TW579516B - Phase-change type optical information recording medium - Google Patents

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TW579516B
TW579516B TW090120044A TW90120044A TW579516B TW 579516 B TW579516 B TW 579516B TW 090120044 A TW090120044 A TW 090120044A TW 90120044 A TW90120044 A TW 90120044A TW 579516 B TW579516 B TW 579516B
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TW090120044A
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Masaki Katoh
Katsuyuki Yamada
Yuki Nakamura
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Ricoh Kk
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579516 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 )【發明所屬之技術領域】： 本發明係關於一種於透明基板上依序累積第1保護層 ，記錄層，第2保護層，以及反射層所形成之相變化型光 資訊記錄媒體。【先前技術】： 做爲可藉由雷射光束之照射來進行之記錄，再生以及 消去之光資訊記錄媒體，眾所周知的爲利用結晶一非結晶 相之間或是結晶-結晶相之間之轉移之光資訊記錄媒體。 此種相變化型光資訊記錄媒體因爲可以藉由單一光束來進 行寫入，因此其開發最近被廣爲進行。 此外，最近幾年伴隨著電腦之高速化及資料之大容量 化，可達到高速記錄之驅動裝置正被開發出。伴隨著此， 光資訊記錄媒體於進行資料記錄之際，其記錄速度最好是 具備有可對應於低速至高速之廣泛範圍之速度。【發明所欲解決之課題】： 然而，於以往之相變化型光資訊記錄媒體中，若欲調 整於高速之情況下之高調製度及低波形跳動，並且達到於 重複記錄之低波形跳動之最適化記錄再生特性，則可能使 於低速之情況下之記錄訊號特性、重複記錄訊號特性變得 惡化。 本發明爲針對上述課題所完成之發明，其目的爲提供 於低線速至高線速之廣泛範圍中之具有良好記錄再生特性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 579516 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ _ B7 __五、發明説明（2 ) 之相變化型光資訊記錄媒體。 【用以解決課題之手段】： 於申請專利範圍第1項之發明中，一種於透明基板上 依序累積第1保護層，記錄層，第2保護層，以及反射層 所形成之相變化型光資訊記錄媒體，其特徵爲··於假定最 低記錄線速度爲V i，最高記錄線速度爲V 2，以及讀出時 之調製度I (v)之際，I (V2)/I (VI)之値爲1 至1 . 2之範圍內。 在此，最低記錄線速度V i係爲顯示，採用適當的記錄 裝置並以速度V i進行記錄或重寫之相變化型光資訊記錄媒 體，於標準的再生裝置及再生條件之下不產生異常而可再 生之最低線速度。此外，此時、所謂的標準的再生裝置及再 生條件係指，媒體爲藉由對象之標準規格所訂定之標準再 生裝置。例如，若媒體爲C D - R W的話，最低記錄線速 度v i爲，滿足記載於C D — R W之標準規格書之Orange Book Part III之各個記錄再生訊號特性之最低線速度。 此外，最高記錄線速度v 2係爲顯示，採用適當的記錄 裝置並以速度v 2進行記錄或重寫之相變化型光資訊記錄媒 體，於標準的再生裝置及再生條件之下不產生異常而可再 生之最高線速度。此外，此時所謂的標準的再生裝置及再 生條件係指，媒體爲藉由對象之標準規格所訂定之標準再 生裝置。例如，若媒體爲C D - R W的話，最高記錄線速 度v 2爲，滿足記載於C D — R W之標準規格書之Orange 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 579516 A7 ______ B7 __ 五、發明説明（3 )
Book Part in之各個記錄再生訊號特性之最高線速度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於申請專利範圍第2項之發明中，上述最高記錄線速 度v 2與上述最低記錄線速度v 1之比爲v 2 / v 1 ^ 2 · 5 Ο 於申請專利範圍第3項之發明中，上述最低記錄線速 度v i爲4 · 8 m / s以上。而做爲最低記錄線速度v i， 有必要於媒體之基準線速以上。因此，因爲媒體爲C D的 話其基準線速爲1 . 2 m / s ，爲D V D的話其基準線速 爲3 · 5 m/ s ，所以最低記錄線速度v i最好是4 · 8 m /s以上14 · 4m/s以下，更佳爲4 · 8m/s以上 9 · 6 m / s 以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於申請專利範圍第4項之發明中，上述最高記錄線速 度v 2爲1 2 · 0 m / s以上。最高記錄線速度v 2與最低 記錄線速度V i之關係於V 2 > v i時成立。此外，光資訊 記錄媒體最好是可以以廣泛範圍之速度來記錄。因爲對應 於CD、DVD所代表之Φ 1 2 Omm之一般光碟中之保 持一定角速度來記錄，因此最好是將最高記錄線速度v 2設 定爲最低記錄線速度v ί之2 · 5倍以上。因此，將最低記 錄線速度ν 1設定爲4 . 8 m/ s以上之情況下，最高記錄 線速度ν 2最好是於1 2 . 0 m / s以上（最低記錄線速度 ν !之2 · 5倍以上）2 8 · 8 m / s以下（相當於C D之 基準線速度之2 4倍），更佳爲1 9 · 6 m/ s以上 24·〇m/s以下。 於申請專利範圍第5項之發明中，上述記錄層以 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 6 - 579516 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) A g I n S b T e爲主成分。此外，於申請專利範圍第6 項之發明中，上述記錄層以A g I n S b T e爲主成分， 並添加N。此外，於申請專利範圍第7項之發明中，上述 記錄層之膜厚爲於1 3 n m以上，2 3 n m以下之範圍。 【發明之實施型態】： 參照第1圖以說明本發明之實施形態。第1圖係爲顯 示本發明之實施形態之相變化型光資訊記錄媒體之剖面圖 〇 於第1圖中，1爲透明基板，3爲記錄層，2爲保護 記錄層3之第1保護層，4爲保護記錄層3之第2保護層 ，5爲反射層。 根據實驗結果，藉由以下之構成，可得到從高線速至 低線速之良好特性。 採用聚碳酸酯製之C D - R W透明基板做爲透明基板 1，於透明基板1上層積Z n S，S i 0 2之混合物 8 Onm厚以形成第1保護層2，於第1保護層2上層積 ，於AgInSbTe上添加微量N之合金11〜 2 6 nm厚以形成記錄層3，於記錄層3上層積與第1保 護層2相同之Z n S，S i〇2之混合物3 0 nm厚以形成 第2保護層4，於第2保護層4上層積A 1 T i合金 1 4 0 nm厚以形成反射層5。 而透明基板1之形狀滿足C D - R W之標準規格之 Orange Book Part III之要求事項之外徑1 2 0 m m，內徑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 579516 A7 B7 五、發明説明（5 ) 1 5 m m，厚度1 · 2 m m。此外，於透明基板1上形成 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以螺旋狀連續之引導溝槽（Groove )。引導溝槽爲寬度 〇 · 6//m，深度30nm。此透明基板1是藉由射出成 型來製作的。 做爲第1保護層2與第2保護層4之材料，可以利用 市售之光碟用保護層材料。於本實施形態中，最爲一般之 材料爲於Z n S中添加2 0重量百分比之S i〇2之材料。 成膜一般則是採用一種真空成膜法之噴射法，因爲材料之 傳導率較低，因此採用加上交流電場之R F磁控管噴射法 來成膜。此外，噴射法之外圍環境則採用A r瓦斯。 記錄層3之材料爲採用相變化材料之 Ag I nSbTe 。採用原子百分比α ，沒，r ，（5，以 Aga I n/3Sb rT e 5來表示之情況下，其原子組成 爲以下之範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 . 1 ^ α ^ 2 . 0 3 · 0 S S 8 ·〇 65.0^7^75.0 15.0^5^30.0 97^a + ；S + r + 5^100 記錄層3之成膜則採用一種真空成膜法之D C磁控管 噴射法來成膜。外圍環境則採用A r瓦斯與N 2瓦斯之混合 氣體，其混合比爲10 : 1，並於記錄層中添加氮氣。 於反射層5之A 1 T i合金中採用於A 1中添加1 0 % T i之合金，其成膜則採用與記錄層3相同之D C磁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） · 8 _ 579516 A7 B7 五、發明説明（6 ) 控管噴射法來成膜。而外圍環境則採用A r瓦斯。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，在此圖中並未顯示，於相變化型光資訊記錄媒 體中，爲了保護上述各層免於物理性損傷及初期化及記錄 時因熱所導致之損傷並防止腐蝕，於反射層5上形成樹脂 製的外層塗膜。做爲外層塗膜的材料，一般是採用紫外線 硬化樹脂，於本實施形態中採用市售之光碟紫外線硬化樹 脂之大日本油墨股份有限公司製之S D 3 0 1。成膜是將 紫外線照射於採用旋轉塗佈法所塗佈之樹脂上使其硬化來 進行。外層塗膜之膜厚設定爲8〜1 0 // m。 於上述所製作之相變化型光資訊記錄媒體上，採用具 有功率爲650mW，線速爲3·Om/s之CD—RW 用之初期化裝置進行初期化，以一般之C D - R W驅動裝 置進行記錄再生之際可得到良好之初期特性。 此外，寫入之特性則藉由帕爾斯提克公司製造之C D 一 R W評估裝置1 〇 〇 〇來評估。 相對於C D之等速1 · 2 m / s ，記錄線速度是以其4倍 之4 · 8m/s及10倍之12 · 〇m/s來進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記錄資訊係採用可重複書寫型CD (CD - RW)之 標準規格書之Orange Book(Part III，Ver2.0)所記載之2 X、 4 X之記錄階段，進行編碼於用在C D規格之E F Μ之訊 號之記錄。 記錄功率P W是以各個記錄線速度中3 Τ凹坑波形跳 動爲最小之方式來決定，而消去功率P e則以進行 1 0 0 0次寫入後之3 T凹坑波形跳動爲最小之方式來選 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^~ 579516 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（7 ) 擇。 所選擇之記錄功率p W及消去功率p e針對於線速爲 4.8m/s ’9.6m/s’l2.〇m/s，記錄功 率 Pw爲 14 · OmW，18 · OmW，以及 20·〇mW，而消去功率Pe爲7·〇mW， 8 · OmW，以及 9 · OmW。 記錄性之§平估是以s周製度及3 T紋間表面波形跳動及 3 丁凹坑波形跳動來進行，1〜1 〇 〇 〇次寫入後之特性 爲 C D — R W 之標準規格書之 Orange Book(Part III，Ver2.0) 之調製度Ο·55以上，波形跳動35ns以下。 所得之特性顯示於第2圖〜第5圖。第2圖顯示3 T 紋間表面波形跳動之特性，第3圖顯示3 T凹坑波形跳動 之特性。於橫軸之I ( v 2 )/ I ( v 1 )中，v 2爲最高 曰己錄線速度（v 2 = 1 2 · 0 m / s ) ，v 1爲最低記錄線 速度（Vl = 4.8m/s) ，I (v)爲記錄線速度v中 之調製度（I (v)=(最高反射率一最低反射率）/ ( 最高反射率））。 此外’於圖中，X 4 W 1爲以線速4 · 8 m / s寫入 1次後之特性，X 4 W 1 0 〇 〇爲以線速4 · 8 m / s寫 入1 0 0 0次後之特性，X 1 〇 W 1爲以線速1 2 · 0 m / s寫入1次後之特性，X χ 〇冒1 〇 〇 〇爲以線速 1 2 · 0 m / s寫入1 〇 〇 〇次後之特性。 根據C D ( C D — RW )之標準規格書之Orange B〇〇k(Pai:t III，Ver*2.0)，因爲規定波形跳動爲3 5 n s以下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) Α4規格（210 X 297公釐）-1 〇 - —----------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L I ! r: • 、-'t 579516 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) ，調製度爲0 · 5 5以上，因此以此値爲基準來判斷媒體 特性之好壞。 設定最低記錄線速度v i二4 · 8 m / s (相當於C D 之基準線速之4倍），最高記錄線速度v 2 = 1 2 · 0 m / s (相當於C D之基準線速之1 0倍），將針對於調製度 比I (v2)/I (v!)之1次、1 000次之寫入後 3 T紋間表面波形跳動、3 T凹坑波形跳動之値顯示於第 2圖、第3圖。波形跳動之上限値是以記載於Orange Book 之規格上限値做爲參考値來設定爲3 5 n s。基於此波形 跳動之上限値預測I ( v 2 ) / I ( v i )之範圍。 因爲3 T紋間表面波形跳動有高於3 T凹坑波形跳動 之傾向，因此先注意第3圖所示之3 T紋間表面波形跳動 與I ( v 2 ) / I ( v !)之關係。由第3圖可明顯得知， 波形跳動與記錄速度無關，於寫入1 0 0 0次之後其値有 變高之傾向。 此外，於最低記錄線速度v i中，隨著I ( v 2 ) / I (v i )變高，寫入後之3 T紋間表面波形跳動有變高之傾 向。爲了使3 T紋間表面波形跳動低於3 5 n s ’有必要 使 I (V2)/I (νι)$1·2。 而於最高記錄線速度v 2中，隨著I ( v 2 ) / I ( ν χ )變低，寫入後之3 T紋間表面波形跳動有變高之傾向 。爲了使3 Τ紋間表面波形跳動低於3 5 n s ’有必要使 I ( ν 2 ) / I (νι)$1·〇。 亦即，記錄線速度ν於V 1 S ν € V 2之際’使寫入後 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -11 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *·- - — —Γ τ _ 、-'口 579516 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 之特性變佳之範圍爲 1 . 0 ^ I ( V 2 ) / I ( V 1 ) ^ 1 . 2 。因此爲了滿足波形跳動之規格之3 5 n s ’ I ( v 2 )/1 (vi)有必要於1 . 〇〜1 · 2之範圍內。 此外，第4圖顯示記錄層3之膜厚之調製度的依存性 ，最低記錄線速度ν i之記錄及最高記錄線速度ν 2之記錄 之兩者均爲，隨著記錄層3之膜厚變厚可達到高調製度。 然而，相對於最高記錄線速度V 2之記錄中，對於膜厚之調 製度之依存性極高，最低記錄線速度v i之記錄中，對於膜 厚之調製度之依存性較低。此外，於記錄層膜厚爲 1 3 n m以上之區域中，最低記錄線速度v i之記錄變低。 因爲爲了得到良好之特性，與記錄速度無關必須使調製度 高於0 . 5 5 ，因此於本實施形態中，記錄層膜厚有必要 高於1 3 n m。 I ( v )隨著記錄速度v變動的同時，亦取決於記錄 層膜厚及記錄層材料。此外，其依存性亦隨速度v而有所 不同。亦即，I (V2)及（Vi)之記錄層膜厚之依存性 及記錄層組成之依存性有所不同。例如，於記錄層膜厚之 依存性中，最高記錄線速度V 2之記錄層膜厚之依存性較高 ，最低記錄線速度V i之記錄層膜厚之依存性較低。因此， 藉由適切的設定記錄層膜厚，可將I ( V 2 ) / I ( v !) 設定於所希望之範圍。此外，因爲最高記錄線速度V 2與最 低記錄線速度v 1之組成依存性有所不同，因此亦可藉由變 更用於記錄層之材料組成，來設定最適範圍。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 579516 A7 ___ B7____ 五、發明説明（1〇) 第5圖顯示針對記錄層3之膜厚之3 T紋間表面波形 跳動待性。從第4圖得之，記錄層膜厚愈厚調製度變得愈 高’愈可得良好之特性，然而波形跳動則有不同。最低記 錄線速度v i中之1 〇 〇 〇次寫入後之波形跳動隨著記錄層 膜厚愈厚變的愈低，易得到良好特性。另一方面，最高記 錄線速度v 2中之1 〇 〇 〇次寫入後之波形跳動隨著記錄層 膜厚愈厚，有變得愈高之傾向。與第2圖第3圖所示相同 ，因爲波形跳動有必要低於3 5 n s ，於本實施形態中， 記錄層膜厚最好是在2 1 n m以下。 亦即，由第5圖可明顯得知，爲了使3 T紋間表面波 形跳動低於規格値之3 5 n s以下，有必要使膜厚於1 3 n m與2 3 n m之範圍內。 而透明基板1則被要求需在記錄讀出波長區域中爲透 明。因此，做爲基板材料，一般採用玻璃，陶瓷，或是樹 脂。尤其是具有優良成型性及低成本。做爲樹脂之例子可 舉例出，聚碳酸酯樹脂、壓克力樹脂、環氧樹脂、聚苯乙 烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共重合體樹脂、聚乙烯樹脂、聚 丙烯樹脂、矽系列樹脂、氟素系列樹脂、A B S樹脂、尿 素樹脂等，而可採用具有優良成型性、光學特性、以及低 成本之聚碳酸酯樹脂及壓克力樹脂。 此外，透明基板1之厚度採用適合於記錄再生裝置之 光學系統，例如，焦點距離，數値孔徑（N A )，記錄或 再生波長等等之厚度來決定。具體而言，於採用聚碳酸酯 樹脂之C D — R W中最好是於1 · 1 m m〜1 . 3 m m的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一 ~— -13-
A --------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 579516 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（彳彳） 範圍，於採用聚碳酸酯樹脂之D V D最好是於 〇 . 5 m m〜0 _ 7 m m的範圍。 做爲記錄層3之相變化材料，可採用合金系列之材料 ，例如 GeTe、GeTeSe 、GeTeS、 GeSeSb、GeAsSe、InTe、SeTe、 SeAs、Ge-Te-(Sn，Au，Pd)、 GeTeSeSb、GeTeSb、AgInSbTe o 各合金之組成比則藉由記錄線速度加以最適化。此外，亦 可於以上述元素爲主成分之合金系列將任意之元素做爲不 純物加以混入，做爲混入之不純物，可列舉出B、N、C 、〇、Si、P、S、Se、Al、Ti、Zr、V、 Mn、Fe、Co、Ni 、Cr、Cu、Zn、Sn、 P d、P t 、A u。 尤其是於記錄層3上採用AgInSbTe之情況下 ，因爲藉由記錄所形成之安定相（結晶相）與準安定相（ 非結晶相）之交界相當明顯，對於採用標記邊緣（Mark Edge )記錄方式之記錄方式極爲適合，藉由添加微量之N 做爲不純物，可使記錄線速度之界限變得較廣。 此外，於採用A g I n S b T e之情況下，將其構成 元素之組成比採用原子百分比α，/3，r，5，以 Aga I n/3Sb r*T e 5來表示之情況下，較佳者爲 1 ^ α ^ 5 . 0 2.〇^^^1〇.〇 60. Ο^τ^δΟ.Ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14- 579516 A7 _ B7 五、發明説明（12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 10.0^5^40.0 97^a + /3 + r + 5^100 之範圍，而更好則是爲 〇 . 1 ^ α ^ 2 . 0 3.0^/3^8.0 65-0^7^75.0 15.0^5^30.0 97^^ + ^ + 7 + 5^100 之範圍，可使4 · 8 m/ s以上之記錄線速度變得良好。 記錄層3藉由真空成膜法來層積。做爲真空成膜法可 舉出真空蒸著法、噴射法、離子電鍍法、C V D (化學氣相 沈積，Chemical Vapor Deposition)法等。尤其是從生產性及 低成本來看，最好是使用噴射法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，記錄層3之膜厚有必要從比熱、相變化溫度等 之熱之特性與折射率等之光學特性中加以最適化，最好是 於1 0 n m〜5 0 n m之範圍。而爲了以低能量使容易引 起相變化，最好是於1 〇 n m〜3 0 n m之範圍。此外， 於本實施形態之相變化型光資訊記錄媒體中，藉由設定於 1 3 n m〜2 3 n m之範圍以使達到良好之寫入特性，最 好是於此範圍。 第1保護層2與第2保護層4具有記錄層3之保護功 能°第1保護層2與第2保護層4之材料可用共同材料亦 可用不同材料，可從適合光學特性及熱特性之材料中加以 選擇。具體而言，做爲材料可舉出，S i〇2、S i〇、 本紙張尺度適用中國國篆完準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -15- 579516 A7 ______ B7 _ 五、發明説明（13 )
Zn〇、Sn〇2、Ti〇2、 In2〇3、Mg〇、 zr〇2等之氧化物，Si3N4、AlN、TiN、BN 、ZrN等氮化物，ZnS、 In2S3、TaS4等硫化 物、3丄〇、丁3〇：、：64(：、1\¥(：、丁1〇、21'(：等 碳化物或是鑽石狀碳元素，可採用這些介電質單體或是2 種以上之混合物。 第1保護層2與第2保護層4採用真空成膜法來層積 。做爲真空成膜法可舉出真空蒸著法、噴射法、離子電鍍 法、C V D法等。尤其是從生產性及低成本來看，最好是 使用噴射法。 此外，第1保護層2之膜厚最好是於5 0 n m〜 1 5 0 n m之範圍。藉由此，可防止於進行重複記錄之際 .所產生之熱的破壞影響基板。此外，藉由設定於7 0 n m 〜1 Ο 0 nm之範圍，不僅可防止上述破壞，還可使材料 節省及成膜時間之縮短。 此外，第2保護層4之膜厚藉由設定於5 nm〜5 0 n m之範圍，使作用於記錄層3之能量轉換至記錄層3之 溫度上升，再藉由設定於1 0 nm〜4 0 nm之範圍，可 使被採用於一般之光碟用記錄裝置之照射用雷射之輸出範 圍之3 0 m W以內達到相變化。 反射層5具有於記錄再生光之反射及記錄時所發生之 熱加以散熱之功能，其材料可採用金屬及合金。例如， 好是Ag、Au、Al或是於這些金屬上將Ti 、si 、 C r、T a、Cu、Pd、C等加入一種以上加以混合之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) _ ι6· '^ -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} L·. '4—--^訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 579516 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（14) 合金。若考慮熱特性，光學特性及生產性，則最好採用以 A 1爲主成分之合金。合金之組成及反射層5之膜厚可任 意設定，最好是從熱特性及光學特性來最適化。 反射層5之膜厚藉由設定於8 0 nm〜3 0 0 nm之 範圍，因爲不僅可將於記錄時作用於記錄層附近之能量有 效率的散發出，還可於資訊再生之際得到1 〇 %以上之媒 體反射率，因此可得到高S N比之相變化型光資訊記錄媒 體。而藉由設定於1 0 0 n m〜2 0 0 n m之範圍，可將 媒體之熱容量設定於最適範圍，並將重複記錄之特性保持 良好。 而做爲反射層5之光學特性，反射率極重要，薄膜上 之反射率最好爲9 0 %以上。 爲了對應於目前之主流之CAV(定常角速度，Constant Angular Velocity)記錄，因爲CAV記錄中之可記錄區域爲 Φ5 Omm〜Φ 1 2 6mm，於假定最低記錄線速度（最 內周）爲Vi，最高記錄線速度（最外周）爲V2之際，有 必要使· 5。此外，爲了對應於CD — RW 之4倍速以上之記錄，有必要使v i ^ 4 · 8 m/ s。 再者，關於Φ 1 2 0mm之CD系統之光碟及DVD 光碟之包含讀入區及讀出區之區域（可記錄區域），爲了 可進行CAV記錄，最好使v2/Vl^2 . 5。 此外，記錄功率P w最好是以各個記錄線速度進行記 錄之際之初期波形跳動爲最小之方式來決定，而消去功率 P e最好是以改寫（寫入）後之波形跳動爲最小之方式來 本紙張尺度適用巾關家辟（(：叫》4祕（21(^297公釐) " -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 579516 A 7 B7 五、發明説明（15 ) 決定。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，於設定讀出之際之最高反射率爲I t。p，最低 反射率爲I b。t，線速度v之調製度爲I ( V )之際，而 以 I (v) = (It〇p (v) — Ib0t (v) ) / It〇p( v )來表示，且最低記錄線速度v i之調製度爲i (Vi) ，最高記錄線速度v 2之調製度爲I ( v 2 )之際，I ( V2) /1 (V!)最好爲1 · 0〜1 · 2之範圍內。 此外，於準C D - R W之光資訊記錄媒體之情況下， 因爲可以以市售之驅動裝置來加以再生，最好是I t。P ( v ) 20.15，1^0-0.55。 將所記錄之資訊加以再生之際則採用再生裝置。再生 是藉由以集中之光束於媒體上掃描來進行。此外，資訊之 檢測則是藉由，針對媒體之局部之反射率變動（記錄標記 之有無之反射率變動）所反射回之光線之強度加以檢測來 進行。亦即，媒體之反射率是藉由所反射回之光線之測定 強度來觀察。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於相變化型光資訊記錄媒體之情況下，因爲記錄標記 是做爲非結晶部被加以記錄，因此比起其他區域，記錄標 記部之反射率較低。因爲記錄標記與再生光之光束直徑相 比一般是較小，因此藉由記錄標記之大小所觀察之反射率 I將會變動。於藉由調製標記長來調製之情況下，讀出最 長之記錄標記之反射率爲最低，將該反射率設定爲I b。t 。此外，將不具標記之區域設定爲紋間表面之情況下，讀 出最長之記錄標記之反射率爲最高，將該反射率設定爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 18 - 579516 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 __ 五、發明説明（16) I t ο p ° 這些I b Q t及I t。P依存於記錄時之速度v。以記錄 速度v進行記錄之際之調製度I (v)是以I (v) = ( ItQP (V) — IbQt (V) )/ltQP (v)來表不。 爲了得到媒體之磁軌精密度及高S / N比，I t。P最 好爲1 Ο %以上。更佳爲1 3 %以上，若是爲準C D -R W規格之光碟的話，則最好爲1 5 %以上。因爲可藉由 提高調製度I (v)來提高媒體之S/N比，雖然可設定 較高，但是若太高的話，因爲媒體之平均反射率（幾乎相 當於I t。p及I b。t之平均）會變低，所以並不適合設太 高。因此，做爲適切之範圍，爲0·3〜0.8之範圍， 若是爲準C D - R W規格之光碟的話，則最好爲0 · 5 5 .〜0 · 7 0之範圍。【發明之效果】： 如以上之說明，於本發明之相變化型光資訊記錄媒體 中，因爲於假定最低記錄線速度爲v i，最高記錄線速度爲 v 2，以及讀出時之調製度I ( v )之際，I ( v 2 ) / I (v i )之値爲1至1 · 2之範圍內，因此可得到於低線速 至高線速之廣泛範圍中之良好記錄再生特性。【圖面之簡單說明】： 第1圖係爲顯示本發明之實施形態之相變化型光資訊 記錄媒體之剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 579516 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（17 ) 第2圖係爲顯示實施形態之3 T紋間表面波形跳動特 性之說明圖。 第3圖係爲顯示實施形態之3 T凹坑波形跳動特性之 說明圖。 第4圖係爲顯示針對本實施形態之記錄層膜厚之調製 度的依存性之說明圖。 第5圖係爲顯示針對本實施形態之記錄層膜厚之3 T 紋間表面波形跳動特性之說明圖。 【圖號說明】： 1 :透明基板 2 :第1保護層 3 :記錄層 4 :第2保護層 5 :反射層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -20 -

Claims (1)

  1. 579516 ABCD 7、申請專利範圍 第90 1 20044號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年12月18日修正 1、 一種於透明基板上依序沈積第1保護層、記錄層 、第2保護層、以及反射層所形成之相變化型光資訊記錄 媒體，其特徵爲：於假定最低記錄線速度爲v i，最高記錄 線速度爲v 2，以及讀出時之調製度I ( v )之際，I ( V 2 ) / I (Vi)之値爲1至1 · 2之範圍內。 2、 如申請專利範圍第1項之相變化型光資訊記錄媒 體，其中，上述最低記錄線速度v 1與上述最高記錄線速度 V2 之比爲 V2/vi^2 · 5。 3、 如申請專利範圍第1項或第2項之相變化型光資 訊記錄媒體，其中，上述最低記錄線速度v i爲在4 . 8 m / s以上、1 4 · 4 m/ s以下之範圍內。 4、 如申請專利範圍第3項之相變化型光資訊記錄媒 體，其中，上述最高記錄線速度V2爲在12 · 〇m/s以 上、28 . 8m/s以下之範圍內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5、 如申請專利範圍第1 、2或4項之相變化型光資 訊記錄媒體，其中，上述記錄層以Ag I nSbTe爲主 成分。 6、 如申請專利範圍第1、2或4項之相變化型光資 訊記錄媒體，其中，上述記錄層以Ag I nSbTe爲主 成分，並添加N。 7、 如申請專利範圍第1、2或4項之相變化型光資 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） Γ7Ι 一 579516 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 訊記錄媒體，其中，上述記錄層之膜厚爲於1 3 n m以上 ，2 3 n m以下之範圍。 ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠）
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