著上述晶圓2之上部純水槽40a內的純水40 —同 上昇,即,由於能以各個晶圓2與上述純水40之相對位置 爲固定的狀態而進行上述露出,因此能抑制純水40之液面 15 發生搖動。爰此,可抑制因該搖動所拌隨發生各個晶圓表 面的乾燥不均。 又,上述晶圓2從液面露出之際,即使是將間隔板 250之上昇速度設成一定亦不會造成乾燥不均。 又,由於浸泡著晶圓2之純水上的空間4經常保持著 20氮,因此晶圓2之上部雖露出於純水40,惟晶圓表面不會 接觸到氧而自然氧化,且均一地供給至上述純水40液面的 IPA液滴乃立即與附著在晶圓2表裡兩面之純水置換。又 ,將晶圓2的溫度設成比常溫高,較好是設成至少高5°C 以上,最好是設成高5°C至60°C的範圍的話,IPA變得易 40 589676 玖、發明說明 凝著於晶圓2之表裡兩面而在立即與附著在晶圓2表裡兩 面之純水置換的情形下,會迅速乾燥晶圓2表面。爰此, 能比常溫之晶圓之表面純水與常溫之IPA置換之後使常溫 之IPA乾燥之習知技術的乾燥時間更早而能提高乾燥效率 * 5 。又,將IPA以液滴狀態供給至純水40液面乃比將IPA以 ' 蒸氣供給至純水之習知更能大幅地減少IPA的消耗量。又 ’將IPA以蒸氣供給至純水的情形下,有必要以絕熱材料 來包覆該用以保持蒸氣狀態之配管的外側,然而本第1實 · 施樣態僅例如將常溫之液相IPA各別供給至左右的液滴供 10 給裝置3即可,因此不必要以絕熱材料來包覆配管而能使 裝置變得簡單。又,將IPA予以蒸氣化時有必要用以加熱 的能量,惟本第1實施樣態只要具有可從液滴供給裝置3 噴射氮氣與IPA的能量即足夠,而能以廉價且簡單的裝置 構成來形成IPA的液滴。如此從相互對向之側方噴射氮氣 15 之同時,能噴射液相的IPA而使液滴狀的IPA充滿上述乾 燥室的空間內,能對晶圓之表裡兩面整體供給上述液滴狀 · 的 IPA 〇 又,藉非藉著超音波等電氣性的能量使液相的IPA液 滴化’且非使用電氣性的能量而在氮氣之噴射孔近旁從 2〇 IPA噴射噴嘴來噴射IPA而能使液相的IPA液滴化,因此 · 能對於引火性高的IPA更安全且更穩定進行液滴狀的IpA 的供給動作。 又,本發明並非限定於上述第1實施樣態,而能以其 他種種的樣態來實施。 41 玖、發明說明 (第2實施樣態) 例如,本發明之第2實施樣態之基板乾燥裝置之一例 的晶圓乾燥裝置502,並非如上述第1實施樣態之晶圓乾 燥裝置501那般設置間隔板250而將乾燥室201區分爲上 5 部純水槽40a及下部純水槽40b的二層,而以間隔板昇降 機構214使間隔板250上昇而進行將浸泡著晶圓2之乾燥 室201之上部純水槽40a中之液面側純水的排液,乃係使 作爲上述可動地板之一例的乾燥室的底面本身上昇以進行 上述液面側純水的排液者,除此之外乃與實施樣態1的構 1〇 成相同。以下僅就上述不同部分加以說明。又,以第8圖 表示此晶圓乾燥裝置502之縱斷面圖,以第9圖表示第8 圖之I一 I線斷面圖,以第10圖表示第8圖之J一 J線斷面 圖。 如第8、第9及第10圖所示,於晶圓乾燥裝置502之 15 乾燥室301,當作乾燥室301之底面的底部350沿著乾燥 室301之各側面設置成可昇降。此底部350與上述各側面 之間設置著密封構件350a,即使是底部350昇降的情形下 ,乾燥室301內的液體也不會從上述間距漏出。又,進行 底部350之昇降動作之底面昇降裝置之一例的底部昇降機 2〇 構314係設置於處理室312及晶圓乾燥裝置502之機台 315上。又,上述密封構件350a可使用由例如耐IPA及耐 藥品性之氟系橡膠所形成的Ο型環等構件。 底部昇降機構314係具有使用氣動缸之機構所構成而 固定於乾燥室301之底部350之下面中央的氣動缸314a、 42 玖、發明說明 將氣動缸3Ha支撐成可昇降且固定於乾燥室3〇1之機台 315的昇降導引件314b、以及圖式未顯示之用以對氣動缸 314a供給壓縮空氣及進行排氣的壓縮空氣供給部。又,底 部昇降機構314被控制裝置所控制,藉著上述壓縮空氣供 給部而對氣動缸314a內供給壓縮空氣,藉此,氣動缸 314a沿著昇降導引件314b而上昇,底部350沿著乾燥室 301之各側面1上昇。又,以切換對氣動缸314a內供給之 壓縮空氣方向而使氣動缸314a沿著昇降導件314b下降, 底部350沿著乾燥室301之各側面的內側而下降。又,上 述氣動缸314a之上昇及下降速度由控制裝置47來控制, 例如以一定的上昇速度來上昇。 如上所述,底部昇降機構314可使固定於底部350上 面之載體固定部9及純水供給部310、以載體固定部9固 定之晶圓載體13、以及被收納於乾燥室301內之純水40, 與底部350 —同昇降。又,底部昇降機構314亦可取代使 用上述氣動缸314a機構而構成的情形而改以例如使用油壓 之昇降機構或使用滾珠螺桿軸之昇降機構等而構成。又, 載體固定部9、晶圓載體13、以及純水供給部310可構成 與上述第1實施樣態中的載體固定部9、晶圓載體13或晶 圓保持具213、以及純水供給部210受同樣的構成及功能 。又,上述底部昇降機構314所構成之底部350之上昇速 度與第1實施樣態中的間隔板250之上昇速度相同。 又,底部昇降機構314所構成之底部350的昇降動作 ,係在晶圓載體13所支持之全部晶圓2的上端具有一些餘 589676 玖、發明說明 裕而從比乾燥室301上端更下側的位置那般高度位置(昇降 動作的下端位置)至上述全部晶圓2的下端具有一些餘裕而 從比乾燥室301上端更上側的位置那般高度位置(昇降動作 的上端位置)的範圍中進行。即,在乾燥室301收納純水 5 40而呈滿水狀態下,於上述昇降動作之下端位置,上述全 部的晶圓2形成浸泡於純水40的狀態,且於上述昇降動作 之上端位置,上述全部的晶圓2形成完全露出於純水40的 狀態那般地進行以底部昇降機構314所構成之底面350的 昇降動作。又,與形成在上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝 10 置501中的乾燥室201上端之多數三角堰201a同樣的三角 堰301a例如以具有一定間隔而整體形成於乾燥室301的上 端,又,與晶圓乾燥裝置501中的溢流受部217同樣的溢 流受部317係設置於乾燥室301的上部外周。又,與晶圓 乾燥裝置501之處理室201及乾燥室201同樣,乾燥室 15 301底部設置排液口 319,處理室312底部設置排液口 318 。又,本實施樣態2之底部昇降機構314成爲排液裝置之 一例。 於如此構成的晶圓乾燥裝置5〇2,使用第8、第9及第 10圖來說明使浸泡於乾燥室301內呈滿水狀態之純水4〇 20 中的各晶圓2露出於純水40液面的方法。 首先,於乾燥室301,底部350形成位於底部昇降機 構314所構成之昇降動作的下端位置,純水40於乾燥室 301內呈滿水狀態,且各晶圓2浸泡於純水4〇內。以此狀 態,以控制裝置來控制底部昇降機構314且藉著底部昇降 44 589676 玖、發明說明 機構314而開始上昇動作。一旦底部350以上述一定速度 緩緩地上昇時,純水40之液面側純水會從乾燥室301之上 端溢流而流入溢流受部317。此時上述液體藉由設置在乾 燥室301之上端之多數三角堰301a而流入溢流受部317。 5 流入溢流受部317之上述液體藉由排液口 317a及排液口 318並經由排液通路44而排至處理室312外。 隨著底部昇降機構314所形成底部350的上昇,純水 40之液面側純水從乾燥室301的上端流入溢流受部317並 排液,且固定於已固定於底部350之載體固定部9的晶圓 10 載體13亦會上昇而使各晶圓2露出於上述液面上。全部晶 圓2的下端位於比乾燥室301上端更上的位置時,藉著控 制裝置而停止底部昇降機構314所形成底部350的上昇。 又,亦可於上述液面側純水排液之際,進一步從純水 供給部310以例如30立方/分以下範圍,最好是4立方/ 15 分範圍供給純水的情形。於此情形下,藉著新供給的純水 而能將純水40中的異物等積極地推上液面側而與液面側純 水一同迅速且滑順地排出。 又,上述液面側純水之排液時,亦可一邊開啓第4圖 中的氣動閥35而從乾燥室301(第4圖中爲201)之底部的 20 排液口 319(第4圖中爲219)調整純水40之排液量,一邊 進行排液。此情形下,從排液口 319進行上述排液量的調 整以使底部350保持上述一定速度上昇所形成之上述液面 側純水的排液動作(即,不使上述液面側純水之排液量發生 變動的狀態)。此情形下,可保持上述液面之上述槪呈放射 45 589676 玖、發明說明 狀之流動(即,與第1實施樣態相同的流動)而加快純水40 之排液速度,可縮短晶圓2之乾燥處理時間且能將純水40 內之乾燥室301之底面側異物等排出至乾燥室301外。 而且,以將底部昇降機構314設置於乾燥室301下側 5 的機台315上而構成精簡的晶圓乾燥裝置502。 (第3實施樣態) 其次,本發明之第3實施樣態之基板乾燥裝置之一例 的晶圓乾燥裝置503具有相當於上述間隔板250之間隔板 450,以間隔板450及固定於此間隔板450上面之晶圓載體 10 13而將晶圓2之支持位置固定於處理室的狀態,使用與上 述第2實施樣態之晶圓乾燥裝置502之底部昇降機構314 同樣的昇降機構而非僅下降乾燥室之底部,而係下降整體 乾燥室以進行上述液面側純水之排液者,除此之外的構成 相同。以下就此不同部分進行說明。又,以第11圖表示此 15 晶圓乾燥裝置503的縱斷面圖。 如第11圖所示,於晶圓乾燥裝置503,在處理室412 內將乾燥室401設成可整體昇降,使乾燥室401昇降之昇 降裝置之一例的乾燥室昇降機構414設於晶圓乾燥裝置 503的機台415上。又,具有將乾燥室401內區分爲上部 20 純水槽40a及下部純水槽40b等二個槽的間隔板450,間 隔板450設置有其周壁整體不會接觸乾燥室401的狀態的 間隔,且透過上述間隙可將純水從下部純水槽40b供給至 上部純水槽40a。又,上述間隔板450成爲相當於上述第1 實施樣態之可動地板之液移動板之一例。又,載體固定部 46 589676 玖、發明說明 409非乾燥室401之底部,係固定於處理室412之上部內 側而可將晶圓載體13安裝於晶圓固定部409,且固定間隔 板450。又,純水供給部410固定於乾燥室401之底部。 晶圓載體13及純水供給部410與上述第1實施樣態之晶圓 5 載體13或晶圓保持具213與純水供給部210相同。 又,乾燥室昇降機構414係與上述第2實施樣態中的 底部昇降機構314同樣的構成,固定於乾燥室401之底部 的下面中央的氣動缸414a沿著昇降導引件414b而昇降, 將間隔板450及晶圓載體13相對於處理室412固定的狀態 10 而能使乾燥室401昇降。即,能相對於乾燥室401使間隔 板450及晶圓載體13相對性地上昇。又,以控制裝置47 控制氣動缸414a之上昇及下降的速度,例如以一定的下降 速度來下降。又,此下降速度與第1實施樣態中的間隔板 250之上昇速度相同。 15 又,乾燥室昇降機構414所構成之乾燥室401的昇降 動作係於在晶圓載體13所支持之全部晶圓2的上端具有一 些餘裕而從比乾燥室401上端更下側的位置那般高度位置( 昇降動作的上端位置)至上述全部晶圓2的下端具有一些餘 裕而從比乾燥室401上端更上側的位置那般高度位置(昇降 20 動作的下端位置)的範圍中進行。即,在乾燥室401收納純 水40而呈滿水狀態下,於上述昇降動作之上端位置,上述 全部的晶圓2形成浸泡於上部純水槽40a中的純水40的狀 態,且於上述昇降動作之下端位置,上述全部的晶圓2形 成完全露出於純水40的狀態那般地進行以乾燥室昇降機構 47 589676 玖、發明說明 414所構成之乾燥室40的昇降動作。 又,與形成在上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置501 中的乾燥室201上端之多數三角堰201a同樣的三角堰 4〇la例如以具有一定間隔而整體形成於乾燥室401的上端 5 ,又,與晶圓乾燥裝置201中的溢流受部217同樣的溢流 受部417係設置於乾燥室401的上部外周。又,與晶圓乾 燥裝置501之處理室202及乾燥室201同樣,乾燥室401 底部設置排液口 419,處理室412底部設置排液口 418。 於如此構成的晶圓乾燥裝置503,使用第11圖來說明 1〇 使浸泡於乾燥室401內呈滿水狀態之上部純水槽40a中的 純水40內的各晶圓2露出於純水40液面的方法。 首先,於晶圓乾燥裝置503,乾燥室401位於乾燥室 昇降機構4H所構成之昇降動作的上端位置,且形成從下 部純水槽40b中的純水供給部410供給純水至下部純水槽 15 40b的狀態,純水40於乾燥室401內呈滿水狀態,且各晶 圓2浸泡於上部純水槽40a之純水40內。以此狀態,以控 制裝置47來控制乾燥室昇降機構414且藉著乾燥室昇降機 構414而開始下昇動作。 隨著此乾燥室401的開始下降,乾燥室401之純水40 20 之液面側純水藉由三角堪堰401a而流入溢流受部417內, 且從溢流受部417中的排液口 417流入溢流受部417內的 上述液面側純水透藉由排液通路而排液。 又,從純水供給部410來之純水的供給量因應其拌隨 著乾燥室401之下降所造成之上述液面側純水的排液量, 48 589676 玖、發明說明 藉著控制裝置47使用流量計33而一邊控制第7氣動閥34 而一邊供給至下部純水槽40b。即,藉著乾燥室401下降 而相稱於下部純水槽40b中之容積之增加份量的純水供給 至下部純水槽40b。因此,上述間隔板450之周部與乾燥 5 室401之內側之間的上述間隙幾乎不會發生純水流入。因 此,藉上述乾燥室401的下降而能僅使上部純水槽40a內 的純水相對於乾燥室401而相對性地上昇並排出。 隨著乾燥室昇降機構414所構成之乾燥室401的下降 · ,上部純水槽40a中的純水40之液面側純水從乾燥室401 10 之上端流入溢流受部417而排液並使乾燥室401之純水40 的液面下降,隨同於此,固定於安裝在固定於處理室412 之上部內側的載體固定部409之晶圓載體13的各晶圓會露 出於上述液面。全部晶圓2之下端位於比乾燥室401之上 端更上方時,藉控制裝置而使乾燥室昇降機構414所構成 15 之乾燥室401的下降停止。 依據上述第3實施樣態,如上述第1實施樣態中的晶 ® 圓乾燥裝置501的情形,藉使間隔板250上昇而使上部純 水槽40a之純水與晶圓2 —同上昇,並非進行上述液面側 純水之排液,而係使間隔板450及載體固定部409固定於 20 處理室412並下降乾燥室401而使間隔板450及載體固定 部409相對於乾燥室401相對性地上昇,即,使上部純水 槽40a之純水與晶圓2相對於乾燥室401相對性地上昇而 能進行上述液面側純水的排液。因此可獲得與上述第1實 施樣態所構成之放果相同的功效。 49 589676 玖、發明說明 又,依據本發明之上述各個實施樣態,於乾燥室內使 基板與浸泡著上述基板之純水一同上昇而使液面側純水排 液,以使上述基板露出於上述純水的液面,惟,例如以與 上述本發明之上述各個實施樣態不同之其他實施樣態來進 5 行上述基板之露出的情形下,亦能解決本發明的課題。以 下就上述其他實施樣態且先就上述其他實施樣態之槪念來 進行說明。 依據上述其他實施樣態之第1槪念爲提供一種基板乾 燥方法,係使浸泡於乾燥室內之純水內之基板從上述純水 10 內露出並使其乾燥的基板乾燥方法,其包含有: 對上述乾燥室內之上述純水之液面上的空間內,供給 氮氣及霧狀的異丙醇; 從上述純水之液面或液面近旁使液面側純水排液而下 降上述液面,而使上述基板在上述乾燥室內從上述純水露 15 出於上述液面上方,同時使附著於上述露出之基板表面的 上述純水藉上述霧狀之上述異丙醇而置換; 之後,使上述異丙醇從上述基板表面蒸發而使上述基 板乾燥。 又,提供一種基板乾燥裝置,其包含有: 20 可將基板浸泡於純水內的乾燥室; 對上述乾燥室內之上述純水之液面上的空間內,供給 氮氣及霧狀之異丙醇的霧狀供給裝置;及 從設置於上述乾燥室內之上述純水中的液面或液面近 旁使液面側純水排液的排液裝置; 50 589676 玖、發明說明 且藉著上述排液裝置所形成之上述液面側純水之排液 而下降上述純水液面,而使上述基板從上述純水露出於上 述液面上方,同時使附著於上述露出之基板表面的上述純 水藉上述霧狀之上述異丙醇而置換;之後,使上述異丙醇 5 從上述基板表面蒸發而使上述基板乾燥。 依據上述第1槪念,使浸泡於乾燥室中之純水內之基 板露出於上述純水液面之際,非藉著僅從上述乾燥室之底 面進行上述純水的排液,且非上述基板本身從上述純水抽 起,而係在上述純水內使上述基板之支持位置固定的狀態 10 而從上述純水中的液面或液面近旁使液面側純水排液,藉 此,能使上述基板於上述乾燥室內下降,且能進行上述基 板從上述液面露出。藉此,能防止上述基板從上述液面露 出之際,浮游於上述液面或上述液面近旁之異物等附著於 上述基板表面。 15 又,浸泡於上述乾燥室之上述純水內的基板從上述液 面露出,係藉著將上述液面側純水予以排液而進行,因此 ,即使供給至上述液面上方之空間內之霧狀異丙醇溶入上 述純水之上述液面或上述液面近旁的情形下,亦能連續地 將上述液面側純水即溶入上述異丙醇之純水予以排液。藉 20 此能防止上述液面或上述液面近旁之純水中增大上述異丙 醇的溶入量,而能提昇上述純水中的純水與上述霧狀之異 丙醇的置換效率,藉此能提昇晶圓之乾燥效率而防止發生 晶圓表面之乾燥不均。 依據上述其他實施樣態之第2槪念,係提供如上述第 51 589676 玖、發明說明 1槪念所記載之基板乾燥裝置,其中,上述排液裝置具有 ,設置於上述乾燥室內之側部的排液口;將流入上述排液 口內之液體向上述乾燥室外排液的排液口排液裝置;及使 上述排液口在上述乾燥室內昇降的排液口部昇降機構,且 5 於上述乾燥室內以藉著上述排液口部昇降機構而下降上述 排液口,而使上述液面側純水從上述純水中的上述液面或 上述液面近旁流入上述排液口,並藉著上述排液口部昇降 機構而使上述排液口內之上述液面側純水向上述乾燥室外 排液。 10 依據上述第2槪念,上述排液裝置具有排液口、排液 口部排液機構,以及排液口速部昇降機構,能於上述乾燥 室內藉著上述排液口速部昇降機構而下降上述排液口,而 將上述液面側純水從上述純水中的上述液面或上述液面近 旁流入上述排液口,藉著上述排液口速部排液機構而將上 15 述排液口內之上述液面側純水排液至上述乾燥室外。 依據上述其他實施樣態之第2槪念’係提供如上述第 1槪念或第2槪念所記載之基板乾燥方法或裝置’其中’ 浸泡於上述純水內的基板係將各個表面配列成相互略平行 且略正交於上述純水之液面之多數的基板’上述液面側純 20 水之排液係沿著上述液面且沿著上述各個基板的表面的流 動而進行。 依據上述第3槪念,將各個表面配列成相互略平行且 略正交於上述純水之液面之多數的基板而浸泡於上述純水 內,將上述液面側純水之排液沿著上述液面且沿著上述基 52 589676 玖、發明說明 板的表面的流動而進行,藉此,上述各基板之一部分露出 於上述純水之上述液面的情形下,能良好地達到鄰接之各 個上述基板之間的液面或是液面近旁之溶入上述異丙醇的 純水及浮游之異物等的排出性。 5 依據上述其他實施樣態之第4槪念,係提供如上述第 3槪念所記載之基板乾燥裝置,其中,上述乾燥室具有相 互相向的側面,沿著上述相互對向之各個側面內側而設置 上述排液口,藉著將上述液面側純水流入上述各個排液口 而作成上述流動。 10 依據上述第4槪念,藉沿著上述乾燥室之相互對向之 側面之各個內側而設置上述排液裝置之上述排液口,以將 上述液面側純水流入上述各個排液口並予以排液而能產生 上述液面周緣且上述基板之表面周緣的上述流動。 依據上述其他實施樣態之第5槪念,係提供如上述第 15 1槪念至第4槪念所記載之基板乾燥方法或裝置,其中, 上述液面側純水係以使上述乾燥室內之上述液面的下降速 度呈一定那般地進行。 依據上述第5槪念,於上述基板之露出於上述液面之 際,使上述液面之下降速度一定而能使上述基板之乾燥不 20 會乾燥不均。 依據上述其他實施樣態之第6槪念,係提供如上述第 1槪念至第5槪念之中任何一槪念所記載之基板乾燥方法 或裝置,其中,使上述基板從上述純水至完全露出於液面 爲止,使上述基板固定於上述乾燥室內。 53 589676 玖、發明說明 依據上述第6槪念,上述基板從上述液面露出之際, 由於先固定位置以使至上述基板完全露出爲止不作動上述 基板,故能於上述純水之上述液面不會發生因上述基板移 動所造成之搖動,而能呈形成穩定狀態。藉此,能達到不 5 會產生上述基板之乾燥中的乾燥不均。 依據上述其他實施樣態之第7槪念,係提供如上述第 1槪念至第6槪念之中任何一槪念所記載之基板乾燥方法 或裝置,其中,從上述純水之上述液面或上述液面近旁進 行上述液面側純水之排液之際,從上述乾燥室之底面近旁 1〇 使上述純水排液。 依據上述第7槪念,於上述純水之上述液面或上述液 面近旁進行上述液面側純水之排液之際,藉合倂進行從上 述乾燥室之底面近旁排液,而能進行上述液面側純水之排 液且縮短化上述純水之排液所需要的時間,故能進行更有 15 效率之基板的乾燥。 依據上述其他實施樣態之第8槪念,係提供如上述第 1槪念至第7槪念之中任何一槪念所記載之基板乾燥裝置 ,其中,上述排液口係於側面上部具有多數三角堰的溝部 ,從上述純水中的上述液面或上述液面近旁將上述液面側 20 純水藉由各三角堰而流入上述溝部。 依據上述第8槪念,從上述液面或上述液面近旁並從 上述液面側純水之上述乾燥室流入上述溝部之際’藉由設 置在上述溝部側面上部之多數三角堰而流入上述液面側純 水,藉此,能容易調整流入流量。 54 589676 玖、發明說明 依據上述其他實施樣態之第9槪念,係提供如上述第 1槪念至第8槪念之中任何一槪念所記載之基板乾燥方法 或裝置,其中,上述基板爲晶圓或液晶玻璃基板。 依據上述第9槪念,上述基板爲要求表面淸潔性等晶 5圓或液晶玻璃基板的情形下,可獲得上述各個槪念中的效 果。 其次就上述其他實施樣態從第4實施樣態至第7實施 樣態說明如下。 (第4實施樣態) 10 其次,以第12圖表示本發明之第4實施樣態之基板乾 燥裝置之一側之晶圓乾燥裝置101之縱斷面圖,以第13圖 表示第12圖之A— A線斷面圖,以第Μ圖表示第12圖之 B — B線斷面圖。又,以第15圖表示晶圓乾燥裝置1〇1之 槪略構成的流向圖。 15 如第12圖、第13圖、第14圖及第15圖所示,晶圓 乾燥裝置101具備有上面整體開放之略長方體狀的箱體形 狀,且可將純水40收容於其內部,且具有將圓盤狀之多數 晶圓2浸泡於上述經收容之純水40內而於洗淨後可乾燥的 乾燥室1、及設置具有略長方體狀之箱體形狀而其內部具 20 有可密閉的空間4,且其內部設置固定著乾燥室1的處理 室12。 又,乾燥室1具備有可將多數晶圓2其表面朝垂直方 向略平行且具有一定間隔而使各個表面配列成略平行而支 持之眾所周知的晶圓載體13予以搬入,且具有於乾燥室1 55 玖、發明說明 內可將搬入之晶圓載體13固定成可解除之作爲基板支持機 構之一側的載體固定部9。載體固定部9安裝於乾燥室1 底面,將純水注入乾燥室1而呈滿水狀態下,形成可將晶 圓載體13所支持之全部的晶圓2浸泡於純水40中。又’ 5 亦可取代使用晶圓載體13而將晶圓2搬入乾燥室1內的情 形,改以不使用晶圓載體13而直接將晶圓2搬入乾燥室1 內的,並於乾燥室1內藉3基板支持機構而支持而固定支 持位置的情形。 又,處理室12具有其上面可開閉之蓋11,藉打開蓋 10 11而能進行供給、取出該收納著多數晶圓2之晶圓載體13 ,以及可進行處理室Π內部之保養維護等,藉關閉蓋11 而能使處理室12內部空間呈密閉狀態。而且,於蓋Π具 有二台霧氣噴霧裝置3,該霧氣噴霧裝置可對收容在處理 室12內之乾燥室1之純水40之液面上的空間4噴射惰性 15 氣體之一例的氮氣,且同時可噴射液相之異丙醇(以下僅記 爲IPA)而將霧狀的IPA噴霧至上述空間4內,且具有可對 上述空間4內噴射氮氣之乾燥噴嘴5。又,霧氣噴霧裝置3 及乾燥噴嘴5之構造及機能與上述第1實施樣態中的霧氣 噴霧裝置3及乾燥噴嘴5。 20 又,將純水供給至乾燥室1內部之管狀的純水供給部 10設置於乾燥室1的內側下部,純水供給部10於乾燥室1 內部在其管狀之外周具有多數的純水供給孔,而能均一地 將純水供給至乾燥室1內部。 又,具有朝上而具有開放部之大略U字型斷面形狀之 56 玖、發明說明 溝的排液口及作爲溝部之一例的導管部6沿著乾燥室1之 四個側面內側之各側而設置,於上述四個側面之內側周部 整體,導管部6之上述U字型斷面形狀之溝平面性地大略 一體成〇字型地形成。又,上述溝部爲上述排液口之開口 5 部連續一體形成者,上述排液口並不限定於上述溝部的形 態,而亦包含上述開口部不連續性或間斷性地形成者。又 ,導管部6之上述四個側面周緣之各個內側緣之上端的高 度位置呈略水平地形成,而且導管部6於乾燥室1內部保 持略水平狀態且藉著排液口部昇降機構之一例的導管昇降 10 機構14而可平行移動於上述四個側面周緣。導管昇降機構 14設於第1圖之處理室12的左側,處理室12及導管昇降 機構14固定於晶圓乾燥裝置101的機台15上。導管昇降 機構14具有於旋轉軸周圍可旋轉地固定於機台15上下方 向之滾珠螺桿軸部14a;可使滾珠螺桿軸部14a正反旋轉 15 的驅動部14b ;螺合於滾珠螺桿軸部14a並藉著滾珠螺桿 軸部14a正反旋轉而可沿著滾珠螺桿軸部I4a昇降的螺帽 部14c ;固定於機台15且於上述正反旋轉方向固定螺帽部 14c而導引上下昇降動作的導引部14e ;以多數之剛體形成 門型且一側之下端以固定螺帽部14c,且另一側之下端貫 20 通處理室12之上面而固定於上述四個側面之中一邊的導管 部6之昇降框14d。又,驅動部14b之〜例係具有固定於 滾珠螺桿軸部14a之下端且使滾珠螺桿軸部14a直接正反 旋轉的馬達、或是藉由驅動帶等而使固定於滾珠螺桿軸部 14a下端之滑車間接性地正反旋轉的馬達。於導管部昇降 57 玖、發明說明 機構14藉著驅動部14b而使滾珠螺桿軸部14a正反旋轉’ 以使昇降框14d昇降,而能使導管部6沿著乾燥室1之^ 述各側面昇降。如此一來,於供給純水而呈滿水狀態的乾 燥室1內,使其上端位於與乾燥室1上端相同高度位置狀 5態的導管部6藉著導管部昇降機構14而下降,能使導管部 6之上端位於比純水40之液面更下側的位置,而能使純水 40之液面側純水流入導管部6內。又,導管部昇降機構14 所構成之導管6的昇降範圍例如從導管部6上端與乾燥^ 1上端呈相同高度位置至比晶圓載體13所支持之各晶圓2 10 下端更下側之高度的位置爲止的範圍。 在此說明,以第16A圖表示導管部6之擴大平面圖’ 以第16B圖表示第16A圖之導管部6之E — E線斷面圖。 如第16A及第16B圖所示,在上述0字型之導管部6之內 側之緣的上端,具有V字型之切陷形狀的三角堰6a,例如 15 以一定的間隔而形成多數,在進行下降上述導管部6而將 純水40之液面側純水流入導管部6內的情形下,藉從各三 角堰6a流入導管部6內的狀態而容易進行流入量的調整, 且可確保對於液面上之全周方向的流入。又,三角堰6a之 上述一定間隔亦可與藉著晶圓載體13而支持之各晶圓2的 2〇 配置間隔相同的情形。 又,於導管部6,爲了能於上述平面性Ο字型之中一 邊的導管部6(即,第12圖中之左側的導管部6)收集上述 流入的液體,對向於上述一邊的導管部6(即,第12圖中 右側的導管部6)之底面比上述一側之導管部6的底面淺, 58 589676 玖、發明說明 又,連繫上述兩者之導管部6之各個導管部6中的底面設 置朝向上述一邊導管部6方向下降斜面。又,上述一邊的 導管部6內側固定著溝部排液機構之一例的導管部排液機 構16之吸入口 16a,導管部排液機構16具有其備有吸入 5 口 16a且固定於導管部昇降機構之昇降框14d的排液管 16b、固定於晶圓乾燥裝置101之機台15的排液泵16c、 連接排液泵16c之吸入口與排液管16b的可撓性管16d, 藉此等構件而形成排液通路46。如此一來,流入導管部6 之液體被收集於上述一邊的導管部6而藉著導管部排液機 10 構16而從上述一邊的導管部6透過排液通路46而能將上 述液體排液至晶圓乾燥裝置101外部。又,於本第4實施 樣態中,藉導管部6、導管部排液機構16、以及導管部昇 降機構14而構成可進行將乾燥室1中的上述液面側純水了 予以排液的排液裝置。 15 又,於乾燥室1,具有朝上而具有開放部之大略U字 型斷面形狀之溝的溢流受部17,設置於乾燥室1之四個側 面上部之外側周緣,於乾燥室1上部外周整體,溢流受部 17之上述U字型斷面形狀之溝平面性地大略一體成〇字 型地形成。又,溢流受部17之上述溝之乾燥室1側的側面 20 乃藉乾燥室1之上部外側側面而形成,另一側之側面其上 端高度位置形成比乾燥室1上端高。藉此,於乾燥室1純 水溢流之際藉著溢流受部17而能承受純水。又,溢流受部 17之底面設置著排液口 17a,藉由配管等或直接、從設置 於處理室21之底部的排液口 18而能將上述溢流的純水向 59 589676 玖、發明說明 處理室外12外排液。又,如第16A圖所示,於上述0字 型之外側的導管部6的上端,亦具有V字型切陷形狀之三 角堰6b例如以一定的間隔而形成多數,而且,於乾燥室1 上端,亦具有V字型切陷形狀之三角堰la例如以一定的 5 間隔而形成多數。於導管部6上端位於與乾燥室1上端相 同高度位置的狀態下,各三角堰6b及各三角堰la形成一 致。藉此,使上述導管部6之上端位於與乾燥室1上端相 同高度位置的狀態下,供給至乾燥室1內的純水會流入導 ® 管部6且從導管部6流入溢流受部17內而形成溢流的情形 10 下,能藉由各三角堰6b及各三角堰la而進使純水流入溢 流受部17內,故能滑順地進行上述流入。 又,乾燥室1之底面設置朝向其中心方向的傾斜且於 其中心部分設置排液口 19而能從此排液口 19滑順地將乾 燥室1內的純水排至乾燥室1外。又,以控制裝置來進行 15 導管部昇降機構14及導管部排液機構16之各動作控制 以下說明於上述構成所形成之晶圓乾燥裝置ιοί進行 * 晶圓2之乾燥處理的之情形的次序。 首先,於第12圖至第15圖中,開啓純水供給通路45 ^ 之第7氣動閥而從純水供給部10對乾燥室1內供給純水, 20 而使乾燥室1呈充滿純水的狀態。之後,開啓蓋11而將支 持著多數晶圓2之晶圓載體13搬入處理室12內,使晶圓 載體13浸泡於乾燥室1之純水40內而藉載體固定部9固 定。此時,藉從乾燥室1將純水溢流至溢流受部17而使乾 燥室1內之異物浮游於純水40之液面近旁,將此等異物與 60 589676 玖、發明說明 要溢流之純水一同排出至乾燥室1外並進行洗淨。 其次,於排氣通路43呈關閉狀態,即於處理室12之 空間4呈密閉的狀態下,從各霧氣噴霧裝置3噴射氮氣之 同時將IPA液體在上述氮氣之噴射開口近旁噴射而將IPA 5 噴霧例如以約2CC/min對上述空間4噴霧。使霧氣噴霧的 方向槪爲向下而大略朝向純水40內之晶圓2的方向(詳細 爲朝向鄰接之各個晶圓2之間的空間且相當於朝向晶圓2 之中心的位置方向)最好是能保持對純水40之液面均一地 噴霧的狀態。此時,乾燥室1之空間4內的壓力變得異常 10 高時,最好是開啓排氣通路43以降低壓力。 其次,使上述空間4之純水40液面附近能保持以IPA 覆蓋的狀態而持續將霧氣予以噴霧的狀態,藉控制裝置47 的控制而停止上述純水之供給且控制導管部昇降機構14, 而使其上端位於與乾燥室1上端相同高度位置狀態的導管 15 部6以一定的速度緩緩地下降。導管部6之下降速度的一 例係一秒鐘l〇mm範圍以下的下降速度,最好是於霧氣以 例如約2CC/miri噴出而進行噴霧時設爲1秒鐘2mm範圍 的下降速度。 隨著此導管部6開始下降而產生從乾燥室1之純水40 20 中的液面中央附近朝向上述0字型之四邊各個導管部6方 向槪爲放射狀的流動,純水40之液面側純水藉由導管部6 之各三角堰6a而流入導管部6內,且藉控制裝置47之控 制而控制導管部排液機構16,流入導管部6之上述液面側 純水通過排液通路46而排液。又,以導管部排液機構16 61 589676 玖、發明說明 所構成之開始排液亦可在導管部6之開始下降前。 上述液面側純水之排液之際,於液面上以能產生上述 槪爲放射狀之表面流動的下降速度使導管部6下降。藉此 ,純水40之液面或液面近旁之溶入IPA的純水及浮游中的 5 異物等以上述流動與上述液面側純水一同流入導管部6內 而排出。 其結果乃形成晶圓2之上部從純水40之液面向上露出 的狀態,惟晶圓表面不會接觸氧而自然氧化,而均一地持 續噴霧於上述純水40之液面之IPA的液滴會立即置換該附 10 著於晶圓2表面的純水。又,IPA之霧氣溫度以設爲晶圓2 的溫度即比常溫高(例如超過晶圓2即常溫而到達60°C範 圍的高溫),較好的是至少高以上,最好是高5°C至60 °C之範圍的情形下會迅速地乾燥。 導管部6上端下降至晶圓載體13所支持之各晶圓2下 !5端更下側的話,會停止導管部6的下降,形成各晶圓2從 純水40完全露出的狀態而結束附著於各晶圓2表面之純水 置換爲IPA。之後,停止從霧氣噴霧裝置3的霧氣噴霧而 從乾燥噴嘴5開始氮氣的噴射。藉此,可促進從各晶圓2 表面蒸發上述IPA而使各晶圓2表面乾燥。上述乾燥結束 20後,停止從乾燥噴嘴5開始氮氣的噴射。且結束晶圓2的 乾燥處理。又,可取代從乾燥噴嘴5進行氮氣的噴射而改 以將各晶圓2就如此原原本本地放置而使上述ιρΑ從晶圓 2表面自然地蒸發。 之後,開啓處理室12之蓋11而解除載體固定部9所 62 589676 玖、發明說明 形成晶圓載體13的固定,並從處理室12將晶圓載體13各 個晶圓2向上側搬出。 又,晶圓爲常溫時,IPA、或氮氣、或IPA及氮氣設爲 高於常溫5°C至60°C之範圍的高溫,而將比常溫高的IPA 5 霧氣對晶圓2噴霧的話能更快速乾燥,例如50片的晶圓能 在10分鐘以下使其乾燥。 又,使導管部6下降而進行純水40之液面側純水的排 液時,亦可進一步將純水從純水供給部10例如以30立方 /分鐘以下程度,最好是以4立方/分鐘的程度來供給。 10 此情形下,可藉著新供給至純水而積極地將純水40中的異 物等推上向液面側而與液面側純水一同更迅速地且更滑順 地排出,且能迅速且滑順地將溶入IPA之上述液面或液面 近旁的純水排出。 又,使導管部6下降而進行純水40之液面側純水的排 15 液時,亦可開啓第6氣動閥35而一邊從乾燥室1之底部的 排液口 19調整純水40的排液量而一邊進行排液。此情形 下,進行從排液口 19之上述排液量的調整而使從導管部6 與排液口 19之排液所構成純水40之液面的下降速度一定 。如此一來,能原原本本地保持上述液面中上述槪爲放射 2〇狀之流動而加速純水40之液面的下降速度,且能縮短乾燥 處理時間’同時能將純水40內之乾燥室1之底面側的異物 等排出乾燥室1外。又,上述排液口 19及上述第6氣動閥 35構成底面排液機構之一例。 又’可取代設於導管部6之多數三角偃6a全部以一定 63 589676 玖、發明說明 的配列間隔來形成的狀態,而改以在晶圓載體13所支持之 各晶圓2之表面周緣方向之相互對向之各個導管部6以更 短的配列間隔,而在與各晶圓2正交方向之相互對向之各 _ 個導管部6以更長的配列間隔形成多數三角堰6a的狀態。 5 如此情形下,使純水40之液面側純水流入導管部6時產生 之從液面中央附近朝向上述四邊之導管部6方向之上述槪 爲放射狀的流動朝向各晶圓2之表面周緣方向形成強的流 動,而於各晶圓2之一部分露出於純水40液面時,能將鄰 ® 接之各個晶圓2之間的液面側純水以上述強的流動來排液 10 ,且能良好地達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近 旁之溶入IPA的純水及浮游之異物的排出性。 又,從乾燥室1進行上述液面側排水之排液之際,不 要求微小的排液量調整的情形下,亦可取代於導管部6形 成上述多數三角堰6a的情形而改以不形成三角堰6a的情 15 形。 又,不僅限於導管部6形成在乾燥室1之四個側面之 ® 各側面的情形。例如可在上述四個側面之中,僅在晶圓載 體13所支持之各晶圓2之表面周緣方向之相互對向之各個 側面周緣設置導管部6。本第4實施樣態之變形例以第17 20 圖表示此情形下之晶圓乾燥裝置1〇2之縱斷面圖,以第18 * 圖表示第17圖中的C—C線斷面圖。於晶圓乾燥裝置102 中,相互的導管部6並非形成一體,然而亦可使各個導管 部56之上端高度成爲相同高度位置那般地將各個導管部 56固定於導管部昇降機構14之昇降框14d,而能使各個導 64 589676 玖、發明說明 管部56保持於相同高度位置且同時昇降。又,以將導管部 排液機構16之排液管16b形成爲二個分岐而使排液管16b 之吸入口 16a位於各個導管部56內,而能使流入各個導管 部56內的液體進行排液。 5 於如此的晶圓乾燥裝置102中,可將導管部56之構造 設成簡單的構造,且使純水40之液面側純水流入導管部 56的情形下,從液面中央附近朝向各個導管部56側之液 面上各晶圓2之表面周緣方向的流動,亦即能發生上述表 面周緣方向之相反的二個方向流動而使各晶圓2之一部分 10 露出於純水40之液面的情形下,能使鄰接之各個晶圓2之 間的液面側純水以上述相反二個方向的流動進行排液,而 能良好地達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之 溶入IPA的純水及浮游之異物的排出性。 又’於晶圓乾燥裝置102進行上述液面側純水排液之 15際’以於液面上能產生上述二個方向之流動(表面流動)那 般地下降速度使導管部56下降。藉此,能使純水40之液 面或液面近旁之溶入IPA的純水及浮游中的異物等以上述 二個方向的流動與上述液面側純水一同流入導管部56內並 予以排出。 20 又,亦可僅具有晶圓乾燥裝置102之各個導管部56之 中一側的導管部56的情形。本第4實施樣態之其他變形例 係以第19圖表示此晶圓乾燥裝置1〇3之縱斷面圖,以第 20圖表示第19圖之D—D線斷面圖。於晶圓乾燥裝置1〇3 ,進一步能將導管部56構造設成簡單的構造,且將純水 65 589676 玖、發明說明 40之液面側純水流入導管部56的情形下,能於液面上從 不具有導管部56之乾燥室1之側面側朝向導管部56側之 各晶圓2表面周緣方向之一個方向的流動,於各晶圓2之 一部分露出於純水40之液面時,能將鄰接之各個晶圓2之 5 間的液面側純水以上述一個方向流動而排液,而能良好地 達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之溶入IPA 的純水及浮游之異物的排出性。 又,於晶圓乾燥裝置103,進行上述液面側純水排液 之際,於液面上以能於產生上述一個方向流動(表面流動) 10 的下降速度來下降導管部56。藉此,能使純水40之液面 或液面近旁之溶入IPA的純水及浮游中的異物等以上述一 個方向的流動與上述液面側純水一同流入導管部56內並予 以排出。 依據第4實施樣態,將浸流於乾燥室1之純水40內之 15 晶圓2從純水40液面露出之際,並非僅從乾燥室1底面進 行純水的排液,以及並非從純水40抽起晶圓2本身的情形 ,而係以於純水40內固定晶圓2之支持位置的狀態而將導 管部6從純水40之液面下降而藉著導管部56進行液面側 純水排液,故能將浮游於液面或液面近旁之異物等與液面 20 側純水一同排出。藉此,於上述晶圓2露出於液面之際, 能防止上述異物等附著於晶圓2表面。 又,浸泡於乾燥室1之純水40內的晶圓2從上述液面 露出之際,藉由導管部6進行上述液面側純水排液,因此 即使噴霧於上述液面上方空間4內之IPA霧氣溶入上述液 66 玖、發明說明 面或上述液面近旁的情形亦能連續地進行上述液面側純水 之排液,即能連續地進行該溶入上述IPA之純水的排液。 藉此,能防止於上述液面或上述液面近旁之純水中增大 IPA溶入量,而藉著提昇上述水滴中的純水與霧狀IPA的 5 置換效率而能達到晶圓的乾燥效率,且能防止發生晶圓表 面的乾燥不均。 又,上述晶圓2露出於液面之際,不作動晶圓2而以 固定位置的狀態來進行,故於純水40之液面不會發生搖動 而不會產生乾燥不均。 1〇 又,上述晶圓2露出於液面之際,將液面之下降速度 設爲一定亦能不會產生乾燥不均。 (第5實施樣態) 其次,本發明之第5實施樣態之基板乾燥裝置之一例 的晶圓乾燥裝置1〇4具有與上述第4實施樣態之晶圓乾燥 15 裝置102之導管部56不同形狀的導管部導管部56,除此 之外的構成均相同。以下僅就不同部分之導管部導管部56 形狀進行說明。又,第21圖表示此晶圓乾燥裝置104之縱 斷面圖。 如第21圖所示,晶圓乾燥裝置104各別於乾燥室1內 20 之晶圓載體13所支持之各晶圓2表面周緣方向中相互對向 之側面內側(即,第21圖中乾燥室1之左右側面內側),形 成可作爲排液口之一例而其側面形成多數孔部66a之圓筒 狀的導管部導管部66。導管部66係於其圓筒之軸周緣方 向中的圓筒側面形成以一列且一定的間隔具有相同孔徑之 67 589676 玖、發明說明 多數孔部66a,又,各個導管部導管部以各孔部66a朝向 的狀態而設於乾燥室1之上述各個側面周緣。又’各個導 管部導管部之位於其上端的各孔部66a設於相同的高度, _ 各孔部66a保持略水平的狀態而能於乾燥室1之上述各個 5 側面周緣昇降。又,晶圓乾燥裝置1〇4雖未以圖式顯示, 惟具有可將流入其內部之液體予以排液的導管部排液機構 16、及使導管部導管部一邊沿著上述各個側面保持上述略 水平狀態而昇降(或移其平行移動)之導管部昇降機構14。 ® 藉此,於純水40呈滿水狀態之乾燥室1,將上端位於 10 與乾燥室1上端相同高度位置狀態之導管部66,藉著導管 部昇降機構14以一定的速度緩緩地下降,藉此,可使導管 部導管部之各孔部66a位於比純水40中的液面下,藉著各 孔部66a而使純水4〇之液面側純水流入導管部導管部內部 並藉著導管部排液機構16而能將流入導管部之上述液體予 15 以排液。 依據上述第5實施樣態,加上上述第4實施樣態所形 ® 成之效果而能以於側面上部形成多數孔部66a之圓筒狀形 狀來形成導管部導管部6,亦即能以對圓筒狀之管材等予 以開孔而形成,故能將導管部66之構造設成簡單者。又, 20以在導管部導管部6之上述側面形成多數孔部66a而能容 易進行流入導管部66內之液體的流量調整。 又’使形成多數孔部66a之導管部導管部6設於晶圓 2表面周緣方向中相互對向之乾燥室1之側面,而使純水 40之液面側純水流入導管部66的情形下,能產生從液面 68 589676 玖、發明說明 中央附近朝向各個導管部66而於液面上各晶圓2之表面周 緣相反方向之二個方向的流動,各晶圓2之一部分露出於 純水40之液面的情形下,能將鄰接之各個晶圓2之間的液 面側純水以上述相反之二個方向的流動而排液,能達到上 5 述各個晶圓2之間的液面或液面近旁之溶入IPA的純水及 浮游著之異物等的良好排出性。 (第6實施樣態) 其次,本發明之第6實施樣態之基板乾燥裝置之一例 的晶圓乾燥裝置105並非如上述第4實施樣態之晶圓乾燥 10 裝置101等那般用以將乾燥室1之純水40的液面側純水予 以排液而設置導管部66、導管部排液機構16、以及導管部 昇降機構14,而係以不同方法進行上述液面側純水之排液 者,除此之外的構成均相同。以下僅說明此不同部分。又 ,以第22圖表示此晶圓乾燥裝置105的縱斷面圖。 15 如第22圖所示,於晶圓乾燥裝置105,在晶圓載體13 所支持之各晶圓2表面周緣方向中的乾燥室71側面形成多 數孔部71a。上述孔部71a例如於乾燥室71之側面上在上 下方向及左右方向以一列且一定的間隔,亦即於上下左右 形成柵網狀。又,各孔部71a最好全部以相同孔徑來形成 20 。又,各孔部71a形成從乾燥室71之上端近旁至比晶圓載 體13所支持之各晶圓2的下端更下側的高度位置。 又,形成上述乾燥室71之孔部71a的之上述各個側面 外側具有覆蓋各個上述側面之各孔部71且於上述側面周緣 形成可昇降之四角形板狀的遮斷器72。又,上述各個遮斷 69 玖、發明說明 器72相互呈相同形狀,能以相互上端之高度位置保持略水 平的狀態而進行上述昇降。 又,雖未於第22圖中顯示,惟,於從可覆蓋各個遮斷 器72之全部孔部71a的高度位置,亦即從比各個遮斷器 72上端位於最上部位置之孔部71a更高的位置,至全部孔 部71a不會被遮斷器72覆蓋而可開放的位置,亦即至比各 個遮斷器72上端位於最下部位置之孔部71a更低的位置爲 止之間,設置可使上述各個遮斷器72沿著乾燥室1之上述 各個外側側面而昇降之的遮斷器昇降機構73。 又,於形成乾燥室71之孔部71a之各個側面,乾燥室 71內之純水40藉由孔部71a而排液至乾燥室71外的情形 下,設置藉板狀體而具有朝反向L字型之斷面形狀那般形 成之頂接板部74,以使上述經排液之液體不會於處理室12 內飛散。 說明於如此構成之晶圓乾燥裝置105中,使浸泡於乾 燥室71內設爲滿水狀態之純水40中的各晶圓2露出於純 水40之液面的方法。 首先,於乾燥室71以遮斷器72使全部的孔部71a被 覆蓋的狀態而將純水40設成滿水狀態。以此狀態下藉著遮 斷器昇降機構73而開始各遮斷器72的下降動作。各個遮 斷器72以一定的速度緩緩地下降,各個前端下降至比乾燥 室71之側面之最上部各孔部71a上端更下側時,純水40 之液面側純水可從上述最上部之各孔部71a排液至乾燥室 71外。上述經排液之液體流至各個頂接板74內側而沿著 589676 玖、發明說明 各個上述內側而落下至處理室12內的底面,並通過處理室 12之廢液口 18而經由排液通路44排液。又,上述遮斷器 72之下降速度與上述第4實施樣態之導管部6的下降速度 _ 相同。 5 隨著各個遮斷器71的下降而使純水40之液面側純水 從孔部71a排液,純水40之液面緩緩地下降而使各晶圓2 露出於上述液面上。遮斷器71之上端位於比全部晶圓2下 端更下側的位置時,停止遮斷器昇降機構73所構成之各個 ® 遮斷器72的下降。 1〇 依據上述第6實施樣態,乃取代上述第4實施樣態之 基板乾燥裝置101中的導管部6、導管部排液機構16、以 及導管部昇降機構14,而改以於基板乾燥裝置105具有形 成在乾燥室71側面之多數孔部71a、能覆蓋上述多數孔部 71a且可沿著上述側面昇降的遮斷器72、以及使上述遮斷 15器72昇降的遮斷昇降機構73的情形下,亦能藉著下降遮 斷器71而可將遮斷器71所覆蓋狀態之各孔部71a設成順 ® 序開放狀態而能通過孔部71a而將純水40之液面側純水排 出至乾燥室71外,而能獲得與上述第4實施樣態所構成之 效果相同的效果。 20 又,於晶圓載體13所支持之各晶圓2表面周緣方向之 相互對向之乾燥室71側面形成上述多數孔部71a而使純水 40之液面側純水通過孔部71a並予以排液的情形下,能從 液面中央附近朝向各個上述側面於液面上發生各晶圓2表 面周緣之相反二個方向的流動,各晶圓2之一部分露出於 71 589676 玖、發明說明 純水40之液面時,能將鄰接之各個晶圓2之間的液面側純 水以上述相反之二個方向的流動來排液,且能良好地達到 上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁之溶入IPA的純 水及浮游之異物的排出性。 5 (第7實施樣態) 其次,本發明之第7實施樣態之基板乾燥裝置之一例 的晶圓乾燥裝置106並非如上述第4實施樣態之晶圓乾燥 裝置101等那般用將乾燥室1之純水40的液面側純水之排 液,以導管部昇降機構14來使導管部66下降,以導管部 1〇 排液機構16來排出已流入導管部66內的液體,而係以不 同方法進行上述液面側純水之排液者,除此之外的構成均 相同。以下僅說明此不同部分。又,以第23圖表示此晶圓 乾燥裝置106的縱斷面圖。 如第23圖所示,於晶圓乾燥裝置106,在晶圓載體13 15 所支持之各晶圓2表面周緣方向中的乾燥室1側面內側近 旁具備有具有吸入口 86a之多數排液管86。上述排液管86 之吸入口 86a於上述各個側面周緣以一列且一定的間隔來 配列。又,各排液管86於各個吸入口 86a之高度位置保持 略水平的狀態下,可沿著乾燥室1之上述各個側面而昇降 20 〇 又,雖未以圖式顯示,惟於晶圓乾燥裝置106進行各 排液管86之上述昇降動作的昇降機構具有與上述第4實施 樣態之導管部昇降機構14相同的構造,又,藉著排液管 86而將從各吸入口 86a吸入之液體予以排液之排液機構具 72 589676 玖、發明說明 有與上述第4實施樣態之導管排液機構16相同的構造。 又,以上述昇降機構進行之各排液管86之昇降動作, 係在各吸入口 86a從乾燥室1之上端近旁的高度位置至比 晶圓載體13所支持之各晶圓2下端更下側的高度位置之間 5 進行。 如此一來,於純水40呈滿水狀態之乾燥室1,將吸入 口 86a位於乾燥室1上端近旁之高度位置狀態之各排液管 86藉著上述昇降機構而以一定的速度緩緩地下降,且藉上 述排液機構吸入各吸入口 86a近旁的液體而藉由各排液管 10 86進行排液動作,藉此,能藉由各吸入口 86a而將純水40 之液面側純水予以排液。而且,使各排液管86以一定的速 度下降而能使純水40之液面以一定的速度下降,而能使各 晶圓2露出於液面上。 依據上述第7實施樣態,並非如上述第4實施樣態之 15 晶圓乾燥裝置1〇1那般地進行排液,乃不使用導管部6而 直接從排液管86之吸入口 86a將上述液面側純水予以排液 的情形亦可獲得與上述第4實施樣態所構成之效果相同的 效果。 又,於晶圓載體13所支持之各晶圓2表面周緣方向之 20 相互對向之乾燥室71側面具有多數排液管86,藉此,將 純水40之液面側純水通過吸入口 86a而向排液管86排液 的情形下,能從液面中央附近朝向各個吸入口 86於液面上 發生各晶圓2表面周緣之相反二個方向的流動,各晶圓2 之一部分露出於純水40之液面時,能將鄰接之各個晶圓2 73 589676 玖、發明說明 之間的液面側純水以上述相反之二個方向的流動來排液, 且能良好地達到上述各個晶圓2之間的液面或是液面近旁 之溶入IPA的純水及浮游之異物的排出性。 又,以適宜地組合上述各種實施樣態之中任意的實施 5 樣態而能達到各別所具有的效果。 依據本發明之上述第1樣態,係可提供一種基板乾燥 方法,該方法係使浸泡於乾燥室中之純水內之基板露出於 上述純水液面上之際,非藉著僅從上述乾燥室之底面進行 上述純水的排液,且非藉著上述基板本身從上述純水抽起 10 ,而係與上述基板一同使浸泡著上述基板之上述純水上昇 且從上述純水中的液面或液面近旁使液面側純水排液,藉 此,能使上述基板從上述液面露出。藉此,於上述基板從 上述液面露出之際,能防止浮游於上述液面或上述液面近 旁之異物等附著於上述基板表面。 15 又,可提供一種基板乾燥方法,該方法係浸泡於上述 乾燥室之上述純水內的基板從上述液面露出,係藉著將上 述液面側純水予以排液而進行,因此,即使供給至上述液 面上之空間內之氣體狀或液滴狀異丙醇溶入上述純水之上 述液面或上述液面近旁的情形下,亦能連續地將上述液面 20 側純水即係溶入上述異丙醇之純水予以排液。藉此能防止 上述液面或上述液面近旁之上述純水中增大上述異丙醇的 溶入量,而能提昇上述純水中的純水與上述氣體狀或上述 液滴狀之異丙醇的置換效率,藉此能提昇晶圓之乾燥效率 而防止發生晶圓表面之乾燥不均。 74 589676 玖、發明說明 又,可提供一種基板乾燥方法,該方法係藉著與上述 基板一同使浸泡著上述基板之上述純水上昇且從上述液面 側純水排液,因此能防止於上述純水中會擴散溶入上述純 _ 水中之上述異丙醇及浮游之異物的流動(即,渦流等亂流) 5 。因此,於上述基板露出之際,以防止擴散上述異物等之 流動的狀態而能進行上述液面側純水之排液,而能良好地 達到上述液面或是液面近旁之溶入上述異丙醇的純水及浮 游之異物等的排出性。 ® 依據本發明之上述第2樣態,係藉著下降乾燥室而即 10 使是與上述基板一同使浸泡著上述基板之上述純水相對於 上述乾燥室而相對性地上昇的情形下,亦可一邊進行上述 相對性的上昇且一邊從上述純水之液面或液面近旁進行液 面側純水的排液,而能獲得與上述第1樣態所構成之效果 相同的效果。 15 依據本發明之上述第3樣態,係可提供一種基板乾燥 方法,該方法係於使上述乾燥室內之上述純水排液之際, * 與上述基板一同使浸泡著上述基板之上述純水上昇,用以 進行上述純水之上述液面側純水的排液,而比較於例如藉 | 著下降設於乾燥室內之導管部等排液裝置而進行上述液面 2〇 側純水之排水的情形,乃於上述排液中,上述純水之上述 液面位置與供給上述液面上方之空氣或惰性氣體、以及氣 體狀或液滴狀之異丙醇的上述空間位置能設成相互固定的 狀態。藉此,從上述基板之上述液面之開始露出至露出結 束(即,從上述基板之開始乾燥處理至結束)能穩定地對上 75 玖、發明說明 述空間內及上述液面上供給上述氣體狀或上述液滴狀之異 丙醇,能使上述基板露出之際附著於上述基板表面上之純 水與上述氣體狀或上述液滴狀之異丙醇的置換效率穩定化 ’而能防止發生上述基板表面之乾燥不均。 5 依據本發明之上述第4樣態,係可提供一種基板乾燥 方法,該方法係將各個表面配列成相互略平行且略正交於 上述純水之液面之多數的上述基板而浸泡於上述純水內, 將上述液面側純水之排液沿著上述液面且沿著上述基板的 表面的流動而進行,藉此,上述各基板之一部分露出於上 10 述純水之上述液面的情形下,能良好地達到鄰接之各個上 述基板之間的上述液面側純水之排液性,且能良好地達到 從上述各基板之上述液面露出之際,溶入上述液面側純水 之上述異丙醇及上述異物等的排出性。 依據本發明之上述第5樣態,係可提供一種基板乾燥 15 方法,該方法係於上述純水之上述液面側純水排液之際’ 藉合倂進行從上述乾燥室之底面近旁進行上述純水之排液 ,而能進行上述液面側純水之排液且縮短化上述純水之排 液所需要的時間,因此再加上上述第1至第4樣態之各個 效果而能進行更有效率之基板的乾燥。 20 依據本發明之上述第6樣態,係可提供一種基板乾燥 方法,該方法係於進行上述液面側純水之排液時,進而從 上述乾燥室之底面近旁供給純水,藉此,藉新供給的純水 而積極地將上述純水中浮游的的異物等推上向上述液面側 而與液面側純水一同更迅速地且更滑順地排出,且能防止 76 玖、發明說明 i:述異物等附著於上述基板表面。 依據本發明之上述第7樣態,上述惰性氣體係藉使用 氮氣而能達到良好處理性者。 依據本發明之上述第8樣態,係可提供一種基板乾燥 5 方法,該方法係上述基板爲要求表面淸潔性等晶圓或液晶 玻璃基板的情形下,可獲得上述各個樣態中的效果。 依據本發明之上述第9樣態,係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係使浸泡於乾燥室中之純水內之基板露出於 上述純水液面之際,非藉著僅從上述乾燥室之底面進行上 10 述純水的排液,且非上述基板本身從上述純水抽起,而係 能藉著上述排液裝置而使上述可動地板上昇並與上述基板 一同使浸泡著上述基板之上述純水上昇,且從上述純水中 的液面或液面近旁使液面側純水排液而使上述基板露出於 上述液面。藉此,能防止上述基板從上述液面露出之際, 15 浮游於上述液面或上述液面近旁之異物等附著於上述基板 表面。 又,可提供一種基板乾燥裝置,該裝置係浸泡於上述 乾燥室之上述純水內的基板從上述液面露出,係藉著將上 述液面側純水予以排液而進行,因此,即使供給至上述液 20 面上方之空間內之氣體狀或液滴狀異丙醇溶入上述純水之 上述液面或上述液面近旁的情形下,亦能藉上述排液裝置 而連續地將上述液面側純水即係溶入上述異丙醇之純水予 以排液。藉此能防止上述液面或上述液面近旁之上述純水 中增大上述異丙醇的溶入量,而能提昇上述純水與上述氣 77 玖、發明說明 體狀或上述液滴狀之異丙醇的置換效率,藉此能達到提昇 上述基板之乾燥效率而防止發生上述基板表面之乾燥不均 0 又,可提供一種基板乾燥裝置,該裝置係藉著與上述 基板一同使浸泡著上述基板之上述純水上昇且從上述液面 側純水排液,因此能防止於上述純水中會擴散溶入上述純 水中之上述異丙醇及浮游之異物的流動(即,渦流等亂流) 。因此,於上述基板露出之際,以防止擴散上述異物等之 流動的狀態而能進行上述液面側純水之排液,而能良好地 達到上述液面或是液面近旁之溶入上述異丙醇的純水及浮 游之異物等的排出性。 依據本發明之上述第10樣態,係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係上述乾燥室內之上述純水的排液,藉上述 排液裝置而與上述基板一同使浸泡著上述基板之上述純水 上昇而用以進行上述純水之上述液面側純水的排液,於上 述排液中,藉上述純水之上述液面位置與上述異丙醇供給 裝置,供給空氣或惰性氣體、以及氣體狀或液滴狀之異丙 醇的上述液面上之上述空間位置能設成相互固定的狀態。 藉此,從上述基板之上述液面之開始露出至露出結束(即, 從上述基板之開始乾燥處理至結束)藉著上述異丙醇供給裝 置而能穩定地對上述空間內及上述液面上供給上述氣體狀 或上述液滴狀之異丙醇,能使上述基板露出之際附著於上 述基板表面上之純水與上述氣體狀或上述液滴狀之異丙醇 的置換效率穩定化。因此,能防止發生上述基板表面之乾 589676 玖、發明說明 燥不均。 依據本發明之上述第11樣態,係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係具有設於上述乾燥室之底面且支持上述基 板之基板支持機構、及使上述乾燥室之上述底面昇降的底 5面昇降裝置,藉上述底面昇降機構而上昇上述乾燥室之上 述底面,使上述基板支持機構所支持之上述基板與浸泡上 述基板之上述純水一同上昇,同時於上述乾燥室之上部藉 使上述液面側純水溢流而能將上述液面側純水予以排液, 而能獲得與上述第9樣態所構成之效果相同的效果。 10 依據本發明之上述第12樣態,係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係具有於上述乾燥室可將上述純水區隔成上 述液面側之上部純水槽與上述乾燥室之底面側的下部純水 槽的可動地板、設於上述可動地板且於上述上部純水槽內 支持已浸泡於上述純水之上述基板的基板支持機構、及使 15 上述乾燥室之上述可動地板昇降昇降的可動地板昇降裝置 ,且藉上述可動地板昇降裝置而使上述乾燥室之上述可動 地板上昇,並使上述上部純水槽與上述下部純水槽之區分 位置上昇,而使上述基板支持機構所支持之上述基板與上 述上部純水槽之上述純水一同上昇,同時於上述乾燥室之 2〇 上部使上述液面側純水溢流而能將上述液面側純水予以排 液,而能獲得與上述第9樣態所構成之效果相同的效果。 依據本發明之上述第13樣態,係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係加上上述第12樣態所構成之效果,而更進 一步,上述可動地板藉著上述可動地板昇降裝置而沿著上 79 589676 玖、發明說明 述乾燥室之內側上昇的情形下’因應此上昇量而從純水供 給部將相稱於上述下部純水槽之容積增加份量的純水供給 至上述下部純水槽,因此即使上述可動地板之周部與乾燥 室內側之間存在有不會相互接觸程度之間隙的狀態下,亦 5 能藉著上述可動地板之上昇而僅上昇上述上部純水槽中的 上述純水以進行僅上述液面側純水的排液。藉此,能不必 要將上述可動地板之周部與上述乾燥室內側之間的上述間 隙予以塡埋(或密封),而可防止於塡埋上述間隙時可能發 生的摩擦而造成異物的產生,且能防止在上述乾燥室之上 10 述純水內產生異物的情形。 而且,可提供一種基板乾燥裝置,該裝置係隨著上述 可動地板的上昇,藉著上述可動地板上昇而相稱於上述下 部純水槽之容積增加份量的純水可供給至上述下部純水槽 ,因此,可於上述可動地板之周部與上述乾燥室內側之間 15 的上述間隙幾乎不發生純水的流動。因此,能於浸泡著上 述基板之上述上部純水槽不發生流入上述純水所構成之渦 流等亂流,即使於上述液面之上述液面側純水的流動亦能 良好地達到於上述露出的上述各基板間的上述液面或是上 述液面近旁之溶入上述異丙醇的純水及浮游之異物的排出 20 性。 依據本發明之上述第14樣態,該裝置係藉上述排液機 構且藉下降上述乾燥室而使設置於上述液移動板相對於上 述乾燥室可相對地上昇,使上述基板與浸泡著上述基板之 上述純水相對於上述乾燥室相對性地一同上昇,且於進行 80 589676 玖、發明說明 上述液面側純水之排液的情形下亦能獲得與上述第9樣態 所構成之效果相同的效果。 依據本發明之上述第15樣態’藉使用氮氣作爲上述惰 性氣體而能有良好的處理性。 5 依據本發明之上述第16樣態’係可提供一種基板乾燥 裝置,該裝置係將各個表面配列成相互略平行且略正交於 上述純水之液面之多數的上述基板而浸泡於上述純水內, 將上述液面側純水之排液沿著上述液面且沿著上述基板的 表面的流動而進行,藉此,上述各基板之一部分露出於上 10 述純水之上述液面的情形下,能良好地達到在鄰接之各個 上述基板間之上述液面側純水的排液性,於上述各基板露 出於上述液面之際,能良好地達到鄰接之各個上述基板之 間的液面或是液面近旁之溶入上述異丙醇的純水及浮游之 異物等的排出性。 15 本發明以參照所附圖式而充分地記載有關最佳實施樣 態’對於熟習此項技術者可瞭解能作各種的變形或修正。 且可瞭解如此變形或修正只要不脫離所附申請專利範圍所 記載之本發明的範圍下均包含在本案發明中。 【圖式簡單說明】 20 第1圖是有關本發明之第1實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第2圖是第1圖之晶圓乾燥裝置的F一F線縱斷面圖; 第3圖是第1圖之晶圓乾燥裝置的g一g線縱斷面圖; 第4圖是表示上述第丨實施樣態之晶圓乾燥裝置之槪 81 玖、發明說明 略構成的流向圖; 第5A圖是表示上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之乾 燥室上部的擴大平面圖,第5B圖是第5A圖之乾燥室上部 之Η—Η線斷面圖; 第6Α圖是上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之霧化噴 霧裝置的平面圖,第6Β圖是上述霧化噴霧裝置的斷面圖; 第7Α圖是上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置之晶圓保 持鸟之部分擴大正面圖,第7Β圖是第7Α圖之晶圓保持具 的側面圖; 第8圖是有關本發明之第2實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第9圖是第8圖之晶圓乾燥裝置的I 一 I線縱斷面圖; 第10圖是第8圖之晶圓乾燥裝置的線縱斷面圖 第11圖是有關本發明之第3實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縦斷面圖; 第12圖是有關本發明之第4實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縦斷面圖; 第13圖是第12圖之晶圓乾燥裝置的Α-Α線縱斷面圖 第14圖是第12圖之晶圓乾燥裝置的B— B線縱斷面圖 第15圖是表示上述第4實施樣態之晶圓乾燥裝置之槪 略_成的流向圖; 82 589676 玖、發明說明 第16A圖是上述第4實施樣態之晶圓乾燥裝置之導管 部的擴大平面圖;第16B圖是第16A圖之導管部的E-E線 斷面圖; 第17圖是有關上述本發明之第4實施樣態之變形例之 5 晶圓乾燥裝置的縱斷面圖; 第18圖是第17圖之晶圓乾燥裝置的C一 C線縱斷面圖 第19圖是有關上述本發明之第4實施樣態之其他變形 例之晶圓乾燥裝置的縱斷面圖; 10 第20圖是第19圖之晶圓乾燥裝置的D— D線縱斷面圖 第21圖是有關本發明之第5實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第22圖是有關本發明之第6實施樣態之晶圓乾燥裝置 15 的縱斷面圖; 第23圖是有關本發明之第7實施樣態之晶圓乾燥裝置 的縱斷面圖; 第24圖是有關本發明之第1實施樣態之變形例之晶圓 乾燥裝置之乾燥室的模式說明圖; 20 第25A圖及第25B圖各別表示於有關上述第1實施樣 態之變形例之晶圓乾燥裝置化乾燥室進行晶圓上昇狀態的 模式說明圖,第25A圖是晶圓尙完全浸泡在純水中狀態的 模式說明圖,第25B圖是晶圓之一部份露出於純水液面上 方狀態的模式說明圖; 83 589676 玖、發明說明 第26圖表示有關本發明之第1實施樣態之晶圓乾燥裝 置之液滴供給裝置之變形例之液滴供給裝置之模式化構造 的模式斷面圖; 第27圖表示於上述第1實施樣態之晶圓乾燥裝置,使 用空氣取代氮氣情形之槪略構成的流向圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 2 晶圓 3 液滴供糸織置 3a 氮氣用腦 3b 氮氣^噴顔 3c IPA用通路 3d IPA用噴t 3e、3f噴射孔 16 導管部排 16a 吸入口 16b 纖管 5 6 空間 7 導管部 6a 三角堰 7 手動閥 8 第5 9 繼固定部 14 晶圓載體 15 導管購· 14a ί麵尉飄[ 14b 驅動部 14c 讎識 14d講框 14e 導引部 16c 16d 17 17a 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 29 30 31 32 可撓艙 担酿口 臟口 排液口 瀬閥 第2麵閥 過濾器 用僦綱 第3麵閥 過讎 十 第4氣動閥 麵閥 第1涵閥mm-f 84 589676 玖、發明說明 34 第7氣動閥 46 第6氣動閥 39 過濾器 40 純水 40a 上部糸Φ/嫌 40b 下部刪曹 40s 液面 43 排麵各 44 §mm^ 45 糸W共給遍 46 §mm 47 控制裝置 56 導離 66 導管部 66a 孔部 71 mm. 71a 孔部 72 纖器 73 mmrnmn 74 頂接板 86 臟管 86a 吸入口 101〜106 晶圓乾噪裝置 201 乾矂室 201a 三角堰 210 賴共糸娜 211 蓋 212 _室 213 晶圓勝具 213a晶圓支持部 213b 框 214 間隨昇降櫬冓 214a滾珠纖鞞獅 214b驅®鄺 214c螺隱 214d昇降框 214e導引部 215機台 217 臟麵 217a g随口 218 臟口 219 臟口 251 間隠反 251a密封構件 F卜F2 表面流動 301 乾噪室 312 _室 314 底音麵櫬冓 314a 鍵胤 314b 昇降導引件 315 機台 350 底部 350a密邏件 401 乾燥
85 589676 玖、發明說明 409 晶圓固定部 410 純水供給部 412 處理室 414 mmmrnn 414a 氣動缸 414b 昇購引件 415 機台 418 賺口 419 担酿口 450 間隱反 502 晶圓乾矂裝置 503 晶圓車湯裝置 504 晶圓乾燥裝置 603 液滴供糸纖置 603a 上部側本離 603b 下部側本體部 604 供給孔 605 第1溝部 606 第2溝部 607 氮氣供給用醒 6〇7a MMmmmi 608 供糸合用各 609 IPA供給用醒 610 頂獅

Claims (1)

  1. 589676 拾、申請專利範圍 1· 一種基板乾燥方法,係使浸泡在乾燥室(201、301)內之 純水(40)內的基板(2)從上述純水露出而使該基板乾燥的 基板乾燥方法,其特徵在於: 對上述乾燥室內之上述純水之液面上的空間內,供給 5 空氣或惰性氣體、以及氣體狀或液滴狀的異丙醇; 使上述基板與浸泡著上述基板之上述純水一同上昇, 同時使液面側純水從上述純水之液面或液面近傍排液,而 使上述基板在上述乾燥室內從上述純水露出於上述液面上 方,同時使附著於上述露出之基板表面的上述純水藉上述 10 氣體狀或上述液滴狀之上述異丙醇而置換; 之後,使上述異丙醇從上述基板表面蒸發而使上述基 板乾燥。 2. 如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中,前 述液面側純水之排液係以使相對於上述空間之上述液面位 15 置固定的狀態而進行。 3. 如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中, 使前述乾燥室下降而將前述浸泡著基板之前述純水與前述 基板一同對於前述乾燥室相對地上昇’同時從前述純水之 液面或前述液面近旁將前述液面側純水予以排液。 20 4.如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中, 浸泡於前述純水內的基板係將各個表面配列成相互略平行 且略正交於前述純水之液面之多數的基板,前述液面側純 水之排液係沿著前述液面且沿著前述各個基板的表面的流 動而進行。 87 589676 拾、申請專利範圍 5.如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中, 從前述純水之前述液面或前述液面近旁進行前述液面側純 水之排液時’係使前述純水從前述乾燥室之底面近旁排液 〇 5 6.如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中, 從前述純水之前述液面或前述液面近旁進行前述液面側純 水之排液時’係使前述純水從前述乾燥室之底面近旁供給 〇 7.如申請專利範圍第1項所述之基板乾燥方法,其中,前 10 述惰性氣體爲氮氣。 8·如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6或7項所述之基板 乾燥方法,其中,前述基板爲晶圓或液晶玻璃基板。 9.一種基板乾燥裝置,係具有: 乾燥室(201、301),係可將基板(2)浸泡於純水(40) 15 內; 異丙醇供給裝置(3、603),係可對前述乾燥室內之前 述純水之液面上的空間(4)內,供給空氣或情性氣體、以 及氣體狀或液滴狀的異丙醇;及 排液裝置(214、314),係使設置於前述乾燥室內之可 2〇 昇降的可動地板(250、350)上昇,使前述基板與浸泡著前 述基板之前述純水一同上昇,同時從前述純水之液面或液 面近旁將液面側純水予以排液; 且藉前述排液裝置使前述可動地板上昇而使前述基板 與前述液面側純水上昇,同時使前述液面側純水排液,在 88 589676 拾、申請專利範圍 前述乾燥室內從前述純水將前述基板露出比前述液面更上 方,同時藉前述氣體狀或前述液滴狀之前述異丙醇置換附 著於前述露出之基板表面的前述純水’之後’藉從前述基 板表面蒸發前述異丙醇而能使前述基板乾燥。 5 10.如申請專利範圍第9項所述之基板乾燥裝置,其中, 前述排液裝置所造成之前述液面側純水的排液係以固定相 對於前述空間之前述液面位置的狀態而進行。 11.如申請專利範圍第9項所述之基板乾燥裝置,其中, 前述可動地板爲前述乾燥室之底面(350) ’且前述排液裝 10 置係使前述底面昇降的底面昇降裝置(314),且具有支持 前述基板之基板支持機構(9),並藉前述底面昇降機構而 上昇前述乾燥室之前述底面,使前述純水與藉前述基板支 持機構而支持之前述基板一同上昇,同時於前述乾燥室之 上部藉使前述液面側純水溢流而排液。 15 12·如申請專利範圍第9項所述之基板乾燥裝置,其中, 於前述乾燥室,前述可動地板將前述純水區隔成前述液面 側之上部純水槽與前述乾燥室之底面側的下部純水槽,前 述排液裝置係使前述可動地板昇降的可動地板昇降裝置, 具有設於前述可動地板且於前述上部純水槽內支持已浸泡 20 於前述純水之前述基板的基板支持機構,且藉前述可動地 板昇降裝置而使前述乾燥室之前述可動地板上昇,並使前 述上部純水槽與前述下部純水槽之區分位置上昇,而使前 述基板支持機構所支持之前述基板與前述上部純水槽之前 述純水一同上昇,同時於前述乾燥室之上部使前述液面側 89 589676 拾、申請專利範圍 純水溢流而排液。 13·如申請專利範圍第12項所述之基板乾燥裝置,其中 ,具有將純水供給至前述乾燥室之前述下部純水槽之純水 供給機構(210),藉前述可動地板昇降裝置而使前述乾燥 5 室之前述可動地板上昇,並使前述上部純水槽與前述下部 純水槽之區分位置上昇,同時藉前述純水供給機構並因應 前述區分位置而將純水供給至前述下部純水槽。 14.一種基板乾燥裝置,係具有: 乾燥室(401),係可將基板(2)浸泡於純水(40)內; 10 異丙醇供給裝置(3、603),係對前述乾燥室內之前述 純水之液面上的空間(4)內,供給空氣或惰性氣體、以及 氣體狀或液滴狀的異丙醇;及 排液裝置(414),係藉下降前述乾燥室而使設置於前 述乾燥室內之相對於前述乾燥室可相對地昇降的液移動板 15 (450)相對地上昇,使前述基板與浸泡著前述基板之前述 純水相對於前述乾燥室相對地一同上昇,同時從前述純水 之液面或液面近旁將液面側純水予以排液; 且藉前述排液裝置使前述乾燥室下降,而使前述液移 動板與前述基板及前述純水相對於前述乾燥室相對地上昇 2〇 ,同時使前述液面側純水排液,在前述乾燥室內從前述純 水將前述基板露出比前述液面更上方,同時藉前述氣體狀 或前述液滴狀之前述異丙醇置換附著於前述露出之基板表 面的前述純水,之後,藉從前述基板表面蒸發前述異丙醇 而能使前述基板乾燥。 90 589676 拾、申請專利範圍 15. 如申請專利範圍第9或14項所述之基板乾燥裝置, 其中前述惰性氣體爲氮氣。 16. 如申請專利範圍第9、10、11、12、13或14項所述 之基板乾燥裝置,其中前述浸泡於前述純水內的基板係將 ^ « 5 各個表面配列成相互略平行且略正交於前述純水之液面之 多數的基板,前述液面側純水之排液係沿著前述液面且沿 著前述各個基板的表面的流動而進行。 91
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
JP3560962B1 (ja) * 2003-07-02 2004-09-02 エス・イー・エス株式会社 基板処理法及び基板処理装置
KR100564582B1 (ko) * 2003-10-28 2006-03-29 삼성전자주식회사 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법
TWI240952B (en) * 2003-10-28 2005-10-01 Samsung Electronics Co Ltd System for rinsing and drying semiconductor substrates and method therefor
WO2006014293A2 (en) * 2004-07-02 2006-02-09 Aqualizer, Llc Moisture condensation control system
JP4527670B2 (ja) 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
CN101210769B (zh) * 2006-12-25 2010-04-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片干燥方法及装置
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
US20120103371A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Lam Research Ag Method and apparatus for drying a semiconductor wafer
JP6061484B2 (ja) * 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
CN102768972B (zh) * 2012-07-11 2015-02-18 清华大学 晶圆干燥装置
DE102014101484A1 (de) 2014-02-06 2015-08-06 Marco Systemanalyse Und Entwicklung Gmbh Verbindungssystem
US10490426B2 (en) 2014-08-26 2019-11-26 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
CN105759572B (zh) * 2016-03-07 2019-11-26 武汉华星光电技术有限公司 气流流向调整系统
US10119191B2 (en) * 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
CN107246765B (zh) * 2017-06-30 2019-05-28 深圳市华星光电技术有限公司 一种烘干装置
CN107845590B (zh) * 2017-11-02 2020-03-31 德淮半导体有限公司 清洗装置
CN109817511A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种硅片批量清洗干燥方法及装置
US11300356B2 (en) * 2017-12-06 2022-04-12 Qualicaps Co., Ltd. Drying device for columnar structure, and method for manufacturing columnar structure
CN109719071B (zh) * 2019-01-22 2024-08-02 上海提牛科技股份有限公司 一种晶片清洗干燥机
CN110828343A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 苏州晶洲装备科技有限公司 一种基板干燥装置和方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103686A (ja) 1992-09-17 1994-04-15 Csk Corp リーダーライタ装置
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3151613B2 (ja) * 1997-06-17 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6167323A (en) * 1997-08-12 2000-12-26 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling gas system
JP3043709B2 (ja) * 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
US6368040B1 (en) * 1998-02-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of transporting substrates to be processed
US6219936B1 (en) * 1998-11-24 2001-04-24 Toho Kasei Co., Ltd. Wafer drying device and method
JP3247673B2 (ja) * 1998-11-24 2002-01-21 東邦化成株式会社 ウェハ乾燥装置及び方法
TW499696B (en) * 1999-04-27 2002-08-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
KR100375005B1 (ko) 2000-07-26 2003-03-06 한주테크놀로지 주식회사 웨이퍼 클리닝 설비 및 이의 클리닝 방법
JP4069315B2 (ja) 2001-01-12 2008-04-02 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
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