JP3859522B2 - 光記録媒体への情報記録方法及び光記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体への情報記録方法及び光記録媒体に関し、特に、記録層が相変化材料からなる光記録媒体への情報記録方法及び記録層が相変化材料からなる光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、CDやDVDに代表される光記録媒体が広く利用されており、そのデータ記録方式としては、記録すべきデータをトラックに沿った記録マークの長さに変調するという方式が広く用いられている。例えば、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体の一種であるDVD−RWにおいては、3T〜11T及び14T(Tは1クロック周期)に対応する長さの記録マークが用いられ、これによってデータの記録が行われる。
【0003】
このような記録マークの形成においては、レーザービームが光記録媒体のトラックに沿って照射され、これによって光記録媒体内の相変化材料からなる記録層に所定の長さを持ったアモルファス領域が形成され、これが記録マークとして用いられる。記録層のうちアモルファス状態でない部分は結晶状態となっている。
【0004】
記録層に記録マークを形成する場合、記録層に照射するレーザビームのパワーを十分に高いレベル(記録パワーPw)に設定することによって記録層を融点を超える温度に加熱し、その後、レーザビームのパワーを十分に低いレベル(基底パワーPb)に変化させることによって記録層を急冷する。これにより、相変化材料が結晶状態からアモルファス状態に変化し、記録マークが形成される。一方、既に形成された記録マークを消去する場合、記録層に照射するレーザビームのパワーを記録パワーPw以下、基底パワーPb以上のレベル(消去パワーPe)に設定することによって記録層を結晶化温度以上に加熱し、徐冷する。これにより、相変化材料がアモルファス状態から結晶状態に変化し、記録マークが消去される。したがって、レーザビームのパワーを記録パワーPw、消去パワーPe、基底パワーPbからなる複数のレベルに変調することによって、記録層の未記録領域に記録マークを形成するだけでなく、既に記録マークが形成されている領域にこれと異なる記録マークを直接上書き(ダイレクトオーバーライト)することが可能となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
消去パワーPeの最適なレベルは、主に、記録層を構成する相変化材料の組成に依存するため、記録層を構成する相変化材料の組成が異なれば、最適な消去パワーPeのレベルも異なることが一般的である。このため、光記録媒体の設計にあたっては、実際の消去パワーPeのレベル設定に際して、試作した光記録媒体の同一トラックに対し、消去パワーPeを種々のレベルに設定して実際に複数の記録マークからなる混合信号を複数回上書きし、記録マーク間(ブランク領域)の反射率が飽和するレベルに基づいて消去パワーPeの最適レベルが設定される。
【0006】
しかしながら、本発明者が鋭意研究を行った結果、上述した方法により最適化した消去パワーPeを用いた場合、記録時における線速度(記録線速度)によっては、上書きしたデータのジッタが必ずしも良好でないことが判明した。したがって、ある記録線速度では良好なダイレクトオーバーライト特性を得ることができる一方で、別の記録線速度では良好なダイレクトオーバーライト特性が得られないという問題が生じていた。
【0007】
したがって、本発明の目的は、良好なダイレクトオーバーライト特性を得ることが可能な光記録媒体への情報記録方法、並びに、このような光記録媒体を提供することである。
【0008】
また、本発明の他の目的は、複数の線速度での記録において良好なダイレクトオーバーライト特性を得ることが可能な光記録媒体への情報記録方法、並びに、このような光記録媒体を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者の研究によれば、全く同じ組成を有する記録層であっても、消去パワーPeと記録マーク間(ブランク領域)の反射率との関係は、線速度によって大きく変化することが判明した。
【0010】
図1は、低線速時における消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係を模式的に示すグラフであり、光記録媒体の同一トラックに対し、消去パワーPeを種々のレベルに設定して複数の記録マークからなる混合信号を複数回上書きした後における記録マーク間の反射率を示している。
【0011】
図1に示す領域▲1▼は、消去パワーPeが弱すぎるため記録層の温度が十分に結晶化温度に到達せず、このためアモルファスの状態が多く残存する領域である。したがって、実際の消去パワーPeをこの領域に設定すると消去が不完全となってしまう。また、図1に示す領域▲2▼は、記録層の温度が結晶化温度に達し、アモルファス状態となっていた部分のほぼ全てが結晶化する領域である。したがって、実際の消去パワーPeをこの領域に設定すると、記録マークを固相消去することが可能となる。さらに、図1に示す領域▲4▼は、記録層の温度が融点に達し、アモルファス状態となっていた部分のほぼ全てが結晶化する領域である。したがって、実際の消去パワーPeをこの領域に設定すると、記録マークを溶融消去することが可能となる。
【0012】
また、図1に示す領域▲3▼は領域▲2▼と領域▲4▼の間に存在し、記録層の温度が部分的に融点に達して、アモルファス状態となっていた部分のほぼ全てが結晶化する領域である。したがって、実際の消去パワーPeをこの領域に設定すると、記録マークを固相消去と溶融消去の中間的なモードで消去することが可能となる。
【0013】
消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係が図1に示すような関係となる線速度(低線速)でダイレクトオーバーライトを行う場合、実際の消去パワーPeを領域▲2▼〜領域▲4▼内に設定することにより良好なジッタを得ることができる。
【0014】
図2は、高線速時における消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係を模式的に示すグラフであり、図1と同様、光記録媒体の同一トラックに対し、消去パワーPeを種々のレベルに設定して複数の記録マークからなる混合信号を複数回上書きした後における記録マーク間の反射率を示している。
【0015】
図2に示すように、記録線速度が高い場合、領域▲3▼において記録マーク間の反射率が低下していることが分かる。ここで、領域▲3▼のうち、消去パワーPeの増大にしたがって記録マーク間の反射率が低下する領域を領域▲3▼−A、消去パワーPeの増大にしたがって記録マーク間の反射率が上昇する領域を領域▲3▼−Bと定義した場合、本発明者の研究によれば、実際の消去パワーPeを領域▲3▼−Aに設定することにより最も良好なジッタが得られることが判明した。その理由は必ずしも明らかではないものの、領域▲3▼−Aは消去パワーPeにより記録層が溶融し始める領域であり、高線速時の固相消去(領域▲2▼)では不十分であった記録マークの消去が溶融によって十分に消去されるためであると考えられる。
【0016】
本発明は、かかる技術的知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、レーザビームを照射することによって、相変化材料を含む記録層を備えた光記録媒体に情報を記録する方法であって、前記記録層への前記レーザビームの照射位置を連続的に移動させ、前記レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調し、これによって、前記記録層に複数の記録マークを形成する工程を含み、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率に近づく領域内のレベルに設定されていることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法によって達成される。
【0017】
本発明によれば、速い線速度で情報の記録を行う場合に良好なダイレクトオーバーライトを得ることができることから、形成された記録マークのジッタを良好な値とすることが可能となる。
【0018】
本発明の好ましい実施態様においては、前記複数のパワーレベルが、前記消去パワーよりも高レベルである記録パワー及び前記消去パワーよりも低レベルである基底パワーを含んでいる。
【0019】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光記録媒体がHigh to Low型であり、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が低下する領域内のレベルに設定されている。
【0020】
本発明の前記目的はまた、レーザビームを照射することによって、相変化材料を含む記録層を備えた光記録媒体に情報を記録する方法であって、前記記録層への前記レーザビームの照射位置を連続的に移動させ、前記レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調し、これによって、前記記録層に複数の記録マークを形成する工程を含み、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大によって、前記記録マーク間の反射率が実質的に変化しない領域内のレベルよりも高く、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率から遠ざかる領域内のレベルよりも低いレベルに設定されていることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法によって達成される。
本発明の好ましい実施態様においては、前記光記録媒体がHigh to Low型であり、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が上昇する領域内のレベルよりも低いレベルに設定されている。
【0021】
本発明の前記目的はまた、レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調することによって、相変化材料からなる記録層に記録マークを形成する光記録媒体への情報記録方法であって、同じ光記録媒体に対し、前記消去パワーを所定のレベル以上に設定すると、前記記録マーク間の反射率が実質的に飽和する線速度である第1の線速度で情報の記録を行う場合には、前記消去パワーを、前記記録マーク間の反射率が第1の値となる第1のレベルに設定し、前記第1の線速度よりも速く、前記消去パワーの増大にしたがって、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率に近づく領域が現れる線速度である第2の線速度で情報の記録を行う場合には、前記消去パワーを、前記記録マーク間の反射率が前記第1の値よりも前記記録マークの反射率に近い第2の値となる第2のレベルに設定して、前記記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法によって達成される。
【0022】
本発明によれば、光記録媒体に対してマルチスピード記録を行うことが可能となる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【0029】
図3は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体10の構造を概略的に示す断面図であり、本発明をDVD型の光記録媒体に適用した場合における構造を示している。尚、後述するように、本発明にかかる光記録媒体、並びに、本発明にかかる情報記録方法が適用される光記録媒体としては、図3に示したDVD型の光記録媒体に限定されるものではなく、他の構造を有する光記録媒体であっても構わない。
【0030】
図3に示すように、本実施態様にかかる光記録媒体10は、光透過性基板11と、光透過性基板11上に設けられた第1の誘電体層12と、第1の誘電体層12上に設けられた記録層13と、記録層13上に設けられた第2の誘電体層14と、第2の誘電体層14上に設けられた反射層15と、反射層15上に設けられた保護層16と、接着層(図示せず)を介して保護層16上に設けられたダミー基板17とによって構成され、光記録媒体10の中央部分には孔18が設けられている。このような構造を有する光記録媒体10に対しては、光透過性基板11側からレーザビームを照射することによってデータの記録/再生が行われる。
【0031】
光透過性基板11は、レーザビームの入射面を構成し、その厚さとしては約0.6mmに設定される。光透過性基板11の表面(入射面とは反対側の面)には、プリグルーブが設けられる。また、光透過性基板11の材料としては特に限定されず、ポリカーボネートを用いることができる。
【0032】
第1の誘電体層12は、主に、その上方に形成されている記録層13に対する保護層としての役割を果たし、その厚さとしては40〜250nmに設定することが好ましい。第1の誘電体層12の材料としては特に限定されず、SiO2、Si3O4、Al2O3、AlN、TaO、ZnS等、Si、Al、Ta、Znの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物を用いることができる。
【0033】
記録層13は、相変化材料によって構成され、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なることを利用してデータの記録が行われる。記録層13のうち結晶状態となっている部分をアモルファス状態に変化させるためには、光透過性基板11側から照射されるレーザビームを記録パワーPwから基底パワーPbまでの振幅を有するパルス波形とすることによって記録層13を融点以上の温度に加熱し、その後、急冷する。これにより、記録パワーPwによって溶融した領域がアモルファス状態に変化し、これが記録マークとなる。一方、記録層13のうちアモルファス状態となっている部分を結晶状態に変化させるためには、光透過性基板11側から照射されるレーザビームのパワーを消去パワーPeに設定することによって記録層13を結晶化温度以上に加熱する。これにより、消去パワーPeによって結晶化温度以上に加熱された領域は、その後徐冷されることから、当該領域が結晶状態に変化する。
【0034】
ここで、記録パワーPw、消去パワーPe及び基底パワーPbの関係は、
Pw>Pe≧Pb
に設定される。したがって、レーザビームのパワーを記録パワーPw、消去パワーPe及び基底パワーPbからなる複数のレベルに変調すれば、記録層13の未記録領域に記録マークを形成するだけでなく、既に記録マークが形成されている領域にこれと異なる記録マークを直接上書き(ダイレクトオーバーライト)することが可能となる。
【0035】
記録層13の具体的な材料としては、特に限定されるものではないがSbTe系材料を用いることが好ましい。SbTe系材料としてはSbTeのみでもよいし、添加物としてIn、Te、Ge等を加えたInSbTeGeやAgInSbTe、AgInSbTeGe等を用いることができる。記録層13の厚さとしては、10〜30nmに設定することが好ましい。
【0036】
第2の誘電体層14は、第1の誘電体層12と同様、主に、記録層13に対する保護層としての役割を果たし、その厚さとしては、5〜200nmに設定することが好ましく、特に、10〜30nmに設定することがより好ましい。第2の誘電体層14の材料としては特に限定されないが、SiO2、Si3O4、Al2O3、AlN、TaO、ZnS等、Si、Al、Ta、Znの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物を用いることが好ましい。
【0037】
反射層15は、光透過性基板11側から入射されるレーザビームを反射し、再び光透過性基板11から出射させる役割を果たし、その厚さとしては20〜400nmに設定することが好ましい。反射層15の材料としては特に限定されないが、AgやAlを主成分とする合金を用いることが好ましく、AuやPt等を用いることもできる。
【0038】
これら第1の誘電体層12〜反射層15は、スパッタリング法を用いて、光透過性基板11のプリグルーブが形成されている側の表面に形成することができる。
【0039】
保護層16は、反射層15を物理的に保護するために用いられ、その厚さとしては5〜50μmに設定することが好ましい。保護層16の材料としては特に限定されないが、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。
【0040】
ダミー基板17は、光記録媒体10に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その厚さとしては約0.6mmに設定される。ダミー基板17の材料としては特に限定されず、ポリカーボネートを用いることができる。ダミー基板17は、第1の誘電体層12〜保護層16が形成された光透過性基板11上に接着層(図示せず)を介して貼り合わせられ、これによって光記録媒体10が作製される。尚、接着層によって反射層15の保護が可能である場合、保護層16を省略することが可能である。接着層に用いる接着剤としては、特に限定されるものではないが、目的や用いる製法に応じ、ラジカル重合やカチオン重合によって硬化するアクリル樹脂を用いることができる。
【0041】
尚、図3に示す光記録媒体10は、本発明にかかる光記録媒体及び本発明にかかる情報記録方法が適用される光記録媒体の一例であり、本発明にかかる光記録媒体及び本発明にかかる情報記録方法が適用される光記録媒体としては、図3に示した構造を有する光記録媒体に限定されるものではなく、他の構造を有する光記録媒体であっても構わない。
【0042】
例えば、第1の誘電体層12〜保護層16が形成された光透過性基板11を2つ用意し、中間層を介してこれらを貼り合わせることによって作製される両面1層のDVD型光記録媒体に対して本発明を適用することも可能である。また、厚さ約1.1mmの光透過性基板11を用い、ダミー基板17を省いたCD型光記録媒体に対して本発明を適用することも可能である。さらに、厚みが約1.1mmであるダミー基板17側にプリグルーブを設け、光透過性基板11の代わりに非常に薄い(10〜300μm程度)光透過層を設けることによって作製される次世代型光記録媒体に対して本発明を適用することも可能である。
【0043】
次に、このような構成からなる光記録媒体10に対するデータの記録方法の概要について説明する。
【0044】
特に限定されるものではないが、本実施態様にかかる光記録媒体10へのデータの記録には、8,16変調方式を用いることができる。8,16変調方式においては、記録すべきデータが3T〜11T及び14T(Tは1クロック周期)に対応する長さの記録マークに変調される。尚、変調方式としては8,16変調方式に限定されず、他の変調方式、例えば、(1,7)RLLの変調方式によりデータの記録を行うことも可能である。
【0045】
次に、8,16変調方式を用いた場合における記録ストラテジの一例について説明する。
【0046】
図4は、3Tに対応する長さの記録マークを形成する場合の記録ストラテジの一例を示す図である。
【0047】
図4に示されるように、3Tに対応する長さの記録マークを形成する場合、レーザビームのパルス数は「1」に設定される。ここで、レーザビームのパルス数とは、レーザビームのパワーがPwまで高められた回数によって定義される。より詳細には、レーザビームが記録マークの始点に位置するタイミングを時刻tsとし、レーザビームが記録マークの終点に位置するタイミングを時刻teとした場合、時刻tsから時刻teまでの間に、レーザビームのパワーが一旦Pwとされ、次に、パワーPbとされる。ここで、時刻ts以前におけるレーザビームのパワーはPeに設定されており、時刻tsにおいてレーザビームの立ち上げが開始される。また、時刻teにおけるレーザビームのパワーはPeまたはPbに設定される。
【0048】
Tpulseの期間においては、光記録媒体10の記録層13は高いエネルギーを受けてその温度が融点を超え、Tclの期間においては、光記録媒体10の記録層13は急速に冷却される。これにより、光記録媒体10の記録層13には、3Tに対応する長さの記録マークが形成される。
【0049】
他の長さの記録マークを形成する場合も、上記3Tに対応する長さの記録マークを形成する場合と同様、記録用レーザビームのパワーがPw、Pe或いはPbに変調され、各々n−2(nはTの倍数であり、3〜11及び14の値をとる)の数のパルスによって所望の長さをもつ記録マークが形成される。
【0050】
次に、本実施態様における消去パワーPeの具体的な設定方法について説明する。
【0051】
上述のとおり、一般的な消去パワーPeの設定方法は、記録線速度に関わらず、記録マーク間(ブランク領域)の反射率が飽和するレベルに基づいて消去パワーPeの最適レベルを設定するというものである。しかしながら、かかる方法により設定された消去パワーPeを用いて設計された記録ストラテジによりダイレクトオーバーライトを行った場合、記録線速度によっては上書したデータのジッタが必ずしも良好ではないケースが存在する。本実施態様では、反射率が飽和するレベルに基づく消去パワーPeの設定とは異なる方法によって、上書したデータのジッタが最も良好となる値に消去パワーPeのレベルを設定することを目標とし、以下に述べる方法によって消去パワーPeの設定を行う。
【0052】
まず、消去パワーPeを所定のレベルに設定し、目的とする記録線速度にて光記録媒体10の同一のトラックに対し、複数の記録マークからなる混合信号を複数回上書きする。上書きの回数としては、DVD−RW規格書(DVD Specifications for Re-recordable Disk)のPart1(PHYSICAL SPECIFICATIONS)に記載された測定方法に則り、同一トラックに対して混合信号を10回記録することが好ましい。
【0053】
次に、当該トラックの反射率を測定し、得られた最も高い反射率(最高反射率)を当該消去パワーPeに対応する反射率と定義する。この場合、記録マークはアモルファス状態(低反射率)であることから、最高反射率は記録マーク間(ブランク領域)において検出されるはずである。
【0054】
このような作業を、記録線速度を固定した状態で種々の消去パワーPeを用いて行うことにより、消去パワーPeと最高反射率との関係が図1及び図2のいずれの関係を示しているかを判断する。その結果、消去パワーPeと最高反射率とが図1のような関係(固相消去される領域▲2▼から溶融消去される領域▲4▼に亘って反射率の変化がほとんどなく、領域▲2▼において反射率が実質的に飽和している場合)を示せば、消去パワーPeのレベルを領域▲2▼〜領域▲4▼に設定すればよい。逆に、消去パワーPeと最高反射率とが図2のような関係(固相消去される領域▲2▼と溶融消去される領域▲4▼との間の領域▲3▼において、反射率が実質的に低下する場合)を示せば、消去パワーPeのレベルを領域▲3▼−Aに設定すればよい。但し、消去パワーPeと最高反射率とが図1のような関係を示している場合、最高反射率の値のみからは領域▲2▼〜▲4▼の区別ができないことから、反射率が飽和するレベルよりもやや高いレベル(反射率が飽和するレベルの1.2倍〜1.85倍程度)に設定することが好ましい。
【0055】
したがって、同一の光記録媒体10に関し、消去パワーPeと最高反射率との関係を複数の記録線速度について測定し、第1の記録線速度においては上記関係が図1のような関係を示し、第2の記録線速度においては上記関係が図2のような関係を示した場合、当該光記録媒体10を第1の記録線速度で実際に使用する場合には消去パワーPeのレベルを領域▲2▼〜領域▲4▼内(第1の消去パワー)に設定し、第2の記録線速度で実際に使用する場合には消去パワーPeのレベルを領域▲3▼−A内(第2の消去パワー)に設定すれば、各記録線速度において良好なジッタを得ることが可能となる。すなわち、マルチスピードに対応した光記録媒体を提供することが可能となる。
【0056】
このようにして設定された消去パワーPeのレベルは、対応する記録線速度とともに「記録条件設定情報」として当該光記録媒体10内に保存することが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体10内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、ドライブによりかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて消去パワーPeを調整することが可能となる。したがって、例えば、ユーザが第1の記録線速度でのデータの記録を指示した場合には、ドライブ側において消去パワーPeが第1の消去パワーに調整され、ユーザが第2の記録線速度でのデータの記録を指示した場合には、ドライブ側において消去パワーPeが第2の消去パワーに調整される。
【0057】
記録条件設定情報としては、消去パワーPeのレベル及びこれに対応する記録線速度のみならず、光記録媒体10に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件(記録ストラテジ等)を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、記録層13にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、ドライブ内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することにより記録条件の特定を間接的に行うものであっても構わない。
【0058】
【実施例】
実施例1
図3に示した構造を有し、光透過性基板11が厚さ約0.6mmのポリカーボネートからなり、第1の誘電体層12が厚さ約80nmのZnS+SiO2からなり、記録層13が厚さ約15nmのAgInSbTeGeからなり、第2の誘電体層14が厚さ約20nmのZnS+SiO2からなり、反射層15が厚さ約120nmのAlを主成分とする合金からなり、保護層16が厚さ約5μmの紫外線硬化性樹脂からなり、ダミー基板17が厚さ約0.6mmのポリカーボネートからなる光記録媒体10−1を作製した。作製は、光透過性基板11のプリグルーブが設けられている側の表面に第1の誘電体層12〜反射層15をスパッタリング法により形成し、次に、反射層15上にスピンコート法により保護層16を形成し、そして、ダミー基板17を第1の誘電体層12〜保護層16が形成された光透過性基板11に貼り合わせることにより行った。
【0059】
このような光記録媒体10−1に対し、表1に示す条件のもと、消去パワーPeを所定のレベルに固定して、複数の記録マークからなる混合信号を所定のトラックに形成した。表1に示すように、記録線速度は、3.5m/sec(DVD等速)である。
【0060】
【表1】
次に、同じトラックに対して、複数の記録マークからなる混合信号を表1に示す条件で9回上書きし、その後、形成された混合信号のクロックジッタを測定した。測定においては、タイムインターバルアナライザにより再生信号の「ゆらぎ(σ)」を求め、σ/Tw(Tw:クロックの1周期)により算出した。
【0061】
このような混合信号の記録及びジッタの測定を種々の記録ストラテジを用いて行い、最も低いジッタが得られた記録ストラテジを特定した。
【0062】
次に、最も低いジッタが得られた記録ストラテジにより形成された混合信号が記録されているトラックの反射率を測定し、得られた最も高い反射率(最高反射率)を当該消去パワーPeに対応する反射率として定義した。最高反射率は、記録マーク間(ブランク領域)において検出された。
【0063】
このような作業を、記録線速度を3.5m/secに固定した状態で種々の消去パワーPeを用いて行い、各消去パワーPeに対応する最高反射率を測定した。
【0064】
図5は、記録線速度が3.5m/secである場合における消去パワーPeと最高反射率との関係を示すグラフである。図5に示すように、記録線速度が3.5m/secである場合、消去パワーPeが約4.5mW以上の領域では、最高反射率が実質的に飽和している。すなわち、消去パワーPeと最高反射率とが図1のような関係を示していることが分かった。
【0065】
図6は、記録線速度が3.5m/secである場合における消去パワーPeとジッタとの関係を示すグラフである。図6に示すように、記録線速度が3.5m/secである場合、消去パワーPeが約7mW(最高反射率が飽和するレベルの約1.56倍)である場合に最も低いジッタが得られている。
【0066】
以上より、記録線速度を3.5m/secに設定して光記録媒体10−1に対するデータの記録(ダイレクトオーバーライト)を行う場合、反射率が飽和するレベルよりもやや高いレベルに消去パワーPeを設定すれば、良好なダイレクトオーバーライト特性が得られることが確認された。
【0067】
実施例2
実施例1において用いたものと同じ光記録媒体10−1に対し、記録条件を表2に示す条件に変えた他は、実施例1と全く同じ方法を用いて各消去パワーPeに対応する最高反射率を測定した。表2に示すように、記録線速度は、7.0m/sec(DVD2倍速)である。
【0068】
【表2】
図7は、記録線速度が7.0m/secである場合における消去パワーPeと最高反射率との関係を示すグラフである。図6に示すように、記録線速度が7.0m/secである場合、消去パワーPeが約4mW〜約7mWの領域では最高反射率が実質的に変化していないが、消去パワーPeが約7mW〜約11mWの領域においては、消去パワーPeの増大に伴って最高反射率が低下し、消去パワーPeが約11mW以上の領域においては、消去パワーPeの増大に伴って最高反射率が上昇している。すなわち、消去パワーPeと最高反射率とが図2のような関係を示していることが分かった。
【0069】
図8は、記録線速度が7.0m/secである場合における消去パワーPeとジッタとの関係を示すグラフである。図8に示すように、記録線速度が7.0m/secである場合、低いジッタが得られる領域が2箇所出現していることが分かる。さらに、これら2つの領域のうち、消去パワーPeが低い側の領域(約5.5〜6.0mW)よりも、消去パワーPeが高い側の領域(約7.5〜9.5mW)の方がジッタが低く、消去パワーPeが8.5mW程度である場合に最も低いジッタが得られている。
【0070】
ここで、図7を参照すれば、最も低いジッタが得られた8.5mWの消去パワーPeは、消去パワーPeの増大に伴って最高反射率が低下する領域(領域▲3▼−A)に含まれていることが分かる。
【0071】
以上より、記録線速度を7.0m/secに設定して光記録媒体10−1に対するデータの記録(ダイレクトオーバーライト)を行う場合、消去パワーPeの増大に伴って最高反射率が低下する領域に消去パワーPeを設定すれば、良好なダイレクトオーバーライト特性が得られることが確認された。
【0072】
以上説明したように、本実施態様によれば、固相消去される領域と溶融消去される領域との間に記録マーク間の反射率が低い領域が出現するような線速度でデータの記録を行う場合、消去パワーPeの増大に伴って記録マーク間の反射率が低下する範囲内に消去パワーPeを設定し、記録ストラテジを設計していることから、良好なダイレクトオーバーライト特性を得ることが可能となる。
【0073】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【0074】
例えば、上記実施態様においては、記録マークの形成(アモルファス化)により光記録媒体の反射率が低下する、いわゆるHigh to Low型の光記録媒体に本発明を適用した例について説明したが、逆に、記録マークの形成により記録層の反射率が上昇する、いわゆるLow to High型の光記録媒体に本発明を適用することも可能である。この場合、図9に示すように、消去パワーPeを領域▲3▼−Aに設定すればよい。要するに、High to Low型の光記録媒体に本発明を適用する場合及びLow to High型の光記録媒体に本発明を適用する場合のいずれにおいても、消去パワーの増大にしたがって記録マーク間の反射率が記録マークの反射率に近づく領域内に、消去パワーを設定すればよい。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、良好なダイレクトオーバーライト特性を得ることが可能となる。
【0076】
また、書き換え型の相変化型光記録媒体においては良好なオーバーライト・シェルフ特性(記録済み部分における長期保存後の書き換え特性)が要求されるが、本発明においては、消去パワーの増大にしたがって記録マーク間の反射率が記録マークの反射率に近づく領域内に消去パワーを設定し、通常よりも消去パワーを高めていることから、高い線速度でダイレクトオーバーライトを行う場合においても、良好なオーバーライト・シェルフ特性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】低線速時における消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係を模式的に示すグラフである。
【図2】高線速時における消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係を模式的に示すグラフである。
【図3】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体10の構造を概略的に示す断面図である。
【図4】3Tに対応する長さの記録マークを形成する場合の記録ストラテジの一例を示す図である。
【図5】記録線速度が3.5m/secである場合における消去パワーPeと最高反射率との関係を示すグラフである。
【図6】記録線速度が3.5m/secである場合における消去パワーPeとジッタとの関係を示すグラフである。
【図7】記録線速度が7.0m/secである場合における消去パワーPeと最高反射率との関係を示すグラフである。
【図8】記録線速度が7.0m/secである場合における消去パワーPeとジッタとの関係を示すグラフである。
【図9】Low to High型の光記録媒体における高線速時の消去パワーPeと記録マーク間の反射率との関係を模式的に示すグラフである。
【符号の説明】
10 光記録媒体
11 光透過性基板
12 第1の誘電体層
13 記録層
14 第2の誘電体層
15 反射層
16 保護層
17 ダミー基板
18 孔
Claims (7)
- レーザビームを照射することによって、相変化材料を含む記録層を備えた光記録媒体に情報を記録する方法であって、
前記記録層への前記レーザビームの照射位置を連続的に移動させ、
前記レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調し、
これによって、前記記録層に複数の記録マークを形成する工程を含み、
前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率に近づく領域内のレベルに設定されていることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。 - 前記複数のパワーレベルが、さらに、前記消去パワーよりも高レベルである記録パワー及び前記消去パワーよりも低レベルである基底パワーを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体への情報記録方法。
- 前記光記録媒体がHigh to Low型であり、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が低下する領域内のレベルに設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光記録媒体への情報記録方法。
- レーザビームを照射することによって、相変化材料を含む記録層を備えた光記録媒体に情報を記録する方法であって、
前記記録層への前記レーザビームの照射位置を連続的に移動させ、前記レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調し、
これによって、前記記録層に複数の記録マークを形成する工程を含み、
前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大によって、前記記録マーク間の反射率が実質的に変化しない領域内のレベルよりも高く、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率から遠ざかる領域内のレベルよりも低いレベルに設定されていることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。 - 前記光記録媒体がHigh to Low型であり、前記消去パワーのレベルが、消去パワーの増大につれて、前記記録マーク間の反射率が上昇する領域内のレベルよりも低いレベルに設定されていることを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体への情報記録方法。
- レーザビームを少なくとも消去パワーを含む複数のパワーレベルに変調することによって、相変化材料からなる記録層に記録マークを形成する光記録媒体への情報記録方法であって、
同じ光記録媒体に対し、前記消去パワーを所定のレベル以上に設定すると、前記記録マーク間の反射率が実質的に飽和する線速度である第1の線速度で情報の記録を行う場合には、前記消去パワーを、前記記録マーク間の反射率が第1の値となる第1のレベルに設定し、前記第1の線速度よりも速く、前記消去パワーの増大にしたがって、前記記録マーク間の反射率が前記記録マークの反射率に近づく領域が現れる線速度である第2の線速度で情報の記録を行う場合には、前記消去パワーを、前記記録マーク間の反射率が前記第1の値よりも前記記録マークの反射率に近い第2の値となる第2のレベルに設定して、前記記録マークを形成することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。 - 前記光記録媒体がHigh to Low型であり、前記第2の線速度が、前記消去パワーの増大にしたがって、前記記録マーク間の反射率が低下する領域が現れる線速度であることを特徴とする請求項6に記載の光記録媒体への情報記録方法。
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