TW575653B - Method and materials for patterning of a polymerizable, amorphous matrix with electrically active material disposed therein - Google Patents

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Martin Benson Wolk
Ralph R Roberts
Erika Bellmann
James Gregory Bentsen
Yingbo Li
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Description

575653 A7 B7 五、發明説明（1 ) 背景 物質由給予體片成像式熱傳至受體基質已經在各種應用 中提出。例如，物質可選擇性熱傳，形成電子顯示及其他 裝置中所用之元件。尤其，彩色過濾器、黑色基質、分離 器、偏極化器、導電層、電晶體、螢光體、及有機電發光 物質均被提出過。
發明概要 β 本發明係針對具有電活性材料之可聚合無定形基質成項 之材料及方法，如沉積在基質上之發光材料以及使用該材 料及方法形成之裝置。本發明之一具體例包含製造有機電 發光材料之方法。傳輸層係沉積（例如溶液塗佈）在給予體基 材上。傳輸層包含沉積在基質上之具有發光材料之可聚合 無定形基質。一部分傳輸層選擇性的熱傳送到受體。接著 使傳送到受體之部分傳輸層之可聚合無定形基質聚合。視 情況，發光材料或發光材料之成分亦為可聚合且與可聚合 之無定形基質聚合。 另一具體例為包含基質及傳輸層之給予體片。傳輸層包 含可聚合之無定形基質及沉積在基質上之發光材料。傳輸 層可選擇性的由給予體片傳送至附近之受體。給予體片亦 可包含其-他層如光-熱轉化層、中間層及下層或一或多層額 外之傳輸層。 又另一具體例為具有第一電極、第二電極及沉積在第一 及第二電極間之發光層之電發光裝置。發光層包含沉積在 基質上之具有發光材料之聚合有機基質。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 575653 A7 B7 五、發明説明（2 ) 附圖簡要敘述 本發明藉由本發明各具體例之更詳細敘述以及參考附圖 可更充分的了解。 圖1為有機電發光顯示器結構之簡要侧視圖。 圖2為本發明傳輸材料用之給予體片之簡要侧視圖。 圖3為本發明有機電發光顯示器之簡要侧視圖。 圖4A為有機電發光裝置之第一具體例之簡要侧視圖。 圖4B為有機電發光裝置之第二具體例之簡要侧視圖。 圖4C為有機電發光裝置之第三具體例之簡要側視圖。 圖4D為有機電發光裝置之第四具體例之簡要侧視圖。 圖4E為有機電發光裝置之第五具體例之簡要侧視圖。 圖4F為有機電發光裝置之第六具體例之簡要侧視圖。 雖然本發明可進行各種改良及不同之形式，但其說明將 以附圖之實例顯示，且將詳細敘述。然而，應了解所述之 特殊具體例並不用限制本發明。相反的，本發明將涵蓋所 有改質、對等例及其他，且均在本發明之精神及範圍中。 本發明包括具有沉積於其上之電活性材料可聚合無定形 基質熱成像用之材料及方法。該方法及材料可用於形成包 含有機電子裝置及顯示器之裝置，包含電活性有機材料， 尤其是含-發光聚合物或其他發光分子。可製造之有機電子 裝置之實例包含有機電晶體、光電裝置、有機電發光（OEL) 裝置如有機發光二極體（OLE D)等。另外，此等材料及方法 亦可用於無熱.列印、成像，及傳輸方法，包含例如噴墨列 印、網印及微影蝕刻成像。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
裝 訂
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所用之“活性”或“電活性” 一詞用 、麻七#』於表7^有機電子裝置中 (層或材料時’係指裝置操作過程中執行功能之層或材 料，例如製造、傳導或半傳導電荷載 ^ 了戰缸（例如電子或電洞）、 產生光、提昇或調整裝置之電子性質等。“非活性”一詞係 指非直接賦予如上述之功能’但對有機電子裝置之组合或 製造或功能性具有部分非直接貢獻之材料或層。 有機電發光（〇EL)顯示器或裝置係指包含^有機發射材料 (電發光顯示器輕置’且發射材料包含小分子（sm)發光 體（例如非聚合發光體）、摻雜⑽之聚合物、發光聚:物 (LEP) '摻雜之LEP '摻何之LEp ’或另—種有機發光材 料，其可單獨或與對QEL顯示器或裝置具有功能或無功能 之任一種其他有機或無機材料並用。 R.H· Friend等人（“共軛聚合物中之電發光性” Natoe，撕，1999, 121.)敘述一種電發光機構，包含“由一電極射出電子，且由 另一電極射出電洞，以及電荷之載體（所謂的再結合），且藉 由蔹再結合程序產生激發之電子-電洞態（激發態）之放射性 衰減”。 OEL裝置之材料本身可為小分子或聚合物。δΜ材 料包含電荷傳送、電荷保護、半導電及電發光有機及有機 金屬化合^物。通常，SM材料可經真空沉積或蒸發，形成裝 置中之薄層，實際上，一般使用多層SM製備有效之OEL， 因為既定之材料一般不具有所需之電荷傳送及電發光性。 LEP材料一般為較好具有足夠之供溶液加工用之成膜性之 共轆聚合物或寡聚物分子。通常，L E P材料係以L E P材料之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 裝 訂
575653 A7 B7 五、發明説明（4 ) 溶劑溶液澆鑄在基材上，且使溶劑蒸發，因此留下聚合物 膜使用。形成LEP膜之其他方法包含噴墨及擠出塗佈。相反 的’ L E P可就地在基材上藉由前驅物之反應形成。已經可藉 由一、二或多層有機層建構足夠之LEP燈。 OEL亦可以一或多種分子玻璃製備。本文中所用之分子 玻璃係敘述有機、低莫耳質量、無定形、成膜化合物。電 洞傳送、電子傳送及雙極分子玻璃以之包含j V Grazulevicius， Ρ· Strohriegl，“電荷傳送聚合物及分子玻璃”，先進電子及光 材.料_互_裝置手冊，H.S. Nalwa (ed·)，10, 2001，233。分子玻璃之溶 解度會限制其中通常會產生多層電子結構之方式。例如， 若二層之材料均溶於相同溶劑中，則可能無法在分子玻璃 之電洞傳送層上進行發光聚合物層之溶液塗佈。裝置已經 先以例如溶液塗佈電洞傳輸層及蒸氣沉積之發射及電子傳 送層形成。 至於裝置結構之實例，圖1說明包含裝置層11〇及基材 120之0EL顯示器或裝置1〇〇。任何其他適用之顯示器組件 亦可包含於顯示器1 0 〇中。視情況，額外之光組件或其他適 用於電子顯示器、裝置或燈之裝置均可裝置在顯示器1〇〇及 觀看者位置140之間，如選用之元件130所示。 在所示之部分具體例中，裝置層110包含一或多個經過基 材像著觀看者位置140發光之〇EL裝置。觀看者位置14〇 一 般係用於指示實際之人類觀看者、銀幕、光組件、電子裝 置等發光之期望目標。另一具體例（未顯示）中，裝置層11〇 係位在基材120及觀看者位置140之間。當基材12〇傳輸裝 -8 575653 A7
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的形式發出能量。 OEL裝置中亦可含有其他層，如電洞傳輸層、電子傳輸 層、私洞射入層、電子射入層、電洞保護層、電子保護 層，緩衝層等。另外，發光材料可存在於〇el裝置之發光 層或其他層中，將電發光材料發出之光之顏色轉化成另一 種顏色。此等及其他該層及材料可用於改變或轉化疊層 OEL裝置之電性質及性能，例如所需之電流/電壓反應、所 需裝置之效率、所需之顏色、所需之亮度等。 裝 Ψ 圖4A至4F說明不同〇EL裝置結構之實例。各結構均包含 基材250、險極252及陰極254。圖4C至4F之結構亦包含電 洞傳輸層258，且圖4B及4D至4F之結構包含電子傳輸層 260。此等層分別傳導陽極之電洞及陰極之電子。各結構亦 包含含發光材料之發光層256a、256b、256c，如一種或多 種’儿積在本發明之聚合有機基質上之發光聚合物或其他發 光分子（例如小分子發光化合物）。發光層256a包含電洞傳 輸材料，發光層256b包含電子傳輸材料，且發光層25^包 含電洞傳輸材料及電子傳輸材料。部分具體例中，電洞傳 輸材料或電子傳輸材料為形成含有發光聚合物或其他發光 分子<聚合有機基質之材料。其他具體例中，係使用分離 之聚合有〜機基質材料。另外，發光層256&、2561)、25心之 電洞傳輸材料或電子傳輸材料可分別與電洞傳輸層2 5 8或電 子傳輸層260中所用之材料相同或不同。 、通常，聚合之有機基質系藉由合并發光材料與可形成無 疋形基質之可聚合有機材料形成。形成可聚合無定形基質 -10- 575653
之材料可包含例如一種或多種包a可取人 形基質之化合物。視情況，亦可：：；s:图之形成無定 應之交聯劑。發光材料（或—種或多_^'、可聚合基團反 種發光聚合物或發光材料之小分子)為選：：：：-種士多 形成基質之材料。該组合物奸兄=可'合典疋形 :或：性(例如非可聚合)材料(包含惰性聚合物)，如結合 μ、電洞傳輸材料、電子傳輸材料及半導體材料。 般係沉積在給予體片上當作傳輸層，形成具 有^積在基質上之發光材料之可聚合無定形基質。傳輸層 (視情況具有—或多層其他傳輸層）接著選擇性由給予片散傳 至受體，如下述。形成可聚合無定形基質之材料可在傳送 後再聚合’形成聚合之有機基質。 〇EL裝置之陽極252及陰極254 _般係使用導電材料如金 屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導電陶瓷、導電分 散液、及導電聚合物形成，包含例如金、鉑、鈀、鋁、 鈣、氮化鈦、銦錫氧化物（ΙΤ0)、氟錫氧化物（FT〇)、及聚 苯胺。陽極252及陰極254可為單層之導電材料或可包含多 層。例如，陽極或陰極可包含一層鋁及一層金，一層舞及 一層鋁，一層鋁及一層氟化鋰，或金屬層及導電有機層。 電洞体輸層2 5 8協助電洞由陽極射入裝置中，且移向再結 合區。電洞傳輸層258可進一當作電子通到陽極252之遮蔽 層。電洞傳輸層2 5 8可包含例如二胺衍生物，如n，n，-雙 (3 -甲基苯基）-N，N’ -雙（苯基）聯苯胺（亦稱之為tpd)或 N，N’-雙（3-莕-2-基）-N,N’_雙（苯基）聯苯胺（NPB)，或三 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) _ 11 _ 575653 A7 厂 _ _ B7 五、發明説明（8 ) 芳基胺衍生物，如4,4’，4'參（N，N-二苯基胺基）三苯基胺 (TDATA)或4,4’，4”-參（N-3 -甲基苯基-N-苯基胺基）三苯 基胺（mTDATA)。其他實例包含g太花青銅（CuPC) ; 1,3,5-參（4-二苯基胺基苯基）笨（TdaPB);及其他化合物如H. Fujikawa 等人，合成金屬 91，161 (1997); Shirota，J· Mater. Chem·，10, 1，（2000)，及 J.V· Grazulevicius，Ρ· strohriegl，“ 電荷傳輸聚合物及 分子玻璃”，先進電子及光射料及裝置手冊，H.S，Nalwa (ed·)， 10,233-274(2001)。 電子傳輸層260協助電子之射出及移向再結合區。電子傳 輸層260若需要可進一步當作電洞傳到陰極254之遮蔽層。 電子傳輸層260之實例可使用有機金屬化合物參（8_羥基醌 醇酸基）鋁（AIQ)形成。電子傳輸物質之其他實例包含丨，3-雙[5-(4-(l，l-二甲基乙基）苯基卜哼二唑·2-基]苯、 2-(聯苯-4-基）-5-(4-(1,1-二甲基乙基）苯基）哼二 峻（tBuPBD)及 C.H. Chen 等人 Macromol, Svmp. 125，1 (1997); Shirota, L,Mater. Chem^ 1〇, 1，（20〇〇);及 j v. Grazulevicius，P. Strohriegl, “傳輸電荷之聚合物及分子破璃”，先進電子及光材料及裝 -覃乎A，H.S· Nalwa (ed·)，10, 233 (2001)中所述之其他化合物。 已經使用或嘗試许多方法以製備q E L裝置。例如已經藉 由依序蒸氣沉積電洞傳輸、發光及電子傳輸分子形成S Μ發 光裝置。雖然沉積時之各層均為無定形，但各層會在一段 時間後結晶，降低其電荷傳輸及性質。通常，不容易以溶 液洗鑄S Μ材料，因為其在溶劑乾燥或裝置使用期之後會形 成結晶。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 B7 五、發明説明（9 ) 至於另一實例，已經藉由溶液澆鑄薄層聚合物製造以LEP 材料為主之發光層。該方法可適用於單色顯示器或燈。當 以溶液澆鑄步騾製造裝置時，更不易以多溶劑澆鑄步騾產 生多層裝置。多層裝置可製成其中之層係由不同溶劑澆鑄 而成者，第一層不可溶層係就地產生，且第二層為溶劑澆 鑄，第一層為溶液澆鑄且第二層為蒸氣沉積，或其一或二 層交聯。 裝 聚合物分散之小分子裝置已經藉由溶液澆鑄電洞聚合物 (例如聚乙婦基卡唑）及一種或多種小分子掺雜物混合物之摻 合物製造。通常，此等裝置需高電壓操作，且不適用於顯 示器裝置。另外，其會遭遇到與LEP相同之成像限制。
線 形成裝置之另一種方法包含藉由如U.S，Pat. Nos，6,242，152 ; 6,228,555 ； 6228,543 ； 6,221,553 ； 6,221,543 ； 6,214,520 ； 6,194,119 ； 6,114,088 ； 5,998,085 ; 5,725,989 ; 5,710,097 ; 5,695,907 ;及 5,693,446 ’ 以及共受讓之 U.S. Patent Application Serial Nos. 09/853,062 ; 09/844,695 ; 09/844,100 ; 09/662,980 ; 09/662,845 ; 09/473,114 ; 09/451,984 ; 09/931,598 ; 10/004,706 ;及 10/183,717 中所 述之雷射熱成像傳輸一層或多層傳輸層。成像製程會依傳 輸層之物理性質而定。其一參數為傳輸層之内聚力或膜強 度。成像過程中，傳輸層較好沿著分開成像及未成像區之 線清楚的破裂，形成成像邊緣。含有長鏈結構之高度共軛 聚合物，如聚伸苯基伸乙烯基，與聚芳醯胺纖維比較具有 高伸縮強度及彈性模數。實際上，發光聚合物雷射熱顯像 過程中形成之清晰邊緣會有問題。形成不良邊緣不期望之 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明（10 ) 後果為傳輸圖案之粗糙、撕裂或破碎之邊緣。 至於此等先前方法以及解決部分上述困難點之另一種方 法或改良，可溶液塗佈發光材料、如一種或多種發光聚合 物（LEP)或其他發光分子當作塗佈組合物之部分，該組合物 包含可形成抗結晶無定形基質之可聚合材料。基質之無定 形性質與一般聚合物傳輸層相比，在由給予體介質傳輸至 受體之過程中，可提供低内聚強度，如下述。形成基質之 無定形性質亦可與超過一種電活性材料相容（例如二種不同 之不相容LEP或LEP及發光發光體）。形成無定形基質材料 之可聚合性質可用於增強層傳輸後之傳輸部分，且提供傳 輸部分較佳之耐久性，以及至少部分例中之對其他裝置性 質之改良。 下述之實例中使用LEP，但應了解可使用其他發光半導 體、電洞傳輸、電子傳輸或其他電活性分子取代或加於一 或多LEP中，另外，可使用雷射熱傳輸當作形成發光及其他 層之方法之時例，然而應了解亦可使用其他傳輸成像及列 印技術，如噴墨、網印、加熱頭列印、及微影蝕刻成像。 任一種有機材料均可用作形成可聚合無定形基質之材 料，只要（i)該材料可溶液塗佈，在材料預期之使用期間， 於材料俸輸至受體之前形成實質上抗結晶之無定形基質， 且（ii)在材料傳輸於受體後聚合即可。除非另有說明，否則 形成可聚合無定形基質材料之聚合之任何參考均包含機 構，且因此材料係經聚合或者交聯。該聚合可在例如視情 況包含形成可聚合無定形基質材料之光-或熱硬化起始劑之 一 14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝
575653 A7 B7 五、發明説明（11 ) 熱-或光硬化條件下進行。該聚合可在例如在二或多種在形 成可聚合無定形基質之材料（例如自動聚合）中之相同形成無 定形基質之材料間，在二或多種在形成可聚合無定形基質 之有機材料（例如雙官能基聚合）中之不同形成無定形基質之 材料間，或在一種或多種在形成可聚合無定形基質之材料 中之形成無定形基質之化合物及交鏈劑間進行。較好，形 成可聚合無定形基質之材料在由給予體片傳輸到受體之前 實質上並不聚合或交聯。 適用之形成可聚合無定形基質之化合物一般包含具有二 或多個附接在鹼結構上之可聚合基團之鹼結構。此等鹼結 構一般類似可形成無定形基質之材料。該材料之實例包含 美國專利申請案第09/931,598號及其所述之參考。適用之鹼結 構之其他實例敘述於J，V. Grazulevicius，P. Strohriegl，“電荷傳輸 聚合物及分子玻璃”，先進電子及光材料與裝置手冊> H.S. Nalwa (ed·), 10，233-274 (2001); Shirota，J. Mater· Chem., 10，1，（2000); Kreger 等人，Synthetic Metals, 119, 163 (2001); PCT Patent Applications Publication Nos- WO 99/21935 及 WO 00/03565 ;及 Robinson 等人，Adv. Mak 2000, 12(22), 1701中。此等材料可用作具有其上附接二或 多個可聚合基團之鹼結構。 可聚合基團可為可用於與包含其他形成可聚合無定形基 質之化合物及交聯劑之形成可聚合無定形基質有機材料中 之其他分子聚合之任何基。部分例中，發光材料或發光材 料中之一種或多種成份亦可與可聚合基團聚合。 適用之形成可聚合無定形基質之化合物之一實例係如式1 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝
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之說明：
=乙«相#於可聚合_，且其於分子騎結構。 應了解另-種週合之材料可僅具有二乙烯基且第三個乙婦 基可以任何其他基團（包含氫）取代。其他適用之材料可使用 其他可聚合基團製成。例如，式i之一種或多種結構2(具有 可聚合〈乙烯基）可以以任一種具有除乙晞基以外之可聚合 基團 <結構3-10取代，例如可聚合之全氟乙烯基醚基、 戊一晞基（4)、登氮化物基（5 )、決基（6)、（甲基）丙烯酸酯 基（7)、苯基炔基（8)、異氫酸酯基（9)、及苯并環丁烷基 (10);
裝 訂
-16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 A7 B7 五 發明説明（13
其他可聚合基團包含例如羥基、氧雜環丁烷、硫化乙 烯、環氧化物及烷氧基矽烷。 可聚合基團可經選擇，使得可聚合基團與另一分子上之 相同可聚合基團或與不同分子上之另一可聚合基團反應。 部分具體例中，特殊之形成可聚合無定形基質之化合物之 可聚合基團均相同。依其他具體例，可將二或多個不同之 可聚合基團配置在形成可聚合無定形基質之化合物上。此 等二或多個不同之可聚合基團可經選擇使得其一類基團與 另一類基團（例如疊氮化物及炔類；酸及環氧化物；酸及異 氫酸酯；醇及異氫酸酯；及醇及矽烷為可用之可聚合基團 之結合實例）聚合或交聯。至於提供單一化合物上之二類可 聚合基團之另一例，形成可聚合無定形基質之材料可包含 二或多種具有例如一類附接於其一化合物上之可聚合基 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明（14 ) 團，及另一類附接於另一化合物上之可聚合基團之不同化 合物。此二化合物可再反應且聚合在一起。 適用之形成可聚合無定形基質之化合物之其他實例包含 (但不限）下列化合物：
-18- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 五 發明説明（15 ) A7 B7
可附接聚合基團之適用驗結構之實例包含具有側鏈電活 性基之四面體蕊結構。該結構之實例包含四苯加甲烷〖i、 四苯基秒垸12、及四苯基金剛垸13，以及四苯基鍺、四苯 基鉛及四苯基錫（亦即在12處分別以Ge、Pb或Sn取代Si)。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653
各R獨JL為含一或多個使電洞（例如陽離子基）、電子（例 如陰離子基）安定’或當作發色團之共軛官能基（例如芳基、 伸芳基、雜芳基、雜伸芳基、烯基或伸婦基）之取代基。各 R取代基與其他R取代機可相同或不同。當所有&取代基均 相同時’分子一般具有部分對稱。當R取代基之至少之一不 同時，分子為不對稱，且可進一步協助無定形基質之形成 及駐留。部分例中，R包含芳系環，其可與R附接之苯基稠 合形成例如取代或未經取代之莕基或其他稠合之環結構。 该材料之實例及進一步敘述可見於例如p C T專利申請案第 W0 00/03565 號及Robinson等人，Adv. Mat·· 2000, 12(22)，1701 中。 通常’可聚合基團圍與R取代基偶合之官能基。 部分例中，R取代基包含一或多種具有例如一或多個婦 基、伸烯基、芳基、伸芳基（例如伸苯基、伸莕基或伸蒽 基）、雜環基及伸雜芳基官能基之共軛結構。取代基可具有 可包含雜原子如氮及氧之期望之π -共輛系統。該共輛系統 可包含富含電子之基團（例如三芳基胺），使陽離子基（例如 電洞）安定，較少電子之基團使陰離子基（例如電子）安定， 或在紫外線至可見範圍中之HOMO-LUMO(最高充滿之分 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
線 575653 A7 B7
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16包含可發色之芴基團。此等特殊之芴一般在藍 結構1 5及 色至紫外 線範圍間具有頻帶間隙。該材料可用作在紅色或綠色區中 發光之LEP，使得發光主要或獨來自[ΕΡ。 該類驗結構中亦包含如結構1 7 -1 9之螺結構：
-22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 --______B7 五、發明説明（19 )
裝
其中各R獨立為具有一或多個晞基、伸晞基、芳基、伸芳基 (例如伸苯基、伸莕基或伸蒽基）、雜環基或伸雜芳基官能基 之共轭結構。取代基可具有可包含雜原子如氮及氧之期望 之π-共軛系統。該共軛系統可包含富含電子之基團（例如三 芳基胺），使陽離子基（例如電洞）安定，較少電子之基團使 陰離子基（例如電子）安定，或在紫外線至可見範圍中之 HOMO-LUMO(最高充滿之分子軌道-最低充滿之分子執道） 間隙當作發色團。而且，可聚合基團會為與此等鹼結構之R 取代基或苯基偶合之官能基。 可用於形成可聚合無定形基質之化合物之其他鹼結構包 含枝狀體。枝狀結構具有含三或多個由蕊基團延伸之枝狀 取代基之蕊基團。適當之蕊基團之實例包含三苯基胺、 苯、吡啶、嘧啶、及PCT專利申請案W0 99/21935中所述之其 他者。枝狀取代基一般含二或多個芳基、伸芳基（例如伸苯 基）、雜芳基、伸雜芳基、晞基或伸烯基取代基。部分具體 例中，取代基可為具有一或多個烯基、伸烯基、烷基、伸 芳基（例如伸苯基、伸莕基或伸蒽基）、雜芳基或伸雜芳基基 團之共軛結構。枝狀取代基可相同或不同。通常，可聚合 之基團可以與枝狀取代基偶合。枝狀化合物之實例包含以 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公爱） 575653 A7 B7
575653 A7 B7 五、發明説明（21 )
各 Ri 及 R2 獨立為H、F、C1、BΓ、I、_SH、_0H、烷 基、芳基、雜芳基、氟烷基、氟烷基烷氧基、烯基、烷氧 基、胺基、或烷基-CO〇H。各R3獨立為H、F、Cl、Br、 I、烷基、氟烷基、烷氧基、芳基、胺基、氰基、或硝基。 各Xi獨立為0、s、Se、NR3、BR3或PR3。任一此等取代 基之坑基、芳基及雜芳基部分可為經取代或未經取代。各 Ri、R2、R3及又1可與標示之取代基相同或不同（亦即所有 1取代基可相同或Ri取代基之一或多個可彼此不同）。 其他枝狀結構可具有芳基或雜芳基基團作為蕊，如化合 物27-36 。
-25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 575653 A7 B7
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各 Ri 及 R2 獨立為H、F、Cl、Br、I、_SH、-〇H、^ 基、芳基、雜芳基、氟烷基、氟烷基烷氧基、烯基、烷氧 基、胺基、或烷基-COOH。各R3獨立為H、F、C1、、 1、烷基、氟烷基、烷氧基、芳基、胺基、氰基、或硝基。 各獨立為0、S、Se、NR3、BR3或PR3。任一此等 取代基之烷基、芳基及雜芳基部分可為經取代或未經取 代。各Ri、R2、、Xi&X2可與標示之取代基相同或不同 (亦即所有R i取代基可相同或R i取代基之一或多個可彼此不 同）。 形成可聚合無定形基質之化合物之其他鹼結構包含例如 結構37-42 :
t 各An及人!*2獨立為經取代或未經取代之芳基或雜芳基，η 為1至6之整數，且各Ri獨立為η、F、Cl、Br、I、_SH、 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公f) 575653
QH、燒基、芳基、雜芳基、氟烷基、氟烷基烷氧基、烯 基 &氧基、胺基、或烷基-COOH。各R3獨立為h、F、 Cl、Br、I、烷基、氟烷基、烷氧基、芳基、胺基、氰基、 或硝基。各X、
Xi&X2 獨立為0、s、Se、NR3、BR3或 PR3 °任一此等取代基之烷基、芳基及雜芳基部分可為經取 代或未經取代。各Rl、R2、R3、X、Χι&χ2可與標示之取 代基相同或不同（亦即所有R1取代基可相同或1取代基之一 或多個可彼此不同）。 形成可聚合無定形基質化合物中可包含選用之交聯劑當 作形成可聚合無定形基質化合物之部分。該交聯劑並不需 形成無定形基質，亦不會阻礙無定形基質之形成。交聯劑 包含二或多個可以與形成可聚合無定形基質之化合物聚合 之可聚合基團。部分具體例中，交聯劑需使形成可聚合無 足形基質之化合物在傳輸到受體之後聚合。適用之物質包 含三縮水甘油基三苯基乙烷（43)，三縮水甘油基異脲氰酸 醋（44)、四甲氧基甲基§17(：〇111^1(45)、三_1，3,5、對-三甲 氧基石夕烷基苯基）苯（4 6)及參（對-三甲氧基矽烷基丙基苯）醯 胺（47)。
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公董） 575653 A7
例如，可使用三-l，3,5-(對-三甲氧基矽烷基苯基）苯或三 (對-三甲氧基石夕燒基丙基苯基）胺當作交聯劑，使具有二或 多個羥基基團之形成無定形基質之化合物聚合。 除非另有說明，“烷基”一詞包含直鏈、支鏈及環狀烷 基，且包含未經取代及經取代之烷基。除非另有說明，否 則烷基一般為C1-C2 0。至於本文中所用“烷基，’之實例包含 (但不限）甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、異丁基及 異丙基等。 涂非另有說明，否則“伸燒基” 一詞包含直鏈、支鏈及環 狀二價烴基，且包含未經取代及經取代之伸烷基。除非另 有說明，否則伸烷基一般為c 1 - C 2 0。至於本文中所用“伸 烷基”之實例包含（但不限）伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁 基及異伸丙基等。 除非另有說明，否則“烯基’’ 一詞包含具有一個或多個雙 鍵之直鏈、支鏈及環狀單價烴基，且包含未經取代及經取 代之烯基。除非另有說明，烯基一般為C2-C20。至於本文 中所用“烯基”之實例包含（但不限）乙烯基、丙烯基等。 除非另有說明，否則“伸烯基”一詞包含具有一個或多個 雙鍵之直鏈、支鏈及環狀二價烴基，且包含未經取代及經 -29- 本紙張尺度適财ϋ @家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱) " 575653
取代之伸烯基。除非另有說明，否則伸缔基一般為C2-C20。 至於本文中所用“缔基”之實例包含（但不限）乙晞_ 1，2 _二 基、丙烯-1，3 -二基等。 裝 除非另有說明，否則“芳基，，一詞係指具有一至十五個環 之單價不飽和芳系碳環基，如苯基或聯苯基或多重稠合之 環’如奈基或恩基或其結合。至於本文中所用芳基之實例 包含（但不限）苯基、2 -苯基、1-莕基、聯苯基、2-羥基苯 基、2-胺基苯基、2-甲氧基苯基等。 除非另有說明，否則“伸芳基，，一詞係指具有一至十五環 之一價不飽和芳系碳環基，如伸苯基，或多重稠合之環， 如伸萘基或伸蒽基，或其結合。至於本文中所用“伸芳基，， 之實例包含（但不限）苯-1，2-二基、苯-丨，3-二基、苯.込仁 二基、萘-1，8_二基、蒽-1，4-二基等。
除非另有說明。否則“雜芳基，，一詞係指具有一或多個獨 互選自S、0或N之雜原子之含單價五-至七-員芳系環基官 能基。該雜芳基環可視情況稠合成一或多個另一種雜環 環、雜芳基環、芳基環、環烯基環、或環烷基環。本文中 所用“雜芳基，，之實例包含（但不限）呋喃基、嘍吩基、吡咯 基、咪峻基、批峻基、三也基、四峻基、違吐基、tr号唆 基、異嘮唑基、哼二唑基、噻二唑基、異噻唑基、吡啶 基、嗒畊基、吡畊基、嘧啶基、喳啉基、異喹啉基、苯并 呋喃基、苯并嘧吩基、吲哚基及吲唑基等。 除非另有說明，否則“伸雜芳基，，一詞係指具有一或多個 獨立選自S、0或N之雜原子之二價五-至七-員芳系環基之 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明 官能基。該伸雜環基可視情況稠合成一或多個另一種雜j袤 基、雜芳基、吩基環、環烯基環或環烷基環。本文中所用 “伸雜芳基之實例包含（但不限）咬喃-2，5 -二基、ρ塞吩2，4 _ 二基、1，3,4-呤二唑_2,5_ 二基、1，3,4·噻二唑-2,5-二基、 1，3·雀唑-2,4-二基、13-噻唑-2,5-二基、吡啶-2,4-二 基、吡啶-2，3 -二基、吡啶-2，5 ·二基、嘧啶-2，4 -二基、4 啉-2,3-二基等。 經取代烷基、伸烷基、烯基、伸烯基、芳基、伸芳基、 雜芳基及伸雜芳基之適當取代基包含（但不限）垸基、仲垸 基、烷氧基、芳基、伸芳基、雜芳基、伸雜芳基、晞基、 伸缔基、胺基、F、Cl、Br、I、-OH、-SH、氰基、硝 基、-COOH、及-C00-烷基。 較妤’形成可聚合無定形基質之材料在期望之操作及儲 存條件下’並不具有實質形成或不形成安定、結晶相之傾 向。較好，形成可聚合無定形基質之材料在期望之儲存條 件下沒有聚合之實質傾向。另外，較好形成可聚合無定形 基質之材料及發光材料與一般溶劑相容或相溶，且在溶液 塗佈之過程中不會實質的相分離，且更好在移除溶劑時不 會相分離。 通苇’當形成無定形基質時，降低無定形基質/ Lep(或另 一種發光材料）摻合物中内聚力之門檻為其中LEp變成不連 續相之點（若其為二可見之相），及LEp鏈溶於無定形基質 (若其為單一相）中之點。通常，發光聚合物或發光分子之總 量不超過塗佈組合物故成份之5〇 wt%，且可為固體4〇 -31 -
五、發明説明（28
Wt%、25 wt0/〇 吱承权 料與發光材料(例常’形成可聚合無定形基質之材 I.〗 、 發光聚合物或諸聚合物）之重量至少為 適當比例至少為…1至：0·1。通常，對於熱傳輸應用之 、 且一般至少為2 : 1或3 : 1或更高。 體例中’形成可聚合無定形基質之材料為或包含 取=包子傳^材料。部分此等具體例中，係使用形成可 二典定形基質之材料或該材料之成份形成電洞或電子傳 光層或塗佈於其上同形成可聚合無㈣基質之材料之發 部刀八版例中，發光材料之漸層可藉由沉積數層不同濃 又發光材料义層’達到所需狀態形成。下述之熱傳輸法可 用於藉由依序傳輸各層形成之結構中。另夕卜，可使用不同 發先材科形成層，以達成不同顏色或產物，例如具有各像 素間電極足均勻紅色、綠色及藍色像素。 若形成可聚合無定形基質之材料非為電洞或電子傳輸材 科，則需要包含電洞或電子傳輸材料作為塗料組合物之部 分。塗料組合物中可包含之其他材料包含例如小分子择雜 物（例如三重發光體）；惰性聚合物；熱起始劑；光起始劑. 塗料助劑’介面活性劑；減低例如内聚力之粒狀材料 定劑及感光劑。 部分具體例中，形成可聚合無定形基質之材料亦 分子。此等具體例中，較好材料及操作條件係經 利於以發光材料替代形成可聚合無定形基質之材料之= 光。例如’形成可聚合無定形基質之材料可在光譜之藍^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公复T" 32- 575653 A7 B7 五、發明説明（29 ) 區中發光。該例中，發光聚合物可選在光譜之紅光或綠光 區中發光。其選擇可以以例如材料之分子能傳輸及頻帶為 主。部分例中，發光材料或發光材料之一種或多種成份包 含可以與形成可聚合無定形基質之材料聚合之可聚合基 團。 應了解在使用形成可聚合無定形基質之材料形成之無定 形基質中可配置除發光材料外之電活性材料。例如在形成 可聚合無定形基質之材料中可加入導電或半導電材料。應 用之實例包含形成藉由在形成可聚合無定形基質之材料中 加入電洞傳輸材料或電子傳輸材料形成電洞傳輸層或電子 傳輸層或其他導電層。無定形基質可使用例如上述之任一 種材料形成。該結構尤其可用於導電或半導電聚合物材 料，產生具有内聚力強度低於聚合物本身之層。 包含LEP及SM發光之各種發光材料均可使用。發光體包 含例如螢光及磷光材料。適當之LEP材料類之實例包含聚 (伸苯基伸乙婦基）（PPV)、聚-對伸苯基（PPP)、聚芴 (PF)，以及習知及後續發展之LEP，及其共聚物或摻合 物。適當之LEP亦可以螢光劑染料或其他PL材料分子摻 雜、分散，與活性或非活性材料掺雜、與活性或非活性材 料分散，等。適當之L E P材料實例敘述於Kraft，等人，Angew. Chem. Int· Ed“ 37，402-428 (1998)，U.S· Patent Nos，5,621，131 ; 5,708,130 ； 5,728,801 ； 5,840,217 ； 5,869,350 ； 5,900,327 ； 5,929,194 ； 6，132,641 ;及 6，169，163 ;及 PCT 專利申請案第 99/40655 中。 SM材料一般為可用於〇EL顯示器及裝置中當作發光材 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
五、發明説明（3〇 ) 料、電荷傳輸材料，發光體層中之摻雜物（例如，以控制發 光顏色）或電荷傳輸層等。一般使用之SM材料包含金屬螯合 化合物’如三（8_羥基哇啉）鋁（A1Q)，及N，N，-雙（3_甲基苯 基）-N，N -二苯基聯苯胺（TPD)。其他sm材料揭示於例如 C.H. Chen 等人，Macromol. Svmp 125, 1 (1997)，日本公開專利申 請案 2000-195673，美國專利第 6,〇3〇,715, 6,150,043，及 6,242,115 及pct專利申請案wo 00/18851(二價鑭化物金屬錯合物）， W0 00/70655 (環金屬化銦化合物及其他）及WO 98/55561。 再參考圖1，裝置層110係配置在基材12〇上。基材12〇可 為任種適用於〇EL裝置及顯示器應用之基材。例如基材 120可包括玻璃、透明塑膠、或其他實質傳輸可見光之適用 材料。基材120亦可對可見光不透明，例如不銹鋼、結晶 矽、聚氧化矽等。因為OEL·裝置中之部分材料會因為暴露 於氧或水中而容易受損，因此基材12〇較好提供適當之環境 保護’或加上一或多層可提供適當環境保護之層、塗料或 基層材。 基材120亦可包含任何數量之適用於〇el裝置及顯示器中 之裝置或組件，如電晶體陣列及其他電子裝置；濾色器、 偏極化器、導波板、擴散器及其他光學裝置；絕緣材、遮 蔽帶、黑色基質、遮蔽之操作及其他該組件等。通常，基 材120在形成裝置層110之0EL裝置之其於層之前可塗佈、 沉積、成像化或另外沉積一種或種電極。當使用光傳輸基 材120且OEL裝置為底部發光時，配置在基材12〇及發光材 料間之電及較好實質的透光，例如，透明之導電電極如銦
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210 575653
錫氧化物（ITO)及任一數量之其他透明導電氧化物。 元件130可為適用於0EL顯示器或裝置1〇〇之元件或元件 之、5。例如，當裝置1〇〇為背光板時，元件130可為[CD 模組。LCD模處及背光板裝置100之間可裝置一或多個偏極 化斋或其他元件，例如吸收或反射清除偏極化劑。另外， 當裝置100本身為資訊顯示器時，原件13〇可包含_或多個 偏極化斋、導波板、觸摸板、全反射塗層、防污塗層、投 影銀幕、增亮模或其他光學組件、塗層、使用者介面裝置 等。 含發光材料之有機電子裝置至少部分由發光材料自熱傳 給予體片選擇性熱傳輸至所需之受體基材製成。例如，發 光聚合物顯示器及可藉由將LEP及形成可聚合無定形基質之 材料塗佈在給予體片上，接著單獨或配合其他裝置層或材 料選擇性傳輸LEP層至顯示器基材。 含有機電子裝置用之發光材料之層之選擇性熱傳輸可使 用熱傳給予器進行。圖2顯示適用於本發明之熱傳給予器 200之實例。給予器元件2〇〇包含基材210、選用之下層 212及選用之光-熱轉化層（LTHC層）214、選用之中間層 216及傳輸層218。各此等元件均於下列討論中詳述。亦可 含其他層。適用之給予器或給予器之層揭示於美國專利第 6,242,152 ； 6,228,555 ； 6,228,543 ； 6,221,553 ； 6,221,543 ； 6,214,520 ； 6,194,119 ； 6,114,088 ； 5,998,085 ； 5,725,989 ； 5,710,097 ； 5,695,907 ； 及5,693,446，及共受讓之美國專利申請案第〇9/853,062 ; 09/844,695 ； 09/844,100 ； 09/662,980 ； 09/662,845 ； 09/473,114 ； -35 - 本紙張尺度適财® ®轉準(CNS) A4規格(21GX 297公爱) _ 575653 A7 B7 五、發明説明（32 ) 09/451,984; 09/931，598; 10/004,706 ;及 10/183,717 號中。
裝
本發明之製程中，發光之有機材料（包含LEP或其他材料） 可藉由將給予體元件之傳輸層與受體相鄰配置，自給予體 片之傳輸層選擇性傳輸到受體基材，接著加熱給予體元 件。在說明上，給予體元件可藉由以可被給予體中之光-熱 轉化材料（通常為分離之LTHC層）吸收之顯像放射照射給予 體元件且轉化成熱選擇性加熱。此等例中，給予體可經給 予體基材、經過受體或經過二者暴露於顯像照射中。照射 可包含一或多種波長，包含可見光、紅外線照射，或紫外 線照射，例如由雷射、燈或其他如輻射源。亦可使用其他 選擇性加熱法，如使用熱列印頭或使用熱貼標（例如成像之 熱貼標如具有可用於選擇性加熱給予體之浮標圖案之加熱 聚矽氧烷貼標）。熱傳輸層之材料可依此方式選擇性傳輸至 受體，在受體上顯像般形成傳輸材料之圖案。許多例中， 使用例如燈光或雷射光熱傳輸，使受體成像般暴露較有 利，因為通常可達成精確度及準確度。傳輸圖案之大小及 形狀（例如直線、圓形、正方形、或其他形狀）均可以例如選 擇光束之尺寸、光束之暴露圖案、光束與給予體片接觸之 時間或給予體片之材料控制。傳輸之圖案亦可藉由使給予 體元件經過光罩照射控制。 如上述，熱列印頭及其他加熱元件（成像化或其他）亦可用 於選擇性直接加熱給予體元件，因此使傳輸層之部分如圖 案般傳輸。該例中，給予體片中之光-熱轉化材料為選用。 熱列印頭或其他加熱元件尤其適用於製造材料之低解析度 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 B7 五、發明説明（33 ) 圖案，或用於其佈線並不需精確控制之成像化元件。 傳輸層亦可在未選擇性傳輸傳輸層下自給予體片傳輸。 例如，傳輸層可在基本上作為傳輸層接觸受體基材後會離 型（通常矽加熱或加壓）之暫時性襯裡之受體基材上形成。該 方法（稱之為積層傳輸）可用於將全部傳輸層或其大部分傳輸 至受體上。 熱傳輸之模式可依所用之選擇性加熱類型、用於曝曬受 體之照射類型、材料之類型及選用之LTHC層之性質、傳輸 層中之材料類型等而變。雖然並不期望受理論之限制，氮 傳輸一般係經由一或多種機構進行，其之一或多種在選擇 性傳輸之過程中，一顯像條件、給予體結構等而被強調或 不強調。熱傳輸之一機構包含熱熔融-黏著傳輸，因此在熱 傳輸層及其餘給予體元件間之介面處之區域性加熱可降低 熱傳輸層對選擇區域中之受體之黏著。熱傳輸層之選擇部 分對受體之黏著比對給予體強，因此當移除給予體元件 時，會使傳輸層之選擇部分留在受體上。熱傳輸之另一機 構包含消除性傳輸，因此可使用區域性加熱去除受體元件 之部分傳輸層，因此直接對受體去除材料。熱傳輸又另一 機構包含昇華，因此分散在傳輸層中之材料會因給予體元 件中產生之熱而昇華。部分昇華之材料會冷凝在受體上。 本發明包含含此等及其他機構之一或多種之傳輸模式，因 此可使用選擇性加熱給予體片，使材料由傳輸層傳輸至受 體表面。 可使用各種輻射發射源加熱給予體片。針對類似之技術 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
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575653 A7 B7 五、發明説明（34 ) (例如以光罩曝曬）、係使用高功率光源（例如氙閃光燈及雷 射）。對於數位顯像技術，由其使用紅外線、可見光及紫外 線雷射。適用之雷射包含例如高功率（^1〇〇 mW)單模雷射 二極體’纖維耦合之雷射二極體，及二極體泵浦之固態雷 射（例如Nd : YAG及Nd : YLF)。雷射曝曬之停留時間可大 幅度的改變，由數百分之一微秒至十分之一微秒或更久， 且雷射硫可在例如約0.01至約5 J/cm2間或更高。其他照射 源及照射條件均可與其他條件為主適用，例如給予體元件 之結構、傳輸層材料、熱傳模式，及其他因子。
當在大基材面積上需要高精確度定位時（例如當使高資訊 量顯示器及其他該應用用之元件成像時），尤其可使用雷射 當作照射源。雷射源亦與大的硬質基材（例如丨m χ丨^ X 1.1 mm玻璃）及連續或片狀膜基材（例如1〇〇微米厚聚亞醯 胺片）相容。 顯像過程中，可使給予體片與受體緊密接觸（一般為熱熔 融-黏著傳輸機構）或可使給予體片與受體分離相同之距離 (可為消除傳輸機構或材料昇華傳輸機構）。在至少部分例 中，可使用壓力及真空維持給予體片與受體緊密接觸。部 分例中，可在給予體片及受體間放置光罩。傳輸後可移除 光罩或使其留在受體上。若給予體中含光·熱轉化材料，Μ 可使用照射源依顯像方式(例如數位式或經光罩之類㈣ 加熱LTHC層（或其他含照射吸收體之層），進行顯像傳 使傳輸層自給予體片至受體之成像化。 ^ 通¥選用〈傳輸層部分係在未傳輸給予體片之其他層 -38-
575653 A7 B7 五、發明説明（35 ) 明顯部分下傳輸至受體，如選用之中間層或LTHC層。存在 之選用中間層可去除或降低材料由LTHC至受體之傳輸，或 降低傳輸層傳輸部分之損壞。較妤，在顯像條件下，選用 之中間層對LTHC層之黏著帶於中間長對傳輸層之黏著。中 間層可對顯像照射傳輸、反射或吸收，且可用於衰減或另 外集中經過給予體傳輸之顯像照射量，或控管給予體中之 溫度，例如在顯像過程中降低對傳輸層之因熱或照射產生 之破壞。可含有多層中間層。 可使用大的給予體片，包含具有數米或更高之長度或寬 度。操作時，雷射可經光栅或者移經大的給予體片，雷射 係選擇性操作，使部分給予體片依據所需圖案發光。另 外，雷射可靜止且使給予體片或受體基材在雷射下方移 動。 部分例中，可能需要、期望或方便於依序使用二或多種 不同之給予體片，在受體上形成電子裝置。例如，可藉由 傳輸分離之層或分離之堆積層，由不同之給予體片形成多 層裝置。多層堆積亦可當作單一傳輸單元自單一給予體片 傳輸。例如，電洞傳輸層及L E P層可由單一給予體共傳輸。 至於另一實例，半導體聚合物及發射層可由單一給予體共 傳輸。亦可使用多重給予體片在受體之相同層上形成分離 組件。例如，可使用各具有包括可發出不同顏色（例如紅、 綠及藍光）之LEP傳輸層之三種不同給予體片，對所有偏極 化發光電子裝置形成RGB次像素OEL裝置。至於另一實 例，導體或半導體聚合物可經由自一給予體之熱傳形成圖 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575653 A7
案，接著自-或多種給予體熱傳成像化，接著使發光層自 一或多種給予體選擇性熱傳，在顯示器中形成許多0EL裝 置。至於又另一實你】，有冑電晶體之層可藉由電活性有機 材料（定向或沒有）之熱傳，接著對一或多種像素或次像素元 件選擇性熱傳成像，如濾色器、發光層、電傳送層、電栖 層等。 一
裝
不同給予體片之材料可相鄰於受體上之其他材料傳輸， 形成相鄰裝置、相鄰裝置之部分、或相同裝置之不同部 分。另外’不同給予體片之材料可在預先藉由熱傳輸或部 分其他方法（例如微影蝕刻、經過光罩等之沉積），在受體上 成像之其他層或材料部分覆蓋之上直接傳輸。可使用二或 多種給予體片之各種其他結合形成裝置，各給予體片形成 裝置之一或多部分。應了解受體上此等裝置或其他裝置之 其他部分可藉由任一適用之方法形成全部或部分，包含微 影蝕刻法、噴墨法、及各種其他列印或以光罩為主之方 法，不管是現行使用或新發展者。 再參考圖2，將敘述各給予體片層2 〇〇。 給予體基材210可為聚合物膜。其一適用之聚合物膜類型 為聚酯膜，例如聚伸乙基對苯二酸酯（PET)或聚伸乙基審酸 醋（PEN)膜。然而，可使用具有足夠光學性質之其他膜，包 含在特殊波長下之高的光傳輸，或足夠之機構及熱安定 性’依特殊應用而定。給予體基材在至少部分例中為平 面’因此可在其上形成均句塗層。給予體基材一般亦選自 不管加熱一或多層給予體下仍安定之材料。然而，如下 -40- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明（37 ) 述’包含LTHC層間之底層可用於使基材與顯像過程中 LTHC層中產生之熱絕緣。給予體基材之一般厚度在〇〇25 至〇·1 5.亳米之間，較好為005至〇1毫米，但亦可使用其他 更厚或更薄之給予體基材。 用於形成給予體基材及選用之相鄰底層之材料可經選擇 以改善給予體基材及底層間之黏著，以控制基材及底層間 之熱傳，控制輻射傳輸對LTHC層之顯像，以降低缺陷等。 選用之列印層可用於增加將後續之層塗佈於基材上之過程 中之均勻度，以及增加給予體基材及相鄰層間之結合強 度。 選用之底層2 1 2可經塗佈或另外配置在給予體基材及 LTHC層之間，例如控制顯像過程中基材及LTHC層間之熱 _動，或提供儲存、處理、給予體加工或顯像之給予體元 件之機械安定性。適用之底層實例及提供底層之方法揭示 於共受讓之美國專利申請案第09/743,114號中。 底層可包含對給予體元件賦予所需機械及熱性質之材 料。例如，底層可包含產生低比熱及密度（例如比熱X密度） 或相對於給予體基材低導熱性之材料。該底層可用於增加 對傳輸層之熱流動，例如改善給予體之顯像敏感性。 底層亦可包含針對基材及LTHC層間機械性質或黏著性之 材料。使用改善基材及LTHC層間黏著性之底層會使傳輸之 顯相中之失真較低。至於實例，部分例中可使用降低或消 除解積層或使LTHC層分離之底層，例如，可在給予體介質 顯像過程中另外發生。此可降低藉由傳輸層之部分傳輸呈 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明（38 ) 現之失真。然而另一情況下，其可能需要使用顯像過程中 促使層間或層中至少部分程度分離之底層，在顯像過程終 於層間產生空氣間隙，得到熱絕緣功能。顯像過程中之分 離亦可提供藉由使LTHC層加熱產生之氣體釋出之通道。提 供該通道亦會導致較少之顯像缺陷。 底層在顯像波長下實質上為透明，或亦可能顯像輻射之 至少部分吸附或反射。可使用底層顯像輻射之衰減或反射 控制顯像過程中產生之熱。 再參考圖2，本發明之給予體片中可包含LTHC層214， 將輻射能加於給予體片中。LTHC層較好包含吸收入射輻射 (例如雷射光）之輻射吸收劑，且將至少部分入射輻射轉化成 熱，使傳輸層由給予體片傳輸到受體。 通常，L· T H C層中之輻射吸收劑吸收電磁光譜中紅外線、 可見光或紫外線區中之光，且將吸收之輻射轉化成熱。輻 射吸收劑一般高度的吸收選用之顯像輻射，獲得在顯像輻 射波長下之光學密度在約0.2至3或更高之LTHC層。層之光 學密度為光傳輸經過層之強度與光入射於層中之強度之比 之對數（10對數）絕對值。 輻射之吸收劑材料可均勻的加在LTHC層中，或可不均句 的分布。例如，如共受讓之美國專利申請案第〇9/474，⑻2號中 之敘述’可使用不均勻LTHC層控制給予體元件之溫度分 布。此可獲得具有改良傳輸性質之給予體片（例如期望之傳 輸圖案及實際傳輸圖案間較佳之精準度）。 適用之輕射吸收物質可包含例如染料（例如可見染料、紫 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 B7 外線染料 '紅外光染料、勞光染料及輻射極化染料）、顏 料、金屬、金屬化合物 '金屬膜、及其他適用之吸收材 料。週用之輻射吸收劑包含碳黑、金屬氧化物及金屬硫化 物適用（LTHC層义-實例可包含顏料如碳黑及結合劑如 有機聚合物。另-適用之LTHC層包含形成如薄膜狀之金屬 或金屬/金屬氧化物例如黑色鋁（亦即具有黑色外觀之部分氧 化之鋁）。金屬及金屬化合物膜可以如濺射及蒸發沉積之技 術形成特殊塗層可使用結合劑及任一適用之染料或濕潤 塗佈技術形成。LTHC層亦可藉由結合二或多種含相同或不 同材料之LTHC層形成。例如，LTHC層可藉由將薄層黑色 鋁蒸氣沉積在於結合劑中含碳黑之塗層上形成。 通用作LTHC層中輻射吸收劑之染料可為粒狀，溶於結合 》|J材料中或至少部分分散於結合劑材料中。當使用分散之 粒狀輻射吸收劑時，粒徑至少在部分例中約為10微米或更 低，且可約為1微米或更低。適當之染料包含吸收光譜之以 區中之染料。特定之染料可以以如在特定結合劑或塗料溶 劑中之溶解度或相容性，以及吸收之波長範圍等因子為準 選擇。 顏料材料亦可用於LTHC層中當作輻射吸收劑。適用之顏 料只例包含碳黑及石墨，以及酞花青及二硫婦鎳及美國專 利第5，166,024及5,351，167號中敘述之其他顏料。另外，可使 用例如咐咬、直接偶氮紅及鎳偶氮黃之以銅或絡錯合 物為主之黑色偶氮顏料。亦可使用無機顏料，包含例如金 屬氧化物或硫化物如鋁、鉍、錫、銦、鋅、鈦、鉻、鉬、 -43- 本紙張尺度料(CNS) A4^(2H)X297公釐)
裝 訂
575653 A7 __ B7 五、發明説明（40 ) 鎢、鈷、釔、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、锆、鐵、鉛及 叙。亦可使用金屬硼化物、碳化物、氮化物、腈、青銅結 構之氧化物及與青銅族結構相關之氧化物（例如W〇29)。 金屬輻射吸收劑可以粒狀形式使用，如美國專利第 4,252,671中之例所述，或薄膜如美國專利第5,256,5〇6號中諸 揭示。適用之金屬包含銘、处、錫、銦、垣及鋅。 LTHC層中所用適當之結合劑包含成膜聚合物如酚系樹脂 (例如酚醛清漆樹脂及甲酚樹脂）、聚乙烯基丁醛樹脂、聚乙 酸乙烯酯樹脂、聚乙缔基乙縮酸、聚氯化亞乙烯；聚丙烯 酸酯、纖維醚及酯、硝基纖維素及聚碳酸酯。適當之結合 劑可包含單體v寡聚物或已經或可聚合或交聯之聚合物。 亦可含添加劑如光起始劑，以協助LTHC結合劑之交聯。部 刀具a豆例中’結合劑主要係使用可以與選用之聚合物交聯 之單體或寡聚物之塗層形成。 其中包含熱塑性樹脂（例如聚合物）在至少部分例中可改善 LTHC層之性能（例如傳輸性質或塗饰性）。相信熱塑性樹脂 可改善LTHC層對給予體片之黏著。依其一具體例，結合劑 包含25至50 wt%(當計算重量％時不包含溶劑）之熱塑性樹 脂，且較好30至45 wt❶/〇之熱塑性樹脂，氮亦可使用較低量 之熱塑性樹脂（例如i至i 5 wt%)。熱塑性樹脂一般係經選 擇使之與結合劑之其他材料相容（亦即形成單一相結合物）。 至少部分具體例中，結合劑係選擇溶解參數在9至1 3 (卡 /cm )，較妤在9.5至12(卡/cm3)1/2中之熱塑性樹脂。適 用之熱塑性樹脂之實例包含聚丙烯酸、苯乙缔-丙缔酸系聚 -44 - 本紙張尺_度適用中國國家標準(CNS) g格(210 X 297公釐) --— 575653 A7 B7 五、發明説明（41 ) 合物及樹脂及聚乙烯基丁醛。 可添加一般之塗佈助劑如介面活性劑及分散劑，以協助 塗佈。LTHC層可使用技藝中已知之各種塗佈方法塗佈在給 予體基材上。聚合或有機LTHC層在至少部分例中可塗佈至 厚度0.05微米至20微米，較好為〇5微米至1〇微米，且最 好為1微米至7微米。在至少部分例中可塗佈無機lthc層 至厚度為0.0005至10微米，且較好為〇〇〇1至1微米。 再參考圖2，可在LTHC層214及傳輸層218間配置選用之 中間層2 1 6。使用中間層可使例如傳輸層之傳輸部分之損壞 及污染降至最小’亦可降低傳輸層傳輸部分之失真。中間 層亦會影響傳輸層對其餘給予體片之黏著。通常，中間層 具有高耐熱性。較好，中間層在顯像條件下並不變形或化 學分解，尤其是會使傳輸之顯性沒有功能性。傳輸過程中 中間層一般會與LTHC層接觸，且不會實質的與傳輸層傳 輸。 通用I中間層包含例如聚合物膜、金屬層（例如蒸氣沉積 <金屬層）、典機層（例如無機氧化物（例如氧化矽、氧化鈦 及其他金屬氧化物之溶膠沉積層及蒸氣沉積層）），及有機/ 播機稷合層。週用作中間層材料之有機材料包含熱固性及 熱塑性：料。適用之熱固性材料包含可以以熱、輻射或化 學處理父聯< 樹脂’包含交聯或可交聯之聚丙晞酸醋、聚 甲基丙烯酸酯、聚酯、環氧樹脂及聚胺基甲酸酯。熱固性 材料可以以例如熱塑性前驅物塗佈在lthc層上，接著交聯 形成交鏈之中間層。
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。C用之Ά塑性材料包含例如聚丙烯酸酉旨、聚甲基丙婦酸 \^永苯乙婦、胺基甲酸酯、聚颯、聚酯及聚亞醯胺。 此寺熱塑性有機材料可以以一般塗佈技術（例如溶劑塗佈、 噴塗或擠出塗佈）塗佈。通常，適用作中間層之熱塑性材料 ，破璃轉移溫度（Tg)425t或更高，較好為⑽或更高。 部刀:、月庄例中，中間層包含τ呂大於顯像過程中之傳輸成達 収/皿度《熱塑性樹脂。中間層可在顯像輕射之波長下傳 輸、吸收、反射或其部分結合。 C用作中間層材料之無機材料包含例如金屬、金屬氧化 物金屬&化物，及無機碳塗層包含在顯像光波長下高度 傳輸或反射之婦。此等材料可以以-般㈣（例如真空滅 射、真空蒸發或電漿噴射沉積）加於光熱轉化層中。 中門層可提供5午多優點α中間層可為材料由光-熱轉化層 傳輸=保護。其亦可調節傳輸層中之溫度，使之可傳輸熱 不女疋〈材料。例如，中間層可作為熱擴散層，以控制中 間層與傳輸層間〈介面之溫度（相對於lthc層中達到之溫 :)此可改善傳輸層之品質（亦即表面粗糙度、邊緣粗糙度 等）。含中間I#可改善傳輸材料中之塑料記憶。 I間層可s添加劑，包含例如光起始劑、界面活性劑、 顏料可塑劑及塗体助劑。中間層之厚度可依數因子而 Ή列如中間層之材料、LTHC層之材料及性質、傳輸層之 材料及r生貝、顯像ϋ射之波長、及給予體片暴露於顯像輕 ^之時間針對聚合物中間層，中間層之厚度―般為0 · 0 5 微米至10微米。針對無機中間層（例如金屬或金屬化合物中 本紙用中國國家標準χ ---— 575653 A7
間層），中間層之厚度一般為〇 〇〇5微米至1〇微米。 再參考圖2，給予體片2〇〇中包含熱傳輸層218。傳輸層 2 1二可包含任一種適用之材料或各材料，依一或多層配置， 且單獨與其他材料配置。t⑨予體元件暴露於可被光_熱 轉化材料吸收且轉化成熱之直接加熱或顯像輻射時，傳輸 層218可藉由任一適用之傳輸機構，以單元或以部分選擇性 傳輸。 本發明包含配置在形成無定形基質作為傳輸層之部分之 形成可聚合無足形基質之材料之發光、電荷傳輸、電荷保 漢或半導體材料之傳輸層。本發明包含含LEp或其他發光 分子作為發光材料之傳輸層。提供傳輸層之一方法為溶液 塗佈發光材料及形成可聚合無定形基質之材料於給予體 上’形成含發光材料之無定形基f。該方法巾，發光材料 及形成可聚合無定形基質之材料可藉由添加適#之可相容 溶劑溶解，且以旋轉塗佈、凹版塗佈、塗佈棒塗佈、刮刀 塗佈等塗佈於給予體片上。選擇之溶劑較好不會與給予體 片中任-已經存在之層作用（例如膨潤或溶解）。塗層可接著 視情況退火’ JL蒸發溶劑留下含無㈣基質之傳輸層。 傳輸層可在由給予體元件選擇性熱傳輸至位在附近之受 把基材。#需要’可含有超過一層之傳輸層，使之使用單 -給予體片傳輸多層結構。額外之傳輸層可包含形成可聚 合無疋形基質之材料或部分其他材料。受體基材可為任一 種週用於特殊應用之品項，包含（但不限}玻璃、透㈣、反 射膜金屬、半導體及塑膠。例如，受體基材可為適用於 -47- 本紙張尺度適财a a家標準(CNS) A4規格(21GX297公酱了
裝 玎
線 575653 A7 B7 五、發明説明（44 ) 顯示器應用之任何類型之基材或顯示器元件。適用於顯示 器（如液晶顯示器或發光顯示器）之受體基材元件包含實質上 傳輸可見光之硬質或可撓性基材。適用之硬質受體實例包 含以銦錫氧化物塗佈或成像化之玻璃及硬質塑膠，或係以 低溫聚矽（LTPS)或其他電晶體結構（包含有機電晶體）環 化。
裝
適用之可撓性基材包含實質透明且穿透之聚合物膜、反 射膜、傳送膜、極性膜、多層光學膜等。可撓性基材亦可 以電極材料或電晶體塗佈或圖案化，例如在暫時之載體基 材上形成後，直接在可撓性基材上形成或傳輸至可撓性基 材之電晶體陣列。適當之聚合物基材包含聚酯基底（例如聚 伸乙基對苯二酸酯、聚伸乙基莕酸酯）、聚碳酸酯樹脂、聚 烯烴樹脂、聚乙烯基樹脂（例如聚氯化乙晞、聚氯化亞乙 烯、聚乙酸乙婦酯等）、纖維素酯基底（例如纖維素三乙酸 酯、纖維素乙酸酯）及其他用作支撐材之一般聚合物膜。針 對在塑料基材上製造OEL，通常需在塑料基材之一或二表 面上包含保護膜或塗層，以保護有機發光裝置及其電極免 於暴露於不期望之水、氧等之中。 受體基材可以以任一種或多種電極電晶體、電容器、絕 緣體、肋材、分離器、濾色器、黑色基質、電洞傳輸層、 電子傳輸層、及其他用於電子顯示器及其他裝置之元件預 成像化。 本發明包含偏極化發光OEL顯示器及裝置。其一具體例 中，OEL顯示器可由發光即可發出不同顏色之光之相鄰裝 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 B7 五、發明説明（45 置製成。例如，圖3顯示〇EL顯示器3 00，其包含許多配置 在基材：>20上之OEL裝置310。可製備相鄰之裝置31〇以發 射不同色之光。 裝置3 1 0間顯示之分離僅為說明用。相鄰裝置可經分離， 接觸、重疊等，或此等在顯示器基材上超過一方向之不同 結合。例如，可在基材上形成平行長條狀透明導電陽極之 圖案，接著形成電洞傳輸材料之長條狀圖案及紅、綠、及 藍光發光LEP層之長條圖案，接著形成陰極之長條圖案，陰 極條係與陽極條垂直定向。該結構可適用於形成被動基質 顯示器。另一具體例中，可依二次元圖案在基材上加上透 明導電陽極墊，且與電子如一或多個電晶體、電容器等并 用，使其適用於製備活性基質顯示器。其他層（包含發光層） 可再以單一層塗佈或沉積，或可再陽極或電子裝置上成像 (例如平行條、與陽極相稱之二次元圖案等）。本發明一般含 任一種其他適用之結構。 其一具體例中，顯示器3 〇 〇可為多色顯示器。因此，需要 在發光裝置及觀看者之間配置選用之偏極化器33〇，例如提 昇顯示器之對比。列舉之具體例中，各裝置31〇均會發光。 圖^中說明心一般結構會轉化出許多顯示器及裝置之結構。 〇EL同光板可包含發光層。結構可包含未加強或環化之 基材、陽極、陰極、電洞傳輸層、電子傳輸層、電洞射出 層及適用於OEL裝置之材料。結構亦可包含偏極化器、擴 散f、導光器、稜鏡、控光膜、增亮膜等。應用包含白熱 及單色大面積單一像素燈，例如當以熱貼標傳輸、積層傳
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575653 A7 ______B7 五、發明説明（46 ) 輸、阻抗頭熱列印等提供發光材料時；具有由雷射引發之 熱傳輸成像之許多緊密分離之發光層之白色或單色大面積 單一墊及對燈；及可調色多電極大面積燈。 ^ 低解析度〇EL顯示器可包含發光層。結構可包含未加強 或％化之基材、陽極、陰極、電洞傳輸層、電子傳輸層、 %洞射出層、電子射出層、發光層、變色層及適用於 裝置之其他層及材料。結構亦包含偏極化器、擴散器、導 光器、稜鏡、控光膜、增亮膜等。應用包含圖像顯示器燈 (例如裝置時間顯示器）；小單色被動或主動基質顯示器；小 單色被動或主動基質顯示器加上圖像指示器燈當作整體顯 示恭之一部分（例如手機顯示器）；大面積像素顯示器（例如 口午多模組或牌’各個均具有相對小量之像素），如適用於戶 外顯示器者；及保全顯示器之應用。 高解析度OEL顯示器可包含發光層。結構包含未加強或 環化之基材、陽極、陰極、電洞傳輸層、電子傳輸層、電 洞射出層、電子射出層、發光層、變色層及適用於〇El裝 置之其他層及材料。結構亦包含偏極化器、擴散器 '導光 器、棱鏡、控光膜、增亮膜等。應用包含主動或被動基質 多色或全色系顯示器；主動或被動多色或全色顯示器加片 段或圖像指示器燈（例如高解析度裝置引發之雷射傳輸加相 同基材上之圖像之熱貼標及保全顯示器之應用。 實例 宜1 : 1-(7-甲氧某芴_2_某乙酮之合成 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575653 A7 B7 五 發明説明（47
依據 Kajigaeshi 等人，Bull. Chem.Soc. Jpn,. 52, 3569-3572 (1979)或 Gray 等人，LChem Soc.. 1955: 2686-2688，以乙醯氯/A1C13 使 芴-2-基-甲基醚醯化製備1-(7-甲氧基芴-2·基）-乙酮。 實例2 : 1 - (7 -溴-9 Η -苗-2 基）-乙酮之製備
裝 依據 Tsuno 等人在 Bull, Chem· Sac· Jpn·· 51，601-607 (1978)中之方 法’使2 -溴苟（購自Aldrich化學公司，Milwaukee，WI)與乙酸 酐/A1C13/硝基苯反應製備1-(7-溴-9H-芴-2-基）-乙酮。 t例3 : 1-(7-溴-9,9-二丙某-911-芴-2-基）-乙酮之傷碑
訂
線 將氯化便基三乙基銨（3. 19克，14毫莫耳，0.0 77當量）及 1-(7-溴-9H-芴-2-基）-乙酮（52.26克，182毫莫耳，1當量） 懸浮在178毫升DMSO中，添加50%NaOH水溶液（80毫 升）。接著以小量添加1-溴丙烷（5 9.88克，43 7毫莫耳，2.4 當量）。反應終止前在室溫攪拌2小時，接著以乙醚萃取水 層。合并之醚層以水洗滌五次，且以硫酸鈉脫水。有機層 接著過濾、蒸發至乾，且使殘留物在矽膠管柱上快速層 析，獲仔1-(7->臭-9,9-二丙基-91^-苗-2-基）-乙嗣。 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐) 575653 A7 B7 五、發明説明（48 ) 實例4 :三溴化物（A)之合成
A 使實例3之1-(7-溴-9,9-二丙基-9^1-芴-2-基）-乙酮（20 克，53.9毫莫耳）及150毫升對-甲基異丙基苯及對-MeC6H4SO3H(0.3克）之混合物在Dean Stark裝置中回流3天，獲 得化合物A。 實例5 :形成可聚合無定形基質之化合物1之合成
化合物 1 可藉由與 W. A. 1^1^€111:及氏 J. MckKinney，J，Org· Chem.， 50, 5370-5372 (1985)中所述類似方法合成。在室溫下，以溴化 乙烯基鎂（3.75毫升，THF中1.0 Μ溶液）處理溶於THF中 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 575653 A7 B7 五、發明説明（49 ) 之實例4之三溴化物A( 1毫莫耳）及氯化[雙（二甲基膦基）乙 烷]鎳（Π)(0.03毫莫耳）。反應完成後，以半飽和NH4C1水 溶液終止反應。混合物以乙醚萃取，蒸發乙醚後獲得產 物。 實例6 :具有形成疊氮化物基團之可聚合無定形基質之化合 物之合成
装 訂
疊氮化合物可以以 P，A. S. Smith, C，D. Rome 及 L.B. Bruner, J. Org. Chem·，34, 3430-3433 (1969)中所述類似之方法合成。在溫和回 流下，以magnesium turning (4毫莫耳）處理溶於乙醚中之實例4 之三溴化物A(1毫莫耳）。反應完成後，於0°C下將反應混合 物加於含對甲苯磺醯基疊氮化物（3.3毫莫耳）之10毫升乙醚 溶液中。添加完成後，滴加含焦磷酸四鈉十水合物（3毫莫 耳）之水。攪拌隔夜後，分離醚層，以氯化鈣脫水且在氧化 鋁管柱上以石油醚溶離純化。蒸發石油醚後獲得產物。 實例7 :具有伸乙醯基團之可聚合無定形基質成形化合物之 合成
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（so ) 在氬氣下將實例4之二溴化物A(30.0毫莫耳）溶於二乙胺 (250毫升^中。將碘化酮（5〇毫克）及二氯雙（三苯基膦）鈀 (11)(400 ¾克）添加於攪拌溶液中。添加三甲基矽烷基乙炔 (10.6克，108毫莫耳），且使混合物在5〇t下加熱7小時。 冷卻後，過濾形成之溴化二乙胺溴酸鹽沉澱物。且以乙醚 洗滌。接著將合并之濾液蒸發至乾，再將殘留物於管柱 (A 12〇3支撐，輕石油醚）上層析。所得產物在室溫、攪摔 下，以甲醇-氫氧化鈉混合物（50毫升：30毫升，1M)處理 1小時。蒸發有機溶劑，以乙醚萃取殘留物且脫水（硫酸 鈉）。移除溶劑獲得產物，其可以以昇華純化。 焉例8—:是有甲氧化物基團之形成可聚合無定形基質之化合 物之合成
以製備實例4之三溴化物A之相同一般方法製備化合物， 但使用1-(7-甲氧基芴-2 -基）_乙酮（實例丨）取代1-(7 -溴 -9,9-二丙基-9H-芴-2-基）-乙酮。 色19:具有塞—棊基團之形定形基μ化合物之 合成 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公$—^* 575653 A7 B7
五、發明説明（51
該醉可耩由在私準條件下使用ΒΒγ3，使會存 风g例8之化合物脫 甲基化合成。 另外’該醇可以類似 M.F. Hawthorne，j，0rg Chem，^，励i (1957)中所述之方法合成。在溫和回流下以鎂屑。毫莫耳）處 理在乙醚（10毫升）中之實例4之三溴化物A(1亳莫耳）。反應 完成後，在-78°C下添加於含硼酸甲酯（3 3毫莫耳）之1〇毫 升乙醚溶液中。添加完全後，使反應升溫至室溫，且添加3 毫升10%鹽酸。分離醚層，且以水洗滌數次。接著於醚層 中添加3毫升10%雙氧水。接著以水溶液洗滌 醚層，移除過量之雙氧水。蒸發醚獲得產物。 m_i 〇: 有四氟乙醯基醚某團之形成可聚合a宕芊皙 之化合物之合成 該化合物可藉由美國專利第5,023,380號之實例1中所述類 似之方法，由實例4之三溴化物a合成。 實例11 :具有甲基丙婦酸醋某基團之形成可聚合备宏飛亭 團之化合物之製備 該甲基丙烯酸酯化合物可藉由在一般醯化條件下，使醇 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 575653 A7 B7 五 發明説明（52 與甲基丙醯氯反應，自實例9之醇製備。 本發明不應視同限於上述之特殊實例，然而應了解其涵 蓋附屬申請專利範圍之所有目的。各種改良、相等之方法 以及本發明可使用之許多結構均為熟習本技藝者參考本發 明之說明書後可輕易了解。 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 575653
    A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種製備有機發光裝置之方法，該方法包括： 溶液塗佈給予體基材上之傳輸層，該傳輸層包括具有 沉積在基質上之發光材料之可聚合無定形基質； 將一部分傳輸層選擇性傳輸至受體；及 使傳輸至受體之傳輸層之部分之可聚合無定形基質聚 合。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，尚包括在給予體基材上 形成光-熱轉化層，且其中選擇性熱傳輸傳輸層至受體 包括以顯像輻射選擇性照射光-熱轉化層，且將顯像輕 射轉化成熱。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，尚包括在基材上形成至 少一層額外之傳輸層，且其中選擇性熱傳輸傳輸層至受 體包括選擇性熱傳輸傳輸層，及至少一額外之傳輸層於 受體。 4 ·如申凊專利範圍第1項之方法，其中之發光材料包括發 光聚合物。 5 .如申叫專利範圍弟1項之方法，其中之發光材料包括嶙 光材料。 6.如申請專利範圍第之方法，其中之可聚合無定形基 貝包括至少一具有形成無定形基質之基底結構及至少二 與基底結構偶合之可聚合基團之形纟可聚合無定形基質 之化合物。
    、全氟乙烯基醚、疊氮化物、戊二烯、炔 ^紙張尺度適财g a家標準(CNS) - 575653 A B c D 申請專利範圍 基、（甲基）丙烯酸酯、苯基块基、異氫酸酯、及苯并環 丁烷基團。 8 .如申請專利範圍第6項之方法，其中之基底結構包括枝 狀物。 9 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中之基底結構係選自 下列
    其中各R獨立為包括至少一選自烯基、伸婦基、芳基、 伸芳基、雜芳基及伸雜芳基官能基之取代基。 I 〇 ·如申请專利範圍第1項之方法，其中之聚合步驟包括： 使傳輸至文體之部分傳輸層之可聚合無定形基質聚合。 II ·如申请專利範圍第丨項之方法，其中之傳輸層尚包括交 耳外劑，且聚合步騾包括使傳輸至受體之部分傳輸層之可 水合然定形基質及交聯劑聚合。 12. =申請專利範圍第丨項之方法，其中之發光材料包括可 氷合發光化合物，且聚合步騾包括使傳輸至受體之部分 傳輸層<可聚合無定形基質及可聚合發光化合物聚合。 13. —種給予體片，包括 基材；及 基材上之傳輸層，該傳輸層包括在基質上之可聚合無 :297公釐） 58- 575653 圍範 利 專請 中 A B c D 疋形基質及發光材料，其中之傳輸層可由給予體片選擇 ^生熱傳輸至附近之受體。 I4·如申請專利範圍第13項之給予體片，尚包括在基材及傳 輸層間之光-熱轉化層。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之給予體片，其中之發光材料包 括發光聚合物。 I6·如申請專利範圍第13項之給予體片，其中之發光材料包 括磷光材料。 17. 如申請專利範圍第13項之給予體片，其中之可聚合無定 形基質包括至少一具有形成無定形基質之基底結構及至 少二與基底結構偶合之可聚合基團之形成可聚合無定形 基質之化合物。 18. 如申請專利範圍第17項之給予體片，其中之可聚合基圏 獨立選自乙烯基、全氟乙缔基醚、疊氮化物、戊二缔、 块基、（甲基）丙烯酸酯、苯基炔基、異氫酸酯、及苯并 環丁烷基團。 19·如申請專利範圍第17項之給予體片’其中之基底結構包 括枝狀物。 20·如申請專利範圍第17項之給予體片，其中之基底結構係 選自下列 ^
    59- — 紙張尺产適^標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 575653 A B c D 々、申請專利範圍 其中各R獨立為包括至少一選自婦基、伸烯基、芳基、 伸芳基、雜芳基及伸雜芳基官能基之取代基。 21. —種電發光裝置，包括： 第一電極； 第二電極；及 在第一及第二電極間之發光層，該發光層包括具有在 基質上之發光材料之聚合有機基質。 22。 如申請專利範圍第21項之電發光裝置，其中之發光材料 包括在基質上聚合之發光化合物。 23·如申請專利範圍第21項之電發光裝置，其中之發光材料 包括發光聚合物。 24·如申請專利範圍第21項之電發光裝置，其中之發光材料 包括磷光材料。 •60- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
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