TW567618B - Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof - Google Patents

Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof Download PDF

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Description

567618 五、發明說明（1) 本發明係關於一種發光二極體及其製法，尤其關於〜 種具有黏結反射層之發光二極體及其製法。 一發光一、極體之應用頗為廣泛，例如，可應用於光學顯 不裝置、交通號諸、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裴 置、以及醫療裝置。如何提高發光二極體之亮度，是在 光二極體之製造上之重要課題。 傳統上增加發光壳度之一方法為利用凡德瓦爾作用 將兩半導體材料鍵結在一起，然其缺點為凡德瓦爾作用力 太弱，鍵結後結構之機械強度不夠，容易產生分離的情 況〇
美國專利第5, 376, 5 80號揭露一種方法，用以將一發 光二極體疊層與一透明基板鍵結在一起，俾產生歐姆介 面，其中該透明基板可以是GaP，則光可同時由發光二極 體疊層及透明基板射出。然此先前技藝方法須在丨〇 〇 〇。。左 右之高溫下，施加同軸壓力於該發光二極體疊層與透明基 板上，而形成一歐姆介面。其主要缺點為在實際製造程序 中，如此咼之鍵結溫度將破壞發光二極體之特性，使發光 效率降低；另外透明基板Gap本身仍帶有顏色，其光射出 率僅約60-70 %，並非百分之百透光，將造成亮度之降低。 傳統上另一增加發光亮度之方法為利用金屬作為鍵結 材料，將一發光二極體疊層與另一基板鍵結在一起，此一 金屬材料形成之鍵結層，可利用其金屬之特性形成一鏡面 效應’將由發光二極體疊層射向基板之光線反射回發光二 極體疊層，而不會穿透鍵結層射入基板，減少光線被基板
第5頁 567618 五、發明說明（2) 之吸收率。在製造程序中，以金屬作為鍵結層之鍵結溫产 二約30 0 一 450 t，可以避免發光二極體特性被破壞。然而又 在此一鍵結技術中，存在幾項缺點，當金屬鍵結之溫度較 低時，此時金屬層與待鍵結之兩半導體層之間並不 溫影響。產生反應，因此對光線之反射率良好，反射面可二 達，90%以上之反射率，發光二極體之發光效率將提高， 姓疋由於金屬層與待鍵結之兩半導體層無高溫作用產生鍵 …反應則金屬鍵結之效果降低，金屬層與待鍵結之半導 將：離無法形成歐姆介面，此為-主要缺點。當金屬 釔之溫度提高時，則金屬層與兩待鍵結之半導體層之間 ，結良好，但因金屬層與兩待鍵結之半導體層之間產生反 2則反射面金屬層之反射率將大大降低，無法達到鏡面 的功能此為另一缺點。 本案，明人於思考如何解決前述之缺點時，獲得一發 =靈感，認為若藉使用一透明黏結層黏結前述之金屬層與 号光一極體疊層，光在經由發光二極體疊層產生後，穿過 結層，直接由該金屬層產生全反射，由發光二極體 : 光，但是若單藉由黏結層黏結發光二極體疊層及金 I f其黏結之作用力僅為凡德瓦爾力，則黏結面之間 ’ 1丨離。因此，本發明於該發光二極體疊層以及金屬 ^、明黏結層相接之表面分別形成一反應層，該反應層 2该透明黏結層經過加壓加溫形成反應，產生氫鍵或離子 $增強黏結面之作用力，提高機械強度，將可避免前 、’〔 生剝離之缺點。另外利用透明黏結層黏結，可避免
567618 五、發明說明（3) 前述之金屬層與發光二極體疊層鍵結產生之缺點；另外於 透明黏結層及發光二極體疊層間形成一透明導電層，可改 善電流分散效率，將更可提高發光二極體之亮度。 發明概要 本發明之主要目的在於提供具有黏結反射層之發光二 極體及其製法，在其製程中，藉使用一透明黏結層，連結 一發光二極體疊層與一具有反射層之基板，使得光穿透該 透明黏結層，射向反射層，其中，於該透明黏結層之上下 表面分別存在一反應層，該反應層分別與發光二極體叠層 以及反射層相接，該反應層與該透明黏結層經過加壓加溫 形成反應’以增強黏結面之作用力，提高機械強度。該射 =反射層之光線能夠藉由反射帶出，以提高發光二極體之 免度。另外前述之反射層也可形成於發光二極體疊層及反 應層之間’如此該黏結層便不須限定為透明黏結層，不透 月黏、、:層亦可使用，光直接射向反射層藉由反射帶出。上 述之製法無前述先前技藝之反射率降低及鍵結之效果降低 的問題’因而能夠達到光全反射之效果，達到提高發光一 極體亮度之目的。 依本發明一較佳實施例具有黏結反射層之發光二 及JL 本 , 1 ^ 八衣包含一第二基板、形成於該第二基板上之一金 屬反射層、形成於該金屬反射層上之一第一反應、 ' 一久應層上之一透明黏結層、形成於該透明黏結層 上之一第二反應層、形成於該第二反應層上之一透明導電
第7頁 567618 五、發明說明（4) 層，其中，該透明導電層之上表面包含一第一表面區域與 一第二表面區域、形成於該第一表面區域上之一第一接觸 層、形成於該第一接觸層上之一第—束缚層、形成於該第 一束缚層上之一發光層、形成於該發光層上之一第二束缚 層、形成於該第二束缚層上之一第二接觸層、形成於該第 二接觸層上之一第一接線電極、以及形成於該第二表面區 域上之一第二接線電極。 該發光二極體之製法包含下列步驟：在一第一基板上 依次形成一第二接觸層、一第二束缚層、一發光層、一第 一束缚層、一第一接觸層、一透明導電層、一第二反應 層，構成一第一疊層；在一第二基板上形成一金屬反射 層、一第一反應層，構成一第二疊層；選擇一透明黏結 層’利用該透明黏結層將該第一疊層之第二反應層表面以 及該第二疊層之一第一反應層表面結合在一起；移除該第 「基板，構成一第三疊層；將該第三疊層適當地蝕刻至該 透明導電層，形成一透明導電層暴露表面區域；以及在該 第二接觸層層與該透明導電層暴露表面區域上分別形成第 一接線電極與第二接線電極。 前述第一基板，係包含選自KGaP、GaAs及以所構成 材料組群中之至少一種材料；前述第二基板，係包含選自 Si、GaAs、SiC、A 1 203、玻璃、石英、Gap、GaAsl^ A IGaAs f構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之 材料；前述透明黏結層係包含選自於聚醯亞胺（ρι)、苯并 環丁烷（BCB)或過氟環丁烷（PFCB)所構成材料組群中之至
第8頁 567618 五、發明說明（5) 少一種材料；前述 所構成材料組群中 含選自於S i N X、了丨 料；前述金屬反射 Zn ' Ge、Ag、Ti、 AuZn所構成材料組 係包含選自於Gap A1G a A s所構成材料 層、發光層與第二 觸層，係包含選自 及AlGaAs所構成材 電層包含選自於氧 及氧化鋅錫所構成 第一反 之至少 或Cr所 層係包 Pb、Pd 群中之 、GaAs 組群中 束缚層 於GaP， 料組群 化銦錫 材料組 應層係包含選自於SiNx、Ti或Cr 一種材料；前述第二反應層係包 構成材料組群中之至少一種材 含選自於 In、Sn、A1、Au、Pt、 ' Cu ' AuBe、AuGe ' Ni ' PbSn 或 至少一種材料；前述第一接觸層 、GaAsP 、InGaP 、AlGaInP 及 之至少一種材料；前述第一束缚 ，係包含A 1 GalnP ;前述第二接
.GaAs、GaAsP、InGaP、AlGalnP 中之至少一種材料；前述透明導 、氧化編錫、氧化錄锡、氧化鋅 群中之至少一種材料。 詳細說明 請參閱圖1，依本發明一較佳實施例具有黏結反射層 之發光二極體1，包含一第二基板10、形成於該基板上之 一金屬反射層11、形成於該金屬反射層上之一第一反應層 2 2、形成於該第一反應層上之一透明黏結層1 2、形成於該 透明黏結層上之一第二反應層23、形成於該第二反應層上 之一透明導電層21，其中，該透明導電層之上表面包含一 第一表面區域與一第二表面區域、形成於該第一表面區域 上之一第一接觸層13、形成於該第一接觸層上之一第一束 缚層14、形成於該第一束缚層上之一發光層1 5、形成於該
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五、發明說明（6) 發光層上之一第二束缚層16、形成於該第二束缚層上之一 第二接觸層17、形成於該第二接觸層上之一第一接線電極 1 9、以及形成於該第二表面區域上之一第二接線電極2 〇。 請參閱圖1與圖2，發光二極體1之製法包含下列步 驟：在一第一基板18上依次形成一第二接觸層17、一第二 束缚層16、一發光層15、一第一束缚層14、一第一接觸層 U、一透明導電層21、一第二反應層23，構成一第一叠層 2 ;在一第二基板10上形成一金屬反射層11，在該金屬反 射層上形成一第一反應層22 ’構成一第二疊層3，如圖3所 示；選擇一透明黏結層1 2，利用該透明黏結層將該第一疊 層之第《—反應層表面以及该第^一疊層之第'一反應層表面結 合在一起，構成一第三疊層4，如圖4所示；移除該第一基 板18，構成一第四疊層5，如圖5所示；將該第四疊層5適 當地蝕刻至該透明導電層21，形成一透明導電層暴露表面 區域；以及在該第二接觸層17與該透明導電層暴露表面區 域上分別形成第一接線電極1 9與第二接線電極2 〇。 請參閱圖6，依本發明一另較佳實施例具有黏結反射 層之發光二極體6，其結構與製法與前一較佳實施例之發 光二極體1相似，其不同處在於將前一較佳實施例之金屬 反射層11以一氧化物反射層6丨1取代之，藉由該氧化物反 射層將射向反射層之光線，經由反射將光線帶出。 請參閱圖7，依本發明又一較佳實施例具有黏結反射
第10頁 567618 五、發明說明（7) --- 層之發光二極體7，包含一金屬反射基板71〇、形成於該金 屬反射基板上之一第一反應層72 2、形成於該第一反應層 上之一透明黏結層7 1 2、形成於該透明黏結層上之一第二 反應層723、形成於該第二反應層上之一透明導電層κι， 其中’該透明導電層之上表面包含一第一表面區域與一第 二表面區域、形成於該第一表面區域上之一第一接觸層 713、形成於該第一接觸層上之一第一束缚層714、形成於 該第一束缚層上之一發光層715、形成於該發光層上之一 第二束缚層716、形成於該第二束缚層上之一第二接觸層 717、形成於該第二接觸層上之一第一接線電極719、以及 形成於該第二表面區域上之一第二接線電極72〇。 請參閱圖7與圖8，發光二極體7之製法包含下列步 驟：在一第一基板718上依次形成一第二接觸層717、一第 一束缚層716、一發光層715、一第一束缚層714、一第一 觸層713、一透明導電層721、一第二反應層723，構成一 第五叠層8 ;選擇一金屬反射基板71〇，形成於該金屬反射 基板上之一第一反應層722，構成一第六疊層9，如圖9所 示；選擇一透明黏結層7 1 2，利用該透明黏結層將該第一 叠層之第二反應層表面以及該第六疊層之第一反應層表面 結合在一起；移除該第一基板718，構成一第七疊層100， 如圖1 0所示；將該第七疊層1 〇 〇適當地蝕刻至該透明導電 層721 ’形成一透明導電層暴露表面區域；以及在該第二 接觸層717與該透明導電層暴露表面區域上分別形成第一 接線電極719與第二接線電極720。
第11頁 567618 五、發明說明（8)
請參閱圖1 1，依本發明再一較佳實施例具有黏結反射 層之發光二極體110，包含一第二基板1110、形成於該基 板上之一第一反應層1122、形成於該第一反應層上之一黏 結層11 1 2、形成於該黏結層上之一第二反應層1 1 23、形成 於該第二反應層上之一金屬反射層1111、形成於該金屬反 射層上之一透明導電層1121，其中，該透明導電層之上表 面包含一第一表面區域與一第二表面區域、形成於該第一 表面區域上之一第一接觸層1113、形成於該第一接觸層上 之一第一束缚層1114、形成於該第一束缚層上之一發光層 1115、形成於該發光層上之一第二束缚層1116、形成於該 第二束缚層上之一第二接觸層1117、形成於該第二接觸層 上之一第一接線電極1119、以及形成於該第二表面區域上 之一第二接線電極11 2 0。 請參閱圖11與圖1 2，發光二極體11 〇之製法包含下列 步驟.在' 第^ 一基板111 8上依次形成' —第二接觸声111 7、 一第二束缚層1116、一發光層1115、一第一束缚層、 一第一接觸層1113、一透明導電層1121、一金屬反射層 1111、一第二反應層1123，構成一第八疊層120 ;選擇一 第二基板1110，形成於該第二基板上之一第一反應層 1122，構成一第九疊層130，如圖13所示；選擇_黏結層 111 2，利用該黏結層將該第八疊層之第二反應層表面以及 该第九叠層之第一反應層結合在一起；移除該第一某板 1118 ’構成一第十疊層140，如圖14所示；將該第十叠層 適當地#刻至該透明導電層1121，形成一第一接觸層"暴S露
第12頁 567618
，面區域；以及在該第 面區域上分別形成第 1120 〇 二接觸層1117與該第一接觸層暴露 一接線電極111 9與第二接線電極 材料組以之f f ’係包含選自於GaP、GaAs或以所構成 Si、G:二少一種材料；前述第二基板，係包含選自 成材料组群4!$ j^203、玻璃、GaP、GaAsP*A1GaAs所構 透明種材料或其它可代替之材料；前述 選自於聚酿亞胺（ΡΙ)、苯并環丁烧 =二；！一反應層係包含選自於_、_所構成 於sL : 種材料；前述第二反應層係包含選自 金屬^所構成材料組群中之至少一種材料；前述 屬反射基板，係包含選自Sn、A1、-、pt、^、^、 ^ ^、Μ、^、CU、AM6、AM6、Π、PbSn 或“211 所構 組群中之至少一種材料或其它可代替之材料；前述 接觸層係包含選自於Gap、GaAs、GaAsP、In(}ap、 MGalnP或A1GaAs所構成材料組群中之至少一種材料；前 述氧化物反射層，係包含選自KSiNx、Si〇2、A12()3、 Τι02或MgO所構成材料組群中之至少一種材料；前述金屬 反射層，係包含選自於In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、 h、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn 或AiiZn 所構 成材料組群中之至少一種材料；前述第一束缚層、發光層 與第二束缚層，係包含八丨Galnp ;前述第二接觸層，係包 含選自於GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGalnP 或AlGaAs 所 567618 五、發明說明（10) 構成=料組群中之至少一種材料；前述透明導電層包含選 自於氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫 所構成材料組群中之至·少一種材料。 缺太H本發日月之發光二極體已以較佳實施例揭露於上， 專利r L之ΐ並不限於上述較佳實施例’應以下述申言至 離本二月所ΐ定為準。因此任何熟知此項技藝I，在不： 離本發明之申請專利範圍及精神下，當可做任U不脫
第14頁 567618 圖式簡單說明 圖式之簡單說明： 圖1為一示意圖，顯示依本發明一較佳實施例之一種 具有反射層之發光二極體。 圖2為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖1所示發光 二極體之程序中，於黏結二疊層前之第一疊層。 圖3為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖1所示發光 二極體之程序中，於黏結二疊層前之第二疊層。
圖4為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖1所示發光 二極體之程序中，於黏結第一疊層及第二疊層後，但尚未 移除第一基板前之第三疊層構造。 圖5為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖1所示發光 二極體之程序中，於移除第一基板後之第四疊層構造。 圖6為一示意圖，顯示依本發明另一較佳實施例之一 種具有反射層之發光二極體。 圖7為一示意圖，顯示依本發明又一較佳實施例之一 種具有反射層之發光二極體。 圖8為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖7所示發光 二極體之程序中，於黏結二疊層前之第五疊層。
圖9為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖7所示發光 二極體之程序中，於黏結二疊層前之第六疊層。 圖1 0為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖7所示發 光二極體之程序中，於黏結二疊層後，移除第一基板後之 第七疊層構造。 圖11為一示意圖，顯示依本發明再一較佳實施例之一
第15頁 567618 圖式簡單說明 種具有反射層之發光二極體。 圖1 2為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖1 1所示發 光二極體之程序中，於黏結二疊層前之第八疊層。 圖1 3為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖11所示發 光二極體之程序中，於黏結二疊層前之第九疊層。 圖1 4為一示意圖，顯示依本發明製法製造圖11所示發 光二極體之程序中，於黏結二疊層後，移除第一基板後之 第十疊層構造。 符號說明 1 發 光 二 極 體 10 第 二 基 板 11 金 屬 反 射 層 12 透 明 黏 結 層 13 第 接 觸 層 14 第 一 束 缚 層 15 發 光 層 16 第 二 束 缚 層 17 第 二 接 觸 層 18 第 一 基 板 19 第 一 接 線 電 極 20 第 二 接 線 電 極 21 透 明 導 電 層
第16頁 567618 圖式簡單說明 22 第一反應層 23 第二反應層 6 發光二極體 611 氧化物反射層 7 發光二極體 710 金屬反射基板 712 透明黏結層 713 第一接觸層 714 第一束缚層
715 發光層 716 第二束缚層 717 第二接觸層 718 第一基板 719 第一接線電極 720 第二接線電極 721 透明導電層 722 第一反應層 723 第二反應層
110 發光二極體 1110 第二基板 1111 金屬反射層 1112 透明黏結層 1113 第一接觸層 1114 第一束缚層
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Claims (1)

  1. 567618 六、申請專利範圍 1. 一種具有黏結反射層之發光二極體之製法，至少包含 下列步驟： ； 選擇一第一基板； 、 形成一LED疊層於該第一基板上； 形成一第一反應層於亨LED疊層上； 選擇一第二基板； 1 形成一反射層於該第二基板上； 形成一第二反應層於該反射層上； 利用一透明黏結層將該第一反應層以及該第二反應層 結合在一起。
    2. —種具有黏結反射層之發光二極體之製法，至少包含 下列步驟： 選擇一第一基板； 形成一LED疊層於該第一基板上； 形成一第一反應層於該LED疊層上； 選擇一金屬反射基板； 形成一第二反應層於該金屬反射基板上； 利用一透明黏結層將該第一反應層以及該第二反應層 ]: 結合在一起。 I
    3 . —種具有黏結反射層I發光二極體之製法，至少包含 下列步驟： 選擇一第一基板；
    第19頁 567618 六、申請專利範圍 在該第一基板上形成一 LED疊層； 形成一反射層於該LED疊層上； 形成一第一反應層於該反射層上； 選擇一第二基板； ：1 形成一第二反應層於寧第二基板上； 利用一黏結層將該第一反應層以及該第二反應層結合 I； 在一起。 （ 4. 如申請範圍第1項、第2項或第3項所述之具有黏結反射 層之發光二極體之製法，其中，該第一基板係包含選自 GaP、Ga.As或Ge所構成材料組群中之至少一種材料或其它 可代替之材料。 5. 如申請範圍第1項或第|3項所述之具有黏結反射層之發 光二極體之製法，其中，該第二基板係包含選自S i、 GaAs、SiC、A1203、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs 或 金屬所構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之 材料。 6 .如申請範圍第1項或第3項所述之具有黏結反射層之發 光二極體之製法，其中，該反射層為一金屬反射層。 I： 7 .如申請範圍第1項或第U項所述之具有黏結反射層之發
    第20頁 567618 六、申請專利範圍 光二極體之製法，其中，該反射層為一氧化物反射層。 8.如申請範圍第6項所述之具有黏結反射層之發光二極體 之製法，其中，該反射層係包含選自I η、S η、A 1、A u、 P t、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、 P b S n或A u Z n所構成材料_群中之至少一種材料或其它可 代替之材料。 9 .如申請範圍第7項所述1之具有黏結反射層之發光二極體 之製法，其中，該反射層係包含選自SiNx、Si02、 A 1 203、Ti 02或MgO所構成材料組群中之至少一種材料或 其它可代替之材料。 I 0 .如申請範圍第2項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，該金屬反射基板之金屬係包含選自 S n、A1、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、 A u B e、A u G e、N i、P b S n或A u Z n所構成材料組群中之至少 一種材料或其它可代替之材料。 II .如申請範圍第1項或第2項所述之具有黏結反射層之發 光二極體之製法，其中，該透明黏結層係包含選自於聚 醯亞胺（PI)、苯并環丁烷（BCB)或過氟環丁烷（PFCB)所構 成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之材料。
    第21頁 567618 六、申請專利範圍 1 2.如申請範圍第1項、第2項或第3項所述之具有黏結反 射層之發光二極體之製法，其中，該第一反應層係包含 選自於S i N X、T i或C r所構成材料組群中之至少一種材料 或其它可代替之材料。 13.如申請範圍第1項、第2項或第3項所述之具有黏結反 射層之發光二極體之製法，其中，該第二反應層係包含 選自於S i N X、T i或C r所構成材料組群中之至少一種材料 或其它可代替之材料。 1 4.如申請範圍第3項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，該黏結層具有透明或不透明之特徵。 1 5 .如申請範圍第1項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，更包含在該第二基板上，形成反射層 前，形成一半導體疊層。 1 6.如申請範圍第2項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，更包含在該金屬反射基板上，形成一 反射層。 1 7.如申請範圍第1項、第2項或第3項所述之具有黏結反 射層之發光二極體之製法，其中，更包含形成LED疊層之 後，於LED疊層上形成一透明導電層。
    第22頁 567618 六、申請專利範圍 1 8.如申請範圍第1項、第2項或第3項所述之具有黏結反 射層之發光二極體之製法，其中，更包含移除該第一基 板。 1 9.如申請範圍第1 7項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，該透叼導電層包含選自於氧化銦錫、 氧化鎘錫、氧化銻錫、辱化鋅或氧化鋅錫所構成材料組 群中之至少一種材料。
    2 0. —種具有黏結反射層之發光二極體，至少包含： 一基板； 丨 一反射層，形成於該基板之上； 一第一反應層，形成於該反射層之上； 一透明黏結層，形成於該第一反應層之上； 一第二反應層，形成於該透明黏結層之上； 一 LED疊層，形成於該第二反應層之上；以及 電極。 2 1 . —種具有黏結反射層、之發光二極體，至少包含：
    一金屬反射基板； 一第一反應層，形成於該金屬反射基板之上； 一透明黏結層，形成，於該第一反應層之上； 一第二反應層，形成:於該透明黏結層之上；
    第23頁 567618 六、申請專利範圍 一 LED疊層，形成於該第二反應層層之上；以及 電極。 2 2 . —種具有黏結反射層之發光二極體，至少包含： 一基板； 一第一反應層，形成於該基板之上； 一黏結層，形成於該第一反應層之上； 一第二反應層，形成於該黏結層之上； 一反射層，形成於該第二反應層之上； 一 LED疊層，形成於tk反射層之上；以及 電極。 23.如申請範圍第20項或:第21項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，更έ含於第二反應層及LED疊層之間 形成一透明導電層。 2 4.如申請範圍第2 2項所述之具有黏結反射層之發光二極 體，其中，更包含於反射層及LED疊層之間形成一透明導 電層。 2 5 .如申請範圍第2 3項或第2 4項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，該透明導電層包含選自於氧化銦 錫、氧化編錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成材 料組群中之至少一種材料。
    567618 六、申請專利範圍 2 6 .如申請範圍第2 0項或第2 2項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，該基板係包含選自Si、GaAs、SiC、 A1203、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成 材料組群中之至少一種材料或其它可代替之材料。 2 7 .如申請範圍第2 0項或第2 2項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，該反射層為一金屬反射層。 2 8 .如申請範圍第2 0項或第2 2項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，該尽射層為一氧化物反射層。 2 9 .如申請範圍第2 7項所I;述之具有黏結反射層之發光二極 體，其中，該反射層係每含選自In、Sn、A1、Au、Pt、 Z n、Ag、Ti、Pb、Pd、G#、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn 或AuZn所構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替 之材料。 3 0 .如申請範圍第2 8項所述之具有黏結反射層之發光二極 體，其中，該反射層係包含選自SiNx、Si02、A12 03、 Ti 02或MgO所構成材料組群中之至少一種材料或其它可代 替之材料。 3 1 .如申請範圍第2 1項所述之具有黏結反射層之發光二極
    第25頁 567618 六、申請專利範圍 體，其中，該金屬反射基板之金屬係包含選自S η、A 1、 Au 、Pt 、Zn 、Ag 、Ti 、Pb 、Pd 、Ge 、Cu 、AuBe 、AuGe 、 Ni、PbSn或AuZn所構成材料組群中之至少一種材料或其 它可代替之材料。 含 包 少 至 體 極二 光 發 之 層 射 反 結 黏 有 具 種 層 射 反 一 之 上 板 基 •，該 板於 基成 一形 第之 一上 之層 上應 層反 射一 反第 亥亥 =口 >0 於於 成成 形形 之之 上上 結應 黏反 明二 透第 該該 於於 成成 形形 ^ ^ •，結應電 層黏反導 應明二明 反透第透 透 亥 =口 中 其 區 面 表二 第 - 與 域 區 面 表 1 第 含 包 面 表 上 之 層 電 導 明 域 0^^ ·， 觸層 接缚 一束 第一 一第 之一 上之 域上 區層 面觸 表接 一 一 第第 該該 於於 成成 形形 層層 光縛 發束 一二 之第 上一 層之 缚上 束層 一光 第發 亥亥 於於 成成 形形 及 以。 •，極 ;極電 層電線 觸線接 接接二 二一第 第第一 一一之 之之上 上上域 層層區 缚觸面 束接表二二二 第第第 該該該 於於於 成成成 形形形 含 包 少 至 體 極二 光 發 之 層 射·， 反板 結基 黏射 有反 具屬 種金
    第26頁 567618 六、申請專利範圍 ： 形成於該金屬反射基板上之一第一反應層； 形成於該第一反應層丨上之一透明黏結層； 形成於該透明黏結層上之一第二反應層； 形成於該第二反應層上之一透明導電層，其中，該透 明導電層之上表面包含一第一表面區域與一第二表面區 域； 形成於該第一表面區域上之一第一接觸層； 形成於該第一接觸層上之一第一束缚層； 形成於該第一束缚層上之一發光層； 形成於該發光層上之一第二束缚層； 形成於該第二束縛層上之一第二接觸層； 形成於該第二接觸層上之一第一接線電極；以及 形成於該第二表面區域上之一第二接線電極。 3 4. —種具有黏結反射層之發光二極體，至少包含： 一基板； 形成於該基板上之一第一反應層； 形成於該第一反應層上之一黏結層； 形成於該黏結層上之一第二反應層； 形成於該第二反應層上之一反射層； 形成於該反射層上之一透明導電層，其中，該透明導 電層之上表面包含一第一表面區域與一第二表面區域； 形成於該第一表面區域上之一第一接觸層； 形成於該第一接觸層上之一第一束缚層；
    第27頁 567618 六、申請專利範圍 形成於該第一束缚層丨上之一發光層； 形成於該發光層上之一第二束缚層； 形成於該第二束缚層上之一第二接觸層； 形成於該第二接觸層！上之一第一接線電極；以及 形成於該第二表面區域上之一第二接線電極。 35. 一種 一基 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 形成 具有 板， 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 於該 黏結 其中 基板 基板 反射 第一 透明 第二 透明 第一 第一 發光 第二 第二 反射 ，該 下表 上表 層上 反應 導電 反應 導電 接觸 束缚 層上 束缚 接觸 層之 基板 面之 面上 之一 層上 I 黏結 層!上 層上 層上 層上 發光二極體，至少包含 具有上下表面； 一第 之一 第一 之一 層上 之一 之一 之一 之一 之一第二 層上之一 層，上之一 一接線電極； 反射層； 反應層； 透明導電黏結層 之一第二反應層 透明導電層 第一接觸層 第一束缚層 發光層； 束缚層； 第二接觸層；以及 第二接線電極。 3 6 .如申請範圍第3 2項或第3 4項所述之具有黏結反射層之 發光二極體，其中，該基板係包含選自Si、GaAs、SiC、 A1203、玻璃、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成材料組
    第28頁 567618 六、申請專利範圍 群中之至少一種材料或其它可代替之材料。 3 7 ·如申请圍第3 3項所.述之具有黏結反射層之發光二極 體’其中’該金屬反射基板係包含選自於Sn、A1、Au、 卩七 Zn Ag Ti 、Pb 、Pd 、Ge 、Cu 、AuBe 、AuGe 、Ni 、 P b S n或A u Z n所構成材料j且群中之至少一種材料。 3二如贫Y '圍I第3 5項所述之具有黏結反射層之發光 體，其中，邊基板係包含選|Si、GaAs、sic、Gap、 二』+ π* π 2 S 1金屬所構成材料組群中之至少一種材料 或其它可代替之材料 3 9 ·如申請範圍第3 2項 反射層之發光二極體， 層。 、丨第3 4項或第3 5項所述之具有黏結 其中’該反射層為一金屬反射 4 0 ·如申請範圍第3 2項或第3 4 發光二極體，其中，該反射層 項所述之具有黏結反射層 為’一氧》化物反射層。 之 41.如申請範圍第39項所‘，述之具有黏結反射層之發光二極 體，其中，该反射層係包含選自！ n、s n、A ^、A u、p七、 Zn 、Ag 、Ti 、Pb 、Pd 、qe 或A u Z n所構成材料組群中 之材料。 、Cu、AuBe、AuGe、Mi、PbSn 之至少一種材料或其它可代替
    第29頁 567618 六、申請專利範圍 4 2.如申請範圍第4 0項所述之具有黏結反射層之發光二極 體，其中，該反射層係冬含選自SiNx、Si02、A1203、 Ti 02或MgO所構成材料組/群中之至少一種材料或其它可代 替之材料。 4 3 .如申請範圍第2 0項、丨第2 1項、第3 2項或第3 3項所述之 具有黏結反射層之發光二極體之製法，其中，該透明黏 結層係包含選自於聚醯亞胺（P I )、苯并環丁烷（B C B )或過 氟環丁烷（PFCB)所構成材料組群中之至少一種材料或其 它可代替之材料。 4 4 ·如申請範圍第2 0項、第2 1項、第2 2項、第3 2項、第3 3 項、第3 4項或第3 5項所填之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，該第一反應層係包含選自於Si Nx、Ti 或C r所構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之 材料。 4 5 ·如申請範圍第2 0項、第2 1項、第2 2項、第3 2項、第3 3 項、第3 4項或第3 5項所述之具有黏結反射層之發光二極 體之製法，其中，該第二反應層係包含選自於Si Nx、Ti 或Cr所構成材料組群中之至少一種材料或其它可代替之 材料。 .
    第30頁 567618 六、申請專利範圍 4 6 ·如申晴範圍第2 2項或第3 4項所述之具有黏結反射層之 發光一極體，其中’該黏結層旦有透明或不透明之特 徵。 、 4 7 ·如申請範圍第3 5項所述之具有黏結反射層之發光二極 體’其中，該透明導電黏結層包含選自於自發性導電高 刀子（Intrinsically conducting polymer)或高分子中 摻雜導電材質所構成材料組群中之至少一種材料。 4 8 ·如申請範圍第4 7項所述之具有黏結反射層之發光二極 體發，二極體，其中，該導電材質包含選自於氧化銦 錫、氧化編錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、All及 N i / A u所構成材料組群中之至少一種材料。 4 9 .如中請範圍第3 2項、第3 3項、第3 4項或第3 5項所述之 ，f黏結反射層之發光二極體，其中，該第一接觸層係 匕 έ 選自於GaP 、GaAs 、GaAsP 、InGaP 、AlGaInP 及 A IGaAs所構成材料組群中之至少一種材料。 5 〇 ·如申請範圍第3 2項、第3 3項、第3 4項或第3 5項所述之 J有黏結反射層之發光二極體，其中，該第一束 含AlGalnP 〇 5 1 ·如申請範圍第3 2項、第3 3項、第3 4項或第3 5項所述之
    第31頁 567618 六、申請專利範圍 具有黏結反射層之發光孕極體，其中，該發光層包含 AlGalnP 〇 5 2 ·如申請範圍第3 2項、第3 3項、第3 4項或第3 5項所述之 具有黏結反射層之發光二極體，其中，該第二束缚層包 含A 1 Ga I nP 。 5 3 ·如申請範圍第3 2項、第3 3項、第3 4項或第3 5項所述之 具有黏結反射層之發光二極體，其中，該第二接觸層係 包含選自於GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP 或 、 A 1 G a A s所構成材料組群+之至少一種材料。 54.如申請範圍第32項、第33項、第34項或第35項 具有黏結反射層之發光二極體，其中 觸層之上，第二接線電極之下形成一透明導J層弟-接 5 5 ·如申請範圍第5 4項所诚夕目士 & π 體，其中，該透明導電層包入—、、'°反射層之發光二極 錫、氧化銻錫、氧化鋅‘氧3 =自於氧化銦錫、氧化綠 至少一種材料。 、#錫所構成材料組群中之 第32頁
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