TW583464B - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

583464 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種TFT-LCD元件之畫素區域的電極 結構設計，特別有關於一種將一浮置黑色矩陣遮光元件整 合至TFT陣列基底的結構，藉由浮置黑色矩陣遮光元件與 閘極線之連接設計，可提高TFT-LCD元件之開口率、降低 資料線與畫素電極的耦合效應、提供補償電容器以及提供 閘極線的修補方法。 【先前技術】 液晶顯示器（liquid crystal display, LCD)是目前 最被廣泛使用的一種平面顯示器，具有低消耗電功率、薄 型輕量以及低電壓驅動等特徵，其顯示原理是利用液晶分 子之材料特性，於外加電場後使液晶分子的排列狀態改 變’造成液晶材料產生各種光電效應。一般而言，LCD的 顯示區域包含複數個畫素區域，一個畫素區域係指由兩條 閘極線（gate line)與兩條資料線（data line)所定義之矩 形區域，其内設置有一薄膜電晶體（thin fi lm transi stor,以下簡稱TFT)以及一畫素電極，而以TFT作 為開關元件（swi t chi ng dev ice)之LCD通稱為薄膜電晶體 液晶顯示器（TFT-LCD)元件。一般而言，受限於液晶顯示 的模式’其LCD之透光率不足’必須藉由增加背光源或是 提南元件之開口率來提南透光率。不過，傳統之TFT-LCD 元件之畫素區域設計，會發生開口率（aperture ratio)不 足的問題。 為了有LCD元件之透光效率，目前開發設
0611-7915TWF(N1) ； A02012 ： Cheny.ptd 第4頁 583464 五、發明說明（2) 計了多種有關之畫素區域的電極排列結構，期以提供具有 高開口率之TFT-LCD元件。舉例來說，美國專利第 5, 339, 1 81號揭露一種提高TFT-LCD元件之開口率的結構， 其中儲存電容器之下電極的圖形係環繞於晝素電極之周 邊，可提供作為一遮蔽電極。 除此之外，亦有一種將浮置黑色矩陣遮光元件 (floating black matrix)整合至TFT陣列基底之結構，可 達到提高開口率之目的。 如第1A圖所示習知TFT-LCD陣列之等效示意圖， TFT-LCD陣列，主要包括一由畫素電極構成之晝素陣列及 一由TFT結構1 8a、1 8b構成之開關元件陣列，如以金區
域Ra為例，其以一薄膜電晶體1 8a作為開關元件，以性A 連接行資料線14a與畫素區域Ra上之畫素電極（未顯示）\ 其中，閘極線12a及相鄰之閘極線丨2b係用以作1° 電極，而資料線14a及相鄰之資料線14b則用以作招二 號電極。 〜祝訊仏 而在上述TFT-LCD陣列中，對液晶所施加的電 論上可透過畫素電極上形成之畫素電容CL(液晶電容’ 持，但實際上，為了協助電荷的儲存和減低電壓耦人靡、 ，以避免畫素電極周圍所發生的電壓變化會:二 麵合至畫素電極，並造成畫素電極電壓的改 加在液晶上的電壓，一般會另外設置一儲存電容以二b & 而如第1 B圖所示為習知使用浮置黑色矩本 TTT-LCD元件佈局圖所示，習知以卜“ 、、、几件之 70件之一晝素區域
583464 五、發明說明（3) ----- =是由相鄰之列掃描電極如一對平行且橫向延伸之閘極線 12a、12b以及由相鄰之行視訊信號電極如一對平行且直向 ，:之資料線14a、14b所定義形成，其中畫素區域“内覆 盍立、旦素電極η。而且，為了增加在畫素中可透光的開 口斗知，係直接在畫素區域Ra内之兩相鄰閘極線12a、12b 上分別製作一TFT結構18a、18b及儲存電容2〇a、2〇b。此 外，為了遮蔽資料線14a、14b附近易漏光（light leakage )的區域，在畫素區域Ra内之相鄰兩條資料線Ua、“匕附 近則分別製作一第一浮置黑色矩陣遮光元件22A以及一第 二浮置黑色矩陣遮光元件22B，其中第一、第二浮置黑色 矩陣遮光元件22A、22B係與資料線1 4a、14b平行，且為獨 立設置而不會與閘極線12a、12b等產生連接。 另外’如第2圖之沿第1 B圖之切線I - I顯示浮置黑色矩 陣遮光元件之剖面示意圖，在玻璃基底24上製作的第一、 第二浮置黑色矩陣遮光元件22A、22B，與畫素電極16有部 分重疊。
有關上述TFT-LCD元件1 〇之製程，係如第1B圖所示， 係先於一玻璃基底24表面上形成一第一金屬層，再利用微 影蝕刻技術將第一金屬層定義形成閘極線1 2a、1 2b、第 一、第二浮置黑色矩陣遮光元件22A、22B，其中該閘極線 12a、12b的一部份係作為儲存電容器2〇a、2之下電極。 然後，於玻璃基底2 4之整個表面上覆蓋一閘極絕緣層2 6 ( 顯示於第2圖）’再於閘極線12a、12b之第一預定區域上進 行T F T結構1 8 a、1 8 b之相關製程。接著，於閘極絕緣層2 6
0611-7915TWF(N1) ： A02012 ： Cheiry.ptd 第6頁 583464 五、發明說明（4) 表面上形成一第二金屬層，隨後微影蝕刻技術將第二金屬 層定義形成資料線14a、14b以及TFT結構18a、18b之源/汲 極電極的圖案。最後，於玻璃基底24之整個表面上覆蓋一 透明導電層’再利用微影蝕刻技術將透明導電層定義形成 畫素電極16 ’其中，畫素電極16於對應儲存電容器20a、 2 0b之下電極的區域係作為儲存電容器之上電極，如此大 致製作完成畫素區域之電極結構。 ^ 雖然第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件22A、22B之設 計可以遮蔽資料線14a、14b附近易漏光（1 ight Uakage) 的區域，以提高開口率以及對比效果，但是單獨製作第一 、，二浮置黑色矩陣遮光元件22A、22β之成本較高，隨著 產品之Ppi值（Pi xel Per inch)的要求提高，其開口率已 經不足以應付高解析度產品之需求。另外也發現到，資 線14a、14b與晝素電極16之間會產生耦合（c〇upH 門 題，如第2圖之箭頭所示，而且一旦問極線發生斷裂的的0 形’也不能提供一簡便有效的修補方案。 月 【發明内容】 ” 本發明之主要目的在於則提出一種TFT —L(：d元 素區域的電極結構，藉由遮光元件與閘極線之之 可提高TFT-LCD元件之開口率、降低資料線與書叶， 輕合效應、提供補償電容器以及提供閉極線的修t極^ 本發明提出一種液晶顯示器畫素單元，包^ 方法。 件:-畫素區$ ’由一第一列閘極線、第二二極下列元 一第一行資料線及一第二行資料線定義形成；—查、及 旦素電極
0611-7915TWF(N1): A02012 ; Cheny.ptd 第7頁 ^83464 五、發明說明（5) 一開關元件，電性連接畫素電 連接於第一列閘極線，並平行且 ，用以形成於畫素區域上 極；及一第一遮光元件， 鄰近於第一行資料線。 本發明提 下列元件。一 一基板及第二 板’由複數列 極陣列，由複 一開關元件陣 對應之該等晝 陣列，由複數 成於每一畫素 ，且每一第一 次列閘極線。 出之一種具 第一基板及 基板之間； 閘極線及複 數個畫素電 列，由複數 素電極及該 個第一遮光 區域，並平 遮光元件係 有高開 一第二 一晝素 數行資 極構成 個開關 等行資 元件構 行且鄰 連接於 口率 基板 區域 料線 ，形 元件 料線 成， 近於 一緊 之液晶顯不器，包括 :一液晶層填充於第 陣列，形成 定義形成； 成於畫素區 構成，並以 :及一第一 於第一基 一畫素電 域陣列； 電性連接 遮光元件 每一第一遮光元件形 該等行資料線之一側 鄰該等列閘極線之一 一）卜由ί 顯示器更包括一修補線，纟橫跨於第 -、第一遮光兀件之間’且第一、第二遮光元件至少各自 有一區域與該修補線重疊形成對應之修補點。 根據上述目的，本發明之一特徵在於，提高π 其中上述液晶顯示器更 複數個第二遮光元件構成， 畫素區域，並平行且鄰近於 第一、第《 —遮光元件可以選 由薄膜電晶體構成每一第一 具有一第一重疊區域，構成 包含一第二遮光元件陣列，由 母 第_遮光元件形成於每一 該等行資料線之另一側。其中 擇相同之寬度，開關元件則係 遮光元件與對應之畫素電極則 一補償電容。
▼83464
元件之開口率。 本發明之另一 素電極之重疊區域 FT-LCD元件之總電 【實施方式】 特徵在於，於第一、第二遮光元件與畫 ，可提供作為一補償電容器，進而提高 容量。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 【第一實施例】 第3A圖顯示本發明具有高開口率之液晶顯示器畫素單 70之上視圖，其包括下列元件。一晝素區域Ra，由一對列 閑極線32a、32b及一對行資料線34a、34b定義形成；一畫 素電極36，用以覆蓋此晝素區域Ra ; 一開關元件38a，分 別電性連接畫素電極3 6及行資料線3 4 a ;及至少一浮置黑 色矩陣遮光元件42A，其連接列閘極線32b，位置則可以選 擇平行且鄰近於行資料線34a。其中晝素電極36與遮光元 件42A、42B具有一重疊區域〇p。
此外’本實施例具有另一浮置黑色矩陣遮光元件4 2 B ’其連接列閘極線3 2 b，位置則可以選擇平行且鄰近於行 資料線34b。 * 另外為了增加在畫素中可透光的開口部份，本實施例 係直接在畫素區域R a内之列閘極線3 2 b上之一預定區域形 成儲存電容4 Ob。
另在半導體製作上，浮置黑色矩陣遮光元件42A、42B
°6H-7915TWF(N1) ； A02012 ： Cheny.ptd 第9頁 5B3464 五、發明說明（7) 可以獨立製作而連接於列閘極線32b，亦可以選擇以同一 層材料來形成列閘極線32b和自閘極線32b延伸而出之浮置 黑色矩陣遮光元件42A、42B，兩者之寬度設計則可選擇相 同或不同。 第3E圖’顯示本發明第一實施例使用浮置黑色矩陣遮 光凡件之TFT-LCD元件陣列之上視圖，第4圖係為沿第3E圖 之切線I I -11顯示浮置黑色矩陣遮光元件之剖面示意圖。 首先請參閱第3E圖，本發明第一實施例之TFT-LCD元 件陣列’主要包括一晝素陣列及一開關元件陣列，以下為 本發明之實施例說明，但其並不以此為限。 本實施例係以第一列閘極線32a、相鄰之第二列閘極 線32b及第一行資料線34a、相鄰之第二行資料線34b構成 之畫素區域Ra為例，其以一薄膜電晶體38b作為開關元件 ’在本例中’源極電極S電性連接行資料線34a，汲極電極 D則電性連接畫素區域Ra上之畫素電極36。其中，大體平 行且橫向延伸之一對列閘極線32a及相鄰之列閘極線32b係 用以作為掃描電極，而大體平行且直向延伸之一對行資料 線34a及相鄰之行資料線34b則用以作為視訊信號電極。 依據上述實施例，本發明為了增加在畫素中可透光的 開口部份，係直接在畫素區域Ra内之兩相鄰閘極線32έ、 3 2b上之一第一預定區域及一第二預定區域分別製作一 結構38a、38b及儲存電容4〇a、40b。此外，為了遮蔽資料 線34a、34b附近易漏光（light leakage)的區域，在書、素 區域Ra内之相鄰兩條資料線34a、34b附近則分別製作第
583464 五、發明說明（8) 一洋置黑色矩陣遮光元件42A以及一第二浮置黑色矩陣遮 光元件4 2B ’其中第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42 A、 42B係與資料線34a、34b大體平行。 、 其中特別不同的是，在由閘極線32b對應之本晝素區 域^内’第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42A、42B係連 接於閘極線3 2b。另外，如第4圖之剖面所示，在玻璃基底 44上製作的第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42A、42B， 與畫素電極36有部分重疊。 有關上述TFT-LCD元件之製程，係如第3B圖所示，首 先於一玻璃基底44表面上形成一第一金屬層，再利用微影 姓刻技術將第一金屬層定義形成閘極線32a、32b和自閘極 線32b延伸而出的第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42 a、 42B ’其中該閘極線32a、32b的一部份4Ox係作為儲存電容 器40a、40b之下電極，其中此第一金屬層材料可選擇鉻、 钽、鈦、鋁、或鉬等材料。 然後，請參閱第3C圖，於玻璃基底44之整個表面上覆 蓋一閘極絕緣層46 (其並未顯示於上視圖，但顯示於第4圖 中），再於閘極線32&、321)之第一預定區域38义上進行1^ 結構3 8 a、3 8 b之相關製程。 接著，請參閱第3D圖，於閘極絕緣層46表面上形成一 第二金屬層，隨後微影蝕刻技術將第二金屬層定義形成資 料線34a、34b以及TFT結構3 8a、3 8b之源/汲極電極（s D) 的圖形，其中此第二金屬層材料可選擇鉻、钽、敍、’ 或鉬等材料。 '
583464 五、發明說明（9) —最後，請參閱第3E圖，於玻璃基底44之整個表面上覆 蓋一透明導電層，再利用微影蝕刻技術將透明導電層定義 形成畫素電極36 ,其中畫素電極36於對應相鄰列閘極線 32b(儲存電容器40b之下電極）區域，係用以作為儲存電容 器40b之上電極，如此便可於相鄰之閘極線32b上之預定區 域製作完成儲存電容器40b的結構，同理，於列閘極線32a 之相同預定區域上則製作完成儲存電容器4〇a的結構。 本發明第-實施例之第一、第二浮置黑色矩陣遮光元 件42A、42B可以遮蔽資料線34附近易發生漏光的區域，因 此可以提高TFT-LCD元件30的開口率以及對比效果。而且 由於第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42人、42B係連接於 相鄰之閘極線32b，如利用相鄰之閘極線32b沿相鄰兩資料 線34a、34b平行延伸之凸出部作為本畫素區域Ra之第二、 第二浮置黑色矩陣遮光元件42A、42B，如此可藉由遮蔽效 應使得資料線34a、34b與畫素電極3 63之間的耦合效應 低’進而減少資料線34a、34b附近的漏光現象。 此外，請參閱第4圖，第一、第二浮置黑色矩 元件42A、42B與畫素電極36之重疊區域係構成一第一、 一補该電容器Ca、Cb，因此可大幅提昇畫素區域之電容 量。而且，若在維持相同之晝素區域電容量的條 可將閘極線3 2a、3 2b之寬度變窄以提高透光面積，·水 儲存電容器40a、40b之下電極的有效面積，進而 儲^ 電容器40a、40b之電容儲存量，至於減少之電容量 藉由第一、第二補償電容器Ca、Cb獲得補償。 。刀
0611-7915TWF(N1) ； A02012 ； Cheiry.ptd 第12頁 $83464 五、發明說明（10) [第二實施例] 礙於製作時基板表面之高低起伏、熱處理、蝕刻製程 以及線寬變窄等因素影響，閘極線或資料線很容易發生斷 線’進而導致LCD面板的操作受到少部份斷路（operl circuit)或短路（Sh0rt Circuit)的影響，因此如何在畫 素區域之電極結構中提供較佳之修補缺陷結構及其修補方 法’也是亟需發展的課題。根據前述之第一實施例，第 一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42A、42B的設計，亦可應 用於閘極線的修補製程。 …晴參閱第5圖’其顯示本發明第二實施例之閘極線修 補方法的上視圖。本發明第二實施例iTFT —LCD元件之畫 素區域的電極結構係與第一實施例相似，相同之處於此不 再加以撰述。不同之處在於，除利用微影蝕刻技術將第二 金屬層定義形成資料線34a、34b以及TFT結構38a、38b之 ，/汲極電極的圖形外，另將第二金屬層定義形成一修補 、54，其係橫跨於第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42八 4 2B之間’且第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件“八、 423至乂各自有一區域與修補線^^重疊，以提供作為一修 補點52A、52B。 由於第一、第二洋置黑色矩陣遮光元件42人、係與 :而5 1’極線32b電性連接，因此當相鄰閘極線32b發生斷 開口請，則可於修補點52A、52B進行雷射鎔 ,9D .便第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件 42A、42B與修補魄54> μ立i ^ 、、 之間產生電性連接效果，此時，修補
0611-7915WF(N1) ； A02012 ： Cherry.ptd 第13頁 583464 五、發明說明（11) 線54即可取代原斷裂之閘極線32b。 [第三實施例] 第6圖顯示本發明第三實施例使用浮置黑色矩陣遮光 元件之TFT-LCD元件之上視圖。第7圖係沿第6圖之切線 11 I - II I顯示液曰曰为子配向之剖面示意圖。本發明第三實 施例之TFT_LCD兀件之畫素區域的電極結構係與第一實施 例近似’相同之處便不再加以撰述。不同之處在於，第三 實施例之兩個浮置黑色矩陣遮光元件係設計成不對稱寬 度’其中位於反轉區附近之浮置黑色矩陣遮光元件4 2 a的 寬度較大’而位於非反轉區附近之浮置黑色矩陣遮光元件 42B的寬度較小。 舉例來說，請參閱第7圖，於閘極絕緣層46表面形成 一液晶配向層62後，在液晶配向層62配向（rubbing)方向 與資料線34呈40 - 50 4夾角，而在45。夾角的條件下（如 第6圖之箭頭64所示），於尚未外加電壓kTFT-LCd元件 時’所有的液晶分子6 6之排列方式會以與液晶配向層6 2呈 45。夾角。於外加電壓於TFT-LCD元件之後，位於第一浮 置黑色矩陣遮光元件42A附近之液晶分子66A會以逆時針方 向’朝鄰近之資料線34a方向轉動，因此成為一反轉區。 而位於第二浮置黑色矩陣遮光元件42B附近之液晶分芋66B 會以順時針方向，朝鄰近之資料線34a方向轉動，會成為 一非反轉區。也因此，為了改善漏光現象，位於反轉區附 近之第一浮置黑色矩陣遮光元件42A的寬度需較大，而位 於非反轉區附近之第二浮置黑色矩陣遮光元件4 2B的寬度
〇611-7915TWF(Nl) ： A02012 ； Cherry.ptd 第14頁 583464 五、發明說明（12) 可以設計得較小。 此外，由於第三實施例之第一、第二浮置黑色矩陣遮 光元件42A、42B亦採連接相鄰閘極線32b的設計方式，因 此亦可應用於閘極線之修補製程，其修補方法係如同第二 實施例所述。 [第四實施例] 第8圖顯示本發明第四實施例使用浮置黑色矩陣遮光 元件之TFT-LCD元件之上視圖。本發明第四實施例之TFT一 LCD元件之畫素區域的電極結構係與第一實施例近似，相 同之處便不再加以撰述。不同之處在於，第四實施例之兩 個浮置黑色矩陣遮光元件係設計成不對稱連接相鄰之閘極 線32b，其中位於反轉區附近之浮置黑色矩陣遮光元件42A 必須與閘極線3 2 b連接，而位於非反轉區附近之浮置零色 矩陣遮光元件42B則不需與閘極線32b連接。 舉例來說’液晶配向層之配方向與資料 線34呈45。夾角的條件下，如第8圖之箭頭72所示了於外 加電壓於TFT-LCD元件之後，位於第一浮置黑色矩陣遮光 元件42A附近之液晶分子會成為一反轉區，而位於第二浮 置黑色矩陣遮光元件42B附近之液晶分子會成為一非I轉 區。，因此，為了防止漏光現象發生，位於反轉區附近之 第一浮置黑色矩陣遮光元件42A必須與閘極線32連接，而 非反轉區附近則由於漏光現象較不嚴重，因此第二广 色矩陣遮光το件42B可不須與閘極線32b連接。 予…、 至於第二浮置黑色矩陣遮光元件42B的寬度則可選擇
liHi I 第15頁 0611-7915TWF(N1) ； A02012 ； Cherry.ptd ^83464 ί
五、發明說明（13) 不需變窄，以使第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件42八、 42Β具有對稱寬度。 此外’晴參閱第7圖’在半導體結構之製作過程中， 為進一步完成液晶顯示器之製作，一般會再形成另一基板 48，例如彩色濾光片基板，然後再填充液晶於兩基板2 間’以完成液晶顯示器之製作。 根據上述’本發明包括下列效果： 1 ·提高TFT-LCD元件之開口率。 2·於第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件與畫素電極之 重疊區域，可提供作為一補償電容。
3 ·於閘極線與畫素電極之重疊區域，可提供作為一健 存電容。、 4 ·藉由第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件與閘極線之 連接’形成遮蔽效應，可降低資料線與畫素電極的耦合效 應0 5·第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件可應用於列閘極 線之修補製程。 6·利用同一金屬層製作第一、第二浮置黑色矩陣遮光 元件，製程較為簡單。
7·可依據畫素區域内之液晶反轉區及液晶非反轉·區， 來決定第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件各自之寬度及·是 否連接列閘極線。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精
583464
0611-7915TWF(N1) ； A02012 ： Cherry.ptd 第17頁 |83464 圖式簡單說明 第1A圖顯示習知TFT-LCD陣列之等效示意圖。 第1 B圖顯示習知使用浮置黑色矩陣遮光元件之 TFT-LCD元件佈局圖。 第2圖係沿第1 B圖之切線I -1顯示浮置黑色矩陣遮光元 件之剖面示意圖。 第3 A圖顯示本發明之液晶顯示器畫素單元之上視圖。 第3B-3E圖顯示本發明第一實施例使用浮置黑色矩陣 遮光元件之TFT-LCD元件之製造流程上視圖。 第4圖係為沿第3圖之切線I I -1 I顯示浮置黑色矩陣遮 光元件之剖面示意圖。 第5圖顯示本發明第二實施例之閘極線修補方法的上 視圖。 第6圖顯示本發明第三實施例使用浮置黑色矩陣遮光 元件之TFT-LCD元件之上視圖。 第7圖係沿第6圖之切線11 I - 11 I顯示液晶分子配向之 剖面示意圖。 第8圖顯示本發明第四實施例使用浮置黑色矩陣遮光 元件之TFT-LCD元件之上視圖。 【符號說明】 習知技術 * TFT-LCD 元件〜10 ; 畫素區域〜Ra ; 畫素電容〜CL ; 儲存電容〜CS ;
0611-7915TWF(N1) ； A02012 ； Cherry.ptd 第18頁 583464 圖式簡單說明 閘極線〜1 2 a、1 2 b ; 資料線〜14a、14b ; 畫素電極〜1 6 ; TFT 結構〜18a、18b ; 儲存電容器〜20a、20b ; 第一、第二浮置黑色矩陣遮光元件〜22A、22B ; 玻璃基底〜24 ; 閘極絕緣層〜2 6。 本發明技術 開關元件〜38a、38b ; 列閘極線〜32a、32b ; 資料線〜34a、34b ; 晝素電極〜3 6 ; 畫素區域〜Ra ; TFT結構〜38 ; 儲存電容器〜40a、40b ; 第一浮置黑色矩陣遮光元件〜42A ; 第二浮置黑色矩陣遮光元件〜42B ; 玻璃基底〜4 4 ; 閘極絕緣層〜4 6 ; 修補線〜54 ; 修補點〜52A、52B ; 液晶配向層〜6 2 ; 摩擦方向〜64、72 ;
0611-7915TWF(N1) ； A02012 ； Cheny.ptd 第19頁 583464 圖式簡單說明 液晶分子〜66A、66B。
Hi 第20頁 0611-7915TWF(N1) ： A02012 ； Cheiry.ptd

Claims (1)

  1. 83464
    種液晶 一、第 出該 電極 元件 一第一 係用以定義 一畫音 一開關 一第一遮光 鄰近於該第一行 2·如申請專 畫素電極與該第 3·如申請專 一第二遮光元件 4·如申請專 第《一遮光元件不 5.如申請專 鄰近該第一行資 資料線之區域為 6·如申請專 於該液晶反轉區 非反轉區的該第 7 ·如申請專 括一修補線，其 第一、第二遮光 成對應之修補點 畫素單 ’用以 ’電性 元件， 資料線 利範圍 一遮光 利範圍 ’其並 利範圍 連接於 利範圍 料線之 液晶非 利範圍 的該第 二遮光 利範圍 橫跨於 元件至 顯示器，其畫素單元包括 二列閘極線、及一第―、第二行資料線， 元之所在區域； 艰成於該畫素單元之所在區域上； 連接該畫素電極；及 連接於該第一列閘極線，並平行且 第1項所述之液晶顯示器，其中該 元件具有一第一重疊區域。 第1項所述之液晶顯示器，更包括 平行且鄰近於該第二行資料線。 第3項所述之液晶顯示器，其中該 $亥第一列閘極線。 ^ 3項所述之液晶顯示器畫，其中 區域為液晶反轉區，鄰近該第二行 反轉區。 第3項所述之液晶顯示器，其中位 一遮光元件之寬度大於位於該液晶 元件。 第3項所述之液晶顯示器，其更包 該第一、第二遮光元件之間，且該 少各自有一區域與該修補線重疊形 8· —種液晶顯示器，包括：
    0611-7915TWF(N1) ； A02012 ； Cherry.ptd
    >、、甲玉*WH 一第一基板； 一第二基板； 晶層，填充於該第一基板及該第二基板之間； & β二ft素^域陣列，形成於該第一基板，由複數列閘極 線及複數行資料線定義形成； -畫素電極陣列，由複數個畫素電極構成，形成於該 畫素區域陣列； 、一開關兀件陣列，由複數個開關元件構成，並以電性 連接對應之該等畫素電極及該等行資料線；及 二第一遮光元件陣列，由複數個第一遮光元件構成， 每一 4第一遮光元件形成於每一該畫素區域，並平行且鄰 近於該等行資料線之一側，且每一該第一遮光元件係連接 於一緊鄰該等列閘極線之一次列閘極線。 9·如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器，其中更 ，含一第二遮光元件陣列，由複數個第二遮光元件構成， 每一該第二遮光元件形成於每一該畫素區域，並平行且鄰 近於该專行資料線之另一側。 1 0.如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器，其中該 第一、第二遮光元件之寬度相同。 11·如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器，其冲， 該等開關元件係由薄膜電晶體構成。 ’ 1 2 ·如申睛專利範圍第jg項所述之液晶顯示器，其中， 每一該第一遮光元件與對應之該畫素電極具有一第一重疊 區域，構成一補償電容。
    0611-7915TWF(N1) ： A02012 ： Cheny.ptd 第22頁 ^δ^464 、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第8項 括一修補線，其橫跨於玆笛項所述之液明顯示器，其更包 第一、第' 、μ第—、第二遮光元件之間，且# ^ —遮光亓# $ Φ夂A , 且Θ 成對應之修補點? 自有一區域與該修補線重疊形 ® b* ., 種液晶顯示器’其包括一半導體έ士播 :，至少包括有複數個二金V/:構，且該半 素區域内包含有： U丨早列之旦素區域，其中每個畫 下電極的圖案 二閘極線之間 接； 一絕緣層 、第-卩彳ϋ金屬層，係疋義形成〆平行且橫向延伸之第一 第-閉極線、一直向設置之[遮光元件以及：=之 其中該第一遮光元件係設置於該第一、第 且該第一遮光元件與該第一閘極線電性連 係覆蓋該第一金屬層； 、/第^金屬層，係定義形成〆平行且直向延伸之第_ 資料線、一薄膜電晶體之源/ ^極電極的圖案；以 及 一透明導電層，係覆蓋該畫素區域，以定義形 素電極以及該電容之上電極的圖案。 示器，其中 其設置於該 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之液晶顯 ’该第一金屬層更定義形成一第二遮光元件 第一、第二閘極線之間。 其中 其更 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之液晶顯示5| ’ 5亥第一遮光元件與該第一閘極線電性連接。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之液晶顯示器
    0611-7915TWF(N1) ； A02012 ： Cherry.ptd 第23頁
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