TW583231B - Porous para-oriented aromatic polyamide film, method of producing same, and prepreg - Google Patents

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Description

583231 五、發明說明(1) [本發明之背景] [本發明之領域] 士吁疋有關於一種多孔對位取代之芳族聚醯胺膜、 由該膜製造之預浸材及印刷電路板用之基板。 [相關技術之揭示] 外近電子裝置領域中,對高速訊號處理及高功能數 2化^為求已逐漸增加。使用對位芳族聚醯胺(下文中有 位芳族聚酿胺")媒之積層膜具有質輕及低線性 膨脹係數之特徵,且該積層膜在此領域之應用已在發展 中 〇 然而媒具有低•度因而不易對其進行處理以用於 钍μ ^ 的方法為藉由添加由耐熱性樹脂所組成之黏 、、、口刎以加強對位芳族聚醯胺膜之韌性。例如, JP-Α_10-338762揭露^一插a古+工上紅 維及/或漿狀物之多孔=性㈣所組成之短纖 族聚醯胺。夕孔對位取代之芳族聚酿胺膜’例如芳 因此=要!ϊΐί抗撕裂傳播性(其為勃性指數)仍小, 因此極而要具有大的抗撕裂傳播性的膜。 膜,= 供一種多孔對位取代之芳族聚酿胺 :胺特徵脹係數之對位芳族聚 製造該膜、以熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂(下===一種 稱為樹脂)浸潰該膜而得之預浸材以 有時簡 印刷電路板用之基板的方法。 -預次材製造
583231 五、發明說明(2) 本發明人經廣泛地研究 一種多孔對位取代之芳族聚 性樹脂所組成之細微粒子並 維持例如質輕及低線性熱膨 下,該多孔對位取代之芳族 性,因而完成本發明。 [發明概述] 以解決上述之問題,結果發現 酿胺臈,其含有特定量由耐熱 具有特定線性熱膨脹係數,於 服係數之對位芳族聚醯胺特徵 聚酿胺膜具有大的抗撕裂傳播 即,本發明是有關於[丨]一種含有1〇至4〇〇重量份之由 耐熱性樹脂所組成之細微粒子(以100重量份之對位取代之 芳族\醯胺计)之多孔對位取代之芳族聚醯胺膜,其於2 0 0 至3〇〇°C下具有〜50x 10-6/°C至+50X ΐο-vt:之線性熱膨脹 本發明亦是關於[2] —種多孔對位取代之芳族聚醯胺 膜[1 ]之製造方法,其中該方法包括下列步驟(a)至(c) ·· 步驟(a)’自含有〇;1至1〇重量%具固有黏度1〇至 t 8d 1 /g之對位取代之芳族聚醢胺、1至丨〇重量%之鹼金屬 ^化物或驗土金屬氣化物以及10至40 0重量份由耐熱性樹 脂所組成之細微粒子(以1 〇 〇重量份之該聚醯胺計)於極性 酿胺溶劑或極性尿素溶劑中之溶液形成膜狀材料; 步驟(b)’自步驟(a)所得之膜狀材料沉積對位取代之 芳族聚酿胺;以及 $驟(c) ’將步驟(b)所得具有沉澱之對位取代之芳族 聚酿胺=膜狀材料浸潰於水溶液或醇溶液中,洗提溶劑及 驗金屬氯化物或鹼土金屬氣化物,然後乾燥以獲得多孔對
313508.ptd 第6頁 583231 五、發明說明(3) 位取代之芳族聚醯胺膜。 本發明亦是關於[3 ] —種以熱塑性樹脂及/或熱固性樹 脂浸潰該多孔對位取代之芳族聚醯胺膜[1 ]而得之預浸 材。 本發明進一步是關於[4] 一種使用該預浸材[3]而得之 印刷電路板用之基板。 [本發明之詳細說明] 本發明對位取代之芳族聚醢胺係經由對位取代之芳族 二胺與對位取代之芳族二羧醯画之聚縮合反應而得,實質
上係由其中醯胺鍵係連結於芳環之對位位置或芳環經取代 之相當位置(例如取代位置以相反方向同軸或平行延伸, 如4,4 伸聯苯基、1,5 -伸萘基及2,6 -伸萘基)之重複單 元所組成。 ^ 其特定實例為具有對位取代或相當之取代結構之對4 芳族聚醯胺,例如聚(對伸苯基對苯二甲醯胺)、聚(對苯 :醢胺),、聚(4, 4,-苯醯替苯胺對苯二甲醯胺)、聚(對巧 本土、’4 伸聯本基二竣醢胺)、聚(對伸笨基—2 6 -伸苯 氯,伸苯基對苯二甲酿胺)或對伸 1
一丰一氣對伸苯基二胺/對苯二甲醯氣之共聚物 \ 一乂 ,亦可使用具有酚式羥基作為末端官能美之4 位芳族聚醯胺。 不MS此暴之n t f酚式羥基作為末端官能 含有末端羥基之對办你成4 M h I酿思指 > ^ „ 對位取代之芳族聚醯胺,其中,邺於弋仏 有之末端官能基為羥基。誃 /、中,4伤或所 Μ 3有末知經基之對位取代之芳
313508.ptd 第7頁 583231 五、發明說明⑷ —— 族聚醯胺,典型地為具有部份或所有之分子鏈端係結合至 具有羥f ^芳族化合物的對位取代之芳族聚醯胺。 、,本發明之膜所使用由耐熱性樹脂所組成之細微粒子 =均粒度通常為5 〇 〇 # m或更小,從膜之均勻性觀點而言, 較佳為2〇M 111或更小,更佳為150// m或更小,特佳為&〇’ # m或更小。本發明可利用雷射散射法測量細微粒子 均粒度。 卞 本發明之膜所使用由耐熱性樹脂所組成之細微 縱橫比通常小於50。 卞之 用於本發明之膜之耐熱性樹脂為在低於2 3 〇艺, 低於250C之溫度下不會熔解之樹脂。 本發明耐熱性樹脂之特定實例包含芳族聚醯胺, 上述之對位芳族聚醯胺,其典型地以聚(對伸苯基對 曱醯胺)及聚對苯甲醯胺等;芳族聚酯(例如聚對苯甲酸一 =、聚對★伸笨基對苯二甲酸醋及聚伸乙基對苯二甲酸酯 荨),及方族雜環聚合物(例如聚對伸苯基苯 =基雙嗜嗤)等為代表。其t,較佳為芳族聚醯胺“ f別^,宜使用聚(對伸苯基對苯二甲酿胺 多孔膜具有優異的親和性。 7 口具對 $發明之膜中,上述細微粒子之量為10至400重 伤,較佳為30至250重量份,更佳為5〇至15〇 = 重量份之對位取代之芳族聚酿胺計)。若不在 内’:膜之抗撕裂傳播性不足。但當超出 ,範圍 位取代之芳族聚醯胺及細微粒子之溶液黏度增加太多有:: 313508.ptd 第8頁 583231 五、發明說明(5) 致不易自溶液形成膜狀材料。 本lx明之膜通常係由對位方族聚酿胺之原纖維所製 成,由顯微鏡觀之,具有不織布形式。即,多孔對位取代 之芳族聚醯胺膜通常具有一種結構,其中直徑1 於1 z/m之由對位芳族聚醢胺所製成之原纖維以網狀或不 織布形式並以層之形式層壓。 本發明之膜通常係由原纖維所組成且具有許多個空 隙,而空隙百分比通常係自3 0至9 5 % ,較佳為3 5至9 〇 % 。 當空隙百分比小於30%時,該結構可能在實質上不是多 孔’且藉由溶解下述之熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂於溶 劑中而製得之清漆之浸潰量有不足的傾向。另一方面,當 超過95%時,多孔膜有低強度的傾向而導致處理困難。^ 發明多孔對位取代之芳族聚醯胺膜於2 〇 〇至3 〇 〇 〇c下之線性 熱膨脹係數(在平面方向)為—50x 1〇-6/。(:至+5〇>( 1〇6/^, 較2為-25x 10-Vt:至+25x 10_Vt:。低的線性熱膨脹係數 值意謂沿著平面方向具有優異之尺寸安定性。本發明之膜 所使用之耐熱性樹脂之線性熱膨脹係數並無特別限制。但 為了控制本發明之膜於2 〇 〇至3 0 0 °C下之線性熱膨脹係數為 - 5 0 X 1 0 6/ C至+ 5 0 X 1 〇 _6/ °c,較佳之耐熱性樹脂於2 〇 〇至 3〇〇°C下具有-50x l〇_V°C至+50x 10_V°C之線性熱膨脹係 本發明可根據需要而包含各種添加劑,例如,可將具 有低介電常數及高抗水性之物質(例如聚四氟乙烯等)以針 狀、微細粒子、平板等之形式置於多孔膜之表面上或内部
313508.ptd 第9頁 583231 五、發明說明(6) 以降低介電常數及水吸收係數。 等亦可有效地增加強化的效果。卜’添加氧化紹短纖維 本發明之膜的厚度並無特別限制 # m,更佳為20至1〇〇 " m。當一較佳為10至150 縐而使得處理變得困難。當膜厚 ;"m時’則易起 失積層本;:”徵之傾"如1:=時度則有喪 U)至(:)予ίίί位取代之芳族聚酿胺膜可利用下列步驟 2- ^ ί ^ I ^ 1 · 〇" 氯化物或鹼土金屬氣化物 10重之鹼金屬 π所植赤夕* ^ 至400重量份由耐熱性樹 : = 子(以100重量份之該聚醯胺計)於極性 性尿素溶劑中之溶液形成膜狀材料; 芳族及驟(a)所得之膜狀材料沉積對位取代之 聚醯ί m將料二二)::=沉殿之對位取代之芳族 驗金屬氣化物或或酵溶液中,洗提溶劑及 位取代之芳族聚酿胺i 然後乾燥以獲得多孔對 孔對=525:步驟(d) ’步驟(d)係將步驟(c)所得之多 孔對位取代之方族聚醮 制線性壓力(…上^膜:;"觀磨。輥磨法為例如在控 所需性質之膜。下’使用壓延輥進行輥磨以獲得具有 將於下文進一步詳述各步驟。
583231 五、發明說明(7) 操作ί 所製用造之對:芳族聚醯胺溶液可藉例如下述 金屬氯化物或鹼土 :屬氣Ρ 其:溶有⑴0重量%之鹼 溶液中,添加〇 94J0 qQi物之極性醯胺溶液或極性尿素 (以1 〇莫耳f+轮π f 4耳之對位取代之芳族二羧醯齒 二ίΠ 代之芳族二胺計),接著於,至㈣進 而製得對位芳族聚酿胺漠度為0. /0之對位方族聚醯胺溶液。 化物酿胺溶液中之驗金屬氣化物或驗土金屬氯 為至10重量% ’較佳為2至8重量… 位芳:麥疏屬或鹼土金屬之氣化物量少於1重量%時,對 位方族聚醯胺之溶解度變得不足,而當超過10 化物或驗土金屬氣化物不會溶於極:醯:容 1ΐ Γ 素溶劑中。對位芳族聚酿胺溶液中之驗金屬氣 金屬氣化物的量係由對位芳族聚醯胺(對位芳 矣聚醯中之醯胺基)之量所決定。即, 化物之量’每1.〇莫耳由聚縮合反應所 =1佳為0.5至6.0莫耳,更佳為"至“"成之當醯氣 解度ΐ ^ Ϊ0 · 5Λ耳時,所形成之對位芳族聚醯胺之溶 又于足,虽虱化物之量超過6.0莫耳時,若掛位关 族聚醯胺之量多,則對位芳族聚醯 · 可溶於溶劑之量。 妝之/合解度超過軋化物 對位芳族聚醯胺溶液中之對位芳族聚醯胺濃产通常為 二重Λ% ,較佳為1至10重量% ,更佳為U至4重量 /〇 。虽對位方族聚醯胺濃度低於〇 .丨重量% ,產率可能降 313508.ptd 第11頁 JOJZJ1 發明說明(8) -— ________ % 位 由 重 因而對工業不#。當對位芳族聚 妆,可因為對位芳族聚醯胺之沉胺/辰度超過〗〇重量 芳族聚醯胺溶液。以100重量份積而不能獲得穩定之對 耐熱性樹脂所組成之細微粒 ,位芳族聚醯胺計, 量份,較佳為30至250重量份,的体加量通常為10至400 步驟⑷之對位芳族聚酿 =50至15〇重量份。 8以/g’較佳K5至2 6 d =黏度通常在i.。至2. 固有黏度小於U0 “以時,不門之對位芳族聚醢胺。當 有黏度超過2.8 “〜時,不,足夠之膜強度。當固 溶液’且因對位芳族聚醯胺U =定之對位芳族聚醯胺 步驟(a)中之對位芳族t^儿積,而不易形成膜。 位取代之芳族二為-私之聚縮合反應所用之對 二氣-對伸苯基二胺、f 6_萃2 —乳-對伸苯基二胺、2,6-;、4,4, _二胺基笨酿替奈〜-胺、U-伸萘基二 專°可以單—種對位取代之=3, 4 '二胺基^苯基醚 合反應。 方族一胺或其混合物進行聚縮 步驟(a)中之對位芳族 位取代之芳族二 y -胺之氽縮合反應所用之對 ~4,4,-二叛醯氣 1\的對實^為對苯^甲酿氣、聯苯基 甲酿氣、2-甲基對笨二甲醜—甲酿鼠、2, 5-二氣對苯二 5~伸萘基二羧醯氣等。 =、2, 6 —伸萘基二綾醯氯及1, _或其混合物進行聚縮合反應一種對位取代之芳族二羧醯 步驟(a)中之對位芳族聚\° 、-胺之聚縮合反應係在極性
五、發明說明(9) ___ = ί極:生,素溶劑中進行。極性醯胺溶劑為N,r η;:?尿素溶劑為N,N,N,,N,-四甲基尿素等“ 又佳溶劑為N—甲基-2-吡咯烷酮。 寻其中 進、、☆ Γϊ ΐ (a)中,鹼金屬或鹼土金屬之氯化物係適用於描 不=二對位芳族聚醯胺之溶解度。其特定實例包含;9 、於,氣化鋰及氣化鈣。進一步,可加 ,但 氣η ΐ芳族聚醯胺溶液中以中和聚縮‘反應所生:J ί 實可減少由氫氣酸所d: 、丐、虱氧化鈣及碳酸鈣等。 氧化 步驟(a) _,當形成膜狀材料時,可將對位 私各液澆鑄於例如基材(例如 、鬏醯 膜例狀如材料之形式^彡成。μ二=:採Λ i=#寺 (例如棒塗)或自T-模擠壓至基材上等。㈣各種方法 成膜自Λ驟⑷中之對位芳族聚醯胺溶液中形 :膜:材枓之後,自膜狀材料沉積對 :形 胺。本發明較佳維持2(rc或更方族聚醯 kg乾燥空氣或更高之濕 :度/〇.〇"g水蒸氣 厚度之方向獲得均勻社 藉由該 >儿積法,可在沿著 寺間:長。在低於0·01 kg水 ::2 下,沉積之時間亦變長。 以祀屎二軋之濕度 步驟(C)中,將溶劑及鹼 物自步驟(b)中所得之膜狀i hi虱化物或鹼土金屬氣化 膜狀材料中移除。移除之方法,例 313508.ptd 第13頁 583231 五、發明說明(10)
=為將膜狀材料浸於水溶液或醇I 用將膜狀材;;移除時,亦可採 用於洗提溶劑或氯化物之溶液,較佳為水。 ί:移;::f溶劑及氯化物。水溶液則亦可使用水。 需之多:膜示:肩及氣化物之膜狀材料予以乾燥以製造所 知方ΐ :絡ΐ燥之方法未予以特別限制,可使用各種已 之中間體形式。 度奶夕孔膜之刖 本發明預浸材係藉將由耐熱性樹脂細微粒子 二孔對位取代之芳族聚醯胺膜以熱塑性樹埶 =予以浸潰而得。熱塑性樹脂未予以特 戈,二性 有熱塑性之樹脂。該熱塑性樹脂較佳具有15〇t <一古為八 嫁點:本發明預浸材主要係供印刷電路積層板,同 佳為對形成電路之材料顯示出足夠之黏著性者。埶 2 脂之實例可為至少一種選自聚喊楓、聚楓、聚鍵::树 聚硫醚楓(P〇iysulfide sulfone)、聚碳酸醋、聚亞 胺、聚醯胺醯亞胺及聚醚酮之熱塑性樹脂。此等可t 予以單獨使用或組合使用。 j週S地 另一方面,熱固性樹脂無特別限制,其實例、 一種選自環氧樹脂、雙馬來醯亞胺—三畊樹脂、聚醜亞乂 樹脂、苯二甲酸二旨、不飽和聚酯樹酯、氰酸醋樹醋 及芳基改質之聚伸苯基醚樹脂之熱固性樹脂。此者 地予以單獨使用或組合使用。 虽 313508.Ptd 第14頁
583231 五、發明說明(11) 熱塑性樹脂或熱固性樹脂(下 加量為樹脂/對位芳族聚醯胺的有θ寺間稱為樹脂)之添 7/3,較佳為3/7至7/3。當重 (重夏比)通常在1/9至 地浸入由對位芳族聚醯田 =於1/9,樹脂不能充分 面,當重量比超過"3,預Λ之之V生膜 而使其不適合作為積層板。 線拴熱膨脹係數增加, m .. m :述本發明熱塑性樹脂及埶固性樹ρ ·άτ #ι «ι 00 獨使用。《而,亦可於預浸材 ::,月曰可個別早 用該些樹脂。簡單之方法可單猶天=乂驟中一起或分開使 樹脂或作為組合物同時添加至製;° :生?脂或熱固性 步驟(a)之含有對位芳族聚醯胺之孔^位方族聚醯胺膜 之膜中睥ίίίΐ 孔對位芳族聚醯胺組成物 im::製造多孔對位芳族聚醢胺膜之後再以 …、塑树知予以浸潰之步驟。 4 A t發明預次材之形式為將耐熱性樹脂細微粒子及對位 =族4醢胺膜所組成之多孔膜以熱塑性樹脂及/或埶固性 枒脂予以浸潰之形式。通常為空隙被浸入之形式,即將具 有種結構之多孔膜以樹脂予以浸潰,該種結構為直徑i # m或小於1 " m由對位芳族聚醯胺所製成之原纖維以網狀 或不織布开^式並以層之形式層壓之結構。經由硬化本發明 預浸材所得之片於2 0 0至3〇(rc之線性熱膨脹係數(在平面 方向)6通常在-70X 10-6/1至+70χ ι〇-6/π之間,較佳在—35 X 1 〇 / C至+ 3 5 X 1 0 -V °C之間。如此小的線性熱膨脹係數 顯不A著平面方向具有優異之尺寸安定性,且為印刷電路
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積層板之最適宜性質 本發明中 以熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂浸潰多孔
方法。例如,將含有本發明熱塑性 成物溶解於溶劑中以製備清漆,將 孔膜並以該清漆浸潰該膜,然後蒸 —因為線性熱膨脹係數小、機械強度優異及與金屬箔之 黏著性亦優異’所以可適合使用上述預浸材作為印刷電路 板或積層板用之基板。該印刷電路板及積層板用之基板可 藉由一般進行之方法(例如,〇611讣丨6^1^311之111(^ printed Wiring Board",1 986 年 6月,分冊)而製得。 即’使用本發明預浸材作為絕緣層,並與金屬箔製的導電 層進行層壓而製得印刷電路積層板。金屬箔可使用金、 銀、銅、鎳及鋁等之金屬。 [實施例] 下列實施例將詳細說明本發明實施例。該等僅作為實 例但非用以限制本發明。實施例及比較例中之試驗、評估 方法以及判斷標準示於下列。 (1)固有黏度 使用毛細管黏度計於3 0 °c,分別測定藉由溶解〇 · 5克 之對位芳族聚醯胺聚合物於1〇〇 ml之96至98%硫酸所製得 之/谷液,以及9 6至9 8 %硫酸之流動時間。然後根據下式, 由所測定之流動時間之比,計算固有黏度。
313508.ptd 第16頁 583231 五、發明說明(13) 固有黏度=ln(T/Tj/C [單位:dl/g] 士其中T及T。分別代表對位芳族聚醯胺之硫酸溶液之流 動%間以及硫酸之流動時間,及^代表對位芳族聚醯胺之 硫酸溶液中對位芳族聚醯胺之濃度(g/dl )。 (2 )空隙百分比 將多孔膜切成方形(邊長·· L,公分),然後測量重量 (w ·克)及厚度(D :公分)。利用a 1 c h i m e d e s法測定以p ((g/cm3))表示之真實比重,並根據下式計算空隙百分比 (體積% )。 空隙百分比(體積。/。)= 100 —l〇〇(W/ p )/(L2xD) (3 )拉伸試驗 使用Dumbbel 1公司所製之啞鈴形切割機自多孔膜、預 浸材或由硬化該預浸材所得之片沖壓試片,然後使用 instron通用拉伸試驗機( 43 0 1型,Instron日本公司所製) 依據J I S K - 7 1 2 7測定拉伸強度。 (4 )銅箔之剝離強度 依據JIS-C648 1予以測定。 (5 )線性熱膨脹係數 使用Seiko Denshi Κ·Κ·所製之熱分析裝置TMA 120依 據ASTM D6 9 6進行測定,並根據下式計算。將測定前未經 回火之測定試片在裝置中一次加熱至3 0 0 °C,然後再進行 測定而得測定值結果。 α 1 = Δ L/Lo. Δ Τ 其中
313508.ptd 第17頁 583231 五、發明說明(14) α 1 :線性熱膨脹係數(/ °C ) △L:試片改變之長度 L。:測試前之試片長度 △ T :溫度差(°C ) (6 )抗撕裂傳播性 藉由Dumbbell公司所製且應用JISK-7128-1991C法(直 角撕裂法)之租鋒形切割機自多孔膜沖壓試片。然後使用 instron通用拉伸試驗機(4301型,Instron日本公司所製) 依據JIS K-7128-1991C法進行拉伸試驗’且計算自初始撕 裂至斷裂之平均應力。 (7)縱橫比 利用掃描式電子顯微鏡對細微粒子拍照,測量該些細 微粒子之長軸與短軸,並將平均長轴除以平均短軸而得縱 橫比。 實施例1 1)含末端羥基之聚(對伸苯基對苯二甲醯胺)之合成 使用備有攪拌葉片、溫度計、氮氣注入管及粉末添加 口之3升可分離式之燒瓶進行含末端羥基之聚(對伸笨基對 苯二甲醢胺)(下文簡稱為含末端羥基之PPTA)之合成反& 、 應。該燒瓶充份乾燥後,於其中置入2220克之N -曱基—2 -吡咯烷酮(下文簡稱為NMP )、2 0 0 °C乾燥2小時之1 4 9 · 2克之 氣化鈣,接著將混合物加熱至1 〇 〇 。將氣化鈣完全溶解 後,使溫度回至室溫,然後添加6 7. 2克之對伸苯基二胺 (下文簡稱為PPD)及6_7克之4 -胺基間甲酚(下文稱為
313508.ptd 第18頁 583231 五、發明說明(15) ί 使該^等完全溶解。在溶液維持於20士 2°C時,將 、、之對笨—甲醯氣(下文簡稱為TPC)分成十份,約每 刀#里添加:人。然後在溶液維持於2 〇 ± 2 °C時,將溶液熟 化1小%,再減壓攪拌溶液3 〇分鐘以除去氣泡。所得聚合 物溶液(聚合物膠漿)顯示光學各向異性。取出部分之溶液 作為樣品,且於水中再沉澱,取出得到之聚合物。測量所 得含末端羥基之PPTA之固有黏度,其為198 dl/g。 2)多孔對位芳族聚醯胺膜之製造及線性膨脹係數 自上述1)之聚合物溶液製造包括含末端羥基之ρρτ A及 耐熱性樹脂細微粒子之多孔膜。即,將原料稱重,並置入 備有授拌葉片、溫度計、氮氣注入管及液體添加口之5〇〇 毫升可分離式之燒瓶中。然後添加1〇〇克上述丨)之聚合物 溶液(包含6克含末端羥基之ppTA),並於氮氣流下攪拌該 混合物。然後添加2 0 0克之NMP稀釋,其後添加1. 41克氧化 鈣以中和由聚縮合反應所生成之氫氣酸副產物,及以丨〇 0 〇 網目之鐵絲網過濾。然後,稱重6克具有平均粒度為7 7 // m 及縱橫比為 7(Twaron TW-5011,Nippon Aramid Κ·Κ·所 製)之芳族聚醯胺細微粒子,並添加至燒瓶中,且攪拌混 合物120分鐘。使膠漿通過毫微米器(nanomizer)三次以充 分分散芳族聚醯胺細微粒子,然後減壓下去泡沫以得到塗 布用膠漿。根據下述程序自如此獲得之膠漿製造多孔膜。 將厚度100//Π1之PET膜放置在厚度mm之玻璃平板上,
再將直徑25 mm之不鏽塗布棒平行地放置在PET膜上,使其 與PET膜間之間隙為0· 7 mm。在進料塗布用膠漿時’將PET
313508.ptd 第19頁 583231 五、發明說明(16) 膜轉動並平,移動。以PET膜之形式塗布該膠漿。將該膜 在60 C之大氣及40%之濕度下靜置,以沉澱ppTA。在保持 其完整性下,將1〇〇 iPET膜及經沉積之芳族聚醯胺塗 布膜浸在離子交換水中,在流動之離子交換水中洗滌丨2 Q ^鉍。洗滌後PET膜被移除,僅有芳族聚醯胺塗布膜夾在 芳族聚醯胺氈中,將其推進直徑1〇〇〇mm之熱鼓中並於12q C乾燥5分鐘,以製造多孔膜。使用直徑15〇mm由金屬輥及 橡膠輥所組成之壓延輥以20kg/cm之線性壓力輥磨該膜。 所得多孔膜之厚度為53 // m,且空隙百分比為52% 。於2〇〇 至3 0 0 C之線性熱膨脹係數為-2 0 X 1 〇 -V °C。抗撕裂傳播性 為85g/mm及抗拉強度為2 kgf/mm2。 3)預浸材、印刷電路板及積層板用之基板之製造 (1)清漆之製備 將溶劑(甲基乙基酮,下文簡稱為MEK)添加至下述組 成物之混合物中。於備有回流橡膠管之3 0 0 m 1錐形甑中, 並在磁挽拌器挽拌下’將該混合物加熱回流9 〇分鐘而獲得 清漆。 清漆化合餌成物:(重量份) 主劑:素米環氧(Sumiepoxy) LDX-4120(住有化學股 份有限公司製造)100·〇 硬化劑: >氰二醯胺(DICY,東京 Kasei Κ_Κ·製 造)2· 7 觸媒:2-中基—4 -乙基咪嗤(Shikoku化學公司製 造)0· 2
583231 五、發明說明(17) (2 )預浸材之製造 將2)中製得之多孔膜切割成60mm寬度,在30 kg/cm之 線性壓力下以壓延輥輥磨而得3 5 // m之膜厚。將(1 )製得之 清漆塗布於該多孔膜二表面上。將該多孔膜夾在氟膜中 (商標名:Toyofron 50F,Toray工業公司製造)而使溶劑 於清漆浸潰期間不蒸發,且進一步可進行擠壓以使清漆分 佈均勻。1 0分鐘之後,以清漆均勻地浸潰多孔膜,然後攜 至玻璃布(產品名:YES-2101 ’ Nippon Sheet Glass Fiber K_ Κ·)上,於150 °C加熱3分鐘以去除溶劑,將環氧 樹脂半固化而製得預浸材。 (3)預浸材單體之硬化及銅箔積層板之硬化及物理性質測 定 將上述4 )中之預浸材置於隔離器之4 5 // m間隙中,並 以鐵氟龍(Te f 1 on )片夾住,然後於1 6 0 °C加壓硬化。再以 厚度1 2 // m之銅箔夾住該預浸材,然後於1 6 0 加壓硬 化。預浸材單體經硬化之材料之線性熱膨脹係數為丨9χ 106/C。銅、冶剝離強度為ι·〇 kg/cm。 實施例2 以實施例1中之2)之相同方法製造多孔對位芳族聚醯 胺膜’但於2)中使用3 · 〇克之芳族聚醯胺細微粒子,且塗 布棒與PET膜間之間隙為〇· 8min。所得多孔膜之厚度為49 // m及空隙百分比為61% 。於2〇〇至3〇(rc之線性熱膨脹係 數為-2 0x 1 0_V°C。抗撕裂傳播性為7〇g/mm及抗拉強度為3 kgf/mm2。所得多孔膜經目視觀察為均勻膜。以實例1中3)
313508.ptd 第21頁 583231 五、發明說明(18) 之方法獲得預浸材。單獨預浸材經硬化之材料之線性熱膨 脹係數為1 9 X 1 〇 -6/。 比較你L1 於實施例1之2 )中使用〇. 6克之芳族聚醯胺漿狀物 (Twaron TW- 1 0 9 7,Nippon Aramid Κ· K·製造,縱橫比為 1〇〇),發現塗布用膠漿之黏度增加。雖然在棒與ρΕτ膜間 之間隙為1. 1 mm的情形下進行塗布,但由於缺乏流動性而 無法獲得塗膜層。 以實施例1中之2)之相同方法製造多孔對位芳族聚醯 膜,但使用0.3克之芳族聚醯胺漿狀物(Twar〇n TW- 1 0 9 7,NiPP0n Aramid κ. κ.製造), =隙為丨及不進行輥磨。然而,於ppTf之與冗積二1 沉積壓縮作用而使塗層膜破裂。自冑良部分取樣的 夕孔膜之厚度為5U m ’且空隙百分比為62% 。於至 :二之線性熱膨脹係數為—20x 1〇_6/t。抗撕裂傳播性為 g/mm。所得多孔膜經目視觀察為均句膜。以實施例^ 3 )之方法獲得預浸材。單猶箱、、* # ^ 早獨預次材經硬化之材料之線性熱 略脹係數為1 9 X 1 0 -6/ °C。 ⑴)之相同方法製造多孔對位芳
Ur吏芳族聚酿胺細微粒子,塗布棒與PET膜間之 = ί = Γ及不進:輥磨。然而於PPTA之沉積程序中由 、儿積壓縮作用而使塗層膜破裂。從優良部分取樣的多孔
313508.ptd 第22頁 583231 五、發明說明(19)
膜之厚度為45/zm,且空隙百分比為41% 。於200至300 °C 之線性熱膨脹係數為-2Ox 10。抗撕裂傳播性為10 g/mm,且抗拉強度為8kgf/mm2。所得多孔膜經目視觀察為 均勻膜。以實施例1中3 )之方法獲得預浸材。單獨預浸材 &硬化之材料之線性熱膨脹係數為1 9x 1 0_6/°C。 現 '於實施例1之2)使用3 〇克之芳族聚酿胺細微粒子’發 隙Ϊ布用膠漿之黏度增加。雖然在塗布棒與PET膜間之間 獲得0塗L =的情形下進行塗布,但由於缺乏流動性而無法 示出供T種多孔對位取代之芳族聚醯胺膜,其顯 之性質。、> 几撕裂傳播性,並具有f輕及低線性膨脹係數 使用ί預ί;適Γ乍為預浸材。進一,,本發明提供-種 &馆/¾材之印刷電路板用之基板。
583231 圖式簡單說明 本案無圖示 313508.ptd 第24頁 1·^ 4,雖1卿1ί 公告本 7丄年昝月2丄曰 修正 案號:91105692 頰別: -二----—- -—Vik, ^iLny,.t ^°s<y〇z
發明專利說明書 583231 _ 中文 多孔對位取代之芳族聚醯胺膜與製造該膜之方法以及預浸材 、 發明名稱 英文 POROUS PARA-ORIENTED AROMATIC POLYAMIDE FILM, METHOD OF PRODUCING SAME, AND PREPREG 姓名 (中文) 1. 篠原泰雄 2. 南橋^ 二 發明人 姓名 (英文) 1. YASU0 SHINOHARA 2. TSUT0MU TAKAHASHI 國籍 1·曰本2.曰本 住、居所 L月+國荠城縣新治郡新治村大畑1510-144 1510-144,Ohbatake, Nnhari~mura, Niihari-gun, Ibaraki, JAPAN 2 ^本國茨城縣筑波郡谷和原村絹之台5—2-6 5-2-6,Kinunodai, Yawara-mura, Tsukuba-gun, Ibaraki, JAPAN 姓名 1.住友化學工業股份有限公司 姓名 (名稱) C英文) 1.SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD. 三 申請人 國署""" _ —----- Γ曰本 ~— 住、居所 (事務所) 1. j本國大阪市中央區北濱4丁目5番33號5一33,Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka, JAPAN 代表人 姓名 (中文) 1.米倉弘昌 代表人 姓名 (英文) 1.HIR0MASA YONEKURA
313508修正版.ptc 第1頁 2003. 04. 24. 001

Claims (1)

  1. ^^231 ^^231
    修正 曰 申請專利藏® 1二^m^iizzzzinr ^ 夂二-- 位=夕孔對位取代之芳族聚酸胺膜’以10 0重量份之對 自r ^ ^芳族聚醯胺計,該膜含有1 0至4 0 0重量份由選 群2芳知聚醯胺、芳族聚酯及芳族雜環聚合物而成的 下呈之耐熱性樹脂所組成之細微粒子且於2 0 0至3 0 (TC 數具有—5〇X 10,°C至+50x ΙΟ-Vt:之線性熱膨脹係 ^申1專利範圍第丨項之多孔對位取代之芳族聚醯胺 笈中,該對位取代之芳族聚醯胺為聚(對伸笨基 胺$ Γ酿胺)、聚(對苯甲醯胺)、聚(4, 4,-笨醯替土笨 酿胺甲酿胺)、聚(對伸笨基_4,4,—伸聯笨基二幾 〜對伸笑^對伸笨基—2,6—伸萘基二羧醯胺)、聚(2-氯 伸絮发基對笨二甲酸胺)或對伸苯基二胺/2, 6〜二氣對 I ί ί二胺i對笨二甲醯氣之共聚物。 膜,^ ί利範圍第1項之多孔對位取代之芳族聚醯胺 _ ^生’空隙百分比為30至95% 〇 中 L & 士申凊專利範圍第1項之多孔對位取代之矣# 聚醯胺獏之 f八之方族 (c): 万法,其中’該方法包括下列步驟(a)至 2.8cU/g<H’自含有0.1至10重量%具固有黏度1.0至 金屬氣化物取之芳族聚醯胺、1至1〇重量%之驗 熱性樹脂所^ Ϊ金屬氣化物以及10至40 0重量份由耐 計)於極性二Ϊ之細微粒子(以100重量份之該聚醯胺 狀材料;®"胺溶劑或極性尿素溶劑中之溶液形成膜
    313508修正版.ptc 2003. 04. 24. 025 583231 _案號91105692 年¥月7^日 修正_ 六、申請專利範圍 步驟(b ),自步驟(a )所得之該膜狀材料沉積對位 取代之芳族聚醯胺;以及 步驟(c ),將步驟(b )所得具有沉澱之對位取代之 芳族聚醯胺之膜狀材料浸潰於水溶液或醇溶液中,洗 提溶劑及驗金屬氯化物或驗土金屬氯化物,然後乾燥 以獲得多孔對位取代之芳族聚醯胺膜。 5. —種預浸材,其係以熱塑性樹脂及/或熱固性樹脂浸潰 如申請專利範圍第1項之多孔對位取代之芳族聚醯胺膜 而得。 6. 如申請專利範圍第5項之預浸材,其中,該熱塑性樹脂 為聚醚楓、聚楓、聚醚醯亞胺、聚硫醚楓、聚碳酸 酯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺或聚醚酮。 7. 如申請專利範圍第5項之預浸材,其中,該熱固性樹脂 為環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三畊樹脂、聚醯亞胺樹 月旨、苯二曱酸二烯丙酯、不飽和聚酯樹酯、氰酸酯樹 酯或芳基改質之聚伸苯基醚樹脂。 8. 如申請專利範圍第5項之預浸材,其係用以製備印刷電 路板用之基板者。
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