TW583274B - Polyimide resin precursor solution, laminates for electronic components made by using the solution and process for production of the laminates - Google Patents

Polyimide resin precursor solution, laminates for electronic components made by using the solution and process for production of the laminates Download PDF

Info

Publication number
TW583274B
TW583274B TW091100924A TW91100924A TW583274B TW 583274 B TW583274 B TW 583274B TW 091100924 A TW091100924 A TW 091100924A TW 91100924 A TW91100924 A TW 91100924A TW 583274 B TW583274 B TW 583274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polyimide resin
resin precursor
layer
polyimide
solution
Prior art date
Application number
TW091100924A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Izumida
Koji Itoh
Minoru Oyama
Atsushi Suzuki
Original Assignee
Toray Eng Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2001016339A external-priority patent/JP2002030216A/ja
Application filed by Toray Eng Co Ltd filed Critical Toray Eng Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW583274B publication Critical patent/TW583274B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • H05K3/387Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0091Complexes with metal-heteroatom-bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/2033Heat
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0236Plating catalyst as filler in insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/0709Catalytic ink or adhesive for electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

583274
【技術領域】 電子零件 本發明係相關具聚醯亞胺樹脂層之細微加工用 材料、基材的製造方法。 【技術背景】 、TAB材料或CSP材料 器小型化或訊號傳輸 線或細微介層等細微 強度較高的材料。 雖採用貼銅的聚醯 速度的向速化,便 加工,因此便相形 可撓性佈線基板 亞胺基材,但隨機 需要高密度細微配 的要求金屬膜密接 驾知為能獲得密接強度較高的貼銅聚醯亞胺基材,便採 用在對聚醯亞胺表面施行離子轟撞或電暈放電等乾式前處 理,後,再利用濺鍍附貼鎳或鉻等基底金屬,然後再於= 上施行無電解鍍或電解電鍍,而形成金屬膜的方法。八 ㊆但是,在此方法中,為在真空中施行前處理或濺鍍,便 需要高價的機器,但因為量產性偏低,且成本偏高,因此 在工業上實難謂屬有利的方法。 此外,當未施行乾式前處理或濺鍍處理,而利用提供觸 媒與無電解電鍍或電解電鍍,製造貼銅聚醯亞胺的情況 時’雖不需要高價的機器,但因為金屬與聚醯亞胺的密接 強度較低’因此便產生實用上無法使用的問題發生。 在基材表面上形成金屬層的手段,有如以氣化亞錫為還 原劑之採用氣化鈀觸媒的方法;最近則有為在玻璃或陶究 表面上形成金屬層,而利用氧化鋅膜與氣化鈀的反應俾吸、 附纪觸媒’並使用還原劑進行還原的方法、或利用氧化鋅 之光半導體特性,對氧化鋅照射光,俾還原金屬離子的方·
91100924.ptd 第4頁 583274 五、發明說明(2) --------- 法,此雖在電子構裝技術〇叽11,心.6,1)32,1 995 )中所有 報口仁4方法卻因為容易形成氧化辞薄膜,且限定於宓 接性較高的玻璃或陶究等無機材料,因此無法適用有機二 料0 再者]亦有報告揭示將聚醯亞胺薄膜表面施行鹼加水分 解:而形士聚醯胺酸之後,經吸附硫酸銅或氣化鈀之後,· 再^礒酸穌打為還原冑’並照射低壓水銀燈之紫外線的方, 法(第13次電子構裝學會演講集pi 8 3, 1 999 ),但是利用紫 外線照射而形成觸媒核所需的時間非常的長,且將隨還原 劑的分解而產生Na0H並轉成鹼性,將產生聚醯亞胺薄膜劣 化的問題發生。 /再者,在上述方法中,不論何者均屬於僅在基材表面上 形成金屬層的方法,因此便無法獲得金屬層深入基材中的 所谓錦釘效果。 戶^以為解决上述問題’便有提案在被電鍍物表面上形 成溶解貴金屬鹽類的塗膜之後,再利用氫、c〇、等還 原性氣體予以還原的方法(日本專利特公平卜6 1 296號); 或利用還原劑,組合搭配直接與可還原之金屬化合物,以 及僅依靠接觸便可還原之金屬化合物的方法(日本專利特 開平5-306469 號)。 惟’日本專利特公平5 _ 6丨2 9 6號中所記載的方法,在還 原性氣體的爆炸、毒性等安全面上有頗多的問題;而日本· 專利特開平5-306469號中所記載的方法,則當金屬化合物 添加I,平均樹脂1 0 0重量份超過約2 0 〇重量份時,因為需
91100924.ptd
五、發明說明(3) 要多量便將喪失樹炉 物將未被完全還原,曰(強度、絕緣性等),且金屬化合 發金屬離子遷㈣絕緣性於樹脂中,將造成容易引 器,且盥^屬f :::之目的在於提供-種非使用高價機 特性,在絕缘強度非常冑’並不喪失基材原本的 之廉價製造方法:電子零件用基材 亞胺樹脂前趨體溶2零件用基材之製造上所採用的聚酿 【發明揭示】 ^發明中的聚gf亞胺樹脂前驅體溶液,係、使纪化合物均 1、分散於聚醯亞胺樹脂前驅體中,且使鈀化合物與聚醯 亞胺樹脂前驅體形成錯體。 允另,聚醢亞胺樹脂前驅體最好使用由聚醯胺酸、聚醯胺 酉文衍生物中至少其中一種所構成的聚醯亞胺樹脂前驅體清 漆’而纪化合物則最好使用鈀乙醯丙酮錯體或鈀有機酸 鹽’俾可獲得均質的聚醯亞胺樹脂前驅體層。 再者’本發明之電子零件用基材,係在聚醯亞胺基材上 形成表面電鍍層的電子零件用基材中,於聚醯亞胺基材與 表面電鍍層之間’具有採用聚醯亞胺樹脂前驅體溶液而所 形成的聚醢亞胺樹脂層。 再者,本發明的電子零件用基材之製造方法,係在聚醯 亞胺基材上,塗布含鈀化合物之聚醯亞胺樹脂前驅體溶 液’經乾燥後而形成聚醯亞胺樹脂前驅體層,其次在氫供 給體存在下,照射紫外線而形成電鑛基底核之後,經無電
91100924.ptd 第6頁 583274 五、發明說明(4) 解鐘形成電f基底金屬層’然後再形成表面電鍍層之後、 或於形成之前,加熱該聚醯亞胺樹脂前驅體層,而醯亞胺 化並形成聚醯亞胺樹脂層。 一再者,氫供給體最好採用水、醇類或醇類水溶液,因為 經紫外線照射便可有效率且安定的將飽錯體之免離子還原 成叙金屬。 【發明之較佳實施形態】 本發明之實施形態中的電子零件用基材】,如圖i所示 般,=聚醯亞胺基材2與表面鑛層7之間,&圍著將某鑛基 底金屬層6的其中一部份,姐田& + 1 抓用♦醯亞胺樹脂前驅體溶 液,而在聚醯亞胺基材?卜如加二、, 上新化成的聚醯亞胺樹脂層的構 造。 此實施形態的電子零件用其以—也丨1 一 包丁 7 1干用暴材之製造方法,如圖2中所
不,在聚酿亞胺基材2 }*•冷太^ A > _、、 上主布者含鈀化合物4的聚醯亞胺樹 月旨刖驅體溶液,經乾燥接杨加Λ、 把無後便形成聚醯亞胺樹脂前驅體層 3(圖2(a))。其次’在金供^ ,ηλ〇 . A 1、、、,口肢8存在下照射紫外線9,利 用將把化合物4中的|巴離+、罗;^ A、fp 離子逛原成鈀金屬,而形成鍍基底 核5 (圖2 (b )) ’然後再利用|蕾含 ®iMmM uβ 無電解電鍍處理形成鍍基底金 曰 c後’再形成表面鍍層7(圖2(d))。之後,再 加熱該聚醯亞胺樹脂前嗎姊爲 料π、 層,經醯亞胺化後便形成聚醯 亞月女树月日層C圖2 ( e ) ),从而制、i兩, ^ :猎此而製造電子零件用基材1。 將依此方式所2得電子烫件用箕 ” a的八温maw 卞7件用基材(電解銅電鍍厚度24 // m )的至屬層與聚醯亞脸谢匕s 了τςρ Μίη>、ΒΛ 树層間的密接強度,利用 JISC-6481進仃測1的結果,剝離強度為
583274
n〜14N/cm("〇〇 〜1 400gf/cm) /電解電鍍之方法所製得電子 級以上。 ’較利用習知濺鍍/無電解鍍 零件用基材的剝離強度的同 2月:採用的聚醯亞胺基材,有如非熱可塑性聚酿亞 =曰、熱可塑性聚酿亞胺樹脂,譬如市售的由均苯二酸 酐(PMDA)與4,4’-二胺基二苯醚(〇1^)所構成的聚醯亞胺; 由聯苯四羧酸二軒(BTDA)與對苯二胺(pDA)所構成的聚醯 亞胺,以及該等單體的共聚物;芳香族四羧酸酐與分子中 含一 0—、一⑶―、—Si -等彎曲基的芳香族二胺等所構成的熱 可塑性聚醯亞胺;甚至於由與脂環式羧酸酐之共聚物等的 溶劑可溶型熱可塑性聚醯亞胺等。該等聚醯亞胺基材在電 子零件材料領域中,主要使用為薄膜狀基材。 聚醯亞胺樹脂前驅體,係使用由與聚醯亞胺樹脂相同單 體成分所獲得的聚醯胺酸清漆、或分子中含感光性基的聚 醯胺酸清漆等。譬如東雷(股)所產製的「東雷尼斯」清漆 或「福特尼斯」清漆、宇部興產(股)所產製的r U -清漆」 等。亦可將聚醯亞胺樹脂前驅體清漆與溶劑可溶性聚醯亞 胺清漆混合使用。 溶劑可溶型聚醯亞胺清漆有如新曰鐵化學產製的熱可塑 性聚醯亞胺清漆「SPI-200N」等。 鈀化合物則有如鈀之各種鹽類或有機羰錯體。鈀鹽類可 舉例如鹽酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽、檸檬酸鹽等。‘ 另,有機羰化合物可舉例如乙醯丙酮或二苯甲醯曱烷等/3 -二酮類或乙醯醋酸乙酯等/5 -酮羧酸酯等。特別係鈀醋酸
91100924.ptd 第8頁 583274
鹽或乙3盘丙g同錯體 容易,對有機溶劑 脂中並未殘餘氯離 者0 等有機鹽或錯體化合 的〉谷解性或熱安定性 子等無機離子等觀點 物,因為就取得較 ’且光反應後在樹 言之,屬較佳使用 土述=幾錯體係溶解於聚酿亞 f J2- ; j ^NMP) „N,_ f ^ ^ m〇MAc)^ " =輥或網版印刷等,而在聚醜亞胺“ -上4r層者在有機羰錯體的熱分解溫度以下,通 吊為1 5 0 c以下的溫度進行乾燥。 經乾燥後的聚醯亞胺樹脂前驅體層厚度,通常為〇 ·卜玉〇 # m。另,聚醯亞胺樹脂前驅體層中的錯體濃度乃隨錯體 種類而異,譬如當屬纪乙醯丙酮錯體或醋酸纪之情況時, 便為0 · ;1〜1 0重量%左右,當屬氯化鈀之情況時,最好為丨〜5 重量%左右。 網板印刷法乃因為在聚醯亞胺基材上,未經微影等程 序,便形成直接配線或連接引腳等,因此屬較佳者。 利用聚醢亞胺樹脂前驅體與鈀化合物間的反應,而形成 高分子錯體,如後述實施例1 2至實施例1 4中所記載般,得 知在聚醯亞胺樹脂前驅體中添加鈀化合物時,黏度將上升 且形成凝膠。 如後述實施例1 2中所記載般,圖3所示係在聚醯亞胺樹 脂前驅溶液中添加鈀乙醯丙酮錯體之情況的黏度變化及聚 醯亞胺樹脂前驅體溶液的黏度變化。
91100924.ptd 第9頁 583274 五、發明說明(7) 再者,取代鈀乙醯丙酮錯體,即便添加醋酸鈀或氯化鈀 的情况,亦可發現相同的傾向。但是,如後述比較例8中 所述般,當取代鈀乙醯丙酮錯體而改用酮(jj)乙醯丙酮錯 體的情況時,則完全未引發起溶液黏度變化或凝膠化現 象。 故,依聚醯亞胺樹脂前驅體與把化合物之反應而所形成 的高分子錯體,乃屬鈀離子特有者,可判定為鈀離子與聚 醯亞胺樹脂前驅體官能基進行反應後,在聚合物分子中形 成把離子配位的錯體,而作為一種成分取用的狀態。 換句話說,可認為塗布於聚醯亞胺基材表面上,並經乾 燥後而所形成的聚醯亞胺樹脂前驅體層中,不僅把離子均 勻的分布,亦將當作聚醯亞胺樹脂前驅體層表面上某個聚 合物分子的一成分而分布裸露於表面上。 實際上,如後述實施例1中所記載般,由圖4所示的聚醯 亞胺樹脂前驅體層表面的XPS測量結果,與圖5所示的俄譜 光譜(anger spectrai)測量結果,確認該等鈀錯體在聚^ 亞胺樹脂層表面及樹脂層深度方向上均勻存在。 本發明所採用的紫外線,可使用從水銀紫外線燈或紫外 線雷射產生裝置中所放射出之波長45〇nra以下的紫外線', 3 70nm以下的紫外線屬有效,254nm紫外線特別有效。紫外 線燈最好採用市售的低壓水銀燈。 、 由圖4所示聚醯亞胺樹脂前驅體層表面之XpS測量結果, 得知把離子將被還原成鈀金屬。 ° 換句話說,若照射紫外線的話,鈀高分子錯體化合物將
583274
=光而被激發’敬發錯體分子中 存在下,將被還原至纪金屬而形成基底鍵:,風供給體 另,為促進錯體化合物的光反岸,口 胺間的资接性算益转別沾尤☆ ,、要對金屬與聚醯亞 劑間的在接"無特別的不良影響前提下,可添加增感 氫供給體有如水、醇類、 述紫外線波長區域中之紫外 月安樹脂前驅體層表面適當可 溶液。此外,將金屬離子還 的話,便將阻礙反應,因此 氣(氧)。通常在氫供給體中 行照射,氫供給體當屬於水 從外面一邊供應水分一邊進 醜亞胺樹脂前驅體層預先吸 或醇類水溶液等,特別係對上 線吸收量少,且具有與聚醯亞 濕性(wettability)的醇類水 原成金屬的反應,因為若含氧 最好在紫外線照射時便阻斷空 浸漬聚醯亞胺基材的狀態下進 的情況時,可利用水中照射等 行照射,除此之外,亦可使聚 附足夠的水分。 另’紫外線照射時間雖隨紫外線照射強度而有所不同, 在來自紫外線燈的紫外線照射中,通常照射時間為1分鐘 、2 〇分鐘左右;當屬於來自雷射產生裝置的紫外線照射之 情況時,通常照射時間便在6 0秒以内。紫外線照射量,當 利用奥格製作所所產製的紫外線照度計UV-02進行測量 時’便為50 0〜1 5 0 0 0m J/cm2左右,尤以1500〜90 0 0m J/cm2左 右為佳。照射量若過多的話,因為將引發聚合物本身的損 傷等,所以最好不要。 具有經紫外線照射的聚醯亞胺樹脂前驅體層的聚醯亞胺 基材,在以鍍基底核為觸媒,進行無電解鍍處理,而形成
91100924.ptd 第11頁 583274 五、發明說明(9) 鍍基底金屬層之後,利用無電解銅鍍處理或電解鋼 理等,施行金屬鍍處理直到形成所需金屬層厚度為止= 後經水洗、乾燥後’在氮環境中加熱至4〇〇 〇c而醯亞胺…' 化。另’加熱醯亞胺化係僅要在依無電解鍍處理形成基底 金屬層之後的話便可,可於電解鍍前後的任何階段中二一 行。 供形成基底金屬層的無電解鍍浴雖無特別的限制,但若 就從對金屬離子的阻障性與聚醯亞胺樹脂前驅體的耐藥性 (耐鹼性)方面考量的話,通常最好採用中性至弱酸性次亞 磷酸鹽系或二甲胺基硼烷系的鎳鍍浴。另,電解鍍浴通 可採用電解銅鍍或電解鎳鍍浴等。 1用依上述方法所獲得的電子零件用基材(電解銅鍵厚 "#m),利用微影蝕刻法製成L/S = l〇〇/l〇〇( 的配 丰昤:除配線以外部分的聚醯亞胺樹脂前驅體層,經蝕刻 媒二/ /再利用JISC—5016進行測量線間絕緣阻抗,便可 獲侍1·5Χ 1012Ω .⑽的高絕緣阻抗。 聚得的電子f件用基材,因為鍍基底核存在於 屬層I ^ ^ 1 ’因此藉由其騎效果,便可使鍍基底金 線i:i H f胺樹脂間的密接強度變得極高。另,形成配 子零件ί: 性亦頗優越,可充分當作細微加工用的電 f二’利用實施例與比較例,具體說明本發明。 將市售的鈀乙醯丙酮錯體(以下簡稱「鈀錯體」)溶解於 m 91100924.ptd 第12頁 583274 五、發明說明(10) 正甲基2-咄咯啶酮(以下簡稱「NMP」)中。在此溶液添加 於東雷(股)的聚醯亞胺樹脂前驅體清漆「東雷尼斯」 #3000中,並調整清漆溶液的平均鈀錯體含量為lwt/v〇1% 的清漆溶液。此清漆溶液係聚醯亞胺樹脂前驅體平均含有 約5wt%的把錯體。 另,所謂lwt/vol%係指如鈀錯體〇.〇ig溶解於「東雷尼 斯」清漆溶液1 m 1中之濃度的涵義。 其次,將宇部興產(股)的聚醯亞胺基材「優比雷克斯 -S」的試片1〇 X i〇cm(厚度50 vm),利用l%NaOH水溶液及 1 %HC 1水溶液進行處理,並以純水進行洗淨並經乾燥後, 將清漆溶液利用輥塗布機進行塗布,然後於室溫及1 2 〇 °c 下進行乾燥而獲得塗膜厚度約5 # m的基材。基材表面的 XPS分析結果,如圖4所示,在表面上發現有鈀離子的存 在。 將水點滴於該基材上,於形成石英板之間夾置水膜的狀 態下’採用低壓水銀燈照射紫外線3分鐘。紫外線的照射 量經奥格製作所的照度計rUV-〇2」進行測量的結果為 4500mj/cm2。基材表面的xps分析結果,如圖4所示,檢測 出把金屬,並可判斷鈀離子被還原成鈀金屬。 、八人將經紫外線照射過的基材,在經加溫至6 5 °C下之 以,〒彳f克(股)產製之以次亞填酸納為還原劑的無電解鎳 ^ ^石布雷得Ni-426」(PH = 6〜7)中,浸潰5分鐘後,便 得在备、外線照射部形成有均勻金屬光澤的鍍層之基材。 將上述基材經水洗並乾燥後,便形成鍍基底層。所獲得基
第13頁 583274 五、發明說明(π) 材的錄鍍部與聚醯亞胺樹脂前驅體層的俄譜光譜測量結 果’如圖5中所示,檢測到鎳深入聚醯亞胺樹脂前驅體層 的深部。 再者’在電解銅鑛浴中,施行電流密度33A/dm3的電解 鍍’而獲得銅膜厚度24#m的酮被覆聚醯亞胺基材。 將該基材在氮環境中,經丨5 〇 I下乾燥後,再加熱至4 〇 〇 C ’並於4 0 0 °C下維持15分鐘,而將聚醯亞胺樹脂前驅體 層予以醢亞胺化後,再冷卻至2 〇 。 所獲得基材的金屬部與聚醯亞胺樹脂層間的剝離強度, 依J I S C - 6 4 8 1所規定的方法進行測量的結果為 14N/cm(1400gf/cm) 〇 實施例2 將實施例1的聚醯亞胺樹脂前驅體液之把錯體含量變更 為〇.5wt/vol%,並施行相同的處理,而獲得銅膜厚度22# m的電子零件用基材。所獲得基材的金屬部與聚醯亞胺樹 脂層之間的剝離強度,依jISC —648 1所規定的方法進行測 里的結果為12N/cni(1200g;f/cni)。 實施例3 將實施例1的紫外線照射量變更為7500mJ/cm2,並施行 相同的處理。 實施例4 將實施例1的紫外線照射量變更為9 0 0〇mj/cm2,並施行 相同的處理。 實施例5
91100924.ptd 第14頁 5^3274 五、發明說明(12) 將實施例1的聚醯亞胺樹脂前驅體液之鈀錯體含量變更 為0.5wt/vol%,且將紫外線照射量變更為75 0 0mJ/cm2,並 施行相同的處理。 艾施例6 將實施例1的聚醯亞胺樹脂前驅體液之鈀錯體含量變更 為〇.5wt/vol%,且將紫外線照射量變更為90 0 0mJ/cm2,並 施行相同的處理。 實施例1至實施例6的銅膜厚度及剝離強度,如表1中所 示〇 【表1】 實施例No. 鈀錯體含量 紫外線照射量 銅膜厚度 剝離強度 wt/vo1 % m J / c m2 β m N/cm 1 1. 0 450 0 24 14 2 0. 5 4500 22 12 3 1.0 750 0 24 14 4 1. 0 900 0 24 13· 5 5 L , 0. 5 7500 20 11 | 6 0. 5 9000 20 11.5 實施侈丨7 將市售的醋酸鈀溶解於NMP溶液中。在此溶液添加於東 雷(股)的聚醯亞胺樹脂前驅體清漆「東雷尼斯」#⑽〇 〇 中’並調整醋酸纪含量為1 w t / v ο 1 %的清漆溶液。 其次’將宇部興產(股)的聚醯亞胺基材「優比雷克斯 -S」的試片1〇 X i〇cm(厚度5〇 _),利用1%Na〇H水溶液及
583274 發明說明(13) 1%HC1水溶液進行處理,並以純水進行洗淨並經乾燥後, 將清漆溶液利用輥塗布機進行塗布,然後於室溫及12〇1 下進行乾燥而獲得塗膜厚度約4 V m的基材。 將20%乙醇水溶液點滴於該基材上,於形成石英板之間 爽置乙醇水溶液膜的狀態下’採用低壓水銀燈照射 3分鐘。 之後,便施行如同實施例1的處理。 實施例8 將實施例7的醋酸鈀含量變更為〇5wt/v〇1%,並施 同的處理。 實施例7及實施例8的銅膜厚度及剝離強度,如表2中所 示0 【表2】
91100924.ptd 第16頁 583274 五、發明說明(14) 【表3】 實施例N 〇. 鈀錯體含量 wt/vo 1 % 紫外線照射量 m J / c m2 銅膜厚度 // m 剝離強度 N/cm 9 1.0 4500 23 13. 5 實施例1 0 在實施例1的東雷(股)的聚醯亞胺樹脂前驅體清漆「東 雷尼斯」中,將新曰製鐵化學(股)產製熱可塑性聚醯亞胺 清漆「S P I - 2 Ο Ο N」同量混合後’在此混合物中添加把錯體 的NMP溶液,並調整為把錯體含量iwt/vol%的清漆溶液。 其次,在經純水洗淨過並經乾燥後的東雷都彰(股)產製 聚醯亞胺基材「佳部東EN」(厚度50 /zm)上,塗布該清漆 溶液,然後於120 °C下進行乾燥而獲得厚度3 /zm之由聚醯 亞胺樹脂前驅體與熱可塑性聚醯亞胺所構成薄膜層的基 材。 將2 0 %乙醇水溶液點滴於該基材上,於形成石英板之間 夾置乙醇水溶液膜的狀態下,採用低壓水銀燈照射紫外線 3分鐘。紫外線的照射量經奥格製作所的照度計「UV-〇2」 進行測量的結果為750 0mJ/cm2。 之後,便施行如同實施例1的處理。所獲得電子零件用 基材的銅膜厚度與剝離強度,如表4中所示。 【表4】 實施例N 〇. 鈀錯體含量 wt/vol% 紫外線照射量 m J / c m2 銅膜厚度 β m 剝離強度 N/cm 10 1. 0 750 0 20 11.5
91100924.ptd 第17頁 583274 五、發明說明(15) 膏施例11 將市售的氣化鈀5%水溶液溶解於NMP中。將此溶液添加 於東雷(股)的聚醯亞胺樹脂前驅體清漆「東雷尼斯」 #3000中’並調整為氯化把含量為lwt/vol%。若添加該溶 液的話,則因為所添加地方將凝膠化,因此便再添加NMp 溶劑,並加溫至8 0 °C,且攪拌約1小時直到濃度均勻為 止 ° 之後,便施行如同實施例1的處理。所獲得電子零件用 基材的銅膜厚度與剝離強度,如表5中所示。 【表5】 實施例N 〇. 氯化把含量 wt/vo 1 % 紫外線照射量 m J / c m2 銅膜厚度 // m 剝離強度 N/cm 11 1. 0 450 0 20 11 實施例1 2 在NMP(2g)中’混合東雷(股)的聚醯亞胺樹脂前驅體清 漆「東雷尼斯」#3000,與鈀乙醯丙酮錯體,並觀察溶液 的黏度變化。結果如圖3所示,在剛混合後與經過3 〇分鐘 後的溶液狀態雖未曾發現有太大的變化,但爾後的黏度卻 急遽的增加,可判定已形成高分子錯體。 將宇部興產(股)的聚醯亞胺基材「優比雷克斯_s」的試 片1、〇= 10cm(厚度50 _),利用1%Na〇H水溶液及1%[](:1水溶 液進打處理’並以純水進行洗淨並經乾燥後,再塗布「東 。雷尼斯」清漆與鈀乙醯丙酮錯體的混合溶液,然後於1 2 〇 C下進行乾燥後,於利用水膜阻斷空氣的狀態下,照射低
91100924.ptd 第18頁 583274 五、發明說明(16) 壓水銀燈的紫外線( 7 50 0mJ/cm2)後,浸潰在經加溫至65°c 下之以梅爾德克(股)產製之以次亞鱗酸納為還原劑的無電 解錄鑛洛「石布雷得Ni-426」(PH=6〜7)中,結果如表6中 所示。 表中?辰度係指清漆溶液平均的把乙酿丙酮錯體濃度%。 溶解量係指鈀乙醯丙酮錯體的溶解量。再者,溶解性係當 該溶液凝膠化的情況時,為可塗布於聚醯亞胺基材上,而 加溫至8 0 °C並追加Ν Μ P而溶解的所需n Μ P量。 【表6】 濃度(°/〇) 溶解度(g) NMP 量(g) 溶液狀態 溶解性 鍍性 1. 0 0. 01 2. 0 凝膠狀 以1 2 g溶解 〇 0. 5 0. 005 2. 0 果;東狀 以6g溶解 〇 0. 1 0. 001 2. 0 黏度上升 不需追加 〇 其中’鍍性「〇」係指在1 〇〜丨5分鐘内,試料表面整體 形成良好的鎳鍍(全體均勻)。 實施例1 3 在NMP(2g)中混合上述清漆溶液(lg)與醋酸鈀,然後如 同實施例1 2觀察溶液的黏度變化,結果如表7中所示。 另’在剛混合後與經過1小時後的溶液狀態雖未曾發現有 太大的變化’但爾後的黏度卻急遽的增加。此乃意味著已 形成高分子錯體。 表中濃度係指清漆平均的醋酸鈀濃度%。溶解量係指醋 酸把的溶解量。再者,溶解性係當該溶液凝膠化的情況 時’為可塗布於聚醯亞胺基材上,而加溫至8 0 °C並追加
91100924.ptd 第19頁 583274
五、發明說明(17) NMP而溶解的所需NMP量 【表7】 濃度(%) 溶解度(g ) NMP 量(g) 溶液狀態 —----— 溶解性 —---- 鍍性 ---- 〇 ~—-—. 〇 1. 0 0. 01 2· 0 凝膠狀 以12g溶 0. 5 0.005 2. 0 果凍狀 以6 g溶解 0.1 0. 001 2. 0 黏度上升 不需追加 Ο~ 實施例1 4 混合清漆溶液(1 g )與5 %氯化把水溶液,並如同實施例j 2 般,觀察溶液的黏度變化,結果如表8中所示。 此外’所謂凝聚係指在混合清漆溶液5%氣化鈀水溶液 後’便急速凝膠化。藉由此類狀態變化,黏度將急遽的增 加’而可判定已形成高分子錯體。 表中濃度係指清漆平均的氯化鈀濃度%。溶解量係指氯 化妃的溶解量。再者,溶解性係當該溶液凝膠化的情況 時’為可塗布於聚醯亞胺基材上,而加溫至80 °C並追加 NMP而溶解的所需NMp量。 【表8】 濃度U) μ,解度(g) 溶液狀態 溶解性 鍍性 5. 0 一0. 05 凝聚 以4 g溶解 〇 0.1 ~ 0. 01 凝聚 以2 g溶解 〇 比較例1 的=施例1中’除未照射紫外線之外,其餘均進行相同 比較例2
91100924.ptd 第20頁 583274
除未照射 在實施例2中 的操作。 比較例3 紫外線之外,其餘均 進行相同 在實施例7中 的操作。 除未照射紫外線之外,其餘均 進行相同 比較例4 在實施例11中 的操作。 除未照射紫外線之外,其餘 比較你 在實施例1中,除夫刹 蝼从说 ,^矛、禾利用水膜阻斷空 备、外線之外,其餘均進 J退订相同的插作< > J進行相同 空中照射 在實施例1中 進行相同的操作 除未施行加熱的醯亞胺化之外 其餘均 在κ施例3中,除未施行加熱的醯亞胺化之外 進行相同的操作。 比較例卜7的結果,如表9中所示。如比較例中 “、、射紫外線’或在氫供給體未存在的狀態下, 線的情況時,因為鈀離子並未完全被還原成鈀金 利^無電解鑛處理,並無法形成鍍基底金屬層。 未&行加熱的醯亞胺化之情況時,因為聚醯亞胺 體層中的有些鍍基底核並無法充分的被固定住, 零件用基材(電解銅鍍厚度24//m)的金屬層與聚2 ,其餘均 所示’當 照射紫外 屬,因此 再者,當 樹脂前驅 因此電子 I亞胺樹
583274 五、發明說明(19) 脂層間的密接強度便將偏低 【表9】 比較例No. 無電解鍍性 電解鑛性 ---~-~~_ 剝離強度 1 X X 2 X X ----~-- 3 X X —-- 4 △(不均勻) X ----- 5 △(不均勻) X _ 6 〇 〇 0.3 N/cm 7 〇 ~·--—--- _〇 〇·25N/cm 離強度。 …成州里割 比較例8 在貫轭例1 2中,改變鈀乙醯丙酮錯體,而改採用銅(π ) 乙醯丙^錯體’ 察溶液的濃度變化,結果如表工〇中所 7、匕h况下’谷液的狀態並未觀察到黏度變化與凝膠 可: ί f過24小時後,'亦未出現黏度變化。4奐句話說, 1 π =右抓用鋼(n)乙醯丙酮錯體的話,將無法引發錯體 的形成。 〇/表iW係指清漆平均的銅(n )乙醯丙酮錯體的濃度 /°。溶解量係指銅(m乙醯丙酮錯體的溶解量。
第22頁 583274 五、發明說明(20) 表10 濃度U) 溶解量(g) NMP 量(g) 溶液狀態 1.0 0. 01 3. 0 液狀 0. 5 0.005 | 3.0 液狀 0· 1 0. 001 3. 0 液狀 本發明因為把化合物均勻的分散於聚醯亞胺樹脂前驅體 中’且屬於將把化合物與聚醯亞胺樹脂前驅體形成錯體的 聚醯亞胺樹脂前驅體溶液,因此可提供均質的聚醯亞胺樹 脂前驅體層。 再者’本發明因為在聚醯亞胺基材與表面鍍層之間,具 有採用上述聚醯亞胺樹脂前驅體溶液,而所形成聚醯亞胺 樹脂層的構造’因此便可提供鍍基底金屬層與聚醯亞胺樹 脂間的密接強度極高的電子零件用基材。 再者,本發明係在聚醯亞胺基材上,塗布含鈀化合物之 聚醯亞胺樹脂前驅體溶液,並經乾燥後,而形成聚醯亞胺 樹脂前驅體層,然後再於氫供給體存在下,照射紫外線而 形成鍍基底核之後,利用無電解鍍處理形成鍍基底金屬 層。其次。在表面鍍層形成後或形成前,加熱該聚醯亞胺 樹脂前驅體層而醯亞胺化,俾形成聚醯亞胺樹脂層,且因 為鍍基底核並存在於聚醯亞胺樹脂内,因此藉由其錨釘效 果’便可提供鍍基底金屬層與聚醯亞胺樹脂間的密接強度 極高的電子零件用基材。 【元件編號說明】
91100924.ptd 第23頁 583274 五、發明說明(21) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 電子零件用基材 聚醯亞胺基材 聚醯亞胺樹脂前驅體層 鈀化合物 鑛基底核 鍵基底金屬層 表面鑛層 氫供給體 紫外線
Hi· 91100924.ptd 第24頁 583274 圖式簡單說明 圖1係本發明電子零件用基材的剖面示意圖。 圖2係本發明的電子零件用基材之製造二 剖面示意圖;(a)係在聚醯亞胺基材上取^ f順序 ϊ t意圖“…系在氫供給體存在 (C)利用無電解電斧:成成二基广底::狀態剖面示意圖; 圖成鍍基底金屬層的狀態剖面示意 H Cd) $成表面鍍層的狀態剖面示咅 胺樹脂前驅體層而醯亞胺化, ;;圖,(e)加熱聚醯亞 態剖面示意圖。 、/成#酿亞胺樹脂層的狀 圖3係當聚醯亞胺樹脂前驅體溶 錯體的情況時,其黏度變化,及中添加有鈀乙醯丙酮 黏度變化圖。 I、亞胺樹脂前驅體溶液 的表不紫外線照射前後,聚醯亞胺朽月一 κ② 的鈀鍵能變化xps分析結果圖。 让胺橱知刖驅體薄膜 圖5係無電解鎳鍍後:鎳妒其麻厶屈 前驅體薄膜深度方向 土 -層及聚醯亞胺樹脂 门的俄谱(auger)分析表圖。

Claims (1)

  1. 1 · 一種聚醯亞胺樹脂前驅體溶液,其特徵在於:使纪化 合物均勻的分散於聚醯亞胺樹脂前驅體中,且使鈀化合物 與聚醯亞胺樹脂前驅體形成錯體。 2 ·如申請專利範圍第1項之聚醯亞胺樹脂前驅體溶液, 其中違♦醯亞胺樹脂前驅體係由聚醯胺酸、聚醯胺酸衍生 物中至少其中一種所構成的聚醯亞胺樹脂前驅體清漆。 3 ·如申凊專利範圍第1或2項之聚醢亞胺樹脂前驅體溶 液,其中該鈀化合物係使用鈀乙醯丙酮錯體或鈀有機酸 鹽0 4. 一 電鍍層 材與表 之聚醯 5. — 上,塗 後而形 下,照 電鍍基 之前, 聚醯亞 6. 如法,其 種電子 的電子 面電鍍 亞胺樹 種電子 布含把 成聚醯 射紫外 底金屬 加熱該 胺樹脂 申請專 中該氫 零件用 零件用 層之間 脂前驅 零件用 化合物 亞胺樹 線而形 層,然 聚醯亞 層。 利範圍 供給體 基材, 基材中 ’具有 體溶液 基材之 之聚醯 脂前驅 成電鍍 後再形 胺樹脂 係在聚醯亞 ,其特徵在 採用申請專 而所形成的 製造方法, 亞胺樹脂前 體層,其次 基底核之後 成表面電鑛 前驅體層, 胺基材上形成表面 於:於聚醯亞胺基 利範圍第1項所述 聚醯亞胺樹脂層。 係在聚醯亞胺基材 驅體溶液,經乾燥 在氫供給體存在 ’經無電解鍍形成 層之後、或於形成 而醯亞胺化並形成 第5項之電子零件用基材之製造方 係水、醇類或醇類水溶液。
TW091100924A 2001-01-24 2002-01-22 Polyimide resin precursor solution, laminates for electronic components made by using the solution and process for production of the laminates TW583274B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001016339A JP2002030216A (ja) 2000-05-12 2001-01-24 ポリイミド樹脂前駆体溶液、その溶液を用いた電子部品用基材、およびその基材の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW583274B true TW583274B (en) 2004-04-11

Family

ID=18882731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091100924A TW583274B (en) 2001-01-24 2002-01-22 Polyimide resin precursor solution, laminates for electronic components made by using the solution and process for production of the laminates

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7144679B2 (zh)
EP (1) EP1375595A4 (zh)
KR (1) KR20030076579A (zh)
TW (1) TW583274B (zh)
WO (1) WO2002059209A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2851258B1 (fr) * 2003-02-17 2007-03-30 Commissariat Energie Atomique Procede de revetement d'une surface, fabrication d'interconnexion en microelectronique utilisant ce procede, et circuits integres
KR20060123213A (ko) * 2003-10-29 2006-12-01 컨덕티브 잉크젯 테크놀로지 리미티드 기판 상의 층 형성 방법
KR101178334B1 (ko) * 2003-12-05 2012-08-29 컨덕티브 잉크젯 테크놀로지 리미티드 기판 상의 고체층 형성 방법
US8435603B2 (en) 2003-12-05 2013-05-07 Conductive Inkjet Technology Limited Formation of solid layers on substrates
CN1910041B (zh) * 2004-01-13 2012-11-07 宇部兴产株式会社 聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板
JP4528634B2 (ja) * 2005-01-13 2010-08-18 富士フイルム株式会社 金属膜の形成方法
US7651744B2 (en) * 2005-10-19 2010-01-26 Industrial Technology Research Institute Liquid crystal display
KR101317667B1 (ko) * 2005-12-06 2013-10-15 가부시끼가이샤 제이씨유 팔라듐 착체 및 이것을 이용하는 촉매 부여 처리액
US7666471B2 (en) * 2006-03-22 2010-02-23 Mark Wojtaszek Polyimide substrate and method of manufacturing printed wiring board using the same
JP4105214B1 (ja) * 2007-04-02 2008-06-25 日立マクセル株式会社 メッキ膜の形成方法並びにポリマー部材及びその製造方法
CN101688308B (zh) * 2007-07-02 2012-10-10 荏原优莱特科技股份有限公司 金属层叠聚酰亚胺底座及其制造方法
WO2009069688A1 (ja) * 2007-11-30 2009-06-04 Mitsui Chemicals, Inc. ポリイミド系複合材料およびそのフィルム
CN101736330B (zh) * 2008-11-25 2011-11-16 比亚迪股份有限公司 一种聚酰亚胺表面金属化的方法
CN104476847B (zh) * 2014-12-02 2017-05-17 广州方邦电子股份有限公司 一种高剥离强度挠性覆铜板及其制作方法
JP2020019983A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 セイコーエプソン株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
WO2020050338A1 (ja) 2018-09-05 2020-03-12 株式会社有沢製作所 積層体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0247043B2 (ja) * 1983-11-01 1990-10-18 Nissan Chemical Ind Ltd Shinkinadodenseisoseibutsu
EP0214097B1 (de) * 1985-08-23 1989-12-27 Ciba-Geigy Ag Mischung aus Olefin und Dibenzalaceton-Palladiumkomplex und deren Verwendung
EP0233145B1 (de) 1986-01-30 1989-10-18 Ciba-Geigy Ag Polymerzusammensetzungen enthaltend einen gelösten Dibenzalaceton-Palladiumkomplex
JP2768781B2 (ja) 1990-01-10 1998-06-25 三菱電機株式会社 配線板
US5175399A (en) * 1989-08-29 1992-12-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wiring panel including wiring having a surface-reforming layer and method for producing the same
JP2822775B2 (ja) * 1992-05-01 1998-11-11 日清紡績株式会社 めっき下地の製造方法
JP3354631B2 (ja) * 1993-06-24 2002-12-09 宇部興産株式会社 ポリイミド−金属箔複合フィルムの製法
TW283163B (zh) * 1993-08-19 1996-08-11 Nissan Chemical Ind Ltd
JPH07216225A (ja) * 1994-01-27 1995-08-15 Toray Ind Inc ポリイミド前駆体系組成物、ポリイミド膜およびそれらを用いた積層体の製造方法
JP2001073159A (ja) 1999-09-01 2001-03-21 Nippon Riironaaru Kk ポリイミド樹脂表面への導電性皮膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030076579A (ko) 2003-09-26
EP1375595A1 (en) 2004-01-02
US7144679B2 (en) 2006-12-05
WO2002059209A1 (fr) 2002-08-01
EP1375595A4 (en) 2005-01-19
US20040018131A1 (en) 2004-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW583274B (en) Polyimide resin precursor solution, laminates for electronic components made by using the solution and process for production of the laminates
CA2426648C (en) Plating method of metal film on the surface of polymer
US20070212883A1 (en) Method For Forming Surface Graft, Method For Forming Conductive Film, Method For Forming Method Pattern, Method For Forming Multilayer Wiring Board, Surface Graft Material, And Conductive Material
Zhang et al. Electroless plating of copper and nickel on surface-modified poly (tetrafluoroethylene) films
JPWO2005025857A1 (ja) 樹脂複合フィルム
US5340451A (en) Process for producing a metal organic polymer combination
Wu et al. Organosiloxane monolayers terminated with amine groups as adhesives for Si metallization
JP4647954B2 (ja) フレキシブルプリント配線板用積層体の製造方法
JP2008227126A (ja) 微細同軸ワイヤー、その製造方法、及び半導体装置
US5183692A (en) Polyimide coating having electroless metal plate
Borris et al. Improvement of the adhesion of a galvanic metallization of polymers by surface functionalization using dielectric barrier discharges at atmospheric pressure
JPH04234437A (ja) 金属−有機ポリマー結合体の製造方法
JP2006104504A (ja) ポリイミド樹脂材の無電解めっき前処理方法および表面金属化方法、並びにフレキシブルプリント配線板およびその製造方法
JP5129111B2 (ja) 積層体の製造方法及び回路配線基板の製造方法
JPH0472070A (ja) 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法
JP5240812B2 (ja) めっき皮膜−ポリイミド積層体及びその製造方法
JP2002030216A (ja) ポリイミド樹脂前駆体溶液、その溶液を用いた電子部品用基材、およびその基材の製造方法
Charbonnier et al. Electroless plating of glass and silicon substrates through surface pretreatments involving plasma-polymerization and grafting processes
JP2007165931A (ja) ポリイミド樹脂前駆体溶液を用いた電子部品用基材及びその基材の製造方法
US20030143411A1 (en) Surface conductive resin, process for forming the same and wiring board
JP3691952B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2004152852A (ja) 電子部品用回路基材の製造方法
JP2007321189A (ja) 無電解めっき用触媒剤
JP2007077439A (ja) ポリイミド樹脂材の表面金属化方法
JP2008258293A (ja) パターン化導体層の形成方法、回路基板の製造方法および回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees