TW583765B - Method of manufacturing a semiconductor device comprising a non-volatile memory with memory cells including a select transistor and a memory transistor - Google Patents
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Description
583765 ⑴ 玫、發明說明 發明背景 本發明係關於一種製造包含非揮發性記憶體之半導體 裝置的方法，該非揮發性記憶體的記憶體單元包括：一具 有選擇閘極之選擇電晶體；及一具有浮動閘極與控制閘極 之記憶體電晶體。其中，會在半導體主體中形成多個主動 半導體區，該些主動半導體區會與該半導體主體的表面相 鄰，並且利用場氧化物相互絕緣；隨即，會在表面中形成 一閘極氧化層，以及會於其中蝕刻出該選擇閘極的第一導 體材料層；接著，會在橫切延伸該表面的該選擇閘極的側 護壁中形成絕緣材料，並且將該選擇閘極旁邊的閘極氧化 物移除，以隧道氧化層置換；然後，便沉積一第二導體材 料層、一中間介電質、及一第三導體材料層；在該第三層 中會形成該控制閘極，其會向上延伸，並且位於該選擇閘 極旁邊；然後，可使用該控制閘極作為光罩，在該第二導 體材料層中蝕刻出浮動閘極。 此類方法揭露於US 5,5 5 0,07 3中，其中，會在形成該選 擇閘極及其側壁中的絕緣之後，繼續沉積一包裹層，該包 裹層包含：第二導體材料層、中間介電質、及第三導體材 料層。可使用該控制閘極作為光罩，在該第三層中I虫刻出 該控制閘極，並且依照圖樣蚀刻出該中間介電質及該第二 導體材料層，從而便可在該選擇閘極旁邊形成該浮動閘極 當欲沉積包含第二導體材料層、中間介電質、及第三導 583765 (2) 隊卿轉 體材料層的包裹層時，該層會遵循已經形成的選擇閘極的 輪廓。在該選擇閘極上方，並且與該選擇閘極相隔甚遠的 位置處，該些層會以實質平行該半導體主體表面的方式延 伸；但是，在該選擇閘極旁邊時，該些層則係以實質垂直 該半導體主體表面的方式延伸。當該包裹層沉積結束之後 ，其表面的高度的差異會非常大；及該表面會呈現出相當 明顯的起伏形狀。此外，在橫切延伸該半導體主體表面的 該包裹層各層中，如果從該表面的切面方向看去的話，該 些層的厚度非常大。由於該明顯起伏的形狀及厚度差異的 關係，很難在該包裹層中形成小尺寸的控制閘極及浮動閘 極。該些閘極較佳的形成方式是，其具有橫切延伸該半導 體主體表面的側壁，而且位於該包裹層中各層厚度較大的 區域旁邊。因此，該側壁的位置與該選擇閘極的距離相當 遠。 本發明的目的便係解決該些缺點。為達此目的，本方法 的特徵為該第二導體材料層的沉積厚度會超過該選擇閘 極的厚度，並且先對此導體材料層進行平坦化處理，然後 再繼續沉積該中間介電層及該第三導體材料層。因此，該 中間介電層及該第三導體材料層便可沉積在平坦的表面 上，因而亦能夠呈現出平坦的表面，此外，厚度亦相當均 勻。藉此，便能夠輕易地形成該控制閘極及該浮動閘極。 此外，該些閘極形成之後，其側壁可橫切延伸該半導體主 體的表面，並且與該選擇閘極的距離相當短。 應該注意的係，在DE 1 96 43 1 8 5 C2中揭露一種製造記 583765
(3) 憶體單元的方法，該記憶體單元包括：一具有選擇閘極乏 選擇電晶體；及一具有浮動閘極與控制閘極之記憶體電晶 體。在該方法中，該選擇閘極及該浮動間極係並列於第一 導體材料層。在該方法中’會在該第一導體材料層中蚀刻 出溝槽，用以將該選擇閘極及該浮動閘極相互絕緣。此平 坦的結構會形成一中間介電層，其會同時填滿該溝槽·，及 弟一導體材料層。在#弟二導體材料層中會触刻出與該 溝槽重疊的控制閘極。隨即，便可使用該控制閘極作為光 罩’在該第一導體材料層中I虫刻出該選擇閘極及該浮動閘 極0 在此方法中，在沉積該第一導體材料層之前，會先在該 表面中形成一閘極氧化層及一隧道氧化層，以便與之並排 ’而且第一導體材料層中的溝槽係形成於隧道氧化物及閘 極氧化物之間的過渡區附近。實際上，此溝槽並不可能真 正地形成於該隧道氧化物及閘極氧化物之間的過渡區。因 此，溝槽的寬度必須足以在形成該光罩期間，解決對齊容 限值的問題。在根據本發明的方法中，則係在形成該選擇 閘極之後才開始形成該隧道氧化物，並且係將其直接放置 在形成於該選擇閘極側壁中的絕緣材料層旁邊。在此例中 ’便能夠將隧道氧化物/閘極氧化物過渡區真正地放置於 該選擇閘極側壁中的絕緣材料層内。 實際上，記憶體中的記憶體單元係排列成列與行。在此 例中’舉例來說，在其中一行的記憶體單元中，該選擇電 晶體的選擇閘極會相互連接。利用額外的線路層便可達到 (4) ,__— 此目的，其中該線路層 一
^ ^ JUL ^ "由一絕緣材料層所構成的，在A 衾巴緣材料層上則會形成 偁成的在 路線。it d P Μ 接至接觸窗内選擇閘極的導體 中，形成备作iP搂磕 式如下··在該第一導體材料層 7力乂田作選擇線的遂触 ， ^ I，使能橫切延伸該歧主動區 琢些導體條係位於具有的 一 {、彖材料層、且橫切延伸該表面 的護壁芡上，並且其合 产触兩 曰在该些主動區的位置處，形成該記 思隨晶體的選擇問極，太二、 Ί让在琢些閘極的側護壁中且有絕緣 材料。 /、
-1際上舉例來說’同樣可利用字組線將其中-行記憶 —中的U己f思缸私晶體的控制閘極相互連接。使用額外 :、泉路層便能夠達到此目的;也，不過，還有更簡單的方式 /為達此目的地，可在第二導體材料層經過平坦化處理之 '於此層中蝕刻出溝槽，該些溝槽會橫切延伸當作選擇 線，導體路線，在該些溝槽中則會曝露出，形成於該些選 擇、泉中的絕緣層、以及該些選擇線旁邊的表面。在沉積該 中間介電層及該第三導體材料層期間，會將該些溝槽填滿 。當較薄的中間介電層沉積結束之後，其會遵循該些溝槽 的輪廓；而較厚的導體材料層則會完全填滿該些溝槽，並 I在沉積過程結束後，在該些溝槽的地方呈現出實質平坦 衣面。隨即，便會在該第三導體材料層中形成導體條， 其係當作字組線，並且會與該些選擇線平行延伸，以及至 v會部分重疊該些選擇線，該些導體條會在浮動閘極的地 方$成該記憶體電晶體的控制閘極。在蝕刻浮動閘極期間 ’可使用控制閘極，即此例中當作字組線的導體線路，當
-10 - (5) (5)583765 作光罩。現在便可以第二導體材料層中所蝕刻出來的狹縫 之間的距離，決定出選擇閘極及控制閘極方向中的浮動門 極長度。 較隹的係，在第一導體材料層中形成選擇線之前，會先 在此層中沉積一絕緣材料層，所以，該些選擇線會形成在 該第一導體材料層之中，並且形成在沉積其上的絕緣材料 声之中。所以，該些選擇線以及該些選擇閘極，於 曰 、上万側 都會具有絕緣層。 較隹的係，所沉積的絕緣層的組成材料，使該層能约a 作第二導體材料層平坦化處理時的阻止層。實際上，第两 、第二、及第三導體材料層的材料係由下面的材料所構成 ••矽層、矽鍺合金、矽碳合金。該層係以多晶或非結晶層 的方式沉積而成。在此例中，較佳的係，使用氮化兮層杏 作卩且土層。 第二導體材料層平坦化處理會在下面的情形中以受於 的方式結束··持續進行該平坦化作業，直到該選擇閘極之 上的絕緣材料層曝露出來為止。實作時，非常輕易地匕 夠偵測出來。如果使用阻止層的話，該平坦化作業便可均 勻地停止於此層中， 如果孩控制閘極形成後僅部分重疊該選擇閘極，而且使 用孩控制閘當作光罩，對該第二導體材料層進行蝕刻處理 之後亦會將曝露的選擇閘極部分蚀刻去除的話，那麼， 將可得到非常小型的記憶體單元。 如果’第二導體材料層的平坦化處理，在將該選擇閘極 -11 - 583765
⑹ 上方的導體材料層完全清除之刖，將其中斷的話，那麼， 於該平坦化處理結束之後，該第二導體材料層將會延伸於 該選擇閘極之上。因此，該控制間極的整個寬度都將會座 落在該浮動閘極之上。依照此方式’便會在控制問極與浮 動閘極之間產生實質的電容性耦合。因此，在該控制閘極 中只要有較小的電壓，便能夠將資料儲存在該記憶體中； 而在該控制閘極中則要有較高的電壓’方能讀取已儲存的 資料。 如果，第二導體材料層的平坦化處理’在將該選擇閘極 上方的此層完全清除之前，將其中斷的話，以下面的方法 將能得到非常小型的記憶體單元：在沉積該中間介電層之 前，會局部清除該第二導體材料層，使得該第二導體材料 層僅部分重疊該選擇閘極，而且該控制閘極形成後並未完 全重疊該選擇閘極，但是卻會完全重疊該第二導體材料層 ’而且在使用該控制閘極當作光罩，對該第二導體材料層 進行蚀刻處理時，亦會將未被控制閘極覆蓋的選擇閘極部 分餘刻去除。當從該選擇閘極中局部地清除該第二導體材 料層時’僅有一中間介電層會座落於該第三導體材料層與 該選擇閘極之間的控制閘極的邊緣上。實際上，這使得能 夠對該選擇閘極進行蝕刻。如果浮動閘極座落於該控制閘 極的邊緣上的話，那麼，對該選擇閘極進行蝕刻將會嚴重 地影響到位於該中間介電層下方的浮動閘極邊緣，這係因 為’雨者實際上都係由相同的導體材料所構成的。 圖式簡單說明 -12- 583765
⑺ 參考後面所述的具體實施例，將會非常清楚本發明的所 有觀點。 在該些圖式中： 圖 1所示的係利用本發明的方法所形成的記憶體的電 路圖；
圖2至14所示的係利用本發明的方法製造而成的，包 含有非揮發性記憶體之半導體裝置第一範例的數個製造 階段的示意、剖面平面圖； 圖1 5及圖1 6所示的係利用本發明的方法製造而成的， 包含有非揮發性記憶體之半導體裝置第二範例的製造階 段的示意、剖面圖； 圖1 7至1 9所示的係利用本發明的方法製造而成的，包 含有非揮發性記憶體之半導體裝置第三範例的數個製造 階段的示意、剖面圖；及
圖2 0至2 2所示的係利用本發明的方法製造而成的，包 含有非揮發性記憶體之半導體裝置第四範例的數個製造 階段的示意、剖面圖。 發明詳細說明 圖1所示的係包含排列成列與行的記憶體矩陣Mij之非 揮發性記憶體的電路圖，其中i代表列數，j代表行數。 每個記憶體單元都包括一具有選擇閘極1之選擇電晶體 T1 ;及一與該選擇電晶體T1串聯排列，具有浮動閘極2 與控制閘極3之記憶體電晶體T2。每行的選擇電晶體T 1 的選擇閘極1會透過選擇線SLj相互連接，每行的記憶體 -13 - 583765
⑻ 電晶體的控制閘極會透過字組線WLj相互連接。此外， 每列的記憶體電晶體會與位元線B L i連接，而選擇電晶 體則會與共用源極線S 0連接。 圖2至1 4所示的係製造包含有非揮發性記憶體之半導 體裝置第一範例的數個製造階段的示意圖，該非揮發性記 憶體的記憶體單元包括：一具有選擇閘極1之選擇電晶體 丁 1 ;及一具有浮動閘極2與控制閘極3之記憶體電晶體 T2。在此方法中，會在半導體主體10中形成多個主動半 導體區1 3，並且利用場氧化區1 2相互絕緣，使其與該半 導體主體的表面1 1相鄰，在此例中，該主體係一矽主體 ，圖中僅顯示出其最上層，該最上層係以每立方公分約 1 0 15個原子作輕微摻雜。在該表面1 1中，會以熱氧化的 方式形成厚度約1 0奈米的閘極氧化層1 4，隨即於其上沉 積厚度約1 5 0奈米的第一導體材料層，此例中，該第一導 體材料層係η型摻雜的多晶矽。在該第一導體材料層中， 會形成當作選擇線的導體條1 5，橫切過主動區1 3，該導 體條在橫切延伸該表面的護壁1 6中，會形成一絕緣材料 層1 7。在該主動區1 3的位置中，該些條狀物1 5會形成 該記憶體電晶體Τ2的選擇閘極1，該些選擇閘極1的側 護壁都具有絕緣材料。選擇線SL及選擇閘極1係於相同 的製程步驟中形成的。 當作選擇線S L的導體條1 5，以及選擇閘極1，在橫切 延伸該表面1 1的側護壁1 6中，會形成一絕緣材料層1 7 。該絕緣材料可利用對該選擇線1 5進行熱氧化而形成， 583765 (9)
或者，如此例的方式，以慣用的方式，在該側護壁上產i 絕緣間隔。隨即，將該選擇閘極1旁邊的閘極氧化物清除 ，並且以厚度約7奈米的隧道氧化層1 8取代，該隧道氧 化層係對該表面1 1進行氧化之後而形成的。因此，便可 形成圖2、3、及4所示的結構。圖4所示的係一此結構 的平面圖，其中點線1 9係場氧化區1 2與主動區1 3的邊 界線，而中心線2 0則係欲形成的記憶體單元其中一個的 邊界線。圖2所示的係沿著圖4的直線A-A的剖面圖， 而圖3所示的則係沿著圖4的直線B-B的剖面圖。
圖5(沿著直線A-A的剖面圖）及圖6(沿著直線B-B的剖 面圖）所示的係在圖2至4所示的結構之上沉積第二導體 材料層2 1，在此例中，其為厚度約4 0 0奈米、η型摻雜的 多晶矽層。該第二導體材料層2 1的沉積厚度會超過選擇 閘極1，沉積結束之後，便會利用化學機械研磨處理法， 以慣用的方式對此導體材料層進行平坦化處理，如圖7 及8所示，於該第二導體層21之上形成一平坦表面22。 隨即便會在該平坦化的導體層2 1中，蝕刻出厚度約2 0 0 奈米寬的溝槽2 3，橫切延伸該選擇閘極1，在該些溝槽中 ，會於該些選擇閘極及場隔離區1 2之上的表面1 1之上形 成絕緣層 1 7，並且在曝露的選擇閘極之間延伸。此結構 如圖8及9所示。虛線2 4係該些溝槽2 3的邊界線。 隨即，如圖所示，會沉積一中間介電層2 5 (在此例中， 其係由下面所構成的包裹層：厚度約6奈米的氧化矽、厚 度約6奈米的氮化矽、及厚度約6奈米的氧化矽）及一厚 -15 - 583765
(ίο) 度約200奈米的第三導體材料層26(在此例中，其為多曰曰曰 矽）。在沉積該中間介電層25及該第三導體材料層26期 間，會將溝槽2 3填滿。當較薄的中間介電層2 5沉積結束 之後，其會遵循該些溝槽2 3的輪廓；而較厚的導體層2 6 則會完全填滿該些溝槽 2 3，並且在沉積過程結束後，在 該些溝槽的地方呈現出實質平坦的表面。 隨即會在該第三導體材料層26中，於平行於該些選擇 線1 5的方向中，蝕刻出當作字組線WL的導體條2 7，使 其至少部分重疊該些選擇線，該些導體條會在浮動閘極2 的地方形成該記憶體電晶體T2的控制閘極3。在蚀刻浮 動閘極2期間，可使用控制閘極3，即此例中當作字組線 WL的導體線路27，當作光罩。現在便可以第二導體材料 層中所蝕刻出來的該些溝槽2 3之間的距離，決定出選擇 閘極1及控制閘極3方向中的浮動閘極2長度。在該第三 導體材料層2 6中，會如上述地形成該控制閘極3，並且 延伸於該選擇閘極1的上方及旁邊，之後，便會使用由控 制閘極3形成的字組線2 7當作光罩，在該第二導體材料 層2 1中蚀刻出浮動閘極2。 如圖10、11、及12所示，該中間介電層25及該第三導 體材料層2 6係沉積在平坦的表面2 2上，因而亦能夠呈現 出平坦的表面 2 8，此外，厚度亦相當均勻。在該些平坦 層中，便能夠輕易地蝕刻出該控制閘極3及該浮動閘極2 。此外，該些閘極3、2形成之後，其護壁2 9、3 0可橫切 延伸該半導體主體的表面，並且與該選擇閘極1的距離相 583765
⑼ 當短。 最後，便可以慣用的方式，在該主動區域13中，形成 源極及汲極區3 1，蝕刻後的控制閘極3及浮動閘極2的 側護壁2 9、3 0具有絕緣間隔3 2，並且會提供一絕緣材料 層3 3，於其中會蝕刻出作業窗3 4，透過該窗則能接觸到 該源極及汲極區3 1。因此，便會形成圖13及14所示的 結構。 在該第一導體材料層中形成導體路線15之前，即選擇 線SL，會先在此層上沉積一絕緣材料層，然後才在該第 一導體材料層中及沉積其上的絕緣材料層中，形成該些選 擇線S L。因此，如圖2所示，可輕易地於該些選擇線S L 及該些選擇閘極1的最頂端側形成絕緣層3 5。較佳的係 ，對第二導體材料層2 0進行平坦化處理期間，能夠使用 該絕緣層3 5當作一阻止層。在此範例中’所使用的係厚 度約1 0 0奈米的氮化矽層。 在圖2至1 4所示的第一範例中，及圖1 5所示的第二範 例中，當抵達該絕緣層3 5時，便會立即終止該平坦化的 製程。因此，能夠以令人滿意的受控方式，結束對該第二 導體材料層2 0進行平坦化處理。 圖1 5及1 6所示的係製造包含有超小型記憶體單元的非 揮發性記憶體的各個階段。該些圖式都係基於圖1 〇中的 情形。在此例中，會形成控制閘極3，使得僅部分重疊該 選擇閘極1，如圖12所示。在使用該控制閘極3當作光 罩對該第二導體材料層2 0進行蚀刻處理時，亦會將該選 583765 (12) 擇閘極1未被覆蓋的部分I虫刻去除。因此’該 可由該控制閘極3的寬度來決定。 當形成浮動閘極2之後，如圖16所示，在 形成該選擇閘極 1，以及以慣用的方式在該J 中形成源極及汲極區3 1，蝕刻蟓的控制閘極 極2的側護壁2 9、3 0會具有絕_緣間隔3 2，並 絕緣材料層3 3，於其中會蝕刻出作業窗3 4， 能接觸到該源極及汲極區3 1。 在製造第三及第四非揮發性記憶體範例中， 示，會在完全清除該選擇閘極 1上方的第二 2 0之前，便停止對此導體材料層進行平坦化 坦化處理的過程之後，該第二導體材料層2 0 擇閘極1之上延伸。因此，該控制閘極3的整 落在該浮動閘極2之上。如此便會在控制閘極 極2之間產生實質的電容性耦合。藉此，在該 只要有較小的電壓，便能夠將資料儲存在該許 且在該控制閘極中只要有較小的電壓，便能夠 的資料。 圖1 7至1 9所示的係製造包含有非揮發性記 體裝置第三範例的數個製造階段的示意圖。E 係使用該控制閘極3作光罩，蝕刻該浮動閘名 中，該控制閘極會完全重疊該浮動閘極。在E 在該主動區域1 3中形成源極及汲極區3 1，蝕 閘極3及浮動閘極2的側護壁2 9、3 0會具有
單元的寬皮 此例中，會 L動區域 1 3 3及浮動閘 且會提供一 透過該窗則 如圖 17所 導體材料層 處理。在平 便會於該選 個寬度都會 3與浮動閘 控制閘極中 憶體中，而 讀取已儲存 憶體之半導 3 1 8所示的 s 2。在此例 3 19中，會 刻後的控制 絕緣間隔3 2 -18- 583765 (13) ，並且會提供一絕緣材料層 3 3，於其中會蝕刻出作業窗 3 4，透過該窗則能接觸到該源極及汲極區3 1。 圖2 0至2 2所示的係製造包含有非揮發性記憶體之半導 體裝置第四範例的數個製造階段的示意圖。在此例中，如 圖20所示，會在沉積該中間介電層25之前，先局部地將 該第二導體材料層20清除，因此，該第二導體材料層20 僅會部分重疊該選擇閘極1。所形成的控制閘極3並不會 完全覆蓋該選擇閘極1，不過卻會完全覆蓋該第二導體材 料層2 0。在使用該控制閘極3當作光罩對該第二導體材 料層2 0進行蝕刻處理時，亦會將未被該控制閘極3覆蓋 的選擇閘極1的部分蝕刻去除。當從該選擇閘極1中局部 地清除該第二導體材料層 20時，僅有一中間介電層 25 會座落於該第三導體材料層26與該選擇閘極1之間的控 制閘極3的邊緣上。藉此，便可能蝕刻該選擇閘極1。如 果浮動閘極2座落於該控制閘極3的邊緣上的話，那麼， 對該選擇閘極 1進行蝕刻將會嚴重地影響到位於該中間 介電層2 5下方的浮動閘極2邊緣。 圖22所示的係，在此例中，在蝕刻後的控制閘極3及 浮動閘極2亦會具有絕緣間隔3 2，並且會提供一絕緣材 料層3 3，於其中會蝕刻出作業窗3 4，透過該窗則能接觸 到該源極及汲極區3 1。 記憶體單元 選擇電晶體 元件符號對照表 Ml 1，Μ12，Μ21，Μ22，Μ31，Μ32 ΤΙ 583765 T2 記 憶 體 電 晶 體 SL1，SL2 選 擇 線 WL1?WL2 字 組 線 BL1 〜BL3 位 元 線 1 選 擇 閘 極 2 浮 動 閘 極 3 控 制 閘 極 10 半 導 體 主 體 11 表 面 12 場 氧 化 區 13 主 動 區 14 閘 極 氧 化 層 15 導 體 條 16,29,30 側 護 壁 17 絕 緣 材 料 層 18 隧 道 氧 化 層 19 點 線 20 中 心 線 21 第 二 導 體 材 料 層 22,28 平 坦 表 面 23 溝 槽 24 虛 線 25 層 間 介 電 質 26 第 二 導 體 材 料 層
-20- 583765 (15) 嫣獅顧: 27 31 32 33 34 35 導體線路 源極及沒極區 絕緣間隔 絕緣材料層 作業窗 絕緣層 -21 -
Claims (1)
- 第091120304號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(93年1月) 一種製造包含有非揮發性記憶體之半導體裝置之、 法，該非揮發性記憶體的記憶體單元包括··一且 • ，、有選 擇間極之選擇電晶體H有浮動間極與控制間輕 之記憶體電晶體，在該方法中，會在一半導體主體中 形成多個主動半導體區，該些主動半導體區會與謗半 導體主體的表面相鄰，並且利用場氧化物相互絕緣， 隨即，會在孩表面中形成一閘極氧化層，以及會於其 中蝕刻出該選擇閘極的一第一導體材料層；接著，會 在橫切延伸該表面的該選擇閘極的側護壁中形成二 絕緣材料，並且將孩選擇閘極旁邊的閘極氧化物移除 ，以一隨道氧化層置換；然後，沉積一第二導體材科 層、一中間介電質、及一第三導體材料層；在該第三 層中會形成該控制閘極，其會向上延伸，並且位於該 遠擇閘極旁邊；然後，可使用該控制閘極作為光罩， 在該第二導體材料層中餘刻出浮動閘極，其特徵為： 該第二導體材料層的沉積厚度會超過該選擇閘極的 厚度，並且會先對此導體材料層進行平坦化處理之後 ，方能繼續沉積該中間介電質及該第三導體材料層。 如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為··會在該第 一導體材料層中’形成當作選擇線的導體條，使能橫 切延伸該些主動區，該些導體條係位於具有絕緣材料 層、且橫切延伸該表面的護壁之上，並且其會在該些 主動區的位置處，形成該記憶體電晶體的選擇閘極， 2. 583765在該些閘極的側護壁中具有絕緣材料。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其特徵為：在該第二 導體材料層經過平坦化處理之後，會於該層中蝕刻出 溝槽，該些溝槽會橫切延伸當作選擇線的導體路線， 在該些溝槽中則會曝露出，形成於該些選擇線中的絕 緣層、以及該些選擇線旁邊的表面，因為該中間介電 層及該第三導體材料層係沉積在該些溝槽中，而且因 為會在該第三導體材料層中形成該些當作字組線且 平行於該些選擇線延伸且至少部分重疊該些選擇線 的導體條，因此該些導體條會在浮動閘極的地方形成 該記憶體電晶體的控制閘極。 4. 如申請專利範圍第2項之方法，其特徵為：在該第一 導體材料層中形成該些選擇線之前，會先在該層之上 沉積一絕緣材料層，因此，該些選擇線會形成在該第 一導體材料層之中，並且形成在沉積其上的絕緣材料 層之中。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其特徵為：在對該第 二導體材料層進行平坦化處理期間，會在該第一導體 材料層之上沉積能夠當作阻止層的材料層。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其特徵為：在該平坦 化作業期間，該第一導體材料層會形成氮化矽層當作 阻止層。 7. 如申請專利範圍第4、5、或6項之方法，其特徵為： 該第二導體材料層的平坦化處理會一直持續到已經 583765 93J* 9申請專利範圍續頁 曝露出位於該選擇閘極之上絕緣材料層為止。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其特徵為：該控制閘 極形成後僅部分重疊該選擇閘極，而且當使用該控制 閘極當作光罩，對該第二導體材料層進行蝕刻處理之 後，亦會將曝露的選擇閘極邵分蚀刻去除。 9. 如申請專利範圍第4、5、或6項之方法，其特徵為： 該第二導體材料層的平坦化處理會在將該選擇閘極 上方的導體材料層完全清除之前便進行中斷。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其特徵為：在沉積該 中間介電層之前，會局部清除該第二導體材料層，使 得該第二導體材料層僅部分重疊該選擇閘極，而且該 控制閘極形成後並未完全重疊該選擇閘極，但是卻會 完全重疊該第二導體材料層，而且在使用該控制閘極 當作光罩，對該第二導體材料層進行蝕刻處理時，亦 會將未被該控制閘極覆蓋的選擇閘極部分蝕刻去除。
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