JP2003289063A - 基板乾燥方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 純水中よりの基板の露出の際に、上記基板の
表面への異物付着量を低減することができ、さらに、基
板の乾燥効率を向上させて乾燥むらを無くすことができ
る基板乾燥方法及び装置を提供する。 【解決手段】 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間
内にイソプロピルアルコールを供給し、上記純水の液面
において、上記乾燥室の上記側面近傍に備えられた複数
の液面純水吸引孔より純水を吸引して強制的に排液し、
上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの方向の表面流れ
を形成しながら液面側純水を排液させて上記液面を下降
させ、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面
より上方に露出させて、それとともに、上記露出された
基板の表面の純水を上記イソプロピルアルコールにより
置換させて上記基板を乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水中に浸漬され
ている基板を純水中から取り出すとき、酸素に触れさせ
ることなく基板表面を乾燥させる基板乾燥方法及び装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、特公平６−１０３６８６号公報に
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、
エッチング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
る基板の一例であるウェハの処理槽内の上部空間内に供
給するようにしている。そして、処理槽の純水を処理槽
底部から排水することにより、処理槽内でウェハを露出
させ、処理槽の上部空間に供給されたＩＰＡ蒸気が露出
したウェハの表面に付着した水滴と置換して、ウェハ表
面が酸素に触れて自然酸化することなく、乾燥させるよ
うにしている。

【０００３】また、処理槽の純水を処理槽底部から排水
することにより、処理槽内でウェハを露出させる場合に
代えて、ウェハを処理槽内より引き上げることにより、
処理槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給
されたＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水
滴と置換して乾燥させるようにしている乾燥装置もあ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、ウェハの純水による洗浄の際に発生した
異物が処理槽の純水液面付近に浮遊した状態となるが、
処理槽内の純水を処理槽底部から排水することによって
処理槽内でのウェハの露出を行うため、処理槽内におけ
る底部近傍の純水から順次排水が行われて、上記異物が
浮遊している液面近傍の純水の排水は最後に行われるこ
ととなるため、上記液面よりウェハの露出の際に上記浮
遊している異物がウェハの表面に付着するという問題が
ある。

【０００５】また、上記構造のものでは、処理槽底部か
ら純水の排水を行うことによりウェハの露出を行ってい
るため、処理槽の上記液面における純水は最後まで排水
されず、上記液面においてＩＰＡの溶け込み量が時間の
経過とともに増大することとなり、上記液面の純水中の
ＩＰＡの濃度及びＩＰＡが溶け込んだ層の厚みも厚くな
り、上記置換効率が低下することにより上記乾燥効率が
低下し、ウェハ表面における乾燥むらが発生するという
問題点がある。

【０００６】また、処理槽内の上記純水液面よりの引き
上げによるウェハの露出を行うような場合にあっても、
同様に異物がウェハの表面に付着するという問題が発生
するとともに、さらに、ウェハ引き上げ時において純水
液面に揺れが発生することにより、ウェハ表面における
乾燥むらが発生するという問題がある。

【０００７】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、純水中よりの基板の露出の際に、上
記基板の表面への異物付着量を低減することができ、ま
た、上記液面の純水に溶け込んだＩＰＡの濃度の上昇及
びＩＰＡが溶け込んだ純水層の厚さが厚くなるのを防ぐ
ことができ、さらに、基板の乾燥効率を向上させて乾燥
むらを無くすことができる基板乾燥方法及び装置を提供
することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。

【０００９】本発明の第１態様によれば、夫々の表面を
互いに略平行かつ乾燥室内の純水の液面と略直交するよ
うに配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板を上
記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法におい
て、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガ
ス及びガス状又はミスト状のイソプロピルアルコールを
供給し、上記純水の液面において、上記乾燥室における
互いに対向する夫々の側面のうちの少なくとも一方の上
記側面近傍に備えられた複数の液面純水吸引孔より純水
を吸引して強制的に排液し、上記強制的な純水の排液で
もって上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの方向の表
面流れを形成しながら、上記表面流れでもって上記純水
の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて上
記液面を下降させ、上記乾燥室内で上記純水から上記基
板を上記液面より上方に露出させて、それとともに、上
記露出された基板の表面に付着した純水が上記ガス状又
は上記ミスト状の上記イソプロピルアルコールにより置
換され、その後、上記基板の表面から上記イソプロピル
アルコールが蒸発することにより上記基板が乾燥される
ようにしたことを特徴とする基板乾燥方法を提供する。

【００１０】本発明の第２態様によれば、上記表面流れ
は、少なくとも上記液面における上記基板が露出される
部分において形成されている第１態様に記載の基板乾燥
方法を提供する。

【００１１】本発明の第３態様によれば、上記純水から
上記基板を上記液面より完全に露出させるまで、上記乾
燥室内において上記基板を固定させておく第１態様又は
第２態様に記載の基板乾燥方法を提供する。

【００１２】本発明の第４態様によれば、上記液面側純
水の排液の際に、さらに上記乾燥室の底面近傍よりも上
記純水を排出させる第１態様から第３態様のいずれか１
つに記載の基板乾燥方法を提供する。

【００１３】本発明の第５態様によれば、上記基板は、
ウェハ又は液晶ガラスである第１態様から第４態様のい
ずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。

【００１４】本発明の第６態様によれば、互いに対向す
る側面を備え、かつ純水内に夫々の表面を互いに略平行
にかつ上記純水の液面と略直交するように配列された複
数の基板を上記純水内に浸漬可能な乾燥室と、上記乾燥
室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガス及びガス状
若しくはミスト状のイソプロピルアルコールを供給する
置換媒体供給装置と、上記純水の液面において、上記乾
燥室の互いに対向する側面のうちの少なくとも一方の上
記側面近傍に備えられかつ純水を吸引可能な複数の液面
純水吸引孔を有し、かつ上記一方の側面近傍にて上記複
数の液面純水吸引孔より純水を吸引して強制的に排液
し、上記強制的な純水の排液でもって上記液面沿いかつ
上記基板の表面沿いの方向の表面流れを形成しながら、
上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍
より液面側純水を排液させて上記液面を下降させる強制
排液装置とを備えて、上記強制排液装置により形成され
た上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近
傍より上記液面側純水を排液しながら上記液面を下降さ
せ、上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出さ
せて、それとともに、上記露出された基板の表面に付着
した上記純水が上記置換媒体供給装置により供給された
上記ガス状又は上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
ールにより置換され、その後、上記基板の表面から上記
イソプロピルアルコールが蒸発することにより上記基板
が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置
を提供する。

【００１５】本発明の第７態様によれば、上記強制排液
装置は、上記乾燥室内の上記互いに対向する夫々の側面
近傍に備えられた上記複数の液面純水吸引孔を有し、か
つ上記夫々の液面純水吸引孔より上記液面側純水を吸引
して強制的な排液を行う液面純水排液機構と、上記乾燥
室内において上記夫々の液面純水吸引孔を同期させて昇
降させる昇降機構とを備え、上記乾燥室内において、上
記液面純水排液機構により上記夫々の液面純水吸引孔よ
り上記液面側純水を吸引して強制的に排液して上記液面
を下降させながら、上記昇降機構により上記液面の下降
に合わせて上記夫々の液面純水吸引孔を下降させて、上
記表面流れを形成する第６態様に記載の基板乾燥装置を
提供する。

【００１６】本発明の第８態様によれば、上記液面純水
排液機構は、上記夫々の液面純水吸引孔を通して上記液
面側純水を直接的に吸引して排液させる吸引排液部を備
えている第６態様又は第７態様に記載の基板乾燥装置を
提供する。

【００１７】本発明の第９態様によれば、上記表面流れ
は、少なくとも上記液面における上記基板が露出される
部分において形成されている第６態様から第８態様のい
ずれか１つに記載の基板乾燥装置を提供する。

【００１８】本発明の第１０態様によれば、第６態様か
ら第９態様のいずれか１つに記載の基板乾燥装置におい
て、上記基板を支持する基板支持機構をさらに備え、上
記強制排液装置による上記純水の排液により上記純水か
ら上記基板を上記液面より完全に露出させるまで、上記
基板支持機構による上記基板の支持位置を上記乾燥室内
において固定させておく基板乾燥装置を提供する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００２０】本発明の第１実施形態にかかる基板乾燥装
置は、基板の一例としてウェハの乾燥を行うウェハ乾燥
装置３０１であり、ウェハ乾燥装置３０１の縦断面図を
図１に、図１におけるＡ−Ａ断面図を図２に、図１にお
けるＢ−Ｂ断面図を図３に示す。また、ウェハ乾燥装置
３０１の概略構成を示すフロー図を図４に示す。なお、
本発明において用いられる基板には、上記ウェハの他
に、液晶パネル基板（液晶ガラス基板）等がある。

【００２１】図１、図２、図３及び図４に示すように、
ウェハ乾燥装置３０１は、上面全体が開放されかつ４つ
の側面及び底面を備えた略直方体状の箱体形状を有し、
かつその内部に純水４０を収容可能であって、かつ円盤
状の複数のウェハ２を上記収容された純水４０内に浸漬
させて洗浄後に乾燥可能な乾燥室１と、略直方体状の箱
体形状を有してその内部に密閉可能な空間４を有し、か
つ乾燥室１がその内部に固定されて設置されている処理
室１２とを備えている。

【００２２】また、乾燥室１は、複数のウェハ２をその
表面を鉛直方向に略平行かつ一定間隔でもって夫々の表
面を略平行に配列させて支持する公知のウェハキャリア
１３を搬入可能とし、さらに搬入されたウェハキャリア
１３を乾燥室１内において解除可能に固定する基板支持
機構の一例であるキャリア固定部９を備えている。ウェ
ハキャリア１３は、例えば、複数の固定ピンを備えてお
り、また、上記各固定ピンと嵌め合い可能な固定ピン受
部がキャリア固定部９に備えられて、夫々の上記固定ピ
ンと上記固定ピン受部が嵌め合わさることにより、ウェ
ハキャリア１３がキャリア固定部９に固定される。な
お、上記固定の機構については、公知の他の固定機構に
よる場合であってもよく、ウェハキャリア１３をキャリ
ア固定部９に固定させた状態において、ウェハキャリア
１３とキャリア固定部９との間にガタツキ等が発生しな
ければよい。

【００２３】また、キャリア固定部９は乾燥室１の底面
に取り付けられており、乾燥室１に純水を注入して満水
とした状態において、ウェハキャリア１３に支持された
全てのウェハ２が純水４０中に一斉に浸漬可能となって
いる。なお、ウェハキャリア１３を用いて複数のウェハ
２を乾燥室１内に搬入する場合に代えて、ウェハキャリ
ア１３を用いずに直接ウェハ２を乾燥室１内に搬入し、
乾燥室１内において底面に固定した基板支持機構により
ウェハ２を支持して支持位置を固定するような場合であ
ってもよい。

【００２４】また、処理室１２は、その上面に開閉可能
な蓋１１を有しており、蓋１１を開けることによりウェ
ハ２を多数収納したウェハキャリア１３の供給取出し及
び処理室１２内部のメンテナンス等が可能となってお
り、蓋１１を閉めることにより処理室１２内部の空間４
を密閉状態とすることが可能となっている。さらに、蓋
１１には、処理室１２内における乾燥室１に収容された
純水４０の液面上における空間４内に窒素ガスを噴射さ
せると同時に、置換媒体の一例として液相のイソプロピ
ルアルコール（以下、単にＩＰＡと記す。）を噴射させ
てミスト状のＩＰＡを上記空間４内に噴霧させる置換媒
体供給装置の一例である２台のミスト噴霧装置３と、上
記空間４内に窒素ガスを噴射させる乾燥ノズル５とが備
えられている。なお、ミスト噴霧装置３の構造の詳細な
説明については後述する。

【００２５】また、乾燥室１内部に純水を供給する管状
の純水供給機構の一例である純水供給部１０が、乾燥室
１の内側下部に備えられており、乾燥室１内へ均一に純
水を供給可能なように、純水供給部１０は乾燥室１の内
部においてその管状の外周に多数の純水の供給孔を有し
ている。

【００２６】また、乾燥室１の底面は、その中心方向に
向かって勾配が設けられかつその中心部分に排液口１９
が設けられており、この排液口１９より乾燥室１内に収
容された純水を円滑に乾燥室１外に排液可能となってい
る。

【００２７】また、液面沿いの方向に細長い円筒形状を
有しかつ純水を排液可能な排液ノズル６が、乾燥室１の
内側における互いに対向する夫々の側面近傍に備えられ
ている。図２において説明すると、乾燥室１の図示左側
の側面内側と図示右側の側面内側との夫々に排液ノズル
６が、夫々の側面とその長手方向とが略平行となり、か
つ上記夫々の側面沿いに昇降可能に備えられている。ま
た、図２及び図３に示すように、各排液ノズル６は、そ
の上端位置に液面純水吸引孔の一例である複数の吸引孔
６ａが液面と略平行となるようにかつその長手方向沿い
に一列にかつ一定の間隔でもって形成されている。ここ
で、吸引孔６ａ及びウェハキャリア１３に支持された状
態のウェハ２の平面的な関係を示す部分拡大平面図を図
５（Ａ）に示し、また、図５（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面
図を図５（Ｂ）に示す。図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すよ
うに、夫々の排液ノズル６における夫々の吸引孔６ａの
上記一定の間隔は、例えば夫々同じ間隔となっており、
ウェハキャリア１３に支持されたウェハ２の支持間隔と
同じ間隔となっている。さらに、夫々の排液ノズル６に
おける夫々の吸引孔６ａは、互いに一対一に対応するよ
うに形成されており、また、上記互いに一対一に対応す
る夫々の吸引孔６ａを結ぶ仮想直線は、ウェハキャリア
１３に支持された隣接するウェハ２の間に位置してい
る。また、夫々の排液ノズル６に形成されている各吸引
孔６ａは全て同じ孔径となるように形成されている。な
お、乾燥室１内において、夫々の排液ノズル６における
夫々の吸引孔６ａは全て同じ高さ位置となるように形成
されて、夫々の排液ノズル６が乾燥室１の上記夫々の側
面内側近傍に備えられている。また、夫々のウェハ２と
夫々の排液ノズル６との平面的な配置関係について説明
すると、図５（Ａ）に示すように、一列に配列されてウ
ェハキャリア１３に支持されている夫々のウェハ２の上
記一列の配列の中心は、夫々の排液ノズル６のその長手
方向と略平行にかつ夫々の排液ノズル６の中間位置に位
置されている。

【００２８】また、夫々の排液ノズル６には、排液ノズ
ル６を通じて強制的な純水の排液を行う液面純水排液機
構の一例であるノズル排液機構３１６における吸込み管
３１６ｂの一端である吸込口３１６ａが固定されてい
る。また、ノズル排液機構３１６は、上記一端に吸込口
３１６ａを有する吸込み管３１６ｂと、吸込み管３１６
ｂの他端に接続されたフレキシブルホース３１６ｄと、
及びフレキシブルホース３１６ｄに接続された吸引排液
部の一例である排液ポンプ３１６ｃとを備えており、こ
れらにより純水排液通路３１７が形成されている。

【００２９】また、夫々の排液ノズル６は、乾燥室１内
部において純水４０の液面と略平行な状態を保ちながら
昇降機構の一例であるノズル昇降機構３１４により上記
夫々の側面沿いに一体的に平行移動可能（すなわち昇降
可能）となっている。ノズル昇降機構３１４は、図１に
おける処理室１２の左側に備えられており、処理室１２
及びノズル昇降機構３１４はウェハ乾燥装置３０１の機
台３１５上に固定されている。ノズル昇降機構３１４
は、回転軸回りに回転可能に機台３１５に上下方向に固
定されたボールねじ軸部３１４ａと、ボールねじ軸部３
１４ａを正逆回転させる駆動部３１４ｂと、ボールねじ
軸部３１４ａに螺合してボールねじ軸部３１４ａが正逆
回転されることによりボールねじ軸部３１４ａに沿って
昇降可能なナット部３１４ｃと、機台３１５に固定され
かつ上記正逆回転の方向においてナット部３１４ｃを固
定して上記昇降動作を案内するガイド３１４ｅと、複数
の剛体により門型に形成されかつ一方の下端がナット部
３１４ｃに固定されかつ他方の下端が処理室１２の上面
を貫通して、夫々の排液ノズル６の上面端部に固定され
た昇降フレーム３１４ｄとにより構成されている。な
お、駆動部３１４ｂの例としては、ボールねじ軸部３１
４ａの下端に固定されかつボールねじ軸部３１４ａを直
接的に正逆回転させるモータ、又は、ボールねじ軸部３
１４ａの下端の固定されたプーリーをベルト等を介して
ボールねじ軸部３１４ａを間接的に正逆回転させるモー
タがある。ノズル昇降機構３１４において駆動部３１４
ｂによりボールねじ軸部３１４ａを正逆回転させること
により昇降フレーム３１４ｄを昇降させて、夫々の排液
ノズル６を乾燥室１の上記夫々の側面沿いに昇降させる
ことが可能となっている。

【００３０】これにより、純水が供給されて満水状態と
され、かつウェハキャリア１３に支持された全てのウェ
ハ２が浸漬された状態の乾燥室１において、ノズル排液
機構３１６により液面近傍の高さ位置に位置された状態
の夫々の排液ノズル６の夫々の吸引孔６ａより液面若し
くは液面近傍の液面側純水を吸引して上記液面側純水の
強制的な排液を行うことができる。また、上記液面側純
水の強制的な排液が開始されることにより乾燥室１内の
純水４０の液面が下降されることとなるが、それととも
に、液面近傍の高さ位置に位置された状態の夫々の排液
ノズル６（すなわち夫々の排液ノズル６の各吸引孔６
ａ）を、上記液面の下降に合わせてノズル昇降機構３１
４により下降させることにより、上記液面における上記
液面側純水を夫々の吸引孔６ａより吸引して上記液面側
純水の強制的な排液を行いながら、乾燥室１の上記液面
を下降させることができる。

【００３１】また、ノズル昇降機構３１４による夫々の
排液ノズル６の各吸引孔６ａの昇降範囲は、例えば、ウ
ェハキャリア１３に支持される全てのウェハ２の上端位
置よりも多少の余裕をもって各吸引孔６ａが上方に位置
される高さ位置（昇降動作の上端位置とする）から、上
記全てのウェハ２の下端よりも多少の余裕をもって各吸
引孔６ａが下方に位置される高さ位置（昇降動作の下端
位置とする）までの範囲である。なお、夫々の排液ノズ
ル６による上記液面側純水の排液を行い、純水４０の液
面が下降されるような場合においては、夫々の排液ノズ
ル６の各吸引孔６ａは、上記液面の近傍において液面よ
りも下方に位置された状態にて、ノズル昇降機構３１４
により下降される。

【００３２】なお、本第１実施形態においては、排液ノ
ズル６（吸引孔６ａを有する）、ノズル排液機構３１
６、及びノズル昇降機構３１４により、乾燥室１におけ
る上記液面側純水の排液を行う強制排液装置が構成され
ている。

【００３３】なお、ここで液面側純水とは、純水４０の
液面を含む液面近傍の液体のことであり、例えば液面よ
り２０ｍｍ程度までの下方の液層における液体のことを
示す。また、この液体が純水のみにより構成される場
合、さらに純水に、ＩＰＡ又はシリコン化合物等の異物
が混合（若しくは溶解）されている場合も含む。

【００３４】なお、排液ノズル６が共に上記円筒形状で
形成されている場合に代えて、例えば、共に角筒形状に
形成されている場合であってもよく、又は、共に同じ形
状ではなく互いに異なる形状に形成されている場合であ
ってもよい。

【００３５】また、乾燥室１においては、上向きに開放
部を有するコ字型断面形状の溝を有するオーバーフロー
受部１７が乾燥室１の４つの側面上部の外側沿いに設置
され、乾燥室１の上部外周全体にオーバーフロー受部１
７の上記コ字型断面形状の溝が平面的にロ字型に一体と
して形成されている。また、オーバーフロー受部１７の
上記溝の乾燥室１側の側面は、乾燥室１の上部外側側面
により形成されており、他方の側面はその上端の高さ位
置が乾燥室１の上端よりも高くなるように形成されてい
る。これにより、乾燥室１において純水がオーバーフロ
ーした際に、オーバーフローした純水をオーバーフロー
受部１７により受けることが可能となっている。また、
オーバーフロー受部１７の底面には排液口１７ａが設け
られており、配管等を介して若しくは直接、処理室１２
の底部に設けられた排液口１８より処理室１２外へ上記
オーバーフローした純水を排液可能となっている。

【００３６】また、上記ロ字型におけるオーバーフロー
受部１７の内側の縁、すなわち乾燥室１の上端には、Ｖ
字型の切り込み形状を有する三角堰１ａが、一例として
一定の間隔でもって複数形成されており、上記純水４０
がオーバーフロー受部１７内への流入（すなわち、オー
バーフロー）した場合において各三角堰１ａよりオーバ
ーフロー受部１７内へ流入させることにより、上記流入
をスムーズに行うことができるようになっている。

【００３７】乾燥室１において、処理室１２の蓋１１に
設置されている夫々のミスト噴霧装置３により、処理室
１２内における乾燥室１の純水４０の液面上における空
間４内に窒素ガスを噴射させると同時に、上記純水４０
内に浸漬されてウェハキャリア１３により支持されてい
るウェハ２の温度（例えば常温）より高い、好ましくは
上記ウェハ２の温度より少なくとも５℃以上高い、より
好ましくは上記ウェハ２の温度より５℃から６０℃まで
の範囲の高い温度で液相のＩＰＡを噴射させてミスト状
のＩＰＡを上記空間４内に噴霧させて、上記乾燥室１の
上記純水４０を排液することにより、上記乾燥室１内で
上記純水４０から上記ウェハ２が液面より上方に露出す
るとき、各ミスト噴霧装置３から上記ウェハ２の表面に
ＩＰＡをミスト状態、すなわち、窒素をキャリアとする
のではなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を浮遊して
いる状態で噴霧させ続けて、上記ウェハ２の表面に付着
した純水４０が上記ミスト状の上記ＩＰＡにより置換さ
れるようにしている。

【００３８】ここでミスト噴霧装置３の構造について図
６（Ａ）及び（Ｂ）を用いて詳細に説明すると、各ミス
ト噴霧装置３は、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、
フッ素樹脂からなる直方体状の本体に長手方向沿いにそ
れぞれ貫通して形成された窒素ガス用通路３ａと液相の
ＩＰＡ用通路３ｃとを備え、窒素ガス用通路３ａから延
びてウェハ２に大略向けて（詳細には隣接するウェハ２
間の空間でかつウェハ２の中心に相当する位置に向け
て）開口された噴射孔３ｅを有する細い窒素ガス用噴出
通路３ｂを多数備えるとともに、ＩＰＡ用通路３ｃから
延びて窒素ガス用噴出通路３ｂの開口端の噴射孔３ｅに
向けて開口された噴射孔３ｆを有する細いＩＰＡ用噴出
通路３ｄを多数備える。よって、窒素ガス用噴出通路３
ｂの噴射孔３ｅから窒素ガスを噴射させると同時にＩＰ
Ａ用噴出通路３ｄの噴射孔３ｆから液相のＩＰＡを噴射
させてミスト状のＩＰＡを上記空間４内にを噴霧させる
ことができる。窒素ガス用噴出通路３ｂの噴射孔３ｅと
ＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３ｆとで１組のミスト噴
霧用ノズルを構成し、各１組のミスト噴霧用ノズルを、
所定間隔を空けて配置された例えば５０枚程度のウェハ
２のうちの隣接ウェハ２間の空間に対向して配置すると
ともに、空間４内で両端のウェハ２の外側にもミスト噴
霧用ノズルをそれぞれ配置することにより、全てのウェ
ハ２の表面全体に対して、ミスト噴霧用ノズルからＩＰ
Ａのミストを噴霧できるようにしている。

【００３９】なお、上記において説明したようにミスト
噴霧装置３により空間４内に置換媒体の一例としてミス
ト状のＩＰＡを噴霧する場合に代えて、ガス状のＩＰＡ
を上記空間４内に公知の噴射装置により噴射するような
場合であってもよい。このような場合にあっては、上記
乾燥室１内で上記純水４０から上記ウェハ２が液面より
上方に露出するとき、上記公知の噴射装置から上記ウェ
ハ２の表面にＩＰＡをガス状態で噴射させ続けて、上記
ウェハ２の表面に付着した純水４０を上記ガス状の上記
ＩＰＡにより（若しくは上記ガス状のＩＰＡが凝縮され
た液相のＩＰＡにより）置換することができる。

【００４０】一方、窒素ガスは、常温若しくはウェハ２
の温度で供給され、又は、常温より高い温度（例えば常
温若しくはウェハ２の温度を越えて６０℃までまでの範
囲の高い温度）で供給され、好ましくは少なくとも常温
若しくはウェハ２の温度より５℃以上高い、より好まし
くは常温若しくはウェハ２の温度より５℃から６０℃ま
での範囲の高い温度で供給されるものであって、図４に
示すように、減圧弁２９、第１エアーオペレートバルブ
３０、流量計３１を介して、図２における処理室１２の
蓋１１の左右に配置された各ミスト噴霧装置３に夫々供
給される。第１エアーオペレートバルブ３０は、流量計
３１で検出された窒素ガスの流量に基づき、窒素ガスの
流量を自動的に調整することが好ましい。この結果、ミ
ストの温度は、常温若しくはウェハ２の温度より高い、
好ましくは常温若しくはウェハ２の温度より少なくとも
５℃以上高い、より好ましくは常温若しくはウェハ２の
温度より５℃から６０℃までの範囲の高い温度で噴霧さ
れる。なお、左右のミスト噴霧装置３の夫々に窒素ガス
を供給するとき、各ミスト噴霧装置３の一端側から他端
閉塞部に向けて一方向に窒素ガスを窒素ガス用通路３ａ
内に供給させればよい。このようなものでは構造が簡単
なものとなるという利点がある。しかしながら、窒素ガ
ス用通路３ａ内で圧力損失が生じて全ての窒素ガス用噴
出通路３ｂの噴射孔３ｅから窒素ガスを均一に噴射させ
ることができない場合には、各ミスト噴霧装置３の一端
側と他端側の両方から同時に両者の中間に向けて窒素ガ
スを窒素ガス用通路３ａ内に供給するようにすれば、窒
素ガス用通路３ａ内で圧力損失を防止することができ
て、窒素ガスを均一に噴射孔３ｅから噴射させることが
できる。

【００４１】また、図４に示すように、窒素ガスは、減
圧弁２０、第８エアーオペレートバルブ２８を介して、
図２における処理室１２の蓋１１の中央に配置した乾燥
ノズル５に供給される。上記ウェハ２の表面に付着した
純水４０がＩＰＡにより置換された後、乾燥ノズル５に
おいて窒素ガスを噴射することによりＩＰＡの蒸発、乾
燥を促進させることができる。

【００４２】また、図４において、ＩＰＡは、減圧弁２
０、第２エアーオペレートバルブ２１、フィルター２２
を介してＩＰＡ圧送タンク４１内に上記とは別に窒素ガ
スを圧送し、窒素ガスの圧力によりＩＰＡ圧送タンク４
１内のＩＰＡの液体４２が、第３エアーオペレートバル
ブ２４を介して、さらに、夫々のフィルター２５、流量
計２６、及び第４エアーオペレートバルブ２７を介し
て、図２における処理室１２の蓋１１の左右に配置され
たミスト噴霧装置３に夫々供給される。なお、２３はＩ
ＰＡ圧送タンク用リリーフ弁である。夫々の第４エアー
オペレートバルブ２７は、左右夫々のミスト噴霧装置３
に配置され、夫々の流量計２６で検出されたＩＰＡの液
体の流量に基づき、ＩＰＡの液体の流量を自動的に調整
することにより、左右夫々のミスト噴霧装置３から乾燥
室１内の上記純水４０の液面上の空間４内にミストを噴
霧するとき、上記左右のミスト噴霧状態のバランスが自
動的に調整される。なお、上記左右のミスト噴霧装置３
の夫々にＩＰＡ液体を供給するとき、各ミスト噴霧装置
３の一端側から他端閉塞部に向けて一方向にＩＰＡ液体
をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給させればよい。このような
ものでは構造が簡単なものとなるという利点がある。し
かしながら、ＩＰＡ用通路３ｃ内で圧力損失が生じて全
てのＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３ｆからＩＰＡ液体
を均一に噴射させて均一なＩＰＡのミストを噴霧するこ
とができない場合には、各ミスト噴霧装置３の一端側と
他端側の両方から同時に両者の中間に向けてＩＰＡ液体
をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給するようにすれば、ＩＰＡ
用通路３ｃ内で圧力損失を防止することができて、ＩＰ
Ａ液体を均一に噴射孔３ｆから噴射させて均一なＩＰＡ
のミストを噴霧させることができる。

【００４３】また、処理室２内の空間４の圧力が異常に
高まらないようにするため、処理室２には排気通路４３
を設けて、排気流量を調整するための手動弁７と、排気
の開始又は停止を行う第５エアーオペレートバルブ８と
を設けている。なお、空間４内に圧力センサを配置し
て、圧力センサで検出された空間４内の圧力に応じて第
５エアーオペレートバルブ８を自動的に開閉することも
できる。

【００４４】さらに、乾燥室１の底部の排液口１９に
は、第６エアーオペレートバルブ３５を設けて、上記底
部の排液口１９より純水の排液を行うような場合に、上
記排液の開始／停止、及び上記排液の流量調整が必要な
場合には上記排液流量を調整するようにしている。

【００４５】さらに、処理室１２の底部の排液口１８に
排液通路４４を設けられており、この排液通路４４にノ
ズル排液機構３１６よりの純水排液通路３１７が接続さ
れて、乾燥室１内の夫々の排液ノズル６よりウェハ乾燥
装置３０１外への純水排液通路３１７を介しての排液が
行われる。処理室１２内においてこの排液通路４４にオ
ーバーフロー受部１７の排液口１７ａよりの排液通路が
接続されて、オーバーフロー受部１７よりウェハ乾燥装
置３０１外への排液通路４４を介しての排液が行われ
る。なお、図示しないが排液通路４４上には、処理室１
２内の空間４の圧力を保持するために封水機構が設けら
れている。

【００４６】また、乾燥室１内において設置されている
純水供給部１０には純水供給通路４５が接続されて設け
られており、純水は、純水供給通路４５の経路上に設け
られた手動弁３２、流量計３３、第７エアーオペレート
バルブ３４を介して、純水供給部１０に供給される。第
７エアーオペレートバルブ３４は、流量計３３で検出さ
れた純水の流量に基づき、純水の流量を自動的に調整す
ることが好ましい。

【００４７】上記第１エアーオペレートバルブ３０、第
２エアーオペレートバルブ２１、第３エアーオペレート
バルブ２４、各第４エアーオペレートバルブ２７、第５
エアーオペレートバルブ８、第６エアーオペレートバル
ブ３５、第７エアーオペレートバルブ３４、及び第８エ
アーオペレートバルブ２８は、制御装置４７に接続され
て、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、処理
室１２内の空間４に供給する窒素ガス及びＩＰＡの液体
のそれぞれの流量、つまり、ＩＰＡのミストの噴霧状
態、空間４内からの排気量、純水４０の排液量などを動
作制御できるようにしている。また、制御装置４７は、
ノズル昇降機構３１４、及びノズル排液機構３１６にお
ける各動作制御も行う。

【００４８】上記構成によるウェハ乾燥装置３０１にお
いてウェハ２の乾燥処理を行う場合の手順について以下
に説明する。

【００４９】まず、純水供給通路４５の第７エアーオペ
レートバルブ３４を開いて乾燥室１内に純水供給部１０
により純水を供給し、乾燥室１を純水で満水とさせる。
その後、蓋１１を開放し、複数のウェハ２が支持された
ウェハキャリア１３を処理室１２内に搬入し、乾燥室１
内の純水４０中にウェハキャリア１３を浸漬させてキャ
リア固定部９により固定する。このとき、乾燥室１より
純水をオーバーフロー受部１７にオーバーフローさせる
ことにより、ウェハ２が浸漬されている乾燥室１内の異
物を純水４０の液面近傍に浮遊させて、これら異物をオ
ーバーフローされる純水とともに乾燥室１外に排出させ
て洗浄を行う。その後、上記純水の供給を停止する。ま
た、このとき、夫々の排液ノズル６は、ノズル昇降機構
３１４によりその昇降動作の上端位置に位置された状態
とされている。

【００５０】次に、排気通路４３を閉じた状態、すなわ
ち処理室１２の空間４が密閉された状態において、各ミ
スト噴霧装置３から窒素ガスを噴射させると同時にＩＰ
Ａ液体を上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射してＩＰＡ
のミストを、例えば、約２ｃｃ／ｍｉｎで上記空間４内
に噴霧させる。ミストを噴霧させる方向は、概ね下向き
として純水４０内のウェハ２に大略向かう方向（詳細に
は隣接する夫々のウェハ２間の空間でかつウェハ２の中
心に相当する位置に向かう方向）として、純水４０の液
面上に均一にミストが保持されるようにするのが好まし
い。このとき、乾燥室１の空間４内の圧力が異常に高く
なったときには、排気通路４３を開いて圧力を低下させ
るようにするのが好ましい。

【００５１】次に、このように上記空間４の純水４０の
液面付近がＩＰＡのミストで覆われた状態が保持できる
ようにミストを噴霧し続けている状態で、制御装置４７
の制御により、ノズル排液機構３１６の排液ポンプ３１
６ｃを起動させて夫々の排液ノズル６の各吸引孔６ａよ
り上記液面側純水を吸引して上記液面側純水の強制的な
排液を開始する。

【００５２】この夫々の排液ノズル６による上記液面側
純水の排液により、乾燥室１の純水４０における液面に
おいて夫々のウェハ２の上記一列の配列中心から夫々の
排液ノズル６側への各ウェハ２の表面沿いかつ上記液面
沿いの方向における２方向の表面流れ（すなわち、図５
（Ｂ）に示すような図示左右夫々の方向の表面流れ）を
生じさせることができる。また、この２方向の表面流れ
でもって液面若しくは液面近傍の液面側純水を積極的に
上記夫々の方向、すなわち、夫々のウェハ２の上記一列
の配列中心から夫々の排液ノズル６側への方向へと流し
て、上記流された液面側純水を夫々の排液ノズル６の各
吸引孔６ａを通してノズル排液機構３１６により吸引し
て上記液面側純水を直接的に排液させることができる。
なお、夫々の排液ノズル６による上記液面側純水の排液
量は夫々略同じ排液流量とされており、上記２方向夫々
の表面流れの速度も夫々略同じ速度となっている。

【００５３】また、このように上記２方向の表面流れで
もって積極的かつ強制的な上記液面側純水の排液が開始
されることにより、乾燥室１内の純水４０が上記液面側
純水として排液されることとなり、純水４０の上記液面
の下降が開始されることとなる。それとともに、制御装
置４７により、ノズル昇降機構３１４が制御されて、そ
の昇降動作の上端位置に位置されている状態の夫々の排
液ノズル６を上記液面の下降に合わせて緩やかに下降さ
せる。

【００５４】ここで、制御装置４７には所望の上記液面
の下降速度が予め設定されており、制御装置４７により
上記液面の下降速度に基づいてノズル昇降機構３１４が
制御されて、夫々の排液ノズル６の下降速度が上記液面
の下降速度となるように上記制御が行われる。また、ノ
ズル排液機構３１６においては、上記所望の液面の下降
速度が得られるように、排液ポンプ３１６ｃの排液流量
が設定されており、排液ポンプ３１６ｃにより上記排液
流量に見合った上記液面側純水の排液が行われる。

【００５５】なお、上記ノズル昇降機構３１４による夫
々の排液ノズル６の下降速度の例（すなわち、上記液面
の下降速度の例でもある）としては、１秒間に１０ｍｍ
程度以下の下降速度、好ましくは、ミストを例えば、約
２ｃｃ／ｍｉｎで噴出させて噴霧させるときにおいて、
１秒間に２ｍｍ程度の下降速度とする。

【００５６】また、上記液面側純水の排液が行われなが
ら上記液面が下降されるため、上記液面においては、上
記２方向の表面流れが形成された状態で上記液面が下降
される。すなわち、乾燥室１の純水４０の液面若しくは
液面近傍においては、上記２方向の表面流れでもって上
記液面側純水がいずれかの排液ノズル６の近傍へとへと
移動されて（流されて）、夫々の排液ノズル６の各吸引
孔６ａを通して吸引されて排液される。また、上記液面
側純水には、空間４の液面付近におけるＩＰＡが溶け込
んでおり、また、異物等が浮遊している場合があり、Ｉ
ＰＡが溶け込んでいる純水及び浮遊している異物等を上
記２方向の表面流れでもって上記液面側純水とともに夫
々の排液ノズル６の各吸引孔６ａより吸引して排出させ
ることができる。

【００５７】このような状態で純水４０の液面を下降さ
せていくことにより、ウェハ２の上部が純水４０の液面
から上に露出することになるが、ウェハ２の表面が酸素
に触れて自然酸化することなく、上記純水４０の液面に
均一に噴霧され続けているＩＰＡのミストがウェハ２の
表面に付着した純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡ
のミストの温度を、ウェハ２の温度すなわち常温よりも
高く（例えばウェハ２の温度すなわち常温を越えて６０
℃までの範囲で高く）、好ましくは少なくとも５℃以上
高く、より好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高く
する場合には、迅速に乾燥する。

【００５８】また、各ウェハ２の一部が純水４０の液面
よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間
の液面側純水を上記ウェハ２の表面沿いの上記表面流れ
でもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の
液面若しくは液面近傍におけるＩＰＡが溶け込んでいる
純水及び浮遊している異物等の排出性を良好とさせるこ
とができる。

【００５９】その後、さらに上記表面流れが形成された
状態の液面が下降されて、ウェハキャリア１３に支持さ
れている全てのウェハ２の下端が上記液面よりも多少の
余裕をもって上方に位置されると、上記液面とともに下
降されている夫々の排液ノズル６もその昇降動作の下端
位置に位置された状態となり、ノズル昇降機構３１４に
よる下降動作が停止されるとともに、ノズル排液機構３
１６による上記液面側純水の排液動作が停止される。こ
れにより、各ウェハ２が純水４０から完全に露出された
状態となり、各ウェハ２表面に付着した純水のＩＰＡへ
の置換が完了する。その後、ミスト噴霧装置３よりのミ
ストの噴霧を停止して、乾燥ノズル５より窒素ガスの噴
射を開始する。これにより、各ウェハ２の表面からの上
記ＩＰＡの蒸発が促進されて、各ウェハ２の表面が乾燥
される。上記乾燥完了後、乾燥ノズル５よりの窒素ガス
の噴射が停止されて、ウェハ２の乾燥処理が終了する。
なお、上記乾燥ノズル５よりの窒素ガスの噴射を行う場
合に代えて、各ウェハ２をそのまま放置して各ウェハ２
の表面から上記ＩＰＡを自然に蒸発させるような場合で
あってもよい。

【００６０】その後、処理室１２の蓋１１を開放し、キ
ャリア固定部９によるウェハキャリア１３の固定を解除
して、処理室１２よりウェハキャリア１３毎各ウェハ２
が上方に搬出される。

【００６１】なお、ウェハ２が常温のとき、ＩＰＡ、又
は、窒素ガス、又は、ＩＰＡ及び窒素ガスが、常温より
５℃から６０℃までの範囲の高い温度として、常温より
高い温度のＩＰＡミストをウェハ２に噴霧させるように
したほうが、より迅速に乾燥させることができ、例え
ば、５０枚のウェハでは１０分以下で乾燥させることが
できる。

【００６２】なお、ノズル昇降機構３１４により夫々の
排液ノズル６を下降させながら、ノズル排液機構３１６
により夫々の排液ノズル６を通して上記液面側純水の排
液を行う場合において、第６エアーオペレートバルブ３
５を開けて乾燥室１の底部の排液口１９より純水４０の
排液量を調整しながら排液するような場合であってもよ
い。この場合、夫々の排液ノズル６よりの排液流量と排
液口１９よりの排液流量との合計流量が一定となるよう
に、制御装置４７により第６エアーオペレートバルブ３
５の開度が調整されて排液流量の調整が行われる。この
ような場合にあっては、上記液面における上記２方向の
表面流れを保持したまま純水４０の液面の下降速度を速
めることができ、ウェハ２の乾燥処理時間を短縮化する
ことができるとともに、純水４０内における乾燥室１の
底面側の異物等を乾燥室１外に排出することができる。

【００６３】また、ウェハキャリア１３が上記公知のも
のである場合に代えて、図７に示すようなウェハ保持具
２１３を用いる場合であってもよい。図７（Ａ）及び
（Ｂ）はウェハ保持具２１３の部分拡大側面図である。

【００６４】図７に示すように、ウェハ保持具２１３
は、円盤状のウェハ２の下部におけるその面沿いに互い
に対称な２箇所の位置にてウェハ２を支持可能なウェハ
支持部２１３ａが一定の間隔でもって複数形成されたフ
レーム２１３ｂを備えている。また、図７（Ｂ）に示す
ように、夫々のウェハ支持部２１３ａは、フレーム２１
３ｂ上に串歯状に形成されており、夫々のウェハ２の配
列方向沿いにおいて、互いに隣接する夫々のウェハ支持
部２１３ａの間には一定の間隔でもって空間が確保され
るように形成されている。これにより、隣接するウェハ
２間において、ウェハ２の上端から下端まで、ウェハ２
の表面沿いかつ純水４０の上記液面沿いの方向に空間を
確保することが可能となっている。

【００６５】このようなウェハ保持具２１３を用いるこ
とにより、純水４０内に浸漬されたウェハ２を液面より
も上方に露出させる場合において、上記液面上かつウェ
ハ２の表面沿いの方向に発生する上記表面流れにより、
上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍における
ＩＰＡが溶け込んだ純水及び浮遊している異物等の排出
性をさらに良好とさせることができる。

【００６６】なお、上記においては、夫々の排液ノズル
６の夫々の吸引孔６ａの形成間隔が夫々のウェハ２の支
持間隔と同じである場合について説明したが、上記夫々
の吸引孔６ａ形成間隔はこのような場合のみに限定され
るものではなく、例えば、夫々の吸引孔６ａの形成間隔
が上記夫々のウェハ２の支持間隔の複数倍の形成間隔で
あるような場合であってもよく、ウェハキャリア１３に
支持された夫々のウェハ２の支持間隔、乾燥室１の大き
さ、純水４０の液面の下降速度、吸引孔６ａの孔径や吸
引孔６ａにおける上記液面側純水の吸込み速度、さらに
吸引孔６ａの形状等に基づいて、液面におけるウェハ２
が露出される部分においてより均一な流れの表面流れが
形成できるような配置（形成間隔を含む）を選択するこ
とができる。

【００６７】また、夫々の排液ノズル６における各吸引
孔６ａの孔径が排液ノズル６の内径と比べて十分に小さ
くなるように形成されているような場合にあっては、排
液ポンプ３１６ｃにより付与される吸引力によって排液
ノズル６内を一定の圧力状態の空間とさせることができ
るため、上記一定の圧力状態の空間と上記液面側純水と
の間に形成されている夫々の吸引孔６ａより、均一な吸
引力でもって上記液面側純水を吸引することができ、上
記純水の液面においてより均一な上記２方向の表面流れ
を形成することができる。

【００６８】また、夫々の排液ノズル６による上記液面
側純水の排液により液面に形成される上記２方向の表面
流れは、ウェハ２が液面から上方に露出された場合に、
液面におけるウェハ２間の上記液面側純水の排液性を良
好とさせることが目的であるため、上記表面流れは少な
くとも上記液面におけるウェハ２が露出される部分に形
成されていれば、上記目的を達成することができる。

【００６９】また、ウェハ乾燥装置３０１において、ノ
ズル排液機構３１６は、上記液面側純水の排液流量に見
合った排液流量を有する排液ポンプ３１６ｃにより単に
上記液面側純水の排液を行うような場合に代えて、ノズ
ル排液機構３１６が排液流量を自動的に制御する機能を
備えているような場合であってもよい。このような場合
の一例として、上記第１実施形態の変形例にかかるウェ
ハ乾燥装置３０２の概略構成を示すフロー図を図８に示
す。

【００７０】図８に示すように、ウェハ乾燥装置３０２
においては、ノズル排液機構３１６の純水排液通路３１
７における排液ポンプ３１６ｃの吐出側、すなわち２次
側に、排液流量を検出可能な流量計３１６ｅと、上記流
量計３１６ｅにより検出された排液流量に基づき、排液
流量を自動的に調整可能な排液流量調整用エアーオペレ
ートバルブ３１６ｆがさらに備えられている。ノズル排
液機構３１６により上記液面側純水の強制的な排液が行
われる際には、制御装置４７によりノズル排液機構３１
６が制御されて、上記流量計３１６ｅにより検出された
排液流量が予め制御装置４７において設定された排液流
量となるように、排液流量調整用エアーオペレートバル
ブ３１６ｆが自動的に制御される。これにより、ウェハ
乾燥装置３０２においては、排液ポンプ３１６ｃの排液
能力（若しくは吸引能力）の範囲内において、所望の排
液流量（若しくは吸引力）を自動的に制御することがで
き、様々な上記液面の下降速度にも対応することができ
るウェハ乾燥装置を提供することができる。

【００７１】なお、ノズル排液機構３１６において、上
記流量計３１６ｅと排液流量調整用エアーオペレートバ
ルブ３１６ｆにさらに加えて、又は代えて、制御装置４
７により排液ポンプ３１６ｃのモータ対し回転数制御を
行って、排液ポンプ３１６ｃの排液流量を所望の流量
（若しくは吸引力を所望の吸引力）に自動的に調整する
ような場合であってもよい。

【００７２】また、ウェハ乾燥装置３０１において、乾
燥室１の互いに対向する側面内側の夫々に排液ノズル６
が備えられているような場合について説明したが、この
ような場合に代えて、排液ノズル６が、上記夫々の側面
内側のいずれか一方にのみ備えられているような場合で
あってもよい。このような場合にあっては、上記液面側
純水の排液の際に形成される上記２方向の表面流れに代
えて、上記他方の側面側から上記一方の側面側（すなわ
ち、排液ノズル６側）への１方向の表面流れが形成され
ることとなる。上記１方向の表面流れは、２方向ではな
く１方向であること以外は上記純水の液面沿いかつ夫々
のウェハ２の表面沿いの流れであることには変わりはな
いため、ＩＰＡが溶け込み、また異物等が浮遊している
上記夫々のウェハ２間における上記液面側純水を上記１
方向の表面流れでもって排液ノズル６側に移動させて各
吸引孔６ａより吸引して強制的に排液させることができ
る。また、乾燥室１に排液ノズル６が１つだけ備えられ
ていることとなるため、ウェハ乾燥装置を簡単な構成と
することができる。

【００７３】上記第１実施形態によれば、乾燥室１の互
いに対向する夫々の側面近傍に備えられた夫々の排液ノ
ズル６の各排液孔６ａより上記液面側純水を吸引して上
記液面側純水の強制的な排液を行うことにより、上記液
面においてその中央付近より夫々の排液ノズル６側の方
向への上記２方向の表面流れでもって上記液面側純水を
排液しながら、上記液面を下降させて夫々のウェハ２を
上記液面より上方に露出させる際に、液面若しくは液面
近傍における純水中に浮遊している異物等を上記２方向
の表面流れでもって、上記液面側純水とともに乾燥室１
外へ排出することができる。これにより、上記ウェハ２
の液面よりの露出の際に、上記異物等のウェハ２の表面
への付着を防止することができる。

【００７４】また、乾燥室１の純水４０内に浸漬された
ウェハ２の上記液面から上方への露出は、上記液面にお
ける上記２方向の表面流れでもって上記液面側純水を排
液しながら行うため、上記液面の上方の空間４内に噴霧
されたＩＰＡのミストが純水４０の上記液面若しくは上
記液面近傍に溶け込むような場合であっても、上記液面
側純水として上記ＩＰＡが溶け込んだ純水の排液を上記
２方向の表面流れでもって行うことができる。これによ
り、上記液面若しくは上記液面近傍の純水においてＩＰ
Ａの溶け込み量の増大を防止することができ、ウェハ２
表面における純水とＩＰＡとの置換効率を向上させるこ
とによりウェハの乾燥効率の向上を図り、ウェハ表面に
おける乾燥むらの発生を防止することができる。

【００７５】また、ウェハ乾燥装置において、乾燥室内
の純水の液面側純水を排液させるその他の手段として
は、例えば、上向きに連続的に形成された開口を有する
断面コ字形状の樋部を、夫々の排液ノズル６に代えて備
えさせて、上記夫々の樋部を下降させることにより、上
記液面側純水を上記夫々の樋部内に流入させて、流入さ
れた上記液面側純水を排液装置等により乾燥室外に排液
させながら、乾燥室内の純水の液面を下降させるウェハ
乾燥装置（若しくは基板乾燥装置）が考えられる。

【００７６】このような構成の上記ウェハ乾燥装置（若
しくは基板乾燥装置）において、特に大きな面積を有す
る液晶用のガラス基板や将来ウェハサイズがさらに拡大
化されるような場合における大径ウェハ（以降、これら
を合わせて「大径ウェハ等」とする）に対して乾燥処理
を行う場合にあっては、上記大径ウェハ等を上記乾燥室
の上記純水内に浸漬させるために、上記乾燥室も大型化
して上記乾燥室の純水の液面の面積も大きくなり、これ
に伴って所望の液面の下降速度を得るために必要な上記
液面側純水の排液量も増大することとなる。しかしなが
ら、上記樋部を用いるようなウェハ乾燥装置にあって
は、上記夫々の樋部を介して、すなわち、上記乾燥室内
の上記液面側純水を重力を利用して一度上記夫々の樋部
内に流入させて、上記夫々の樋部内に流入された上記液
面側純水を排液しているため、上記夫々の樋部の容積を
大きくして、このように上記夫々の樋部内に流入される
上記液面側純水の排液量の増大に対応する必要があり、
そのため、この上記樋部の容積の増加に伴って、上記乾
燥室もさらに大きくなるという問題が生じる場合があ
る。

【００７７】しかしながら、上記第１実施形態のウェハ
乾燥装置３０１のような構成であれば、乾燥室１が大型
化され、上記液面側純水の排液量が増大するような場合
であっても、上記夫々の排液ノズル６を通してノズル排
液機構３１６により上記液面側純水を直接的にかつ強制
的に吸引して排液しているため、すなわち、ノズル排液
機構３１６の排液ポンプ３１６ｃにより機械的に発生さ
せた吸引力でもって各吸引孔６ａより上記液面側純水を
直接的にかつ強制的に吸引して排液しているため、上記
機械的に発生される吸引力を制御して上記吸引力を大き
くすることにより、上記増大化された上記液面側純水の
排液量に見合った排液量を得ることができ、上記乾燥室
をさらに大型化させるようなこともない。従って、大き
な面積を有する液晶ガラス基板や大径化したウェハの乾
燥処理を行うような場合であっても、上記樋部を用いた
排液装置を有するウェハ乾燥装置と比べてより小型化さ
れたウェハ乾燥装置を提供することができる。

【００７８】また、乾燥室１内において互いに対向夫々
の側面近傍に備えられた夫々の排液ノズル６により形成
される上記２方向の表面流れは、ウェハキャリア１３に
支持されながら純水４０に浸漬されているウェハ２の表
面沿いかつ上記液面沿いの流れであることにより、純水
４０の液面が下降されてウェハ２の一部が上記液面より
も上方に位置されるような場合に、上記表面流れでもっ
て互いに隣接するウェハ２間における上記液面側純水の
排出性を良好とさせることができ、ウェハ２表面におけ
る純水とＩＰＡとの置換効率をさらに向上させてウェハ
の乾燥効率の向上を図り、ウェハ表面における乾燥むら
の発生を防止することができるとともに、上記液面にお
ける上記異物等の排出性をさらに向上させることがで
き、上記異物等のウェハ２の表面への付着を防止するこ
とができる。

【００７９】また、夫々の排液ノズル６における夫々の
吸引孔６ａは互いに一対一に対応するように形成されて
おり、さらに、互いに対応する夫々の吸引孔６ａを結ぶ
仮想直線が、ウェハキャリア１３に支持されている各ウ
ェハ２における互いに隣接するウェハ２の間に位置され
ているような場合にあっては、上記夫々の吸引孔６ａに
より上記ウェハ２間における液面から上記液面側純水を
吸引して排液することができ、より強い指向性でもって
上記液面沿いかつ上記ウェハ２の表面沿いの上記２方向
の表面流れを形成することができ、ウェハ２間の上記液
面側純水の排出性をさらに良好とさせることができる。

【００８０】また、ウェハ２はウェハキャリア１３によ
り支持されて、その支持位置が乾燥室１に対して固定さ
れた状態にて液面より上方への露出作業が行われるた
め、ウェハ２を純水４０中から引き上げて液面より上方
への露出を行うような場合と比べて、上記露出作業中に
おけるウェハ２の揺れの発生を無くすことができ、上記
揺れによるウェハ表面におけるＩＰＡの置換むら、すな
わち乾燥むらの発生を防止することができる。

【００８１】また、ウェハ２が浸漬された純水の液面上
の空間４に窒素ガスが常時保持されるようにしているの
で、ウェハ２の上部が純水４０から露出することになる
が、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、
上記純水４０の液面に均一に供給されているＩＰＡのミ
ストがウェハ２の表裏両面に付着した純水とすぐに置換
される。また、ＩＰＡの温度を、ウェハ２の温度すなわ
ち常温よりも高い、好ましくは少なくとも５℃以上高
い、より好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高くす
れば、ＩＰＡがウェハ２の表裏両面に凝着しやすくな
り、ウェハ２の表裏両面に付着した純水とすぐに置換さ
れやすくなる上に、ウェハ２の表面が迅速に乾燥する。
よって、常温のウェハの表面の純水と常温のＩＰＡとを
置換させたのち、常温のＩＰＡを乾燥させる従来の場合
よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高めることがで
きる。また、ミスト状態で純水４０の液面に噴霧させる
ため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来の場合と比較して、
ＩＰＡの消費量を大幅に減少させることができる。ま
た、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には蒸気状態を保持す
るため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要がある
が、本実施形態では、単に例えば常温の液相のＩＰＡを
左右のミスト噴霧装置３の夫々に供給すればよいので、
配管を断熱材で覆う必要はなく、装置が簡単なものとな
る。また、ＩＰＡを蒸気化するときには加熱するための
エネルギーが必要であるが、本実施形態では、ミスト噴
霧装置３から窒素ガスとＩＰＡとを噴射させるだけのエ
ネルギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構
成でもってＩＰＡのミストを形成することができる。こ
のように、互いに対向する側方から、窒素ガスを噴射さ
せると同時に、液相のＩＰＡを噴射させることができ
て、ＩＰＡミストを上記乾燥室の空間内に充満させて、
ウェハの表裏両面にＩＰＡミストを噴霧させることがで
き、ウェハの表裏両面の全体に対してＩＰＡミストを供
給することができる。

【００８２】また、超音波などの電気的なエネルギーに
より液相のＩＰＡをミスト化するのではなく、電気的な
エネルギーを使用せずに、窒素ガスの噴射孔近傍でＩＰ
Ａ噴射ノズルよりＩＰＡを噴射させることにより、液相
のＩＰＡをミスト化することができるため、引火性の高
いＩＰＡに対して、より安全にかつより安定してＩＰＡ
ミストの噴霧動作を行わせることができる。

【００８３】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。例え
ば、本発明の第２実施形態にかかる基板乾燥装置の一例
であるウェハ乾燥装置４０１は、上記第１実施形態のウ
ェハ乾燥装置３０１のように乾燥室１の純水４０の液面
側純水の排液を、ノズル昇降機構３１４により夫々の排
液ノズル６を下降させながら、ノズル排液機構３１６に
より夫々の排液ノズル６の各吸引孔６ａを通して上記液
面側純水を吸引して強制的に上記液面側純水を排液する
のではなく、異なる方法により上記液面側純水の排液を
行うものであり、それ以外の構成は同様である。以下、
この上記異なる部分ついてのみ説明するものとする。ま
た、このウェハ乾燥装置４０１の縦断面図を図９に示
す。

【００８４】図９に示すように、ウェハ乾燥装置４０１
においては、ウェハキャリア１３に支持されている各ウ
ェハ２の表面沿いの方向における乾燥室１の互いに対向
する夫々の側面内側近傍に液面純水吸引孔の一例である
吸引孔４０６ａを有する複数の排液管４０６が備えられ
ている。夫々の排液管４０６は、その吸引孔４０６ａが
上記夫々の側面沿いに一列かつ一定の間隔でもってその
長手方向が液面と略直交するように配列されている。ま
た、各排液管４０６は、夫々の吸引孔４０６ａの高さ位
置が略水平に保たれた状態において乾燥室１における上
記夫々の側面に沿って一体的に昇降可能となっている。

【００８５】なお、図示しないが、ウェハ乾燥装置４０
１においては、夫々の排液管４０６の上記一体的な昇降
の動作（すなわち、夫々の吸引孔４０６ａの一体的な昇
降の動作）を行う昇降機構が、上記第１実施形態におけ
るノズル昇降機構３１４と同様な構造にて備えられてお
り、また、各吸引孔４０６ａより吸引された純水を排液
管４０６を通して直接的にかつ強制的に排液する液面純
水排液機構が、上記第１実施形態におけるノズル排液機
構３１６と同様な構造にて備えられている。

【００８６】また、上記昇降機構による各排液管４０６
の昇降動作は、各吸引孔４０６ａがウェハキャリア１３
に支持されている各ウェハ２の上端よりも多少の余裕を
もって上方に位置する高さ位置（昇降動作の上端位置）
から、各ウェハ２の下端よりも多少の余裕をもって下方
に位置する高さ位置（昇降動作の下端位置）までの間で
行われる。

【００８７】これにより、純水４０が満水状態とされた
乾燥室１において、夫々の吸引孔４０６ａが乾燥室１の
上端近傍の高さ位置とされた状態、すなわち、その昇降
動作の上端位置に位置された状態の夫々の排液管４０６
を上記昇降機構により一定の速度でもって緩やかに下降
させていくとともに、上記排液機構により夫々の各吸引
孔４０６ａ近傍の液体を強制的に吸引して夫々の排液管
４０６を介して排液動作を行うことにより、純水４０の
上記液面側純水を夫々の吸引孔４０６ａを通して強制的
に排液することができる。さらに、上記排液動作を行い
ながら、夫々の排液管４０６を一定の速度でもって下降
させることにより、純水４０の液面も一定の速度でもっ
て下降させることができ、各ウェハ２の液面上への露出
を行うことができる。

【００８８】上記第２実施形態によれば、上記第１実施
形態におけるウェハ乾燥装置３０１にように夫々の排液
ノズル６の各吸引孔６ａを通してノズル排液機構３１６
により上記液面側純水を吸引して強制的に排液を行う場
合でなくても、排液ノズル６を用いずに複数備えられた
夫々の排液管４０６の吸引孔４０６ａより上記液面側純
水を吸引して上記液面側純水を強制的に排液するような
場合であっても、上記第１実施形態による効果と同様な
効果を得ることが可能である。

【００８９】また、複数の排液管４０６をウェハキャリ
ア１３に支持されている各ウェハ２の表面沿いの方向に
おける互いに対向する乾燥室１の側面に備えさせている
ことにより、純水４０の液面側純水を吸引孔４０６ａを
通して排液管４０６内に排液する場合に、液面中央付近
より夫々の吸引孔４０６へ各ウェハ２の表面沿いの相反
する２方向の表面流れを発生させることができ、各ウェ
ハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合
に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記相反
する２方向の表面流れでもって排液することができ、上
記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍におけるＩ
ＰＡが溶け込んだ純水及び浮遊している異物等の排出性
を良好とさせることができる。

【００９０】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。

【００９１】

【発明の効果】本発明の上記第１態様によれば、上記乾
燥室における互いに対向する夫々の側面のうちの少なく
とも一方の上記側面近傍に備えられた複数の液面純水吸
引孔より純水を吸引して強制的に排液し、上記強制的な
純水の排液でもって上記液面沿いかつ上記基板の表面沿
いの方向の表面流れを形成しながら、上記表面流れでも
って上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を
排液させて上記液面を下降させ、上記乾燥室内で上記純
水から上記基板を上記液面より上方に露出させる際に、
上記表面流れでもって、上記液面若しくは上記液面近傍
における上記純水中に浮遊している異物等を上記液面側
純水とともに上記夫々の液面純水吸引孔より吸引して上
記乾燥室外へ排出することができる。これにより、上記
基板の上記液面よりの露出の際に、上記異物等の上記基
板の表面への付着を防止することができる基板乾燥方法
を提供することが可能となる。

【００９２】また、上記乾燥室の上記純水内に浸漬され
た上記基板の上記液面から上方への露出は、上記液面に
おける上記表面流れでもって上記液面側純水を排液しな
がら行うため、上記液面上方の空間内に供給されたガス
状若しくはミスト状のイソプロピルアルコールが上記純
水の上記液面若しくは上記液面近傍に溶け込むような場
合であっても、上記液面側純水として上記イソプロピル
アルコールが溶け込んだ純水の排液を上記表面流れでも
って行うことができる。これにより、上記液面若しくは
上記液面近傍の純水において上記イソプロピルアルコー
ルの溶け込み量の増大を防止することができ、上記純水
と上記ガス状若しくは上記ミスト状のイソプロピルアル
コールとの置換効率を向上させることにより上記基板の
乾燥効率の向上を図り、上記基板表面における乾燥むら
の発生を防止することができる基板乾燥方法を提供する
ことが可能となる。

【００９３】また、基板乾燥装置において、上記乾燥室
内の上記純水の上記液面側純水を排液させるその他の方
法としては、例えば、上記液面側純水を非強制的な方
法、例えば、上記液面側純水を非強制的な手段、一例と
して、上向きに連続的に形成された開口を有する断面コ
字形状の樋部を、上記乾燥室の内側側面近傍に昇降可能
に備えさせて、上記樋部を上記液面より下方に下降させ
ることにより、上記液面側純水を上記樋部内に流入させ
て、上記流入された上記液面側純水を排液装置等により
上記乾燥室外に排液させながら、乾燥室内の純水の液面
を下降させることも考えられる。

【００９４】このような非強制的な方法による上記液面
側純水の排液方法において、上記基板が、特に大きな面
積を有する液晶用のガラス基板や将来ウェハサイズがさ
らに拡大化されるような場合における大径ウェハ（以
降、これらを合わせて「大型基板等」とする）に対して
乾燥処理を行う場合にあっては、上記大型基板等を上記
乾燥室の上記純水内に浸漬させるために、上記乾燥室も
大型化して上記乾燥室の純水の液面の面積も大きくな
り、これに伴って所望の液面の下降速度を得るために必
要な上記液面側純水の排液量も増大することとなる。し
かしながら、上記非強制的な上記液面側純水の排液方
法、すなわち上述の樋部を用いた排液方法においては、
上記乾燥室内の上記液面側純水を重力を利用して一度上
記夫々の樋部内に流入させて、上記樋部内に流入された
上記液面側純水を排液しているため、上記樋部の容積を
大きくして、このように上記樋部内に流入される上記液
面側純水の排液量の増大に対応する必要があり、そのた
め、この上記樋部の容積の増加に伴って、上記乾燥室も
さらに大きくなるという問題が生じる場合がある。

【００９５】しかし、上記第１態様のように強制的に上
記液面側純水を排液するような方法によるものであれ
ば、上記乾燥室が大型化され、上記液面側純水の排液量
が増大するような場合であっても、上記液面側純水を強
制的に排液、例えば、排液ポンプ等により機械的に発生
させた吸引力でもって上記夫々の液面純水吸引孔より上
記液面側純水を直接的にかつ強制的に吸引して排液して
いるため、上記機械的に発生される吸引力を制御して上
記吸引力を大きくすることにより、上記増大化された上
記液面側純水の排液量に見合った排液量を得ることがで
き、上記乾燥室をさらに大型化させるようなこともな
い。従って、大きな面積を有する液晶ガラス基板や大径
化したウェハ等の大型化された基板の乾燥処理を行うよ
うな場合であっても、上記樋部を用いて上記液面側純水
の排液を行うような基板の乾燥方法と比べてより小型化
された乾燥室を用いることができる基板の乾燥方法を提
供することが可能となる。

【００９６】本発明の上記第２態様によれば、上記純水
の液面において形成される上記表面流れが、少なくとも
上記液面における上記基板が露出される部分において形
成されることにより、上記液面より上方への上記基板の
露出の際に、上記基板の露出されている部分における液
面において上記表面流れでもって上記液面側純水の排液
を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍の純
水において溶け込んでいる上記イソプロピルアルコール
及び浮遊している異物等を上記液面側純水とともに排出
することができ、上記第１態様による効果を得ることが
できる基板乾燥方法を提供することが可能となる。

【００９７】本発明の上記第３態様によれば、上記夫々
の態様による効果に加えて、上記純水から上記基板を完
全に露出させるまで、上記乾燥室内において上記基板を
固定させておくことにより、例えば、上記基板を上記純
水中から引き上げて上記液面より上方への露出を行うよ
うな場合と比べて、上記露出の作業中における上記基板
の揺れの発生を無くすことができ、上記揺れによる上記
基板の表面における上記イソプロピルアルコールの置換
むら、すなわち乾燥むらの発生を防止することができる
基板乾燥方法を提供することが可能となる。

【００９８】本発明の上記第４態様によれば、上記純水
の上記液面側純水の排液の際に、上記乾燥室の底面近傍
よりも上記純水の排液を併せて行うことにより、上記液
面側純水の排液を行いながら上記純水の排液に要する時
間を短縮化することができるため、上記夫々の態様によ
る効果に加えて、さらに効率的に基板の乾燥を行うこと
ができる基板の乾燥方法を提供することが可能となる。

【００９９】本発明の上記第５態様によれば、上記基板
がその表面における清浄性等が要求されるウェハ又は液
晶ガラス基板である場合において、上記第１態様から第
５態様の夫々における効果を得ることができる基板乾燥
方法を提供することが可能となる。

【０１００】本発明の上記第６態様によれば、強制排液
装置によって、上記乾燥室における互いに対向する夫々
の側面のうちの少なくとも一方の上記側面近傍に備えら
れかつ純水を吸引可能な複数の液面純水吸引孔より純水
を吸引して強制的に排液し、上記強制的な純水の排液で
もって上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの方向の表
面流れを形成しながら、上記表面流れでもって上記純水
の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて上
記液面を下降させ、上記乾燥室内で上記純水から上記基
板を上記液面より上方に露出させる際に、上記表面流れ
でもって、上記液面若しくは上記液面近傍における上記
純水中に浮遊している異物等を上記液面側純水とともに
上記夫々の液面純水吸引孔より吸引して上記乾燥室外へ
排出することができる。これにより、上記基板の上記液
面よりの露出の際に、上記異物等の上記基板の表面への
付着を防止することができる基板乾燥装置を提供するこ
とが可能となる。

【０１０１】また、上記乾燥室の上記純水内に浸漬され
た上記基板の上記液面から上方への露出は、上記強制排
液装置により上記液面における上記表面流れでもって上
記液面側純水を排液しながら行うため、置換媒体供給装
置により上記液面上方の空間内に供給されたガス状若し
くはミスト状のイソプロピルアルコールが上記純水の上
記液面若しくは上記液面近傍に溶け込むような場合であ
っても、上記強制純水排液装置により上記液面側純水と
して上記イソプロピルアルコールが溶け込んだ純水の排
液を上記表面流れでもって行うことができる。これによ
り、上記液面若しくは上記液面近傍の純水において上記
イソプロピルアルコールの溶け込み量の増大を防止する
ことができ、上記純水と上記ガス状若しくは上記ミスト
状のイソプロピルアルコールとの置換効率を向上させる
ことにより上記基板の乾燥効率の向上を図り、上記基板
表面における乾燥むらの発生を防止することができる基
板乾燥装置を提供することが可能となる。

【０１０２】また、基板乾燥装置において、上記乾燥室
内の上記純水の上記液面側純水を排液させるその他の手
段としては、例えば、上記液面側純水を非強制的な手
段、例えば、上向きに連続的に形成された開口を有する
断面コ字形状の樋部を、上記乾燥室の内側側面近傍に昇
降可能に備えさせて、上記樋部を上記液面より下方に下
降させることにより、上記液面側純水を上記樋部内に流
入させて、上記流入された上記液面側純水を排液装置等
により上記乾燥室外に排液させながら、上記純水の液面
を下降させるというようなものも考えられる。

【０１０３】このような非強制的な排液手段を用いた基
板乾燥装置において、上記基板が、特に大きな面積を有
する液晶用のガラス基板や将来ウェハサイズがさらに拡
大化されるような場合における大径ウェハ（以降、これ
らを合わせて「大型基板等」とする）に対して乾燥処理
を行う場合にあっては、上記大型基板等を上記乾燥室の
上記純水内に浸漬させるために、上記乾燥室も大型化し
て上記乾燥室の純水の液面の面積も大きくなり、これに
伴って所望の液面の下降速度を得るために必要な上記液
面側純水の排液量も増大することとなる。しかしなが
ら、上記非強制的な上記液面側純水の排液手段を用いた
基板乾燥装置においては、上記樋部を介して、すなわ
ち、上記乾燥室内の上記液面側純水を重力を利用して一
度上記樋部内に流入させて、上記樋部内に流入された上
記液面側純水を排液しているため、上記樋部の容積を大
きくして、このように上記樋部内に流入される上記液面
側純水の排液量の増大に対応する必要があり、そのた
め、この上記樋部の容積の増加に伴って、上記乾燥室も
さらに大きくなるという問題が生じる場合がある。

【０１０４】しかしながら、上記第６態様のように、上
記強制排液装置により強制的に上記液面側純水を排液す
るようなものであれば、上記乾燥室が大型化され、上記
液面側純水の排液量が増大するような場合であっても、
上記液面側純水を強制的に排液、例えば、排液ポンプ等
により機械的に発生させた吸引力でもって上記夫々の液
面純水吸引孔より上記液面側純水を直接的にかつ強制的
に吸引して排液しているため、上記機械的に発生される
吸引力を制御して上記吸引力を大きくすることにより、
上記増大化された上記液面側純水の排液量に見合った排
液量を得ることができ、上記乾燥室をさらに大型化させ
るようなこともない。従って、大きな面積を有する液晶
ガラス基板や大径化したウェハ等の大型化された基板の
乾燥処理を行うような場合であっても、上記樋部を用い
た排液装置を有する上記基板乾燥装置と比べてより小型
化された乾燥室を有する基板乾燥装置を提供することが
可能となる。

【０１０５】本発明の上記第７態様によれば、上記強制
排液装置は、上記乾燥室内の上記互いに対向する夫々の
側面近傍に備えられた上記複数の液面純水吸引孔を有
し、かつ上記夫々の液面純水吸引孔より上記液面側純水
を吸引して強制的な排液を行う液面純水排液機構と、上
記乾燥室内において上記夫々の液面純水吸引孔を同期さ
せて昇降させる昇降機構とを備え、上記乾燥室内におい
て、上記液面純水排液機構により上記夫々の液面純水吸
引孔より上記液面側純水を吸引して強制的に排液し、上
記液面を下降させながら上記昇降機構により上記液面の
下降に合わせて上記夫々の液面純水吸引孔を下降させ
て、上記表面流れを形成することができ、上記第６態様
による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供する
ことが可能となる。

【０１０６】本発明の上記第８態様によれば、上記液面
純水排液機構が、上記夫々の液面純水吸引孔より上記液
面側純水を直接的に吸引して排液させる吸引排液部を備
えていることにより、上記吸引排液部により発生された
吸引力でもって上記夫々の液面純水吸引孔より上記液面
側純水を吸引して、上記液面側純水を必要な排液流量で
もって強制的に排液することができ、上記純水の液面の
下降速度を確実に制御することができ、上記夫々の態様
による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供する
ことが可能となる。

【０１０７】本発明の上記第９態様によれば、上記純水
の液面において形成される上記表面流れが、少なくとも
上記液面における上記基板が露出される部分において形
成されることにより、上記液面より上方への上記基板の
露出の際に、上記基板の露出されている部分における液
面において上記表面流れでもって上記液面側純水の排液
を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍の純
水において溶け込んでいる上記イソプロピルアルコール
及び浮遊している異物等を上記液面側純水とともに排出
することができ、上記夫々の態様による効果を得ること
ができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。

【０１０８】本発明の上記第１０態様によれば、上記夫
々の態様による効果に加えて、上記純水から上記基板を
完全に露出させるまで、基板支持機構により上記乾燥室
内において上記基板を固定させておくことにより、例え
ば、上記基板を上記純水中から引き上げて上記液面より
上方への露出を行うような場合と比べて、上記露出の作
業中における上記基板の揺れの発生を無くすことがで
き、上記揺れによる上記基板の表面における上記イソプ
ロピルアルコールの置換むら、すなわち乾燥むらの発生
を防止することができる基板乾燥装置を提供することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の縦断面図である。

【図２】 図１のウェハ乾燥装置のＡ−Ａ断面図であ
る。

【図３】 図１のウェハ乾燥装置のＢ−Ｂ断面図であ
る。

【図４】 上記第１実施形態のウェハ乾燥装置の概略構
成を示すフロー図である。

【図５】 図２のウェハ乾燥装置の排液ノズルの（Ａ）
は部分拡大平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＣ−
Ｃ断面図である。

【図６】 上記第１実施形態のウェハ乾燥装置のミスト
噴霧装置における（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図であ
る。

【図７】 上記第１実施形態のウェハ乾燥装置における
ウェハ保持具の（Ａ）は部分拡大図であり、（Ｂ）は
（Ａ）の側面図である。

【図８】 上記第１実施形態の変形例にかかるウェハ乾
燥装置の概略構成を示すフロー図である。

【図９】 本発明の第２実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の縦断面図である。

【符号の説明】

１…乾燥室、１ａ…三角堰、２…ウェハ、３…ミスト噴
霧装置、３ａ…窒素ガス用通路、３ｂ…窒素ガス用噴出
通路、３ｃ…ＩＰＡ用通路、３ｄ…ＩＰＡ用噴出通路、
３ｅ、３ｆ…噴射孔、４…空間、５…乾燥ノズル、６…
排液ノズル、６ａ…吸引孔、７…手動弁、８…第５エア
ーオペレートバルブ、９…キャリア固定部、１２…処理
室、１３…ウェハキャリア、１７…オーバーフロー受
部、１７ａ…排液口、１８…排液口、１９…排液口、２
０…減圧弁、２１…第２エアーオペレートバルブ、２２
…フィルター、２３…ＩＰＡ圧送タンク用リリーフ弁、
２４…第３エアーオペレートバルブ、２５…フィルタ
ー、２６…流量計、２７…第４エアーオペレートバル
ブ、２８…第８エアーオペレートバルブ、２９…減圧
弁、３０…第１エアーオペレートバルブ、３１…流量
計、３２…手動弁、３３…流量計、３４…第７エアーオ
ペレートバルブ、３５…第６エアーオペレートバルブ、
４０…純水、４１…ＩＰＡ圧送タンク、４２…ＩＰＡ、
４３…排気通路、４４…排液通路、４５…排液通路、４
６…排液通路、４７…制御装置、２１３…ウェハ保持
具、２１３ａ…ウェハ支持部、２１３ｂ…フレーム、３
０１…ウェハ乾燥装置、３０２…ウェハ乾燥装置、３１
４…ノズル昇降機構、３１４ａ…ボールねじ軸部、３１
４ｂ…駆動部、３１４ｃ…ナット部、３１４ｄ…昇降フ
レーム、３１４ｅ…ガイド、３１５…機台、３１６…ノ
ズル排液機構、３１６ａ…吸込口、３１６ｂ…吸込み
管、３１６ｃ…排液ポンプ、３１６ｄ…フレキシブルホ
ース、３１６ｅ…流量計、３１６ｆ…流量調整用エアー
オペレートバルブ、３１７…純水排液通路、４０１…ウ
ェハ乾燥装置、４０６…排液管、４０６ａ…吸引孔。

フロントページの続き (72)発明者 水ノ江 宏明 奈良県大和郡山市今国府町６番２号 東邦 化成株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 夫々の表面を互いに略平行かつ乾燥室
   （１）内の純水（４０）の液面と略直交するように配列
   されて上記純水内に浸漬された複数の基板（２）を上記
   純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法におい
   て、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に窒素
   ガス及びガス状又はミスト状のイソプロピルアルコール
   を供給し、 上記純水の液面において、上記乾燥室における互いに対
   向する夫々の側面のうちの少なくとも一方の上記側面近
   傍に備えられた複数の液面純水吸引孔（６ａ、４０６
   ａ）より純水を吸引して強制的に排液し、上記強制的な
   純水の排液でもって上記液面沿いかつ上記基板の表面沿
   いの方向の表面流れを形成しながら、上記表面流れでも
   って上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を
   排液させて上記液面を下降させ、上記乾燥室内で上記純
   水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、それ
   とともに、上記露出された基板の表面に付着した純水が
   上記ガス状又は上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
   ールにより置換され、 その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコー
   ルが蒸発することにより上記基板が乾燥されるようにし
   たことを特徴とする基板乾燥方法。
2. 【請求項２】 上記表面流れは、少なくとも上記液面に
   おける上記基板が露出される部分において形成されてい
   る請求項１に記載の基板乾燥方法。
3. 【請求項３】 上記純水から上記基板を上記液面より完
   全に露出させるまで、上記乾燥室内において上記基板を
   固定させておく請求項１又は２に記載の基板乾燥方法。
4. 【請求項４】 上記液面側純水の排液の際に、さらに上
   記乾燥室の底面近傍よりも上記純水を排出させる請求項
   １から３のいずれか１つに記載の基板乾燥方法。
5. 【請求項５】 上記基板は、ウェハ（２）又は液晶ガラ
   スである請求項１から４のいずれか１つに記載の基板乾
   燥方法。
6. 【請求項６】 互いに対向する側面を備え、かつ純水
   （４０）内に夫々の表面を互いに略平行にかつ上記純水
   の液面と略直交するように配列された複数の基板（２）
   を上記純水内に浸漬可能な乾燥室（１）と、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガス及
   びガス状若しくはミスト状のイソプロピルアルコールを
   供給する置換媒体供給装置（３）と、 上記純水の液面において、上記乾燥室の互いに対向する
   側面のうちの少なくとも一方の上記側面近傍に備えられ
   かつ純水を吸引可能な複数の液面純水吸引孔（６ａ、４
   ０６ａ）を有し、かつ上記一方の側面近傍にて上記複数
   の液面純水吸引孔より純水を吸引して強制的に排液し、
   上記強制的な純水の排液でもって上記液面沿いかつ上記
   基板の表面沿いの方向の表面流れを形成しながら、上記
   表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より
   液面側純水を排液させて上記液面を下降させる強制排液
   装置（６及び３１４及び３１６、又は４０６）とを備え
   て、 上記強制排液装置により形成された上記表面流れでもっ
   て上記純水の液面若しくは液面近傍より上記液面側純水
   を排液しながら上記液面を下降させ、上記純水から上記
   基板を上記液面より上方に露出させて、それとともに、
   上記露出された基板の表面に付着した上記純水が上記置
   換媒体供給装置により供給された上記ガス状又は上記ミ
   スト状の上記イソプロピルアルコールにより置換され、
   その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコー
   ルが蒸発することにより上記基板が乾燥されるようにし
   たことを特徴とする基板乾燥装置。
7. 【請求項７】 上記強制排液装置は、 上記乾燥室内の上記互いに対向する夫々の側面近傍に備
   えられた上記複数の液面純水吸引孔（６ａ、４０６ａ）
   を有し、かつ上記夫々の液面純水吸引孔より上記液面側
   純水を吸引して強制的な排液を行う液面純水排液機構
   （３１６）と、 上記乾燥室内において上記夫々の液面純水吸引孔を同期
   させて昇降させる昇降機構（３１４）とを備え、 上記乾燥室内において、上記液面純水排液機構により上
   記夫々の液面純水吸引孔より上記液面側純水を吸引して
   強制的に排液して上記液面を下降させながら、上記昇降
   機構により上記液面の下降に合わせて上記夫々の液面純
   水吸引孔を下降させて、上記表面流れを形成する請求項
   ６に記載の基板乾燥装置。
8. 【請求項８】 上記液面純水排液機構は、上記夫々の液
   面純水吸引孔を通して上記液面側純水を直接的に吸引し
   て排液させる吸引排液部（３１６ｃ）を備えている請求
   項６又は７に記載の基板乾燥装置。
9. 【請求項９】 上記表面流れは、少なくとも上記液面に
   おける上記基板が露出される部分において形成されてい
   る請求項６から８のいずれか１つに記載の基板乾燥装
   置。
10. 【請求項１０】 請求項６から９のいずれか１つに記載
    の基板乾燥装置において、 上記基板を支持する基板支持機構（９）をさらに備え、 上記強制排液装置による上記純水の排液により上記純水
    から上記基板を上記液面より完全に露出させるまで、上
    記基板支持機構による上記基板の支持位置を上記乾燥室
    内において固定させておく基板乾燥装置。