JP2004079903A - 基板乾燥方法及び装置 - Google Patents
基板乾燥方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004079903A JP2004079903A JP2002240810A JP2002240810A JP2004079903A JP 2004079903 A JP2004079903 A JP 2004079903A JP 2002240810 A JP2002240810 A JP 2002240810A JP 2002240810 A JP2002240810 A JP 2002240810A JP 2004079903 A JP2004079903 A JP 2004079903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- substrate
- liquid
- drying chamber
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】純水中よりの基板の露出の際に、上記基板の表面への異物付着量を低減させた良好な乾燥状態を得ることができる基板乾燥方法及び装置を提供する。
【解決手段】乾燥室２０１内の上記純水４０の液面上の空間４内に不活性ガスを充填させ、基板とともに上記基板を浸漬している上記純水４０を上昇させながら、上記純水４０の液面において、上記純水４０を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水４０の液滴の付着を抑制するとともに、かつ、上記表面流れでもって上記純水４０の液面に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記純水４０から上記基板を露出させて、その後、上記空間４内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水４０の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板を乾燥させる。
【選択図】図４
【解決手段】乾燥室２０１内の上記純水４０の液面上の空間４内に不活性ガスを充填させ、基板とともに上記基板を浸漬している上記純水４０を上昇させながら、上記純水４０の液面において、上記純水４０を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水４０の液滴の付着を抑制するとともに、かつ、上記表面流れでもって上記純水４０の液面に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記純水４０から上記基板を露出させて、その後、上記空間４内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水４０の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板を乾燥させる。
【選択図】図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水中に浸漬されている基板を純水中から取り出すとき、酸素に触れさせることなく基板表面を乾燥させる基板乾燥方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板を純水中より順次露出させながら、基板の乾燥を行う基板乾燥装置として、例えば、特公平６−１０３６８６号公報に開示されるような乾燥装置が知られている。このような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアとしてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、エッチング処理液で処理されたのち純水で洗浄されている基板の一例であるウェハの処理槽内の上部空間内に供給するようにしている。そして、処理槽の純水を処理槽底部から排水することにより、処理槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給されたＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、乾燥させるようにしている。
【０００３】
また、処理槽の純水を処理槽底部から排水することにより、処理槽内でウェハを露出させる場合に代えて、ウェハを処理槽内より引き上げることにより、処理槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給されたＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と置換して乾燥させるようにしている乾燥装置もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、ウェハの純水による洗浄の際に発生した異物が処理槽の純水液面付近に浮遊した状態となるが、処理槽内の純水を処理槽底部から排水することによって処理槽内でのウェハの露出を行うため、処理槽内における底部近傍の純水から順次排水が行われて、上記異物が浮遊している液面近傍の純水の排水は最後に行われることとなるため、上記液面よりウェハの露出の際に上記浮遊している異物がウェハの表面に付着し、異物の付着がない良好な乾燥状態を得ることが困難な場合があるという問題がある。
【０００５】
また、処理槽内の上記純水液面よりの引き上げによるウェハの露出を行うような場合にあっても、同様に異物がウェハの表面に付着し、異物の付着がない良好な乾燥状態を得ることが困難な場合があるという問題点がある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、純水中よりの基板の露出の際に、上記基板の表面への異物付着量を低減させた良好な乾燥状態を得ることができる基板乾燥方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００８】
本発明の第１態様によれば、夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室内の純水の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法を提供する。
【０００９】
本発明の上記第２態様によれば、上記基板の露出の際における上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う第１態様に記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１０】
本発明の第３態様によれば、夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室内の純水の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記乾燥室を下降させて、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法を提供する。
【００１１】
本発明の第４態様によれば、上記不活性ガスは、窒素ガスである第１態様から第３態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１２】
本発明の第５態様によれば、上記基板の露出は、上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる第１態様から第４態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１３】
本発明の第６態様によれば、上記基板はウェハ又は液晶ガラス基板である第１態様から第５態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１４】
本発明の第７態様によれば、互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水の液面と略直交するように配列された複数の基板を上記純水内に浸漬可能な乾燥室と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置と、
上記乾燥室内に昇降可能に備えられた可動床を上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置とを備えて、
上記排液装置により、上記可動床を上昇させて、上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により充填された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留した上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置を提供する。
【００１５】
本発明の第８態様によれば、上記基板の露出の際における上記排液装置による上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の上記空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う第７態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１６】
本発明の第９態様によれば、上記可動床は上記乾燥室の底面であり、かつ上記排液装置は上記底面を昇降させる底面昇降装置であって、かつ上記基板を支持する基板支持機構をさらに備え、
上記底面昇降装置により上記乾燥室の上記底面を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる第７態様又は第８態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１７】
本発明の第１０態様によれば、上記可動床は上記乾燥室において上記純水を上記液面側における上部純水槽と上記乾燥室の底面側における下部純水槽とに区分し、上記排液装置は上記可動床を昇降させる可動床昇降装置であって、
上記可動床に備えられかつ上記上部純水槽内において上記純水に浸漬された上記基板を支持する基板支持機構をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記上部純水槽における上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる第７態様又は第８態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１８】
本発明の第１１態様によれば、上記乾燥室の上記下部純水槽に純水を供給する純水供給機構をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させるとともに、上記純水供給機構により上記区分位置の上昇に応じて純水を上記下部純水槽に供給させる第１０態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１９】
本発明の第１２態様によれば、互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水の液面と略直交するように配列された複数の基板を上記純水内に浸漬可能な乾燥室と、
上記基板を支持する基板支持機構と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置と、
上記乾燥室を下降させることにより、上記乾燥室内に上記乾燥室に対して相対的に昇降可能に備えられた液移動板を相対的に上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置とを備えて、
上記排液装置により、上記液移動板とともに上記基板支持機構により支持されている上記基板及び上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させて、上記基板とともに上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により供給された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置を提供する。
【００２０】
本発明の第１３態様によれば、上記不活性ガスは、窒素ガスである第７態様から第１２態様のいずれか１つに記載の基板乾燥装置を提供する。
【００２１】
本発明の第１４態様によれば、上記空間内のガスを上記空間外へ排気する排気装置をさらに備え、
上記基板の露出は、上記不活性ガス供給装置により上記不活性ガスを上記空間内に供給するとともに、上記排気装置により上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排出しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる第７態様から第１３態様のいずれか１つに記載の基板乾燥装置を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明にかかる実施の形態を説明するにあたり、本明細書で用いられる用語の定義について説明する。
【００２３】
本明細書における用語「液滴」とは、物体の表面に付着した液体のうちの大略粒状の液体であって、かつ、目視にて確認できる程度の大きさのものをいうものとする。また、本明細書における用語「水分」とは、物体の表面に付着した液体のうちの目視にて確認できないような微細な大きさの液体、例えば、微細な径を有する大略粒状の液体のことをいう。なお、上記液体は純水のみにより構成される場合、さらに純水に、シリコン化合物等の異物が混合若しくは溶解されている場合も含む。
【００２４】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる基板乾燥装置は、基板の一例としてウェハの乾燥を行うウェハ乾燥装置５０１であり、ウェハ乾燥装置５０１の縦断面図を図１に、図１におけるＦ−Ｆ断面図を図２に、図１におけるＧ−Ｇ断面図を図３に示す。また、ウェハ乾燥装置５０１の概略構成を示すフロー図を図４に示す。なお、本発明において用いられる基板には、上記ウェハの他に、液晶パネル基板等がある。
【００２６】
図１、図２、図３、及び図４に示すように、ウェハ乾燥装置５０１は、上面全体が開放されかつ４つの側面及び底面を備えた略直方体状の箱体形状を有し、かつその内部に純水４０を収容可能であって、かつ円盤状の複数のウェハ２を上記収容された純水４０内に浸漬させて洗浄後に乾燥可能な乾燥室２０１と、略直方体状の箱体形状を有してその内部に密閉可能な空間４を有し、かつ乾燥室２０１がその内部に固定されて設置されている処理室２１２とを備えている。
【００２７】
また、乾燥室２０１は、その内部に収容される純水４０を上下方向に２つの純水槽に区分しかつ純水４０の液面と略平行に備えられた可動床の一例である仕切り板２５０を備えている。乾燥室２０１内に収容された純水４０は、この仕切り板２５０により、その上側を上部純水槽４０ａ、その下側を下部純水槽４０ｂとして２つの純水槽に区分されている。また、この仕切り板２５０は、その周部全体が乾燥室２０１の内側に接触しない程度かつ上記隙間を通して下部純水槽４０ｂより上部純水槽４０ａ内へ純水を供給することができるような隙間が設けられており、また、可動床昇降装置の一例である仕切り板昇降機構２１４により、仕切り板２５０は乾燥室２０１の内側に沿って昇降可能となっている。なお、この仕切り板昇降機構２１４の構造の詳細な説明については後述する。また、乾燥室２０１の上端、すなわち上記４つの側面の上端は夫々同じ高さ位置となるように形成されている。
【００２８】
また、乾燥室２０１は、複数のウェハ２をその表面を鉛直方向に略平行かつ一定間隔でもって夫々の表面を略平行に配列させて支持する公知のウェハキャリア１３を搬入可能とし、さらに搬入されたウェハキャリア１３を乾燥室２０１内において解除可能に固定する基板支持機構の一例であるキャリア固定部９を備えている。ウェハキャリア１３は、例えば、複数の固定ピンを備えており、また、上記各固定ピンと嵌め合い可能な固定ピン受部がキャリア固定部９に備えられて、夫々の上記固定ピンと上記固定ピン受部が嵌め合わさることにより、ウェハキャリア１３がキャリア固定部９に固定される。なお、上記固定の機構については、公知の他の固定機構による場合であってもよく、ウェハキャリア１３をキャリア固定部９に固定させた状態において、ウェハキャリア１３とキャリア固定部９との間にガタツキ等が発生しなければよい。
【００２９】
また、キャリア固定部９は乾燥室２０１の仕切り板２５０の上面に取り付けられており、乾燥室２０１に純水を注入して満水とした状態において、ウェハキャリア１３に支持された全てのウェハ２が純水４０中に一斉に浸漬可能（すなわち上部純水槽４０ａ中に浸漬可能）となっている。なお、ウェハキャリア１３を用いて複数のウェハ２を乾燥室２０１内に搬入する場合に代えて、ウェハキャリア１３を用いずに直接ウェハ２を乾燥室２０１内に搬入し、乾燥室２０１内において仕切り板２５０に固定した基板支持機構により支持して支持位置を固定するような場合であってもよい。
【００３０】
また、処理室２１２は、その上面に開閉可能な蓋２１１を有しており、蓋２１１を開けることによりウェハ２を多数収納したウェハキャリア１３の供給取出し及び処理室２１２内部のメンテナンス等が可能となっており、蓋２１１を閉めることにより処理室２１２内部の空間４を密閉状態とすることが可能となっている。さらに、蓋２１１には、処理室２１２内における乾燥室２０１に収容された純水４０の液面上における空間４内に不活性ガスの一例である窒素ガスを噴射させて、空間４内を窒素ガスで充填させる不活性ガス供給装置の一例である（窒素ガス供給装置の一例でもある）乾燥ノズル５が備えられている。なお、乾燥ノズル５は、空間４内に窒素ガスを噴射させる場合のみ限定されるものではなく、空間４内に窒素ガスを充填させることができるように供給することができればよい。なお、不活性ガスの一例としては、その取扱いの容易性により窒素ガスを用いることが好ましいが、この窒素ガスに代えて、その他の種類の不活性ガスを用いることも可能である。また、乾燥ノズル５は、例えば、複数の噴射孔を有し、夫々の噴射孔より、夫々のウェハ２の間の空間に向けて、窒素ガスが噴射されるような場合であってもよい。このように、夫々のウェハ２間の空間に向けて窒素ガスが噴射されることにより、ウェハ２の表面の乾燥を促進させることができるからである。
【００３１】
また、乾燥室２０１内部における仕切り板２５０の下側の下部純水槽４０ｂへ純水を供給する管状の純水供給機構の一例である純水供給部２１０が、乾燥室２０１の下部純水槽４０ｂ内に備えられている。また、乾燥室２０１内部の下部純水槽４０ｂに均一に純水を供給可能なように、純水供給部２１０は下部純水槽４０ｂ内部においてその管状の外周に多数の純水の供給孔を有している。また、下部純水槽４０ｂ内に供給された純水が、仕切り板２５０が動かないときは、仕切り板２５０と乾燥室２０１の内面との間にある上記隙間を通して、上部純水槽４０ａ内にも純水を供給することが可能となっている。なお、純水供給部２１０より下部側純水槽４０ｂには、略常温の状態の純水が供給される。
【００３２】
また、仕切り板２５０は、乾燥室２０１内部において純水４０の液面と略平行な状態を保ちながら仕切り板昇降機構２１４により上記４つの側面沿いに平行移動可能となっている。仕切り板昇降機構２１４は、図１における処理室２１２の左側に備えられており、処理室２１２及び仕切り板昇降機構２１４はウェハ乾燥装置５０１の機台２１５上に固定されている。仕切り板昇降機構２１４は、回転軸回りに回転可能に機台２１５に上下方向に固定されたボールねじ軸部２１４ａと、ボールねじ軸部２１４ａを正逆回転させる駆動部２１４ｂと、ボールねじ軸部２１４ａに螺合してボールねじ軸部２１４ａが正逆回転されることによりボールねじ軸部２１４ａに沿って昇降可能なナット部２１４ｃと、機台２１５に固定されかつ上記正逆回転の方向においてナット部２１４ｃを固定して上記昇降動作を案内するガイド２１４ｅと、複数の剛体により門型に形成されかつ一方の下端がナット部２１４ｃに固定されかつ他方の下端が処理室２１２の上面を貫通して、仕切り板２５０の図１における左側の上面端部に固定された昇降フレーム２１４ｄとにより構成されている。なお、駆動部２１４ｂの例としては、ボールねじ軸部２１４ａの下端に固定されかつボールねじ軸部２１４ａを直接的に正逆回転させるモータ、又は、ボールねじ軸部２１４ａの下端の固定されたプーリーをベルト等を介してボールねじ軸部２１４ａを間接的に正逆回転させるモータがある。仕切り板昇降機構２１４において駆動部２１４ｂによりボールねじ軸部２１４ａを正逆回転させることにより昇降フレーム２１４ｄを昇降させて、仕切り板２５０を乾燥室２０１の上記各側面沿いに昇降させることが可能となっている。これにより、純水が供給されて上部純水槽４０ａ及び下部純水槽４０ｂが満水状態とされた乾燥室２０１において、ウェハキャリア１３に支持された全てのウェハ２が上部純水槽４０ａ内に浸漬される高さ位置に位置された状態の仕切り板２５０を、仕切り板昇降機構２１４により上昇させることにより、仕切り板２５０の上側に収容されている上部純水槽４０ａにおける純水４０を仕切り板２５０とともに上昇させて、純水４０の液面側純水を乾燥室２０１の上端よりオーバーフローさせることが可能となっている。また、仕切り板昇降機構２１４による仕切り板２５０の昇降範囲は、例えば、ウェハキャリア１３に支持される全てのウェハ２の上端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって下方に位置する高さ位置（昇降動作の下端位置）から、上記すべてのウェハ２の下端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって上方に位置する高さ位置（昇降動作の上端位置）までの範囲である。
【００３３】
なお、ここで液面側純水とは、純水４０の液面を含む液面近傍の液体のことであり、例えば液面より２０ｍｍ程度までの下方の液層における液体のことを示す。また、この液体が純水のみにより構成される場合、さらに純水に、シリコン化合物等の異物が混合（若しくは溶解）されている場合も含む。
【００３４】
また、乾燥室２０１においては、上向きに開放部を有するコ字型断面形状の溝を有するオーバーフロー受部２１７が乾燥室２０１の４つの側面上部の外側沿いに設置され、乾燥室２０１の上部外周全体にオーバーフロー受部２１７の上記コ字型断面形状の溝が平面的にロ字型に一体として形成されている。また、オーバーフロー受部２１７の上記溝の乾燥室２０１側の側面は、乾燥室２０１の上部外側側面により形成されており、他方の側面はその上端の高さ位置が乾燥室２０１の上端よりも高くなるように形成されている。これにより、乾燥室２０１において純水がオーバーフローした際に、オーバーフローした純水をオーバーフロー受部２１７により受けることが可能となっている。また、オーバーフロー受部２１７の底面には排液口２１７ａが設けられており、配管等を介して若しくは直接、処理室２１２の底部に設けられた排液口２１８より処理室２１２外へ上記オーバーフローした純水を排液可能となっている。なお、本第１実施形態においては、仕切り板昇降機構２１４が排液装置の一例となっている。
【００３５】
ここでオーバーフロー受部２１７が備えられた乾燥室２０１の上部における拡大平面図を図５（Ａ）に、図５（Ａ）における乾燥室２０１のＨ−Ｈ断面図を図５（Ｂ）に示す。図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、上記ロ字型におけるオーバーフロー受部２１７の内側の縁、すなわち乾燥室２０１の上端には、Ｖ字型の切り込み形状を有する三角堰２０１ａが、一例として一定の間隔でもって複数形成されており、上記純水４０の液面側純水のオーバーフロー受部２１７の内への流入（すなわち、オーバーフロー）を行う場合において各三角堰２０１ａよりオーバーフロー受部２１７内へ流入させることにより、流入流量の調整を容易に行い、かつ上記流入をスムーズに行うことができるようになっている。なお、三角堰２０１ａの上記一定の間隔が、ウェハキャリア１３により支持されている各ウェハ２の配置間隔と同じである場合であってもよい。
【００３６】
処理室２１２の蓋２１１に設置されている乾燥ノズル５により、空間４内に窒素ガスが噴射されるが、窒素ガスは、常温若しくはウェハ２の温度で供給され、又は、常温より高い温度で供給される。また、図４に示すように、窒素ガスは、減圧弁２９、第１エアーオペレートバルブ３０、流量計３１を介して、図２における処理室２１２の蓋２１１の略中央に配置された乾燥ノズル５に供給される。
第１エアーオペレートバルブ３０は、流量計３１で検出された窒素ガスの流量に基づき、窒素ガスの流量を自動的に調整することが好ましい。この結果、窒素ガスは乾燥ノズル５を通して、空間４内に、常温若しくはウェハ２の温度より高い温度で噴射されて供給される。このように空間４内に供給されて充填される窒素ガスは、乾燥室２０１内で純水４０からウェハ２が液面より上方に露出されるときに、上記露出されたウェハ２の表面に付着した純水を蒸発させて、上記ウェハ２の表面の乾燥を促進させることができる。
【００３７】
また、処理室２１２内の空間４の圧力が異常に高まらないようにするため、処理室２１２には排気通路４３を設けて、排気流量を調整するための手動弁７と、排気の開始又は停止を行う第２エアーオペレートバルブ８とを設けている。なお、空間４内に圧力センサを配置して、圧力センサで検出された空間４内の圧力に応じて第２エアーオペレートバルブ８を自動的に開閉することもできる。さらに、乾燥ノズル５により空間４内に窒素ガスを供給するとともに、排気通路４３より空間４内から窒素ガスを排気させながら、空間４内を、例えば、所定の圧力状態の窒素ガスで充填させることもできる。このような場合にあっては、空間４内において、上記ウェハ２の表面に付着した純水が蒸発された水蒸気を含む窒素ガスを排気通路４３と通して排気させるとともに、空間４内に新たな窒素ガスを供給することができ、空間４内における窒素ガス中の水分の濃度を低く保つことができる。なお、本第１実施形態においては、排気通路４３、手動弁７、及び第２エアーオペレートバルブ８が、排気装置の一例となっている。
【００３８】
さらに、乾燥室２０１の底部の排液口２１９には、第３エアーオペレートバルブ３５が設けられており、第３エアーオペレートバルブ３５を開くことにより、乾燥室２０１内の純水の排液を行うことができる。さらに、処理室２１２の底部の排液口２１８に排液通路４４を設けられており、処理室２１２内においてこの排液通路４４にオーバーフロー受部２１７の排液口２１７ａよりの排液通路が接続されて、処理室２１２内よりウェハ乾燥装置５０１外へ排液通路４４を介しての排液が行われる。なお、図示しないが排液通路４４上には、処理室２１２内の空間４の圧力を保持するために封水機構が設けられている。
【００３９】
また、乾燥室２０１内における下部純水槽４０ｂ内において設置されている純水供給部２１０には純水供給通路４５が接続されて設けられており、純水は、純水供給通路４５の経路上に設けられた手動弁３２、流量計３３、第４エアーオペレートバルブ３４を介して、純水供給部２１０に供給される。第４エアーオペレートバルブ３４は、流量計３３で検出された純水の流量に基づき、純水の流量を自動的に調整することが好ましい。
【００４０】
上記第１エアーオペレートバルブ３０、第２エアーオペレートバルブ８、第３エアーオペレートバルブ３５、及び第４エアーオペレートバルブ３４は、制御装置４７に接続されて、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、処理室２１２内の空間４に供給する窒素ガスの流量、空間４内からの排気量、純水４０の排液量などを動作制御できるようにしている。また、制御装置４７は、仕切り板昇降機構２１４における各動作制御も行う。
【００４１】
上記構成によるウェハ乾燥装置５０１においてウェハ２の乾燥処理を行う場合の手順について以下に説明する。
【００４２】
まず、純水供給通路４５の第４エアーオペレートバルブ３４を開いて乾燥室２０１内に純水供給部２１０により略常温の状態の純水を供給し、下部純水槽４０ｂを満水とさせた後、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間の隙間を通して下部純水槽４０ｂより純水を供給して上部純水槽４０ａも満水とさせる。その後、蓋２１１を開放し、複数のウェハ２が支持されたウェハキャリア１３を処理室２１２内に搬入し、乾燥室２０１内の純水４０中にウェハキャリア１３を浸漬させてキャリア固定部９により固定する。このとき、乾燥室２０１より純水をオーバーフロー受部２１７にオーバーフローさせることにより、ウェハ２が浸漬されている乾燥室２０１の上部純水槽４０ａ内の異物を純水４０の液面近傍に浮遊させて、これら異物をオーバーフローされる純水とともに乾燥室２０１外に排出させて洗浄を行う。
【００４３】
次に、排気通路４３を閉じた状態、すなわち処理室２１２の空間４が密閉された状態において、乾燥ノズル５から窒素ガスを噴射させて、空間４内を窒素ガスで充填させる（例えば、窒素ガスが略１００％の状態となるように充填させる）。このとき、乾燥室２０１の空間４内の圧力が異常に高くなったときには、排気通路４３を開いて圧力を低下させるようにするのが好ましい。また、乾燥ノズル５よりの窒素ガスの供給の際に、排気通路４３を通して空間４内のガスを排気させることにより、空間４内を窒素ガスで容易に満たすことができる。
【００４４】
次に、このように上記空間４内に窒素ガスが充填された状態で、制御装置４７の制御により、仕切り板昇降機構２１４が制御されて、その昇降動作の下端位置に位置されている状態の仕切り板２５０を一定の速度でもって緩やかに上昇させていく。仕切り板２５０の上昇速度の例としては、１秒間に１０ｍｍ程度以下の上昇速度、好ましくは、１秒間に１〜２ｍｍ程度の上昇速度とする。なお、このような上昇速度は、後述するように、ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上方に露出されるような場合であっても、目視で確認できるような上記液面の波立ち（あるいは揺れ）の発生を防止（あるいは低減）できるような上昇速度となっている。
【００４５】
この仕切り板２５０の上昇開始にともない、乾燥室２０１の純水４０における液面中央付近より乾燥室２０１の上端の全周部の方向への概ね放射状の流れを生じ、純水４０の液面側純水が各三角堰２０１ａを介してオーバーフロー受部２１７内に流入するとともに、オーバーフロー受部２１７における排液口２１７ａよりオーバーフロー受部２１７内に流入した上記液面側純水が排液通路を通して排液される。
【００４６】
上記純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂに供給されている上記純水の供給量は、仕切り板２５０の上昇に伴う上記液面側純水の排液量に応じて、制御装置４７により流量計３３を用いて第４エアーオペレートバルブ３４を制御しながら下部純水槽４０ｂに供給されている。すなわち、仕切り板２５０が上昇することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されている。従って、上記仕切り板２５０の上昇により上部純水槽４０ａ内の純水を上昇させる場合、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れがほとんど発生しない。これにより、上記仕切り板２５０の上昇によって上部純水槽４０ａ内の純水のみを上昇させて排出させることが可能となっている。
【００４７】
なお、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０の上昇動作を円滑に行うことができるように、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との上記隙間の大きさに応じて、上記純水供給部２１０より乾燥室２０１の下部純水槽４０ｂ内への純水の供給量が、仕切り板２５０の上昇に伴う下部純水槽４０ｂの容積増加分よりも多く又は少なくするような場合であってもよい。
【００４８】
よって、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記概ね放射状の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍において純水中に浮遊している異物等を上記表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００４９】
その結果、仕切り板２５０の上昇に伴って上昇されているウェハ２の上部が純水４０の液面から上に露出する、すなわち、空間４内に露出されることになるが、空間４内は窒素ガスが充填されているため、ウェハ２の表面が酸素に触れて自然酸化することなく、ウェハ２の表面に付着している純水が窒素ガス雰囲気中に蒸発されて、ウェハ２の表面が乾燥される。
【００５０】
その後、仕切り板２５０がその昇降動作の上端位置まで上昇されると、すなわち、仕切り板２５０とともに上昇されているウェハキャリア１３に支持されている各ウェハ２の下端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって上方に位置されるまで上昇されると仕切り板２５０の上昇が停止され、各ウェハ２が純水４０から完全に露出された状態、すなわち、完全に空間４内に露出された状態となり、空間４内に充填されている窒素ガス雰囲気中に、各ウェハ２の表面に付着した純水が蒸発されて、各ウェハ２の表面が乾燥される。上記乾燥完了後、乾燥ノズル５よりの窒素ガスの噴射が停止されて、ウェハ２の乾燥処理が終了する。
【００５１】
その後、処理室２１２の蓋２１１を開放し、キャリア固定部９によるウェハキャリア１３の固定を解除して、処理室２１２よりウェハキャリア１３毎各ウェハ２が上方に搬出される。
【００５２】
なお、仕切り板２５０を上昇させて純水４０の液面側純水の排液を行う場合において、さらに純水供給部２１０より純水を、下部純水槽４０ｂの容量増加分を満たす量よりさらに、例えば３０リットル／分以下程度、好ましくは４リットル／分程度多く、供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０中の異物等を余分に供給された純水により積極的に液面側へ押し上げて、液面側純水とともにより迅速かつより円滑に排出することができる。
【００５３】
また、下部純水槽４０ｂに備えられている純水供給部２１０とは別に、上部純水槽４０ａにおいても別の純水供給部がさらに備えられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、乾燥室２０１内に純水を満たす場合に、純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂ内に純水を供給し、上部純水槽４０ａ内には上記別の純水供給部により純水の供給を行うことができるため、乾燥室２０１への初期の純水供給に要する時間を短縮化することができる。また、純水が満水とされた状態の上部純水槽４０ａにおいて、さらに上記別の純水供給部より純水の供給を行い、上部純水槽４０ａより強制的に純水をオーバーフローさせることにより、上部純水槽４０ａ内の異物等の除去をより容易に行うことができる。
【００５４】
また、乾燥室２０１の上端に設けられた複数の三角堰２０１ａが全て一定の配列間隔にて形成されている場合に代えて、ウェハキャリア１３に支持されている各ウェハ２の表面沿いの方向における互いに対向する夫々の乾燥室２０１の側面の上端にはより短い配列間隔で、各ウェハ２の表面と直交する方向における互いに対向する夫々の乾燥室２０１の側面の上端にはより長い配列間隔で、複数の三角堰２０１ａを形成する場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７に流入させる場合に生じていた液面中央付近より乾燥室２０１の上記４つ側面の上端全周の方向への上記概ね放射状の流れを、各ウェハ２の表面沿い方向に、強い流れとすることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記強い流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍における浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００５５】
なお、乾燥室２０１よりの上記液面側純水の排液に際して排液流量の微小な調整が要求されないような場合にあっては、乾燥室２０１の上端において上記複数の三角堰２０１ａが形成されている場合に代えて、上記三角堰２０１ａが形成されていない場合であってもよい。
【００５６】
また、上記三角堰２０１ａが乾燥室２０１の４つの側面夫々に形成されている場合に限定されるものではない。例えば、上記４つの側面のうち、ウェハキャリア１３により支持されている各ウェハ２の表面沿いの方向における互いに対向する夫々の側面沿いにのみ、上記三角堰２０１ａを備えさせるような場合であってもよい。
【００５７】
このような場合においては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７に流入させる場合に、液面中央付近より上記三角堰２０１ａが形成されている乾燥室２０１の夫々の上端側へ液面上に各ウェハ２の表面沿い方向の流れ、つまり上記表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れを発生させることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記相反する２方向の表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００５８】
また、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記２方向の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を上記２方向の表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００５９】
また、上記三角堰２０１ａが上記互いに対向する１組の夫々の上端にのみ備えられている場合に代えて、上記１組の夫々の上端のうちの１つの上端にのみ、三角堰２０１ａが備えられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７内に流入させる場合に、液面上において上記１組の夫々の上端のうちの三角堰２０１ａが備えられていない上端側から上記三角堰２０１ａが備えられている上端側への各ウェハ２の表面沿い方向における一方向の表面流れを発生させることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記一方向の表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００６０】
また、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記一方向の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を上記一方向の表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００６１】
ここで、乾燥室２０１において、ウェハ２を純水４０の液面より上方に露出させる場合における純水４０の液面とウェハ２の表面に付着する純水との関係について詳細に説明する。このような場合の一例として、純水４０の液面において上述したウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れが形成されているような場合において、ウェハ２を上記液面より上方に露出させる場合の模式説明図を図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図１３において、（Ａ）は、上部側純水槽４０ａ内の純水４０中に浸漬されている状態のウェハ２の上昇が開始されて、まだ、ウェハ２が完全に純水４０内に浸漬されている状態を示しており、（Ｂ）は、その後、ウェハ２の上部が純水４０の液面よりも上方に露出された状態を示している。
【００６２】
まず、図１３（Ａ）に示すように、乾燥室２０１内において、仕切り板２５１の上昇が開始されるとともに、仕切り板２５１に固定されて支持された状態のウェハ２が速度ベクトルＴでもって上昇されるとともに、上部側純水槽４０ａ内の純水４０が速度ベクトルＳでもって上昇される。また、ウェハ２の速度ベクトルＴと純水４０の速度ベクトルＳとは、その向き及び大きさ（長さ）が同じとなっている。すなわち、純水４０内に浸漬されているウェハ２とその周囲の純水４０とは、互いに相対的に静止した状態とされている。
【００６３】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、乾燥室２０１において、さらに仕切り板２５１が上昇されると、速度ベクトルＴでもって上昇されているウェハ２の上部が、純水４０の液面より上方に露出される。また、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、仕切り板２５１の上昇に伴い、上部側純水槽４０ａ内の純水４０が上昇されることにより、純水４０の液面においては、ウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れＦ１（図示左向き）及びＦ２（図示右向き）が形成される。この夫々の表面流れＦ１及びＦ２により、純水４０の液面近傍において、乾燥室２０１よりの液面側純水の排液が行われる。これにより、図１３（Ｂ）に示すように、速度ベクトルＳでもって純水４０は上昇されるが、純水４０の液面においては、上昇された純水４０が上記液面側純水となって、連続的に排液されるため、純水４０の液面高さは、上記液面側純水が排液されている間は、上昇されることなく、略一定の高さが保たれる。そのため、図１３（Ｂ）に示す状態においては、ウェハ２と純水４０との間には、相対的な速度差、すなわち、速度ベクトルＴに相当する速度差が生じることとなる。
【００６４】
ここで、図１３（Ｂ）に示す状態における純水４０の液面における純水４０とウェハ２との境界面である界面Ｇの状態についてのさらに詳細な模式説明図を図６に示し、この界面Ｇの状態について詳細に説明する。図６において、（Ａ）はウェハ２の表面に直交する方向よりの状態を示しており、（Ｂ）は（Ａ）の側面よりの状態を示している。
【００６５】
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハ２は速度ベクトルＴの方向に上昇されており、その上部側の略半分の部分が純水４０の液面より露出されている状態となっている。ここで、純水４０の液面とウェハ２との界面Ｇに注目すると、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この界面Ｇには、上記液面より上方に純水４０が隆起された隆起純水部４０ｃ（図示斜線部分）が形成されている。この隆起純水部４０ｃは、速度ベクトルＴ方向に上昇されるウェハ２の表面に純水を付着させて、ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡されていることにより、純水４０とウェハ２との界面Ｇに形成されている。
【００６６】
しかしながら、例えば、図１４の模式説明図に示すように、純水４０の液面において、目視で確認できるような波立ちが発生するような場合にあっては、界面Ｇにおいては、上記速度ベクトルＴ以外にも、さらに上記波立ちにより上記ウェハ２の上昇方向における速度ベクトルＲが発生する。この速度ベクトルＲは上記波立ちの状態により微小な時間においてその大きさが変位し、その向きが上昇方向となる場合、その逆方向となる場合がある。そのため、ウェハ２の表面に純水を付着させて、ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力との２つの力に、この速度ベクトルＲによる力が加わることとなるが、速度ベクトルＲは微小な時間とともに変位するため、夫々の力は均衡が保たれない状態となる。従って、ウェハ２の表面に付着される純水を上昇させようとする力を、上記引き戻そうとする力よりも大きくするような方向に上記速度ベクトルＲによる力が加わるような場合にあっては、ウェハ２の表面に付着した純水の一部が、上記引き戻そうとする力により引き戻されることなく、一部の純水が隆起純水部４０ｃより分離して、ウェハ２の表面に多数の純水の液滴４０ｐとなって付着して残留したまま、ウェハ２が液面より露出されることになる。このように露出されたウェハ２の表面に多数の液滴４０ｐが付着するような場合にあっては、これらの液滴４０ｐを蒸発させるのに時間を要し、ウェハ２の乾燥効率も著しく低下することとなってしまう。
【００６７】
一方、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、純水４０の液面において上記目視で確認できるような波立ちが発生しないような場合にあっては、上記ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡されているため、上記多数の液滴４０ｐが露出されたウェハ２の表面に付着することを抑制し、微細な一部の液滴、すなわち、上記純水の水分が残留するのみとさせることができる。
【００６８】
このような上記波立ちに関しては、図１３（Ａ）に示すように、ウェハ２とその周囲の純水４０とが互いに相対的に静止された状態で上昇されること、及び、図１３（Ｂ）に示すように、ウェハ２が純水４０の液面より上方に露出された場合に、界面Ｇにおいてはウェハ２と純水との間に、速度ベクトルＴに相当する相対的な速度差が生じることとなるが、この速度差が一定に保たれており、また、上記液面において上記波立ちが発生しないような十分に遅い速度であること（すなわち、速度ベクトルＴの大きさが一定でありかつ上記十分に遅い速度であるように制御されていること）により、上記液面における上記波立ちの発生の防止が図られている。また、上記速度ベクトルＴの大きさが一定でありかつ上記十分に遅い速度であることにより、純水４０の速度ベクトルＳも同様であるため、純水４０の液面における表面流れＦ１及びＦ２も一定の速度でかつ安定した流れとなり、上記波立ちの発生を起因するものとなり得ない。
【００６９】
従って、純水４０の液面（すなわち、界面Ｇ）においては、上記波立ちが発生することもなく、安定した状態で隆起純水部４０ｃを形成することができ、上記多数の液滴４０ｐが露出されたウェハ２の表面に付着することを抑制し、微細な一部の液滴、すなわち、上記純水の水分が残留するのみとさせることができる。
よって、ウェハ２が露出されても、その表面には少量かつ微細な上記純水の水分が付着されて残留しているのみとさせることができ、この水分を空間４内に充填されている窒素ガスにより迅速に蒸発させることができる。
【００７０】
なお、上記においては純水４０の液面において、上記２方向の表面流れ（Ｆ１及びＦ２）が形成されている場合を一例として説明したが、このような場合に代えて、上記１方向の表面流れ、あるいは、上記放射状の表面流れが用いられるような場合であってもよい。
【００７１】
また、ウェハキャリア１３が上記公知のものである場合に代えて、図７に示すようなウェハ保持具２１３を用いる場合であってもよい。図７（Ａ）及び（Ｂ）はウェハ保持具２１３の部分拡大側面図である。
【００７２】
図７に示すように、ウェハ保持具２１３は、円盤状のウェハ２の下部におけるその面沿いに互いに対称な２箇所の位置にてウェハ２を支持可能なウェハ支持部２１３ａが一定の間隔でもって複数形成されたフレーム２１３ｂを備えている。
また、図７（Ｂ）に示すように、夫々のウェハ支持部２１３ａは、フレーム２１３ｂ上に串歯状に形成されており、夫々のウェハ２の配列方向沿いにおいて、互いに隣接する夫々のウェハ支持部２１３ａの間には一定の間隔でもって空間が確保されるように形成されている。これにより、隣接するウェハ２間において、ウェハ２の上端から下端まで、ウェハ２の表面沿いかつ純水４０の上記液面沿いの方向に空間を確保することが可能となっている。
【００７３】
このようなウェハ保持具２１３を用いることにより、純水４０内に浸漬されたウェハ２を液面よりも上方に露出させる場合において、上記液面上かつウェハ２の表面沿いの方向に発生する上記表面流れにより、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍における浮遊している異物等の排出性をさらに良好とさせることができる。
【００７４】
また、乾燥室２０１において、仕切り板２５０の周部全体と乾燥室２０１の内側との間に上記隙間が設けられているような場合に代えて、図１２の乾燥室２０１の模式説明図において示すように、上記隙間が設けられずに、仕切り板２５１の周部全体と乾燥室２０１の内側との間にシール２５１ａが設けられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５１を上昇させるのではなく、純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂ内に供給された純水の水圧により、仕切り板２５１を乾燥室２０１の内側に沿って上昇させることができる。従って、仕切り板２５１を昇降させる機械的な機構、すなわち仕切り板昇降機構２１４のような機構を不要とすることができ、ウェハ乾燥装置をコンパクトな装置とすることができるとともに、ウェハ乾燥装置のコストを削減することができる。
【００７５】
なお、ウェハ乾燥装置５０１においては、イソプロピルアルコール（以下、単にＩＰＡと記す。）を用いない場合について説明したが、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、空間４内にさらにＩＰＡ（液相又は気相）を供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、露出されたウェハ２の表面に付着された純水の微細な液滴をＩＰＡと置換させて、上記置換されたＩＰＡを蒸発させることにより、ウェハ２の乾燥処理を行うことができる。
【００７６】
上記第１実施形態によれば、乾燥室２０１における純水４０の上部純水槽４０ａ内に浸漬されたウェハ２を純水４０の液面より上に露出させる際に、乾燥室２０１の底面からのみの純水の排液、及びウェハ２自体の純水４０からの引き上げによるものではなく、ウェハ２とともに上部純水槽４０ａにおける純水を上昇させることにより、液面側純水を乾燥室２０１の上部よりオーバーフロー受部２１７内に流入させて排液していくため、液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を液面側純水とともに排出することができる。これにより、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、上記異物等のウェハ２の表面への付着を防止（又は低減）することができる。
【００７７】
また、このような液面側純水のオーバーフロー受部２１７への排液は、上記液面において形成される上記概ね放射状の流れ、ウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れ、又は１方向の表面流れが形成され、上記夫々の表面流れでもって行われ、特に、上記２方向又は１方向の表面流れが形成される場合にあっては、夫々の表面流れは各ウェハ２の表面沿いに形成されているため、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上方に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、上記異物等のウェハ２の表面への付着を防止することができ、乾燥されたウェハ２の表面を異物等の付着のない良好な状態とさせることができる。
【００７８】
また、仕切り板２５１の上昇速度が、ウェハ２の一部が純水４０の液面より上方に露出されたような場合であっても、目視で確認できるような上記液面の波立ちを防止できるようなゆっくりとした一定の速度に制御されていること、及び純水４０に浸漬されているウェハ２がその周囲の純水とともに相対的に互いに静止した状態が保たれながら上昇されることにより、純水の液面におけるウェハ２と純水の界面Ｇを安定した状態（波立ち又は揺れの発生がない状態）とさせることができる。これにより、この界面Ｇに形成される隆起純水部４０ｃの一部の純水が分離して、多数の液滴４０ｐとなって露出されるウェハ２の表面に付着して残留することを抑制することができる。よって、ウェハ２が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、空間４内に充填されている窒素ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、ＩＰＡを用いて、ウェハ２の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような乾燥方式を用いなくても、純水から露出されたウェハ２の乾燥処理を行うことができる。
【００７９】
また、ウェハ乾燥装置５０１においては、ＩＰＡを用いることなくウェハ２の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができる。
【００８０】
また、乾燥室２０１内の純水４０の排液の際に、ウェハ２とともにウェハ２を浸漬している上部純水槽４０ａ内の純水４０を上昇させて、乾燥室２０１の上端より上記液面側純水をオーバーフローさせることにより、純水４０の排液を行うため、上記排液中においては、純水４０の液面の位置と上記液面上方の空間４との位置が互いに固定されており、空間４の容積を一定に保つことができる。これにより、ウェハ２の上記液面よりの露出開始から露出完了まで（すなわち、ウェハ２の乾燥処理開始から終了まで）上記空間４内の窒素ガスの濃度を安定させることができ、ウェハ２の露出の際にウェハ２の表面に付着して残留している純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、ウェハ表面における乾燥むらの発生を防止することができる。
【００８１】
また、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０が乾燥室２０１の内側に沿って上昇された場合に、この上昇量に応じて下部純水槽４０ｂの容積増加分に見合った量の純水を純水供給部２１０より下部純水槽４０ｂへ供給するため、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間には互いに接触しない程度の隙間を有している状態であっても、仕切り板２５０の上昇により上部純水槽４０ａにおける純水のみを上昇させて上記液面側純水の排液を行うことができる。これにより仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間の上記隙間を埋める（シールする）必要を無くすことができ、上記隙間を埋めた場合に発生するおそれのある摩擦による異物の発生を防止し、乾燥室２０１の純水４０内での異物発生を防止することができる。
【００８２】
また、上記仕切り板２５０の上昇に伴い、仕切り板２５０が上昇することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されるため、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れをほとんど発生させないようにすることができる。従って、ウェハ２を浸漬している上部純水槽４０ａにおいては、純水の流れ込みによる渦流等の発生を無くすことができ、上記液面上における上記略放射状若しくは上記２方向若しくは上記１方向のスムーズな表面流れでもって、露出された各ウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等を排出させることができる。
【００８３】
また、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、仕切り板２５０の上昇速度を一定とすることによっても、乾燥むらを無くすことができる。
【００８４】
なお、本発明は上記第１実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【００８５】
（第２実施形態）
例えば、本発明の第２実施形態にかかる基板乾燥装置の一例であるウェハ乾燥装置５０２は、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１のように仕切り板２５０を設けて乾燥室２０１を上部純水槽４０ａ及び下部純水槽４０ｂの２つの層に区分して、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０を上昇させることによりウェハ２を浸漬している乾燥室２０１の上部純水槽４０ａにおける液面側純水の排液を行うのではなく、上記可動床の一例である乾燥室の底面自体を上昇させることにより上記液面側純水の排液を行うものであり、それ以外の構成は同様である。以下、この上記異なる部分ついてのみ説明するものとする。また、このウェハ乾燥装置５０２の縦断面図を図８に、図８におけるＩ−Ｉ断面図を図９に、図８におけるＪ−Ｊ断面図を図１０に示す。
【００８６】
図８、図９及び図１０に示すように、ウェハ乾燥装置５０２の乾燥室３０１においては、乾燥室３０１の底面である底部３５０が乾燥室３０１の各側面に沿って昇降可能に設置されている。この底部３５０と上記各側面との間にはシール３５０ａが設けられており、底部３５０が昇降された場合であっても上記間より乾燥室３０１内の液体が漏れることはない。また、底部３５０の昇降動作を行う底面昇降装置の一例である底部昇降機構３１４が処理室３１２及びウェハ乾燥装置５０２の機台３１５上に備えられている。なお、上記シール３５０ａは、例えば、耐ＩＰＡ及び耐薬品性のフッ素系ゴムにより形成されたＯ−リング等が用いられる。
【００８７】
底部昇降機構３１４は、エアシリンダを用いた機構により構成されており、乾燥室３０１の底部３５０の下面中央に固定されたエアシリンダ３１４ａと、エアシリンダ３１４ａを昇降可能に支持してかつ乾燥室３０１の機台３１５に固定されている昇降ガイド３１４ｂ、及び図示しないがエアシリンダ３１４ａへの圧縮空気の給気及び排気を行う圧縮空気供給部を備えている。また、底部昇降機構３１４は制御装置４７により制御されており、上記圧縮空気供給部によりエアシリンダ３１４ａ内に圧縮空気が供給されることにより、エアシリンダ３１４ａが昇降ガイド３１４ｂに沿って上昇され、底部３５０が乾燥室３０１の各側面の内側に沿って上昇される。また、エアシリンダ３１４ａ内に供給される圧縮空気の方向を切り換えることにより、エアシリンダ３１４ａが昇降ガイド３１４ｂに沿って下降され、底部３５０が乾燥室３０１の各側面の内側に沿って下降される。また、上記エアシリンダ３１４ａの上昇及び下降の速度は制御装置４７により制御され、例えば、一定の上昇速度でもって上昇される。
【００８８】
これにより、底部昇降機構３１４は、底部３５０の上面に固定されているキャリア固定部９及び純水供給部３１０、さらに、キャリア固定部９により固定されたウェハキャリア１３、及び乾燥室３０１内に収容されている純水４０を、底部３５０とともに昇降させることが可能となっている。なお、底部昇降機構３１４は、上記エアシリンダ３１４ａを用いた機構により構成されている場合に代えて、その他の公知の昇降機構、例えば、油圧を用いた昇降機構やボールねじ軸を用いた昇降機構等により構成される場合であってもよい。なお、キャリア固定部９、ウェハキャリア１３、及び純水供給部３１０は上記第１実施形態におけるキャリア固定部９、ウェハキャリア１３若しくはウェハ保持具２１３、及び純水供給部２１０と同様な構成及び機能となっている。また、上記底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇速度は、第１実施形態における仕切り板２５０の上昇速度と同様である。
【００８９】
また、底部昇降機構３１４による底部３５０の昇降動作は、ウェハキャリア１３に支持されてる全てのウェハ２の上端が多少の余裕をもって乾燥室３０１の上端よりも下方に位置するような高さ位置（昇降動作の下端位置）から上記全てのウェハ２の下端が多少の余裕をもって乾燥室３０１の上端よりも上方に位置するような高さ位置（昇降動作の上端位置）までの範囲において行われる。すなわち、乾燥室３０１に純水４０が収容されて満水とされた状態において、上記昇降動作の下端位置においては、上記全てのウェハ２が純水４０に浸漬された状態となり、上記昇降動作の上端位置においては上記全てのウェハ２が純水４０より完全に露出された状態となるように底部昇降機構３１４による底面３５０の昇降動作が行われる。また、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１における乾燥室２０１の上端において形成されている複数の三角堰２０１ａと同様な三角堰３０１ａが、例えば一定の間隔でもって乾燥室３０１の上端全体に形成されており、また、ウェハ乾燥装置２０１におけるオーバーフロー受部２１７と同様なオーバーフロー受部３１７が、乾燥室３０１の上部外周に設けられている。また、ウェハ乾燥装置５０１の処理室２１２及び乾燥室２０１と同様に、乾燥室３０１の底部３５０には排液口３１９が、処理室３１２の底部には排液口３１８が設けられている。なお、本第２実施形態においては、底部昇降機構３１４が排液装置の一例となっている。
【００９０】
このような構成のウェハ乾燥装置５０２において、乾燥室３０１内において満水状態とされた純水４０に浸漬されている各ウェハ２を純水４０の液面より露出させる方法について説明する。
【００９１】
まず、乾燥室３０１においては底部３５０が底部昇降機構３１４による昇降動作の下端位置に位置された状態とされており、乾燥室３０１内には純水４０が満水とされ、純水４０内に各ウェハ２が浸漬されている。この状態より、制御装置４７により底部昇降機構３１４が制御されて、底部昇降機構３１４により底部３５０の上昇動作が開始される。底部３５０が上記一定の速度でもって緩やかに上昇されると、純水４０の液面側純水が乾燥室３０１の上端よりオーバーフローされてオーバーフロー受部３１７に流入する。このとき、上記液体は乾燥室３０１の上端に設けられている複数の三角堰３０１ａを介してオーバーフロー受部３１７に流入される。オーバーフロー受部３１７に流入された上記液体は、排液口３１７ａ及び排液口３１８を介して排液通路４４により処理室３１２外へ排液される。
【００９２】
底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇に伴い純水４０の液面側純水が乾燥室３０１の上端よりオーバーフロー受部３１７へ流入されて排液されるとともに、底部３５０に固定されているキャリア固定部９に固定されているウェハキャリア１３も上昇され、各ウェハ２が上記液面上に露出される。全てのウェハ２の下端が乾燥室３０１の上端よりも上に位置されたときに、制御装置４７により底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇が停止される。
【００９３】
なお、上記液面側純水の排液の際に、さらに純水供給部３１０より純水を、例えば３０リットル／分以下程度、好ましくは４リットル／分程度、供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０中の異物等を新たに供給された純水により積極的に液面側に押上げて、液面側純水とともに迅速かつ円滑に排出することができる。
【００９４】
また、上記液面側純水の排液の際に、図４における第３エアーオペレートバルブ３５を開けて乾燥室３０１（図４においては２０１）の底部の排液口３１９（図４においては２１９）より純水４０の排液量を調整しながら排液を行うような場合であってもよい。この場合、底部３５０の上記一定の速度の上昇による上記液面側純水の排液動作を保つように（すなわち、上記液面側純水の排液量に変動が発生しないように）、排液口３１９よりの上記排液量の調整を行う。このような場合にあっては、上記液面における上記概ね放射状の流れ（第１実施形態と同様な流れ）を保持したまま純水４０の排液速度を速めることができ、ウェハ２の乾燥処理時間の短縮化をすることができるとともに、純水４０内における乾燥室３０１の底面側の異物等を乾燥室３０１外に排出することができる。
【００９５】
また、上記液面に概ね放射状の表面流れ、あるいはこのような表面流れに代えて、上記第１実施形態と同様に上記２方向の表面流れや上記１方向の表面流れを形成することもできる。また、ウェハ２の上昇速度がゆっくりとした一定の速度となるように制御されていること、及び、ウェハ２とその周囲の純水４０が互いに相対的に静止された状態を保ちながら上昇されることにより、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、上記液面に波立ち（又は揺れ）の発生を防止することができる。よって、上記第１実施形態と同様に、上記液面より上方に露出されるウェハ２の表面への純水の液滴の付着を抑制することができ、上記露出されたウェハ２の表面のは上記純水の水分だけが残留しているのみとさせることができる。従って、上記露出されたウェハ２の表面の水分を、空間４内に充填されている窒素ガスでもって迅速に蒸発させて乾燥させることができる。
【００９６】
上記第２実施形態によれば、上記第１実施形態におけるウェハ乾燥装置５０１のように乾燥室２０１内の純水４０を仕切り板２５０により２つの層に分けるような場合でなくても、乾燥室３０１における底部３５０を昇降させる底部昇降機構３１４を備えさせることにより、乾燥室３０１の底部３５０を底部昇降機構３１４により上昇させることにより、純水４０の液面側純水を乾燥室３０１の上端よりオーバーフローさせる形で排液することができ、上記第１実施形態による効果と同様な効果を得ることができる。
【００９７】
さらに、付け加えて、底部昇降機構３１４を乾燥室３０１の下側における機台３１５上に設置することにより、ウェハ乾燥装置５０２をコンパクトな構成とすることができる。
【００９８】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態にかかる基板乾燥装置の一例であるウェハ乾燥装置５０３は、上記第１実施形態における仕切り板２５０に相当する仕切り板４５０を備え、仕切り板４５０とこの仕切り板４５０の上面に固定されたウェハキャリア１３によるウェハ２の支持位置を処理室に固定させた状態として、上記第２実施形態のウェハ乾燥装置５０２の底部昇降機構３１４と同様な昇降機構を用いて、乾燥室の底部だけでなく、乾燥室全体を下降させることにより、上記液面側純水の排液を行うものであり、それ以外の構成は同様である。以下、この上記異なる部分についてのみ説明するものとする。また、このウェハ乾燥装置５０３の縦断面図を図１１に示す。
【００９９】
図１１に示すように、ウェハ乾燥装置５０３においては、処理室４１２内にて乾燥室４０１全体が昇降可能に設置されており、乾燥室４０１を昇降させる昇降装置の一例である乾燥室昇降機構４１４がウェハ乾燥装置５０３の機台４１５上に備えられている。また、乾燥室４０１内を上部純水槽４０ａと下部純水槽４０ｂの２つの槽に区分する仕切り板４５０が備えられており、仕切り板４５０は、その周部全体が乾燥室４０１の内側に接触しない程度の隙間を有しておりかつ上記隙間を通して下部純水槽４０ｂより上部純水槽４０ａ内へ純水の供給が可能となっている。なお、上記仕切り板４５０は上記第１実施形態の可動床に相当する液移動板の一例となっている。また、基板支持機構の一例であるキャリア固定部４０９は、乾燥室４０１の底部ではなく、処理室４１２の上部内側に固定されており、キャリア固定部４０９にはウェハキャリア１３を取り付け可能となっているとともに、仕切り板４５０を固定している。また、乾燥室４０１の底部には純水供給部４１０が固定されている。ウェハキャリア１３と純水供給部４１０は上記第１実施形態におけるウェハキャリア１３若しくはウェハ保持具２１３と純水供給部２１０と同様である。
【０１００】
また、乾燥室昇降機構４１４は、上記第２実施形態における底部昇降機構３１４と同様な構成であり、乾燥室４０１の底部の下面中央に固定されたエアシリンダ４１４ａが昇降ガイド４１４ｂに沿って昇降されることにより、仕切り板４５０及びウェハキャリア１３を処理室４１２に対して固定させたまま、乾燥室４０１を昇降させることが可能となっている。すなわち、乾燥室４０１に対して仕切り板４５０及びウェハキャリア１３を相対的に上昇させることが可能となっている。また、エアシリンダ４１４ａの上昇及び下降の速度は制御装置４７によって制御され、例えば、一定の下降速度でもって下降される。なお、この下降速度は、第１実施形態における仕切り板２５０の上昇速度と同様である。
【０１０１】
また、乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の昇降動作は、ウェハキャリア１３に支持されている全てのウェハ２の上端が多少余裕をもって乾燥室４０１の上端よりも下方に位置するような高さ位置（昇降動作の上端位置）から、上記全てのウェハ２の下端が多少余裕をもって乾燥室４０１の上端よりも上方に位置するような高さ位置（昇降動作の下端位置）までの範囲において行われる。すなわち、乾燥室４０１内に純水４０が収容されて満水状態とされた状態において、上記昇降動作の上端位置においては、上記全てのウェハ２が上部純水槽４０ａにおける純水４０に浸漬された状態となり、上記昇降動作の下端位置においては、上記全てのウェハ２が上部純水槽４０ａにおける純水４０より完全に露出された状態となるように乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の昇降動作が行われる。
【０１０２】
また、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１における乾燥室２０１の上端において形成されている複数の三角堰２０１ａと同様な三角堰４０１ａが、例えば一定の間隔でもって乾燥室４０１の上端全体に形成されており、また、ウェハ乾燥装置２０１におけるオーバーフロー受部２１７と同様なオーバーフロー受部４１７が、乾燥室４０１の上部外周に設けられている。また、ウェハ乾燥装置５０１の処理室２１２及び乾燥室２０１と同様に、乾燥室４０１の底部には排液口４１９が、処理室４１２の底部には排液口４１８が設けられている。
【０１０３】
このような構成のウェハ乾燥装置５０３において、乾燥室４０１内において満水状態とされた上部純水槽４０ａにおける純水４０内に浸漬されている各ウェハ２を純水４０の液面より露出させる方法について説明する。
【０１０４】
まず、ウェハ乾燥装置５０３においては、乾燥室４０１が乾燥室昇降機構４１４による昇降動作の上端位置に位置されており、かつ下部純水槽４０ｂにおける純水供給部４１０より純水が下部純水槽４０ｂ内に供給されている状態となっており、乾燥室４０１内には純水４０が満水とされ、上部純水槽４０ａの純水４０内に各ウェハ２が浸漬されている。この状態より、制御装置４７により乾燥室昇降機構４１４が制御されて、乾燥室昇降機構４１４により乾燥室４０１の下降動作が開始される。
【０１０５】
この乾燥室４０１の下降開始にともない、乾燥室４０１の純水４０の液面側純水が各三角堰４０１ａを介してオーバーフロー受部４１７内に流入するとともに、オーバーフロー受部４１７における排液口４１７ａよりオーバーフロー受部４１７内に流入した上記液面側純水が排液通路を通して排液される。
【０１０６】
また、純水供給部４１０よりの純水の供給量は、乾燥室４０１の下降に伴う上記液面側純水の排液量に応じて、制御装置４７により流量計３３を用いて第４エアーオペレートバルブ３４を制御しながら下部純水槽４０ｂに供給されている。
すなわち、乾燥室４０１が下降することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されている。従って、上記仕切り板４５０の周部と乾燥室４０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れがほとんど発生しない。従って、上記乾燥室４０１の下降によって、上部純水槽４０ａ内の純水のみを乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて排出させることが可能となる。
【０１０７】
乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の下降に伴い、上部純水槽４０ａにおける純水４０の液面側純水が乾燥室４０１の上端よりオーバーフロー受部４１７へ流入されて排液されて乾燥室４０１の純水４０の液面が下降され、それとともに、処理室４１２の上部内側に固定されているキャリア固定部４０９に取り付けられているウェハキャリア１３に固定されている各ウェハ２が上記液面上に露出される。全てのウェハ２の下端が乾燥室４０１の上端よりも上方に位置されたときに、制御装置４７により乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の下降が停止される。
【０１０８】
また、上記液面側純水の排液に際しては、上記第１実施形態及び上記第２実施形態と同様に、上記液面に概ね放射状の表面流れ、あるいはこのような表面流れに代えて、同様に上記２方向の表面流れや上記１方向の表面流れを形成することもできる。また、ウェハ２の乾燥室４０１に対する相対的な上昇速度がゆっくりとした一定速度となるように制御されていること、及び、ウェハ２とその周囲の純水とが互いに静止した状態にてウェハ２の上記相対的な上昇が行われることにより、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、上記液面の波立ち（又は揺れ）の発生を防止することができる。よって、上記第１実施形態と同様に、上記液面より上方に露出されるウェハ２の表面への純水の液滴の付着を抑制することができ、上記露出されたウェハ２の表面のは上記純水の水分だけが残留しているのみとさせることができる。従って、上記露出されたウェハ２の表面の水分を、空間４内に充填されている窒素ガスでもって迅速に蒸発させて乾燥させることができる。
【０１０９】
上記第３実施形態によれば、上記第１実施形態におけるウェハ乾燥装置５０１のように仕切り板２５０を上昇させることにより上部純水槽４０ａの純水をウェハ２とともに上昇させて、上記液面側純水の排液を行うのではなく、仕切り板４５０及びキャリア固定部４０９を処理室４１２に固定させて、乾燥室４０１を下降させることにより、仕切り板４５０及びキャリア固定部４０９を乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて、すなわち、上部純水槽４０ａの純水をウェハ２とともに乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて、上記液面側純水の排液を行うことができる。従って、上記第１実施形態による効果と同様な効果を得ることができる。
【０１１０】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明の上記第１態様によれば、乾燥室における純水内に浸漬された基板を上記純水の液面より上に露出させる際に、上記乾燥室の底面からのみの上記純水の排液、及び上記基板自体の上記純水からの引き上げのいずれによるものではなく、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水における液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて行くことにより、上記基板の上記液面よりの露出を行うことができる。これにより、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記液面若しくは上記液面近傍に浮遊している異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１１２】
また、このような上記液面側純水の排液は、上記液面において形成される上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れでもって行われ、この上記表面流れは上記基板の表面沿いに形成されているため、上記基板の一部が上記純水の液面よりも上方に露出された場合に、隣接する夫々の上記基板間の上記液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々の基板間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができ、乾燥された上記基板の表面を異物等の付着のない良好な乾燥状態とさせることができる。
【０１１３】
また、上記純水の液面より上方への上記基板の露出は、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水が上昇されることにより行われる、すなわち、上記基板と上記基板の周囲の上記純水とが互いに相対的に静止された状態において上記上昇が行われることにより、上記純水の液面に目視で確認できるような波立ち（あるいは揺れ）等の発生を防止することができる。さらに、上記基板の上昇速度をゆっくりとした一定の速度とすることにより、上記液面より上方に露出される際の上記基板と上記純水の液面と境界（すなわち界面）において、より効果的に上記波立ちの防止を図ることができる。これにより、上記界面において、上記基板とともに上記基板の表面に付着された純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡させることができ、上記露出される基板の表面に多数の純水の液滴が付着することを抑制することができる。よって、上記基板が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、上記空間内に充填されている不活性ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、従来のようにイソプロピルアルコール（以降、ＩＰＡという）を用いて、基板の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような乾燥方式を用いなくても、純水から露出された基板の乾燥処理を行うことができる。
【０１１４】
また、上記基板乾燥方法においては、上記ＩＰＡを用いることなく上記基板の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができ、環境の面からも好ましい基板乾燥方法を提供することができる。
【０１１５】
また、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させることにより、上記液面側純水の排液を行うため、上記純水中においては、上記純水中に浮遊している異物等を拡散するような流れ（すなわち、渦流等の乱流）の発生を防止することができる。従って、上記基板の露出の際に、上記異物等を拡散するような流れを防止した状態にて、上記液面側純水の排液を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍において純水中に浮遊している異物等の排出性を良好とすることができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１１６】
本発明の上記第２態様によれば、上記態様による効果に加えて、さらに、上記基板の露出の際における上記液面側純水の排液が、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行われることにより、上記基板の露出の際に上記空間の容積を一定に保つことができる。これにより、上記基板の露出開始から露出完了まで上記空間内の不活性ガスの濃度を安定させることができ、上記基板の表面に残留している上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【０１１７】
本発明の上記第３態様によれば、乾燥室を下降させることにより、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させる場合であっても、上記相対的な上昇を行いながら上記純水の液面もしくは液面近傍より液面側純水の排液を行うことができ、上記第１態様による効果と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１１８】
本発明の上記第４態様によれば、上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることにより、その取扱いを容易にすることができる。
【０１１９】
本発明の上記第５態様によれば、上記基板の露出は、上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われることにより、上記基板の表面に付着した純水（水分）が蒸発された水蒸気を含む上記不活性ガスを上記空間外へ排気させるとともに、上記空間内に新たな上記不活性ガスを供給することができ、上記空間内における上記不活性ガスの水分濃度を略一定に保つことができる。よって、上記露出された基板の表面よりの上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【０１２０】
本発明の上記第６態様によれば、上記基板がその表面における清浄性等が要求されるウェハ又は液晶ガラス基板である場合において、上記第１態様から第５態様の夫々における効果を得ることができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１２１】
本発明の上記第７態様によれば、乾燥室における純水内に浸漬された基板を上記純水の液面より上に露出させる際に、上記乾燥室の底面からのみの上記純水の排液、及び上記基板自体の上記純水からの引き上げのいずれによるものではなく、上記排液装置により、上記可動床を上昇させて上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水における液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させ、上記基板の上記液面よりの露出を行うことができる。これにより、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記液面若しくは上記液面近傍に浮遊している異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２２】
また、このような上記液面側純水の排液は、上記液面において形成される上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れでもって行われ、この上記表面流れは上記基板の表面沿いに形成されているため、上記基板の一部が上記純水の液面よりも上方に露出された場合に、隣接する夫々の上記基板間の上記液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々の基板間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができ、乾燥された上記基板の表面を異物等の付着のない良好な乾燥状態とさせることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２３】
また、上記純水の液面より上方への上記基板の露出は、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水が上昇されることにより行われる、すなわち、上記基板と上記基板の周囲の上記純水とが互いに相対的に静止された状態において上記上昇が行われることにより、上記純水の液面に目視で確認できるような波立ち（あるいは揺れ）等の発生を防止することができる。さらに、上記基板の上昇速度をゆっくりとした一定の速度とすることにより、上記液面より上方に露出される際の上記基板と上記純水の液面と境界（すなわち界面）において、より効果的に上記波立ちの防止を図ることができる。これにより、上記界面において、上記基板とともに上記基板の表面に付着された純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡させることができ、上記露出される基板の表面に多数の純水の液滴が付着することを抑制することができる。よって、上記基板が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、上記空間内に充填されている不活性ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、従来のようにイソプロピルアルコール（以降、ＩＰＡという）を用いて、基板の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような基板の乾燥装置を用いなくても、純水から露出された基板の乾燥処理を行うことができる。
【０１２４】
また、上記第７態様の基板乾燥装置においては、上記ＩＰＡを用いることなく上記基板の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができ、環境の面からも好ましい基板乾燥装置を提供することができる。
【０１２５】
また、上記排液装置により、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させて上記液面側純水の排液を行うため、上記純水中においては、上記純水中に浮遊している異物等を拡散するような流れ（すなわち、渦流等の乱流）の発生を防止することができる。従って、上記基板の露出の際に、上記異物等を拡散するような流れを防止した状態にて、上記液面側純水の排液を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍において上記純水中に浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２６】
本発明の上記第８態様によれば、上記態様による効果に加えて、さらに、上記基板の露出の際における上記排液装置による上記液面側純水の排液が、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行われることにより、上記基板の露出の際に上記空間の容積を一定に保つことができる。これにより、上記基板の露出開始から露出完了まで上記空間内の不活性ガスの濃度を安定させることができ、上記基板の表面に残留している上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる基板乾燥装置を提供することができる。
【０１２７】
本発明の上記第９態様によれば、上記乾燥室の底面に備えられかつ上記基板を支持する基板支持機構と、上記乾燥室の上記底面を昇降させる底面昇降装置とをさらに備え、上記底面昇降装置により上記乾燥室の上記底面を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記液面側純水をオーバーフローさせることにより上記表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記液面側純水を排液することができ、上記第７態様又は第８態様による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２８】
本発明の上記第１０態様によれば、上記乾燥室において上記純水を上記液面側における上部純水槽と上記乾燥室の底面側における下部純水槽とに区分する可動床と、上記可動床に備えられかつ上記上部純水槽内において上記純水に浸漬された上記基板を支持する基板支持機構と、上記乾燥室の上記可動床を昇降させる可動床昇降装置とをさらに備え、上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記上部純水槽における上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記液面側純水をオーバーフローさせることにより上記表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記液面側純水を排液することができ、上記第７態様又は第８態様による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２９】
本発明の上記第１１態様によれば、上記第１０態様による効果に付け加えて、さらに、上記可動床昇降装置により上記可動床が上記乾燥室の内側に沿って上昇された場合に、この上昇量に応じて上記下部純水槽の容積増加分に見合った量の純水を純水供給部より上記下部純水槽へ供給するため、上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間には互いに接触しない程度の隙間を有している状態であっても、上記可動床の上昇により上記上部純水槽における上記純水を上昇させて上記液面側純水のみの排液を行うことができる。これにより上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間の上記隙間を埋める（シールする）必要を無くすことができ、上記隙間を埋めた場合に発生するおそれのある摩擦による異物の発生を防止することができ、上記乾燥室の上記純水内での異物発生を防止することができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１３０】
さらに、上記可動床の上昇に伴い、上記可動床が上昇することにより上記下部純水槽における容積の増加分に見合った量の純水が、上記下部純水槽に供給されるため、上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間における上記隙間においては純水の流れをほとんど発生させないようにすることができる。従って、上記基板を浸漬している上記上部純水槽においては、上記純水の流れ込みによる渦流等の乱流の発生を無くすことができ、上記液面上における上記液面側純水の上記表面流れでもって、上記露出された上記各基板間の上記液面若しくは上記液面近傍において上記純水中に浮遊している異物等を良好な排出性でもって排出させることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１３１】
本発明の上記第１２態様によれば、上記排液機構により、上記乾燥室を下降させることにより上記液移動板を上記乾燥室に対して相対的に上昇させ、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させて、上記液面側純水の排液を行うような場合であっても、上記第７態様による効果と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１３２】
本発明の上記第１３態様によれば、上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることにより、その取扱いを容易にすることができる。
【０１３３】
本発明の上記第１４態様によれば、上記空間内のガスを上記空間外へ排気する排気装置がさらに備えられ、上記基板の露出は、上記不活性ガス供給装置により上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記排気装置により上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われることにより、上記基板の表面に付着した純水（水分）が蒸発された水蒸気を含む上記不活性ガスを上記空間外へ排気させるとともに、上記空間内に新たな上記不活性ガスを供給することができ、上記空間内における上記不活性ガスの水分濃度を略一定に保つことができる。よって、上記露出された基板の表面よりの上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図２】図１のウェハ乾燥装置のＦ−Ｆ断面図である。
【図３】図１のウェハ乾燥装置のＧ−Ｇ断面図である。
【図４】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置の概略構成を示すフロー図である。
【図５】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置の乾燥室上部における（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の乾燥室上部におけるＨ−Ｈ断面図である。
【図６】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置において、ウェハを液面より上方に露出させている状態の模式説明図であり、（Ａ）はウェハの表面側よりみた状態図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図７】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置におけるウェハ保持具の部分拡大図であり、（Ａ）はウェハの表面側より見た図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図９】図８のウェハ乾燥装置のＩ−Ｉ断面図である。
【図１０】図８のウェハ乾燥装置のＪ−Ｊ断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態の変形例にかかるウェハ乾燥装置の乾燥室の模式説明図である。
【図１３】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置において、ウェハの上昇を行っている状態の模式説明図であり、（Ａ）はウェハ２がまだ完全に純水中に浸漬されている状態図、（Ｂ）はウェハ２の一部が純水の液面より上方に露出されている状態図である。
【図１４】図６（Ａ）において、純水の液面に波立ちが発生している場合を仮定した状態の模式説明図である。
【符号の説明】
２…ウェハ、４…空間、５…乾燥ノズル、７…手動弁、８…第２エアーオペレートバルブ、９…キャリア固定部、１３…ウェハキャリア、２９…減圧弁、３０…第１エアーオペレートバルブ、３１…流量計、３２…手動弁、３３…流量計、３４…第４エアーオペレートバルブ、３５…第３エアーオペレートバルブ、４０…純水、４０ａ…上部純水槽、４０ｂ…下部純水槽、４０ｃ…隆起純水部、４０ｐ…液滴、４３…排気通路、４４…排液通路、４５…排液通路、４６…排液通路、４７…制御装置、２０１…乾燥室、２０１ａ…三角堰、２１０…純水供給部、２１１…蓋、２１２…処理室、２１３…ウェハ保持具、２１３ａ…ウェハ支持部、２１３ｂ…フレーム、２１４…仕切り板昇降機構、２１４ａ…ボールねじ軸部、２１４ｂ…駆動部、２１４ｃ…ナット部、２１４ｄ…昇降フレーム、２１４ｅ…ガイド、２１５…機台、２１７…オーバーフロー受部、２１７ａ…排液口、２１８…排液口、２１９…排液口、２５０…仕切り板、２５１…仕切り板、２５１ａ…シール、３０１…乾燥室、３０１ａ…三角堰、３１０…純水供給部、３１１…蓋、３１２…処理室、３１４…底部昇降機構、３１４ａ…エアシリンダ、３１４ｂ…昇降ガイド、３１５…機台、３１７…オーバーフロー受部、３１７ａ…排液口、３１８…排液口、３１９…排液口、３５０…底部、３５０ａ…シール、４０１…乾燥室、４０１ａ…三角堰、４０９…キャリア固定部、４１０…純水供給部、４１１…蓋、４１２…処理室、４１４…乾燥室昇降機構、４１４ａ…エアシリンダ、４１４ｂ…昇降ガイド、４１５…機台、４１７…オーバーフロー受部、４１７ａ…排液口、４１８…排液口、４１９…排液口、４５０…仕切り板、５０１、５０２、５０３…ウェハ乾燥装置、Ｔ…ウェハの速度ベクトル、Ｓ…純水の速度ベクトル、Ｒ…波立ちによる速度ベクトル、Ｇ…界面、Ｆ１及びＦ２…表面流れ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水中に浸漬されている基板を純水中から取り出すとき、酸素に触れさせることなく基板表面を乾燥させる基板乾燥方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板を純水中より順次露出させながら、基板の乾燥を行う基板乾燥装置として、例えば、特公平６−１０３６８６号公報に開示されるような乾燥装置が知られている。このような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアとしてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、エッチング処理液で処理されたのち純水で洗浄されている基板の一例であるウェハの処理槽内の上部空間内に供給するようにしている。そして、処理槽の純水を処理槽底部から排水することにより、処理槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給されたＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、乾燥させるようにしている。
【０００３】
また、処理槽の純水を処理槽底部から排水することにより、処理槽内でウェハを露出させる場合に代えて、ウェハを処理槽内より引き上げることにより、処理槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給されたＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と置換して乾燥させるようにしている乾燥装置もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、ウェハの純水による洗浄の際に発生した異物が処理槽の純水液面付近に浮遊した状態となるが、処理槽内の純水を処理槽底部から排水することによって処理槽内でのウェハの露出を行うため、処理槽内における底部近傍の純水から順次排水が行われて、上記異物が浮遊している液面近傍の純水の排水は最後に行われることとなるため、上記液面よりウェハの露出の際に上記浮遊している異物がウェハの表面に付着し、異物の付着がない良好な乾燥状態を得ることが困難な場合があるという問題がある。
【０００５】
また、処理槽内の上記純水液面よりの引き上げによるウェハの露出を行うような場合にあっても、同様に異物がウェハの表面に付着し、異物の付着がない良好な乾燥状態を得ることが困難な場合があるという問題点がある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、純水中よりの基板の露出の際に、上記基板の表面への異物付着量を低減させた良好な乾燥状態を得ることができる基板乾燥方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００８】
本発明の第１態様によれば、夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室内の純水の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法を提供する。
【０００９】
本発明の上記第２態様によれば、上記基板の露出の際における上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う第１態様に記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１０】
本発明の第３態様によれば、夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室内の純水の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記乾燥室を下降させて、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法を提供する。
【００１１】
本発明の第４態様によれば、上記不活性ガスは、窒素ガスである第１態様から第３態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１２】
本発明の第５態様によれば、上記基板の露出は、上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる第１態様から第４態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１３】
本発明の第６態様によれば、上記基板はウェハ又は液晶ガラス基板である第１態様から第５態様のいずれか１つに記載の基板乾燥方法を提供する。
【００１４】
本発明の第７態様によれば、互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水の液面と略直交するように配列された複数の基板を上記純水内に浸漬可能な乾燥室と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置と、
上記乾燥室内に昇降可能に備えられた可動床を上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置とを備えて、
上記排液装置により、上記可動床を上昇させて、上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により充填された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留した上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置を提供する。
【００１５】
本発明の第８態様によれば、上記基板の露出の際における上記排液装置による上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の上記空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う第７態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１６】
本発明の第９態様によれば、上記可動床は上記乾燥室の底面であり、かつ上記排液装置は上記底面を昇降させる底面昇降装置であって、かつ上記基板を支持する基板支持機構をさらに備え、
上記底面昇降装置により上記乾燥室の上記底面を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる第７態様又は第８態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１７】
本発明の第１０態様によれば、上記可動床は上記乾燥室において上記純水を上記液面側における上部純水槽と上記乾燥室の底面側における下部純水槽とに区分し、上記排液装置は上記可動床を昇降させる可動床昇降装置であって、
上記可動床に備えられかつ上記上部純水槽内において上記純水に浸漬された上記基板を支持する基板支持機構をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記上部純水槽における上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる第７態様又は第８態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１８】
本発明の第１１態様によれば、上記乾燥室の上記下部純水槽に純水を供給する純水供給機構をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させるとともに、上記純水供給機構により上記区分位置の上昇に応じて純水を上記下部純水槽に供給させる第１０態様に記載の基板乾燥装置を提供する。
【００１９】
本発明の第１２態様によれば、互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水の液面と略直交するように配列された複数の基板を上記純水内に浸漬可能な乾燥室と、
上記基板を支持する基板支持機構と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置と、
上記乾燥室を下降させることにより、上記乾燥室内に上記乾燥室に対して相対的に昇降可能に備えられた液移動板を相対的に上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置とを備えて、
上記排液装置により、上記液移動板とともに上記基板支持機構により支持されている上記基板及び上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させて、上記基板とともに上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により供給された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置を提供する。
【００２０】
本発明の第１３態様によれば、上記不活性ガスは、窒素ガスである第７態様から第１２態様のいずれか１つに記載の基板乾燥装置を提供する。
【００２１】
本発明の第１４態様によれば、上記空間内のガスを上記空間外へ排気する排気装置をさらに備え、
上記基板の露出は、上記不活性ガス供給装置により上記不活性ガスを上記空間内に供給するとともに、上記排気装置により上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排出しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる第７態様から第１３態様のいずれか１つに記載の基板乾燥装置を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明にかかる実施の形態を説明するにあたり、本明細書で用いられる用語の定義について説明する。
【００２３】
本明細書における用語「液滴」とは、物体の表面に付着した液体のうちの大略粒状の液体であって、かつ、目視にて確認できる程度の大きさのものをいうものとする。また、本明細書における用語「水分」とは、物体の表面に付着した液体のうちの目視にて確認できないような微細な大きさの液体、例えば、微細な径を有する大略粒状の液体のことをいう。なお、上記液体は純水のみにより構成される場合、さらに純水に、シリコン化合物等の異物が混合若しくは溶解されている場合も含む。
【００２４】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる基板乾燥装置は、基板の一例としてウェハの乾燥を行うウェハ乾燥装置５０１であり、ウェハ乾燥装置５０１の縦断面図を図１に、図１におけるＦ−Ｆ断面図を図２に、図１におけるＧ−Ｇ断面図を図３に示す。また、ウェハ乾燥装置５０１の概略構成を示すフロー図を図４に示す。なお、本発明において用いられる基板には、上記ウェハの他に、液晶パネル基板等がある。
【００２６】
図１、図２、図３、及び図４に示すように、ウェハ乾燥装置５０１は、上面全体が開放されかつ４つの側面及び底面を備えた略直方体状の箱体形状を有し、かつその内部に純水４０を収容可能であって、かつ円盤状の複数のウェハ２を上記収容された純水４０内に浸漬させて洗浄後に乾燥可能な乾燥室２０１と、略直方体状の箱体形状を有してその内部に密閉可能な空間４を有し、かつ乾燥室２０１がその内部に固定されて設置されている処理室２１２とを備えている。
【００２７】
また、乾燥室２０１は、その内部に収容される純水４０を上下方向に２つの純水槽に区分しかつ純水４０の液面と略平行に備えられた可動床の一例である仕切り板２５０を備えている。乾燥室２０１内に収容された純水４０は、この仕切り板２５０により、その上側を上部純水槽４０ａ、その下側を下部純水槽４０ｂとして２つの純水槽に区分されている。また、この仕切り板２５０は、その周部全体が乾燥室２０１の内側に接触しない程度かつ上記隙間を通して下部純水槽４０ｂより上部純水槽４０ａ内へ純水を供給することができるような隙間が設けられており、また、可動床昇降装置の一例である仕切り板昇降機構２１４により、仕切り板２５０は乾燥室２０１の内側に沿って昇降可能となっている。なお、この仕切り板昇降機構２１４の構造の詳細な説明については後述する。また、乾燥室２０１の上端、すなわち上記４つの側面の上端は夫々同じ高さ位置となるように形成されている。
【００２８】
また、乾燥室２０１は、複数のウェハ２をその表面を鉛直方向に略平行かつ一定間隔でもって夫々の表面を略平行に配列させて支持する公知のウェハキャリア１３を搬入可能とし、さらに搬入されたウェハキャリア１３を乾燥室２０１内において解除可能に固定する基板支持機構の一例であるキャリア固定部９を備えている。ウェハキャリア１３は、例えば、複数の固定ピンを備えており、また、上記各固定ピンと嵌め合い可能な固定ピン受部がキャリア固定部９に備えられて、夫々の上記固定ピンと上記固定ピン受部が嵌め合わさることにより、ウェハキャリア１３がキャリア固定部９に固定される。なお、上記固定の機構については、公知の他の固定機構による場合であってもよく、ウェハキャリア１３をキャリア固定部９に固定させた状態において、ウェハキャリア１３とキャリア固定部９との間にガタツキ等が発生しなければよい。
【００２９】
また、キャリア固定部９は乾燥室２０１の仕切り板２５０の上面に取り付けられており、乾燥室２０１に純水を注入して満水とした状態において、ウェハキャリア１３に支持された全てのウェハ２が純水４０中に一斉に浸漬可能（すなわち上部純水槽４０ａ中に浸漬可能）となっている。なお、ウェハキャリア１３を用いて複数のウェハ２を乾燥室２０１内に搬入する場合に代えて、ウェハキャリア１３を用いずに直接ウェハ２を乾燥室２０１内に搬入し、乾燥室２０１内において仕切り板２５０に固定した基板支持機構により支持して支持位置を固定するような場合であってもよい。
【００３０】
また、処理室２１２は、その上面に開閉可能な蓋２１１を有しており、蓋２１１を開けることによりウェハ２を多数収納したウェハキャリア１３の供給取出し及び処理室２１２内部のメンテナンス等が可能となっており、蓋２１１を閉めることにより処理室２１２内部の空間４を密閉状態とすることが可能となっている。さらに、蓋２１１には、処理室２１２内における乾燥室２０１に収容された純水４０の液面上における空間４内に不活性ガスの一例である窒素ガスを噴射させて、空間４内を窒素ガスで充填させる不活性ガス供給装置の一例である（窒素ガス供給装置の一例でもある）乾燥ノズル５が備えられている。なお、乾燥ノズル５は、空間４内に窒素ガスを噴射させる場合のみ限定されるものではなく、空間４内に窒素ガスを充填させることができるように供給することができればよい。なお、不活性ガスの一例としては、その取扱いの容易性により窒素ガスを用いることが好ましいが、この窒素ガスに代えて、その他の種類の不活性ガスを用いることも可能である。また、乾燥ノズル５は、例えば、複数の噴射孔を有し、夫々の噴射孔より、夫々のウェハ２の間の空間に向けて、窒素ガスが噴射されるような場合であってもよい。このように、夫々のウェハ２間の空間に向けて窒素ガスが噴射されることにより、ウェハ２の表面の乾燥を促進させることができるからである。
【００３１】
また、乾燥室２０１内部における仕切り板２５０の下側の下部純水槽４０ｂへ純水を供給する管状の純水供給機構の一例である純水供給部２１０が、乾燥室２０１の下部純水槽４０ｂ内に備えられている。また、乾燥室２０１内部の下部純水槽４０ｂに均一に純水を供給可能なように、純水供給部２１０は下部純水槽４０ｂ内部においてその管状の外周に多数の純水の供給孔を有している。また、下部純水槽４０ｂ内に供給された純水が、仕切り板２５０が動かないときは、仕切り板２５０と乾燥室２０１の内面との間にある上記隙間を通して、上部純水槽４０ａ内にも純水を供給することが可能となっている。なお、純水供給部２１０より下部側純水槽４０ｂには、略常温の状態の純水が供給される。
【００３２】
また、仕切り板２５０は、乾燥室２０１内部において純水４０の液面と略平行な状態を保ちながら仕切り板昇降機構２１４により上記４つの側面沿いに平行移動可能となっている。仕切り板昇降機構２１４は、図１における処理室２１２の左側に備えられており、処理室２１２及び仕切り板昇降機構２１４はウェハ乾燥装置５０１の機台２１５上に固定されている。仕切り板昇降機構２１４は、回転軸回りに回転可能に機台２１５に上下方向に固定されたボールねじ軸部２１４ａと、ボールねじ軸部２１４ａを正逆回転させる駆動部２１４ｂと、ボールねじ軸部２１４ａに螺合してボールねじ軸部２１４ａが正逆回転されることによりボールねじ軸部２１４ａに沿って昇降可能なナット部２１４ｃと、機台２１５に固定されかつ上記正逆回転の方向においてナット部２１４ｃを固定して上記昇降動作を案内するガイド２１４ｅと、複数の剛体により門型に形成されかつ一方の下端がナット部２１４ｃに固定されかつ他方の下端が処理室２１２の上面を貫通して、仕切り板２５０の図１における左側の上面端部に固定された昇降フレーム２１４ｄとにより構成されている。なお、駆動部２１４ｂの例としては、ボールねじ軸部２１４ａの下端に固定されかつボールねじ軸部２１４ａを直接的に正逆回転させるモータ、又は、ボールねじ軸部２１４ａの下端の固定されたプーリーをベルト等を介してボールねじ軸部２１４ａを間接的に正逆回転させるモータがある。仕切り板昇降機構２１４において駆動部２１４ｂによりボールねじ軸部２１４ａを正逆回転させることにより昇降フレーム２１４ｄを昇降させて、仕切り板２５０を乾燥室２０１の上記各側面沿いに昇降させることが可能となっている。これにより、純水が供給されて上部純水槽４０ａ及び下部純水槽４０ｂが満水状態とされた乾燥室２０１において、ウェハキャリア１３に支持された全てのウェハ２が上部純水槽４０ａ内に浸漬される高さ位置に位置された状態の仕切り板２５０を、仕切り板昇降機構２１４により上昇させることにより、仕切り板２５０の上側に収容されている上部純水槽４０ａにおける純水４０を仕切り板２５０とともに上昇させて、純水４０の液面側純水を乾燥室２０１の上端よりオーバーフローさせることが可能となっている。また、仕切り板昇降機構２１４による仕切り板２５０の昇降範囲は、例えば、ウェハキャリア１３に支持される全てのウェハ２の上端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって下方に位置する高さ位置（昇降動作の下端位置）から、上記すべてのウェハ２の下端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって上方に位置する高さ位置（昇降動作の上端位置）までの範囲である。
【００３３】
なお、ここで液面側純水とは、純水４０の液面を含む液面近傍の液体のことであり、例えば液面より２０ｍｍ程度までの下方の液層における液体のことを示す。また、この液体が純水のみにより構成される場合、さらに純水に、シリコン化合物等の異物が混合（若しくは溶解）されている場合も含む。
【００３４】
また、乾燥室２０１においては、上向きに開放部を有するコ字型断面形状の溝を有するオーバーフロー受部２１７が乾燥室２０１の４つの側面上部の外側沿いに設置され、乾燥室２０１の上部外周全体にオーバーフロー受部２１７の上記コ字型断面形状の溝が平面的にロ字型に一体として形成されている。また、オーバーフロー受部２１７の上記溝の乾燥室２０１側の側面は、乾燥室２０１の上部外側側面により形成されており、他方の側面はその上端の高さ位置が乾燥室２０１の上端よりも高くなるように形成されている。これにより、乾燥室２０１において純水がオーバーフローした際に、オーバーフローした純水をオーバーフロー受部２１７により受けることが可能となっている。また、オーバーフロー受部２１７の底面には排液口２１７ａが設けられており、配管等を介して若しくは直接、処理室２１２の底部に設けられた排液口２１８より処理室２１２外へ上記オーバーフローした純水を排液可能となっている。なお、本第１実施形態においては、仕切り板昇降機構２１４が排液装置の一例となっている。
【００３５】
ここでオーバーフロー受部２１７が備えられた乾燥室２０１の上部における拡大平面図を図５（Ａ）に、図５（Ａ）における乾燥室２０１のＨ−Ｈ断面図を図５（Ｂ）に示す。図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、上記ロ字型におけるオーバーフロー受部２１７の内側の縁、すなわち乾燥室２０１の上端には、Ｖ字型の切り込み形状を有する三角堰２０１ａが、一例として一定の間隔でもって複数形成されており、上記純水４０の液面側純水のオーバーフロー受部２１７の内への流入（すなわち、オーバーフロー）を行う場合において各三角堰２０１ａよりオーバーフロー受部２１７内へ流入させることにより、流入流量の調整を容易に行い、かつ上記流入をスムーズに行うことができるようになっている。なお、三角堰２０１ａの上記一定の間隔が、ウェハキャリア１３により支持されている各ウェハ２の配置間隔と同じである場合であってもよい。
【００３６】
処理室２１２の蓋２１１に設置されている乾燥ノズル５により、空間４内に窒素ガスが噴射されるが、窒素ガスは、常温若しくはウェハ２の温度で供給され、又は、常温より高い温度で供給される。また、図４に示すように、窒素ガスは、減圧弁２９、第１エアーオペレートバルブ３０、流量計３１を介して、図２における処理室２１２の蓋２１１の略中央に配置された乾燥ノズル５に供給される。
第１エアーオペレートバルブ３０は、流量計３１で検出された窒素ガスの流量に基づき、窒素ガスの流量を自動的に調整することが好ましい。この結果、窒素ガスは乾燥ノズル５を通して、空間４内に、常温若しくはウェハ２の温度より高い温度で噴射されて供給される。このように空間４内に供給されて充填される窒素ガスは、乾燥室２０１内で純水４０からウェハ２が液面より上方に露出されるときに、上記露出されたウェハ２の表面に付着した純水を蒸発させて、上記ウェハ２の表面の乾燥を促進させることができる。
【００３７】
また、処理室２１２内の空間４の圧力が異常に高まらないようにするため、処理室２１２には排気通路４３を設けて、排気流量を調整するための手動弁７と、排気の開始又は停止を行う第２エアーオペレートバルブ８とを設けている。なお、空間４内に圧力センサを配置して、圧力センサで検出された空間４内の圧力に応じて第２エアーオペレートバルブ８を自動的に開閉することもできる。さらに、乾燥ノズル５により空間４内に窒素ガスを供給するとともに、排気通路４３より空間４内から窒素ガスを排気させながら、空間４内を、例えば、所定の圧力状態の窒素ガスで充填させることもできる。このような場合にあっては、空間４内において、上記ウェハ２の表面に付着した純水が蒸発された水蒸気を含む窒素ガスを排気通路４３と通して排気させるとともに、空間４内に新たな窒素ガスを供給することができ、空間４内における窒素ガス中の水分の濃度を低く保つことができる。なお、本第１実施形態においては、排気通路４３、手動弁７、及び第２エアーオペレートバルブ８が、排気装置の一例となっている。
【００３８】
さらに、乾燥室２０１の底部の排液口２１９には、第３エアーオペレートバルブ３５が設けられており、第３エアーオペレートバルブ３５を開くことにより、乾燥室２０１内の純水の排液を行うことができる。さらに、処理室２１２の底部の排液口２１８に排液通路４４を設けられており、処理室２１２内においてこの排液通路４４にオーバーフロー受部２１７の排液口２１７ａよりの排液通路が接続されて、処理室２１２内よりウェハ乾燥装置５０１外へ排液通路４４を介しての排液が行われる。なお、図示しないが排液通路４４上には、処理室２１２内の空間４の圧力を保持するために封水機構が設けられている。
【００３９】
また、乾燥室２０１内における下部純水槽４０ｂ内において設置されている純水供給部２１０には純水供給通路４５が接続されて設けられており、純水は、純水供給通路４５の経路上に設けられた手動弁３２、流量計３３、第４エアーオペレートバルブ３４を介して、純水供給部２１０に供給される。第４エアーオペレートバルブ３４は、流量計３３で検出された純水の流量に基づき、純水の流量を自動的に調整することが好ましい。
【００４０】
上記第１エアーオペレートバルブ３０、第２エアーオペレートバルブ８、第３エアーオペレートバルブ３５、及び第４エアーオペレートバルブ３４は、制御装置４７に接続されて、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、処理室２１２内の空間４に供給する窒素ガスの流量、空間４内からの排気量、純水４０の排液量などを動作制御できるようにしている。また、制御装置４７は、仕切り板昇降機構２１４における各動作制御も行う。
【００４１】
上記構成によるウェハ乾燥装置５０１においてウェハ２の乾燥処理を行う場合の手順について以下に説明する。
【００４２】
まず、純水供給通路４５の第４エアーオペレートバルブ３４を開いて乾燥室２０１内に純水供給部２１０により略常温の状態の純水を供給し、下部純水槽４０ｂを満水とさせた後、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間の隙間を通して下部純水槽４０ｂより純水を供給して上部純水槽４０ａも満水とさせる。その後、蓋２１１を開放し、複数のウェハ２が支持されたウェハキャリア１３を処理室２１２内に搬入し、乾燥室２０１内の純水４０中にウェハキャリア１３を浸漬させてキャリア固定部９により固定する。このとき、乾燥室２０１より純水をオーバーフロー受部２１７にオーバーフローさせることにより、ウェハ２が浸漬されている乾燥室２０１の上部純水槽４０ａ内の異物を純水４０の液面近傍に浮遊させて、これら異物をオーバーフローされる純水とともに乾燥室２０１外に排出させて洗浄を行う。
【００４３】
次に、排気通路４３を閉じた状態、すなわち処理室２１２の空間４が密閉された状態において、乾燥ノズル５から窒素ガスを噴射させて、空間４内を窒素ガスで充填させる（例えば、窒素ガスが略１００％の状態となるように充填させる）。このとき、乾燥室２０１の空間４内の圧力が異常に高くなったときには、排気通路４３を開いて圧力を低下させるようにするのが好ましい。また、乾燥ノズル５よりの窒素ガスの供給の際に、排気通路４３を通して空間４内のガスを排気させることにより、空間４内を窒素ガスで容易に満たすことができる。
【００４４】
次に、このように上記空間４内に窒素ガスが充填された状態で、制御装置４７の制御により、仕切り板昇降機構２１４が制御されて、その昇降動作の下端位置に位置されている状態の仕切り板２５０を一定の速度でもって緩やかに上昇させていく。仕切り板２５０の上昇速度の例としては、１秒間に１０ｍｍ程度以下の上昇速度、好ましくは、１秒間に１〜２ｍｍ程度の上昇速度とする。なお、このような上昇速度は、後述するように、ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上方に露出されるような場合であっても、目視で確認できるような上記液面の波立ち（あるいは揺れ）の発生を防止（あるいは低減）できるような上昇速度となっている。
【００４５】
この仕切り板２５０の上昇開始にともない、乾燥室２０１の純水４０における液面中央付近より乾燥室２０１の上端の全周部の方向への概ね放射状の流れを生じ、純水４０の液面側純水が各三角堰２０１ａを介してオーバーフロー受部２１７内に流入するとともに、オーバーフロー受部２１７における排液口２１７ａよりオーバーフロー受部２１７内に流入した上記液面側純水が排液通路を通して排液される。
【００４６】
上記純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂに供給されている上記純水の供給量は、仕切り板２５０の上昇に伴う上記液面側純水の排液量に応じて、制御装置４７により流量計３３を用いて第４エアーオペレートバルブ３４を制御しながら下部純水槽４０ｂに供給されている。すなわち、仕切り板２５０が上昇することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されている。従って、上記仕切り板２５０の上昇により上部純水槽４０ａ内の純水を上昇させる場合、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れがほとんど発生しない。これにより、上記仕切り板２５０の上昇によって上部純水槽４０ａ内の純水のみを上昇させて排出させることが可能となっている。
【００４７】
なお、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０の上昇動作を円滑に行うことができるように、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との上記隙間の大きさに応じて、上記純水供給部２１０より乾燥室２０１の下部純水槽４０ｂ内への純水の供給量が、仕切り板２５０の上昇に伴う下部純水槽４０ｂの容積増加分よりも多く又は少なくするような場合であってもよい。
【００４８】
よって、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記概ね放射状の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍において純水中に浮遊している異物等を上記表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００４９】
その結果、仕切り板２５０の上昇に伴って上昇されているウェハ２の上部が純水４０の液面から上に露出する、すなわち、空間４内に露出されることになるが、空間４内は窒素ガスが充填されているため、ウェハ２の表面が酸素に触れて自然酸化することなく、ウェハ２の表面に付着している純水が窒素ガス雰囲気中に蒸発されて、ウェハ２の表面が乾燥される。
【００５０】
その後、仕切り板２５０がその昇降動作の上端位置まで上昇されると、すなわち、仕切り板２５０とともに上昇されているウェハキャリア１３に支持されている各ウェハ２の下端が乾燥室２０１の上端よりも多少の余裕をもって上方に位置されるまで上昇されると仕切り板２５０の上昇が停止され、各ウェハ２が純水４０から完全に露出された状態、すなわち、完全に空間４内に露出された状態となり、空間４内に充填されている窒素ガス雰囲気中に、各ウェハ２の表面に付着した純水が蒸発されて、各ウェハ２の表面が乾燥される。上記乾燥完了後、乾燥ノズル５よりの窒素ガスの噴射が停止されて、ウェハ２の乾燥処理が終了する。
【００５１】
その後、処理室２１２の蓋２１１を開放し、キャリア固定部９によるウェハキャリア１３の固定を解除して、処理室２１２よりウェハキャリア１３毎各ウェハ２が上方に搬出される。
【００５２】
なお、仕切り板２５０を上昇させて純水４０の液面側純水の排液を行う場合において、さらに純水供給部２１０より純水を、下部純水槽４０ｂの容量増加分を満たす量よりさらに、例えば３０リットル／分以下程度、好ましくは４リットル／分程度多く、供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０中の異物等を余分に供給された純水により積極的に液面側へ押し上げて、液面側純水とともにより迅速かつより円滑に排出することができる。
【００５３】
また、下部純水槽４０ｂに備えられている純水供給部２１０とは別に、上部純水槽４０ａにおいても別の純水供給部がさらに備えられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、乾燥室２０１内に純水を満たす場合に、純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂ内に純水を供給し、上部純水槽４０ａ内には上記別の純水供給部により純水の供給を行うことができるため、乾燥室２０１への初期の純水供給に要する時間を短縮化することができる。また、純水が満水とされた状態の上部純水槽４０ａにおいて、さらに上記別の純水供給部より純水の供給を行い、上部純水槽４０ａより強制的に純水をオーバーフローさせることにより、上部純水槽４０ａ内の異物等の除去をより容易に行うことができる。
【００５４】
また、乾燥室２０１の上端に設けられた複数の三角堰２０１ａが全て一定の配列間隔にて形成されている場合に代えて、ウェハキャリア１３に支持されている各ウェハ２の表面沿いの方向における互いに対向する夫々の乾燥室２０１の側面の上端にはより短い配列間隔で、各ウェハ２の表面と直交する方向における互いに対向する夫々の乾燥室２０１の側面の上端にはより長い配列間隔で、複数の三角堰２０１ａを形成する場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７に流入させる場合に生じていた液面中央付近より乾燥室２０１の上記４つ側面の上端全周の方向への上記概ね放射状の流れを、各ウェハ２の表面沿い方向に、強い流れとすることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記強い流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍における浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００５５】
なお、乾燥室２０１よりの上記液面側純水の排液に際して排液流量の微小な調整が要求されないような場合にあっては、乾燥室２０１の上端において上記複数の三角堰２０１ａが形成されている場合に代えて、上記三角堰２０１ａが形成されていない場合であってもよい。
【００５６】
また、上記三角堰２０１ａが乾燥室２０１の４つの側面夫々に形成されている場合に限定されるものではない。例えば、上記４つの側面のうち、ウェハキャリア１３により支持されている各ウェハ２の表面沿いの方向における互いに対向する夫々の側面沿いにのみ、上記三角堰２０１ａを備えさせるような場合であってもよい。
【００５７】
このような場合においては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７に流入させる場合に、液面中央付近より上記三角堰２０１ａが形成されている乾燥室２０１の夫々の上端側へ液面上に各ウェハ２の表面沿い方向の流れ、つまり上記表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れを発生させることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記相反する２方向の表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００５８】
また、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記２方向の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を上記２方向の表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００５９】
また、上記三角堰２０１ａが上記互いに対向する１組の夫々の上端にのみ備えられている場合に代えて、上記１組の夫々の上端のうちの１つの上端にのみ、三角堰２０１ａが備えられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０の液面側純水をオーバーフロー受部２１７内に流入させる場合に、液面上において上記１組の夫々の上端のうちの三角堰２０１ａが備えられていない上端側から上記三角堰２０１ａが備えられている上端側への各ウェハ２の表面沿い方向における一方向の表面流れを発生させることができ、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水を上記一方向の表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。
【００６０】
また、上記液面側純水を排液する際に、液面上において上記一方向の表面流れを生じさせることができるような上昇速度でもって仕切り板２５０を上昇させる。これにより、純水４０の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を上記一方向の表面流れでもって上記液面側純水とともにオーバーフロー受部２１７内に流入させて排出させることができる。
【００６１】
ここで、乾燥室２０１において、ウェハ２を純水４０の液面より上方に露出させる場合における純水４０の液面とウェハ２の表面に付着する純水との関係について詳細に説明する。このような場合の一例として、純水４０の液面において上述したウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れが形成されているような場合において、ウェハ２を上記液面より上方に露出させる場合の模式説明図を図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図１３において、（Ａ）は、上部側純水槽４０ａ内の純水４０中に浸漬されている状態のウェハ２の上昇が開始されて、まだ、ウェハ２が完全に純水４０内に浸漬されている状態を示しており、（Ｂ）は、その後、ウェハ２の上部が純水４０の液面よりも上方に露出された状態を示している。
【００６２】
まず、図１３（Ａ）に示すように、乾燥室２０１内において、仕切り板２５１の上昇が開始されるとともに、仕切り板２５１に固定されて支持された状態のウェハ２が速度ベクトルＴでもって上昇されるとともに、上部側純水槽４０ａ内の純水４０が速度ベクトルＳでもって上昇される。また、ウェハ２の速度ベクトルＴと純水４０の速度ベクトルＳとは、その向き及び大きさ（長さ）が同じとなっている。すなわち、純水４０内に浸漬されているウェハ２とその周囲の純水４０とは、互いに相対的に静止した状態とされている。
【００６３】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、乾燥室２０１において、さらに仕切り板２５１が上昇されると、速度ベクトルＴでもって上昇されているウェハ２の上部が、純水４０の液面より上方に露出される。また、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、仕切り板２５１の上昇に伴い、上部側純水槽４０ａ内の純水４０が上昇されることにより、純水４０の液面においては、ウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れＦ１（図示左向き）及びＦ２（図示右向き）が形成される。この夫々の表面流れＦ１及びＦ２により、純水４０の液面近傍において、乾燥室２０１よりの液面側純水の排液が行われる。これにより、図１３（Ｂ）に示すように、速度ベクトルＳでもって純水４０は上昇されるが、純水４０の液面においては、上昇された純水４０が上記液面側純水となって、連続的に排液されるため、純水４０の液面高さは、上記液面側純水が排液されている間は、上昇されることなく、略一定の高さが保たれる。そのため、図１３（Ｂ）に示す状態においては、ウェハ２と純水４０との間には、相対的な速度差、すなわち、速度ベクトルＴに相当する速度差が生じることとなる。
【００６４】
ここで、図１３（Ｂ）に示す状態における純水４０の液面における純水４０とウェハ２との境界面である界面Ｇの状態についてのさらに詳細な模式説明図を図６に示し、この界面Ｇの状態について詳細に説明する。図６において、（Ａ）はウェハ２の表面に直交する方向よりの状態を示しており、（Ｂ）は（Ａ）の側面よりの状態を示している。
【００６５】
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ウェハ２は速度ベクトルＴの方向に上昇されており、その上部側の略半分の部分が純水４０の液面より露出されている状態となっている。ここで、純水４０の液面とウェハ２との界面Ｇに注目すると、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、この界面Ｇには、上記液面より上方に純水４０が隆起された隆起純水部４０ｃ（図示斜線部分）が形成されている。この隆起純水部４０ｃは、速度ベクトルＴ方向に上昇されるウェハ２の表面に純水を付着させて、ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡されていることにより、純水４０とウェハ２との界面Ｇに形成されている。
【００６６】
しかしながら、例えば、図１４の模式説明図に示すように、純水４０の液面において、目視で確認できるような波立ちが発生するような場合にあっては、界面Ｇにおいては、上記速度ベクトルＴ以外にも、さらに上記波立ちにより上記ウェハ２の上昇方向における速度ベクトルＲが発生する。この速度ベクトルＲは上記波立ちの状態により微小な時間においてその大きさが変位し、その向きが上昇方向となる場合、その逆方向となる場合がある。そのため、ウェハ２の表面に純水を付着させて、ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力との２つの力に、この速度ベクトルＲによる力が加わることとなるが、速度ベクトルＲは微小な時間とともに変位するため、夫々の力は均衡が保たれない状態となる。従って、ウェハ２の表面に付着される純水を上昇させようとする力を、上記引き戻そうとする力よりも大きくするような方向に上記速度ベクトルＲによる力が加わるような場合にあっては、ウェハ２の表面に付着した純水の一部が、上記引き戻そうとする力により引き戻されることなく、一部の純水が隆起純水部４０ｃより分離して、ウェハ２の表面に多数の純水の液滴４０ｐとなって付着して残留したまま、ウェハ２が液面より露出されることになる。このように露出されたウェハ２の表面に多数の液滴４０ｐが付着するような場合にあっては、これらの液滴４０ｐを蒸発させるのに時間を要し、ウェハ２の乾燥効率も著しく低下することとなってしまう。
【００６７】
一方、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、純水４０の液面において上記目視で確認できるような波立ちが発生しないような場合にあっては、上記ウェハ２とともに上記表面に付着される純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡されているため、上記多数の液滴４０ｐが露出されたウェハ２の表面に付着することを抑制し、微細な一部の液滴、すなわち、上記純水の水分が残留するのみとさせることができる。
【００６８】
このような上記波立ちに関しては、図１３（Ａ）に示すように、ウェハ２とその周囲の純水４０とが互いに相対的に静止された状態で上昇されること、及び、図１３（Ｂ）に示すように、ウェハ２が純水４０の液面より上方に露出された場合に、界面Ｇにおいてはウェハ２と純水との間に、速度ベクトルＴに相当する相対的な速度差が生じることとなるが、この速度差が一定に保たれており、また、上記液面において上記波立ちが発生しないような十分に遅い速度であること（すなわち、速度ベクトルＴの大きさが一定でありかつ上記十分に遅い速度であるように制御されていること）により、上記液面における上記波立ちの発生の防止が図られている。また、上記速度ベクトルＴの大きさが一定でありかつ上記十分に遅い速度であることにより、純水４０の速度ベクトルＳも同様であるため、純水４０の液面における表面流れＦ１及びＦ２も一定の速度でかつ安定した流れとなり、上記波立ちの発生を起因するものとなり得ない。
【００６９】
従って、純水４０の液面（すなわち、界面Ｇ）においては、上記波立ちが発生することもなく、安定した状態で隆起純水部４０ｃを形成することができ、上記多数の液滴４０ｐが露出されたウェハ２の表面に付着することを抑制し、微細な一部の液滴、すなわち、上記純水の水分が残留するのみとさせることができる。
よって、ウェハ２が露出されても、その表面には少量かつ微細な上記純水の水分が付着されて残留しているのみとさせることができ、この水分を空間４内に充填されている窒素ガスにより迅速に蒸発させることができる。
【００７０】
なお、上記においては純水４０の液面において、上記２方向の表面流れ（Ｆ１及びＦ２）が形成されている場合を一例として説明したが、このような場合に代えて、上記１方向の表面流れ、あるいは、上記放射状の表面流れが用いられるような場合であってもよい。
【００７１】
また、ウェハキャリア１３が上記公知のものである場合に代えて、図７に示すようなウェハ保持具２１３を用いる場合であってもよい。図７（Ａ）及び（Ｂ）はウェハ保持具２１３の部分拡大側面図である。
【００７２】
図７に示すように、ウェハ保持具２１３は、円盤状のウェハ２の下部におけるその面沿いに互いに対称な２箇所の位置にてウェハ２を支持可能なウェハ支持部２１３ａが一定の間隔でもって複数形成されたフレーム２１３ｂを備えている。
また、図７（Ｂ）に示すように、夫々のウェハ支持部２１３ａは、フレーム２１３ｂ上に串歯状に形成されており、夫々のウェハ２の配列方向沿いにおいて、互いに隣接する夫々のウェハ支持部２１３ａの間には一定の間隔でもって空間が確保されるように形成されている。これにより、隣接するウェハ２間において、ウェハ２の上端から下端まで、ウェハ２の表面沿いかつ純水４０の上記液面沿いの方向に空間を確保することが可能となっている。
【００７３】
このようなウェハ保持具２１３を用いることにより、純水４０内に浸漬されたウェハ２を液面よりも上方に露出させる場合において、上記液面上かつウェハ２の表面沿いの方向に発生する上記表面流れにより、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍における浮遊している異物等の排出性をさらに良好とさせることができる。
【００７４】
また、乾燥室２０１において、仕切り板２５０の周部全体と乾燥室２０１の内側との間に上記隙間が設けられているような場合に代えて、図１２の乾燥室２０１の模式説明図において示すように、上記隙間が設けられずに、仕切り板２５１の周部全体と乾燥室２０１の内側との間にシール２５１ａが設けられているような場合であってもよい。このような場合にあっては、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５１を上昇させるのではなく、純水供給部２１０により下部純水槽４０ｂ内に供給された純水の水圧により、仕切り板２５１を乾燥室２０１の内側に沿って上昇させることができる。従って、仕切り板２５１を昇降させる機械的な機構、すなわち仕切り板昇降機構２１４のような機構を不要とすることができ、ウェハ乾燥装置をコンパクトな装置とすることができるとともに、ウェハ乾燥装置のコストを削減することができる。
【００７５】
なお、ウェハ乾燥装置５０１においては、イソプロピルアルコール（以下、単にＩＰＡと記す。）を用いない場合について説明したが、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、空間４内にさらにＩＰＡ（液相又は気相）を供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、露出されたウェハ２の表面に付着された純水の微細な液滴をＩＰＡと置換させて、上記置換されたＩＰＡを蒸発させることにより、ウェハ２の乾燥処理を行うことができる。
【００７６】
上記第１実施形態によれば、乾燥室２０１における純水４０の上部純水槽４０ａ内に浸漬されたウェハ２を純水４０の液面より上に露出させる際に、乾燥室２０１の底面からのみの純水の排液、及びウェハ２自体の純水４０からの引き上げによるものではなく、ウェハ２とともに上部純水槽４０ａにおける純水を上昇させることにより、液面側純水を乾燥室２０１の上部よりオーバーフロー受部２１７内に流入させて排液していくため、液面若しくは液面近傍に浮遊している異物等を液面側純水とともに排出することができる。これにより、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、上記異物等のウェハ２の表面への付着を防止（又は低減）することができる。
【００７７】
また、このような液面側純水のオーバーフロー受部２１７への排液は、上記液面において形成される上記概ね放射状の流れ、ウェハ２の表面沿いの方向における相反する２方向の表面流れ、又は１方向の表面流れが形成され、上記夫々の表面流れでもって行われ、特に、上記２方向又は１方向の表面流れが形成される場合にあっては、夫々の表面流れは各ウェハ２の表面沿いに形成されているため、各ウェハ２の一部が純水４０の液面よりも上方に露出した場合に、隣接する夫々のウェハ２間の液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々のウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、上記異物等のウェハ２の表面への付着を防止することができ、乾燥されたウェハ２の表面を異物等の付着のない良好な状態とさせることができる。
【００７８】
また、仕切り板２５１の上昇速度が、ウェハ２の一部が純水４０の液面より上方に露出されたような場合であっても、目視で確認できるような上記液面の波立ちを防止できるようなゆっくりとした一定の速度に制御されていること、及び純水４０に浸漬されているウェハ２がその周囲の純水とともに相対的に互いに静止した状態が保たれながら上昇されることにより、純水の液面におけるウェハ２と純水の界面Ｇを安定した状態（波立ち又は揺れの発生がない状態）とさせることができる。これにより、この界面Ｇに形成される隆起純水部４０ｃの一部の純水が分離して、多数の液滴４０ｐとなって露出されるウェハ２の表面に付着して残留することを抑制することができる。よって、ウェハ２が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、空間４内に充填されている窒素ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、ＩＰＡを用いて、ウェハ２の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような乾燥方式を用いなくても、純水から露出されたウェハ２の乾燥処理を行うことができる。
【００７９】
また、ウェハ乾燥装置５０１においては、ＩＰＡを用いることなくウェハ２の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができる。
【００８０】
また、乾燥室２０１内の純水４０の排液の際に、ウェハ２とともにウェハ２を浸漬している上部純水槽４０ａ内の純水４０を上昇させて、乾燥室２０１の上端より上記液面側純水をオーバーフローさせることにより、純水４０の排液を行うため、上記排液中においては、純水４０の液面の位置と上記液面上方の空間４との位置が互いに固定されており、空間４の容積を一定に保つことができる。これにより、ウェハ２の上記液面よりの露出開始から露出完了まで（すなわち、ウェハ２の乾燥処理開始から終了まで）上記空間４内の窒素ガスの濃度を安定させることができ、ウェハ２の露出の際にウェハ２の表面に付着して残留している純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、ウェハ表面における乾燥むらの発生を防止することができる。
【００８１】
また、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０が乾燥室２０１の内側に沿って上昇された場合に、この上昇量に応じて下部純水槽４０ｂの容積増加分に見合った量の純水を純水供給部２１０より下部純水槽４０ｂへ供給するため、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間には互いに接触しない程度の隙間を有している状態であっても、仕切り板２５０の上昇により上部純水槽４０ａにおける純水のみを上昇させて上記液面側純水の排液を行うことができる。これにより仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間の上記隙間を埋める（シールする）必要を無くすことができ、上記隙間を埋めた場合に発生するおそれのある摩擦による異物の発生を防止し、乾燥室２０１の純水４０内での異物発生を防止することができる。
【００８２】
また、上記仕切り板２５０の上昇に伴い、仕切り板２５０が上昇することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されるため、仕切り板２５０の周部と乾燥室２０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れをほとんど発生させないようにすることができる。従って、ウェハ２を浸漬している上部純水槽４０ａにおいては、純水の流れ込みによる渦流等の発生を無くすことができ、上記液面上における上記略放射状若しくは上記２方向若しくは上記１方向のスムーズな表面流れでもって、露出された各ウェハ２間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等を排出させることができる。
【００８３】
また、上記ウェハ２の液面よりの露出の際に、仕切り板２５０の上昇速度を一定とすることによっても、乾燥むらを無くすことができる。
【００８４】
なお、本発明は上記第１実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【００８５】
（第２実施形態）
例えば、本発明の第２実施形態にかかる基板乾燥装置の一例であるウェハ乾燥装置５０２は、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１のように仕切り板２５０を設けて乾燥室２０１を上部純水槽４０ａ及び下部純水槽４０ｂの２つの層に区分して、仕切り板昇降機構２１４により仕切り板２５０を上昇させることによりウェハ２を浸漬している乾燥室２０１の上部純水槽４０ａにおける液面側純水の排液を行うのではなく、上記可動床の一例である乾燥室の底面自体を上昇させることにより上記液面側純水の排液を行うものであり、それ以外の構成は同様である。以下、この上記異なる部分ついてのみ説明するものとする。また、このウェハ乾燥装置５０２の縦断面図を図８に、図８におけるＩ−Ｉ断面図を図９に、図８におけるＪ−Ｊ断面図を図１０に示す。
【００８６】
図８、図９及び図１０に示すように、ウェハ乾燥装置５０２の乾燥室３０１においては、乾燥室３０１の底面である底部３５０が乾燥室３０１の各側面に沿って昇降可能に設置されている。この底部３５０と上記各側面との間にはシール３５０ａが設けられており、底部３５０が昇降された場合であっても上記間より乾燥室３０１内の液体が漏れることはない。また、底部３５０の昇降動作を行う底面昇降装置の一例である底部昇降機構３１４が処理室３１２及びウェハ乾燥装置５０２の機台３１５上に備えられている。なお、上記シール３５０ａは、例えば、耐ＩＰＡ及び耐薬品性のフッ素系ゴムにより形成されたＯ−リング等が用いられる。
【００８７】
底部昇降機構３１４は、エアシリンダを用いた機構により構成されており、乾燥室３０１の底部３５０の下面中央に固定されたエアシリンダ３１４ａと、エアシリンダ３１４ａを昇降可能に支持してかつ乾燥室３０１の機台３１５に固定されている昇降ガイド３１４ｂ、及び図示しないがエアシリンダ３１４ａへの圧縮空気の給気及び排気を行う圧縮空気供給部を備えている。また、底部昇降機構３１４は制御装置４７により制御されており、上記圧縮空気供給部によりエアシリンダ３１４ａ内に圧縮空気が供給されることにより、エアシリンダ３１４ａが昇降ガイド３１４ｂに沿って上昇され、底部３５０が乾燥室３０１の各側面の内側に沿って上昇される。また、エアシリンダ３１４ａ内に供給される圧縮空気の方向を切り換えることにより、エアシリンダ３１４ａが昇降ガイド３１４ｂに沿って下降され、底部３５０が乾燥室３０１の各側面の内側に沿って下降される。また、上記エアシリンダ３１４ａの上昇及び下降の速度は制御装置４７により制御され、例えば、一定の上昇速度でもって上昇される。
【００８８】
これにより、底部昇降機構３１４は、底部３５０の上面に固定されているキャリア固定部９及び純水供給部３１０、さらに、キャリア固定部９により固定されたウェハキャリア１３、及び乾燥室３０１内に収容されている純水４０を、底部３５０とともに昇降させることが可能となっている。なお、底部昇降機構３１４は、上記エアシリンダ３１４ａを用いた機構により構成されている場合に代えて、その他の公知の昇降機構、例えば、油圧を用いた昇降機構やボールねじ軸を用いた昇降機構等により構成される場合であってもよい。なお、キャリア固定部９、ウェハキャリア１３、及び純水供給部３１０は上記第１実施形態におけるキャリア固定部９、ウェハキャリア１３若しくはウェハ保持具２１３、及び純水供給部２１０と同様な構成及び機能となっている。また、上記底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇速度は、第１実施形態における仕切り板２５０の上昇速度と同様である。
【００８９】
また、底部昇降機構３１４による底部３５０の昇降動作は、ウェハキャリア１３に支持されてる全てのウェハ２の上端が多少の余裕をもって乾燥室３０１の上端よりも下方に位置するような高さ位置（昇降動作の下端位置）から上記全てのウェハ２の下端が多少の余裕をもって乾燥室３０１の上端よりも上方に位置するような高さ位置（昇降動作の上端位置）までの範囲において行われる。すなわち、乾燥室３０１に純水４０が収容されて満水とされた状態において、上記昇降動作の下端位置においては、上記全てのウェハ２が純水４０に浸漬された状態となり、上記昇降動作の上端位置においては上記全てのウェハ２が純水４０より完全に露出された状態となるように底部昇降機構３１４による底面３５０の昇降動作が行われる。また、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１における乾燥室２０１の上端において形成されている複数の三角堰２０１ａと同様な三角堰３０１ａが、例えば一定の間隔でもって乾燥室３０１の上端全体に形成されており、また、ウェハ乾燥装置２０１におけるオーバーフロー受部２１７と同様なオーバーフロー受部３１７が、乾燥室３０１の上部外周に設けられている。また、ウェハ乾燥装置５０１の処理室２１２及び乾燥室２０１と同様に、乾燥室３０１の底部３５０には排液口３１９が、処理室３１２の底部には排液口３１８が設けられている。なお、本第２実施形態においては、底部昇降機構３１４が排液装置の一例となっている。
【００９０】
このような構成のウェハ乾燥装置５０２において、乾燥室３０１内において満水状態とされた純水４０に浸漬されている各ウェハ２を純水４０の液面より露出させる方法について説明する。
【００９１】
まず、乾燥室３０１においては底部３５０が底部昇降機構３１４による昇降動作の下端位置に位置された状態とされており、乾燥室３０１内には純水４０が満水とされ、純水４０内に各ウェハ２が浸漬されている。この状態より、制御装置４７により底部昇降機構３１４が制御されて、底部昇降機構３１４により底部３５０の上昇動作が開始される。底部３５０が上記一定の速度でもって緩やかに上昇されると、純水４０の液面側純水が乾燥室３０１の上端よりオーバーフローされてオーバーフロー受部３１７に流入する。このとき、上記液体は乾燥室３０１の上端に設けられている複数の三角堰３０１ａを介してオーバーフロー受部３１７に流入される。オーバーフロー受部３１７に流入された上記液体は、排液口３１７ａ及び排液口３１８を介して排液通路４４により処理室３１２外へ排液される。
【００９２】
底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇に伴い純水４０の液面側純水が乾燥室３０１の上端よりオーバーフロー受部３１７へ流入されて排液されるとともに、底部３５０に固定されているキャリア固定部９に固定されているウェハキャリア１３も上昇され、各ウェハ２が上記液面上に露出される。全てのウェハ２の下端が乾燥室３０１の上端よりも上に位置されたときに、制御装置４７により底部昇降機構３１４による底部３５０の上昇が停止される。
【００９３】
なお、上記液面側純水の排液の際に、さらに純水供給部３１０より純水を、例えば３０リットル／分以下程度、好ましくは４リットル／分程度、供給するような場合であってもよい。このような場合にあっては、純水４０中の異物等を新たに供給された純水により積極的に液面側に押上げて、液面側純水とともに迅速かつ円滑に排出することができる。
【００９４】
また、上記液面側純水の排液の際に、図４における第３エアーオペレートバルブ３５を開けて乾燥室３０１（図４においては２０１）の底部の排液口３１９（図４においては２１９）より純水４０の排液量を調整しながら排液を行うような場合であってもよい。この場合、底部３５０の上記一定の速度の上昇による上記液面側純水の排液動作を保つように（すなわち、上記液面側純水の排液量に変動が発生しないように）、排液口３１９よりの上記排液量の調整を行う。このような場合にあっては、上記液面における上記概ね放射状の流れ（第１実施形態と同様な流れ）を保持したまま純水４０の排液速度を速めることができ、ウェハ２の乾燥処理時間の短縮化をすることができるとともに、純水４０内における乾燥室３０１の底面側の異物等を乾燥室３０１外に排出することができる。
【００９５】
また、上記液面に概ね放射状の表面流れ、あるいはこのような表面流れに代えて、上記第１実施形態と同様に上記２方向の表面流れや上記１方向の表面流れを形成することもできる。また、ウェハ２の上昇速度がゆっくりとした一定の速度となるように制御されていること、及び、ウェハ２とその周囲の純水４０が互いに相対的に静止された状態を保ちながら上昇されることにより、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、上記液面に波立ち（又は揺れ）の発生を防止することができる。よって、上記第１実施形態と同様に、上記液面より上方に露出されるウェハ２の表面への純水の液滴の付着を抑制することができ、上記露出されたウェハ２の表面のは上記純水の水分だけが残留しているのみとさせることができる。従って、上記露出されたウェハ２の表面の水分を、空間４内に充填されている窒素ガスでもって迅速に蒸発させて乾燥させることができる。
【００９６】
上記第２実施形態によれば、上記第１実施形態におけるウェハ乾燥装置５０１のように乾燥室２０１内の純水４０を仕切り板２５０により２つの層に分けるような場合でなくても、乾燥室３０１における底部３５０を昇降させる底部昇降機構３１４を備えさせることにより、乾燥室３０１の底部３５０を底部昇降機構３１４により上昇させることにより、純水４０の液面側純水を乾燥室３０１の上端よりオーバーフローさせる形で排液することができ、上記第１実施形態による効果と同様な効果を得ることができる。
【００９７】
さらに、付け加えて、底部昇降機構３１４を乾燥室３０１の下側における機台３１５上に設置することにより、ウェハ乾燥装置５０２をコンパクトな構成とすることができる。
【００９８】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態にかかる基板乾燥装置の一例であるウェハ乾燥装置５０３は、上記第１実施形態における仕切り板２５０に相当する仕切り板４５０を備え、仕切り板４５０とこの仕切り板４５０の上面に固定されたウェハキャリア１３によるウェハ２の支持位置を処理室に固定させた状態として、上記第２実施形態のウェハ乾燥装置５０２の底部昇降機構３１４と同様な昇降機構を用いて、乾燥室の底部だけでなく、乾燥室全体を下降させることにより、上記液面側純水の排液を行うものであり、それ以外の構成は同様である。以下、この上記異なる部分についてのみ説明するものとする。また、このウェハ乾燥装置５０３の縦断面図を図１１に示す。
【００９９】
図１１に示すように、ウェハ乾燥装置５０３においては、処理室４１２内にて乾燥室４０１全体が昇降可能に設置されており、乾燥室４０１を昇降させる昇降装置の一例である乾燥室昇降機構４１４がウェハ乾燥装置５０３の機台４１５上に備えられている。また、乾燥室４０１内を上部純水槽４０ａと下部純水槽４０ｂの２つの槽に区分する仕切り板４５０が備えられており、仕切り板４５０は、その周部全体が乾燥室４０１の内側に接触しない程度の隙間を有しておりかつ上記隙間を通して下部純水槽４０ｂより上部純水槽４０ａ内へ純水の供給が可能となっている。なお、上記仕切り板４５０は上記第１実施形態の可動床に相当する液移動板の一例となっている。また、基板支持機構の一例であるキャリア固定部４０９は、乾燥室４０１の底部ではなく、処理室４１２の上部内側に固定されており、キャリア固定部４０９にはウェハキャリア１３を取り付け可能となっているとともに、仕切り板４５０を固定している。また、乾燥室４０１の底部には純水供給部４１０が固定されている。ウェハキャリア１３と純水供給部４１０は上記第１実施形態におけるウェハキャリア１３若しくはウェハ保持具２１３と純水供給部２１０と同様である。
【０１００】
また、乾燥室昇降機構４１４は、上記第２実施形態における底部昇降機構３１４と同様な構成であり、乾燥室４０１の底部の下面中央に固定されたエアシリンダ４１４ａが昇降ガイド４１４ｂに沿って昇降されることにより、仕切り板４５０及びウェハキャリア１３を処理室４１２に対して固定させたまま、乾燥室４０１を昇降させることが可能となっている。すなわち、乾燥室４０１に対して仕切り板４５０及びウェハキャリア１３を相対的に上昇させることが可能となっている。また、エアシリンダ４１４ａの上昇及び下降の速度は制御装置４７によって制御され、例えば、一定の下降速度でもって下降される。なお、この下降速度は、第１実施形態における仕切り板２５０の上昇速度と同様である。
【０１０１】
また、乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の昇降動作は、ウェハキャリア１３に支持されている全てのウェハ２の上端が多少余裕をもって乾燥室４０１の上端よりも下方に位置するような高さ位置（昇降動作の上端位置）から、上記全てのウェハ２の下端が多少余裕をもって乾燥室４０１の上端よりも上方に位置するような高さ位置（昇降動作の下端位置）までの範囲において行われる。すなわち、乾燥室４０１内に純水４０が収容されて満水状態とされた状態において、上記昇降動作の上端位置においては、上記全てのウェハ２が上部純水槽４０ａにおける純水４０に浸漬された状態となり、上記昇降動作の下端位置においては、上記全てのウェハ２が上部純水槽４０ａにおける純水４０より完全に露出された状態となるように乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の昇降動作が行われる。
【０１０２】
また、上記第１実施形態のウェハ乾燥装置５０１における乾燥室２０１の上端において形成されている複数の三角堰２０１ａと同様な三角堰４０１ａが、例えば一定の間隔でもって乾燥室４０１の上端全体に形成されており、また、ウェハ乾燥装置２０１におけるオーバーフロー受部２１７と同様なオーバーフロー受部４１７が、乾燥室４０１の上部外周に設けられている。また、ウェハ乾燥装置５０１の処理室２１２及び乾燥室２０１と同様に、乾燥室４０１の底部には排液口４１９が、処理室４１２の底部には排液口４１８が設けられている。
【０１０３】
このような構成のウェハ乾燥装置５０３において、乾燥室４０１内において満水状態とされた上部純水槽４０ａにおける純水４０内に浸漬されている各ウェハ２を純水４０の液面より露出させる方法について説明する。
【０１０４】
まず、ウェハ乾燥装置５０３においては、乾燥室４０１が乾燥室昇降機構４１４による昇降動作の上端位置に位置されており、かつ下部純水槽４０ｂにおける純水供給部４１０より純水が下部純水槽４０ｂ内に供給されている状態となっており、乾燥室４０１内には純水４０が満水とされ、上部純水槽４０ａの純水４０内に各ウェハ２が浸漬されている。この状態より、制御装置４７により乾燥室昇降機構４１４が制御されて、乾燥室昇降機構４１４により乾燥室４０１の下降動作が開始される。
【０１０５】
この乾燥室４０１の下降開始にともない、乾燥室４０１の純水４０の液面側純水が各三角堰４０１ａを介してオーバーフロー受部４１７内に流入するとともに、オーバーフロー受部４１７における排液口４１７ａよりオーバーフロー受部４１７内に流入した上記液面側純水が排液通路を通して排液される。
【０１０６】
また、純水供給部４１０よりの純水の供給量は、乾燥室４０１の下降に伴う上記液面側純水の排液量に応じて、制御装置４７により流量計３３を用いて第４エアーオペレートバルブ３４を制御しながら下部純水槽４０ｂに供給されている。
すなわち、乾燥室４０１が下降することにより下部純水槽４０ｂにおける容積の増加分に見合った量の純水が、下部純水槽４０ｂに供給されている。従って、上記仕切り板４５０の周部と乾燥室４０１の内側との間における上記隙間においては純水の流れがほとんど発生しない。従って、上記乾燥室４０１の下降によって、上部純水槽４０ａ内の純水のみを乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて排出させることが可能となる。
【０１０７】
乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の下降に伴い、上部純水槽４０ａにおける純水４０の液面側純水が乾燥室４０１の上端よりオーバーフロー受部４１７へ流入されて排液されて乾燥室４０１の純水４０の液面が下降され、それとともに、処理室４１２の上部内側に固定されているキャリア固定部４０９に取り付けられているウェハキャリア１３に固定されている各ウェハ２が上記液面上に露出される。全てのウェハ２の下端が乾燥室４０１の上端よりも上方に位置されたときに、制御装置４７により乾燥室昇降機構４１４による乾燥室４０１の下降が停止される。
【０１０８】
また、上記液面側純水の排液に際しては、上記第１実施形態及び上記第２実施形態と同様に、上記液面に概ね放射状の表面流れ、あるいはこのような表面流れに代えて、同様に上記２方向の表面流れや上記１方向の表面流れを形成することもできる。また、ウェハ２の乾燥室４０１に対する相対的な上昇速度がゆっくりとした一定速度となるように制御されていること、及び、ウェハ２とその周囲の純水とが互いに静止した状態にてウェハ２の上記相対的な上昇が行われることにより、ウェハ２の上記液面より上方への露出の際に、上記液面の波立ち（又は揺れ）の発生を防止することができる。よって、上記第１実施形態と同様に、上記液面より上方に露出されるウェハ２の表面への純水の液滴の付着を抑制することができ、上記露出されたウェハ２の表面のは上記純水の水分だけが残留しているのみとさせることができる。従って、上記露出されたウェハ２の表面の水分を、空間４内に充填されている窒素ガスでもって迅速に蒸発させて乾燥させることができる。
【０１０９】
上記第３実施形態によれば、上記第１実施形態におけるウェハ乾燥装置５０１のように仕切り板２５０を上昇させることにより上部純水槽４０ａの純水をウェハ２とともに上昇させて、上記液面側純水の排液を行うのではなく、仕切り板４５０及びキャリア固定部４０９を処理室４１２に固定させて、乾燥室４０１を下降させることにより、仕切り板４５０及びキャリア固定部４０９を乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて、すなわち、上部純水槽４０ａの純水をウェハ２とともに乾燥室４０１に対して相対的に上昇させて、上記液面側純水の排液を行うことができる。従って、上記第１実施形態による効果と同様な効果を得ることができる。
【０１１０】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明の上記第１態様によれば、乾燥室における純水内に浸漬された基板を上記純水の液面より上に露出させる際に、上記乾燥室の底面からのみの上記純水の排液、及び上記基板自体の上記純水からの引き上げのいずれによるものではなく、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水における液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて行くことにより、上記基板の上記液面よりの露出を行うことができる。これにより、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記液面若しくは上記液面近傍に浮遊している異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１１２】
また、このような上記液面側純水の排液は、上記液面において形成される上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れでもって行われ、この上記表面流れは上記基板の表面沿いに形成されているため、上記基板の一部が上記純水の液面よりも上方に露出された場合に、隣接する夫々の上記基板間の上記液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々の基板間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができ、乾燥された上記基板の表面を異物等の付着のない良好な乾燥状態とさせることができる。
【０１１３】
また、上記純水の液面より上方への上記基板の露出は、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水が上昇されることにより行われる、すなわち、上記基板と上記基板の周囲の上記純水とが互いに相対的に静止された状態において上記上昇が行われることにより、上記純水の液面に目視で確認できるような波立ち（あるいは揺れ）等の発生を防止することができる。さらに、上記基板の上昇速度をゆっくりとした一定の速度とすることにより、上記液面より上方に露出される際の上記基板と上記純水の液面と境界（すなわち界面）において、より効果的に上記波立ちの防止を図ることができる。これにより、上記界面において、上記基板とともに上記基板の表面に付着された純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡させることができ、上記露出される基板の表面に多数の純水の液滴が付着することを抑制することができる。よって、上記基板が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、上記空間内に充填されている不活性ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、従来のようにイソプロピルアルコール（以降、ＩＰＡという）を用いて、基板の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような乾燥方式を用いなくても、純水から露出された基板の乾燥処理を行うことができる。
【０１１４】
また、上記基板乾燥方法においては、上記ＩＰＡを用いることなく上記基板の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができ、環境の面からも好ましい基板乾燥方法を提供することができる。
【０１１５】
また、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させることにより、上記液面側純水の排液を行うため、上記純水中においては、上記純水中に浮遊している異物等を拡散するような流れ（すなわち、渦流等の乱流）の発生を防止することができる。従って、上記基板の露出の際に、上記異物等を拡散するような流れを防止した状態にて、上記液面側純水の排液を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍において純水中に浮遊している異物等の排出性を良好とすることができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１１６】
本発明の上記第２態様によれば、上記態様による効果に加えて、さらに、上記基板の露出の際における上記液面側純水の排液が、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行われることにより、上記基板の露出の際に上記空間の容積を一定に保つことができる。これにより、上記基板の露出開始から露出完了まで上記空間内の不活性ガスの濃度を安定させることができ、上記基板の表面に残留している上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【０１１７】
本発明の上記第３態様によれば、乾燥室を下降させることにより、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させる場合であっても、上記相対的な上昇を行いながら上記純水の液面もしくは液面近傍より液面側純水の排液を行うことができ、上記第１態様による効果と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１１８】
本発明の上記第４態様によれば、上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることにより、その取扱いを容易にすることができる。
【０１１９】
本発明の上記第５態様によれば、上記基板の露出は、上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われることにより、上記基板の表面に付着した純水（水分）が蒸発された水蒸気を含む上記不活性ガスを上記空間外へ排気させるとともに、上記空間内に新たな上記不活性ガスを供給することができ、上記空間内における上記不活性ガスの水分濃度を略一定に保つことができる。よって、上記露出された基板の表面よりの上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【０１２０】
本発明の上記第６態様によれば、上記基板がその表面における清浄性等が要求されるウェハ又は液晶ガラス基板である場合において、上記第１態様から第５態様の夫々における効果を得ることができる基板乾燥方法を提供することが可能となる。
【０１２１】
本発明の上記第７態様によれば、乾燥室における純水内に浸漬された基板を上記純水の液面より上に露出させる際に、上記乾燥室の底面からのみの上記純水の排液、及び上記基板自体の上記純水からの引き上げのいずれによるものではなく、上記排液装置により、上記可動床を上昇させて上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水における液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させ、上記基板の上記液面よりの露出を行うことができる。これにより、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記液面若しくは上記液面近傍に浮遊している異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２２】
また、このような上記液面側純水の排液は、上記液面において形成される上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れでもって行われ、この上記表面流れは上記基板の表面沿いに形成されているため、上記基板の一部が上記純水の液面よりも上方に露出された場合に、隣接する夫々の上記基板間の上記液面側純水の上記表面流れでもって排液することができ、上記夫々の基板間の液面若しくは液面近傍において浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる。従って、上記基板の上記液面よりの露出の際に、上記異物等の上記基板の表面への付着を防止する（又は低減させる）ことができ、乾燥された上記基板の表面を異物等の付着のない良好な乾燥状態とさせることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２３】
また、上記純水の液面より上方への上記基板の露出は、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水が上昇されることにより行われる、すなわち、上記基板と上記基板の周囲の上記純水とが互いに相対的に静止された状態において上記上昇が行われることにより、上記純水の液面に目視で確認できるような波立ち（あるいは揺れ）等の発生を防止することができる。さらに、上記基板の上昇速度をゆっくりとした一定の速度とすることにより、上記液面より上方に露出される際の上記基板と上記純水の液面と境界（すなわち界面）において、より効果的に上記波立ちの防止を図ることができる。これにより、上記界面において、上記基板とともに上記基板の表面に付着された純水を上昇させようとする力と、上記表面に付着される純水を重力及び純水の表面張力により引き戻そうとする力とが均衡させることができ、上記露出される基板の表面に多数の純水の液滴が付着することを抑制することができる。よって、上記基板が露出されても、その表面には少量かつ微細な純水の水分が付着されているのみとさせることができ、上記空間内に充填されている不活性ガスによりこれら微細な純水の水分を迅速に蒸発させることができる。従って、従来のようにイソプロピルアルコール（以降、ＩＰＡという）を用いて、基板の表面に付着された純水の液滴を上記ＩＰＡに置換させるような基板の乾燥装置を用いなくても、純水から露出された基板の乾燥処理を行うことができる。
【０１２４】
また、上記第７態様の基板乾燥装置においては、上記ＩＰＡを用いることなく上記基板の乾燥処理を行うことができる。従って、これまでＩＰＡを用いるような場合に発生していた問題、つまり、ＩＰＡを含んだ排液の処理に多大な労力と費用が費やされるとともに、環境の面からもこのようなＩＰＡを用いることは好ましくないというような問題を解消することができ、環境の面からも好ましい基板乾燥装置を提供することができる。
【０１２５】
また、上記排液装置により、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させて上記液面側純水の排液を行うため、上記純水中においては、上記純水中に浮遊している異物等を拡散するような流れ（すなわち、渦流等の乱流）の発生を防止することができる。従って、上記基板の露出の際に、上記異物等を拡散するような流れを防止した状態にて、上記液面側純水の排液を行うことができ、上記液面若しくは上記液面近傍において上記純水中に浮遊している異物等の排出性を良好とさせることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２６】
本発明の上記第８態様によれば、上記態様による効果に加えて、さらに、上記基板の露出の際における上記排液装置による上記液面側純水の排液が、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行われることにより、上記基板の露出の際に上記空間の容積を一定に保つことができる。これにより、上記基板の露出開始から露出完了まで上記空間内の不活性ガスの濃度を安定させることができ、上記基板の表面に残留している上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる基板乾燥装置を提供することができる。
【０１２７】
本発明の上記第９態様によれば、上記乾燥室の底面に備えられかつ上記基板を支持する基板支持機構と、上記乾燥室の上記底面を昇降させる底面昇降装置とをさらに備え、上記底面昇降装置により上記乾燥室の上記底面を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記液面側純水をオーバーフローさせることにより上記表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記液面側純水を排液することができ、上記第７態様又は第８態様による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２８】
本発明の上記第１０態様によれば、上記乾燥室において上記純水を上記液面側における上部純水槽と上記乾燥室の底面側における下部純水槽とに区分する可動床と、上記可動床に備えられかつ上記上部純水槽内において上記純水に浸漬された上記基板を支持する基板支持機構と、上記乾燥室の上記可動床を昇降させる可動床昇降装置とをさらに備え、上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記上部純水槽における上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記液面側純水をオーバーフローさせることにより上記表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記液面側純水を排液することができ、上記第７態様又は第８態様による効果を得ることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１２９】
本発明の上記第１１態様によれば、上記第１０態様による効果に付け加えて、さらに、上記可動床昇降装置により上記可動床が上記乾燥室の内側に沿って上昇された場合に、この上昇量に応じて上記下部純水槽の容積増加分に見合った量の純水を純水供給部より上記下部純水槽へ供給するため、上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間には互いに接触しない程度の隙間を有している状態であっても、上記可動床の上昇により上記上部純水槽における上記純水を上昇させて上記液面側純水のみの排液を行うことができる。これにより上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間の上記隙間を埋める（シールする）必要を無くすことができ、上記隙間を埋めた場合に発生するおそれのある摩擦による異物の発生を防止することができ、上記乾燥室の上記純水内での異物発生を防止することができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１３０】
さらに、上記可動床の上昇に伴い、上記可動床が上昇することにより上記下部純水槽における容積の増加分に見合った量の純水が、上記下部純水槽に供給されるため、上記可動床の周部と上記乾燥室の内側との間における上記隙間においては純水の流れをほとんど発生させないようにすることができる。従って、上記基板を浸漬している上記上部純水槽においては、上記純水の流れ込みによる渦流等の乱流の発生を無くすことができ、上記液面上における上記液面側純水の上記表面流れでもって、上記露出された上記各基板間の上記液面若しくは上記液面近傍において上記純水中に浮遊している異物等を良好な排出性でもって排出させることができる基板乾燥装置を提供することが可能となる。
【０１３１】
本発明の上記第１２態様によれば、上記排液機構により、上記乾燥室を下降させることにより上記液移動板を上記乾燥室に対して相対的に上昇させ、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させて、上記液面側純水の排液を行うような場合であっても、上記第７態様による効果と同様な効果を得ることが可能となる。
【０１３２】
本発明の上記第１３態様によれば、上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることにより、その取扱いを容易にすることができる。
【０１３３】
本発明の上記第１４態様によれば、上記空間内のガスを上記空間外へ排気する排気装置がさらに備えられ、上記基板の露出は、上記不活性ガス供給装置により上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記排気装置により上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われることにより、上記基板の表面に付着した純水（水分）が蒸発された水蒸気を含む上記不活性ガスを上記空間外へ排気させるとともに、上記空間内に新たな上記不活性ガスを供給することができ、上記空間内における上記不活性ガスの水分濃度を略一定に保つことができる。よって、上記露出された基板の表面よりの上記純水の水分の蒸発効率（乾燥効率）を安定化させることができ、上記基板の表面における乾燥むらを防止して、良好な乾燥状態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図２】図１のウェハ乾燥装置のＦ−Ｆ断面図である。
【図３】図１のウェハ乾燥装置のＧ−Ｇ断面図である。
【図４】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置の概略構成を示すフロー図である。
【図５】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置の乾燥室上部における（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の乾燥室上部におけるＨ−Ｈ断面図である。
【図６】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置において、ウェハを液面より上方に露出させている状態の模式説明図であり、（Ａ）はウェハの表面側よりみた状態図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図７】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置におけるウェハ保持具の部分拡大図であり、（Ａ）はウェハの表面側より見た図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図９】図８のウェハ乾燥装置のＩ−Ｉ断面図である。
【図１０】図８のウェハ乾燥装置のＪ−Ｊ断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態にかかるウェハ乾燥装置の縦断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態の変形例にかかるウェハ乾燥装置の乾燥室の模式説明図である。
【図１３】上記第１実施形態のウェハ乾燥装置において、ウェハの上昇を行っている状態の模式説明図であり、（Ａ）はウェハ２がまだ完全に純水中に浸漬されている状態図、（Ｂ）はウェハ２の一部が純水の液面より上方に露出されている状態図である。
【図１４】図６（Ａ）において、純水の液面に波立ちが発生している場合を仮定した状態の模式説明図である。
【符号の説明】
２…ウェハ、４…空間、５…乾燥ノズル、７…手動弁、８…第２エアーオペレートバルブ、９…キャリア固定部、１３…ウェハキャリア、２９…減圧弁、３０…第１エアーオペレートバルブ、３１…流量計、３２…手動弁、３３…流量計、３４…第４エアーオペレートバルブ、３５…第３エアーオペレートバルブ、４０…純水、４０ａ…上部純水槽、４０ｂ…下部純水槽、４０ｃ…隆起純水部、４０ｐ…液滴、４３…排気通路、４４…排液通路、４５…排液通路、４６…排液通路、４７…制御装置、２０１…乾燥室、２０１ａ…三角堰、２１０…純水供給部、２１１…蓋、２１２…処理室、２１３…ウェハ保持具、２１３ａ…ウェハ支持部、２１３ｂ…フレーム、２１４…仕切り板昇降機構、２１４ａ…ボールねじ軸部、２１４ｂ…駆動部、２１４ｃ…ナット部、２１４ｄ…昇降フレーム、２１４ｅ…ガイド、２１５…機台、２１７…オーバーフロー受部、２１７ａ…排液口、２１８…排液口、２１９…排液口、２５０…仕切り板、２５１…仕切り板、２５１ａ…シール、３０１…乾燥室、３０１ａ…三角堰、３１０…純水供給部、３１１…蓋、３１２…処理室、３１４…底部昇降機構、３１４ａ…エアシリンダ、３１４ｂ…昇降ガイド、３１５…機台、３１７…オーバーフロー受部、３１７ａ…排液口、３１８…排液口、３１９…排液口、３５０…底部、３５０ａ…シール、４０１…乾燥室、４０１ａ…三角堰、４０９…キャリア固定部、４１０…純水供給部、４１１…蓋、４１２…処理室、４１４…乾燥室昇降機構、４１４ａ…エアシリンダ、４１４ｂ…昇降ガイド、４１５…機台、４１７…オーバーフロー受部、４１７ａ…排液口、４１８…排液口、４１９…排液口、４５０…仕切り板、５０１、５０２、５０３…ウェハ乾燥装置、Ｔ…ウェハの速度ベクトル、Ｓ…純水の速度ベクトル、Ｒ…波立ちによる速度ベクトル、Ｇ…界面、Ｆ１及びＦ２…表面流れ。
Claims (14)
- 夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室（２０１、３０１）内の純水（４０）の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板（２）を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法。 - 上記基板の露出の際における上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う請求項１に記載の基板乾燥方法。
- 夫々の表面を互いに略平行にかつ乾燥室（４０１）内の純水（４０）の液面と略直交するように配列されて上記純水内に浸漬された複数の基板（２）を上記純水内より露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させ、
上記乾燥室を下降させて、上記基板とともに上記基板が浸漬されている上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記純水を排液して上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成し、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、
その後、上記空間内において上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を上記不活性ガスにより蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥方法。 - 上記不活性ガスは、窒素ガスである請求項１から３のいずれか１つに記載の基板乾燥方法。
- 上記基板の露出は、上記空間内に上記不活性ガスを供給するとともに、上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排気しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる請求項１から４のいずれか１つに記載の基板乾燥方法。
- 上記基板はウェハ（２）又は液晶ガラス基板である請求項１から５のいずれか１つに記載の基板乾燥方法。
- 互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水（４０）の液面と略直交するように配列された複数の基板（２）を上記純水内に浸漬可能な乾燥室（２０１、３０１）と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に不活性ガスを供給して、上記空間内に不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置（５）と、
上記乾燥室内に昇降可能に備えられた可動床（２５０、３５０）を上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置（２１４、３１４）とを備えて、
上記排液装置により、上記可動床を上昇させて、上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により充填された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留した上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置。 - 上記基板の露出の際における上記排液装置による上記液面側純水の排液は、上記乾燥室内の上記純水の液面上の上記空間に対する上記液面の高さ位置を固定させた状態にて行う請求項７に記載の基板乾燥装置。
- 上記可動床は上記乾燥室の底面（３５０）であり、かつ上記排液装置は上記底面を昇降させる底面昇降装置（３１４）であって、かつ上記基板を支持する基板支持機構（９）をさらに備え、
上記底面昇降装置により上記乾燥室の上記底面を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる請求項７又は８に記載の基板乾燥装置。 - 上記可動床（２５０）は上記乾燥室において上記純水を上記液面側における上部純水槽（４０ａ）と上記乾燥室の底面側における下部純水槽（４０ｂ）とに区分し、上記排液装置は上記可動床を昇降させる可動床昇降装置（２１４）であって、
上記可動床に備えられかつ上記上部純水槽内において上記純水に浸漬された上記基板を支持する基板支持機構（９）をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させて、上記基板支持機構により支持されている上記基板とともに上記上部純水槽における上記純水を上昇させながら、上記乾燥室の上部において上記表面流れでもって上記液面側純水をオーバーフローさせることにより排液させる請求項７又は８に記載の基板乾燥装置。 - 上記乾燥室の上記下部純水槽に純水を供給する純水供給機構（２１０）をさらに備え、
上記可動床昇降装置により上記乾燥室の上記可動床を上昇させて上記上部純水槽と上記下部純水槽との区分位置を上昇させるとともに、上記純水供給機構により上記区分位置の上昇に応じて純水を上記下部純水槽に供給させる請求項１０に記載の基板乾燥装置。 - 互いに対向する側面を備え、かつ、夫々の表面を互いに略平行にかつ純水（４０）の液面と略直交するように配列された複数の基板（２）を上記純水内に浸漬可能な乾燥室（４０１）と、
上記基板を支持する基板支持機構（４０９）と、
上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に不活性ガスを供給して、上記空間内に上記不活性ガスを充填させる不活性ガス供給装置（５）と、
上記乾燥室を下降させることにより、上記乾燥室内に上記乾燥室に対して相対的に昇降可能に備えられた液移動板（４５０）を相対的に上昇させて、上記基板とともに上記基板を浸漬している上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記純水の液面において、上記液面沿いかつ上記基板の表面沿いの表面流れを形成して、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍より液面側純水を排液させる排液装置（４１４）とを備えて、
上記排液装置により、上記液移動板とともに上記基板支持機構により支持されている上記基板及び上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させて、上記基板とともに上記純水を上記乾燥室に対して相対的に上昇させながら、上記液面側純水を排液させて、上記基板の表面への上記純水の液滴の付着を抑制するとともに、上記表面流れでもって上記純水の液面若しくは液面近傍に浮遊している異物の上記基板の表面への付着を低減させながら、上記乾燥室内で上記純水から上記基板を上記液面より上方に露出させて、その後、上記不活性ガス供給装置により供給された上記不活性ガスにより、上記空間内に上記露出された基板の表面に残留している上記純水の水分を蒸発させて、上記基板が乾燥されるようにしたことを特徴とする基板乾燥装置。 - 上記不活性ガスは、窒素ガスである請求項７から１２のいずれか１つに記載の基板乾燥装置。
- 上記空間内のガスを上記空間外へ排気する排気装置（７、８、及び４３）をさらに備え、
上記基板の露出は、上記不活性ガス供給装置により上記不活性ガスを上記空間内に供給するとともに、上記排気装置により上記供給された不活性ガスを上記空間外へ排出しながら、上記空間内に上記不活性ガスを充填させた状態で行われる請求項７から１３のいずれか１つに記載の基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240810A JP2004079903A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 基板乾燥方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002240810A JP2004079903A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 基板乾燥方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004079903A true JP2004079903A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32023497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002240810A Pending JP2004079903A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 基板乾燥方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004079903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205360A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN111678302A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-18 | 贵州凯襄新材料有限公司 | 一种混凝土外加剂烘干装置 |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240810A patent/JP2004079903A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205360A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN111678302A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-18 | 贵州凯襄新材料有限公司 | 一种混凝土外加剂烘干装置 |
| CN111678302B (zh) * | 2020-06-30 | 2021-07-20 | 贵州凯襄新材料有限公司 | 一种混凝土外加剂烘干装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100935977B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| US6875289B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning systems and methods | |
| US7107701B2 (en) | Substrate drying method and apparatus | |
| TWI489542B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2001512902A (ja) | 基板乾燥のための方法および装置 | |
| JP5114252B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2013110278A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| US20070151576A1 (en) | Treatment systems and methods | |
| JP2009212408A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5016525B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2007180426A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR101442399B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2004079903A (ja) | 基板乾燥方法及び装置 | |
| JPH11145099A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000140505A (ja) | 脱気装置及び脱気方法 | |
| US20040040573A1 (en) | Multi-process system | |
| JP4002470B2 (ja) | 基板乾燥方法及び装置 | |
| JP4020791B2 (ja) | 基板乾燥方法及び装置 | |
| KR102301370B1 (ko) | 배치식 기판 처리 장치 | |
| JP3416031B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
| JP2005243812A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102315661B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
| JP6458123B1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3767839B2 (ja) | 基板処理方法及び装置 | |
| JP2003289063A (ja) | 基板乾燥方法及び装置 |