TW573198B - Liquid crystal display device having uniform feedthrough voltage components - Google Patents
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Description
573198 五、發明說明(l) 本發明係有關於一種液晶顯示裝置,特別是一種液晶 顯示裝置,其具有均句貫穿電壓元件,高影像亮度,以及 高影像顯示品質。 一種主動矩陣式液晶顯示面板,為一液晶顯示面板, 其中TFT(薄膜電晶體)加至在各個以矩陣置於基板表面上 的畫素電極。近來,主動矩陣式液晶顯示面板,廣泛地使 用在攜帶型個人電腦或桌上型個卜電腦的顯示設備中,液 晶顯示電視中,等等。此因,在主動矩陣式液晶顯示面板 中’近來採用極性反轉驅動系統、而藉以改善如影像對 比’對應於動晝信號的反應速度等等。然而,近來,液晶 顯示裝置的面板尺寸變大,各個畫素變小,而各個畫素的 開口率變。為此理由,各閘極導線導體的長度變長,各閘 極導線導體的寬度變小,使得各%極導線導_的電阻不可 避免地增加。 ' 又,根據各閘極導線導體的長度增加而寬度減少,施 加至液晶顯示面板的閘極脈衝的波形•延遲,因為由閘極脈 衝所驅動的畫素電極具有電容,也因為閘極導線導體具有 大閘極導線電阻。另外,常十閘極脈衝的輸入端的距離變 長時’閘極導線導體的電阻變大,使得脈衝波形的延遲, 也在當自閘極脈衝的輸入端的距離變長時變大。 例如,在第12圖中大略示出的液晶顯示面板1中,信 號輸入部份2和3,沿面板1的左側部份和下或底側部份放 置。假設信號輸入部份2為一閘極信號輸入部份,自其施 加閘極信號至以矩陣放置的畫素中之TFT,自閘極信號輸 573198 五、發明說明(2) 入部 份2至TFT的 距離 ,以圖 中所示之點(a), •(b), (C)的 順序 > 或點(A ) (B) ,(C) c •因此,閘極導線電阻以相同 的順 序 變大。 因 此,根據 閘極 信號’ 亦即閘極脈衝 延 遲 的不 同,當 閘極 脈 衝關閉時 ,造 成畫素 電極之電位的 偏 移 的大 小,亦 即貫 穿 電壓的大 小變 化。 • - 如 第5A至5D 圖中 之信號 波形p示,貫 穿 電 壓變 成一電 壓差 9 亦即VFDIN 或VFDOUT , 在汲極脈衝的中心電位,亦 即DPC, 和源極脈衝的中心電位/亦即SPC 之 間 〇在 此,假 設VFDIN表示在閘極脈衝之輸入端的貫穿電壓, 而VFDOUT 表不 在 相對於閘 極脈 衝之輸 入端的一端之 貫 穿 電壓 。在此 情況 下 ,因貫穿 電壓 隨自閘 極脈衝的輸入 端 的 距離 變大而 變得 更 小,而有VFDIN >VFDOUT的關係。 當 在影像顯 區 域中的 貫穿電壓差變 得 更 大時 ,出現 影像 殘 留,染色 等等 ,且因 而顯示品質劣 化 0 習知 地’為 了將 在 影像顯示 區域 中的貫 穿電壓差‘最小 化 9 考慮 影像顯 不區 域 的中心的 貫穿 ,所造 成的汲極信號 的 偏 移之 電壓 降, 來 降低相對 電極 的電壓 '然而,雖然 在 影 像顯 示區域 的中 心 得到的最 佳狀 況,無 1 法在影像顯示 區 域 的週 邊得到 彳 的最 佳 狀況。因 此, 在週邊 部份,因直流 電 壓 分量 施加至 液晶 可能發生 上述 的影像 殘留,染色等 等 9 而影 像顯示 的品 質 劣化。亦 即, 即使調 整相對電極的 電 壓 以在 影像顯 示區 域 的中心得 到最 佳狀況 ’但直流電壓 施 加 至在 遇邊部 份的 液 晶,且難 以有 效地避 免上述影像顯 示 的 品質 劣化。
573198 五、發明說明(3) 在此’說明貫穿電壓依據閘極脈衝波形的延遲而變化 的理由。 第4圖係顯示液晶顯示面板部份的等效電路圖。如第4 圖中所示’晝素的等效電路包括一 TFT 14,其汲極(D)偶 合至汲極信號線15,而其閘極(G)偶合至閘極信號線13, 二閘極-源極電容Cgs,一儲存電容Csc,以及一液晶(LC) 電容Clc。儲存電容Csc存在於TFT> 14的源極電極(S)和相 鄰的閘極信號線13之間。LC電容C'lc存在於TFT 14的源極 電極’亦即顯示電極,和相對電^ 2 1之間。 藉由閘極-源極電容CgS,儲存電容。。,液晶(LC)電 谷C 1 c ’以及閘極脈衝振幅AVg,可以下列方程式近似表 示貫穿電壓Vfd。 = [Cgs/(Clc + Csc + Cgs)] * AVg(l) 另一方面’當閘極脈衝的落下邊緣,由於閘極導線導 體的阻值而延遲時,電流自源極電極至汲極信號線流動, 直到TFT 14完全關閉。此電流的總量\,亦即TFT漏電,變 成下列方程式。 S Ids dt Λ
I 考慮此電流的總量,貫穿電秦Vfd變成下列方程式。
Vfd = (Cgs * AVg - Slds dt)/ (Clc + Csc + Cgs) (2) 在此’電流的總量,亦即, S Ids dt 大約和閘極脈衝的延遲程度成正比,且因此在閘極信號輸
II m
第6頁 573198 五、發明說明(4) 入部份2的一側,變成下列方程式。 5 Ids dt = 〇 因此’貝穿電壓元件’在閘極信號輸入部份2的一側 與其相對側不同,而在影像顯示區域中產生的貫穿電壓差 △ Vf d ’其為方程式(丨)和(2)之值的差,以下列方程式表 示。 △vfd = S Ids dt / (Clc +丨 Csc + Cgs)(3) 為了使在影像顯示區域中產生的貫穿電壓元件均勻 化,可降低閘極導線電阻,以減·少閘極脈衝的延遲。要實 現此方式,可加大閘極導線導體的寬度或膜厚,以及改變 _ 導線材料成具有較低特性電阻的材料,例如鋁,金等等。 然而’當加大導線導體的膜厚,和當改變導線材料時需 要改變液晶顯示裝置的製造製程_、又,當加冬導線導體的 寬度時,會使液晶顯示裝置的開口率變差。 w 為了解決此問題,日本專利公開公報編號第1 0-39328 ,揭露一種液晶顯示裝置,其中貫穿·電壓元件在影像顯示 區域_均勻化,且抑制施加至在影像顯示區域中之液晶的 直流電壓分量的變化。因两,改善液晶顯示面板之影 留’染色等等,而得到高影^顯示品質。 在日本專利公開公報編號第10 —39328號的液晶顯示裝 _ 置中’形成於TFT基板上的複數個畫素電極,各加上一 助電容部份。又,當自閘極脈衝的輸入端的距離變大時, 該辅助電容部份的電容變小。 ♦ 、’ 例如,額外提供至各個畫素電極的輔助電容部份的電
第7頁 573198 五、發明說明(5) 容,由晝素電極和閘極信號線經由間層絕緣膜的重疊面積 而決定。當自閘極脈衝的輸入端的距離變大時,該重疊面 積變小。 第12圖亦對應至在日本專利公開公報編號第10 —39328 號揭露的液晶顯示面板之平面圖。在此液晶顯示面板中, 沿著面板的左側部份和底側部份,提供信號輸入部份2和 3。假設閘極脈衝由信號輸入部份^,亦即閘極信號輸入部 份2,輸入至晝素區域ia。又,第13A,13B,和13C圖係各 自顯示習知液晶顯示裝置中的液曰曰曰顯示面板之詳細結構部 份A,B,和C的放大平面圖。第14A,14B,和14C圖係各自 顯示取自第13A,13B,和13C圖中之A-A,,B-B,,和C-C, 線的放大部份剖面圖。 如第13A至13C圖和第14A至14ς圖中所示,在玻璃基板 19上,閘極信號線13各具有預設形狀,包括TFT 14的閘極 電極部份,連續形成一間層絕緣膜2 3,和由非晶矽等製成 之源極/汲極區域,且因而製造出TFT·· 14。接著,形成没 極信號線1 5,使得汲極信號線15偶合至汲極區域,且在間 層絕緣膜23上形成晝素電極W,並偶合至對應的TFT 14之 源極區域。將各個畫素電極1製成形狀,使得晝素電極16 與偶合至相鄰畫素的TFT 14之閘極信號線13部份重疊。畫 素電極16由保護膜27所覆蓋。又,在相對於玻璃基板19放 置的相對基板20上,將液晶填充至相對電極21和在相對電 極21與在畫素電極16等等上之保護膜27之間的間隙區域。 上述液晶顯示裝置結構的等效電路圖,亦可由第4圖 573198
所示之電路表示。亦即,畫素的等效電路包括一Τρτ 其淡極偶合至没極信號線1 5,而其閘極偶合至閘極信號線 U , —閘極-源極電容Cgs,一儲存電容Csc,以及一液晶 (LC)電容Clc。在此情況下,經由間層絕緣膜23,電容性、 地偶合至閘極信號線1 3和畫素電極1 6而組成儲存電容 Csc。又,當自閘極信號輸入部份2的距離變大時,亦即由 部份A朝向部份C,閘極信號線13,畫素電極16之間重疊的 面積變小。因此,由部份A朝向部份C儲存電容Csc變小。 在此結構中,當自閘極信號^入部份2的距離變大 時,貫穿電壓元件由於閘極脈衝的延遲而造成的TFT漏電 變小。然而,因當自閘極信號輸入部份2的距離變大時, 儲存電容Csc變小,貫穿電壓元件的變化,被儲存電容Csc 的變化所補償。亦即,假設在第1 g圖中的部件A之貫穿電 壓元件和儲存電容,各為Vfdin和Csc,而在第12圖中的部 份C之貫穿電壓元件和儲存電容,各為Vfdout和Csc,, Vfdin和Vfdout,各以下列方程式(4)‘和(5)表示。
Vfdin = [Cgs/(Clc + Csc + Cgs)] * AVg(4) Vfdout = (Cgs * AVg Slds dt)/ (Clc + Csc, + Cgs) (5) ! 在該等方程式(4)和(5)中,若儲存電容Csc和Csc’相 同,則Vfdin > Vfdout。因此,藉由決定Csc和Csc’的 值,使得Vfdin和Vfdout的值彼此相等,可使貫穿電壓元 件在部份A和部份C二者均勻化。 將參照信號波形圖,說明可使貫穿電壓元件均勻化的
第9頁 573198 五、發明說明(7) 理由。 第5A和5B圖係顯示在上述部份A的信號波形,而第5C 和5D圖則顯示在部份c的信號波形。在各第5人圖和第5C圖 中所示的波形,為各自由閘極信號線和汲極信號線輸入之 閘極脈衝GP和汲極脈衝DP的信號波形,而在各第5B圖和第 5D圖中所示的波形,為實際寫入畫素電極之源極脈衝sp的 波形。在部份A,源極脈衝SP受閘>極脈衝GP降下所影響,
且源極脈衝中心SPC的電位變得比汲極脈衝中心dpc小 Vdf in的量。另一方面,在部份c '因上述之TFT漏電,受 閘極脈衝GP降下的影響變小。所以,如上所述,考慮tft 漏電的量,藉由使在相對於閘極脈衝GP的輸入侧的一側上 之儲存電容小,可降低閘極脈衝GP降下的影響,而使 Vidin和Vfdout的值彼此相等。\ 事實上,需要事先實行模擬且/或實驗,以評估 S Ids dt 的值。接著,得到所需的儲存電容變‘化,而儲存電容隨自 閘極信號輸入部份2的距離變大而漸漸減少。在此,儲存 電容值Csc和Csc’之間的關係,如下所示。
Csc, = [(Cgs * AVg - X Ids dt) (Clc + Csc + C^s)]/ (Cgs * AVg) - (Clc - Cgs)(6) 由此公式,得到在部份C的儲存電容Csc’ ,而儲存電 容’隨自閘極信號輸入部份2至閘極信號輸入部份2的相對 側的位置改變,而逐漸減少^事實上,如第13A至13C圖中 所示,一重疊區域17a,亦即一重疊距離,在畫素電極
573198 五、發明說明(8) 和前一級的閘極信號線13之間, 至相對端的位置改變,逐漸降低 一第1 5圖所示為實際量測在影 兀件的結果,其示於日本專利公 中。在不使用上述結構的習知液 輸入部份的距離變大,貫穿電壓 使用上述結構的習知液晶顯示面 在包括部份A和部份C的所有 的距離,大致是均勻的。所以, 晶顯示面板中,在影像顯示區域 化,而可抑制影像殘留,染色等 整個影像顯示區域中,以改盖影 i一定的欲望去進-,改善 質。 因此,本發明的目的之一, 置其中在影像顯示區域内的貫 化,且其中所顯示的影像亮度可 本發明的另一目的,在提供 有不同於上述習知結構的結ά了 的貫穿電壓元件,可被均句化, 本發明的另一目的,在提供 在影像顯不區域内的貫穿電壓元 制在整個影像顯示區域内的影像 影像顯示品質。 隨自閘極 以逐漸減 像顯示區 開公報編 晶顯示面 元件的·值 f中,貫 上,不管 i使用上 中的貫穿 等出現在 像顯示品 顯、示裝置 信號輸入部份2 少儲存電容。 域中之貫穿電壓 號第1 0-39328號 板中,隨自閘極 變小。然而,在 穿電壓元件的值 自閘極輸入部份 述結構的習知液 電壓元件被均勻 液晶顯不面板的 質。然而,仍存 中吟影像顯示品 在提供一種液晶顯示裝 穿電壓元件,可被均勻 進一步增加。 一種液晶顯示裝置,其具 但其中在影像顯示區域内 以改善影像顯示品質。 一種液晶顯示裝置,其中 件,可被均勻化,且可抑 殘留,染色等等,以改善
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第12頁 573198
„ t以各該辅助電容部㈣電容,由畫素的t素電極和 。▼極k號線之間的相對部份之面積而決定較佳,該閘極信 ,線經由該畫素電極和該閘極信號線之間的間層絕緣膜和 鼠化物膜而與相鄰畫素偶合。 ,各該辅助電容部份的電容,由畫素的晝素電極和閘 ^信號線之間的相對部份之面積而決定較好,$閘極信號 二經由該畫素電極和該閘極信號參之間的間層絕緣膜而 相鄰畫素偶合。 也以該背光部份包括至少一:長形背光源和一導光板較 好,該導光板置於該液晶顯示面板的背側,且其自該背光 源朝向該液晶顯示面板傳導光,該導光板包括印刷光散射 邻份,置於其表面上,以調整背光亮度的分佈。 又以該背光部份包括一長形叱光源,沿著該液晶顯示 面板之該閘極信號輸入部份的側邊1放置較好。 也以該背光部份包括一長形背光源,沿著該液晶顯示 面板之與該閘極信號輸入部份垂直的·側邊放置較佳。 勹根據本發明的另一種型態,提供一種液晶顯示裝置, 包括:(a)—液晶顯示面板具丨有:複數個畫素,其以具有 歹J和行的矩陣放置,且其各具有至少一薄膜電晶艘(ΤΗ) ^一畫素電極;複數個閘極信號線,其自所放置之閘極信 號輸入部份,沿液晶顯示面板的一側延伸,且其各與矩陣 之列中的TFT偶合;輔助電容部份,各額外地與一畫素的 $素電極偶合,該閘極信號線的寬度變得更窄,且因而隨 著至該閘極信號輸入部份的距離變得更大,而該辅助電容
第13頁 573198 五、發明說明(11) 部份的電容變得更小;以及一相對基板,其相對於該tft 基板而在其間保持-小間隙,該小間隙以液晶填充;以及 (b)—背光部份,以自其背側照射該液晶顯示面板,隨著 至該閘極信號輸入部份的距離變得更大,由該背光源 的背光照射變得更小。 在此情況下,以各該輔助電容部份的電容由畫素的 晝素電極和閘極信號線之間的相對部份之面積而決&較 佳,該閘極信號線經由該畫素電斧和該閘極信號線之間的 間層絕緣膜和氮化物膜而與相鄰4畫素偶合。
也以各該輔助電容部份的電容,由畫素的畫素電極和 ,極信號線之間的相對部份之面積而決定較佳,該閘極作 ΐ線經由談畫素電極和該閘極信號線之間的間層絕緣膜; 與相鄰畫素偶合。 · 又以該背光部份包括至少一長形背光源和一導光板較 好該導光板置於該液晶顯示面板的背側,且其自該背光 ,朝向該液阳顯示面板傳導光,該導光板包括印刷光散射 部份,置於其表面上,以調整背光亮度的分佈。
以該背光部份包括一長f背光源,沿著該液晶顯示面 板之該閘極信號輸入部份的側邊放置較好。 而也以該背光部份包括一長形背光源,沿著該液晶顯示 板之與該閘極信號輸入部份垂直的側邊放置較好。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂’下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳 細說明如下··
573198 五、發明說明(12) 圖式簡單說明: 第1A圖所示為根據本發明之液晶顯示裝置的平面圖; 第1B圖係顯示第1A圖中所示之液晶顯示裝置,自第1A 圖中的箭號A所見的側視圖; 第2A,2B,和2C圖係各自顯示本發明之第一實施例, 液晶顯示裝置中的液B曰顯示面板之詳細結構部份A ’ B,和 C的放大平面圖; 第3A,3B ’和3C圖係各自顯示取自第2a,2B,和2C圖 中之A1 - ΑΓ ,B卜B1’ ,和Π-Cl,^的放大部份剖面圖; 第4圖係顯示液晶顯示面板之畫素部份的等效電路之 電路圖; 第5A,5B,5C ’和5D圖所示為在液晶顯示面板之不同 部份上的信號波形的波形圖,用&解釋由閘極信號脈衝的 延遲所造成的貫穿電壓元件之變化;; 第6A,6B,和6C圖係各自顯示開口區域,背光源亮 度,和影像顯示亮度,對應於本發明‘之液晶顯示面板的位 置之分佈圖; 第7 A,7B,和7C圖係务,顯示開口區域,背光源亮 度,和影像顯示亮度,對應於習知之液晶顯示面板的位置 之分佈圖; 第8A,8B,和8C圖係各自顯示本發明之第二實施例, 液晶顯示裝置中的液晶顯示Φ板之詳細結構部份A,B,和 C的放大平面圖; - 第9A,9B,和9C圖係各自顯示取自第8A,8B ,和8C圖
第15頁 573198 五、發明說明(13) 中之Α1-ΑΓ ,B1 -B1’ ,和C1-C1,線的放大部份剖面圖; 第10A圖所示為取自沿著第8A圖中之D-D,線之TFT部份 附近詳細結構的部份剖面圖; 第1 0B圖係顯示取自沿著第2A圖中之D-D,線之TFT部份 附近詳細結構的部份剖面圖; 第11A圖所示為根據本發明第三實施例之液晶顯示裝 置的平面圖, j 第11B圖係顯示由第11A圖中之箭號B所見,示於第iiA 圖中之液晶顯示裝置的側視圖; 第12圖所示為習知液晶顯示裝置之架構平面圖; 第13A ’13B ’和13C圖係各自顯示習知液晶顯示裝置 中的液晶顯示面板之詳細結構部份A,B,和C的放大平面 園, < 第14A ’14B,和14C圖係各自顯示取自第;[3A,13B, 和1 3C圖中之A-A’ ,B-B’ ,和C-C’線的放大部份剖面圖; 以及 \ 第15圖所示為在水平方向上,不同的液晶顯示面板之 不同的貫穿電壓元件。 .,· 符號說明: 1~液晶顯示面板;la〜畫素區域;2〜閘極信號輸入部 份;3〜没極信號輸入部份;4〜背光源;4 a〜背光源;5〜畫 素;6〜畫素;7〜畫素;8〜導光板;8a〜導光板;9〜印刷光 散射部份;10〜光;11〜箭號;12〜箭號;13〜閘極信號線; 14〜薄膜電晶體;15〜汲極信號線;15b〜半導體層;16〜畫
第16頁 573198 五、發明說明(14) 素電極;17〜辅助電容部份;17a〜重疊區域;18〜開口部 份;19〜破璃基板;2〇〜玻璃基板;2卜相對電極;22〜^ 晶;23〜間層絕緣膜;24~鈍化氮化物膜;25〜源極區域; 26〜接觸孔;27〜保護膜。 ’ 實施例: 在根據本發明的液晶顯示裝置中,·各對應畫素電極提 供的辅助電容器之電容,藉由使巧極信號線的^度,隨自 閘極信號輸入部份的距離變大而變窄,來使其變小。又, 構成背光部份,使得背光的亮度,隨自閘極信號輪入部份 的距離變大而變小。因此,可使在影像顯示區域内的貫^ 電壓元件被均勻化,且可抑制在整個影像顯示區域内的影 ,殘留,染色等等。其亦可均勻化並增加所顯示的影像= 免度。因此’其可進一步改善影幾顯示品質。 (第一實施例) ' 第1A和1B圖係綱要地顯示根據本發明之液晶顯示裝 置。特別地’第2A至2C圖和第“至扣*圈所示為,本^明之 第一實施例的第U和1B圖之液晶顯示裝置的詳細結構。 第1A圖係綱要地顯示緣爭顯示裝置的一般結構,包括 液晶顯不面板1和背光源4。έΐΒ圖所示為第1A圖之液晶顧 示裝置的側視圖,自其左側,亦即自第以圖中的 顯 示的方向看入。 該液晶顯示面板1包括一畫素區域,其中複數個畫 =,其以具有列和行的矩陣放置。其各個畫素(未於 1B圖中示出)包括一 Tft 14和一畫素電極,將說明於
第17頁 573198 五、發明說明(15) 後。複數個閘極信號線13和複數個汲極信號線15(未於第 1A和1B圖中示出)彼此垂直放置。各個畫素置放在靠近閘 極信號線13和汲極信號線1 5的交叉處。沿著液晶顯示面板 1的左側和上側,各放置一閘極信號輸入部份2和一汲極信 號輸入部份或信號輸入部份3。該閘極信號輸入部份2包 括’例如,複數個閘極信號輸入墊或端點,以供給閘極驅 動脈衝至畫素區域la。又,該汲产信號輸入部份3包括, 例如’複數個没極信號輸入墊或端點,以輸入沒極驅動脈 衝至晝素區域la。 ; 該背光源4具有,例如,一長形形狀,且置於該液晶 顯示面板1的下側。如第18圖中所示,一導光板置於該液 晶顯示面板1的背側,且自背光源4傳導光至該液晶顯示面 板1的畫素區域la。因此,背光源、置於相鄰導光板8 邊緣。 、 低 在此’對背光源作詳細說明。如第1 B圖中所示,在所 使用的液晶顯示裝置,例如,筆記型·個人電腦等等,需 具,低功率消耗和小尺寸,一般使用一背光源4 ,並沿著 =光板8的邊緣或側邊放置,丨以照射整個顯示區域。‘ 常,來自背光源4之光的亮度1,隨自背光源4的距離品 變南’而隨距離變長而亮度變低。 ^而’在整個顯示區域的亮度分佈可用導光板8 整。亮度以適當地在導光板8的表面上放置印刷光 份9而調整。亦即,藉由使印刷光散射部份9的數目,射: 背光源4的距離變短而變小,且隨自背光則的距_ =
573198 五、發明說明(16) 變大。其可使各個印刷光散射部份9的面積,隨自背光源4 的距離變短而變小,且隨自背光源4的距離變遠而變大。 其可進一步根據自背光源4的距離,而調整印刷光散射部 份Θ的數目和面積。 當來自背光源的光1 0照射在印刷光散射部份9上時, 光10被印刷光散射部份9隨機地反射和散射,且被散射至 液晶顯示面板1上,如第1B圖中之^箭號11所示,使得液晶 顯示面板的畫素區域la被明亮地照射。另一方面,當來自 背光源的光1 0照射在沒有印刷光^射部份9放置的部份上 時’光1 0在導光板8的表面朝向導光板8的内側内部地總反 射。該反射光再次在導光板8相對於液晶顯示面板1的表面 上内部地總反射,且再次被用作為光1 〇。因用作背光的光 量整體不變,所顯示的影像之亮束即使當亮冬的分佈改變 時,也不會改變整個顯示區域。 在本發明中,也可使用多於一個背光源,只要此背光 源可實現一種亮度分佈,其隨自閘極A信號輸入部份的距離 變大而變低。 第2A至2C圖係各自顯示第1A和1B圖中之液晶顯示裝置 中的液晶顯示面板1上,不同位置的畫素之部份放大圖。 第2A圓係顯示位在第1A圖之液晶顯示面板1之閘極信號輸 入部份2之一側的畫素5,第2B圖則顯示位在液晶顯示面板 1之中間部份的畫素6,而第2C圖係顯示在閘極信號輸入部 份2之相對側的畫素。第3A至3C圖係各自顯示取自第2A圖 中之A1-A1’ ,第2B圖中之B1-B1,,和第2C圖中之C1-C1,線
第19頁 573198 五、發明說明(17) 的放大部份剖面圖。 如第2A至2C圖和第3A至3C圖中所示,在玻璃基板19 上,閘極信號線13各具有預設形狀,包括TFT 14的閘極電 極部份,連續形成一間層絕緣膜2 3,和由非晶矽等製成之 源極/没極區域,且因而製造出TFT 14。接著,形成没極 信號線15,使得汲極信號線15偶合至汲極區域,且在間層 絕緣膜23上形成畫素電極16,並巧合至對應的TFT 14之源 極區域。將各個晝素電極16製成形狀,使得畫素電極16與 偶合至相鄰畫素的TFT 14之閘極·信號線13部份重疊。藉由 將畫素電極16與閘極信號線13重疊,形成辅助電容部份 17,亦即儲存電容。畫素電極16由鈍化(PA)氮化物膜24所 覆蓋。雖未示於圖式中,該PA氮化物膜24被製形成預設的 所需形狀。 、 又,在相對於玻璃基板19放置的相對基板2〇上,形成 相對電極21,且將液晶填充至在相對電極21和在畫素電極 16等等上之PA氮化物膜24之間的間隙*部份。 根據本發明之液晶顯示面板之晝素區域部份的等效電 路圖,亦可由第4圖所示之雾路表示。如第4圖中所示,畫 素的等效電路包括一 TFT 14 ^其汲極偶合至没極信號線 15 ’而其閘極偶合至閘極信號線13,一閘極-源極電容 Cgs ’ 一儲存電容Csc,以及一液晶(LC)電容Clc。該儲存 電容Csc存在於TFT 14的源極電極,和相鄰的閘極信號線 13之間。該LC電容Clc存在於TFT 14的源極電極,亦即顯 示電極16 ’和相對電極21之間。特別地,如前所述,儲存
第20頁 573198 五、發明說明(18) 電容Csc以畫素電極16和閘極信號線13重疊而形成。 如第2A至2C圖和第3A至3C圖中所示,當自閘極信號輸 入部份2的距離變大,亦即位置由部份a朝向部份c移動 時’閘極信號線13的寬度變窄,使得閘極信號線13和畫素 電極1 6之間重疊的面積變小。因此,由部份a朝向部份c儲 存電容Csc逐漸變小。在此情況下,各畫素電極16的形狀 和尺寸可不變。 务 \ 藉由使用上述結構’當自閘極信號輸入部份2的距離 變大時’貫穿電壓元件由於閘極‘衝的延遲而造成的Tft 漏電變小。然而,因當自閘極信號輸入部份2的距離變大 時’儲存電容Csc變小,貧穿電壓元件的變化,被儲存電 容Csc的變化所補償。 亦即,假設在第1A圖中的部份/之貫穿電壓元件和儲 存電容,各為Vfdin和Csc,而在第1A圖中的一份c之貫穿 電壓元件和儲存電容’各為Vf dout和Csc,,Vfdin和 Vfdout,各以下列方程式(4)和(5)表·示。
Vfdin = [Cgs/(Clc + Csc + Cgs)] * AVg(4)
Vfdout = (Cgs * AVg·$Ids dt)/ (Clc + Csc, + Cgs) (5) ' 在該等方程式(4)和(5)中,若儲存電容csc和Csc,相 同’則Vfdin > Vfdout。因此,藉由決定Csc和Csc,的 值,使得Vfdin和Vfdout的值彼此相等,可使貫穿電壓元 件在部份A和部份C二者均勻化。 將參照信號波形圖,說明可使貫穿電壓元件均勻化的理
第21頁 573198 五、發明說明(19) 由。在此情況下,亦使用第5A至5D圖。 亦即,第5A和5B圖係顯示在上述部份A的信號波形, 而第5C和5D圖則顯示在部份C的信號波形。在各第5A圖和 第5C圖中所示的波形,為各自由閘極信號線和汲極信號線 輪入之閘極脈衝GP和没極脈衝DP的信號波形,而在各第5B 圖和第5D圖中所示的波形,為實際寫入畫素電極之源極脈 衝SP的波形。在部份A,源極脈衝>SP受閘極脈衝GP降下所 影響,且源極脈衝中心SPC的電位變得比汲極脈衝中心DPC 小Vdfin的量。另一方面,在部&C,因上述之TFT漏電, 受閘極脈衝GP降下的影響變小。所以,如上所述,考慮 TFT漏電的量,藉由使在相對於閘極脈衝GP的輸入侧的一 側上之儲存電容小,可降低閘極脈衝GP降下的影響,而使 Vfdin和Vfdout的值彼此相等。、 事實上,需要事先實行模擬且/或實驗,k評估 S Ids dt 的值。接著,得到所需的儲存電容變‘化,而儲存電容隨自 閘極信號輸入部份2的距離變大而漸漸減少。在此,儲存 電容值Csc和Csc’之間的關秦如下所示。
Csc' = [(Cgs * AVg - Hds dt) (Clc + Csc + Cgs)]/ (Cgs * AVg) - (Clc - Cgs)(6) 由此公式,得到在部份C的儲存電容Csc’ ,而儲存電 容,隨自閘極信號輸入部份2至閘極信號輸入部份2的相辦 側的位置改變,而逐漸減少。 事實上,如第2A至2C圖中所示,一重疊區域,在晝素
第22頁 573198 五、發明說明(21) 大,開口部份18的面積也變大。所以,開口部份18的面 積’在相對於閘極信號輸入部份2的部份,更大於習知液 晶顯示面板,而所有影像顯示區域的開口率,大於習知液 晶顯示面板。 因此,用於本發明的背光之亮度分佈,依據自閘極信 號輸入部份2的距離而變化。亦即,如第6B圖中所示,在 閘極信號輸入部份2 —側的背光源·亮度較高,而在相對於 閘極信號輸入部份2的部份一侧的背光源亮度較低。隨自 閘極信號輸入部份2的距離變大,:背光源亮度也變低。為 了調整此背光源的亮度分佈,例如,印刷光散射部份9的 > 數目和/或面積被製成,隨自背光源4的距離變短,和隨自 閘極信號輸入部份2的距離變大而變小,且隨自背光源4的 距離變遠,和隨自閘極信號輸入部份2的距離變短而製得 大。因此,如第6C圖中所示,所顯'示的影像‘度,在所有 影像顯示區域中變得均勻,且高於習知液晶顯示面板。 所以’根據本發明,對整個影像‘顯示區域而言,增加 開口部份的面積,且所顯示的影像亮度,由背光源的分佈 所補償。因此,可得到其有择勻亮度分佈和高影像亮度的 液晶顯不裝置。 丨 (第二實施例) 在此,參照第8Α至8C圖和9Α至9C圖,說明根據第二實 施例的液晶顯示裝置。 第8Α至8C圖係各自顯示第1Α和1Β圖中之液晶顯示農置 中的液晶顯示面板1上,不同位置的畫素之部份放大圖。
第24頁 573198 五、發明說明(22) 第8A圖係顯示位在第1A圖之液晶顯示面板1之閘極信號輸 入部份2之一側的畫素5,第8B圖則顯示位在液晶顯示面板 1之中間部份的畫素6,而第8C圖係顯示在閘極信號輸入部 份2之相對側的畫素。 第9A至9C圖係各自顯示取自第8A圖中之Α1-ΑΓ ,第8B 圖中之B1 -B1’ ,和第8C圖中之C1-C1’線的放大部份剖面
如第8A至8C圖和第9A至9C圖中所示,在玻璃基板19 上,形成閘極信號線13各具有預 <設形狀,包括TFT 14的閘 極電極部份。接著,連續形成一間層絕緣膜23覆蓋閘極信 號線13等等,和由非晶矽等製成之源極/汲極區域,且因 而製造出TFT 14。接著,形成汲極信號線15,使得汲極信 號線15偶合至汲極區域,以及形成<—PA氮化物膜24,以覆 蓋汲極信號線15等等。在鈍化(PA)氮化物膜上形成畫素 電極16,並經由接觸孔26偶合至對應的TFT 14之源極區 域。將各個畫素電極16製成形狀,使‘得畫素電極16與偶合 至相鄰畫素的TFT 14之閘極信號線13部份重疊。藉由將畫 素電極16與閘極信號線13重聋,構成儲存電容或辅助電容 部份17。 T 又,在相對於玻璃基板19放置的相對基板20上,形成 相對電極21,且將液晶填充至在相對電極21和在畫素電極 1 6之間的間隙部份。 第10Α圖係顯示取自第8Α圖的D-D’線之部份剖面圖。 如第10 Α圖中所示,在此結構中,汲極信號線1 5和源極區
573198 五、發明說明(23) 域25,被經由PA氮化物膜24而自畫素電極1 6隔離。然而, 藉由使用此結構,因在未於圖式中示出的液晶顯示裝置之 其他部份,不需要額外的製程步驟,可簡化液晶顯示裝置 製造製程。第10B圖所示為取自第2A圖的D-D,線之部份剖 面圖。 具有此結構之液晶顯示面板1的晝素區域部份的等效 電路圖,亦可由第4圖所示之電路丨表示。如第4圖中所示, 畫素的等效電路包括一 TFT 14,其没極偶合至没極信號線 1 5 ’而其閘極偶合至閘極信號線ί 3,一閘極-源極電容 Cgs,一儲存電容Csc,以及一液晶(LC)電容Clc。該儲存 電容Csc存在於TFT 14的源極電極,和相鄰的閘極信號線 13之間。該LC電容Clc存在於TFT 14的源極電極,亦即顯 示電極16,和相對電極之間。 ' 亦如第9A至9C圖中所示,由畫素電極16和閘極信號線 13之間的電容偶合,經由間層絕緣膜23和pa氮化物膜24, 形成儲存電容Csc。 ·· 在此結構中的儲存電容Csc,因晝素電極16和閘極信 號線13經由PA氮化物膜24以展間層絕緣膜23作電容偶合, 略小於第一實施例。為了補^電容的降低,需要使第8人至 8C圖和第9A至9C圖中所示的輔助電容部份17的面積,略大 於第一實施例,且閘極信號線1 3的寬度,在閘極信號輸入 部份2的一側相對地變寬,以得到預設的電容。然而,在 本發明中,閘極信號線13的寬度,可隨自閘極信號輸入部 份2的距離變大而變窄,而保持畫素電極16的尺寸一定。
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電極16和前一級的閘極信號線13之間,防6 βΒ 4 吸目閘極作虢輪入 部份2至相對端的值置改變’逐漸降低以逐漸減少"儲存電 藉由使用此結構’在影像顯示區域中的 的貫穿雷壓元# 被均勻化,而可抑制影像殘留,染色箄装山:日丄% Τ 匕寻寻出現在液晶顯示
面板的整個影像顯示區域中,以改善影像顯示〇質# 在日本專利公開公報編號第1}0_39328號$^露的 液晶顧示裝置’各閘極信號線的寬度一定。因此,如 至7C圖中所示,各畫素的開口部^之面積,在所有的畫素 中為常數,而照射此液晶顯示面板的背光源,在所有&像 顯示區域中具有均勻的亮度,以在整個影像顯示區域中/得 到均勻的影像亮度。 > 口另一方面,如第2Α至2C圖中%示,在本發明中,閘極 信號線13的寬度,隨自閘極信號輪入部份2的距離變大而 變窄。因此,當與上述習知液晶顯示裝鞏比較時,各畫素 的面積,用於液晶顯示裝置之影像顯·示的光經由其穿^ 亦即,各畫素的開口部份或開π 1 8的面積變大。各晝素之 開口部份18的面積,由未在甲式中示出的彩色濾光片的遮 蔽膜’如Cr,A1等金屬膜製成的閘極信號線,及其他等等
所決定。所以,藉由使各閘極信號線的寬度變窄,開口部 份18的面積變大。 在根據本發明之液晶顯示面板中,如第6A圖中所示, 開口部份1 8的面積在閘極信號輸入部份2,與習知液晶顯 示面板的相同 '然而,隨自閘極信號輸入郜份2的距離變
第23頁 573198 五、發明說明(24) 因此’重疊部份的面積,可隨自閛極信號輸入部份2的距 離變大而變小。 以此方式,可增加各畫素的面積,亦即,的開口部份 的面積或開口 1 8,用於液晶顯示裝置之影像顯示的光經由 其穿過。所以,可得到和第一實施例相似的有益效果。
特別疋’當與第一實施例比較時,在第二實施例中, 因閘極信號線13的寬度,在閘極^號線13的輸入端大,閘 極脈衝落下的影響大。又,因以晝素電極16和閘極信號線 1 3經由PA氮化物膜24以及間層絕!緣膜23作電容偶合而形成 儲存電容,各辅助電容17的面積大幅變化,以改變儲存電 容的電容值。亦即,閘極信號線13的寬度,隨自閘極信號 輸入部份2的距離變大,而變得比在第一實施例中的情況 更窄所以,可預期開口部份18气積加大的效果,隨自閘 極信號輸入部份2的距離變大而變大。 4 (第三實施例)
第11A圖所示為根據本發明第三貪施例之液晶顯示裝 ^的整個結構之概略平面圖,且顯示液晶顯示面板丨和背 光源4a。第11B圖係顯示由糾A圖中之液晶顯示裝置的名 面圖=自其底側,亦即取“11A圖中的箭號B的方向 ,晶顯不面板1包括-畫素區域la,其中複數個畫辛 以矩陣放置。沿著液晶顯干;杧】从> m ^ ^ ^ ^ ^ 4. 有欣B日顯不面板1的左側和上側,各放置 閘極信號輸入部份2和没極作號势邱、 3。該雜錢輸人部份2W,H Λ號輸入部份 X ^ , ^ ^ 1伪2匕括,例如,複數個閘極信號考 供甲1極驅動脈衝至畫素區域la。X ,該沒極>1
第27頁 573198 五、發明說明(25) 號輸入部份3包括,例如,複數個汲極信號輸入墊,以輸 入汲極驅動脈衝至畫素區域la ^ 該背光源4a具有,例如,一長形形狀,且置於第11A 圖中的左側,亦即,在該液晶顯示面板1的閘極信號輸入 部份2側。如第11B圖中所示,一導光板置於該液晶顯示面 板1的背側,且自背光源4a傳導光至該液晶顯示面板1的畫 素區域la。因此,背光源4a置於;[目鄰導光板8a的侧邊緣。 通常,來自背光源4 a之光的亮度,隨自背光源4a的距 離變短而變高,而隨距離變長而、度變低。然而,在整個 顯示區域的亮度分佈可用導光板8 a調整。亮度以適當地在 導光板8a的表面上放置印刷光散射部份9而調整。亦即, 藉由使印刷光散射部份9的數目,隨自背光源“的距離變 短而變小,且隨自背光源4a的距,變遠而變大。如第UB 圖中所示,當背光源4a置於閘極信1號輸入部‘2側時,可 相對均勻地在導光板8a的表面上放置印刷光散射部份9 , 以得到如第6B圖中所示的亮度分佈倒此,可簡化導光板 8a的印刷光散射部份9,之排列等的設計。 總之’在根據本發明的^晶顯示裝置中,各閘極信號 線的寬度,隨自閘極信號輸欠部份的距離變大而變窄7且 因此,可加大各畫素部份的面積,亦即,的開口部份的面 積,用於液晶顯示裝置之影像顯示的光經由其穿過Y所 以,背光源的亮度被製成,在閘極信號輸入端部份較高, 而在相對於閘極信號輸入端部份的部份較低。因此,可 現具有高而均勻影像亮度的液晶顯示裝置。 貫
573198 五、發明說明(26) 又 =據本發明,可使在影像顯 兀仟板均勾化’且可抑制在整個 貝穿電壓 留,染色等等。所以,可改善影像顯示品=域内的影像殘 雖然本發明已以較佳實施例揭露如 限定本發明,任何 並非用以 視後附之申:真^動與_,因此本發明之保護範圍當 矾俊咐之曱明專利範圍所界定者爭準。
Claims (1)
- 顯示晶顯示裝置’具有一液晶顯紙 複數個畫素’其置於具有列和行的矩陣中,且其分 具有至少一薄膜電晶體(TFT)和一畫素電極; /、刀’ 複數個閘極信號線,其自置於該液晶顯示面板之一側 的閘極k號輸入區延伸,且其分別與該矩陣之, TFT耦接;以及 一輔助電容區,其分別額外地與一晝素的畫素電極耦 接,§距離該閘極信號輸入區愈遠時,該閘極信號線的寬 度是愈窄,並且該輔助電容區的電容值也愈小。 見 2 ·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示褒置,更勺 括一背光源部份,以自其背側照射該液晶顯示面 離該閘極信號輸入區愈遠時,由該背光源 §距 光亮度愈低。 丨知所k供之背 3 ·如申睛專利範圍第2項所述之液晶顯示裝,盆 當距離該閘極信號輸入區愈遠時,該晝素 & 〃 積愈大。 J開口部份的面 4·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示裝 豆 之間的相對部份之面積而決定,’亥閘極信號線經由音 電極和該閘極信號線之間的間層絕緣膜和 μ旦素 鄰畫素耦合。 氣化物膜而與相 5·如申請專利範圍第丨項所逆〈狄晶顯示 各戎輔助電容區的電容,由畫素的晝素電、 "中 和閘極信號_2167-3214-PFl.ptc 2003. 03.19. 032 573198六、申請專利範圍 之間的相對部份之面積而決定,該閘極信號線經由該畫素 電極和該閘極信號線之間的間層絕緣膜而與相鄰畫素耦 合。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置’其中 該背光部份包括至少一長形背光源和一導光板,其置於該 液晶顯示面板的背側,且其自該背光源朝向該液晶顯示面 板傳導光,該導光板包括印刷光散射部份,置於其表面 上’以調整背光亮度的分佈。 7 ·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置’其中 該背光部份包括一長形背光源’其沿著該液晶顯示面板中 設有該閘極信號輸入區的側邊而設置。 8·如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置,其中 該背光部份包括一長形背光源,其沿著該液晶顯示面板中 與設有該閘極信號輸入區之側邊垂直的側邊而設置。 9 · 一種液晶顯示裝置,包括: (a) —液晶顯示面板,具有: 複數個畫素,其置於在TFT基板上具有列和行的矩陣 中,且其分別具有至少一薄膜電晶體(TFT)和一畫素電 極; 複數個閘極信號線,其在該TFT基板上,自置於該液 晶顯示面板之一側的閘極信號輸入區延伸,且其分別與該 矩陣之列中的該TFT耦接; 辅助電容區,其分別額外地與一畫素的晝素電極耦 接,當距離該閘極信號輪入區愈遠時,該閘極信號線的寬573198曰 月 度疋愈窄,並且該輔助電容區的電容值也愈小;以及 、—相對基板,其相對於該TFT基板而在其間保持一小 間隙’該小間隙以液晶填充;以及 去 (b) 一背光部份,以自其背側照射該液晶顯示面板, 田距離該閘極信號輸入區愈遠時,由該背光源部份所提供 之背光亮度愈低。 /、 二1 〇 ·如申請專利範圍第9項戶斤述之液晶顯示裝置,其中 各該輔助電容區的電容,由晝素的晝素電極和閘極信^虎線 之間的相對部份之面積而決定,該閘極信號線經查 1和该閘極信號線之間的間層絕緣膜和氮化物膜而盥 郇畫素耦合。 /、々曰 11 ·如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置,其 電容區的電容,由畫素的畫素電極和閘極信號 ^的相對部份之面積而決定,該閘極信號線經由該書夸 人夺和该閘極信號線之間的間層絕緣膜而與相鄰畫素^ 以Λ2.Λ申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置,发中 乂该♦先部份包括至少一長形背光源和— 中 该液晶顯示面板的背側,且其自$背光 :置於 面板傳導光,料光板包括印刷光散射部二向=曰顯示 上’以調整背光亮度的分佈。 ~ ’置於其表面 1 3.如申請專利範圍第9項所述之液 _ :背光部份包括一長形背光源,,沿著4=面其中 汉有邊閘極信號輸入區的側邊而設置。 . 板中2167-3214-PFl.ptc 第32頁 2003. 03.19 573198 修正 案號 89109894 六、申請專利範圍 1 4.如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置,其中 該背光部份包括一長形背光源,其沿著該液晶顯示面板中 與設有該閘極信號輸入區之側邊垂直的側邊而設置。2167-3214-PFl.ptc 第33頁 2003.03.19.035
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