KR20040010168A - 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하며, 투명 접착층을 사용하여 반사 금속층을 구비한 기판 및 발광 다이오드 스택을 함께 접착시켜 반사 금속층으로 향하는 광선을 반사시킴으로써 발광다이오드의 휘도를 개선한다.

Description

접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조방법 {Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof}
본 발명은 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 접착층 및 반사층을 구비한 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 예를 들어 광학 표시 소자, 교통 신호등, 데이타 저장 장치, 통신 장비, 조명장치 및 의료 장비 등의 여러 장치에서 사용될 수 있으며, 보다 높은 휘도를 갖는 발광 다이오드의 제조는 매우 중요한 과제이다.
LED의 휘도를 개선하는 종래의 방법으로서는, 2개의 반도체 부품을 반데르 바알스 결합력(van der Waals force)으로 결합시키는 단계를 포함한다. 그러나 두 부품 사이에 충분한 기계적 결합력을 제공하기에는 상기 반데르 바알스 결합력이 너무 약하기 때문에 분리가 쉽게 일어나는 경향을 갖게 되어 바람직하지 않다.
미국특허 5,376,580호에는 저항성 인터페이스(ohmic interface)를 생성시켜 LED 스택과 투명 기판을 결합시키는 방법이 개시되어 있다. 상기 LED 스택에서 발생된 빛은 투명 기판 뿐만 아니라 LED 스택을 투과할 수 있다. 그러나 이와 같은 종래의 방법은 저항성 인터페이스를 형성하기 위하여 약 1,000℃에서 상기 LED 스택 및 투명 기판 상에 동축(coaxial) 압축력을 가해야 한다. 이와 같은 종래 방법에서 가장 중요한 문제점은 제조 공정중에 요구되는 고온으로 인해 상기 LED의 성질이 훼손되고, 그 결과 LED의 발광 효율이 저하된다는 점이다. 또한 상기 투명 GaP 기판은 단지 약 60 내지 70%의 투명도 및 칼라를 갖고 있다. 그러므로 상기LED의 휘도를 저하시키는 요인이 된다.
LED 휘도를 증가시키는 또 다른 종래 방법으로서는 금속층을 사용하여 LED 스택과 기판을 결합시키는 결합방법이 있다. 상기 금속층은 결합층을 형성하고, 기본적인 금속 성질로 인해 거울면을 형성하게 된다. 이로 인해 상기 LED 스택으로부터 방출된 광선은 상기 금속층에서 반사되어 상기 LED 스택으로 다시 재입사되므로, 결국 금속층을 투과하여 기판으로 입사하지 못하게 된다. 그러므로 일부 광선이 기판에 의해 흡수된다는 문제점을 피할 수 있게 된다. 상기와 같은 제조 공정에서, 상기 금속층의 결합 온도는 약 300 내지 450℃이다. 이와 같이 낮은 온도에서는 LED 성질이 훼손되지 않는다. 그러나 이와 같은 결합 기술은 몇가지 단점을 갖고 있다. 그 중 하나의 문제점으로서, 결합될 2개의 반도체층 중 하나와 상기 금속층 사이의 반응이 낮은 결합 온도에서 발생하지 않게 되어 고반사 금속 표면(90% 이상의 반사율) 및 개선된 발광 효율이 얻어질 수 있지만, 결합될 반도체층과 금속 층 사이에서 반응이 없기 때문에 충분한 결합 효과를 얻기가 곤란하고, 결합될 반도체층과 금속층 사이에 저항성 인터페이스가 형성될 수 없다는 점이다. 그럼에도 불구하고 더 높은 결합 온도가 채용되는 경우에는 2개의 반도체층과 금속층 사이의 결합은 우수하다. 그러나 상기 반사 금속층의 반사율은 상당히 감소되므로 상기 금속층은 우수한 반사 기능을 제공할 수 없게 된다. 이것은 결국 상기 결합 방법의 문제점으로 작용하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일구현예에 따른, 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 나타내는 개략도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제1 스택을 나타내는 개략도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제2 스택을 나타내는 개략도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 제1 스택과 제2 스택을 접착 결합시킨 후 제1 기판을 제거하기 전에 형성된 제3 스택을 나타내는 개략도이다.
도 5는 도 1에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 제1 기판을 제거한 후에 형성된 제4 스택을 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 다른 구현예에 따른, 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른, 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 나타내는 개략도이다.
도 8은 도 7에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제5 스택을 나타내는 개략도이다.
도 9는 도 7에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제6 스택을 나타내는 개략도이다.
도 10은 도 7에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 점착층을 구비한 발광 다이오도의 제조방법에서, 제1 스택 및 제2 스택을 접착 결합한 후 제1 기판을 제거하기 전에 형성된 제7 스택을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른, 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 나타내는 개략도이다.
도 12는 도 11에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제8 스택을 나타내는 개략도이다.
도 13은 도 11에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 사용하기 위한 제9 스택을 나타내는 개략도이다.
도 14는 도 11에 나타낸 바와 같은, 본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서 제1 스택 및 제2 스택을 접착 결합 한 후 제1 기판을 제거하기 전에 형성된 제10 스택을 나타내는 개략도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
제1 기판 상에 LED 스택을 형성하는 단계;
상기 LED 스택 상에 제1 반응층을 형성하는 단계;
상기 제2 기판 상에 반사층을 형성하는 단계;
상기 반사층 상에 제2 반응층을 형성하는 단계; 및
투명 접착층을 사용하여 상기 제1 반응층 및 상기 제2 반응층을 함께 결합시키는 단계를 포함하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
기판;
상기 기판 상에 형성된 반사층;
상기 반사층 상에 형성된 제1 반응층;
상기 제1 반응층 상에 형성된 투명 접착층;
상기 투명 접착층 상에 형성된 제2 반응층; 및
상기 제2 반응층 상에 형성된 LED 스택을 포함하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법에서, 투명 접착층을 사용하여 반사층을 구비한 기판 및 LED 스택을 결합시키므로 광은 투명 접착층을 투과하여 반사층에서 반사될 수 있다. 상기 투명 접착층의 상부 및 하부 표면 각각에서 반응층(reaction layer)이 형성된다. 상기 반응층과 투명 접착층을 압축 및 가열하면 상기 반응층에서 반응이 발생하여 접착 표면에서 결합력이 증가하므로 기계적 강도가 개선된다. 상기 반사층으로 향하는 빛이 반사되어 나오면 발광 다이오드의 휘도를 증가시키게 된다. 또한 상기 반사층이 LED 스택과 반응층 사이에 형성될 수 있으므로 상기 접착층은 투명 접착층에 한정될 필요는 없으며, 비투과 접착층이 사용되는 경우라도 상기 반사층으로 향하는 빛은 반사될 수 있다. 이와 같은 방법은 반사율 및 결합 효율의 감소와 관련된 어떤 문제점도 유발하지 않는다. 그 결과 전반사 효과가 얻어질 수 있으며, LED 휘도를 증가시키고자 하는 본 발명의 목적이 달성될 수 있다.
상기 종래기술에서 언급된 바와 같이 투명 접착층이 LED 스택에 금속층을 접착시키기 위하여 사용되는 경우, 상기 LED 스택에 의해 발생되는 광선은 투명 접착층을 투과하고, 금속층에 의해 반사된 후 LED 스택을 투과하게 된다. 그러나 상기 금속층이 접착층을 사용하여 LED 스택에 단순히 접착되는 경우라면, 이들 사이의 접착은 반데르 바알스 결합력에 의해서만 발생하게 되어 상기 접착 계면에서 박리가 쉽게 일어난다. 그러나 본 발명에 따르면, 상기 LED 스택과 금속층 중 하나와 투명 접착층 사이에 반응층이 형성되고, 상기 반응은 반응층과 투명 접착층 사이에서 발생하므로 수소 결합 또는 이온 결합이 형성되어 투명 접착층에 의해 발생하는결합력을 증가시킬 수 있게 된다. 그 결과 상기 투명 접착층은 개선된 기계적 강도를 제공하게 되므로 상술한 박리의 문제점을 극복할 수 있게 된다. 또한 투명 접착층을 사용하면 상기 금속층과 LED 스택 사이의 결합으로 인해 발생하는 상술한 문제점을 피할 수 있게 된다. 더욱이 투명 도전층이 상기 투명 접착층 및 LED 스택 사이에 형성될 수 있으므로 전류 분산 효율이 개선되어 LED의 휘도를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 일구현예에 따른 접착층 및 반사층을 구비하는 발광 다이오드는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 형성된 반사 금속층, 상기 반사 금속층 상에 형성된 제1 반응층, 상기 제1 반응층 상에 형성된 투명 접착층, 상기 투명 접착층 상에 형성된 제2 반응층, 및 상기 제2 반응층 상에 형성된 투명 도전층을 포함하며, 상기 투명 도전층의 상부 표면은 제1 표면 영역 및 제2 표면 영역으로 이루어진다. 제1 접촉층(contact layer)은 제1 표면 영역 상에 형성된다. 제1 클래딩층(cladding layer)은 상기 제1 접촉층 상에 형성된다. 활성층(active layer)은 상기 제1 클래딩층 상에 형성된다. 제2 클래딩층은 상기 활성층 상에 형성된다. 제2 접촉층은 상기 제2 클래딩층 상에 형성된다. 제1 전극은 상기 제2 접촉층 상에 형성된다. 제2 전극은 상기 제2 표면 영역 상에 형성된다.
본 발명의 일구현예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은,
제1 기판 상에 제2 접촉층, 제2 클래딩층, 활성층, 제1 클래딩층, 제1 접촉층, 투명 도전층, 제2 반응층을 순차적으로 형성하여 제1 스택을 구성하는 단계; 제2 기판 상에 반사 금속층을 형성하고, 상기 반사 금속층 상에 제1 반응층을 형성하여 제2 스택을 구성하는 단계; 투명 접착층을 형성하고, 형성된 투명 접착층을 사용하여 제2 반응층의 표면 및 제1 반응층의 표면에 접착시킴으로써 제1 스택 및 제2 스택을 함께 결합시켜 제3 스택을 구성하는 단계; 제1 기판을 제거하여 제4 스택을 구성하는 단계; 상기 투명 도전층까지 제4 스택을 적절히 에칭하여 상기 투명 도전층의 노출된 표면 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2 접촉층 상에 제1 전극 및 상기 투명 도전층의 노출된 표면 영역 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 일구현예에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드(1)는 제2 기판(10), 상기 제2 기판(10) 상에 형성된 반사 금속층(11), 상기 반사 금속층(11) 상에 형성된 제1 반응층(22), 상기 제1 반응층(22) 상에 형성된 투명 접착층(12), 상기 투명 접착층(12) 상에 형성된 제2 반응층(23), 상기 제2 반응층(23) 상에 형성된 투명 도전층(21)을 포함하며, 상기 투명 도전층(21)의 상부 표면은 제1 표면 영역 및 제2 표면 영역으로 이루어진다. 제1 접촉층(13)은 상기 제1 표면 영역 상에 형성된다. 제1 클래딩층(14)은 제1 접촉층(13) 상에 형성된다. 활성층(15)은 상기 제1 클래딩층(14) 상에 형성된다. 제2 클래딩층(16)은 상기 활성층(15) 상에 형성된다. 제2 접촉층(17)은 상기 제2 클래딩층(16) 상에 형성된다. 제1 전극(19)은 상기 제2 접촉층(17) 상에 형성된다. 제2 전극(20)은 상기 제2 표면 영역 상에 형성된다.
도 1 내지 5에 나타낸 바와 같이, 상기 발광다이오드(1)의 제조방법은,
제1 기판(18) 상에 제2 접촉층(17), 제2 클래딩층(16), 활성층(15), 제1 클래딩층(14), 제1 접촉층(13), 투명 도전층(21), 제2 반응층(23)을 순차적으로 형성하여 제1 스택(2)을 구성하는 단계; 제2 기판(10) 상에 반사 금속층(11)을 형성하고, 상기 반사 금속층(11) 상에 제1 반응층(22)을 형성하여 도 3에 도시된 바와 같이 제2 스택(3)을 구성하는 단계; 투명 접착층(12)을 형성하고, 형성된 투명 접착층(12)을 사용하여 제2 반응층(23)의 표면 및 제1 반응층(22)의 표면에 접착시킴으로써 제1 스택(2) 및 제2 스택(3)을 함께 결합시켜 도 4에 나타낸 바와 같은 제3 스택(4)을 구성하는 단계; 제1 기판(18)을 제거하여 도 5에 나타낸 바와 같은 제4 스택(5)을 구성하는 단계; 상기 투명 도전층(21)까지 제4 스택(5)을 적절히 에칭하여 상기 투명 도전층(21)의 노출된 표면 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2 접촉층(17) 상에 제1 전극(19) 및 상기 투명 도전층(21)의 노출된 표면 영역 상에 제2 전극(20)을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드(6)가 도 6에 도시되어 있다. 상기 LED 구조 및 이와 같은 LED(6)의 제조방법은 상술한 본 발명에 따른 일구현예와 유사하며, 단지 상기 반사 금속층(11)이 반사 산화물층(611)으로 대체되며, 상기 반사 산화물층(611)으로 향하는 빛은 반사되어 제거될 수 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드(7)는 반사 금속 기판(710); 상기 반사 금속 기판(710) 상에 형성된 제1 반응층(722); 상기 제1 반응층(722) 상에 형성된 투명 접착층(712); 상기 투명 접착층(712) 상에 형성된 제2 반응층(723); 상기 제2 반응층(723) 상에 형성된 투명 도전층(721);을 포함하며, 상기 투명 도전층(721)은 제1 표면 영역 및 제2 표면 영역; 상기 제1 표면 영역 상에 형성된 제1 접촉층(713); 상기 제1 접촉층(713) 상에 형성된 제1 클래딩층(714); 상기 제1 클래딩층(714) 상에 형성된 활성층(715); 상기 활성층(715) 상에 형성된 제2 클래딩층(716); 상기 제2 클래딩층(716) 상에 형성된 제2 접촉층(717); 상기 제2 접촉층(717) 상에 형성된 제1 전극(719); 및 상기 제2 표면 영역 상에 형성된 제2 전극(720)을 포함한다.
도 7 내지 10에 나타낸 바와 같이, 상기 LED(7)의 제조방법은,
제1 기판(718) 상에 제2 접촉층(717), 제2 클래딩층(716), 활성층(715), 제1 클래딩층(714), 제1 접촉층(713), 투명 도전층(721), 제2 반응층(723)을 순차적으로 형성하여 제5 스택(8)을 구성하는 단계; 반사 금속층(711) 상에 제1 반응층(722)을 형성하여 제6 스택(9)을 구성하는 단계; 투명 접착층(712)을 사용하여 상기 제1 스택의 제2 반응층 표면과 상기 제6 스택의 제1 반응층 표면을 결합시키는 단계; 상기 제1 기판(718)을 제거하여 제7 스택(100)을 형성하는 단계; 상기 제7 스택(100)을 적절히 에칭하여 상기 투명 도전층(721)의 노출된 표면 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2 접촉층(717) 상에 제1 전극(719)을 형성하고, 상기 투명 도전층(721)의 노출된 표면 영역 상에 제2 전극(720)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다른 구현예에 따른 발광 다이오드(110)은 제2 기판(1110); 상기 제2 기판(1110) 상에 형성된 제1 반응층(1122); 상기 제1 반응층(1122) 상에 형성된 접착층(1112); 상기 접착층(1112) 상에 형성된 제2 반응층(1123); 상기 제2 반응층(1123) 상에 형성된반사 금속층(1111); 상기 반사 금속층(1111) 상에 형성된 투명 도전층(1121)을 포함하며, 상기 투명 도전층(1121)은 제1 표면 영역 및 제2 표면 영역; 상기 제1 표면 영역 상에 형성된 제1 접촉층(1113); 상기 제1 접촉층(1113) 상에 형성된 제1 클래딩층(1114); 상기 제1 클래딩층(1114) 상에 형성된 활성층(1115); 상기 활성층(1115) 상에 형성된 제2 클래딩층(1116); 상기 제2 클래딩층(1116) 상에 형성된 제2 접촉층(1117); 상기 제2 접촉층(1117) 상에 형성된 제1 전극; 및 상기 제2 표면 영역 상에 형성된 제2 전극(1120)을 포함한다.
도 12 내지 14에 나타낸 바와 같이, 발광 다이오드(110)의 제조방법은,
제1 기판(1118) 상에 제2 접촉층(1117), 제2 클래딩층(1116), 활성층(1115), 제1 클래딩층(1114), 제1 접촉층(1113), 투명 도전층(1121), 반사 금속층(1111), 제2 반응층(1123)을 순차적으로 형성하여 제8 스택(120)을 구성하는 단계; 제2 기판(1110) 상에 제1 반응층(1122)을 형성하여 제9 스택(130)을 구성하는 단계; 접착층(1112)을 사용하여 상기 제8 스택(120)의 제2 반응층(1123) 표면과 상기 제9 스택(130)의 제1 반응층(1122) 표면을 함께 결합시키는 단계; 상기 제1 기판(1118)을 제거하여 제10 스택(140)을 형성하는 단계; 상기 투명 도전층(1121)까지 상기 제10 스택(140)을 적절히 에칭하여 상기 제1 접촉층(1113)의 노출된 표면 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2 접촉층(1117) 상에 제1 전극(1119)을 형성하고, 상기 제1 접촉층(1113)의 노출된 표면 영역 상에 제2 전극(1120)을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 기판(18, 718, 또는 1118)은 GaP, GaAs 및 Ge으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 제2 기판(10 또는 1110)은Si, GaAs, SiC, Al2O3, 글래스, GaP, GaAsP 및 AlGaAs로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 투명 접착층(12 또는 1112)는 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB), 퍼플루오로시클로부탄(PFCB) 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 제1 반응층(22, 722, 1122)은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 제2 반응층(23, 723, 또는 1123)은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질 등을 포함한다. 상기 반사 금속 기판(710)은 Sn Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 제1 접촉층(13, 713 또는 1113)은 GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, 및 AlGaAs로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 반사 산화물층(611)은 SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2, MgO 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 반사 금속층(11 또는 1111)은 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 제1 클래딩층(14, 714, 1114), 상기 활성층(15, 715 또는 1115), 및 상기 제2 클래딩층(16, 716, 또는 1116) 각각은 AlGaInP을 포함한다. 상기 제2 접촉층(17, 717, 1117)은 GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, 및 AlGaAs로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다. 상기 투명 도전층(21, 721, 또는 1121)은 인듐 틴 옥사이드,카드뮴 틴 옥사이드, 안티몬 틴 옥사이드, 징크 옥사이드 및 징크 틴 옥사이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함한다.
본 발명은 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하며, 투명 접착층을 사용하여 반사 금속층을 구비한 기판 및 발광 다이오드 스택을 함께 접착시켜 반사 금속층으로 향하는 광선을 반사시킴으로써 발광다이오드의 휘도를 개선한다.
상기와 같이 본 발명의 바람직한 구현예들을 상세하게 기술하였지만, 첨부된 청구범위에 의하여 정의되는 본 발명의 범주와 개념으로부터 당업자들이 다양한 변형을 행할 수 있음은 자명하다.

Claims (43)

  1. 제1 기판 상에 LED 스택을 형성하는 단계;
    상기 LED 스택 상에 제1 반응층을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판 상에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 제2 반응층을 형성하는 단계; 및
    투명 접착층을 사용하여 상기 제1 반응층 및 상기 제2 반응층을 함께 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사층이 반사 금속층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반사 금속층이 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반사층이 반사 산화물층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반사 산화물층이 SiNx, SiO2, Al2O3, TiO12, 및 MgO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투명 접착층이 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB), 및 퍼플루오로시클로부탄(PFCB)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 상기 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 제2 기판 상에 반사층을 형성하는 단계가 상기 제2 기판 상에 반도체 스택을 형성하는 단계 및 상기 반도체 스택 상에 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  10. 제1 기판 상에 LED 스택을 형성하는 단계;
    상기 LED 스택 상에 제1 반응층을 형성하는 단계;
    반사 금속 기판 상에 제2 반응층을 형성하는 단계; 및
    투명 접착층을 사용하여 상기 제1 반응층과 제2 반응층을 함께 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반사 금속 기판이 Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 투명 접착층이 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB) 및 퍼플루오로시클로부탄(PFCB)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으루부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 반사 금속 기판 상에 제2 반응층을 형성하는 단계가 상기 반사 금속 기판 상에 반사층을 형성하는 단계 및 상기 반사층 상에 제2 반응층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  16. 제1 기판 상에 LED 스택을 형성하는 단계;
    상기 LED 스택 상에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 제1 반응층을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판 상에 제2 반응층을 형성하는 단계; 및
    접착층을 사용하여 상기 제1 반응층 및 제2 반응층을 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 반사층이 반사 금속층인 것을 특징으로 하는 접착층및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 반사층이 반사 산화물층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 반사 금속층이 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 반사 산화물층이 SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2및 MgO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  21. 제16항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 상기 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 제1 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드의 제조방법.
  23. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 반사층;
    상기 반사층 상에 형성된 제1 반응층;
    상기 제1 반응층 상에 형성된 투명 접착층;
    상기 투명 접착층 상에 형성된 제2 반응층; 및
    상기 제2 반응층 상에 형성된 LED 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제2 반응층과 상기 LED 스택 사이에 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  25. 제23항에 있어서, 상기 반사층이 반사 금속층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  26. 제23항에 있어서, 상기 반사층이 반사 산화물층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  27. 제25항에 있어서, 상기 반사 금속층이 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb,Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  28. 제26항에 있어서, 상기 반사 산화물층이 SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2및 MgO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  29. 제23항에 있어서, 상기 투명 접착층이 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB) 및 퍼플루오로시클로부탄(PFCB)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  30. 제23항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 상기 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  31. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 반응층;
    상기 제1 반응층 상에 형성된 접착층;
    상기 접착층 상에 형성된 제2 반응층;
    상기 제2 반응층 상에 형성된 반사층; 및
    상기 반사층 상에 형성된 LED 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  32. 제31항에 있어서, 상기 반사층과 상기 LED 스택 사이에 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  33. 제31항에 있어서, 상기 반사층이 반사 금속층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  34. 제31항에 있어서, 상기 반사층이 반사 산화물층인 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  35. 제33항에 있어서, 상기 반사 금속층이 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  36. 제34항에 있어서, 상기 반사 산화물층이 SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2및 MgO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  37. 제31항에 있어서, 상기 투명 접착층이 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB), 및 퍼플루오로시클루부탄(PFCB)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  38. 제31항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 상기 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  39. 반사 금속 기판;
    상기 반사 금속 기판 상에 형성된 제1 반응층;
    상기 제1 반응층 상에 형성된 투명 접착층;
    상기 투명 접착층 상에 형성된 제2 반응층; 및
    상기 제2 반응층 상에 형성된 LED 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  40. 제39항에 있어서, 상기 제2 반응층과 상기 LED 스택 사이에 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  41. 제39항에 있어서, 상기 반사 금속 기판이 Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, 및 AuZn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  42. 제39항에 있어서, 상기 투명 접착층이 폴리이미드(PI), 벤조시클로부텐(BCB) 및 퍼플루오로시클로부탄(PFCB)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
  43. 제39항에 있어서, 상기 제1 반응층 또는 상기 제2 반응층이 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층 및 반사층을 구비한 발광 다이오드.
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