TW576951B - Photoresist polymer for top-surface imaging process by silylation and photoresist composition containing the same - Google Patents

Photoresist polymer for top-surface imaging process by silylation and photoresist composition containing the same Download PDF

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Cha Won Koh
Jae Chang Jung
Min Ho Jung
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Description

576951 A7 ^_B7___ 五、發明說明（丨） 背景 枝術領域· 用於甲矽烷作用的上部表面成像方法(TIPS)中之光阻 劑聚合物，及含其之光阻劑組成物。尤其是，關於一種光 阻劑聚合物’其可經由在曝光區域中選擇性提供保護基以 產生羥基並藉由反應羥基與甲矽烷劑來進行甲矽烷作用方 法，並關於含該光阻劑聚合物之光阻劑組成物。 背暑技藝的說明 薄層成像技術，如TIPS，對於使用低於193nm波長 之微影及使用特高紫外線(EUV)波長(例如，13 nm)之光學 微影而言，爲有效圖案化方法。 微影的一些習知限制包括基板對光(例如，反射，散射 ，繞射等)的影響，缺口，駐波效應，圖案破壞，臨界尺寸 (CD)之不均一性，孤立及群集偏壓(IG偏壓)及類似物。在 TIPS中，藉由在曝光區域中所生成之酸的擴散來進行形成 潛像(latent image)的淺曝光。曝光區域然後用甲矽烷劑以 選擇性甲矽烷化。經甲矽烷化區域可供作遮罩，而未甲砂 烷化之區域被經由02電漿以乾蝕刻。因此，TIPS需要一 種具有高能量吸收係數及在〇2電漿處理期間於蝕刻未甲砂 烷化區域中具有高選擇性之製程條件的光阻劑組成物。 TIPS罕被基板及電路佈局所影響。此外，Tips對透 明度’黏著性及光阻劑組成物之蝕刻選擇比例較不敏感。 tips亦在高解析度上比單層光阻劑(SLR)具有更廣聚焦深 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21Q x 297公爱） ——：---------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂il------線I 576951 A7 r__ _B7____ 五、發明說明（/ ) 度。因此，在一些方面，TIPS比一般光阻劑圖案方法具有 較多優點。 此外，在與SLR之濕顯影比較下，TIPS之乾顯影方 法可被應用到高對比比例的厚光阻劑程序中，而不會導致 圖案被破壞。此優點係適用於具有相當低蝕刻選擇比例之 基板，例如氧化物或金屬。結果，TIPS被認爲是SLR之另 一選擇。 揭露摘沭 揭示一種爲使用如KrF，ArF，VUV，EUV及E-束作 爲光源的甲矽烷作用的上部表面成像方法(TIPS)的光阻劑 (PR)聚合物，及其製備方法。 亦揭示一種包括先前所述之PR聚合物的光阻劑組成 物。 亦揭示一種使用所揭示之光阻劑組成物製造的半導體 元件。 圖式簡單說明 圖1爲說明根據本發明之TIPS的圖式； 圖2顯示在實施例3中所獲得的圖案； 圖3顯示在實施例4中所獲得的圖案；及 圖4顯示在實施例5中所獲得的圖案。 現今較佳具體實施例的詳細說明 下面揭示一種具有重複單元之光阻劑聚合物，其係用 5 尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ——：---------% (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
訂i-L------線I 576951 A7 --——_B7 _ -----—'—_ 五、發明說明（4 ) 於經由甲矽烷作用（TIPS)的上部表面成像方法中。在一方 面，重複單元由下式1所代表： 式1
其中乂！及x2分別爲ch2，CH2CH2，0或s ; Y爲線性或分枝(CrCw)烷撐或含醚鍵之烷撐； R爲酸不安定保護基； η爲0到2之整數；及 a:b:c:d:e:f 爲 20_40 莫耳 ％ : 0-20 莫耳 ％ : 20-70莫耳％ : 0-30莫耳％ : 0-20莫耳％ : 0-20莫耳％。 酸不安定保護基爲任何習知保護基，其可被酸取代’ 並具有防止被基團鍵結的化合物在鹼性顯影溶液中溶解之 功能。傳統酸不安定保護基被揭示於US 5,212,043 ( 1993 年 5 月 18 日），WO 97/33198 ( 1997 年 9 月 12 日），WO 96/37526 ( 1996 年 11 月 28 日），EP 0 794 458 ( 1997 年 6 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
576951 A7 __B7____ 五、發明說明（ϋ() 9 月 10 日），EP 0789 278 ( 1997 年 8 月 13 日）及 US 6，132,926 ( 2000年10月17日）。較佳酸不安定保護基爲 選擇自特丁基，四氫吡喃-2-基，2-甲基四氫吡喃-2-基，四 氫呋喃-2-基，2_甲基四氫呋喃_2_基，1-甲氧基丙基，1-甲 氧基-1_甲基乙基，1-乙氧基丙基，1-乙氧基-1-甲基乙基， 1·甲氧基乙基，卜乙氧基乙基，特丁氧基乙基，1-異丁氧 基乙基及2-乙醯基孟-1-基所組成之族群中。 較佳爲η是0，X爲CH2，Y是CH2CH2或 CH2CH2OCH2CH2，且 R 爲特丁基。 式1之重複單元可由包括下列步驟之方法來製備： (a) 聚合式5化合物與馬來酐以獲得下式2聚合物； (b) 反應式2聚合物與下式4之二醇化合物以獲得下式 3聚合物；及 (c) 反應式3聚合物與具有酸不安定保護基之化合物以 獲得羥基被部分保護的式1聚合物。 式2 (/ \)y 0=^ y^=〇 η 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ---------------------訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 576951 A7 B7 五、發明說明（ 式3
式4
OH-Y-OH ---------------------訂---------線‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 式
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 A7 _B7___ 五、發明說明（L ) 其中 X2 分別爲 CH2，CH2CH2，Ο 或 S ; Y爲線性或分枝(CrCw)烷撐或含醚鍵之烷撐； η爲0到2之整數； 在式2中，X : y爲20_40莫耳％ : 60-80莫耳％ ;及 在式3中，a:b:c:e:f爲20-40莫耳％ : 0-20莫耳 % : 20-80 莫耳％ : 0-20 莫耳％ : 0-20 莫耳％。 在前述步驟(a)中，聚合反應較佳在傳統有機溶劑中進 行，部份有機溶劑被揭示於US 5,212,043 ( 1993年5月18 日），WO 97/33198 ( 1997 年 9 月 12 日），WO 96/37526 (1996 年 11 月 28 日），EP 0 794 458 ( 1997 年 9 月 10 日），EP 0789 278 ( 1997 年 8 月 13 日）及 US 6，132,926 (2〇00年10月Π日），更佳爲選擇自由四輕呋喃，二甲 基甲醯胺，二甲亞碾，二噁烷，苯，甲苯，二甲苯，丙二 醇甲基醚醋酸酯及乙基乳酸酯所組成之族群中。此外，用 於結晶並純化聚合物之溶劑較佳爲選擇自由二乙基醚，石 油醚，低級醇（如甲醇，乙醇及異丙醇），水及其混合物 所組成之族群中。 式1聚合物的製備方法係由下列反應圖1所表示。然 而，反應圖1僅關於式1聚合物，其中η爲0。 9 -ϋ I n n -ϋ n ϋ »ϋ ϋ ϋ 1_1 I · ϋ ϋ ·ϋ H ϋ ϋ I w nm. a n i·— ϋ BB1 ϋ n n I _ 言 矣I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 A7 B7 五、發明說明（' ) 反應圖1
X0=O
---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，具有保護基之化合物較佳包括具有特丁基羧酸 酯，（CVC2G)烷基，（CVC20)芳基或((VC20)芳基乙烯基醚 之基團的化合物；且保護基較佳爲選自由特丁基，四氫D比 喃-2-基，2-甲基四氫吡喃-2-基，四氫呋喃-2-基，2-甲基四 氫呋喃-2-基，1-甲氧基丙基，1-甲氧基-1·甲基乙基，1-乙 氧基丙基，1-乙氧基-1-甲基乙基，1-甲氧基乙基，1-乙氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 A7 ____B7___ 五、發明說明（§ ) 基乙基，特丁氧基乙基，異丁氧基乙基及2_乙醯基孟-1-基所組成之族群中。 另一方面爲提供一種式3聚合物’其可作爲製備式1 光阻劑聚合物的中間物。 此外，亦揭示一種光阻劑組成物’其包括⑴式1光阻 劑聚合物；（ii)光酸產生劑，及(iii)有機溶劑。 能藉由光產生酸的任何習知光酸產生劑可以被用在本 發明之PR組成物。傳統光酸產生劑係揭示於US 5,212,043 (1993 年 5 月 18 日），W0 97/33198 ( 1997 年 9 月 12 日 )，W0 96/37526 ( 1996 年 11 月 28 曰），EP 0 794 458 (1997 年 9 月 10 日），EP 0789 278 ( 1997 年 8 月 13 日 )及 US 6，132,926 ( 2000 年 10 月 17 日）。 較佳光酸產生劑在157nm及193nm之波長中具有相當 低光吸收度。更佳地，光酸產生劑爲選擇自由肽醯亞胺基 三氟甲烷磺酸鹽，二硝基苄基甲苯磺酸鹽，正癸基二碾， 及荼基亞胺三氟甲烷磺酸鹽所組成之族群中。 光酸產生劑可進一步包括選自由二苯基碘六氟磷酸鹽 ，二苯基碘六氟砷酸鹽，二苯基碘六氟銻酸鹽，二苯基對-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺 酸鹽，二苯基對-異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，三苯基銃六 氟砷酸鹽，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸 鹽及二丁基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽所組成之族群中的化合 物。 所使用光酸產生劑之量爲光阻劑樹脂的0.1到10重量％。 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------- (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 訂- -------線』 576951 A7 _B7____ 五、發明說明（1 ) 有機溶劑可爲任何習知溶劑，其揭示於US 5,212,043 (1993 年 5 月 18 日），WO 97/33198 ( 1997 年 9 月 12 曰 )，WO 96/37526 ( 1996 年 11 月 28 曰），EP 0 794 458 ( 1997 年 9 月 10 曰），EP 0789 278 ( 1997 年 8 月 13 日） 及 US 6，132,926 ( 2000 年 10 月 17 曰）。 適用於本發明之PR組成物的示範性有機溶劑包括乙 基3-乙氧基丙酸酯，甲基3-甲氧基丙酸酯，環己酮，丙二 醇甲基醚醋酸酯，正庚酮及乙基乳酸酯。 所使用溶劑之量較佳爲PR聚合物的約300重量％到約 1500重量％範圍內。已發現當光阻劑被塗覆於合適生產半 導體元件之基板（如矽晶圓）上時，此比例會特別適用於 獲得所欲厚度的光阻劑層。特別是，本發明人發現當有機 溶劑之量爲光阻劑聚合物的約800重量％，可獲得具有 0·3μιη厚度的光阻劑組成物層。 又一方面爲提供一種形成光阻劑圖案之方法，包括下 列步驟： (a) 塗覆光阻劑組成物到半導體元件之基板上以形成光 阻劑膜； (b) 使用光源選擇性曝光該光阻劑膜； (c) 施加甲矽烷劑到反應產物上以在該經曝光光阻劑膜 之曝光表面上產生甲矽烷化層；及 (d) 使用甲矽烷化層作爲鈾刻遮罩以蝕刻未經曝光光阻 劑膜。 基板較佳在步驟⑷前用六甲基二矽胺烷[HMDS: 12 本尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公楚） '' ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 576951 A7 __ B7____ 五、發明說明（) (CH3)3Si-NH_Si(CH3)3]預先處理。預處理改良基板及光阻 劑組成物之間的黏著性。 在曝光步驟中，經由曝光遮罩之光穿透係選擇性僅在 曝光區域上產生光阻劑光化學反應，因此維持具有先前生 成圖案之重疊精確度。 用於形成光阻劑圖案之方法可進一步包括在曝光步驟 (b)之前及/或之後的烘烤步驟。較佳地，烘烤步驟在約70 到約200°C的溫度範圍內進行。在曝光前的軟烘烤步驟係 藉由蒸發光阻劑組成物中的約80到約90%的溶劑以轉移光 阻劑組成物到固態類型的光阻劑膜中。 預甲矽烷作用烘烤(PSB)步驟是在曝光之後進行。預甲 矽烷作用烘烤步驟會導致溶解度的差異，其是因爲在光阻 劑樹脂及因曝光產生的酸(H+)之間所發生的化學反應所導 致。亦即，光阻劑聚合物的保護基在PSB步驟中去質子化 ，且因此羥基被選擇性產生在曝光區域中。因此，甲矽烷 作用主要在曝光區域中進行，及因此在乾蝕刻之後形成負 型圖案。 適合於形成PR圖案之示範性光源包括ArF，KrF， VUV，EUV，E-束，X-射線及離子束。照射能量較佳在約 1到約50mJ/cm2之範圍內。 用於甲矽烷作用方法中的甲矽烷劑爲選擇自由六甲基 二矽胺烷(HMDS)，四甲基二矽胺烷(TMDS)，雙(二甲基胺 基）二甲基矽烷，雙（二甲基胺基）甲基矽烷[B(DMA)MS]， 二甲基甲矽烷基二甲基胺，二甲基甲矽烷基二乙基胺，三 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------線‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 576951 A7 _____JB7__ 五、發明說明（V\ ) 甲基甲矽烷基二甲基胺，三甲基甲矽烷基二乙基胺及二甲 基胺基五甲基二矽烷。甲矽烷劑可被用在液相中，或較佳 在氣相中。 在甲矽烷方法中，傾相信甲矽烷劑擴散並穿透到光阻 劑樹脂中。存在於光阻劑樹脂中之羥基與甲矽烷劑反應以 形成矽酮-氧鍵。當加入熱能或溼氣(H20)時，甲矽烷劑可 容易擴散。因此，甲砂院作用及乾顯影方法較佳在單一室 中進行。 在另一具體實施例中，使用先前所述之光阻劑組成物 製造的半導體元件。 本發明將藉由與下列有關，而不意圖爲限定用的實施 例以更詳細說明。 I.光阻劑聚合物的製備 實施例1 (步驟Π聚（原冰片烯/馬夾酐）的合成 在50毫升四氫呋喃中，加入0·2莫耳原冰片烯，0·2 莫耳馬來酐及0.4克AIBN。所得混合物於67°C下反應歷 時24小時。此後，聚合物被沉澱並在石油醚/醚（1/1 )溶 液中過濾以獲得式2聚(原冰片烯/馬來酐），其中η爲0且 乂1爲 CH2 (產率：65%)。 (步驟2)聚冰片烯/二羥某乙基fumalate)的合成 在300毫升無水乙二醇(HO_CH2CH2-OH)中加入在步 驟1中所製備的19.2克聚(原冰片烯/馬來酐)及〇·1毫升硫 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------- (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) 訂---------線』 576951 A7 ____B7___ 五、發明說明（7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸。所得混合物於150°c下反應歷時10小時。在冷卻所得 溶液之後，加入100毫升水。此後，酯化聚合物被沉澱、 過濾及乾燥以獲得式3聚(原冰片烯/二羥基乙基fumalate) ，其中η是0，又1是CH2，且Y爲CH2CH2(產率：96%)。 (步驟3)羥某的保護 在50毫升二甲基甲醯胺中加入在步驟2中所製備的 10克化合物，及20克二特丁基二碳酸酯，且所得混合物 於室溫下反應歷時12小時。此後，聚合物被沉澱並純化於 己烷中以獲得式1聚合物，其中η爲0，Xi是CH2，Y爲 CH2CH2，且R爲特丁基(產率·· 97%) 〇 實施例2 線； (步驟1)聚(原冰片烯/二羥基乙氧基乙基fumalate)的合成 在 300 毫升無水二乙二醇(HO_CH2CH2OCH2CH：r〇H) 中加入在實施例1步驟1中所製備的19.2克聚(原冰片烯/ 馬來酐)及0.1毫升硫酸。所得溶液於150。(：下反應歷時10 小時。此後，在冷卻所得溶液之後，加入100毫升水。酯 化聚合物被沉澱、過濾及乾燥以獲得式3聚(原冰片烯/二 經基乙氧基乙基fumalate)，其中η是0，X!是CH2，且Y 爲 CH2CH2OCH2CH2(產率：94%)。 (步驟2)羥基的保護 在50毫升二甲基甲醯胺中加入在實施例2步驟1中所 製備的10克化合物，及20克二特丁基二碳酸酯，且所得 15 本尺度適时關家鮮（CNS)A4規格（210 X 297公t ) " — 576951 A7 _ B7____ 五、發明說明（〇 ) 溶液於室溫下反應歷時12小時。此後’聚合物被沉澱並純 化於己烷中以獲得式1聚合物，其中n爲0，χι是CH2，γ 爲 CH2CH2OCH2CH2，且 R 爲特丁基(產率：97%)。 II光阻劑組成物的製備及圖案的形成 實施例3 在100克丙二醇甲基醚醋酸酯中加入在實施例1中製 備的聚合物（10克），齡：醯亞胺基三氟甲烷磺酸鹽（〇·06克 )及三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽（〇·〇6克）。所得混合物被 攪拌並經由20μηι過濾器過濾以獲得光阻劑組成物。 光阻劑組成物被塗覆於矽晶圓上以形成光阻劑薄膜。 薄膜於烘箱或130°C之熱板上軟烘烤歷時90秒’使用ArF 曝光機曝光，並於13(TC下後烘烤歷時90秒，並於2·38 重量％ΤΜΑΗ水溶液中顯影以獲得ll〇nm L/S圖案（參見 圖2 )。 實施例4 在丙二醇甲基乙基醋酸酯（100克)中加入在實施例1中 製備的聚合物（10克），酞醯亞胺基三氟甲烷磺酸鹽（〇·〇6 克）及三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽（〇·〇6克）。所得溶液經 由20μιη過濾器過濾以獲得光阻劑組成物。 爲了評估用TIPS的L/S圖案，光阻劑組成物被旋轉塗 覆於裸晶圓上有約3000A，並在100QC下軟烘烤歷時60秒 。在烘烤之後，使用ISI ArF步進機(ΝΑ=0·6, Off-axis)將 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 576951 A7 ______Β7 __ 五、發明說明（Y(V) 光阻劑曝於光下。此後，使用氣相四甲基二矽胺烷於 100°C進行甲矽烷作用歷時210秒。另一方面，乾顯影包 括下述突破性方案：去除在曝光區域上之二氧化矽層；氧 氣電漿鈾刻及蝕刻光阻劑之過蝕刻。該顯影在35SCCm〇2 ’ 500W上部電力，100W底部電力，75W偏電壓，-30°C 及5mtorr之條件下進行。在乾顯影之後，獲得110nmL/S 圖案(參見圖3)。 實施例5 在丙二醇甲基乙基醋酸酯（1〇〇克）中加入在實施例2中 製備的聚合物（10克），肽醯亞胺三氟甲烷磺酸鹽(〇·〇6克) 及三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽（0.06克）。所得溶液經由 0·20μηι過濾器過濾以獲得光阻劑組成物。 在因此製備所得之光阻劑組成物上重複實施例4之步 驟以獲得ll〇nmL/S圖案(參見圖4)。 如較早討論，光阻劑組成物可被用於使用KrF，ArF， VUV(157nm)，EUV (13nm)或 E-束作爲光源的 TIPS 中。 再者，光阻劑組成物具有極佳解析度與黏著性，且因 此可避免在形成微細圖案時圖案破壞。 17 --- . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線
•I

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 公告本 、申請專利範圍 1、一種包括下式1重複單元之光阻劑聚合物， 式1
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中又！及x2分別爲選自由CH2，CH2CH2，0及S所 組成之族群中； γ爲CrCn烷撐或包括醚鍵之烷撐； R爲酸不安定保護基； η爲0到2之整數；及 a:b:c:d:e:f 爲 20_40 莫耳％ : 0_20 莫耳 ％ : 20-70莫耳。/〇 : 〇_30莫耳％ : 0-20莫耳％ : 0-20莫耳％。 2 '根據申請專利範圍第1項之光阻劑聚合物，其中酸 不安定保護基爲選擇自特丁基，四氫吡喃-2-基，2-甲基四 氫吡喃基，四氫呋喃-2-基，2-甲基四氫呋喃-2-基，1-甲 氧基丙基，1-甲氧基-1·甲基乙基，1-乙氧基丙基，1-乙氧 基-1-甲基乙基，1-甲氧基乙基，1-乙氧基乙基，特丁氧基 乙基，1-異丁氧基乙基及2-乙醯基孟-1-基所組成之族群中 〇 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 〜i A8 B8 C8 D8 六、 3、 爲0， 申請專利範圍 根據申請專利範圍第1項之光阻劑聚合物，其中η Χι 爲 CH2，Υ 爲 CH2CH2 或 CH2CH2OCH2CH2，且 R 舄特丁基。 4、一種製備光阻劑聚合物之方法，其包括： G)聚合式5化合物與馬來酐以獲得式2聚合物； (b)反應式2聚合物與式4之二醇化合物以獲得式3聚 &物；及 k)反應式3聚合物與具有酸不安定保護基之化合物以 基被部分保護的式1聚合物， 式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 A8 B8 C8 D8
    六、申請專利範圍 式 式4 OH-Y-OH 式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 X2 分別爲 CH2，CH2CH2，0 或 S ; Y爲CrCw烷撐或含醚鍵之烷撐； R爲酸不安定保護基； η爲0到2之整數； 在式 1，a ·· b : c : d ·· e : f 爲 20-40 莫耳％ ·· 0_20 莫耳 % : 20-70 莫耳％ : 0-30 莫耳。/〇 : 0_20 莫耳。/〇 ·· 0_20 莫耳。/〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在式2中，x : y爲2(M〇奠苴。/ ^ 吳耳/。： 60_80莫耳。/。；及 在式 3 中 a.b.c.e.f· 2〇_4〇 莫耳％ : 莫耳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇/〇 : 20-80 莫耳％ : 0-20 莫耳。/。： 〇_2〇 莫耳％。 5、 根據輔專利範瞧4項之方法，^中酸不安定保 護基爲選自特丁基竣酸酯，（Cl-C2〇)燒基，芳基或芳基乙燦 基醚。 6、 根據申請專利範圍第4項之方法，宜由聚a旱在聚 合有機溶劑中進行，該有機溶劑爲選擇自由四輕呋喃，二 甲基甲醯胺，二甲亞硼，二噁烷，苯，甲苯，二甲苯及其 混合物所組成之族群中。 7、 一種下式3代表之中間體化合物，其係用於製備申 請專利範圍第1項之重複單元， 式
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 X2 分別爲 CH2，CH2CH2，〇 或 S ; Y爲CrCio烷撐或含醚鍵之烷撐； η爲0到2之整數； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 576951 蔻 C8 D8 六、申請專利範圍 a : b : c : e : f 爲 20-40 莫耳％ : 0-20 莫耳％ : 20_80 莫耳％ : 0-20莫耳％ : 〇_2〇莫耳％。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8、 一種光阻劑組成物，其包括⑴申請專利範圍第i 項之光阻劑聚合物，（ii)光酸產生劑；及(iii)有機溶劑。 9、 根據申請專利範圍第8項之光阻劑組成物，其中光 酸產生劑爲選擇自由肽醯亞胺基三氟甲烷磺酸鹽，二硝基 苄基甲苯磺酸鹽，正癸基二碾，荼基亞胺三氟甲烷磺酸鹽 及其混合物所組成之族群中。 10、 根據申請專利範圍第9項之光阻劑組成物，其中 光酸產生劑爲選自由二苯基碘六氟磷酸鹽，二苯基碘六氟 砷酸鹽，二苯基碘六氟銻酸鹽，二苯基對-甲氧基苯基三氟 甲烷磺酸鹽，二苯基對-甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對 -異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基對-特丁基苯基三氟 甲烷磺酸鹽，三苯基銃六氟磷酸酯，三苯基銃六氟砷酸鹽 ，三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽，二丁 基萘基銃三氟甲烷磺酸鹽及其混合物所組成之族群中。 11、 根據申請專利範圍第8項之光阻劑組成物，其中 光酸產生劑之量爲光阻劑聚合物的約0.1到約10重量％。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印剩农 12、 根據申請專利範圍第8項之光阻劑組成物，其中 有機溶劑爲選自由乙基3-乙氧基丙酸酯，甲基3-甲氧基丙 酸酯，環己酮，丙二醇甲基醚醋酸酯，正庚酮，乙基乳酸 酯及其混合物。 13、 根據申請專利範圍第8項之光阻劑組成物，其中 有機溶劑之量爲光阻劑聚合物的約300重量％到約1500重 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 576951 儲 C8 D8 六、申請專利範圍 量％範圍內。 14 ' 一種形成光阻劑圖案之方法，其包括下列步驟： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (a) 塗覆申請專利範圍第8項之光阻劑組成物到半導 體元件之基板上以形成光阻劑膜； (b) 使用光源選擇性曝光該光阻劑膜； (c) 施加甲矽烷劑到反應物上以在該經曝光光阻劑膜之 上部產生甲矽烷化層；及 (d) 使用甲矽烷化層作爲蝕刻遮罩以蝕刻未經曝光光阻 劑膜。 15、 根據申請專利範圍第14項之方法，其進一步包 括在進行該步驟(a)前用六甲基二矽胺烷預先處理基板。 16、 根據申請專利範圍第14項之方法，其進一步包 括在曝光步驟(b)之前及/或之後的烘烤步驟。 17、 根據申請專利範圍第16項之方法，其中烘烤步 驟（等）在70到20(^C的溫度範圍內進行。 18、 根據申請專利範圍第14項之方法，其中光源爲 選自由ArF，KrF，VUV，EUV，E-束，X·射線及離子束所 組成之族群中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19、 根據申請專利範圍第14項之方法，其中照射能 量在1到50mJ/cm2之範圍內。 20、 根據申請專利範圍第14項之方法，其中甲矽烷 劑爲選擇自由六甲基二矽胺烷，四甲基二矽胺烷，雙(二甲 基胺基)二甲基矽烷，雙(二甲基胺基）甲基矽烷，二甲基甲 矽烷基二甲基胺，二甲基甲矽烷基二乙基胺，三甲基甲矽 6 ^^尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210>< 297公釐） 576951 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 烷基二甲基胺，三甲基甲矽烷基二乙基胺，二甲基胺基五 甲基二矽烷及其混合物所組成之族群中。 21、一種由申請專利範圍第14項之方法所製造的半 導體元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費舍作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527533B1 (ko) * 2000-06-21 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR100636663B1 (ko) 2002-06-24 2006-10-23 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
GB0515998D0 (en) * 2005-08-03 2005-09-07 Ass Octel Fuel additives
JP5470528B2 (ja) * 2007-11-14 2014-04-16 丸善石油化学株式会社 エッチングマスク、エッチングマスク付き基材、微細加工品および微細加工品の製造方法
US20120122031A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 International Business Machines Corporation Photoresist composition for negative development and pattern forming method using thereof
KR101378026B1 (ko) * 2013-04-26 2014-03-25 금호석유화학주식회사 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP6517066B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-22 三井化学株式会社 樹脂組成物およびその用途
KR102471161B1 (ko) 2015-12-23 2022-11-25 삼성전자주식회사 선택적 증착 층을 이용한 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자
JP7145235B2 (ja) * 2018-12-28 2022-09-30 富士フイルム株式会社 有機溶剤現像用ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
US20230350303A1 (en) * 2022-04-27 2023-11-02 Tokyo Electron Limited Dry Developing Metal-Free Photoresists

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3847454B2 (ja) * 1998-03-20 2006-11-22 富士写真フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
TW558559B (en) * 1998-06-30 2003-10-21 Ind Tech Res Inst An oxygen atom-containing heterocyclic dione polymer and photosensitive composition comprising the same
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
KR100362936B1 (ko) * 1998-08-27 2003-09-26 주식회사 하이닉스반도체 신규한포토레지스트의중합체및그를이용한포토레지스트조성물
US6569971B2 (en) 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100271420B1 (ko) 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100362938B1 (ko) 1998-12-31 2003-10-10 주식회사 하이닉스반도체 신규의포토레지스트가교제,이를포함하는포토레지스트중합체및포토레지스트조성물
KR100682168B1 (ko) * 1999-07-30 2007-02-12 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
KR100527533B1 (ko) * 2000-06-21 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR100632572B1 (ko) * 2000-06-21 2006-10-09 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물

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